JPH0119460B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、記録媒体用インジウム−ニオビウム
合金に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an indium-niobium alloy for recording media.
（従来の技術）
近年になつて、高速ランダムアクセスの可能な
高密度大容量の情報記録媒体円盤についての研究
開発が盛んに行なわれるようになつたが、レーザ
光スポツトの照射による情報の記録再生が可能
で、かつ、レーザ光または／及び必要に応じて適
当な補助手段をも用いて記録された情報を消去
し、新しい情報に書換えうるような機能も備えて
いる如き新規な記録媒体についての探索も行なわ
れている。(Prior Art) In recent years, research and development has been actively conducted on high-density, large-capacity information recording media disks that can be accessed at high speed and randomly. new recording media that are capable of erasing recorded information and rewriting it with new information using laser light and/or appropriate auxiliary means as necessary. Explorations are also underway.
ところで、レーザ光を用いて情報の記録、再生
が行なわれるようにされている記録媒体につい
て、レーザ光ビームのスポツトによる加熱作用に
より、記録媒体にどのような物理的な変化を生じ
させて情報の記録を行なうようにしているのかに
着目して、現在までに提案されている多くの記録
媒体を分類すると、ピツト形成型、泡あるいは凹
凸形成型、光磁気型、相変化型（熱エネルギによ
り光の透過率、反射率、吸収率等に変化が生じる
熱変態型）等の各種型式の記録媒体に大別でき
る。 By the way, regarding a recording medium on which information is recorded and reproduced using a laser beam, what kind of physical change is caused in the recording medium by the heating effect of the spot of the laser beam? The many recording media that have been proposed to date can be categorized based on how they perform recording: pit-forming type, bubble or unevenness-forming type, magneto-optical type, and phase-change type (which uses thermal energy to generate light). It can be broadly classified into various types of recording media, such as thermal transformation type (thermal transformation type) in which changes occur in transmittance, reflectance, absorption rate, etc.
そして、前記した各種型式の記録媒体の内で相
変化型に属する記録媒体は、既記録情報の消去の
可能性もあるという点で注目されていて、現在ま
でにこの種の記録媒体としては、カルコゲナイド
系の物質（ゲルマニウム、テルル、アンチモン、
シリコン、砒素、ビスマス、インジユウム、ガリ
ユウム、タリウム、セレン、硫黄）の色々な組合
わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物（例え
ば、TeとTeO2の混合組成物等）の薄膜を用いた
記録媒体が提案されている。 Of the various types of recording media mentioned above, phase-change recording media have attracted attention because of the possibility of erasing previously recorded information, and to date, as recording media of this type, Chalcogenide substances (germanium, tellurium, antimony,
We used thin films of compositions consisting of various combinations of silicon, arsenic, bismuth, indium, gallium, thallium, selenium, sulfur) and thin films of lower oxides (for example, mixed compositions of Te and TeO 2 ). A recording medium is proposed.
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、カルコゲナイド系の物質の色々な組
合わせからなる組成物の薄膜や、低級酸化物（例
えば、TeとTeO2の混合組成物等）の薄膜を用い
て構成されている既提案の記録媒体では、レーザ
光強度（記録媒体に相変化を起こさせることがで
きる強度範囲内のレーザ光強度であつて、記録媒
体にその強度のレーザ光が照射された部分からの
再生信号中における２次高調波歪が極小になされ
る如きレーザ光強度）及び／または信号対雑音比
が記録媒体の薄膜を構成している物質の組成比に
よつて大きく変化するために、所定の特性を備え
ている記録媒体の大量生産を簡単に行なうことが
できないという点が問題になつた。(Problems to be Solved by the Invention) However, thin films of compositions made of various combinations of chalcogenide-based substances or thin films of lower oxides (for example, mixed compositions of Te and TeO2, etc.) cannot be used. In the previously proposed recording medium, the laser light intensity (laser light intensity within the intensity range that can cause a phase change in the recording medium, where the recording medium is irradiated with laser light of that intensity) (laser light intensity such that the second-order harmonic distortion in the reproduced signal from However, a problem has arisen in that it is not possible to easily mass-produce recording media having predetermined characteristics.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、インジウムが50重量％乃至70重量％
であつて残部がニオビウムである記録媒体用イン
ジウム−ニオビウム合金を提供するものである。(Means for Solving the Problems) The present invention has an indium content of 50% to 70% by weight.
