JPH01177016A - 強誘電性液晶シャッタ - Google Patents
強誘電性液晶シャッタInfo
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- JPH01177016A JPH01177016A JP62335192A JP33519287A JPH01177016A JP H01177016 A JPH01177016 A JP H01177016A JP 62335192 A JP62335192 A JP 62335192A JP 33519287 A JP33519287 A JP 33519287A JP H01177016 A JPH01177016 A JP H01177016A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は３次元立体テレビ用シャッタや周波数変調の
できるストロボなどに利用される強誘電性液晶シャッタ
に関する。
できるストロボなどに利用される強誘電性液晶シャッタ
に関する。
（ロ）従来の技術
ネマティック液晶を用いた液晶ンヤッタでは、通常数１
０ｍ５ｅｃの応答速度であり、２７０°ツイストにより
立ち下がり時間を改善したり２周波駆動法ヲ用いて１
ｍ５ｅｃ程度の応答速度としたものが知られている。し
かしながら、さらに速い応答時間を求めるためには、１
９８０年Ｃ１ａｒｋやＬａｇｅｒｗａｌｌによって提案
された強誘電性液晶を用いるのが適しているヶ強誘電性
液晶としては、一般にスメクチック０本相の液晶を用い
、その応答速度は常温ですでに数ｌＯμＳｅＣの応答特
性が得られている。Ｃ１ａｒｋらによって提案されたこ
の強誘電性液晶は、ラセン構造をもつスメクチックＣ相
で、液晶を封入しであるセルのセル厚を非常に薄くして
いくと、ラセン構造が消失し、光軸の異なる２つのドメ
インのみになる。また強誘電性液晶の液晶分子は自発分
極を持っており、直流パルスを印加することで、２つの
光軸を持ったドメイン間をスイッチングさせることがで
き、さらに、スイッチングパルス印加後型圧を切っても
その状態を保持するといったメモリ効果かあり、これら
の特性を生かして液晶シャッタや大容量表示などへの利
用が考えられている。
０ｍ５ｅｃの応答速度であり、２７０°ツイストにより
立ち下がり時間を改善したり２周波駆動法ヲ用いて１
ｍ５ｅｃ程度の応答速度としたものが知られている。し
かしながら、さらに速い応答時間を求めるためには、１
９８０年Ｃ１ａｒｋやＬａｇｅｒｗａｌｌによって提案
された強誘電性液晶を用いるのが適しているヶ強誘電性
液晶としては、一般にスメクチック０本相の液晶を用い
、その応答速度は常温ですでに数ｌＯμＳｅＣの応答特
性が得られている。Ｃ１ａｒｋらによって提案されたこ
の強誘電性液晶は、ラセン構造をもつスメクチックＣ相
で、液晶を封入しであるセルのセル厚を非常に薄くして
いくと、ラセン構造が消失し、光軸の異なる２つのドメ
インのみになる。また強誘電性液晶の液晶分子は自発分
極を持っており、直流パルスを印加することで、２つの
光軸を持ったドメイン間をスイッチングさせることがで
き、さらに、スイッチングパルス印加後型圧を切っても
その状態を保持するといったメモリ効果かあり、これら
の特性を生かして液晶シャッタや大容量表示などへの利
用が考えられている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、強誘電性液晶を用いた液晶シャッタにお
いては、セル内に自発分極のためにＵｐ。
いては、セル内に自発分極のためにＵｐ。
Ｄｏｗｎの２状態を有する液晶分子が混在するため光軸
が２つ存在することがある。一般には電界印加により光
軸をＵｐあるいはＤｏｗｎのどちらかに揃えることがで
きるのだが、配向欠陥であるジグザグ状のディスクリネ
ーションがあると、そのディスクリネーションを境とし
て、ｕｐ状態でより安定なドメインと、Ｄｏｗｎ状態で
より安定なドメインが現われ、セルの光軸が一つに揃わ
なくなった。
が２つ存在することがある。一般には電界印加により光
軸をＵｐあるいはＤｏｗｎのどちらかに揃えることがで
きるのだが、配向欠陥であるジグザグ状のディスクリネ
ーションがあると、そのディスクリネーションを境とし
て、ｕｐ状態でより安定なドメインと、Ｄｏｗｎ状態で
より安定なドメインが現われ、セルの光軸が一つに揃わ
なくなった。
また駆動方法としては、一般にＯＮ・ＯＦＦの一定のく
り返しのみの液晶シャッタの場合、矩形波を印加すれば
よいのだが、この波形の場合スイッチングした後にも引
き続き余分の高電圧ＤＣが加わるため、セルの信頼性が
著しく低下した。これは、配向の乱れとなって現われる
。またメモリ波形を用いて駆動さ仕ると一般にラビング
などを施して作ったセルは、ツイスト状態をとったり、
メモリ間の光軸の角度が液晶の持つチルト角はど動かな
かったりして、高いコントラストが得られない。そこで
