JP7607915B2 - 加工装置および加工方法 - Google Patents
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Description
<1> 回転および/または振動する加工磁石により被加工物を加工する加工装置であり、容器内に収容固定された超伝導体と、超伝導体の一方の側に配置される磁束発生手段と、を有する駆動部と、前記超伝導体の他方の側の空中に保持された状態で前記被加工物の加工位置まで移動し、加工位置において前記被加工物を加工する加工磁石と、を備え前記磁束発生手段が、前記加工磁石の動きを制御する手段である、加工装置。
<2> 前記磁束発生手段が、前記加工磁石と前記超伝導体を挟んで対向に配置される駆動磁石を有し、前記加工磁石と前記駆動磁石は、互いに対向する面の磁性が異なるように配置され、前記駆動磁石の動きに連動して前記加工磁石が動かされる、前記<1>に記載の加工装置。
<3> 前記磁束発生手段が、前記駆動磁石を振動運動および/または回転運動させる駆動磁石制御手段を備える、前記<2>に記載の加工装置。
<4> 前記駆動磁石制御手段が、コイルおよび/または電磁石を有する、前記<3>に記載の加工装置。
<5> 前記磁束発生手段が、電磁石を有し、前記電磁石の磁場勾配を用いて前記加工磁石を動かす、前記<1>に記載の加工装置。
<6> 前記加工磁石が、同一面上に2極以上の磁極を有する、前記<1>から<5>のいずれかに記載の加工装置。
<7> 前記加工磁石の大きさが、前記駆動磁石より小さい、前記<2>から<4>のいずれかに記載の加工装置。
<8> 回転駆動される回転台の上に前記駆動部が配置された、前記<1>から<7>のいずれかに記載の加工装置。
<9> 前記被加工物の加工は、切削加工、研削加工または表面研磨である、前記<1>から<8>のいずれかに記載の加工装置。
<10> 前記超伝導体は、イットリウムバリウム銅酸化物(YBCO)を含む超伝導バルクである、前記<1>から<9>のいずれかに記載の加工装置。
<11> 前記駆動部の前記超伝導体の他方の側に、容器内に収容固定された第2超伝導体を有する第2駆動部を備え、前記駆動部と前記第2駆動部とは間隔をあけて互いの超伝導体が対向するように配置され、前記加工磁石が、前記駆動部と前記第2駆動部との間の空間に保持された状態で前記被加工物の加工位置まで移動し、前記被加工物を加工する、前記<1>から<10>のいずれかに記載の加工装置。
<12> 前記第2駆動部が、前記第2超伝導体を挟んで前記加工磁石と対向する側に磁束発生手段を有する、前記<11>に記載の加工装置。
<14> 前記磁束発生手段が、前記加工磁石と前記超伝導体を挟んで対向に配置される駆動磁石を有し、前記加工磁石と前記駆動磁石は、互いに対向する面の磁性が異なるように配置されており、前記駆動磁石の動きに連動して前記加工磁石が動かされ前記被加工物を加工する、前記<13>に記載の方法。
<15> 前記磁束発生手段が、電磁石を有し、前記電磁石の磁場勾配を用いて前記加工磁石を動かし前記被加工物を加工する、前記<13>に記載の方法。
本発明は、回転および/または振動する加工磁石により被加工物を加工する加工装置であり、容器内に固定された超伝導体と、超伝導体の一方の側に配置される磁束発生手段と、を有する駆動部と、前記超伝導体の他方の側の空中に保持された状態で前記被加工物の加工位置まで移動し、加工位置において前記被加工物を加工する加工磁石と、を備え、前記磁束発生手段が、前記加工磁石の動きを制御する手段である加工装置(以下、「本発明の加工装置」と記載する場合がある。)に関するものである。
また、本発明は、容器内に収容固定された超伝導体と、超伝導体の一方の側に配置される磁束発生手段とを有する駆動部、および加工磁石を備えた加工装置を用いて、被加工物を加工する加工方法に関するものであり、本発明の加工装置にて行うことができる。本発明の加工方法は、前記容器に冷却材を入れて前記超伝導体を冷却し、前記超伝導体の他方の側の空中に前記加工磁石を捕捉させる工程と、前記加工磁石を前記超伝導体の他方の側の空中に捕捉させた状態で、前記被加工物の加工位置まで移動させる工程と、回転および/または振動する前記加工磁石により前記被加工物を加工する工程と、を有する。
