JPH01135464A - Polishing device - Google Patents
Polishing deviceInfo
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- JPH01135464A JPH01135464A JP62288681A JP28868187A JPH01135464A JP H01135464 A JPH01135464 A JP H01135464A JP 62288681 A JP62288681 A JP 62288681A JP 28868187 A JP28868187 A JP 28868187A JP H01135464 A JPH01135464 A JP H01135464A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、半導体ウェーハ等の被研磨材の表面を研磨
する研磨装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a polishing apparatus for polishing the surface of a material to be polished, such as a semiconductor wafer.
「従来の技術」
ンリコンやGaAs等の半導体デバイスの高集積化とパ
ターンサイズの極小化に伴い、半導体ウェーハ(以下単
に「ウェーハ」という )は高精度の平面度が要求され
ている。そこで、ウェーハの表面研磨工程であるボリシ
ングにおいても高精度の平面度を得ることが必要である
。``Prior Art'' As semiconductor devices such as semiconductors and GaAs devices become highly integrated and pattern sizes become miniaturized, semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as ``wafers'') are required to have highly accurate flatness. Therefore, it is necessary to obtain highly accurate flatness even in the borizing process, which is a wafer surface polishing process.
ところで、従来、このようなウェーハの研磨装置として
は、第2図に示すようなものが知られている。Incidentally, as such a wafer polishing apparatus, one shown in FIG. 2 is conventionally known.
第2図において、符号lは定盤であり、2はギヤリアプ
レート、3はキャリアプレート2の上部に装着された加
圧盤である。In FIG. 2, reference numeral 1 is a surface plate, 2 is a gear rear plate, and 3 is a pressure plate attached to the upper part of the carrier plate 2.
定盤lは、平面視して円形の回転板であり、その上面に
は研磨布が装着されて研磨面1aが形成されている。こ
の定盤lは図示しない駆動装置と連結されており、軸線
Oを中心として回転可能となっている。この定盤lの中
心部上方には、砥粒とアルカリ液とを混合したスラリー
状の研磨液を定盤lの研磨面1aの中心部に供給する研
磨液供給管4が設けられている。The surface plate 1 is a rotating plate having a circular shape in plan view, and a polishing cloth is attached to the upper surface of the surface plate 1 to form a polishing surface 1a. This surface plate l is connected to a drive device (not shown) and is rotatable about an axis O. A polishing liquid supply pipe 4 is provided above the center of the surface plate l for supplying a polishing liquid in the form of slurry, which is a mixture of abrasive grains and alkaline liquid, to the center of the polishing surface 1a of the surface plate l.
キャリアプレート2は、ステンレス鋼等の金属、セラミ
ックスあるいはガラスからなる円板であり、その両面が
研磨されて平担な面とされている。このキャリアプレー
ト2の片面には、第3図に示すように、1枚以上複数枚
(この図では4枚)のウェーハ5,5・・・が平面視し
て周方向に等間隔な位置に固定されている。このウェー
ハ5をキャリアプレート2に固定する方法としては、ウ
ェーハ5の片面にワックスを塗布することによりウェー
ハ5をキャリアプレート2の片面に貼着するワックス法
と、真空吸着、水貼り等の方法により接着するワックス
レス法とがある。これらの方法によりウェーハ4が片面
に固定されたキャリアプレート2は、そのウェーハ5が
固定されている面を下方に向けた状態で定盤1に載置さ
れている。The carrier plate 2 is a circular plate made of metal such as stainless steel, ceramics, or glass, and both surfaces thereof are polished to have a flat surface. As shown in FIG. 3, on one side of the carrier plate 2, one or more (four in this figure) wafers 5, 5, etc. are arranged at equal intervals in the circumferential direction when viewed from above. Fixed. Methods for fixing this wafer 5 to the carrier plate 2 include a wax method in which the wafer 5 is attached to one side of the carrier plate 2 by applying wax to one side of the wafer 5, and a method such as vacuum suction or water bonding. There is a waxless method of adhesion. The carrier plate 2, on which the wafer 4 is fixed by these methods, is placed on the surface plate 1 with the surface on which the wafer 5 is fixed facing downward.
