[go: up one dir, main page]

JP7573399B2 - Resist composition and method for forming resist pattern - Google Patents

Resist composition and method for forming resist pattern Download PDF

Info

Publication number
JP7573399B2
JP7573399B2 JP2020156373A JP2020156373A JP7573399B2 JP 7573399 B2 JP7573399 B2 JP 7573399B2 JP 2020156373 A JP2020156373 A JP 2020156373A JP 2020156373 A JP2020156373 A JP 2020156373A JP 7573399 B2 JP7573399 B2 JP 7573399B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
substituent
alkyl group
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020156373A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021092759A (en
Inventor
文武 平山
智之 平野
裕三 吉田
紳一 河野
裕介 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to KR1020200160711A priority Critical patent/KR20210067912A/en
Priority to SG10202011799RA priority patent/SG10202011799RA/en
Priority to CN202011348383.3A priority patent/CN112882341A/en
Publication of JP2021092759A publication Critical patent/JP2021092759A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7573399B2 publication Critical patent/JP7573399B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。 The present invention relates to a resist composition and a method for forming a resist pattern.

リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。レジスト膜の露光部が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、レジスト膜の露光部が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が行われている。また、これらのエキシマレーザーより短波長(高エネルギー)のEUV(極端紫外線)や、EB(電子線)、X線などについても検討が行われている。
In lithography, for example, a process is performed in which a resist film made of a resist material is formed on a substrate, the resist film is selectively exposed, and a development process is performed to form a resist pattern of a predetermined shape on the resist film. A resist material in which the exposed portion of the resist film changes to a property that dissolves in a developer is called a positive type, and a resist material in which the exposed portion of the resist film changes to a property that does not dissolve in a developer is called a negative type.
In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, the advancement of lithography technology has led to rapid progress in miniaturization of patterns. In general, the miniaturization method involves shortening the wavelength (higher energy) of the exposure light source. Specifically, ultraviolet rays such as g-line and i-line have been used in the past, but currently mass production of semiconductor elements is being carried out using KrF excimer lasers and ArF excimer lasers. In addition, EUV (extreme ultraviolet), EB (electron beam), X-rays, and other light sources with shorter wavelengths (higher energy) than these excimer lasers are also being studied.

レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
例えば上記現像液がアルカリ現像液(アルカリ現像プロセス)の場合、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(ベース樹脂)と酸発生剤成分とを含有するものが一般的に用いられている。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、露光部において、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用によりベース樹脂の極性が増大して、レジスト膜の露光部がアルカリ現像液に対して可溶となる。そのためアルカリ現像することにより、レジスト膜の未露光部がパターンとして残るポジ型パターンが形成される。
一方で、このような化学増幅型レジスト組成物を、有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いた溶剤現像プロセスに適用した場合、ベース樹脂の極性が増大すると相対的に有機系現像液に対する溶解性が低下するため、レジスト膜の未露光部が有機系現像液により溶解、除去されて、レジスト膜の露光部がパターンとして残るネガ型のレジストパターンが形成される。このようにネガ型のレジストパターンを形成する溶剤現像プロセスをネガ型現像プロセスということがある。
Resist materials are required to have lithography properties such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing patterns with fine dimensions.
As a resist material that satisfies such requirements, a chemically amplified resist composition that contains a base component whose solubility in a developer changes due to the action of acid, and an acid generator component that generates acid upon exposure, has been used so far.
For example, when the developer is an alkaline developer (alkaline development process), a positive-type chemically amplified resist composition generally contains a resin component (base resin) whose solubility in an alkaline developer increases under the action of an acid, and an acid generator component. When a resist film formed using such a resist composition is selectively exposed during resist pattern formation, an acid is generated from the acid generator component in the exposed area, and the polarity of the base resin increases under the action of the acid, so that the exposed area of the resist film becomes soluble in an alkaline developer. Therefore, by performing alkaline development, a positive pattern is formed in which the unexposed area of the resist film remains as a pattern.
On the other hand, when such a chemically amplified resist composition is applied to a solvent development process using a developer containing an organic solvent (organic developer), the solubility in the organic developer decreases relatively as the polarity of the base resin increases, so that the unexposed parts of the resist film are dissolved and removed by the organic developer, and a negative resist pattern is formed in which the exposed parts of the resist film remain as a pattern. The solvent development process that forms a negative resist pattern in this way is sometimes called a negative development process.

これまで、化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂としては、例えばKrFエキシマレーザー(248nm)に対し、透明性が高いポリヒドロキシスチレン(PHS)やその水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護した樹脂(PHS系樹脂)が用いられてきた。また、例えばArFエキシマレーザー(193nm)に対し、(メタ)アクリル酸のカルボキシ基における水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護した樹脂((メタ)アクリル系樹脂)が用いられてきた(例えば、特許文献1参照)。
前記の酸解離性の溶解抑制基としては、1-エトキシエチル基に代表される鎖状エーテル基もしくはテトラヒドロピラニル基に代表される環状エーテル基等のいわゆるアセタール基、tert-ブチル基に代表される第3級アルキル基、tert-ブトキシカルボニル基に代表される第3級アルコキシカルボニル基等が主に用いられている。
Up until now, as the base resin of a chemically amplified resist composition, for example, polyhydroxystyrene (PHS) having high transparency to KrF excimer laser (248 nm) and resins in which the hydroxyl groups are protected with acid-dissociable dissolution inhibiting groups (PHS-based resins) have been used. Also, for example, for ArF excimer laser (193 nm), resins in which the hydroxyl groups in the carboxyl groups of (meth)acrylic acid are protected with acid-dissociable dissolution inhibiting groups ((meth)acrylic-based resins) have been used (see, for example, Patent Document 1).
Mainly used examples of the acid-dissociable, dissolution-inhibiting group include so-called acetal groups, such as chain ether groups typified by a 1-ethoxyethyl group or cyclic ether groups typified by a tetrahydropyranyl group, tertiary alkyl groups typified by a tert-butyl group, and tertiary alkoxycarbonyl groups typified by a tert-butoxycarbonyl group.

また、化学増幅型レジスト組成物において使用される酸発生剤成分としては、これまで多種多様のものが提案されており、例えば、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤等が知られている。
これらの中でも、オニウム塩系酸発生剤が汎用され、主に、カチオン部にトリフェニルスルホニウム等のオニウムイオンを有するものが用いられている。このオニウム塩系酸発生剤のアニオン部には、一般的に、アルキルスルホン酸イオンやそのアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたフッ素化アルキルスルホン酸イオン等が用いられている。
Furthermore, a wide variety of acid generator components have been proposed for use in chemically amplified resist compositions. Known examples of acid generators include onium salt-based acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate-based acid generators, diazomethane-based acid generators, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators.
Among these, onium salt acid generators are widely used, and those having an onium ion such as triphenylsulfonium in the cation moiety are mainly used. In the anion moiety of these onium salt acid generators, an alkylsulfonate ion or a fluorinated alkylsulfonate ion in which some or all of the hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with fluorine atoms is generally used.

ところで、現在、LSIの高集積化と通信の高速度化に伴い、メモリ容量の増大化が求められ、パターンの更なる微細化が急速に進んでいる。しかしながら、電子線やEUVによるリソグラフィーでは、数十nmの微細なパターン形成を目標とするが、未だ生産性が低い等の課題が多く、微細加工による技術では限界がある。
これに対し、微細化に加えて、セルを積み上げていく積層化によってメモリの大容量化を図る、3次元構造デバイスの開発が進められている。
Incidentally, with the current trend toward higher integration of LSIs and faster communication speeds, there is a demand for increased memory capacity, and further miniaturization of patterns is rapidly progressing. However, while lithography using electron beams or EUV aims to form fine patterns of several tens of nanometers, there are still many issues, such as low productivity, and there are limitations to the technology of microfabrication.
In response to this, in addition to miniaturization, development is underway on three-dimensional structure devices that aim to increase memory capacity by stacking cells together.

特開2003-241385号公報JP 2003-241385 A

前記の3次元構造デバイスの製造においては、被加工物表面に、従来よりも高膜厚の、例えば膜厚を5μm以上とするような厚膜レジスト膜を成膜し、レジストパターンを形成してエッチング等を行う工程を有する。ここに化学増幅型レジスト組成物を用いる場合、レジスト膜の膜厚が厚くなるほど、露光時の感度を維持することが難しく、現像に対する解像性が低下して、所望のレジストパターン形状が得られにくいという問題がある。また、レジスト膜の膜厚が厚くなるほど、レジストパターンにクラックが発生しやすいという問題もある。 The manufacturing of the three-dimensional structure device includes a process of forming a thick resist film on the surface of the workpiece that is thicker than conventional resist films, for example, 5 μm or thicker, to form a resist pattern and then perform etching or the like. When a chemically amplified resist composition is used here, the thicker the resist film, the more difficult it is to maintain sensitivity during exposure, and the resolution in development decreases, making it difficult to obtain the desired resist pattern shape. Another problem is that the thicker the resist film, the more likely it is that cracks will occur in the resist pattern.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、厚膜レジスト膜を形成することができ、且つクラックが生じにくく、感度が良好なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and aims to provide a resist composition that can form a thick resist film, is less likely to crack, and has good sensitivity, as well as a method for forming a resist pattern using the resist composition.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第1の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、イオン液体(Z)と、を含有する、固形分濃度が25質量%以上であるレジスト組成物である。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
That is, a first aspect of the present invention is a resist composition that generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes due to the action of the acid, the resist composition comprising: a base component (A) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid; and an ionic liquid (Z), and the resist composition has a solids concentration of 25 mass % or more.

本発明の第2の態様は、支持体上に、前記第1の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする、レジストパターン形成方法である。 The second aspect of the present invention is a method for forming a resist pattern, comprising the steps of forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect, exposing the resist film, and developing the exposed resist film to form a resist pattern.

本発明によれば、厚膜レジスト膜を形成することができ、且つクラックが生じにくく、感度が良好なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することができる。 The present invention provides a resist composition that can form a thick resist film, is less likely to crack, and has good sensitivity, as well as a method for forming a resist pattern using the resist composition.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子(-H)を1価の基で置換する場合と、メチレン基(-CH-)を2価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In this specification and claims, the term "aliphatic" is a relative concept to aromaticity and is defined as meaning a group, compound, etc. that does not have aromaticity.
Unless otherwise specified, the term "alkyl group" includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The same applies to the alkyl group in an alkoxy group.
Unless otherwise specified, the term "alkylene group" includes linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups.
The term "halogenated alkyl group" refers to an alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms have been substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atoms include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
The term "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to an alkyl group or alkylene group in which some or all of the hydrogen atoms have been substituted with fluorine atoms.
The term "structural unit" refers to a monomer unit that constitutes a polymeric compound (resin, polymer, copolymer).
The phrases "may have a substituent" or "may have a substituent" include both cases where a hydrogen atom (-H) is replaced with a monovalent group and cases where a methylene group (-CH 2 -) is replaced with a divalent group.
The term "exposure" is intended to include any concept including irradiation with radiation.

「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、加えて、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすくなる。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下「低分子化合物」という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下「樹脂」、「高分子化合物」又は「ポリマー」という場合は、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の重量平均分子量を用いるものとする。 The "base component" is an organic compound having a film-forming ability, and preferably has a molecular weight of 500 or more. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved, and in addition, it becomes easier to form a nano-level resist pattern. The organic compounds used as the base component are broadly classified into non-polymers and polymers. As the non-polymers, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, the term "low molecular weight compound" refers to a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000. As the polymers, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used. Hereinafter, the terms "resin", "polymer compound" and "polymer" refer to a polymer having a molecular weight of 1000 or more. The molecular weight of the polymer is the weight average molecular weight calculated in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography).

「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH-COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基(Rα0)は、水素原子以外の原子又は基であり、例えば炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。また、置換基(Rα0)がエステル結合を含む置換基で置換されたイタコン酸ジエステルや、置換基(Rα0)がヒドロキシアルキル基やその水酸基を修飾した基で置換されたαヒドロキシアクリルエステルも含むものとする。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリル酸のカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルを、α置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
The term "structural unit derived from an acrylate ester" refers to a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of an acrylate ester.
An "acrylic acid ester" is a compound in which the hydrogen atom at the terminal carboxy group of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
In the acrylic acid ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent (R α0 ) substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is an atom or group other than a hydrogen atom, and examples thereof include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. In addition, it also includes an itaconic acid diester in which the substituent (R α0 ) is substituted with a substituent containing an ester bond, and an α-hydroxyacrylic ester in which the substituent (R α0 ) is substituted with a hydroxyalkyl group or a group in which the hydroxyl group of the hydroxyalkyl group is modified. The carbon atom at the α-position of an acrylic acid ester refers to the carbon atom to which the carbonyl group of acrylic acid is bonded, unless otherwise specified.
Hereinafter, an acrylic ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is replaced with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylic ester. In addition, acrylic esters and α-substituted acrylic esters may be collectively referred to as "(α-substituted) acrylic esters."

「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの;α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
The term "structural unit derived from hydroxystyrene" refers to a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of hydroxystyrene. The term "structural unit derived from a hydroxystyrene derivative" refers to a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of a hydroxystyrene derivative.
The term "hydroxystyrene derivative" refers to a hydroxystyrene derivative in which the hydrogen atom at the α-position of the hydroxystyrene is replaced by another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and includes derivatives thereof. Examples of such derivatives include hydroxystyrene in which the hydrogen atom at the α-position may be replaced by a substituent, in which the hydrogen atom of the hydroxyl group is replaced by an organic group; and hydroxystyrene in which the hydrogen atom at the α-position may be replaced by a substituent, in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded to the benzene ring. The α-position (carbon atom at the α-position) refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.
Examples of the substituent that substitutes the hydrogen atom at the α-position of the hydroxystyrene include the same as those exemplified as the substituent at the α-position in the above-mentioned α-substituted acrylic ester.

「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの;α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
The term "structural unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative" refers to a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative.
The term "vinyl benzoic acid derivative" refers to a concept including vinyl benzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position is replaced by other substituents such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, as well as derivatives thereof. Examples of such derivatives include vinyl benzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be replaced by a substituent, the hydrogen atom of the carboxyl group of the vinyl benzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be replaced by a substituent, and ... a substituent other than a hydroxyl group or a carboxyl group is bonded to the benzene ring of the vinyl benzoic acid. The α-position (carbon atom at the α-position) refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数1~5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、1~5が好ましく、1が最も好ましい。
The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, and specific examples thereof include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group).
Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned "alkyl group as the substituent at the α-position" are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferred.
Specific examples of the hydroxyalkyl group as the substituent at the α-position include the above-mentioned "alkyl group as the substituent at the α-position" in which some or all of the hydrogen atoms have been substituted with hydroxyl groups. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and most preferably 1.

本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては、不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体(enantiomer)やジアステレオ異性体(diastereomer)が存在し得るものがある。その場合は一つの化学式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。 In this specification and claims, some structures represented by chemical formulas may have asymmetric carbons, and enantiomers or diastereomers may exist. In such cases, a single chemical formula represents all of the isomers. These isomers may be used alone or as a mixture.

(レジスト組成物)
本発明の第1の態様に係るレジスト組成物は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するものであって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下「(A)成分」ともいう)と、イオン液体(Z)(以下「(Z)成分」ともいう)と、を含有する。本実施形態のレジスト組成物の固形分濃度は、25質量%以上である。
かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成すると、厚膜レジスト膜(例えば、膜厚5μm以上)を形成することができる。
(Resist Composition)
The resist composition according to the first aspect of the present invention generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer by the action of the acid, and contains a base component (A) (hereinafter also referred to as "component (A)") whose solubility in a developer changes by the action of the acid, and an ionic liquid (Z) (hereinafter also referred to as "component (Z)"). The solids concentration of the resist composition of this embodiment is 25 mass % or more.
When such a resist composition is used to form a resist film, a thick resist film (for example, a film thickness of 5 μm or more) can be formed.

かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、該レジスト膜の露光部では酸が発生し、該酸の作用により(A)成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、該レジスト膜の未露光部では(A)成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、該レジスト膜の露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該レジスト膜を現像すると、該レジスト組成物がポジ型の場合はレジスト膜露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、該レジスト組成物がネガ型の場合はレジスト膜未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。 When a resist film is formed using such a resist composition and selectively exposed to light, an acid is generated in the exposed areas of the resist film, and the solubility of component (A) in the developer changes due to the action of the acid, while the solubility of component (A) in the developer does not change in the unexposed areas of the resist film, resulting in a difference in solubility in the developer between the exposed and unexposed areas of the resist film. Therefore, when the resist film is developed, if the resist composition is a positive type, the exposed areas of the resist film are dissolved and removed to form a positive type resist pattern, and if the resist composition is a negative type, the unexposed areas of the resist film are dissolved and removed to form a negative type resist pattern.

本明細書においては、レジスト膜露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、レジスト膜未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本実施形態のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本実施形態のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよいし、該現像処理に有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。 In this specification, a resist composition in which an exposed portion of a resist film is dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and a resist composition in which an unexposed portion of a resist film is dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as a negative resist composition. The resist composition of this embodiment may be a positive resist composition or a negative resist composition. The resist composition of this embodiment may be for an alkaline development process in which an alkaline developer is used for the development treatment when forming a resist pattern, or may be for a solvent development process in which a developer containing an organic solvent (organic developer) is used for the development treatment.

本実施形態のレジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生能を有するものであり、(A)成分が露光により酸を発生してもよいし、(A)成分とは別に配合された添加剤成分が露光により酸を発生してもよい。
本実施形態のレジスト組成物は、具体的には、(1)露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下「(B)成分」という)をさらに含有するものであってもよく;(2)(A)成分が露光により酸を発生する成分であってもよく;(3)(A)成分が露光により酸を発生する成分であり、かつ、さらに(B)成分を含有するものであってもよい。
すなわち、上記(2)及び(3)の場合、(A)成分は、「露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分」となる。(A)成分が露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分である場合、後述する(A1)成分が、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する高分子化合物であることが好ましい。このような高分子化合物としては、露光により酸を発生する構成単位を有する樹脂を用いることができる。露光により酸を発生する構成単位としては、公知のものを用いることができる。なかでも、本実施形態のレジスト組成物は、上記(1)の場合であるものが好ましい。
The resist composition of this embodiment has an acid generating ability to generate an acid upon exposure. The component (A) may generate an acid upon exposure, or an additive component that is formulated separately from the component (A) may generate an acid upon exposure.
Specifically, the resist composition of this embodiment may be (1) one that further contains an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure (hereinafter referred to as “component (B)”); (2) one in which the component (A) is a component that generates an acid upon exposure; or (3) one in which the component (A) is a component that generates an acid upon exposure, and further contains a component (B).
That is, in the above cases (2) and (3), the component (A) is a "base component that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer by the action of the acid". When the component (A) is a base component that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer by the action of the acid, it is preferable that the component (A1) described below is a polymeric compound that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer by the action of the acid. As such a polymeric compound, a resin having a structural unit that generates an acid upon exposure can be used. As the structural unit that generates an acid upon exposure, a known one can be used. Among them, the resist composition of this embodiment is preferably the above case (1).

<(A)成分>
本実施形態のレジスト組成物において、(A)成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)(以下「(A1)成分」ともいう)を含むことが好ましい。(A1)成分を用いることにより、露光前後で基材成分の極性が変化するため、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても、良好な現像コントラストを得ることができる。
(A)成分としては、少なくとも(A1)成分が用いられ、該(A1)成分とともに他の高分子化合物及び/又は低分子化合物を併用してもよい。
<Component (A)>
In the resist composition of this embodiment, the component (A) preferably contains a resin component (A1) (hereinafter also referred to as "component (A1)") whose solubility in a developer changes under the action of an acid. By using the component (A1), the polarity of the base component changes before and after exposure, so that good development contrast can be obtained not only in an alkali development process but also in a solvent development process.
As the component (A), at least the component (A1) is used, and other polymeric compounds and/or low molecular weight compounds may be used in combination with the component (A1).

アルカリ現像プロセスを適用する場合、該(A1)成分を含む基材成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、例えば露光により(B)成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、レジスト膜未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成される。 When an alkaline development process is applied, the base material component containing the component (A1) is poorly soluble in an alkaline developer before exposure, and when, for example, an acid is generated from the component (B) upon exposure, the polarity increases due to the action of the acid, and the solubility in an alkaline developer increases. Therefore, in forming a resist pattern, when a resist film obtained by applying the resist composition to a support is selectively exposed to light, the exposed parts of the resist film change from poorly soluble in an alkaline developer to soluble, while the unexposed parts of the resist film remain poorly soluble in alkaline developers, and a positive resist pattern is formed by alkaline development.

一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、該(A1)成分を含む基材成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、例えば露光により(B)成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなり、有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、レジスト膜未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成される。 On the other hand, when a solvent development process is applied, the base material component containing the component (A1) is highly soluble in an organic developer before exposure, and when an acid is generated from the component (B) upon exposure, for example, the acid increases the polarity and reduces the solubility in an organic developer. Therefore, when the resist film obtained by applying the resist composition to a support is selectively exposed to light in the formation of a resist pattern, the exposed parts of the resist film change from soluble to poorly soluble in an organic developer, while the unexposed parts of the resist film remain soluble. Therefore, by developing with an organic developer, a contrast can be created between the exposed and unexposed parts, and a negative resist pattern is formed.

本実施形態のレジスト組成物において、(A)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 In the resist composition of this embodiment, the component (A) may be used alone or in combination of two or more types.

・(A1)成分について
(A1)成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分である。
(A1)成分としては、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有するものが好ましい。
(A1)成分は、構成単位(a1)に加え、必要に応じてその他構成単位を有するものでもよい。
Regarding the Component (A1) The component (A1) is a resin component whose solubility in a developer changes due to the action of an acid.
The component (A1) preferably has a structural unit (a1) that contains an acid-decomposable group whose polarity increases when acted on by an acid.
The component (A1) may contain other structural units, in addition to the structural unit (a1), as necessary.

≪構成単位(a1)≫
構成単位(a1)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。
「酸分解性基」は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、例えば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、例えばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(-SOH)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基がより好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基が酸解離性基で保護された基(例えばOH含有極性基の水素原子を、酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
<Structural unit (a1)>
The structural unit (a1) is a structural unit that contains an acid-decomposable group whose polarity increases when acted upon by an acid.
The term "acid-decomposable group" refers to a group having acid decomposability in which at least a part of the bonds in the structure of the acid-decomposable group can be cleaved by the action of an acid.
Examples of acid-decomposable groups whose polarity increases under the action of an acid include groups that are decomposed by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (-SO 3 H), etc. Among these, a polar group containing -OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as an "OH-containing polar group") is preferred, a carboxy group or a hydroxyl group is more preferred, and a carboxy group is particularly preferred.
More specific examples of the acid-decomposable group include groups in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which the hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid-dissociable group).

ここで「酸解離性基」とは、(i)酸の作用により、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基、又は、(ii)酸の作用により一部の結合が開裂した後、さらに脱炭酸反応が生じることにより、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る基、の双方をいう。
酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、(A1)成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、現像液が有機系現像液の場合には溶解性が減少する。
The term "acid dissociable group" as used herein refers to both (i) a group having acid dissociability in which the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the action of an acid, and (ii) a group in which a part of the bond is cleaved by the action of an acid and then a decarboxylation reaction occurs, thereby cleaving the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group.
The acid dissociable group constituting the acid decomposable group must be a group with lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid dissociable group, and thus, when the acid dissociable group is dissociated by the action of an acid, a polar group with higher polarity than the acid dissociable group is generated, and the polarity increases.As a result, the polarity of the entire (A1) component increases.By increasing the polarity, the solubility in the developer changes relatively, and when the developer is an alkaline developer, the solubility increases, and when the developer is an organic developer, the solubility decreases.

酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト組成物用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものが挙げられる。
化学増幅型レジスト組成物用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものとして具体的には、以下に説明する「アセタール型酸解離性基」、「第3級アルキルエステル型酸解離性基」、「第3級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」が挙げられる。
Examples of the acid-dissociable group include those that have been proposed as acid-dissociable groups in base resins for chemically amplified resist compositions.
Specific examples of the acid dissociable group that have been proposed for the base resin of the chemically amplified resist composition include the “acetal type acid dissociable group”, “tertiary alkyl ester type acid dissociable group”, and “tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group”, which are explained below.

アセタール型酸解離性基:
前記極性基のうちカルボキシ基または水酸基を保護する酸解離性基としては、例えば、下記一般式(a1-r-1)で表される酸解離性基(以下「アセタール型酸解離性基」ということがある。)が挙げられる。
Acetal type acid dissociable group:
Among the polar groups, examples of the acid dissociable group that protects a carboxy group or a hydroxyl group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter referred to as an "acetal-type acid dissociable group"). ) are some examples.

Figure 0007573399000001
[式中、Ra’、Ra’は水素原子またはアルキル基である。Ra’は炭化水素基であって、Ra’は、Ra’、Ra’のいずれかと結合して環を形成してもよい。]
Figure 0007573399000001
[In the formula, Ra' 1 and Ra' 2 are a hydrogen atom or an alkyl group. Ra' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be bonded to either Ra' 1 or Ra' 2 to form a ring.]

式(a1-r-1)中、Ra’及びRa’のうち、少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、両方が水素原子であることがより好ましい。
Ra’又はRa’がアルキル基である場合、該アルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。具体的には、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
In formula (a1-r-1), at least one of Ra'1 and Ra'2 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both are hydrogen atoms.
When Ra'1 or Ra'2 is an alkyl group, examples of the alkyl group include the same alkyl groups as those exemplified as the substituent that may be bonded to the carbon atom at the α-position in the description of the above α-substituted acrylic acid ester, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferred. Specifically, preferred examples are linear or branched alkyl groups. More specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group, and the like. A methyl group or an ethyl group is more preferred, and a methyl group is particularly preferred.

式(a1-r-1)中、Ra’の炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、炭素数が1~4がより好ましく、炭素数1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
In formula (a1-r-1), the hydrocarbon group for Ra'3 includes a linear or branched alkyl group, or a cyclic hydrocarbon group.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably has 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably has 1 or 2 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、炭素数3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1,1-ジエチルプロピル基、2,2-ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。 The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably has 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include an isopropyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a 1,1-diethylpropyl group, and a 2,2-dimethylbutyl group, and is preferably an isopropyl group.

Ra’が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
When Ra'3 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and may be a polycyclic group or a monocyclic group.
The monocyclic aliphatic hydrocarbon group is preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane.
As the aliphatic hydrocarbon group that is a polycyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is preferable, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

Ra’の環状の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、炭素数5~20がより好ましく、炭素数6~15がさらに好ましく、炭素数6~12が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ra’における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を1つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、炭素数1~2であることがより好ましく、炭素数1であることが特に好ましい。
When the cyclic hydrocarbon group of Ra'3 is an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The aromatic ring preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, further preferably 6 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms.
Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is replaced with a heteroatom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group in Ra'3 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group); a group in which one hydrogen atom has been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); and a group in which one hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle has been substituted with an alkylene group (e.g., arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc.). The alkylene group bonded to the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably has 1 carbon atom.

Ra’における環状の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOH(以下これらの置換基をまとめて「Ra05」ともいう。)等が挙げられる。
ここで、RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。また、RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2の鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。上記脂肪族環状炭化水素基は、上記置換基を1種単独で1つ以上有していてもよいし、上記置換基のうち複数種を各1つ以上有していてもよい。
炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。
炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式脂肪族飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.2]オクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等の多環式脂肪族飽和炭化水素基が挙げられる。
炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環から水素原子1個を除いた基が挙げられる。
The cyclic hydrocarbon group for Ra' 3 may have a substituent. Examples of the substituent include -R P1 , -R P2 -O-R P1 , -R P2 -CO-R P1 , -R P2 -CO-OR P1 , -R P2 -O-CO-R P1 , -R P2 -OH, -R P2 -CN or -R P2 -COOH (hereinafter these substituents are collectively referred to as "Ra 05 ").
Here, R P1 is a monovalent linear saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms. R P2 is a single bond, a divalent linear saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a divalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms. However, some or all of the hydrogen atoms of the linear saturated hydrocarbon group, the aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group, and the aromatic hydrocarbon group of R P1 and R P2 may be substituted with fluorine atoms. The aliphatic cyclic hydrocarbon group may have one or more of the above-mentioned substituents alone, or may have one or more of each of the above-mentioned substituents.
Examples of the monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, and a decyl group.
Examples of the monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include monocyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, and a cyclododecyl group; and polycyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as a bicyclo[2.2.2]octanyl group, a tricyclo[5.2.1.02,6]decanyl group, a tricyclo[3.3.1.13,7]decanyl group, a tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodecanyl group, and an adamantyl group.
Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms include groups in which one hydrogen atom has been removed from an aromatic hydrocarbon ring such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, or phenanthrene.

Ra’が、Ra’、Ra’のいずれかと結合して環を形成する場合、該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。 When Ra'3 is bonded to either Ra'1 or Ra'2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, etc.

第3級アルキルエステル型酸解離性基:
上記極性基のうち、カルボキシ基を保護する酸解離性基としては、例えば、下記一般式(a1-r-2)で表される酸解離性基が挙げられる。
なお、下記式(a1-r-2)で表される酸解離性基のうち、アルキル基により構成されるものを、以下、便宜上「第3級アルキルエステル型酸解離性基」ということがある。
Tertiary alkyl ester type acid-dissociable group:
Among the above polar groups, examples of the acid-dissociable group that protects the carboxy group include acid-dissociable groups represented by the following general formula (a1-r-2).
Among the acid-dissociable groups represented by the following formula (a1-r-2), those constituted by an alkyl group may be referred to as "tertiary alkyl ester-type acid-dissociable groups" hereinafter for the sake of convenience.

Figure 0007573399000002
[式中、Ra’~Ra’はそれぞれ炭化水素基であって、Ra’、Ra’は互いに結合して環を形成してもよい。]
Figure 0007573399000002
[In the formula, Ra' 4 to Ra' 6 are each a hydrocarbon group, and Ra' 5 and Ra' 6 may be bonded to each other to form a ring.]

Ra’の炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は、環状の炭化水素基が挙げられる。
Ra’における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、環状の炭化水素基(単環式基である脂肪族炭化水素基、多環式基である脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基)は、前記Ra’と同様のものが挙げられる。
Ra’における鎖状もしくは環状のアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基が好ましい。
Ra’、Ra’の炭化水素基としては、前記Ra’と同様のものが挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group for Ra'4 include a linear or branched alkyl group, a linear or cyclic alkenyl group, or a cyclic hydrocarbon group.
Examples of the linear or branched alkyl group and cyclic hydrocarbon group (monocyclic aliphatic hydrocarbon group, polycyclic aliphatic hydrocarbon group, and aromatic hydrocarbon group) in Ra'4 are the same as those for Ra'3 .
The chain or cyclic alkenyl group for Ra'4 is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
Examples of the hydrocarbon group for Ra'5 and Ra'6 include the same as those for Ra'3 .

Ra’とRa’とが互いに結合して環を形成する場合、下記一般式(a1-r2-1)で表される基、下記一般式(a1-r2-2)で表される基、下記一般式(a1-r2-3)で表される基が好適に挙げられる。
一方、Ra’~Ra’が互いに結合せず、独立した炭化水素基である場合、下記一般式(a1-r2-4)で表される基が好適に挙げられる。
When Ra'5 and Ra'6 are bonded to each other to form a ring, suitable examples of such a ring include a group represented by the following general formula (a1-r2-1), a group represented by the following general formula (a1-r2-2), and a group represented by the following general formula (a1-r2-3).
On the other hand, when Ra' 4 to Ra' 6 are not bonded to one another and are independent hydrocarbon groups, suitable examples include groups represented by the following general formula (a1-r2-4).

Figure 0007573399000003
[式(a1-r2-1)中、Ra’10は、炭素数1~10のアルキル基、又は下記一般式(a1-r2-r1)で表される基を示す。Ra’11はRa’10が結合した炭素原子と共に脂肪族環式基を形成する基を示す。式(a1-r2-2)中、Yaは炭素原子である。Xaは、Yaと共に環状の炭化水素基を形成する基である。この環状の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ra01~Ra03は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ra01~Ra03の2つ以上が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。式(a1-r2-3)中、Yaaは炭素原子である。Xaaは、Yaaと共に脂肪族環式基を形成する基である。Ra04は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。式(a1-r2-4)中、Ra’12及びRa’13は、それぞれ独立に、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は水素原子である。この鎖状飽和炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ra’14は、置換基を有していてもよい炭化水素基である。*は結合手を示す。]
Figure 0007573399000003
[In formula (a1-r2-1), Ra' 10 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following general formula (a1-r2-r1). Ra' 11 represents a group forming an aliphatic cyclic group together with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded. In formula (a1-r2-2), Ya represents a carbon atom. Xa represents a group forming a cyclic hydrocarbon group together with Ya. Some or all of the hydrogen atoms in this cyclic hydrocarbon group may be substituted. Ra 01 to Ra 03 are each independently a hydrogen atom, a monovalent linear saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. Some or all of the hydrogen atoms in this linear saturated hydrocarbon group and aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group may be substituted. Two or more of Ra 01 to Ra 03 may be bonded to each other to form a cyclic structure. In formula (a1-r2-3), Yaa is a carbon atom. Xaa is a group forming an aliphatic cyclic group together with Yaa. Ra 04 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. In formula (a1-r2-4), Ra' 12 and Ra' 13 are each independently a monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a hydrogen atom. Some or all of the hydrogen atoms in this chain saturated hydrocarbon group may be substituted. Ra' 14 is a hydrocarbon group which may have a substituent. * indicates a bond.]

Figure 0007573399000004
[式中、Yaは、第4級炭素原子である。Ra031、Ra032及びRa033は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基である。但し、Ra031、Ra032及びRa033のうちの1つ以上は、少なくとも一つの極性基を有する炭化水素基である。]
Figure 0007573399000004
[In the formula, Ya 0 is a quaternary carbon atom. Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 are each independently a hydrocarbon group which may have a substituent. However, at least one of Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is a hydrocarbon group having at least one polar group.]

上記の式(a1-r2-1)中、Ra’10の炭素数1~10のアルキル基は、式(a1-r-1)におけるRa’の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基として挙げた基が好ましい。Ra’10は、炭素数1~5のアルキル基であることが好ましい。 In the above formula (a1-r2-1), the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for Ra'10 is preferably the same as those exemplified as the linear or branched alkyl group for Ra'3 in formula (a1-r-1). Ra'10 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

前記式(a1-r2-r1)中、Yaは、第4級炭素原子である。すなわち、Ya(炭素原子)に結合する隣の炭素原子が4つである。 In the above formula (a1-r2-r1), Ya 0 is a quaternary carbon atom, that is, there are four adjacent carbon atoms bonded to Ya 0 (carbon atom).

前記式(a1-r2-r1)中、Ra031、Ra032及びRa033は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ra031、Ra032及びRa033における炭化水素基としては、それぞれ独立に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は、環状の炭化水素基が挙げられる。 In the formula (a1-r2-r1), Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 each independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent. The hydrocarbon group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 each independently includes a linear or branched alkyl group, a linear or cyclic alkenyl group, or a cyclic hydrocarbon group.

Ra031、Ra032及びRa033における、直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
Ra031、Ra032及びRa033における、分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1,1-ジエチルプロピル基、2,2-ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。
Ra031、Ra032及びRa033における、鎖状もしくは環状のアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基が好ましい。
The linear alkyl group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group and the like. Of these, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
The branched alkyl group in Ra 031 , Ra 032 , and Ra 033 preferably has a carbon number of 3 to 10, and more preferably 3 to 5. Specific examples include an isopropyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a 1,1-diethylpropyl group, and a 2,2-dimethylbutyl group, and is preferably an isopropyl group.
The chain or cyclic alkenyl group for Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.

Ra031、Ra032及びRa033における、環状の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
The cyclic hydrocarbon group for Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and may be a polycyclic group or a monocyclic group.
The monocyclic aliphatic hydrocarbon group is preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane.
As the aliphatic hydrocarbon group that is a polycyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is preferable, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

Ra031、Ra032及びRa033における、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を1つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。 The aromatic hydrocarbon group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring. The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, further preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; and aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a heteroatom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group); a group in which one hydrogen atom has been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); a group in which one hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle has been substituted with an alkylene group (e.g., arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc.). The number of carbon atoms in the alkylene group bonded to the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

上記のRa031、Ra032及びRa033で表される炭化水素基が置換されている場合、その置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。 When the hydrocarbon groups represented by the above Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 are substituted, examples of the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), an alkoxy group (a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, etc.), an alkyloxycarbonyl group and the like.

上記の中でも、Ra031、Ra032及びRa033における、置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基を有していてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。 Among the above, the optionally substituted hydrocarbon group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is preferably a linear or branched alkyl group which may have a substituent, more preferably a linear alkyl group which may have a substituent.

但し、Ra031、Ra032及びRa033のうちの1つ以上は、少なくとも極性基を有する炭化水素基である。
「極性基を有する炭化水素基」とは、炭化水素基を構成するメチレン基(-CH-)を極性基で置換しているもの、又は、炭化水素基を構成する少なくとも1つの水素原子が極性基に置換しているものをいずれも包含する。
かかる「極性基を有する炭化水素基」としては、下記一般式(a1-p1)で表される官能基が好ましい。
However, at least one of Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is a hydrocarbon group having at least a polar group.
The term "hydrocarbon group having a polar group" includes both a hydrocarbon group in which a methylene group (-CH 2 -) constituting the hydrocarbon group is replaced with a polar group, and a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom constituting the hydrocarbon group is replaced with a polar group.
As such a "hydrocarbon group having a polar group", a functional group represented by the following general formula (a1-p1) is preferable.

Figure 0007573399000005
[式中、Ra07は、炭素数2~12の2価の炭化水素基を表す。Ra08は、ヘテロ原子を含む2価の連結基を表す。Ra06は、炭素数1~12の1価の炭化水素基を表す。np0は、1~6の整数である。]
Figure 0007573399000005
[In the formula, Ra 07 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 12 carbon atoms. Ra 08 represents a divalent linking group containing a hetero atom. Ra 06 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. n p0 is an integer of 1 to 6.]

前記式(a1-p1)中、Ra07は、炭素数2~12の2価の炭化水素基を表す。
Ra07の炭素数は、2~12であり、炭素数2~8が好ましく、炭素数2~6がより好ましく、炭素数2~4がさらに好ましく、炭素数2が特に好ましい。
Ra07における炭化水素基は、鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基が好ましく、鎖状の炭化水素基がより好ましい。
Ra07としては、例えば、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;プロパン-1,2-ジイル基、1-メチルブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐鎖状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の脂環式炭化水素基等挙げられる。
上記の中でも、アルカンジイル基が好ましく、直鎖状アルカンジイル基がより好ましい。
In the above formula (a1-p1), Ra 07 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 12 carbon atoms.
Ra 07 has 2 to 12 carbon atoms, preferably 2 to 8 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms, and particularly preferably 2 carbon atoms.
The hydrocarbon group for Ra 07 is preferably a chain or cyclic aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a chain hydrocarbon group.
Examples of Ra 07 include linear alkanediyl groups such as ethylene, propane-1,3-diyl, butane-1,4-diyl, pentane-1,5-diyl, hexane-1,6-diyl, heptane-1,7-diyl, octane-1,8-diyl, nonane-1,9-diyl, decane-1,10-diyl, undecane-1,11-diyl, and dodecane-1,12-diyl; branched alkanediyl groups such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group, and the like; and polycyclic divalent alicyclic hydrocarbon groups such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, and the like.
Among the above, an alkanediyl group is preferred, and a linear alkanediyl group is more preferred.

前記式(a1-p1)中、Ra08は、ヘテロ原子を含む2価の連結基を表す。
Ra08としては、例えば、-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-等が挙げられる。
これらの中でも、現像液に対する溶解性の点から、-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-が好ましく、-O-、-C(=O)-が特に好ましい。
In the above formula (a1-p1), Ra 08 represents a divalent linking group containing a hetero atom.
Examples of Ra 08 include -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, and the like.
Among these, from the viewpoint of solubility in a developer, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)- and -OC(=O)-O- are preferred, with -O- and -C(=O)- being particularly preferred.

前記式(a1-p1)中、Ra06は、炭素数1~12の1価の炭化水素基を表す。
Ra06の炭素数は、1~12であり、現像液に対する溶解性の点から、炭素数1~8が好ましく、炭素数1~5がより好ましく、炭素数1~3がさらに好ましく、炭素数1又は2が特に好ましく、1が最も好ましい。
In the above formula (a1-p1), Ra 06 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
Ra 06 has 1 to 12 carbon atoms, and from the viewpoint of solubility in a developer, preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably has 1 to 5 carbon atoms, even more preferably has 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably has 1 or 2 carbon atoms, and most preferably has 1 carbon atom.

Ra06における炭化水素基は、鎖状炭化水素基もしくは環状炭化水素基、又は、鎖状と環状とを組み合わせた炭化水素基が挙げられる。
鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基等が挙げられる。
The hydrocarbon group for Ra 06 may be a chain hydrocarbon group, a cyclic hydrocarbon group, or a combination of a chain and a cyclic hydrocarbon group.
Examples of chain hydrocarbon groups include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, an n-heptyl group, a 2-ethylhexyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, an n-decyl group, an n-undecyl group, and an n-dodecyl group.

環状炭化水素基は、脂環式炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-(アダマンタン-1-イル)アルカン-1-イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル基等が挙げられる。
The cyclic hydrocarbon group may be an alicyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
The alicyclic hydrocarbon group may be either monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, methylcyclohexyl, dimethylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, and cyclodecyl. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl, adamantyl, 2-alkyladamantan-2-yl, 1-(adamantan-1-yl)alkane-1-yl, norbornyl, methylnorbornyl, and isobornyl.
Examples of aromatic hydrocarbon groups include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a p-methylphenyl group, a p-tert-butylphenyl group, a p-adamantylphenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a mesityl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, a 2,6-diethylphenyl group, and a 2-methyl-6-ethylphenyl group.

Ra06としては、現像液に対する溶解性の点から、鎖状炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましく、直鎖状アルキル基がさらに好ましい。 From the viewpoint of solubility in a developer, Ra 06 is preferably a chain hydrocarbon group, more preferably an alkyl group, and even more preferably a linear alkyl group.

前記式(a1-p1)中、np0は、1~6の整数であり、1~3の整数が好ましく、1又は2がより好ましく、1がさらに好ましい。 In the formula (a1-p1), n p0 represents an integer of 1 to 6, preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1.

以下に、少なくとも極性基を有する炭化水素基、の具体例を示す。
以下の式中、*は、第4級炭素原子(Ya)に結合する結合手である。
Specific examples of the hydrocarbon group having at least a polar group are shown below.
In the following formula, * represents a bond bonded to the quaternary carbon atom (Ya 0 ).

Figure 0007573399000006
Figure 0007573399000006

前記式(a1-r2-r1)中、Ra031、Ra032及びRa033のうち、少なくとも極性基を有する炭化水素基の個数は、1つ以上であるが、レジストパターン形成の際における現像液への溶解性を考慮して適宜決定すればよく、例えば、Ra031、Ra032及びRa033のうちの1つ又は2つであることが好ましく、特に好ましくは1つである。 In the above formula (a1-r2-r1), the number of hydrocarbon groups having at least a polar group among Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is one or more, but this may be appropriately determined in consideration of the solubility in a developer during resist pattern formation. For example, it is preferable that the number be one or two of Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 , and particularly preferably one.

前記の少なくとも極性基を有する炭化水素基は、極性基以外の置換基を有してもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基が挙げられる。 The hydrocarbon group having at least a polar group may have a substituent other than the polar group. Examples of the substituent include a halogen atom (such as a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom) and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

式(a1-r2-1)中、Ra’11(Ra’10が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族環式基)は、式(a1-r-1)におけるRa’の単環式基又は多環式基である脂肪族炭化水素基として挙げた基が好ましい。 In formula (a1-r2-1), Ra' 11 (the aliphatic cyclic group formed together with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded) is preferably the same as the groups exemplified as the monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon group for Ra' 3 in formula (a1-r-1).

式(a1-r2-2)中、XaがYaと共に形成する環状の炭化水素基としては、前記式(a1-r-1)中のRa’における環状の1価の炭化水素基(脂肪族炭化水素基)から水素原子1個以上をさらに除いた基が挙げられる。
XaがYaと共に形成する環状の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、上記Ra’における環状の炭化水素基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
式(a1-r2-2)中、Ra01~Ra03における、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。
Ra01~Ra03における、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式脂肪族飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.2]オクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等の多環式脂肪族飽和炭化水素基等が挙げられる。
Ra01~Ra03は、中でも、構成単位(a1)を誘導する単量体化合物の合成容易性の観点から、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基が好ましく、その中でも、水素原子、メチル基、エチル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
In formula (a1-r2-2), examples of the cyclic hydrocarbon group formed by Xa together with Ya include groups in which one or more hydrogen atoms have been further removed from the cyclic monovalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group) in Ra'3 in formula (a1-r-1).
The cyclic hydrocarbon group formed by Xa together with Ya may have a substituent. Examples of the substituent include the same substituents as those which the cyclic hydrocarbon group in Ra'3 may have.
In formula (a1-r2-2), examples of the monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms for Ra 01 to Ra 03 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, and a decyl group.
Examples of the monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms for Ra 01 to Ra 03 include monocyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, and a cyclododecyl group; and polycyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as a bicyclo[2.2.2]octanyl group, a tricyclo[5.2.1.02,6]decanyl group, a tricyclo[3.3.1.13,7]decanyl group, a tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodecanyl group, and an adamantyl group.
From the viewpoint of ease of synthesis of the monomer compound from which the structural unit (a1) is derived, Ra 01 to Ra 03 are preferably a hydrogen atom or a monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and of these, a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group is more preferable, and a hydrogen atom is particularly preferable.

上記Ra01~Ra03で表される鎖状飽和炭化水素基、又は脂肪族環状飽和炭化水素基が有する置換基としては、例えば、上述のRa05と同様の基が挙げられる。 Examples of the substituent that the chain saturated hydrocarbon group or the alicyclic saturated hydrocarbon group represented by the above Ra 01 to Ra 03 may have include the same groups as those represented by the above Ra 05 .

