JP7607423B2 - METHOD FOR CONTROLLING A LITHOGRAPHIC APPARATUS, ... AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ARTICLE - Patent application - Google Patents
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Description
本発明は、リソグラフィ装置の制御方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。 The present invention relates to a method for controlling a lithography apparatus, a lithography apparatus, and a method for manufacturing an article.
特許文献1には、任意のパターンをマークとして登録しておき、登録されたパターンを用いて基板の位置を計測する技術が開示されている。
マークとして登録されるパターンの形状が任意である場合、その形状によっては計測系のレンズ収差の影響により計測精度が低下しうる。特に、パターンの形状が計測中心に対して非対称に分布している場合、計測中心に対して等方性をもって広がるレンズ収差による歪みの影響を受ける。つまり、パターンの形状が計測中心に対して非対称である場合、パターンの一方の片側で発生する歪み量と他方の片側で発生する歪み量が異なる。そのため、送り込まれるパターンの位置によってパターンが歪む量が変わることになり、計測リニアリティが低下する。また、マークとして認識できるパターンの情報量が少ない場合、電気ノイズ等の影響を受け、計測再現性および計測リニアリティが共に低下する。 When the shape of the pattern registered as a mark is arbitrary, depending on the shape, the measurement accuracy may decrease due to the influence of lens aberration in the measurement system. In particular, when the pattern shape is distributed asymmetrically with respect to the measurement center, it is affected by distortion due to lens aberration that spreads isotropically with respect to the measurement center. In other words, when the pattern shape is asymmetric with respect to the measurement center, the amount of distortion generated on one side of the pattern differs from the amount of distortion generated on the other side. Therefore, the amount of distortion of the pattern changes depending on the position of the pattern being sent in, and the measurement linearity decreases. Also, when the amount of information of the pattern that can be recognized as a mark is small, it is affected by electrical noise, etc., and both the measurement repeatability and measurement linearity decrease.
本発明は、例えば、基板の位置計測の精度向上に有利な技術を提供する。 The present invention provides technology that is advantageous for improving the accuracy of substrate position measurement, for example.
本発明の一側面によれば、リソグラフィ装置の制御方法であって、基板の計測領域を撮像部により撮像して画像を得る取得工程と、前記得られた画像のエントロピーに関する評価値を算出する算出工程と、前記算出された評価値が所定の基準を満たす場合に、前記画像の情報を基板の位置計測のための情報として登録する登録工程と、を有し、前記算出工程は、前記画像を分割して得た複数の領域それぞれにおける画像のエントロピーを算出する工程と、前記算出された各領域の画像のエントロピーに基づいて前記評価値を算出する工程と、を含む、ことを特徴とする制御方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a control method for a lithography apparatus, comprising: an acquisition step of acquiring an image by capturing an image of a measurement area of a substrate using an imaging unit; a calculation step of calculating an evaluation value relating to the entropy of the acquired image; and a registration step of registering information about the image as information for position measurement of the substrate if the calculated evaluation value satisfies a predetermined criterion, wherein the calculation step includes a step of calculating the entropy of an image in each of a plurality of areas obtained by dividing the image; and a step of calculating the evaluation value based on the calculated entropy of the image in each of the areas .
本発明によれば、例えば、基板の位置計測の精度向上に有利な技術を提供することができる。 The present invention can provide a technology that is advantageous for improving the accuracy of substrate position measurement, for example.
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 The following embodiments are described in detail with reference to the attached drawings. Note that the following embodiments do not limit the invention according to the claims. Although the embodiments describe multiple features, not all of these multiple features are necessarily essential to the invention, and multiple features may be combined in any manner. Furthermore, in the attached drawings, the same reference numbers are used for the same or similar configurations, and duplicate explanations are omitted.
本発明は、原版のパターンを基板に形成するリソグラフィ装置に関するものである。以下では、本発明がリソグラフィ装置の一例である露光装置に適用された例を説明する。ただし、リソグラフィ装置は露光装置に限らず、他のリソグラフィ装置であってもよい。例えば、リソグラフィ装置は、荷電粒子線で基板(の上の感光剤)に描画を行う描画装置であってもよい。あるいは、リソグラフィ装置は、基板上のインプリント材を型で成形して基板にパターンを形成するインプリント装置であってもよい。 The present invention relates to a lithography apparatus that forms a pattern of an original on a substrate. Below, an example will be described in which the present invention is applied to an exposure apparatus, which is one example of a lithography apparatus. However, the lithography apparatus is not limited to an exposure apparatus, and may be other lithography apparatus. For example, the lithography apparatus may be a drawing apparatus that draws on a substrate (or a photosensitive agent thereon) using a charged particle beam. Alternatively, the lithography apparatus may be an imprint apparatus that forms a pattern on the substrate by molding an imprint material on the substrate with a mold.
