JP7586645B2 - Probe, measuring device, and measuring method - Google Patents
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Description
本発明は、プローブ、測定装置、及び測定方法に関する。 The present invention relates to a probe, a measuring device, and a measuring method.
ひずみゲージの製造工程には、ひずみゲージの入力抵抗、出力抵抗や出力電圧を測定する測定工程が含まれる。この測定工程は、ひずみゲージが設計された電気的特性を備えているか否かを検査するために行われる。同様の測定工程は、回路基板を製品に実装する際などにも行われる。 The manufacturing process for strain gauges includes a measurement process in which the input resistance, output resistance, and output voltage of the strain gauge are measured. This measurement process is performed to check whether the strain gauge has the designed electrical characteristics. A similar measurement process is also performed when mounting a circuit board on a product.
上記の測定工程では、例えば、プローブ(探針)をひずみゲージや回路基板の端子に接触させて、試験電流を流す。特許文献1は、プローブの一例を示す。 In the above measurement process, for example, a probe is brought into contact with a strain gauge or a terminal of a circuit board to pass a test current. Patent Document 1 shows an example of a probe.
被測定物(ひずみゲージ、回路基板等)の端子にプローブを接触させて被測定物の電気的特性を測定する際、測定値にばらつきが生じ得る。即ち、同一の被測定物に対して同一の条件で行った複数回の測定の結果が、互いに同一とならないことがある。このような測定値のばらつきは、測定結果の信頼性に影響を及ぼすため、望ましくない。 When a probe is brought into contact with the terminals of an object to be measured (such as a strain gauge or circuit board) to measure the electrical characteristics of the object, variations in the measured values may occur. In other words, the results of multiple measurements performed under the same conditions on the same object may not be identical. Such variations in the measured values are undesirable because they affect the reliability of the measurement results.
本発明は、測定値のばらつきを抑制することのできるプローブ、該プローブを備える測定装置、及び該プローブを用いる測定方法を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a probe that can suppress variation in measurement values, a measurement device equipped with the probe, and a measurement method that uses the probe.
本発明の第1の態様に従えば、
被測定物の電気的特性を測定するためのプローブであって、
前記被測定物に接触させる接触面を有し、
該接触面の最大高さRzが3μm以上且つ8μm以下であるプローブが提供される。
According to a first aspect of the present invention,
A probe for measuring an electrical characteristic of a device under test, comprising:
a contact surface to be brought into contact with the object to be measured;
The probe has a maximum height Rz of the contact surface of 3 μm or more and 8 μm or less.
第1の態様のプローブにおいて、 前記被測定物の、前記接触面と接触する部分に酸化被膜が形成されていてもよい。 In the probe of the first aspect, an oxide film may be formed on the portion of the object to be measured that comes into contact with the contact surface.
第1の態様のプローブにおいて、前記被測定物はひずみゲージであってもよい。 In the first aspect of the probe, the object to be measured may be a strain gauge.
本発明の第2の態様に従えば、
被測定物の電気的特性を測定するための測定装置であって、
第1の態様のプローブと、
前記プローブを保持する治具と、
前記被測定物を保持して、該被測定物を前記プローブの前記接触面に接触させる被測定物移動機構とを備える測定装置が提供される。
According to a second aspect of the present invention,
A measuring apparatus for measuring electrical characteristics of a device under test, comprising:
A probe according to the first aspect;
A jig for holding the probe;
There is provided a measuring apparatus including a device for moving the device to hold the device and bring the device into contact with the contact surface of the probe.
第2の態様の測定装置において、前記被測定物移動機構は、前記プローブの前記接触面と前記被測定物との間の接触圧力が850~1150gf/mm2となるように前記被測定物を前記プローブの前記接触面に接触させてもよい。 In the measuring device of the second aspect, the object to be measured moving mechanism may bring the object to contact the contact surface of the probe so that the contact pressure between the contact surface of the probe and the object to be measured is 850 to 1150 gf/ mm2 .
第2の態様の測定装置において、前記プローブの前記接触面を粗面化するための粗面化部材を保持して、該粗面化部材を前記接触面に接触させる粗面化部材移動機構を備えてもよい。 The measuring device of the second aspect may be provided with a roughening member moving mechanism that holds a roughening member for roughening the contact surface of the probe and brings the roughening member into contact with the contact surface.
第2の態様の測定装置において、前記治具は、複数の前記プローブをマトリックス状に保持するように構成されていてもよく、前記被測定物移動機構は、マトリックス状に保持された前記複数のプローブを前記被測定物に同時に接触させるよう構成されていてもよい。 In the measuring device of the second aspect, the jig may be configured to hold a plurality of the probes in a matrix, and the measurement object moving mechanism may be configured to simultaneously bring the plurality of probes held in a matrix into contact with the measurement object.
本発明の第3の態様に従えば、
被測定物の電気的特性を測定する測定方法であって、
第1の態様のプローブの前記接触面を前記被測定物に接触させて前記被測定物の電気的特性を測定することと、
前記接触面に粗面化処理を施すことを含む測定方法が提供される。
According to a third aspect of the present invention,
A method for measuring an electrical characteristic of a device under test, comprising:
bringing the contact surface of the probe of the first aspect into contact with the object to be measured and measuring an electrical characteristic of the object to be measured;
A method of measurement is provided that includes roughening the contact surface.
第3の態様の測定方法において、
前記粗面化処理を、所定数の前記被測定物の測定ごとに、又は所定時間が経過するごとに実行してもよい。
In the measurement method of the third aspect,
The surface roughening treatment may be performed every time a predetermined number of measurements of the object are made, or every time a predetermined time period elapses.
本発明のプローブ、該プローブを備える測定装置、及び該プローブを用いる測定方法によれば、測定値のばらつきを抑制することができる。 The probe of the present invention, the measuring device equipped with the probe, and the measuring method using the probe can reduce the variability in the measured values.
