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JPH01183563A - 布地の欠陥検出装置 - Google Patents

布地の欠陥検出装置

Info

Publication number
JPH01183563A
JPH01183563A JP924288A JP924288A JPH01183563A JP H01183563 A JPH01183563 A JP H01183563A JP 924288 A JP924288 A JP 924288A JP 924288 A JP924288 A JP 924288A JP H01183563 A JPH01183563 A JP H01183563A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
signal
fabric
difference signal
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP924288A
Other languages
English (en)
Inventor
Akinori Ikeda
池田 昭憲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ATENE COMPUTER SYST KK
Original Assignee
ATENE COMPUTER SYST KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ATENE COMPUTER SYST KK filed Critical ATENE COMPUTER SYST KK
Priority to JP924288A priority Critical patent/JPH01183563A/ja
Publication of JPH01183563A publication Critical patent/JPH01183563A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)
  • Knitting Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、丸編機によって布地を編み上げる過程におい
てその布地の欠陥を検出する布地の欠陥検出装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
丸編機は、第1図示の如く、多数の編針を水平面内にお
いて円形状に配設してなる針部(11と、該針部(11
に上方から多数の糸(21を供給する手段(図示せず)
と、上記針部(IIの下方に設けられ、編み過程におけ
る布地(3)を下方に巻き取りつつ該布地(3)を沿直
方向を軸にして回転せしめる巻取りローラー(4)とを
備えて構成されたものであり、布地+3)を筒状に編み
上げていくものである。
なお、筒状に編み上げられた布地(3)は、第1図示の
如く、上記巻取りローラー(4)によって二重に折り畳
まれつつ巻き取られるものであるが、上記針部(11に
近接した布地の部分は該針部(1)の形状(円形状)に
従って筒状をなすので、この部分を本明細書では筒状部
(5)という。また、丸編機における編立巾とは、編み
過程における布地(3)が上記巻取りローラー(4)に
よって沿直方向を軸にして1回転させられたときに該巻
取りローラー(4)によって下方に巻き取られる布地(
3)のの巻取り巾をいい、布地+3)が編み上げられる
速度を示すものである。
そして、従来、上記丸編機によって布地を編み上げる過
程においてその布地の欠陥を検出する手段がなかった。
このため、従来は丸編機によって布地を編み上げる場合
には、布地が編み上がった後に人が目視によって布地に
孔などの欠陥がないかどうか検査しなければならず、著
しく手数を要する欠点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は上記従来技術の欠点を除去するもので、丸編機
によって布地を編み上げる過程においてその布地の欠陥
を人の目視によらずに検出することができる布地の欠陥
検出装置を提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題″を解決するため、本発明は、丸編機による編
み過程における布地の筒状部の内側面に投光する投光手
段と、上記内側面に近接させて所定の編立巾に渡って配
置され、上記内側面からの反射光を受光して受光光量に
