JPH01151252A - Ceramic package and its manufacture - Google Patents
Ceramic package and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH01151252A JPH01151252A JP62310450A JP31045087A JPH01151252A JP H01151252 A JPH01151252 A JP H01151252A JP 62310450 A JP62310450 A JP 62310450A JP 31045087 A JP31045087 A JP 31045087A JP H01151252 A JPH01151252 A JP H01151252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mullite
- ceramic
- package
- mullite ceramic
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミックパッケージとその製造方法に関し、
より詳細にはムライトセラミックを用いたセラ１ミツク
パツケージとその製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a ceramic package and a method for manufacturing the same.
More specifically, the present invention relates to a ceramic package using mullite ceramic and a method for manufacturing the same.
（従来の技術）
近年、ｔ［を子部品の高密度化および大型化、信号伝送
の高速化、低コスト化等にともない、電子部品用のパッ
ケージは熱放散性が良く、チップとの接合性が高く、ま
た低誘電率である等の様々な特性を満足するものが要求
されている。従来パッケージ材料として用いられている
のは、機械的特性の良さあるいは作業性の良さ等の点か
らほとんどがアルミナセラミックであり、これに対して
、前述した要求に対処すべく最近は窒化アルミニウム、
炭化ケイ素等のセラミック材料が提供されている。(Prior art) In recent years, with the increase in the density and size of child components, faster signal transmission, and lower costs, packages for electronic components have improved heat dissipation and bondability with chips. There is a demand for materials that satisfy various properties such as high dielectric constant and low dielectric constant. Conventionally, most of the materials used as packaging materials have been alumina ceramics due to their good mechanical properties and workability.However, in order to meet the above-mentioned requirements, aluminum nitride,
Ceramic materials such as silicon carbide have been provided.
第４図および第５図は熱放散性を高めるためにヒートシ
ンクを付設したアルミナセラミック製セラミックパッケ
ージの従来例を示すものである。FIGS. 4 and 5 show a conventional example of an alumina ceramic package provided with a heat sink to improve heat dissipation.
第４図のパッケージはアルミナセラミック基板１に放熱
板とステージ部を兼用するモリブデン板２を接合したも
のであり、第５図のパッケージはアルミナセラミック基
板１にモリブデン板の放熱板３を接合したものである。The package shown in Figure 4 has a molybdenum plate 2, which serves both as a heat sink and a stage section, bonded to an alumina ceramic substrate 1, and the package shown in Figure 5 has a molybdenum heat sink 3 bonded to an alumina ceramic substrate 1. It is.
前記モリブデン板２は半導体、チップとほぼ同等の熱膨
張係数を有するので半導体チップの接合には好適である
０図で４は半導体チップ、５はワイヤ、６は導通パター
ン。The molybdenum plate 2 has almost the same coefficient of thermal expansion as a semiconductor or a chip, so it is suitable for bonding semiconductor chips. In Figure 0, 4 is a semiconductor chip, 5 is a wire, and 6 is a conductive pattern.
７はリードビンである。7 is a lead bin.
ところで、上述したようにアルミナセラミック基板１に
モリブデン板２を接合する場合は、モリブデンとアルミ
ナセラミックとの熱膨張係数が離れているため、熱膨張
によってクラック等が生じないように応力を吸収するこ
とが必要であり、このため、従来は銅、銀のような柔軟
な金属を介してろう付けすることにより応力を吸収した
り、歪み量を抑えるためヒートシンクを大きくしないよ
うにしたりしている。By the way, when bonding the molybdenum plate 2 to the alumina ceramic substrate 1 as described above, since the thermal expansion coefficients of molybdenum and alumina ceramic are different, stress must be absorbed to prevent cracks from occurring due to thermal expansion. Therefore, in the past, stress was absorbed by brazing through flexible metals such as copper or silver, or the heat sink was not made large to suppress the amount of distortion.
