JPH01211399A - スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ - Google Patents
スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタInfo
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- JPH01211399A JPH01211399A JP63035159A JP3515988A JPH01211399A JP H01211399 A JPH01211399 A JP H01211399A JP 63035159 A JP63035159 A JP 63035159A JP 3515988 A JP3515988 A JP 3515988A JP H01211399 A JPH01211399 A JP H01211399A
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- output
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- signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明はLSIに係り、特にカスタムLSIに関するも
のである。
のである。
(従来の技術)
LSI中のダイナミックシフトレジスタとしては一般に
第7図(a)のようなものが知られている。このダイナ
ミックシフトレジスタは、第1゜第2記憶回路部1.3
が直列に接続されていて、この第1記憶回路部1の第1
入力端5にはデータ入力信号りが入力され、第1出力端
7にはこの第2記憶回路部3の第2入力端9が接続され
、この第2記憶回路部3の第2出力端11はLSIの内
部組合せ回路に出力信号Qとして接続される。前記第1
記憶回路部1の第1クロックの信号入力端13には第1
クロック信号φが入力され、第1bクロック信号入力端
15には前記第1クロック信号φの反転電位を有する第
1クロック信号iが入力され、前記第1クロック信号φ
が第ルベル(L−0)の場合に、前記第1出力端7より
前記データ入力信号に対応した信号が出力される。前記
第2記憶回路部3の第2bクロック信号入力端17には
第1クロック信号1が入力され、第2aのクロック信号
Δカ端19には前記第1クロック、信号■の反転7d位
を存する第1クロック信号φが人力され、前記第1クロ
ック信号1が第ルベル(L−0)の場合に前記第2出力
端11よりこの第2記憶回路部3の前記第2入力端9に
入力される信号に対応する信号が出力される。
第7図(a)のようなものが知られている。このダイナ
ミックシフトレジスタは、第1゜第2記憶回路部1.3
が直列に接続されていて、この第1記憶回路部1の第1
入力端5にはデータ入力信号りが入力され、第1出力端
7にはこの第2記憶回路部3の第2入力端9が接続され
、この第2記憶回路部3の第2出力端11はLSIの内
部組合せ回路に出力信号Qとして接続される。前記第1
記憶回路部1の第1クロックの信号入力端13には第1
クロック信号φが入力され、第1bクロック信号入力端
15には前記第1クロック信号φの反転電位を有する第
1クロック信号iが入力され、前記第1クロック信号φ
が第ルベル(L−0)の場合に、前記第1出力端7より
前記データ入力信号に対応した信号が出力される。前記
第2記憶回路部3の第2bクロック信号入力端17には
第1クロック信号1が入力され、第2aのクロック信号
Δカ端19には前記第1クロック、信号■の反転7d位
を存する第1クロック信号φが人力され、前記第1クロ
ック信号1が第ルベル(L−0)の場合に前記第2出力
端11よりこの第2記憶回路部3の前記第2入力端9に
入力される信号に対応する信号が出力される。
前記第1記憶回路部1は前記第1入力端5に入力側が接
続され、Nチャネルトランジスタ及びPチャネルトラン
ジスタを存するトランスフ、−グー ゲートより成る第1スイッチ21と、このスイッヘ チ21の出力端23に一端25が接続され、他端27が
基準電位に接続(接地)される第1コンデンサ29と、
この第1コンデンサの29の前記−端25に入力端31
が接続され、入力電位の反転が゛ 電位李出力される出力側が前記第1出力端7に接続され
るインバータ回路33とを備えている。前記第2記憶回
路部3はこの第1記憶回路部1と同一に構成される。
続され、Nチャネルトランジスタ及びPチャネルトラン
ジスタを存するトランスフ、−グー ゲートより成る第1スイッチ21と、このスイッヘ チ21の出力端23に一端25が接続され、他端27が
基準電位に接続(接地)される第1コンデンサ29と、
この第1コンデンサの29の前記−端25に入力端31
が接続され、入力電位の反転が゛ 電位李出力される出力側が前記第1出力端7に接続され
るインバータ回路33とを備えている。前記第2記憶回
路部3はこの第1記憶回路部1と同一に構成される。
このダイナミックシフトレジスタの動作は前記第1.第
2記憶回路部1.3中の前記第1a+bs第2a、bり
07り信号入力端13.i5,17゜19に第ルベル(
L−0)の第1クロック信号φ及び第2レベル(H−1
)の第1クロック信号アが入力される場合に、前記ff
1l記憶回路部1中の前記第1スイッチ21がオンの状
態となり、前記データ入力信号りに対応した信号が前記
第1コンデンサ29に記憶され、前記第2記憶回路部3
中のM2スイッチ35はオフの状態となり・前記第1コ
ンデンサ29に記憶された出力信号が出力される。又、
前記第1.第2記憶回路部1.3中の前記第1a、b、
第2a、bクロック信号入力端13.15.17.19
に第2レベル(H−1)の第1クロック信号φ及び第ル
ベル電位(L−0)の第1クロック信号7が入力される
場合には、前記第1記憶回路部1中の前記第1スイッチ
21はオフの状態となり、前記第2記憶回路部3中の前
記第2スイッチ35はオンの状態となり、前記第1コン
デンサ27に蓄積された電気信号が第1インバータ回路
で電位が反転されて、前記第2スイッチ35の入力端に
人力され、この人力信号に対応する電気信号が出力側か
ら出力され、第2インバータ回路37で電位が反転され
て、前記第2出力端11より前記データ入力信号りに対
応したデータ出力信号Qが出力される。
2記憶回路部1.3中の前記第1a+bs第2a、bり
07り信号入力端13.i5,17゜19に第ルベル(
L−0)の第1クロック信号φ及び第2レベル(H−1
)の第1クロック信号アが入力される場合に、前記ff
1l記憶回路部1中の前記第1スイッチ21がオンの状
態となり、前記データ入力信号りに対応した信号が前記
第1コンデンサ29に記憶され、前記第2記憶回路部3
中のM2スイッチ35はオフの状態となり・前記第1コ
ンデンサ29に記憶された出力信号が出力される。又、
前記第1.第2記憶回路部1.3中の前記第1a、b、
第2a、bクロック信号入力端13.15.17.19
に第2レベル(H−1)の第1クロック信号φ及び第ル
ベル電位(L−0)の第1クロック信号7が入力される
場合には、前記第1記憶回路部1中の前記第1スイッチ
21はオフの状態となり、前記第2記憶回路部3中の前
記第2スイッチ35はオンの状態となり、前記第1コン
デンサ27に蓄積された電気信号が第1インバータ回路
で電位が反転されて、前記第2スイッチ35の入力端に
人力され、この人力信号に対応する電気信号が出力側か
ら出力され、第2インバータ回路37で電位が反転され
て、前記第2出力端11より前記データ入力信号りに対
応したデータ出力信号Qが出力される。
このように従来のダイナミックシフトレジスタは前記¥
S1及び第2コンデンサ29.39に蓄えられた電荷が
リークなどによって消失しない程度の周期で、入力され
るクロック信号の電位を変化させることで、前記第1及
び第2スイッチ21゜35が開閉されて動作が行なわれ
る。
S1及び第2コンデンサ29.39に蓄えられた電荷が
リークなどによって消失しない程度の周期で、入力され
るクロック信号の電位を変化させることで、前記第1及
び第2スイッチ21゜35が開閉されて動作が行なわれ
る。
第7図(b)は第7図(a)と同様の動作を行なうクロ
ックドインバータを用いたダイナミックシフトレジスタ
であり、第1記憶回路部1と第2記憶2つのNチャネル
トランジスタ45.474/12’ブが直列に接続され
、入力端が前記第1記憶回路部1の入力端5に接続され
るクロックドインバータ49とこのクロックドインバー
タ49の出力側に一端25が接続され、他端27が接地
されている第1コンデンサ29とを備え、この第1コン
デンサ29の前記一端25は前記第1記憶回路部1の第
1出力端7に接続されている。第2記憶回路部3は前記
第1記憶回路部1と同様の構成を備えている。前記クロ
ックドインバータ49はソースが正電源電位に接続され
、ゲートが前記クロックドインバータ49の入力端5に
接続される第1Pチヤネルトランジスタ41と、この第
1Pチヤネルトランジスタ41のドレインにソースが接
続され、ゲートにクロック信号φが入力され、ソースが
前記クロックドインバータ49の出力側に接続される。
ックドインバータを用いたダイナミックシフトレジスタ
であり、第1記憶回路部1と第2記憶2つのNチャネル
トランジスタ45.474/12’ブが直列に接続され
、入力端が前記第1記憶回路部1の入力端5に接続され
るクロックドインバータ49とこのクロックドインバー
タ49の出力側に一端25が接続され、他端27が接地
されている第1コンデンサ29とを備え、この第1コン
デンサ29の前記一端25は前記第1記憶回路部1の第
1出力端7に接続されている。第2記憶回路部3は前記
