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JPH01193665A - Semiconductor tester - Google Patents

Semiconductor tester

Info

Publication number
JPH01193665A
JPH01193665A JP63017581A JP1758188A JPH01193665A JP H01193665 A JPH01193665 A JP H01193665A JP 63017581 A JP63017581 A JP 63017581A JP 1758188 A JP1758188 A JP 1758188A JP H01193665 A JPH01193665 A JP H01193665A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
clock pulses
timing
pulses
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63017581A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Takenaka
竹中 幸一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP63017581A priority Critical patent/JPH01193665A/en
Publication of JPH01193665A publication Critical patent/JPH01193665A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To achieve a higher test efficiency, by providing a plurality of circuits which generate decision strobe pulses in different phases to extract fail signal information by a specified cross pulse corresponding to the pulses. CONSTITUTION:EXOR circuits 3-6 compose four channels of timing decision circuits to receive outputs of comparators 16. A timing generation circuit 7 generates decision strobe pulses in different phases ACLK-DCLK at a fixed interval and has a circuit 8 for generating clock pulses of respective phases and a delay circuit 9. Outputs of the circuits 3-6 are transferred to a CPU10 to obtain the results of decision simultaneously at four timing positions with respect to an output waveform from a semiconductor to be inspected obtained by one test. Thus, the phase interval (timing decision time range) between the pulses ACLK-DCLK is evenly divided to shift the strobe pulses with the delay circuit 9 sequentially thereby enabling the obtaining of a measuring data with a fourfold range while only requiring a quarter of time.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分寿] この発明は、半導体テスターに関し、詳しくはLSIの
特性テスト等を行う場合にLSIの出力波形に対するレ
ベル判定処理を効率よく行い、特性測定におけるスルー
プットを向ヒさせることができるような半導体テスター
に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Applicability] The present invention relates to a semiconductor tester, and more specifically, when performing a characteristic test of an LSI, it efficiently performs level judgment processing on an output waveform of an LSI, and improves performance in characteristic measurement. The present invention relates to a semiconductor tester that can increase throughput.

[従来の技術] 第3図にこの種の半導体テスターの全体的な構成を示す
。同図において、10は、CPUであり、インタフェー
ス11を介してパターン発生器12にパターン発生に必
要なプログラムをセットし、タイミング発生回路13に
必要なタイミング発生のデータをセットする。これらパ
ターン発生器12、タイミング発生回路13からのデー
タがピンエレクトロニクス17に送出されて、ピンエレ
クトロニクス17のドライバ15から被検査デバイス(
DUT)18のピン対応にテスト波形パターン等が出力
される。
[Prior Art] FIG. 3 shows the overall configuration of this type of semiconductor tester. In the figure, 10 is a CPU, which sets a program necessary for pattern generation in a pattern generator 12 via an interface 11, and sets necessary timing generation data in a timing generation circuit 13. The data from the pattern generator 12 and timing generation circuit 13 are sent to the pin electronics 17, and the driver 15 of the pin electronics 17 sends the data to the device under test (
Test waveform patterns etc. are output corresponding to the 18 pins of the DUT.

なお、14は、テスト電圧発生回路であって、CPUl
0からのデータによりDUTl8のバイアス電圧とか、
テスト波形パターン等のレベルを設定する設定電圧等を
発生して、DUTl8.ピンエレクトロニクス17にそ
れぞれ供給する。
In addition, 14 is a test voltage generation circuit, and the CPU1
Based on the data from 0, the bias voltage of DUT18 etc.
Generate a setting voltage etc. to set the level of a test waveform pattern etc. The pin electronics 17 are respectively supplied.

パターン発生器12は、通常、ROMとRAMとから構
成されるインストラクシqンメモリ等を有するものやア
リツメティクパターン発生器であり、DUTl7に対す
るアドレスの発生と、パターンデータ、期待値データ等
のデータ(D)の発生、すらにDUTl 8に対するリ
ード/ライト制御信号等の発生をする。
The pattern generator 12 is usually one having an instruction memory composed of ROM and RAM, or an arithmetic pattern generator, and generates addresses for the DUT 17 and generates data such as pattern data and expected value data. In addition to the generation of (D), read/write control signals and the like for the DUTl 8 are also generated.

