JPH01198706A - 埋め込み型光導波路 - Google Patents
埋め込み型光導波路Info
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- JPH01198706A JPH01198706A JP30535487A JP30535487A JPH01198706A JP H01198706 A JPH01198706 A JP H01198706A JP 30535487 A JP30535487 A JP 30535487A JP 30535487 A JP30535487 A JP 30535487A JP H01198706 A JPH01198706 A JP H01198706A
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- Japan
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- optical waveguide
- lower cladding
- cladding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野】
本発明は三次元導波路の一種である埋め込み型光導波路
に関する。
に関する。
ｒ従来の技術１
一般に、光変調、スイッチングの機能をもつ導波型デバ
イスにおいては、導波層の厚さ方向と幅方向に光波を閉
じ込めるタイプの三次元光導波路が広く利用されており
、その三次元光導波路の一つとして、第５図に示す埋め
造型光導波路が提供されている。
イスにおいては、導波層の厚さ方向と幅方向に光波を閉
じ込めるタイプの三次元光導波路が広く利用されており
、その三次元光導波路の一つとして、第５図に示す埋め
造型光導波路が提供されている。
第５図の埋め造型光導波路は、基板ｌの上面に形成され
た下部クラッド２−Ｌに、断面等脚台形のコア３が形成
され、そのコア３の上面および両側面が上部クラッド４
により覆われたものである。
た下部クラッド２−Ｌに、断面等脚台形のコア３が形成
され、そのコア３の上面および両側面が上部クラッド４
により覆われたものである。
この場合、コア３の屈折率ｎ１、下部クラッド２の屈折
率１２．上部クラ−、ド４屈折率をｎ３は、これらの関
係がｎ＋＞ｎ２． ｎ４＞ｎ：＋となっている。
率１２．上部クラ−、ド４屈折率をｎ３は、これらの関
係がｎ＋＞ｎ２． ｎ４＞ｎ：＋となっている。
第５図の埋め造型光導波路は、基板ｌ上に下部クラッド
２を植層する工程、下部クラッド２上にエピタキシャル
成長にて二次元導波路を形成する工程、二次元導波路の
不要部分をフォトリングラフィによりエッチラグ除去し
てコア３を形成する工程、コア３を上部クラッド４によ
り覆う工程などを介して製造される。
２を植層する工程、下部クラッド２上にエピタキシャル
成長にて二次元導波路を形成する工程、二次元導波路の
不要部分をフォトリングラフィによりエッチラグ除去し
てコア３を形成する工程、コア３を上部クラッド４によ
り覆う工程などを介して製造される。
かかる埋め込み型導波路は、−股部として低損失のもの
が容易に得られ、制御電極を導波路表面に装荷すること
により光変調器、光スィッチを簡単に構成ができるとさ
れている。
が容易に得られ、制御電極を導波路表面に装荷すること
により光変調器、光スィッチを簡単に構成ができるとさ
れている。
ｒ発明が解決しようとする問題点Ｊ
しかし、第５図に示す埋め込み型導波路において断面等
脚台形のコア３をつくるとき、エツチングなどの加工手
段に起因した導波路壁の荒れ（微小な凹凸）が、コア３
の各隅部３ａ、３ｂ、３Ｃ１３ｄにあられれ、これら隅
部３ａ、３ｂ、３Ｃ１３ｄの荒れにより導波光りの散乱
を招くので、損失増が生じる。
脚台形のコア３をつくるとき、エツチングなどの加工手
段に起因した導波路壁の荒れ（微小な凹凸）が、コア３
の各隅部３ａ、３ｂ、３Ｃ１３ｄにあられれ、これら隅
部３ａ、３ｂ、３Ｃ１３ｄの荒れにより導波光りの散乱
を招くので、損失増が生じる。
本発明は上記の問題点に鑑み、コア隅部の荒れに起因し
た導波光の損失増を抑制ないし解消することのできる埋
め込み型光導波路を提供しようとするものである。
た導波光の損失増を抑制ないし解消することのできる埋