図1は、実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。また、図2は、図1の露光装置によって処理される基板Wのレイアウトを示す図である。図2において、基板Wにはマトリクス状に配列された複数のショット領域が形成されている。所定の1つのショット領域には、基板Wの位置計測用のマークとして登録されうるパターンを有する計測領域RAが形成されている。また、所定の他の1つのショット領域には、基板Wの位置計測用のマークとして登録されうるパターンを有する計測領域RBが形成されている。基板Wの外周部の一部には、メカプリアライメントにおいて使用されるノッチNが形成されている。なお、ノッチNのかわりに、オリエンテーションフラットが形成されていてもよい。 FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an exposure apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a diagram showing the layout of a substrate W processed by the exposure apparatus of FIG. 1. In FIG. 2, a plurality of shot areas arranged in a matrix are formed on the substrate W. In one predetermined shot area, a measurement area RA is formed having a pattern that can be registered as a mark for measuring the position of the substrate W. In another predetermined shot area, a measurement area RB is formed having a pattern that can be registered as a mark for measuring the position of the substrate W. A notch N used in mechanical pre-alignment is formed in a part of the outer periphery of the substrate W. Note that an orientation flat may be formed instead of the notch N.
図1において、レチクルステージRSは、原版(マスク)であるレチクルRを保持して移動するステージである。照明光学系Iは、レチクルステージRSによって保持されたレチクルRを照明する。レチクルRには、基板Wに転写すべきパターン(例えば回路パターン)が描画されている。投影光学系Pは、レチクルRのパターンを基板Wに投影する。 In FIG. 1, the reticle stage RS is a stage that holds and moves the reticle R, which is an original (mask). The illumination optical system I illuminates the reticle R held by the reticle stage RS. A pattern (e.g., a circuit pattern) to be transferred to a substrate W is drawn on the reticle R. The projection optical system P projects the pattern of the reticle R onto the substrate W.
基板搬送部WFは、装置に対して基板Wの搬入および搬出を行う。メカプリアライメントユニットMAは、基板WのノッチNを検出して基板Wの位置および回転角の少なくとも一方を調整するプリアライメントを行う。基板ステージSTGは、基板Wを保持して移動する保持部である。基板ステージSTGの上には、基板Wを保持するチャックCHが設置されている。アライメントスコープASは、ハーフミラーMと撮像部Cとを含みうる。照明部LIからの光は、ハーフミラーMで反射されて基板Wを照明する。基板Wで反射された光は、ハーフミラーMを介して撮像部Cに入射する。撮像部Cは、入射した光を撮像素子で捉えて画像信号を生成する。画像信号は処理部IPに転送される。 The substrate transport unit WF loads and unloads the substrate W into and from the device. The mechanical pre-alignment unit MA detects the notch N of the substrate W and performs pre-alignment to adjust at least one of the position and rotation angle of the substrate W. The substrate stage STG is a holder that holds and moves the substrate W. A chuck CH that holds the substrate W is installed on the substrate stage STG. The alignment scope AS may include a half mirror M and an imaging unit C. Light from the illumination unit LI is reflected by the half mirror M to illuminate the substrate W. The light reflected by the substrate W is incident on the imaging unit C via the half mirror M. The imaging unit C captures the incident light with an imaging element to generate an image signal. The image signal is transferred to the processing unit IP.
処理部IPは、アライメントスコープASにより取得された画像に基づき、例えばテンプレートマッチング技術を用いてマーク位置計測を行う。処理部IPは、不図示のCPUおよびメモリMEM1を含むコンピュータ装置でありうる。制御部MCは、露光処理に関して各部を統括的に制御する。例えば、制御部MCは、処理部IPからの位置計測上方に基づいて、基板ステージSTGを駆動し、基板Wの位置合わせを行い、レチクルRのパターンを投影光学系Pを介して基板Wを露光する露光処理を実行する。制御部MCは、不図示のCPUおよびメモリMEM2を含むコンピュータ装置でありうる。なお、処理部IPと制御部MCとは別々の装置として構成されていてもよいし、処理部IPの機能と制御部MCの機能とが1つのコンピュータ装置によって実現されていてもよい。 The processing unit IP performs mark position measurement, for example, using template matching technology, based on the image acquired by the alignment scope AS. The processing unit IP may be a computer device including a CPU and memory MEM1 (not shown). The control unit MC performs overall control of each unit regarding the exposure process. For example, based on the position measurement from the processing unit IP, the control unit MC drives the substrate stage STG, aligns the substrate W, and executes exposure processing in which the pattern of the reticle R is exposed onto the substrate W via the projection optical system P. The control unit MC may be a computer device including a CPU and memory MEM2 (not shown). Note that the processing unit IP and the control unit MC may be configured as separate devices, or the functions of the processing unit IP and the control unit MC may be realized by a single computer device.
