JP7576413B2 - 接合体および基板保持部材 - Google Patents
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Description
第2ろう材のヤング率が低すぎると、第2ろう材に変形が起こりやすく引張強度が低下する可能性がある。この点、本構成の接合体によれば、第2ろう材のヤング率は90GPa以上であるため、接合体がより高い引張強度を有することができる。
この構成によれば、第1ろう材は、Niを主成分とするため、より高い強度を有している。そのため、より高い引張強度を有する接合体を提供できると共に、ろう付け時および熱サイクル時のクラックの発生および伸展を抑制できる。
この構成によれば、第1ろう材がPを含むことにより、第1ろう材の液相出現温度が低下する。そのため、接合体の製造において、より低い温度で受電電極と応力緩和部とを接合できるため、接合体を製造しやすくなる。
この構成によれば、第1ろう材がCrを含むことにより、第1ろう材の強度および高温耐酸化性が向上する。そのため、接合体が長時間大気中に放置された場合における、金属端子の外れを抑制できる。
この構成によれば、第2ろう材がAuを含むことにより、第2ろう材のヤング率が低くなり、第2ろう材が柔軟性を有するため、耐クラック性を有する。
この構成によれば、第2ろう材はNiを含むため、Niを含んでいない第2ろう材と比較して、液相出現温度が低くなる。このように、第2ろう材の液相出現温度が低くなることにより、第1ろう材による接合と第2ろう材による接合とを同時に実施可能となるため、接合体をより容易に製造できる。
図1は、本発明の実施形態としての接合体10を備える基板保持部材100の概略断面図である。基板保持部材100は、プラズマエッチングやイオン注入、電子ビーム露光等を行う半導体製造装置の一部である。基板保持部材100は、半導体ウェハーW(以下、単に「ウェハーW」とも呼ぶ)の固定・平面度矯正・搬送等を行い、かつ、ウェハーWを所定の温度に加熱する加熱装置として利用される。
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
10F…載置面
11…セラミックス部材
11M…凹部
12…受電電極
13…抵抗発熱体
14…ビア導体
15…第2給電ロッド(金属端子)
16…応力緩和部
16S…応力緩和部の側面
17…第1ろう材
18…第2ろう材
20…シャフト
100…基板保持部材
OL…中心軸
W…ウェハー
Claims (5)
- 接合体であって、
セラミックスを含む受電電極を有するセラミックス部材と、
導電性を有する金属端子と、
前記セラミックス部材と前記金属端子との間に配置される応力緩和部であって、第1ろう材を介して前記受電電極に接合されると共に、第2ろう材を介して前記金属端子に接合される応力緩和部と、
を備え、
前記第1ろう材は、ニッケル(Ni)を主成分とし、引張強度が100MPa以上であり、
前記第2ろう材は、金(Au)を主成分とし、ヤング率が90GPa以上150GPa以下であることを特徴とする、接合体。 - 請求項1に記載の接合体であって、
前記第1ろう材は、リン(P)を含むことを特徴とする、接合体。 - 請求項2に記載の接合体であって、
前記第1ろう材は、クロム(Cr)を含むことを特徴とする、接合体。 - 請求項1に記載の接合体であって、
前記第2ろう材は、ニッケル(Ni)を含むことを特徴とする、接合体。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の接合体を備えることを特徴とする、基板保持部材。
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