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JP7592560B2 - Heat Treatment Equipment - Google Patents

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JP7592560B2
JP7592560B2 JP2021100619A JP2021100619A JP7592560B2 JP 7592560 B2 JP7592560 B2 JP 7592560B2 JP 2021100619 A JP2021100619 A JP 2021100619A JP 2021100619 A JP2021100619 A JP 2021100619A JP 7592560 B2 JP7592560 B2 JP 7592560B2
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chamber
tip
heat equalizing
support
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眞一 荻本
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Shibaura Mechatronics Corp
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Description

本発明の実施形態は、加熱処理装置に関する。 An embodiment of the present invention relates to a heat treatment device.

ワークを加熱して、ワークの表面に膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置がある。
例えば、有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱することで基板の上に有機膜を形成する加熱処理装置が提案されている。この様な加熱処理装置においては、例えば、チャンバの内部空間を大気圧よりも減圧し、大気圧よりも減圧された雰囲気において、溶液が塗布された基板を100℃~600℃程度の温度にまで加熱する場合がある。この場合、チャンバの内部には、ピン状を呈する複数の支持部が設けられ、溶液が塗布された基板が複数の支持部の頂部に載置される。
2. Description of the Related Art There are heat treatment devices that heat a workpiece to form a film or the like on the surface of the workpiece or to treat the surface of the workpiece.
For example, a heat treatment apparatus has been proposed in which a solution containing an organic material and a solvent is applied onto a substrate, and the applied solution is heated to form an organic film on the substrate. In such a heat treatment apparatus, for example, the internal space of a chamber may be reduced in pressure below atmospheric pressure, and the substrate coated with the solution may be heated to a temperature of about 100° C. to 600° C. in an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure. In this case, a plurality of pin-shaped supports are provided inside the chamber, and the substrate coated with the solution is placed on the tops of the plurality of supports.

溶液が塗布された基板は、100℃~600℃程度にまで加熱されるため、複数の支持部は、耐熱性を有する材料から形成される。この場合、複数の支持部をステンレスなどの金属から形成すると、複数の支持部が接触する基板の裏面に傷が発生する場合がある。 The substrate coated with the solution is heated to approximately 100°C to 600°C, so the multiple supports are made from a heat-resistant material. In this case, if the multiple supports are made from a metal such as stainless steel, scratches may occur on the back surface of the substrate where the multiple supports come into contact.

一方、複数の支持部をセラミックスなどから形成すれば、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができる。しかしながら、複数の支持部をセラミックスなどから形成すれば、製造コストが増大するという新たな課題が生じる。 On the other hand, if the multiple support parts are made of ceramics or the like, it is possible to prevent scratches from occurring on the back surface of the substrate. However, if the multiple support parts are made of ceramics or the like, a new problem arises in that manufacturing costs increase.

また、基板の裏面に接触させる先端部と、先端部が挿入される筒状の基部とを有する支持部が提案されている。(例えば、特許文献1を参照)。
この様な支持部とすれば、先端部のみをセラミックスなどから形成することができる。そのため、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができ、且つ、製造コストが増大するのを抑制することができる。
Also, a support has been proposed that has a tip portion that contacts the rear surface of the substrate and a cylindrical base portion into which the tip portion is inserted (see, for example, Patent Document 1).
By using such a support portion, only the tip portion can be formed from ceramics, etc. Therefore, it is possible to prevent scratches from occurring on the back surface of the substrate and also to prevent an increase in manufacturing costs.

ところが、単に、先端部を基部の内部に挿入すると、先端部と基部とが擦れて、パーティクルが発生する場合がある。例えば、先端部をセラミックスから形成し、基部をセラミックスよりも低コストのステンレスから形成すると、先端部と基部との間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、先端部と基部との間からパーティクルが放出される場合がある。 However, simply inserting the tip into the base may cause friction between the tip and base, resulting in the generation of particles. For example, if the tip is made of ceramics and the base is made of stainless steel, which is less expensive than ceramics, friction will occur between the tip and base due to the difference in linear expansion coefficient. This may result in particles being released from between the tip and base.

発生したパーティクルが、溶液、および形成された有機膜の少なくともいずれかに付着すると、有機膜の品質が低下するおそれがある。
そこで、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置の開発が望まれていた。
If the generated particles adhere to at least one of the solution and the formed organic film, the quality of the organic film may be degraded.
Therefore, there has been a demand for development of a heat treatment apparatus capable of reducing the cost of the supporting portion and suppressing generation of particles in the supporting portion.

特開2006-170534号公報JP 2006-170534 A

本発明が解決しようとする課題は、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置を提供することである。 The problem that the present invention aims to solve is to provide a heat treatment device that can reduce the cost of the support part and suppress the generation of particles in the support part.

実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、ワークを支持可能な支持部と、前記チャンバの内部に設けられ、前記ワークを加熱可能な加熱部と、を備えている。前記支持部は、筒状を呈し、一方の端部が前記ワークに接触可能な先端部と、一方の端部側が、前記先端部の内部に隙間を介して設けられた柱状部と、前記先端部を保持する保持部と、を有し、前記保持部は、前記先端部に設けられた第1の部分と、隙間を介して、前記第1の部分に対向する第2の部分と、を有し、前記第1の部分、および前記第2の部分は、永久磁石であり、前記第1の部分の、前記第2の部分と対向する側の磁極は、前記第2の部分の、前記第1の部分と対向する側の磁極と同じである。
The heat treatment apparatus according to the embodiment includes a chamber, a support part provided inside the chamber and capable of supporting a workpiece, and a heating part provided inside the chamber and capable of heating the workpiece. The support part has a cylindrical shape and has a tip part whose one end can contact the workpiece, a columnar part whose one end side is provided inside the tip part with a gap therebetween, and a holding part that holds the tip part, the holding part has a first part provided on the tip part and a second part facing the first part with a gap therebetween, the first part and the second part are permanent magnets, and the magnetic pole of the first part facing the second part is the same as the magnetic pole of the second part facing the first part.

本発明の実施形態によれば、支持部の低コスト化と、支持部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる加熱処理装置が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a heat treatment device is provided that can reduce the cost of the support part and suppress the generation of particles in the support part.

本実施の形態に係る加熱処理装置を例示するための模式斜視図である。1 is a schematic perspective view illustrating a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention; 支持部を例示するための模式図である。5A to 5C are schematic diagrams for illustrating a support portion. 他の実施形態に係る支持部を例示するための模式図である。10A to 10C are schematic views illustrating a support portion according to another embodiment. 他の実施形態に係る支持部を例示するための模式図である。10A to 10C are schematic views illustrating a support portion according to another embodiment.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下においては、一例として、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワークを加熱して、ワークの表面に有機膜を形成する加熱処理装置を説明する。しかしながら、本発明は、これに限定されるわけではない。例えば、本発明は、ワークを加熱して、ワークの表面に無機膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置にも適用することができる。
Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
In the following, as an example, a heat treatment apparatus for heating a workpiece in an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure to form an organic film on the surface of the workpiece will be described. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can also be applied to a heat treatment apparatus for heating a workpiece to form an inorganic film or the like on the surface of the workpiece or to treat the surface of the workpiece.

また、加熱前のワークは、例えば、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するものであってもよいし、基板のみであってもよい。以下においては、一例として、加熱前のワークが、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する場合を説明する。 The workpiece before heating may, for example, have a substrate and a solution applied to the surface of the substrate, or may be only a substrate. In the following, as an example, a case where the workpiece before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate will be described.

図1は、本実施の形態に係る加熱処理装置1を例示するための模式斜視図である。
なお、図1中のX方向、Y方向、およびZ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Z方向とすることができる。
FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating a heat treatment apparatus 1 according to the present embodiment.
1, the X direction, the Y direction, and the Z direction represent three directions that are perpendicular to one another. In this specification, the up-down direction can be regarded as the Z direction.

加熱前のワーク100は、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどである。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、例えば、有機材料と溶剤を含んでいる。有機材料は、溶剤により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。
Before being heated, the workpiece 100 has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate.
The substrate is, for example, a glass substrate, a semiconductor wafer, etc. However, the substrate is not limited to the above examples.
The solution contains, for example, an organic material and a solvent. The organic material is not particularly limited as long as it can be dissolved by the solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid. However, the solution is not limited to the exemplified ones.

