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JP7594205B2 - Light-emitting device - Google Patents

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JP7594205B2
JP7594205B2 JP2023080895A JP2023080895A JP7594205B2 JP 7594205 B2 JP7594205 B2 JP 7594205B2 JP 2023080895 A JP2023080895 A JP 2023080895A JP 2023080895 A JP2023080895 A JP 2023080895A JP 7594205 B2 JP7594205 B2 JP 7594205B2
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Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device.

特許文献1には、ブロック部と、ブロック部が上面上に設けられたアイレット部とを含むステムと、ブロック部に搭載された半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を覆うようにアイレット部の上面上に固定されたキャップと、アイレット部に保持されたリードと、を備える半導体レーザ装置が記載されている。アイレット部の下面は、半導体レーザ素子からの熱を放熱するための放熱器と熱接触している。また、リードは、アイレット部の下面に固定されていてもよいし、側面に固定されていてもよい旨も記載されている。 Patent Document 1 describes a semiconductor laser device that includes a stem including a block portion and an eyelet portion on the upper surface of which the block portion is provided, a semiconductor laser element mounted on the block portion, a cap fixed on the upper surface of the eyelet portion so as to cover the semiconductor laser element, and a lead held in the eyelet portion. The lower surface of the eyelet portion is in thermal contact with a heat sink for dissipating heat from the semiconductor laser element. It also describes that the lead may be fixed to the lower surface of the eyelet portion or to the side surface.

特開2011-18800号公報JP 2011-18800 A

特許文献1では、ステムにリードを固定しているため、リード固定部である貫通孔によって半導体レーザ素子の発熱を放熱器に運搬する経路が制限される。また、気密性を高めるためには、ステムの材料として、リード及びリード固定用の封止材と熱膨張係数が近いものを選択する必要がある。ステムの材料としてリード等と熱膨張係数が大きく離れた材料を用いると、半導体レーザ装置を駆動した際の温度変化により、ステムとリード等との界面に隙間が生じて半導体レーザ装置の気密性が低下しやすい。 In Patent Document 1, because the leads are fixed to the stem, the through-hole that is the lead fixing portion limits the path for transporting heat generated by the semiconductor laser element to the heat sink. Furthermore, in order to improve airtightness, it is necessary to select a stem material with a thermal expansion coefficient close to that of the leads and the sealing material used to fix the leads. If a stem material has a thermal expansion coefficient significantly different from that of the leads, etc., gaps will occur at the interface between the stem and the leads, etc., due to temperature changes when the semiconductor laser device is operated, which will likely reduce the airtightness of the semiconductor laser device.

本願は、以下の発明を含む。
主面から上方に突出した載置部を有する基体と、
前記載置部を囲むように前記基体の前記主面に接合された環状の端子保持部材と、
前記端子保持部材の上面に接合され、前記基体及び前記端子保持部材と共に封止空間を構成するキャップと、
前記載置部の側面に設けられた半導体レーザ素子と、
前記端子保持部材を貫通したリード端子と、
を備える発光装置。
This application includes the following inventions.
a base having a mounting portion protruding upward from a main surface;
a terminal holding member having an annular shape and joined to the main surface of the base so as to surround the mounting portion;
a cap joined to an upper surface of the terminal holding member and constituting a sealed space together with the base and the terminal holding member;
a semiconductor laser element provided on a side surface of the mounting portion;
a lead terminal passing through the terminal holding member;
A light emitting device comprising:

放熱特性が高く、気密性能の高い、高信頼性の発光装置を提供することができる。 It is possible to provide a highly reliable light-emitting device with excellent heat dissipation characteristics and airtight performance.

実施形態1に係る発光装置の模式的な斜視図である。1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to a first embodiment. 実施形態1に係る発光装置の模式的な上面図である。1 is a schematic top view of a light emitting device according to a first embodiment. 実施形態1に係る発光装置の模式的な側面図である。1 is a schematic side view of a light emitting device according to a first embodiment. 図2のA-A線における模式的な断面図である。3 is a schematic cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2. 実施形態1に係る発光装置のキャップ接合前の状態を示す模式的な斜視図である。2 is a schematic perspective view showing a state before a cap is bonded to the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 実施形態1に係る発光装置のキャップ接合前の状態を示す模式的な側面図である。3 is a schematic side view showing a state before a cap is bonded to the light emitting device according to the first embodiment. FIG. 放熱プレート及び通電部材の模式的な斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view of a heat dissipation plate and a current-carrying member. 複数の発光装置を実装する場合の一例を示す模式的な斜視図である。FIG. 11 is a schematic perspective view showing an example in which a plurality of light emitting devices are mounted. 実施形態2に係る発光装置の模式的な上面図である。FIG. 11 is a schematic top view of a light emitting device according to a second embodiment. 実施形態2に係る発光装置の模式的な側面図である。FIG. 11 is a schematic side view of a light emitting device according to a second embodiment. 他の実施形態に係る発光装置の模式的な斜視図である。FIG. 11 is a schematic perspective view of a light emitting device according to another embodiment. 他の実施形態に係る発光装置の模式的な上面図である。FIG. 13 is a schematic top view of a light emitting device according to another embodiment. 他の実施形態に係る発光装置のキャップ接合前の状態を示す模式的な斜視図である。FIG. 11 is a schematic perspective view showing a state before a cap is bonded to a light emitting device according to another embodiment. 他の実施形態に係る発光措置のキャップ接合前の状態を示す模式的な上面図である。FIG. 13 is a schematic top view showing a state before the cap is bonded to a light emitting device according to another embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための方法を例示するものであって、本発明を以下の実施形態に特定するものではない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。 The following describes an embodiment of the present invention with reference to the drawings. However, the embodiment described below is merely an example of a method for realizing the technical concept of the present invention, and does not limit the present invention to the following embodiment. Furthermore, in the following description, the same names and symbols indicate the same or similar components, and detailed descriptions will be omitted as appropriate.

