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JPH01177969A - Fine grinding compound for wafer - Google Patents

Fine grinding compound for wafer

Info

Publication number
JPH01177969A
JPH01177969A JP62333027A JP33302787A JPH01177969A JP H01177969 A JPH01177969 A JP H01177969A JP 62333027 A JP62333027 A JP 62333027A JP 33302787 A JP33302787 A JP 33302787A JP H01177969 A JPH01177969 A JP H01177969A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
composition
wafer
acrylamide
fine polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62333027A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Sasaki
佐々木 茂男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Monsanto Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Monsanto Chemical Co filed Critical Mitsubishi Monsanto Chemical Co
Priority to JP62333027A priority Critical patent/JPH01177969A/en
Priority to DE88121332T priority patent/DE3884778T2/en
Priority to EP88121332A priority patent/EP0322721B1/en
Priority to KR1019880017853A priority patent/KR0130900B1/en
Priority to US07/290,367 priority patent/US4983650A/en
Publication of JPH01177969A publication Critical patent/JPH01177969A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用
されているウェハーの表面の10!0μより大きな凹凸
を平滑にするための研磨、つまりファイン研磨に好適な
研磨組成物に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to polishing for smoothing irregularities larger than 10!0μ on the surface of wafers that are widely used as supporting crystals for electrical integrated circuits. The present invention relates to a polishing composition suitable for fine polishing.

「従来の技術」 電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用されている
ウェハーは、通常ケイ素またはゲルマニウム結晶のイン
ゴットからスライスし、これらの表面を研磨して、でき
る限り凹凸のない平面を形成させた後に、回路形成に供
されている。
``Prior Art'' Wafers, which are widely used as supporting crystals for electrical integrated circuits, are usually sliced from ingots of silicon or germanium crystals and their surfaces polished to form as flat a surface as possible. Later, it was used to form a circuit.

何故なら、ウェハー表面上に回路パターンを線描する時
、表面に凹凸があると、精密かつ緻密に線描することが
困難となるとともに、ウェハーの電気特性の不均一性を
招く原因となるからである。
This is because when drawing a circuit pattern on the wafer surface, if the surface is uneven, it becomes difficult to draw the line precisely and precisely, and it also causes non-uniformity in the electrical characteristics of the wafer. .

このようなウェハーの表面を研磨するために、従来から
種々の研磨剤が提案されている。
Various abrasives have been proposed to polish the surface of such wafers.

例えば、米国特許第3.170..273号明細書、 
には、シリカ濃度2〜50%を有するシリカゾル、およ
びシリカ濃度2〜100%のシリカゲルが研磨剤として
開示され、また米国特許第3,328゜141号明細書
には、これら研磨剤にアルカリ性化合物を加えてpHを
10.5〜12.5に調整し、これを用いると研磨速度
が増大することが開示されている。しかし、これらの研
磨剤で研磨したウェハー表面を、微分干渉型顕微鏡など
で観察すると、5〜5001μの凹凸があり、充分満足
できるものではない。
For example, U.S. Patent No. 3.170. .. Specification No. 273,
discloses silica sol having a silica concentration of 2 to 50% and silica gel having a silica concentration of 2 to 100% as abrasives, and US Pat. No. 3,328°141 discloses that alkaline compounds are added to these abrasives. is added to adjust the pH to 10.5 to 12.5, and it is disclosed that the polishing rate increases when this is used. However, when the surface of a wafer polished with these abrasives is observed using a differential interference microscope or the like, there are irregularities of 5 to 5001 microns, which is not completely satisfactory.

また、特公昭53−9910号公報には、石英、ケイ酸
塩、ヘキサフルオロ珪酸塩を含有し、更にC−原子3〜
5個を有する1価アルコールおよびポリビニルアルコー
ルを含有する研磨剤が開示されているが、このような研
磨剤を用いても、まだ充分満足できる研磨面は得られて
いない上に、これらアルコールを含有する研磨剤は、長
期間安定貯蔵することが困難であるという欠点があった
In addition, Japanese Patent Publication No. 53-9910 discloses that it contains quartz, silicate, hexafluorosilicate, and further contains 3 to 3 C atoms.
An abrasive containing a monohydric alcohol and polyvinyl alcohol having 5 atoms has been disclosed, but even when such an abrasive is used, a sufficiently satisfactory polished surface has not yet been obtained. This abrasive has the disadvantage that it is difficult to store it stably for a long period of time.