スイッチングパルス後に光軸を維持させろための直流バ
イアスを加えることによりメモリ間の光軸を広げ、高い
コントラストを得ることのできる駆動方法が提案された
。しかしながらセルを構成する２枚のガラス基板に設け
られる配向膜を上下同質の配向膜て、かつラビング処理
をした場合、セルの光軸はＵｐとＤｏｗｎでラビング軸
に対してほぼ対称に位置し、上記駆動電圧でスイッチン
グさせた場合、光軸を維持させるための直流バイアス値
の変化に伴い、セルの２つの光軸が変化してしまう欠点
があった。この２つの光軸の変化は、偏光板の設定を非
常に困難にするとともに、安定した高コントラストが得
られなかった。
り返しのみの液晶シャッタの場合、矩形波を印加すれば
よいのだが、この波形の場合スイッチングした後にも引
き続き余分の高電圧ＤＣが加わるため、セルの信頼性が
著しく低下した。これは、配向の乱れとなって現われる
。またメモリ波形を用いて駆動さ仕ると一般にラビング
などを施して作ったセルは、ツイスト状態をとったり、
メモリ間の光軸の角度が液晶の持つチルト角はど動かな
かったりして、高いコントラストが得られない。そこで
スイッチングパルス後に光軸を維持させろための直流バ
イアスを加えることによりメモリ間の光軸を広げ、高い
コントラストを得ることのできる駆動方法が提案された
。しかしながらセルを構成する２枚のガラス基板に設け
られる配向膜を上下同質の配向膜て、かつラビング処理
をした場合、セルの光軸はＵｐとＤｏｗｎでラビング軸
に対してほぼ対称に位置し、上記駆動電圧でスイッチン
グさせた場合、光軸を維持させるための直流バイアス値
の変化に伴い、セルの２つの光軸が変化してしまう欠点
があった。この２つの光軸の変化は、偏光板の設定を非
常に困難にするとともに、安定した高コントラストが得
られなかった。
この発明は上記の事情を考慮してなされたもので、液晶
分子の光軸を一方向に揃えることが可能で、高いコント
ラスト比が得られる強誘電性液晶シャッタを提供しよう
とするものである。
分子の光軸を一方向に揃えることが可能で、高いコント
ラスト比が得られる強誘電性液晶シャッタを提供しよう
とするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
この発明の構成は、一方の表面に透明電極と配向膜とを
この順に積層してなる透光性基板２枚を、配向膜を対向
させて配置して強誘電性液晶を挟持する構造を有する強
誘電性液晶シャッタにおいて、一方の透光性基板の配向
膜と他方の透光性基板の配向膜とがそれぞれ強誘電性液
晶との接触によって生ずる極性を相互に異にする高分子
膜にて形成されたことを特徴とする強誘電性液晶シャッ
タである。
この順に積層してなる透光性基板２枚を、配向膜を対向
させて配置して強誘電性液晶を挟持する構造を有する強
誘電性液晶シャッタにおいて、一方の透光性基板の配向
膜と他方の透光性基板の配向膜とがそれぞれ強誘電性液
晶との接触によって生ずる極性を相互に異にする高分子
膜にて形成されたことを特徴とする強誘電性液晶シャッ
タである。
高分子膜としては、一方がベンゼン環を多数有しπ電子
か多数存在する芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、
ポリエステル、フェノール系樹脂など、他方がアルキル
鎖を多数有する脂肪族ポリアミド、ポリエチレン、セル
ロースアセテート、脂肪族ポリイミドなどがそれぞれ好
適である。
か多数存在する芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、
ポリエステル、フェノール系樹脂など、他方がアルキル
鎖を多数有する脂肪族ポリアミド、ポリエチレン、セル
ロースアセテート、脂肪族ポリイミドなどがそれぞれ好
適である。
（ホ）作用
極性の異なる高分子の配向膜は、強誘電性液晶の液晶分
子内の自発分極に作用し、液晶分子の向きを一方向に揃
える。
子内の自発分極に作用し、液晶分子の向きを一方向に揃
える。
（へ）実施例
以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
は以下の実施例に限定されるものではない。
は以下の実施例に限定されるものではない。
第１図において、■は透光性基板で、例えばフロートガ
ラスなどのガラス基板の一方の表面に、ＩＴＯ膜からな
る透明電極２を形成し、その上に５ｉＯｚなどの電極保
護膜３を介して配向膜４を積層形成させである。この透
光性基板ｌを２枚、配向膜４を対向させて上下に配置し
、スペーサ５を介してエポキシ樹脂６にて貼り合せてセ
ルフを形成する。その後真空注入法により、強誘電性液
晶８をセルフ内に注入した後、注入口（図示しない）を
封止する。強誘電性液晶８としては、カイラルスメクチ
ックＣ（ＳｍＣ’）相を示す材料を用いればよい。
ラスなどのガラス基板の一方の表面に、ＩＴＯ膜からな
る透明電極２を形成し、その上に５ｉＯｚなどの電極保
