JPH01154334A - magneto-optical recording medium - Google Patents
magneto-optical recording mediumInfo
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- JPH01154334A JPH01154334A JP62312970A JP31297087A JPH01154334A JP H01154334 A JPH01154334 A JP H01154334A JP 62312970 A JP62312970 A JP 62312970A JP 31297087 A JP31297087 A JP 31297087A JP H01154334 A JPH01154334 A JP H01154334A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
R里り辣生光!
本発明は、優れた耐酸化性を有する光磁気記録媒体に関
し、さらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有し、優れた耐酸化性を有する光磁気記録媒体に関する
。[Detailed Description of the Invention] R Satori Ikou! The present invention relates to a magneto-optical recording medium having excellent oxidation resistance, and more particularly to a magneto-optical recording medium having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the film surface and having excellent oxidation resistance.
明の技術的背景ならびにその問題点
鉄、コバルトなどの遷移金属と、デルビウム(Tb)、
ガドリニウム(Gd)などの希土類元素との合金からな
る非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは
逆向きの小ざな反転磁区を形成することができることが
知られている。Technical background of Ming and its problems Transition metals such as iron and cobalt, delbium (Tb),
An amorphous thin film made of an alloy with rare earth elements such as gadolinium (Gd) has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and a film surface that is entirely magnetized in one direction has an axis of easy magnetization that is opposite to this direction of magnetization. It is known that it is possible to form magnetic domains whose orientations are slightly reversed.
この反転磁区の有無を「1」、「O」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。By associating the presence or absence of this inverted magnetic domain with "1" and "O", it becomes possible to record digital signals in the amorphous thin film as described above.
このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭57−20691号公報に15〜30原子%のTb
を含むl’−b−Fe系合金非晶質薄膜が開示されてい
る。またTb−Feに第3の金属を添加してなる合金非
晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。ざら
にTb−Co系、Tb−Fe−Co系などの光磁気記録
媒体も知られている。For example, Japanese Patent Publication No. 57-20691 discloses an amorphous thin film made of a transition metal and a rare earth element used as such a magneto-optical recording medium.
An l'-b-Fe based alloy amorphous thin film containing the following is disclosed. Also, an alloy amorphous thin film made by adding a third metal to Tb-Fe is also used as a magneto-optical recording medium. In general, magneto-optical recording media such as Tb-Co and Tb-Fe-Co are also known.
これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大ぎな問題点があった。Magneto-optical recording media made of these alloy amorphous thin films have excellent recording and reproducing properties, but during use, these amorphous thin films undergo oxidation and their properties change over time. There were major practical problems.
このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第9巻、NO12、第93
〜96頁で検討されており、以下のような3つのタイプ
があることが報告されている。The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording media made of alloyed amorphous thin films containing transition metals and rare earth elements is as follows.
For example, Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Vol. 9, No. 12, No. 93.
It has been discussed on pages 96 to 96, and it has been reported that there are three types as shown below.
イ)孔食
孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味フるが、この腐食は、十として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばTb−Fc系、Hb−Co系などで著しく
進行する。b) Pitting corrosion Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in the amorphous thin film of the alloy, but this corrosion typically progresses in a high humidity atmosphere. It progresses markedly.
口)表面酸化
合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
kが経時的に変化し、ついにはカー回転角θkが減少し
てしまう。) A surface oxidation layer is formed on the amorphous thin film of the surface oxidation alloy, and the Kerr rotation angle θ
k changes over time, and the Kerr rotation angle θk eventually decreases.
ハ)希土類金属の選択酸化
合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Hcが経時的に大きく変化してしまう。c) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the alloy amorphous thin film is selectively oxidized, and the coercive force Hc changes significantly over time.
上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。In order to prevent the oxidative deterioration of alloy amorphous thin films as described above, various methods have been tried in the past.
たとえば、合金非晶質薄膜を、3i 3 N4、Si
O,Si 02 、AI Nなどの酸化防止保護膜でサ
ンドイッチしたような3層構造にする方法が検討されて
いる。ところがこの保占膜を形成しても必ずしも合金非
晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止することができない
という問題点があった。For example, an alloy amorphous thin film can be formed using 3i 3 N4, Si
A method of creating a three-layer structure sandwiched between oxidation-preventing protective films such as O, Si 02 , and AIN is being considered. However, even if this reservation film is formed, there is a problem in that it is not always possible to sufficiently prevent oxidative deterioration of the alloy amorphous thin film.
すなわちもし上記のような酸化防止保護膜にピンホール
などが存在すると、このピンホールから合金非晶質薄膜
の酸化劣化が進行してしまうことを防止することはでき
なかった。That is, if a pinhole or the like exists in the above-mentioned oxidation-preventing protective film, it is impossible to prevent the oxidative deterioration of the alloy amorphous thin film from progressing through the pinhole.
また、Tb−Fe系、Tb−C0系などの合金非晶質薄
膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第3
の金属を添加する方法が種々試みられている。In addition, in order to improve the oxidation resistance of the thin film, a third layer is added to the amorphous thin film of alloys such as Tb-Fe and Tb-C0.
Various methods of adding metals have been attempted.
たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、1’−b4
”eあるいはTb−Goに、Co、Ni5Pt。For example, in the above-mentioned Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, 1'-b4
``e or Tb-Go, Co, Ni5Pt.