また、特公昭61−14655号公報には、水に可溶性
のカルボキシポリメチレンゴム、またはキサンタンガム
を含有する研磨剤が開示されているが、平滑研磨面を形
成するに要する研磨時間、および研磨後、洗浄のための
水を流しながらのいわゆる空研磨を長時間行わなくては
ならないという欠点があった。また、研磨斉呼中にキサ
ンタンガムを栄養源とする微生物が発生し、長期間安定
貯蔵することが困難であるという欠点があった。
Further, Japanese Patent Publication No. 14655/1983 discloses a polishing agent containing water-soluble carboxypolymethylene rubber or xanthan gum, but the polishing time required to form a smooth polished surface and the polishing time after polishing are There was a drawback that so-called dry polishing had to be carried out for a long time while running water for cleaning. Another disadvantage is that microorganisms that use xanthan gum as a nutrient source are generated during polishing, making it difficult to store it stably for a long period of time.

E本発明が解決しようとする問題点」 本発明は、ウェハーを研磨した時に、微分干渉型顕微鏡
で観察しても凹凸の見えない研磨面を与える研磨剤、す
なわち、ウェハーの表面をファイン研磨するのに好適で
、かつ長期安定貯蔵性に優れたファイン研磨組成物を提
供しようとするものである。
E: Problems to be Solved by the Present Invention The present invention uses an abrasive that provides a polished surface with no irregularities even when observed with a differential interference microscope when a wafer is polished, that is, it finely polishes the surface of the wafer. The object of the present invention is to provide a fine polishing composition suitable for polishing and having excellent long-term storage stability.

[問題点を解決するための手段] 本発明の要旨とするところは、水、粒状アモルファスシ
リカおよびアクリルアミドをグラフト重合させた多糖類
高分子化合物を含有し、かつアルカリ性化合物によって
pH8〜12に51!整されてなることを特徴とするウ
ェハーのファイン研磨用組成物に存する6 以下、本発明の詳細な説明する。
[Means for Solving the Problems] The gist of the present invention is to contain a polysaccharide polymer compound obtained by graft polymerization of water, granular amorphous silica, and acrylamide, and to adjust the pH to 51 to 8 to 12 with an alkaline compound. The present invention will be described in detail below.

本発明において使用される粒状アモルファスシリカとし
ては、コロイグルシリ力またはシリカパウダーなどがあ
り、これらは、フロイグルシリカゾルの形や、シリカパ
ウダーを水に懸濁させた水性スラリーの形で使用するか
、または、水中に加えた時水性スラリーとすることがで
きるような形で使用される。水性スラリーにした時のス
ラリー中のシリカ濃度は通常1〜5重景重量好ましい。
The granular amorphous silica used in the present invention includes colloidal silica or silica powder, which can be used in the form of fleugle silica sol, an aqueous slurry in which silica powder is suspended in water, or , used in such a form that it can form an aqueous slurry when added to water. The silica concentration in the slurry when it is made into an aqueous slurry is usually preferably 1 to 5 times the weight.

しかして、−ヒ記の粒状アモルファスシリカは、通常平
均粒径が5mμより大さく、10μより小さいものが使
用される。平均粒径が5噛μ以下では、粒子中に含まれ
る珪酸のモノマーやオリゴマーの割合が多くなり、これ
らを多く含むもので研磨すると、ウェハー表面にシリカ
となって付着するので好ましくなく、10ミリミクロン
以tではウェハー表面に引っかき傷が生じ易くなるので
好ましくない。なお、本発明で平均粒径とは、粒子が凝
集せずに単離した状態で存在する場合には、その状態に
ある粒子の平均粒径を意味し、粒子が凝集した状態で存
在する場合には、その状態にある凝集した粒子の平均粒
径を意味する。
Therefore, the granular amorphous silica described in item (h) is usually used having an average particle size larger than 5 mμ and smaller than 10 μm. If the average particle size is less than 5 μm, the proportion of silicic acid monomers and oligomers contained in the particles will increase, and polishing with a material containing a large amount of these will cause silica to adhere to the wafer surface, which is undesirable. If the thickness is less than micron, scratches may easily occur on the wafer surface, which is not preferable. In addition, in the present invention, the average particle size means the average particle size of particles in an isolated state without agglomeration, and when the particles exist in an agglomerated state, it means the average particle diameter of the particles in that state. means the average particle size of the aggregated particles in that state.

