JPH01102757A - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording mediumInfo
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- JPH01102757A JPH01102757A JP25916587A JP25916587A JPH01102757A JP H01102757 A JPH01102757 A JP H01102757A JP 25916587 A JP25916587 A JP 25916587A JP 25916587 A JP25916587 A JP 25916587A JP H01102757 A JPH01102757 A JP H01102757A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野〕
本発明はレーザ光により高密度の記録、再生が可能な光
磁気記録媒体に関、する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a magneto-optical recording medium capable of high-density recording and reproduction using laser light.
近年、半導体レーザ光の熱効果等を利用して磁性薄膜に
磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利用し
て情報を読みだすようにした光磁気記録媒体が注目され
ている。現在、光磁気記録媒体に用いられる磁性体では
、GdCo。In recent years, magneto-optical recording media have attracted attention, in which information is recorded by writing magnetic domains in a magnetic thin film using the thermal effect of semiconductor laser light, etc., and information is read out using the magneto-optic effect. Currently, GdCo is a magnetic material used in magneto-optical recording media.
GdFeCo、TbFeCo等の希土類−遷移金属非晶
質合金が盛んに研究されており、商品化段階を迎えよう
としている。この非晶質磁性体は粒界ノイズがなく、ま
た組成を調整することによって飽和磁化Msをコントロ
ールできるため、Ku>2πMs” (Ku :垂直磁
気異方性定数)を満たす垂直磁化膜が比較的容易に得ら
れるという利点をもっている。Rare earth-transition metal amorphous alloys such as GdFeCo and TbFeCo are being actively researched and are about to reach the commercialization stage. This amorphous magnetic material has no grain boundary noise, and saturation magnetization Ms can be controlled by adjusting the composition. It has the advantage of being easily obtained.
しかし、非晶質磁性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を
受けやすいために、経時とともに磁気特性等が劣化する
という大きな欠点がある。However, since amorphous magnetic materials, particularly transition metal components, are susceptible to oxidative corrosion, they have a major drawback in that their magnetic properties deteriorate over time.
これを防止するために、非晶質磁性膜上に真空蒸着法や
スパッタリング法により5in2、AQN等の保護層を
設けることも知られているが、磁性層や保護層の形成時
に真空槽内に残留する酸素、基板表面に吸着した酸素、
水、あるいは合金磁性体ターゲット中に含まれる酸素、
水°等により。In order to prevent this, it is known to provide a protective layer such as 5in2 or AQN on the amorphous magnetic film by vacuum evaporation or sputtering. Residual oxygen, oxygen adsorbed on the substrate surface,
Oxygen contained in water or alloy magnetic target,
Due to water ° etc.
経時とともに磁性膜が酸化腐食され、記録時の熱によっ
てさらにこの腐食が促進される。また非晶質磁性体は熱
によって結晶化されやすく、そのために磁気特性の劣化
をきたしやすいという問題点も有する。The magnetic film is oxidized and corroded over time, and this corrosion is further accelerated by the heat during recording. Additionally, amorphous magnetic materials have the problem that they are easily crystallized by heat, which tends to cause deterioration of their magnetic properties.
我々はこの欠点を改善するものとして、Baフェライト
に代表されるマグネトプラムバイト型フェライトの大き
な磁気異方性により安定した垂直磁化膜が得られやすい
こと、それ自体が酸化物であるために酸化劣化の虞れが
ないこと、すなわち耐候性に優れていることに着目し、
光磁気記録媒体への応用を検討し、特開昭59−456
44号として提案している。このようなマグネトプラム
バイト型フェライトは下記一般式で示されるものであり
、磁気特性には優れているが、ファラデー回転角が0.
2deg/ ttm (λ= 780nm)と小さいも
のである。We believe that magnetoplumbite ferrite, represented by Ba ferrite, can easily obtain a stable perpendicularly magnetized film due to its large magnetic anisotropy, and that it will deteriorate due to oxidation because it is an oxide. Focusing on the fact that there is no risk of this, that is, it has excellent weather resistance,
Considering application to magneto-optical recording media, published Japanese Patent Application Laid-open No. 59-456.