AI 、 Or 、liなどの第3金屈を3.5原子%
までの口で添加することによって、l’−b−Fe系あ
るいはTb−Co系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を′向
上させる試みがなされている。モしてT b−F eあ
るいはTb−Coにco、Ni、ptを9圏添加した場
合には、表面酸化の防止および孔食の防止には有効であ
るが、この合金非晶質薄膜中の希土類金属であるTbの
選択酸化の防止には効果がないと報告されている。この
ことは、T b−F eあるいはTb−Coに9足のC
o、Ni、Ptを添加した場合には、得られる合金非晶
質薄膜では、Tbが選択酸化されてしまい、保磁力Hc
が経時的に大きく変化してしまうことを意味している。3.5 atomic% of tertiary metal oxides such as AI, Or, li, etc.
Attempts have been made to improve the oxidation resistance of l'-b-Fe-based or Tb-Co-based alloy amorphous thin films by adding 1'-b-Fe or Tb-Co alloys. Adding Co, Ni, and PT to Tb-Fe or Tb-Co is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion, but it is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion. It is reported that it is not effective in preventing selective oxidation of Tb, which is a rare earth metal. This means that T b - Fe or Tb - Co has 9 pairs of C.
When O, Ni, and Pt are added, Tb is selectively oxidized in the resulting alloy amorphous thin film, and the coercive force Hc
This means that it changes significantly over time.
したがっTTb−Fect5るいはTb−Coに3.5
原子%までの少】のCo、Ni、Ptを添加しても、得
られる合金非晶質薄膜の耐酸化性は充分には改善されて
いない。Therefore, TTb-Fect5 or 3.5 for Tb-Co
Even when small amounts of Co, Ni, and Pt are added, down to atomic percent, the oxidation resistance of the resulting alloy amorphous thin film is not sufficiently improved.
また第9回日本応用磁気学会学術講演概要集(1985
年11月)の第209頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、T b−F eあるいは
T b−F e−Coに、Pt、AI、Cr、Tiを1
0原子%までの最で添加してなる合金非晶質薄膜が教示
されている。ところがTb−FeあるいはTb−Fe−
Coに10原子%までの■のPt 、AI 、Cr 、
Tiを添り口しても、表面酸化および孔食はかなり効果
に防止でさるものの、1qられる合金非晶質薄膜中のT
bの選択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、やは
り時間の経過とともに保磁力1−1cが大きく変化し、
ついには保磁力Hcが大きく低下してしまうという問題
点は依然としてあった。Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2013), page 209 of the publication also states that Pt, AI, Cr, and Ti are added to T b-Fe or T b-Fe-Co for the purpose of improving the oxidation resistance of the alloy amorphous thin film. 1
Alloy amorphous thin films with additions of up to 0 atomic percent are taught. However, Tb-Fe or Tb-Fe-
■ Pt, AI, Cr, up to 10 atomic % in Co
Even if Ti is applied as a splint, surface oxidation and pitting corrosion can be prevented quite effectively.
The antioxidant property against selective oxidation of b is not sufficient, and the coercive force 1-1c changes greatly over time,
There still remained the problem that the coercive force Hc eventually decreased significantly.
さらにまた、特開昭58−7806号公報には、pt
Coなる組成を有し、ptが10〜30原子%の最で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。Furthermore, in Japanese Patent Application Laid-open No. 58-7806, pt.
A magnetic thin film material comprising a polycrystalline thin film having a composition of Co and containing at most 10 to 30 at. % of pt is disclosed.
ところがこのpt Coなる組成を有する多結品薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結品間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点がおった。However, since this polycrystalline thin film with the composition ptCo is polycrystalline, heat treatment such as annealing is required after film formation, and the grain boundaries between the crystals may generate noise signals. Furthermore, this polycrystalline thin film had the problem of a high Curie point.
このような問題点を解決するため、本発明者らは、Pt
および/またはPdの含有圏を15原子%以上のωで含
有する、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄
膜を提案した。この非晶質合金a膜は、優れた耐酸化性
を有するとともに、カー回転角が大きいなどの優れた光
磁気光学特性を有している。In order to solve such problems, the present inventors have developed Pt
We have proposed an amorphous alloy thin film containing Pd and/or Pd at ω of 15 atomic % or more and having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. This amorphous alloy a film has excellent oxidation resistance and excellent magneto-optical properties such as a large Kerr rotation angle.
発明の目的
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、保磁力が大きくかつカー回転角やファラデー
回転角が大きいなどの優れた光磁気光学特性を有し、し
かも耐酸化性に優れて、経時的に保磁力が変化したりあ
るいはカー回転角が変化することがないような光磁気記
録媒体を提供することを目的としている。Purpose of the Invention The present invention aims to solve the above-mentioned problems, and has excellent magneto-optical properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and a large Faraday rotation angle. The object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium that has excellent oxidation resistance and does not change its coercive force or Kerr rotation angle over time.
1肌り且ス
本発明に係る光磁気記録媒体は、透明基板上に、第1保
護膜と、光磁気記録膜と、第2保護膜とを、この順序で
順次積層してなり、
前記光磁気記録膜が、
(Ptおよび/またはPd)。1. The magneto-optical recording medium according to the present invention includes a first protective film, a magneto-optical recording film, and a second protective film, which are sequentially laminated in this order on a transparent substrate, and includes the following steps: The magnetic recording film is (Pt and/or Pd).