第1記憶回路部1と同様の構成を備えている。前記クロ
ックドインバータ49はソースが正電源電位に接続され
、ゲートが前記クロックドインバータ49の入力端5に
接続される第1Pチヤネルトランジスタ41と、この第
1Pチヤネルトランジスタ41のドレインにソースが接
続され、ゲートにクロック信号φが入力され、ソースが
前記クロックドインバータ49の出力側に接続される。
第2Pチヤネルトランジスタ43と、ソースが基準電位
に接続され(接地され)、ゲートが前記クロックドイン
バータ49の入力端5に接続される第1Nチヤネルトラ
ンジスタ45と、この第1Nチヤネルトランジスタ45
のドレインにソースが接続され、このクロックドインバ
ータ49の出力側にドレインが接続され、ゲートにクロ
ック。
に接続され(接地され)、ゲートが前記クロックドイン
バータ49の入力端5に接続される第1Nチヤネルトラ
ンジスタ45と、この第1Nチヤネルトランジスタ45
のドレインにソースが接続され、このクロックドインバ
ータ49の出力側にドレインが接続され、ゲートにクロ
ック。
信号7が入力される第2Nチヤネルトランジスタ47と
を備えている。前記第2記憶回路部3中のクロックドイ
ンバータ49は前、2第1記憶回路部1中のクロックド
インバータと、前記第2Pチヤネル、Nチャネルトラン
ジスタ43.47のゲートに入力されるクロック信号φ
、7の位置が入れかわっている点が異なるように構成さ
れる。
を備えている。前記第2記憶回路部3中のクロックドイ
ンバータ49は前、2第1記憶回路部1中のクロックド
インバータと、前記第2Pチヤネル、Nチャネルトラン
ジスタ43.47のゲートに入力されるクロック信号φ
、7の位置が入れかわっている点が異なるように構成さ
れる。
第7図(a)のダイナミックシフトレジスタのテストは
前記第1及び第2スイッチ21.35と、前記第1及び
第2コンデンサ29.39と、前記第1及び第2インバ
ータ33.37とが正常に動作するかの検査であり、第
7図(b)のダイナミックシフトレジスタのテストは、
前記第1及び第2クロックドインバータ49と、前記第
1及び第2コンデンサ29.39とが正常に動作するが
の検査である。
前記第1及び第2スイッチ21.35と、前記第1及び
第2コンデンサ29.39と、前記第1及び第2インバ
ータ33.37とが正常に動作するかの検査であり、第
7図(b)のダイナミックシフトレジスタのテストは、
前記第1及び第2クロックドインバータ49と、前記第
1及び第2コンデンサ29.39とが正常に動作するが
の検査である。
第7図(a)(b)のダイナミック・シフトレジスタの
テストは規定のクロック周期で、前記第1入力端5にデ
ータ入力を行なって、前記第2出力端11より正常な結
果が出力されているかを確認することで行なわれる。こ
のような方法で、このレジスタを多数使用したLSIを
テストするには、このLSIの外部からのデータ入力の
設定のためにプログラム設計を行°なわなければならな
いので難しく、且つテスト結果の出力がこのLSI外部
に簡単に出力されないために非常に困難となっている。
テストは規定のクロック周期で、前記第1入力端5にデ
ータ入力を行なって、前記第2出力端11より正常な結
果が出力されているかを確認することで行なわれる。こ
のような方法で、このレジスタを多数使用したLSIを
テストするには、このLSIの外部からのデータ入力の
設定のためにプログラム設計を行°なわなければならな
いので難しく、且つテスト結果の出力がこのLSI外部
に簡単に出力されないために非常に困難となっている。
又、クロック信号が停止している状態では、貫通電流が
流れ、消費電流が増大するために、CMOSで回路を構
成した場合に必要な前記CMOS中のトランジスタの物
理的異常検査である静的消費電流の測定が不可能であっ
た。尚、消費電流の増大は前記CMOS中のトランジス
タだけではなくLSIパッケージにも負担をかけるので
、多数のダイナミックシフトレジスタを使用した高集積
LSIではクロック信号を停止してLSIを使用するこ
とが困難な状況にある。
流れ、消費電流が増大するために、CMOSで回路を構
成した場合に必要な前記CMOS中のトランジスタの物
理的異常検査である静的消費電流の測定が不可能であっ
た。尚、消費電流の増大は前記CMOS中のトランジス
タだけではなくLSIパッケージにも負担をかけるので
、多数のダイナミックシフトレジスタを使用した高集積
LSIではクロック信号を停止してLSIを使用するこ
とが困難な状況にある。
(発明が解決しようとする課題)
上述したように従来のダイナミックレジスタでは、LS
I外部からのテスト入力信号の作成が非常に困難であっ
た。
I外部からのテスト入力信号の作成が非常に困難であっ
た。
本発明の目的とするところは、上記課題を解決するため
にダイナミックシフトレジスタのテストを容易化するこ
とである。
にダイナミックシフトレジスタのテストを容易化するこ
とである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明によるダイナミックシフトレジスタは、開閉す
るスイッチと、電荷を蓄えることで電気信号を記憶する
コンデンサと、入力を反転して出力するインバータとか
ら成る記憶回路が2つ接続して構成されるシフトレジス
タが、相互に前記コンデンサを共有しあって、接続され
ることで構成される。このダイナミックシフトレジスタ
では、電気信号を複数の経路から制御することが可能で
ある。
るスイッチと、電荷を蓄えることで電気信号を記憶する
コンデンサと、入力を反転して出力するインバータとか
ら成る記憶回路が2つ接続して構成されるシフトレジス
タが、相互に前記コンデンサを共有しあって、接続され
ることで構成される。このダイナミックシフトレジスタ
では、電気信号を複数の経路から制御することが可能で
ある。
(作用)
このように構成されたものにおいては、コンデンサが複
数の経路から、制御できることで前記コンデンサに蓄え
られる電気信号の入出力が容易となった。
数の経路から、制御できることで前記コンデンサに蓄え
られる電気信号の入出力が容易となった。
(実施例)
以下ピ図面に示した実施例に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第1図(a)は本発、明、の一実施例を示すLSI中に
存在するダイナミックシフトレジスタである。
存在するダイナミックシフトレジスタである。
このダイナミックシフトレジスタは第1.第2記憶回路
部1.3が直列に接続され、さらに第3゜第4記憶回路
部51.53が直列に接続され、前記第2記憶回路部3
は前記第3記憶回路部51に接続され、一部分を共有し
ている。前記第1記憶回路部1の第1入力端5にはデー
タ入力信号りが入力され、第1出力端7には前記第2記
憶回路部3の第2入力端9が接続され、この第2記憶回
路部3の第2出力端11はLSI内部の組合せ回路(図
示せず)に出力信号Qとして接続される。前記第3記憶
回路部51の第3入力端55にはデータ入力信号SDが
入力され、T43出力端57には、前記第4記憶回路部
53の第4入力端59が接続され、この第4記憶口路部
53の第4出力端61は他のダイナミックシフトレジス
タの入力端又は外部接続端子に導かれる。前記第1記t
a口路部1の第1クロック信号入力端13には第1クロ
ック信号φが人力され、第1bクロック信号入力端15
には前記第1クロック信号φの反転電位を存する第1b
ロツク信号7が入力され、前記第1クロック信号φが第
ルベル(L−0)の場合ニ、前記第1出力端7より前記
データ人力信号に対応した信号が出力される。前記第2
記憶回路部3の第2のクロック信号入力端17には第1
クロック信号Tが入力され、第2bクロック信号入力端
19には前記第1クロック信号7の反転電位を有する第
1クロック信号φが入力され、前記第1クロック信号¥
が第ルベル(L−0)の場合に、前記第2出力端11よ
り、この第2記憶回路部3の前記第2入力端11に入力
される信号に対応する信号が出力される。前記第3記憶
回路部51は前記第2記憶回路部3と一部分が共有され
ているので、前記第2記憶回路部3の前記第2出力端1
1より出力がなされる場合、この第3出力端57より前
記第2入力端9に゛入力される信号に対応する信号が出
力される。又、前記第3記憶回路部51の第3クロック
信号入力端63には第2クロック信号Aが入力され、第
3bクロック信号入力端65には前記第2クロック信号
Aの反転電位を有する第2クロックfg号Xが入力され
、前記第2クロク信号Aが第ルベル(L−0)の場合に
、前記第2及び第3出力端11.57より、この第3入
力端55に入力される信号に対応する信号が出力される
。又、前記第4記憶回路部53の第4aクロック信号入
力端67には第3クロック信号Bが入力され、M 4
bクロック信号入力端69には前記第3クロック信号B
の反転電位を有する第3クロック信号1が入力され、前
記第3クロック信号Bが第ルベル(L−0)の場合に、
前記第4出力端61より、この第4入力端59に入力さ
れる信号に対応する信号を出力される。
部1.3が直列に接続され、さらに第3゜第4記憶回路
部51.53が直列に接続され、前記第2記憶回路部3
は前記第3記憶回路部51に接続され、一部分を共有し
ている。前記第1記憶回路部1の第1入力端5にはデー
タ入力信号りが入力され、第1出力端7には前記第2記
憶回路部3の第2入力端9が接続され、この第2記憶回
路部3の第2出力端11はLSI内部の組合せ回路(図
示せず)に出力信号Qとして接続される。前記第3記憶
回路部51の第3入力端55にはデータ入力信号SDが
入力され、T43出力端57には、前記第4記憶回路部