Ra01~Ra03の2つ以上が互いに結合して環状構造を形成することにより生じる炭素-炭素二重結合を含む基としては、例えば、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、メチルシクロペンテニル基、メチルシクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基、シクロへキシリデンエテニル基等が挙げられる。これらの中でも、構成単位(a1)を誘導する単量体化合物の合成容易性の観点から、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基が好ましい。 Examples of groups containing a carbon-carbon double bond resulting from two or more of Ra 01 to Ra 03 bonding together to form a cyclic structure include a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a methylcyclopentenyl group, a methylcyclohexenyl group, a cyclopentylidene ethenyl group, a cyclohexylidene ethenyl group, etc. Of these, from the viewpoint of ease of synthesis of the monomer compound from which the structural unit (a1) is derived, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, and a cyclopentylidene ethenyl group are preferred.

式(a1-r2-3)中、XaaがYaaと共に形成する脂肪族環式基は、式(a1-r-1)におけるRa’の単環式基又は多環式基である脂肪族炭化水素基として挙げた基が好ましい。
式(a1-r2-3)中、Ra04における芳香族炭化水素基としては、炭素数5~30の芳香族炭化水素環から水素原子1個以上を除いた基が挙げられる。中でも、Ra04は、炭素数6~15の芳香族炭化水素環から水素原子1個以上を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子1個以上を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子1個以上を除いた基がさらに好ましく、ベンゼン又はナフタレンから水素原子1個以上を除いた基が特に好ましく、ベンゼンから水素原子1個以上を除いた基が最も好ましい。
In formula (a1-r2-3), the aliphatic cyclic group formed by Xaa together with Yaa is preferably the same as those exemplified as the monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon group for Ra'3 in formula (a1-r-1).
In formula (a1-r2-3), examples of the aromatic hydrocarbon group for Ra 04 include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from an aromatic hydrocarbon ring having 5 to 30 carbon atoms. Among these, Ra 04 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 15 carbon atoms, more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from benzene, naphthalene, anthracene or phenanthrene, even more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from benzene, naphthalene or anthracene, particularly preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from benzene or naphthalene, and most preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from benzene.

式(a1-r2-3)中のRa04が有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。 Examples of the substituent that Ra 04 in formula (a1-r2-3) may have include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), an alkoxy group (a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, etc.), an alkyloxycarbonyl group, and the like.

式(a1-r2-4)中、Ra’12及びRa’13は、それぞれ独立に、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は水素原子である。Ra’12及びRa’13における、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基としては、上記のRa01~Ra03における、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。この鎖状飽和炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。
Ra’12及びRa’13は、中でも、水素原子、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、炭素数1~5のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
上記Ra’12及びRa’13で表される鎖状飽和炭化水素基が置換されている場合、その置換基としては、例えば、上述のRa05と同様の基が挙げられる。
In formula (a1-r2-4), Ra' 12 and Ra' 13 are each independently a monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a hydrogen atom. Examples of the monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in Ra' 12 and Ra' 13 include the same as the monovalent chain saturated hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms in the above Ra 01 to Ra 03. Some or all of the hydrogen atoms in this chain saturated hydrocarbon group may be substituted.
Among them, Ra' 12 and Ra' 13 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, further preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group.
When the chain saturated hydrocarbon groups represented by the above Ra'12 and Ra'13 are substituted, examples of the substituent include the same groups as those for the above Ra05 .

式(a1-r2-4)中、Ra’14は、置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ra’14における炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。 In formula (a1-r2-4), Ra' 14 is a hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the hydrocarbon group in Ra' 14 include a linear or branched alkyl group, and a cyclic hydrocarbon group.

Ra’14における直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1又は2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基又はn-ブチル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。 The linear alkyl group for Ra' 14 preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Of these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

Ra’14における分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1,1-ジエチルプロピル基、2,2-ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。 The branched alkyl group for Ra' 14 preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably has 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include an isopropyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a 1,1-diethylpropyl group, and a 2,2-dimethylbutyl group, and is preferably an isopropyl group.

Ra’14が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
When Ra' 14 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and may be a polycyclic group or a monocyclic group.
The monocyclic aliphatic hydrocarbon group is preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane.
As the aliphatic hydrocarbon group that is a polycyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is preferable, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

Ra’14における芳香族炭化水素基としては、Ra04における芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。中でも、Ra’14は、炭素数6~15の芳香族炭化水素環から水素原子1個以上を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子1個以上を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子1個以上を除いた基がさらに好ましく、ナフタレン又はアントラセンから水素原子1個以上を除いた基が特に好ましく、ナフタレンから水素原子1個以上を除いた基が最も好ましい。
Ra’14が有していてもよい置換基としては、Ra04が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group for Ra' 14 include the same as the aromatic hydrocarbon group for Ra 04. Among them, Ra' 14 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 15 carbon atoms, more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from benzene, naphthalene, anthracene or phenanthrene, still more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from benzene, naphthalene or anthracene, particularly preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from naphthalene or anthracene, and most preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from naphthalene.
Examples of the substituent which Ra'14 may have include the same substituents as those which Ra04 may have.

式(a1-r2-4)中のRa’14がナフチル基である場合、前記式(a1-r2-4)における第3級炭素原子と結合する位置は、ナフチル基の1位又は2位のいずれであってもよい。
式(a1-r2-4)中のRa’14がアントリル基である場合、前記式(a1-r2-4)における第3級炭素原子と結合する位置は、アントリル基の1位、2位又は9位のいずれであってもよい。
When Ra' 14 in formula (a1-r2-4) is a naphthyl group, the position at which it bonds to the tertiary carbon atom in formula (a1-r2-4) may be either the 1st or 2nd position of the naphthyl group.
When Ra' 14 in formula (a1-r2-4) is an anthryl group, the position at which it bonds to the tertiary carbon atom in formula (a1-r2-4) may be any one of the 1-position, 2-position or 9-position of the anthryl group.

前記式(a1-r2-1)で表される基の具体例を以下に挙げる。 Specific examples of the group represented by formula (a1-r2-1) are given below.

Figure 0007573399000007
Figure 0007573399000007

Figure 0007573399000008
Figure 0007573399000008

Figure 0007573399000009
Figure 0007573399000009

前記式(a1-r2-2)で表される基の具体例を以下に挙げる。 Specific examples of the group represented by formula (a1-r2-2) are given below.

Figure 0007573399000010
Figure 0007573399000010

Figure 0007573399000011
Figure 0007573399000011

Figure 0007573399000012
Figure 0007573399000012

前記式(a1-r2-3)で表される基の具体例を以下に挙げる。 Specific examples of the group represented by formula (a1-r2-3) are given below.

Figure 0007573399000013
Figure 0007573399000013

前記式(a1-r2-4)で表される基の具体例を以下に挙げる。 Specific examples of the group represented by formula (a1-r2-4) are given below.

Figure 0007573399000014
Figure 0007573399000014

第3級アルキルオキシカルボニル酸解離性基:
前記極性基のうち水酸基を保護する酸解離性基としては、例えば、下記一般式(a1-r-3)で表される酸解離性基(以下便宜上「第3級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」ということがある)が挙げられる。
Tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociating group:
Among the polar groups, examples of the acid dissociable group that protects the hydroxyl group include acid dissociable groups represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter, for convenience, may be referred to as “tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group”).

Figure 0007573399000015
[式中、Ra’~Ra’はそれぞれアルキル基である。]
Figure 0007573399000015
[In the formula, Ra' 7 to Ra' 9 each represent an alkyl group.]

式(a1-r-3)中、Ra’~Ra’は、それぞれ炭素数1~5のアルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基がより好ましい。
また、各アルキル基の合計の炭素数は、3~7であることが好ましく、炭素数3~5であることがより好ましく、炭素数3~4であることが最も好ましい。
In formula (a1-r-3), Ra' 7 to Ra' 9 are each preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
The total number of carbon atoms in each alkyl group is preferably 3 to 7, more preferably 3 to 5, and most preferably 3 or 4.

構成単位(a1)としては、厚膜レジスト膜における光透過率の低下を抑制する観点から、前記一般式(a1-r-2)で表される酸解離性基を含むものが好ましく、前記一般式(a1-r2-4)で表される酸解離性基を含むものがより好ましい。前記一般式(a1-r2-4)中、Ra’12及びRa’13は、それぞれ独立に、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。前記一般式(a1-r2-4)中、Ra’14は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。 From the viewpoint of suppressing a decrease in light transmittance in a thick resist film, the structural unit (a1) is preferably one containing an acid dissociable group represented by the general formula (a1-r-2), and more preferably one containing an acid dissociable group represented by the general formula (a1-r2-4). In the general formula (a1-r2-4), Ra' 12 and Ra' 13 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, even more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. In the general formula (a1-r2-4), Ra' 14 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, even more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group.

構成単位(a1)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、アクリルアミドから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の-C(=O)-OHにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit (a1) include structural units derived from acrylic esters in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, structural units derived from acrylamide, structural units in which at least some of the hydrogen atoms in the hydroxyl groups of a structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative are protected with a substituent containing the acid-decomposable group, and structural units in which at least some of the hydrogen atoms in -C(=O)-OH of a structural unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative are protected with a substituent containing the acid-decomposable group.

構成単位(a1)としては、上記のなかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a1)の好ましい具体例としては、下記一般式(a1-1)又は(a1-2)で表される構成単位が挙げられる。
Of the above, the structural unit (a1) is preferably a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent.
Preferred specific examples of the structural unit (a1) include structural units represented by general formula (a1-1) or (a1-2) shown below.

Figure 0007573399000016
[式中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Vaは、エーテル結合を有していてもよい2価の炭化水素基である。na1は、0~2の整数である。Raは、上記の一般式(a1-r-1)又は(a1-r-2)で表される酸解離性基である。Waはna2+1価の炭化水素基であり、na2は1~3の整数であり、Raは上記の一般式(a1-r-1)又は(a1-r-3)で表される酸解離性基である。]
Figure 0007573399000016
[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond. n a1 is an integer of 0 to 2. Ra 1 is an acid dissociable group represented by the above general formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Wa 1 is n a2 +1 valent hydrocarbon group, n a2 is an integer of 1 to 3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by the above general formula (a1-r-1) or (a1-r-3).]

前記式(a1-1)中、Rの炭素数1~5のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が最も好ましい。
In the formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferred.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and from the viewpoint of industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group is most preferred.

前記式(a1-1)中、Vaにおける2価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。 In the above formula (a1-1), the divalent hydrocarbon group for Va1 may be either an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

Vaにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va1 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specifically, the aliphatic hydrocarbon group may be a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

前記直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~6がより好ましく、炭素数1~4がさらに好ましく、炭素数1~3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が2~10であることが好ましく、炭素数3~6がより好ましく、炭素数3又は4がさらに好ましく、炭素数3が最も好ましい。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably has 1 to 6 carbon atoms, further preferably has 1 to 4 carbon atoms, and most preferably has 1 to 3 carbon atoms.
As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc.
The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably has 3 to 6 carbon atoms, even more preferably has 3 or 4 carbon atoms, and most preferably has 3 carbon atoms.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specific examples thereof include alkylmethylene groups such as -CH( CH3 )-, -CH( CH2CH3 )-, -C( CH3 ) 2- , -C (CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, and -C(CH2CH3)2- ; alkylethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2- , -CH( CH3 ) CH( CH3 )-, -C ( CH3 ) 2CH2- , -CH( CH2CH3 ) CH2- , and -C ( CH2CH3 ) 2 - CH2- ; alkyltrimethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH ( CH3 ) CH2CH2- , etc.; and alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH (CH3) CH2CH2- , etc. The alkyl group in the alkylalkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、前記直鎖状の脂肪族炭化水素基または前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、炭素数3~12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, etc. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as the linear aliphatic hydrocarbon group or the branched aliphatic hydrocarbon group.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably has 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

Vaにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
かかる芳香族炭化水素基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基);前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va1 is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
The aromatic hydrocarbon group preferably has a carbon number of 3 to 30, more preferably 5 to 30, even more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, this carbon number does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring contained in the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a heteroatom, etc. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); a group in which one hydrogen atom of a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) has been substituted with an alkylene group (for example, a group in which one hydrogen atom has been further removed from the aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, or a 2-naphthylethyl group). The number of carbon atoms in the alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

前記式(a1-1)中、Raは、上記式(a1-r-1)又は(a1-r-2)で表される酸解離性基である。 In the formula (a1-1), Ra 1 is an acid-dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-2).

前記式(a1-1)中、na1は、0~2の整数である。na1は、0又は1が好ましく、0がより好ましい。 In the formula (a1-1), n a1 is an integer of 0 to 2. n a1 is preferably 0 or 1, and more preferably 0.

前記式(a1-2)中、Waにおけるna2+1価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味し、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と構造中に環を含む脂肪族炭化水素基とを組み合わせた基が挙げられる。
前記na2+1価は、2~4価が好ましく、2又は3価がより好ましい。
In the formula (a1-2), the n a2 +1 valent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that does not have aromaticity, and may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure, and groups that combine linear or branched aliphatic hydrocarbon groups with aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.
The n a2 +1 valency is preferably divalent to tetravalent, and more preferably divalent or trivalent.

前記式(a1-2)中、Raは、上記の一般式(a1-r-1)又は(a1-r-3)で表される酸解離性基である。 In the formula (a1-2), Ra2 is an acid-dissociable group represented by the above general formula (a1-r-1) or (a1-r-3).

以下に前記式(a1-1)で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-1) are shown below: In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

Figure 0007573399000017
Figure 0007573399000017

Figure 0007573399000018
Figure 0007573399000018

Figure 0007573399000019
Figure 0007573399000019

Figure 0007573399000020
Figure 0007573399000020

Figure 0007573399000021
Figure 0007573399000021

Figure 0007573399000022
Figure 0007573399000022

Figure 0007573399000023
Figure 0007573399000023

Figure 0007573399000024
Figure 0007573399000024

Figure 0007573399000025
Figure 0007573399000025

Figure 0007573399000026
Figure 0007573399000026

Figure 0007573399000027
Figure 0007573399000027

以下に前記式(a1-2)で表される構成単位の具体例を示す。 Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-2) are shown below.

Figure 0007573399000028
Figure 0007573399000028

(A1)成分が有する構成単位(a1)は、1種でもよく2種以上でもよい。
構成単位(a1)としては、電子線やEUVによるリソグラフィーでの特性(感度、形状等)をより高められやすいことから、前記式(a1-1)で表される構成単位がより好ましい。
この中でも、構成単位(a1)としては、下記一般式(a1-1-1)で表される構成単位を含むものが特に好ましい。
The structural unit (a1) contained in the component (A1) may be of one type, or two or more types.
As the structural unit (a1), a structural unit represented by the above formula (a1-1) is more preferable, since it is easier to improve the characteristics (sensitivity, shape, etc.) in electron beam or EUV lithography.
Among these, as the structural unit (a1), it is particularly preferable that the structural unit (a1) includes a structural unit represented by general formula (a1-1-1) shown below.

Figure 0007573399000029
[式中、Ra”は、一般式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)又は(a1-r2-4)で表される酸解離性基である。]
Figure 0007573399000029
[In the formula, Ra 1 ″ is an acid-dissociable group represented by general formula (a1-r2-1), (a1-r2-3) or (a1-r2-4)]

前記式(a1-1-1)中、R、Va及びna1は、前記式(a1-1)中のR、Va及びna1と同様である。
一般式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)又は(a1-r2-4)で表される酸解離性基についての説明は、上述の通りである。Ra”は、厚膜レジスト膜における透明性が維持される観点から、前記一般式(a1-r2-4)で表される酸解離性基が好ましい。前記一般式(a1-r2-4)中のRa’12 Ra’13、及びRa’14の好ましい例は、上述の通りである。
In the formula (a1-1-1), R, Va1 and n a1 are the same as R, Va1 and n a1 in the formula (a1-1).
The acid dissociable group represented by general formula (a1-r2-1), (a1-r2-3) or (a1-r2-4) has been described above. From the viewpoint of maintaining the transparency of the thick resist film, Ra 1 ″ is preferably an acid dissociable group represented by general formula (a1-r2-4). Preferred examples of Ra' 12 , Ra' 13 and Ra' 14 in general formula (a1-r2-4) are as described above.

(A1)成分中の構成単位(a1)の割合は、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計(100モル%)に対して、5~80モル%が好ましく、10~75モル%がより好ましく、15~70モル%がさらに好ましく、20~60モル%が特に好ましい。
構成単位(a1)の割合を、前記の好ましい範囲の下限値以上とすることによって、感度、解像性、ラフネス改善等のリソグラフィー特性が向上する。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。
The proportion of the structural unit (a1) in the component (A1) is preferably 5 to 80 mol %, more preferably 10 to 75 mol %, even more preferably 15 to 70 mol %, and particularly preferably 20 to 60 mol %, based on the total (100 mol %) of all structural units constituting the component (A1).
By ensuring that the proportion of the structural unit (a1) is at least as large as the lower limit of the aforementioned preferred range, lithography properties such as sensitivity, resolution, and roughness can be improved. On the other hand, when the proportion is at most the upper limit of the aforementioned preferred range, a balance with other structural units can be achieved, and various lithography properties become favorable.

≪その他構成単位≫
(A1)成分は、上述した構成単位(a1)に加え、必要に応じてその他構成単位を有するものでもよい。
その他構成単位としては、例えば、ラクトン含有環式基、-SO-含有環式基又はカーボネート含有環式基を含む構成単位(a2);極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3);酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位(a4);後述の一般式(a10-1)で表される構成単位(a10);スチレン又はその誘導体から誘導される構成単位(st)などが挙げられる。
Other structural units
The component (A1) may contain other structural units, in addition to the structural unit (a1) described above, as necessary.
Examples of other structural units include structural units (a2) containing a lactone-containing cyclic group, an -SO2- containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group; structural units (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group; structural units (a4) containing an acid non-dissociable aliphatic cyclic group; structural units (a10) represented by the general formula (a10-1) described below; and structural units (st) derived from styrene or a derivative thereof.

構成単位(a2)について:
(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、さらに、ラクトン含有環式基、-SO-含有環式基又はカーボネート含有環式基を含む構成単位(a2)(但し、構成単位(a1)に該当するものを除く)を有するものでもよい。
構成単位(a2)のラクトン含有環式基、-SO-含有環式基又はカーボネート含有環式基は、(A1)成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高める上で有効なものである。また、構成単位(a2)を有することで、例えば酸拡散長を適切に調整する、レジスト膜の基板への密着性を高める、現像時の溶解性を適切に調整する等の効果により、リソグラフィー特性等が良好となる。
Regarding the structural unit (a2):
The component (A1) may further contain, in addition to the structural unit (a1), a structural unit (a2) containing a lactone-containing cyclic group, an —SO 2 —-containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group (excluding those that correspond to the structural unit (a1)).
The lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or carbonate-containing cyclic group of the structural unit (a2) is effective in improving the adhesion of the resist film to a substrate when the component (A1) is used to form a resist film. Furthermore, the presence of the structural unit (a2) provides effects such as appropriate adjustment of the acid diffusion length, improved adhesion of the resist film to a substrate, and appropriate adjustment of solubility during development, resulting in improved lithography properties.

「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に-O-C(=O)-を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
構成単位(a2)におけるラクトン含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表される基が挙げられる。
A "lactone-containing cyclic group" refers to a cyclic group that contains a ring (lactone ring) that contains --O--C(=O)-- in its ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and when there is only a lactone ring, it is called a monocyclic group, and when there is further contained another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited and any suitable group can be used. Specific examples include the groups represented by the following general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7).

Figure 0007573399000030
[式中、Ra’21はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR”、-OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は-SO-含有環式基であり;A”は酸素原子(-O-)もしくは硫黄原子(-S-)を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0~2の整数であり、m’は0または1である。]
Figure 0007573399000030
[In the formula, Ra' 21 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group or a cyano group; R" is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or an -SO 2 - containing cyclic group; A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-), an oxygen atom or a sulfur atom, n' is an integer of 0 to 2, and m' is 0 or 1.]

前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中、Ra’21におけるアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ra’21におけるアルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記Ra’21におけるアルキル基として挙げたアルキル基と酸素原子(-O-)とが連結した基が挙げられる。
Ra’21におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ra’21におけるハロゲン化アルキル基としては、前記Ra’21におけるアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
In the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7), the alkyl group in Ra'21 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Of these, a methyl group or an ethyl group is preferred, and a methyl group is particularly preferred.
The alkoxy group in Ra' 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specific examples include groups in which the alkyl groups listed above as the alkyl groups in Ra' 21 are linked to an oxygen atom (-O-).
Examples of the halogen atom in Ra'21 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, with a fluorine atom being preferred.
The halogenated alkyl group in Ra' 21 may be a group in which some or all of the hydrogen atoms in the alkyl group in Ra' 21 have been substituted with the halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

Ra’21における-COOR”、-OC(=O)R”において、R”はいずれも水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は-SO-含有環式基である。
R”におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、炭素数は1~15が好ましい。
R”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
R”におけるラクトン含有環式基としては、前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表される基と同様のものが挙げられる。
R”におけるカーボネート含有環式基としては、後述のカーボネート含有環式基と同様であり、具体的には一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)でそれぞれ表される基が挙げられる。
R”における-SO-含有環式基としては、後述の-SO-含有環式基と同様であり、具体的には一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される基が挙げられる。
Ra’21におけるヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、前記Ra’21におけるアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。
In —COOR″ and —OC(═O)R″ in Ra′ 21 , R″ is either a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or an —SO 2 —-containing cyclic group.
The alkyl group for R″ may be linear, branched, or cyclic, and preferably has 1 to 15 carbon atoms.
When R″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably has 1 to 5 carbon atoms, and is particularly preferably a methyl group or an ethyl group.
When R" is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; and groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane. More specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; and groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.
Examples of the lactone-containing cyclic group for R″ include the same groups as those represented by the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7).
The carbonate-containing cyclic group for R″ is the same as the carbonate-containing cyclic group described later, and specific examples thereof include groups represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).
The —SO 2 — containing cyclic group for R″ is the same as the —SO 2 — containing cyclic group described later, and specific examples include the groups represented by the general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4).
The hydroxyalkyl group in Ra' 21 preferably has 1 to 6 carbon atoms, and specific examples include the alkyl group in Ra' 21 in which at least one hydrogen atom has been substituted with a hydroxyl group.

前記一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中、A”における炭素数1~5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に-O-または-S-が介在する基が挙げられ、例えばO-CH-、-CH-O-CH-、-S-CH-、-CH-S-CH-等が挙げられる。A”としては、炭素数1~5のアルキレン基または-O-が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。 In the general formulae (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2-r-5), the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms for A" is preferably a straight-chain or branched-chain alkylene group, such as a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group or an isopropylene group. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include groups in which -O- or -S- is present at the terminal or between the carbon atoms of the alkylene group, such as O-CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 - and -CH 2 -S-CH 2 -. A" is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.

下記に一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。 Specific examples of the groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are listed below.

Figure 0007573399000031
Figure 0007573399000031

Figure 0007573399000032
Figure 0007573399000032

「-SO-含有環式基」とは、その環骨格中に-SO-を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、-SO-における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に-SO-を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。-SO-含有環式基は、単環式基であってもよく多環式基であってもよい。
-SO-含有環式基は、特に、その環骨格中に-O-SO-を含む環式基、すなわち-O-SO-中の-O-S-が環骨格の一部を形成するスルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。
-SO-含有環式基として、より具体的には、下記一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される基が挙げられる。
The term "-SO 2 -containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 - in its ring skeleton, and specifically, it is a cyclic group in which the sulfur atom (S) in -SO 2 - forms part of the ring skeleton of the cyclic group. The ring containing -SO 2 - in the ring skeleton is counted as the first ring, and if there is only this ring, it is called a monocyclic group, and if there is further ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The -SO 2 -containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The —SO 2 —-containing cyclic group is particularly preferably a cyclic group containing —O—SO 2 — in its ring skeleton, that is, a cyclic group containing a sultone ring in which —O—S— in —O—SO 2 — forms part of the ring skeleton.
More specific examples of the —SO 2 —-containing cyclic group include groups represented by the following general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4).