図3~図5のフローチャートを参照して、実施形態におけるマーク登録処理について説明する。S31では、基板Wが基板搬送部WFによって露光装置内に搬入され、メカプリアライメントユニットMAの上に置かれる。メカプリアライメントユニットMAは、基板WのノッチNを検出することによって基板Wの位置または回転角を調整するメカプリアライメントを行う。S32では、基板搬送部WFによって基板Wが基板ステージSTGのチャックCHの上に載置される。チャックCHは、載置された基板Wを例えば真空吸引によって保持する。 The mark registration process in this embodiment will be described with reference to the flowcharts of Figures 3 to 5. In S31, the substrate W is carried into the exposure apparatus by the substrate transport unit WF and placed on the mechanical pre-alignment unit MA. The mechanical pre-alignment unit MA performs mechanical pre-alignment, which adjusts the position or rotation angle of the substrate W by detecting the notch N of the substrate W. In S32, the substrate W is placed on the chuck CH of the substrate stage STG by the substrate transport unit WF. The chuck CH holds the placed substrate W, for example, by vacuum suction.
S33では、制御部MCは、基板ステージSTGを制御して基板Wの計測領域RAの中心座標をアライメントスコープASの視野中心に送り込む。 In S33, the controller MC controls the substrate stage STG to send the center coordinates of the measurement area RA of the substrate W to the center of the field of view of the alignment scope AS.
S34で、処理部IPは、マーク登録工程を実行する。図4に、S34におけるマーク登録工程の詳細フローチャートが示されている。S401で、制御部MCは、照明部LIを点灯させて基板Wを照明する。これにより、撮像部Cは基板の計測領域RAを撮像して画像(パターン画像)を得ることができる。具体的には、基板Wで反射された光は、アライメントスコープASに入射し、ハーフミラーMを介して撮像部Cへ到達する。撮像部Cは、入射した光を撮像素子で捉えてパターン画像の画像信号を生成する。画像信号は処理部IPに転送され、例えばメモリMEM1に記憶される。 In S34, the processing unit IP executes a mark registration process. FIG. 4 shows a detailed flowchart of the mark registration process in S34. In S401, the control unit MC turns on the illumination unit LI to illuminate the substrate W. This allows the imaging unit C to image the measurement area RA of the substrate to obtain an image (pattern image). Specifically, light reflected by the substrate W enters the alignment scope AS and reaches the imaging unit C via the half mirror M. The imaging unit C captures the incident light with an imaging element to generate an image signal of the pattern image. The image signal is transferred to the processing unit IP and stored, for example, in the memory MEM1.
S402で、処理部IPは、得られた画像のエントロピーに関する評価値を算出する工程(算出工程)を実行する。図5に、S402における算出工程の詳細フローチャートが示されている。S51で、処理部IPは、画像の領域分割を設定する。ここでは、例えば図6に示すように、画像が複数の領域(例えば4つの領域)に分割される。ただし、分割される領域の数は4つに限定されるものではない。 In S402, the processing unit IP executes a step of calculating an evaluation value related to the entropy of the obtained image (calculation step). FIG. 5 shows a detailed flowchart of the calculation step in S402. In S51, the processing unit IP sets region division of the image. Here, for example, as shown in FIG. 6, the image is divided into a plurality of regions (for example, four regions). However, the number of divided regions is not limited to four.
ここで、以降の工程で用いられる数式のセットを示す。ただし、領域iにおけるエントロピーをEi、領域内での輝度値kの発生確率をPkとする。 Here is a set of equations that will be used in the following steps: where E i is the entropy in region i, and P k is the probability of occurrence of intensity value k within the region.
S52で、処理部IPは、以下に示す式(1)および式(2)を用いて、各領域の画像のエントロピーの合計を示す全体エントロピーEsumを求める。ここでは、図6に示すように画像を4つの領域に分割しているから、iは1~4の値をとる。また、輝度値kは、8bit階調を想定して0~255の値をとるが、kの範囲はこれに限定されない。全体エントロピーEsumは画像全体の情報量を表し、Esumが大きいほど全体の情報量が多いことを示す。 In S52, the processing unit IP calculates the overall entropy E sum , which indicates the sum of the entropy of the image in each region, using the following formulas (1) and (2). Here, since the image is divided into four regions as shown in FIG. 6, i takes values from 1 to 4. Also, the brightness value k takes values from 0 to 255 assuming 8-bit gradation, but the range of k is not limited to this. The overall entropy E sum represents the amount of information in the entire image, and the larger E sum indicates the greater the overall amount of information.