[RExTMl−x] 1−y
(式中、REはNd s Sm 、Pr 、Ce 、
Eu、Gd 、Tb 、 DyおよびHOからなる群か
ら選ばれた少なくとも1種の元素であり、TMはFeお
よび/またはCOでめり、0.2<x<0.7.0.0
4<y<0.10である)で表わされる膜面に垂直な磁
化容易軸を有する非晶質合金薄膜であることを特徴とし
ている。[RExTMl-x] 1-y (wherein, RE is Nd s Sm , Pr , Ce ,
At least one element selected from the group consisting of Eu, Gd, Tb, Dy and HO, TM is Fe and/or CO, 0.2<x<0.7.0.0
It is characterized by being an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, which is expressed as 4<y<0.10.
本発明に係る上記のような光磁気記録媒体は、保磁力が
大きくかつカー回転角やファラデー回転角が大きいなど
の優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、
経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化
したりすることがないという優れた特性を有している。The above-mentioned magneto-optical recording medium according to the present invention has excellent magneto-optical properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and a large Faraday rotation angle, and has excellent oxidation resistance.
It has an excellent property that the coercive force or Kerr rotation angle does not change over time.
発明の詳細な説明
以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically described below.
本発明に係る光磁気記録媒体は、第1図に示すように透
明基板1上に、第1保護膜2と、光磁気記録膜3と、第
2保護膜4とを、この順序で順次積層してなり、
前記光磁気記録膜は、
(Ptおよび/またはPd)。As shown in FIG. 1, the magneto-optical recording medium according to the present invention has a first protective film 2, a magneto-optical recording film 3, and a second protective film 4 laminated in this order on a transparent substrate 1. The magneto-optical recording film is made of (Pt and/or Pd).
[RExTMl−x] 1−y
(式中、REはNd 、Sm 、Pr 、Ce 、Eu
、Gd 、Tb 、DVおよびHOからなる群から選ば
れた少なくとも1種の元素であり、TMはFeおよび/
またはCoであり、0.2<x<0.7.0.04<V
<0.10である)で表わされる膜面に垂直な磁化容易
軸を有する非晶質合金薄膜である。[RExTMl-x] 1-y (wherein, RE is Nd, Sm, Pr, Ce, Eu
, Gd , Tb , DV and HO, and TM is Fe and/or
or Co and 0.2<x<0.7.0.04<V
It is an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface expressed by <0.10).
透明基板1としては、従来透明基板として用いられてき
たものを広く用いることができるが、具体的には、ガラ
ス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リカーボネートとポリスチレンとのポリマーアロイ、米
国特許筒4,614゜778号明細書に示されるような
非晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−1−ペンテン
、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフオン、ポリニーデ
ルイミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体な
どを用いることができる。As the transparent substrate 1, a wide variety of materials that have been conventionally used as transparent substrates can be used, but specific examples include glass, polymethyl methacrylate, polycarbonate, a polymer alloy of polycarbonate and polystyrene, and U.S. Patent No. 4,614. Use of amorphous polyolefin, poly4-methyl-1-pentene, epoxy resin, polyether sulfone, polyneedlelimide, ethylene/tetracyclododecene copolymer, etc. as shown in No. 778 Can be done.
この透明基板1の厚さは、0.5〜2.5簡好ましくは
1.0〜1.Sm程度である。The thickness of this transparent substrate 1 is 0.5 to 2.5 mm, preferably 1.0 to 1.5 mm. It is about Sm.
上記のような透明基板1上に設けられる第1保護膜2と
しては、S! 3N4 、AI N、AI Si N、
BNなどの窒化物、5102、Tb−3! 02 、M
g−3l 02 、AI 203 、S!0゜−Al
203 、M(]−3! 02− AI 203、Tb
−3! 02− AI 203 、[3a−3i 02
、Ba−Al 203 、Ba−シワ力アルミナ、T
e−Al2O3、IVH)−A1203、T! 02、
Si O,Ti01zno、Z(’02、Ta205、
Nb2O5、CeO2、SnO2、TeO2、インジウ
ム−スズ酸化物などの酸化物、Zn S、Cd Sなど
の硫化物、Zn Se 、Si C,Siなどが用イラ
レル。As the first protective film 2 provided on the transparent substrate 1 as described above, S! 3N4, AI N, AI Si N,
Nitride such as BN, 5102, Tb-3! 02, M
g-3l 02 , AI 203 , S! 0゜-Al
203, M(]-3! 02- AI 203, Tb
-3! 02-AI 203, [3a-3i 02
, Ba-Al 203 , Ba-wrinkle strength alumina, T
e-Al2O3, IVH)-A1203, T! 02,
Si O, Ti01zno, Z ('02, Ta205,
Oxides such as Nb2O5, CeO2, SnO2, TeO2, indium-tin oxide, sulfides such as ZnS, CdS, ZnSe, SiC, Si, etc. are used.