<実施形態>
本発明の実施形態のプローブ50、測定装置(インサーキットテスタ)100について、ひずみゲージストリップ900(図1(a))に含まれる複数のひずみゲージの電気的特性(入力抵抗、出力抵抗、出力電圧等)を測定する場合を例として説明する。
<Embodiment>
The
[ひずみゲージストリップ900]
被測定物であるひずみゲージストリップ900は、図1(a)に示す通り、平面視略矩形のゲージベース910と、ゲージベース910上に形成された配線層920とを含む。
[Strain Gauge Strip 900]
A
ゲージベース910は、絶縁樹脂、例えばPI(ポリイミド)樹脂、エポキシ樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂等より形成されたフィルム状のシートとし得る。ゲージベース910の厚さは、一例として、20μm~30μm程度とし得る。ゲージベース910の四隅の各々には、ゲージベース910を厚さ方向に貫通するアライメント孔910hが形成されている。
The
配線層920は、一例として、銅ニッケル合金により形成されている。配線層920は、5行×4列のマトリックス状に配置された複数のゲージパターンGP11~GP54を含む。配線層920の厚さは、一例として、3μm~5μm程度とし得る。
The
ゲージパターンGP11~GP54の各々は、図1(b)、図1(c)に示す通り、4つの抵抗体R1、R2、R3、R4と、4つの端子TA、TB、TC、TDと、これらを接続する配線Wとを含む。4つの抵抗体R1~R4、4つの端子TA~TD、及び配線Wによりホイートストンブリッジ回路が構成されている。 1(b) and 1(c), each of the gauge patterns GP11 to GP54 includes four resistors R1 , R2 , R3 , and R4 , four terminals T1, T2 , T3 , and T4 , and wiring W that connects them. The four resistors R1 to R4 , the four terminals T1 to T4 , and the wiring W form a Wheatstone bridge circuit.
ゲージベース910の一部分と、当該一部分の上に形成されたゲージパターンGP11~GP54により、ひずみゲージSG11~SG54がそれぞれ構成される。以下、ゲージパターンGP11~GP54を総称して、ゲージパターンGPmnと呼び、ひずみゲージSG11~SG54を総称して、ひずみゲージSGmnと呼ぶ。
Strain gauges SG11 to SG54 are respectively formed by a portion of the
[測定装置100]
図2に示す通り、測定装置100は、ベース10と、ベース10に内蔵された駆動機構20と、駆動機構20によって移動可能に支持されたテーブル30と、ベース10の上面に配置されたプローブ保持機構40とを備える。プローブ保持機構40は、複数のプローブ50を保持している。
[Measuring device 100]
2, the
測定装置100は更に、複数のプローブ50の各々と配線(不図示)で接続された測定実行部60と、プローブ保持機構40に隣接するマーキング機構70と、測定装置100の全体的な動作を制御する制御部CONTとを備える。
The
以下においては、図2の左右方向を測定装置100のスライド方向と呼び、図2の奥行方向(紙面に直交する方向)を測定装置100の幅方向と呼ぶ。スライド方向は、駆動機構20がテーブル30を水平面に沿ってスライドさせる方向であり、幅方向は水平面内においてスライド方向に直交する方向である。また、図2の上下方向、即ちスライド方向及び幅方向に直交する方向を上下方向と呼ぶ。スライド方向においては、図2においてテーブル30が位置する側をワーク設置側と呼び、プローブ保持機構40が位置する側をワーク測定側と呼ぶ。
In the following, the left-right direction in Fig. 2 is referred to as the sliding direction of the
ベース10は、中空の箱状であり、水平面に沿って広がる天板10tを有する。天板10tには、スライド方向に延びる長手の開口10A(図2、図4)が形成されている。
The
駆動機構20は、テーブル30をスライド方向及び上下方向に移動させるための機構である。駆動機構20は、本体部21と、本体部21によって移動される支持部22とを有する。
The
本体部21は、ベース10の内部に収容されて、天板10tの近傍に位置している。本体部21は、支持部22をスライド方向及び上下方向に移動可能な任意の機構であってよい。本体部21は、一例として、モータやピエゾアクチュエータを含む動力発生機構と、歯車、ベルト、チェーン、プーリ等を含む動力伝達機構とにより構成されている。
The
支持部22は、上下方向に延びる柱状の構造である。支持部22は、本体部21の上面から、天板10tの開口部10Aを通って、天板10tの上方まで延びている。
The
テーブル30は、図3に示す通り、平面視略正方形の平板である。 As shown in FIG. 3, the table 30 is a flat plate that is roughly square in plan view.