第４図の例は銅泊８を介してろう材９によりアルミナセ
ラミック基板１とモリブデン板２とを接合したものであ
り、第５図の例は放熱板３をモリブデン板３ａを芯材と
し上下面を銅１０でクラッドしてアルミナセラミック基
板１に胴部分でろう付けしたものである。In the example shown in FIG. 4, an alumina ceramic substrate 1 and a molybdenum plate 2 are joined by a brazing material 9 through a copper foil 8, and in the example shown in FIG. The lower surface is clad with copper 10 and the body portion is brazed to an alumina ceramic substrate 1.
また、これら従来例の他に第５図と同様にモリブデン哲
の両面に銅クラツドした放熱板をステージ部兼用のヒー
トシンクとしてアルミナセラミック基板にろう付けする
例もあり、この場合は半導体チップとの熱膨張係数を合
わせるために、放熱板の半導体チップを接合する範囲内
の銅クラツド面にモリブデンの薄板を接合して半導体チ
ップを接合するようにしている。In addition to these conventional examples, there is also an example in which a heat sink made of molybdenum metal with copper cladding on both sides is brazed to an alumina ceramic substrate as a heat sink for the stage part, as shown in Figure 5. In order to match the coefficient of expansion, a thin molybdenum plate is bonded to the copper clad surface of the heat sink in the area where the semiconductor chip is bonded to bond the semiconductor chip.
（発明が解決しようとする問題点）
上述した従来のアルミナセラミック環のパッケージは電
気的特性に劣る他、上述したように熱放散性を高めるた
めにヒートシンクを付けたパッケージではヒートシンク
金属とセラミック基板との間に応力を緩和するための緩
Ｎ層を設けなくてはならず、構造が複雑であり、ろう付
けやろう付けのためのめっき処理等が必要となり工数が
多く、コストの上昇につながるという問題点がある。ま
た、前述したように緩衝層には銅、銀などの柔軟な金属
が用いられるが、大面積を接合することには適さなく、
パッケージの大型化には不向きであり、また接合部分が
厚くなる等の形状上の問題点もある。(Problems to be Solved by the Invention) In addition to the above-mentioned conventional alumina ceramic ring package having poor electrical characteristics, in the case of a package with a heat sink attached to improve heat dissipation as described above, the heat sink metal and the ceramic substrate are A loose N layer must be provided between the two to relieve stress, making the structure complex and requiring brazing and plating for brazing, which requires a large number of man-hours and increases costs. There is a problem. In addition, as mentioned above, flexible metals such as copper and silver are used for the buffer layer, but they are not suitable for bonding large areas.
It is not suitable for increasing the size of the package, and there are also problems in terms of shape, such as thicker joints.
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは半導体チップとの接合
性を向上させることができるとともに、熱放散性に優れ
たセラミックパッケージを容易に得ることのできるセラ
ミックパッケージの製造方法を提供するとともに、熱放
散性、電気的特性にすぐれたセラミックパッケージを提
供するにある。Therefore, the present invention was made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to improve the bondability with a semiconductor chip and to easily obtain a ceramic package with excellent heat dissipation properties. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic package that can be used in various ways, and also to provide a ceramic package that has excellent heat dissipation and electrical characteristics.
（問題点を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。(Means for solving problems) The present invention has the following configuration to achieve the above object.
すなわち、パッケージ本体がムライトセラミックによっ
て形成され、該パッケージ本体に熱膨張係数が３．５〜
６．ＯＸｌ０−６／℃である放熱用の金属板が一体に接
合されたことを特徴とし、また。That is, the package body is formed of mullite ceramic, and the package body has a thermal expansion coefficient of 3.5 to 3.5.
6. It is characterized in that a metal plate for heat dissipation having a temperature of OXl0-6/°C is integrally joined.