53の第4入力端59が接続され、この第4記憶口路部
53の第4出力端61は他のダイナミックシフトレジス
タの入力端又は外部接続端子に導かれる。前記第1記t
a口路部1の第1クロック信号入力端13には第1クロ
ック信号φが人力され、第1bクロック信号入力端15
には前記第1クロック信号φの反転電位を存する第1b
ロツク信号7が入力され、前記第1クロック信号φが第
ルベル(L−0)の場合ニ、前記第1出力端7より前記
データ人力信号に対応した信号が出力される。前記第2
記憶回路部3の第2のクロック信号入力端17には第1
クロック信号Tが入力され、第2bクロック信号入力端
19には前記第1クロック信号7の反転電位を有する第
1クロック信号φが入力され、前記第1クロック信号¥
が第ルベル(L−0)の場合に、前記第2出力端11よ
り、この第2記憶回路部3の前記第2入力端11に入力
される信号に対応する信号が出力される。前記第3記憶
回路部51は前記第2記憶回路部3と一部分が共有され
ているので、前記第2記憶回路部3の前記第2出力端1
1より出力がなされる場合、この第3出力端57より前
記第2入力端9に゛入力される信号に対応する信号が出
力される。又、前記第3記憶回路部51の第3クロック
信号入力端63には第2クロック信号Aが入力され、第
3bクロック信号入力端65には前記第2クロック信号
Aの反転電位を有する第2クロックfg号Xが入力され
、前記第2クロク信号Aが第ルベル(L−0)の場合に
、前記第2及び第3出力端11.57より、この第3入
力端55に入力される信号に対応する信号が出力される
。又、前記第4記憶回路部53の第4aクロック信号入
力端67には第3クロック信号Bが入力され、M 4
bクロック信号入力端69には前記第3クロック信号B
の反転電位を有する第3クロック信号1が入力され、前
記第3クロック信号Bが第ルベル(L−0)の場合に、
前記第4出力端61より、この第4入力端59に入力さ
れる信号に対応する信号を出力される。
前記第1記憶回路部1は前記第1入力端5に入力側が接
続され・、前記第1a、bクロック信号入力端を有する
トランスファーゲートより成る第1スイッチ21と、こ
の第1スイッチ21の出力側に一端が接続され、他端が
接地される第1コンデンサ29と、この第1コンデンダ
29の前記一端25に入力端が接続され、入力電位の反
転電位が出力される出力端力(前記第1出力端7に接続
される第1インバータ33とを備えている。前記第2゜
第3.第4記憶回路部3,51.53はこの第1記憶回
路部1と同一に構成される。
続され・、前記第1a、bクロック信号入力端を有する
トランスファーゲートより成る第1スイッチ21と、こ
の第1スイッチ21の出力側に一端が接続され、他端が
接地される第1コンデンサ29と、この第1コンデンダ
29の前記一端25に入力端が接続され、入力電位の反
転電位が出力される出力端力(前記第1出力端7に接続
される第1インバータ33とを備えている。前記第2゜
第3.第4記憶回路部3,51.53はこの第1記憶回
路部1と同一に構成される。
このダイナミックシフトレジスタの動作は前記第1.第
2記憶回路部1.3中の前記第1a、b。
2記憶回路部1.3中の前記第1a、b。
第2b、aりoツク信号入力端13.15.17゜19
に第ルベル(L−0)の第1クロック信号φ、第2レベ
ル電位(H−1)の第1クロック信号■が入力され、且
つ、前記第3記憶回路部51中の前記第3a、bクロッ
ク信号入力端63゜65に第2レベル(H−1)の第2
クロック信号A及び第ルベル(L−0)の第2クロック
信号アが入力される場合、前記第1記憶回路部1中の前
記第1スイッチ21が導通状態となり、前記データ入力
信号りに対応した信号が前記第1出力端7より出力され
、前記第1コンデンサ29にこの出力信号の電位が記憶
される。そして、前記第2記憶回路部3中の第2スイッ
チ35及び前記第3記憶回路部51中の第3スイッチ7
1がオフとなり、前記第2.第3出力端11.57より
、前記第2記憶回路部3中の第2コンデンサ39に記憶
された電位に応じた出力信号が出力される。更に前記第
4記憶回路部53中の第4a、bクロック信号入力端に
第2レベルの第3クロック信号B及び第ルベルの第3ク
ロック信号Bが入力される場合には、前記第4スイッチ
35はオフとなり、前記第4出力端61より、第4記憶
回路部53中に記憶された電位に応じた出力信号SQが
出力さ3中の前記第1a、b、第2a、bクロック信号
入力端13,15.17.19に第2レベル(H−1)
の第1クロック信号φ、第ルベル(L−0)の第1クロ
ック信号■が入力される場合には、はオフの状態となり
、前記第2記憶回路部3中の前記第2スイッチ35はオ
ンの状態となり、前記第1コンデンサ29に記憶された
電気信号が第1インバータ33で電位が反転されて、前
記第2スイッチ35の入力側に入力され、この入力信号
に対応する電気信号が出力側から出力され、第2インパ
ーク37で電位が反転されて、前記第2出力端11より
前記データ入力信号りに対応した出力信号Qが出力され
、前記第2記憶口路部3中の第2コンデンサ39に、前
記人力信号りに応じた電気信号が記憶される。
に第ルベル(L−0)の第1クロック信号φ、第2レベ
ル電位(H−1)の第1クロック信号■が入力され、且
つ、前記第3記憶回路部51中の前記第3a、bクロッ
ク信号入力端63゜65に第2レベル(H−1)の第2
クロック信号A及び第ルベル(L−0)の第2クロック
信号アが入力される場合、前記第1記憶回路部1中の前
記第1スイッチ21が導通状態となり、前記データ入力
信号りに対応した信号が前記第1出力端7より出力され
、前記第1コンデンサ29にこの出力信号の電位が記憶
される。そして、前記第2記憶回路部3中の第2スイッ
チ35及び前記第3記憶回路部51中の第3スイッチ7
1がオフとなり、前記第2.第3出力端11.57より
、前記第2記憶回路部3中の第2コンデンサ39に記憶
された電位に応じた出力信号が出力される。更に前記第
4記憶回路部53中の第4a、bクロック信号入力端に
第2レベルの第3クロック信号B及び第ルベルの第3ク
ロック信号Bが入力される場合には、前記第4スイッチ
35はオフとなり、前記第4出力端61より、第4記憶
回路部53中に記憶された電位に応じた出力信号SQが
出力さ3中の前記第1a、b、第2a、bクロック信号
入力端13,15.17.19に第2レベル(H−1)
の第1クロック信号φ、第ルベル(L−0)の第1クロ
ック信号■が入力される場合には、はオフの状態となり
、前記第2記憶回路部3中の前記第2スイッチ35はオ
ンの状態となり、前記第1コンデンサ29に記憶された
電気信号が第1インバータ33で電位が反転されて、前
記第2スイッチ35の入力側に入力され、この入力信号
に対応する電気信号が出力側から出力され、第2インパ
ーク37で電位が反転されて、前記第2出力端11より
前記データ入力信号りに対応した出力信号Qが出力され
、前記第2記憶口路部3中の第2コンデンサ39に、前
記人力信号りに応じた電気信号が記憶される。
次に、前記第1.第2記憶回路部1.3中の前記第1a
、b、第2b、aクロック信号入力端13.15’、1
7.191:第ルベル(L−′o)のT41クロック信
号φ、第2レベル電位(H−1)の第1クロック信号7
が入力される場合には、前記第1記憶回vW部1中の前
記第1スイッチ21はオンの状態となり、前期第2記憶
回路部3中の前記第2スイッチ35はオフの状態となり
、前記データ入力信号りに対応した電位は前記第1記憶
回路部1中の第1コンデンサ29に記憶される。
、b、第2b、aクロック信号入力端13.15’、1
7.191:第ルベル(L−′o)のT41クロック信
号φ、第2レベル電位(H−1)の第1クロック信号7
が入力される場合には、前記第1記憶回vW部1中の前
記第1スイッチ21はオンの状態となり、前期第2記憶
回路部3中の前記第2スイッチ35はオフの状態となり
、前記データ入力信号りに対応した電位は前記第1記憶
回路部1中の第1コンデンサ29に記憶される。
次に、前記第4記憶回路部53中の前記第4a。
bクロック信号入力端67.69に第ルベル(L−0)
のff13クロック信号B及び第2レベル(H−1)の
第3クロック信号1が入力される場合には、前記第4記
憶回路部53中の第4スイッチ73は導通の状態となり
、前記第2コンデンサ39に蓄積されていた、電気信号
に対応する出力信号SQが前記第4出力端61より出力
され、前記第4記憶回路部53中の前記第4コンデンサ
79に前記第2コンデンサ39に蓄積されていた電気信
号の反転電位が記憶される。
のff13クロック信号B及び第2レベル(H−1)の
第3クロック信号1が入力される場合には、前記第4記
憶回路部53中の第4スイッチ73は導通の状態となり
、前記第2コンデンサ39に蓄積されていた、電気信号
に対応する出力信号SQが前記第4出力端61より出力
され、前記第4記憶回路部53中の前記第4コンデンサ
79に前記第2コンデンサ39に蓄積されていた電気信
号の反転電位が記憶される。
次に前記第4記憶回路部53中の第4スイッチ73の前
記第4a、bクロック信号入力端67゜69に第2レベ
ル(H−1)の第3クロック信号B及び第ルベル(L−
0)の第3クロック信号1が入力される場合には、前記
第4記憶回路部53中の第4スイッチ73は非導通の状
態となり、前記第4出力端61からは第4コンデンサ7
9に記憶された電位の反転電位が出力される。次に前記
第3記憶回路部51中の前記第3a、bクロック信号入
力端63.65に第ルベル(L−0)の第2クロック信
号A及び第2レベル(H−1)の第2クロック信号Xが
入力される場合には、前記第3スイッチ71は導通の状
態となり、前記第2出力端11より、前記第3入力端5