め込み型光導波路を提供しようとするものである。
ｒ問題点を解決するための手段Ｊ
本発明に係る第１発明（特定発明）は、所期の目的を達
成するため、下部クラッドと、その下部クラッドの上面
に隆起して形成された断面四角形のコアと、そのコアの
上面および両側面を覆う上部クラッドとを備え、コアが
下部クラッド、上部クラッドよりも高屈折率である埋め
込み型光導波路において、下部クラッドとコアとの界面
部が、その下部クラッドの上面よりも高く形成されてい
ることを特徴とする。
成するため、下部クラッドと、その下部クラッドの上面
に隆起して形成された断面四角形のコアと、そのコアの
上面および両側面を覆う上部クラッドとを備え、コアが
下部クラッド、上部クラッドよりも高屈折率である埋め
込み型光導波路において、下部クラッドとコアとの界面
部が、その下部クラッドの上面よりも高く形成されてい
ることを特徴とする。
本発明に係る第２発明は、所期の目的を達成するため、
下部クラッドと、その下部クラッドの上面に隆起して形
成された断面四角形のコアと、そのコアの上面および両
側面を覆う上部クラッドとを備え、コアが下部クラッド
、上部クラッドよりも高屈折率である埋め込み型光導波
路において、下部クラッドとコアとの界面部が、その下
部クラッドの上面よりも高く形成され、コアと上部クラ
ッドとの間にバッファ層が形成されていることを特徴と
する。
下部クラッドと、その下部クラッドの上面に隆起して形
成された断面四角形のコアと、そのコアの上面および両
側面を覆う上部クラッドとを備え、コアが下部クラッド
、上部クラッドよりも高屈折率である埋め込み型光導波
路において、下部クラッドとコアとの界面部が、その下
部クラッドの上面よりも高く形成され、コアと上部クラ
ッドとの間にバッファ層が形成されていることを特徴と
する。
ｒ作用Ｊ
本発明の埋め込み型光導波路は、そのコア中を導波光が
伝播する。
伝播する。
この際、第１発明では下部クラッドとコアとの界面部が
、その下部クラッドの上面よりも高く形成されているか
ら、後述するごとく、コアの下位両隅部に散乱損失が生
ぜず、その散乱損失を抑制した分だけ、先導波路の伝送
特性が向上する。
、その下部クラッドの上面よりも高く形成されているか
ら、後述するごとく、コアの下位両隅部に散乱損失が生
ぜず、その散乱損失を抑制した分だけ、先導波路の伝送
特性が向上する。
さらに第２発明では、コアの下位両隅部だけでなく、バ
ッファ層の介在により、コアの上位両隅部の散乱損失を
も抑制するので、先導波路の伝送特性がより向上する。
ッファ層の介在により、コアの上位両隅部の散乱損失を
も抑制するので、先導波路の伝送特性がより向上する。
ｒ実 施 例１
はじめ、第１発明に係る埋め込み型光導波路の一実施例
につき、第１図を参照して説明する。
につき、第１図を参照して説明する。
第１図の埋め込み型光導波路において、基板１１上に下
部クラッド１２が形成され、その下部クラッド１２上に
コア１３が形成されているとともに、当該コア１３の上
面および両側面が上部クラッド１４により覆われており
、かつ、下部クララ白２とコア１３との界面部１５が、
その下部クラッド１２の上面よりも高く形成されている
。
部クラッド１２が形成され、その下部クラッド１２上に
コア１３が形成されているとともに、当該コア１３の上
面および両側面が上部クラッド１４により覆われており
、かつ、下部クララ白２とコア１３との界面部１５が、
その下部クラッド１２の上面よりも高く形成されている
。
上記におけるコア１３の屈折率ｎ１、下部クラッド１２
の屈折率ｎ２、上部クラッド１４の屈折率ｎ３は、これ
らの関係がＩＩ＋＞１１２． Ｉｌ＋＞１１３となって
いる。
の屈折率ｎ２、上部クラッド１４の屈折率ｎ３は、これ
らの関係がＩＩ＋＞１１２． Ｉｌ＋＞１１３となって
いる。
このような相対屈折率差を満足させるコア、クラッドの
組成としては、例えば、コア１３がＧａＡｓからなり、
下部クラッド１２および上部クラ−２ド１４がＡｌＧａ
Ａｓからなる。
組成としては、例えば、コア１３がＧａＡｓからなり、
下部クラッド１２および上部クラ−２ド１４がＡｌＧａ
Ａｓからなる。
その他、基板１１の組成も、−例としてＧａＡｓからな
る。
る。
第１図の埋め込み型光導波路では、断面四角形のコア１
３が四つの隅部１３ａ 、 １３ｂ 、 １３ｃ 、