定盤1上に載置されているキャリアプレート2は、1つ
の定盤l上に1つ以上複数個(図ではlのみ示す)が配
置されている。これらのキャリアプレート2.2・・・
は、平面視して周方向に等間隔に位置している。One or more carrier plates 2 placed on the surface plate 1 are arranged on one surface plate l (only l is shown in the figure). These carrier plates 2.2...
are located at equal intervals in the circumferential direction when viewed from above.
符号3は平面視して円形の加圧盤であって、この加圧盤
3の下面には、シリンダ状の凹所が形成されており、そ
の平面部はキャリアプレート2を押圧するための加圧面
6となってい、る。この加圧面6は平担な面とされてい
る。上記シリンダ状の凹所にキャリアプレート2の上部
が嵌合され、キャリアプレート2の上面と加圧面6とが
密着されている。Reference numeral 3 denotes a pressure plate which is circular in plan view, and a cylindrical recess is formed on the lower surface of the pressure plate 3, and the flat part thereof serves as a pressure surface 6 for pressing the carrier plate 2. It becomes. This pressurizing surface 6 is a flat surface. The upper part of the carrier plate 2 is fitted into the cylindrical recess, and the upper surface of the carrier plate 2 and the pressurizing surface 6 are in close contact with each other.
加圧盤3は、その上部中央に加圧軸7か連結され、この
加圧軸7に対して首振り自在、かつ回転自在となってい
る。A pressure shaft 7 is connected to the center of the upper part of the pressure plate 3, and the pressure plate 3 is swingable and rotatable with respect to the pressure shaft 7.
上記のような研磨装置を用いてウェーハ5を研磨するに
は、まず、空気圧シリンダ、4ガ圧シリンダ等を用いて
(デッドウェイト方式でもよい)、加圧盤3の上部に連
結されている加圧軸7を下方に押圧することにより、ウ
ェーハ5を定盤1の研磨面1aに押圧する。この状態で
、定盤lの研磨面1aの中心部に研磨液供給管4から研
磨液を供給しながら0、定盤lを軸線Oを中心として第
2図において矢印方向に回転させる。この場合、キャリ
アプレート2に固定された各ウェーハ5と定盤lの研磨
面1aとの接触面における相対速度は定盤lの軸線0か
ら離れるに従って大きくなるため、キャリアプレート2
に固定されたウェーハ5のうち、定盤lの研磨面1aと
定盤lの外側において接触しているウェーハ5にはより
大きい相対速度が与えられ、キャリアプレート2は加圧
盤3とともに第2図において矢印方向に回転させられる
。To polish the wafer 5 using the polishing apparatus as described above, first, use a pneumatic cylinder, a 4-gauge cylinder, etc. (a dead weight type is also acceptable), and apply pressure connected to the upper part of the press plate 3. By pressing the shaft 7 downward, the wafer 5 is pressed against the polishing surface 1a of the surface plate 1. In this state, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply pipe 4 to the center of the polishing surface 1a of the surface plate I, and the surface plate I is rotated in the direction of the arrow in FIG. 2 about the axis O. In this case, the relative speed at the contact surface between each wafer 5 fixed on the carrier plate 2 and the polishing surface 1a of the surface plate l increases as the distance from the axis 0 of the surface plate l increases, so that the carrier plate 2
Among the wafers 5 fixed to the surface plate 1, a larger relative speed is given to the wafer 5 that is in contact with the polishing surface 1a of the surface plate 1 on the outside of the surface plate 1, and the carrier plate 2 is moved along with the pressure plate 3 as shown in FIG. is rotated in the direction of the arrow.
また、定盤lの研磨面1aの例えば中心部に供給された
研磨液は、定盤lの研磨面1aのつれ回り力により、定
盤Iの研磨面1aとともに回転しつつ、定盤lの研磨面
la上を半径方向外方に流れ、ウェーハ5の下面に供給
される。このようにして、ウェーハ5の下面が定盤lの
研磨面ia上で擦られ研磨液によってメカノケミカル研
磨される。Further, the polishing liquid supplied to, for example, the center of the polishing surface 1a of the surface plate L rotates together with the polishing surface 1a of the surface plate I due to the twisting force of the polishing surface 1a of the surface plate L. It flows radially outward on the polishing surface la and is supplied to the lower surface of the wafer 5. In this way, the lower surface of the wafer 5 is rubbed on the polishing surface ia of the surface plate l and mechanochemically polished by the polishing liquid.
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、従来のこのような研磨装置にあっては、以下
のような問題があった。"Problems to be Solved by the Invention" By the way, such a conventional polishing apparatus has the following problems.
