JPH01140047A - 透明薄膜中における塊状粒子検出方法 - Google Patents
透明薄膜中における塊状粒子検出方法Info
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- JPH01140047A JPH01140047A JP29749487A JP29749487A JPH01140047A JP H01140047 A JPH01140047 A JP H01140047A JP 29749487 A JP29749487 A JP 29749487A JP 29749487 A JP29749487 A JP 29749487A JP H01140047 A JPH01140047 A JP H01140047A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンピュータ用磁気ディスクに使用する薄膜
磁気ヘッドのように、透明保護膜に覆われた素子の外観
検査方法に係り1.特に透明保護膜中に存在する塊状粒
子を検出するのに好適とされた透明薄膜中における塊状
粒子検出方法に関するものである。
磁気ヘッドのように、透明保護膜に覆われた素子の外観
検査方法に係り1.特に透明保護膜中に存在する塊状粒
子を検出するのに好適とされた透明薄膜中における塊状
粒子検出方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第7図にその部分断面を示すが、薄膜譚気ヘッドはコイ
ル導体1.絶縁層2.磁性体4および透明保護膜3より
構成されるようになっている。ところで保護膜3を作成
するプロセス上での問題点としては、透明保護膜3が均
一に作成されず同図に示す如く塊状の粒子5a、5bが
生成される場合があることである。透明保護膜3中に塊
状粒子5a、5bが存在すれば、有効な膜厚が薄くなっ
てしまい素子の信頼性が低下することになるからである
。また、塊状粒子5bが透明保護膜3表面に存在する場
合、ディスク使用時にその塊状粒子5bがディスク面に
落下すると装置の破損、あるいはデータの消失等1重大
な事故を引き起こすことから、よって、厳重な検査が必
要となっている。
ル導体1.絶縁層2.磁性体4および透明保護膜3より
構成されるようになっている。ところで保護膜3を作成
するプロセス上での問題点としては、透明保護膜3が均
一に作成されず同図に示す如く塊状の粒子5a、5bが
生成される場合があることである。透明保護膜3中に塊
状粒子5a、5bが存在すれば、有効な膜厚が薄くなっ
てしまい素子の信頼性が低下することになるからである
。また、塊状粒子5bが透明保護膜3表面に存在する場
合、ディスク使用時にその塊状粒子5bがディスク面に
落下すると装置の破損、あるいはデータの消失等1重大
な事故を引き起こすことから、よって、厳重な検査が必
要となっている。
ところで、従来技術に係る通常の暗視野照明による透明
薄膜中での塊状粒子検出方法について説明すれば、第7
図に示すように塊状粒子5a、 5bは不規則な形状を
有しているため、暗視野で照明することによって、明視
野照明では検出し得ない透明な塊状粒子であっても、そ
の表面で光が散乱されるため明るいものとして検出され
るようになっている。しかし、第8図に示すように、暗
視野照明により得られる像には塊状粒子5Cによる散乱
光と、素子を構成するパターンの傾斜部(例えば磁性体
4の傾斜部41.42)からの正反射光やパターンエツ
ジ(例えばコイル導体1のエツジ)からの散乱光が含ま
れたものとなっている。そこで、同一形状を有する2つ
の素子を暗視野照明で撮像、比較することによって、透
明薄膜中での塊状粒子を画像間の不一致部分として検出
し得るものである。
薄膜中での塊状粒子検出方法について説明すれば、第7
図に示すように塊状粒子5a、 5bは不規則な形状を
有しているため、暗視野で照明することによって、明視
野照明では検出し得ない透明な塊状粒子であっても、そ
の表面で光が散乱されるため明るいものとして検出され
るようになっている。しかし、第8図に示すように、暗
視野照明により得られる像には塊状粒子5Cによる散乱
光と、素子を構成するパターンの傾斜部(例えば磁性体
4の傾斜部41.42)からの正反射光やパターンエツ
ジ(例えばコイル導体1のエツジ)からの散乱光が含ま
れたものとなっている。そこで、同一形状を有する2つ
の素子を暗視野照明で撮像、比較することによって、透
明薄膜中での塊状粒子を画像間の不一致部分として検出
し得るものである。
なお、半導体ウェハ上に付着された塊状粒子(異物)を
検出する方法としては、レーザでウェハを斜め上部方向
から照明し、その散乱光を検出するものが特開昭55−
99735号公報に示されている。
検出する方法としては、レーザでウェハを斜め上部方向
から照明し、その散乱光を検出するものが特開昭55−