１３ｄを有するとともに、下部クラッド１２とコア１３
との界面部１５が、その下部クラッド１２の上面よりも
一段高くなっているため、当該下部クラッド１２には二
つの角部１２ａ 、 １２ｂが生じている。
３が四つの隅部１３ａ 、 １３ｂ 、 １３ｃ 、
１３ｄを有するとともに、下部クラッド１２とコア１３
との界面部１５が、その下部クラッド１２の上面よりも
一段高くなっているため、当該下部クラッド１２には二
つの角部１２ａ 、 １２ｂが生じている。
それゆえ、コア１３の下位各隅部１３ｃ 、 １３ｄと
下部クラッド１２の各角部１２ａ 、 １２ｂとの間に
相対的な距離Ｓ１が生じ、各隅部１３ｃ 、 １３ｄは
その距１１１ｓｔだけ各角部１２ａ 、 １２ｂより離
れる。
下部クラッド１２の各角部１２ａ 、 １２ｂとの間に
相対的な距離Ｓ１が生じ、各隅部１３ｃ 、 １３ｄは
その距１１１ｓｔだけ各角部１２ａ 、 １２ｂより離
れる。
第１図の埋め込み型光導波路においては、一般例と同じ
く、下部クラッド１２、上部クララ白４を介して覆われ
たコア１３中を導波光りが伝播する。
く、下部クラッド１２、上部クララ白４を介して覆われ
たコア１３中を導波光りが伝播する。
この場合、下部クラッド１２の角部１２ａ 、 １２ｂ
、コア１３の隅部１３ａ 、 １３ｂでは、これら各部
の微小凹凸により散乱損失が生じるが、゛上述のごとく
コア隅部１３ｃ 、 １３ｄが下部クラッド角部１２ａ
、 １２ｂより離れている場合、これら角部１２ａ
、 １２ｂの微小凹凸による影響がコア１３へ波及せず
、その分だけ、導波路の伝送特性が改善される。
、コア１３の隅部１３ａ 、 １３ｂでは、これら各部
の微小凹凸により散乱損失が生じるが、゛上述のごとく
コア隅部１３ｃ 、 １３ｄが下部クラッド角部１２ａ
、 １２ｂより離れている場合、これら角部１２ａ
、 １２ｂの微小凹凸による影響がコア１３へ波及せず
、その分だけ、導波路の伝送特性が改善される。
つぎに、第１図に示した埋め込み型光導波路の製造例に
つき、第２図（イ）（ロ）（ハ）を参照して略述する。
つき、第２図（イ）（ロ）（ハ）を参照して略述する。
第２図（イ）の工程では、ＧａＡｓウェハからなる基板
１１を表面処理した後、その基板ｌｌ上に、下部クラッ
ド１２として膜厚５終■のＡｌｏ、 ｏ３Ｇａｏ、 ９
ｒＡｓをエピタキシャル成長させ、引き続き、その下
部クララ白２上に、コア１３として膜厚２１Ｌ腸のＧａ
Ａｓをエピタキシャル成長させる。
１１を表面処理した後、その基板ｌｌ上に、下部クラッ
ド１２として膜厚５終■のＡｌｏ、 ｏ３Ｇａｏ、 ９
ｒＡｓをエピタキシャル成長させ、引き続き、その下
部クララ白２上に、コア１３として膜厚２１Ｌ腸のＧａ
Ａｓをエピタキシャル成長させる。
かかる連続エピタキシャル成長に際しては、−例として
ＭＯＣＶＤ法が採用される。
ＭＯＣＶＤ法が採用される。
第２図（ロ）の工程では、一般に知られているフォトリ
ングラフィ法を実施し、その際のエツチングにより上記
コア１３の不要部と下部クラッド１２の上層部（界面部
１５は除く）とを除去して、断面等脚台形のコア１３と
、界面部１５を除く上面が一段低い下部クラッド１２と
を形成する。
ングラフィ法を実施し、その際のエツチングにより上記
コア１３の不要部と下部クラッド１２の上層部（界面部
１５は除く）とを除去して、断面等脚台形のコア１３と
、界面部１５を除く上面が一段低い下部クラッド１２と
を形成する。
上記フォトリングラフィ法におけるコア１３．下部クラ
ラ白２のエツチング深さは、合計値で３．５鉢■である
。
ラ白２のエツチング深さは、合計値で３．５鉢■である
。
エツチング液としては、例えば酒石酸系のものを用いる
。
。
第２図（ハ）の工程では、下部クラッド１２の上面とコ
ア１３の各露出面（上面、両側面）とにわたり、前述し
たと同様の手段で上部クラッド１４をエピタキシャル成
長させて、コア１３の上面、両側面を覆う。
ア１３の各露出面（上面、両側面）とにわたり、前述し
たと同様の手段で上部クラッド１４をエピタキシャル成
長させて、コア１３の上面、両側面を覆う。
かくて、第１図に示した埋め込み型光導波路が得られる
。
。
つぎに、第２発明に係る埋め込み型光導波路の一実施例
につき、第３図を参照して説明する。
につき、第３図を参照して説明する。
第３図に示した埋め込み型光導波路の場合、基板ｌｌ上