S53では、処理部IPは、式(1)を用いて、領域ごとの画像エントロピーEiを求める。S54では、処理部IPは、式(3)、式(4)を用いて、各領域の画像のエントロピーの分散を示すエントロピー分散値Evarを求める。エントロピー分散値Evarは、画像に表されているパターンの分布の偏りを表し、エントロピー分散値Evarが小さいほどパターンが均等な(偏りがない)分布となっていることを示す。 In S53, the processing unit IP calculates the image entropy Ei for each region using formula (1). In S54, the processing unit IP calculates the entropy variance value Evar, which indicates the variance of the entropy of the image for each region, using formulas (3) and (4). The entropy variance value Evar indicates the bias of the distribution of the pattern shown in the image, and the smaller the entropy variance value Evar , the more even (less biased) the distribution of the pattern is.
S55およびS56では、処理部IPは、複数の領域のうち画像の中心に対して対称な位置にある領域の画像のエントロピーの差分を求める。例えば、S55では、処理部IPは、式(5)、式(6)、式(9)を用いて、上側領域(図6の領域1,2)と下側領域(図6の領域3,4)とのエントロピー差分値Ediff1を求める。エントロピー差分値Ediff1が小さいほど、上側領域と下側領域のパターンの対称性が高い。S56では、処理部IPは、式(7)、式(8)、式(10)を用いて、左側領域(図6の領域1,3)と右側領域(図6の領域2,4)とのエントロピー差分値Ediff2を求める。エントロピー差分値Ediff2が小さいほど、左側領域と右側領域のパターンの対称性が高い。
In S55 and S56, the processing unit IP obtains the difference in the entropy of the image of the region that is symmetrical with respect to the center of the image among the multiple regions. For example, in S55, the processing unit IP obtains the entropy difference value Ediff1 between the upper region (
S57では、処理部IPは、S52~S56で算出された、全体エントロピーEsum、エントロピー分散値Evar、エントロピー差分値Ediff1およびEdiff2を式(11)に適用することにより、エントロピー評価値Etotalを求める。評価式である式(11)の右辺第1項は、全体エントロピーEsumが高いほど評価値は高まることを表している。上記したように、全体エントロピーEsumは、パターン画像全体の情報量を表している。情報量が多いほど計測精度が高まる(マークの本数が多くなることと等価)ことから、全体エントロピーEsumが高いほど評価値は高まる。式(11)の右辺第2項は、エントロピー分散値Evarが小さいほど評価値が高まることを表している。エントロピー分散値Evarが小さいほど、パターンが均等な(偏りがない)分布となり、計測系の収差の影響が小さくなる。式(11)の右辺第3項および第4項はそれぞれ、エントロピー差分値Ediff1およびEdiff2が小さいほどパターンの対称性が高いことを示し、評価値が高まる。 In S57, the processing unit IP applies the total entropy E sum , the entropy variance value E var , and the entropy difference values E diff1 and E diff2 calculated in S52 to S56 to formula (11) to obtain an entropy evaluation value E total . The first term on the right side of formula (11), which is the evaluation formula, indicates that the higher the total entropy E sum , the higher the evaluation value. As described above, the total entropy E sum indicates the amount of information in the entire pattern image. Since the greater the amount of information, the higher the measurement accuracy (equivalent to the greater number of marks), the higher the total entropy E sum , the higher the evaluation value. The second term on the right side of formula (11) indicates that the smaller the entropy variance value E var, the higher the evaluation value. The smaller the entropy variance value E var , the more even (unbiased) the pattern distribution is, and the smaller the effect of the aberration of the measurement system is. The third and fourth terms on the right side of equation (11) indicate that the smaller the entropy difference values Ediff1 and Ediff2 , respectively, the higher the symmetry of the pattern, and the higher the evaluation value.
以上でS402におけるサブプロセスが完了する。 This completes the sub-process in S402.