99735号公報に示されている。
この方法ではレーザ光が異物で散乱される際に偏光特性
が乱れることを利用しており、パターンからの反射光の
影響を受けることなく異物のみを検出するようになって
いる。しかし、半導体ウェハのパターンに比し薄膜磁気
ヘッドのパターンは表面が粗く、パターン表面でもレー
ザ光の偏光特性が乱されるため、パターンからの散乱光
と保護膜中の塊状粒子からの散乱光を弁別し得ないこと
から、磁気ヘッドの検査に従来方法を適用し得ないもの
となっている。
が乱れることを利用しており、パターンからの反射光の
影響を受けることなく異物のみを検出するようになって
いる。しかし、半導体ウェハのパターンに比し薄膜磁気
ヘッドのパターンは表面が粗く、パターン表面でもレー
ザ光の偏光特性が乱されるため、パターンからの散乱光
と保護膜中の塊状粒子からの散乱光を弁別し得ないこと
から、磁気ヘッドの検査に従来方法を適用し得ないもの
となっている。
しかしながら、暗視野照明で同一形状の2つの形状を撮
像、比較することによって、透明薄膜中での塊状粒子を
検出する従来方向では、第8図に示すようにパターン傾
斜部分の上部方向に存在する塊状粒子(5c)について
はその検出が困難であるというものである。即ち、塊状
粒子(5c)からの散乱光の強度はその下部に存在する
パターン傾斜部分からの正反射光強度に比し微弱であり
、塊状粒子(5c)からの散乱光とパターン傾斜部分か
らの正反射光を同時に検出し、2つの素子の比較により
塊状粒子(5c)のみを検出することは困難であるとい
うわけである。
像、比較することによって、透明薄膜中での塊状粒子を
検出する従来方向では、第8図に示すようにパターン傾
斜部分の上部方向に存在する塊状粒子(5c)について
はその検出が困難であるというものである。即ち、塊状
粒子(5c)からの散乱光の強度はその下部に存在する
パターン傾斜部分からの正反射光強度に比し微弱であり
、塊状粒子(5c)からの散乱光とパターン傾斜部分か
らの正反射光を同時に検出し、2つの素子の比較により
塊状粒子(5c)のみを検出することは困難であるとい
うわけである。
また、パターン傾斜部分にしてもその製造プロセスの微
妙な条件変動により各素子毎に傾斜角度や高さがばらつ
きがあり、暗視野照明を行なった場合、正反射光強度は
各素子毎に大きく異なったものとなる。このため、暗視
野照明で2つの素子を撮像、比較すると、パターン傾斜
部分で大きな不一致が生じ多数の擬似欠陥を発生してし
まうことになる。
妙な条件変動により各素子毎に傾斜角度や高さがばらつ
きがあり、暗視野照明を行なった場合、正反射光強度は
各素子毎に大きく異なったものとなる。このため、暗視
野照明で2つの素子を撮像、比較すると、パターン傾斜
部分で大きな不一致が生じ多数の擬似欠陥を発生してし
まうことになる。
本発明の目的は、透明薄膜中に存在する塊状粒子を擬似
欠陥を発生させることなく、高信頼性にして検出し得る
透明薄膜中における塊状粒子検出方法を供するにある。
欠陥を発生させることなく、高信頼性にして検出し得る
透明薄膜中における塊状粒子検出方法を供するにある。
上記目的は、2つの素子各々を相対向する方向より別々
に暗視野照明した状態で撮像した後は。
に暗視野照明した状態で撮像した後は。
これら方向対応に撮像された2つの素子についての4種
類の画像を所定に処理することで達成される。
類の画像を所定に処理することで達成される。
透明薄膜中での塊状粒子は暗視野照明の方向に拘らずそ
の散乱光が検出され得るが、パターン傾斜部分はある一
定方向からの暗視野照明に対する正反射光しか検出し得
ない。このため、対向する2方向から別々に暗視野照明
した状態で撮像された2つの画像には、同一の塊状粒子
からの散乱光が共通に含まれるが、同一のパターン傾斜
部分からの正反射光は共通には含まれず、各々異なった
パターン傾斜部分からの正反射光のみが検出されるよう
になっている。さて、パターン傾斜部分上部に塊状粒子
が存在する場合、対向する2方向から別々に暗視野照明
した状態で撮像された2つの画像のうち、一方ではその
塊状粒子からの散乱光が下部に存在するパターン傾斜部
分からの正反射光成分に埋もれて検出されるが、他方で
は下地パターンの影響を受けることなく塊状粒子からの
散乱光成分のみが検出されることになる。そこで、一方
向からの暗視野照明で2つの素子を撮像し。
の散乱光が検出され得るが、パターン傾斜部分はある一
定方向からの暗視野照明に対する正反射光しか検出し得
ない。このため、対向する2方向から別々に暗視野照明
した状態で撮像された2つの画像には、同一の塊状粒子
からの散乱光が共通に含まれるが、同一のパターン傾斜
部分からの正反射光は共通には含まれず、各々異なった
パターン傾斜部分からの正反射光のみが検出されるよう
になっている。さて、パターン傾斜部分上部に塊状粒子