また第1保護膜2として、CH4、C82、テフロン等
のプラズマ重合膜または、UV硬化性の有機コート膜な
どの有機コート膜を用いることもできる。Further, as the first protective film 2, a plasma polymerized film of CH4, C82, Teflon, etc., or an organic coat film such as a UV-curable organic coat film can also be used.
この第1保工膜2は、光磁気記録膜を酸化などから守る
保護膜として機能するとともに、エンハンス膜としても
機能する。This first protection film 2 functions as a protective film that protects the magneto-optical recording film from oxidation and the like, and also functions as an enhancement film.
このような第1保護膜2の膜厚は、50〜5000人好
ましくは100〜2000人程度で必る。The thickness of the first protective film 2 must be about 50 to 5,000, preferably about 100 to 2,000.
このような第1保護膜上に設けられる光磁気記録膜は、
上記のような式で表わされる組成をイエするが、以下に
この光磁気記録膜について具体的に説明する。The magneto-optical recording film provided on such a first protective film is
Although the composition expressed by the above formula is acceptable, this magneto-optical recording film will be specifically explained below.
(i>上記式においてTMは、FeまたはCoあるいは
この両者である。このようなTMは、光磁気記録膜を上
記式[I]で表わした場合に、]−X(ただし0.2<
x<0.7、好ましくは0.25<x<0.5さらに好
ましくは0.3くX < 0.5である)で示されるよ
うな最で存在している。(i> In the above formula, TM is Fe or Co, or both. When the magneto-optical recording film is represented by the above formula [I], TM is ]-X (where 0.2<
x<0.7, preferably 0.25<x<0.5, more preferably 0.3<x<0.5).
TMとしては、FeとCoとがともに存在していること
が好ましく、とくにこのTMとしては、Eeが100〜
35原子%の最で、そしてCoが0〜65原子%のωで
存在しでいることが好ましい。As TM, it is preferable that both Fe and Co exist, and in particular, as this TM, Ee is 100 to 100.
Preferably, Co is present at ω of 35 at. % and from 0 to 65 at. %.
なおTMとして、5原子%以五好ましくは3原子%以下
のNiを含んでいてもよい。Note that the TM may contain 5 atomic % or more, preferably 3 atomic % or less of Ni.
(ii)Ptおよび/またはPdは、光磁気記録膜に4
〜10原子%好ましくは6〜10原子%の慴で存在して
いる。(ii) Pt and/or Pd is added to the magneto-optical recording film.
It is present in an amount of up to 10 atom %, preferably 6 to 10 atom %.
このptおよび/またはPdの含有量が4原子%以下で
あると、得られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改
善されず、たとえ保護膜を設けても、保護膜にピンホー
ルなどがあった場合に、光磁気記録膜が酸化されて経時
的に保磁力HCが変化したりあるいはカー回転角θkが
減少したりするため好ましくない。If the content of pt and/or Pd is less than 4 at. If this happens, the magneto-optical recording film will be oxidized and the coercive force HC will change over time or the Kerr rotation angle θk will decrease, which is not preferable.
ptまたはPdは、それぞれ単独で用いられてもよく、
また組合せて用いられてもよい。pt or Pd may each be used alone,
They may also be used in combination.
(iii >本発明に係る光磁気記録膜は、上記(i>
および<ii)に加えて、少なくとも1種の希土類元素
(RE)を含んで構成されている。(iii>The magneto-optical recording film according to the present invention has the above-mentioned (i>
In addition to and <ii), it is configured to contain at least one rare earth element (RE).
このREは、Nd 、 Sm 、 Pr 、 Qe 、
EU 。This RE has Nd, Sm, Pr, Qe,
EU.
Gd 、Tb 、oyおよびHOからなる群から選ばれ
た少なくとも1種の元素である。好ましくはREの60
原子%以上がTbであり、残部がDy、Ntl 、Gd
、Ce 、Eu 、Pr 、Hoまたは3mである。At least one element selected from the group consisting of Gd, Tb, oy and HO. Preferably 60 RE
At least atomic% is Tb, and the remainder is Dy, Ntl, Gd
, Ce, Eu, Pr, Ho or 3m.
ざらに好ましくは、REの80原子%以上特に好ましく
は90原子%以上がTbであり、残部がDy 、Nd
、Gd 、Ce 、Eu 、Pr、Hoまたは5Ill
である。More preferably, 80 atomic % or more of RE is Tb, particularly preferably 90 atomic % or more, and the remainder is Dy, Nd.
, Gd, Ce, Eu, Pr, Ho or 5Ill
It is.
上記のような希土類元素REは、非晶質合金薄膜を上記
式[I]で表わした場合に、0.2<xく0.7好まし
くは0.25<x<0.5さらに好ましくは0.3<x
<0.5であるような第で存在している。When the amorphous alloy thin film is represented by the above formula [I], the rare earth element RE as described above is 0.2<x0.7, preferably 0.25<x<0.5, more preferably 0. .3<x
<0.5.
本発明では、上記のような膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜の膜厚は、2
00〜2000人好ましくは200〜1000人程度で
ある。In the present invention, the thickness of the magneto-optical recording film made of the amorphous alloy thin film having the axis of easy magnetization perpendicular to the film surface is 2.
00 to 2,000 people, preferably about 200 to 1,000 people.