5に入力されたデータ人力信号SDに対応する出力信号
Qが出力され、且つ、前記第2コンデンサ39に電位が
蓄積される。
記第4a、bクロック信号入力端67゜69に第2レベ
ル(H−1)の第3クロック信号B及び第ルベル(L−
0)の第3クロック信号1が入力される場合には、前記
第4記憶回路部53中の第4スイッチ73は非導通の状
態となり、前記第4出力端61からは第4コンデンサ7
9に記憶された電位の反転電位が出力される。次に前記
第3記憶回路部51中の前記第3a、bクロック信号入
力端63.65に第ルベル(L−0)の第2クロック信
号A及び第2レベル(H−1)の第2クロック信号Xが
入力される場合には、前記第3スイッチ71は導通の状
態となり、前記第2出力端11より、前記第3入力端5
5に入力されたデータ人力信号SDに対応する出力信号
Qが出力され、且つ、前記第2コンデンサ39に電位が
蓄積される。
次に前記第3スイッチ71の前記第3a、bクロック信
号入力端63.65に第2レベル(H−1)の第2クロ
ック信号A及び第ルベル(L−0)の第2クロック信号
Iが入力され、且つ、前記第4スイッチ73の前記第4
a、bクロック信号入力端67.69に第ルベル(L−
0)の第3クロック信号B及び第2レベル(H−4)の
第3クロック信号1が入力される場合は、前記第3スイ
ッチ71は非導通状態となり、且つ、前記第4スイッチ
73は導通状態となり、前記第2コンデンサ39に蓄積
された前記データ入力信号SQに対応する電位が前記第
4出力端61より出力される。
号入力端63.65に第2レベル(H−1)の第2クロ
ック信号A及び第ルベル(L−0)の第2クロック信号
Iが入力され、且つ、前記第4スイッチ73の前記第4
a、bクロック信号入力端67.69に第ルベル(L−
0)の第3クロック信号B及び第2レベル(H−4)の
第3クロック信号1が入力される場合は、前記第3スイ
ッチ71は非導通状態となり、且つ、前記第4スイッチ
73は導通状態となり、前記第2コンデンサ39に蓄積
された前記データ入力信号SQに対応する電位が前記第
4出力端61より出力される。
このように、ダイナミックシフトレジスタの機能テスト
では、前記第1入力端5に第1又は第2レベルデータ入
力信号りを入力した場合に、第1クロック信号φの状態
を設定することで、前記第2出力端11に出力信号Qと
してデータ人力信号【 Dのデータが伝達されること、更に前記第3クロ△ ツタ信号Bの状態を設定することで、前記第4出力端6
1に出力信号SQとしてデータ入力信号り乙 に対応したデータが伝達されること、前記第3人バ カ端55に第1又は第2レベル電位のデータ入力信号S
Iを入力した場合に、第2クロック信号Aの状態を設定
することで、前記第2出力端11に出力信号Qとして、
データ入力信号SIに対応しν 端61に出力信号SQとしてデータ入力信号SIのデー
タが伝達されることをテストする。
では、前記第1入力端5に第1又は第2レベルデータ入
力信号りを入力した場合に、第1クロック信号φの状態
を設定することで、前記第2出力端11に出力信号Qと
してデータ人力信号【 Dのデータが伝達されること、更に前記第3クロ△ ツタ信号Bの状態を設定することで、前記第4出力端6
1に出力信号SQとしてデータ入力信号り乙 に対応したデータが伝達されること、前記第3人バ カ端55に第1又は第2レベル電位のデータ入力信号S
Iを入力した場合に、第2クロック信号Aの状態を設定
することで、前記第2出力端11に出力信号Qとして、
データ入力信号SIに対応しν 端61に出力信号SQとしてデータ入力信号SIのデー
タが伝達されることをテストする。
△
従って、本実施例のダイナミックシフトレジスタにおけ
る前記第3入力端55及び前記第4出力端61に他のダ
イナミックシフトレジスタの前記出力信号SQの出力端
及び前記入力信号SIの入力端が接続され、且つ前記第
2.第3クロック信号A、Bが交互に第ルベル(L−0
)に設定されることで、前記第2コンデンサ39に記憶
されていた前記データ入力信号SIによるデータに応じ
た電気信号が他の記憶回路部にシフトされると同時に、
前記記憶回路部から新しい次のデータ入力信号SIが入
力される。
る前記第3入力端55及び前記第4出力端61に他のダ
イナミックシフトレジスタの前記出力信号SQの出力端
及び前記入力信号SIの入力端が接続され、且つ前記第
2.第3クロック信号A、Bが交互に第ルベル(L−0
)に設定されることで、前記第2コンデンサ39に記憶
されていた前記データ入力信号SIによるデータに応じ
た電気信号が他の記憶回路部にシフトされると同時に、
前記記憶回路部から新しい次のデータ入力信号SIが入
力される。
すなわち、このテストサイクルが繰り返されることで、
前記第1入力端5から、前記第2出力端11及び前記第
4出力端61への経路、前記第3入力端55から、前記
第2出力端11及び前記第4出力端61への経路が検査
できる。
前記第1入力端5から、前記第2出力端11及び前記第
4出力端61への経路、前記第3入力端55から、前記
第2出力端11及び前記第4出力端61への経路が検査
できる。
尚、前記第1.第2.第3.第4スイッチ21;35.
71.73はトランスファーゲートを用いたが、Pチャ
ネルトランジスタ又はNチャネルトランジスタを用いて
もよい。
71.73はトランスファーゲートを用いたが、Pチャ
ネルトランジスタ又はNチャネルトランジスタを用いて
もよい。
第1図(b)に示される本発明の別の実施例では、第1
.第2.第3.及び第4クロックドインバータ(クロッ
ク信号によってスイッチ動作を行ない、入力信号の電位
レベルが反転して出力されるインバータ)49がCMO
S構造を存するLSIに用いられている。各記憶回路部
1.,3.51.53中の前記各クロックドインバータ
49はPチャネルトランジスタ41.43と、Nチャネ
ルトランジスタ45.47がそれぞれ2つずつ直列に接
続されている。前記第1クロックドインバータ49はソ
ースが正電源電位に接続され、ゲートが前記第1クロッ
クドインバータ49の入力端5に接続される第1Pチヤ
ネルトラジスタ41と、この第1Pチヤネルトランジス
タ41のドレインにソースが接続され、ゲートにクロッ
ク信号φが入力され、ソースが前記第1クロックドイン
バータ49の出力側に接続される第2Pチヤネルトラジ
スタ43と、ソースが基準電源に接続され(接地され)
、ゲートが前記第1クロックドインバータ49の入力端
5に接続される第1Nチヤネルトランジスタ45と、こ
の第1Nチヤネルトランジスタ45のドレインにソース
が接続され、このクロックドインバータ49の出力側に
ドレインが接続され、ゲートにクロック信号■が入力さ
れる第2Nチヤネルトランジスタ47とを備えている。
.第2.第3.及び第4クロックドインバータ(クロッ
ク信号によってスイッチ動作を行ない、入力信号の電位
レベルが反転して出力されるインバータ)49がCMO
S構造を存するLSIに用いられている。各記憶回路部
1.,3.51.53中の前記各クロックドインバータ
49はPチャネルトランジスタ41.43と、Nチャネ
ルトランジスタ45.47がそれぞれ2つずつ直列に接
続されている。前記第1クロックドインバータ49はソ
ースが正電源電位に接続され、ゲートが前記第1クロッ
クドインバータ49の入力端5に接続される第1Pチヤ
ネルトラジスタ41と、この第1Pチヤネルトランジス
タ41のドレインにソースが接続され、ゲートにクロッ
ク信号φが入力され、ソースが前記第1クロックドイン
バータ49の出力側に接続される第2Pチヤネルトラジ
スタ43と、ソースが基準電源に接続され(接地され)
、ゲートが前記第1クロックドインバータ49の入力端
5に接続される第1Nチヤネルトランジスタ45と、こ
の第1Nチヤネルトランジスタ45のドレインにソース
が接続され、このクロックドインバータ49の出力側に
ドレインが接続され、ゲートにクロック信号■が入力さ
れる第2Nチヤネルトランジスタ47とを備えている。
前記第2記憶回路部3中クロックドインバータハ
49は前記第1クロックドインバータ49と゛前記第2
Pチャネル、Nチャネルトランジスタ43゜47のゲー
トに人力されるクロック信゛号φ、■の位置が入れかわ
っている点が異なるように構成される。
Pチャネル、Nチャネルトランジスタ43゜47のゲー
トに人力されるクロック信゛号φ、■の位置が入れかわ
っている点が異なるように構成される。
前記第3記憶回路部5グ中の第3クロックドインバータ
49は前記第2Pチヤネルトランジスタ43のゲートに
クロック信号Aが入力され、前記第2Nチヤネルトラン
ジスタ47のゲートにクロック信号Xが入力されている
点が前記第1記憶回路部1中の前記第1クロックドイン
バータ49と異なるように構成される。
49は前記第2Pチヤネルトランジスタ43のゲートに
クロック信号Aが入力され、前記第2Nチヤネルトラン
ジスタ47のゲートにクロック信号Xが入力されている
点が前記第1記憶回路部1中の前記第1クロックドイン
バータ49と異なるように構成される。
前記第4記憶回路部53中のN4クロックドインバータ
49は前記第2Pチヤネルトランジスタ43のゲートに
クロック信号Bが入力され、前記第2Nチヤネルトラン
ジスタ47のゲートにクロック信号1が入力されている
点が、前記第1記憶回路部1中の前記第1クロックドイ
ンバータ49と異なるように構成される。
49は前記第2Pチヤネルトランジスタ43のゲートに
クロック信号Bが入力され、前記第2Nチヤネルトラン
ジスタ47のゲートにクロック信号1が入力されている
点が、前記第1記憶回路部1中の前記第1クロックドイ
ンバータ49と異なるように構成される。
前記第1.第2.第3.第4記憶回路部1.3゜51.