が存在する場合、対向する2方向から別々に暗視野照明
した状態で撮像された2つの画像のうち、一方ではその
塊状粒子からの散乱光が下部に存在するパターン傾斜部
分からの正反射光成分に埋もれて検出されるが、他方で
は下地パターンの影響を受けることなく塊状粒子からの
散乱光成分のみが検出されることになる。そこで、一方
向からの暗視野照明で2つの素子を撮像し。
その方向からの照明により明るく検出されるパターン傾
斜部分を検査禁止領域としたうえで、撮像された2つの
画像を比較検査することを照明方向を切換えて行なうこ
とによって、パターン傾斜部分で擬似欠陥を発生するこ
となく全ての塊状粒子が検出可能となるものである。検
査禁止領域は対向する2方向からの照明により得られる
2つの画像の差分の2値化によって設定されていること
から、各照明方向毎に設定される検査禁止領域は重複す
ることはなく、よって各照明方向毎の検査結果を合成す
ることによって、全領域に亘っての検査が可能となるも
のである。
斜部分を検査禁止領域としたうえで、撮像された2つの
画像を比較検査することを照明方向を切換えて行なうこ
とによって、パターン傾斜部分で擬似欠陥を発生するこ
となく全ての塊状粒子が検出可能となるものである。検
査禁止領域は対向する2方向からの照明により得られる
2つの画像の差分の2値化によって設定されていること
から、各照明方向毎に設定される検査禁止領域は重複す
ることはなく、よって各照明方向毎の検査結果を合成す
ることによって、全領域に亘っての検査が可能となるも
のである。
以下1本発明を第1図から第6図により説明する。
先ず本発明に係る塊状粒子検出装置の概要を第2図によ
って説明すれば以下のようである。
って説明すれば以下のようである。
即ち、光源10からの光はコンデンサレンズ11゜遮光
板12、反射鏡13、暗視野用対物レンズ14周囲を介
し、複数の本来同一であるべき素子が形成された被検査
ウェハ17を照明するようになっている。
板12、反射鏡13、暗視野用対物レンズ14周囲を介
し、複数の本来同一であるべき素子が形成された被検査
ウェハ17を照明するようになっている。
被検査ウェハ17からの反射光は暗視野用対物レンズ1
4の中央レンズ部分、反射fi(周囲のみ鏡で中央は光
が透過可能) 13、結像レンズ15を介しTVカメラ
16上に結像されるものとなっている。ところで、遮光
板12は第3図に示す如く2種類の遮光部31.32を
有しており1部分31a、 32aが光を透過し、部分
31b、 32bでは遮光するようになっているため、
第2図において遮光板12を上下に移動することによっ
て、暗視野照明方向を左右に切換え可能となっている。
4の中央レンズ部分、反射fi(周囲のみ鏡で中央は光
が透過可能) 13、結像レンズ15を介しTVカメラ
16上に結像されるものとなっている。ところで、遮光
板12は第3図に示す如く2種類の遮光部31.32を
有しており1部分31a、 32aが光を透過し、部分
31b、 32bでは遮光するようになっているため、
第2図において遮光板12を上下に移動することによっ
て、暗視野照明方向を左右に切換え可能となっている。
さて、その装置の動作を説明すれば、先ず遮光部31を
光路に挿入した状態で被検査ウェハ17上の1つの素子
をTVカメラ16で撮像し、その出力はA/D変換器1
9でディジタル量に変換された後メモリ20aに記憶さ
れる。次に遮光板12を移動し遮光部32を光路に挿入
した状態でその素子をTVカメラ16で撮像したうえA
/D変換器19を介しメモリ20bに記憶するようにな
っている。この後は再度遮光板12を移動し遮光部31
を光路に挿入した状態でXYステージ18を移動し、被
検査ウェハ17上の本来同一形状を有する他の素子をT
Vカメラ16で撮像したうえA/D変換器19を介しメ
モリ20cに記憶し、更には遮光板12を移動し遮光部
32を光路に挿入した状態でその他の素子をTVカメラ
16で撮像したうえA/D変換器19を介しメモリ20
dに記憶するようになっている。
光路に挿入した状態で被検査ウェハ17上の1つの素子
をTVカメラ16で撮像し、その出力はA/D変換器1
9でディジタル量に変換された後メモリ20aに記憶さ
れる。次に遮光板12を移動し遮光部32を光路に挿入
した状態でその素子をTVカメラ16で撮像したうえA
/D変換器19を介しメモリ20bに記憶するようにな
っている。この後は再度遮光板12を移動し遮光部31
を光路に挿入した状態でXYステージ18を移動し、被
検査ウェハ17上の本来同一形状を有する他の素子をT
Vカメラ16で撮像したうえA/D変換器19を介しメ
モリ20cに記憶し、更には遮光板12を移動し遮光部
32を光路に挿入した状態でその他の素子をTVカメラ
16で撮像したうえA/D変換器19を介しメモリ20
dに記憶するようになっている。
以上のようにしてメモリ20a〜20dに記憶された4