図4に戻り、S403で、処理部IPは、S402で算出されたエントロピー評価値Etotalが所定の基準を満たすか否かを判定する。例えば、処理部IPは、S402で算出されたエントロピー評価値Etotalが所定の閾値以上であるかどうかを判定する。エントロピー評価値Etotalが閾値以上である場合、処理部IPは、S404に進み、S401で得られた画像の情報を基板の位置計測のための情報として登録する。「画像の情報」とは、画像そのものでもよいし、画像の特徴量であってもよい。また、画像の情報には、基板における当該画像の位置の情報が含まれていてもよい。ここでは、処理部IPは、S401で得られた画像を基板上の計測領域RAのマーク画像として登録する。登録された画像は、例えば制御部MCのメモリMEM2に記憶される。 Returning to FIG. 4, in S403, the processing unit IP judges whether the entropy evaluation value E total calculated in S402 satisfies a predetermined criterion. For example, the processing unit IP judges whether the entropy evaluation value E total calculated in S402 is equal to or greater than a predetermined threshold. If the entropy evaluation value E total is equal to or greater than the threshold, the processing unit IP proceeds to S404 and registers the image information obtained in S401 as information for measuring the position of the substrate. The "image information" may be the image itself or a feature amount of the image. The image information may also include information on the position of the image on the substrate. Here, the processing unit IP registers the image obtained in S401 as a mark image of the measurement area RA on the substrate. The registered image is stored, for example, in the memory MEM2 of the control unit MC.
図3に戻り、S35で、制御部MCは、基板ステージSTGを制御して基板Wの計測領域RBの中心座標をアライメントスコープASの視野中心に送り込む。その後、S36で、計測領域RBに対するマーク登録工程を実行する。このマーク登録工程は、上述したS34のマーク登録工程と同様の処理となるため、説明は省略する。 Returning to FIG. 3, in S35, the controller MC controls the substrate stage STG to send the central coordinates of the measurement region RB of the substrate W to the center of the field of view of the alignment scope AS. Then, in S36, a mark registration process is executed for the measurement region RB. This mark registration process is the same processing as the mark registration process in S34 described above, so a description thereof will be omitted.
次に、図4のS403において、エントロピー評価値Etotalが閾値以上でない(すなわち所定の基準を満たさない)と判定された場合について説明する。この場合、処理はS405に進む。S405で、処理部IPは、図6の領域1を、図7に示すように更に4つのサブ領域1-1,1-2,1-3,1-4に分割し、図5のフローチャートに従い各サブ領域の画像のエントロピーを算出し、領域1のエントロピー評価値を求める。なお、図7の例では各領域を更に4つのサブ領域に分割しているが、分割数はこれに限定されない。その後、S406、S407、S408で、処理部IPは、領域2,3,4についても同様にエントロピー評価値を求める。
Next, a case where it is determined in S403 of FIG. 4 that the entropy evaluation value E total is not equal to or greater than the threshold (i.e., does not satisfy a predetermined standard) will be described. In this case, the process proceeds to S405. In S405, the processing unit IP divides the
S409で、制御部MCは、S405~S408で求めたエントロピー評価値に基づいて基板ステージSTGの駆動量を決定する。例えば、制御部MCは、S405~S408で求めたエントロピー評価値が最大となる領域を選択する。図8には、図7に対応する画像の分割レイアウトが示されている。図8において、画像の横方向の画素数をXPIX、縦方向の画素数をYPIXとする。ここで一例として、図6の領域4のエントロピー評価値が最大となった場合を想定する。この場合、図8において、領域4の中心OFSが画像中心ORG(アライメントスコープAS(撮像部C)の視野中心)に送り込むための駆動量は、Δ(1/4)XPIX、Δ(1/4)YPIXとすることができる。
In S409, the control unit MC determines the drive amount of the substrate stage STG based on the entropy evaluation value calculated in S405 to S408. For example, the control unit MC selects the area in which the entropy evaluation value calculated in S405 to S408 is the maximum. FIG. 8 shows the division layout of the image corresponding to FIG. 7. In FIG. 8, the number of pixels in the horizontal direction of the image is XPIX, and the number of pixels in the vertical direction is YPIX. As an example, assume that the entropy evaluation value of
S410で、制御部MCは、S409で決定された駆動量、基板ステージSTGを駆動する。こうして、エントロピー評価値が最大となる領域の中心が撮像部Cの視野中心に位置するように基板ステージSTGの位置が調整される。 In S410, the control unit MC drives the substrate stage STG by the drive amount determined in S409. In this way, the position of the substrate stage STG is adjusted so that the center of the area with the maximum entropy evaluation value is located at the center of the field of view of the imaging unit C.
その後、処理はS401に戻り、再度同様の工程でマーク画像登録を行う。これによりエントロピー評価値を最大化する画像の領域を決定することができる。 Then, the process returns to S401, and the mark image is registered again using the same process. This makes it possible to determine the area of the image that maximizes the entropy evaluation value.
<第2実施形態>
上述の第1実施形態では、図3のマーク登録工程(S34、S36)の詳細フローを図4に示したが、図4の代替例を図10に示す。
Second Embodiment
In the above-described first embodiment, a detailed flow of the mark registration steps (S34, S36) in FIG. 3 is shown in FIG. 4, but an alternative example to FIG. 4 is shown in FIG.