には下部クラッド１２が、その下部クラッド１２上には
コア１３が、さらに、そのコア１３の上面にはバッファ
層１Ｂが形成されているとともに、コア１３の両側面と
パップア層１８の上面とが上部クララ白４により覆われ
ており、かつ、下部クララ白２とコア１３との界面部１
５が、その下部クラッド１２の上面よりも高く形成され
ている。
には下部クラッド１２が、その下部クラッド１２上には
コア１３が、さらに、そのコア１３の上面にはバッファ
層１Ｂが形成されているとともに、コア１３の両側面と
パップア層１８の上面とが上部クララ白４により覆われ
ており、かつ、下部クララ白２とコア１３との界面部１
５が、その下部クラッド１２の上面よりも高く形成され
ている。
上記におけるコア１３の屈折率Ｉｌｌ、下部クラッド１
２の屈折率ｎ２、上部クララ白４の屈折率ｎ３、バッフ
ァ層１６の屈折率ｎ４は、これらの関係がｎｌ＞ｎ２、
ｎ＋＞ｎ３、ｎｌ＞ｎｎとなっており、かかる相対屈折
率差を満足させる各部の組成は、−例として、コア１３
がＧａＡｓからなり、下部クラッド１２、上部クララ白
４およびバッファ層１ＢがＡｌＧａＡｓからなり、その
他、基板１１も、−例としてＧａｋｓからなる。
２の屈折率ｎ２、上部クララ白４の屈折率ｎ３、バッフ
ァ層１６の屈折率ｎ４は、これらの関係がｎｌ＞ｎ２、
ｎ＋＞ｎ３、ｎｌ＞ｎｎとなっており、かかる相対屈折
率差を満足させる各部の組成は、−例として、コア１３
がＧａＡｓからなり、下部クラッド１２、上部クララ白
４およびバッファ層１ＢがＡｌＧａＡｓからなり、その
他、基板１１も、−例としてＧａｋｓからなる。
第３図の埋め込み型光導波路も、断面四角形のコア１３
が四つの隅部１３ａ 、 １３ｂ 、 １３ｃ 、 １
３ｄを有し、下部クラッド１２が二つの角部１２ａ 、
１２ｂを有するが、これ以外に、バッファ層１Ｂが二
つの角部ｌｅａ 、 １Ｉ３ｂを有する。
が四つの隅部１３ａ 、 １３ｂ 、 １３ｃ 、 １
３ｄを有し、下部クラッド１２が二つの角部１２ａ 、
１２ｂを有するが、これ以外に、バッファ層１Ｂが二
つの角部ｌｅａ 、 １Ｉ３ｂを有する。
したがって、コア１３の下位両隅部１３ｃ 、 １３ｄ
と下部クラッド１２の両角部１２ａ 、 １２ｂとの間
に相対的な距離Ｓ＋が生じるとともに、コア１３の上位
両隅部１３ａ 、 １３ｂとバー／ ７７層１６の両角
部ｌｅａ 、 １８ｂとの間にも相対的な距＋１１ｓ２
が生じ、ゆえに、コア１３の下位両隅部１３ｃ 、 １
３ｄはその距＊Ｓ＋だけ両角部１２ａ 、 １２ｂより
離れ、コア１３の上位両隅部１３ａ、１３ｂは距＋１１
ｓ２だけ両角部ｔｅａ 、 Ｈｌｂより離れる。
と下部クラッド１２の両角部１２ａ 、 １２ｂとの間
に相対的な距離Ｓ＋が生じるとともに、コア１３の上位
両隅部１３ａ 、 １３ｂとバー／ ７７層１６の両角
部ｌｅａ 、 １８ｂとの間にも相対的な距＋１１ｓ２
が生じ、ゆえに、コア１３の下位両隅部１３ｃ 、 １
３ｄはその距＊Ｓ＋だけ両角部１２ａ 、 １２ｂより
離れ、コア１３の上位両隅部１３ａ、１３ｂは距＋１１
ｓ２だけ両角部ｔｅａ 、 Ｈｌｂより離れる。
第３図の埋め込み型光導波路も、一般例と同じく、下部
クラッド１２、上部クラッド１４を介して覆われたコア
１３中を導波光りが伝播する。
クラッド１２、上部クラッド１４を介して覆われたコア
１３中を導波光りが伝播する。
この場合、下部クラッド１２の角部１２ａ 、 １２ｂ
、バッファ層１６の角部１１３ａ 、 １ｆｌｂでは、
これら各部の微小凹凸により散乱損失が生じるが、上述
のごとくコア隅部１３ａ 、 １３ｂ 、 １３ｃ 、
１３ｄがこれら角部１２ａ 、 １２ｂ 、 ｌｅａ
、 １８ｂより離れている場合、該各色部１２ａ 、
１２ｂ 、 １８ａ 、 １８ｂの微小凹凸による影
響がコア１３へ波及せず、総体的に導波路の伝送特性が
改善される。
、バッファ層１６の角部１１３ａ 、 １ｆｌｂでは、
これら各部の微小凹凸により散乱損失が生じるが、上述
のごとくコア隅部１３ａ 、 １３ｂ 、 １３ｃ 、
１３ｄがこれら角部１２ａ 、 １２ｂ 、 ｌｅａ
、 １８ｂより離れている場合、該各色部１２ａ 、
１２ｂ 、 １８ａ 、 １８ｂの微小凹凸による影
響がコア１３へ波及せず、総体的に導波路の伝送特性が
改善される。
つぎに、第３図に示した埋め込み型光導波路の製造例に