図1に示すように、加熱処理装置1には、例えば、チャンバ10、排気部20、処理部30、冷却部40、およびコントローラ50が設けられている。
チャンバ10は、箱状を呈している。チャンバ10は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ10の外観形状には特に限定はない。チャンバ10の外観形状は、例えば、直方体や円筒とすることができる。チャンバ10は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 includes, for example, a chamber 10, an exhaust unit 20, a processing unit 30, a cooling unit 40, and a controller 50.
The chamber 10 has a box shape. The chamber 10 has an airtight structure capable of maintaining an atmosphere at a reduced pressure lower than atmospheric pressure. There is no particular limitation on the external shape of the chamber 10. The external shape of the chamber 10 may be, for example, a rectangular parallelepiped or a cylinder. The chamber 10 may be formed from a metal such as stainless steel.

例えば、チャンバ10の一方の端部にはフランジ11が設けられている。フランジ11には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。チャンバ10の、フランジ11が設けられた側の開口は、開閉扉13により開閉可能となっている。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11(シール材12)に押し付けられることで、チャンバ10の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11から離隔することで、チャンバ10の開口を介したワーク100の搬入または搬出が可能となる。 For example, a flange 11 is provided at one end of the chamber 10. A seal 12 such as an O-ring can be provided on the flange 11. The opening on the side of the chamber 10 where the flange 11 is provided can be opened and closed by an opening/closing door 13. A drive device (not shown) presses the opening/closing door 13 against the flange 11 (seal 12), closing the opening of the chamber 10 so that it is airtight. A drive device (not shown) separates the opening/closing door 13 from the flange 11, allowing the workpiece 100 to be carried in or out through the opening of the chamber 10.

チャンバ10の他方の端部にはフランジ14を設けることができる。フランジ14には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。チャンバ10の、フランジ14が設けられた側の開口は、蓋15により開閉可能となっている。例えば、蓋15は、ネジなどの締結部材を用いてフランジ14に着脱可能に設けることができる。メンテナンスなどを行う際には、蓋15を取り外すことで、チャンバ10の、フランジ14が設けられた側の開口を露出させる。 A flange 14 may be provided at the other end of the chamber 10. A seal material 12 such as an O-ring may be provided on the flange 14. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided can be opened and closed by a lid 15. For example, the lid 15 may be detachably attached to the flange 14 using a fastening member such as a screw. When performing maintenance, the lid 15 is removed to expose the opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided.

チャンバ10の外壁には冷却部16を設けることができる。冷却部16には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部16は、例えば、ウォータージャケット(Water Jacket)とすることができる。冷却部16が設けられていれば、チャンバ10の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。 A cooling section 16 can be provided on the outer wall of the chamber 10. A cooling water supply section (not shown) is connected to the cooling section 16. The cooling section 16 can be, for example, a water jacket. If the cooling section 16 is provided, it is possible to prevent the temperature of the outer wall of the chamber 10 from becoming higher than a predetermined temperature.

排気部20は、チャンバ10の内部を排気する。排気部20は、第1の排気部21と、第2の排気部22を有する。
第1の排気部21は、チャンバ10の底面に設けられた排気口17に接続されている。 第1の排気部21は、排気ポンプ21aと、圧力制御部21bを有する。
排気ポンプ21aは、大気圧から所定の圧力まで粗引き排気を行う排気ポンプとすることができる。そのため、排気ポンプ21aは、後述する排気ポンプ22aよりも排気量が多い。排気ポンプ21aは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。
The exhaust unit 20 evacuates the inside of the chamber 10. The exhaust unit 20 has a first exhaust unit 21 and a second exhaust unit 22.
The first exhaust unit 21 is connected to an exhaust port 17 provided on the bottom surface of the chamber 10. The first exhaust unit 21 includes an exhaust pump 21a and a pressure control unit 21b.
The exhaust pump 21a may be an exhaust pump that performs rough exhaust from atmospheric pressure to a predetermined pressure. Therefore, the exhaust pump 21a has a larger exhaust volume than the exhaust pump 22a described later. The exhaust pump 21a may be, for example, a dry vacuum pump.

圧力制御部21bは、排気口17と排気ポンプ21aとの間に設けられている。圧力制御部21bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部21bは、例えば、APC(Auto Pressure Controller)などとすることができる。 The pressure control unit 21b is provided between the exhaust port 17 and the exhaust pump 21a. The pressure control unit 21b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10. The pressure control unit 21b can be, for example, an APC (Auto Pressure Controller).

第2の排気部22は、チャンバ10の底面に設けられた排気口18に接続されている。 第2の排気部22は、排気ポンプ22aと、圧力制御部22bを有する。
排気ポンプ22aは、排気ポンプ21aによる粗引き排気の後、さらに低い所定の圧力まで排気を行う。排気ポンプ22aは、例えば、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。例えば、排気ポンプ22aは、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)などとすることができる。
圧力制御部22bは、排気口18と排気ポンプ22aとの間に設けられている。圧力制御部22bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部22bは、例えば、APCなどとすることができる。
The second exhaust unit 22 is connected to the exhaust port 18 provided on the bottom surface of the chamber 10. The second exhaust unit 22 includes an exhaust pump 22a and a pressure control unit 22b.
The exhaust pump 22a exhausts the air to a lower predetermined pressure after the rough exhaust by the exhaust pump 21a. The exhaust pump 22a has an exhaust capacity capable of exhausting the air to a molecular flow region of a high vacuum. For example, the exhaust pump 22a may be a turbo molecular pump (TMP).
The pressure control unit 22b is provided between the exhaust port 18 and the exhaust pump 22a. The pressure control unit 22b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10. The pressure control unit 22b can be, for example, an APC.

排気口17、および排気口18は、チャンバ10の底面に配置されている。そのため、チャンバ10の内部、および後述する処理部30の内部に、チャンバ10の底面に向かうダウンフローの気流が形成される。ダウンフローの気流が形成されれば、ワーク100を加熱した際に生じた、有機材料を含む昇華物が、ダウンフローの気流に乗ってチャンバ10の外部に排出される。そのため、ワーク100に昇華物などの異物が付着するのを抑制することができる。 Exhaust port 17 and exhaust port 18 are disposed on the bottom surface of chamber 10. Therefore, a downflow airflow toward the bottom surface of chamber 10 is formed inside chamber 10 and inside processing section 30 described below. When a downflow airflow is formed, sublimates containing organic materials that are generated when workpiece 100 is heated are carried by the downflow airflow and discharged to the outside of chamber 10. Therefore, it is possible to prevent foreign matter such as sublimates from adhering to workpiece 100.

なお、以上においては、排気口17および排気口18がチャンバ10の底面に設けられる場合を例示したが、排気口17および排気口18は、例えば、チャンバ10の天井面や側面に設けることもできる。排気口17および排気口18がチャンバ10の底面、または天井面に設けられていれば、チャンバ10の内部に、チャンバ10の底面、または天井面に向かう気流を形成することができる。 In the above, the case where the exhaust port 17 and the exhaust port 18 are provided on the bottom surface of the chamber 10 has been exemplified, but the exhaust port 17 and the exhaust port 18 can also be provided on, for example, the ceiling surface or side surface of the chamber 10. If the exhaust port 17 and the exhaust port 18 are provided on the bottom surface or the ceiling surface of the chamber 10, an airflow can be formed inside the chamber 10 that flows toward the bottom surface or the ceiling surface of the chamber 10.

処理部30は、例えば、フレーム31、加熱部32、支持部33、均熱部34、均熱板支持部35、および、カバー36を有する。
処理部30の内部には、処理領域30aおよび処理領域30bが設けられている。処理領域30a、30bは、ワーク100に処理を施す空間となる。ワーク100は、処理領域30a、30bの内部に支持される。処理領域30bは、処理領域30aの上方に設けられている。なお、2つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。1つの処理領域のみを設けたり、3つ以上の処理領域を設けたりすることもできる。本実施の形態においては、一例として、2つの処理領域が設けられる場合を例示するが、1つの処理領域、および、3つ以上の処理領域が設けられる場合も同様に考えることができる。
The processing section 30 includes, for example, a frame 31 , a heating section 32 , a support section 33 , a heat equalizing section 34 , a heat equalizing plate support section 35 , and a cover 36 .
The processing section 30 is provided with a processing region 30a and a processing region 30b. The processing regions 30a and 30b are spaces in which the workpiece 100 is processed. The workpiece 100 is supported inside the processing regions 30a and 30b. The processing region 30b is provided above the processing region 30a. Note that, although the case where two processing regions are provided is illustrated, the present invention is not limited to this. Only one processing region may be provided, or three or more processing regions may be provided. In the present embodiment, the case where two processing regions are provided is illustrated as an example, but the case where one processing region and three or more processing regions are provided may be considered in the same manner.