The present invention provides an indium-niobium alloy for recording media, the balance being niobium.
（実施例）
本発明は相変化型（熱エネルギにより光の透過
率、反射率、吸収率等に変化が生じる熱変態型）
の記録媒体に適する記録材料の探索に当りインジ
ウムとニオビウムとからなる合金に着目し、その
インジウム−ニオビウム合金におけるインジウム
とモリブデンとの組成を変化させて、インジウム
が50重量％乃至70重量％であつて残部がニオビウ
ムであるような組成範囲のインジウム−ニオビウ
ム合金が、相変化型の記録媒体に適した特性を備
えていることを見出したことに基づいて、本発明
の記録媒体用インジウム−ニオビウム合金を完成
させたものである。(Example) The present invention is a phase change type (thermal transformation type in which light transmittance, reflectance, absorption rate, etc. change due to thermal energy)
In searching for a recording material suitable for recording media, we focused on an alloy consisting of indium and niobium, and by changing the composition of indium and molybdenum in the indium-niobium alloy, we created a material with an indium content of 50% to 70% by weight. Based on the discovery that an indium-niobium alloy having a composition range in which the balance is niobium has characteristics suitable for a phase-change recording medium, the indium-niobium alloy for recording media of the present invention has been developed. It has been completed.
次に、添付図面を参照しながら本発明の記録媒
体用インジウム−ニオビウム合金について詳細に
説明する。本発明のインジウムとニオビウムとの
二元合金からなる記録媒体用インジウム−ニオビ
ウム合金は、例えば、真空蒸着法やスパツタリン
グ法、その他、前記の方法に類似な方法の適用に
よつて厚さが1000オングストローム内外の薄膜と
して容易に形成できるものであるが、次に、一例
として二元独立同時スパツタリング法により、本
発明の記録媒体用インジウム−ニオビウム合金、
すなわち、インジウムが50重量％乃至70重量％で
あつて残部がニオビウムである記録媒体用インジ
ウム−ニオビウム合金を、各種基板上に所定の厚
さの薄膜として付着形成させる場合の概略を説明
すると次のとおりである。 Next, the indium-niobium alloy for recording media of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The indium-niobium alloy for recording media made of a binary alloy of indium and niobium of the present invention can be produced to a thickness of 1000 angstroms by applying, for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a method similar to the above-mentioned method. The indium-niobium alloy for recording media of the present invention can be easily formed as an inner and outer thin film by, for example, a dual independent simultaneous sputtering method.
That is, the following is an outline of how an indium-niobium alloy for recording media, which contains 50% to 70% by weight of indium and the balance is niobium, is deposited as a thin film of a predetermined thickness on various substrates. That's right.
すなわち、まず、真空槽内に設置された回転自
在な基板ホルダーに、適当な構成材料（例えば、
ガラス、プラスチツクス）で製作されている基板
を取付けた後に、真空槽内を10-6〜10-7Torr程
度の真空度になるように排気し、次にアルゴンガ
ス（アルゴンガス圧は1.0×10-3〜５×10-3Torr）
の導入の下に、インジウムターゲツトとニオビウ
ムのターゲツトとの独立した２つのターゲツトに
アルゴンイオンを衝突させてスパツタリングを起
こさせ、適当な回転速度で回転している基板上
に、所定の組成比と所要の厚さとを有するインジ
ウムとモリブデンとの合金の薄膜を付着形成させ
るのである。 That is, first, a suitable constituent material (for example,
After attaching a substrate made of glass or plastic, the vacuum chamber is evacuated to a degree of vacuum of about 10 -6 to 10 -7 Torr, and then argon gas (argon gas pressure is 1.0 × 10 -3 ~5×10 -3 Torr)
Under the introduction of A thin film of an alloy of indium and molybdenum is deposited having a thickness of .