<実施形態1>
図1は、実施形態1に係る発光装置100の模式的な斜視図である。図2は、発光装置100の模式的な上面図であり、図3は、発光装置100のリード端子13A、13Bが突出した側からみた模式的な側面図である。図4は、図2のA-A線における模式的な断面図である。図5は、発光装置100のキャップ12接合前の状態を示す模式的な斜視図であり、図6は、同様の状態を示す模式的な側面図である。
<Embodiment 1>
Fig. 1 is a schematic perspective view of a light emitting device 100 according to the first embodiment. Fig. 2 is a schematic top view of the light emitting device 100, and Fig. 3 is a schematic side view of the light emitting device 100 as viewed from the side from which the lead terminals 13A and 13B of the light emitting device 100 protrude. Fig. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A in Fig. 2. Fig. 5 is a schematic perspective view showing the state of the light emitting device 100 before the cap 12 is bonded, and Fig. 6 is a schematic side view showing the same state.

図1~図6に示すように、発光装置100は、基体10と、端子保持部材11と、キャップ12と、リード端子13A、13Bと、半導体レーザ素子14と、を有する。基体10は、主面から上方に突出した載置部10aを有する。環状の端子保持部材11は、載置部10aを囲むように基体10の主面に接合されている。キャップ12は、端子保持部材11の上面に接合され、基体10及び端子保持部材11と共に封止空間17を構成する。
半導体レーザ素子14は、載置部10aの側面に設けられている。リード端子13A、13Bは、端子保持部材11を貫通している。
1 to 6, the light emitting device 100 has a base 10, a terminal holding member 11, a cap 12, lead terminals 13A and 13B, and a semiconductor laser element 14. The base 10 has a mounting portion 10a that protrudes upward from its main surface. The annular terminal holding member 11 is bonded to the main surface of the base 10 so as to surround the mounting portion 10a. The cap 12 is bonded to the upper surface of the terminal holding member 11, and forms a sealed space 17 together with the base 10 and the terminal holding member 11.
The semiconductor laser element 14 is provided on a side surface of the mounting portion 10a. The lead terminals 13A and 13B pass through the terminal holding member 11.

発光装置100は、基体10に接合された端子保持部材11によってリード端子13A、13Bが保持されている。詳細には、端子保持部材11の側面にリード端子13A、13Bの外径よりも大きな貫通孔が設けられ、貫通孔を通るようにリード端子13A、13Bが配置され、貫通孔とリード端子との間には絶縁材15が設けられている。端子保持部材11は典型的には導電材料である金属からなるので、端子保持部材11とリード端子13A、13Bとの間を絶縁材15で埋めることにより、リード端子13A、13Bの短絡を防ぐとともに、十分な気密性を確保している。 In the light emitting device 100, the lead terminals 13A and 13B are held by a terminal holding member 11 joined to the base 10. In detail, through holes larger than the outer diameter of the lead terminals 13A and 13B are provided on the side of the terminal holding member 11, the lead terminals 13A and 13B are arranged so as to pass through the through holes, and an insulating material 15 is provided between the through holes and the lead terminals. Since the terminal holding member 11 is typically made of a metal, which is a conductive material, filling the gap between the terminal holding member 11 and the lead terminals 13A and 13B with the insulating material 15 prevents short circuits of the lead terminals 13A and 13B and ensures sufficient airtightness.

このように、発光装置100では、基体10とは別に、リード端子13A、13Bを側方から突出させるための端子保持部材11を設けている。これにより、基体10の下面の全体を放熱器等に接続することができるため、基体10の下面からより効率的に放熱することができる。また、基体10に貫通孔を設ける場合であれば半導体レーザ素子14からの熱は放熱器等に到達するために貫通孔を迂回する必要があるが、基体10にはこのような貫通孔がないため、効率良く放熱することが可能である。さらに、キャップ12を基体10ではなく端子保持部材11に接合することから、基体10の材料として熱伝導の高いものを採用することができ、放熱性を向上させることができる。これは以下の理由による。 In this way, in the light emitting device 100, a terminal holding member 11 is provided in addition to the base 10 to allow the lead terminals 13A and 13B to protrude from the sides. This allows the entire bottom surface of the base 10 to be connected to a heat sink or the like, allowing heat to be dissipated more efficiently from the bottom surface of the base 10. Furthermore, if a through hole is provided in the base 10, the heat from the semiconductor laser element 14 needs to bypass the through hole to reach the heat sink or the like, but since the base 10 does not have such a through hole, it is possible to dissipate heat efficiently. Furthermore, since the cap 12 is bonded to the terminal holding member 11 instead of the base 10, a material with high thermal conductivity can be used as the material for the base 10, improving heat dissipation. This is for the following reasons.