セラミックパッケージの製造方法において、ムライト粉
末１００重量部にたいして、焼結助剤としてアルカリ土
類化合物あるいは希土類化合物の少なくとも一方を０．
１重量部以上添加されてなるムライトセラミックグリー
ンシートに、熱膨張係数が３．５〜６．ＯＸｌ０−’／
”Ｃである放熱用の金属板を密着させて焼結することに
より、ムライトセラミック基板と前記金属板とを一体に
接合することを特徴とする。In the method for manufacturing a ceramic package, 0.0% of at least one of an alkaline earth compound or a rare earth compound is added as a sintering aid to 100 parts by weight of mullite powder.
The mullite ceramic green sheet containing 1 part by weight or more has a coefficient of thermal expansion of 3.5 to 6. OXl0-'/
It is characterized in that the mullite ceramic substrate and the metal plate are integrally joined by closely contacting and sintering a metal plate for heat dissipation (C).
（作用） 次に、作用について述べる。(effect) Next, we will discuss the effect.
ムライトセラミックおよび熱膨張係数が３．５〜６、Ｏ
ＸＩＯ””／’Ｃの金属板は半導体チップとほぼ同等の
熱膨張係数を有するので、接合される半導体チップと熱
的な整合性が図れ、また、大型のヒートシンクを設ける
ことができて熱放散性を高めることができる。Mullite ceramic and thermal expansion coefficient 3.5-6, O
The metal plate of XIO""/'C has almost the same coefficient of thermal expansion as the semiconductor chip, so it can be thermally matched with the semiconductor chip to be bonded, and a large heat sink can be installed for heat dissipation. You can increase your sexuality.
また、ムライト粉末に焼結助剤を添加することにより、
ムライトセラミックの焼結と同時に金属板とムライトセ
ラミック基板とを一体に接合する。In addition, by adding a sintering aid to mullite powder,
At the same time as the mullite ceramic is sintered, the metal plate and the mullite ceramic substrate are joined together.
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。(Embodiments) Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
〔第１実施例〕
第１図は本発明のセラミックパッケージの製造方法によ
って得られたセラミックパッケージの一実施例で、ピン
グリッドアレイ型のセラミックパッケージの例を示す。[First Example] FIG. 1 shows an example of a ceramic package obtained by the method of manufacturing a ceramic package of the present invention, and shows an example of a pin grid array type ceramic package.
同図で１２はパッケージ本体として積層して設けられる
ムライトセラミック基板であり、１４はムライトセラミ
ック基板１２に設けられる配線パターン、１６は前記ム
ライトセラミック基板１２にろう付けされるリードピン
、１８はビアである。In the figure, 12 is a mullite ceramic substrate laminated as a package body, 14 is a wiring pattern provided on the mullite ceramic substrate 12, 16 is a lead pin to be brazed to the mullite ceramic substrate 12, and 18 is a via. .
２０は前記ムライ１−セラミック基板１２の下面にヒー
トシンクとして接合されるモリブデン板である。２２は
モリブデン板２０上に接合される半導体チップ、２３は
半導体チップ２２と前記配線パターン１４とを接続する
ワイヤ、２４は半導体チップ２２を密封するキャップで
ある。20 is a molybdenum plate bonded to the lower surface of the ceramic substrate 12 as a heat sink. 22 is a semiconductor chip bonded on the molybdenum plate 20, 23 is a wire connecting the semiconductor chip 22 and the wiring pattern 14, and 24 is a cap for sealing the semiconductor chip 22.
第２図は上記セラミックパッケージの断面図を示す。FIG. 2 shows a cross-sectional view of the ceramic package.
このセラミックパッケージはセラミックパッケージ本体
がムライトセラミックによって形成され。The ceramic package body of this ceramic package is made of mullite ceramic.
これにステージ部兼用のヒートシンクとしてムライトセ
ラミック基板１２の下面全体にモリブデン板２０が接合
されている点を特徴としている。It is characterized in that a molybdenum plate 20 is bonded to the entire lower surface of the mullite ceramic substrate 12 as a heat sink that also serves as a stage section.