前記のように基板上に形成されるインジウム−
ニオビウム合金薄膜の組成は、前記した２つの独
立したターゲツトに衝突させるべきアルゴンイオ
ンに与えるエネルギの設定の仕方を変えることに
より変化できるのであり、それは前記した２つの
独立したターゲツトに与える電力を変化すること
によつて容易に行なわれうる。また、基板の表面
上に形成されるべき記録媒体用インジウムとニオ
ビウム合金による薄膜記録媒体の厚さは、スパツ
タリング時間を変化させることによつて所定の膜
厚に設定することが容易である。 Indium formed on the substrate as described above
The composition of the niobium alloy thin film can be changed by changing the setting of the energy applied to the argon ions to be bombarded with the two independent targets mentioned above, which changes the power applied to the two independent targets mentioned above. This can be easily done by Further, the thickness of the thin film recording medium made of indium and niobium alloy for recording medium to be formed on the surface of the substrate can be easily set to a predetermined thickness by changing the sputtering time.
そして、前記のようにしてインジウムが50重量
％乃至70重量％であつて残部がニオビウムである
記録媒体用インジウム−ニオビウム合金薄膜が記
録層として基板の表面に付着形成されている記録
媒体を容易に製作することができる。 Then, as described above, a recording medium in which an indium-niobium alloy thin film for a recording medium containing 50% by weight to 70% by weight of indium and the balance being niobium is adhered and formed as a recording layer on the surface of a substrate can be easily prepared. It can be manufactured.
基板の表面に形成された記録層の表面に保護層
を形成することが必要な場合には、適当な合成樹
脂の薄膜による保護層を周知の任意の手段の適用
によつて記録層の表面に被着させればよい。 When it is necessary to form a protective layer on the surface of the recording layer formed on the surface of the substrate, a protective layer made of a thin film of a suitable synthetic resin is applied to the surface of the recording layer by applying any well-known means. All you have to do is cover it.
また、スパツタリング法の適用による成膜に際
しては、インジウムとニオビウムとのスパツタリ
ングレートを考慮した組成のインジウム−ニオビ
ウム合金による１個のターゲツトを用いて成膜が
行なわれるようにしてもよい。 Furthermore, when forming a film by applying the sputtering method, the film may be formed using one target made of an indium-niobium alloy having a composition that takes into account the sputtering rate of indium and niobium.
第１図は、前記のようにして基板上に記録媒体
用インジウム−ニオビウム合金による記録層が付
着形成されてなる記録媒体にレーザ光のスポツト
を照射して、信号の記録再生を行なうための実験
に用いた記録再生装置の概略構成を示すブロツク
図であり、この第１図においてＭはモータ、TT
はターンテーブルであり、前記のターンテーブル
TTには記録媒体Ｄが固着装置４（クランパ４）
によつて固着される。 Figure 1 shows an experiment for recording and reproducing signals by irradiating a spot of laser light onto a recording medium in which a recording layer made of an indium-niobium alloy for recording media is adhered and formed on a substrate as described above. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a recording/reproducing device used in FIG.
is a turntable, and the aforementioned turntable
The recording medium D is attached to the TT by a fixing device 4 (clamper 4).
It is fixed by.
記録媒体Ｄは透明なプラスチツク（例えば、ア
クリル樹脂）の基板１上に記録媒体用インジウム
−ニオビウム合金の記録層２が付着形成された上
に、図示の例では保護膜３が設けられている。 The recording medium D has a recording layer 2 of an indium-niobium alloy for recording media adhered to a substrate 1 of transparent plastic (for example, acrylic resin), and a protective film 3 is provided in the illustrated example.