まず、キャップ12の接合は半導体レーザ素子14を実装した後に行うため、低温で行うことができる接合方法として典型的には抵抗溶接が用いられている。このため、キャップ12の材料は抵抗溶接に適したものが選択されている。そして、抵抗溶接では接合面積が小さく、線膨張係数が離れた部材同士の接合では剥離により気密性が低下する虞があるため、キャップ12を接合する部材は線膨張係数がキャップ12と近いことが適している。もしキャップ12を基体10に接合するのであれば、基体10の材料はキャップ12と線膨張係数が近いものから選択することとなるが、これでは放熱性の良好なものを用いることが困難である。そこで、発光装置100では、キャップ12を端子保持部材11に接合する。これにより、キャップ12と線膨張係数が近い材料を用いるのは端子保持部材11であればよく、基体10には線膨張係数に関わらず熱伝導性の高い材料を用いることができる。なお、基体10と端子保持部材11の接合は半導体レーザ素子14の実装前に行うことができるため、金属接着剤により接合する等、接合面積の大きな接合方法を採用することができる。このため、端子保持部材11と基体10の線膨張係数差が比較的大きくても、気密性が低下するほどには剥離しにくい。したがって、基体10の材料として線膨張係数に関わらず熱伝導性の高いものを選択することができる。また、リード端子13A、13Bを保持する部材はリード端子13A、13Bや絶縁材15と線膨張係数を近づける必要があるが、発光装置100ではこの部材も端子保持部材11である。したがって、この点からも、基体10の材料として線膨張係数に関わらず熱伝導性の高いものを選択することができる。 First, the cap 12 is joined after the semiconductor laser element 14 is mounted, so resistance welding is typically used as a joining method that can be performed at low temperatures. For this reason, a material suitable for resistance welding is selected for the cap 12. In addition, since the joining area is small in resistance welding and there is a risk of delamination resulting in a decrease in airtightness when joining members with different linear expansion coefficients, it is suitable for the member to be joined to the cap 12 to have a linear expansion coefficient close to that of the cap 12. If the cap 12 is joined to the base 10, the material of the base 10 must be selected from those with a linear expansion coefficient close to that of the cap 12, but this makes it difficult to use a material with good heat dissipation. Therefore, in the light-emitting device 100, the cap 12 is joined to the terminal holding member 11. As a result, it is sufficient for the terminal holding member 11 to use a material with a linear expansion coefficient close to that of the cap 12, and a material with high thermal conductivity can be used for the base 10 regardless of the linear expansion coefficient. In addition, since the base 10 and the terminal holding member 11 can be bonded before mounting the semiconductor laser element 14, a bonding method with a large bonding area, such as bonding with a metal adhesive, can be used. Therefore, even if the difference in linear expansion coefficient between the terminal holding member 11 and the base 10 is relatively large, they are unlikely to peel off to the extent that their airtightness is reduced. Therefore, a material with high thermal conductivity can be selected for the base 10 regardless of the linear expansion coefficient. In addition, the material that holds the lead terminals 13A and 13B needs to have a linear expansion coefficient close to that of the lead terminals 13A and 13B and the insulating material 15, but in the light emitting device 100, this material is also the terminal holding member 11. Therefore, from this point of view, a material with high thermal conductivity can be selected for the base 10 regardless of the linear expansion coefficient.

基体10は、熱伝導率の高い材料からなることが望ましい。これにより半導体レーザ素子の発熱を効率良く排熱することができる。基体10の好ましい材料としては、具体的には、銅又は銅合金が挙げられる。表面には金めっきが施されていてもよい。半導体レーザ素子14で発生した熱は、載置部10aを経由して、基体10の載置部10a側とは反対側の主面(下面)から外部へと放熱される。放熱のために、基体10の下面は、ヒートシンク付きの放熱プレート等の放熱器に取り付けることが好ましい。放熱器と基体10の下面とはグリス等によって接続することができる。図2に示すように、基体10の上面視における外縁は、略円形状とすることができる。基体10の外縁には窪みを設けてもよい。
窪みの上面視形状は、例えば略三角形状や略四角形状である。このような窪みは、例えば基体10の向きを揃えるためのガイドとして用いられる。
The base 10 is preferably made of a material with high thermal conductivity. This allows the heat generated by the semiconductor laser element to be efficiently removed. Specifically, the preferred material for the base 10 is copper or a copper alloy. The surface may be gold plated. The heat generated by the semiconductor laser element 14 is dissipated to the outside from the main surface (lower surface) of the base 10 opposite the mounting portion 10a via the mounting portion 10a. For heat dissipation, the lower surface of the base 10 is preferably attached to a heat sink such as a heat sink plate. The heat sink and the lower surface of the base 10 can be connected by grease or the like. As shown in FIG. 2, the outer edge of the base 10 in the top view can be made substantially circular. The outer edge of the base 10 may be provided with a recess.
The depression has a shape of, for example, a substantially triangular shape or a substantially rectangular shape in top view. Such a depression is used as a guide for aligning the orientation of the base body 10, for example.

また、半導体レーザ素子14が設けられる載置部10aの側面は、基体10の下面に対して略垂直であることが望ましい。これにより、半導体レーザ素子14が出射するレーザ光の光軸を、基体10の下面に対して略垂直とすることができる。また、載置部10aは、基体10の土台部と別体でもよいが、一体とすることが好ましい。載置部10aと土台部との間に隙間があると熱の運搬効率が落ちてしまうが、一体であればこれを回避することができる。例えば、銅合金の板をプレス成型することで、載置部10aを備える基体10を形成する。半導体レーザ素子14が設けられる側面は、平坦面であることが好ましい。なお、載置部と土台部を別材料で構成する場合、載置部10aは熱伝導率の高い材料からなることが望ましい。載置部10aの好ましい材料としては、具体的には、銅又は銅合金が挙げられる。その表面に金めっきを施してもよい。 In addition, it is preferable that the side surface of the mounting portion 10a on which the semiconductor laser element 14 is provided is approximately perpendicular to the lower surface of the base 10. This allows the optical axis of the laser light emitted by the semiconductor laser element 14 to be approximately perpendicular to the lower surface of the base 10. In addition, the mounting portion 10a may be separate from the base portion of the base 10, but it is preferable that they are integrated. If there is a gap between the mounting portion 10a and the base portion, the heat transport efficiency will decrease, but if they are integrated, this can be avoided. For example, the base 10 including the mounting portion 10a is formed by press-molding a copper alloy plate. It is preferable that the side surface on which the semiconductor laser element 14 is provided is a flat surface. Note that, when the mounting portion and the base portion are made of different materials, it is preferable that the mounting portion 10a is made of a material with high thermal conductivity. Specifically, a preferable material for the mounting portion 10a is copper or a copper alloy. The surface may be gold-plated.

