JPH01190021A - Pulse amplifier circuit - Google Patents
Pulse amplifier circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
皇呈上皇肌里盆!
本発明は容量性の負荷をもつパルス増幅回路に関するも
のである。[Detailed Description of the Invention] Emperor's Retired Emperor Hadari Bon! The present invention relates to a pulse amplification circuit with a capacitive load.
l米■茨責
一般にICにおいて高周波信号を扱う場合、分布容量が
負荷として無視しえな(なる。このような容量は信号線
路のみならず、トランジスタのベースと基準電位点間に
も生じる。第3図は斯る容量を負荷として持つことを余
儀される従来のIC化パルス増幅回路を示している。同
図において、端子(1)に与えられたパルス(P)はダ
イオード(0+)を通して差動増幅回路(2)を構成す
る一方のトランジスタ(Q+)のベースへ印加され他方
のトランジスタ((b)のコレクタから出力されてエミ
ッタフォロワ増幅器を構成するトランジスタ(Q3)の
ベースへ印加される。そして、このトランジスタ(Q3
)のエミッタに出力されて容量(C4)と抵抗(Rt)
よりなる負荷回路(3)を駆動する。尚、(4) (5
)はいずれも定電流源であり、(Rt)〜(R4)はバ
イアス抵抗。Generally, when handling high-frequency signals in an IC, distributed capacitance cannot be ignored as a load.Such capacitance occurs not only in the signal line but also between the base of the transistor and the reference potential point. The figure shows a conventional IC pulse amplifier circuit that is forced to have such a capacitance as a load. In the figure, a pulse (P) given to the terminal (1) is transmitted through a diode (0+) It is applied to the base of one transistor (Q+) constituting the amplifier circuit (2), output from the collector of the other transistor ((b), and applied to the base of the transistor (Q3) constituting the emitter follower amplifier. , this transistor (Q3
) is output to the emitter of capacitance (C4) and resistance (Rt).
A load circuit (3) consisting of: Furthermore, (4) (5
) are constant current sources, and (Rt) to (R4) are bias resistors.
(R3)はトランジスタ(Q2)の負荷抵抗である。(R3) is the load resistance of the transistor (Q2).
日が ′ しようとする課
ところで、このような回路を高速パルスで駆動する場合
、出力パルスの立ち下がりが悪くなるという問題が生じ
る。例えばパルス幅が15〜20nsで、その立ち上が
りが3〜Sns位の高速パルスで容量性負荷回路(3)
を駆動しようとすると、負荷端の出力パルス波形はその
立ち上がり(Ta)が第4図に示す如く比較的早いが、
立ち下がり(Tb)は容量(CL)からの放電電流の影
響で遅くなってしまう。When driving such a circuit with high-speed pulses, a problem arises in that the fall of the output pulse becomes slow. For example, the capacitive load circuit (3) uses a high-speed pulse with a pulse width of 15 to 20 ns and a rise time of about 3 to Sns.
When trying to drive, the output pulse waveform at the load end has a relatively quick rise (Ta) as shown in Figure 4, but
The fall (Tb) is delayed due to the influence of the discharge current from the capacitor (CL).
そのため、回路の高速性が劣化する。Therefore, the high speed performance of the circuit deteriorates.
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、出
力パルスの立ち下がりを早めるように工夫した新規且つ
有効なパルス増幅回路を提供することを目的する。The present invention has been made in view of these points, and it is an object of the present invention to provide a novel and effective pulse amplification circuit devised to hasten the fall of the output pulse.
課題を解決するための手
上記の目的を達成する本発明のパルス増幅回路は、 パ
ルス信号を増幅する第1トランジスタの出力電極と基準
電位点間に接続された第2トランジスタと、前記パルス
信号を微分する微分回路と、該微分回路の出力のうち前
記パルス信号の立ち下がりに対応する微分パルスを前記
第2トランジスタの制御電極に印加して該第2トランジ
スタを導通させる手段とを備えた構成となっている。Means for Solving the Problems A pulse amplification circuit of the present invention that achieves the above object includes: a second transistor connected between the output electrode of a first transistor that amplifies a pulse signal and a reference potential point; and a second transistor that amplifies the pulse signal. A configuration comprising: a differentiating circuit for differentiating; and means for applying a differentiated pulse corresponding to a falling edge of the pulse signal among the outputs of the differentiating circuit to a control electrode of the second transistor to make the second transistor conductive; It has become.
作−■
このような構成によると、出力パルスの立ち下がり部分
で第2トランジスタが導通し、容量性負荷に蓄積された
電荷を放電するので、出力パルスの立ち下がりは早くな
る。Operation-■ According to such a configuration, the second transistor becomes conductive at the falling edge of the output pulse and discharges the charge accumulated in the capacitive load, so that the falling edge of the output pulse becomes faster.
災」1貫 以下図面に示した本発明の一実施例を説明する。Disaster” 1 piece An embodiment of the present invention shown in the drawings will be described below.