処理領域30a、30bは、加熱部32と加熱部32との間に設けられている。処理領域30a、30bは、均熱部34(上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、側部均熱板34d)により囲まれている。 The processing areas 30a and 30b are provided between the heating sections 32. The processing areas 30a and 30b are surrounded by the heat equalizing section 34 (upper heat equalizing plate 34a, lower heat equalizing plate 34b, side heat equalizing plate 34c, side heat equalizing plate 34d).

後述するように、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bは、板状を呈し、複数の均熱板支持部35によって支持される。処理領域30aとチャンバ10の内部の空間は、上部均熱板34a同士の間の隙間、および下部均熱板34b同士の間の隙間を介して繋がっている。そのため、チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間の圧力が減圧されると、処理領域30aの内部の空間も減圧される。なお、処理領域30bは、処理領域30aと同様の構造であるので、説明は省略する。 As described below, the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b are plate-shaped and supported by a number of heat equalizer plate supports 35. The processing area 30a and the space inside the chamber 10 are connected via the gaps between the upper heat equalizer plates 34a and the gaps between the lower heat equalizer plates 34b. Therefore, when the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing section 30 is reduced, the space inside the processing area 30a is also reduced. Note that the processing area 30b has a similar structure to the processing area 30a, so a description thereof will be omitted.

チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域30a、30bから外部に放出される熱を抑制することができる。すなわち、加熱効率と蓄熱効率を向上させることができる。そのため、後述するヒータ32aに印加する電力を低減できる。ヒータ32aに印加する電力を低減できれば、ヒータ32aの温度が所定の温度以上となるのを抑制できるので、ヒータ32aの寿命を長くすることができる。 If the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing section 30 is reduced, the heat released from the processing regions 30a, 30b to the outside can be suppressed. In other words, the heating efficiency and heat storage efficiency can be improved. Therefore, the power applied to the heater 32a described below can be reduced. If the power applied to the heater 32a can be reduced, the temperature of the heater 32a can be prevented from exceeding a predetermined temperature, and the life of the heater 32a can be extended.

また、蓄熱効率が向上すれば、処理領域30a、30bの温度を迅速に上昇させることができる。そのため、急激な温度上昇を必要とする処理にも対応が可能となる。また、チャンバ10の外壁の温度が高くなるのを抑制できるので、冷却部16を簡易なものとすることができる。 In addition, if the heat storage efficiency is improved, the temperature of the processing regions 30a, 30b can be increased quickly. This makes it possible to handle processing that requires a rapid increase in temperature. In addition, since the temperature of the outer wall of the chamber 10 can be prevented from becoming too high, the cooling section 16 can be simplified.

フレーム31は、例えば、細長い板材や形鋼などを用いた骨組み構造を有している。フレーム31の外観形状は、チャンバ10の外観形状と同様とすることができる。フレーム31の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。 The frame 31 has a framework structure using, for example, elongated plate materials or steel sections. The external shape of the frame 31 can be the same as the external shape of the chamber 10. The external shape of the frame 31 can be, for example, a rectangular parallelepiped.

加熱部32は、複数設けられている。加熱部32は、処理領域30a、30bの下部、および処理領域30a、30bの上部に設けることができる。処理領域30a、30bの下部に設けられた加熱部32は、下部加熱部となる。処理領域30a、30bの上部に設けられた加熱部32は、上部加熱部となる。下部加熱部は、上部加熱部と対向している。なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域に設けられた上部加熱部は、上側の処理領域に設けられた下部加熱部と兼用することができる。 A plurality of heating sections 32 are provided. The heating sections 32 can be provided in the lower and upper parts of the processing regions 30a and 30b. The heating sections 32 provided in the lower parts of the processing regions 30a and 30b are lower heating sections. The heating sections 32 provided in the upper parts of the processing regions 30a and 30b are upper heating sections. The lower heating sections face the upper heating sections. When a plurality of processing regions are provided stacked in the vertical direction, the upper heating section provided in the lower processing region can also serve as the lower heating section provided in the upper processing region.

加熱部32は、チャンバ10の内部に設けられ、ワーク100を加熱する。
例えば、処理領域30aに支持されたワーク100の裏面(下面)は、処理領域30aの下部に設けられた加熱部32により加熱される。処理領域30aに支持されたワーク100の表面(上面)は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される加熱部32により加熱される。
The heating unit 32 is provided inside the chamber 10 and heats the workpiece 100 .
For example, the back surface (lower surface) of the workpiece 100 supported in the processing region 30a is heated by a heating unit 32 provided below the processing region 30a. The front surface (upper surface) of the workpiece 100 supported in the processing region 30a is heated by a heating unit 32 shared by the processing regions 30a and 30b.

処理領域30bに支持されたワーク100の裏面は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される加熱部32により加熱される。処理領域30bに支持されたワーク100の表面は、処理領域30bの上部に設けられた加熱部32により加熱される。
この様にすれば、加熱部32の数を減らすことができるので消費電力の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。
The back surface of the workpiece 100 supported in the processing region 30b is heated by a heating unit 32 shared by the processing regions 30a and 30b. The front surface of the workpiece 100 supported in the processing region 30b is heated by a heating unit 32 provided above the processing region 30b.
In this way, the number of heating parts 32 can be reduced, which leads to reduction in power consumption, reduction in manufacturing costs, and space saving.

複数の加熱部32のそれぞれは、少なくとも1つのヒータ32aと、一対のホルダ32bを有する。なお、以下においては、複数のヒータ32aが設けられる場合を説明する。 ヒータ32aは、棒状を呈し、一対のホルダ32bの間をY方向に延びている。複数のヒータ32aは、X方向に並べて設けることができる。複数のヒータ32aは、等間隔に設けることができる。ヒータ32aは、例えば、シーズヒータ、遠赤外線ヒータ、遠赤外線ランプ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどである。また、各種ヒータを石英カバーで覆うこともできる。 Each of the multiple heating units 32 has at least one heater 32a and a pair of holders 32b. In the following, a case where multiple heaters 32a are provided will be described. The heater 32a is rod-shaped and extends in the Y direction between the pair of holders 32b. The multiple heaters 32a can be arranged side by side in the X direction. The multiple heaters 32a can be arranged at equal intervals. The heaters 32a are, for example, sheath heaters, far-infrared heaters, far-infrared lamps, ceramic heaters, cartridge heaters, etc. In addition, the various heaters can be covered with a quartz cover.

なお、本明細書においては、石英カバーで覆われた各種ヒータをも含めて「棒状のヒータ」と称する。また、「棒状」の外観形状には限定がなく、例えば、円柱状や角柱状などとすることができる。 In this specification, the term "rod-shaped heater" includes various heaters covered with a quartz cover. There is no limitation on the external shape of the "rod" and it can be, for example, cylindrical or prismatic.

また、ヒータ32aは、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワーク100を加熱できれば、前述したものに限定されない。すなわち、ヒータ32aは、放射による熱エネルギーを利用するものであればよい。 The heater 32a is not limited to the above-mentioned type as long as it can heat the workpiece 100 in an atmosphere that is reduced in pressure below atmospheric pressure. In other words, the heater 32a may be one that utilizes thermal energy by radiation.

上部加熱部および下部加熱部における複数のヒータ32aの仕様、数、間隔などは、加熱する溶液の組成(溶液の加熱温度)、ワーク100の大きさなどに応じて適宜変更することができる。複数のヒータ32aの仕様、数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。 The specifications, number, spacing, etc. of the multiple heaters 32a in the upper heating section and the lower heating section can be changed as appropriate depending on the composition of the solution to be heated (heating temperature of the solution), the size of the workpiece 100, etc. The specifications, number, spacing, etc. of the multiple heaters 32a can be appropriately determined by performing simulations, experiments, etc.