Figure 0007573399000033
[式中、Ra’51はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR”、-OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は-SO-含有環式基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0~2の整数である。]
Figure 0007573399000033
[In the formula, Ra' 51 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group or a cyano group; R" is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or an -SO 2 - containing cyclic group; A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and n' is an integer of 0 to 2.]

前記一般式(a5-r-1)~(a5-r-2)中、A”は、前記一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中のA”と同様である。
Ra’51におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、-COOR”、-OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中のRa’21についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
下記に一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。式中の「Ac」は、アセチル基を示す。
In the general formulae (a5-r-1) and (a5-r-2), A" is the same as A" in the general formulae (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2-r-5).
Examples of the alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group in Ra' 51 include the same as those mentioned in the description of Ra' 21 in the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7).
Specific examples of the groups represented by general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4) are shown below, in which "Ac" represents an acetyl group.

Figure 0007573399000034
Figure 0007573399000034

Figure 0007573399000035
Figure 0007573399000035

Figure 0007573399000036
Figure 0007573399000036

「カーボネート含有環式基」とは、その環骨格中に-O-C(=O)-O-を含む環(カーボネート環)を含有する環式基を示す。カーボネート環をひとつ目の環として数え、カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。カーボネート含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
カーボネート環含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)でそれぞれ表される基が挙げられる。
A "carbonate-containing cyclic group" refers to a cyclic group that contains a ring (carbonate ring) that contains --O--C(=O)--O- in its ring skeleton. The carbonate ring is counted as the first ring, and when there is only a carbonate ring, it is called a monocyclic group, and when there is further contained another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The carbonate ring-containing cyclic group is not particularly limited and any one can be used. Specific examples include groups represented by the following general formulae (ax3-r-1) to (ax3-r-3).

Figure 0007573399000037
[式中、Ra’x31はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR”、-OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は-SO-含有環式基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、p’は0~3の整数であり、q’は0または1である。]
Figure 0007573399000037
[In the formula, Ra' x31 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group or a cyano group; R" represents a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or an -SO 2 - containing cyclic group; A" represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, p' represents an integer of 0 to 3, and q' represents 0 or 1.]

前記一般式(ax3-r-2)~(ax3-r-3)中、A”は、前記一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中のA”と同様である。
Ra’ 31におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、-COOR”、-OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中のRa’21についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
下記に一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。
In the general formulae (ax3-r-2) to (ax3-r-3), A" is the same as A" in the general formulae (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2-r-5).
Examples of the alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group in Ra' 31 include the same as those mentioned in the description of Ra' 21 in the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7).
Specific examples of the groups represented by the general formulae (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are shown below.

Figure 0007573399000038
Figure 0007573399000038

構成単位(a2)としては、なかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a2)は、下記一般式(a2-1)で表される構成単位であることが好ましい。
Of the various possibilities, the structural unit (a2) is preferably a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent.
The structural unit (a2) is preferably a structural unit represented by general formula (a2-1) shown below.

Figure 0007573399000039
[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Ya21は単結合または2価の連結基である。La21は-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-又は-CONHCS-であり、R’は水素原子またはメチル基を示す。ただしLa21が-O-の場合、Ya21は-CO-にはならない。Ra21はラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は-SO-含有環式基である。]
Figure 0007573399000039
[In the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya 21 represents a single bond or a divalent linking group. La 21 represents -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO-, or -CONHCS-, and R' represents a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is -O-, Ya 21 does not represent -CO-. Ra 21 represents a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or an -SO 2 -containing cyclic group.]

前記式(a2-1)中、Rは前記と同じである。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が特に好ましい。 In the formula (a2-1), R is the same as defined above. R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group from the viewpoint of industrial availability.

前記式(a2-1)中、Ya21における2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適に挙げられる。 In the formula (a2-1), the divalent linking group for Ya 21 is not particularly limited, but suitable examples include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and a divalent linking group containing a hetero atom.

・置換基を有してもよい2価の炭化水素基:
Ya21が置換基を有してもよい2価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。
Optionally substituted divalent hydrocarbon group:
When Ya 21 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

・・Ya21における脂肪族炭化水素基
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
Aliphatic Hydrocarbon Group in Ya 21 The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, and aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.

・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
該直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~6がより好ましく、炭素数1~4がさらに好ましく、炭素数1~3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
該分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が2~10であることが好ましく、炭素数3~6がより好ましく、炭素数3又は4がさらに好ましく、炭素数3が最も好ましい。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
...Straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group The straight-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, even more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc.
The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably has 3 to 6 carbon atoms, even more preferably has 3 or 4 carbon atoms, and most preferably has 3 carbon atoms.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specific examples thereof include alkylmethylene groups such as -CH( CH3 )-, -CH( CH2CH3 )-, -C( CH3 ) 2- , -C (CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, and -C(CH2CH3)2- ; alkylethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2- , -CH( CH3 ) CH( CH3 )-, -C ( CH3 ) 2CH2- , -CH( CH2CH3 ) CH2- , and -C ( CH2CH3 ) 2 - CH2- ; alkyltrimethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH ( CH3 ) CH2CH2- , etc.; and alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH (CH3) CH2CH2- , etc. The alkyl group in the alkylalkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。 The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、炭素数3~12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
... Aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure Examples of the aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure include cyclic aliphatic hydrocarbon groups (groups in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent containing a heteroatom in the ring structure, groups in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, groups in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, etc. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as those described above.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably has 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-が好ましい。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent, such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, or a carbonyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and further preferably a methoxy group or an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, with a fluorine atom being preferred.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include the alkyl groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl groups are substituted with the halogen atoms.
In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, some of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. Preferred examples of the substituent containing a hetero atom include -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 - and -S(=O) 2 -O-.

・・Ya21における芳香族炭化水素基
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でもよいし、多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、炭素数5~20がより好ましく、炭素数6~15がさらに好ましく、炭素数6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、炭素数1~2であることがより好ましく、炭素数1であることが特に好ましい。
Aromatic Hydrocarbon Group in Ya 21 The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is replaced with a heteroatom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); a group in which one hydrogen atom of a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) has been substituted with an alkylene group (e.g., a group in which one hydrogen atom has been further removed from the aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, or a 2-naphthylethyl group). The number of carbon atoms in the alkylene group bonded to the aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group may have a hydrogen atom substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as the substituent substituting a hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

・ヘテロ原子を含む2価の連結基:
Ya21がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-、一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-、-Y21-O-C(=O)-Y22-または-Y21-S(=O)-O-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m”は0~3の整数である。]等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む2価の連結基が-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-の場合、そのHはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8であることがさらに好ましく、1~5であることが特に好ましい。
一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-、-Y21-O-C(=O)-Y22-または-Y21-S(=O)-O-Y22-中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記Ya21における2価の連結基としての説明で挙げた(置換基を有していてもよい2価の炭化水素基)と同様のものが挙げられる。
21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基において、m”は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基としては、式-Y21-C(=O)-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-(CHa’-C(=O)-O-(CHb’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
Divalent linking groups containing heteroatoms:
When Ya 21 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred examples of the linking group include -O-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted by a substituent such as an alkyl group or an acyl group), -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, and the general formula -Y 21 -O-Y 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m " -Y 22 -, -Y 21 -O-C(=O)-Y 22 - or a group represented by -Y 21 -S(═O) 2 -O-Y 22 - [wherein Y 21 and Y 22 each independently represent a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m″ is an integer of 0 to 3].
When the divalent linking group containing a hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, or -NH-C(=NH)-, the H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
In the general formula -Y 21 -O-Y 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(═O)-O-, -C(═O)-O-Y 21 -, -[Y 21 -C(═O)-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -O-C(═O)-Y 22 - or -Y 21 -S(═O) 2 -O-Y 22 -, Y 21 and Y 22 each independently represent a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same as those (divalent hydrocarbon group which may have a substituent) listed above in the description of the divalent linking group for Ya 21 .
Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methylene group or ethylene group.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula -[Y 21 -C(═O)-O] m" -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 1. That is, as the group represented by the formula -[Y 21 -C(═O)-O] m" -Y 22 -, a group represented by the formula -Y 21 -C(═O)-O-Y 22 - is particularly preferred. Of these, a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(═O)-O-(CH 2 ) b' - is preferred. In the formula, a' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, even more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, even more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

上記の中でも、Ya21としては、単結合、エステル結合[-C(=O)-O-]、エーテル結合(-O-)、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましい。 Among the above, Ya 21 is preferably a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.

前記式(a2-1)中、Ra21はラクトン含有環式基、-SO-含有環式基またはカーボネート含有環式基である。
Ra21におけるラクトン含有環式基、-SO-含有環式基、カーボネート含有環式基としてはそれぞれ、前述した一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表される基、一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される基、一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)でそれぞれ表される基が好適に挙げられる。
中でも、ラクトン含有環式基または-SO-含有環式基が好ましく、前記一般式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)または(a5-r-1)でそれぞれ表される基がより好ましい。具体的には、前記化学式(r-lc-1-1)~(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)~(r-lc-2-18)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)でそれぞれ表される、いずれかの基がより好ましい。
In the above formula (a2-1), Ra 21 represents a lactone-containing cyclic group, an —SO 2 —-containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group.
Suitable examples of the lactone-containing cyclic group, the —SO 2 —-containing cyclic group, and the carbonate-containing cyclic group for Ra 21 include the groups represented by the above-mentioned general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7), (a5-r-1) to (a5-r-4), and (ax3-r-1) to (ax3-r-3).
Among them, lactone-containing cyclic groups or -SO 2 -containing cyclic groups are preferred, and the groups represented by the above general formulae (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6) and (a5-r-1) are more preferred. Specifically, any of the groups represented by the above chemical formulae (r-lc-1-1) to (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) to (r-lc-2-18), (r-lc-6-1), (r-sl-1-1) and (r-sl-1-18) are more preferred.

(A1)成分が有する構成単位(a2)は、1種でもよく2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a2)を有する場合、構成単位(a2)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計(100モル%)に対して、5~60モル%であることが好ましく、10~60モル%であることがより好ましく、20~55モル%であることがさらに好ましく、30~50モル%が特に好ましい。
構成単位(a2)の割合を好ましい下限値以上とすると、前述した効果によって、構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。
The structural unit (a2) contained in the component (A1) may be of one type, or two or more types.
When the component (A1) contains the structural unit (a2), the proportion of the structural unit (a2) relative to the total (100 mol%) of all structural units constituting the component (A1) is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, even more preferably 20 to 55 mol%, and particularly preferably 30 to 50 mol%.
When the proportion of the structural unit (a2) is at least as large as the preferable lower limit, the effects achieved by including the structural unit (a2) can be fully obtained due to the effects described above. When the proportion of the structural unit (a2) is no more than the upper limit, a balance with other structural units can be achieved, and various lithography properties become favorable.

構成単位(a3)について:
(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)(但し、構成単位(a1)又は構成単位(a2)に該当するものを除く)を有するものでもよい。(A1)成分が構成単位(a3)を有することにより、(A)成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。また、酸拡散長を適切に調整することができる。
Regarding the structural unit (a3):
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) may further include a structural unit (a3) (excluding those corresponding to the structural unit (a1) or the structural unit (a2)) that includes a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group. When the component (A1) includes the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) is increased, which contributes to improving the resolution. In addition, the acid diffusion length can be appropriately adjusted.

極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、環状の脂肪族炭化水素基(環式基)が挙げられる。該環式基としては、単環式基でも多環式基でもよく、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which some of the hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, with a hydroxyl group being particularly preferred.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms (preferably alkylene groups) and cyclic aliphatic hydrocarbon groups (cyclic groups). The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group, and can be appropriately selected from the multitude of groups proposed for use in resins for ArF excimer laser resist compositions.

該環式基が単環式基である場合、炭素数は3~10であることがより好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族単環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該単環式基としては、モノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタンなどのモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの単環式基の中でも、シクロペンタンから2個以上の水素原子を除いた基、シクロヘキサンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。 When the cyclic group is a monocyclic group, it is more preferable that the number of carbon atoms is 3 to 10. Among them, structural units derived from acrylic esters containing an aliphatic monocyclic group containing a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or a hydroxyalkyl group in which some of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms are more preferable. Examples of the monocyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, and cyclooctane. Among these monocyclic groups, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from cyclopentane and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from cyclohexane are industrially preferable.

該環式基が多環式基である場合、該多環式基の炭素数は7~30であることがより好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。 When the cyclic group is a polycyclic group, the number of carbon atoms in the polycyclic group is more preferably 7 to 30. Among them, structural units derived from acrylic esters containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or a hydroxyalkyl group in which some of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms are more preferred. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkanes, tricycloalkanes, tetracycloalkanes, etc. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane are industrially preferred.

構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むものであれば特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
構成単位(a3)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位が好ましい。
構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましい。
また、構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における該炭化水素基が多環式基のときは、下記の式(a3-1)で表される構成単位、式(a3-2)で表される構成単位、式(a3-3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられ;単環式基のときは、式(a3-4)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。
There are no particular limitations on the structural unit (a3), and any structural unit can be used as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
The structural unit (a3) is preferably a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and which contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
When the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a straight-chain or branched-chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the structural unit (a3) is preferably a structural unit derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid.
Furthermore, when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a polycyclic group, preferred examples of the structural unit (a3) include structural units represented by the following formulas (a3-1), (a3-2), and (a3-3); when the hydrocarbon group is a monocyclic group, preferred examples of the structural unit (a3) include structural units represented by formula (a3-4).

Figure 0007573399000040
[式中、Rは前記と同じであり、jは1~3の整数であり、kは1~3の整数であり、t’は1~3の整数であり、lは0~5の整数であり、sは1~3の整数である。]
Figure 0007573399000040
[In the formula, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t' is an integer of 1 to 3, l is an integer of 0 to 5, and s is an integer of 1 to 3.]

式(a3-1)中、jは、1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
jは1であることが好ましく、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが特に好ましい。
In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that hydroxyl groups are bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that hydroxyl groups are bonded to the 3rd position of the adamantyl group.
It is preferable that j is 1, and it is particularly preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

式(a3-2)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。 In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

式(a3-3)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2-ノルボルニル基または3-ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。 In formula (a3-3), t' is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. In these, a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is preferably bonded to the end of the carboxyl group of the acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5- or 6-position of the norbornyl group.

式(a3-4)中、t’は1又は2であることが好ましい。lは0又は1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、シクロヘキシル基の3又は5位に結合していることが好ましい。 In formula (a3-4), t' is preferably 1 or 2. l is preferably 0 or 1. s is preferably 1. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 3- or 5-position of the cyclohexyl group.

(A1)成分が有する構成単位(a3)は、1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a3)を有する場合、構成単位(a3)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計(100モル%)に対して1~30モル%であることが好ましく、2~25モル%がより好ましく、5~20モル%がさらに好ましい。
構成単位(a3)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、前述した効果によって、構成単位(a3)を含有させることによる効果が充分に得られ、好ましい上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。
The structural unit (a3) contained in the component (A1) may be of one type, or two or more types.
When the component (A1) contains the structural unit (a3), the proportion of the structural unit (a3) is preferably 1 to 30 mol %, more preferably 2 to 25 mol %, and even more preferably 5 to 20 mol %, based on the total (100 mol %) of all structural units constituting the component (A1).
By ensuring that the proportion of the structural unit (a3) is at least as great as the preferred lower limit, the effects achieved by including the structural unit (a3) can be fully obtained due to the effects described above. By ensuring that the proportion of the structural unit (a3) is at most the preferred upper limit, a balance with other structural units can be achieved, and various lithography properties become favorable.

構成単位(a4)について:
(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、さらに、酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位(a4)を有してもよい。
(A1)成分が構成単位(a4)を有することにより、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、(A)成分の疎水性が高まる。疎水性の向上は、特に溶剤現像プロセスの場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与する。
構成単位(a4)における「酸非解離性環式基」は、露光により当該レジスト組成物中に酸が発生した際(例えば、露光により酸を発生する構成単位又は(B)成分から酸が発生した際)に、該酸が作用しても解離することなくそのまま当該構成単位中に残る環式基である。
Regarding the structural unit (a4):
The component (A1) may further contain, in addition to the structural unit (a1), a structural unit (a4) that contains an acid non-dissociable aliphatic cyclic group.
By including the structural unit (a4) in the component (A1), the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. In addition, the hydrophobicity of the component (A) is enhanced. Improved hydrophobicity contributes to improvements in the resolution, resist pattern shape, etc., particularly in the case of a solvent development process.
The “acid non-dissociable cyclic group” within the structural unit (a4) is a cyclic group that, when acid is generated in the resist composition upon exposure (for example, when acid is generated from a structural unit that generates acid upon exposure or from the component (B)), does not dissociate even when acted upon by the acid, and remains as such within the structural unit.

構成単位(a4)としては、例えば酸非解離性の脂肪族環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位等が好ましい。該環式基は、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはKrFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該環式基は、工業上入手し易いなどの点から、特にトリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらの多環式基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4-1)~(a4-7)でそれぞれ表される構成単位を例示することができる。
The structural unit (a4) is preferably, for example, a structural unit derived from an acrylate ester that contains an acid non-dissociable aliphatic cyclic group. As the cyclic group, many of those conventionally known to be used as resin components in resist compositions for use with ArF excimer lasers, KrF excimer lasers (preferably KrF excimer lasers), and the like can be used.
The cyclic group is preferably at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group, in view of industrial availability, etc. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Specific examples of the structural unit (a4) include structural units represented by general formulas (a4-1) to (a4-7) shown below.

Figure 0007573399000041
[式中、Rαは前記と同じである。]
Figure 0007573399000041
[In the formula, R α is the same as above.]

(A1)成分が有する構成単位(a4)は、1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a4)を有する場合、構成単位(a4)の割合は、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計(100モル%)に対して、1~40モル%であることが好ましく、5~20モル%であることがより好ましい。
構成単位(a4)の割合を、好ましい下限値以上とすることにより、構成単位(a4)を含有させることによる効果が充分に得られ、一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a4) contained in the component (A1) may be of one type, or two or more types.
When the component (A1) contains the structural unit (a4), the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 40 mol %, and more preferably 5 to 20 mol %, based on the total (100 mol %) of all structural units constituting the component (A1).
By ensuring that the proportion of the structural unit (a4) is at least as large as the preferred lower limit, the effects of including the structural unit (a4) can be fully obtained, while by ensuring that the proportion is no more than the preferred upper limit, it becomes easier to achieve a balance with other structural units.

構成単位(a10)について:
構成単位(a10)は、下記一般式(a10-1)で表される構成単位である。
Regarding the structural unit (a10):
The structural unit (a10) is a structural unit represented by general formula (a10-1) shown below.

Figure 0007573399000042
[式中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Yax1は、単結合又は2価の連結基である。Wax1は、(nax1+1)価の芳香族炭化水素基である。nax1は、1以上の整数である。]
Figure 0007573399000042
[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is an aromatic hydrocarbon group having a valence of (n ax1 +1). n ax1 is an integer of 1 or more.]

前記式(a10-1)中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。
Rにおける炭素数1~5のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Rにおける炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
In the above formula (a10-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms have been substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferred.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and from the viewpoint of industrial availability, is more preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group, is further preferably a hydrogen atom or a methyl group, and is particularly preferably a methyl group.

前記式(a10-1)中、Yax1は、単結合又は2価の連結基である。
前記の化学式中、Yax1における2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有してもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
In the above formula (a10-1), Ya x1 represents a single bond or a divalent linking group.
In the above chemical formula, the divalent linking group for Ya x1 is not particularly limited, but suitable examples include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and a divalent linking group containing a hetero atom.

・置換基を有してもよい2価の炭化水素基:
Yax1が置換基を有してもよい2価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。
Optionally substituted divalent hydrocarbon group:
When Ya x1 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

・・Yax1における脂肪族炭化水素基
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
Aliphatic Hydrocarbon Group in Ya x1 The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, and aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.

・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
該直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~6がより好ましく、炭素数1~4がさらに好ましく、炭素数1~3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
該分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が2~10であることが好ましく、炭素数3~6がより好ましく、炭素数3又は4がさらに好ましく、炭素数3が最も好ましい。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
...Straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group The straight-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, even more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc.
The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably has 3 to 6 carbon atoms, even more preferably has 3 or 4 carbon atoms, and most preferably has 3 carbon atoms.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specific examples thereof include alkylmethylene groups such as -CH( CH3 )-, -CH( CH2CH3 )-, -C( CH3 ) 2- , -C (CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, and -C(CH2CH3)2- ; alkylethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2- , -CH( CH3 ) CH( CH3 )-, -C ( CH3 ) 2CH2- , -CH( CH2CH3 ) CH2- , and -C ( CH2CH3 ) 2 - CH2- ; alkyltrimethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH ( CH3 ) CH2CH2- , etc.; and alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH (CH3) CH2CH2- , etc. The alkyl group in the alkylalkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。 The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、炭素数3~12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
... Aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure Examples of the aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure include cyclic aliphatic hydrocarbon groups (groups in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent containing a heteroatom in the ring structure, groups in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, groups in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, etc. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as those described above.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably has 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-が好ましい。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent, such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, or a carbonyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and further preferably a methoxy group or an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, with a fluorine atom being preferred.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include the alkyl groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl groups are substituted with the halogen atoms.
In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, some of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. Preferred examples of the substituent containing a hetero atom include -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 - and -S(=O) 2 -O-.

・・Yax1における芳香族炭化水素基
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でもよいし、多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、炭素数5~20がより好ましく、炭素数6~15がさらに好ましく、炭素数6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、炭素数1~2であることがより好ましく、炭素数1であることが特に好ましい。
Aromatic Hydrocarbon Group in Ya x1 The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is replaced with a heteroatom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); a group in which one hydrogen atom of a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) has been substituted with an alkylene group (e.g., a group in which one hydrogen atom has been further removed from the aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, or a 2-naphthylethyl group). The number of carbon atoms in the alkylene group bonded to the aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group may have a hydrogen atom substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as the substituent substituting a hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

・ヘテロ原子を含む2価の連結基:
Yax1がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-、一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-、-Y21-O-C(=O)-Y22-または-Y21-S(=O)-O-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m”は0~3の整数である。]等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む2価の連結基が-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-の場合、そのHはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8であることがさらに好ましく、1~5であることが特に好ましい。
一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-、-Y21-O-C(=O)-Y22-または-Y21-S(=O)-O-Y22-中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記Yax1における2価の連結基としての説明で挙げた(置換基を有していてもよい2価の炭化水素基)と同様のものが挙げられる。
21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基において、m”は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基としては、式-Y21-C(=O)-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-(CHa’-C(=O)-O-(CHb’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
Divalent linking groups containing heteroatoms:
When Ya x1 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred examples of the linking group include -O-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted by a substituent such as an alkyl group or an acyl group), -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, the general formula -Y 21 -O-Y 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m " -Y 22 -, -Y 21 -O-C(=O)-Y 22 - or a group represented by -Y 21 -S(═O) 2 -O-Y 22 - [wherein Y 21 and Y 22 each independently represent a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m″ is an integer of 0 to 3].
When the divalent linking group containing a hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, or -NH-C(=NH)-, the H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, acyl, etc. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
In the general formula -Y 21 -O-Y 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -O-C(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O) 2 -O-Y 22 -, Y 21 and Y 22 each independently represent a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same as those (divalent hydrocarbon group which may have a substituent) listed in the description of the divalent linking group for Ya x1 above.
Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methylene group or ethylene group.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula -[Y 21 -C(═O)-O] m" -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 1. That is, as the group represented by the formula -[Y 21 -C(═O)-O] m" -Y 22 -, a group represented by the formula -Y 21 -C(═O)-O-Y 22 - is particularly preferred. Of these, a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(═O)-O-(CH 2 ) b' - is preferred. In the formula, a' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, even more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, even more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

上記の中でも、Yax1としては、単結合、エステル結合[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、エーテル結合(-O-)、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましく、単結合、エステル結合[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]がより好ましく、単結合がさらに好ましい。 Among the above, Ya x1 is preferably a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-, -O-C(=O)-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof, more preferably a single bond or an ester bond [-C(=O)-O-, -O-C(=O)-], and still more preferably a single bond.

