JPH01133340A - Lead frame and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームおよびその¥J葛六方法係り
、特にインナーリードの先端部の形状およびその製造方
法に関Jる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame and its method, and particularly to the shape of the tip of an inner lead and its manufacturing method.
1c、LSI笠の半々体装置の実装に用いられるリード
フレームは、鉄系あるいは銅系等の金m)c4斜をプレ
ス加工又はエツチングにより所望のパターンに成形せし
められてなるものである。1c, the lead frame used for mounting the half-and-half LSI cap device is made of iron-based or copper-based gold m)c4 diagonal formed into a desired pattern by press working or etching.
通常、リードフレームは、第5図に示す如く、半導体集
積回路ヂッ1(以下半導体チップ)を搭載暖るダイパッ
ド11と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめられ
た複数のインナーリード12と、インナーリード12を
一体的に連結するタイバー13と、各インナーリードに
連結せしめられたタイバーの外側に伸JIWflるアウ
ターリード14と、タイバー13を両サイドから支持す
るサイドパー15.16と、ダイパッド11を支持する
サポートパー17とから構成されている。Usually, as shown in FIG. 5, a lead frame includes a die pad 11 on which a semiconductor integrated circuit chip 1 (hereinafter referred to as a semiconductor chip) is mounted, a plurality of inner leads 12 arranged so as to surround the die pad, and an inner lead. A tie bar 13 integrally connects the die pad 12, an outer lead 14 extending outward from the tie bar connected to each inner lead, side bars 15 and 16 supporting the tie bar 13 from both sides, and supporting the die pad 11. It consists of 17 support pars.
そして、実装に際しCは、第6図に示す如く、リードフ
レーム1のグイパッド11上に半導体チップ2を搭載し
、この半導体チップのポンディングパッドとリードフレ
ームのインナーリード12とを金線あるいはアルミ線の
ボンディングワイヤ3によって結線し、更にこれらを樹
脂等の封止材料4で封止した後、タイバーやサイドパー
を切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて完
成せしめられる。During mounting, as shown in FIG. 6, C mounts the semiconductor chip 2 on the lead pad 11 of the lead frame 1, and connects the bonding pad of the semiconductor chip and the inner leads 12 of the lead frame with gold wire or aluminum wire. After connecting these wires with bonding wires 3 and sealing them with a sealing material 4 such as resin, the tie bars and side bars are cut and the outer leads are bent into a desired shape to complete the process.
このようなリードフレームの1例について要部を第7図
に拡大して示すように、インナーリード12の先端は、
直線状をなしている。これは、通常、第8図に示づよう
に、リード間の間隙を打ち抜く第1のパンチP1を用い
た第1の打も抜き工程と、インナーリードの先端部を切
lTlft’Jと共にダイパッド11を形成する第2の
パンチP2を用いた第2の打ち抜き工程とによって形成
される。As shown in an enlarged view of the main part of one example of such a lead frame in FIG. 7, the tip of the inner lead 12 is
It is in a straight line. As shown in FIG. 8, this usually involves a first punching step using a first punch P1 that punches out the gap between the leads, and a die pad 11 along with cutting the tips of the inner leads lTlft'J. It is formed by a second punching step using a second punch P2 to form.
最近、半導体装置の高集積化に伴い、リードフレームも
高密度化し、板厚は薄く、各リード間の間隔は狭くなる
一方である。これに伴いリードは変形し易くなり、第9
図に示す如くリード同志の短絡やミスボンディングが発
生し易いという問題が、大きくなってぎている。In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated, lead frames have also become more dense, their plate thicknesses have become thinner, and the intervals between leads have become narrower. As a result, the lead becomes easily deformed, and the
As shown in the figure, the problem of easy occurrence of short circuits and misbonding between leads is becoming more and more serious.
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので隣接リード間
の短絡を防止し、信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的と覆る。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and aims to prevent short circuits between adjacent leads and provide a highly reliable lead frame.