ワーク100は、処理領域30a、30bにおいて、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bを介して両面側から加熱される。ここで、溶液を加熱する際に生じた昇華物を含む蒸気は、加熱対象であるワーク100の温度よりも低い温度の物に付着しやすい。しかしながら、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bは加熱されているので、昇華物が上部均熱板34aおよび下部均熱板34bに付着するのが抑制される。また、昇華物は、前述したダウンフローの気流に乗ってチャンバ10の外に排出される。そのため、昇華物がワーク100に付着するのを抑制できる。 The workpiece 100 is heated from both sides in the processing regions 30a and 30b via the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b. Here, the vapor containing the sublimates generated when the solution is heated tends to adhere to objects whose temperature is lower than that of the workpiece 100 to be heated. However, since the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b are heated, the adhesion of the sublimates to the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b is suppressed. In addition, the sublimates are discharged outside the chamber 10 by riding on the downflow air current described above. Therefore, the adhesion of the sublimates to the workpiece 100 can be suppressed.

一対のホルダ32bは、X方向(例えば、処理領域30a、30bの長手方向)に延びている。一対のホルダ32bは、Y方向において、互いに対向している。一方のホルダ32bは、フレーム31の、開閉扉13側の端面に固定されている。他方のホルダ32bは、フレーム31の、開閉扉13側とは反対側の端面に固定されている。一対のホルダ32bは、例えば、ネジなどの締結部材を用いてフレーム31に固定される。一対のホルダ32bは、ヒータ32aの端部近傍の非発熱部を保持する。一対のホルダ32bは、例えば、細長い金属の板材や形鋼などから形成される。一対のホルダ32bの材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。 The pair of holders 32b extend in the X direction (e.g., the longitudinal direction of the processing regions 30a and 30b). The pair of holders 32b face each other in the Y direction. One holder 32b is fixed to the end face of the frame 31 on the opening/closing door 13 side. The other holder 32b is fixed to the end face of the frame 31 opposite the opening/closing door 13 side. The pair of holders 32b are fixed to the frame 31 using fastening members such as screws. The pair of holders 32b hold non-heat generating parts near the ends of the heater 32a. The pair of holders 32b are formed, for example, from elongated metal plates or shaped steel. The material of the pair of holders 32b can be, for example, stainless steel.

複数の支持部33は、チャンバ10の内部に設けられ、ワーク100を支持する。例えば、複数の支持部33は、上部加熱部と下部加熱部との間にワーク100を支持する。複数の支持部33は、処理領域30aの下部、および、処理領域30bの下部に設けられている。複数の支持部33の数、配置、間隔などは、ワーク100の大きさや剛性(撓み)などに応じて適宜変更することができる。
なお、支持部33に関する詳細は後述する。
The multiple support parts 33 are provided inside the chamber 10 and support the workpiece 100. For example, the multiple support parts 33 support the workpiece 100 between an upper heating part and a lower heating part. The multiple support parts 33 are provided below the processing region 30a and below the processing region 30b. The number, arrangement, spacing, etc. of the multiple support parts 33 can be appropriately changed depending on the size, rigidity (deflection), etc. of the workpiece 100.
The support portion 33 will be described in detail later.

均熱部34は、複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dを有する。複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dは、板状を呈している。 The heat equalizing section 34 has a plurality of upper heat equalizing plates 34a, a plurality of lower heat equalizing plates 34b, a plurality of side heat equalizing plates 34c, and a plurality of side heat equalizing plates 34d. The plurality of upper heat equalizing plates 34a, the plurality of lower heat equalizing plates 34b, the plurality of side heat equalizing plates 34c, and the plurality of side heat equalizing plates 34d are plate-shaped.

複数の上部均熱板34aは、上部加熱部において下部加熱部側(ワーク100側)に設けられている。複数の上部均熱板34aは、複数のヒータ32aと離隔して設けられている。複数の上部均熱板34aは、X方向に並べて設けられている。複数の上部均熱板34a同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により上部均熱板34aの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、上部均熱板34a同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域30a、30bの雰囲気の圧力を減圧することができる。 The upper heat equalizing plates 34a are provided on the lower heating section side (workpiece 100 side) in the upper heating section. The upper heat equalizing plates 34a are provided at a distance from the heaters 32a. The upper heat equalizing plates 34a are arranged in a line in the X direction. Gaps are provided between the upper heat equalizing plates 34a. The provision of gaps makes it possible to absorb the increase in dimensions of the upper heat equalizing plates 34a due to thermal expansion. This makes it possible to prevent the upper heat equalizing plates 34a from interfering with each other and causing deformation. In addition, as described above, the pressure of the atmosphere in the processing regions 30a and 30b can be reduced through these gaps.

複数の下部均熱板34bは、下部加熱部において上部加熱部側(ワーク100側)に設けられている。複数の下部均熱板34bは、複数のヒータ32aと離隔して設けられている。複数の下部均熱板34bは、X方向に並べて設けられている。複数の下部均熱板34b同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により下部均熱板34bの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、下部均熱板34b同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域30a、30bの雰囲気の圧力を減圧することができる。また、下部均熱板34bの一部には、支持部33との干渉を防止するための孔が設けられる。 The lower heat equalizing plates 34b are provided on the upper heating section side (workpiece 100 side) in the lower heating section. The lower heat equalizing plates 34b are provided at a distance from the heaters 32a. The lower heat equalizing plates 34b are arranged in the X direction. A gap is provided between the lower heat equalizing plates 34b. If a gap is provided, the increase in the dimensions of the lower heat equalizing plates 34b due to thermal expansion can be absorbed. Therefore, it is possible to prevent the lower heat equalizing plates 34b from interfering with each other and causing deformation. In addition, as described above, the pressure of the atmosphere in the processing regions 30a and 30b can be reduced through this gap. In addition, a hole is provided in a part of the lower heat equalizing plate 34b to prevent interference with the support part 33.

側部均熱板34cは、X方向において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板34cは、カバー36の内側に設けることができる。また、少なくとも1つのヒータ32aを、側部均熱板34cとカバー36との間に設けることもできる。
側部均熱板34dは、Y方向において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。
The side heat equalizing plates 34c are provided on both sides of the processing regions 30a and 30b in the X direction. The side heat equalizing plates 34c may be provided inside the cover 36. At least one heater 32a may be provided between the side heat equalizing plates 34c and the cover 36.
The side heat equalizing plates 34d are provided on both sides of the processing regions 30a, 30b in the Y direction.

前述したように、複数のヒータ32aは、棒状を呈し、所定の間隔を空けて並べて設けられている。ヒータ32aが棒状である場合、ヒータ32aの中心軸から放射状に熱が放射される。この場合、ヒータ32aの中心軸と加熱される部分との間の距離が短くなるほど加熱される部分の温度が高くなる。そのため、複数のヒータ32aに対して対向するようにワーク100が保持された場合には、ヒータ32aの直上または直下に位置するワーク100の領域は、複数のヒータ32a同士の間の空間の直上または直下に位置するワーク100の領域よりも温度が高くなる。すなわち、棒状を呈する複数のヒータ32aを用いてワーク100を直接加熱すると、加熱されたワーク100の温度の面内分布にばらつきが生じる。 As described above, the heaters 32a are rod-shaped and arranged at a predetermined interval. When the heaters 32a are rod-shaped, heat is radiated radially from the central axis of the heaters 32a. In this case, the shorter the distance between the central axis of the heaters 32a and the heated part, the higher the temperature of the heated part. Therefore, when the workpiece 100 is held so as to face the heaters 32a, the area of the workpiece 100 located directly above or below the heaters 32a has a higher temperature than the area of the workpiece 100 located directly above or below the space between the heaters 32a. In other words, when the workpiece 100 is directly heated using the heaters 32a that are rod-shaped, the in-plane temperature distribution of the heated workpiece 100 varies.

ワーク100の温度に面内分布が生じると、形成された有機膜の品質が低下するおそれがある。例えば、温度が高くなった部分において、泡が発生したり、有機膜の組成が変化したりするおそれがある。 If there is a distribution of temperature across the surface of the workpiece 100, the quality of the formed organic film may be reduced. For example, bubbles may be generated in areas where the temperature is high, and the composition of the organic film may change.

複数の上部均熱板34a、および複数の下部均熱板34bが設けられていれば、複数のヒータ32aから放射された熱は、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bに入射する。複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の温度に面内分布が生じるのを抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質を向上させることができる。 If multiple upper heat equalizing plates 34a and multiple lower heat equalizing plates 34b are provided, the heat radiated from the multiple heaters 32a is incident on the multiple upper heat equalizing plates 34a and multiple lower heat equalizing plates 34b. The heat incident on the multiple upper heat equalizing plates 34a and multiple lower heat equalizing plates 34b is radiated toward the workpiece 100 while propagating inside them in the planar direction. This makes it possible to suppress the occurrence of in-plane distribution in the temperature of the workpiece 100, and ultimately improves the quality of the organic film that is formed.

