JPH01115888A - 半導体製造用治具の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （Ｊｅ業上の利用分野） 本発明は、電子工業用の半導体素子を製造するために高
温炉内に収納されて、シリコンウェハーの支持台等とし
て使用される半導体製造用治具の製造方法に関するもの
てあり、特に電子工業用の耐熱性治具のうち例えば半導
体の拡散・酸化想理などに使用されるプロセス管等のガ
ス不浸透性か要求される用途及びウェハーポート等の強
度の要求される用途に適したシリコン滲み出しのない炭
化珪素質複合材料を容易に製造することのてきる炭化珪
素ｇ１複合材料の製造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、この種の電子工業用の半導体製造用治具としては
、例えば石英質のもの、黒鉛基材表面に炭化珪素波−を
形成させた炭素、炭化珪素複合体、或いは炭化珪素成形
体に金属シリコンを充填させた複合体等が知られており
、それぞれの用途に応じて用いられている。

しかしなから、上記の石英質の半導体製造用治具は、耐
熱性に劣るものであり、使用時に軟化変形を生じ易い。

また、黒鉛基材表面に炭化珪素被膜を形成させた炭素、
及び炭化珪素複合体は、予め黒鉛基材をハロゲンガス雰
囲気中で高温処理を施す等の方法によるため、多額を処
理費用に要し、経済的でない。

ところで、最近になってこのような欠点を解決し得る材
料として、多孔質炭化珪素焼結体部材の開放気孔中に金
属シリコンが充填された炭化珪素質複合材料が開発され
使用されている。

前述の如き炭化珪素質複合材料に充填される金属シリコ
ンは、一般に溶融状態て多孔質炭化珪素焼結体部材の開
放気孔中へ含没することにより充填される。しかしなが
ら、前記金属シリコンは凝固時に体精膨張を伴うことか
ら、含浸後の冷却養固時に多孔質炭化珪素焼結体部材か
ら一旦含浸された金属シリコンの一部が滲み出して表層
に金属シリコン層が生成し付着する欠点があった。

Ｌ記の如き表層に金属シリコン層の存在しない炭化珪素
質複合材料を製造する方法としては、例えば表層の金属
シリコン層を機械的に研削除去する方法、或いは水酸化
ナトリウム水溶液中で煮沸して溶解除去する方法等が知
られている。

このような半導体製造用治具の製造方法としては、例え
ば特開昭５１−８５３７４号公報に示されたｒプロセス
管と、それに挿入され得る寸法、形状のパドルと、前記
パドルに支持を得る少なくとも１つの舟形容器とからな
り、前記プロセス管、パドル及び舟形容器は５〜３０重
量％の高純度シリコン金属を含有する焼結シリコンカー
バイドマトリックスを主体として成り、前記シリコン金
属は前記管、パドル及び舟形容器に気体不透過性を与え
てなる半導体拡散炉。」に係る発明が開示されている。

しかしながら、この特開昭５１−８５３７４号公報にあ
つては、公報記載の焼結シリコンカーバイトマトリック
スは再結晶炭化珪素であり、出発原料として比較的粗雑
の炭化珪素粒子を使用するため表面粗度か大きく、複雑
な形状及び寸法精度の要求される焼結体を格別の機械加
工を施すことなく製造することが困難であった。また、
主として半導体等の高純度で製品汚染のない、耐熱性の
優れ、熱伝導性及び耐熱衝撃性に優れた半導体製造治具
を安価に提供することは困難であった。

そこで、本発明者は、前述の如き従来知られた半導体用
治具に比較して、複雑な形状とすることができるととも
に、特に熱伝導性に優れ、良好な均熱性及び速い熱応答
性を得ることができ、耐薬品性に優れた半導体製造用治
具を開発すべく種々の研究を重ねてきた結果、珪素から
なるコーティング層を表面に形成することによって必要
な半導体製造治具を製造することができることを新規に
知見するに至り完成したのである。

なお、表面に珪素からなるコーティング層を形成する方
法として種々の方法が適用できる。例えば、 （ａ）四塩化珪素を水素で還元して成膜する化学蒸着法
： （ｂ）金属珪素を真空中で電子ビーム加熱して成膜する
物理蒸着法： （Ｃ）溶融させた金属シリコンの槽内に浸漬して成膜す
るデイツプ法： （ｄ）金属シリコン及び昇温時に炭素の状態で残る炭素
質物質を有機溶剤に分散させたスラリーを塗布して加熱
融着する方法： などがある。