基体10とリード端子13A、13Bとの熱膨張係数差よりも、端子保持部材11とリード端子13A、13Bとの熱膨張係数差の方が小さいことが好ましい。端子保持部材11の材料として、具体的には、鉄を含む合金が挙げられる。表面に金めっきが施されていてもよい。また、基体10を熱伝導性の良い材料で構成した場合、キャップ12との線膨張係数が離れることが考えられる。このため、端子保持部材は、キャップ12(保持部12b)と基体10の中間の線膨張係数であると尚良い。端子保持部材11は、例えば銀ロウ等の金属接着剤により基体10と接合される。典型的には、基体10と端子保持部材11との接合部の幅は、端子保持部材11とキャップ12との接合部の幅よりも大きい。端子保持部材11を基体10と十分に接合して気密性を確保するために、上面視において端子保持部材11の外縁は基体10の外縁よりも内側にあることが好ましい。また、端子保持部材11の上面にはキャップ12を接合するため、端子保持部材11の厚みは、キャップ12の厚みよりも大きいことが好ましい。例えば厚み0.25mmとする。 It is preferable that the difference in thermal expansion coefficient between the terminal holding member 11 and the lead terminals 13A and 13B is smaller than the difference in thermal expansion coefficient between the base 10 and the lead terminals 13A and 13B. Specific examples of the material of the terminal holding member 11 include an alloy containing iron. The surface may be gold plated. In addition, if the base 10 is made of a material with good thermal conductivity, it is considered that the linear expansion coefficient of the cap 12 will be different. For this reason, it is preferable that the terminal holding member has a linear expansion coefficient intermediate between the cap 12 (holding portion 12b) and the base 10. The terminal holding member 11 is joined to the base 10 by a metal adhesive such as silver solder. Typically, the width of the joint between the base 10 and the terminal holding member 11 is larger than the width of the joint between the terminal holding member 11 and the cap 12. In order to ensure airtightness by sufficiently joining the terminal holding member 11 to the base 10, it is preferable that the outer edge of the terminal holding member 11 is located inside the outer edge of the base 10 when viewed from above. In addition, since the cap 12 is bonded to the upper surface of the terminal holding member 11, it is preferable that the thickness of the terminal holding member 11 is greater than the thickness of the cap 12. For example, the thickness is 0.25 mm.

図2に示すように、上面視において、端子保持部材11の外縁は、基体10の外縁に近接した近接部11aと、基体10の外縁からの距離が近接部11aよりも大きい離間部11bと、を含むことが好ましい。離間部11bからはリード端子13A、13Bが突出している。このように配置することで、リード端子13A、13Bを基体10の上方に収めることができるので、複数の発光装置100を近接して配置しやすい。上面視において、離間部11bは直線状であることが好ましい。このようにほぼ平坦な面に対して略垂直に貫通した貫通孔を設けることで、円柱状の貫通孔が形成される。そして、円柱状の絶縁材15を用いてリード端子13A、13Bを組み付けることにより、リード端子13A、13Bを強固に固定することができる。リード端子13A、13Bを通す貫通孔のサイズは例えばφ1.2mmである。 As shown in FIG. 2, in a top view, the outer edge of the terminal holding member 11 preferably includes a close portion 11a close to the outer edge of the base 10 and a separated portion 11b that is farther from the outer edge of the base 10 than the close portion 11a. The lead terminals 13A and 13B protrude from the separated portion 11b. By arranging them in this manner, the lead terminals 13A and 13B can be stored above the base 10, making it easy to arrange multiple light emitting devices 100 in close proximity. In a top view, the separated portion 11b is preferably linear. By providing a through hole that penetrates almost perpendicularly to a nearly flat surface in this manner, a cylindrical through hole is formed. Then, the lead terminals 13A and 13B can be firmly fixed by assembling them using a cylindrical insulating material 15. The size of the through hole through which the lead terminals 13A and 13B pass is, for example, φ1.2 mm.

近接部11aの上面視形状は、基体10の上面視形状の一部とほぼ同じであることが好ましい。例えば図2に示すように、基体10の外縁が略円形状であれば、近接部11aは、基体10の外縁よりも小さい半径の同心円の円弧で構成されている。なお、基体10の外縁に窪みが設けられている場合は、窪みを無視した形状を基体10の外縁の形状として考えてよい。また、上面視における離間部11bの長さは、近接部11aの円弧の半径よりも長い程度とすることができる。 The shape of the adjacent portion 11a in top view is preferably approximately the same as a part of the shape of the base 10 in top view. For example, as shown in FIG. 2, if the outer edge of the base 10 is approximately circular, the adjacent portion 11a is composed of a concentric arc with a smaller radius than the outer edge of the base 10. If a depression is provided on the outer edge of the base 10, the shape of the outer edge of the base 10 ignoring the depression may be considered as the shape of the outer edge of the base 10. In addition, the length of the separated portion 11b in top view can be approximately longer than the radius of the arc of the adjacent portion 11a.

端子保持部材11は、例えば、あらかじめリード端子13A、13Bを絶縁材15にて固定させた状態で、銀ロウが塗布されている基体10に乗せ、加熱することによって接合する。通常、この後に半導体レーザ素子14等を実装する。このため、端子保持部材11の上端は、載置部10aの側方に実装される半導体レーザ素子14等の部材よりも低い位置にあることが好ましい。 The terminal holding member 11 is bonded by, for example, placing it on the base 10 coated with silver solder, with the lead terminals 13A and 13B fixed in place with the insulating material 15, and heating it. Usually, the semiconductor laser element 14 and other components are mounted after this. For this reason, it is preferable that the upper end of the terminal holding member 11 is located lower than the semiconductor laser element 14 and other components mounted on the side of the mounting portion 10a.