複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。これらの材料は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどとすることができる。なお、アルミニウムや銅などの酸化しやすい材料を用いる場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることができる。 The upper heat equalizing plates 34a and the lower heat equalizing plates 34b are preferably made of a material with high thermal conductivity. These materials can be, for example, aluminum, copper, stainless steel, etc. When using a material that is easily oxidized, such as aluminum or copper, a layer containing a material that is less likely to oxidize can be provided on the surface.

複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bから放射された熱の一部は、処理領域の側方に向かう。そのため、処理領域の側部には、前述した側部均熱板34c、34dが設けられている。側部均熱板34c、34dに入射した熱は、側部均熱板34c、34dを面方向に伝搬しながら、その一部がワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の加熱効率を向上させることができる。
側部均熱板34c、34dの材料は、前述した上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの材料と同じとすることができる。
A part of the heat radiated from the multiple upper heat equalizer plates 34a and the multiple lower heat equalizer plates 34b is directed toward the side of the processing area. Therefore, the side heat equalizer plates 34c and 34d described above are provided on the sides of the processing area. The heat incident on the side heat equalizer plates 34c and 34d is propagated in the planar direction of the side heat equalizer plates 34c and 34d, and a part of it is radiated toward the workpiece 100. Therefore, the heating efficiency of the workpiece 100 can be improved.
The material of the side heat equalizing plates 34c, 34d can be the same as the material of the upper heat equalizing plate 34a and the lower heat equalizing plate 34b described above.

なお、以上においては、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bが、設けられる場合を例示したが、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの少なくとも一方は、単一の板状部材とすることもできる。 In the above, an example has been given in which multiple upper heat equalizing plates 34a and multiple lower heat equalizing plates 34b are provided, but at least one of the upper heat equalizing plates 34a and the lower heat equalizing plates 34b can also be a single plate-shaped member.

複数の均熱板支持部35は、X方向に並べて設けられている。均熱板支持部35は、X方向において、上部均熱板34a同士の間の直下に設けられる。複数の均熱板支持部35は、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ32bに固定される。一対の均熱板支持部35は、上部均熱板34aの両端を着脱自在に支持する。なお、複数の下部均熱板34bを支持する複数の均熱板支持部35も同様の構成を有することができる。 The multiple heat equalizer plate support parts 35 are arranged in the X direction. The heat equalizer plate support parts 35 are arranged directly below and between the upper heat equalizer plates 34a in the X direction. The multiple heat equalizer plate support parts 35 are fixed to a pair of holders 32b using fastening members such as screws. The pair of heat equalizer plate support parts 35 detachably support both ends of the upper heat equalizer plate 34a. The multiple heat equalizer plate support parts 35 supporting the multiple lower heat equalizer plates 34b can also have a similar configuration.

一対の均熱板支持部35により、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが支持されていれば、熱膨張による寸法差を吸収することができる。そのため、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが変形するのを抑制することができる。 If the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b are supported by a pair of heat equalizer plate supports 35, the dimensional difference caused by thermal expansion can be absorbed. Therefore, deformation of the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b can be suppressed.

カバー36は、板状を呈し、フレーム31の上面、底面、および側面を覆っている。すなわち、カバー36によりフレーム31の内部が覆われている。ただし、開閉扉13側のカバー36は、例えば、開閉扉13に設けることができる。
カバー36は処理領域30a、30bを囲っているが、フレーム31の上面と側面の境目、フレーム31の側面と底面の境目、開閉扉13の付近には、隙間が設けられている。
The cover 36 is plate-shaped and covers the top, bottom, and side surfaces of the frame 31. That is, the inside of the frame 31 is covered by the cover 36. However, the cover 36 on the opening/closing door 13 side may be provided on the opening/closing door 13, for example.
The cover 36 surrounds the processing regions 30 a and 30 b, but there are gaps at the boundaries between the top and sides of the frame 31 , between the sides and bottom of the frame 31 , and near the opening and closing door 13 .

また、フレーム31の上面および底面に設けられるカバー36は複数に分割されている。また、分割されたカバー36同士の間には隙間が設けられている。すなわち、処理部30(処理領域30a、処理領域30b)の内部空間は、これらの隙間を介して、チャンバ10の内部空間に連通している。そのため、処理領域30a、30bの圧力が、チャンバ10の内壁とカバー36との間の空間の圧力と同じとなるようにすることができる。カバー36は、例えば、ステンレスなどから形成される。 The cover 36 provided on the top and bottom surfaces of the frame 31 is divided into multiple pieces. Gaps are provided between the divided covers 36. That is, the internal space of the processing section 30 (processing regions 30a and 30b) is connected to the internal space of the chamber 10 through these gaps. Therefore, the pressure in the processing regions 30a and 30b can be made the same as the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36. The cover 36 is made of, for example, stainless steel.

冷却部40は、複数のヒータ32aが設けられた空間に冷却ガスを供給する。冷却部40は、処理領域30a、30bにも冷却ガスを供給するようにしてもよい。冷却部40は、冷却ガスにより、処理領域30a、30bを囲む均熱部34を冷却する。均熱部34が冷却されることで、高温状態にあるワーク100が間接的に冷却される。また、均熱部34が冷却されることで、均熱部34の熱がワーク100に伝わるのを抑制できる。冷却ガスが、処理領域30a、30bに供給される場合には、高温状態にあるワーク100が直接冷却される。 The cooling unit 40 supplies cooling gas to the space in which the multiple heaters 32a are provided. The cooling unit 40 may also supply cooling gas to the processing areas 30a, 30b. The cooling unit 40 cools the soaking area 34 surrounding the processing areas 30a, 30b with the cooling gas. By cooling the soaking area 34, the workpiece 100 in a high temperature state is indirectly cooled. In addition, by cooling the soaking area 34, the heat of the soaking area 34 can be prevented from being transferred to the workpiece 100. When the cooling gas is supplied to the processing areas 30a, 30b, the workpiece 100 in a high temperature state is directly cooled.

なお、冷却部40は必ずしも必要ではなく、省くこともできる。ただし、冷却部40が設けられていれば、ワーク100の冷却時間を短縮することができる。また、ワーク100の冷却の際に、均熱部34からの熱で、ワーク100の温度に面内分布が生じるのを抑制することができる。 The cooling section 40 is not necessarily required and can be omitted. However, if the cooling section 40 is provided, the cooling time of the workpiece 100 can be shortened. In addition, when the workpiece 100 is cooled, the heat from the soaking section 34 can suppress the occurrence of in-plane distribution in the temperature of the workpiece 100.

冷却部40は、ノズル41、ガス源42、およびガス制御部43を有する。
ノズル41は、複数のヒータ32aが設けられた空間に接続される。なお、冷却ガスを処理領域30a、30bに供給する場合には、ノズル41が処理領域30a、30bに接続される。ノズル41は、例えば、側部均熱板34c、フレーム31、カバー36に設けられた孔などに取り付けられる。ノズル41は、例えば、X方向において、処理部30の一方の側に設けることもできるし、処理部30の両側に設けることもできる。なお、ノズル41の数や配置は適宜変更することができる。
The cooling section 40 includes a nozzle 41 , a gas source 42 , and a gas control section 43 .
The nozzle 41 is connected to a space in which a plurality of heaters 32a are provided. When cooling gas is supplied to the processing regions 30a and 30b, the nozzle 41 is connected to the processing regions 30a and 30b. The nozzle 41 is attached to, for example, a hole provided in the side heat equalizer plate 34c, the frame 31, or the cover 36. The nozzle 41 can be provided, for example, on one side of the processing section 30 in the X direction, or on both sides of the processing section 30. The number and arrangement of the nozzles 41 can be changed as appropriate.

ガス源42は、ノズル41に冷却ガスを供給する。ガス源42は、例えば、高圧ガスボンベ、工場配管などとすることができる。また、ガス源42は、複数設けることもできる。 The gas source 42 supplies cooling gas to the nozzle 41. The gas source 42 can be, for example, a high-pressure gas cylinder or factory piping. In addition, multiple gas sources 42 can be provided.