対応するレベルの信号を出力する複数の受光素子と、該
受光素子の出力信号に基づいて布地の欠陥に対応した検
出信号を出力する検出回路とから構成したものである。
〔作 用〕
本発明によれば、複数の受光素子が丸編機による編み過
程における布地の筒状部の内側面に近接させて所定の編
立巾に渡って配置されているので、丸編機による編み過
程における布地は下方に巻き取られつつ沿直方向を軸に
して回転させられることから、上記複数の受光素子が編
み上げられていく布地の内側面の全体に渡って重複する
ことなく順次対向していくこととなるものである。そし
て、本発明では、投光手段によって上記内9面に投光さ
れ、上記複数の受光素子が上記内側面からの反射光を受
光して受光光量に対応するレベルの信号を出力するので
、布地に孔などの欠陥がなければ各受光素子からそれぞ
れ略一定レベルの信号が出力されるが、布地に孔などの
欠陥があればその欠陥が受光素子に対向したときにその
受光素子の受光光量が低下して異なるレベルの信号が出
力されることとなるものである。すなわち、上記複数の
受光素子の出力信号には布地の欠陥情報が含まれている
ことになる。したがって、本発明によれば、上記複数の
受光素子の出力信号に基づいて検出回路から布地の欠陥
に対応した検出信号が出力され、丸編機によって布地を
編み上げる過程において人の目視によらずにその布地の
欠陥を検出することができるものである。
〔実施例〕
以下、図面に示す実施例に基づき本発明を説明する。
本発明では、丸編機による編過程における布地(3)0
筒状部(5)の内側面に投光する投光手段が設けられる
。また、受光光量に対応するレベルの信号をそれぞれ出
力する複数の受光素子(61(71(81(91(II
 (Illα21(13)が、筒状部(5)ノ内側面に
近接させて所定の編立巾lに渡って配置され、上記内側
面からの反射光を受光するようにされる。
第1図乃至牙6図示の実施例の場合、上記投光手段とし
てハロゲンランプ(141が使用され、第2図示の如く
、上記複数の受光素子(6)・・・(13)とともにセ
ンサーケースα9に設けられている。そして、該センサ
ーケース(151が図示しない支持具によって、21図
、矛3図及び牙4図示の如く固定され、投光手段たるハ
ロゲンランプα41が編み過程における布地(3)の筒
状部(5)の内側面に投光するとともに、その内側面か
らの反射光を複数の受光素子(6)・・・(13)が受
光するようにされているものである。
なお、上記投光手段は編み過程における布地(3)の筒
状部(5)の内側面のうち少なくとも各受光素子(6)
・・・a3と対向する部分とその周囲に投光できればよ
いものである。したがって、投光手段はハロゲンランプ
に限定されるものではなく、タングステンランプや発光
素子などの他の種々の光源等を使用することができるも
のである。
また、第1図乃至矛6図示の実施例の場合には、第2図
示の如く1つのハロゲンランプα4)の両側に第1列の
受光素子(6)・・・(9)及び第2列の受光素子Ql
・・・・(2)が配置されているが、矛7図示の如く2
つのハロゲンランプα41を設けてもよいものである。
そして、第1図乃至矛6図示の実施例の場合には、第2
図及び矛3図示の如く、上記複数の受光素子(6)・・
・(13)が、所定の編立巾lに渡って2列に同数ずつ
配置され、その第1列の各受光素子(6)・・・(9)
と第2列の各受光素子帥・・・(13)とがそれぞれ布
地(3)の略同一部分を時間的に相前後して対向するよ
うに配置されている。
なお、上記各受光素子(6)・・・(13)は受光光量
に対応したレベルの信号を出力するものであればよく、
シリコンダイオードやシリコンフォトセルなどの種々の
素子を使用することができるものであるが、第1図乃至
矛6図示の実施例の場合には複数の独立したシリコン7
オトセルが一列に一体に構成されたいわゆるシリコンフ
ォトセルアレイが2つ用意され、それぞれ受光素子(6
)・・・(9)、受光素子Ql・・・(13)として使
用されている。
また、本発明では、上記各受光素子(6)・・・(13
)の出力信号に基づいて布地(3)の欠陥に対応した検
出信号を出力する検出回路αeが設けられる。
第1図乃至牙6図示の実施例の場合、上記検出回路αe
は、上記第1列の各受光素子(6)・・・(9)の出力
信号とこれらにそれぞれ対応する上記第2列の各受光素
子α〔・・・a3の出力信号とをそれぞれ減算した差信
号をそれぞれ得て、該冬着信号についてそれぞれの正の
差信号及び負の差信号のレベルをそれぞれ判別し、時間
的に先行する正の差信号又は負の差信号に基づく上記判