発光装置100は、少なくとも2本のリード端子13A、13Bを有する。例えば、リード端子13Aがアノード側の端子であり、リード端子13Bがカソード側の端子である。リード端子13A、13Bは、通電性の良い材料から構成される。具体的には、鉄とニッケルとコバールからなる合金や、鉄とニッケルからなる合金等が挙げられる。表面に金めっきが施されていてもよい。リード端子13A、13Bの形状は、例えば円柱状や円柱を屈曲させた形状である。リード端子13A、13Bの延伸方向に垂直な断面の直径は、例えば0.6mmである。 The light emitting device 100 has at least two lead terminals 13A and 13B. For example, the lead terminal 13A is an anode side terminal, and the lead terminal 13B is a cathode side terminal. The lead terminals 13A and 13B are made of a material with good electrical conductivity. Specific examples include an alloy of iron, nickel, and kovar, and an alloy of iron and nickel. The surface may be gold plated. The shape of the lead terminals 13A and 13B is, for example, cylindrical or bent cylindrical. The diameter of the cross section perpendicular to the extension direction of the lead terminals 13A and 13B is, for example, 0.6 mm.

図4に示すように、リード端子13A、13Bは、第1部分13Baと第2部分13Bbを含むように屈曲していることが好ましい。第1部分13Baは、基体10と端子保持部材11とキャップ12によって構成される封止空間17の内側において、載置部10aの側面に沿った方向に延伸し、半導体レーザ素子14と電気的に接続するためのワイヤ16が接合された部分である。第2部分13Bbは、基体10の主面に沿った方向に延伸して端子保持部材11を貫通し、封止空間17の外側に配置された部分である。このような第1部分13Baを有することにより、半導体レーザ素子14等のワイヤボンディング面とリード端子13A、13Bのワイヤボンディング面を同じ向きとすることができる。したがって、量産性に優れた発光装置100を得ることができる。 As shown in FIG. 4, the lead terminals 13A and 13B are preferably bent to include the first portion 13Ba and the second portion 13Bb. The first portion 13Ba is a portion that extends in a direction along the side surface of the mounting portion 10a inside the sealed space 17 formed by the base 10, the terminal holding member 11, and the cap 12, and is a portion to which the wire 16 for electrically connecting to the semiconductor laser element 14 is joined. The second portion 13Bb is a portion that extends in a direction along the main surface of the base 10, penetrates the terminal holding member 11, and is disposed outside the sealed space 17. By having such a first portion 13Ba, the wire bonding surface of the semiconductor laser element 14, etc. and the wire bonding surfaces of the lead terminals 13A and 13B can be oriented in the same direction. Therefore, a light emitting device 100 with excellent mass productivity can be obtained.

なお、載置部10aの側面に沿った方向に延伸する第1部分13Baは、典型的には載置部10aの側面に対して略平行になるように配置されている。また、基体10の主面に沿った方向に延伸する第2部分13Bbは、典型的には基体10の主面に対して略平行になるように配置されている。すなわち、リード端子13A、13Bは、典型的にはL字形状である。 The first portion 13Ba extending in a direction along the side surface of the mounting portion 10a is typically arranged so as to be approximately parallel to the side surface of the mounting portion 10a. The second portion 13Bb extending in a direction along the main surface of the base 10 is typically arranged so as to be approximately parallel to the main surface of the base 10. In other words, the lead terminals 13A and 13B are typically L-shaped.

また、上面視において、リード端子13A、13Bの封止空間17の外側に配置された一端は、基体10の外縁よりも内側に配置されていることが好ましい。すなわち、リード端子13A、13Bは基体10の上方に完全に収まっていることが好ましい。これにより、発光装置100の外縁を基体10の外縁と一致させることができるので、複数の発光装置100を近接させて配置することができる。基体10が半導体レーザ素子14と電気的に繋がっていなければ、複数の発光装置100を基体10が接触する程度に近づけて配置してもよい。 In addition, when viewed from above, it is preferable that one end of the lead terminals 13A and 13B that is located outside the sealed space 17 is located inside the outer edge of the base 10. In other words, it is preferable that the lead terminals 13A and 13B are completely contained above the base 10. This allows the outer edge of the light emitting device 100 to be aligned with the outer edge of the base 10, so that multiple light emitting devices 100 can be arranged in close proximity. If the base 10 is not electrically connected to the semiconductor laser element 14, multiple light emitting devices 100 may be arranged close enough that the bases 10 are in contact.

端子保持部材11の貫通孔内には絶縁材15が充填されており、これによってリード端子13A、13Bが固定される。絶縁材15は例えばガラス材料からなる。気密封止するためには、絶縁材15は、端子保持部材11及びリード端子13A、13Bと熱膨張係数が近い材料が好ましく、例えばホウケイ酸ガラスが挙げられる。絶縁材15を端子保持部材11に圧接することにより、気密性を確保することができる。 The through holes of the terminal holding member 11 are filled with insulating material 15, which fixes the lead terminals 13A and 13B. The insulating material 15 is made of, for example, a glass material. To achieve airtight sealing, the insulating material 15 is preferably made of a material with a thermal expansion coefficient close to that of the terminal holding member 11 and the lead terminals 13A and 13B, such as borosilicate glass. Airtightness can be ensured by pressing the insulating material 15 against the terminal holding member 11.