53の各コンデンサ27,39.79は、各クロックド
インバータ49の出力側に接続されていて、前記第1.
m2.第3.第4記憶回路部1.3,51.53の接続
構造は第1図(a)と同様である。又、この実施例の動
作は第1図(a)に示される実施例と同様である。
53の各コンデンサ27,39.79は、各クロックド
インバータ49の出力側に接続されていて、前記第1.
m2.第3.第4記憶回路部1.3,51.53の接続
構造は第1図(a)と同様である。又、この実施例の動
作は第1図(a)に示される実施例と同様である。
尚、第1図(b)に示されるクロックドインバータを用
いた実施例では、スイッチとインバータを組み合わせる
ことで、回路面積縮小の効果がある。
いた実施例では、スイッチとインバータを組み合わせる
ことで、回路面積縮小の効果がある。
更に、特に第1図(a) (b)に示される実施例では
クロック信号による制御で2つの出力端から、各々2つ
の入力信号に応じた出力信号を出力でき、LSIの機能
テストが正確に行なえ、前記第2゜第4出力端11.6
1がダイナミックシフトレジスタの外部にあることから
負荷が小さくなり、駆動能力の小さなインバータを用い
てもLSIの機能テストを行なえるという効果がある。
クロック信号による制御で2つの出力端から、各々2つ
の入力信号に応じた出力信号を出力でき、LSIの機能
テストが正確に行なえ、前記第2゜第4出力端11.6
1がダイナミックシフトレジスタの外部にあることから
負荷が小さくなり、駆動能力の小さなインバータを用い
てもLSIの機能テストを行なえるという効果がある。
第1図(e)は第1図(a)(b)に示される実施例の
論理記号である。次に第2図に示されるようにこの論理
記号を用いて、LSI中での本実施例の接続関係を説明
する。第2図のように第1図に示す本発明の一実施例の
回路をLS I 81に適用すると、前記入力信号S!
及び前記出力信号SQを経路として、ダイナミックシフ
トレジスタ83゜85.87が構成される。前記入力信
号り及び前記出力信号Qは前記LSI81中の組合せ回
路89の出力又は入力バッファ−91を介して接続され
る。又、前記LSI81の外部に接続されている入力端
にはクロック信号φ、A、B及びデータ入力信号SIが
入力され、更に入力バッファー92を介して、前記ダイ
ナミックシフトレジスタ83.85.87等に入力され
る。前記ダイナミックシフトレジスタ87のデータ出力
信号SQは出力バッファ−94を介して前記LSI81
の外部出力端に出力される。
論理記号である。次に第2図に示されるようにこの論理
記号を用いて、LSI中での本実施例の接続関係を説明
する。第2図のように第1図に示す本発明の一実施例の
回路をLS I 81に適用すると、前記入力信号S!
及び前記出力信号SQを経路として、ダイナミックシフ
トレジスタ83゜85.87が構成される。前記入力信
号り及び前記出力信号Qは前記LSI81中の組合せ回
路89の出力又は入力バッファ−91を介して接続され
る。又、前記LSI81の外部に接続されている入力端
にはクロック信号φ、A、B及びデータ入力信号SIが
入力され、更に入力バッファー92を介して、前記ダイ
ナミックシフトレジスタ83.85.87等に入力され
る。前記ダイナミックシフトレジスタ87のデータ出力
信号SQは出力バッファ−94を介して前記LSI81
の外部出力端に出力される。
第3図に示すタイミングチャートは、第2図に示すLS
Iのテストを説明するためのもので、まず前記第1クロ
ック信号φが第ルベルに設定された状態で前記第1記憶
回路部中の第1コンデンサ29に蓄積された電気信号を
、前記第1クロック信号φが第2レベルに一時的に設定
されることで、前記第2出力端11よりデータ出力信号
Qとして出力される。次に前記第1クロック信号φが再
び第ルベルに設定され、前記第3クロック信号Bが第ル
ベルに設定されると前記第2記憶回路部3中の第2コン
デンサ39に保持された電気信号が前記第4記憶回路部
61中の第4コンデンサ79に転送される。
Iのテストを説明するためのもので、まず前記第1クロ
ック信号φが第ルベルに設定された状態で前記第1記憶
回路部中の第1コンデンサ29に蓄積された電気信号を
、前記第1クロック信号φが第2レベルに一時的に設定
されることで、前記第2出力端11よりデータ出力信号
Qとして出力される。次に前記第1クロック信号φが再
び第ルベルに設定され、前記第3クロック信号Bが第ル
ベルに設定されると前記第2記憶回路部3中の第2コン
デンサ39に保持された電気信号が前記第4記憶回路部
61中の第4コンデンサ79に転送される。
次に前記第2クロック信号Aが第ルベルに設定され、且
つ前記第3クロック信号Bが第2レベルに設定されるこ
とで、外部データ入力信号SIに応じたデータ出力信号
Qが出力され、電気信号が前記第2記憶回路部3中の第
2コンデンサ39に保持される。
つ前記第3クロック信号Bが第2レベルに設定されるこ
とで、外部データ入力信号SIに応じたデータ出力信号
Qが出力され、電気信号が前記第2記憶回路部3中の第
2コンデンサ39に保持される。
次に前記第2クロック信号Aが第2レベルに設定され、
且つ前記第3クロック信号Bが第ルベルに設定されるこ
とで、前記記憶回路部3中に保持された電気信号が前記
第4出力端より出力される。
且つ前記第3クロック信号Bが第ルベルに設定されるこ
とで、前記記憶回路部3中に保持された電気信号が前記
第4出力端より出力される。
このように第2.第3クロック信号A、Bを交互に第ル
ベルに設定するサイクルを繰り返すことで、−時的に前
記第2記憶回路部3中の第2コンデンサ39に電気信号
であるデータが保持された後に前記第4出力端61より
データ出力信号SQとして出力される。
ベルに設定するサイクルを繰り返すことで、−時的に前
記第2記憶回路部3中の第2コンデンサ39に電気信号
であるデータが保持された後に前記第4出力端61より
データ出力信号SQとして出力される。
ダイナミックシフトレジスタの存在数相当のデータ入力
信号が伝送された後に、前記クロック信号φを第2レベ
ルに設定すると、前記組み合せ回路89の結果が前記全
ダイナミックシフトレジスタの入力信号りから前記第2
記憶回路部3中の第2コンデンサ39に転送される。
信号が伝送された後に、前記クロック信号φを第2レベ
ルに設定すると、前記組み合せ回路89の結果が前記全
ダイナミックシフトレジスタの入力信号りから前記第2
記憶回路部3中の第2コンデンサ39に転送される。
静的消費電流測定のためには、前記第1.第2゜第3ク
ロック信号φ、A及びBをいずれも第1に設定すること
で、前記第2インバータ37の入力状態が前記第1及び
第2コンデンサ29.39の定 電荷で法まる不安定状態とはならず、貫通電流は生じな
いので、この回路は安定となり、静的消費電流の測定が
可能である。この静的消費電流の測定はトランジスタの
物理的異常の発見に有効な方法であり、特に0MO3に
おいては静的消費電流は通常きわめて小さいので、大き
い静的消費電流が測定された場合は内部トランジスタの
短絡等が予想され、容易に不良品を排除することが可能
となる。
ロック信号φ、A及びBをいずれも第1に設定すること
で、前記第2インバータ37の入力状態が前記第1及び
第2コンデンサ29.39の定 電荷で法まる不安定状態とはならず、貫通電流は生じな
いので、この回路は安定となり、静的消費電流の測定が
可能である。この静的消費電流の測定はトランジスタの
物理的異常の発見に有効な方法であり、特に0MO3に
おいては静的消費電流は通常きわめて小さいので、大き
い静的消費電流が測定された場合は内部トランジスタの
短絡等が予想され、容易に不良品を排除することが可能
となる。
第4図(a)に示す本発明の第2の実施例は、第1図(
a)に示す第1の実施例における第1記憶回路部l中の