第1図において、第3図の従来例と同一部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。本実施例では差動増
幅回路(2)から与えられるパルスを増幅する第1トラ
ンジスタ(C3)のエミッタとアース間に第2トランジ
スタ(Q、)と抵抗(R+。)を直列に接続している。In FIG. 1, the same parts as those in the conventional example shown in FIG. 3 are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted. In this embodiment, a second transistor (Q,) and a resistor (R+) are connected in series between the emitter of the first transistor (C3) that amplifies the pulse given from the differential amplifier circuit (2) and the ground. .
そして、エミッタが共通に結合されて抵抗(R8)を通
してアース電位点(基準電位点)に接続された第3.第
4トランジスタ(Qs)(Q、)のエミッタを第2図ト
ランジスタクQ4)のベースに接続している。前記第3
トランジスタ(Q、)のベースには電源ライン(6)と
アース電位点間に接続されたバイアス抵抗(R&) (
Rff)とコンデンサ(C,)によってインピーダンス
の低い固定バイアスを加える。この固定バイアスと路間
−の電位が抵抗(RII)を介して第4トランジスタ(
Q、)のベースにも加えられる。この第4トランジスタ
(Q、)のベースはコンデンサ(C2)を介して第1ト
ランジスタ(C3)のベースにも接続されていて第1ト
ランジスタ(Q、)のコレクタに生じる出力パルスを抵
抗(RII)とコンデンサ(C2)とからなる微分回路
(7)によって微分して第4トランジスタ(Q、)のベ
ースに加える。Then, a third. The emitter of the fourth transistor (Qs) (Q, ) is connected to the base of the transistor Q4) in FIG. Said third
At the base of the transistor (Q,) there is a bias resistor (R&) (
Rff) and a capacitor (C,) apply a fixed bias with low impedance. The potential between this fixed bias and the path is applied to the fourth transistor (
It can also be added to the base of Q,). The base of this fourth transistor (Q,) is also connected to the base of the first transistor (C3) via a capacitor (C2), and the output pulse generated at the collector of the first transistor (Q,) is connected to a resistor (RII). It is differentiated by a differentiating circuit (7) consisting of and a capacitor (C2) and applied to the base of the fourth transistor (Q, ).
(D2)は負荷容量(CL)が大きい場合にパルスの立
ち上がり時に第1トランジスタ(Q、)のコレクタ電流
が著しく大きくなってコレクタ電位が大きく下がり、第
1トランジスタ(C3)のコレクタ・エミッタ間が零電
圧(飽和状態)になると回路が異常発振を起こすので、
これを防止するためにコレクタの大きな電位降下を抑え
るべく導入したダイオードである。In (D2), when the load capacitance (CL) is large, the collector current of the first transistor (Q,) increases significantly at the rise of the pulse, the collector potential drops significantly, and the collector-emitter of the first transistor (C3) increases. When the voltage reaches zero (saturated state), the circuit will cause abnormal oscillation, so
To prevent this, a diode was introduced to suppress the large potential drop at the collector.
次に第1図の回路の動作を第2図の信号波形図を参照し
て説明する。Next, the operation of the circuit shown in FIG. 1 will be explained with reference to the signal waveform diagram shown in FIG.
まず、端子(1)に与えられた入カバルス(P)〔第2
図(イ)〕は差動増幅回路(2)で増幅される。First, input power (P) given to terminal (1) [second
Figure (a)] is amplified by the differential amplifier circuit (2).
このインピーダンスの高い差動増幅回路(2)から与え
られるパルス(P)をベースに受ける第1トランジスタ
(C3)の出力パルスは第3図に関して既述したように
立ち上がりが負荷容量(CL)のために鈍くなって時間
がかかる傾向にあるが、本実施例回路では以下のように
是正される。即ち、第3.第4トランジスタ(Qs)
(Qa)のベース電位は増幅回路にパルスが入力されな
い状態では等電位であって、双方のエミッタ電流が抵抗
(R8)に流れるが、それによって抵抗(R1)の両端
に生じる電圧は小さく第2トランジスタ(C4)を導通
させるに至らない。しかしながら、パルス(P)が入力
されて第1トランジスタ(C3)のコレクタに第2図(
ロ)に示すパルスが生じると、このパルスはコンデンサ
(C2)と抵抗(RII)による微分作用を受けて第4
トランジスタ(C6)のベースに第2図(ハ)に示す下
向き及び上向きの微分パルス(PI)(h)となって加
わる。そして、その下向きパルス(P、)では第3トラ
ンジスタ(Q、)がオン、第4トランジスタ(Q、)が
オフとなる。The output pulse of the first transistor (C3), which receives the pulse (P) given from the high-impedance differential amplifier circuit (2) as its base, rises due to the load capacitance (CL), as already mentioned in connection with Fig. 3. However, this problem can be corrected in the circuit of this embodiment as follows. That is, 3rd. Fourth transistor (Qs)
The base potential of (Qa) is at the same potential when no pulse is input to the amplifier circuit, and both emitter currents flow to the resistor (R8), but the voltage generated across the resistor (R1) is small and the second This does not lead to making the transistor (C4) conductive. However, when the pulse (P) is input and the collector of the first transistor (C3) is
When the pulse shown in b) is generated, this pulse is subjected to the differential action by the capacitor (C2) and the resistor (RII), and the fourth
The pulses are applied to the base of the transistor (C6) as downward and upward differential pulses (PI) (h) shown in FIG. 2 (c). The downward pulse (P,) turns on the third transistor (Q,) and turns off the fourth transistor (Q,).