一方、DUTl8から得られた出力波形は、ピンエレク
トロニクス17に内蔵されたレベル判定回路としてのコ
ンパレータ16により判定基準電圧と比較されて、その
結果データがフェイルピットメモリに一旦記憶されるか
、直接インタフェース11を介してCPUl0側に転送
され、CPU10側のメモリに記憶され、CPUl0に
よってそのデータ解析が杼われる。
On the other hand, the output waveform obtained from the DUTl8 is compared with a judgment reference voltage by a comparator 16 as a level judgment circuit built into the pin electronics 17, and the resulting data is temporarily stored in the fail pit memory or directly interfaced. The data is transferred to the CPU 10 via the CPU 11, stored in the memory of the CPU 10, and analyzed by the CPU 10.

・ 第4図(a)は、そのピンエレクトロニクス17に
おけるコンパレータ部分の説明図であり、同図(b)は
、その測定状態の説明図である。
- FIG. 4(a) is an explanatory diagram of the comparator portion in the pin electronics 17, and FIG. 4(b) is an explanatory diagram of its measurement state.

出力レベル判定値として与えられる判定基準電圧VDは
、テスト電圧発生回路20から供給され、コンパレータ
16は、この電圧Vθを一方の入力として受けて、DU
Tl8からの出力電圧を他の入力とし、これらを比較し
て出力波形が比較基準電圧VDを越えているときの結果
信号(パス信号)、それを越えていないときの結果信号
(フェイル信号)を発生し、これを所定のタイミングで
タイミング判定回路であるEXOR回路leaによりサ
ンプリングし、パス信号或いはフェイル信号(ただし、
正論理ではEXOR回路leaの出力は反転した信号と
なる)としてCPUl0側へ転送している。
The determination reference voltage VD given as the output level determination value is supplied from the test voltage generation circuit 20, and the comparator 16 receives this voltage Vθ as one input and outputs the DU
The output voltage from Tl8 is used as another input, and these are compared to generate a result signal (pass signal) when the output waveform exceeds the comparison reference voltage VD, and a result signal (fail signal) when it does not exceed it. This is sampled by the EXOR circuit lea, which is a timing determination circuit, at a predetermined timing, and a pass signal or a fail signal (however,
In positive logic, the output of the EXOR circuit lea becomes an inverted signal) and is transferred to the CPU10 side.

この場合、同図(b)の(イ)に示すように0UT18
からの出力波形1に対して、(ロ)に示す判定クロック
パルス(判定ストローブパルス)2をタイミング発生回
路13で発生して、その最初の判定ストローブパルス2
によりコンパレータ16の結果信号をEXOR回路18
aで得る。次に同様な条件で出力波形(イ)をDUTl
8から得て、このとき判定ストローブパルス2を遅延さ
せることで一定時間シフトさせておき、このシフトした
次の判定ストローブパルス2により同様な判定結果を採
取し、以下、同様にして判定ストローブパルス2を一定
時間順次シフトさせて、その都度判定結果を採取し、そ
の測定における1項目のテストが終Yすると、今度は、
前記比較比較型11E V 、とDUTl8の電源電圧
を変えて同様な測定をする。
In this case, as shown in (a) of the same figure (b), 0UT18
The timing generation circuit 13 generates the judgment clock pulse (decision strobe pulse) 2 shown in (b) for the output waveform 1 from
The result signal of the comparator 16 is output to the EXOR circuit 18.
Obtained in a. Next, under similar conditions, output waveform (a)
At this time, the judgment strobe pulse 2 is delayed for a certain period of time, and a similar judgment result is obtained using the next shifted judgment strobe pulse 2. are sequentially shifted for a certain period of time, the judgment results are collected each time, and when the test for one item in that measurement is completed, this time,
Similar measurements are made by changing the power supply voltages of the comparison type 11E V and the DUT 18.