このパッケージの製造にあたっては、まず、セラミック
材料としてムライト粉末１００重量部にたいして焼結助
剤として酸化イツトリウムを約４重量部を添加したもの
をベース材料とし、これにバインダおよび溶剤を加えて
ボールミルにより粉砕・混合する。In manufacturing this package, first, the base material is made by adding about 4 parts by weight of yttrium oxide as a sintering aid to 100 parts by weight of mullite powder as a ceramic material, then a binder and a solvent are added to this, and the base material is ground using a ball mill.・Mix.
ついで、ドクターブレード法によってシート成形し、こ
れにビア加工を施し、タングステンペーストを用いて配
線パターンを印刷する。Next, a sheet is formed by a doctor blade method, via processing is performed on the sheet, and a wiring pattern is printed using tungsten paste.
そして、このムライトセラミックのグリーンシートを積
層するとともに、ステージ部兼用のモリブデン板２０に
載置して密着させてから、脱脂し所定温度にて焼結を行
って、ムライトセラミック基板１２の焼結とモリブデン
板２０との接合一体化を同時に行う。Then, the mullite ceramic green sheets are laminated, placed on a molybdenum plate 20 which also serves as a stage part, and brought into close contact with each other, and then degreased and sintered at a predetermined temperature to sinter the mullite ceramic substrate 12. The bonding and integration with the molybdenum plate 20 is performed at the same time.
この焼結方法では焼結助剤を添加することによって焼結
時に液相が生じるようにし、この液相によりムライトセ
ラミック基板１２とモリブデン板２０との接合性を高め
、ムライトセラミック基板１２にモリブデン板２０が強
固に接合されるようにしている。実施例では前記焼結助
剤として酸化イツトリウムを４重量％程度添加し、焼結
時のモリブデン板２０の濡れ性を向上させている。In this sintering method, a sintering aid is added to generate a liquid phase during sintering, and this liquid phase improves the bondability between the mullite ceramic substrate 12 and the molybdenum plate 20, and the molybdenum plate is attached to the mullite ceramic substrate 12. 20 are firmly joined. In the embodiment, about 4% by weight of yttrium oxide is added as the sintering aid to improve the wettability of the molybdenum plate 20 during sintering.
なお、焼結助剤としては上記酸化イツトリウムの他に、
酸化ジルコニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム
、酸化ケイ素等が使用できる。In addition to the above-mentioned yttrium oxide, as a sintering aid,
Zirconium oxide, calcium oxide, magnesium oxide, silicon oxide, etc. can be used.
〔第２実施例〕
第３図は本発明に係るセラミックパッケージの第２実施
例を示す断面図である。[Second Embodiment] FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the ceramic package according to the present invention.
この実施例で示すセラミックパッケージはムライトセラ
ミック基板１２にモリブデン板２０をろう材２６によっ
て接合したことを特徴とする。ムライトセラミック基板
１２は第１実施例と同様に、ムライト粉末に焼結助剤と
して酸化イツトリウムを添加し、バインダ、溶剤を加え
てボールミルした後、シート成形し、所定のビア加工、
導通パターンを印刷した後焼結される。The ceramic package shown in this embodiment is characterized in that a molybdenum plate 20 is bonded to a mullite ceramic substrate 12 using a brazing material 26. The mullite ceramic substrate 12 is made by adding yttrium oxide as a sintering aid to mullite powder, adding a binder and a solvent, ball milling, forming a sheet, and performing predetermined via processing and forming the mullite ceramic substrate 12 in the same manner as in the first embodiment.
After printing the conductive pattern, it is sintered.