上記のような光磁気記録膜3上に設けられる第2保護膜
4としては、 513N4、△IN、At Si N
、BNなどの窒化物、Si 02 、Tb−3i 02
、M(]−3i○2 、Te−A I 203 、M
’J−AI O、Tb−3i O−At 203 、
MLS! 02− Al 203 、[3a−3i 0
2 、Ba−A1203.3a−3i 02−AI 2
C3、T! 02、S! O,T! 0Szno、Z
l’ 02 、Ta2o5、N1)205 、CeO2
,5n02 、TeO2、インジウム−スズ酸化物など
の酸化物、ZnS、CdS’:どの硫化物、Zn Se
、Si C,Siなどが用いられる。The second protective film 4 provided on the magneto-optical recording film 3 as described above is made of 513N4, ΔIN, At Si N
, nitrides such as BN, Si 02 , Tb-3i 02
, M(]-3i○2 , Te-A I 203 , M
'J-AI O, Tb-3i O-At 203,
MLS! 02- Al 203 , [3a-3i 0
2, Ba-A1203.3a-3i 02-AI 2
C3, T! 02, S! O, T! 0Szno, Z
l'02, Ta2o5, N1)205, CeO2
, 5n02, TeO2, oxides such as indium-tin oxide, ZnS, CdS': which sulfides, ZnSe
, Si, C, Si, etc. are used.
また第2保護膜4として、pt膜、PCI膜、Ti膜、
CrpIA、Zr膜、l’Ji膜、N 1−Cr膜など
の金属膜を用いることもできる。Further, as the second protective film 4, a PT film, a PCI film, a Ti film,
Metal films such as CrpIA, Zr film, l'Ji film, and N1-Cr film can also be used.
ざらに第2保護膜として、CH4、C82、テフロン等
のプラズマ重合膜またはUv硬化性の有機コート膜など
の有機コート膜を用いることもできる。Furthermore, as the second protective film, it is also possible to use a plasma polymerized film such as CH4, C82, Teflon, or the like, or an organic coat film such as a UV-curable organic coat film.
この第2保護膜4は、光磁気記録膜@酸化などから守る
保護膜として機能するとともに、反射膜としても機能す
ることもある。This second protective film 4 functions as a protective film for protecting the magneto-optical recording film from oxidation, etc., and may also function as a reflective film.
このような第2保護膜4の膜厚は、無機材料の場合は5
0〜5000人好ましくは100〜2000人程度でお
り、有機材料の場合は100人〜100tiTrL好ま
しくは300A 〜500Iim程麿である。The film thickness of such a second protective film 4 is 5 in the case of an inorganic material.
The number is about 0 to 5,000 people, preferably about 100 to 2,000 people, and in the case of organic materials, it is about 100 to 100tiTrL, preferably about 300A to 500Iim.
上記のような構造を右する本発明に係る光磁気記録媒体
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す。The magneto-optical recording medium according to the present invention having the above-described structure has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and often exhibits a rectangular loop with good Kerr hysteresis.
なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場に43けるカー回転
角である飽和カー回転角(Ok 、 )と外部磁場ゼロ
におけるカー回転角である残mカー回転角(θk )と
の比θに210k1か0.8以上であることを意味して
いる。In this specification, a square loop with good Kerr hysteresis means that the saturation Kerr rotation angle (Ok, ) is the Kerr rotation angle at 43 times the maximum external magnetic field and the residual m, which is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. This means that the ratio θ to the Kerr rotation angle (θk) is 210k1 or 0.8 or more.
また上記のような本発明に係る光磁気記録媒体は、優れ
た耐酸化性を有し、第2図に示すようにP j a T
l) 2BFe 51Co13なる組成を有する非晶質
合金薄膜と、第1保護膜513N4と、第2保護膜S!
3N4とからなる光磁気記録媒体は、たとえば85℃、
相対湿度85%の環境下に240時間以上保持しても、
その保磁力はほとんど変化しない。これに対して、pt
を含まないTfi 251CO75あるいはTb 25
Fe66CO9なる組成を有づる非晶質合金薄膜は、8
5°C1相対湿度85%の環゛現下に保持すると、その
保磁力は経時的に大きく変化してしまう。さらにこの環
境試験を1000時間続けると、ptおよび/またはP
dを含有する系はやはりその保磁力がほとんど変化しな
いのに対し、ptおよび/またはPdを含有しない系は
保磁力がほとんど測定できない稈度にまで低下してしま
う。Furthermore, the magneto-optical recording medium according to the present invention as described above has excellent oxidation resistance, and as shown in FIG.
l) An amorphous alloy thin film having a composition of 2BFe51Co13, a first protective film 513N4, and a second protective film S!
For example, a magneto-optical recording medium made of 3N4 is heated at 85°C,
Even if kept in an environment with relative humidity of 85% for more than 240 hours,
Its coercive force hardly changes. On the other hand, pt
Tfi 251CO75 or Tb 25 without
An amorphous alloy thin film having a composition of Fe66CO9 has a composition of 8
When kept in an environment of 5° C. and 85% relative humidity, the coercive force changes greatly over time. Furthermore, if this environmental test is continued for 1000 hours, pt and/or P
In the system containing d, the coercive force hardly changes, whereas in the system not containing pt and/or Pd, the coercive force decreases to such a degree that it can hardly be measured.