キャップ12は端子保持部材11の上面に接合されるため、上面視において、キャップ12の外縁は端子保持部材11の外縁とほぼ同じがそれよりも内側に配置することが好ましい。キャップ12は、窓部12aと保持部12bを有する。窓部12aは保持部12bの貫通孔内に配置された透光性の部材である。半導体レーザ素子14からの光は窓部12aから取り出される。例えば、窓部12aは、φ2.3mm、厚さ0.3mmのガラス製の部品であり、低融点ガラスにより保持部12bに接合されている。窓部12aの上面視形状は例えば円形状である。上面視において、窓部12aは典型的には基体10の中心部に配置される。保持部12bと端子保持部材11は、例えば溶接によって接合する。保持部12bは、例えばステンレス(SUS)からなる。 Because the cap 12 is bonded to the upper surface of the terminal holding member 11, it is preferable that the outer edge of the cap 12 is substantially the same as the outer edge of the terminal holding member 11, but is disposed inside it, in a top view. The cap 12 has a window portion 12a and a holding portion 12b. The window portion 12a is a light-transmitting member disposed in a through hole of the holding portion 12b. Light from the semiconductor laser element 14 is extracted from the window portion 12a. For example, the window portion 12a is a glass part having a diameter of φ2.3 mm and a thickness of 0.3 mm, and is bonded to the holding portion 12b by low-melting point glass. The shape of the window portion 12a in a top view is, for example, a circular shape. In a top view, the window portion 12a is typically disposed in the center of the base 10. The holding portion 12b and the terminal holding member 11 are bonded, for example, by welding. The holding portion 12b is made of, for example, stainless steel (SUS).

半導体レーザ素子14は、例えば窒化物半導体レーザ素子である。発振波長は紫外~緑色が挙げられる。半導体レーザ素子14は、サブマウント18を介して載置部10aに取り付けられていてよい。サブマウント18は、典型的には、電気絶縁性が高く、熱伝導率の高い部品である。例えば、窒化アルミニウムや炭化ケイ素が挙げられる。例えば、絶縁性の炭化ケイ素基板の表面と裏面の両方に金属層を設け、表面の金属層に半導体レーザ素子14を固着させ、裏面の金属層によって載置部10aと固着させる。 The semiconductor laser element 14 is, for example, a nitride semiconductor laser element. The oscillation wavelength can be in the ultraviolet to green range. The semiconductor laser element 14 may be attached to the mounting portion 10a via a submount 18. The submount 18 is typically a component with high electrical insulation and high thermal conductivity. Examples include aluminum nitride and silicon carbide. For example, metal layers are provided on both the front and back surfaces of an insulating silicon carbide substrate, the semiconductor laser element 14 is fixed to the metal layer on the front surface, and is fixed to the mounting portion 10a by the metal layer on the back surface.

複数の発光装置100を実装する場合の一例を、図7及び図8に示す。図7及び図8に示すように、放熱プレート20の複数の凹部20aにそれぞれ発光装置100の基体10を直接又はグリスやハンダ等を介して固定する。凹部20aの形状及び大きさは基体10とほぼ同じである。貫通孔20bは固定用であり、例えばネジを挿入して放熱プレート20を放熱器等に固定する。なお、凹部20aに替えて貫通孔でもよい。この場合は、発光装置100の基体10を放熱器等に直接またはグリス等を介して熱的に接続すればよい。 An example of mounting multiple light emitting devices 100 is shown in Figures 7 and 8. As shown in Figures 7 and 8, the base 10 of the light emitting device 100 is fixed directly or via grease, solder, etc. to each of the multiple recesses 20a of the heat dissipation plate 20. The shape and size of the recesses 20a are approximately the same as those of the base 10. The through holes 20b are for fixing, and for example, screws are inserted to fix the heat dissipation plate 20 to a heat sink or the like. Note that through holes may be used instead of the recesses 20a. In this case, the base 10 of the light emitting device 100 may be thermally connected to the heat sink or the like directly or via grease, etc.

基体10とリード端子13A、13Bの間に通電部材30を配置することにより、複数の発光装置100に電力を供給することができる。通電部材30の表面には配線31a~31jが設けられており、それぞれハンダ等によってリード端子13A、13Bと電気的に接続される。配線31a~31jは、複数の発光装置100が直列接続されるように通電部材30の内部に設けられた内部配線で繋がっている。すなわち、配線31bと配線31cが接続され、配線31dと配線31eが接続され、配線31fと配線31gが接続され、配線31hと配線31iが接続される。通電部材30は、例えば配線31aをアノード側、配線31jをカソード側として、さらに外部の配線と接続すればよい。 By disposing the current-carrying member 30 between the base 10 and the lead terminals 13A and 13B, it is possible to supply power to the multiple light-emitting devices 100. Wires 31a to 31j are provided on the surface of the current-carrying member 30, and are electrically connected to the lead terminals 13A and 13B by solder or the like. The wires 31a to 31j are connected by internal wiring provided inside the current-carrying member 30 so that the multiple light-emitting devices 100 are connected in series. That is, wires 31b and 31c are connected, wires 31d and 31e are connected, wires 31f and 31g are connected, and wires 31h and 31i are connected. The current-carrying member 30 may be further connected to external wiring, with wire 31a serving as the anode side and wire 31j serving as the cathode side, for example.

このように直列接続した複数の発光装置100を数列並べて配置し、発光装置100の発光部(窓部12a)をマトリクス状に配置してもよい。発光装置100のリード端子13A、13Bは基体10の上方に収まっているので、リード端子13A、13Bの突出側に別の発光装置100を隣接して配置することができる。 A number of light emitting devices 100 connected in series in this way may be arranged in several rows, and the light emitting portions (window portions 12a) of the light emitting devices 100 may be arranged in a matrix. Since the lead terminals 13A and 13B of the light emitting device 100 are located above the base 10, another light emitting device 100 may be arranged adjacent to the protruding side of the lead terminals 13A and 13B.