上記（ｃ）のデイツプ法を採用する場合には、多孔質炭
化珪素焼結体部材の表面に溶融シリコンの付着を容易に
するために、含浸時に炭素の状態で残せる炭素質物質を
予め塗布しておく方法が開示されている。デイツプ法に
おけるＬ聞方法において得られた半導体製造用治具は、
所定の条件にて適宜焼成された後、シリコンウェハーと
の接触面を砥粒で研摩し、所定の表面粗度に調整される
。

この場合において、上記金属シリコンをデイツプする場
合、上部及び下部いずれかの浸漬においても浸漬されつ
る金属シリコンを炭化珪素部材に均一にかつ過不足なく
処理しうることは、特に部材の複雑かつ大きなものにつ
いては非常に困難である。

充分に金属シリコンを含浸するには、均一な温度分布に
おいて処理する必要かある。しかしながら、前記複雑か
つ大きなものについては、金属シリコン含浸時、特には
冷却過程において炉内の温度分布を均一な状態で降温す
ることは不可能で、析出は特に内表面に見られる。また
、雰囲気ガス及び送入ガスにて制御する方法でも非常に
困難である。金属シリコンを含浸しすぎると、多孔質炭
化珪素焼結体部材表面に不均一にしかも余分に析出融着
するため、焼成後の表面粗度研摩において多大の労力を
必要とし、半導体製造用治具の製造方法としての経済性
の観点より不適当と思われる。また、研摩処理がより必
要となるため、半導体製造用治具としての純度が確保し
にくくなる。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前述の如き方法はいずれも一旦生成した
金属シリコン層を除去するための工程を必要とする方法
であり、２ｒ程上煩雑であるばかりでなく、前者の機械
的に研削除去する方法は特に複雑な形状を有する治具を
製造することが困難であり、一方後者の水酸化ナトリウ
ム水溶液中で煮沸する方法は治具にナトリウムが残存し
易く、特に高純度の要求される治具に適用するには好ま
しくない方法であった。

本発明は、上述の如き問題点を解決すべく種々研究した
結果、多孔質炭化珪素焼結体部材から冷却時に滲み出す
量に相当する金属シリコンを、凝固過程において炭化珪
素質複合材料から極めて容易に除去せしめることのでき
る方法を新規に知見するに至り、金属シリコンの滲み出
しのない炭化珪素質複合材料を得ることができる半導体
製造用治具の製造方法を提供することにある。

（間・照点な解決するための手段） 本発明によれば、炭化珪素粉末を成形して生成形体とな
し、この生成形体を非酸化性雰囲気下で焼結した後、得
られた多孔質炭化珪素焼結体部材の開放気孔中に金属シ
リコンを充填して炭化珪素質複合材料を製造する方法に
おいて、少なくとも前記多孔質炭化珪素焼結体部材の開
放気孔中に金属シリコンを溶融させて含浸し充填する前
に、前記多孔質炭化珪素焼結体部材表面に予め炭素質物
質をコーティングすることにより、金属シリコンの滲み
出しのない炭化珪素質複合材料を製造することかできる
。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明によれば、前記多孔質炭化珪素焼結体部材の開放
気孔中に金属シリコンを溶融させて含浸し充填する前に
、前記多孔Ｉ！１炭化珪素焼結体部材にＲ１質物質をコ
ーティングすることが必要である。

その理由は、前記多孔質炭化珪素焼結体部材に金属シリ
コンか含浸された時点で、焼結体の開放気孔中に金属シ
リコンは溶融状態て存在しているが、冷却時において焼
結体表面においてコーティングした炭素質物質で緻密な
炭素膜を形成することにより、！２固に伴って多孔質炭
化珪素焼結体部材からの滲み出しを防止することができ
るからである。

なお、前記金属シリコンを凝固せしめた後の多孔質炭化
珪素焼結体部材の表面炭化膜は、酸化性雰囲気下におい
て加熱することにより、格別の手段を用いることなく容
易に除去せしめることができる。