また、本発明に係るウェハーのファイン研磨用組成物中
の粒状7モル7γスジリカの含有量は、余り少ないとそ
の効果が充分でないので通常0.1重量%以上の割合と
される。
Further, the content of the granular 7 mol 7 gamma streak silica in the composition for fine polishing of wafers according to the present invention is usually set at a ratio of 0.1% by weight or more, since the effect is not sufficient if it is too small.

本発明において、多糖類高分子化合物としては、例えば
グアガムまたはキサンタンがムなどがある。
In the present invention, examples of the polysaccharide polymer compound include guar gum and xanthan gum.

グアガムとは、マメ科の植物グアの種子の胚乳部分に含
有されている粘液質のがラクトマンナンを意味し、キサ
ンタンガムとは、キサントモナスカンスベストリスによ
って純粋な培養発酵によって得られる高分子多糖類を意
味する。
Guar gum refers to lactomannan, a mucilaginous substance contained in the endosperm of the seeds of guar, a plant belonging to the leguminous family. do.

本発明に係るウェハーのファイン研磨用組成物において
は、上記の多糖類高分子化合物にアクリルアミドをグラ
フト重合させたものが含有される。
The composition for fine polishing of wafers according to the present invention contains a polysaccharide polymer compound obtained by graft polymerization of acrylamide to the above polysaccharide polymer compound.

しかしてアクリルアミドをグラフト重合させた多糖類高
分子化合物は、アクリルアミドをグラフト重合させてな
い多糖類高分子化合物と比べると、その水溶液のドラッ
グリグクシタン効果が高められると共に、微生物による
生化学的分解に対して高い耐性を有する。
Therefore, compared to a polysaccharide polymer compound in which acrylamide is graft-polymerized, the drug ligoxitan effect of its aqueous solution is enhanced, and biochemical decomposition by microorganisms is enhanced. It has high resistance to.

ドラッグリグクシタン効果とは、流体のレイノルズ数が
高い条件においても乱流が生じ難くする効果をいう0本
発明に係る研磨用組成物のドラッグリグクシタン効果が
高いという意味は、加圧状態での研磨でも研磨用組成物
は層流を維持し、乱流になり難いことを意味する。
The drug rig oxidation effect is an effect that makes it difficult for turbulence to occur even under conditions where the Reynolds number of the fluid is high. This means that even during polishing, the polishing composition maintains a laminar flow and is less likely to become turbulent.

多糖類高分子化合物にアクリルアミドをグラフト重合さ
せる方法は、ツヤ−ナル・オプ・アプライド・ポリマー
・サイエンスvo130.4013〜4018(198
5>および同、vo132.6163〜6176(19
8G)に詳述されている方法などによればよい。
A method for graft polymerizing acrylamide onto a polysaccharide polymer compound is described in Tsunaru Op Applied Polymer Science vol. 130.4013-4018 (198
5> and the same, vo132.6163-6176 (19
The method detailed in 8G) may be used.

例えばグアガムまたはキサンタンガムにアクリル7ミド
をグラフト重合させる場合には、グアガムまたはキサン
タンガムを0.01〜2.0重量%含む水溶液に、グア
ガムまたはキサンタンガム1gあたり、アクリルアミド
1ミリモル〜1モル、および重合開始剤1マイクロモル
〜10ミリモルの割合で加え、温度0〜100℃の条件
下、空気中もしくは不活性ガスの存在下、反応させれば
よい。
For example, when graft polymerizing acryl 7mide to guar gum or xanthan gum, add 1 mmol to 1 mol of acrylamide and a polymerization initiator per 1 g of guar gum or xanthan gum to an aqueous solution containing 0.01 to 2.0% by weight of guar gum or xanthan gum. It may be added in a proportion of 1 micromol to 10 mmol and allowed to react at a temperature of 0 to 100°C in air or in the presence of an inert gas.

重合開始剤としては、セリウムイオン系のラジカルを用
いるのが好ましく、また、グアガムまたはキサンタンガ
ムはできるだけ、純度の高いものが好ましい。
As the polymerization initiator, it is preferable to use a cerium ion radical, and it is preferable that the guar gum or xanthan gum has as high a purity as possible.

