JPH01149484A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH01149484A JPH01149484A JP62308010A JP30801087A JPH01149484A JP H01149484 A JPH01149484 A JP H01149484A JP 62308010 A JP62308010 A JP 62308010A JP 30801087 A JP30801087 A JP 30801087A JP H01149484 A JPH01149484 A JP H01149484A
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- JP
- Japan
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- conductive paste
- paste material
- conductive
- semiconductor film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光や他の光源下での発電や、光検出、色検
出等を行なう光起電力装置に関する。
出等を行なう光起電力装置に関する。
（ロ）従来の技術
従来のこの種光起電力装置は、特公昭５３−３７７１８
号公報等に見られるように、ガラス等の透光性かつ絶縁
性の基板上に、ＩＴＯ−５ｎＯ２等の透光性導電酸化物
からなる受光面電極と、光活性層を含む半導体膜と、Ａ
／等の金属からなる背面電極とをこの順序で積層した構
成である。
号公報等に見られるように、ガラス等の透光性かつ絶縁
性の基板上に、ＩＴＯ−５ｎＯ２等の透光性導電酸化物
からなる受光面電極と、光活性層を含む半導体膜と、Ａ
／等の金属からなる背面電極とをこの順序で積層した構
成である。
また、特開昭６１−１９９６７３号には、背面電極とし
て、高価かつ煩雑な真空蒸着法やスパッタリング法を要
するＡ／等の金属に代えて、安価かつ容易な印刷法やス
プレー法により形成できるニッケル等の導電性粉末を含
む導電性ペースト材を用いる構成が示されている。
て、高価かつ煩雑な真空蒸着法やスパッタリング法を要
するＡ／等の金属に代えて、安価かつ容易な印刷法やス
プレー法により形成できるニッケル等の導電性粉末を含
む導電性ペースト材を用いる構成が示されている。
（ハ）発明が解決しようとする間遭点
ところで、背面電極として導電性ペースト材を用いた光
起電力装置においては、導電性ペースト材に含まれる導
電性粉末の粒径が、出力特性、耐候性に影響を与えるこ
とが判明した。
起電力装置においては、導電性ペースト材に含まれる導
電性粉末の粒径が、出力特性、耐候性に影響を与えるこ
とが判明した。
背面電極として用いた導電性ペースト材に含まれる導電
性粉末の粒径と電流・電圧（Ｉ−Ｖ）特性を第２図に示
す。なお、同図には、背面１４！櫃としてＡＩ等の金属
を用いた場合のＩ−Ｖ特性を参考例として破線にて示し
ている。
性粉末の粒径と電流・電圧（Ｉ−Ｖ）特性を第２図に示
す。なお、同図には、背面１４！櫃としてＡＩ等の金属
を用いた場合のＩ−Ｖ特性を参考例として破線にて示し
ている。
導電性ペースト材に含まれる導電性粉末の粒径が１０７
ｗｍと大きい場合、半導体膜との電気的接触性が悪く、
実線［株］に示すように、Ｉ −Ｖ特性の曲線因子の値
が小さく、また最大出力も低い。
ｗｍと大きい場合、半導体膜との電気的接触性が悪く、
実線［株］に示すように、Ｉ −Ｖ特性の曲線因子の値
が小さく、また最大出力も低い。
一方、祈る導電性粉末の粒径が１〜２μｍと小さい場合
、実線■に示すように、優れたＩ−Ｖ特性をぎするもの
の、祈る構成のものを、１２０℃にて１時間プレッシャ
ークッカーテス）（Ｐ、Ｃ、Ｔ）を行なったところ、実
線０に示す如く、Ｉ−■特性が劣化する。
、実線■に示すように、優れたＩ−Ｖ特性をぎするもの
の、祈る構成のものを、１２０℃にて１時間プレッシャ
ークッカーテス）（Ｐ、Ｃ、Ｔ）を行なったところ、実
線０に示す如く、Ｉ−■特性が劣化する。
以上の如く、導電性ペースト材に含まれる導電性粉末の
粒径が大きいと、Ｉ−Ｖ特性が悪く、粒径が小さいと、
初期のＩ−Ｖ特性は優れているものの耐候性に劣ってい
る。
粒径が大きいと、Ｉ−Ｖ特性が悪く、粒径が小さいと、
初期のＩ−Ｖ特性は優れているものの耐候性に劣ってい
る。
に）問題点を解決する之めの手段
本発明は、受光面電極、光活性層を含む半導体膜及び導
電性粉末を含む導電性ペースト材からなる背面電極を積
層した光起電力装置であって、上記導電性ペースト材は
上記半導体膜と接する側からμｍ以下であり、その上側
か１０μｍ以上である粒径の導電性粉末を含むことを特
徴とする。
電性粉末を含む導電性ペースト材からなる背面電極を積
層した光起電力装置であって、上記導電性ペースト材は
上記半導体膜と接する側からμｍ以下であり、その上側
か１０μｍ以上である粒径の導電性粉末を含むことを特
徴とする。
（ホ）作 用
本発明によれば、小径の導電性粉末を含む導電性ペース
ト材が半導体膜とのオーム接触を行ない、大径の導電性
粉末を含む導電性ペースト材がｒ＃候性を付与する。
ト材が半導体膜とのオーム接触を行ない、大径の導電性
粉末を含む導電性ペースト材がｒ＃候性を付与する。
（へ）実施例
第１図は本発明の一実施例を示す概略的断面図であって
、ガラス等の透光性から絶縁性の基板ｆｌｌ上に、ＴＣ
Ｏの受光面型ｍ ｆ２１ 、光活性層を含み膜面に平行
なＰｉｎの半導体接合ｔ−存するアモルファスシリコン
を主体とした半導体膜（３）及び４電性ペースト材から
なる背面電極（４）がこの順序で積層されている。背面
電極（４）を構成する導電性ペースト材は、半導体膜（
３］と接する側に、ニッケルの平均粒径ｌ〜２μｍ１峡
大粒径５μｍの導電性粉末（υｆ４１）・・・を、また
その上側に、ニッケルの平均粒径ｌＯ〜２０μｍ％最大
粒径３０μｍの導電性粉末＠２（６）・・・を、夫々フ
ェノール系樹脂に混入した二層構造から成っている。
、ガラス等の透光性から絶縁性の基板ｆｌｌ上に、ＴＣ
Ｏの受光面型ｍ ｆ２１ 、光活性層を含み膜面に平行