<実施形態2>
図9は、実施形態2に係る発光装置200の模式的な上面図であり、図10は、発光装置200の模式的な側面図である。図9及び図10に示すように、実施形態2に係る発光装置200は、端子保持部材211が上面視において円環状である点で実施形態1に係る発光装置100と異なる。この場合、キャップ212は円筒状のものを用いることができる。円筒状のキャップ212は、従来の基体を貫通してリード端子を設ける発光装置と同様のものを用いてよい。
<Embodiment 2>
Fig. 9 is a schematic top view of the light emitting device 200 according to the second embodiment, and Fig. 10 is a schematic side view of the light emitting device 200. As shown in Figs. 9 and 10, the light emitting device 200 according to the second embodiment differs from the light emitting device 100 according to the first embodiment in that the terminal holding member 211 is annular in top view. In this case, a cylindrical cap 212 can be used. The cylindrical cap 212 may be the same as that of a conventional light emitting device in which a lead terminal is provided by penetrating a base.

図9に示すように、上面視において、リード端子213A、213Bが端子保持部材211を貫通する方向は、発光装置200の中心部から放射線状に伸びる方向であることが好ましい。これにより、上面視においてリード端子213A、213Bの基体210からの突出量を抑制することができるため、複数の発光装置200を近接して配置することができる。特に、複数の発光装置200を縦横に並べて配置するマトリクス状の配置の際に好ましい。また、端子保持部材211に設ける貫通孔を円柱状に近い形状とすることができるため、円柱状の絶縁材215を用いてリード端子213A、213Bを固定することができる。円柱状の絶縁材215は、線材から切り出すことで作製できるため、安価に作製することができる。絶縁材215は、上面視において端子保持部材211から突出していてもよい。 As shown in FIG. 9, the direction in which the lead terminals 213A and 213B penetrate the terminal holding member 211 in a top view is preferably a direction extending radially from the center of the light emitting device 200. This makes it possible to suppress the amount of protrusion of the lead terminals 213A and 213B from the base 210 in a top view, so that multiple light emitting devices 200 can be arranged in close proximity. This is particularly preferable when multiple light emitting devices 200 are arranged vertically and horizontally in a matrix shape. In addition, since the through holes provided in the terminal holding member 211 can be made to have a shape close to a cylinder, the lead terminals 213A and 213B can be fixed using a cylindrical insulating material 215. The cylindrical insulating material 215 can be produced by cutting out a wire material, so that it can be produced inexpensively. The insulating material 215 may protrude from the terminal holding member 211 in a top view.

<他の実施形態>
他の実施形態を、図11~14を用いて説明する。実施形態1の発光装置とは、半導体レーザ素子が載置部の上面に設けられる点、載置部の上面にはさらに半導体レーザ素子からの出射光を載置部の上面と平行な方向から垂直な方向に変える光反射部材(光反射ミラー)が設けられている点で異なり、その他の点で実施の形態1と同じである。
<Other embodiments>
Other embodiments will be described with reference to Figures 11 to 14. This embodiment differs from the light emitting device of the first embodiment in that the semiconductor laser element is provided on the upper surface of the mounting portion, and that the upper surface of the mounting portion is further provided with a light reflecting member (light reflecting mirror) that changes the direction of the light emitted from the semiconductor laser element from a direction parallel to the upper surface of the mounting portion to a direction perpendicular thereto, but is otherwise the same as the first embodiment.

他の実施の形態の発光装置300は、主面から上方に突出した載置部310aを有する基体310と、載置部310aを囲むように基体310の主面に接合された環状の端子保持部材311と、端子保持部材311の上面に接合され、基体310及び端子保持部材311と共に封止空間を構成するキャップ312と、載置部310aの上面に設けられた半導体レーザ素子314と光反射部材319と、端子保持部材を貫通したリード端子313A、313Bと、を備える。 The light emitting device 300 of another embodiment includes a base 310 having a mounting portion 310a protruding upward from its main surface, a ring-shaped terminal holding member 311 bonded to the main surface of the base 310 so as to surround the mounting portion 310a, a cap 312 bonded to the upper surface of the terminal holding member 311 and constituting a sealed space together with the base 310 and the terminal holding member 311, a semiconductor laser element 314 and a light reflecting member 319 provided on the upper surface of the mounting portion 310a, and lead terminals 313A and 313B passing through the terminal holding member.

図11は他の実施の形態に係る発光装置の模式的な斜視図、図12は他の実施の形態に係る発光装置の模式的な上面図、図13は他の実施形態に係る発光装置のキャップ接合前の状態を示す模式的な斜視図であり、図14は他の実施形態に係る発光装置のキャップ接合前の状態を示す模式的な上面図である。図13と図14は、他の実施の形態に係る発光装置の封止空間の構造を説明するための図である。 Figure 11 is a schematic perspective view of a light emitting device according to another embodiment, Figure 12 is a schematic top view of a light emitting device according to another embodiment, Figure 13 is a schematic perspective view showing the state of a light emitting device according to another embodiment before a cap is bonded, and Figure 14 is a schematic top view showing the state of a light emitting device according to another embodiment before a cap is bonded. Figures 13 and 14 are diagrams for explaining the structure of the sealed space of a light emitting device according to another embodiment.

ここでキャップ312は、窓部312aと保持部312bを有する。窓部312aは保持部312bの貫通孔内に配置された透光性の部材である。半導体レーザ素子314からの光は、載置部の上面と平行な方向に進み、光反射部材319によって、基板の主面に垂直な方向に進み、窓部12aから取り出される。また半導体レーザ素子314はリード端子312a、312bと、ワイヤによって電気的に接続される。 Here, the cap 312 has a window portion 312a and a holding portion 312b. The window portion 312a is a light-transmitting member disposed in a through hole of the holding portion 312b. Light from the semiconductor laser element 314 travels in a direction parallel to the upper surface of the mounting portion, and is reflected by the light reflecting member 319 in a direction perpendicular to the main surface of the substrate, and is extracted from the window portion 12a. The semiconductor laser element 314 is also electrically connected to the lead terminals 312a and 312b by wires.