本発明に係るウェハーのファイン研磨用組成物中の上記
のアクリルアミドをグラフト重合させた多糖類高分子化
合物の含有量は、通常1 ppm以上で適用され、特に
10ppm〜1000p、論が好ましい。含有量がこれ
らの範囲内にある研磨用組成物を用いてウェハーを研磨
するときには、研磨布とウェハー表面との間で滑り方向
にきれいな層流が形成され、ウェハー表面を一層平滑に
することができるが、含有量がIPI)−未満のものを
使用するときには、上記の層流が形成されにくく、また
、1000pp+sを超えると、かえって乱流が形成さ
れる恐れがあるので、好ましくない。
The content of the polysaccharide polymer compound graft-polymerized with acrylamide in the composition for fine polishing of wafers according to the present invention is usually applied at 1 ppm or more, particularly preferably from 10 ppm to 1000 ppm. When polishing a wafer using a polishing composition with a content within these ranges, a clean laminar flow is formed in the sliding direction between the polishing cloth and the wafer surface, making the wafer surface even smoother. However, if the content is less than IPI), it is difficult to form the laminar flow, and if it exceeds 1000 pp+s, turbulent flow may be formed, which is not preferable.

本発明に係るウェハーのファイン研磨用組成物はアルカ
リ性化合物によってpH8〜12、好ましくはpH9〜
10に調整して、シリカゾルを安定に保つことが必要で
ある。
The fine polishing composition for wafers according to the present invention has a pH of 8 to 12, preferably 9 to 12, depending on the alkaline compound.
10 to keep the silica sol stable.

アルカリ性化合物としては、アルカリ金属、アミン類ま
たはアンモニアを使用することができるが特に、塩基性
の高いアミン例えばジメチルアミンを用いるのが好まし
い。
As the alkaline compound, alkali metals, amines or ammonia can be used, but it is particularly preferred to use highly basic amines such as dimethylamine.

「発明の効果」 本発明は、次のように特別に顕著な効果を奏するのでそ
の産業上の利用価値は極めて大である。
"Effects of the Invention" The present invention has the following particularly remarkable effects, and therefore has extremely great industrial utility value.

(1)本発明に係るファイン研磨用組成物を用いてウェ
ハーを研磨するときには、スラリー状の組成物中のアク
リルアミドをグラフト重合させた多糖類高分子化合物が
ドラッグリグクシタン効果を高め、研磨布とウェハーの
間で層流を形成させ、乱流の発生を抑制する。従って、
研磨されたウェハーの表面は、微分干渉型顕微鏡で観察
しても凹凸が認められない平滑な研磨面が得られる。
(1) When polishing a wafer using the fine polishing composition according to the present invention, the polysaccharide polymer compound in which acrylamide is graft-polymerized in the slurry composition enhances the drug ligoxitan effect, and A laminar flow is formed between the wafer and the wafer, suppressing the occurrence of turbulent flow. Therefore,
The surface of the polished wafer is a smooth polished surface with no unevenness observed even when observed with a differential interference microscope.

(2) 本発明に係るファイン研磨用組成物中のアクリ
ルアミドをグラフト重合させた多糖類高分子化合物は、
微生物による生化学的分解に対して高い耐性を有するの
で、有効な研磨剤として長期間にわたって安定貯蔵が可
能である。
(2) The polysaccharide polymer compound graft-polymerized with acrylamide in the fine polishing composition according to the present invention is
Since it has high resistance to biochemical decomposition by microorganisms, it can be stored stably for a long period of time as an effective abrasive.

「実施例」 次に本発明を、実施例および比較例によって、更に具体
的に説明するが本発明はその要旨を超えない限り、以下
の例に制約されるものではない。
"Examples" Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist thereof.

実施例1 (1) アクリルアミドをグラフトさせたグアガムの製
造 高分子量グアガム(三品(株)社製、商品名メイプロド
ール120)を水に溶解させて0.5%水溶液とした。
Example 1 (1) Production of guar gum grafted with acrylamide High molecular weight guar gum (manufactured by Sanshin Co., Ltd., trade name Mayprodol 120) was dissolved in water to prepare a 0.5% aqueous solution.

これを濾過法およびアルコール溶出法によって精製した
。この精製法は次の手順通りとした、まずポアサイズ1
〜10μのメツシュフィルタを用い、濾過によってグア
ガム水溶液中の粗大不純物を除去した。グアガムはアル
コールに溶けないので、グアガム水溶液をアルコールに
注ぎ、アルコール溶出物を溶出させ、沈澱物を回収した
This was purified by filtration and alcohol elution. This purification method was carried out as follows. First, the pore size was 1.
Coarse impurities in the guar gum aqueous solution were removed by filtration using a ~10μ mesh filter. Since guar gum is not soluble in alcohol, the guar gum aqueous solution was poured into alcohol, the alcohol eluate was eluted, and the precipitate was collected.