別結果を所定時間保持し、その保持した判別結果と時間
的に遅れる負の差信号又は正の差信号に基づく上記判別
結果とのうちいずれか低レベルの判別結果をそれぞれ検
出信号として出力するよ−うに構成されている。
かかる検出回路(16)の具体例を矛5図に示し、以下
この回路について説明する。
布地(3)の同一部分に対向する第1列の受光素子と第
2列の受光素子とがそれぞれ逆並列接続されている。す
なわち、例えば第1列の受光素子(6)と第2列の受光
素子001とが逆並列接続されている。
したがって、これらの各逆並列回路の両端間に、第1列
の各受光素子【6)・・・(9)の出力信号とこれらに
それぞれ対応する第2列の各受光素子(101・・・(
13)の出力信号とをそれぞれ減算した差信号がそれぞ
れ得られるものである。もつとも、例えば第1列の受光
素子(6)の出力信号とこれに対応する第2列の受光素
子a(lの出力信号とを別個に@Iルた勲減算器により
上記差信号を得るように構成してもよいことは勿論であ
る。
そして、上記各逆並列回路の両端間がそれぞれ同一の回
路構成とされた個別検出回路aηに接続され、これらが
全体として上記検出回路αeを構成している。
上記個別検出回路(171の構成は矛5図に示す通りで
あり、同図において、錦は抵抗、C9は増巾器、■はバ
ンドパスフィルタである。したがつて、上記差信号が増
巾器(19で増巾され、バンドパスフィルタ■でノイズ
分が除去され、矛5図中■の信号が得られる。
また、c?11は増巾率1の非反転のバッファ、(22
1は増巾率1の反転のバッファ、(至)C)41はダイ
オードである。したがって、上記増巾されノイズ分が除
去された差信号(矛5図中■)のうち正の差信号(矛5
図中■)が上記ダイオード(23のカソードから得られ
、負の差信号(矛5図中■)が反転されて上記ダイオー
ドe41のカソードから得られるものである。
また、(至)+261@■は抵抗、■は可変抵抗、■は
ツェナーダイオードであり、これらにより基準L/ ペ
ルVLl、VL2.VL3 (VLj/ < VL2 
< VL、?)が決定すれている。なお、牙5図中、V
CCは直流の電源電圧を示す。そして、011 C35
C33)(財)(至)缶はコンパレータで、これらによ
り上記圧の差信号(矛5図中■)及び負の差信号(牙5
図中■)のレベルが判別される。すなわち、上記各コン
パレータC3)1C33(至)は上記圧の差信号(矛5
図中■)が各基準しペルVLJ、VLu、VL/をそれ
ぞれ上回るときにそれぞれH信号を出力し、上記各コン
パレータC341C351@は上記反転した負の差信号
(牙5図中■)が各基準しペルVLJ 、VLコ、VL
/をそれぞれ上回るときにそれぞれH信号を出力するよ
うになっている。
1さらに、C37) Cm C19(40(4B(42
1はワンショットマルチバイブレークであり、それぞれ
H信号が入力されたときに、外付けのコンデンサ(43
(44) (45) (461(471(481及び抵
抗(4傷印(51)(52)(53)(54)の時定数
で定まる所定時間だけH信号を出力するようになってお
り、上記各フンパレータC3)1C32(至)(財)(
至)(至)の出力信号を波形整形し、上記圧の差信号(
矛5図中■)及び負の差信号(牙5図中■)の判別結果
(矛5図中■■0.■■■)を出力するものである。
そして、この実施例の場合、矛3図に示すように第1列
の受光素子(6)・・・(91が第2列の受光素子QO
I・・・C3より17時間だけ遅れて布地(3)の同一
部分と対向すること及び各受光素子(6)・・・(13
)の接続関係から、上記圧の差信号(矛5図中■)が時
間的に先行し、上記反転した負の差信号(矛5図中■)
が時間的に遅れるものである。
このため、矛5図示の場合には、上記ワンショットマル
チバイブレーク(3n C381C39がそれぞれH信
号を上記tl蒔間より長い1.時間だけ保持するよ・う
に設定されている。したがって、時間的に先行する正の
差信号(矛5図中■)K基づく判別結果(矛5図中■■
■)がt1時間だけ保持されるものである。なお、上記
ワンショットマルチバイブレータ(4(1(4υ(4渇
については波形整形に必要な23時間だけH信号が保持
されるように設定されている。
さらに、(55)(56) (57)はアンドゲートで
あり、該アンドゲート(55)(56)(57)から上
記保持した判別結果(矛5図中■■[株])と上記判別
結果(、f−5図中01■■)とのアンド信号がそれぞ
れ出力されるものである。すなわち、上記アンドゲート
(55)(56)(57)から、上記保持した判別結果