護膜３を介して配向膜４を積層形成させである。この透
光性基板ｌを２枚、配向膜４を対向させて上下に配置し
、スペーサ５を介してエポキシ樹脂６にて貼り合せてセ
ルフを形成する。その後真空注入法により、強誘電性液
晶８をセルフ内に注入した後、注入口（図示しない）を
封止する。強誘電性液晶８としては、カイラルスメクチ
ックＣ（ＳｍＣ’）相を示す材料を用いればよい。
配向膜４は、上下の透光性基板１．１でパラレルまたは
アンチパラレル方向にラビング処理が施しである。また
配向膜４は、強誘電性液晶８との接触により生ずる接触
電位である極性が上下の透光性基板１．１で相互に異な
る高分子膜、たとえばＬ Ｑ １８００ （商品名、日
立化成工業（昧）製）とナイロン６・６．ＪＲｌｏｏＳ
（商品名、日東電工（株）製）とポリビニルアルコール
あるいはＪＩＢ（商５品名、日本合成ゴム（株）製）膜
を１７０℃と３００℃にて焼成したものなどの組み合わ
せによるものである。
アンチパラレル方向にラビング処理が施しである。また
配向膜４は、強誘電性液晶８との接触により生ずる接触
電位である極性が上下の透光性基板１．１で相互に異な
る高分子膜、たとえばＬ Ｑ １８００ （商品名、日
立化成工業（昧）製）とナイロン６・６．ＪＲｌｏｏＳ
（商品名、日東電工（株）製）とポリビニルアルコール
あるいはＪＩＢ（商５品名、日本合成ゴム（株）製）膜
を１７０℃と３００℃にて焼成したものなどの組み合わ
せによるものである。
以上において、それぞれの配向膜４，４の極性が異なり
したがってその極性の差が大きくなり、強誘電性液晶８
の液晶分子内にある自発分極に作用して、第２図に示す
ように、液晶分子８ａがほぼ一定方向に揃い、液晶分子
８ａの長袖である光軸９か一方向となる。これによって
液晶分子８ａは電界印加後その電界を収りさってもより
安定な光軸９方向に戻るというメモリ効果における片安
定な特徴を呈するものである。
したがってその極性の差が大きくなり、強誘電性液晶８
の液晶分子内にある自発分極に作用して、第２図に示す
ように、液晶分子８ａがほぼ一定方向に揃い、液晶分子
８ａの長袖である光軸９か一方向となる。これによって
液晶分子８ａは電界印加後その電界を収りさってもより
安定な光軸９方向に戻るというメモリ効果における片安
定な特徴を呈するものである。
つぎにこの実施例の動作について第３〜６図を交えて説
明する。
明する。
第１図に示す強誘電性液晶の注入されｆニセル７のたと
えば上面に、第３図に示すように、液晶分子８＋ｌＬの
光軸９と略平行に吸収軸Ｐｏｌをセットした偏光板を設
け、この偏光板の吸収軸Ｐｏｌと垂直に吸収軸Ａｎａを
セットした偏光板をセルフの上面に設ける。この偏光板
の設定は黒レベルを安定にさせるものである。第４図は
上記設定のセルフの駆動時における光学特性と駆動電圧
波形との関係を示すグラフである。第４図により明らか
なように、たとえばｌ ｔａｓｅｃの負のスイッチング
パルスｐｓｗのあとの光軸９を維持するための例えば３
０ ｍ５ｅｃのＤＣバイアス■、の値をたとえばＶ工＝
０（Ｖ）、Ｖ区＝１（Ｖ）、Ｖ匹＝３ （Ｖ）と変化さ
せても、上記した片安定の特徴から透過光強度Ｌｌｌは
ほぼ０％であり、安定した黒レベルを保つしのである。
えば上面に、第３図に示すように、液晶分子８＋ｌＬの
光軸９と略平行に吸収軸Ｐｏｌをセットした偏光板を設
け、この偏光板の吸収軸Ｐｏｌと垂直に吸収軸Ａｎａを
セットした偏光板をセルフの上面に設ける。この偏光板
の設定は黒レベルを安定にさせるものである。第４図は
上記設定のセルフの駆動時における光学特性と駆動電圧
波形との関係を示すグラフである。第４図により明らか
なように、たとえばｌ ｔａｓｅｃの負のスイッチング
パルスｐｓｗのあとの光軸９を維持するための例えば３
０ ｍ５ｅｃのＤＣバイアス■、の値をたとえばＶ工＝
０（Ｖ）、Ｖ区＝１（Ｖ）、Ｖ匹＝３ （Ｖ）と変化さ
せても、上記した片安定の特徴から透過光強度Ｌｌｌは
ほぼ０％であり、安定した黒レベルを保つしのである。
またこれとは逆に、ＤＣＣバイアス■を正のスイッチン
グパルス＋Ｐｓｗのあと上記のように変化させると、透
過光強度しいはそれぞのＤＣバイアスＶＢに対応して同
図中ｒ、 ｎ、 ｎｒにて示す透過光強度に調整でき
るものである。この場合、得られたコントラスト比は５
００であった。
グパルス＋Ｐｓｗのあと上記のように変化させると、透
過光強度しいはそれぞのＤＣバイアスＶＢに対応して同
図中ｒ、 ｎ、 ｎｒにて示す透過光強度に調整でき
るものである。この場合、得られたコントラスト比は５
００であった。
つぎに白レベルを安定にさけるための偏光板の設定につ
いて説明する。この場合、第５図１こ示すように、一方
の偏光板の吸収軸Ｐｏｌを液晶分子８ａの光軸９から角
度θだけずらしてセットする。
いて説明する。この場合、第５図１こ示すように、一方
の偏光板の吸収軸Ｐｏｌを液晶分子８ａの光軸９から角
度θだけずらしてセットする。