[解決しようとする課題] ところで、半導体集積回路は、高集積化されるにつれて
その特性評価も時間がかかり、かつより細かい段階で評
価することが要求されるようになって来ている。そこで
、特性テストのテスト項目が多くなるとともにDUTか
らの出力波形の評価も異なる種々の段階でテストするこ
とが必要になって来ている。
[Problems to be Solved] Incidentally, as semiconductor integrated circuits become more highly integrated, it takes more time to evaluate their characteristics, and it has become necessary to evaluate them at more detailed stages. Therefore, as the number of test items for characteristic tests increases, it has become necessary to evaluate the output waveform from the DUT at various stages.

しかし、前記のような判定ストローブパルスでは、出力
波形に対する判定位置(タイミング)を決定する機能し
かないため、DUTの電源電圧に対するアクセスの依存
性等の評価を行う場合には、各タイミング位置でその都
度比較結果(パス信号或いはフェイル信号)を確認しな
がら行うことになって、その特性評価に時間がかかると
いう問題点がある。
However, the above-mentioned judgment strobe pulse only has the function of determining the judgment position (timing) with respect to the output waveform, so when evaluating the dependence of access on the power supply voltage of the DUT, it is necessary to There is a problem in that it takes time to evaluate the characteristics because the comparison results (pass signal or fail signal) must be checked each time.

この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、特性テストを効率よく行うことができる)
11導体テスターを提供することを[j的とする。
This invention solves these problems of the prior art, and enables efficient performance of characteristic tests.)
11 to provide a conductor tester.

[課題を解決するための手段] このような目的を達成するためのこの発明の半導体テス
ターにおける手段は、位相が相違するクロックパルスを
相違する複数の位相に対応してそれぞれ発生するタイミ
ングクロック発生器と、複数の各位相のクロックパルス
をそれぞれ受けてこれらそれぞれを一定時間遅延させる
遅延回路と、被測定デバイスから得られる出力波形を判
定基準レベルと比較して比較結果に対応した出力を発生
するレベル判定回路と、レベル比較回路の出力を抽出す
る各位相対応に設けられた複数の比較結果抽出回路とを
備えていて、遅延回路により各位相のクロックパルスを
一定時間だけ順次遅延させ、遅延させた各位相のクロッ
クパルスを比較結果抽出回路がそれぞれ受け、この遅延
した各位相のクロックパルスに対応したそれぞれのタイ
ミング位置で比較結果抽出回路から得られる複数のデー
タを判定データとして順次得るものである。
[Means for Solving the Problems] Means in the semiconductor tester of the present invention for achieving such an object include a timing clock generator that generates clock pulses having different phases in correspondence with a plurality of different phases. , a delay circuit that receives multiple clock pulses of each phase and delays each of them by a certain period of time, and a level that compares the output waveform obtained from the device under test with a judgment reference level and generates an output corresponding to the comparison result. It is equipped with a judgment circuit and a plurality of comparison result extraction circuits provided for each phase to extract the output of the level comparison circuit, and a delay circuit sequentially delays the clock pulse of each phase by a certain period of time. The comparison result extraction circuit receives clock pulses of each phase, and a plurality of data obtained from the comparison result extraction circuit at respective timing positions corresponding to the delayed clock pulses of each phase are sequentially obtained as determination data.

[作用] このように、複数の異なる位相で判定ストローブパルス
(判定クロックパルス)をタイミング発生器によりそれ
ぞれ発生して、パス信号或いはフェイル信号の情報を所
定のクロックパルスで抽出する回路を、これら判定用ク
ロックパルスに対応して複数設けて多チャンネル化し、
−度のl) U Tの出力波形に対して複数のタイミン
グ位置でデータを採取することにより、同時に複数の判
定結果を得ることができる。
[Operation] In this way, a circuit that generates a plurality of judgment strobe pulses (judgment clock pulses) at different phases using a timing generator and extracts information on a pass signal or a fail signal using a predetermined clock pulse can be used for these judgments. By providing multiple channels corresponding to the clock pulses for
By collecting data at a plurality of timing positions on the output waveform of the UT, a plurality of determination results can be obtained at the same time.