ブロツクＲは記録系であり、また、ブロツクＰ
は再生系であつて、記録系Ｒには高出力状態に付
勢させることができるとともに、変調信号によつ
てレーザ光の強度変調ができるようになされた半
導体レーザ光源５（波長が8300オングストローム
のレーザ光を放射）と、レーザ光を集束して記録
媒体Ｄの記録層２に所定の径のレーザ光スポツト
を照射させる光学系７と、ハーフミラ６と、フオ
ーカス系及びトラツキングサーポ系８などを含ん
で構成されており、また、再生系Ｐは低出力（例
えば、１〜３ｍｗ）で連続点灯できる半導体レー
ザ光源９（波長が8300オングストロームのレーザ
光を放射）と、レーザ光を集束して記録媒体Ｄの
記録層２に所定の径のレーザ光スポツトを照射さ
せる光学系１１と、ハーフミラ１０と、記録媒体
Ｄの記録層２に生じた物理的な変化を読出すため
の光検出器（シリコンPINダイオード）と信号処
回路及びフオーカス系ならびにトラツキングサー
ポ系１２などを含んで構成されている。 Block R is a recording system, and block P
is a reproduction system, and the recording system R is equipped with a semiconductor laser light source 5 (with a wavelength of 8300 angstroms) which can be energized to a high output state and can modulate the intensity of the laser light by a modulation signal. an optical system 7 that focuses the laser beam to irradiate the recording layer 2 of the recording medium D with a laser beam spot of a predetermined diameter, a half mirror 6, a focus system and a tracking servo system 8, etc. The reproducing system P includes a semiconductor laser light source 9 (emits a laser beam with a wavelength of 8300 angstroms) that can be lit continuously at a low output (for example, 1 to 3 mw), and a laser beam source 9 that focuses the laser beam. An optical system 11 that irradiates the recording layer 2 of the recording medium D with a laser beam spot of a predetermined diameter, a half mirror 10, and a photodetector ( It is configured to include a silicon PIN diode), a signal processing circuit, a focus system, a tracking support system 12, and the like.
さて、例えば、プラスチツク製の円盤状の基板
１の表面に、インジウムが22重量％乃至82重量％
であつて残部がニオビウムであるような組成範囲
内にある色々な組成のインジウム−ニオビウム合
金を約500オングストロームの厚さの薄膜として
被着させたものを試料として用意し、それぞれ組
成を異にしているインジウム−ニオビウム合金薄
膜が付着されている各試料を回転させた状態にし
て、前記の各試料毎のインジウム−ニオビウム合
金薄膜を直径が約1μｍに集束されたレーザ光束
（波長が8300オングストロームの半導体レーザか
らのレーザ光）により断続的に照射された状態に
して信号の記録を行なつた場合には、前記の試料
におけるレーザ光束で照射された部分が照射され
なかつた部分に比べて光学的な反射率が増加する
ために、前記の試料におけるレーザ光束で照射さ
れた部分と照射されなかつた部分とは室内光の下
での目視によつても明瞭に弁別できたが、それを
光学顕微鏡により観察したところ、試料のインジ
ウム−ニオビウム合金薄膜におけるレーザ光束の
照射により相変化を起こしている部分は、その他
の部分に比べて高い反射率を有するために明瞭な
コントラスト比を有する明るい状態の部分の連な
りとして明確に認識できた。 Now, for example, on the surface of the disk-shaped substrate 1 made of plastic, indium is present in an amount of 22% to 82% by weight.
Samples were prepared by depositing indium-niobium alloys of various compositions as thin films approximately 500 angstroms thick within a composition range in which the balance was niobium, and the compositions were different. Each sample to which the indium-niobium alloy thin film is attached is rotated, and the indium-niobium alloy thin film of each sample is exposed to a laser beam focused to a diameter of about 1 μm (a semiconductor with a wavelength of 8300 angstroms). When recording signals while being intermittently irradiated with a laser beam (laser beam from a laser), the part of the sample that was irradiated with the laser beam has a higher optical level than the part that was not irradiated. Due to the increase in reflectance, the parts of the sample that were irradiated with the laser beam and the parts that were not irradiated could be clearly distinguished by visual inspection under room light, but this was not possible using an optical microscope. When observed, the part of the indium-niobium alloy thin film of the sample undergoing a phase change due to irradiation with the laser beam has a higher reflectance than other parts, so it is a bright part with a clear contrast ratio. It was clearly recognized as a series.