図10のS1001、S1002、S1003、S1004はそれぞれ、図4のS401、S402、S403、S404と同様である。図10において、S1003でエントロピー評価値Etotalが閾値以上でないと判定された場合、処理はS1005に進む。S1005では、処理部IPは、エントロピー評価値Etotalを求める対象領域を、図9に示すように、オリジナルの画像の領域OARの部分領域MARに変更する。その後、処理はS1002に戻る。S1002では、処理部IPは、図5のフローに従い、部分領域MARにおける領域1~4についてエントロピー評価値を求める。その後、S403で、このエントロピー評価値が閾値以上となれば、S404で、部分領域MARの画像がマーク画像として登録される。登録された画像は、例えば制御部MCのメモリMEM2に記憶される。
S1001, S1002, S1003, and S1004 in FIG. 10 are the same as S401, S402, S403, and S404 in FIG. 4, respectively. In FIG. 10, if it is determined in S1003 that the entropy evaluation value E total is not equal to or greater than the threshold, the process proceeds to S1005. In S1005, the processing unit IP changes the target area for which the entropy evaluation value E total is to be calculated to the partial area MAR of the area OAR of the original image, as shown in FIG. 9. Then, the process returns to S1002. In S1002, the processing unit IP calculates the entropy evaluation value for
<第3実施形態>
図11には、レチクルR内の、基板に露光されるべき回路パターン等のパターンが形成されたデザイン領域が示されている。ここで、レチクルRのデザイン領域のX方向の寸法をRXNM、Y方向の寸法をRYNMとし、撮像部Cによって撮像される画像のX方向の寸法をXNM、YNMとする。処理部IPは、レチクルRのデザイン領域を、それぞれが画像の寸法XNM、YNMと同じあるいはそれより小さい、複数の領域に分割し、それぞれの分割領域においてエントロピー評価値を算出する。その後、処理部IPは、算出された各領域のエントロピー評価値に基づいて、デザイン領域における、マークとして登録されうるパターンを形成する位置を求める。例えば、処理部IPは、各分割領域について、エントロピー評価値が閾値以上であるか否かを判定する。エントロピー評価値が閾値以上である場合、その分割領域は、レチクルRのデザイン領域のうち計測に適した領域であり、マークとして登録されうるパターンの形成に適した領域であると判断される。
Third Embodiment
11 shows a design area in the reticle R where a pattern such as a circuit pattern to be exposed on a substrate is formed. Here, the dimension in the X direction of the design area of the reticle R is RXNM, the dimension in the Y direction is RYNM, and the dimensions in the X direction of the image captured by the imaging unit C are XNM and YNM. The processing unit IP divides the design area of the reticle R into a plurality of areas each of which is equal to or smaller than the dimensions XNM and YNM of the image, and calculates an entropy evaluation value for each divided area. Then, based on the calculated entropy evaluation value for each area, the processing unit IP determines a position in the design area where a pattern that can be registered as a mark is to be formed. For example, the processing unit IP determines whether the entropy evaluation value for each divided area is equal to or greater than a threshold value. If the entropy evaluation value is equal to or greater than the threshold value, the divided area is determined to be an area of the design area of the reticle R suitable for measurement and suitable for forming a pattern that can be registered as a mark.
これにより、レチクルRのデザイン領域上の計測に適した位置(マークとして登録されうるパターンを形成するのに適した位置)を予め求めることができる。 This makes it possible to determine in advance a position suitable for measurement on the design area of reticle R (a position suitable for forming a pattern that can be registered as a mark).
<物品製造方法の実施形態>
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、上記のリソグラフィ装置(露光装置やインプリント装置、描画装置など)を用いて基板に原版のパターンを転写する工程と、かかる工程でパターンが転写された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of an article manufacturing method>
The article manufacturing method according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as microdevices such as semiconductor devices and elements having fine structures. The article manufacturing method according to the present embodiment includes a step of transferring a pattern of an original to a substrate using the above-mentioned lithography apparatus (exposure apparatus, imprint apparatus, drawing apparatus, etc.) and a step of processing the substrate to which the pattern has been transferred in the above step. Furthermore, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article compared to conventional methods.
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are appended to disclose the scope of the invention.