つき、第４図（イ）（ロ）（ハ）を参照して略述する。
つき、第４図（イ）（ロ）（ハ）を参照して略述する。
第４図（イ）の工程では、ＧａＡｓウェハからなる基板
１１を表面処理した後、その基板ｌｌ上に下部クラッド
１２として膜厚５ＩＬｓ＋のＡｌｏ、ｏ３Ｇａｏ、ｕＡ
ａを、その下部クラッド１２上にコア１３として膜厚２
ＩＬ厘のＧａＡ＋を、そのコア１３上にバッファ層ＩＢ
として膜厚２μｍのＡｌｏ、ｏ３Ｇａｏ、ｕＡｓをそれ
ぞれ連続してエピタキシャル成長させる。
１１を表面処理した後、その基板ｌｌ上に下部クラッド
１２として膜厚５ＩＬｓ＋のＡｌｏ、ｏ３Ｇａｏ、ｕＡ
ａを、その下部クラッド１２上にコア１３として膜厚２
ＩＬ厘のＧａＡ＋を、そのコア１３上にバッファ層ＩＢ
として膜厚２μｍのＡｌｏ、ｏ３Ｇａｏ、ｕＡｓをそれ
ぞれ連続してエピタキシャル成長させる。
かかる連続エピタキシャル成長に際しては、前例と同じ
ＭＯＣＶＤ法が一例として採用される。
ＭＯＣＶＤ法が一例として採用される。
第４図（ロ）の工程では、既述のフォトリングラフィ法
を実施し、その際のエツチングにより。
を実施し、その際のエツチングにより。
上記コア１３およびバッファ層１６の不要部と、下部ク
ラッド１２の上層部（界面部１５は除く）とを除去し、
これにより上面がバッファ層１Ｂで覆われた断面等脚台
形のコア１３と、界面部１５を除く上面が一段低くなっ
た下部クラッド１２とを形成する。
ラッド１２の上層部（界面部１５は除く）とを除去し、
これにより上面がバッファ層１Ｂで覆われた断面等脚台
形のコア１３と、界面部１５を除く上面が一段低くなっ
た下部クラッド１２とを形成する。
上記フォトリングラフィ法におけるバッファ層１Ｂ、コ
ア１３、下部クラッド１２のエツチング深さは合計値で
５．５１Ｌｙｓである。
ア１３、下部クラッド１２のエツチング深さは合計値で
５．５１Ｌｙｓである。
エツチング液としては、−例として前記酒石酸系のもの
を用いる。
を用いる。
第４図（ハ）の工程では、下部クラッド１２の上面とコ
ア１３の各露出面（上面、両側面）とにわたり、前述し
たと同様の手段で上部クラシト１４をエピタキシャル成
長させて、コア１３の上面、両側面を覆う。
ア１３の各露出面（上面、両側面）とにわたり、前述し
たと同様の手段で上部クラシト１４をエピタキシャル成
長させて、コア１３の上面、両側面を覆う。
かくて、第３図に示した埋め込み型光導波路が得られる
。
。
なお、第１発明、第２発明の埋め込み型光導波路におい
て、例えば、ＧａＡｓウェハ製の基板ｌｌ上にエピタキ
シャル成長にてＡｌＧａＡｓ製の下部クラッド１２を形
成する際、その下部クラッド１２の結晶成長性を良好に
すべく、基板１１上に膜厚０．Ｉ ＩＬｔａ程度のＧａ
Ａｓ製バッファ層を形成し、そのバッファ層の上に下部
クラッド１２を形成することがある。
て、例えば、ＧａＡｓウェハ製の基板ｌｌ上にエピタキ
シャル成長にてＡｌＧａＡｓ製の下部クラッド１２を形
成する際、その下部クラッド１２の結晶成長性を良好に
すべく、基板１１上に膜厚０．Ｉ ＩＬｔａ程度のＧａ
Ａｓ製バッファ層を形成し、そのバッファ層の上に下部
クラッド１２を形成することがある。
「発明の効果１
以上説明した通り、本発明に係る第１発明の埋め込み型
光導波路は、下部クラッドとコアとの界面部が、その下
部クラッドの上面よりも高く形成されているから、コア
の下位両隅部において散乱損失が生ぜず、光導波路の伝
送特性が向上する。
光導波路は、下部クラッドとコアとの界面部が、その下
部クラッドの上面よりも高く形成されているから、コア
の下位両隅部において散乱損失が生ぜず、光導波路の伝
送特性が向上する。
さらに第２発明では、コアの下位両隅部だけでなく、バ
ッファ層の介在により、コアの上位両隅部の散乱損失も
生じないから、光導波路の伝送特性がより向上する。
ッファ層の介在により、コアの上位両隅部の散乱損失も
生じないから、光導波路の伝送特性がより向上する。
第１図は本発明の第１発明に係る埋め込み型光導波路の
一実施例を示した拡大断面図、第２図の（イ）（ロ）（
ハ）は当該第１発明に係る埋め込み型光導波路の製造例
をその工程順に略示した説明図、第３図は本発明の第２
発明に係る埋め込み型光導波路の一実施例を示した拡大
断面図、第ぐ図の（イ）（ロ）（ハ）は当該第２発明に