載置部310aは環状の端子保持部材の内側の大きさとほぼ同じ大きさで基板の主面から上方に突出しているが、突出していなくてもよい。この場合は、載置部は基板の主面上にある載置領域であって、載置領域に半導体レーザ素子314と光反射部材319とを備えることとなる。 The mounting portion 310a protrudes upward from the main surface of the substrate with a size approximately equal to the size of the inside of the annular terminal holding member, but it does not have to protrude. In this case, the mounting portion is a mounting area on the main surface of the substrate, and the mounting area includes the semiconductor laser element 314 and the light reflecting member 319.

100、200、300 発光装置
10、210、310 基体
10a、310a 載置部
11、211、311 端子保持部材
11a 近接部、 11b 離間部
12、212、312 キャップ
12a、312a 窓部、 12b、312b 保持部
13A、13B、213A、213B、313A、313B リード端子
13Ba 第1部分、 13Bb 第2部分
14、314 半導体レーザ素子
15、215 絶縁材
16 ワイヤ
17 封止空間
18 サブマウント
20 放熱プレート
20a 凹部、 20b 貫通孔
30 通電部材
31a~31j 配線
319 光反射部材
100, 200, 300 Light emitting device 10, 210, 310 Base 10a, 310a Mounting portion 11, 211, 311 Terminal holding member 11a Proximal portion, 11b Separated portion 12, 212, 312 Cap 12a, 312a Window portion, 12b, 312b Holding portion 13A, 13B, 213A, 213B, 313A, 313B Lead terminal 13Ba First portion, 13Bb Second portion 14, 314 Semiconductor laser element 15, 215 Insulating material 16 Wire 17 Sealed space 18 Submount 20 Heat dissipation plate 20a Recess, 20b Through hole 30 Current-carrying member 31a to 31j Wiring 319 Light reflecting member

Claims (5)

主面を有する土台部と、前記主面から上方に突出する載置部とが一体となって形成される基体と、
前記載置部を囲むように前記基体の前記主面に接合された環状の端子保持部材と、
前記載置部の上面に設けられた半導体レーザ素子と、
前記載置部の上面に設けられ、前記半導体レーザ素子からの出射光が入射する光反射部材と、
前記端子保持部材を貫通した第1リード端子と、
前記端子保持部材を貫通した第2リード端子と、
を備え、
前記第1リード端子及び第2リード端子は、前記半導体レーザ素子と電気的に接続するためのワイヤが接合される第1部分と、前記端子保持部材を貫通する第2部分と、を含み、
前記半導体レーザ素子が設けられる前記載置部の上面に垂直な方向からみた平面視で、前記第1リード端子の前記第1部分及び前記第2リード端子の前記第1部分は、前記半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸に沿った方向に延伸し、かつ、前記半導体レーザ素子は前記第1リード端子の前記第1部分と前記第2リード端子の前記第1部分との間に配置されており、
前記半導体レーザ素子が設けられる前記載置部の上面に垂直な方向からみた平面視で、前記光反射部材は、前記第1リード端子の前記第1部分と前記第2リード端子の前記第1部分との間に配置されておらず、
前記第1リード端子及び前記第2リード端子は、前記第1部分と前記第2部分が同じ方向に延伸する、発光装置。
a base body formed integrally with a base portion having a main surface and a mounting portion protruding upward from the main surface;
a terminal holding member having an annular shape and joined to the main surface of the base so as to surround the mounting portion;
a semiconductor laser element provided on an upper surface of the mounting portion;
a light reflecting member provided on an upper surface of the mounting portion and on which light emitted from the semiconductor laser element is incident;
a first lead terminal passing through the terminal holding member;
a second lead terminal passing through the terminal holding member;
Equipped with
the first lead terminal and the second lead terminal each include a first portion to which a wire for electrical connection to the semiconductor laser element is joined, and a second portion penetrating the terminal holding member;
in a plan view seen from a direction perpendicular to an upper surface of the mounting portion on which the semiconductor laser element is provided, the first portion of the first lead terminal and the first portion of the second lead terminal extend in a direction along an optical axis of laser light emitted by the semiconductor laser element, and the semiconductor laser element is disposed between the first portion of the first lead terminal and the first portion of the second lead terminal,
the light reflecting member is not disposed between the first portion of the first lead terminal and the first portion of the second lead terminal in a plan view seen from a direction perpendicular to an upper surface of the mounting portion on which the semiconductor laser element is provided,
A light emitting device, wherein the first portion and the second portion of the first lead terminal and the second lead terminal extend in the same direction.
前記第1リード端子の前記第1部分と前記第2リード端子の第1部分とは、間隔を等しくして延伸し、
前記第1リード端子の前記第2部分と前記第2リード端子の第2部分とは、間隔を等しくして延伸する、請求項1に記載の発光装置。
the first portion of the first lead terminal and the first portion of the second lead terminal extend at equal intervals;
The light emitting device according to claim 1 , wherein the second portion of the first lead terminal and the second portion of the second lead terminal extend with equal intervals between each other.
前記端子保持部材の上面に接合され、前記基体及び前記端子保持部材と共に封止空間を構成するキャップをさらに備える、請求項1または請求項2に記載の発光装置。 3. The light emitting device according to claim 1, further comprising a cap joined to an upper surface of said terminal holding member, said cap forming a sealed space together with said base and said terminal holding member. 前記第1リード端子および前記第2リード端子と、前記端子保持部材との間に、ガラス材料が配置されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein a glass material is disposed between the first and second lead terminals and the terminal holding member. 前記半導体レーザ素子が設けられる前記載置部の上面に垂直な方向からみた平面視で、前記端子保持部材の外縁は前記基体の外縁よりも内側にある、請求項1~4のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the outer edge of the terminal holding member is located inside the outer edge of the base in a plan view seen from a direction perpendicular to the upper surface of the mounting portion on which the semiconductor laser element is provided.
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