It is proposed as No. 44. Such magnetoplumbite type ferrite is represented by the following general formula, and although it has excellent magnetic properties, it has a Faraday rotation angle of 0.
It is as small as 2deg/ttm (λ=780nm).
MeFe、201g(Me: Sr、Baおよびpb等
の1種または2種以上)
このファラデー回転角を大きくするにはFeの一部をC
oで置換し、このCoff1換に伴う電荷補償を四価の
非磁性の陽イオン(Ti、Ge等)でFeの一部に行わ
なければならないため、C。MeFe, 201g (Me: one or more of Sr, Ba, pb, etc.) To increase this Faraday rotation angle, part of the Fe is
o, and charge compensation accompanying this Coff1 exchange must be performed on a part of Fe with a tetravalent nonmagnetic cation (Ti, Ge, etc.).
置換量が増大するに従い、非磁性イオンが増え、保磁力
(He)が減少する傾向にあり、Co置換量が0.1−
0.6モル程度に制限され、ファラデー回転角の増大に
限界を有するという問題点があった。As the amount of substitution increases, the number of nonmagnetic ions increases and the coercive force (He) tends to decrease, and when the amount of Co substitution increases to 0.1-
There was a problem in that the amount was limited to about 0.6 mol, and there was a limit to increasing the Faraday rotation angle.
〔目 的〕 −
本発明は上記した如き従来の問題点を解消し、耐候性に
優れたマグネトプラムバイト型フェライトの特性を生か
し、磁気特性および磁気光学特性を改善した光磁気記録
媒体を提供することを目的とするものである。[Purpose] - The present invention solves the above-mentioned conventional problems and provides a magneto-optical recording medium with improved magnetic properties and magneto-optical properties by taking advantage of the characteristics of magnetoplumbite type ferrite which has excellent weather resistance. The purpose is to
上記のような課題は、1式に示した如く、マグネトプラ
ムバイト型フェライトのFeの一部をCoで置換し、そ
の電荷補償を一価の負イオンでありイオン半径が○とほ
ぼ同じFで行うことにより達成される。これは例えば次
のような一般式で表示することができる。The above problem is solved by replacing a part of Fe in magnetoplumbite ferrite with Co, as shown in Equation 1, and replacing the charge with F, which is a monovalent negative ion and has an ionic radius that is almost the same as ○. It is achieved by doing. This can be expressed, for example, by the following general formula.
MeC0XFetz−XOzs XF’X”’(I )
(Me:Sr、Baおよびpb等の1種または2種以上
、X :0.01≦X≦2.0)第1図は本発明に係る
光磁気記録媒体の一構成例を断面で示すものである。こ
の第1図に示した構成例では透明基板1上に磁性層2を
設け、その上に反射層3を設ける。さらにこの反射層3
上に保護層4を積層して構成されるものである。MeC0XFetz-XOzs XF'X"'(I)
(Me: one or more of Sr, Ba, pb, etc., X: 0.01≦X≦2.0) FIG. 1 shows a cross-sectional view of an example of the configuration of a magneto-optical recording medium according to the present invention. It is. In the configuration example shown in FIG. 1, a magnetic layer 2 is provided on a transparent substrate 1, and a reflective layer 3 is provided thereon. Furthermore, this reflective layer 3
It is constructed by laminating a protective layer 4 thereon.
第2図は本発明の他の構成例を示すものであり、この例
では透明基板1と磁性層2との間に下地層5が設けられ
ているものである。その他、磁性層2と反射層3との間
に、誘電層を設けるようにしてもよい。FIG. 2 shows another example of the structure of the present invention, in which a base layer 5 is provided between the transparent substrate 1 and the magnetic layer 2. In addition, a dielectric layer may be provided between the magnetic layer 2 and the reflective layer 3.