テーブル30の上面30uの四隅の各々には、上面30uから直立する円柱状のアライメントピン30pが設けられている。テーブル30の上面30uの周縁部には、各辺に沿って並ぶ複数の吸気孔30hが設けられている。複数の吸気孔30hの各々は、テーブル30内部の空気流路(不図示)、及びテーブル30に接続されて空気流路に連通した可撓性の吸気ホース(不図示)を介して、吸気装置(不図示)に接続されている。
At each of the four corners of the
テーブル30の下面は、駆動機構20の支持部22の上端に固定されている。これによりテーブル30は、スライド方向及び上下方向に移動可能な状態で、駆動機構20に支持される。
The underside of the table 30 is fixed to the upper end of the
プローブ保持機構40は、複数のプローブ50を保持する長方体の治具41と、治具41を支持する4つの支持柱42とを有する。
The probe holding mechanism 40 has a
図4に示す通り、治具41には、治具41を上下方向に貫通する複数の保持孔41hがマトリックス状に形成されている。本実施形態では、複数の保持孔41hが80個(幅方向に5行×スライド方向に16列)形成されている。
As shown in FIG. 4, the
4つの支持柱42は、天板10tの上面から上方に延びて、治具41の下面の四隅に接続されている。幅方向に並ぶ2つの支持柱42は、開口10Aを幅方向に挟んでいる。
The four
複数のプローブ50の各々(図5)は、一例としてタングステン、銅、プラチナ、金等の金属で形成されている。複数のプローブ50の各々は、一例として円柱形状を有する。プローブ50の一端部は、測定時にひずみゲージSGmnの端子TA~TDに接触する接触面50cである。
Each of the multiple probes 50 (FIG. 5) is formed of a metal such as tungsten, copper, platinum, gold, etc. Each of the
接触面50cは一例として円形状である。接触面50cの直径は、一例として約0.1mm~1.2mm程度とし得る。接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)は、3μm≦Rz≦8μmであることが好ましい。これにより、測定値のばらつきが抑制され、且つ測定時のひずみゲージの損傷が防止される。その理由は後述する。なお、本明細書及び本発明において、「最大高さRz」は、JIS B 0601-2001に準拠して定義、測定される最大高さRzを意味する。
As an example, the
複数のプローブ50は、治具41の複数の保持孔41hにそれぞれが挿入されて、マトリックス状に配置される。図2に示す通り、複数のプローブ50の各々は、接触面50cを下方に向け、且つ治具41を上下に貫通した状態で、保持孔41hの内部に収容される。
The
図4に示す通り、治具41は、80個のプローブ50を保持して、5行×16列のマトリックス状に配置する。また、幅方向に並ぶ4つのプローブ50をプローブセット50S(図4)と捉えると、治具41は、20個のプローブセット50Sを保持して、5行×4列のマトリックス状に配置する。各プローブセット50Sの4つのプローブ50は、測定時に、各ひずみゲージSGmnの4つの端子TA~TDに接触する(詳細後述)。
As shown in Fig. 4, the
測定実行部60は、プローブ50を用いてひずみゲージSGmnの入力抵抗、出力抵抗、及び出力電圧を測定する部分である。測定実行部60は、ベース10の内部に配置され、不図示の配線により、複数のプローブ50の各々に接続されている。
The
測定実行部60は、電源61と、デジタルマルチメータ(DMM)62と、リレー回路(測定用回路)63とを含む。電源61は測定用の入力電圧を供給する。DMM62は、ひずみゲージSGmnの入力抵抗、出力抵抗、出力電圧等を測定する。リレー回路63は、電源61、DMM62、及び複数のプローブ50の各々を接続する回路である。リレー回路63の構成は、測定内容に応じて切り替え可能(変更可能)である。
The
マーキング機構70は、測定実行部60が行った測定の結果に基づいて、所定のひずみゲージSGmnに印(マーク)を付すための機構である。マーキング機構70は、スライド方向において、治具41のワーク設置側に配置されている。
The marking
マーキング機構70は、ペン先71tを有するペン71と、ペン71を幅方向及び上下方向に移動可能に保持するペン保持機構72とを有する。なお、マーキング機構70は、ペンを用いたものに限らず、針やカッターでマーキングするものであっても良い。
The marking
ペン71は、ペン先71tを下方に向けて、ペン保持機構72に保持されている。ペン保持機構72は、ペン71を幅方向及び上下方向に移動可能な任意の機構であってよい。ペン保持機構72の一例は、エアスライダである。
The
制御部CONTは、ベース10の内部に収容されている。制御装置CONTは、駆動機構20、測定実行部60、マーキング機構70に接続されており、これらと通信可能である。
The control unit CONT is housed inside the
[測定方法]
プローブ50、測定装置100を用いたひずみゲージSGmnの電気的特性(入力抵抗、出力抵抗、出力電圧等)の測定は、図6のフローチャートに示す通り、ワーク設置工程S1、測定工程S2、マーキング工程S3を含む。
[Measurement method]
Measurement of the electrical characteristics (input resistance, output resistance, output voltage, etc.) of the strain gauge SG mn using the
ワーク設置工程S1においては、被測定物であるひずみゲージストリップ900を、測定装置100のテーブル30に設置する。ワーク設置工程S1は、具体的には例えば、次のように行う。
In the workpiece installation step S1, the
まず、テーブル30を治具41から最も離れた位置(図7(a)。以下、「ワーク設置位置」と呼ぶ)に移動させて、テーブル30上にひずみゲージストリップ900を設置する。この時、テーブル30の四隅のアライメントピン41pをゲージベース910の四隅のアライメント孔910hの内部にそれぞれ配置することで、ひずみゲージストリップ900のテーブル30に対する位置合わせを容易に行うことができる。
First, the table 30 is moved to the position farthest from the jig 41 (FIG. 7(a) hereinafter referred to as the "workpiece installation position"), and the
次に、テーブル30の吸気孔30hを介した吸気を行ってひずみゲージストリップ900を吸引し、ひずみゲージストリップ900をテーブル30に固定する。吸気孔30hを介した吸引に加えて、又はこれに代えて、おもりを用いることもできる。具体的には例えば、額縁状の金属枠の底面に樹脂を貼り付けたおもりをひずみゲージストリップ900の周縁部に乗せて、ひずみゲージストリップ900の周縁部を上から押さえつけてもよい。