この沈澱物を、乾燥させた後、再・び水に溶解させて所
定濃度、本例においては1重量%のグアガム水溶液を得
た。
This precipitate was dried and then dissolved in water again to obtain a guar gum aqueous solution of a predetermined concentration, in this example 1% by weight.

得られた1重量%水溶液11にアクリルアミド0.5モ
ルを加え、窒素を泡出させながら、撹拌し、これに重合
開始剤として硝酸セリウム7ンキニウムを0.3ミリモ
ルを加え、更に撹拌しながら、室温で24時間反応させ
、アクリルアミドをグラフトさせたグアガムを得た。
Add 0.5 mol of acrylamide to the obtained 1% by weight aqueous solution 11, stir while bubbling nitrogen, add 0.3 mmol of cerium 7-quinium nitrate as a polymerization initiator, and further stir, The reaction was carried out at room temperature for 24 hours to obtain guar gum grafted with acrylamide.

グラフト反応は、重合開始剤液を10ミリモル程度の過
剰に加え、空気雰囲気下、反応させることもできるし、
撹拌時間を1時間程度とし、後静置しておくことにより
反応させることもできる。
The graft reaction can also be carried out by adding an excess of about 10 mmol of the polymerization initiator liquid and reacting in an air atmosphere.
The reaction can also be carried out by stirring for about 1 hour and then leaving it to stand.

(2) 研磨用組成物の調製 上記(1)に記載の方法で得られたアクリルアミドをグ
ラフトさせたグアガムの1%水溶液を、グアがム換算で
200 ppTa、平均粒径が70ミリミクロン、シリ
カを2重量%含有するコロイダルシリカの水溶液に添加
した。得られた水溶液にジメチルアミンを0.6重量%
添加してDHを9〜10の間にii!l!l、ウェハー
のファイン研磨用組成物を得た。
(2) Preparation of polishing composition A 1% aqueous solution of guar gum grafted with acrylamide obtained by the method described in (1) above was mixed with 200 ppTa in terms of guar gum, an average particle size of 70 millimicrons, and silica. was added to an aqueous solution of colloidal silica containing 2% by weight. 0.6% by weight of dimethylamine was added to the resulting aqueous solution.
Add DH to between 9 and 10 ii! l! 1. A composition for fine polishing of wafers was obtained.

(3)研磨用組成物の艮期貯薫試験 」−記(2)で得られた研磨用組成物を室温で保存し、
定期的にこの組成物を穴の直径0 、5 m+++S氏
さ50cmの棒状キャピラリー中を4kg/c論2の圧
力で流し、キャピラリーの入口と出口で圧力を測定し、
圧力損が水に較べて414以上になる時期を観察した。
(3) Storage period storage test of polishing composition” - Store the polishing composition obtained in (2) at room temperature,
Periodically, this composition was flowed through a rod-shaped capillary with a hole diameter of 0,5 m+++S and 50 cm at a pressure of 4 kg/c2, and the pressure was measured at the inlet and outlet of the capillary.
We observed the time when the pressure drop was 414 or more compared to water.

結果をtItJ1表に示す。The results are shown in table tItJ1.

(4) ウェハーのファイン研磨試験 スピード77ム製研磨8!5PAW36を使用し、柔か
めのスウェドタイプの研磨布を用いて、上記研磨用組成
物を1分間当り11の割合で供給しながら、シリコンウ
ェハーを研磨した。この際の研磨圧力は100kg/c
m”、ウェハーと研磨布の相対速度を1 m/ see
とし、研磨中の研磨布の温度は40℃とした。
(4) Wafer fine polishing test Using Speed 77M Polishing 8!5 PAW36 and a soft suede type polishing cloth, the silicon wafer was polished while supplying the above polishing composition at a rate of 11 per minute. Polished. The polishing pressure at this time is 100kg/c
m”, the relative speed of the wafer and polishing cloth is 1 m/see
The temperature of the polishing cloth during polishing was 40°C.

研磨機による研磨でウェハー面上シ まで(平滑になったかどうかは、研磨途中に微分干渉型
顕微鏡でi察)の時間を測定した。その結果を、第1表
に示す。
The time required for the wafer to reach the top surface by polishing with a polishing machine was measured (to check whether the wafer was smooth or not, use a differential interference microscope during polishing). The results are shown in Table 1.