前記式(a10-1)中、Wax1は、(nax1+1)価の芳香族炭化水素基である。
Wax1における芳香族炭化水素基としては、芳香環から(nax1+1)個の水素原子を除いた基が挙げられる。ここでの芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、炭素数5~20がより好ましく、炭素数6~15がさらに好ましく、炭素数6~12が特に好ましい。該芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
また、Wax1における芳香族炭化水素基としては、2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から(nax1+1)個の水素原子を除いた基も挙げられる。
上記の中でも、Wax1としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンまたはビフェニルから(nax1+1)個の水素原子を除いた基が好ましく、ベンゼン又はナフタレンから(nax1+1)個の水素原子を除いた基がより好ましく、ベンゼンから(nax1+1)個の水素原子を除いた基がさらに好ましい。
In the above formula (a10-1), Wa x1 is an aromatic hydrocarbon group having a valence of (n ax1 +1).
The aromatic hydrocarbon group in Wa x1 may be a group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from an aromatic ring. The aromatic ring here is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The aromatic ring preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, even more preferably 6 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a heteroatom. Examples of heteroatoms in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Further, examples of the aromatic hydrocarbon group in Wa x1 include groups in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (such as biphenyl and fluorene).
Among the above, Wa x1 is preferably a group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from benzene, naphthalene, anthracene or biphenyl, more preferably a group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from benzene or naphthalene, and even more preferably a group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from benzene.

Wax1における芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよいが、置換基を有さないことが好ましい。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基としては、Yax1における環状の脂肪族炭化水素基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Wax1が、芳香環から(nax1+1)個の水素原子を除いた基である場合、前記置換基は、前記芳香環から(nax1+1)個の水素原子を除いた基における水素原子を置換するものである。前記置換基は、炭素数1~5の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、エチル基又はメチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。 The aromatic hydrocarbon group in Wa x1 may or may not have a substituent, but preferably does not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, and a halogenated alkyl group. Examples of the alkyl group, alkoxy group, halogen atom, and halogenated alkyl group as the substituent include the same as those exemplified as the substituent of the cyclic aliphatic hydrocarbon group in Ya x1 . When Wa x1 is a group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from an aromatic ring, the substituent is a group that replaces a hydrogen atom in the group in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from the aromatic ring. The substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, still more preferably an ethyl group or a methyl group, and particularly preferably a methyl group.

前記式(a10-1)中、nax1は、1以上の整数であり、1~10の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1、2又は3がさらに好ましく、1又は2が特に好ましい。中でも、nax1は、1が好ましい。 In the formula (a10-1), n ax1 is an integer of 1 or more, preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 5, still more preferably 1, 2 or 3, and particularly preferably 1 or 2. Of these, n ax1 is preferably 1.

以下に、前記式(a10-1)で表される構成単位(a10)の具体例を示す。
以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。
Specific examples of the structural unit (a10) represented by the aforementioned formula (a10-1) are shown below.
In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

Figure 0007573399000043
Figure 0007573399000043

Figure 0007573399000044
Figure 0007573399000044

Figure 0007573399000045
Figure 0007573399000045

Figure 0007573399000046
Figure 0007573399000046

(A1)成分が有する構成単位(a10)は、1種でもよく2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a10)を有する場合、(A1)成分中の構成単位(a10)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計(100モル%)に対して、5~80モル%であることが好ましく、5~75モル%がより好ましく、10~70モル%がさらに好ましい。
構成単位(a10)の割合を下限値以上とすることにより、感度がより高められやすくなる。一方、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a10) contained in the component (A1) may be of one type, or two or more types.
When the component (A1) contains the structural unit (a10), the proportion of the structural unit (a10) in the component (A1) is preferably 5 to 80 mol %, more preferably 5 to 75 mol %, and even more preferably 10 to 70 mol %, based on the total (100 mol %) of all structural units constituting the component (A1).
By ensuring that the proportion of the structural unit (a10) is at least as large as the lower limit of the above range, sensitivity can be further improved, whereas by ensuring that the proportion is at most the upper limit of the above range, it becomes easier to achieve a balance with other structural units.

構成単位(st)について:
構成単位(st)は、スチレン又はスチレン誘導体から誘導される構成単位である。「スチレンから誘導される構成単位」とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
Regarding the structural unit (st):
The structural unit (st) is a structural unit derived from styrene or a styrene derivative. A "structural unit derived from styrene" refers to a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of styrene. A "structural unit derived from a styrene derivative" refers to a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of a styrene derivative.

「スチレン誘導体」とは、スチレンの少なくとも一部の水素原子が置換基で置換された化合物を意味する。スチレン誘導体としては、例えば、スチレンのα位の水素原子が置換基で置換されたもの、スチレンのベンゼン環の1個以上の水素原子が置換基で置換されたもの、スチレンのα位の水素原子及びベンゼン環の1個以上の水素原子が置換基で置換されたもの等が挙げられる。 "Styrene derivative" refers to a compound in which at least some of the hydrogen atoms of styrene are replaced with a substituent. Examples of styrene derivatives include those in which the hydrogen atom at the α-position of styrene is replaced with a substituent, those in which one or more hydrogen atoms on the benzene ring of styrene are replaced with a substituent, and those in which the hydrogen atom at the α-position of styrene and one or more hydrogen atoms on the benzene ring are replaced with a substituent.

スチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基が挙げられる。
前記炭素数1~5のアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
前記炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
スチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基又は炭素数1~3のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、メチル基がさらに好ましい。
Examples of the substituent that substitutes the hydrogen atom at the α-position of styrene include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
The substituent substituting the hydrogen atom at the α-position of styrene is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and from the viewpoint of industrial availability, a methyl group is further preferable.

スチレンのベンゼン環の水素原子を置換する置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
スチレンのベンゼン環の水素原子を置換する置換基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Examples of the substituent that substitutes the hydrogen atom on the benzene ring of styrene include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, and a halogenated alkyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and further preferably a methoxy group or an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, with a fluorine atom being preferred.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include the alkyl groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl groups are substituted with the halogen atoms.
The substituent for substituting the hydrogen atom on the benzene ring of styrene is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and even more preferably a methyl group.

構成単位(st)としては、スチレンから誘導される構成単位、又はスチレンのα位の水素原子が炭素数1~5のアルキル基若しくは炭素数1~5のハロゲン化アルキル基で置換されたスチレン誘導体から誘導される構成単位が好ましく、スチレンから誘導される構成単位、又はスチレンのα位の水素原子がメチル基で置換されたスチレン誘導体から誘導される構成単位がより好ましく、スチレンから誘導される構成単位がさらに好ましい。 As the structural unit (st), a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a styrene derivative in which the hydrogen atom at the α-position of styrene is substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferred, a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a styrene derivative in which the hydrogen atom at the α-position of styrene is substituted with a methyl group is more preferred, and a structural unit derived from styrene is even more preferred.

(A1)成分が有する構成単位(st)は、1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(st)を有する場合、構成単位(st)の割合は、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計(100モル%)に対して、1~30モル%であることが好ましく、3~20モル%であることがより好ましい。
The structural unit (st) contained in the component (A1) may be of one type, or two or more types.
When the component (A1) contains a structural unit (st), the proportion of the structural unit (st) is preferably 1 to 30 mol %, and more preferably 3 to 20 mol %, based on the total (100 mol %) of all structural units constituting the component (A1).

レジスト組成物が含有する(A1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態のレジスト組成物において、(A1)成分は、構成単位(a1)の繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられる。
好ましい(A1)成分としては、構成単位(a1)とその他構成単位との繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられる。前記他の構成単位としては、構成単位(a10)又は構成単位(st)等が挙げられる。
上記2つの各構成単位の組み合わせに加えて、さらに3つ目又は3つ以上の構成単位として、上記で説明した構成単位を適宜所望の効果に合わせて組み合わせてもよい。3つ以上の構成単位の組み合せとしては、例えば、構成単位(a1)と構成単位(a10)と構成単位(st)との組合せ等が挙げられる。
(A1)成分の好ましい例としては、構成単位(a1)と構成単位(a10)との繰り返し構造を有する高分子化合物;構成単位(a1)と構成単位(st)との繰り返し構造を有する高分子化合物等:構成単位(a1)と構成単位(a10)と構成単位(st)との繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられる。
The component (A1) contained in the resist composition may use either a single type of compound, or a combination of two or more types of compounds.
In the resist composition of this embodiment, the component (A1) can be a polymeric compound that has a repeating structure of the structural unit (a1).
Preferred examples of the component (A1) include polymeric compounds having a repeating structure of the structural unit (a1) and other structural units. Examples of the other structural units include the structural unit (a10) or the structural unit (st).
In addition to the combination of the two structural units described above, the structural units described above may be combined as a third or more structural units according to the desired effect. Examples of combinations of three or more structural units include the combination of the structural unit (a1), the structural unit (a10), and the structural unit (st).
Preferred examples of the component (A1) include polymeric compounds having a repeating structure of the structural unit (a1) and the structural unit (a10); polymeric compounds having a repeating structure of the structural unit (a1) and the structural unit (st); and polymeric compounds having a repeating structure of the structural unit (a1), the structural unit (a10) and the structural unit (st).

かかる(A1)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを重合溶媒に溶解し、ここに、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、アゾビスイソ酪酸ジメチル(例えばV-601など)等のラジカル重合開始剤を加えて重合することにより製造することができる。
あるいは、かかる(A1)成分は、構成単位(a1)を誘導するモノマーと、必要に応じて構成単位(a1)以外の構成単位を誘導するモノマーと、を重合溶媒に溶解し、ここに、上記のようなラジカル重合開始剤を加えて重合し、その後、脱保護反応を行うことにより製造することができる。
なお、重合の際に、例えば、HS-CH-CH-CH-C(CF-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に-C(CF-OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
The component (A1) can be produced by dissolving monomers from which each structural unit is derived in a polymerization solvent, and then adding a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN) or dimethyl azobisisobutyrate (e.g., V-601), and polymerizing the resulting mixture.
Alternatively, the component (A1) can be produced by dissolving a monomer that derives the structural unit (a1) and, if necessary, a monomer that derives a structural unit other than the structural unit (a1) in a polymerization solvent, adding the above-mentioned radical polymerization initiator to the resulting solution to polymerize, and then carrying out a deprotection reaction.
During polymerization, a chain transfer agent such as HS-CH 2 -CH 2 -CH 2 -C(CF 3 ) 2 -OH may be used in combination to introduce a -C(CF 3 ) 2 -OH group to the end. A copolymer having a hydroxyalkyl group in which some of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms in this way is effective in reducing development defects and LER (line edge roughness: non-uniform unevenness of the line sidewalls).

(A1)成分の重量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000~50000が好ましく、2000~30000がより好ましく、3000~20000がさらに好ましい。
(A1)成分のMwがこの範囲の好ましい上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の好ましい下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
(A1)成分の分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0~4.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.0~2.0が特に好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The weight average molecular weight (Mw) of the component (A1) (based on polystyrene equivalent by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, but is preferably 1,000 to 50,000, more preferably 2,000 to 30,000, and even more preferably 3,000 to 20,000.
When the Mw of the component (A1) is no more than the preferred upper limit of this range, the compound has sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and when it is no less than the preferred lower limit of this range, the compound has good dry etching resistance and good cross-sectional shape of the resist pattern.
The dispersity (Mw/Mn) of the component (A1) is not particularly limited, but is preferably from 1.0 to 4.0, more preferably from 1.0 to 3.0, and particularly preferably from 1.0 to 2.0, where Mn represents the number average molecular weight.

・(A1)成分以外の基材成分について
本実施形態のレジスト組成物は、(A)成分として、前記(A1)成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分を併用してもよい。前記(A1)成分に該当しない基材成分としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のものから任意に選択して用いることができ、高分子化合物又は低分子化合物の1種を単独で用いてもよく2種以上を組み合わせて用いてもよい。
- Regarding base components other than component (A1) The resist composition of this embodiment may use, as the component (A), a base component other than the component (A1) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid. The base component other than the component (A1) is not particularly limited and may be arbitrarily selected from a large number of base components conventionally known for use in chemically amplified resist compositions, and may be a single polymeric compound or a low molecular compound, or a combination of two or more polymeric compounds or low molecular compounds.

(A)成分中の(A1)成分の割合は、(A)成分の総質量に対し、25質量%以上が好ましく、50質量%以上がより好ましく、75質量%以上がさらに好ましく、100質量%であってもよい。前記割合が25質量%以上であると、種々のリソグラフィー特性に優れたレジストパターンが形成されやすくなる。 The proportion of component (A1) in component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and even more preferably 75% by mass or more, and may be 100% by mass, based on the total mass of component (A). When the proportion is 25% by mass or more, a resist pattern having excellent lithography properties is easily formed.

本実施形態のレジスト組成物中、(A)成分の含有量は、レジスト組成物の総質量(100質量%)に対して、20質量%以上であることが好ましい。(A)成分の含有量を20質量%以上とすることにより、厚膜(例えば、膜厚5μm以上)のレジスト膜が形成されやすくなる。(A)成分の含有量の上限は、レジスト膜を形成可能な濃度であれば特に限定されないが、例えば、50質量%以下とすることができる。(A)成分の含有量は、20~50質量%が好ましく、22~50質量%より好ましく、25~50質量%がさらに好ましい。 In the resist composition of this embodiment, the content of component (A) is preferably 20% by mass or more relative to the total mass (100% by mass) of the resist composition. By making the content of component (A) 20% by mass or more, a thick resist film (for example, a film thickness of 5 μm or more) is easily formed. The upper limit of the content of component (A) is not particularly limited as long as it is a concentration that allows the formation of a resist film, but can be, for example, 50% by mass or less. The content of component (A) is preferably 20 to 50% by mass, more preferably 22 to 50% by mass, and even more preferably 25 to 50% by mass.

<(Z)成分>
(Z)成分は、イオン液体である。
イオン液体とは、液体で存在する塩をいう。イオン液体は、カチオン部とアニオン部とで構成され、これらのイオン間の静電相互作用は弱く、結晶化しにくい塩である。イオン液体は、融点が100℃以下のものであり、さらに下記の特徴1)~5)を有する。
特徴1)蒸気圧が極めて低い。特徴2)広い温度範囲で不燃性を示す。特徴3)広い温度範囲で液状を保つ。特徴4)密度を大きく変えられる。特徴5)極性の制御が可能である。
また、本実施形態において、イオン液体は、非重合性であることが好ましい。
イオン液体の質量平均分子量(Mw)は1000以下が好ましく、750以下がより好ましく、500以下が更に好ましい。
<Component (Z)>
The component (Z) is an ionic liquid.
An ionic liquid is a salt that exists in liquid form. An ionic liquid is a salt that is composed of a cation portion and an anion portion, and the electrostatic interaction between these ions is weak, making it difficult to crystallize. An ionic liquid has a melting point of 100°C or less, and further has the following characteristics 1) to 5).
Feature 1) Extremely low vapor pressure. Feature 2) Non-flammable over a wide temperature range. Feature 3) Remains liquid over a wide temperature range. Feature 4) Density can be changed significantly. Feature 5) Polarity can be controlled.
In this embodiment, the ionic liquid is preferably non-polymerizable.
The mass average molecular weight (Mw) of the ionic liquid is preferably 1,000 or less, more preferably 750 or less, and even more preferably 500 or less.

・(Z)成分のカチオン部
(Z)成分のカチオン部は、特に限定されないが、相分離性能の向上効果がより得られやすいことから、カチオン部の双極子モーメントが3debye以上であることが好ましく、より好ましくは3.2~15debye、さらに好ましくは3.4~12debyeである。
「カチオン部の双極子モーメント」とは、カチオン部の極性(電荷の偏り)を定量的に示すパラメータをいう。1debye(デバイ)は1×10-18esu・cmと定義される。本明細書において、カチオン部の双極子モーメントは、CACheによるシミュレーション値を示す。例えば、CAChe Work System Pro Version 6.1.12.33により、MM geometry(MM2)、PM3 geometryを用いて構造最適化を行うことにより測定される。
Cationic Moiety of Component (Z) The cationic moiety of component (Z) is not particularly limited, but because this makes it easier to obtain an improved phase separation performance effect, the dipole moment of the cationic moiety is preferably 3 debye or more, more preferably 3.2 to 15 debye, and even more preferably 3.4 to 12 debye.
The "dipole moment of the cationic moiety" refers to a parameter that quantitatively indicates the polarity (bias of charge) of the cationic moiety. 1 debye is defined as 1×10 −18 esu·cm. In this specification, the dipole moment of the cationic moiety refers to a simulation value by CAChe. For example, it is measured by performing structural optimization using MM geometry (MM2) and PM3 geometry by CAChe Work System Pro Version 6.1.12.33.

双極子モーメントが3debye以上のカチオンとしては、例えば、イミダゾリウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピペリジニウムイオン、アンモニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン等が好適に挙げられる。
すなわち、好ましい(Z)成分としては、例えば、イミダゾリウム塩、ピロリジニウム塩、ピペリジニウム塩、アンモニウム塩、スルホニウム塩又はホスホニウム塩等が挙げられる。これらの塩の中でも、相分離性能がより向上しやすいことから、そのカチオン部が、置換基を有するカチオンであることが好ましい。その中でも、置換基を有していてもよい炭素数1以上のアルキル基を含むカチオン、又は極性基を含むカチオンであるものが好ましい。前記のカチオンが含む炭素数1以上のアルキル基は、好ましくは炭素数が1~12、より好ましくは炭素数が1~6である。前記のアルキル基は、直鎖状アルキル基であっても分岐鎖状アルキル基であってもよいが、直鎖状アルキル基であることが好ましい。炭素数2以上のアルキル基が有していてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。なお、炭素数1以上のアルキル基は、置換基を有さないことが好ましい。前記のカチオンが含む極性基としては、例えば、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基等が挙げられる。
より好ましい(Z)成分のカチオン部としては、下記一般式(z-ca-1)~(z-ca-5)で表されるカチオンが挙げられる。
Suitable examples of the cation having a dipole moment of 3 debye or more include an imidazolium ion, a pyrrolidinium ion, a piperidinium ion, an ammonium ion, a sulfonium ion, and a phosphonium ion.
That is, preferred (Z) components include, for example, imidazolium salts, pyrrolidinium salts, piperidinium salts, ammonium salts, sulfonium salts, and phosphonium salts. Among these salts, the cationic portion is preferably a cation having a substituent, since the phase separation performance is more easily improved. Among them, a cation containing an alkyl group having 1 or more carbon atoms which may have a substituent, or a cation containing a polar group is preferred. The alkyl group having 1 or more carbon atoms contained in the cation preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group, but is preferably a linear alkyl group. Examples of the substituent that the alkyl group having 2 or more carbon atoms may have include a hydroxy group, a vinyl group, and an allyl group. It is preferable that the alkyl group having 1 or more carbon atoms does not have a substituent. Examples of the polar group contained in the cation include a carboxy group, a hydroxy group, an amino group, and a sulfo group.
More preferred examples of the cation moiety of the component (Z) include cations represented by the following general formulas (z-ca-1) to (z-ca-5).

Figure 0007573399000047
[式中、Rzc1~Rzc6は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基である。Rzc7~Rzc9は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基である。Rzc10~Rzc13は、それぞれ独立に、炭素数1~20の直鎖状のアルキル基である。]
Figure 0007573399000047
[In the formula, Rz c1 to Rz c6 are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Rz c7 to Rz c9 are each independently an aryl group which may have a substituent. Rz c10 to Rz c13 are each independently a linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.]

前記式(z-ca-1)中、Rzc1及びRzc2は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基であり、炭素数1~12の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~12の直鎖状のアルキル基がより好ましく、炭素数1~6の直鎖状のアルキル基が更に好ましい。なかでも、Rzc1がメチル基又はエチル基であり、Rzc2が炭素数1~4の直鎖状のアルキル基であることが特に好ましい。 In the formula (z-ca-1), Rz c1 and Rz c2 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Of these, it is particularly preferable that Rz c1 is a methyl group or an ethyl group, and Rz c2 is a linear alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

前記式(z-ca-2)中、Rzc3及びRzc4は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基であり、炭素数1~12の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~12の直鎖状のアルキル基がより好ましく、炭素数1~6の直鎖状のアルキル基が更に好ましい。なかでも、Rzc3がメチル基又はエチル基であり、Rzc4が炭素数1~4の直鎖状のアルキル基であることが特に好ましい。 In the formula (z-ca-2), Rz c3 and Rz c4 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Of these, it is particularly preferable that Rz c3 is a methyl group or an ethyl group, and Rz c4 is a linear alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

前記式(z-ca-3)中、Rzc5及びRzc6は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基であり、炭素数1~12の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~12の直鎖状のアルキル基がより好ましく、炭素数1~6の直鎖状のアルキル基が更に好ましい。なかでも、Rzc5が炭素数1~6の直鎖状のアルキル基であり、Rzc6が炭素数1~4の直鎖状のアルキル基であることが特に好ましい。 In the formula (z-ca-3), Rz c5 and Rz c6 are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Of these, it is particularly preferable that Rz c5 is a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and Rz c6 is a linear alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

前記式(z-ca-4)中、Rzc7~Rzc9は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基であり、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
Rzc7~Rzc9におけるアリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、後述する一般式(ca-r-1)~(ca-r-7)でそれぞれ表される基等が挙げられる。
In the above formula (z-ca-4), Rz c7 to Rz c9 each independently represent an aryl group which may have a substituent, and are preferably a phenyl group or a naphthyl group, more preferably a phenyl group.
Examples of the substituent that the aryl group in Rz c7 to Rz c9 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and groups represented by general formulas (ca-r-1) to (ca-r-7) described later, respectively.

前記式(z-ca-5)中、Rzc10~Rzc13は、それぞれ独立に、炭素数1~20の直鎖状のアルキル基であり、炭素数3~18の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数4~16の直鎖状のアルキル基がより好ましく、炭素数5~15の直鎖状のアルキル基が更に好ましい。 In the formula (z-ca-5), Rz c10 to Rz c13 each independently represent a linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear alkyl group having 3 to 18 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 4 to 16 carbon atoms, and still more preferably a linear alkyl group having 5 to 15 carbon atoms.