係る埋め込み型光導波路の製造例をその工程順に略示し
た説明図、第５図は従来の埋め込み型光導波路を示した
断面図である。 １１・・・・・・・・・・・・・・−・・・・・基板１
２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・下部クラ
ッド１２ａ、１２ｂ・・・・・・・・・・・・・・下部
クラッドの角部１３−・・・・・・・・・・・・・争◆
・奉・コア１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ −−−−
−−コアのＦＩＡｆｆｌ１４・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・上部クラッド１５・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・界面部１１３− ・争１・ψ・
・１１会命・１１０１１１１拳会バッファ層１８ａ、１
６ｂ・・・・・・・・・・・・・・バッファ層の角部代
理人 弁理士 斎 藤 義 雄 ゛手続補正書 ２発明の名称 埋め込み型光導波路３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 日本電信電話式会社 ４代理人〒１００ 東京都千代田区有楽町１丁目６番６号小谷ビル５ 補正
命令の日付（自発） ６ 補正の対象 明細書の１発明の詳細な説明１の欄 補正の内容 明細書第１２頁２０行目の後に、つぎの文を加入します
。 「その他、断面四角形とすべきコア形状について、既述
の実施例では、エツチング速度が結晶方向に異なること
に鑑み、断面形状が等脚台形となるコアを例示したが、
エツチング液を使用して形成される等脚台形のコアであ
ってその等脚部が多少ダした形状のもの、ドライエツチ
ング技術を使用して形成されるコアであって断面略矩形
となるのもの、さらには、当該断面略矩形のコアであっ
てその脚部が多少ダした形状のものなど、これらの断面
形状を有するコアも断面四角形のコアに含まれる。１以
上
一実施例を示した拡大断面図、第２図の（イ）（ロ）（
ハ）は当該第１発明に係る埋め込み型光導波路の製造例
をその工程順に略示した説明図、第３図は本発明の第２
発明に係る埋め込み型光導波路の一実施例を示した拡大
断面図、第ぐ図の（イ）（ロ）（ハ）は当該第２発明に
係る埋め込み型光導波路の製造例をその工程順に略示し
た説明図、第５図は従来の埋め込み型光導波路を示した
断面図である。 １１・・・・・・・・・・・・・・−・・・・・基板１
２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・下部クラ
ッド１２ａ、１２ｂ・・・・・・・・・・・・・・下部
クラッドの角部１３−・・・・・・・・・・・・・争◆
・奉・コア１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ −−−−
−−コアのＦＩＡｆｆｌ１４・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・上部クラッド１５・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・界面部１１３− ・争１・ψ・
・１１会命・１１０１１１１拳会バッファ層１８ａ、１
６ｂ・・・・・・・・・・・・・・バッファ層の角部代
理人 弁理士 斎 藤 義 雄 ゛手続補正書 ２発明の名称 埋め込み型光導波路３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 日本電信電話式会社 ４代理人〒１００ 東京都千代田区有楽町１丁目６番６号小谷ビル５ 補正
命令の日付（自発） ６ 補正の対象 明細書の１発明の詳細な説明１の欄 補正の内容 明細書第１２頁２０行目の後に、つぎの文を加入します
。 「その他、断面四角形とすべきコア形状について、既述
の実施例では、エツチング速度が結晶方向に異なること
に鑑み、断面形状が等脚台形となるコアを例示したが、
エツチング液を使用して形成される等脚台形のコアであ
ってその等脚部が多少ダした形状のもの、ドライエツチ
ング技術を使用して形成されるコアであって断面略矩形
となるのもの、さらには、当該断面略矩形のコアであっ
てその脚部が多少ダした形状のものなど、これらの断面