第２図は前記のように試料を回転させ、それを
時間軸上で第２図のａのように断続するレーザ光
束で照射したときにインジウム−ニオビウム合金
薄膜に生じる記録ドツト｛第２図のｂ｝と、前記
のインジウム−ニオビウム合金薄膜の記録ドツト
の部分とその他の部分とにおける反射率の状態
｛第２図のｂ｝とを示している。 Figure 2 shows the recording dots generated on the indium-niobium alloy thin film when the sample is rotated as described above and irradiated with a laser beam that is intermittent on the time axis as shown in Figure 2 a. b} and the state of reflectance {b in FIG. 2} in the recording dot portion and other portions of the indium-niobium alloy thin film.
そして、前記のようにして部分的に相変化を生
じさせたインジウム−ニオビウム合金の薄膜を走
査電子顕微鏡によつて観察したところ、記録ドツ
トは全く認められなかつたが、このことは前記の
ようにレーザ光のスポツトの照射によつてインジ
ウム−ニオビウム合金の薄膜に生じた光の反射率
等の光学的変化は、レーザ光の照射によつてイン
ジウム−ニオビウム合金の薄膜の表面に凹凸が生
じることによつて起きたのではないことを示して
いる。 When the thin film of the indium-niobium alloy, which had undergone a partial phase change as described above, was observed using a scanning electron microscope, no recorded dots were observed. Optical changes such as light reflectance that occur in the thin film of indium-niobium alloy due to spot irradiation with laser light are caused by unevenness on the surface of the thin film of indium-niobium alloy due to laser light irradiation. This shows that it did not happen by accident.
次に、前記のようにしてレーザ光スポツトの照
射により相変化を生じさせたインジウム−ニオビ
ウム合金の薄膜をEPMA（Electron Probe
Micro Analysis）によつて、それの記録部分と
非記録部分とのそれぞれの部分における酸素量と
窒素量とを測定したが、両者間においての差は認
められなかつた。このことは前記のようにレーザ
光のスポツトの照射によつてインジウム−ニオビ
ウム合金の薄膜に生じた光の反射率、透過率の変
化などは、レーザ光の照射によつてインジウム−
ニオビウム合金の薄膜に形成された記録部分が、
レーザ光の照射による加熱によつて非記録部分と
は異なる物質に変化したことによつて生じたもの
ではないことを示している。 Next, a thin film of indium-niobium alloy, which had undergone a phase change by irradiation with a laser beam spot as described above, was coated with an EPMA (Electron Probe).
The amount of oxygen and nitrogen in the recorded and non-recorded portions were measured by Micro Analysis), but no difference was observed between the two. This means that, as mentioned above, changes in light reflectance and transmittance that occur in the thin film of indium-niobium alloy due to spot irradiation with laser light,
The recording part formed on the thin film of niobium alloy is
This shows that this is not caused by the heating caused by laser beam irradiation, which changes the material into a material different from that of the non-recorded portion.
以上の実験結果から考えると、レーザ光のスポ
ツトの照射によつてインジウム−ニオビウム合金
の薄膜に生じた光学的特性の変化は、レーザ光の
照射によつてインジウム−ニオビウム合金の薄膜
に与えられた熱エネルギにより、インジウム−ニ
オビウム合金の薄膜の構成物質に原子配列の変化
が生じ、それによつてインジウム−ニオビウム合
金の薄膜の光学的特性が記録部分と非記録部分と
において変化しているものと推論される。 Considering the above experimental results, it can be concluded that the change in optical properties caused in the thin film of indium-niobium alloy by spot irradiation with laser light is due to the change in optical properties caused to the thin film of indium-niobium alloy by laser light irradiation. It is inferred that thermal energy causes a change in the atomic arrangement of the constituent materials of the indium-niobium alloy thin film, which causes the optical properties of the indium-niobium alloy thin film to change between the recording and non-recording areas. be done.