前記第1スイッチ21と前記第1コンデンサ29との間
の接続線に前記第3記憶回路部51中の前記第3スイッ
チ71と前記第3インバータ回路部93の間の接続線が
接続されるように前記第1.第2.第3及び第4記憶回
路部1,3゜51.53が接続される。この実施例の動
作は、前記第1及び第2記憶回路部1.3の第1及び第
2スイッチ21.35の第1a及び第2bクロック信号
入力端13.19に第ルベル(L−0)の第1クロック
信号φが入力され、第1b、第28クロック信号入力端
15.17に第2レベル(H−1)のmlクロック信信
号炉入力され、第3記憶回路部51の第3スイッチ71
の第3aクロック信号入力端6.3に第2レベル(H−
1)の第2クロック信号Aが入力され、第3bクロック
信号入力端65に第ルベル(L−0)の第2クロック信
号λが入力され、且つ第1記憶回路部1の第1入力端5
にデータ入力信号りが入力される場合に、前記第1記憶
回路部1中に前記データ入力信号りに応じた電気信号が
記憶される。続いて、か゛ 前記第1クロック信号φ及び蔓の重り転されると、前記
データ入力信号に応じたデータ出力信号Qが前記第2記
憶回路部3の第2出力端11より出力される。続いて、
前記m4aクロック信号入力端67に第ルベルのクロッ
ク信号Bが入力され、前記第4bクロック信号入力端6
9に第2レベルの第3クロック信号石が入力されると、
前記データ入力信号りに応じたデータ出力信号SQが前
記第4記憶回路部53の第4出力端61より出力される
。続いて、前記第4aクロック信号入力端67に第2レ
ベルの第3クロック信号Bが入力され、且つ前記第4b
クロック信号入力端69t:’第ルベルの第3クロック
信号百が入力されて、前記第4スイッチ73は非等9通
となり、さらに前記第3スイ°ツチ71の第3aクロッ
ク信号入力端グ63に第ルベルの第2クロック信号Aが
入力され、且つ第3bクロック信号入力端65に第2レ
ベルの第2クロック信号Xが入力されて、前記第3スイ
ッチ71は導通となり、第3入力端55に入力されるデ
ータ入力信号SIに応じた出力信号Qが前記第2出力端
11より出力され、前記第1記憶回路部1の第1コンデ
ンサ29に電気信号が記憶される。更に、前記第3.第
4スイッチ71.73に入力されるクロック信号の電位
レベルが反転されて入力されると、前記第3スイッチ7
1は非導通になり、且つ前記第4スイッチ73は導通と
なって、前記第3入力端55に入力されたデータ入力信
号に応じたデータ出力信号SQが第4出力端61より出
力される。このように、2つの入力端より異なるデータ
入力信号が入力され、クロック信号の状5態によ、て2
つの出力端から前記データ入力信号に応じたデータ出力
信号が出力されることで、前記第1図(a)に示される
実施例と同様の効果がある。
a)に示す第1の実施例における第1記憶回路部l中の
前記第1スイッチ21と前記第1コンデンサ29との間
の接続線に前記第3記憶回路部51中の前記第3スイッ
チ71と前記第3インバータ回路部93の間の接続線が
接続されるように前記第1.第2.第3及び第4記憶回
路部1,3゜51.53が接続される。この実施例の動
作は、前記第1及び第2記憶回路部1.3の第1及び第
2スイッチ21.35の第1a及び第2bクロック信号
入力端13.19に第ルベル(L−0)の第1クロック
信号φが入力され、第1b、第28クロック信号入力端
15.17に第2レベル(H−1)のmlクロック信信
号炉入力され、第3記憶回路部51の第3スイッチ71
の第3aクロック信号入力端6.3に第2レベル(H−
1)の第2クロック信号Aが入力され、第3bクロック
信号入力端65に第ルベル(L−0)の第2クロック信
号λが入力され、且つ第1記憶回路部1の第1入力端5
にデータ入力信号りが入力される場合に、前記第1記憶
回路部1中に前記データ入力信号りに応じた電気信号が
記憶される。続いて、か゛ 前記第1クロック信号φ及び蔓の重り転されると、前記
データ入力信号に応じたデータ出力信号Qが前記第2記
憶回路部3の第2出力端11より出力される。続いて、
前記m4aクロック信号入力端67に第ルベルのクロッ
ク信号Bが入力され、前記第4bクロック信号入力端6
9に第2レベルの第3クロック信号石が入力されると、
前記データ入力信号りに応じたデータ出力信号SQが前
記第4記憶回路部53の第4出力端61より出力される
。続いて、前記第4aクロック信号入力端67に第2レ
ベルの第3クロック信号Bが入力され、且つ前記第4b
クロック信号入力端69t:’第ルベルの第3クロック
信号百が入力されて、前記第4スイッチ73は非等9通
となり、さらに前記第3スイ°ツチ71の第3aクロッ
ク信号入力端グ63に第ルベルの第2クロック信号Aが
入力され、且つ第3bクロック信号入力端65に第2レ
ベルの第2クロック信号Xが入力されて、前記第3スイ
ッチ71は導通となり、第3入力端55に入力されるデ
ータ入力信号SIに応じた出力信号Qが前記第2出力端
11より出力され、前記第1記憶回路部1の第1コンデ
ンサ29に電気信号が記憶される。更に、前記第3.第
4スイッチ71.73に入力されるクロック信号の電位
レベルが反転されて入力されると、前記第3スイッチ7
1は非導通になり、且つ前記第4スイッチ73は導通と
なって、前記第3入力端55に入力されたデータ入力信
号に応じたデータ出力信号SQが第4出力端61より出
力される。このように、2つの入力端より異なるデータ
入力信号が入力され、クロック信号の状5態によ、て2
つの出力端から前記データ入力信号に応じたデータ出力
信号が出力されることで、前記第1図(a)に示される
実施例と同様の効果がある。
第4図(b)に示されるクロックドインバータを用いた
第4図(a)と同様の動作を行なう実施例も第4図(a
)に示される実施例と同様の効果がある。
第4図(a)と同様の動作を行なう実施例も第4図(a
)に示される実施例と同様の効果がある。
又、特に前記第2.第4出力端11.61がダイナミッ
クシフトレジスタの外部にあることから負荷が小さくな
り駆動能力の小さなインバータを用いても機能テストを
行なえるという効果がある。
クシフトレジスタの外部にあることから負荷が小さくな
り駆動能力の小さなインバータを用いても機能テストを
行なえるという効果がある。
第5図(a)に示す実施例の構成は、第1記憶回路部1
と第2記憶回路部3とが直列に接続され、且つ′!J3
記憶回路部51と第4記憶回路部53とが直列に接続さ
れていて、これらの記憶回路部1゜3.51.53はそ
れぞれ、入力端と出力端とを有し、前記第2記憶回路部
3と前記第4記憶回路部53は接続されている。前記第
1.第2.第3°。
と第2記憶回路部3とが直列に接続され、且つ′!J3
記憶回路部51と第4記憶回路部53とが直列に接続さ
れていて、これらの記憶回路部1゜3.51.53はそ
れぞれ、入力端と出力端とを有し、前記第2記憶回路部
3と前記第4記憶回路部53は接続されている。前記第
1.第2.第3°。
及び第4記憶回路部1,3.51.53はそれぞれ第1
図に示す実施例とほぼ同様の構成を有するスイッチ、コ
ンデンサ、インバータを有し、前記第3記憶回路部51
が他の記憶回路部と共有されない第3コンデンサ79を
有し、前記第2.第4記憶回路部3.53の第2インバ
〒り3.7及び第2コンデンサ39が共有され、第2出
力端11と第4出力端61が共通となっている。
図に示す実施例とほぼ同様の構成を有するスイッチ、コ
ンデンサ、インバータを有し、前記第3記憶回路部51
が他の記憶回路部と共有されない第3コンデンサ79を
有し、前記第2.第4記憶回路部3.53の第2インバ
〒り3.7及び第2コンデンサ39が共有され、第2出
力端11と第4出力端61が共通となっている。
この実施例の動作は、前記第1及び第2記憶口路部1.