また他方の偏光板の吸収軸Ａｎａは上記同様吸収軸Ｐｏ
ｌに対し垂直にセットする。角度θは２０゜〜４５°の
範囲であればよく、この角度θが４５°に設定された場
合膜も明るい白レベルとなる。
ｌに対し垂直にセットする。角度θは２０゜〜４５°の
範囲であればよく、この角度θが４５°に設定された場
合膜も明るい白レベルとなる。
第６図は、チルト角１９°で一方の偏光板の設定を角度
θが３０°となるように設定した場合の第４図相当図で
ある。第６図から明らかなように、負のスイッチングパ
ルス−Ｐ５いのあとのＤＣバイアスＶＢの値を第４図の
場合と同様Ｖｒ−０（Ｖ）、 Ｖｒ ＝ ｌ （Ｖ）
、 Ｖｉ＝３ （Ｖ）と変化させても透過光強度Ｌｗは
一定値となり、白レベルは安定したものとなる。またこ
れとは逆に、ＤＣバイアスＶａを正スイッチングパルス
＋Ｐｓｗのあとに上記同条に変化させると、透過光強度
Ｌ６はそれぞれの電圧Ｖｒ、Ｖｒ、Ｖμに対応して同図
中ＩＶ、 Ｖ。
θが３０°となるように設定した場合の第４図相当図で
ある。第６図から明らかなように、負のスイッチングパ
ルス−Ｐ５いのあとのＤＣバイアスＶＢの値を第４図の
場合と同様Ｖｒ−０（Ｖ）、 Ｖｒ ＝ ｌ （Ｖ）
、 Ｖｉ＝３ （Ｖ）と変化させても透過光強度Ｌｗは
一定値となり、白レベルは安定したものとなる。またこ
れとは逆に、ＤＣバイアスＶａを正スイッチングパルス
＋Ｐｓｗのあとに上記同条に変化させると、透過光強度
Ｌ６はそれぞれの電圧Ｖｒ、Ｖｒ、Ｖμに対応して同図
中ＩＶ、 Ｖ。
■にて示す透過光強度に調整できるものである。
（ト）発明の効果
この発明によれば、強誘電性液晶の液晶分子の光軸を一
方向に揃えることが可能で、かつその揃えられた光軸が
駆動電圧のスイッチングパルスに続く光軸維持のための
ＤＣバイアスでほとんど動かないものとなるため、この
先軸方向をもとに偏光板の設定が簡単にできるようにな
ったとともに、コントラスト比を向上さ什ることができ
る強誘電性液晶シャッタが得られる。
方向に揃えることが可能で、かつその揃えられた光軸が
駆動電圧のスイッチングパルスに続く光軸維持のための
ＤＣバイアスでほとんど動かないものとなるため、この
先軸方向をもとに偏光板の設定が簡単にできるようにな
ったとともに、コントラスト比を向上さ什ることができ
る強誘電性液晶シャッタが得られる。
第１図はこの発明の実施例の構成を示す縦断面図、第２
図は実施例における強誘電性液晶の液晶分子の配向状聾
を示す模式図、第３図は黒レベルを安定とする偏光板設
定の場合の液晶分子の配向と偏光板の吸収軸との関係を
示す図、第４図は第３図の偏光板設定における動作の駆
動電圧波形と透過光強度との関係を示すグラフ、第５図
および第６図はそれぞれ白レベルを安定とする偏光設定
の場合の第３図および第４図相当図である。 ■・・・・・・透光性基板、２・・・・・透明電極、４
・・・・・・配向膜、 ８・・・・・強誘電性液晶
。 ”’ｊ ’、”１５ 値 １ 図 戸 ２ 図 傳 ３ 図 Ｌｗ 情４図
図は実施例における強誘電性液晶の液晶分子の配向状聾
を示す模式図、第３図は黒レベルを安定とする偏光板設
定の場合の液晶分子の配向と偏光板の吸収軸との関係を
示す図、第４図は第３図の偏光板設定における動作の駆
動電圧波形と透過光強度との関係を示すグラフ、第５図
および第６図はそれぞれ白レベルを安定とする偏光設定
の場合の第３図および第４図相当図である。 ■・・・・・・透光性基板、２・・・・・透明電極、４
・・・・・・配向膜、 ８・・・・・強誘電性液晶
。 ”’ｊ ’、”１５ 値 １ 図 戸 ２ 図 傳 ３ 図 Ｌｗ 情４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一方の表面に透明電極と配向膜とをこの順に積層し
てなる透光性基板２枚を、配向膜を対向させて配置して
強誘電性液晶を挟持する構造を有する強誘電性液晶シャ
ッタにおいて、 一方の透光性基板の配向膜と他方の透光性基板の配向膜
とがそれぞれ強誘電性液晶との接触によって生ずる極性
を相互に異にする高分子膜にて形成されたことを特徴と
する強誘電性液晶シャッタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62335192A JPH01177016A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 強誘電性液晶シャッタ |
| EP88312366A EP0323231B1 (en) | 1987-12-28 | 1988-12-28 | Ferroelectric liquid crystal shutter |
| DE3888661T DE3888661T2 (de) | 1987-12-28 | 1988-12-28 | Verschluss mit einem ferroelektrischen Flüssigkristall. |