(矛5図中■■0)又は上記判別結果(矛5図中■■■
)のうちいずれか低レベルの判別結果(矛5図中000
)が出力されることになるものである。この判別結果(
jP5図中@@0)を検出信号として直接出力してもよ
いものであるが、矛5図示の場合には、デコーダ(58
)を介して信号を変換して出力信号(牙5図中0[相]
■)を出力している。そして、上記デコーダ(58)は
、■◎■がH信号となったときにOをH信号とし、■が
L信号で00がH信号となったときに@をH信号とし、
0◎がL信号で0がH信号となったときに0をH信号と
するようになっている。
また、(59)はオアゲートであり、@◎0のいずれか
がH信号となったときに■をH信号とするようになって
いる。したがって、[相]がH信号となったときには布
地(3)に比較的大きい欠陥があることを示し、■がH
信号となったときには中程度の欠陥があることを示し、
■がH信号となったときには比較的小さい欠陥があるこ
とを示し、■が−Ha号となったときにはいずれかの欠
陥があること−を示すこととなり、0[相]OOが上記
個別検出回路a71の検出信号となり、この各個別検出
回路αDの各検出信号が全体として検出信号となるもの
である。
なお、矛6図には上記検出回路(161の各部の動作波
形図を示しである。この動作波形図は、第3図に示す布
地(3)の中程度の欠陥(60)が11時点で第2列の
受光素子αaに対向し、−時点で第1列の受光素子【6
)に対向した状態を示している。
なお、矛6図■■の波形はそれぞれ受光素子(6)又は
(IIを回路から切り離したとしたときのその出力信号
を示すものである。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、複数
の受光素子(61・・・(13)の出力信号に基づいて
検出回路(161によって布地(3)の欠陥に対応した
検出信号が出力され、丸編機によって布地(3)を編み
上げる過程において人の目視によらずその布地(3)の
欠陥を検出することができるものである。
そして、第1図乃至牙6図示の実施例の場合には、特に
、布地(3)の同一部分に対向する一対の第1列の受光
素子及び第2列の受光素子ごとに個別検出回路a7Iが
殺げられているので、布地(3)の欠陥の有無及び欠陥
の大きさや個数を判別することができるのみならず、上
記各個別検出回路(171ごとの検出信号を対比するこ
とによって欠陥の種類(例えば牙3図示の欠陥(60)
と欠陥(61)との相違)をも判別することが可能とな
るものである。
また、第1図乃至、176図示の実施例の場合にはノイ
ズ対策の点でも有効である。すなわち、検出回路(16
17!l″−第1列の各受光素子(6)・・・(9)と
第2列の各受光素子aO1・・・(13)の差信号を得
るように構成されているのでSN比が向上し、さらに布
地(3)の同云部分について2回検出してこれに基づき
検出信号を得ていることになるので何らかのノイズが混
入しても適正な布地(3)の欠陥検出を行うことができ
、検出精度が高いものである。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
なお、矛8図はそのセンサーケース(151の正面図、
矛9図は同じくその検出回路(161の電気回路図、第
10図はその各部の波形図である。
この実施例が上記第1図乃至矛6図示の実施例と異なる
所は、受光素子の配置と検出回路(+61の構成である
この実施例の場合、複数の受光素子(6)・・・(9)
が、矛8図示の如く、所定の編豆巾lに渡って1列に配
置される。すなわち、矛8図示のセンサーケース(15
1が上記第2図示のセンサーケースα9の如く第1図、
牙3図及び矛4図と同様に配置されるものである。なお
、矛8図だおいて上記第2図とロー構成部分には同一符
号を付しである。
また、牙8図乃至jiplo図示の実施例の場合、検出
回路時が、上記各受光素子(6)・・・(9)の出力信
号のレベルをそれぞれ判別し、その判別結果をそれぞれ
検出信号として出力するように構成されている。
かかる検出回路α0の具体例を矛9図に示し、以下この
回路について説明する。
上記各受光素子(6]・・−(9)の両端間にそれぞれ
ローの回路構成とされた個別検出回路(62)が接続さ
れ、これらが全体として上記検出回路aeを構成してい
る。
上記個別検出回路(62)の構成は矛9図に示す通りで
あり、同図において、(63)は抵抗、(64)は増巾
器、 (65)はバンドパスフィルタである。
したがって、受光素子(6)の出力信号が増巾器(64
)で増巾され、バンドパスフィルタ(65)でノイズ分