本発明における被加工物としては、強磁性体以外の全ての材料に適用可能である。例えば、ステンレス(強磁性体のものを除く)やアルミ、銅、真鍮、樹脂類などを対象とすることができる。ここでは切削加工の他、研磨材を用いることにより表面研磨なども可能である。中でも、中空を有する被加工物は好適な加工対象である。上記の通り、中空を有する被加工物の中空(内面)を加工する場合には、中空内の加工位置まで加工磁石を移動させるために、加工磁石は被加工物の厚み以上の浮上量または吊り下げ量が必要となる。本発明の加工装置は、磁束発生手段により加工磁石の浮上量または吊り下げ量を制御できる。加工磁石の浮上量または吊り下げ量が大きくなるように制御することで、厚みのある部材で形成された中空を有する被加工物であっても加工ができる。
図1、図2に示す加工装置1は、被加工物に対して回転または振動する加工磁石10により被加工物を加工する加工装置である。加工装置1は、工具として機能する加工磁石10と、駆動部120とを備える。
加工磁石10は、回転または振動した状態で被加工物に押し付け、被加工物を切削加工や研削加工したり表面研磨する工具として機能するものである。加工磁石10は、超伝導体30の上方に浮いた状態(超伝導体30を挟んで磁束発生手段40と対向する側の空中に保持された状態)で被加工物の加工位置まで移動する。
駆動部120は、超伝導体30と、磁束発生手段である駆動磁石42および電磁石43とが収容された容器20を備える。駆動部120は、超伝導体30および駆動磁石42により加工磁石10の浮上量や動きを制御するものである。また、駆動部120(容器20)は回転手段の回転台52の上に配置されており回転台52をモータ(図示せず)により回転させることで、駆動部120(容器20)も回転する。これにより、超伝導体30および駆動磁石42が回転に連動して、加工磁石10も回転する。回転台52は、超伝導体30の表面と直交する垂直方向(Z方向)に移動可能な垂直移動手段であるZステージ60上に配置されており、Zステージ60は、超伝導体30の表面と平行な水平面内方向(X方向、Y方向)に移動させることのできる車輪70を備える支持台71上に設けられている。そのため、駆動部120とこれに連動して動かされる加工磁石10は垂直方向や水平方向にも移動可能である。なお、回転台52やZステージ60については、加工装置2において説明する。
容器20は、円筒型の内部空間22を有する、円筒型の断熱容器である。容器20は、耐冷性のある材質(アルミニウムなど)で形成された内層部23と、この外側を覆う、断熱部材で形成された外層部24を有する。断熱部材は、超伝導体30の冷却状態を維持することができるものであればよく、例えば、発泡スチロールなどを用いることができる。超伝導体30は容器20の上面25(蓋)に接するように保持板26により下から固定されている。駆動磁石42は、容器20の底面28側に配置された電磁石43の上に配置されている。加工中は、容器20の内部空間22に冷却材が満たされており、容器20の内部に収容された超伝導体30は超伝導が発現する温度に冷却され、冷却状態が維持される。冷却材は、超伝導体30を超伝導が発現する温度に冷却できるものであればよい。例えば、液体窒素やコールドガス等が使用できる。
超伝導体30は第二種超伝導体である。超伝導体には、磁場の反応の違いから第一種超伝導体と第二種超伝導体の二種類がある。第二種超伝導体は、超伝導体内部に磁束が進入している状態のときにピン止め効果が起きる特徴がある。ピン止め(ピニング)効果とは、磁束が第二種超伝導体の内部にあるひずみや不純物などの常伝導部分に捕らえられ、ピンで止めたように動かなくなる現象である。ピン止め効果を利用するため、バルクの超伝導体に重粒子線を照射したり、不純物を導入したりすることでわざと欠陥をつくり、この欠陥に磁束をトラップする手法とか、超伝導薄膜においてはリソグラフィとエッチングによって三角格子状の穴(Anti-dots)を無数に開ける手法などが従来知られている。
磁束発生手段40は、超伝導体30の下方に配置される、加工磁石10の浮上に影響を与える磁束を発生する機能を有する手段である。磁束発生手段40は、電磁石43と、電磁石43の上に配置された駆動磁石42とを有する。電磁石43は、駆動磁石42と超伝導体30との変位を変化させる手段であり、電磁石43によって、超伝導体30と駆動磁石42との距離を変更可能である。駆動磁石42と超伝導体30との変位の変化により、加工磁石10の変位を変化させ、加工磁石を動かす(例えば、上下方向に移動させる)ことができる。