W:基板、R:レチクル、MA:メカプリアライメントユニット、STG:基板ステージ、CH:チャック、AS:アライメントスコープ、IP:処理部、MC:制御部 W: substrate, R: reticle, MA: mechanical pre-alignment unit, STG: substrate stage, CH: chuck, AS: alignment scope, IP: processing unit, MC: control unit
Claims (14)
基板の計測領域を撮像部により撮像して画像を得る取得工程と、
前記得られた画像のエントロピーに関する評価値を算出する算出工程と、
前記算出された評価値が所定の基準を満たす場合に、前記画像の情報を基板の位置計測のための情報として登録する登録工程と、
を有し、
前記算出工程は、
前記画像を分割して得た複数の領域それぞれにおける画像のエントロピーを算出する工程と、
前記算出された各領域の画像のエントロピーに基づいて前記評価値を算出する工程と、
を含む、ことを特徴とする制御方法。 1. A method for controlling a lithographic apparatus, comprising the steps of:
an acquisition step of acquiring an image by capturing an image of a measurement region of the substrate using an imaging unit;
a calculation step of calculating an evaluation value related to the entropy of the obtained image;
a registration step of registering information of the image as information for substrate position measurement when the calculated evaluation value satisfies a predetermined criterion;
having
The calculation step includes:
Calculating the entropy of the image in each of a plurality of regions obtained by dividing the image;
calculating the evaluation value based on the calculated entropy of the image of each region;
A control method comprising:
基板の計測領域を撮像部により撮像して画像を得る取得工程と、
前記得られた画像のエントロピーに関する評価値を算出する算出工程と、
前記算出された評価値が所定の基準を満たす場合に、前記画像の情報を基板の位置計測のための情報として登録する登録工程と、
を有し、
前記評価値は、前記画像に表されているパターンの分布の偏りおよび前記パターンの対称性の少なくともいずれかを評価するための値であり、
前記算出工程は、
前記画像を分割して得た複数の領域それぞれにおける画像のエントロピーを算出する工程と、
前記算出された各領域の画像のエントロピーに基づいて前記評価値を算出する工程と、
を含む、ことを特徴とする制御方法。 1. A method for controlling a lithographic apparatus, comprising the steps of:
an acquisition step of acquiring an image by capturing an image of a measurement region of the substrate using an imaging unit;
a calculation step of calculating an evaluation value related to the entropy of the obtained image;
a registration step of registering information of the image as information for substrate position measurement when the calculated evaluation value satisfies a predetermined criterion;
having
the evaluation value is a value for evaluating at least one of a bias in distribution of a pattern represented in the image and a symmetry of the pattern,
The calculation step includes:
Calculating the entropy of the image in each of a plurality of regions obtained by dividing the image;
calculating the evaluation value based on the calculated entropy of the image of each region;
A control method comprising :
前記情報量を表す値である、前記算出された各領域の画像のエントロピーの合計を示す全体エントロピーを含む項と、
前記偏りを表す値である、前記算出された各領域の画像のエントロピーの分散を示すエントロピー分散値を含む項と、
前記対称性を表す値である、前記画像の中心に対して対称な位置にある領域の画像のエントロピーの差分を含む項と、
を含む評価式を用いて算出される、ことを特徴とする請求項3に記載の制御方法。 The evaluation value is
A term including a total entropy indicating the sum of the entropies of the images of the calculated regions, which is a value representing the amount of information;
a term including an entropy variance value indicating the variance of the entropy of the image of each of the calculated regions, the entropy variance value being a value representing the bias;
A term including a difference in entropy of an image in a region located symmetrically with respect to the center of the image, the difference being a value representing the symmetry;
The control method according to claim 3 , characterized in that the calculation is performed using an evaluation formula including:
前記算出された各サブ領域のエントロピーに基づいて前記複数の領域それぞれのエントロピーに関する評価値を算出する工程と、
前記複数の領域のうち前記評価値が最大となる領域の中心が前記撮像部の視野中心に位置するように前記基板を保持するステージの位置を調整する工程と、
を更に有することを特徴とする請求項1、2乃至7のいずれか1項に記載の制御方法。 a step of calculating an entropy of an image in each of a plurality of sub-regions obtained by further dividing each of the plurality of regions when the calculated evaluation value does not satisfy the predetermined criterion;
calculating an evaluation value for the entropy of each of the plurality of regions based on the calculated entropy of each of the subregions;
adjusting a position of a stage that holds the substrate so that a center of the region among the plurality of regions in which the evaluation value is maximum is located at a center of a field of view of the imaging unit;
8. The method according to claim 1, further comprising :
前記部分領域に対して前記算出工程および前記登録工程が再び実行される、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の制御方法。 If the calculated evaluation value does not satisfy the predetermined criterion, the method further includes a step of changing a target region for obtaining the evaluation value in the calculation step to a partial region of the image,
The control method according to claim 1 , wherein the calculation step and the registration step are executed again for the partial region.