その結果、測定時間がチャンネル数に対応して短縮され
、かつ1回の測定結果データをパラレルにCPU側に転
送することができ、半導体テスターの特性測定等におけ
るスループットを向−ヒさせることができる。
As a result, the measurement time is shortened in proportion to the number of channels, and one measurement result data can be transferred in parallel to the CPU side, increasing the throughput in semiconductor tester characteristic measurements, etc. .

[実施例] 以下、この発明の一実施例について図面を用いて詳細に
説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail using the drawings.

第1図は、この発明の半導体テスターを適用した一実施
例の判定回路部分を中心としたブロック図、第2図は、
その動作を説明するためのタイミングチャートである。
FIG. 1 is a block diagram centered on the determination circuit portion of an embodiment to which the semiconductor tester of the present invention is applied, and FIG.
It is a timing chart for explaining the operation.

なお、第3図及び第4図における構成要素と同等のもの
は同一の符号で示す。
Note that components equivalent to those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals.

図において、3,4,5.6は、それぞれ2人力EXO
R回路であって、4チヤンネル構成のタイミング判定回
路となっている。これらは、それぞれコンパレータ16
の出力を一方の入力端に受ける。
In the figure, 3, 4, and 5.6 are each two-man EXO
The R circuit is a timing determination circuit with a 4-channel configuration. These are each comparator 16
The output of is received at one input terminal.

タイミング発生回路7は、第2図の(イ)に示すように
、4つのチャンネルに対応する、一定間隔をおいて位相
の相違するACLK 、 BCLK 、 CCLK、D
CLにの4つの判定ストローブパルスをそれぞれ発生す
るものであって、第3図のタイミング発生回路13に対
応している。そして、その内部に前記の各判定ストロー
ブパルスに対応するそれぞれの位相のクロックパルスを
発生するクロックパルス発生回路8と、このクロックパ
ルス発生回路8からの各位相のクロックパルスをそれぞ
れ受ける遅延回路9とを有している。
As shown in FIG. 2(a), the timing generation circuit 7 generates ACLK, BCLK, CCLK, and D, which correspond to four channels and have different phases at regular intervals.
It generates four determination strobe pulses for CL, and corresponds to the timing generation circuit 13 in FIG. 3. Therein, there is a clock pulse generation circuit 8 that generates clock pulses of each phase corresponding to each determination strobe pulse, and a delay circuit 9 that receives clock pulses of each phase from this clock pulse generation circuit 8. have.

このタイミング発生回路7は、CPUl0からの制御信
号に応じて、制御され、そのクロックパルス発生回路8
は、この制御に応じてそのクロックパルスの位相を決定
し、′ii延回路9は、この制御に応じて遅延時間が選
択され、かつ判定1回ごとに判定ストローブパルスを一
定時間だけ遅延させてシフトさせる。その結果、(イ)
に示すような各位相の判定ストローブパルスが順次シフ
トされて、同図(ロ)に示すような判定ストローブパル
スが発生する。
This timing generation circuit 7 is controlled according to a control signal from CPU10, and its clock pulse generation circuit 8
determines the phase of the clock pulse according to this control, and the delay circuit 9 selects a delay time according to this control, and delays the determination strobe pulse by a certain period of time for each determination. shift. As a result, (a)
The determination strobe pulses of each phase as shown in FIG. 2 are sequentially shifted to generate determination strobe pulses as shown in FIG.