図3に示す加工装置2は、本発明の加工装置の別の態様である。加工装置2は、工具として機能する加工磁石10と、駆動部12と、駆動部12を回転駆動する回転手段50と、Z方向に駆動部12を移動可能とする垂直移動手段60と、X方向および/またはY方向に駆動部12を移動可能とする平面移動手段72とを備える。加工磁石は、加工装置1と同様の磁石を使用可能である。
駆動部12は、超伝導体30と、磁束発生手段41とが収容された容器20を備える。駆動部12は、磁束発生手段が異なる点以外は加工装置1の駆動部120と同様である。なお、駆動部12では、超伝導体30は、容器20の上面25を形成する部材の下方に直接固定されている。
磁束発生手段41は、超伝導体30の下方に配置される、加工磁石10の浮上に影響を与える磁束を発生する機能を有する手段である。磁束発生手段41は、加工磁石10と超伝導体30を挟んで対向に配置される駆動磁石42と、駆動磁石42に振動運動および/または回転運動をさせる駆動磁石制御手段44を備えたものとできる。このとき、駆動磁石42と加工磁石10とは、互いに対向する面の磁極が異なるように配置される。このような構成とすることで、駆動磁石42と加工磁石10との間に引力が働き、駆動磁石42の動きに連動して加工磁石10が動き、被加工物を加工することができる。駆動磁石42は、加工装置1と同様である。
図3に示す加工装置2の回転手段50は、容器20を回転駆動する回転台52と、回転台52を回転させるモータ54と、容器20の回転数などを計測するセンサ56とを備える。容器20は、回転台52の上に配置されており、回転制御部58によりモータ54を駆動し、回転台52を回転させることで、容器20も回転する。これにより、超伝導体30および磁束発生手段41が回転に連動して、加工磁石10も回転する。
図3に示す加工装置2の垂直移動手段60は、Zステージ62と、モータ64と、Z方向(鉛直方向)の移動距離などを計測するセンサ66とを備える。垂直移動制御部68によりモータ64を駆動させ、容器20および回転手段50をZ方向に移動させる。これにより、超伝導体30および磁束発生手段41に連動して、加工磁石10もZ方向に移動する。
図3に示す加工装置2の平面移動手段72は、X-Yステージ73と、モータ74と、平面方向の移動距離などを計測するセンサ76とを備える。平面移動制御部78によりモータ74を駆動させ、容器20、回転手段50および垂直移動手段60をX方向および/またはY方向に移動させる。これにより、超伝導体30および磁束発生手段41に連動して、加工磁石10も移動する。
図7に示す加工装置3は、加工磁石10と、駆動部122と、駆動部122の超伝導体30の上方に間隔をあけて配置された第2駆動部14を有する。駆動部122は、容器20の上面(Z軸上側の面)を形成する部材の下方に固定された超伝導体30と、容器20の下方(Z軸下側)に配置された磁束発生手段400とを有する。磁束発生手段400は、上記実施の形態1の磁束発生手段40(図2参照)や上記実施の形態2の磁束発生手段41(図3参照)の構成とすることができる。また、第2駆動部14は、容器21内に固定された超伝導体32を有する。容器21は、容器20と同様に円筒状の中空を有する円筒型の断熱容器であり、加工時には冷却材が充填され、超伝導体32を冷却する。超伝導体32は、容器21の底面27(配置したときにZ軸下側となる面)側に接するように固定されていることが好ましい。超伝導体32は、超伝導体30と同様に第二種超伝導体であればよく、超伝導体30と同じものでも、異なるものであってもよい。また、駆動部120の超伝導体30と第2駆動部14の超伝導体32は加工磁石10を挟んで対向するように配置される。加工磁石10は、駆動部122と第2駆動部14との間に配置される。
この加工装置3を用いて被加工物90の内面を加工する場合には、加工磁石10は、駆動部122と第2駆動部14との間に保持された状態で被加工物90の中空91の内部を進み加工位置まで移動し、被加工物90を加工する。
図8に示す加工装置4は、加工磁石10と、駆動部122と、駆動部122の超伝導体30の上方に間隔をあけて配置された第2駆動部140を有する。また、駆動部122の超伝導体30と駆動部140の超伝導体30は加工磁石10を挟んで対向するように配置される。第2駆動部140は、駆動部122の上下を逆向きにしたものである。すなわち、加工装置4は、駆動部122が加工磁石10を挟んで鏡面対象となるように配置された装置である。駆動部122と第2駆動部140は、磁束発生手段400が同一の構成であってもよいし、異なる構成であってもよい。第2駆動部140にも磁束発生手段400を設けることで、被加工物90の中空91を加工する場合も加工磁石10を上下から駆動することができ、複雑な加工磁石10の移動ができ、被加工物90に対し加工磁石10の押圧力も強くできる。