Next, air is sucked in through the
ひずみゲージストリップ900をテーブル30の上面30uに密着させることで、換言すればひずみゲージストリップ900が平坦となるように保持することで、複数のプローブ50を複数のひずみゲージSGmnの端子TA~TDに均一な状態で接触させることができる。これにより測定工程S2における測定の精度をより高めることができる。
By closely contacting the
測定工程S2においては、ひずみゲージストリップ900に含まれるひずみゲージSGmnの各々の電気的特性を、複数のプローブ50及び測定実行部60を主に用いて行う。測定工程S2は、具体的には例えば、次のように行う。
In the measurement step S2, the electrical characteristics of each of the strain gauges SG mn included in the
まず、テーブル30を治具41の真下の位置(図7(b)。以下、「スタンバイ位置」と呼ぶ)までスライドさせる。その後、テーブル30を、複数のプローブ50の接触面50cがひずみゲージストリップ900に接触する位置(図7(c)。以下、「測定位置」と呼ぶ)まで上昇させて停止させる。
First, the table 30 is slid to a position directly below the jig 41 (FIG. 7(b) hereinafter referred to as the "standby position"). After that, the table 30 is raised to a position where the contact surfaces 50c of the
テーブル30が測定位置で停止した状態においては、複数のプローブ50の各々は、ひずみゲージストリップ900の複数のひずみゲージSGmnの各々に接触する。具体的には、各プローブセット50Sに含まれる4つのプローブ50が、ひずみゲージSGmnの各々の端子TA~TDにそれぞれ接触する。接触圧(プローブ押し圧)は、一例として、1本のプローブ50あたり約60~約80gf(約850~約1150gf/mm2)程度とし得る。
When the table 30 is stopped at the measurement position, each of the
次に、測定実行部60が、ひずみゲージSGmnの各々について、入力抵抗、出力抵抗、出力電圧を測定する。具体的な測定方法は、一例として次の通りである。
Next, the
測定実行部60は、まず、次の工程によりひずみゲージSG11の測定を行う。
The
(1)リレー回路63を用いて、電源61、端子TAに接触するプローブ50、端子TA、端子TC、端子TCに接触するプローブ50、及びDMM62を繋ぐ閉回路を構成し、ひずみゲージSG11の入力抵抗を測定する。
(2)リレー回路63を用いて、電源61、端子TBに接触するプローブ50、端子TB、端子TD、端子TDに接触するプローブ50、DMM62を繋ぐ閉回路を構成し、ひずみゲージSG11の出力抵抗を測定する。
(3)リレー回路63及びプローブ50を用いて、電源部61を端子TA、TCに接続し、DMM62を端子TB、TDに接続する。電源部61によりひずみゲージSG11に入力電圧Vinを与えた状態で、DMM62でひずみゲージSG11の出力電圧Voutを測定する(ゼロバランスの測定)。
(1) Using a
(2) Using a
(3) Using the
測定実行部60は、測定されたひずみゲージSG11の入力抵抗、出力抵抗、及び出力電圧を制御部CONTに送る。
The
測定実行部60は、ひずみゲージSG11の測定が終了した後、リレー回路63を切り替えて、ひずみゲージSG12について同様の測定を行う。測定実行部60は、20個のひずみゲージSGmnの全てについて順番に同様の測定を行う。測定されたひずみゲージSGmnの各々の入力抵抗、出力抵抗、出力電圧は、制御部CONTに送られる。
After completing the measurement of strain gauge SG11 , the
マーキング工程S3においては、マーキング機構70が、測定工程S2の測定結果に応じて、ひずみゲージSGmnの内の所定のひずみゲージにマーキングを行う。マーキング工程は、具体的には例えば、次のように行う。
In the marking step S3, the marking
まず、テーブル30を、測定位置からスタンバイ位置まで降下させ、マーキング機構70の真下の位置(図7(d)。以下、「マーキング位置」と呼ぶ)までスライドさせる。 First, the table 30 is lowered from the measurement position to the standby position, and then slid to a position directly below the marking mechanism 70 (Figure 7(d) (hereinafter referred to as the "marking position").
一方で、制御部CONTは、測定工程S2において測定実行部60から受け取ったひずみゲージSGmnの各々の測定値(入力抵抗、出力抵抗、出力電圧)を所定の基準値と比較し、各測定値が許容公差内であるか否かを判定する。
On the other hand, the control unit CONT compares each measurement value (input resistance, output resistance, output voltage) of the strain gauge SG mn received from the
制御部CONTは、複数のひずみゲージSGmnの内のいずれかにおいて、測定値が許容公差外である場合は、当該ひずみゲージをペン71の真下に配置する。スライド方向の位置合わせはテーブル30を移動することにより行われ、幅方向の位置合わせはペン保持機構72を移動することにより行われる。
When the measured value of any of the plurality of strain gauges SG mn is outside the allowable tolerance, the control unit CONT disposes that strain gauge directly below the
次いで制御部CONTは、ペン保持機構72を用いてペン71を降下させ、測定値が許容公差内ではないと判定したひずみゲージに印をつける。
The control unit CONT then uses the
制御部CONTは、測定値が許容公差内ではないと判定されたひずみゲージのすべてに対してマーキングを行った後、テーブル30をワーク設置位置に戻す。 The control unit CONT marks all strain gauges whose measured values are determined to be outside the allowable tolerance, and then returns the table 30 to the workpiece installation position.