つの画像は以下に詳述する欠陥判定回路40に入力され
、透明保護膜中に存在する塊状粒子が検出されるのであ
るが、比較される2つの素子の画像は予め相互に位置合
せがなされている必要がある。
つの画像は以下に詳述する欠陥判定回路40に入力され
、透明保護膜中に存在する塊状粒子が検出されるのであ
るが、比較される2つの素子の画像は予め相互に位置合
せがなされている必要がある。
位置合せの方法は本発明に直接関係しなくその詳細な説
明は省略するが、XYステージ18を精密に位置決めし
て2つの素子を位置合せした後TVカメラ16で撮像す
る方法や、メモリ20a〜20dに記憶された画像を電
気的にシフトすることで、2つの素子を位置合せする方
法などがある。
明は省略するが、XYステージ18を精密に位置決めし
て2つの素子を位置合せした後TVカメラ16で撮像す
る方法や、メモリ20a〜20dに記憶された画像を電
気的にシフトすることで、2つの素子を位置合せする方
法などがある。
第1図は第2図における欠陥判定回路の一例での構成を
示したものである。以下、説明を簡便にするため、第2
図において遮光部31が光路中に挿入された状態での暗
視野照明方向をし、遮光部32が光路中に挿入された状
態での暗視野照明方向をRとする。また、比較すべき2
つの素子をそれぞれA、Bとして照明方向りで撮像され
た素子Aの画像をA L r素子Bの画像をB L +
照明方向Rで撮像された素子Aの画像をA Rを素子B
の画像をBRとして説明すれば以下のようである。
示したものである。以下、説明を簡便にするため、第2
図において遮光部31が光路中に挿入された状態での暗
視野照明方向をし、遮光部32が光路中に挿入された状
態での暗視野照明方向をRとする。また、比較すべき2
つの素子をそれぞれA、Bとして照明方向りで撮像され
た素子Aの画像をA L r素子Bの画像をB L +
照明方向Rで撮像された素子Aの画像をA Rを素子B
の画像をBRとして説明すれば以下のようである。
即ち、欠陥判定回路40ではメモリ20a、20b、2
0c。
0c。
20dに予め記憶された画像ALs AR+ BL+
BRを入力しこれらを所定に処理するが、その構成はA
LとBL+ AR+ BRを比較するための差の絶対値
回路44a、 44b、これら差の絶対値回路44a、
44bからの出力のうち、所定領域(検査禁止領域)
対応のものをマスクするためのセレクタ45a、 45
b、セレクタ45a、 45bからの出力を2値化する
ための2値化回路46a、 46b、 2値化回路46
a、 46bからの、各照明方向り、R毎に比較検査さ
れた結果を合成し最終検査結果を得るための論理和回路
47.更には各照明方向り、R毎に撮像された画像を比
較検査する際での検査禁止領域(以下ML、MRとする
)を算出するための減算回路41a〜41d、 2値化
回路42a〜42dおよび論理積回路43a、 43b
より構成されたものとなっている。
BRを入力しこれらを所定に処理するが、その構成はA
LとBL+ AR+ BRを比較するための差の絶対値
回路44a、 44b、これら差の絶対値回路44a、
44bからの出力のうち、所定領域(検査禁止領域)
対応のものをマスクするためのセレクタ45a、 45
b、セレクタ45a、 45bからの出力を2値化する
ための2値化回路46a、 46b、 2値化回路46
a、 46bからの、各照明方向り、R毎に比較検査さ
れた結果を合成し最終検査結果を得るための論理和回路
47.更には各照明方向り、R毎に撮像された画像を比
較検査する際での検査禁止領域(以下ML、MRとする
)を算出するための減算回路41a〜41d、 2値化
回路42a〜42dおよび論理積回路43a、 43b
より構成されたものとなっている。
さて、その回路動作について処理量関係を示す第41!
!Iを参照しつつ説明すれば画像ALから画像ARを減
算回路41aにより減算し、その結果は2値化回路42
aでしきい値(正の値) Th工によって2値化される
が、この2値化結果は素子Aを照明方向りで暗視野照明
した際に明るく検出されるパターン傾斜部分を示す。同
様に画像BLから画像BRを減算回路41cにより減算
し、その結果を2値化回路42cによりしきい値Thユ
て2値化することによって、素子Bを照明方向りより暗
視野照明した際に、明るく検出されるパターン傾斜部分
が抽出されるものである。その後2値化回路42a、
42cの出力は論理積回路43aで論理積されることに
よって、照明方向りにより素子A、Bにおいて共通に明
るく検出されるパターン傾斜部分が検出されるが、これ
が照明方向りで2素子の比較を行なう場合での検査禁止
領域MLとなるわけである。
!Iを参照しつつ説明すれば画像ALから画像ARを減
算回路41aにより減算し、その結果は2値化回路42
aでしきい値(正の値) Th工によって2値化される