次に、加工装置2を用いた加工方法を例として本発明の加工方法について説明する。図9は、本発明の加工方法の一例を示すフロー図である。
まず、超伝導体30の上方に加工磁石10を浮上させ、上方の空間に加工磁石10を捕捉する。具体的には、保持具を用いて、加工磁石10を超伝導体30(容器20)から離れた所定の高さに保持した状態で、液体窒素などの冷却材を容器20に充填し、超伝導体30を冷却する。その後、加工磁石10から保持具を外して、超伝導体30から離れた位置に加工磁石10を浮かせる。
次に、超伝導体30および磁束発生手段41を回転させる。まず、入力部82に超伝導体30および磁束発生手段41の回転数を入力する。入力されたデータに基づいて主制御部80は回転制御部58に信号を送り、回転制御部58は、回転手段50のモータ54を回転させる。モータ54の回転数などはセンサ56にて計測され一定回転を行うように回転制御部58がモータ54に電流を流す。これにより、回転台52と、超伝導体30および磁束発生手段41が収容された容器20とが入力された回転数で一定回転する。また、加工磁石10は、超伝導体30および磁束発生手段41の回転数に応じた回転を始める。
次いで、被加工物の所望の位置で加工を行うため、浮上させた加工磁石10を被加工物の加工位置まで移動させる。まず、入力部82にて中空を有する被加工物の内部空間の情報を入力する。この情報は、加工磁石10が移動する経路に相当する。なお、被加工物の内部空間の情報は、入力部82からの情報入力ではなく、他のネットワークサービスからの情報を用いてもよい。入力された経路情報に基づいて、主制御部80は平面移動制御部78および垂直移動制御部68に入力された経路情報に基づいた信号を出力する。平面移動制御部78および垂直移動制御部68は、信号に基づきモータ74やモータ64を駆動し、超伝導体30および磁束発生手段41が収容された容器20を移動させ、加工磁石10を被加工物の内部の所望の位置に自動的に移動させることができる。
所定の位置に加工磁石10が移動したら、浮上させた加工磁石10を回転または振動させながら被加工物に押し付けて加工する。まず、目測等を参考にして、所定の位置に加工磁石10が移動したら入力部82にて駆動磁石42を振動させたりする情報を入力すると、主制御部80はその入力データに基づいて、アクチュエータ駆動制御部48に信号を出し、アクチュエータ駆動制御部48は、その信号に基づいて、駆動磁石制御手段44(コイルや電磁石)に供給する電流の大きさや、電流の周期などを決定し、駆動磁石制御手段44に電流を流す。駆動磁石制御手段44に電流を流すことで駆動磁石42が振動し加工磁石10がそれに伴い振動し、被加工物の内壁の所定部分を切削し加工する。
所定時間加工した後、あるいは目測や加工音などで切削の完了を確認した場合には、入力部82から、加工停止の信号を入力する。入力部82で入力された停止信号を主制御部80が受け取ると、加工磁石10が被加工物から浮上した状態で停止するように、アクチュエータ駆動制御部48に停止信号を送信し、駆動磁石制御手段44(コイルや電磁石)への電流の供給を停止させる。なお、この状態でも、超伝導体30は、モータ54で回転しているので、加工磁石10は回転している。
次いで、入力部82にて加工終了の情報を入力し、その入力された情報に基づき、主制御部80は、平面移動制御部78および垂直移動制御部68に信号を出力し、入力された経路情報に基づいて、モータ74やモータ64を駆動し、超伝導体30および磁束発生手段41が収容された容器20を移動させ、自動的に、加工磁石10を被加工物の外部に移動させる。さらに、主制御部80は、回転制御部58に信号を出力し、加工磁石10の回転を停止させる。
10、101、102、103 加工磁石
12、120、122 駆動部
14、140 第2駆動部
20、21 容器
22 内部空間
23 内層部
24 外層部
25 上面
26 保持板
27、28 底面
30、32 超伝導体
40、41、400、410、411、412 磁束発生手段
42、421、422、423 駆動磁石
43 電磁石
44 駆動磁石制御手段
46 ガイド
48 アクチュエータ駆動制御部
50 回転手段
54、64、74 モータ
56、66、76 センサ
58 回転制御部
60 垂直移動手段
62 Zステージ
68 垂直移動制御部
70 車輪
71 支持台