そこで本発明では、インナーリードのリード幅が先端部
で小さくなるようにしている。Therefore, in the present invention, the lead width of the inner lead is made smaller at the tip.
また、本発明のリードフレームの製造方法では、半導体
素子チップが載置されるaa部位に向って伸長する複数
のリードの間隙部を打ち抜く第1の打ち抜ぎ工程と、前
記リードを個々に分解すべく、リードの先端部を切除す
る第2の打ち抜き工程とからなるリードフレームの製造
方法において、第2の打ち抜き工程では第1の打ち抜き
工程で用いられる第1のパンチによって決定されるリー
ド幅よりも開口幅の狭いコの字状凹部を各リードに対応
する位置の側面に具備してなる第2のパンチを用いて、
各リードを分離するようにしている。Further, the method for manufacturing a lead frame of the present invention includes a first punching step of punching out gaps between the plurality of leads extending toward the aa region on which the semiconductor element chip is mounted, and disassembling the leads individually. In order to achieve this, in a lead frame manufacturing method that includes a second punching step of cutting off the leading end of the lead, the second punching step has a lead width that is smaller than the lead width determined by the first punch used in the first punching step. Also, using a second punch having a U-shaped recess with a narrow opening width on the side surface at a position corresponding to each lead,
I try to separate each lead.
上記構成のリードフレームによれば、インナーリードの
先端でリード幅が狭くなっているため、変形の度合いが
小さい場合には先端での接触は抑制され短絡は防1トさ
れる。According to the lead frame having the above structure, since the lead width is narrowed at the tip of the inner lead, if the degree of deformation is small, contact at the tip is suppressed and short circuits are prevented.
また、上記方法によれば、何ら工程を付加することなく
、リードを個々に分離づべく先端を切除する第2の打ち
抜さ゛工程で、第1の打ち抜き工程で形成されたリード
幅よりも開口幅の小さい開面コの字状部を各リードに対
応する位置に具備してなる第2のパンチを用いることに
より、容易にインナーリードの先端が段差をなして狭く
形成されたリードフレームを形成することができるため
、容易に信頼性の高いリードフレームを得ることが可能
となる。Further, according to the above method, in the second punching step of cutting off the tips of the leads in order to separate them into individual leads without adding any process, the lead width is wider than the lead width formed in the first punching step. By using a second punch that has a small open U-shaped portion at a position corresponding to each lead, it is easy to form a narrow lead frame with the tips of the inner leads forming a step. Therefore, it is possible to easily obtain a highly reliable lead frame.
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は、本発明実施例のリードフレームの1部を示す
図であり、第2図は同リードフレームのインナーリード
の先端部の拡大図である。FIG. 1 is a diagram showing a part of a lead frame according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of the tip of an inner lead of the lead frame.
このリードフレームは、第7図に示した従来例のリード
フレームと同様であるが、インナーリード12の先端の
幅丁1が他の部分の幅■2よりも0.02〜0.03z
m狭くなるように段差をなして形成されたことを特徴と
するもので、他は、従来例のリードフレームと全く同様
である。同一部材には同一符号を付した。This lead frame is similar to the conventional lead frame shown in FIG. 7, but the width 1 at the tip of the inner lead 12 is 0.02 to 0.03z wider than the width 2 of the other parts.
The lead frame is characterized in that it is formed with steps so that it becomes narrower by m, and is otherwise completely the same as the conventional lead frame. Identical members are given the same reference numerals.
次に、このリードフレームのV a方法について説明り
る。Next, the Va method for this lead frame will be explained.
まず、第3図に示1Jような第1のパンチP1によりイ
ンナーリード間の間隙部(穴)Cを打ち抜く(第1の打
ち抜き工程)。First, a gap (hole) C between the inner leads is punched out using a first punch P1 such as 1J shown in FIG. 3 (first punching step).