・(Z)成分のアニオン部
(Z)成分のアニオン部は、特に限定されないが、下記一般式(z-an-1)~(z-an-5)のいずれかで表されるアニオン等が挙げられる。
Anion Moiety of Component (Z) The anion moiety of the component (Z) is not particularly limited, but examples thereof include anions represented by any of the following general formulas (z-an-1) to (z-an-5).

Figure 0007573399000048
[式(z-an-1)中、Rza1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状の炭化水素基を表す。式(z-an-2)中、Rza2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~5のアルキル基を表す。kは1~4の整数であり、lは0~3の整数であり、かつ、k+l=4である。式(z-an-3)中、Rza3は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~5のアルキル基を表す。mは1~6の整数であり、nは0~5の整数であり、かつ、m+n=6である。]
Figure 0007573399000048
[In formula (z-an-1), Rz a1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain-like hydrocarbon group which may have a substituent. In formula (z-an-2), Rz a2 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. k is an integer of 1 to 4, l is an integer of 0 to 3, and k+l=4. In formula (z-an-3), Rz a3 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. m is an integer of 1 to 6, n is an integer of 0 to 5, and m+n=6.]

Figure 0007573399000049
[式(z-an-4)中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表す。式(z-an-5)中、Y”及びZ”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]
Figure 0007573399000049
[In formula (z-an-4), X" represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. In formula (z-an-5), Y" and Z" each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.]

前記式(z-an-1)中、Rza1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状の炭化水素基を表す。 In the above formula (z-an-1), Rz a1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain hydrocarbon group which may have a substituent.

前記式(z-an-1)中、Rza1が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である場合、Rに含まれる芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基);前記アリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基);等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
Rの芳香族炭化水素基としては、フェニル基もしくはナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
In the formula (z-an-1), when Rz a1 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, specific examples of the aromatic ring contained in R include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocycles in which a portion of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a heteroatom; etc. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group); a group in which one hydrogen atom of the aryl group has been substituted with an alkylene group (for example, an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, or a 2-naphthylethyl group); and the like. The number of carbon atoms in the alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group for R is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group.

前記式(z-an-1)中、Rza1が置換基を有していてもよい脂肪族環式基である場合、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~8のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
中でも、前記脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
In the formula (z-an-1), when Rz a1 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, it may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic aliphatic cyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane is preferable. As the monocycloalkane, one having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and cyclooctane. As the polycyclic aliphatic cyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
Among these, the aliphatic cyclic group is more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.

前記式(z-an-1)中、Rza1の鎖状の炭化水素基としては、鎖状のアルキル基が好ましい。鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基;1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基;が挙げられる。鎖状のアルキル基は、炭素数が1~6であることがより好ましく、炭素数が1~3であることがさらに好ましい。また、直鎖状のアルキル基であることが好ましい。 In the formula (z-an-1), the chain-like hydrocarbon group of Rz a1 is preferably a chain-like alkyl group. The chain-like alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include linear alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, and decyl groups; and branched alkyl groups such as 1-methylethyl, 1-methylpropyl, 2-methylpropyl, 1-methylbutyl, 2-methylbutyl, 3-methylbutyl, 1-ethylbutyl, 2-ethylbutyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3-methylpentyl, and 4-methylpentyl groups. The chain-like alkyl group more preferably has 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably has 1 to 3 carbon atoms. In addition, a linear alkyl group is preferable.

前記式(z-an-1)中、Rza1の芳香族炭化水素基、脂肪族環式基又は鎖状の炭化水素基が有していてもよい置換基としては、水酸基、アルキル基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基、トリフェニルホスホニウム基等が挙げられる。 In the above formula (z-an-1), examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group or chain hydrocarbon group of Rz a1 may have include a hydroxyl group, an alkyl group, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, and a triphenylphosphonium group.

前記式(z-an-1)中、Rza1としては、メチル基、トリフルオロメチル基、p-トリル基又はプロピルトリフェニルホスホニウム基が好ましい。 In the above formula (z-an-1), Rz a1 is preferably a methyl group, a trifluoromethyl group, a p-tolyl group or a propyltriphenylphosphonium group.

前記式(z-an-2)中、Rza2は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~5のアルキル基を表す。
kは、1~4の整数であり、好ましくは3~4の整数、最も好ましくは4である。
lは、0~3の整数であり、好ましくは0~2の整数、最も好ましくは0である。lが2以上の場合、複数のRza2は、相互に同一であってもよいし異なっていてもよいが、相互に同一であることが好ましい。
In the above formula (z-an-2), Rz a2 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom.
k is an integer of 1 to 4, preferably an integer of 3 to 4, and most preferably 4.
l is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, and most preferably 0. When l is 2 or more, multiple Rz a2 may be the same or different from each other, but are preferably the same as each other.

前記式(z-an-3)中、Rza3は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~5のアルキル基を表す。
mは、1~6の整数であり、好ましくは3~6の整数、最も好ましくは6である。
nは、0~5の整数であり、好ましくは0~3の整数、最も好ましくは0である。nが2以上の場合、複数のRza3は、相互に同一であってもよいし異なっていてもよいが、相互に同一であることが好ましい。
In the above formula (z-an-3), Rz a3 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom.
m is an integer of 1 to 6, preferably an integer of 3 to 6, and most preferably 6.
n is an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, and most preferably 0. When n is 2 or more, multiple Rz a3 may be the same or different from each other, but are preferably the same from each other.

前記式(z-an-4)中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表す。ここでのアルキレン基は、直鎖状であってもよいし分岐鎖状であってもよく、炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。 In the formula (z-an-4), X" represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. The alkylene group here may be linear or branched, and has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.

前記式(z-an-5)中、Y”及びZ”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。ここでのアルキル基は、直鎖状であってもよいし分岐鎖状であってもよく、炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。なかでも、(z-an-5)中、Y”及びZ”がいずれもトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
X”のアルキレン基の炭素数、又は、Y”及びZ”の各アルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、有機溶剤成分への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
In the formula (z-an-5), Y" and Z" each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom. The alkyl group here may be linear or branched, and has 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 7 carbon atoms, and more preferably 1 to 3 carbon atoms. Of these, it is particularly preferable that both Y" and Z" in (z-an-5) are trifluoromethyl groups.
The number of carbon atoms in the alkylene group of X" or the number of carbon atoms in each of the alkyl groups of Y" and Z" is preferably as small as possible within the above carbon number range, for reasons such as good solubility in organic solvent components.

また、前記X”のアルキレン基、又は、前記Y”及びZ”の各アルキル基においては、酸の強度が強くなる等の理由により、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど好ましい。該アルキレン基又はアルキル基のフッ素化率は、好ましくは70~100%、さらに好ましくは90~100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。 In addition, in the alkylene group of X" or each of the alkyl groups of Y" and Z", the more hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms, the more preferable for reasons such as increased acid strength. The fluorination rate of the alkylene group or alkyl group is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably a perfluoroalkylene group or perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms.

(Z)成分のアニオン部としては、前記式(z-an-1)~(z-an-5)のいずれかで表されるアニオン部の中でも、一般式(z-an-1)、(z-an-2)、(z-an-3)又は(z-an-5)で表されるアニオン部が好ましい。 As the anion moiety of the (Z) component, among the anion moieties represented by any of the above formulae (z-an-1) to (z-an-5), the anion moiety represented by the general formula (z-an-1), (z-an-2), (z-an-3) or (z-an-5) is preferred.

なかでも、(Z)成分としては、下記一般式(z-1)~(z~5)のいずれかで表される化合物が好ましい。 Among these, the (Z) component is preferably a compound represented by any one of the following general formulas (z-1) to (z-5).

Figure 0007573399000050
[式中、Rzc1~Rzc6は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基である。Xz1~Xz5は、それぞれ独立に、前記一般式(z-an-1)~(z-an-5)のいずれかで表されるアニオンである。]
Figure 0007573399000050
[In the formula, Rz c1 to Rz c6 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Xz1 - to Xz5 - each independently represent an anion represented by any one of the general formulae (z-an-1) to (z-an-5) above.]

前記式(z-1)~(z~3)中、Rzc1~Rzc6は、前記式(z-ca-1)~(z-ca-3)中のRzc1~Rzc6と同様である。
前記式(z-1)中、Xz1は前記式(z-an-5)で表されるアニオンであることが好ましい。
前記式(z-2)中、Xz2は前記式(z-an-5)で表されるアニオンであることが好ましい。
前記式(z-3)中、Xz3は前記式(z-an-2)で表されるアニオンであることが好ましい。
前記式(z-4)中、Xz4は前記式(z-an-5)で表されるアニオンであることが好ましい。
前記式(z-5)中、Xz5は前記式(z-an-5)で表されるアニオンであることが好ましい。
In the formulas (z-1) to (z-3), Rz c1 to Rz c6 are the same as Rz c1 to Rz c6 in the formulas (z-ca-1) to (z-ca-3).
In the formula (z-1), Xz1- is preferably an anion represented by the formula (z-an-5).
In the formula (z-2), Xz2- is preferably an anion represented by the formula (z-an-5).
In the formula (z-3), Xz3- is preferably an anion represented by the formula (z-an-2).
In the formula (z-4), Xz4- is preferably an anion represented by the formula (z-an-5).
In the formula (z-5), Xz5- is preferably an anion represented by the formula (z-an-5).

以下に、化合物(IL)の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。 Specific examples of compound (IL) are given below, but are not limited to these.

Figure 0007573399000051
Figure 0007573399000051

Figure 0007573399000052
Figure 0007573399000052

Figure 0007573399000053
Figure 0007573399000053

本実施形態のレジスト組成物において、(Z)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態のレジスト組成物中、(Z)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0質量部超、25質量部未満であることが好ましく、0.1~20質量部であることがより好ましく、0.5~15質量部であることが更に好ましく、3~12質量部であることが特に好ましい。
(Z)成分の含有量を前記範囲の下限値以上とすることにより、感度がより高められやすくなると共に、レジストパターン形成時のクラックの発生を抑制しやすくなる。一方、(Z)成分の含有量を前記範囲の上限値以下とすることにより、良好な形状のレジストパターンが得られやすい。
In the resist composition of this embodiment, the component (Z) may use either a single type, or a combination of two or more types.
In the resist composition of this embodiment, the content of the component (Z) relative to 100 parts by mass of the component (A) is preferably more than 0 and less than 25 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, even more preferably 0.5 to 15 parts by mass, and particularly preferably 3 to 12 parts by mass.
By adjusting the content of the (Z) component to at least the lower limit of the above range, it is possible to increase the sensitivity and also to suppress the occurrence of cracks during the formation of a resist pattern, whereas by adjusting the content of the (Z) component to at most the upper limit of the above range, it is possible to obtain a resist pattern with a good shape.

<その他成分>
本実施形態のレジスト組成物は、上述した(A)成分及び(Z)成分に加え、その他成分をさらに含有してもよい。その他成分としては、例えば以下に示す(B)成分、(D)成分、(E)成分、(F)成分、(S)成分などが挙げられる。
<Other ingredients>
The resist composition of this embodiment may further contain other components in addition to the above-mentioned components (A) and (Z). Examples of other components include the following components (B), (D), (E), (F), and (S).

≪酸発生剤成分(B)≫
本実施形態のレジスト組成物は、(A)成分及び(Z)成分に加えて、さらに、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下「(B)成分」という。)を含有してもよい。
(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤として提案されているものを用いることができる。
このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤;ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤;ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。
(B)成分としては、オニウム塩からなる化合物(B1)(以下、「(B1)成分」という。)を含むことが好ましい。
<Acid generator component (B)>
The resist composition of this embodiment may further contain, in addition to the components (A) and (Z), an acid generator component (B) (hereafter referred to as “component (B)”) that generates acid upon exposure.
There are no particular limitations on the component (B), and any of the acid generators that have been proposed so far for use in chemically amplified resist compositions can be used.
Examples of such acid generators include onium salt-based acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate-based acid generators, diazomethane-based acid generators such as bisalkyl- or bisarylsulfonyl diazomethanes and poly(bissulfonyl) diazomethanes, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators.
The component (B) preferably contains a compound (B1) consisting of an onium salt (hereinafter referred to as "component (B1)").

・(B1)成分について
(B1)成分としては、例えば、下記の一般式(b-1)で表される化合物(以下「(b-1)成分」ともいう)、一般式(b-2)で表される化合物(以下「(b-2)成分」ともいう)又は一般式(b-3)で表される化合物(以下「(b-3)成分」ともいう)が挙げられる。
Regarding the component (B1): Examples of the component (B1) include a compound represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as "component (b-1)"), a compound represented by general formula (b-2) (hereinafter also referred to as "component (b-2)"), or a compound represented by general formula (b-3) (hereinafter also referred to as "component (b-3)").

Figure 0007573399000054
[式中、R101及びR104~R108は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。R104とR105とは相互に結合して環構造を形成していてもよい。R102は、炭素数1~5のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Y101は、酸素原子を含む2価の連結基又は単結合である。V101~V103は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。L101~L102は、それぞれ独立に、単結合又は酸素原子である。L103~L105は、それぞれ独立に、単結合、-CO-又は-SO-である。mは1以上の整数であって、M’m+はm価のオニウムカチオンである。]
Figure 0007573399000054
[In the formula, R 101 and R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring structure. R 102 is a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorine atom. Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom or a single bond. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2 -. m is an integer of 1 or more, and M' m+ is an m-valent onium cation.]

{アニオン部}
・(b-1)成分におけるアニオン
式(b-1)中、R101は、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。
{anion portion}
Anion in Component (b-1) In formula (b-1), R 101 represents a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

置換基を有していてもよい環式基:
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Optionally substituted cyclic group:
The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

101における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。但し、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
101における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
101における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を1つ除いた基(アリール基:例えば、フェニル基、ナフチル基など)、前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group for R 101 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The number of carbon atoms in the aromatic hydrocarbon group is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, even more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 10. However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring contained in the aromatic hydrocarbon group in R 101 include benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, and aromatic heterocycles in which a part of the carbon atoms constituting these aromatic rings are substituted with heteroatoms, etc. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for R 101 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic ring (aryl group: for example, a phenyl group, a naphthyl group, etc.), a group in which one hydrogen atom of the aromatic ring has been substituted with an alkylene group (for example, an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, a 2-naphthylethyl group, etc.). The number of carbon atoms in the alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

101における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~30のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン;ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 includes an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure include alicyclic hydrocarbon groups (groups in which one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), groups in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the end of a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group, and groups in which an alicyclic hydrocarbon group is present in the middle of a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably has 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, the polycycloalkane is more preferably a polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a bridged ring system such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane; or a polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton.

なかでも、R101における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を1つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基が特に好ましく、アダマンチル基が最も好ましい。 Among these, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane or polycycloalkane, more preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane, particularly preferably an adamantyl group or a norbornyl group, and most preferably an adamantyl group.

脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
脂環式炭化水素基に結合してもよい、分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が2~10であることが好ましく、3~6がより好ましく、3又は4がさらに好ましく、3が最も好ましい。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has a carbon number of 1 to 10, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3. As the linear aliphatic hydrocarbon group, linear alkylene groups are preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.
The branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, even more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms. As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specific examples thereof include alkylmethylene groups such as -CH( CH3 )-, -CH( CH2CH3 )-, -C( CH3 ) 2- , -C (CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, and -C(CH2CH3)2- ; alkylethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2- , -CH( CH3 ) CH( CH3 )-, -C ( CH3 ) 2CH2- , -CH( CH2CH3 ) CH2- , and -C ( CH2CH3 ) 2 - CH2- ; alkyltrimethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH ( CH3 ) CH2CH2- , etc.; and alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH (CH3) CH2CH2- , etc. The alkyl group in the alkylalkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

また、R101における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、前記一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される-SO-含有環式基、その他下記化学式(r-hr-1)~(r-hr-16)でそれぞれ表される複素環式基が挙げられる。 The cyclic hydrocarbon group in R 101 may contain a heteroatom, such as a heterocycle. Specific examples include the lactone-containing cyclic groups represented by the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7) above, the —SO 2 —-containing cyclic groups represented by the general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4) above, and the heterocyclic groups represented by the following chemical formulae (r-hr-1) to (r-hr-16).

Figure 0007573399000055
Figure 0007573399000055

101の環式基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基が最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基(-CH-)を置換する基である。
Examples of the substituent in the cyclic group of R 101 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, and a nitro group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and most preferably a methoxy group or an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, with a fluorine atom being preferred.
Examples of the halogenated alkyl group as a substituent include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl, and tert-butyl groups, in which some or all of the hydrogen atoms have been substituted with the above-mentioned halogen atoms.
The carbonyl group as a substituent is a group that substitutes a methylene group (-CH 2 -) that constitutes a cyclic hydrocarbon group.

置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基:
101の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。
A chain alkyl group which may have a substituent:
The chain alkyl group for R 101 may be either a straight chain or a branched chain.
The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decanyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, an isotridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, an isohexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, an icosyl group, a henicosyl group, and a docosyl group.
The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specific examples include a 1-methylethyl group, a 1-methylpropyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylbutyl group, a 2-methylbutyl group, a 3-methylbutyl group, a 1-ethylbutyl group, a 2-ethylbutyl group, a 1-methylpentyl group, a 2-methylpentyl group, a 3-methylpentyl group, and a 4-methylpentyl group.

置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基:
101の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5がより好ましく、2~4がさらに好ましく、3が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、1-メチルビニル基、2-メチルビニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
A chain alkenyl group which may have a substituent:
The chain alkenyl group for R 101 may be either linear or branched, and preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, even more preferably 2 to 4, and particularly preferably 3. Examples of linear alkenyl groups include vinyl groups, propenyl groups (allyl groups), and butynyl groups. Examples of branched alkenyl groups include 1-methylvinyl groups, 2-methylvinyl groups, 1-methylpropenyl groups, and 2-methylpropenyl groups.
Of the above chain alkenyl groups, linear alkenyl groups are preferred, vinyl groups and propenyl groups are more preferred, and vinyl groups are particularly preferred.

101の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記R101における環式基等が挙げられる。 Examples of the substituent in the chain alkyl or alkenyl group of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, and the cyclic groups in R 101 above.

上記の中でも、R101は、置換基を有していてもよい環式基が好ましく、置換基を有していてもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基;前記一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される-SO-含有環式基などが好ましい。 Among the above, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, preferred are a phenyl group, a naphthyl group, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, a lactone-containing cyclic group represented by each of the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7), and an —SO 2 —-containing cyclic group represented by each of the general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4).

式(b-1)中、Y101は、単結合または酸素原子を含む2価の連結基である。
101が酸素原子を含む2価の連結基である場合、該Y101は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、例えば炭素原子、水素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、例えば、酸素原子(エーテル結合:-O-)、エステル結合(-C(=O)-O-)、オキシカルボニル基(-O-C(=O)-)、アミド結合(-C(=O)-NH-)、カルボニル基(-C(=O)-)、カーボネート結合(-O-C(=O)-O-)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。この組み合わせに、さらにスルホニル基(-SO-)が連結されていてもよい。かかる酸素原子を含む2価の連結基としては、例えば下記一般式(y-al-1)~(y-al-7)でそれぞれ表される連結基が挙げられる。
In formula (b-1), Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom.
When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, Y 101 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of the atom other than an oxygen atom include a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include non-hydrocarbon oxygen-atom-containing linking groups such as an oxygen atom (ether bond: -O-), an ester bond (-C(=O)-O-), an oxycarbonyl group (-O-C(=O)-), an amide bond (-C(=O)-NH-), a carbonyl group (-C(=O)-), and a carbonate bond (-O-C(=O)-O-); and combinations of such non-hydrocarbon oxygen-atom-containing linking groups with alkylene groups. This combination may further be linked to a sulfonyl group (-SO 2 -). Examples of such divalent linking groups containing an oxygen atom include the linking groups represented by the following general formulae (y-al-1) to (y-al-7):

Figure 0007573399000056
[式中、V’101は単結合または炭素数1~5のアルキレン基であり、V’102は炭素数1~30の2価の飽和炭化水素基である。]
Figure 0007573399000056
[In the formula, V' 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V' 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.]

V’102における2価の飽和炭化水素基は、炭素数1~30のアルキレン基であることが好ましく、炭素数1~10のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数1~5のアルキレン基であることがさらに好ましい。 The divalent saturated hydrocarbon group for V' 102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.

V’101およびV’102におけるアルキレン基としては、直鎖状のアルキレン基でもよく分岐鎖状のアルキレン基でもよく、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
V’101およびV’102におけるアルキレン基として、具体的には、メチレン基[-CH-];-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CHCH-];-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n-プロピレン基)[-CHCHCH-];-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CHCHCHCH-];-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CHCHCHCHCH-]等が挙げられる。
また、V’101又はV’102における前記アルキレン基における一部のメチレン基が、炭素数5~10の2価の脂肪族環式基で置換されていてもよい。当該脂肪族環式基は、前記式(a1-r-1)中のRa’の環状の脂肪族炭化水素基(単環式の脂肪族炭化水素基、多環式の脂肪族炭化水素基)から水素原子をさらに1つ除いた2価の基が好ましく、シクロへキシレン基、1,5-アダマンチレン基または2,6-アダマンチレン基がより好ましい。
The alkylene group in V'101 and V'102 may be a straight-chain alkylene group or a branched-chain alkylene group, with a straight-chain alkylene group being preferred.
Specific examples of the alkylene group in V' 101 and V' 102 include a methylene group [-CH 2 -]; alkylmethylene groups such as -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; an ethylene group [-CH 2 CH 2 -]; alkylethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, and -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -; a trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2CH2- ]; alkyl trimethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2CH2- and -CH2CH ( CH3 ) CH2- ; tetramethylene group [ -CH2CH2CH2CH2- ] ; alkyl tetramethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2CH2CH2- and -CH2CH ( CH3 ) CH2CH2- ; pentamethylene group [ -CH2CH2CH2CH2CH2CH2- ] .
In addition, some of the methylene groups in the alkylene group in V'101 or V'102 may be substituted with a divalent aliphatic cyclic group having 5 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is preferably a divalent group obtained by further removing one hydrogen atom from the cyclic aliphatic hydrocarbon group (monocyclic aliphatic hydrocarbon group, polycyclic aliphatic hydrocarbon group) of Ra'3 in formula (a1-r-1), and more preferably a cyclohexylene group, a 1,5-adamantylene group or a 2,6-adamantylene group.

101としては、エステル結合を含む2価の連結基、またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、上記式(y-al-1)~(y-al-5)でそれぞれ表される連結基がより好ましい。 Y 101 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or a divalent linking group containing an ether bond, and more preferably a linking group represented by each of the above formulas (y-al-1) to (y-al-5).

式(b-1)中、V101は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。V101におけるアルキレン基、フッ素化アルキレン基は、炭素数1~4であることが好ましい。V101におけるフッ素化アルキレン基としては、V101におけるアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、V101は、単結合、又は炭素数1~4のフッ素化アルキレン基であることが好ましい。 In formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. The alkylene group or fluorinated alkylene group in V 101 preferably has 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group in V 101 include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkylene group in V 101 have been substituted with fluorine atoms. Of these, V 101 is preferably a single bond, or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

式(b-1)中、R102は、フッ素原子又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。R102は、フッ素原子または炭素数1~5のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。 In formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a fluorine atom.