ついで、ムライトセラミック基板１２とモリブデン板２
０とを接合するため、ムライトセラミック基板１２側と
モリブデン板２０側のそれぞれの接合面にニッケルめっ
きを施し、ムライトセラミック基板１２とモリブデン板
２０とを共晶銀ろうによってろう付は接合する。そして
、リードピン１６等を取り付けた後、ステージ部等にニ
ッケルめっき、金めつきを施して製品とする。Next, the mullite ceramic substrate 12 and the molybdenum plate 2
0, nickel plating is applied to the respective joint surfaces of the mullite ceramic substrate 12 side and the molybdenum plate 20 side, and the mullite ceramic substrate 12 and the molybdenum plate 20 are brazed together using eutectic silver solder. After attaching the lead pins 16 and the like, the stage portion and the like are plated with nickel and gold to produce a product.
上述したように第１実施例および第２実施例ではいずれ
もセラミック基板としてムライトセラミックを使用し、
ステージ部兼用のモリブデン板を接合している。ここで
シリコンの熱膨張係数は約３．５ ＸＩＧ−’／’Ｃ，
モリブデンの熱膨張係数は約４〜５ Ｘｌ０−’／’Ｃ
、ムライトセラミックの熱膨張係数は約４ＸＩＯ−’／
”Ｃであり、これら相互の熱膨張係数が近いので、半導
体チップとの熱的な整合性がきわめて良いという特徴を
有する。これにより、モリブデン板２０とムライトセラ
ミック基板１２との間でも熱膨張による応力の発生をほ
とんどなくす菖ことができる。この結果、従来例のよう
に応力を吸収する緩衝層を設ける必要がなく、熱膨張係
数の相違によってクラックが発生すること等がな・いか
ら大面積のヒートシンクを設けることができ、また、構
造が簡単で放熱性に優れたパッケージを提供することが
できる。As mentioned above, in both the first example and the second example, mullite ceramic is used as the ceramic substrate,
A molybdenum plate that also serves as the stage part is joined. Here, the coefficient of thermal expansion of silicon is approximately 3.5 XIG-'/'C,
The thermal expansion coefficient of molybdenum is approximately 4-5 Xl0-'/'C
, the coefficient of thermal expansion of mullite ceramic is approximately 4XIO-'/
"C", and since their coefficients of thermal expansion are close to each other, they have a characteristic of extremely good thermal matching with the semiconductor chip.As a result, the thermal expansion coefficient between the molybdenum plate 20 and the mullite ceramic substrate 12 is also very good. As a result, there is no need to provide a buffer layer to absorb stress as in the conventional case, and cracks do not occur due to differences in thermal expansion coefficients, resulting in a large surface area. It is also possible to provide a package with a simple structure and excellent heat dissipation.
また、同時にムライトセラミックは低誘電率であるから
、信号伝送の遅延・損失がなく高速素子用パッケージと
して好適である。なお、ムライトセラミックは熱伝導率
がアルミナセラミック等と比較して低いが、上述したよ
うに大面積のヒートシンクを設けることができるので、
熱放散性にも十分対処することができる。Furthermore, since mullite ceramic has a low dielectric constant, it is suitable as a package for high-speed devices without delay or loss in signal transmission. Although mullite ceramic has a lower thermal conductivity than alumina ceramic etc., as mentioned above, it is possible to provide a large area heat sink.
Heat dissipation can also be adequately addressed.
また、ムライトセラミックを使用したことにより、第１
実施例のようにムライトセラミック基板１２のグリーン
シートを焼結すると同時にモリブデン板２０を接合する
ことができるから、この場合はヒートシンクを接合する
ためのめっき処理等がまったく不用で、製造工程がきわ
めて簡素化される。In addition, by using mullite ceramic, the first
As in the embodiment, the molybdenum plate 20 can be bonded at the same time as the green sheet of the mullite ceramic substrate 12 is sintered, so in this case, there is no need for plating or the like for bonding the heat sink, and the manufacturing process is extremely simple. be converted into
なお、上述した実施例ではモリブデン板２０をステージ
部兼用としているが、場合によってはムライト宮ラミッ
ク基板にステージ部を設け、モリブデン板をヒートシン
ク専用とすることも可能である。In the above-described embodiment, the molybdenum plate 20 is also used as a stage part, but depending on the case, it is also possible to provide a stage part on the mullite lamic substrate and use the molybdenum plate only as a heat sink.