次いで、インナーリード側断面に第1のパンチの穴の間
隔A1よりもわずかに開口幅A2の小さい=1の字状部
Kを有する第2のパンチPNを用いて、打ち抜きを行な
いインナーリードの先端を切−リtUtと共に、ダイパ
ッド11を形成する(第2の打ち抜き工程)。Next, punching is performed using a second punch PN having a =1-shaped portion K on the inner lead side cross section with an opening width A2 that is slightly smaller than the hole interval A1 of the first punch, and the tip of the inner lead is punched out. The die pad 11 is formed together with the cutter tUt (second punching step).
このようにしてインナーリードの先端には第1図および
第2図に示す如く段差ができ先端の幅■1は他の部分の
幅[2よりも0.02〜0.03 ttrtr程ta小
さくなっている。ここで第1のパンチの穴の間隔A1は
インナーリードの(中間部の幅丁2)に対応し、第2の
パンチのコの字状部にの開口幅A2は先端の幅1−1に
対応する。In this way, a step is formed at the tip of the inner lead as shown in Figures 1 and 2, and the width of the tip (1) is 0.02 to 0.03 ttrtr smaller than the width of the other part (2). ing. Here, the interval A1 between the holes of the first punch corresponds to the (width 2 in the middle part) of the inner lead, and the opening width A2 in the U-shaped part of the second punch corresponds to the width 1-1 of the tip. handle.
この後、通常の如くメツキ工程を経て、リードフレーム
が完成する。After this, the lead frame is completed through the usual plating process.
また、実装に際しては半導体チップをダイパッド11に
接着せしめ、ワイヤボンディング工程を経て、封止を行
ない最後に、タイバーやナイドバーを切除し、アウター
リードを所望の形状に折り曲げて半導体装置が完成゛す
る。Further, during mounting, the semiconductor chip is bonded to the die pad 11, a wire bonding process is performed, and sealing is performed.Finally, the tie bars and night bars are cut off and the outer leads are bent into a desired shape to complete the semiconductor device.
このようにして極めて容易に、信頼性の高いリードフレ
ームが形成される。In this way, a highly reliable lead frame can be formed very easily.
なお、ボンディングに際しては、第2図に示したように
ワイヤボンダーの精度と、安全性を考慮し、インナーリ
ード最先端よりも若干後退した位置にボンディングポイ
ントBPがくるようにボンディングワイヤ3を固着する
。When bonding, as shown in Figure 2, taking into account the precision and safety of the wire bonder, the bonding wire 3 is fixed so that the bonding point BP is located at a position slightly set back from the leading edge of the inner lead. .
第4図に、インナーリードの変形した状態を示ずが、第
9図に示した従来例のリードフレームの場合よりも先端
が大きく変位していても、隣接リード間の接触はなくな
り、短絡事故の発生はないことがわかる。Figure 4 does not show the deformed state of the inner lead, but even if the tip is displaced more greatly than in the case of the conventional lead frame shown in Figure 9, there will be no contact between adjacent leads, resulting in a short circuit. It can be seen that there is no occurrence of
以上説明してきたように、本発明のリードフレームによ
れば、リード幅が先端部で小さくなっているため、変形
による隣接リード間の短絡が防止され、信頼性の向」ニ
をはかることかできる。As explained above, according to the lead frame of the present invention, since the lead width is reduced at the tip, short circuits between adjacent leads due to deformation are prevented, and reliability can be improved. .
また、上記リードフレームの製造に際しては、インナー
リードの先端を切離す工程においてパンチの断面に、開
[1幅かり一゛ド幅よりもわずかに小さいコの字状部を
配設したものを用いることにより、何ら付加工程を要す
ることなく、容易に形成することができる。In addition, when manufacturing the above-mentioned lead frame, in the process of cutting off the tips of the inner leads, a punch with a U-shaped part slightly smaller than 1 width to 1 degree width is used in the cross section of the punch. By doing so, it can be easily formed without requiring any additional steps.