冷却ガスは、加熱されたワーク100と反応し難いガスとすることができる。冷却ガスは、例えば、窒素ガス、炭酸ガス(CO)、希ガスなどである。希ガスは、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどである。冷却ガスの温度は、例えば、室温(例えば、25℃)以下とすることができる。 The cooling gas may be a gas that does not easily react with the heated workpiece 100. The cooling gas may be, for example, nitrogen gas, carbon dioxide gas (CO 2 ), or a rare gas. The rare gas may be, for example, argon gas or helium gas. The temperature of the cooling gas may be, for example, room temperature (for example, 25° C.) or lower.

ガス制御部43は、ノズル41とガス源42との間に設けられている。ガス制御部43は、例えば、冷却ガスの供給と、供給の停止と、冷却ガスの流速および流量の少なくともいずれかの制御と、を行うことができる。 The gas control unit 43 is provided between the nozzle 41 and the gas source 42. The gas control unit 43 can, for example, supply the cooling gas, stop the supply, and control at least one of the flow rate and flow rate of the cooling gas.

コントローラ50は、例えば、CPU(Central Processing Unit)などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。コントローラ50は、例えば、コンピュータなどである。コントローラ50は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、加熱処理装置1に設けられた各要素の動作を制御する。 The controller 50 includes, for example, a calculation unit such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit such as a memory. The controller 50 is, for example, a computer. The controller 50 controls the operation of each element provided in the heat treatment device 1 based on a control program stored in the storage unit.

次に、複数の支持部33についてさらに説明する。
有機膜を形成する際には、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するワーク100を、例えば、100℃~600℃程度にまで加熱する。そのため、支持部33は、耐熱性を有する材料から形成される。例えば、支持部は、ステンレスなどの金属から形成することができる。しかしながら、この様にすると、支持部が接触する基板の裏面に傷が発生する場合がある。また、支持部は、セラミックスなどから形成することもできる。支持部をセラミックスなどから形成すれば、基板の裏面に傷が発生するのを抑制することができる。しかしながら、この様にすると、製造コストが増大する。
Next, the multiple support portions 33 will be further described.
When forming an organic film, the workpiece 100 having the substrate and the solution applied to the surface of the substrate is heated, for example, to about 100°C to 600°C. For this reason, the support portion 33 is formed from a heat-resistant material. For example, the support portion can be formed from a metal such as stainless steel. However, doing so may cause scratches on the back surface of the substrate with which the support portion comes into contact. The support portion can also be formed from ceramics or the like. If the support portion is formed from ceramics or the like, it is possible to prevent scratches from occurring on the back surface of the substrate. However, doing so increases the manufacturing cost.

この場合、基板の裏面に接触させる、支持部の先端部をセラミックスなどから形成し、先端部を保持する基部をステンレスなどの金属から形成することができる。しかしながら、先端部と基部の材料が異なると、先端部と基部との間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、先端部と基部との間からパーティクルが放出される場合がある。発生したパーティクルが、ワーク100に付着すると、ワーク100の品質が低下するおそれがある。 In this case, the tip of the support, which comes into contact with the back surface of the substrate, can be made of ceramics or the like, and the base that holds the tip can be made of a metal such as stainless steel. However, if the tip and base are made of different materials, friction occurs between the tip and base due to the difference in linear expansion coefficient. This can cause particles to be released from between the tip and base. If the generated particles adhere to the workpiece 100, the quality of the workpiece 100 may be reduced.

そこで、本実施の形態に係る支持部33は、以下に説明をする構成を有している。
図2は、支持部33を例示するための模式図である。
図2に示すように、支持部33は、例えば、先端部33a、基部33b、および保持部33cを有する。
Therefore, the support portion 33 according to this embodiment has the configuration described below.
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the support portion 33. As shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the support portion 33 has, for example, a tip portion 33a, a base portion 33b, and a holding portion 33c.

先端部33aは、筒状を呈し、一方の端部(ワーク100の裏面側の端部)33a1が閉鎖されている。端部33a1はワーク100の裏面に接触する。そのため、端部33a1の形状は、半球状などとすることが好ましい。端部33a1の形状が半球状であれば、ワーク100の裏面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク100の裏面と先端部33aとの接触面積を小さくすることができるので、ワーク100から支持部33に伝わる熱を少なくすることができる。 The tip 33a is cylindrical, with one end 33a1 (the end on the back side of the workpiece 100) closed. The end 33a1 comes into contact with the back side of the workpiece 100. For this reason, it is preferable that the shape of the end 33a1 is hemispherical or the like. If the shape of the end 33a1 is hemispherical, damage to the back side of the workpiece 100 can be suppressed. In addition, since the contact area between the back side of the workpiece 100 and the tip 33a can be reduced, the heat transferred from the workpiece 100 to the support portion 33 can be reduced.

先端部33aの、他方の端部33a2は開口している。また、端部33a2には、フランジ33a3を設けることができる。フランジ33a3は、環状を呈し、先端部33aの側面から外側に向けて突出している。 The other end 33a2 of the tip 33a is open. In addition, a flange 33a3 can be provided on the end 33a2. The flange 33a3 is annular and protrudes outward from the side of the tip 33a.

先端部33aは、例えば、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどのセラミックス、またはガラスなどから形成される。先端部33aが、セラミックスやガラスなどから形成されていれば、ワーク100の裏面に損傷が発生するのを抑制することができる。 The tip 33a is formed, for example, from ceramics such as aluminum oxide or aluminum nitride, or glass. If the tip 33a is formed from ceramics or glass, it is possible to prevent damage to the back surface of the workpiece 100.

基部33bは、例えば、柱状部33b1、および取付部33b2を有する。
柱状部33b1の一方の端部側は、先端部33aの内部に隙間を介して設けられている。例えば、柱状部33b1と先端部33aの内壁との間には隙間が設けられる。柱状部33b1の他方の端部側は、取付部33b2に設けられている。柱状部33b1と取付部33b2は、一体に形成してもよいし、溶接などで接合してもよい。取付部33b2は、例えば、後述するブラケット32b1に取り付けられる。
柱状部33b1、および取付部33b2は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
The base portion 33b has, for example, a columnar portion 33b1 and an attachment portion 33b2.
One end of the columnar portion 33b1 is provided inside the tip portion 33a with a gap therebetween. For example, a gap is provided between the columnar portion 33b1 and the inner wall of the tip portion 33a. The other end of the columnar portion 33b1 is provided on the attachment portion 33b2. The columnar portion 33b1 and the attachment portion 33b2 may be formed integrally or may be joined by welding or the like. The attachment portion 33b2 is attached to, for example, a bracket 32b1 described later.
The columnar portion 33b1 and the mounting portion 33b2 can be formed from a metal such as stainless steel.

ブラケット32b1は、支持部33が取り付けられる部材である。ブラケット32b1は、例えば、板状の部材で、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ32bに固定される。ブラケット32b1は、下部均熱板34bとヒータ32aとの間に設けられる。このようにすることで、下部均熱板34bおよびヒータ32aとの干渉が防止される。しかし、ブラケット32b1の取付け位置は、これに限定されない。例えば、下部均熱板34bの上方に設けるようにしてもよい。この場合、ブラケット32b1は、下部均熱板34bをまたぐように一対のホルダ32bに固定される。また、下部均熱板34bに支持部33との干渉を防止するための孔を設ける必要もない。
ブラケット32b1は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
The bracket 32b1 is a member to which the support portion 33 is attached. The bracket 32b1 is, for example, a plate-shaped member, and is fixed to the pair of holders 32b using a fastening member such as a screw. The bracket 32b1 is provided between the lower heat equalizing plate 34b and the heater 32a. In this way, interference between the lower heat equalizing plate 34b and the heater 32a is prevented. However, the mounting position of the bracket 32b1 is not limited to this. For example, the bracket 32b1 may be provided above the lower heat equalizing plate 34b. In this case, the bracket 32b1 is fixed to the pair of holders 32b so as to straddle the lower heat equalizing plate 34b. In addition, there is no need to provide a hole in the lower heat equalizing plate 34b to prevent interference with the support portion 33.
The bracket 32b1 can be made of a metal such as stainless steel.

保持部33cは、先端部33aを保持する。保持部33cの一方の端部は、先端部33a(フランジ33a3)に取り付けられている。保持部33cの他方の端部は、基部33b(取付部33b2)またはブラケット32b1に取り付けられている。 The holding portion 33c holds the tip portion 33a. One end of the holding portion 33c is attached to the tip portion 33a (flange 33a3). The other end of the holding portion 33c is attached to the base portion 33b (mounting portion 33b2) or the bracket 32b1.