研!M機による研磨後、上記研磨用組成物の代りに水を
流しながらリンス研磨し、ウェハー面上のシリカ、多糖
類高分子を除去した。リンス研磨に要した時間(リンス
研磨終了時点は、ウェハー面を微分干渉型顕微鏡で観察
して決定)を測定した。。
Ken! After polishing with the M machine, rinsing was performed while running water instead of the polishing composition described above to remove silica and polysaccharide polymers on the wafer surface. The time required for rinsing polishing (the time point at which rinsing polishing was completed was determined by observing the wafer surface with a differential interference microscope) was measured. .

結果を、第1表に示す。The results are shown in Table 1.

実施例2 (1) アクリルアミドをグラフトしたキサンタンガム
の!!造 高分子景のキサンタンガム(三品(株)社製、商品名ケ
ルザンF)を水に溶解させて0.5%水溶液とした。
Example 2 (1) Xanthan gum grafted with acrylamide! ! Xanthan gum (manufactured by Sanshin Co., Ltd., trade name: Kelzan F), a synthetic polymer, was dissolved in water to form a 0.5% aqueous solution.

これを実施例1(1)に記載したと同様の手順で精製し
、同様の手順でアクリルアミドをグラフトさせ、アクリ
ルアミドをグラフトしたキサンタンガムを製造した。
This was purified in the same manner as described in Example 1 (1), and acrylamide was grafted in the same manner to produce acrylamide-grafted xanthan gum.

(2)研磨用組成物の調製 上記(1)で得られたアクリルアミドをグラフトしたキ
サンタンガムの1%水溶液を、キサンタンガム換算で2
00 ppm、平均粒径が70ミリミクロンのシリカを
2重量%含有するコロイダルシリカの水溶液に添加した
。得られた水溶液にツメチルアミンを0.6重量%添加
してpt−iを9〜10の間に調製し、ウェハーのファ
イン研磨用組成物を得た。
(2) Preparation of polishing composition A 1% aqueous solution of xanthan gum grafted with acrylamide obtained in (1) above was added to
00 ppm and an average particle size of 70 millimicrons was added to an aqueous solution of colloidal silica containing 2% by weight of silica. 0.6% by weight of trimethylamine was added to the resulting aqueous solution to prepare a pt-i between 9 and 10 to obtain a composition for fine polishing of wafers.

(3)研磨用組成物の長期貯蔵試験 実施例1(3)におけると同様の手順で評価した。(3) Long-term storage test of polishing composition Evaluation was performed using the same procedure as in Example 1 (3).

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(4) ウェハーのファイン研磨試験 実施例1(4)におけると同様の手順で試験した。(4) Wafer fine polishing test The test was carried out in the same manner as in Example 1 (4).

結果を、第1表に示す。The results are shown in Table 1.

比較例1 (1)研磨用組成物の固装 実施例1(2)に記載の例において、アクリルアミドを
グラフトさせたグアガムに代えて、同側(1)に記載の
方法で精製したグアガム(三島(株)社製、メイプロド
ール120)を使用したほかは、同側におけると同様の
手順で研磨用組成物を調製した。
Comparative Example 1 (1) Fixation of polishing composition In the example described in Example 1 (2), guar gum purified by the method described in (1) on the same side (Mishima) was used instead of the guar gum grafted with acrylamide. A polishing composition was prepared in the same manner as on the same side, except that Mayprodol 120 (manufactured by Co., Ltd.) was used.

(2)研磨用組成物の長期貯蔵試験 実施例1(3)におけると同様の手順で評価した。(2) Long-term storage test of polishing composition Evaluation was performed using the same procedure as in Example 1 (3).

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(3) ウェハーのファイン研磨試験 実施例1(4)におけると同様の手順で評価した。(3) Wafer fine polishing test Evaluation was performed using the same procedure as in Example 1 (4).

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

比較例2 (1) 研磨用組成物の調製 実施例2(2)に記載した例において、アクリルアミド
をグラフトさせたキサンタンガム1こ代えて、同側(1
)に記載の方法で精製したキサンタンガム(三島(株)
社製、ケルザンF)を使用したほかは、同側におけると
同様の手順で研磨用組成物を調製した。
Comparative Example 2 (1) Preparation of polishing composition In the example described in Example 2 (2), 1 xanthan gum grafted with acrylamide was replaced with 1 xanthan gum on the same side (1
) xanthan gum (Mishima Co., Ltd.) purified by the method described in
A polishing composition was prepared in the same manner as on the same side, except that KELZAN F) (manufactured by Co., Ltd.) was used.