すなわち、ウェーハ5と定盤1の研磨面1aとの摩擦に
よって発生する摩擦熱でつt−ハ5が熱をもち、この熱
がキャリアプレート2に熱伝導してキャリアプレート2
も熱をもつ。そして、キャリアプレート2の上面が加圧
盤3の加圧面6と密着しているので、キャリアプレート
2の上部の熱は加圧盤3に熱伝導して、キャリアプレー
ト2の上部と下部に温度差ができ、キャリアプレート2
に熱歪みが生じるためキャリアプレート2の上下面の平
担性が悪くなる。That is, the frictional heat generated by the friction between the wafer 5 and the polishing surface 1a of the surface plate 1 generates heat in the t-wafer 5, and this heat is conducted to the carrier plate 2.
I also have a fever. Since the top surface of the carrier plate 2 is in close contact with the pressure surface 6 of the pressure plate 3, the heat from the top of the carrier plate 2 is conducted to the pressure plate 3, creating a temperature difference between the top and bottom of the carrier plate 2. Yes, carrier plate 2
Since thermal distortion occurs in the carrier plate 2, the flatness of the upper and lower surfaces of the carrier plate 2 deteriorates.
また、キャリアプレート2の上面から加圧盤3の加圧面
6に熱伝導され、加圧盤3の下部も熱をもち加圧面6に
も熱歪みが生じが、この歪み方はキャリアプレート2の
歪み方とは材質、形状等の違いによって異なるため、加
圧面6によって押圧されているキャリアプレート2に不
均一な圧力がかかってしまう。In addition, heat is conducted from the upper surface of the carrier plate 2 to the pressure surface 6 of the pressure plate 3, and the lower part of the pressure plate 3 also generates heat, causing thermal distortion on the pressure surface 6. Since this differs depending on the material, shape, etc., uneven pressure is applied to the carrier plate 2 being pressed by the pressing surface 6.
以上のような状態でウェーハ5の研磨が行なわれるとウ
ェーハ5の下面が均一に研磨されず、したがって所要の
平面度が得られない。If the wafer 5 is polished under the above conditions, the lower surface of the wafer 5 will not be polished uniformly, and therefore the required flatness will not be obtained.
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、その目的
とするところは、キャリアプレートの熱歪みを軽減する
とともに、均一にキャリアプレートを押圧することがで
きる研磨装置を提供することにある。The present invention was made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a polishing device that can reduce thermal distortion of a carrier plate and uniformly press the carrier plate.
[問題点を解決するための手段」
上記目的を達成するために、この発明の研磨装置は、加
圧盤の加圧面とキャリアプレートの上面との間に軟質弾
性材からなる環状体を介在させたものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the polishing device of the present invention has an annular body made of a soft elastic material interposed between the pressing surface of the pressing plate and the upper surface of the carrier plate. It is something.
「実施例」
以下、この発明の研磨装置の一実施例を第1図に基づい
て説明する。"Embodiment" An embodiment of the polishing apparatus of the present invention will be described below with reference to FIG.
なお、第1図において、第2図と同一構成要素には同一
符号を付しである。In FIG. 1, the same components as in FIG. 2 are given the same reference numerals.
符号8は平面視して円形の加圧盤であって、この加圧盤
8の下面には、シリンダ状の凹所が形成されており、そ
の平面部はキャリアプレート2を押圧するための加圧面
9となっている。この加圧面9には4個の環状溝10が
同心円状に所要の間隔を隔てて形成されている。こられ
環状溝10のうちの1つには、ゴム等の軟質弾性材から
なるOリング+1(環状体)が装着されており、その下
部は加圧面9から突出されている。上記シリンダ状の凹
所にキャリアプレート2の上部が嵌合されている。この
場合、キャリアプレート2の上面と加圧面9との間には
0リング11が介在されている。Reference numeral 8 denotes a pressure plate that is circular in plan view, and a cylindrical recess is formed on the lower surface of the pressure plate 8, and the flat part thereof serves as a pressure surface 9 for pressing the carrier plate 2. It becomes. Four annular grooves 10 are formed concentrically in this pressure surface 9 at required intervals. An O-ring +1 (annular body) made of a soft elastic material such as rubber is attached to one of the annular grooves 10, and the lower part thereof protrudes from the pressure surface 9. The upper part of the carrier plate 2 is fitted into the cylindrical recess. In this case, an O-ring 11 is interposed between the upper surface of the carrier plate 2 and the pressurizing surface 9.