第３図のａはインジウム−ニオビウム合金中の
インジウムの含有率（重量％）の変化に対するイ
ンジウム−ニオビウム合金薄膜のレーザ光感度
（記録媒体に相変化を起こさせることができる強
度範囲内のレーザ光強度であつて、記録媒体にそ
の強度のレーザ光が照射された部分からの再生信
号中における２次高調波歪が極小になされる如き
レーザ光強度）の変化を示す図であり、また、第
３図のｂはインジウム−ニオビウム合金中のイン
ジウムの含有率（重量％）の変化に対する再生信
号のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）の変化を示す図で
あるが、第３図のａ，ｂに示されている測定結果
は、次の様な条件の下で得られたものである。 Figure 3a shows the laser light sensitivity of the indium-niobium alloy thin film to changes in the indium content (wt%) in the indium-niobium alloy (laser light within the intensity range that can cause a phase change in the recording medium). FIG. 3 is a diagram showing a change in laser light intensity such that second harmonic distortion is minimized in a reproduced signal from a portion where a recording medium is irradiated with laser light of that intensity; Figure 3b shows the change in the C/N (carrier-to-noise ratio) of the reproduced signal with respect to the change in the indium content (wt%) in the indium-niobium alloy. The measurement results shown in are obtained under the following conditions.
すなわち、合成樹脂製の円盤状の基板（アクリ
ル樹脂製の円盤状の基板）の表面に、インジウム
の含有率がインジウムが22重量％乃至82重量％の
範囲で残部がニオビウムであるような組成のイン
ジウム−ニオビウム合金を約500オングストロー
ムの厚さの薄膜として被着させてなる記録媒体Ｄ
（記録層上に保護膜を設けていない状態のもの）
を、それの中心を回転軸に固着して毎分900回転
させ、前記した情報記録円盤における中心から50
mmの径の位置を、繰返し周波数が500KHzの矩形
波信号によつて強度変調されている状態の波長が
8300オングストロームレーザ光の径が約１ミクロ
ンのスポツトによつて照射し、インジウム−ニオ
ビウム合金の薄膜に500KHzの矩形波信号を相変
化によつて記録するようにした場合のものであ
り、第３図のａ，ｂに示されている測定結果を得
るための実験は、インジウムの含有率としてイン
ジウムが22重量％乃至82重量％の範囲で残部がモ
リブデンであるような組成のインジウム−ニオビ
ウム合金を約500オングストロームの厚さの薄膜
として被着させてなる記録媒体Ｄとして、インジ
ウムが22重量％乃至82重量％の範囲でインジウム
の含有率をそれぞれ異にしている如き多数の記録
媒体Ｄを用いて行なわれたものである。 That is, on the surface of a disk-shaped substrate made of synthetic resin (a disk-shaped substrate made of acrylic resin), a composition having an indium content ranging from 22% by weight to 82% by weight and the balance being niobium is applied. Recording medium D made of indium-niobium alloy deposited as a thin film approximately 500 angstroms thick
(With no protective film provided on the recording layer)
, fix its center to the rotating shaft and rotate it at 900 per minute, and rotate it 50 degrees from the center of the information recording disk described above.
When the position of the diameter of mm is intensity-modulated by a square wave signal with a repetition frequency of 500KHz, the wavelength is
This is the case when 8300 angstrom laser light is irradiated by a spot with a diameter of about 1 micron, and a 500 KHz square wave signal is recorded on an indium-niobium alloy thin film by phase change. The experiments to obtain the measurement results shown in a and b were carried out using an indium-niobium alloy with a composition in which the indium content ranged from 22% to 82% by weight, with the balance being molybdenum. A large number of recording media D each having a different indium content ranging from 22% by weight to 82% by weight were used as the recording media D deposited as a thin film with a thickness of 500 angstroms. It is something that was given.
第３図のａに示されているインジウム−ニオビ
ウム合金中のインジウムの含有率（重量％）の変
化に対するインジウム−ニオビウム合金薄膜のレ
ーザ光感度の変化特性を見ると、インジウム−ニ
オビウム合金薄膜におけるレーザ光感度は、イン
ジウム−ニオビウム合金中のインジウムの含有率
（重量％）が50重量％乃至70重量％という広い範
囲にわたり略々一定の状態に保たれているという
ような特性を示している。 Looking at the change characteristics of the laser light sensitivity of the indium-niobium alloy thin film with respect to the change in the indium content (wt%) in the indium-niobium alloy thin film shown in Fig. 3a, we can see that the laser light sensitivity of the indium-niobium alloy thin film The photosensitivity exhibits such a characteristic that the content (wt%) of indium in the indium-niobium alloy remains approximately constant over a wide range of 50 wt% to 70 wt%.