本発明によれば、平均粒径か５ｐｍ以下の炭化珪素粉末
を使用して生成形体とする従来知られた多孔質炭化珪素
焼結体部材に比較して、低密度でかつ取扱い性に優れた
高強度の多孔質体を製造することか重要であり、加圧成
形法により成形する場合には、出発原料として炭化珪素
粉末を分散媒液中で解膠剤とともに均一分散させた後、
凍結乾燥せしめた炭化珪素粉末を使用することが有利で
あり、また鋳込成形法により生成形体を成形する場合に
は、出発原料として炭化珪素粉末を分散媒液中で解膠剤
とともに均一分散させた懸濁液を使用することが有利で
あり、粉末の個々の粒子か極めて均一に分散した状態で
存在する生成形体を製造することができるため、結晶の
三次元網目構造を極めて微細゛でしかも均一に発達させ
ることができ、低密度でなおかつ高強度の多孔質体を製
造することができるからである。また、炭化珪素粉末を
分散媒液中に均一分散させる具体的手段として、振動ミ
ル、アトライター、ボールミル、コロイドミル及び高速
ミキサーの如き強い剪断力を尖えることのできる分散手
段を用いることか有利である。

本発明によれば、前記炭化珪素粉末を分散媒液中に均−
分散媒液の融点より低い温度に継続された雰囲気中へ懸
濁液を噴霧して速やかに凍結させることか有利である。

本発明によれば、前記焼結温度を１４００〜２１００℃
とすることが必要である。その理由は、前記温度が１４
００℃よりも低いと１粒と粒とを結合するネックを十分
に発達させることか困難で、高い強度を有する多孔質体
を得ることができず、一方２１００℃より高いと、−旦
成長したネックのうち一定の大きさよりも小さなネック
がくびれだ形状となったり、著しい場合には消失したり
して、むしろ強度が低くなるからである。

本発明によれば、前記生成形体は炭化珪素を酸化せしめ
ることのない非酸化性雰囲気中、例えばアルゴン、ヘリ
ウム、ネオン、窒素、水素、−酸化炭素の中から選ばれ
る何れか少なくとも１種よりなるガス雰囲気中或いは真
空中で焼成される。

本発明によれば、前記生成形体は非酸化性雰囲気中で実
質的に収縮させることなく焼成することが有利である。

その理由は、焼結時における収縮は多孔質体の強度を向
上させる上では望ましいか、焼成収縮すると開放気孔率
が減少したり、気孔か独立気孔化し易く、金属シリコン
の充填が困難になるばかりでなく、寸法精度の高い多孔
質体を焼成収縮を生起させて製造することは困難である
からである。

なお、本発明によれば、金属シリコンの充填が容易でか
つ寸法精度の高い多孔質体を得る上で実質的に収縮させ
ることなく焼結する際の焼成収縮率は、２％以下とする
ことが好ましく、なかでも１％以下であることかより好
適である。

また、本発明によれば、前記生成形体を焼成するに際し
、生成形体からの炭化珪素の揮散を抑制することが有利
である。その理由は、前記生成形体からの炭化珪素の揮
散を抑制することによって、炭化珪素の粒と粒とを結合
するネックを充分に発達させることができるからであり
、特に高強度で取扱い性に優れた多孔質体を製造する場
合には、炭化珪素の揮散率を５重量％以下に制御するこ
とが有利である。

前記生成形体からの炭化珪素の揮散を抑制する方法とし
ては、外気の侵入を遮断することのできる耐熱性の容器
内に生成形体を挿入する方法か有効であり、前記耐熱性
の容器としては、黒鉛或いは炭化珪素などの材質からな
る耐熱性の容器を使用することが好適である。

本発明によれば、低密度でなおかつ高強度−の多孔質体
に、効率よく、過剰金属シリコンを析出させることなく
含浸するために、炭素質物質を含浸またはコーティング
する必要がある。従来、炭素質物質な含浸またはコーテ
ィングする目的としては、炭化珪素質部材としての多孔
質焼結体の表面に溶融シリコンの付着を容易にするため
に使用処理されていた。しかしながら、本発明によれば
、前記目的としてはもちろん本発明の過剰金属シリコン
の析出な防Ｗするために炭素質物質を使用するものであ
る。特に半導体製造用治具として、ウェハーポート等に
使用される場合、前記ウェハーボートと接しうる治具表
面においては、表面状態しては面粗度を望ましくはＲｍ
　ａ　ｘ≦１５４ｍとする必要がある。それには、金属
シリコン含浸においても析出を防市することが、研磨処
理に際しての純度を損することなく製造することが必要
となるのである。