ただし、第3トランジスタ(Qs)のベース電位は固定
バイアスとなっているので、エミッタ電位はそれより略
0.6V下がった値になるだけであって、やはり第2ト
ランジスタ(C4)を導通させることばない。上向きパ
ルス(P2)では第3トランジスタ(QS)がオフ、第
4トランジスタ(Q6)がオンとなるが、そのエミッタ
は第4トランジスタ(Q、)のベースよりも約0.6■
低い電位となるので、該エミッタに第2図(ニ)に示す
如く上向きパルスが生じる。この上向きパルスによって
第2トランジスタ(Q4)はオンして容量(Ct)を急
速に放電する。前記上向きパルス(ニ)は時間的に第1
トランジスタ(Q3)のエミッタに生じる出力パルス(
P3) (第2図(ハ)〕の立ち下がり部分に対応して
いるので、出力パルス(P3)の立ち下がりは早く行わ
れることになり、従来のような遅れは解消される。However, since the base potential of the third transistor (Qs) is a fixed bias, the emitter potential is only about 0.6V lower than that, and the word that makes the second transistor (C4) conductive is still do not have. In the upward pulse (P2), the third transistor (QS) is turned off and the fourth transistor (Q6) is turned on, but its emitter is approximately 0.6 mm higher than the base of the fourth transistor (Q, ).
Since the potential is low, an upward pulse is generated at the emitter as shown in FIG. 2(d). This upward pulse turns on the second transistor (Q4) and rapidly discharges the capacitor (Ct). The upward pulse (d) is temporally the first
The output pulse (
P3) (FIG. 2 (c)) Corresponds to the falling part, so the fall of the output pulse (P3) occurs early, eliminating the conventional delay.
主豆二盈来
以上の通り本発明によれば容量性負荷を持つパルス増幅
回、路において、出力パルスの立ち下がり特性が急峻に
なるので、時間的な遅れが改善され特に高周波パルスを
扱う場合の高速性が保持できるという効果がある。As described above, according to the present invention, in a pulse amplification circuit or circuit with a capacitive load, the falling characteristic of the output pulse becomes steeper, so the time delay is improved, especially when dealing with high frequency pulses. This has the effect of maintaining high speed.
第1図は本発明を実施したパルス増幅回路を示す回路図
であり、第2図はその各部の信号波形を示す図である。
第3図は従来例の回路図であり、第4図はその説明図で
ある。
(3)−容量性負荷、(7)・−・微分回路。
(Q3) −・第1トランジスタ。
(Q4)−・−第2トランジスタ。FIG. 1 is a circuit diagram showing a pulse amplification circuit embodying the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing signal waveforms at various parts thereof. FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional example, and FIG. 4 is an explanatory diagram thereof. (3) - Capacitive load, (7) - Differential circuit. (Q3) -・First transistor. (Q4)--Second transistor.
Claims (1)
極に等価的に容量性負荷が接続されてなるパルス増幅回
路において、前記出力電極と基準電位点間に接続された
第2トランジスタと、前記パルス信号を微分する微分回
路と、該微分回路の出力のうち前記パルス信号の立ち下
がりに対応する微分パルスを前記第2トランジスタの制
御電極に印加して該第2トランジスタを導通させる手段
とからなることを特徴とするパルス増幅回路。(1) In a pulse amplification circuit in which a capacitive load is equivalently connected to the output electrode of a first transistor that amplifies a pulse signal, a second transistor connected between the output electrode and a reference potential point, and a comprising a differentiating circuit for differentiating a signal, and means for applying a differentiated pulse corresponding to a falling edge of the pulse signal out of the output of the differentiating circuit to a control electrode of the second transistor to make the second transistor conductive. A pulse amplification circuit featuring:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1420488A JPH01190021A (en) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Pulse amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1420488A JPH01190021A (en) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Pulse amplifier circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01190021A true JPH01190021A (en) | 1989-07-31 |
Family
ID=11854579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1420488A Pending JPH01190021A (en) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Pulse amplifier circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01190021A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0473352A2 (en) * | 1990-08-22 | 1992-03-04 | Nec Corporation | Emitter follower output circuit |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1420488A patent/JPH01190021A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0473352A2 (en) * | 1990-08-22 | 1992-03-04 | Nec Corporation | Emitter follower output circuit |
US5233234A (en) * | 1990-08-22 | 1993-08-03 | Nec Corporation | Emitter follower output circuit |
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