このようにインジウム−ニオビウム合金ではイ
ンジウムが50重量％乃至70重量％というように広
い範囲で変動しても、インジウム−ニオビウム合
金薄膜のレーザ光感度が略々一定に保たれる（イ
ンジウムが50重量％乃至70重量％という広い組成
範囲にわたつてインジウム−ニオビウム合金薄膜
のレーザ光感度が略々一定に保たれる）から、記
録媒体の製作時における記録層の構成物質の組成
のばらつきの許容度が広く、したがつて、記録媒
体の大量生産が容易になる。 In this way, even if the indium content in the indium-niobium alloy varies over a wide range of 50% to 70% by weight, the laser light sensitivity of the indium-niobium alloy thin film remains approximately constant (indium is 50% by weight). The laser sensitivity of the indium-niobium alloy thin film remains approximately constant over a wide composition range of % to 70% by weight), which indicates the tolerance for variations in the composition of the constituent materials of the recording layer during the production of recording media. is wide, and therefore mass production of recording media is facilitated.
また、前記のように記録媒体の製作時における
記録層の構成物質の組成のばらつきの許容度が広
いことから、インジウム及びニオビウムの溶融固
化物によるインジウム−ニオビウム合金のターゲ
ツトを使用した連続インラインスパツタリングに
よる情報記録媒円盤の製作も容易に行なわれ得る
のである。なお、インジウム−ニオビウム合金に
よる記録層に対する情報の記録は、レーザ光のス
ポツトの使用による温度上昇以外の方法による記
録層の温度上昇によつても行なわれ得ることはい
うまでもない。 In addition, as mentioned above, there is a wide tolerance for variations in the composition of the constituent materials of the recording layer during the production of recording media, so continuous in-line sputtering using an indium-niobium alloy target made of a molten solidified product of indium and niobium is also possible. It is also possible to easily manufacture an information recording medium disk using a ring. It goes without saying that recording of information on the indium-niobium alloy recording layer can also be performed by raising the temperature of the recording layer by a method other than raising the temperature by using a spot of laser light.
また、インジウム−ニオビウム合金薄膜を記録
層に用いている記録媒体Ｄにおいては、再生信号
のＣ／Ｎが第３図のｂに示されているように、イ
ンジウム−ニオビウム合金中のインジウムの含有
率（重量％）がインジウムが50重量％乃至70重量
％というように広い範囲にわたつて高いＣ／Ｎを
示すのであり、このような特性が得られる合金記
録媒体は既提案の記録媒体からは求めることがで
きないのであり、本発明の記録媒体用インジウム
−ニオビウム合金を記録層に用いた記録媒体によ
れば、Ｓ／Ｎが良好な状態での信号の再生を容易
に行なうことができる。 In addition, in the recording medium D using an indium-niobium alloy thin film for the recording layer, the C/N of the reproduced signal is determined by the content of indium in the indium-niobium alloy, as shown in FIG. 3b. (wt%) shows a high C/N over a wide range such that indium is 50 wt% to 70 wt%, and an alloy recording medium that can obtain such characteristics is difficult to obtain from the previously proposed recording media. According to the recording medium using the indium-niobium alloy for recording media of the present invention in the recording layer, it is possible to easily reproduce signals with a good S/N ratio.