が、この2値化結果は素子Aを照明方向りで暗視野照明
した際に明るく検出されるパターン傾斜部分を示す。同
様に画像BLから画像BRを減算回路41cにより減算
し、その結果を2値化回路42cによりしきい値Thユ
て2値化することによって、素子Bを照明方向りより暗
視野照明した際に、明るく検出されるパターン傾斜部分
が抽出されるものである。その後2値化回路42a、
42cの出力は論理積回路43aで論理積されることに
よって、照明方向りにより素子A、Bにおいて共通に明
るく検出されるパターン傾斜部分が検出されるが、これ
が照明方向りで2素子の比較を行なう場合での検査禁止
領域MLとなるわけである。
一方、差の絶対値回路44aによってはALとBLとの
差の絶対値、即ち、不一致量が演算されており、その結
果はセレクタ45aより出力可とされているが、この結
果か、または“O11が出力されるかは論理積回路43
aからのMLの状態によっている。
差の絶対値、即ち、不一致量が演算されており、その結
果はセレクタ45aより出力可とされているが、この結
果か、または“O11が出力されるかは論理積回路43
aからのMLの状態によっている。
MLが1”の時セレクタ゛45aはII OIIを、ま
た。
た。
MLが410 IIの時は差の絶対値回路44aの出力
をそのまま出力するようになっているものである。した
がってセレクタ45aの出力には、照明方向りより暗視
野照明した時に明るく検出される、パターン傾斜部分以
外の領域に存在する塊状粒子からの散乱光が含まれてお
り、これを2値化回路46aによりしきい値Th2で2
値化することによって、その塊状粒子を検出し得るもの
である。以上説明したのと同様動作によって、照明方向
Rより暗視野照明した時に明るく検出されるパターン傾
斜部分以外の領域に存在する塊状粒子が2値化回路46
bの出力として検出されるものである。最後に2値化回
路46a、 46bの出力は論理和回路47で論理和さ
れることによって、素子上に存在する全ての塊状粒子が
検出され得るものである。第4図では論理和されてから
2値化されているが、何れにしても同様な結果が得られ
るようになっている。ところで、論理和処理が必要とさ
れているのは、塊状粒子からの散乱状態が暗視野照明方
向によって一般に異なるからであり、その大きさをより
確実に検出する必要があるからである。第1図に示され
ていないが、その後論理和処理された結果に含まれる“
1″領域の大きさが判定されることによって。
をそのまま出力するようになっているものである。した
がってセレクタ45aの出力には、照明方向りより暗視
野照明した時に明るく検出される、パターン傾斜部分以
外の領域に存在する塊状粒子からの散乱光が含まれてお
り、これを2値化回路46aによりしきい値Th2で2
値化することによって、その塊状粒子を検出し得るもの
である。以上説明したのと同様動作によって、照明方向
Rより暗視野照明した時に明るく検出されるパターン傾
斜部分以外の領域に存在する塊状粒子が2値化回路46
bの出力として検出されるものである。最後に2値化回
路46a、 46bの出力は論理和回路47で論理和さ
れることによって、素子上に存在する全ての塊状粒子が
検出され得るものである。第4図では論理和されてから
2値化されているが、何れにしても同様な結果が得られ
るようになっている。ところで、論理和処理が必要とさ
れているのは、塊状粒子からの散乱状態が暗視野照明方
向によって一般に異なるからであり、その大きさをより
確実に検出する必要があるからである。第1図に示され
ていないが、その後論理和処理された結果に含まれる“
1″領域の大きさが判定されることによって。
ノイズ成分が除去されるものとなっ°ている。
さて、第5図は本発明の他の実施例での構成を示したも
のである。異なる波長帯域の光で対向する2方向から同
時に暗視野照明を行ない、各波長帯域毎にTVカメラで
画像を検出することによって、対向する2方自から照明
された素子についての2つの画像を同時に検出しようと
いうものである。これを実現すべく暗視野光路に挿入さ
れる遮光板21は第6図に示すように、光を透過しない
遮光部23、長波長帯域の光(赤色光)のみを透過し他
の波長光を反射する色フィルタ24aおよび短波長帯域
の光(青色光)のみを透過し他の波長光を反射する色フ
ィルタ24bより構成されるようになっている。また、
2つの波長帯域の光を分離して検出すべく、第5図に示
すように、検出光路中にはダイクロイックミラー22が
挿入されるようになっている(ダイクロイックミラー2
2は赤色光を透過し、青色光を反射するものを使用)。
のである。異なる波長帯域の光で対向する2方向から同
時に暗視野照明を行ない、各波長帯域毎にTVカメラで
画像を検出することによって、対向する2方自から照明
された素子についての2つの画像を同時に検出しようと