加圧盤8は、その上部中央に加圧軸12が連結され、こ
の加圧軸12に対して首振り自在、かつ回転自在となっ
ている。The pressure plate 8 is connected to a pressure shaft 12 at the center of its upper part, and is swingable and rotatable with respect to the pressure shaft 12.
その他の構成は従来の研磨装置と同様の構成となってい
る。The rest of the structure is similar to that of a conventional polishing device.
上記のような研磨装置を用いてウェーハ5を研磨するに
は、まず、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて(
デッドウェイト方式でもよい)、加圧盤8の上部に連結
されている加圧軸12を下方に押圧することにより、ウ
ェーハ5を定盤lの研磨面1aに押圧する。この状態で
、定盤lの研磨面1aに研磨液供給管4から研磨液を供
給しながら、定盤6を軸線Oを中心として第1図におい
て矢印方向に回転させる。この場合、従来と同様に、キ
ャリアプレート2は加圧盤8とともに第1図において矢
印方向に回転させられる。このようにして、ウェーハ5
の下面が定盤1の研磨面la上で擦られ研磨液によって
メカノケミカル研磨される。To polish the wafer 5 using the polishing apparatus as described above, first, use a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, etc.
The wafer 5 is pressed against the polishing surface 1a of the surface plate 1 by pressing the press shaft 12 connected to the upper part of the press plate 8 downward. In this state, the surface plate 6 is rotated in the direction of the arrow in FIG. 1 about the axis O while supplying polishing liquid from the polishing liquid supply pipe 4 to the polishing surface 1a of the surface plate l. In this case, the carrier plate 2 is rotated together with the pressure plate 8 in the direction of the arrow in FIG. 1, as in the conventional case. In this way, wafer 5
The lower surface of the plate is rubbed on the polishing surface la of the surface plate 1 and mechanochemically polished by the polishing liquid.
上記の研磨装置にあっては、加圧盤8の加圧面9とキャ
リアプレート2の上面との間にOリング11が介在され
ているので、加圧盤8の加圧面9とキャリアプレート2
の上面との接触面積が少ないため、熱伝導を少なくする
ことができる。このため、キャリアプレート2の上部と
下部の温度差を小さくすることができ、キャリアプレー
ト2の熱歪みを軽減することができる。In the above-mentioned polishing apparatus, since the O-ring 11 is interposed between the pressure surface 9 of the pressure plate 8 and the upper surface of the carrier plate 2, the pressure surface 9 of the pressure plate 8 and the carrier plate 2
Since the contact area with the top surface of the holder is small, heat conduction can be reduced. Therefore, the temperature difference between the upper and lower portions of the carrier plate 2 can be reduced, and thermal distortion of the carrier plate 2 can be reduced.
さらに、わずかに生じるキャリアプレート2と加圧盤8
の熱歪みは、同一の熱歪みではないが、これらキャリア
プレート2と加圧盤8が円対称であることから円対称で
あり、同様の対称性がある軟質弾性材からなる0リング
によって押圧することにより、均一にキャリアプレート
2を再現性良く押圧することができる。Furthermore, the carrier plate 2 and pressure plate 8 slightly generated
Although the thermal distortions are not the same thermal distortions, they are circularly symmetrical because the carrier plate 2 and the pressure platen 8 are circularly symmetrical, and the pressure can be applied by an O-ring made of a soft elastic material that has a similar symmetry. This allows the carrier plate 2 to be pressed uniformly and with good reproducibility.
以上のことにより、ウェーハ5の下面を均一に研磨する
ことができ、したがって所要の平面度を得ることができ
る。As a result of the above, the lower surface of the wafer 5 can be uniformly polished, and therefore the required flatness can be obtained.
また、0リング11を装着する環状溝lOを複数(上記
実施例では4個)設けたので、押圧力を変える等の状況
に応じて、径の異なるOリング11を他の環状溝に装着
することができる利点がある。In addition, since a plurality of annular grooves 10 (four in the above embodiment) are provided in which the O-rings 11 are attached, O-rings 11 with different diameters can be attached to other annular grooves depending on the situation, such as changing the pressing force. There is an advantage that it can be done.