3の第1及び第2スイッチ21.35の第18及び第2
bクロック信号入力端13.19レベル(L−0)の第
1クロック信号φが入力され、第1b、第2aクロック
信号入力端15゜17に第2レベル(H−1)の第1ク
ロック信号φが入力され、且つ第1記憶回路部1の第1
入力端5にデータ入力信号りが入力され、前記第1スイ
ッチ21が導通、前記第2スイッチ35が前記第1記憶
回路部1中に前記データ入力信号りに応じた電気信号が
記憶される。続いて、前記第1クロック信号φ及び¥の
電位が反転されると、前記データ入力信号に応じたデー
タ出力信号Q及びSQが前記第2記憶回路部3の第2及
び第4出力端11.61より出力され、前記第2コンデ
ンサ39にデータ入力信号りに応じた電気信号が記憶さ
れる。続いて、前記mlスイッチ21が導通、前記第2
スイッチ35が非導通の状態で前記第3スイッチの1の
第38クロック信号入力端631;第ルベルの第2クロ
ック信号Aが入力され、且つm3bクロック信号入力端
65に第2レベルのクロック信号スが入力されて、前記
第3スイッチ71は導通となり、前記第3入力端55に
入力されるデータ入力信号S!に応じた電気信号が前記
第3記憶回路部51中の第1コンデンサ79に記憶され
る。次に、前記第3a、bクロック信号入力端63.6
5に入力されるクロック信号の電位レベルが反転されて
、前記第3スイッチは非導通となり、且つ前記第4aク
ロック信号入力端67に第ルベルの第3クロック信号B
が入力され、且つ前記第4bクロック信号入力端69に
第2レベルの第3クロック信号百が入力されることで、
前記第4スイッチ73は導通となり、前記第2゜第4出
力端より前記第3入力端55に入力されたデータ入力信
号SIに応じた出力信号Q、SQが出力され、前記第2
コンデンサ39にデータ人力信号SIに応じた電気信号
が記憶される上記のようにクロック信号によって各記憶
回路部中のスイッチが動作を行ない、出力端に2つの入
力端に入力されるデータ入力信号に応じた出力信号が出
力され、効果は第1図(a)に示される実施例とほぼ同
様である。
3の第1及び第2スイッチ21.35の第18及び第2
bクロック信号入力端13.19レベル(L−0)の第
1クロック信号φが入力され、第1b、第2aクロック
信号入力端15゜17に第2レベル(H−1)の第1ク
ロック信号φが入力され、且つ第1記憶回路部1の第1
入力端5にデータ入力信号りが入力され、前記第1スイ
ッチ21が導通、前記第2スイッチ35が前記第1記憶
回路部1中に前記データ入力信号りに応じた電気信号が
記憶される。続いて、前記第1クロック信号φ及び¥の
電位が反転されると、前記データ入力信号に応じたデー
タ出力信号Q及びSQが前記第2記憶回路部3の第2及
び第4出力端11.61より出力され、前記第2コンデ
ンサ39にデータ入力信号りに応じた電気信号が記憶さ
れる。続いて、前記mlスイッチ21が導通、前記第2
スイッチ35が非導通の状態で前記第3スイッチの1の
第38クロック信号入力端631;第ルベルの第2クロ
ック信号Aが入力され、且つm3bクロック信号入力端
65に第2レベルのクロック信号スが入力されて、前記
第3スイッチ71は導通となり、前記第3入力端55に
入力されるデータ入力信号S!に応じた電気信号が前記
第3記憶回路部51中の第1コンデンサ79に記憶され
る。次に、前記第3a、bクロック信号入力端63.6
5に入力されるクロック信号の電位レベルが反転されて
、前記第3スイッチは非導通となり、且つ前記第4aク
ロック信号入力端67に第ルベルの第3クロック信号B
が入力され、且つ前記第4bクロック信号入力端69に
第2レベルの第3クロック信号百が入力されることで、
前記第4スイッチ73は導通となり、前記第2゜第4出
力端より前記第3入力端55に入力されたデータ入力信
号SIに応じた出力信号Q、SQが出力され、前記第2
コンデンサ39にデータ人力信号SIに応じた電気信号
が記憶される上記のようにクロック信号によって各記憶
回路部中のスイッチが動作を行ない、出力端に2つの入
力端に入力されるデータ入力信号に応じた出力信号が出
力され、効果は第1図(a)に示される実施例とほぼ同
様である。
第5図(b)に示されるクロックドインバータを用いた
第5図(a)と同様の動作を行なう実施例も第5図(a
)に示される実施例と同様の効果がある。
第5図(a)と同様の動作を行なう実施例も第5図(a
)に示される実施例と同様の効果がある。
第6図(a)に示す実施例の構成は、第1記憶回路部1
と第2記憶回路部3とが直列に接続され、且つ第3記憶
回路部51と第4記憶回路部57とが直列に接続されて
いて、これらの記憶回路部1゜3.51.57はそれぞ
れ、入力端と出力端とを有し、前記第1記憶回路部1と
前記第4記憶回路部53は接続されている。前記第1.
第2.第3゜及び第4記ta口路部1.3.51.53
はそれぞれ第1図に示す実施例とほぼ同様の構成を有す
るスイッチ、コンデンサ、インバータを有し、前記第3
記憶回路部51が他の記憶回路部と共有されない第3コ
ンデンサ97を存し、前記第1.第4記憶回路部1,5
3のコンデンサ29及びインバータ33が共有され、第
1出力端7と第4出力端61が直列に接続されている。
と第2記憶回路部3とが直列に接続され、且つ第3記憶
回路部51と第4記憶回路部57とが直列に接続されて
いて、これらの記憶回路部1゜3.51.57はそれぞ
れ、入力端と出力端とを有し、前記第1記憶回路部1と
前記第4記憶回路部53は接続されている。前記第1.
第2.第3゜及び第4記ta口路部1.3.51.53
はそれぞれ第1図に示す実施例とほぼ同様の構成を有す
るスイッチ、コンデンサ、インバータを有し、前記第3
記憶回路部51が他の記憶回路部と共有されない第3コ
ンデンサ97を存し、前記第1.第4記憶回路部1,5
3のコンデンサ29及びインバータ33が共有され、第
1出力端7と第4出力端61が直列に接続されている。
この実施例の動作は、前記第1及び第2記憶回路部1.
3の第1及び第2スイッチ21.35の第18及び第2
bクロック信号入力端13.19に第ルベル(L−0)
のクロック信号φが入力され、第1b、第2aクロック
信号入力端15゜17に第2レベル(H−1)のクロッ
ク信号fが入力され前記第1記憶回路部1の第1入力端
51;データ入力信号りが入力される場合に前記第4出
力端61よりデータ入力信号りに応じたデータ出力信号
SQが出力されると共に、前記第1記憶回路部1中に前
記データ入力信号りに応じた電気信号が記憶される。続
いて、前記クロック信号φ及びマのレベル電位が反転さ
れると、前記データ入力信号りに応じたデータ出力信号
Qが前記第2記憶回路部3の第2出力端11よ、り出力
され、前記第2コンデンサ39にデータ入力信号りに応
じた電気信号が記憶される。
3の第1及び第2スイッチ21.35の第18及び第2
bクロック信号入力端13.19に第ルベル(L−0)
のクロック信号φが入力され、第1b、第2aクロック
信号入力端15゜17に第2レベル(H−1)のクロッ
ク信号fが入力され前記第1記憶回路部1の第1入力端
51;データ入力信号りが入力される場合に前記第4出
力端61よりデータ入力信号りに応じたデータ出力信号
SQが出力されると共に、前記第1記憶回路部1中に前
記データ入力信号りに応じた電気信号が記憶される。続
いて、前記クロック信号φ及びマのレベル電位が反転さ
れると、前記データ入力信号りに応じたデータ出力信号
Qが前記第2記憶回路部3の第2出力端11よ、り出力
され、前記第2コンデンサ39にデータ入力信号りに応
じた電気信号が記憶される。
次に、前記M3スイッチ71.の第3aクロック信号入
力端63に第ルベルのクロック信号Aが入力され、第3
bクロック信号入力端65に第2レベルのクロック信号
人が入力されて、前記第3スイッチ71は導通となり、
前記第3入力端55にデータ入力信号SIが入力されて
このデータ入力信号S1に応じた電気信号が前記第3出
力端57より出力される。続いて、前記第3スイッチに
入力される信号のレベル電位が反転され、前記第4aク
ロック信号入力端に第ルベルのクロック信号Bが入力さ
れ、前記第4bクロック信号入力端に第2レベルのクロ
ック信号■が入力されると、前記第3スイッチ71は非
導通になり、且つ前記第4スイッチ73は導通となって
、電気第4出力端61より前記第3入力端55に入力さ
れたデータ入力信号SIに応じたデータ出力信号SQが
出力され、前記第1コンデンサ29にデータ入力信号S
Iに応じた電気信号が記憶される。このように、2つの
入力端より異なるデータ入力信号が入力され、クロック
信号の状態によって2つの出力端から前記データ入力信
号に応じたデータ出力信号が出力されることで、前記第
1図に示される実施例とほぼ同様の効果がある。
力端63に第ルベルのクロック信号Aが入力され、第3
bクロック信号入力端65に第2レベルのクロック信号
人が入力されて、前記第3スイッチ71は導通となり、
前記第3入力端55にデータ入力信号SIが入力されて
このデータ入力信号S1に応じた電気信号が前記第3出
力端57より出力される。続いて、前記第3スイッチに
入力される信号のレベル電位が反転され、前記第4aク
ロック信号入力端に第ルベルのクロック信号Bが入力さ
れ、前記第4bクロック信号入力端に第2レベルのクロ
ック信号■が入力されると、前記第3スイッチ71は非
導通になり、且つ前記第4スイッチ73は導通となって
、電気第4出力端61より前記第3入力端55に入力さ
れたデータ入力信号SIに応じたデータ出力信号SQが
出力され、前記第1コンデンサ29にデータ入力信号S
Iに応じた電気信号が記憶される。このように、2つの
入力端より異なるデータ入力信号が入力され、クロック
信号の状態によって2つの出力端から前記データ入力信
号に応じたデータ出力信号が出力されることで、前記第
1図に示される実施例とほぼ同様の効果がある。
第6図(b)に示されるクロックドインバータを用いた