また、後述する実験例から、ptおよび/またはPdを
含む非晶質合金薄膜を含む本発明に係る光磁気記録媒体
では、たとえ保護膜にピンホールなどがあっても、環境
試験後におけるθにの変化も小さいことから表面酸化が
防止されていること、ならびに、顕微鏡による膜表面の
観察から孔食の発生も抑制されていることがわかる。Furthermore, from the experimental examples described later, it has been found that in the magneto-optical recording medium according to the present invention containing an amorphous alloy thin film containing pt and/or Pd, even if there are pinholes in the protective film, the θ after the environmental test is It can be seen that surface oxidation is prevented because the change in .
本発明においては、光磁気記録膜に、上記のような元素
以外の種々の元素を添加して、キュリー温度や補償温度
あるいはf−(cヤθにの改善あるいは低コスト化を計
ってもよい。これらの元素は、希土類元素に対してたと
えば50原子%未満の割合で置換可能である。In the present invention, various elements other than those mentioned above may be added to the magneto-optical recording film in order to improve the Curie temperature, the compensation temperature, f-(c and θ), or to reduce the cost. These elements can be substituted, for example, at a rate of less than 50 atomic % with respect to the rare earth element.
併用できる他の元素の例としては、
(I)Fe 、Co以外の3d遷移元素具体的には、S
c STi 、V、Cr 、Mn、Ni 、Cu 、Z
llが用イラレル。Examples of other elements that can be used in combination include (I)Fe, 3d transition elements other than Co, specifically S
c STi, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Z
ll is using irarel.
これらのうち、Ti 、Ni 、 Cu 、Znなどが
好ましく用いられる。Among these, Ti, Ni, Cu, Zn, etc. are preferably used.
(II)Pd以外の4d遷移元素
具体的には、Y、Zr、Nb、IVIO,’Tc、Ru
、Rh 、Ag、Cdが用いられる。(II) 4d transition elements other than Pd Specifically, Y, Zr, Nb, IVIO, 'Tc, Ru
, Rh, Ag, and Cd are used.
このうらZ「、Nbが好ましく用いられる。Among these, Z' and Nb are preferably used.
(III)Pt以外の5d遷移元索
具体的には、Hf’ 、Ta 、W、Re 、Os、I
r、Au、Hgが用いられる。(III) 5d transition sources other than Pt Specifically, Hf', Ta, W, Re, Os, I
r, Au, and Hg are used.
このうちTaが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.
(IV)I[IB族元素
具体的には、B、AI 、Ga、In、TI が用いら
れる。(IV) I [IB group element Specifically, B, AI, Ga, In, and TI are used.
このうちB、AI 、Gaが好ましく用いられる。Among these, B, AI, and Ga are preferably used.
(V)IVB族元素
具体的には、C,Si 、Ge 、Sn 、Pbが用い
られる。(V) IVB group element Specifically, C, Si, Ge, Sn, and Pb are used.
コノウチ、Si 、Ge 、Sn 、Pbが好ましく用
いられる。Preferably, Si, Ge, Sn, and Pb are used.
(Vl>VB族元素 具体的には、N、P、As、3b、Biが用いられる。(Vl>VB group element Specifically, N, P, As, 3b, and Bi are used.
このうちsbが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.
(VI[)VIBllj、元素 具体的には、S、Se 、Te 、POが用いられる。(VI[)VIBllj, element Specifically, S, Se, Te, and PO are used.
このうちTeが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.
次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。Next, a method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention will be explained.
まず、透明基板上に、第1保護膜を成膜きぜる。First, a first protective film is formed on a transparent substrate.
透明基板上に第1保護膜を成膜させるには、従来公知の
方法たとえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電
子ビーム蒸着法、スピンコード法などを採用することが
できる。To form the first protective film on the transparent substrate, a conventionally known method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an electron beam evaporation method, a spin code method, etc. can be employed.
次に透明基板上に設けられた第1保護膜上に光磁気記録
膜を成膜するには、基板温度を室温程度に保ち、本発明
に係る光磁気記録膜を構成覆る各元素からなるチップを
所定割合で配置した複合ターゲットまたは所定割合の組
成を有する合金ターゲットを用い、スパッタリング法お
るいは電子ビーム蒸着法などの従来公知の成膜条件を採
用して、この基板(基板は固定していてもよく、また自
転していてもよい)上に所定組成の光磁気記録膜を被着
させればよい。Next, in order to form a magneto-optical recording film on the first protective film provided on the transparent substrate, the substrate temperature is kept at around room temperature, and chips made of each element that constitutes and covers the magneto-optical recording film according to the present invention are used. This substrate (the substrate is not fixed) is formed using a composite target or an alloy target having a predetermined composition of A magneto-optical recording film of a predetermined composition may be deposited on top of the magneto-optical recording film.
このように本発明に係る光磁気記録膜は、常温での成膜
が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるため
に成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がない
。As described above, the magneto-optical recording film according to the present invention can be formed at room temperature, and there is no need to perform heat treatment such as annealing treatment after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface.
なお必要に応じては、基板温度を50〜600℃に加熱
しながらまたは一50°Cまで冷却しながら、基板上に
光磁気記録膜を形成することもできる。If necessary, the magneto-optical recording film can be formed on the substrate while heating the substrate to 50 to 600°C or cooling it to -50°C.
またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, ions of an inert gas such as argon accelerated by an electric field will strike not only the target material but also the perpendicularly magnetized film being formed, resulting in a perpendicularly magnetized film with excellent properties. There is.
次に上記のようにして成膜された光磁気記録膜上に、第
2保護膜を成膜するが、この際にも従来公知の方法たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法おるいは電子ビーム
蒸着法などを採用することができる。Next, a second protective film is formed on the magneto-optical recording film formed as described above, and at this time, a conventionally known method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, or an electron beam evaporation method is used. etc. can be adopted.
本発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直な磁化容易
軸を有する垂直磁化膜であるとともに、多くの場合カー
・ヒステリシス・ループが角形性を有して、外部磁場の
ない状態下でのθkが最大外部磁場での飽和Okとほぼ
同一であり、保磁力1−1cも大きいので、光磁気記録
膜として好適である。また、θkが良好であることは、
θfも良好であることを意味し、よってカー効果利用型
、ファラデー効果利用型のいずれの方式に利用覆ること
ができる。The magneto-optical recording medium according to the present invention is a perpendicularly magnetized film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and in many cases, the Kerr hysteresis loop has a square shape, so that it can be easily magnetized in the absence of an external magnetic field. Since θk is almost the same as the saturation Ok at the maximum external magnetic field and the coercive force 1-1c is also large, it is suitable as a magneto-optical recording film. In addition, a good θk means that
This means that θf is also good, so it can be used in either the Kerr effect type or Faraday effect type.
本発明に係る光磁気記録媒体は、上記のような構造のみ
に限定されるものではなく、必要に応じて下地層、酸化
防止膜あるいは高透磁率軟磁性膜の積層などを行っても
よく、単板のほか貼合せて使用することも可能である。The magneto-optical recording medium according to the present invention is not limited to the above-mentioned structure, but may be laminated with an underlayer, an anti-oxidation film, or a high permeability soft magnetic film as necessary. In addition to being used as a single board, it is also possible to use the board by laminating it together.
発明の効果
本発明に係る光磁気記録媒体は、透明基板上に、第1保
護膜と、光磁気記録膜と、第2保護膜とを、この順序で
順次積層してなり、
前記光磁気記録膜が、
(Ptおよび/またはPd)。Effects of the Invention The magneto-optical recording medium according to the present invention includes a first protective film, a magneto-optical recording film, and a second protective film that are sequentially laminated in this order on a transparent substrate, and the magneto-optical recording medium comprises: The membrane is (Pt and/or Pd).
[RE、 TM 1. コ 1−V(式中、REL
、tNd 、Sm 、Pr 、Ce 、 Eu、Gd、
丁b 、DVおよびHoからなる群から選ばれた少なく
とも1種の元素であり、TMはFeおよび/またはGo
であり、0.2<x<0.7.0.04<y<O,’t
oである)で表わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有す
る非晶質合金薄膜であるため、保磁力が大きくかつカー
回転角やファラデー回転角が大きいなどの優れた光磁気
特性を有し、しかも耐酸化性に優れており、たとえ保護
膜にピンホールなどがあっても経時的に保磁力が変化し
たりあるいはカー回転角が変化したりすることがないと
いう優れた特性を有している。また本発明に係る光磁気
記録膜を基板上に形成するに際して、室温での成膜が可
能でおり、成膜後に熱処理をする必要もない。[RE, TM 1. 1-V (in the formula, REL
, tNd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd,
TM is at least one element selected from the group consisting of Go, DV, and Ho, and TM is Fe and/or Go.
and 0.2<x<0.7.0.04<y<O,'t
Since it is an amorphous alloy thin film with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, expressed as Furthermore, it has excellent oxidation resistance, and even if there are pinholes in the protective film, the coercive force or Kerr rotation angle will not change over time. There is. Further, when forming the magneto-optical recording film according to the present invention on a substrate, the film can be formed at room temperature, and there is no need for heat treatment after film formation.
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
実施例
ガラス基板の上に、第1保護膜、光磁気記録膜、第2保
護膜を順次スパッタリングにより、所定の膜厚だけ成膜
した。EXAMPLE On a glass substrate, a first protective film, a magneto-optical recording film, and a second protective film were sequentially formed by sputtering to a predetermined thickness.
保温膜として窒化物や酸化物などの誘電体膜を選んだ場
合は、それぞれの焼結体ターゲットをRFングネトロン
スバッターした。一方、保護膜として、金属膜を選んだ
場合は、DCマグネトロンスパッターにより成膜した。When a dielectric film such as nitride or oxide was selected as the heat-retaining film, each sintered target was subjected to RF blasting. On the other hand, when a metal film was selected as the protective film, it was formed by DC magnetron sputtering.
そして、光磁気記録膜については、ターゲットとして、
Feターゲット上または「eSCoターゲット上にpt
および/またはPdと、軽希土類金属と、重希土類金属
とのチップを所定割合で配回した複合ターゲットを用い
て、ガラス基板上に、基板を水冷により20〜30’C
の常温付近にコントロールしながらDCマグネトロンス
パッタリングにより、表1に示すような組成を有する非
晶質合金薄膜を成膜した。成膜条件は、Ar圧5ffl
Torr 、 Ar流13secm、 真空到達度5
X 10−6Torr Wl 下テある。As for the magneto-optical recording film, the target is
pt on the Fe target or on the eSCo target.