(2)研磨用組成物の長期貯蔵試験 実施例1(3)におけると同様の手順で評価した。(2) Long-term storage test of polishing composition Evaluation was performed using the same procedure as in Example 1 (3).

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(3) ウェハーの71イン研磨試験 実施例1(4)におけると同様の手順で評価した。(3) Wafer 71-in polishing test Evaluation was performed using the same procedure as in Example 1 (4).

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

第1表 fjS1表より、次のことが明らかとなる。Table 1 From the fjS1 table, the following becomes clear.

1、本発明に係る研磨用組成物は、長期間貯蔵してもド
ラッグリグクジシン効果な失なわず、貯蔵安定性に優れ
ている。
1. The polishing composition according to the present invention does not lose its drug effect even after long-term storage, and has excellent storage stability.

2、本発明に係る研磨用組成物によって研磨するときは
、ファイン研磨時間が短く、かつ、リンス研磨時間も短
く、研磨剤として好適である。
2. When polishing with the polishing composition according to the present invention, the fine polishing time is short and the rinsing polishing time is also short, making it suitable as a polishing agent.

3、これに対して、比較例の研磨用組成物は、短期間の
貯蔵でドラッグリグクノヨン効果を失ない、貯蔵安定性
に劣る。
3. On the other hand, the polishing composition of the comparative example does not lose its drag-grip effect even after being stored for a short period of time, and has poor storage stability.

4、また、比較例の研磨用組成物によって研磨するとき
は、実施例のものに較べてファイン研磨時間、リンス研
磨時間ともに長い。
4. When polishing with the polishing composition of the comparative example, both the fine polishing time and the rinse polishing time are longer than those of the example.

出願人 三菱モンサント化成株式会社Applicant: Mitsubishi Monsanto Chemicals Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)水、粒状アモルファスシリカおよびアクリルアミ
ドをグラフト重合させた多糖類高分子化合物を含有し、
かつ、アルカリ性物質によってpH8〜12に調整され
てなることを特徴とするウェハーのファイン研磨用組成
物。
(1) Contains a polysaccharide polymer compound obtained by graft polymerization of water, granular amorphous silica, and acrylamide,
A composition for fine polishing of wafers, the composition being adjusted to pH 8 to 12 with an alkaline substance.
(2)粒状アモルファスシリカの平均粒径が、5ミリミ
クロンないし10ミクロンの範囲のものであることを特
徴とする、特許請求の範囲(1)に記載のウェハーのフ
ァイン研磨用組成物。
(2) The composition for fine polishing of wafers according to claim (1), wherein the average particle size of the granular amorphous silica is in the range of 5 mm to 10 microns.
(3)粒状アモルファスシリカの含有率が、0.1重量
%以上であり、また、アクリルアミドをグラフト重合さ
せた多糖類高分子化合物の含有量が、1ppm以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲(1)に記載のウェ
ハーのファイン研磨用組成物。
(3) A patent claim characterized in that the content of granular amorphous silica is 0.1% by weight or more, and the content of a polysaccharide polymer compound obtained by graft polymerization of acrylamide is 1 ppm or more. A composition for fine polishing of wafers according to range (1).
(4)多糖類高分子化合物が水に可溶性のグアガム、キ
サンタンガムから選ばれた1種類以上であることを特徴
とする特許請求の範囲(1)に記載のウェハーのファイ
ン研磨用組成物。
(4) The composition for fine polishing of wafers according to claim (1), wherein the polysaccharide polymer compound is one or more types selected from water-soluble guar gum and xanthan gum.
(5)アルカリ性化合物がアルカリ金属、アミン類また
はアンモニアであることを特徴とする特許請求の範囲(
1)に記載のウェハーのファイン研磨用組成物。
(5) Claims characterized in that the alkaline compound is an alkali metal, amines, or ammonia (
The composition for fine polishing of wafers according to item 1).
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KR1019880017853A KR0130900B1 (en) 1987-12-29 1988-12-29 Micropolishing Composition of Wafers
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278981A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Fujimi Inc Abrasive for single crystal surface and polishing method

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