具体的には、炭素質物質を炭化珪素焼結体部材表面に炭
素質物質を０．４〜１．０ｍｍの炭化膜を形成できるよ
うに含浸またはコーティングする必要かある。

本発明によれば、０．４〜１．０ｍｍ必要であり、これ
以、ヒ厚みを増すことは炭素質物質の含浸及びコーティ
ングの手間を増すばかりでなく、炭化膜及び珪素含浸時
に炭素質物質或いは炭化膜の脱落が生じ、均一炭化膜の
形成を阻害するものである。

炭素質物質としては、例えばフェノール樹脂。

リグニンスルホン酸塩、ポリビニールアルコール、コー
ンスターチ、糖蜜、コールタールピッチ、アルギン酸塩
等のような各種有機物質、或いはカー、ボンブラック、
アセチレンブラック等のような熱分解炭素が有利に使用
できる。また、上記有機物質及び熱分解炭素をそれぞれ
を併用しても差し支えない。

前記炭素質物質の含浸またはコーティングされた炭化珪
素焼結体部材を６０〜８０℃で乾燥する。これは炭素質
物質の含浸またはコーティングの際、それぞれの物質に
応じ、適宜規定の炭化膜を形成するために炭化率、粘性
調整用として使用された溶媒を乾燥、除去するものであ
る。また、炭化珪素焼結体部材の全表面をコーティング
しても何ら支障はない。しかしながら、−金属シリコン
含浸をデイツプ法で行なうにあたっては、溶融シリコン
の含浸口としてコーティングしない部分を設ける必要か
ある。

本発明によれば、前記乾燥された炭化珪素焼結体部材を
非酸化性雰囲気下において焼成炭化する。焼成温度は、
２００〜３００°Ｃ付近で保持した後、９５０℃以上に
することが好ましい。このことは、炭素質物質を充分炭
化させるには、炭素質物質の熱分解温度付近で十分保持
することにより、炭化膜が均一に形成されるからである
。また、３００°Ｃまての昇温速度は、比較的ゆっくり
と昇温することが好ましい。このことは、昇温速度を上
げると、炭素質物質の炭化時に発泡を生じ均一な炭化膜
を得ることができないからであり、軟化性物質において
は前記発泡が顕著になる。炭素質物質の炭化により形成
された炭化膜は、炭化珪素部材の多孔体表面において含
浸される金属珪素の溶融珪素の表面からの析出を防止す
るものであるから、充分に表面多孔を埋めなければその
効果を発揮しえない。

本発明によれば、前記金属シリコンを前記治具を構成す
る炭化珪素１００重量部に対し、４５〜１３５重量部充
填することが必要である。前記金属シリコンを充填する
理由は、金属シリコンは炭化珪素とのなじみが良く、金
属シリコンを多孔質体の開放気孔内に充填することによ
って強度を向上せしめることができるばかりてなく、金
属シリコンは熱伝導性に優れているため、多孔質体の開
放気孔中に金属シリコンを充填することにより、高い熱
伝導性及び気体不透過性を付与せしめた半導体製造用治
具となすことかできるからである。また、前記金属シリ
コンの充填量を４５〜１３５重量部とすることか有利で
ある理由は、前記金属シリコンの充填量か４５重量部よ
り少ないと、高い熱伝導性を有する半導体製造用治具と
なすことが困難であるからであり、一方充填量の上限は
多孔質体の開放気孔率によって決定される。

前記金属シリコンの充填量は、５５重量部以丘であるこ
とがより好適である。

前記金属シリコンを多孔質体の開放気孔中へ充填する方
法としては、金属シリコンを加熱溶融させて含浸する方
法か適用できる。

本発明によれば、前記金属シリコン含浸体の残留炭化物
質を除去することが必要である。前記シリコン含浸にお
いて、過剰析出シリコンの防止としての炭化物は、含浸
体表面゛において残留することとなる。含浸時において
、炭化物と多孔体の界面において一部炭化珪素化される
が、そのほとんどの炭化物は残留物として存在する。