| US07/291,224 US5029987A (en) | 1987-12-28 | 1988-12-28 | Ferroelectric liquid crystal shutter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62335192A JPH01177016A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 強誘電性液晶シャッタ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8190784A Division JP2665331B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 強誘電性液晶表示素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177016A true JPH01177016A (ja) | 1989-07-13 |
Family
ID=18285788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62335192A Pending JPH01177016A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 強誘電性液晶シャッタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5029987A (ja) |
| EP (1) | EP0323231B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01177016A (ja) |
| DE (1) | DE3888661T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177819A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-01 | Casio Comput Co Ltd | 液晶素子 |
| JP2982330B2 (ja) * | 1990-04-28 | 1999-11-22 | ソニー株式会社 | 液晶表示素子 |
| GB9108382D0 (en) * | 1991-04-19 | 1991-06-05 | Philips Electronic Associated | Opto-electronic memory system |
| JPH0534697A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-12 | Canon Inc | 強誘電性液晶表示素子 |
| US5425115A (en) * | 1994-07-18 | 1995-06-13 | Martin Marietta Corporation | Polarization insensitive optical switch |
| JP3211933B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2001-09-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子の製造方法およびその製造装置 |
| US5933213A (en) * | 1995-09-26 | 1999-08-03 | Imation Corp. | Apparatus and method for imparting a succession of predetermined latent images on a strip of unexposed light sensitive film |
| US6011614A (en) * | 1996-04-19 | 2000-01-04 | Lindmark; Curt | Instrument and method for measuring a periodic motion |
| TW587185B (en) * | 1997-06-26 | 2004-05-11 | Du Pont | Multi-domain STN LCD comprising fluorinated polyimide alignment layers |
| US7196320B1 (en) | 2005-03-14 | 2007-03-27 | Robert Rickenbach | Fiber optic encoder for position sensing |