第1図は、本発明実施例のリードフレームを示す図、第
2図は同リードフレームのインナーリードの先端部を示
づ拡大図、第3図は、同リードフレームの¥J造に用い
られるパンチを示づ図、第4図は、同リードフレームの
インナーリードの変形状態を示す図、第5図は通常のリ
ードフレームを示づ図、第6図は、同リードフレームを
用いた半導体装置の実装例を示寸図、第7図は、従来の
リードフレームの要部拡大図、第8図は、第7図のリー
ドフレームの打ち抜ぎに用いられるパンチを示寸図、第
9図は従来のリードフレームの変形による短絡の例を示
す図である。
1・・・半導体チップ、2・・・リードフレーム、3・
・・ダイパッド、4・・・ボンディングワイヤ、5・・
・封止用樹脂、10・・・インナーリード、11・・・
アウターリード、12・・・リードフレーム、13・・
・半導体チップ(メモリ用tCチップ)、14・・・絶
縁フィルム、15・・・ボンディングワイヤ、16・・
・ポンディングパッド、17・・・封止用パッケージ、
78・・・タイバー、Pl・・・第1のパンチ、P2.
PN・・・第2のパンチ。
第1図
第2図
第4図
第6図
第7図
第8図Fig. 1 is a diagram showing a lead frame according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged view showing the tip of the inner lead of the same lead frame, and Fig. 3 is a diagram showing the lead frame used in ¥J construction. Figure 4 shows a punch, Figure 4 shows a deformed state of the inner lead of the lead frame, Figure 5 shows a normal lead frame, and Figure 6 shows a semiconductor device using the lead frame. 7 is an enlarged view of the main parts of a conventional lead frame, FIG. 8 is a dimensional view of a punch used to punch out the lead frame of FIG. 7, and FIG. FIG. 2 is a diagram showing an example of a short circuit caused by deformation of a conventional lead frame. 1... Semiconductor chip, 2... Lead frame, 3...
... Die pad, 4... Bonding wire, 5...
- Sealing resin, 10... Inner lead, 11...
Outer lead, 12...Lead frame, 13...
・Semiconductor chip (tC chip for memory), 14... Insulating film, 15... Bonding wire, 16...
・Pounding pad, 17... Sealing package,
78... Tie bar, Pl... First punch, P2.
PN...Second punch. Figure 1 Figure 2 Figure 4 Figure 6 Figure 7 Figure 8
Claims (3)
。(1) In a lead frame equipped with a plurality of inner leads, an outer lead connected to each inner lead, and a tie bar connecting each inner lead, the lead width at the tip of the inner lead is set wider than at other parts. A lead frame characterized by its small size.
形成されてなることを特徴とする特 許請求の範囲第(1)項記載のリードフレーム。(2) The lead frame according to claim (1), wherein the inner lead has notches formed on both sides at the leading edge thereof.
し、 インナーリード間の間隙を形成する第1の 打ち抜き工程と、 リード間を切り離すべく、インナーリード の先端部を切除する第2の打ち抜き工程とを含み、 第2の打ち抜き工程では、第1の打ち抜き 工程で用いられる第1のパンチによって決定されるリー
ド幅よりも開口幅の小さいコの字状凹部を各リードに対
応する位置の側面に具備してなる第2のパンチを用いる
ようにしたことを特徴とするリードフレームの製造方 法。(3) When forming a lead frame by a punching method, it includes a first punching step to form a gap between the inner leads, and a second punching step to cut off the tips of the inner leads to separate the leads. In the second punching step, a U-shaped recess with an opening width smaller than the lead width determined by the first punch used in the first punching step is provided on the side surface at a position corresponding to each lead. A method for manufacturing a lead frame, characterized in that a second punch is used.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29229187A JPH01133340A (en) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | Lead frame and manufacture thereof |
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JPH01133340A true JPH01133340A (en) | 1989-05-25 |
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Country | Link |
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