その後は、測定済のひずみゲージストリップ900をテーブル30から取り外し、ワーク設置工程S1、測定工程S2、マーキング工程S3を繰り返す。
Then, the measured
[ドレッシング方法]
ここで、プローブ50の接触面50cに対してドレッシング(粗面化)を行い、接触面50cに所望の表面粗さを与えるドレッシング方法(粗面化方法)について説明する。
[Dressing method]
Here, a dressing method (surface roughening method) for dressing (roughening) the
測定装置100を用いたひずみゲージストリップ900の測定を継続的に行った場合、測定装置100のプローブ50において、接触面50cの表面粗さが低下する(最大高さRzが小さくなる)ことが観察されている。これは、接触面50cが測定の度に接触する端子TA~TDによって押圧され、接触面50cに平滑化が生じるためである。
It has been observed that when measurements of the
したがって、所定数のひずみゲージストリップ900の測定ごとに、又は所定時間経過ごとに(周期的に)、接触面50cのドレッシングを行い、接触面50cの最大高さRzを3μm≦Rz≦8μmの範囲に戻すことが好ましい。
Therefore, it is preferable to dress the
ドレッシングは、具体的には例えば、次のように行う。 Specifically, dressing is performed as follows, for example:
まず、テーブル30をワーク設置位置に移動し、平面視矩形のサンドペーパー(粗面化部材)を、テーブル30の上に設置する。アライメントピン30pを用いた位置合わせが可能となるよう、サンドペーパーの四隅にアライメント孔を設けてもよい。サンドペーパーは、ひずみゲージストリップ900と同一の寸法、厚さを有していてもよい。
First, the table 30 is moved to the work placement position, and sandpaper (roughened member) that is rectangular in plan view is placed on the table 30. Alignment holes may be provided at the four corners of the sandpaper so that alignment can be performed using the alignment pins 30p. The sandpaper may have the same dimensions and thickness as the
次に、サンドペーパーが設置されたテーブル30を、スタンバイ位置まで移動し、上昇させる。これにより、サンドペーパーが所定の圧力(一例としてプローブ1本あたり約60gf~約80gf程度とし得る)で接触面50cに押し付けられてサンドペーパーの粗さが接触面50cに転写され、接触面50cのドレッシングがなされる。テーブル30の上昇、降下を複数回繰り返して、サンドペーパーを接触面50cに複数回押し付けてもよい。
Next, the table 30 on which the sandpaper is placed is moved to the standby position and raised. This causes the sandpaper to be pressed against the
その後、テーブル30をワーク設置位置に戻してサンドペーパーをクリーンクロス(清拭布)に置き換え、サンドペーパーと同様に、接触面50cに、一回、又は複数回押し付ける。クリーンクロスにエタノール等を染み込ませておいてもよい。
Then, return the table 30 to the workpiece installation position, replace the sandpaper with a cleaning cloth (wiping cloth), and press it against the
清拭が完了した後は、テーブル30をワーク設置位置に戻してクリーンクロスを次の被測定物(ひずみゲージストリップ900)に置き換え、ひずみゲージSGmnの電気的特性の測定を再開する。 After the wiping is completed, the table 30 is returned to the workpiece installation position, the cleaning cloth is replaced with the next object to be measured (strain gauge strip 900), and measurement of the electrical characteristics of the strain gauge SG mn is resumed.
[表面粗さ(最大高さRz)を3μm≦Rz≦8μmとすることの意義]
次に、本実施形態のプローブ50において、接触面50cの最大高さRzを3μm以上、且つ8μm以下とすることが好ましい理由を説明する。
[Significance of surface roughness (maximum height Rz) being 3 μm≦Rz≦8 μm]
Next, the reason why it is preferable to set the maximum height Rz of the
まず、接触面50cの最大高さRzを3μm以上とすることが好ましい理由は次の通りである。
First, the reason why it is preferable to set the maximum height Rz of the
本発明の発明者は、プローブを用いてひずみゲージの電気的特性を測定する際に生じる測定値のばらつきを抑制する方法を鋭意研究し、プローブの接触面の表面粗さ(最大高さRz)に着目した。本発明の発明者の知見によれば、測定値のばらつきは、プローブの接触面とひずみゲージの端子との接触状態が、測定のたびにわずかに異なり、これにより接触面と端子との間に生じる接触抵抗が変化することに起因する。さらに本発明の発明者は、プローブの接触面の最大高さRzを3μm以上とすることで、プローブの接触面とひずみゲージの端子との接触状態を安定させることができ、接触抵抗の変化を十分に抑制することができることを見出した。 The inventors of the present invention have intensively studied methods for suppressing the variation in measurement values that occurs when measuring the electrical characteristics of a strain gauge using a probe, and have focused on the surface roughness (maximum height Rz) of the contact surface of the probe. According to the knowledge of the inventors of the present invention, the variation in measurement values is caused by the contact state between the contact surface of the probe and the terminal of the strain gauge being slightly different each time a measurement is performed, which changes the contact resistance that occurs between the contact surface and the terminal. Furthermore, the inventors of the present invention have found that by making the maximum height Rz of the contact surface of the probe 3 μm or more, the contact state between the contact surface of the probe and the terminal of the strain gauge can be stabilized, and the change in contact resistance can be sufficiently suppressed.
本発明の発明者は、上記の知見に基づき、次の試験を行った。 Based on the above findings, the inventors of the present invention conducted the following tests.
まず、同種類のプローブの接触面を番手の異なるやすりで処理して、接触面の最大高さRzが約3μm以上である実施例1~11のプローブと、接触面の最大高さRzが約3μm未満である比較例1~3のプローブをそれぞれ4つずつ準備した。また、サンプルひずみゲージを1つ用意した。 First, the contact surfaces of the same type of probes were processed with files of different grits to prepare four probes each of Examples 1 to 11, in which the maximum height Rz of the contact surface is approximately 3 μm or more, and Comparative Examples 1 to 3, in which the maximum height Rz of the contact surface is less than approximately 3 μm. In addition, one sample strain gauge was prepared.
実施例1~11のプローブ、及び比較例1~3のプローブはいずれも、タングステンにより形成されており、接触面は直径0.3mmの円形である。 The probes in Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 are all made of tungsten and have a circular contact surface with a diameter of 0.3 mm.
実施例1~11のプローブ、及び比較例1~3のプローブの各々の接触面の最大高さRzは図8に示す通りである。 The maximum height Rz of the contact surface of each of the probes of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 is as shown in Figure 8.
実施例1~11のプローブ、及び比較例1~3のプローブの最大高さRzは、JISB 0601-2001に準拠して測定した。 The maximum height Rz of the probes in Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 was measured in accordance with JIS B 0601-2001.
また、サンプルひずみゲージは、図1(b)に示す構造を有するものとした。サンプルひずみゲージの配線層の材質は銅ニッケル合金、厚さは約5μmとした。サンプルひずみゲージのゲージベースの材質はPI(ポリイミド)、厚さは約25μmとした。 The sample strain gauge had the structure shown in Figure 1(b). The wiring layer of the sample strain gauge was made of copper-nickel alloy and had a thickness of approximately 5 μm. The gauge base of the sample strain gauge was made of PI (polyimide) and had a thickness of approximately 25 μm.