なＰｉｎの半導体接合ｔ−存するアモルファスシリコン
を主体とした半導体膜（３）及び４電性ペースト材から
なる背面電極（４）がこの順序で積層されている。背面
電極（４）を構成する導電性ペースト材は、半導体膜（
３］と接する側に、ニッケルの平均粒径ｌ〜２μｍ１峡
大粒径５μｍの導電性粉末（υｆ４１）・・・を、また
その上側に、ニッケルの平均粒径ｌＯ〜２０μｍ％最大
粒径３０μｍの導電性粉末＠２（６）・・・を、夫々フ
ェノール系樹脂に混入した二層構造から成っている。
こうして、導電性ペースト材からなる背面電極（４）を
二層構造としたことにより、小径の導電性粉末圓（４υ
・・・を含む下層が半導体膜（３）と接触することによ
って、良好なオーム接触を形成することができ、大径の
導電性粉末＠２ （４Ｂ・・・を含む上層が耐候性をも
たらす。
二層構造としたことにより、小径の導電性粉末圓（４υ
・・・を含む下層が半導体膜（３）と接触することによ
って、良好なオーム接触を形成することができ、大径の
導電性粉末＠２ （４Ｂ・・・を含む上層が耐候性をも
たらす。
祈る木実施例の光起電力装置について、Ｉ−Ｖ特性を測
定したところ、第２図に実線■にて示す如く、導電性ペ
ースト材に含まれる導電性粉末の全てを小径とした場合
と同様の優れたＩ −Ｖ特性を備え、また、１２０℃に
て１時間のＰ、Ｃ，Ｔを行なっても全く特性劣化するこ
とがなかった。
定したところ、第２図に実線■にて示す如く、導電性ペ
ースト材に含まれる導電性粉末の全てを小径とした場合
と同様の優れたＩ −Ｖ特性を備え、また、１２０℃に
て１時間のＰ、Ｃ，Ｔを行なっても全く特性劣化するこ
とがなかった。
なお、祈る出力特性及び耐候性を得るには、小径の導電
性粉末＋４１１（４υ・・・を含む下層の厚みを２０μ
ｍ以下とする必要があり、これ以上の厚みの場合、Ｐ、
Ｃ，ＴによりＩ−■特性が劣化した。
性粉末＋４１１（４υ・・・を含む下層の厚みを２０μ
ｍ以下とする必要があり、これ以上の厚みの場合、Ｐ、
Ｃ，ＴによりＩ−■特性が劣化した。
（ト）発明の効果
本発明によれば、背面電極として使用される導電性ペー
スト材に富まれる導電性粉末の粒径を、半導体膜と接す
る下層で５μｍ以下とすることにより、半導体膜とのオ
ーム接触を良好なものとし、また、祈る下層の上の上層
で１０μｍ以上とすることにより、特性劣化を防止する
ものであり、従って、優れた出力特性及び耐候性を実現
できる。
スト材に富まれる導電性粉末の粒径を、半導体膜と接す
る下層で５μｍ以下とすることにより、半導体膜とのオ
ーム接触を良好なものとし、また、祈る下層の上の上層
で１０μｍ以上とすることにより、特性劣化を防止する
ものであり、従って、優れた出力特性及び耐候性を実現
できる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略的断面図、第２図
はＩ −Ｖ特性を示す特性図である。 （２）・・・受光面′ｔｊ＆極、（３）・・・半導体膜
、（４）・・・背面電極、ｆ４１１ ！４２・・・導電
性粉末。
はＩ −Ｖ特性を示す特性図である。 （２）・・・受光面′ｔｊ＆極、（３）・・・半導体膜
、（４）・・・背面電極、ｆ４１１ ！４２・・・導電
性粉末。
Claims (1)
- １）受光面電極、光活性層を含む半導体膜及び導電性粉
末を含む導電性ペースト材からなる背面電極を積層した
光起電力装置であって、上記導電性ペースト材は上記半
導体膜と接する側か５μｍ以下であり、その上側が１０
μｍ以上である粒径の導電性粉末を含むことを特徴とす
る光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308010A JPH01149484A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308010A JPH01149484A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149484A true JPH01149484A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17975806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308010A Pending JPH01149484A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318638A (en) * | 1991-10-18 | 1994-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US5340409A (en) * | 1992-04-23 | 1994-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element and method for forming the same |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62308010A patent/JPH01149484A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318638A (en) * | 1991-10-18 | 1994-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US5393695A (en) * | 1991-10-18 | 1995-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making solar cell |
| US5340409A (en) * | 1992-04-23 | 1994-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element and method for forming the same |
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