いうものである。これを実現すべく暗視野光路に挿入さ
れる遮光板21は第6図に示すように、光を透過しない
遮光部23、長波長帯域の光(赤色光)のみを透過し他
の波長光を反射する色フィルタ24aおよび短波長帯域
の光(青色光)のみを透過し他の波長光を反射する色フ
ィルタ24bより構成されるようになっている。また、
2つの波長帯域の光を分離して検出すべく、第5図に示
すように、検出光路中にはダイクロイックミラー22が
挿入されるようになっている(ダイクロイックミラー2
2は赤色光を透過し、青色光を反射するものを使用)。
この状態で2つのTVカメラ16a、 16bで検出さ
れた画像はA/D変換器19a、 19bを介しそれぞ
れメモリ20a。
れた画像はA/D変換器19a、 19bを介しそれぞ
れメモリ20a。
20bに、XYステージ18移動後の他の素手について
の画像はメモリ20c 、 20dに記憶されるところ
となるものである。
の画像はメモリ20c 、 20dに記憶されるところ
となるものである。
このように本例では、対向する2方向から照明された素
子についての2つの画像は同時に検出され得るから、検
査が速やかに行なわれることになる。
子についての2つの画像は同時に検出され得るから、検
査が速やかに行なわれることになる。
以上説明したように本発明によれば、コンピュータ用磁
気ディスクに使用する薄膜磁気ヘッドのように、透明保
護膜に覆われた素子の保護膜中に存在する塊状粒子は素
子のパターンに影響されることなく、しかも擬似欠陥を
発生することなく高い信頼度で検出されるから、製品の
信頼性が向上されるといった効果がある。
気ディスクに使用する薄膜磁気ヘッドのように、透明保
護膜に覆われた素子の保護膜中に存在する塊状粒子は素
子のパターンに影響されることなく、しかも擬似欠陥を
発生することなく高い信頼度で検出されるから、製品の
信頼性が向上されるといった効果がある。
第1図は本発明に係る欠陥判定回路の一例での構成を示
す図、第2図、第3図は、本発明に係る塊状粒子検出装
置の一例での概要構成とその構成における遮光板の詳細
を示す図、第4図は、第1図に示す欠陥判定回路での処
理量関係を示す図、第5図、第6図は、本発明に係る塊
状粒子検出装置の他の例での概要構成とその構成におけ
る遮光板の詳細を示す図、第7図、第8図は、従来技術
の不具合を説明するための薄膜磁気ヘッドの部分断面を
示す図である。 12、21・・・遮光板、13・・・反射鏡、14・・
・暗視野用対物レンズ、16.16a、 16b−T
Vカメラ、19.19a。 19b・・・A/D変換器、2(la〜20d・・・メ
モリ、4o・・・欠陥判定回路、 41a 〜41d−
減算回路、 42a〜42d、46a。 46b=・2値化回路、43a、 43b−論理積回路
、44a。 44b・・・差の絶対値回路、45a、 45b・・・
セレクタ、47・・・論理和回路。 第2囚 茅 3 図 11大ラペ 第5図 第6図 21 ”24b
す図、第2図、第3図は、本発明に係る塊状粒子検出装
置の一例での概要構成とその構成における遮光板の詳細
を示す図、第4図は、第1図に示す欠陥判定回路での処
理量関係を示す図、第5図、第6図は、本発明に係る塊
状粒子検出装置の他の例での概要構成とその構成におけ
る遮光板の詳細を示す図、第7図、第8図は、従来技術
の不具合を説明するための薄膜磁気ヘッドの部分断面を
示す図である。 12、21・・・遮光板、13・・・反射鏡、14・・
・暗視野用対物レンズ、16.16a、 16b−T
Vカメラ、19.19a。 19b・・・A/D変換器、2(la〜20d・・・メ
モリ、4o・・・欠陥判定回路、 41a 〜41d−
減算回路、 42a〜42d、46a。 46b=・2値化回路、43a、 43b−論理積回路
、44a。 44b・・・差の絶対値回路、45a、 45b・・・
セレクタ、47・・・論理和回路。 第2囚 茅 3 図 11大ラペ 第5図 第6図 21 ”24b
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明薄膜を有し、かつ本来同一形状とされる2個の
被検査素子各々を、相対向する2方向から別々に暗視野
照明した状態で撮像し、該素子各々についての暗視野照
明方向対応に得られた多値ディジタル画像データを所定
に処理することで、透明薄膜中に存在する塊状粒子を不
一致部分として検出する塊状粒子検出方法にして、第1
の暗視野照明方向に係る第1、第2の被検査素子の多値
ディジタル画像データを比較し第1の差の絶対値画像デ
ータを求めるとともに、第2の暗視野照明方向に係る第
1、第2の被検査素子の多値ディジタル画像データを比
較し第2の差の絶対値画像データを求める一方、第1の
暗視野照明方向に係る第1、第2の被検査素子の多値デ
ィジタル画像データ中共に明るく検出された領域を第1
の検査禁止領域として抽出するとともに、第2の暗視野