ここで、保持部33cをセラミックスなどから形成すると製造コストが増大する。保持部33cを、ステンレスなどの金属から形成すると、製造コストの増大を抑制することができる。ただし、単に、保持部33cを金属から形成すると、保持部33cと先端部33aとの間に、線膨張率の差に起因する擦れが発生する。そのため、保持部33cと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるおそれがある。 Here, if the holding portion 33c is made of ceramics or the like, the manufacturing cost will increase. If the holding portion 33c is made of a metal such as stainless steel, the increase in manufacturing costs can be suppressed. However, if the holding portion 33c is simply made of a metal, friction will occur between the holding portion 33c and the tip portion 33a due to the difference in linear expansion coefficient. Therefore, there is a risk that particles will be released from between the holding portion 33c and the tip portion 33a.

そこで、保持部33cは、金属を含む弾性体となっている。例えば、図2に示すように、保持部33cは、金属を含むコイルバネとすることができる。保持部33cは、例えば、ステンレスやインコネルから形成されたコイルバネとすることができる。保持部33cが弾性体であれば、保持部33cが変形することで、線膨張率の差に起因する、保持部33cと先端部33aとの間のズレを吸収することができる。そのため、保持部33cと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。 Therefore, the holding portion 33c is an elastic body containing metal. For example, as shown in FIG. 2, the holding portion 33c can be a coil spring containing metal. The holding portion 33c can be a coil spring made of, for example, stainless steel or inconel. If the holding portion 33c is an elastic body, the holding portion 33c can deform to absorb the misalignment between the holding portion 33c and the tip portion 33a caused by the difference in linear expansion coefficient. Therefore, it is possible to suppress the release of particles from between the holding portion 33c and the tip portion 33a.

また、保持部33cが設けられていれば、基部33b(柱状部33b1)と先端部33aの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部33bと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、基部33b(柱状部33b1)と先端部33aの内壁との間の隙間を設けることで、ワーク100が熱変形した際に、ワーク100の熱変形に合わせて支持部33の先端部33aが移動することができる。また、保持部33cによって先端部33aが支持されることで、よりワーク100の熱変形に合わせて支持部33の先端部33aが移動しやすくなる。ワーク100の熱変形に合わせて支持部33の先端部33aが移動することができると、ワーク100の裏面を傷つけることを防止することができる。したがって、ワーク100と先端部33aとの接触部分からのパーティクルの発生も抑制することができる。
また、金属を含む保持部33cとすれば、製造コストの増大を抑制することができる。
Furthermore, if the retaining portion 33c is provided, a gap can be maintained between the base 33b (columnar portion 33b1) and the inner wall of the tip portion 33a, thereby preventing particles from being released from between the base 33b and the tip portion 33a.
In addition, by providing a gap between the base 33b (columnar portion 33b1) and the inner wall of the tip portion 33a, when the workpiece 100 is thermally deformed, the tip portion 33a of the support portion 33 can move in accordance with the thermal deformation of the workpiece 100. In addition, by supporting the tip portion 33a by the holding portion 33c, the tip portion 33a of the support portion 33 can move more easily in accordance with the thermal deformation of the workpiece 100. If the tip portion 33a of the support portion 33 can move in accordance with the thermal deformation of the workpiece 100, it is possible to prevent the back surface of the workpiece 100 from being damaged. Therefore, it is also possible to suppress the generation of particles from the contact portion between the workpiece 100 and the tip portion 33a.
Furthermore, if the holding portion 33c contains metal, an increase in manufacturing costs can be suppressed.

図3は、他の実施形態に係る支持部133を例示するための模式図である。
図3に示すように、支持部133は、例えば、先端部133a、基部133b、および保持部133cを有する。
FIG. 3 is a schematic view illustrating a support portion 133 according to another embodiment.
As shown in FIG. 3, the support portion 133 has, for example, a tip portion 133a, a base portion 133b, and a holding portion 133c.

先端部133aは、筒状を呈し、一方の端部(ワーク100の裏面側の端部)133a1が閉鎖されている。端部133a1は、例えば、前述した端部33a1と同様とすることができる。
先端部133aの、他方の端部133a2は開口している。端部133a2には、フランジを設けてもよいし、フランジを設けなくてもよい。
先端部133aの材料は、例えば、前述した先端部33aの材料と同じとすることができる。
The tip portion 133a is cylindrical and has one end 133a1 (the end on the back side of the workpiece 100) that is closed. The end 133a1 may be the same as the end 33a1 described above, for example.
The other end 133a2 of the tip portion 133a is open. The end 133a2 may or may not be provided with a flange.
The material of the tip portion 133a can be, for example, the same as the material of the tip portion 33a described above.

基部133bは、例えば、柱状部133b1、および取付部133b2を有する。
柱状部133b1の一方の端部側は、先端部133aの内部に隙間を介して設けられている。例えば、柱状部133b1と先端部133aの内壁との間には隙間が設けられている。柱状部133b1の他方の端部側は、取付部133b2に設けられている。また、柱状部133b1にはフランジ133b3を設けることもできる。フランジ133b3は、先端部133aの端部133a2の近傍に設けることができる。なお、フランジ133b3は省略することもできる。ただし、フランジ133b3が設けられていれば、柱状部133b1の軸方向における、保持部133cの長さを短くすることができるので、先端部133aの姿勢を安定させることができる。
The base portion 133b has, for example, a columnar portion 133b1 and an attachment portion 133b2.
One end of the columnar portion 133b1 is provided inside the tip portion 133a via a gap. For example, a gap is provided between the columnar portion 133b1 and the inner wall of the tip portion 133a. The other end of the columnar portion 133b1 is provided on the attachment portion 133b2. The columnar portion 133b1 may also be provided with a flange 133b3. The flange 133b3 may be provided near the end 133a2 of the tip portion 133a. The flange 133b3 may also be omitted. However, if the flange 133b3 is provided, the length of the holding portion 133c in the axial direction of the columnar portion 133b1 can be shortened, so that the attitude of the tip portion 133a can be stabilized.

柱状部133b1、取付部133b2、およびフランジ133b3は、一体に形成してもよいし、溶接などで接合してもよい。取付部133b2は、例えば、ホルダ32bに設けられたブラケット32b1に取り付けられる。
柱状部133b1、取付部133b2、およびフランジ133b3は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
The columnar portion 133b1, the attachment portion 133b2, and the flange 133b3 may be integrally formed or may be joined by welding, etc. The attachment portion 133b2 is attached to, for example, a bracket 32b1 provided on the holder 32b.
The columnar portion 133b1, the mounting portion 133b2, and the flange 133b3 may be formed from a metal such as stainless steel.

保持部133cは、先端部133aを保持する。保持部133cの一方の端部は、先端部133aの端部133a2に取り付けられている。保持部133cの他方の端部は、フランジ133b3に取り付けられている。フランジ133b3が設けられない場合には、保持部133cの他方の端部は、取付部133b2に取り付けることができる。 The holding portion 133c holds the tip portion 133a. One end of the holding portion 133c is attached to the end portion 133a2 of the tip portion 133a. The other end of the holding portion 133c is attached to the flange 133b3. If the flange 133b3 is not provided, the other end of the holding portion 133c can be attached to the attachment portion 133b2.

保持部133cは、金属を含む弾性体となっている。例えば、図3に示すように、保持部133cは、金属を含む板バネとすることができる。保持部133cは、例えば、ステンレスやインコネルから形成された板バネとすることができる。保持部133cが弾性体であれば、保持部133cが変形することで、線膨張率の差に起因する、保持部133cと先端部133aとの間のズレを吸収することができる。そのため、保持部133cと先端部133aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。 The holding portion 133c is an elastic body containing metal. For example, as shown in FIG. 3, the holding portion 133c can be a leaf spring containing metal. The holding portion 133c can be a leaf spring made of, for example, stainless steel or inconel. If the holding portion 133c is an elastic body, the holding portion 133c can deform to absorb the misalignment between the holding portion 133c and the tip portion 133a caused by the difference in linear expansion coefficient. Therefore, it is possible to suppress the release of particles from between the holding portion 133c and the tip portion 133a.