次に、実施例1のプローブを、1つのプローブセット50Sを構成するように測定装置100の治具41によって保持し、測定装置100を用いてサンプルひずみゲージの入力抵抗、出力抵抗の測定を、それぞれ3回ずつ行った。3回の測定において、プローブ押し圧は一定(プローブ一本あたり70gf)とした。その後、入力抵抗、出力抵抗の各々について3回の測定により得られた3つの測定値のばらつき(最大値と最小値の差分)を求めた。
Next, the probes of Example 1 were held by the
また、実施例2~実施例11の各プローブ、比較例1~3の各プローブについても、実施例1と同様にサンプルひずみゲージの入力抵抗、出力抵抗をそれぞれ3回ずつ測定し、入力抵抗、出力抵抗の各々について3つの測定値のばらつきを求めた。各実施例及び各比較例の測定において、サンプルひずみゲージは共通のものを使用した。 For each probe of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 3, the input resistance and output resistance of the sample strain gauge were each measured three times in the same manner as in Example 1, and the variation in the three measured values for each of the input resistance and output resistance was determined. The same sample strain gauge was used in the measurements of each Example and Comparative Example.
測定の結果を図8に示す。図8においては、入力抵抗、出力抵抗ともに3つの測定値の間のばらつきが±1Ω未満であるものを〇で示している。一方で、入力抵抗、出力抵抗ともに3つの測定値の間のばらつきが±1Ω以上であるものを×で示している。図8に示す通り、最大高さRzが3μm以上である実施例1~11においては測定値のばらつきは±1Ω未満に収まっており、最大高さRzが3μm未満である比較例1~3においては、測定値のばらつきが±1Ω以上となっている。 The measurement results are shown in Figure 8. In Figure 8, input and output resistances with a variation between the three measured values of less than ±1 Ω are indicated with a circle. On the other hand, input and output resistances with a variation between the three measured values of more than ±1 Ω are indicated with an x. As shown in Figure 8, in Examples 1 to 11, where the maximum height Rz is 3 μm or more, the variation in the measured values is less than ±1 Ω, while in Comparative Examples 1 to 3, where the maximum height Rz is less than 3 μm, the variation in the measured values is more than ±1 Ω.
なお、本発明の発明者の知見によれば、プローブの接触面の最大高さRzが小さい場合に測定値のばらつきが大きくなる理由の一つは、次の通りである。 According to the knowledge of the inventors of the present invention, one of the reasons why the variation in the measurement values increases when the maximum height Rz of the probe contact surface is small is as follows.
図9(a)にプローブの接触面CS1の簡略化した断面図を、図10(a)にプローブの接触面CS2の簡略化した断面図をそれぞれ示す。接触面CS1の最大高さRzは、接触面CS2の最大高さRzよりも小さい。図9(a)、図10(a)において、点線L11、L21は、ひずみゲージの端子の表面の位置を示す。接触面CS1、CS2が点線L11、L21よりも下方に位置する部分は、接触面CS1、CS2が端子の表面を押し下げて端子の内部に埋まっている。即ち、接触面CS1、CS2が端子の表面に噛み込んでいる。 Fig. 9(a) shows a simplified cross-sectional view of the contact surface CS1 of the probe, and Fig. 10(a) shows a simplified cross-sectional view of the contact surface CS2 of the probe. The maximum height Rz of the contact surface CS1 is smaller than the maximum height Rz of the contact surface CS2. In Fig. 9(a) and Fig. 10(a), dotted lines L11 and L21 indicate the positions of the surfaces of the terminals of the strain gauge. In the portions of the contact surfaces CS1 and CS2 located below the dotted lines L11 and L21 , the contact surfaces CS1 and CS2 press down on the surfaces of the terminals and are embedded inside the terminals. In other words, the contact surfaces CS1 and CS2 bite into the surfaces of the terminals.
図9(b)、図10(b)に示すように、プローブが端子に対して微小角度θ0だけ傾斜し、端子の表面が点線L12、L22で示す位置に移動すると、接触面CS1、CS2と端子の表面との接触面の広さは、概ね、図9(b)、図10(b)に示した太線の長さに応じた量だけ変化する。図9(b)、図10(b)から読み取れるように、プローブの端子に対する角度が変化した場合には、最大高さRzの小さい接触面CS1において接触面積の変化が大きく、接触抵抗の変化も大きい傾向にある。 As shown in Figures 9(b) and 10(b), when the probe is tilted at a small angle θ0 with respect to the terminal and the surface of the terminal moves to the position indicated by the dotted lines L12 and L22 , the area of the contact surface between the contact surfaces CS1 and CS2 and the surface of the terminal changes approximately by an amount corresponding to the length of the thick lines shown in Figures 9(b) and 10(b). As can be seen from Figures 9(b) and 10(b), when the angle of the probe with respect to the terminal changes, the change in the contact area is large at contact surface CS1, which has a small maximum height Rz, and the change in contact resistance also tends to be large.
また、最大高さRzが小さい接触面CS1においては、プローブが端子に対して微小角度θ13を超えて傾斜すると、接触面CS1の一部が、点線L13で示す位置にある端子の表面から離れてしまい、接触面積が小さくなる。最大高さRzが大きい接触面CS2においても、プローブが端子に対して微小角度θ23を超えて傾斜すると、接触面CS2の一部が、点線L23で示す位置にある端子の表面から完全に離れてしまうが、角度θ23は、角度θ13よりも大きい。 In addition, in the case of contact surface CS1 having a small maximum height Rz, when the probe is inclined with respect to the terminal by more than the small angle θ13 , a part of contact surface CS1 moves away from the surface of the terminal at the position indicated by dotted line L13 , resulting in a small contact area. In the case of contact surface CS2 having a large maximum height Rz, when the probe is inclined with respect to the terminal by more than the small angle θ23 , a part of contact surface CS2 moves away completely from the surface of the terminal at the position indicated by dotted line L23 , but the angle θ23 is greater than the angle θ13 .