が除去され1.!9図中■の信号が得られる。
また、(66)(67)(68) (69)は抵抗、(
70)は可変抵抗、(71)はツェナーダイオードであ
り、こ、゛れtらにより基準レベルVL夕、VL夕、V
L、;(VLり>VL6>VL4 )が決定されている
。そして、 (72)(73) (74)はコンパレー
タで、これらにより上記増巾された受光素子(6)の出
力信号(矛9図中■)のレベルが判別される。すなわち
、上記各コンパレータ(72)(73)(74)は上記
増巾された出力信号(才9図中■)が各基準レベルvT
JI、VLj−、VLAをそれぞれ下回るときにそれぞ
れH信号を出力するよ51Cなっている。
さらに、(751(76)(77)はワンショットマル
チバイブし一夕であり、それぞれH信号が入力されたと
きに、外付けのコンデンサ(78) (79) (8(
Q及び抵抗(81)(82)(83)の時定数で定まる
所定時間だけH信号を出力するようになっており、上記
各フンパレータ(72) (73) (74)の出力信
号を波形整形し、判別結果(矛9図中■■■)を出力す
るものである。この判別結果(牙9図中■■■)を検出
信号として直接出力してもよいものであるが、牙9図示
の場合にはデコーダ(84)を介して信号を変換して出
力信号(矛9図中■■■)を出力している。そして、上
記デコーダ(84)は、■■■がH信号となったときに
■をH信号とし、■■がH信号で■がL信号となったと
きに■をH信号とし、■がH信号で■■がL信号となっ
たときに■をH信号とするようになっている。
また、(85)はオアゲートであり、■■■のいずれか
がH信号となったときに■をH信号とするようになって
いる。したがって、■がH信号となったときには布地(
3)に比較的大きい欠陥があることを示し、■がH信号
となったときには中程度の欠陥があることを示し、■が
H信号となったときには比較的小さい欠陥があることを
示し、■がH信号となったときにはいずれかの欠陥があ
ることを示すこととなり、■■■■が上記個別検出回路
(62)の検出信号となり、この各個別検出回路(62
)の各検出信号が全体として検出信号となるものである
なお、第10図には上記矛9図示の検出回路αeの各部
の動作波形図を示しである。この動作波形図は、布地(
3)の中程度の欠陥が73時点で受光素子(6)に対向
した状態を示している。なお、第10図■の波形は受光
素子(6)の出力信号を示すものである。
上記牙8図乃至第10図示の実施例によれば、布地(3
)の同一部分について1回しか検出しないので上記第1
図乃至矛6図示の実施例はど検出精度は高くはないもの
の、第1図乃至矛6図示の実施例と同様に、布地の欠陥
の有無及び欠陥の大きさや個数を判別することができる
のみならず、上記各個別検出回路ごとの検出信号を対比
することによって欠陥の種類をも判別することが可能と
なり、しかも第1図乃至矛6図示の実施例に比べて検出
回路αeの構成が簡単となる利点がある。
次に、本発明のさらに他の実施例について説明する。な
お、第11図はその検出回路(16)の電気回路図であ
る。
この実施例が上記第1図乃至矛6図示の実施例と異なる
所は、検出回路(161の構成のみである。
すなわち、この実施例の場合にも、上記第1図乃至矛6
図示の実施例と全く同様に、複数の受光素子(6)・・
・(13)が所定の編立巾lに渡って2列に同数ずつ配
置され、その第1列の各受光素子(6)・・・(9)と
第2列の各受光素子α〔・・・(13)とがそれぞれ布
地(3)の略同一部分を時間的に相前後して対向するよ
うに配置されている。
そして、この実施例の場合には、検出回路(161は、
上記第1列の各受光素子(6)・・・(9)の出力信号
を加算した和信号と、上記第2列の各受光素子aα・・
ψ03の出力信号を加算した和信号とを減算した差信号
を得て、該差信号について正の差信号及び負の差信号の
レベルをそれぞれ判別し、時間的に先行する正の差信号
又は負の差信号に基づく上記判別結果を所定時間保持し
、その保持した判別結果と時間的に遅れる負の差信号又
は正の差信号に基づく上記判別結果とのうちいずれか低
レベルの判別結果を検出信号として出力するように構成
されている。
かかる検出回路α0の具体例を第11図に示す。
第1列の受光素子(6)・・・(91が直列接続された
直列回路と第2列の受光素子αω・・・(13)が直列
接続された直列回路とが逆並列接続されている。
したがって、この逆並列回路の両端間に、第1列の受光
素子(6)・・・(9)の出力信号を加算した和、信号
と、第2列の各受光素子CIO+・・・(13)の出力