照明方向に係る第1、第2の被検査素子の多値ディジタ
ル画像データ中共に明るく検出された領域を第2の検査
禁止領域として抽出し、第1の検査禁止領域に含まれる
多値ディジタル画像データをマスクしつつ第1の差の絶
対値画像データの2値化されたものと、第2の検査禁止
領域に含まれる多値ディジタル画像データをマスクしつ
つ第2の差の絶対値画像データの2値化されたものとを
論理和することによって、不一致部分を欠陥として検出
することを特徴とする、透明薄膜中における塊状粒子検
出方法。 2、第1の検査禁止領域は第1の暗視野照明方向に係る
第1の被検査素子の多値ディジタル画像データから、第
2の暗視野照明方向に係る第1の被検査素子の多値ディ
ジタル画像データを減算した結果を2値化したものと、
第1の暗視野照明方向に係る第2の被検査素子の多値デ
ィジタル画像データから、第2の暗視野照明方向に係る
第2の被検査素子の多値ディジタル画像データを減算し
た結果を2値化したものとの論理積として、第2の検査
禁止領域は第2の暗視野照明方向に係る第1の被検査素
子の多値ディジタル画像データから、第1の暗視野照明
方向に係る第1の被検査素子の多値ディジタル画像デー
タを減算した結果を2値化したものと、第2の暗視野照
明方向に係る第2の被検査素子の多値ディジタル画像デ
ータから、第1の暗視野照明方向に係る第2の被検査素
子の多値ディジタル画像データを減算した結果を2値化
したものとの論理積として抽出される、特許請求の範囲
第1項記載の透明薄膜中における塊状粒子検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62297494A JPH0690143B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 透明薄膜中における塊状粒子検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62297494A JPH0690143B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 透明薄膜中における塊状粒子検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01140047A true JPH01140047A (ja) | 1989-06-01 |
JPH0690143B2 JPH0690143B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17847233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62297494A Expired - Lifetime JPH0690143B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 透明薄膜中における塊状粒子検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0690143B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10996230B2 (en) | 2008-12-23 | 2021-05-04 | C A Casyso Gmbh | Cartridge device for a measuring system for measuring viscoelastic characteristics of a sample liquid, a corresponding measuring system, and a corresponding method |
US11327069B2 (en) | 2014-09-29 | 2022-05-10 | Ca Casyso Gmbh | Blood testing system and method |
US12031993B2 (en) | 2014-09-29 | 2024-07-09 | C A Casyso Gmbh | Blood testing system and method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001201462A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明材料または透明材料で包まれた物体の検査装置及び検査方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57208153A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Inspecting method for defective aluminum pattern of semiconductor or the like |