タイミング発生回路7から発生する各判定ストローブパ
ルスのうちA CLKは、EXOR回路3の他方の入力
側に入力され、BCLKは、EXOR回路4の他方の入
力側に入力される。また、CCLKは、EXOR回路5
の他方の入力端に入力され、D CLKは、EXOR回
路6の他方の入力側に入力される。
Among the determination strobe pulses generated from the timing generation circuit 7 , A CLK is input to the other input side of the EXOR circuit 3 , and BCLK is input to the other input side of the EXOR circuit 4 . In addition, CCLK is the EXOR circuit 5
DCLK is input to the other input side of the EXOR circuit 6.

これら各EXOR回路3,4,5.6の出力は、インタ
フェース11に送出されて、インタフェース11を介し
てCPUl0に転送される。その結果、同図(ハ)に見
るように、1回のテストにより得られるI)UT18か
らの出力波形1に対し、同時に、4つのタイミング位置
での判定結果が得られ、これら判定結果は、同時にパラ
レルなデー夕としてCPUl0側に転送される。
The outputs of these EXOR circuits 3, 4, 5.6 are sent to the interface 11 and transferred to the CPU10 via the interface 11. As a result, as shown in the same figure (c), for output waveform 1 from I) UT 18 obtained by one test, judgment results were obtained at four timing positions simultaneously, and these judgment results were as follows: At the same time, it is transferred to the CPU10 side as parallel data.

このようにすれば、同図(ニ)に見るように、各判定ス
トローブパルスの位相間隔(タイミング判定時間幅)の
間を均等分割してそれぞれのストローブパルスを遅延回
路9により同時に順次シフトすれば、その4倍の範囲の
測定データを1/4の測定時間で得られる。したがって
、第2図に見るように、DUT18の出力波形の立上が
り特性についての1テストサイクル測定時間がチャンネ
ル数に対応して短縮できる。
In this way, as shown in the same figure (d), if the phase interval (timing judgment time width) of each judgment strobe pulse is equally divided and each strobe pulse is simultaneously and sequentially shifted by the delay circuit 9. , measurement data of four times the range can be obtained in one quarter of the measurement time. Therefore, as shown in FIG. 2, the time required to measure one test cycle of the rise characteristic of the output waveform of the DUT 18 can be reduced in proportion to the number of channels.

そして、このことは立上がり特性の測定に限らず、出力
波形の立下がり特性についての1テストサイクル、さら
に、第4図(b)に対応する出力波形全体の特性につい
ての1テスト項目についても同様である。
This is true not only for measuring the rise characteristic, but also for one test cycle for the fall characteristic of the output waveform, and also for one test item for the characteristic of the entire output waveform, which corresponds to Fig. 4(b). be.

以−ヒは、説明の都合−ヒ、EXOR回路をパラレルに
4つ配置しているが、実際は、さらに多くのEXOR回
路を配置して、タイミング判定時間幅をCPUl0から
の指令により立上がり特性とか立下がり特性、さらに出
力波形全体の特性等の測定内容に応じて設定するように
、かつそのときパラレルに使用するEXOR回路の数(
チャンネル数)を選択するようにしておけば、種々の形
態でパス/フェイル情報を得ることができる。なお、こ
のとき同時に、タイミング判定時間幅におけるストロー
ブパルスの数も設定できるようにして、前記のシフト時
間を選択できるようにしてもよい。
For convenience of explanation, four EXOR circuits are arranged in parallel hereafter, but in reality, more EXOR circuits are arranged, and the timing judgment time width is determined by the command from CPU10 to determine the rise characteristic or rise. The number of EXOR circuits to be used in parallel (
Pass/fail information can be obtained in various formats by selecting the number of channels). Note that at this time, the number of strobe pulses in the timing determination time width may also be set, so that the shift time can be selected.