このように、端子に対するプローブの角度が変化した場合には、最大高さRzが比較的小さい接触面CS1において、最大高さRzが比較的大きい接触面CS2よりも、接触面積がより大きく変化し、接触抵抗がより大きく変化する傾向にある。 In this way, when the angle of the probe relative to the terminal changes, the contact area and contact resistance tend to change more significantly on contact surface CS1, which has a relatively small maximum height Rz, than on contact surface CS2, which has a relatively large maximum height Rz.
また、図9(c)、図10(c)に示すように、プローブが端子から微小距離d0だけ遠ざかり、端子の表面が点線L14、L24で示す位置に移動すると、接触面CS1、CS2と端子の表面との接触面は、概ね、図9(c)、図10(c)に示した太線の長さに応じた量だけ変化する。図9(c)、図10(c)から読み取れるように、プローブの端子に対する距離が変化した場合も、最大高さRzの小さい接触面CS1において接触面積の変化が大きく、接触抵抗の変化も大きくなる傾向にある。 9(c) and 10(c), when the probe moves away from the terminal by an infinitesimal distance d0 and the surface of the terminal moves to the position indicated by the dotted lines L14 and L24 , the contact areas between the contact surfaces CS1 and CS2 and the surface of the terminal change by an amount that generally corresponds to the length of the thick lines shown in Fig. 9(c) and 10(c). As can be seen from Fig. 9(c) and 10(c), even when the distance between the probe and the terminal changes, there tends to be a large change in the contact area and a large change in contact resistance at contact surface CS1, which has a small maximum height Rz.
このように、プローブの接触面の最大高さRzが小さい場合には、端子に対する接触状態の変化に応じた接触面積、ひいては接触抵抗の変化量が大きくなり、測定値のばらつきも大きくなる傾向にある。 Thus, when the maximum height Rz of the probe's contact surface is small, the contact area and therefore the amount of change in contact resistance in response to changes in the contact state with the terminal tend to increase, leading to greater variance in the measured values.
なお、銅ニッケル合金で形成されたひずみゲージの端子には、通常、3μm程度か、これよりも薄い酸化被膜が形成されている。本発明の発明者の知見によれば、接触面の最大高さが3μmよりも大きい場合には、接触面の凸部(接触面の断面図においてミクロの山を形成する部分)が酸化被膜を突き破り、接触面のより多くの領域が、ひずみゲージの端子に直接的に接触する。このように、接触面のより多くの領域を、酸化被膜を介さずに端子に直接的に接触させることによっても、接触状態が安定し、接触状態の変化に応じた接触抵抗の変化量が抑制される。 The terminals of strain gauges made of copper-nickel alloys usually have an oxide film of about 3 μm or thinner. According to the findings of the inventors of the present invention, when the maximum height of the contact surface is greater than 3 μm, the convex parts of the contact surface (the parts that form micro-mountains in the cross-sectional view of the contact surface) break through the oxide film, and a larger area of the contact surface comes into direct contact with the terminals of the strain gauge. In this way, by bringing a larger area of the contact surface into direct contact with the terminals without an oxide film, the contact state is stabilized, and the amount of change in contact resistance in response to changes in the contact state is suppressed.
以上より、接触面50cの最大高さRzは3μm以上とすることが好ましい。これにより、測定値のばらつきを良好に抑制することができる。
For these reasons, it is preferable that the maximum height Rz of the
次に、接触面50cの最大高さRzを8μm以下とすることが好ましい理由は次の通りである。
Next, the reasons why it is preferable to set the maximum height Rz of the
ひずみゲージは一般に、可撓性の誘電体により形成されたゲージベースの上に、抵抗体を含む導電性の配線層が形成された構造を有し、使用時には、金属等の導電体である起歪体にゲージベースを貼り付ける。すなわち、ゲージベースは、配線と起歪体とを絶縁する機能を果たす。 Strain gauges generally have a structure in which a conductive wiring layer including a resistor is formed on a gauge base made of a flexible dielectric material, and when in use, the gauge base is attached to the strain element, which is a conductor such as metal. In other words, the gauge base serves the function of insulating the wiring from the strain element.
ここで、ひずみゲージを用いたひずみの計測を良好に行うためには、配線層の抵抗体を、起歪体の伸縮に応じて良好に伸縮させる必要がある。そのため、絶縁性のみを考慮してゲージベースを厚くすることは現実的ではない。 Here, in order to properly measure strain using a strain gauge, it is necessary for the resistor in the wiring layer to expand and contract appropriately in response to the expansion and contraction of the strain-generating body. For this reason, it is not realistic to make the gauge base thicker by considering only insulation properties.
上記の点を考慮して、ひずみゲージは一般に、配線層の厚さが3~5μm程度であり、ゲージベースの厚さは25μm程度である。 Taking the above into consideration, strain gauges generally have a wiring layer thickness of about 3 to 5 μm and a gauge base thickness of about 25 μm.
本発明の発明者の知見によると、プローブの接触面の最大高さが8μm以下では、プローブの接触面をひずみゲージの端子に接触させた際に、プローブの接触面の凸部がゲージベースを過度に傷つけることがない。したがって、ゲージベースの損傷により、ゲージベースの絶縁性能が低下し、ひずみゲージの性能劣化が生じ得ることが防止される。 According to the findings of the inventors of the present invention, when the maximum height of the contact surface of the probe is 8 μm or less, the convex portion of the contact surface of the probe does not excessively damage the gauge base when the contact surface of the probe is brought into contact with the terminal of the strain gauge. This prevents damage to the gauge base from degrading the insulation performance of the gauge base and causing performance degradation of the strain gauge.