本発明によれば炭化物の除去方法としては、酸化雰囲気
下において酸化除去する方法か適用される酸化温度は、
８００〜９５０　’Ｃとすることか有利である。この理
由は、８００℃以下において処理すると、炭化膜の酸化
速度か減少するため、酸化時間を要することとなり、９
５０℃以上においては、部材である炭化珪素が酸化され
ることとなり好ましくない。

前記多孔質炭化珪素焼結体部材に炭素質物質を含浸また
はコーティングし、乾燥処理された部材を炭化及び金属
シリコン含浸する場合においては、同一容器内にて熱処
理しても何らかまわない。

以下に、本発明を実施例及び比較例によって説明する。

（実施例） 支臭豊」 出発原料として使用した炭化珪素粉末は、９７．５重量
％がβ型結晶で残部は実質的に２Ｈ型結品よりなる炭化
珪素粉末であって、０．１２重量％の遊離炭素、０．３
７重駿％の酸素。

１．２ＸｌＯ−’重量％の鉄、１．４ｘｌＯ−’重量％
のカルシウム、ｓ　ｘ　ｌ　０−１３重量％のナトリウ
ム、ｌＸｌ０−’重量％のカリウム、及び痕跡量のアル
ミニウムを含有し、１．１ｇｍの平均粒径を有していた
。

前記炭化珪素粉末１００重量部に対し、ポリビニルアル
コール５重量部、モノエタノールアミン０．３重量部と
水１００重量部を配合し、ボールミル中で５時間混合し
た後、凍結乾燥した。

この乾燥混合物を適量採取し、顆粒化した後、静水圧プ
レス機を用いて１３００　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｎ’の圧
力で生成形体を形成した。この生成形体の形状は、１８
０Φ×１６０Φ、長さが１７００Ｌの円筒状て、密度は
１．７３ｇ／ｃｒｎ’　（５４容積％）であった。

前記生成形体を黒鉛製ルツボに挿入し、タンマン型焼結
炉を用いて１気圧の主としてアルゴンガス雰囲気中で焼
結した。昇温過程は６００℃／時曲で７００℃まで昇温
し、次いで３００℃／時間で１９５０℃まで昇温し、最
高温度１９５０℃て１０Ｈｒ保持した、焼結中のＣＯガ
ス分圧は、室温〜１７００℃が８０Ｐａ以下、１７００
℃よりも高温域では３００±５０Ｐａの範囲内となるよ
うにアルゴンガス流量を適宜調整して制御した。

得られた焼結体は、密度が１．７０ｇ／ｃｒｎ’、開放
気孔率か４７容積％の多孔質体で、β型炭化珪素の含有
率が９２重脣％で、残部は主として４Ｈ型と６Ｈ型のα
型炭化珪素であった。また、この結晶構造は、走査型電
子ｔｉｍｅ鏡によつて［察したところ、ブロック状の炭
化珪素結晶か比較的太いネックによって複雑に絡みあっ
て結合された三次元構造を有しており、生成形体に対す
る線収縮率はいずれの方向に対しても０．３±０．１％
の範囲内で、この焼結体の平均曲げ強度は１３．８ｋｇ
／′ｍｒｒＴ′と高い強度を有しており、３ｘｌＯ−’
重量％のアルミニウム、６Ｘ１０−’重量％の鉄、及び
４ｘｌＯ−’重量％のニッケルを含有していた。なお、
クロム、カルシウム、銅の含有量はいずれも痕跡量であ
り、ナトリウムとカリウムはいずれも１ｘｌＯ−’重量
％未満であった。

そして１以上のような多孔質炭化珪素焼結体からなる炭
化珪素部材を用意する。

次いで、前記多孔質炭化珪素焼結体部材の表面に、硬化
型フェノールレジン（固形分４５％）をはけにて内面に
コーテイング後、乾燥機にて６０℃、１０時間乾燥した
乾燥後におけるコーティング厚みは１ｍｍであった。