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが１本発明はこの実施例に限定されるものではなく９
発明の請神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。The present invention has been variously explained above using preferred embodiments; however, the present invention is not limited to these embodiments.
Of course, many modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
（発明の効果）
本発明のセラミックパッケージは半導体チップの熱膨張
係数に近いムライトセラミックによって形成されている
から、半導体チップと熱膨張係数のマツチングをとるこ
とができるとともに、モリブデン等のように半導体チッ
プの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する金属を容易に
接合することができる。そして、熱膨張係数がたがいに
近接しているから大型のヒートシンクを設けることがで
き、熱放散性に優れるとともに、素子との整合性が良く
信頼性が向上する。また、本体部に低誘電率のムライト
セラミックを使用しているから、高速素子用パッケージ
として好適に使用することができる。(Effects of the Invention) Since the ceramic package of the present invention is made of mullite ceramic having a coefficient of thermal expansion close to that of a semiconductor chip, it is possible to match the coefficient of thermal expansion with that of a semiconductor chip, and it is also made of mullite ceramic that has a coefficient of thermal expansion close to that of a semiconductor chip. Metals with a coefficient of thermal expansion close to that of can be easily joined. Furthermore, since the coefficients of thermal expansion are close to each other, a large heat sink can be provided, resulting in excellent heat dissipation, good compatibility with elements, and improved reliability. Furthermore, since mullite ceramic with a low dielectric constant is used for the main body, it can be suitably used as a package for high-speed devices.
また、ムライトセラミック基板の焼結時に同時にヒート
シンク材料をそのままの形で容易に接合することができ
るから、めっき処理等の工程が不用であり、きわめて容
易に製造することができる等の著効を奏する。In addition, since the heat sink material can be easily bonded in its original form at the same time as the mullite ceramic substrate is sintered, processes such as plating are not required, resulting in extremely easy manufacturing. .
第１図および第２図は本発明に係るセラミックパッケー
ジの第１実施例を示す部分破断斜視図および断面図、第
３図は第２実施例を示す断面図、第４図および第５図は
セラミックパッケージの従来例を示す断面図である。
１・・・アルミナセラミック基板、 ２．３ａ・・・モ
リブデン板、 ８・・・銅泊、 ９・・・ろう材、 １
０・・・銅、 １２・・・ムライトセラミック基板、
１４・・・配線パターン。
１６・・・リードビン、 １８・・・ビア、 。
２０・・・モリブデン板、 ２２・・・半導体チップ、
２４・・・キャップ、 ２６・・・ろう材。1 and 2 are a partially broken perspective view and a sectional view showing a first embodiment of the ceramic package according to the present invention, FIG. 3 is a sectional view showing the second embodiment, and FIGS. 4 and 5 are FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional example of a ceramic package. 1... Alumina ceramic substrate, 2.3a... Molybdenum plate, 8... Copper foil, 9... Brazing metal, 1
0...Copper, 12...Mullite ceramic substrate,
14...Wiring pattern. 16...Lead bin, 18...Via. 20...Molybdenum plate, 22...Semiconductor chip,
24... Cap, 26... Brazing filler metal.
Claims (1)
され、該パッケージ本体に熱膨張係数が３．５〜６．０
×１０＾−＾６／℃である放熱用の金属板が一体に接合
されたことを特徴とするセラミックパッケージ。 ２、セラミックパッケージの製造方法において、ムライ
ト粉末１００重量部にたいして、焼結助剤としてアルカ
リ土類化合物あるいは希土類化合物の少なくとも一方を
０．１重量部以上添加されてなるムライトセラミックグ
リーンシートに、熱膨張係数が３．５〜６．０×１０＾
−＾６／℃である放熱用の金属板を密着させて焼結する
ことにより、ムライトセラミック基板と前記金属板とを
一体に接合することを特徴とするセラミックパッケージ
の製造方法。[Claims] 1. The package body is formed of mullite ceramic, and the package body has a thermal expansion coefficient of 3.5 to 6.0.