ところで、以ヒのようにして得られたパス/フェイル情
報は、−旦、CPUl0側のメモリに記憶され、1テス
トで同時に得られたパス/フェイル情報がACLK 、
 BCLK 、 CCLK 、 DCLKの各クロック
パルスの位相に応じたタイミングの測定情報に展開され
て、かつ、比較基準電圧■oとの関係でのX、Yの平面
座標データに変換され、グラフィック処理されて、デイ
スプレィ上に表示される。
By the way, the pass/fail information obtained as described below is stored in the memory on the CPU10 side, and the pass/fail information obtained at the same time in one test is ACLK,
It is expanded into timing measurement information according to the phase of each clock pulse of BCLK, CCLK, and DCLK, converted into X and Y plane coordinate data in relation to the comparison reference voltage o, and then graphically processed. , will be displayed on the display.

以」−説明してきたが、実施例では、EXOR回路を使
用しているが、これは、そのほかの論理回路であっても
よく、コンパレータの比較出力を抽出できる回路ならば
どのようなものでもよい。
As described above, the EXOR circuit is used in the embodiment, but this may be any other logic circuit or any circuit that can extract the comparison output of the comparator. .

また、実施例では、直接CPU側に測定結果を送ってい
るが、測定結果は、フヱイルビットメモリとか、レジス
タ等に記憶されて、その後、−括してCPU側に転送さ
れてもよい。
Furthermore, in the embodiment, the measurement results are sent directly to the CPU side, but the measurement results may be stored in a file bit memory, a register, etc., and then transferred all together to the CPU side. .

さらに、実施例のACLK 、 BCLK 、 (、C
Lに、DCLKの各クロックパルスの発生タイミングを
被測定デバイスの評価グレードに合わせた立上がり位置
に設定して、各立」二かり位置での特性測定を行い、グ
レード評価データを各クロックパルス対応に同時に得る
ように利用することができる。
Furthermore, ACLK, BCLK, (,C
Set the generation timing of each clock pulse of DCLK to the rising position that matches the evaluation grade of the device under test, measure the characteristics at each rising position, and adjust the grade evaluation data to each clock pulse. It can be used to obtain at the same time.

なお、クロックパルスの数は複数あればよく、4つに限
定されるものではない。
Note that the number of clock pulses may be plural and is not limited to four.

[発明の効果] 以Hの説明から理解できるよに、この発明にあっては、
複数の異なる位相で判定ストローブパルスをタイミング
発生器によりそれぞれ発生して、パス信号或いはフェイ
ル信号の情報を所定のクロックパルスで抽出する回路を
、これら判定用クロックパルスに対応して複数設けて多
チャンネル化し、−度のDUTの出力波形に対して複数
のタイミング位置でデータを採取することにより、同時
に複数の判定結果を得ることができる。
[Effect of the invention] As can be understood from the explanation in H below, this invention has the following effects:
A timing generator generates judgment strobe pulses with multiple different phases, and a plurality of circuits are provided corresponding to these judgment clock pulses to extract pass signal or fail signal information using a predetermined clock pulse, resulting in a multi-channel system. By collecting data at a plurality of timing positions for the output waveform of the DUT at -degrees, it is possible to obtain a plurality of determination results at the same time.