（効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の記録媒体用インジウム−ニオビウム
合金では、インジウムの含有率が50重量％乃至70
重量％というように広い範囲で変動しても、イン
ジウム−ニオビウム合金薄膜のレーザ光感度が
略々一定に保たれる（インジウムが50重量％乃至
70重量％という広い組成範囲にわたつてインジウ
ム−ニオビウム合金薄膜のレーザ光感度が略々一
定に保たれる）ものであり、これは従来のカルコ
ゲナイド系や低級酸化物系の相変化型の記録媒体
では到底得ることができなかつたものであり、本
発明の記録媒体用インジウム−ニオビウム合金を
用いた記録媒体は、従来の相変化型の記録媒体に
比べて大量生産が容易であり、また、本発明の記
録媒体用インジウム−ニオビウム合金を記録層に
用いている記録媒体Ｄにおいては、インジウム−
ニオビウム合金中のインジウムの合有率（重量
％）が50重量％乃至70重量％というように広い範
囲にわたつて変化していても再生信号が高いＣ／
Ｎを示すのであり、このような特性が得られる合
金記録媒体は既提案の記録媒体からは求めること
ができなかつたものであつて、本発明によれば既
述した従来の欠点はすべて良好に解消されるので
ある。(Effects) As is clear from the detailed explanation above, in the indium-niobium alloy for recording media of the present invention, the indium content ranges from 50% by weight to 70% by weight.
The laser sensitivity of the indium-niobium alloy thin film remains approximately constant even when the weight percentage varies over a wide range (withindium ranging from 50% to 50% by weight).
The laser light sensitivity of the indium-niobium alloy thin film remains approximately constant over a wide composition range of 70% by weight), which is different from conventional chalcogenide-based or lower oxide-based phase change recording media. However, the recording medium using the indium-niobium alloy for recording media of the present invention is easier to mass produce than conventional phase change type recording media, and is In the recording medium D using the indium-niobium alloy for recording media of the invention in the recording layer, indium-niobium alloy
C/
An alloy recording medium that can obtain such characteristics could not be obtained from previously proposed recording media, and according to the present invention, all of the conventional drawbacks mentioned above can be overcome. It will be resolved.
第１図は記録媒体の記録再生の実験に用いた記
録再生装置の一例の概略構成を示すブロツク図、
第２図は記録媒体用インジウム−ニオビウム合金
薄膜を照射するレーザ光ビームの断続の状態と、
インジウム−ニオビウム合金薄膜の記録ドツトの
状態と、光の反射率の変化の状態との関係を示す
図、第３図のａはインジウム−ニオビウム合金薄
膜のインジウムの含有率とレーザ光感度との関係
を示す図、第３図のｂはインジウム−ニオビウム
合金薄膜のインジウムの含有率と再生時における
Ｃ／Ｎの関係を示す図である。
Ｄ……記録媒体、Ｒ……記録系、Ｐ……再生
系、Ｍ……モータ、TT……ターンテーブル、１
……基板、２……記録層、５，９……レーザ光
源、６，１１……ハーフミラー、７，１１……光
学系。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an example of a recording and reproducing apparatus used in an experiment of recording and reproducing a recording medium.
Figure 2 shows the intermittent state of the laser beam irradiating the indium-niobium alloy thin film for recording media, and
A diagram showing the relationship between the state of recording dots in the indium-niobium alloy thin film and the state of change in light reflectance. Figure 3a shows the relationship between the indium content of the indium-niobium alloy thin film and the laser light sensitivity. FIG. 3b is a diagram showing the relationship between the indium content of the indium-niobium alloy thin film and the C/N during reproduction. D...recording medium, R...recording system, P...playback system, M...motor, TT...turntable, 1
... Substrate, 2 ... Recording layer, 5, 9 ... Laser light source, 6, 11 ... Half mirror, 7, 11 ... Optical system.
Claims (1)
残部がニオビウムである記録媒体用インジウム−
ニオビウム合金。1. Indium for recording media containing 50% to 70% by weight of indium and the balance being niobium.
Niobium alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051325A JPS61210538A (en) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Indium-niobium alloy for recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051325A JPS61210538A (en) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Indium-niobium alloy for recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210538A JPS61210538A (en) | 1986-09-18 |
| JPH0119460B2 true JPH0119460B2 (en) | 1989-04-11 |
Family
ID=12883764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051325A Granted JPS61210538A (en) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | Indium-niobium alloy for recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210538A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2512087B2 (en) * | 1988-06-24 | 1996-07-03 | 株式会社日立製作所 | Optical recording medium and optical recording method |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP60051325A patent/JPS61210538A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61210538A (en) | 1986-09-18 |
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