| FR2886418B1 (fr) * | 2005-05-25 | 2007-08-17 | Get Enst Bretagne Groupe Des E | Utilisation d'un materiau a base de cristal liquide afin de fabriquer un dispositif d'obturation electro-optique, dispositif et casque stroboscopique conformes a cette utilisation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198130A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | Chisso Corp | 液晶パネル |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4561726A (en) * | 1983-07-29 | 1985-12-31 | At&T Bell Laboratories | Alignment of ferroelectric LCDs |
| JPH0778810B2 (ja) * | 1983-11-18 | 1995-08-23 | 株式会社日立製作所 | 製造工程の信頼性分析システム |
| US4634228A (en) * | 1984-05-01 | 1987-01-06 | Hitachi, Ltd. | Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer |
| JPS61120119A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 液晶ライトバルブ |
| US4664480A (en) * | 1985-04-26 | 1987-05-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Alignment technique for liquid crystal devices |
| JP2558447B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1996-11-27 | セイコー電子工業株式会社 | 強誘電性液晶電気光学素子 |
| SE8504761D0 (sv) * | 1985-10-14 | 1985-10-14 | Sven Torbjorn Lagerwall | Improvements of ferroelectric liquid crystal devices |
| US4820026A (en) * | 1986-03-20 | 1989-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with modified polyvinyl alcohol alignment film |
| US4879059A (en) * | 1986-09-02 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| EP0266136A3 (en) * | 1986-10-28 | 1989-08-16 | Stc Plc | Ferroelectric liquid crystal cells |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62335192A patent/JPH01177016A/ja active Pending
-
1988
- 1988-12-28 EP EP88312366A patent/EP0323231B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-28 US US07/291,224 patent/US5029987A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-28 DE DE3888661T patent/DE3888661T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198130A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | Chisso Corp | 液晶パネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0323231B1 (en) | 1994-03-23 |
| US5029987A (en) | 1991-07-09 |
| EP0323231A1 (en) | 1989-07-05 |
| DE3888661T2 (de) | 1994-08-18 |
| DE3888661D1 (de) | 1994-04-28 |
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