信号を加算した和信号とを減算した差信号が得られるも
のである。
そして、上記逆並列回路の両端間が上記矛5図中の個別
検出回路αLと全く同一の構成の回路に接続されており
、この実施例ではこの回路が検出回路αeを構成してい
る。なお、才11図において矛5図と同一構成部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。また、第11図
示の検出回路(161の各部の波形も矛5図示の検出回
路(161と同様で矛6図示の如くなるものである。
上記第11図示の実施例によれば、第1列の受光素子(
6)・・・(9)及び第2列の受光素子(101・・・
a3の出力信号がそれぞれ全体として1つずつの出力信
号として取り扱われることとなるので、上記第1図乃至
牙6図示の実施例の如く布地の欠陥の種類については判
別することができないものの、jp1図乃至矛6図示の
実施例と同様に検出精度が高くなり、しかも第1図乃至
牙6図示の実施例に比べて検出回路αeの構成が簡単と
なる利点がある。
なお、本発明では、上述の如く、複数の受光素子が所定
の編立巾に渡って配置されるものである。しかるに、丸
編機における編立巾は糸の太さや編み方等によって変更
されることがあるものである。そこで、かかる場合には
、複数の受光素子を予め最大の編立巾に渡って配置して
おき、編立巾が短くなるときにはその編立巾を超える受
光素子の出力信号をスイッチ等の切換えにより無効にす
ることができるように検出回路(161を構成しておけ
ばよいものである。例えば、矛5図示の検出回路(16
1の場合に受光素子(61(101が編立巾を超えるこ
ととなるときには、これに接続されている個別検出回路
(171の検出信号を図示しないスイッチの切換えによ
り強制的にアースに接続すればよいものである。また、
例えば、第11図示の場合に受光素子(6)α〔が編立
巾を超えることとなるときには、これらの受光素子(6
]:α1と並列にそれぞれ設けた[11示しないスイッ
チを短絡せしめればよいものである。
なお、上記投光手段たるハロゲンランプα4)等は経年
変化などの影響を受けてその光量が変化する場合がある
ものである。かかる場合には、その光量の変化に従って
上記各受光素子(6)・・・(13+の出力信号のレベ
ルが変化することとなるものである。
しかるに、上記各図面実施例の場合には、例えば牙5図
においてVCCは直流電源であるので上記基準レベルV
Li、VLx、VL3等はそれぞれ常に所定の一定値に
固定されていることから、適正なレベル判別を行うこと
ができず、ひいては適正な布地の欠陥を検出できなくな
るおそれがある。
そこで、実際には、投光手段たるハロゲンランプ(14
1等の光量を検出する受光素子を別個に設け、その受光
素子の出力信号を適当に増巾、し、その電圧を上記V。
Cの代わりに供給することが望ましい。すなわち、この
場合には、上記基準レベルVL/ 、 vL! 、 V
L、7等もハロゲンランプ(141の光量の変化に従っ
て変化することとなり、該光量の変化がレベル判別に影
響を与えず、ひいては適正に布地の欠陥を検出すること
ができるものである。
また、上記基準レベルVL/、VL2.VL、7等をそ
れぞれ常に所定の一定値に固定しておき、投光手段たる
ハロゲンランプQ41等の光量を検出する受光素子を別
個に設け、この受光素子の出力信号と上記各受光素子(
6)・・・a3の出力信号とをそれぞれ除算し7た各信
号(比に相当する)を得て、この各信号を図面実施例に
おける上記各受光素子(6)・・・(13)の出力信号
と同様に取り扱うようにしてもよいものである。この場
合にあっても、投光手段たるハロゲンランプα4)等の
光量が変化したとしても、その変化分が除去され、レベ
ル判別に何ら影響を与えず、適正に布地の欠陥を検出す
ることができるものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、丸編機によって布地を編み上げる過程
においてその布地の欠陥を人の目視によらずに検出する
ことができ、布地の品質検査を効率良く行うことができ
るとともに、布地を編み上げる過程において該布地の欠
陥の処置も行うことが可能となる効果が得られるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は布地に
対するセンサーボックスの配置を示す斜視図、第2図は
センサーボックスを示す斜視図、矛3図は第1図の要部
を示す正面図、矛4図は牙3図におけるA−A矢視図、
矛5図は検出回路を示す電気回路図、牙6図はその回路