第6図(a)と同様の動作を行なう実施例も第6図(a
)に示される実施例と同様の効果がある。
第6図(a)と同様の動作を行なう実施例も第6図(a
)に示される実施例と同様の効果がある。
以上のように、本発明の各実施例においては、ダイナミ
ックシフトレジスフ及び組合せ回路のテストが容易とな
る。又、クロック信号が停止している状態で、LSIが
使用可能となり、CMo5中のトランジスタの物理的異
常を検査するための静的消費電流の測定も可能になる。
ックシフトレジスフ及び組合せ回路のテストが容易とな
る。又、クロック信号が停止している状態で、LSIが
使用可能となり、CMo5中のトランジスタの物理的異
常を検査するための静的消費電流の測定も可能になる。
尚、本発明は、本実施例と同じ動作をする4つの記憶回
路から構成されるものであれば、本実施例以外の構成で
も本発明のスキャン機能付きダイナミックシフトレジス
タはLSIに組み込むことで、LSI全体の機能テスト
を容易に行なうことを可能にする。
路から構成されるものであれば、本実施例以外の構成で
も本発明のスキャン機能付きダイナミックシフトレジス
タはLSIに組み込むことで、LSI全体の機能テスト
を容易に行なうことを可能にする。
第1図(a)は本発明の第1実施例を示すスキャン機能
付きダイナミックレジスタの構成図であり、第1図(b
)は第1図(a)と同様の動作を行なうクロックドイン
バータを使用するスキャン機能付きダイナミックシフト
レジスタの構成図であり、第1図(c)は第1図(a)
及び(b)の回路を表す論理第2図に示す回路のタイミ
ング図であり、第4図(a)、第5図(a)及び第6図
(a)は本発明の他の実施例を示すスキャン機能付きダ
イナミックシフトレジスタの構成図であり、第4図(b
)、第5図(b)、第6図(b)はそれぞれ第4図(a
)、第5図(a)及び第6図(a)と同様の動作を行な
うクロックドインバータを使用するスキャン機能付きダ
イナミックシフトレジスタの構成図であり、第7図(a
)は従来のダイナミックシフトレジスタの構成図であり
、第7図(b)は第7図(a)と同様の動作を行なうク
ロックドインバータを使用する従来の5・・・第1入力
端、 7・・・第1出力端、9・・・第2入力端、1
1・・・第2出力端、21・・・第1スイッチ、 2
9・・・第1コンデンサ、33・・・第1インバータ、
35・・・第2スイッチ、37・・・第2インバ
ータ、 39・・・第2コンデンサ、 −49・・・クロック
ドインバータ、 51・・・第3記憶回路部、53
・・・第4記憶回路部、 55・・・第3入力端57
・・・第3出力端、 59・・・第4入力端、61・
・・第4出力端、 71・・・第3スイッチ、73・
・・第4スイッチ、 79・・・第4コンデンサ、9
3・・・第3インバータ、 95・・・第4インバー
タ、 97・・・第3コンデンサ
付きダイナミックレジスタの構成図であり、第1図(b
)は第1図(a)と同様の動作を行なうクロックドイン
バータを使用するスキャン機能付きダイナミックシフト
レジスタの構成図であり、第1図(c)は第1図(a)
及び(b)の回路を表す論理第2図に示す回路のタイミ
ング図であり、第4図(a)、第5図(a)及び第6図
(a)は本発明の他の実施例を示すスキャン機能付きダ
イナミックシフトレジスタの構成図であり、第4図(b
)、第5図(b)、第6図(b)はそれぞれ第4図(a
)、第5図(a)及び第6図(a)と同様の動作を行な
うクロックドインバータを使用するスキャン機能付きダ
イナミックシフトレジスタの構成図であり、第7図(a
)は従来のダイナミックシフトレジスタの構成図であり
、第7図(b)は第7図(a)と同様の動作を行なうク
ロックドインバータを使用する従来の5・・・第1入力
端、 7・・・第1出力端、9・・・第2入力端、1
1・・・第2出力端、21・・・第1スイッチ、 2
9・・・第1コンデンサ、33・・・第1インバータ、
35・・・第2スイッチ、37・・・第2インバ
ータ、 39・・・第2コンデンサ、 −49・・・クロック
ドインバータ、 51・・・第3記憶回路部、53
・・・第4記憶回路部、 55・・・第3入力端57
・・・第3出力端、 59・・・第4入力端、61・
・・第4出力端、 71・・・第3スイッチ、73・
・・第4スイッチ、 79・・・第4コンデンサ、9
3・・・第3インバータ、 95・・・第4インバー
タ、 97・・・第3コンデンサ
Claims (5)
- (1)データ入力信号Dが入力される第1入力端と、第
1クロック信号のレベルによって状態が設定され、一端
が前記第1入力端に接続される第1スイッチと、一端が
前記第1スイッチの他端に接続され、且つ他端が基準電
位に接続され、電気信号が記憶される第1コンデンサと
、入力端が前記第1スイッチの他端及び前記第1コンデ
ンサの一端に接続され、入力電位が反転して出力される
第1インバータと、前記第1インバータの出力端に接続
され、出力信号が出力される第1出力端とを有する第1
記憶回路部と、 前記第1記憶回路部と同様に第2入力端と、第2スイッ
チと、第2コンデンサと、第2インバータと、第2出力
端とを有し、前記第2入力端は前記第1記憶回路部の前
記第1出力端に接続され、前記第2スイッチは前記第1
スイッチと異なる状態に設定され、前記第2出力端から
はデータ出力信号Qが出力される第2記憶回路部と、 データ入力信号SIが入力される第3入力端と、第2ク
ロック信号のレベルによって状態が設定され、一端が前
記第3入力端に接続される第3スイッチと、一端が前記
第3スイッチの他端、前記第2記憶回路部の前記第2ス
イッチの他端、前記第2コンデンサの一端及び前記第2
インバータの入力端に接続され、入力電位が反転して出
力される第3インバータと、前記第3インバータの出力
端に接続され、出力信号が出力される第3出力端とを有
し、前記第2記憶回路部の前記第2コンデンサを共有す
る第3記憶回路部と、 前記第1記憶回路部と同様に第4入力端と、第4スイッ
チと第4インバータと、第4出力端とを有し、前記第4
入力端は前記第3記憶回路部の前記第3出力端に接続さ
れ、前記第4スイッチは第3クロック信号のレベルによ
って状態が設定され、前記第4出力端からデータ出力信
号SQが出力される第4記憶回路部と を備えることを特徴とする スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ。 - (2)前記第3記憶回路部はデータ入力信号SIが入力
される第3入力端と、第2クロック信号のレベルによっ
て状態が設定され、一端が前記第3入力端に接続される
第3スイッチと、一端が前記第3スイッチの他端、前記
第1記憶回路部の前記第1スイッチの他端、前記第1コ
ンデンサの一端及び前記第1インバータの入力端に接続
され、入力電位が反転して出力される第3インバータと
、前記第3インバータの出力端に接続され、出力信号が
出力される第3出力端とを有し、前記第1記憶回路部の
前記第1コンデンサを共有することを特徴とする請求項
(1)記載のスキャン機能付きダイナミックシフトレジ
スタ。 - (3)前記第1記憶回路部と同様に第3入力端と、第3
スイッチと、第3コンデンサと、第3出力端とを有し、
前記第3入力端にはデータ入力信号SIが入力され、前
記第3スイッチは第2クロック信号のレベルによって状
態が設定され、且つ前記第3出力端からは出力信号が出
力される第3記憶回路部と、一端が前記第3記憶回路部
の前記第3インバータの出力端に接続され、他端が前記
第2記憶回路部の前記第2スイッチの他端、前記第2コ
ンデンサの一端及び前記第2インバータの入力端に接続
され、第3クロック信号のレベルによって状態が設定さ
れる第4スイッチと、データ出力信号SIが出力される
第4出力端とを有し、前記第2記憶回路部の第2コンデ
ンサ、第2インバータ及び第2出力端を共有する第4記
憶回路部とを有することを特徴とする請求項(1)記載
のスキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ。 - (4)一端が前記第3記憶回路部の前記第3インバータ
の出力端に接続され、他端が前記第1記憶回路部の前記
第1スイッチの他端、前記第1コンデンサの一端及び前
記第1インバータの入力端に接続され、第3クロック信
号のレベルによって状態が設定される第4スイッチと、
データ出力信号SQが出力される第4出力端とを有し、
前記第1記憶回路部の第1コンデンサ、第1インバータ
及び第1出力端を共有する第4記憶回路部を有すること
を特徴とする請求項(3)記載のスキャン機能付きダイ
ナミックシフトレジスタ。 - (5)前記第1、第2、第3、第4スイッチ及び前記第
1、第2、第3、第4インバータがクロックドインバー
タで構成されることを特徴とする請求項(1)又は(2
)又は(3)又は(4)記載のスキャン機能付きダイナ
ミックシフトレジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035159A JPH01211399A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035159A JPH01211399A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211399A true JPH01211399A (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=12434098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035159A Pending JPH01211399A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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