And/or using a composite target in which chips of Pd, light rare earth metals, and heavy rare earth metals are arranged at a predetermined ratio, the substrate is placed on a glass substrate at 20 to 30°C by water cooling.
An amorphous alloy thin film having the composition shown in Table 1 was formed by DC magnetron sputtering while controlling the temperature to be around room temperature. Film forming conditions are Ar pressure 5ffl
Torr, Ar flow 13sec, vacuum attainment 5
X 10-6Torr Wl There is a lower temperature.
得られた合金薄膜は、広角X線回折法により結晶状態を
測定するとともに、組成をICP発行分光分析によって
求めた。The crystalline state of the obtained alloy thin film was measured by wide-angle X-ray diffraction, and the composition was determined by ICP spectroscopy.
また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部磁場
ゼロでの残菌カー回転角を斜入射法(λ=633nm)
で測定した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山
川相部監修「磁気材料の測定技術」 (昭和60年12
月25日1〜リケッゾス株式会社発行)第261頁〜2
63頁に記載されている。In addition, the Kerr rotation angle is the residual bacteria Kerr rotation angle measured from the glass substrate side with zero external magnetic field using the oblique incidence method (λ = 633 nm).
It was measured with Specific measurement methods and equipment for the oblique incidence method are available in "Measurement Techniques for Magnetic Materials" (December 1985) supervised by Aibe Yamakawa.
March 25th 1-Published by Rikezos Co., Ltd.) Pages 261-2
It is described on page 63.
得られた非晶質合金薄膜のX値、および保磁力(HCO
)を表1に示す。The X value and coercive force (HCO
) are shown in Table 1.
さらに、本発明の非晶質合金薄膜の耐酸化性を確認する
ため、ガラス基板上に成膜された条1′1ぞのままを8
5℃、85%RHの高温高湿条1′1のオーブン中に放
置する環境試験を行い、240時間以上経過後のカー回
転角(θk)、保磁力(HC>を測定し、それぞれの試
験面の初期値θko、 Hcoと比較した。これらの結
果を合せて表1に示す。Furthermore, in order to confirm the oxidation resistance of the amorphous alloy thin film of the present invention, the strips 1'1 formed on the glass substrate were
An environmental test was conducted in which the high-temperature, high-humidity strip 1'1 was left in an oven at 5°C and 85% RH, and the Kerr rotation angle (θk) and coercive force (HC>) were measured after 240 hours or more. A comparison was made with the initial surface values θko and Hco.These results are shown in Table 1.
第1図は本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であり、
第2図は本発明に係る光磁気記録媒体の保磁力の変化お
よび比較例に係るTb 25CO75およびTb 25
Fe 66Co 9の保磁力の変化を示す図である。
1・・・透明基板 2・・・第1保護膜3・・・
光磁気記録膜 4・・・第2保護膜代理人 弁理士
鈴 木 俊一部FIG. 1 is a cross-sectional view of a magneto-optical recording medium according to the present invention,
FIG. 2 shows changes in coercive force of the magneto-optical recording medium according to the present invention and Tb 25CO75 and Tb 25 according to comparative examples.
FIG. 3 is a diagram showing changes in coercive force of Fe 66Co 9. 1... Transparent substrate 2... First protective film 3...
Magneto-optical recording film 4...Second protective film Agent: Patent attorney Shunichi Suzuki
Claims (1)
2保護膜とを、この順序で順次積層してなり、 前記光磁気記録膜が、 (Ptおよび/またはPd) [RE_xTM_1_−_x]_1_−_y(式中、R
EはNd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy
およびHoからなる群から選ばれた少なくとも1種の元
素であり、TMはFeおよび/またはCoであり、0.
2<x<0.7、0.04<y<0.10である)で表
わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄
膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。 2)0.25<x<0.5である特許請求の範囲第1項
に記載の光磁気記録媒体。 3)REの少なくとも60原子%以上がTbであり、残
部がDy、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、またはHo
である特許請求の範囲第1項に記載の光磁気記録媒体。[Claims] 1) A first protective film, a magneto-optical recording film, and a second protective film are sequentially laminated in this order on a transparent substrate, and the magneto-optical recording film is made of (Pt and/or Pd) [RE_xTM_1_-_x]_1_-_y (wherein R
E is Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy
and Ho, TM is Fe and/or Co, and 0.
2<x<0.7, 0.04<y<0.10. 2) The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein 0.25<x<0.5. 3) At least 60 atomic % or more of RE is Tb, and the remainder is Dy, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, or Ho
A magneto-optical recording medium according to claim 1.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62312970A JPH01154334A (en) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | magneto-optical recording medium |
CA000585167A CA1309770C (en) | 1987-12-10 | 1988-12-07 | Magnetooptical recording medium |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0224853A (en) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magneto-optical recording medium |
JPH0240148A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | Magneto-optical disk and its recording and erasing method |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62312970A patent/JPH01154334A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0224853A (en) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magneto-optical recording medium |
JPH0240148A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | Magneto-optical disk and its recording and erasing method |
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