各部の波形図、牙7図は仲の実施例を示すものでセンサ
ーボックスの正面図、矛8図はさらに仲の実施例を示す
ものでセンサーボックスの正。 面図1,1−9図はその実施例の検出回路を示す電気回
路図、第10図はその回路各部の波形図、第11図はさ
らに他の実施例を示すもので検出回路の電気回路図であ
る。 +3)−−− 布地、+51−−−筒状部、+61 (
71(81(91ffO+ (il+ [121(13
)・・・受光素子、(161・・・検出回路。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)丸編機による編み過程における布地の筒状部の内
    側面に投光する投光手段と、上記内側面に近接させて所
    定の編立巾に渡つて配置され、上記内側面からの反射光
    を受光して受光光量に対応するレベルの信号を出力する
    複数の受光素子と、該各受光素子の出力信号に基づいて
    布地の欠陥に対応した検出信号を出力する検出回路とか
    らなることを特徴とする布地の欠陥検出装置。
  2. (2)上記複数の受光素子が、所定の編立巾に渡つて2
    列に同数ずつ配置されて、その第1列の各受光素子と第
    2列の各受光素子とがそれぞれ布地の略同一部分に時間
    的に相前後して対向するように配置されてなり、上記検
    出回路が、上記第1列の各受光素子の出力信号とこれら
    にそれぞれ対応する上記第2列の各受光素子の出力信号
    とをそれぞれ減算した差信号をそれぞれ得て、該各差信
    号についてそれぞれの正の差信号及び負の差信号のレベ
    ルをそれぞれ判別し、時間的に先行する正の差信号又は
    負の差信号に基づく上記判別結果を所定時間保持し、そ
    の保持した判別結果と時間的に遅れる負の差信号又は正
    の差信号に基づく上記判別結果とのうちいずれか低レベ
    ルの判別結果をそれぞれ検出信号として出力するように
    構成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の布地の欠陥検出装置。
  3. (3)上記複数の受光素子が所定の編立巾に渡つて1列
    に配置されてなり、上記検出回路が、上記各受光素子の
    出力信号のレベルをそれぞれ判別し、その判別結果をそ
    れぞれ検出信号として出力するように構成されてなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の布地の欠陥
    検出装置。
  4. (4)上記複数の受光素子が、所定の編立巾に渡つて2
    列に同数ずつ配置されて、その第1列の各受光素子と第
    2列の各受光素子とがそれぞれ布地の略同一部分に時間
    的に相前後して対向するように配置されてなり、上記検
    出回路が、上記第1列の各受光素子の出力信号を加算し
    た和信号と、上記第2列の各受光素子の出力信号を加算
    した和信号とを減算した差信号を得て、該差信号につい
    て正の差信号及び負の差信号のレベルをそれぞれ判別し
    、時間的に先行する正の差信号又は負の差信号に基づく
    上記判別結果を所定時間保持し、その保持した判別結果
    と時間的に遅れる負の差信号又は正の差信号に基づく上
    記判別結果とのうちいずれか低レベルの判別結果を検出
    信号として出力するように構成されてなることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の布地の欠陥検出装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5133198A (en) * 1989-09-15 1992-07-28 Institut Textile De France Endoscopic apparatus for flaw detection on a circular knitting machine
EP4474763A1 (en) * 2023-06-07 2024-12-11 Canmartex Catgrup, S.L. Method for detecting defects in a knitted fabric manufactured by an automatic knitting machine, corresponding system and computer program

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