次いで、フェノールをコーティングした炭化珪素部材を
アルゴンガス気流中で６０℃／時間の昇温速度で３００
　’Ｃまで加熱して１時間保持した後、１２０°Ｃ／時
間の昇温速度で５００℃まで加熱し、その後１０００℃
／時間の昇温速度で加熱し、最高９５０℃まで加熱して
前記多孔質炭化珪素焼結体部材の表面にコーティングさ
れたフェノールを炭化処庁した。炭化処理後の内面炭化
膜厚みは、約０．５ｍｍであった。

次いで、前記各炭化珪素部材に、純度が９９．９９９９
重量％以上の金属シリコンを加熱炉内に設置し、アルゴ
ンガス気流中で６００℃／時間の昇温速度で加熱し、最
高温度１６００°Ｃで約１２時間保持して前記多孔質炭
化珪素焼結体部材中へ金属シリコンを浸透させ、炭化珪
素複合体を得た。

得られた前記複合体を酸化雰囲気にて９５０℃で１０時
間加熱し、°酸化処理を施した。

得られた炭化珪素複合体は、内表面層への金属シリコン
の滲み出しによる金属シリコンが全く認められず、極め
て良好な表面性状を有しており。

気孔率は２％で気体不透過性、寸法は金属シリコンを充
填する前に比較して０．３ｍｍ大きくなっただけであり
、平均曲げ強度は３２．　１ｋｇ／ｍｒｎ’と強く、熱
伝導率は０．２３ｃａ　ｌ／ｃｍ・ｓｅａ℃と極めて良
好であり、半導体製造用治具としての用途に極めて優れ
ていることが認められた。

実施例２ 実施例１と同様であるが、表１に示す如くフェノールレ
ジンによる炭化膜の厚みを変えることによって、多孔質
体の開放気孔中へ金属シリコンを浸透させた。

実施例３ 実施例１と同様であるが、フェノールレジンによる炭化
膜を両面にコーティングすることによって、多孔質体の
開放気孔中への金属シリコンを浸透させた。得られた炭
化珪素質複合材料は、金属シリコンの滲み出しか両面と
も全く認められず、極めて良好な表面性状を有していた
。

皮九声 実施例１と同様であるが、前記生成形体をタンマン炉を
用いて焼結して得られた焼結体部材の表面にフェノール
レジンをコーティングすることなく金属シリコンを浸透
させ、炭化珪素複合体を得た。得られた炭化珪素複合体
は、内表面において金属シリコンの滲み出しによる金属
シリコン層が形成されていた。

得られた炭化珪素質複合材料は、比較例で得られたもの
を除いて、いずれも金属シリコンの滲み出しが全く認め
られず、極めて良好な表面形状を有していた。

（以下、余白） 表１ （発明の効果） 以上、詳述した通り、本発明に係る半導体製造用治具の
製造方法にあっては、電子工学用の耐熱性治具、例えば
半導体の拡散、酸処理などに使用されるプロセス管やウ
ェハーボード等の用途に適した、シリコン滲み出しのな
い炭化珪素質の半導体製造用治具を格別の処理を必要と
することなく、容易に製造することができるものてあっ
て産業Ｅ極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は円筒状の炭化珪素質多孔質体を立設した状態で
内面に炭素膜を形成した状態を示す縦断面図、第２図は
棒状の炭化珪素質多孔質体を立設した状態で表面に炭素
膜を形成した状態を示す縦断面図、第３図は多数の切込
みを有する炭化珪素質多孔質体なｔ設だ状態で切込み部
に炭素膜を形成した状態を示す縦断面図である。 符号の説明 １０−・・黒鉛ルツボ、１１−・・炭素膜、１２−・・
金属シリコン、２０・・・多孔質体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）．平均粒径が５μｍ以下の炭化珪素粉末を成形して
   所望の形状の生成形体となし、この生成形体を非酸化性
   雰囲気下で焼結した後、得られた三次元網目状の骨格を
   有する多孔質炭化珪素部材の少なくとも一部の面に炭素
   質物質のコーティングを施した後、前記炭素質物質を非
   酸化性雰囲気下で炭化させ、次いで金属シリコンを充填
   せしめることを特徴とする半導体製造用治具の製造方法
   。 ２）．前記金属シリコン含浸体の残留炭素物質を除去す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
   製造用治具の製造方法。