形状を有するコアも断面四角形のコアに含まれる。１以
上
Claims (2)
- （１）下部クラッドと、その下部クラッドの上面に隆起
して形成された断面四角形のコアと、そのコアの上面お
よび両側面を覆う上部クラッドとを備え、コアが下部ク
ラッド、上部クラッドよりも高屈折率である埋め込み型
光導波路において、下部クラッドとコアとの界面部が、
その下部クラッドの上面よりも高く形成されていること
を特徴とする埋め込み型光導波路。 - （２）下部クラッドと、その下部クラッドの上面に隆起
して形成された断面四角形のコアと、そのコアの上面お
よび両側面を覆う上部クラッドとを備え、コアが下部ク
ラッド、上部クラッドよりも高屈折率である埋め込み型
光導波路において、下部クラッドとコアとの界面部が、
その下部クラッドの上面よりも高く形成され、コアと上
部クラッドとの間にバッファ層が形成されていることを
特徴とする埋め込み型光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30535487A JPH01198706A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 埋め込み型光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30535487A JPH01198706A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 埋め込み型光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198706A true JPH01198706A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=17944104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30535487A Pending JPH01198706A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 埋め込み型光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01198706A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09304663A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Nec Corp | 光結合回路及びその製造方法 |
| US7076143B2 (en) | 2003-11-04 | 2006-07-11 | Nec Corporation | Optical waveguide and fabricating method thereof |
| JP2007093743A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Hitachi Cable Ltd | スポットサイズ変換導波路及びその製造方法 |
| WO2024117023A1 (ja) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | 京セラ株式会社 | 光回路基板、光学部品実装構造体および光回路基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4971950A (ja) * | 1972-09-25 | 1974-07-11 | ||
| JPS50143549A (ja) * | 1974-05-08 | 1975-11-19 |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP30535487A patent/JPH01198706A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4971950A (ja) * | 1972-09-25 | 1974-07-11 | ||
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