本発明で使用し得る透明基板1としては石英ガラス、A
Nガラス等の各種ガラスあるいはGGG、Li9’/9
レート、AQ203.MoO等の各種単結晶等を用い
ることができる。磁性層2はMeCOlFetz−,0
1,−XFX(ただし、MeはSr。The transparent substrate 1 that can be used in the present invention is quartz glass, A
Various glasses such as N glass or GGG, Li9'/9
Rate, AQ203. Various single crystals such as MoO can be used. The magnetic layer 2 is MeCOlFetz-,0
1,-XFX (Me is Sr.
Baおよびpb等の1種または2種以上)の如くFeの
一部をCOで置換し、その電荷補償をFで行ったもので
、Coの置換量又は0.01〜2.0の範囲とする。磁
性層2は対向ターゲットスパッタリング等の各種スパッ
タリング法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、メ
ツキ法等の薄膜形成方法により膜厚0.1〜1.0μm
程度、好ましくは0.2〜0.5μmとする。反射層3
としては、Au、 AQ、 Ag、 Pt、 Cr、
Nd、 Ge、 Rh、Cu。One or more types of Fe such as Ba and pb) are partially replaced with CO, and the charge compensation is performed with F, and the amount of Co substitution or in the range of 0.01 to 2.0 do. The magnetic layer 2 is formed to a film thickness of 0.1 to 1.0 μm by various sputtering methods such as facing target sputtering, ion blating method, vacuum evaporation method, plating method, and other thin film forming methods.
degree, preferably 0.2 to 0.5 μm. reflective layer 3
Examples include Au, AQ, Ag, Pt, Cr,
Nd, Ge, Rh, Cu.
TiN等が用いられ、電子ビーム蒸着法等の各種蒸着法
、マグネトロンスパッタリング等の各種スパッタリング
法等により、膜厚0.01〜1μmの範囲で成膜される
。また、保護層4としてはS io、、AfiN等の従
来から保護層として使用されているものがそのまま使用
できる。これらは真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り成膜される。下地層5はNiZnのフェライト等のス
ピネルフェライト等が好ましく、マグネトロンスパッタ
リング等のスパッタリング法、イオンブレーティング法
、蒸着法、メツキ等の薄膜形成方法により、膜厚0.1
−1.0μmの範囲で成膜される。TiN or the like is used, and the film is formed to a thickness of 0.01 to 1 μm by various evaporation methods such as electron beam evaporation or various sputtering methods such as magnetron sputtering. Further, as the protective layer 4, those conventionally used as a protective layer such as Sio, AfiN, etc. can be used as they are. These films are formed by vacuum evaporation, sputtering, or the like. The base layer 5 is preferably made of spinel ferrite such as NiZn ferrite, and is formed to a thickness of 0.1 by a thin film forming method such as a sputtering method such as magnetron sputtering, an ion blasting method, a vapor deposition method, or a plating method.
A film is formed in the range of −1.0 μm.
次に具体例を示す。A specific example is shown below.
石英ガラス基板上に予め対向ターゲットスパッタリング
装置により、NiZnフェライト(組成はNi、、、
Znl、、、 Fe、04)を0.15μm付着させ、
その上にBaCoxFe、−xol、−xFxからなる
磁性膜をXの値を0.1〜2.0まで変化させて成膜し
た。次いでスパッタリング法によりSiO□を保護膜と
して膜厚0.1μm形成し、第2図に示されるような本
発明に係る光磁気記録媒体を製作した。この光磁気記録
媒体のCo置換量に対するHeの依存性のグラフを第3
図の曲線1として示す。NiZn ferrite (composition: Ni,...
Znl, , Fe, 04) was deposited to a thickness of 0.15 μm,
A magnetic film made of BaCoxFe, -xol, -xFx was formed thereon with the value of X varied from 0.1 to 2.0. Next, a protective film of SiO□ was formed with a thickness of 0.1 μm by sputtering to produce a magneto-optical recording medium according to the present invention as shown in FIG. The third graph shows the dependence of He on the Co substitution amount of this magneto-optical recording medium.