JPS5952734A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-27 | Toshiba Corp | 表面きず検出方法 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62297494A patent/JPH0690143B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57208153A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Inspecting method for defective aluminum pattern of semiconductor or the like |
JPS5952734A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-27 | Toshiba Corp | 表面きず検出方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10996230B2 (en) | 2008-12-23 | 2021-05-04 | C A Casyso Gmbh | Cartridge device for a measuring system for measuring viscoelastic characteristics of a sample liquid, a corresponding measuring system, and a corresponding method |
US11061038B2 (en) | 2008-12-23 | 2021-07-13 | C A Casyso Gmbh | Cartridge device for a measuring system for measuring viscoelastic characteristics of a sample liquid, a corresponding measuring system, and a corresponding method |
US11131680B2 (en) | 2008-12-23 | 2021-09-28 | C A Casyso Gmbh | Cartridge device for a measuring system for measuring viscoelastic characteristics of a sample liquid, a corresponding measuring system, and a corresponding method |
US11360106B2 (en) | 2008-12-23 | 2022-06-14 | C A Casyso Gmbh | Cartridge device for a measuring system for measuring viscoelastic characteristics of a sample liquid, a corresponding measuring system, and a corresponding method |
US11879899B2 (en) | 2008-12-23 | 2024-01-23 | C A Casyso Gmbh | Cartridge device for a measuring system for measuring viscoelastic characteristics of a sample liquid, a corresponding measuring system, and a corresponding method |
US11327069B2 (en) | 2014-09-29 | 2022-05-10 | Ca Casyso Gmbh | Blood testing system and method |
US11719688B2 (en) | 2014-09-29 | 2023-08-08 | C A Casyso Gmbh | Blood testing system and method |
US12031993B2 (en) | 2014-09-29 | 2024-07-09 | C A Casyso Gmbh | Blood testing system and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0690143B2 (ja) | 1994-11-14 |
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