A ceramic package characterized by integrally bonding metal plates for heat dissipation with a temperature of ×10^-^6/℃. 2. In a method for manufacturing a ceramic package, a mullite ceramic green sheet is prepared by adding 0.1 parts by weight or more of at least one of an alkaline earth compound or a rare earth compound as a sintering aid to 100 parts by weight of mullite powder, and then thermally expanding the mullite ceramic green sheet. Coefficient is 3.5~6.0×10^
A method for manufacturing a ceramic package, characterized in that a mullite ceramic substrate and the metal plate are integrally joined by closely contacting and sintering a metal plate for heat dissipation at -^6/°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310450A JP2517024B2 (en) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | Ceramic package and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310450A JP2517024B2 (en) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | Ceramic package and its manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151252A true JPH01151252A (en) | 1989-06-14 |
| JP2517024B2 JP2517024B2 (en) | 1996-07-24 |
Family
ID=18005395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62310450A Expired - Lifetime JP2517024B2 (en) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | Ceramic package and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2517024B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5027191A (en) * | 1989-05-11 | 1991-06-25 | Westinghouse Electric Corp. | Cavity-down chip carrier with pad grid array |
| JPH0496855U (en) * | 1991-01-29 | 1992-08-21 | ||
| EP0757383A2 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plate type member for semiconductor device package |
| JP4931592B2 (en) * | 2003-10-14 | 2012-05-16 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | Mixing container, mixing apparatus and mixing method |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62310450A patent/JP2517024B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5027191A (en) * | 1989-05-11 | 1991-06-25 | Westinghouse Electric Corp. | Cavity-down chip carrier with pad grid array |
| JPH0496855U (en) * | 1991-01-29 | 1992-08-21 | ||
| EP0757383A2 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plate type member for semiconductor device package |
| EP0757383A3 (en) * | 1995-08-03 | 1998-09-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plate type member for semiconductor device package |
| US5990548A (en) * | 1995-08-03 | 1999-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Plate type member for semiconductor device package and package |
| JP4931592B2 (en) * | 2003-10-14 | 2012-05-16 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | Mixing container, mixing apparatus and mixing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2517024B2 (en) | 1996-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2592308B2 (en) | Semiconductor package and computer using the same | |
| US4827082A (en) | Ceramic package | |
| JPH06296084A (en) | Thermal conductor of high conductivity, wiring board provided therewith and manufacture thereof | |
| JPH01151252A (en) | Ceramic package and its manufacture | |
| JP2005150133A (en) | Container for housing semiconductor element | |
| JPH0272655A (en) | Mounted part | |
| JP2000183253A (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JP3695706B2 (en) | Semiconductor package | |
| JP2002110872A (en) | Wiring board and wiring board module | |
| JPH06196585A (en) | Circuit board | |
| JP2005252121A (en) | Package for storing semiconductor element and method for manufacturing the same | |
| JPH10275879A (en) | Semiconductor package | |
| JPH0794624A (en) | Circuit board | |
| JP3850312B2 (en) | Semiconductor element storage package and semiconductor device | |
| JPH0529508A (en) | Ceramic package | |
| JPH0763080B2 (en) | Semiconductor package structure | |
| JP3872391B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPH0272696A (en) | Ceramics circuit board | |
| JPS6334962A (en) | Structure for package | |
| JPS59114845A (en) | Semiconductor device using package improved in characteristics | |
| JPS60136390A (en) | Ceramic module | |
| JP3260512B2 (en) | Aluminum nitride circuit board | |
| JP2009158537A (en) | Package for housing semiconductor element | |
| JP2012221971A (en) | Heat sink and package for housing high heat dissipation type semiconductor element using the same | |
| JPH05152462A (en) | Semiconductor device |