なお、上記実施例では、Oリング11を1g装着したが
、複数装着してもよい。In the above embodiment, 1 g of the O-ring 11 was attached, but a plurality of O-rings 11 may be attached.
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の研磨装置では、加圧盤
の加圧面とキャリアプレートの上面との間に軟質弾性材
からなる環状体が介在されているので、加圧盤の加圧面
とキャリアプレートの上面との接触面積が少ないため、
熱伝導を少なくすることができる。このため、キャリア
プレートの上部と下部の温度差を小さくすることができ
、キャリアプレートの熱歪みを軽減することができる。"Effects of the Invention" As explained above, in the polishing apparatus of the present invention, the annular body made of a soft elastic material is interposed between the pressure surface of the pressure plate and the upper surface of the carrier plate. Because the contact area between the pressure surface and the top surface of the carrier plate is small,
Heat conduction can be reduced. Therefore, the temperature difference between the upper and lower portions of the carrier plate can be reduced, and thermal distortion of the carrier plate can be reduced.
さらに、わずかに生じるキャリアプレートと加圧盤の熱
歪みは、同一の熱歪みではないが、これらキャリアプレ
ートと加圧盤が円対称であることから円対称であり、同
様の対称性がある軟質弾性材からなる環状体によって押
圧することにより、安定してキャリアプレートを押圧す
ることができ、キャリアプレートの剛性により、環状体
の径を選択すれば、均一に押圧することができる。Furthermore, the slight thermal strain that occurs on the carrier plate and the pressure plate is not the same thermal strain, but because the carrier plate and the pressure plate are circularly symmetrical, they are circularly symmetrical, and the soft elastic material has similar symmetry. The carrier plate can be stably pressed by pressing with an annular body consisting of the carrier plate, and if the diameter of the annular body is selected depending on the rigidity of the carrier plate, uniform pressing can be achieved.
以上のことにより、ウェーハの下面を均一に研磨するこ
とができ、したがって所要の平面度を得ることができる
。By doing the above, the lower surface of the wafer can be uniformly polished, and therefore the required flatness can be obtained.
第1図はこの発明の研磨装置の一実施例を示す断面図で
あり、第2図は従来の研磨装置を示す断面図であり、第
3図はウェーハが固定されたキャリアプレートの下面図
である。
l・・・・・・定盤、la・・・・・・研磨面、2・・
・・・・キャリアプレート、5・・・・・・ウェーハ(
被研磨材)、8・・・・・・加圧盤、9・・・・・・加
圧面、11・・・・・・0リング(環状体)。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the polishing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a conventional polishing apparatus, and FIG. 3 is a bottom view of a carrier plate to which a wafer is fixed. be. l... Surface plate, la... Polished surface, 2...
...Carrier plate, 5...Wafer (
(material to be polished), 8...pressure plate, 9...pressure surface, 11...0 ring (annular body).
Claims (1)
が研磨面となっている定盤に加圧盤により押圧した状態
で、上記定盤を回転運動させて上記被研磨材表面と上記
定盤の研磨面との間に相対運動を与えつつ、上記定盤の
研磨面に研磨液を供給して、被研磨材表面を研磨する研
磨装置において、上記加圧盤の加圧面とキャリアプート
の上面との間に軟質弾性材からなる環状体を介在させた
ことを特徴とする研磨装置。A carrier plate, on which the material to be polished is fixed on the lower surface, is pressed by a pressure plate against a surface plate whose upper surface is a polishing surface, and the surface plate is rotated to separate the surface of the material to be polished and the surface plate. In a polishing device that polishes the surface of a workpiece by supplying a polishing liquid to the polishing surface of the surface plate while applying relative motion to the polishing surface, the pressure surface of the pressure plate and the upper surface of the carrier puto are A polishing device characterized by having an annular body made of a soft elastic material interposed therebetween.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62288681A JP2612012B2 (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Polishing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62288681A JP2612012B2 (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Polishing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01135464A true JPH01135464A (en) | 1989-05-29 |
JP2612012B2 JP2612012B2 (en) | 1997-05-21 |
Family
ID=17733309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62288681A Expired - Lifetime JP2612012B2 (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Polishing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2612012B2 (en) |
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JPS6416260U (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 |
-
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- 1987-11-16 JP JP62288681A patent/JP2612012B2/en not_active Expired - Lifetime
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