前記式(b-1)で表されるアニオン部の具体例としては、例えば、Y101が単結合となる場合、トリフルオロメタンスルホネートアニオンやパーフルオロブタンスルホネートアニオン等のフッ素化アルキルスルホネートアニオンが挙げられ;Y101が酸素原子を含む2価の連結基である場合、下記式(an-1)~(an-3)のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。 Specific examples of the anion moiety represented by formula (b-1) include, for example, when Y 101 is a single bond, fluorinated alkylsulfonate anions such as trifluoromethanesulfonate anion and perfluorobutanesulfonate anion; and, when Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, anions represented by any of the following formulas (an-1) to (an-3) are included.

Figure 0007573399000057
[式中、R”101は、置換基を有してもよい脂肪族環式基、上記の化学式(r-hr-1)~(r-hr-6)でそれぞれ表される1価の複素環式基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルキル基である。R”102は、置換基を有してもよい脂肪族環式基、前記一般式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、又は前記一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される-SO-含有環式基である。R”103は、置換基を有してもよい芳香族環式基、置換基を有してもよい脂肪族環式基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。V”101は、単結合、炭素数1~4のアルキレン基、又は炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。R102は、フッ素原子又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。v”はそれぞれ独立に0~3の整数であり、q”はそれぞれ独立に0~20の整数であり、n”は0または1である。]
Figure 0007573399000057
[In the formula, R" 101 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a monovalent heterocyclic group represented by each of the above chemical formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a chain alkyl group which may have a substituent. R" 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a lactone-containing cyclic group represented by each of the above general formulas (a2-r-1), (a2-r-3) to (a2-r-7), or an -SO 2 - containing cyclic group represented by each of the above general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4). R" 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. V" 101 is a single bond, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Each v" is independently an integer of 0 to 3, each q" is independently an integer of 0 to 20, and n" is 0 or 1.

R”101、R”102およびR”103の置換基を有してもよい脂肪族環式基は、前記式(b-1)中のR101における環状の脂肪族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、前記式(b-1)中のR101における環状の脂肪族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。 The aliphatic cyclic groups which may have a substituent of R" 101 , R" 102 and R" 103 are preferably the groups exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 in formula (b-1) above. Examples of the substituent include the same as the substituents which may substitute the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 in formula (b-1) above.

R”103における置換基を有してもよい芳香族環式基は、前記式(b-1)中のR101における環状の炭化水素基における芳香族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、前記式(b-1)中のR101における該芳香族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。 The aromatic cyclic group in R″ 103 which may have a substituent is preferably a group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group in R 101 in the above formula (b-1). Examples of the substituent include the same as the substituent which may substitute the aromatic hydrocarbon group in R 101 in the above formula (b-1).

R”101における置換基を有してもよい鎖状のアルキル基は、前記式(b-1)中のR101における鎖状のアルキル基として例示した基であることが好ましい。
R”103における置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基は、前記式(b-1)中のR101における鎖状のアルケニル基として例示した基であることが好ましい。
The chain alkyl group which may have a substituent in R″ 101 is preferably a group exemplified as the chain alkyl group in R 101 in the above formula (b-1).
The chain alkenyl group which may have a substituent in R″ 103 is preferably a group exemplified as the chain alkenyl group in R 101 in the above formula (b-1).

・(b-2)成分におけるアニオン
式(b-2)中、R104、R105は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式(b-1)中のR101と同様のものが挙げられる。ただし、R104、R105は、相互に結合して環を形成していてもよい。
104、R105は、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
該鎖状のアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、より好ましくは炭素数1~7、さらに好ましくは炭素数1~3である。R104、R105の鎖状のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト用溶剤への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、R104、R105の鎖状のアルキル基においては、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また、250nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するため好ましい。前記鎖状のアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100%、さらに好ましくは90~100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基である。
式(b-2)中、V102、V103は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基であり、それぞれ、式(b-1)中のV101と同様のものが挙げられる。
式(b-2)中、L101、L102は、それぞれ独立に単結合又は酸素原子である。
Anion in Component (b-2) In formula (b-2), R 104 and R 105 each independently represent a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples of these include the same as R 101 in formula (b-1). However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.
R 104 and R 105 are preferably a chain alkyl group which may have a substituent, and more preferably a linear or branched alkyl group, or a linear or branched fluorinated alkyl group.
The number of carbon atoms in the chain-like alkyl group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 7, and even more preferably 1 to 3. The number of carbon atoms in the chain-like alkyl group of R 104 and R 105 is preferably as small as possible within the above-mentioned range of carbon numbers, for reasons such as good solubility in a resist solvent. In addition, in the chain-like alkyl group of R 104 and R 105 , the more hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the acid strength becomes, and the more the transparency to high-energy light and electron beams of 250 nm or less is improved, which is preferable. The ratio of fluorine atoms in the chain-like alkyl group, i.e., the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably a perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
In formula (b-2), V 102 and V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and examples of V 101 in formula (b-1) include the same as those described above.
In formula (b-2), L 101 and L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

・(b-3)成分におけるアニオン
式(b-3)中、R106~R108は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式(b-1)中のR101と同様のものが挙げられる。
式(b-3)中、L103~L105は、それぞれ独立に、単結合、-CO-又は-SO-である。
Anion in Component (b-3) In formula (b-3), R to R each independently represent a cyclic group which may have a substituent , a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples of these include the same as R 101 in formula (b-1).
In formula (b-3), L 103 to L 105 each independently represent a single bond, —CO— or —SO 2 —.

上記の中でも、(B)成分のアニオン部としては、(b-1)成分におけるアニオンが好ましい。この中でも、フッ素化アルキルスルホネートアニオン又は上記の一般式(an-1)~(an-3)のいずれかで表されるアニオンがより好ましく、フッ素化アルキルスルホネートアニオン、又は一般式(an-1)及び(an-2)のいずれかで表されるアニオンがさらに好ましい。 Among the above, the anion portion of component (B) is preferably the anion in component (b-1). Among these, a fluorinated alkylsulfonate anion or an anion represented by any of the above general formulas (an-1) to (an-3) is more preferred, and a fluorinated alkylsulfonate anion or an anion represented by any of general formulas (an-1) and (an-2) is even more preferred.

{カチオン部}
前記の式(b-1)、式(b-2)、式(b-3)中、M’m+は、m価のオニウムカチオンを表す。この中でも、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好ましい。
mは、1以上の整数である。
{Cation part}
In the above formulae (b-1), (b-2) and (b-3), M'm+ represents an m-valent onium cation, of which sulfonium cation and iodonium cation are preferred.
m is an integer of 1 or more.

好ましいカチオン部((M’m+1/m)としては、下記の一般式(ca-1)~(ca-4)でそれぞれ表される有機カチオンが挙げられる。 Preferred cationic moieties (( M'm+ ) 1/m ) include organic cations represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-4).

Figure 0007573399000058
[式中、R201~R207、およびR211~R212は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。R201~R203、R206~R207、R211~R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R208~R209は、それぞれ独立に水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表す。R210は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい-SO-含有環式基である。L201は、-C(=O)-または-C(=O)-O-を表す。Y201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。xは1または2である。W201は(x+1)価の連結基を表す。]
Figure 0007573399000058
[In the formula, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an aryl group, an alkyl group, or an alkenyl group which may have a substituent. R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or an -SO 2 - containing cyclic group which may have a substituent. L 201 represents -C(=O)- or -C(=O)-O-. Y 201 each independently represent an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group. x is 1 or 2. W 201 represents a (x+1)-valent linking group.

上記の一般式(ca-1)~(ca-4)中、R201~R207、およびR211~R212におけるアリール基としては、炭素数6~20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
201~R207、およびR211~R212におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素数1~30のものが好ましい。
201~R207、およびR211~R212におけるアルケニル基としては、炭素数が2~10であることが好ましい。
201~R207、およびR210~R212が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、下記の一般式(ca-r-1)~(ca-r-7)でそれぞれ表される基が挙げられる。
In the above general formulae (ca-1) to (ca-4), the aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 can be an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group or a naphthyl group is preferable.
The alkyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
Examples of the substituent that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and groups represented by the following general formulas (ca-r-1) to (ca-r-7), respectively.

Figure 0007573399000059
[式中、R’201は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。]
Figure 0007573399000059
[In the formula, R'201 each independently represents a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent.]

置換基を有していてもよい環式基:
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Optionally substituted cyclic group:
The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

R’201における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、炭素数5~30がより好ましく、炭素数5~20がさらに好ましく、炭素数6~15が特に好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
R’201における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
R’201における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を1つ除いた基(アリール基:例えばフェニル基、ナフチル基など)、前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えばベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1~4であることが好ましく、炭素数1~2がより好ましく、炭素数1が特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group in R'201 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, even more preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. However, this carbon number does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring contained in the aromatic hydrocarbon group in R'201 include benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, and aromatic heterocycles in which some of the carbon atoms constituting these aromatic rings are substituted with heteroatoms. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for R'201 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic ring (aryl group: for example, a phenyl group, a naphthyl group, etc.), a group in which one hydrogen atom of the aromatic ring has been substituted with an alkylene group (for example, an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, a 2-naphthylethyl group, etc.). The alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.

R’201における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7~30のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン;ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R'201 includes an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure include alicyclic hydrocarbon groups (groups in which one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), groups in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the end of a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group, and groups in which an alicyclic hydrocarbon group is present in the middle of a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably has 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, the polycycloalkane is more preferably a polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a bridged ring system such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane; or a polycycloalkane having a polycyclic skeleton of a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton.

なかでも、R’201における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を1つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基が特に好ましく、アダマンチル基が最も好ましい。 Among these, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R'201 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane or polycycloalkane, more preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane, particularly preferably an adamantyl group or a norbornyl group, and most preferably an adamantyl group.

脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~6がより好ましく、炭素数1~4がさらに好ましく、炭素数1~3が特に好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms.
As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specific examples thereof include alkylmethylene groups such as -CH( CH3 )-, -CH( CH2CH3 )-, -C( CH3 ) 2- , -C (CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, and -C(CH2CH3)2- ; alkylethylene groups such as -CH ( CH3 ) CH2- , -CH( CH3 ) CH( CH3 )-, -C ( CH3 ) 2CH2- , -CH( CH2CH3 ) CH2- , and -C ( CH2CH3 ) 2 - CH2- ; alkyltrimethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH ( CH3 ) CH2CH2- , etc.; and alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as -CH( CH3 ) CH2CH2CH2- , -CH2CH (CH3) CH2CH2- , etc. The alkyl group in the alkylalkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

また、R’201における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、前記一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される-SO-含有環式基、その他上記の化学式(r-hr-1)~(r-hr-16)でそれぞれ表される複素環式基が挙げられる。 Furthermore, the cyclic hydrocarbon group in R'201 may contain a heteroatom, such as a heterocycle. Specific examples include the lactone-containing cyclic groups represented by the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7) above, the -SO 2 -containing cyclic groups represented by the general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4) above, and the heterocyclic groups represented by the chemical formulae (r-hr-1) to (r-hr-16) above.

R’201の環式基における置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基が最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基(-CH-)を置換する基である。
Examples of the substituent in the cyclic group of R'201 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, and a nitro group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group, and most preferably a methoxy group or an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, with a fluorine atom being preferred.
Examples of halogenated alkyl groups as substituents include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl and tert-butyl groups, in which some or all of the hydrogen atoms have been substituted with the above-mentioned halogen atoms.
The carbonyl group as a substituent is a group that substitutes a methylene group (-CH 2 -) that constitutes a cyclic hydrocarbon group.

置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基:
R’201の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、炭素数1~15であることがより好ましく、炭素数1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、炭素数3~15であることがより好ましく、炭素数3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。
A chain alkyl group which may have a substituent:
The chain alkyl group of R'201 may be either linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably has 1 to 15 carbon atoms, and most preferably has 1 to 10 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decanyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, an isotridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, an isohexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, an icosyl group, a henicosyl group, and a docosyl group.
The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably has 3 to 15 carbon atoms, and most preferably has 3 to 10 carbon atoms. Specific examples include a 1-methylethyl group, a 1-methylpropyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylbutyl group, a 2-methylbutyl group, a 3-methylbutyl group, a 1-ethylbutyl group, a 2-ethylbutyl group, a 1-methylpentyl group, a 2-methylpentyl group, a 3-methylpentyl group, and a 4-methylpentyl group.

置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基:
R’201の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素数が2~10であることが好ましく、炭素数2~5がより好ましく、炭素数2~4がさらに好ましく、炭素数3が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、1-メチルビニル基、2-メチルビニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
A chain alkenyl group which may have a substituent:
The chain alkenyl group for R'201 may be either linear or branched, and preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, further preferably 2 to 4 carbon atoms, and particularly preferably 3 carbon atoms. Examples of linear alkenyl groups include vinyl groups, propenyl groups (allyl groups), and butynyl groups. Examples of branched alkenyl groups include 1-methylvinyl groups, 2-methylvinyl groups, 1-methylpropenyl groups, and 2-methylpropenyl groups.
Of the above chain alkenyl groups, linear alkenyl groups are preferred, vinyl groups and propenyl groups are more preferred, and vinyl groups are particularly preferred.

R’201の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、たとえば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記R’201における環式基等が挙げられる。 Examples of the substituent in the chain alkyl or alkenyl group of R'201 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, and the cyclic groups in R'201 described above.

R’201の置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基は、上述したものの他、置換基を有していてもよい環式基又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基として、上述の式(a1-r-2)で表される酸解離性基と同様のものも挙げられる。 In addition to those mentioned above, the optionally substituted cyclic group, optionally substituted chain alkyl group, or optionally substituted chain alkenyl group for R'201 also includes the same as the acid dissociable group represented by formula (a1-r-2) above as the optionally substituted cyclic group or optionally substituted chain alkyl group.

なかでも、R’201は、置換基を有していてもよい環式基が好ましく、置換基を有していてもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;前記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基;前記一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)でそれぞれ表される-SO-含有環式基などが好ましい。 Among them, R'201 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, for example, a phenyl group, a naphthyl group, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, a lactone-containing cyclic group represented by each of the general formulae (a2-r-1) to (a2-r-7), an -SO 2 --containing cyclic group represented by each of the general formulae (a5-r-1) to (a5-r-4), etc. are preferred.

上記の一般式(ca-1)~(ca-4)中、R201~R203、R206~R207、R211~R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子や、カルボニル基、-SO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CONH-または-N(R)-(該Rは炭素数1~5のアルキル基である。)等の官能基を介して結合してもよい。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3~10員環であることが好ましく、5~7員環であることが特に好ましい。形成される環の具体例としては、例えばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、チアントレン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、9H-チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。 In the above general formulae (ca-1) to (ca-4), when R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, they may be bonded via a heteroatom such as a sulfur atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, or a functional group such as a carbonyl group, -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, -CONH-, or -N(R N )- (wherein R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms). As for the ring formed, it is preferable that one ring containing the sulfur atom in the ring skeleton in the formula is a 3- to 10-membered ring including the sulfur atom, and particularly preferably a 5- to 7-membered ring. Specific examples of the ring formed include a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, a thioxanthone ring, a thianthrene ring, a phenoxathiin ring, a tetrahydrothiophenium ring, and a tetrahydrothiopyranium ring.

208~R209は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表し、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基が好ましく、アルキル基となる場合、相互に結合して環を形成してもよい。 R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and when they represent an alkyl group, they may be bonded to each other to form a ring.

210は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい-SO-含有環式基である。
210におけるアリール基としては、炭素数6~20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
210におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素数1~30のものが好ましい。
210におけるアルケニル基としては、炭素数が2~10であることが好ましい。
210における、置換基を有していてもよい-SO-含有環式基としては、「-SO-含有多環式基」が好ましく、上記一般式(a5-r-1)で表される基がより好ましい。
R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or an --SO 2 -- containing cyclic group which may have a substituent.
The aryl group for R 210 includes unsubstituted aryl groups having 6 to 20 carbon atoms, and is preferably a phenyl group or a naphthyl group.
The alkyl group for R 210 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
As the optionally substituted —SO 2 — containing cyclic group for R 210 , a “—SO 2 — containing polycyclic group” is preferable, and a group represented by the above general formula (a5-r-1) is more preferable.

201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。
201におけるアリーレン基は、上述の式(b-1)中のR101における芳香族炭化水素基として例示したアリール基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
201におけるアルキレン基、アルケニレン基は、上述の式(b-1)中のR101における鎖状のアルキル基、鎖状のアルケニル基として例示した基から水素原子1つを除いた基が挙げられる。
Each Y 201 independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group.
Examples of the arylene group for Y 201 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the aryl groups exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in the above formula (b-1).
Examples of the alkylene group and alkenylene group for Y 201 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the groups exemplified as the chain alkyl group and chain alkenyl group for R 101 in the above formula (b-1).

前記式(ca-4)中、xは、1または2である。
201は、(x+1)価、すなわち2価または3価の連結基である。
201における2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、上述の一般式(a2-1)中のYa21と同様の、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が例示できる。W201における2価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わされた基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
201における3価の連結基としては、前記W201における2価の連結基から水素原子を1個除いた基、前記2価の連結基にさらに前記2価の連結基が結合した基などが挙げられる。W201における3価の連結基としては、アリーレン基に2個のカルボニル基が結合した基が好ましい。
In the above formula (ca-4), x is 1 or 2.
W 201 is a (x+1)-valent linking group, that is, a divalent or trivalent linking group.
The divalent linking group in W 201 is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and examples thereof include the same divalent hydrocarbon groups which may have a substituent as Ya 21 in the above general formula (a2-1). The divalent linking group in W 201 may be linear, branched, or cyclic, and is preferably cyclic. Among these, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group is preferred. Examples of the arylene group include a phenylene group and a naphthylene group, and a phenylene group is particularly preferred.
Examples of the trivalent linking group in W 201 include a group in which one hydrogen atom has been removed from the divalent linking group in W 201 , a group in which the divalent linking group is further bonded to the divalent linking group, etc. As the trivalent linking group in W 201 , a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group is preferable.

前記式(ca-1)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記の化学式(ca-1-1)~(ca-1-70)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-1) include the cations represented by the following chemical formulas (ca-1-1) to (ca-1-70).

Figure 0007573399000060
Figure 0007573399000060

Figure 0007573399000061
Figure 0007573399000061

Figure 0007573399000062
[式中、g1、g2、g3は繰返し数を示し、g1は1~5の整数であり、g2は0~20の整数であり、g3は0~20の整数である。]
Figure 0007573399000062
[In the formula, g1, g2, and g3 represent the number of repetitions, where g1 is an integer of 1 to 5, g2 is an integer of 0 to 20, and g3 is an integer of 0 to 20.]

Figure 0007573399000063
Figure 0007573399000063

Figure 0007573399000064
Figure 0007573399000064

Figure 0007573399000065
[式中、R”201は水素原子又は置換基であって、該置換基としては前記R201~R207、およびR210~R212が有していてもよい置換基として挙げたものと同様である。]
Figure 0007573399000065
[In the formula, R″ 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituent is the same as those exemplified as the substituent that may be possessed by the above-mentioned R 201 to R 207 and R 210 to R 212. ]

前記式(ca-2)で表される好適なカチオンとして具体的には、ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムカチオン等が挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-2) include diphenyliodonium cation, bis(4-tert-butylphenyl)iodonium cation, etc.

前記式(ca-3)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca-3-1)~(ca-3-6)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-3) include the cations represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-6).

Figure 0007573399000066
Figure 0007573399000066

前記式(ca-4)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca-4-1)~(ca-4-2)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-4) include the cations represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2).

Figure 0007573399000067
Figure 0007573399000067

上記の中でも、カチオン部((M’m+1/m)は、一般式(ca-1)で表されるカチオンが好ましい。厚膜レジスト膜において透明性が維持される観点から、一般式(ca-1)中、R202~R203の少なくとも1つはアルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、R202~R203のうちの2つ以上がアルキル基又はアルケニル基であることがより好ましく、R202~R203のうちの2つ以上がアルキル基であることがさらに好ましい。R202~R203のうちの2つ以上がアルキル基又はアルケニル基である場合、それらの2つが相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。一般式(ca-1)で表されるカチオンとしては、上記式(ca-1-55)~(ca-1-68)のいずれかで表されるカチオンが好ましく、上記式(ca―1-63)~(ca―1-68)のいずれかで表されるカチオンがより好ましい。 Among the above, the cationic portion ((M' m+ ) 1/m ) is preferably a cation represented by general formula (ca-1). From the viewpoint of maintaining transparency in the thick resist film, in general formula (ca-1), at least one of R 202 to R 203 is preferably an alkyl group or an alkenyl group, more preferably two or more of R 202 to R 203 are alkyl groups or alkenyl groups, and even more preferably two or more of R 202 to R 203 are alkyl groups. When two or more of R 202 to R 203 are alkyl groups or alkenyl groups, the two of them may be mutually bonded to form a ring together with the sulfur atom in the formula. As the cation represented by general formula (ca-1), a cation represented by any one of the above formulas (ca-1-55) to (ca-1-68) is preferable, and a cation represented by any one of the above formulas (ca-1-63) to (ca-1-68) is more preferable.

なかでも、(B1)成分としては、下記一般式(b1-1)で表される化合物が特に好ましい。 Among these, the compound represented by the following general formula (b1-1) is particularly preferred as component (B1).

Figure 0007573399000068
[式中、Rb201は置換基を有してもよいアリール基である。Rb202及びRb203は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルケニル基である。Rb202及びRb203は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R101は、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。R102は、炭素数1~5のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Y101は、酸素原子を含む2価の連結基又は単結合である。V101は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。]
Figure 0007573399000068
[In the formula, Rb 201 is an aryl group which may have a substituent. Rb 202 and Rb 203 are each independently an alkyl group which may have a substituent or an alkenyl group which may have a substituent. Rb 202 and Rb 203 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 102 is a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorine atom. Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom or a single bond. V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group.]

前記式(b1-1)中、Rb201における置換基を有してもよいアリール基は、前記式(ca-1)中のR201における置換基を有してもよいアリール基と同様である。なかでも、Rb201としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
前記式(b1-1)中、Rb202及びRb203における置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルケニル基は、前記式(ca-1)中のR202及びR203における置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルケニル基と同様である。なかでも、Rb202及びRb203としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、Rb202及びRb203が相互に結合して式中のイオウ原子と共に5員環又は6員環を形成していることがより好ましい。
前記式(b1-1)中、R101、R102、Y101及びV101は、前記式(b-1)中のR101、R102、Y101及びV101と同様である。
In the formula (b1-1), the aryl group which may have a substituent in Rb 201 is the same as the aryl group which may have a substituent in R 201 in the formula (ca-1). Among them, Rb 201 is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group.
In the formula (b1-1), the alkyl group which may have a substituent or the alkenyl group which may have a substituent in Rb 202 and Rb 203 are the same as the alkyl group which may have a substituent or the alkenyl group which may have a substituent in R 202 and R 203 in the formula (ca-1). Among them, Rb 202 and Rb 203 are preferably linear alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, and it is more preferable that Rb 202 and Rb 203 are mutually bonded to form a 5-membered or 6-membered ring together with the sulfur atom in the formula.
In the formula (b1-1), R 101 , R 102 , Y 101 and V 101 are the same as R 101 , R 102 , Y 101 and V 101 in the formula (b-1).