前記算出された各領域の評価値に基づいて、前記デザイン領域における、マークとして登録されうるパターンを形成する位置を求める工程と、
を有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の制御方法。 Dividing a design area of the reticle into a plurality of areas, each of which is equal to or smaller than the image, and calculating an evaluation value relating to the entropy of the image in each of the plurality of divided areas;
determining a position in the design area where a pattern that can be registered as a mark is to be formed based on the calculated evaluation value of each area;
11. The method according to claim 1, further comprising:
前記保持部によって保持された前記基板の計測領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部により得られた画像を処理する処理部と、を有し、
前記処理部は、前記画像のエントロピーに関する評価値を算出し、前記算出された評価値が所定の基準を満たす場合に、前記画像の情報を基板の位置計測のための情報として登録するように構成され、
前記処理部は、
前記画像を分割して得た複数の領域それぞれにおける画像のエントロピーを算出し、
前記算出された各領域の画像のエントロピーに基づいて前記評価値を算出する、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。 A holder for holding the substrate;
an imaging unit that images a measurement region of the substrate held by the holding unit;
A processing unit that processes an image obtained by the imaging unit,
the processing unit is configured to calculate an evaluation value relating to an entropy of the image, and, when the calculated evaluation value satisfies a predetermined criterion, register information of the image as information for substrate position measurement;
The processing unit includes:
Calculating the entropy of an image in each of a plurality of regions obtained by dividing the image;
calculating the evaluation value based on the calculated entropy of the image of each region;
13. A lithography apparatus comprising:
前記保持部によって保持された前記基板の計測領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部により得られた画像を処理する処理部と、を有し、
前記処理部は、前記画像のエントロピーに関する評価値を算出し、前記算出された評価値が所定の基準を満たす場合に、前記画像の情報を基板の位置計測のための情報として登録するように構成され、
前記評価値は、前記画像に表されているパターンの分布の偏りおよび前記パターンの対称性の少なくともいずれかを評価するための値であり、
処理部は、
前記画像を分割して得た複数の領域それぞれにおける画像のエントロピーを算出し、
前記算出された各領域の画像のエントロピーに基づいて前記評価値を算出する、ように構成される、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。 A holder for holding the substrate;
an imaging unit that images a measurement region of the substrate held by the holding unit;
A processing unit that processes an image obtained by the imaging unit,
the processing unit is configured to calculate an evaluation value relating to an entropy of the image, and, when the calculated evaluation value satisfies a predetermined criterion, register information of the image as information for substrate position measurement;
the evaluation value is a value for evaluating at least one of a bias in distribution of a pattern represented in the image and a symmetry of the pattern,
The processing unit includes:
Calculating the entropy of an image in each of a plurality of regions obtained by dividing the image;
The evaluation value is calculated based on the calculated entropy of the image of each region.
13. A lithography apparatus comprising:
前記パターンが形成された前記基板の加工を行う工程と、
を有し、前記加工が行われた前記基板から物品を製造する、ことを特徴とする物品製造方法。 forming a pattern on a substrate using a lithographic apparatus according to claim 1 ,
processing the substrate on which the pattern is formed;
and manufacturing an article from the substrate on which the processing has been performed.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001266142A (en) | 2000-01-13 | 2001-09-28 | Nikon Corp | Data classification method and data classification device, signal processing method and signal processing device, position detection method and position detection device, image processing method and image processing device, exposure method and exposure device, and device manufacturing method |
JP2002313710A (en) | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Canon Inc | Method and instrument for measuring position of mark and semiconductor manufacturing device |
WO2014157262A1 (en) | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 株式会社ニコン | Mark forming method, mark detecting method, and device manufacturing method |
JP2015138806A (en) | 2014-01-20 | 2015-07-30 | キヤノン株式会社 | Detection device, detection method, and lithography apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032521A (en) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nikon Corp | Mark identifying device |
JP4290172B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | Transfer characteristic calculating apparatus, transfer characteristic calculating method, and exposure apparatus |
EP2020679A4 (en) * | 2006-05-25 | 2011-04-13 | Nikon Corp | Illuminating optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4307482B2 (en) * | 2006-12-19 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | Position measuring apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101633758B1 (en) * | 2011-11-29 | 2016-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Apparatus and method for providing data to a programmable patterning device, a lithography apparatus and a device manufacturing method |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001266142A (en) | 2000-01-13 | 2001-09-28 | Nikon Corp | Data classification method and data classification device, signal processing method and signal processing device, position detection method and position detection device, image processing method and image processing device, exposure method and exposure device, and device manufacturing method |
JP2002313710A (en) | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Canon Inc | Method and instrument for measuring position of mark and semiconductor manufacturing device |
WO2014157262A1 (en) | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 株式会社ニコン | Mark forming method, mark detecting method, and device manufacturing method |
JP2015138806A (en) | 2014-01-20 | 2015-07-30 | キヤノン株式会社 | Detection device, detection method, and lithography apparatus |
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