その結果、測定時間がチャンネル数に対応して短縮され
、かつ1回の測定結果データをパラレルにCPU側に転
送することができ、半導体テスターの特性測定等におけ
るスループットを向ヒさせることができる。
As a result, the measurement time is shortened in accordance with the number of channels, and the data of one measurement result can be transferred in parallel to the CPU side, thereby improving the throughput in characteristic measurements of the semiconductor tester.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の半導体テスターを適用して−・実
施例の判定回路部分を中心としたブロック図、第2図は
、その動作を説明するためのタイミングチャート、第3
図は、従来の半導体テスターのパターン発生器部分を中
心とする全体的な構成を示すブロック図、第4図(a)
は、そのピンエレクトロニクスにおけるコンパレータ部
分の説明図、第4図(b)は、その測定状態の説明図で
ある。 1・・・CUTからの出力波形、 2・・・判定ストローブパルス、 3.4,5.6.tea−・・EXOR回路、7.13
・・・タイミング発生回路、 8・・・クロックパルス発生回路、9・・・遅延回路、
10・・・CPU111・・・インタフェース、12・
・・パターン発生器、14・・・テスト電圧発生回路、
12・・・パターン発生器、15・・・ドライバ、16
・・・コンパレータ。
FIG. 1 is a block diagram focusing on the judgment circuit portion of the embodiment in which the semiconductor tester of the present invention is applied, FIG. 2 is a timing chart for explaining its operation, and FIG.
The figure is a block diagram showing the overall configuration of a conventional semiconductor tester, centering on the pattern generator part.
is an explanatory diagram of the comparator portion in the pin electronics, and FIG. 4(b) is an explanatory diagram of its measurement state. 1... Output waveform from CUT, 2... Judgment strobe pulse, 3.4, 5.6. tea-・EXOR circuit, 7.13
... timing generation circuit, 8 ... clock pulse generation circuit, 9 ... delay circuit,
10...CPU111...Interface, 12.
...Pattern generator, 14...Test voltage generation circuit,
12... Pattern generator, 15... Driver, 16
···comparator.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)位相が相違するクロックパルスを前記相違する複
数の位相に対応してそれぞれ発生するタイミングクロッ
ク発生器と、前記複数の各位相のクロックパルスをそれ
ぞれ受けてこれらそれぞれを一定時間遅延させる遅延回
路と、被測定デバイスから得られる出力波形を判定基準
レベルと比較して比較結果に対応した出力を発生するレ
ベル判定回路と、前記レベル比較回路の出力を抽出する
前記各位相対応に設けられた複数の比較結果抽出回路と
を備え、前記遅延回路により前記各位相のクロックパル
スを前記一定時間だけ順次遅延させ、遅延させた各位相
のクロックパルスを前記比較結果抽出回路がそれぞれ受
け、この遅延した各位相のクロックパルスに対応したそ
れぞれのタイミング位置で前記比較結果抽出回路から得
られる複数のデータを判定データとして順次得ることを
特徴とする半導体テスター。
(1) A timing clock generator that generates clock pulses with different phases corresponding to the plurality of different phases, and a delay circuit that receives the clock pulses of each of the plurality of phases and delays each of them by a certain period of time. a level determination circuit that compares the output waveform obtained from the device under test with a determination reference level and generates an output corresponding to the comparison result; and a plurality of circuits provided for each phase that extracts the output of the level comparison circuit. a comparison result extraction circuit, wherein the delay circuit sequentially delays the clock pulses of each phase by the predetermined time, the comparison result extraction circuit receives the delayed clock pulses of each phase, and the delayed clock pulses are A semiconductor tester characterized in that a plurality of data obtained from the comparison result extraction circuit are sequentially obtained as judgment data at respective timing positions corresponding to phase clock pulses.
(2)各位相のクロックパルスは相互に等しい間隔とな
るような位相で発生し前記クロックパルスを遅延する一
定時間は、前記等しい位相間隔を均等分割した場合の1
つの時間間隔分に相当し、コンパレータの判定基準レベ
ルが所定のテストサイクル終了に応じて順次増加方向又
は減少方向に設定されることを特徴とする請求項1記載
の半導体テスター。
(2) The clock pulses of each phase are generated at equal intervals, and the fixed time for delaying the clock pulses is equal to 1 when the equal phase intervals are equally divided.
2. The semiconductor tester according to claim 1, wherein the reference level of the comparator is set to increase or decrease sequentially in response to completion of a predetermined test cycle.
JP63017581A 1988-01-28 1988-01-28 Semiconductor tester Pending JPH01193665A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63017581A JPH01193665A (en) 1988-01-28 1988-01-28 Semiconductor tester

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JP63017581A JPH01193665A (en) 1988-01-28 1988-01-28 Semiconductor tester

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JP63017581A Pending JPH01193665A (en) 1988-01-28 1988-01-28 Semiconductor tester

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Country Link
JP (1) JPH01193665A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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