以上より、接触面50cの最大高さRzは8μm以下とすることが好ましい。
For these reasons, it is preferable that the maximum height Rz of the
本実施形態のプローブ50、測定装置100、及び測定方法の効果を以下にまとめる。
The effects of the
本実施形態のプローブ50は、被測定物であるひずみゲージSGmnの端子TA~TDに接触する接触面の表面粗さ(最大高さRz)が、3μm以上である。したがって、端子TA~TDに対する接触状態の変化に応じた接触抵抗の変化が小さく、複数回の測定を行った場合に測定値のばらつきを抑制することができる。
In the
また、ひずみゲージSGmnの端子TA~TDには、一般的に3μm程度であるかこれよりも薄い酸化被膜が形成されているため、接触面の最大高さを3μm以上とすることで、酸化被膜を突き破って、接触面50cと端子TA~TDとを良好に接触させることができる。これにより、接触状態の変化に応じた接触抵抗の変化量を抑制し、測定値のばらつきを抑制することができる。
Furthermore, since an oxide film that is generally about 3 μm or thinner is formed on the terminals T A to T D of the strain gauge SG mn , by making the maximum height of the contact surface 3 μm or more, the oxide film can be broken through and good contact can be made between the
本実施形態のプローブ50は、接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)が8μm以下である。したがって、接触面50cと端子TA~TDとの接触によるゲージベース910の損傷が防止されている。また、端子TA~TDに接触痕が残ることも抑制される。
In the
即ち本実施形態のプローブ50は、接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)を3μm以上とすることにより、接触面50cの端子TA~TDに対する接触状態を安定させて測定値のばらつきを抑制することができ、且つ接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)を8μm以下とすることにより、測定時に生じ得るひずみゲージSGmnの損傷を防止できるものである。
That is, in the
本実施形態の測定装置100は、測定値のばらつきが抑制された(即ち測定値の信頼性が高い)プローブ50を備えるため、1つのひずみゲージSGmnにつき1回の測定を行うのみで信頼性の高い測定値を得ることができる。したがって、1つのひずみゲージに対して複数回の測定を行って平均値を求めることで測定値の信頼性を高める必要のある従来の測定装置に比較して、測定時間を大きく短縮することができる。
The measuring
本実施形態の測定方法は、測定装置100を用いるため、測定装置100と同様の効果を生じる。また、所定のタイミングでプローブ50の接触面50cのドレッシング(粗面化)を行い、接触面50cの最大高さRzを3μm以上、8μm以下に維持するため、信頼性の高い測定を長期間、継続して行うことができる。
The measurement method of this embodiment uses the
<変形例>
上記実施形態のプローブ50、測定装置100、及び測定方法において、次の変形態様を用いることもできる。
<Modification>
In the
上記実施形態のプローブ50を、測定装置100とは独立して用いてもよい。具体的には例えば、作業者がプローブ50を操作してひずみゲージSGmnの端子TA~TDにプローブを接触させることにより、ひずみゲージSGmnの電気的特性を測定してもよい。
The
上記実施形態のプローブ50は円柱形状を有し、接触面50cは円形であったが、これには限られない。プローブ50、接触面50cの形状は任意である。例えば接触面50cの形状は正方形や多角形であってもよい。
In the above embodiment, the
また、被測定物は、ひずみゲージSGmnには限られない。具体的には例えば、PCBA(プリント回路基板アセンブリ)の電気的特性(回路抵抗等)の測定において、プローブ50を用いることができる。PCBAの端子も、一般に銅ニッケル合金で形成されており、3μm程度かこれよりも薄い酸化被膜が形成されている。
Moreover, the object to be measured is not limited to the strain gauge SG mn . Specifically, for example, the
被測定物は、その他、電気的特性を測定する必要のある任意の電気部品、電子部品等であってよい。 The object to be measured may be any other electrical or electronic component whose electrical characteristics need to be measured.
上記実施形態の測定装置100においては、治具41には複数の保持孔41hが80個(幅方向に5行×スライド方向に16列)形成されていたがこれには限られない。治具41が有する保持孔41hの数及び配置、即ち治具41が保持するプローブ50の数及び配置は、測定装置100の設計に応じて任意に設定し得る。
In the
上記実施形態の測定装置100を適宜改変して、電気的特性を測定する必要のある任意の電気部品、電子部品等を測定するための測定装置とすることができる。具体的には例えば、テーブル30の構成や、治具41の構成を改変し得る。
The measuring
本発明の特徴を維持する限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。 As long as the characteristics of the present invention are maintained, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and other forms that are conceivable within the scope of the technical concept of the present invention are also included within the scope of the present invention.
10 ベース、20 駆動機構、30 テーブル、40 プローブ保持機構、50 プローブ、60、測定実行部、70 マーキング機構、100 測定装置、900 ひずみゲージストリップ、SGmn ひずみゲージ
10 Base, 20 Driving mechanism, 30 Table, 40 Probe holding mechanism, 50 Probe, 60 Measurement execution unit, 70 Marking mechanism, 100 Measuring device, 900 Strain gauge strip, SG mn strain gauge
Claims (2)
接触面を有するプローブであって、該接触面の最大高さRzが3μm以上且つ8μm以下であるプローブの前記接触面を前記ひずみゲージが有する端子であって酸化被膜が表面に形成された端子の該表面に接触させて前記ひずみゲージの電気的特性を測定することと、
前記接触面に粗面化処理を施すことを含む測定方法。 A method for measuring electrical characteristics of a strain gauge, comprising the steps of:
a probe having a contact surface, the maximum height Rz of which is 3 μm or more and 8 μm or less, is brought into contact with a surface of a terminal of the strain gauge, the terminal having an oxide film formed on its surface, to measure electrical characteristics of the strain gauge;
A measuring method comprising subjecting the contact surface to a roughening treatment.
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