72 平面移動手段
73 X-Yステージ
78 平面移動制御部
80 主制御部
82 入力部
84 表示部
86 冷却制御部
90 被加工物
91 中空
441、442、443、444、445、446 コイル
Claims (15)
- 回転および/または振動する加工磁石により被加工物を加工する加工装置であり、
容器内に収容固定された超伝導体と、超伝導体の一方の側に配置される磁束発生手段と、を有する駆動部と、
前記超伝導体の他方の側の空中に保持された状態で前記被加工物の加工位置まで移動し、加工位置において前記被加工物を加工する加工磁石と、を備え、
前記磁束発生手段が、前記加工磁石の動きを制御する手段であり、
前記磁束発生手段によって、前記加工磁石を、前記超伝導体に近づく方向および/または前記超伝導体から離れる方向に動かし、前記超伝導体と前記加工磁石との距離を変化させることができる、加工装置。 - 回転および/または振動する加工磁石により被加工物を加工する加工装置であり、
容器内に収容固定された超伝導体と、超伝導体の一方の側に配置される磁束発生手段と、を有する駆動部と、
前記駆動部の前記超伝導体の他方の側に配置され、容器内に収容固定された第2超伝導体を有する第2駆動部と、
加工磁石と、を備え、
前記磁束発生手段が、前記加工磁石の動きを制御する手段であり、
前記駆動部と前記第2駆動部とは間隔をあけて互いの超伝導体が対向するように配置され、
前記加工磁石が、前記駆動部と前記第2駆動部との間の空間に保持された状態で前記被加工物の加工位置まで移動し、前記被加工物を加工する、加工装置。 - 前記第2駆動部が、前記第2超伝導体を挟んで前記加工磁石と対向する側に第2磁束発生手段を有する、請求項2に記載の加工装置。
- 前記磁束発生手段が、前記加工磁石と前記超伝導体を挟んで対向に配置される駆動磁石を有し、
前記加工磁石と前記駆動磁石は、互いに対向する面の磁性が異なるように配置され、
前記駆動磁石の動きに連動して前記加工磁石が動かされる、請求項1から3のいずれかに記載の加工装置。 - 前記磁束発生手段が、前記駆動磁石を振動運動および/または回転運動させる駆動磁石制御手段を備える、請求項4に記載の加工装置。
- 前記駆動磁石制御手段が、コイルおよび/または電磁石を有する、請求項5に記載の加工装置。
- 前記磁束発生手段が、電磁石を有し、
前記電磁石の磁場勾配を用いて前記加工磁石を動かす、請求項1から3のいずれかに記載の加工装置。 - 前記加工磁石が、同一面上に2極以上の磁極を有する、請求項1から7のいずれかに記載の加工装置。
- 前記加工磁石の大きさが、前記駆動磁石より小さい、請求項4から6のいずれかに記載の加工装置。
- 回転駆動される回転台の上に前記駆動部が配置された、請求項1から9のいずれかに記載の加工装置。
- 前記被加工物の加工は、切削加工、研削加工または表面研磨である、請求項1から10のいずれかに記載の加工装置。
- 前記超伝導体は、イットリウムバリウム銅酸化物(YBCO)を含む超伝導バルクである、請求項1から11のいずれかに記載の加工装置。
- 容器内に収容固定された超伝導体と、超伝導体の一方の側に配置される磁束発生手段とを有する駆動部、および加工磁石を備え、前記磁束発生手段が、前記加工磁石の動きを制御する手段である加工装置を用いて、被加工物を加工する加工方法であり、
前記容器に冷却材を入れて前記超伝導体を冷却し、前記超伝導体の他方の側の空中に前記加工磁石を捕捉させる工程と、
前記加工磁石を前記超伝導体の他方の側の空中に捕捉させた状態で、前記被加工物の加工位置まで移動させる工程と、
回転および/または振動する前記加工磁石により前記被加工物を加工する工程と、を有し、
前記被加工物を加工する工程が、前記磁束発生手段によって、前記加工磁石を、前記超伝導体に近づく方向および/または前記超伝導体から離れる方向に動かし、前記超伝導体と前記加工磁石との距離を変化させることを含む、加工方法。 - 前記磁束発生手段が、前記加工磁石と前記超伝導体を挟んで対向に配置される駆動磁石を有し、
前記加工磁石と前記駆動磁石は、互いに対向する面の磁性が異なるように配置されており、
前記駆動磁石の動きに連動して前記加工磁石が動かされ前記被加工物を加工する、請求項13に記載の方法。 - 前記磁束発生手段が、電磁石を有し、
前記電磁石の磁場勾配を用いて前記加工磁石を動かし前記被加工物を加工する、請求項13に記載の方法。
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