また、保持部133cが設けられていれば、基部133b(柱状部133b1)と先端部133aの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部133bと先端部133aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、金属を含む保持部133cとすれば、製造コストの増大を抑制することができる。
Furthermore, if the retaining portion 133c is provided, a gap can be maintained between the base 133b (columnar portion 133b1) and the inner wall of the tip portion 133a, thereby preventing particles from being released from between the base 133b and the tip portion 133a.
Furthermore, if the holding portion 133c contains a metal, an increase in manufacturing costs can be suppressed.

図4は、他の実施形態に係る支持部233を例示するための模式図である。
図4に示すように、支持部233は、例えば、先端部33a、基部33b、および保持部233cを有する。
保持部233cは、先端部33aを保持する。
保持部233cは、第1の部分233c1、および第2の部分233c2を有する。
第1の部分233c1は、例えば、先端部33a(フランジ33a3)に設けられている。第1の部分233c1は、例えば、環状を呈する磁性体とすることができる。
第2の部分233c2は、隙間を介して第1の部分233c1と対向している。第2の部分233c2は、例えば、基部33b(取付部33b2)またはブラケット32b1に設けることができる。第2の部分233c2は、例えば、環状を呈する磁性体とすることができる。
FIG. 4 is a schematic view illustrating a support portion 233 according to another embodiment.
As shown in FIG. 4, the support portion 233 has, for example, a tip portion 33a, a base portion 33b, and a holding portion 233c.
The holding portion 233c holds the tip portion 33a.
The holding portion 233c has a first portion 233c1 and a second portion 233c2.
The first portion 233c1 is provided, for example, on the tip portion 33a (the flange 33a3). The first portion 233c1 may be made of, for example, a magnetic material having an annular shape.
The second portion 233c2 faces the first portion 233c1 with a gap therebetween. The second portion 233c2 may be provided on the base 33b (the mounting portion 33b2) or the bracket 32b1, for example. The second portion 233c2 may be made of a magnetic material having an annular shape, for example.

この場合、第1の部分233c1、および第2の部分233c2は、永久磁石とすることができる。また、第1の部分233c1の、第2の部分233c2と対向する側の磁極は、第2の部分233c2の、第1の部分233c1と対向する側の磁極と同じとなっている。例えば、第1の部分233c1の、第2の部分233c2と対向する側がS極の場合には、第2の部分233c2の、第1の部分233c1と対向する側がS極となっている。例えば、第1の部分233c1の、第2の部分233c2と対向する側がN極の場合には、第2の部分233c2の、第1の部分233c1と対向する側がN極となっている。 In this case, the first portion 233c1 and the second portion 233c2 can be permanent magnets. Also, the magnetic pole of the first portion 233c1 facing the second portion 233c2 is the same as the magnetic pole of the second portion 233c2 facing the first portion 233c1. For example, if the side of the first portion 233c1 facing the second portion 233c2 is an S pole, then the side of the second portion 233c2 facing the first portion 233c1 is an S pole. For example, if the side of the first portion 233c1 facing the second portion 233c2 is an N pole, then the side of the second portion 233c2 facing the first portion 233c1 is an N pole.

この様にすれば、第1の部分233c1と第2の部分233c2との間に反発力(斥力)が生じる。そのため、線膨張率の差に起因する、保持部233cと先端部33aとの間のズレを吸収することができる。その結果、保持部233cと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。 In this way, a repulsive force is generated between the first portion 233c1 and the second portion 233c2. Therefore, the misalignment between the holding portion 233c and the tip portion 33a caused by the difference in the linear expansion coefficient can be absorbed. As a result, it is possible to suppress the release of particles from between the holding portion 233c and the tip portion 33a.

また、保持部233cが設けられていれば、基部33b(柱状部33b1)と先端部33aの内壁との間の隙間を維持することができるので、基部33bと先端部33aとの間からパーティクルが放出されるのを抑制することができる。
また、第1の部分233c1、および第2の部分233c2が永久磁石であれば、製造コストの増大を抑制することができる。
Furthermore, if the retaining portion 233c is provided, a gap can be maintained between the base 33b (columnar portion 33b1) and the inner wall of the tip portion 33a, thereby preventing particles from being released from between the base 33b and the tip portion 33a.
Furthermore, if the first portion 233c1 and the second portion 233c2 are permanent magnets, an increase in manufacturing costs can be suppressed.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、加熱処理装置1の形状、寸法、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to these descriptions.
Any modifications to the above-described embodiments made by those skilled in the art are also encompassed within the scope of the present invention as long as they incorporate the features of the present invention.
For example, the shape, dimensions, arrangement, etc. of the heat treatment device 1 are not limited to those exemplified, and can be changed as appropriate.

また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
本実施の形態において、支持部33は、ブラケット32b1によって保持されていたが、これに限定されない。例えば、下部均熱板34bを支持する均熱板支持部35の幅を大きくし、均熱板支持部35の上面に支持部33を設けるようにしてもよい。つまり、下部均熱板34bを支持する均熱板支持部35にブラケット32b1の機能を持たせてもよい。このようにすることで、ブラケット32b1を設ける必要が無いので、部品点数が減り、メンテナンスが容易となる。あるいは、下部均熱板34bと支持部33を一体に形成してもよい。
Furthermore, the elements of each of the above-described embodiments can be combined to the greatest extent possible, and combinations of these are also included within the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
In the present embodiment, the support portion 33 is held by the bracket 32b1, but this is not limited thereto. For example, the width of the heat equalizing plate support portion 35 supporting the lower heat equalizing plate 34b may be increased, and the support portion 33 may be provided on the upper surface of the heat equalizing plate support portion 35. In other words, the heat equalizing plate support portion 35 supporting the lower heat equalizing plate 34b may have the function of the bracket 32b1. In this way, since there is no need to provide the bracket 32b1, the number of parts is reduced and maintenance is made easier. Alternatively, the lower heat equalizing plate 34b and the support portion 33 may be formed integrally.

1 加熱処理装置、10 チャンバ、20 排気部、30 処理部、30a 処理領域、30b 処理領域、32 加熱部、33 支持部、33a 先端部、33b 基部、33c 保持部、50 コントローラ、100 ワーク、133 支持部、133a 先端部、133b 基部、133c 保持部、233 支持部、233c 保持部、233c1 第1の部分、233c2 第2の部分 1 Heat treatment device, 10 Chamber, 20 Exhaust section, 30 Processing section, 30a Processing area, 30b Processing area, 32 Heating section, 33 Support section, 33a Tip section, 33b Base section, 33c Holding section, 50 Controller, 100 Workpiece, 133 Support section, 133a Tip section, 133b Base section, 133c Holding section, 233 Support section, 233c Holding section, 233c1 First section, 233c2 Second section

Claims (3)

チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、ワークを支持可能な支持部と、
前記チャンバの内部に設けられ、前記ワークを加熱可能な加熱部と、
を備え、
前記支持部は、
筒状を呈し、一方の端部が前記ワークに接触可能な先端部と、
一方の端部側が、前記先端部の内部に隙間を介して設けられた柱状部と、
前記先端部を保持する保持部と、
を有し、
前記保持部は、
前記先端部に設けられた第1の部分と、
隙間を介して、前記第1の部分に対向する第2の部分と、
を有し、
前記第1の部分、および前記第2の部分は、永久磁石であり、
前記第1の部分の、前記第2の部分と対向する側の磁極は、前記第2の部分の、前記第1の部分と対向する側の磁極と同じである加熱処理装置。
A chamber;
A support portion provided inside the chamber and capable of supporting a workpiece;
A heating unit provided inside the chamber and capable of heating the workpiece;
Equipped with
The support portion is
A tip portion having a cylindrical shape and one end of which can contact the workpiece;
A columnar portion having one end provided inside the tip portion with a gap therebetween;
A holding portion for holding the tip portion;
having
The holding portion is
A first portion provided at the tip portion;
a second portion facing the first portion via a gap;
having
the first portion and the second portion are permanent magnets;
A heat treatment apparatus, wherein a magnetic pole of the first portion on a side facing the second portion is the same as a magnetic pole of the second portion on a side facing the first portion.
前記チャンバの内部を排気可能な排気部をさらに備えた請求項1記載の加熱処理装置。 The heat treatment device according to claim 1, further comprising an exhaust unit capable of exhausting the inside of the chamber. 前記先端部は、セラミックス、またはガラスを含み、
前記柱状部は、金属を含む請求項1または2に記載の加熱処理装置。
the tip comprises ceramic or glass;
The heat treatment apparatus according to claim 1 , wherein the columnar portion includes a metal.
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