It is shown as curve 1 in the figure.
なお、比較のため、磁性層としてBaCoxMxFel
、−2xo、、 (ただし、M=Ti、Ge)を用いた
他は同様にして光磁気記録媒体を作製し、その時のCo
置換量とHcの依存性のグラフを第3図に示す。この比
較例ではCo置換による電荷補償を四価のTi(第3図
中、曲線2)およびGe(曲tA3)で行ったものであ
る。For comparison, BaCoxMxFel was used as the magnetic layer.
, -2xo,, (however, M=Ti, Ge) was used, but a magneto-optical recording medium was prepared in the same manner, and the Co
A graph of the dependency between the amount of substitution and Hc is shown in FIG. In this comparative example, charge compensation by Co substitution was performed with tetravalent Ti (curve 2 in FIG. 3) and Ge (curve tA3).
第3図より、Co置換による電荷補償を四価の陽イオン
で行った場合にはCOの置換量の増大とともにHeが減
少するのに対し、本発明におけるように一価の負イオン
であるFにより電荷補償したものはCo置換量の増大に
よるもその特性はほとんど変っていないことがわかる。From FIG. 3, it can be seen that when charge compensation by Co substitution is performed with tetravalent cations, He decreases as the amount of CO substitution increases, whereas as in the present invention, F, which is a monovalent negative ion, It can be seen that the characteristics of those subjected to charge compensation are almost unchanged even with an increase in the amount of Co substitution.
以上のような本発明によれば、マグネトプラムバイト型
フェライトにおいて、Co置換に伴う電荷補償をFで行
っているため、保持力の低下をきたすことなくファラデ
ー回転角を改善することができ、磁気特性および磁気光
学特性ともに優れた光磁気記録媒体が得られるという効
果を有する。According to the present invention as described above, in the magnetoplumbite type ferrite, charge compensation accompanying Co substitution is performed with F, so the Faraday rotation angle can be improved without reducing the coercive force, and the magnetic This has the effect that a magneto-optical recording medium having excellent properties and magneto-optical properties can be obtained.
第1図および第2図は本発明実施例に係る光磁気記録媒
体の断面構成説明図である。
第3図は本発明具体例および比較例におけるCo置換量
と保持力との関係図である。
1・・・透明基板 2・・・磁性層3・・・
反射層 4・・・保護層5・・・下地層
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昂3(¥1
CO含量χFIGS. 1 and 2 are explanatory views of the cross-sectional structure of a magneto-optical recording medium according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between Co substitution amount and retention force in specific examples of the present invention and comparative examples. 1... Transparent substrate 2... Magnetic layer 3...
Reflective layer 4...Protective layer 5...Underlayer
Claims (1)
Pb等の1種または2種以上) で示されるマグネトプラムバイト型フェライトを磁性層
として形成した光磁気記録媒体において、前記マグネト
プラムバイト型フェライトのFeの一部をCoで置換し
、その電荷補償をFで行ったことを特徴とする光磁気記
録媒体。1. In a magneto-optical recording medium in which a magnetoplumbite type ferrite represented by the general formula: MeFe_1_2O_1_3 (Me: one or more types of Sr, Ba, Pb, etc.) is formed as a magnetic layer, Fe of the magnetoplumbite type ferrite is 1. A magneto-optical recording medium characterized in that a portion of the medium is replaced with Co and charge compensation is performed with F.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25916587A JPH01102757A (en) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25916587A JPH01102757A (en) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | Magneto-optical recording medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01102757A true JPH01102757A (en) | 1989-04-20 |
Family
ID=17330252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25916587A Pending JPH01102757A (en) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | Magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01102757A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5467253A (en) * | 1994-06-30 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip package and method of forming |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25916587A patent/JPH01102757A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5467253A (en) * | 1994-06-30 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip package and method of forming |
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