・(B2)成分について
(B)成分は、上記(B1)成分に該当しない酸発生剤成分(以下「(B2)成分」という。)を含有してもよい。(B2)成分は、露光により酸を発生するもので、且つ上記の(B1)成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に選択することができる。(B2)成分としては、例えば、オキシムスルホネート系酸発生剤;ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤;ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。
Regarding the (B2) component: The (B) component may contain an acid generator component (hereinafter referred to as "(B2) component") that does not fall under the category of the above-mentioned (B1) component. The (B2) component is not particularly limited as long as it generates an acid upon exposure and does not fall under the category of the above-mentioned (B1) component, and may be arbitrarily selected from known components. Examples of the (B2) component include various types such as oxime sulfonate-based acid generators; diazomethane-based acid generators such as bisalkyl or bisaryl sulfonyl diazomethanes and poly(bissulfonyl) diazomethanes; nitrobenzyl sulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators.

本実施形態のレジスト組成物において、(B)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
レジスト組成物が(B)成分を含有する場合、レジスト組成物中、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、50質量部未満が好ましく、0.1~40質量部がより好ましく、0.3~25質量部がさらに好ましい。
(B)成分の含有量を、前記の好ましい範囲とすることで、パターン形成が充分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られやすく、レジスト組成物としての保存安定性が良好となるため好ましい。
In the resist composition of this embodiment, the component (B) may use either a single type, or a combination of two or more types.
When the resist composition contains the component (B), the amount of the component (B) in the resist composition is preferably less than 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 40 parts by mass, and even more preferably 0.3 to 25 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the component (A).
By setting the content of the component (B) within the above-mentioned preferred range, sufficient pattern formation can be achieved. Furthermore, when the components of the resist composition are dissolved in an organic solvent, a homogeneous solution is easily obtained, and the storage stability of the resist composition is also favorable.

≪塩基成分(D)≫
本実施形態のレジスト組成物は、(A)成分及び(Z)成分に加えて、さらに、露光により発生する酸をトラップ(すなわち、酸の拡散を制御)する塩基成分((D)成分)を含有してもよい。(D)成分は、レジスト組成物において露光により発生する酸をトラップするクエンチャー(酸拡散制御剤)として作用するものである。
(D)成分としては、例えば、露光により分解して酸拡散制御性を失う光崩壊性塩基(D1)(以下「(D1)成分」という。)、該(D1)成分に該当しない含窒素有機化合物(D2)(以下「(D2)成分」という。)等が挙げられる。これらの中でも、厚膜レジスト膜において感度が維持される観点から、含窒素有機化合物(D2)((D2)成分)が好ましい。(D2)成分の中でも、厚膜レジスト膜において透明性が維持される観点から、鎖状アルキルアミンがより好ましい。
<<Base component (D)>>
The resist composition of this embodiment may further contain, in addition to the components (A) and (Z), a base component (component (D)) that traps acid generated upon exposure (i.e., controls the diffusion of acid). The component (D) acts as a quencher (acid diffusion controller) that traps acid generated in the resist composition upon exposure.
Examples of the component (D) include a photodegradable base (D1) (hereinafter referred to as "component (D1)") that decomposes upon exposure to light and loses its acid diffusion controllability, and a nitrogen-containing organic compound (D2) (hereinafter referred to as "component (D2)") that does not fall under the category of component (D1). Of these, the nitrogen-containing organic compound (D2) (component (D2)) is preferred from the viewpoint of maintaining sensitivity in the thick resist film. Of the component (D2), a chain alkylamine is more preferred from the viewpoint of maintaining transparency in the thick resist film.

・(D1)成分について
(D1)成分を含有するレジスト組成物とすることで、レジストパターンを形成する際に、レジスト膜の露光部と未露光部とのコントラストをより向上させることができる。
(D1)成分としては、露光により分解して酸拡散制御性を失うものであれば特に限定されず、下記一般式(d1-1)で表される化合物(以下「(d1-1)成分」という。)、下記一般式(d1-2)で表される化合物(以下「(d1-2)成分」という。)及び下記一般式(d1-3)で表される化合物(以下「(d1-3)成分」という。)からなる群より選ばれる1種以上の化合物が好ましい。
(d1-1)~(d1-3)成分は、レジスト膜の露光部においては分解して酸拡散制御性(塩基性)を失うためクエンチャーとして作用せず、レジスト膜の未露光部においてクエンチャーとして作用する。
- Component (D1) By using a resist composition that contains the component (D1), the contrast between exposed and unexposed areas of the resist film can be further improved when forming a resist pattern.
The component (D1) is not particularly limited as long as it decomposes upon exposure to light and loses its acid diffusion controllability, and is preferably one or more compounds selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as "component (d1-1)"), a compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as "component (d1-2)"), and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as "component (d1-3)"):
The components (d1-1) to (d1-3) do not act as quenchers in the exposed areas of the resist film because they decompose and lose their acid diffusion control ability (basicity), but act as quenchers in the unexposed areas of the resist film.

Figure 0007573399000069
[式中、Rd~Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。但し、式(d1-2)中のRdにおける、S原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していないものとする。Ydは単結合又は2価の連結基である。mは1以上の整数であって、Mm+はそれぞれ独立にm価の有機カチオンである。]
Figure 0007573399000069
[In the formula, Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. However, in Rd 2 in formula (d1-2), a fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom. Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer of 1 or more, and each M m+ is independently an m-valent organic cation.]

{(d1-1)成分}
・・アニオン部
式(d1-1)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ前記R’201と同様のものが挙げられる。
これらのなかでも、Rdとしては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましい。これらの基が有していてもよい置換基としては、水酸基、オキソ基、アルキル基、アリール基、フッ素原子、フッ素化アルキル基、上記一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、エーテル結合、エステル結合、またはこれらの組み合わせが挙げられる。エーテル結合やエステル結合を置換基として含む場合、アルキレン基を介していてもよく、この場合の置換基としては、上記式(y-al-1)~(y-al-5)でそれぞれ表される連結基が好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビシクロオクタン骨格を含む多環構造(ビシクロオクタン骨格とこれ以外の環構造とからなる多環構造)が好適に挙げられる。
前記脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
前記鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基;1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
{(d1-1) component}
In formula (d1-1), Rd 1 represents a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples of these groups include the same as those for R' 201 described above.
Among these, Rd 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain-like alkyl group which may have a substituent. Examples of the substituent which these groups may have include a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an aryl group, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a lactone-containing cyclic group represented by each of the above general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), an ether bond, an ester bond, or a combination thereof. When an ether bond or an ester bond is contained as a substituent, it may be via an alkylene group, and in this case, the substituent is preferably a linking group represented by each of the above formulas (y-al-1) to (y-al-5).
Suitable examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, and a polycyclic structure containing a bicyclooctane skeleton (a polycyclic structure consisting of a bicyclooctane skeleton and another ring structure).
The aliphatic cyclic group is more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.
The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the chain alkyl group include linear alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decyl group; and branched alkyl groups such as a 1-methylethyl group, a 1-methylpropyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylbutyl group, a 2-methylbutyl group, a 3-methylbutyl group, a 1-ethylbutyl group, a 2-ethylbutyl group, a 1-methylpentyl group, a 2-methylpentyl group, a 3-methylpentyl group, and a 4-methylpentyl group.

前記鎖状のアルキル基が置換基としてフッ素原子又はフッ素化アルキル基を有するフッ素化アルキル基である場合、フッ素化アルキル基の炭素数は、1~11が好ましく、1~8がより好ましく、1~4がさらに好ましい。該フッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、例えば酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
Rdとしては、直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換されたフッ素化アルキル基であることが好ましく、直鎖状のアルキル基を構成する水素原子の全てがフッ素原子で置換されたフッ素化アルキル基(直鎖状のパーフルオロアルキル基)であることが特に好ましい。
When the chain-like alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the number of carbon atoms in the fluorinated alkyl group is preferably 1 to 11, more preferably 1 to 8, and further preferably 1 to 4. The fluorinated alkyl group may contain an atom other than a fluorine atom. Examples of the atom other than a fluorine atom include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Rd1 is preferably a fluorinated alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting a linear alkyl group have been substituted with fluorine atoms, and particularly preferably a fluorinated alkyl group in which all of the hydrogen atoms constituting a linear alkyl group have been substituted with fluorine atoms (linear perfluoroalkyl group).

以下に(d1-1)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。 Specific examples of preferred anion moieties of component (d1-1) are shown below.

Figure 0007573399000070
Figure 0007573399000070

・・カチオン部
式(d1-1)中、Mm+は、m価の有機カチオンである。
m+の有機カチオンとしては、前記一般式(ca-1)~(ca-4)でそれぞれ表されるカチオンと同様のものが好適に挙げられ、前記一般式(ca-1)で表されるカチオンがより好ましく、前記式(ca-1-1)~(ca-1-70)でそれぞれ表されるカチオンがさらに好ましい。
(d1-1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
In formula (d1-1), M m+ represents an m-valent organic cation.
Suitable examples of the organic cation of M m+ include the same cations as those represented by the general formulas (ca-1) to (ca-4), respectively, more preferably the cation represented by the general formula (ca-1), and even more preferably the cations represented by the general formulas (ca-1-1) to (ca-1-70).
The component (d1-1) may be used alone or in combination of two or more.

{(d1-2)成分}
・・アニオン部
式(d1-2)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、前記R’201と同様のものが挙げられる。
但し、Rdにおける、S原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していない(フッ素置換されていない)ものとする。これにより、(d1-2)成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、(D)成分としてのクエンチング能が向上する。
Rdとしては、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、3~10であることがより好ましい。脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等から1個以上の水素原子を除いた基(置換基を有していてもよい);カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
Rdの炭化水素基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記式(d1-1)のRdにおける炭化水素基(芳香族炭化水素基、脂肪族環式基、鎖状のアルキル基)が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
{(d1-2) component}
In formula (d1-2), Rd2 represents a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples of R'201 include the same as those described above for R'201 .
However, in Rd2 , the carbon atom adjacent to the S atom does not have a fluorine atom bonded thereto (is not substituted with fluorine), whereby the anion of the component (d1-2) becomes an appropriately weak acid anion, and the quenching ability of the component (D) is improved.
Rd2 is preferably a chain alkyl group which may have a substituent, or an aliphatic cyclic group which may have a substituent. The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably has 3 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is more preferably a group (which may have a substituent) in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, or the like; or a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from camphor, or the like.
The hydrocarbon group of Rd2 may have a substituent, and examples of the substituent include the same substituents as those that may be possessed by the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group, chain alkyl group) in Rd1 of the above formula (d1-1).

以下に(d1-2)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。 Preferred specific examples of the anion portion of component (d1-2) are shown below.

Figure 0007573399000071
Figure 0007573399000071

・・カチオン部
式(d1-2)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(d1-1)中のMm+と同様である。
(d1-2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Cation Moiety In formula (d1-2), M m+ represents an m-valent organic cation and is the same as M m+ in formula (d1-1).
The component (d1-2) may be used alone or in combination of two or more.

{(d1-3)成分}
・・アニオン部
式(d1-3)中、Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、前記R’201と同様のものが挙げられ、フッ素原子を含む環式基、鎖状のアルキル基、又は鎖状のアルケニル基であることが好ましい。中でも、フッ素化アルキル基が好ましく、前記Rdのフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。
{(d1-3) component}
In formula (d1-3), Rd 3 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as those of R' 201 , and is preferably a cyclic group, chain alkyl group, or chain alkenyl group containing a fluorine atom. Among them, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same as the fluorinated alkyl group of Rd 1 is more preferable.

式(d1-3)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、前記R’201と同様のものが挙げられる。
なかでも、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、環式基であることが好ましい。
Rdにおけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rdのアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。
Rdにおけるアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1~5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
In formula (d1-3), Rd4 represents a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples of R'201 include the same as those described above.
Among these, an alkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, or a cyclic group, each of which may have a substituent, is preferable.
The alkyl group in Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, etc. A part of the hydrogen atoms of the alkyl group in Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group, etc.
The alkoxy group in Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rdにおけるアルケニル基は、前記R’201におけるアルケニル基と同様のものが挙げられ、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基が好ましい。これらの基はさらに置換基として、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を有していてもよい。 The alkenyl group in Rd4 may be the same as the alkenyl group in R'201 , and preferably a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group, or a 2-methylpropenyl group. These groups may further have an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

Rdにおける環式基は、前記R’201における環式基と同様のものが挙げられ、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。Rdが脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することにより、リソグラフィー特性が良好となる。また、Rdが芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。 Examples of the cyclic group in Rd 4 include the same as the cyclic group in R' 201 , and are preferably an alicyclic group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a cycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane, or an aromatic group such as a phenyl group or naphthyl group. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition dissolves well in an organic solvent, thereby improving the lithography properties. In addition, when Rd 4 is an aromatic group, in lithography using EUV or the like as an exposure light source, the resist composition has excellent light absorption efficiency, and the sensitivity and lithography properties are improved.

式(d1-3)中、Ydは、単結合または2価の連結基である。
Ydにおける2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基(脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基)、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が挙げられる。これらはそれぞれ、上記式(a2-1)中のYa21における2価の連結基についての説明のなかで挙げた、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
Ydとしては、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、アルキレン基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。アルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。
In formula (d1-3), Yd1 represents a single bond or a divalent linking group.
The divalent linking group in Yd 1 is not particularly limited, and examples thereof include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent (an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group), a divalent linking group containing a hetero atom, etc. These include the same as the divalent hydrocarbon group which may have a substituent and the divalent linking group containing a hetero atom mentioned in the description of the divalent linking group in Ya 21 in the above formula (a2-1).
Yd1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. The alkylene group is more preferably a linear or branched alkylene group, and further preferably a methylene group or an ethylene group.

以下に(d1-3)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。 Specific examples of preferred anion moieties of component (d1-3) are shown below.

Figure 0007573399000072
Figure 0007573399000072

Figure 0007573399000073
Figure 0007573399000073

・・カチオン部
式(d1-3)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(d1-1)中のMm+と同様である。
(d1-3)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Cation Moiety In formula (d1-3), M m+ represents an m-valent organic cation and is the same as M m+ in formula (d1-1).
The component (d1-3) may be used alone or in combination of two or more.

(D1)成分は、上記(d1-1)~(d1-3)成分のいずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物が(D1)成分を含有する場合、レジスト組成物中、(D1)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.5~20質量部が好ましく、1~15質量部がより好ましく、5~10質量部がさらに好ましい。
(D1)成分の含有量が好ましい下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られやすい。一方、上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。
The component (D1) may be any one of the above components (d1-1) to (d1-3), or a combination of two or more of them.
When the resist composition contains the component (D1), the amount of the component (D1) in the resist composition is preferably 0.5 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 15 parts by mass, and even more preferably 5 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the component (A).
When the content of the component (D1) is at least the preferred lower limit, particularly good lithography properties and resist pattern shape are likely to be obtained, while when it is no more than the upper limit, good sensitivity can be maintained and throughput is also excellent.

(D1)成分の製造方法:
前記の(d1-1)成分、(d1-2)成分の製造方法は、特に限定されず、公知の方法により製造することができる。
また、(d1-3)成分の製造方法は、特に限定されず、例えば、US2012-0149916号公報に記載の方法と同様にして製造される。
Production method of component (D1):
The method for producing the components (d1-1) and (d1-2) is not particularly limited, and they can be produced by known methods.
The method for producing the component (d1-3) is not particularly limited, and it can be produced, for example, in the same manner as the method described in US 2012-0149916.

・(D2)成分について
(D)成分としては、上記の(D1)成分に該当しない含窒素有機化合物成分(以下「(D2)成分」という。)を含有することが好ましい。
(D2)成分としては、酸拡散制御剤として作用するもので、かつ、(D1)成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミンが好ましく、この中でも特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンがより好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンもしくはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。
Regarding the component (D2): The component (D) preferably contains a nitrogen-containing organic compound component (hereinafter referred to as "component (D2)") that does not fall under the category of the above-mentioned component (D1).
The component (D2) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion controller and does not fall under the category of component (D1), and any known component may be used. Among these, aliphatic amines are preferred, and among these, secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are more preferred.
An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 12 carbon atoms.
Examples of aliphatic amines include amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms (alkylamines or alkyl alcohol amines), or cyclic amines.
Specific examples of alkylamines and alkyl alcohol amines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, and n-decylamine; dialkylamines such as diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, and dicyclohexylamine; trialkylamines such as trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, and tri-n-dodecylamine; and alkyl alcohol amines such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, and tri-n-octanolamine. Among these, trialkylamines having 5 to 10 carbon atoms are more preferred, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferred.

環式アミンとしては、例えば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
Examples of cyclic amines include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a heteroatom. The heterocyclic compounds may be monocyclic (aliphatic monocyclic amines) or polycyclic (aliphatic polycyclic amines).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
The aliphatic polycyclic amine is preferably one having 6 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene, hexamethylenetetramine, and 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane.

その他の脂肪族アミンとしては、トリス(2-メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2-(2-メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2-(2-メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2-(1-メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2-(1-エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2-(1-エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2-{2-(2-ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。 Other aliphatic amines include tris(2-methoxymethoxyethyl)amine, tris{2-(2-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(2-methoxyethoxymethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxypropoxy)ethyl}amine, tris[2-{2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy}ethyl]amine, triethanolamine triacetate, etc., with triethanolamine triacetate being preferred.

また、(D2)成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。
芳香族アミンとしては、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。
Furthermore, an aromatic amine may be used as the component (D2).
Examples of aromatic amines include 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, and N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine.

(D2)成分としては、厚膜レジストにおいて透明性が維持される観点から、脂肪族アミンが好ましく、鎖状脂肪族アミンがより好ましく、鎖状アルキルアミンがさらに好ましい。前記鎖状アルキルアミンが有する鎖状アルキル基は、炭素数5~10であることが好ましい。中でも、炭素数5~10の直鎖状アルキル基を有するジアルキルアミン又はトリアルキルアミンが好ましく、トリアルキルアミンがより好ましい。 From the viewpoint of maintaining transparency in the thick-film resist, the (D2) component is preferably an aliphatic amine, more preferably a chain aliphatic amine, and even more preferably a chain alkylamine. The chain alkyl group of the chain alkylamine preferably has 5 to 10 carbon atoms. Among these, dialkylamines or trialkylamines having a linear alkyl group with 5 to 10 carbon atoms are preferred, and trialkylamines are more preferred.

(D2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物が(D2)成分を含有する場合、レジスト組成物中、(D2)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.005~5質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。
The component (D2) may be used alone or in combination of two or more types.
When the resist composition contains the component (D2), the amount of the component (D2) in the resist composition is typically within the range from 0.005 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the component (A). By ensuring that the amount is within this range, the resist pattern shape, the storage stability over time, and the like are improved.

≪有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも1種の化合物(E)≫
本実施形態のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下「(E)成分」という)を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、例えば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、ホスフィン酸エステルやフェニルホスフィン酸などが挙げられる。
本実施形態のレジスト組成物において、(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
レジスト組成物が(E)成分を含有する場合、(E)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01~5質量部の範囲で用いられる。
<At least one compound (E) selected from the group consisting of organic carboxylic acids, phosphorus oxoacids and derivatives thereof>
For the purposes of preventing deterioration of sensitivity and improving the resist pattern shape and storage stability, etc., the resist composition of this embodiment may contain, as an optional component, at least one compound (E) selected from the group consisting of organic carboxylic acids, and phosphorus oxoacids and derivatives thereof (hereafter referred to as "component (E)").
Suitable organic carboxylic acids include, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, and salicylic acid.
Examples of phosphorus oxoacids include phosphoric acid, phosphonic acid, and phosphinic acid, with phosphonic acid being particularly preferred.
Examples of derivatives of phosphorus oxoacids include esters in which the hydrogen atoms of the above oxoacids are substituted with hydrocarbon groups. Examples of the hydrocarbon groups include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms and aryl groups having 6 to 15 carbon atoms.
Examples of the derivatives of phosphoric acid include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphoric acid ester and diphenyl phosphoric acid ester.
Examples of the derivatives of phosphonic acid include phosphonic acid esters such as dimethyl phosphonate, di-n-butyl phosphonate, phenylphosphonic acid, diphenyl phosphonate, and dibenzyl phosphonate.
Derivatives of phosphinic acid include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.
In the resist composition of this embodiment, the component (E) may use either a single type, or a combination of two or more types.
When the resist composition contains the component (E), the amount of the component (E) is typically within a range from 0.01 to 5 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A).

≪フッ素添加剤成分(F)≫
本実施形態のレジスト組成物は、レジスト膜に撥水性を付与するため、又はリソグラフィー特性を向上させるために、フッ素添加剤成分(以下「(F)成分」という)を含有してもよい。
(F)成分としては、例えば、特開2010-002870号公報、特開2010-032994号公報、特開2010-277043号公報、特開2011-13569号公報、特開2011-128226号公報に記載の含フッ素高分子化合物を用いることができる。
(F)成分としてより具体的には、下記一般式(f1-1)で表される構成単位(f1)を有する重合体が挙げられる。この重合体としては、下記式(f1-1)で表される構成単位(f1)のみからなる重合体(ホモポリマー);該構成単位(f1)と前記構成単位(a1)との共重合体;該構成単位(f1)とアクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と前記構成単位(a1)との共重合体であることが好ましい。ここで、該構成単位(f1)と共重合される前記構成単位(a1)としては、1-エチル-1-シクロオクチル(メタ)アクリレートから誘導される構成単位、1-メチル-1-アダマンチル(メタ)アクリレートから誘導される構成単位が好ましい。
<Fluorine additive component (F)>
The resist composition of this embodiment may contain a fluorine additive component (hereafter referred to as “component (F)”) in order to impart water repellency to the resist film or to improve lithography properties.
As the component (F), for example, the fluorine-containing polymeric compounds described in JP-A-2010-002870, JP-A-2010-032994, JP-A-2010-277043, JP-A-2011-13569, and JP-A-2011-128226 can be used.
More specifically, the component (F) may be a polymer having a structural unit (f1) represented by the following general formula (f1-1). This polymer is preferably a polymer (homopolymer) consisting only of the structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1); a copolymer of the structural unit (f1) and the structural unit (a1); or a copolymer of the structural unit (f1), a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the structural unit (a1). Here, the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1) is preferably a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth)acrylate or a structural unit derived from 1-methyl-1-adamantyl (meth)acrylate.

Figure 0007573399000074
[式中、Rは前記と同様であり、Rf102およびRf103はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を表し、Rf102およびRf103は同じであっても異なっていてもよい。nfは1~5の整数であり、Rf101はフッ素原子を含む有機基である。]
Figure 0007573399000074
[In the formula, R is the same as above, Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 102 and Rf 103 may be the same or different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]

式(f1-1)中、α位の炭素原子に結合したRは、前記と同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
式(f1-1)中、Rf102およびRf103のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rf102およびRf103の炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましい。Rf102およびRf103の炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。なかでもRf102およびRf103としては、水素原子、フッ素原子、又は炭素数1~5のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、またはエチル基が好ましい。
式(f1-1)中、nfは1~5の整数であり、1~3の整数が好ましく、1又は2であることがより好ましい。
In formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the α-position is the same as defined above. R is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In formula (f1-1), examples of halogen atoms of Rf 102 and Rf 103 include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms, etc., with fluorine atoms being particularly preferred. Examples of alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms of Rf 102 and Rf 103 include the same as the alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms of R above, with methyl groups or ethyl groups being preferred. Specific examples of halogenated alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms of Rf 102 and Rf 103 include groups in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atoms include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms, etc., with fluorine atoms being particularly preferred. Among these, examples of Rf 102 and Rf 103 include hydrogen atoms, fluorine atoms, or alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, with hydrogen atoms, fluorine atoms, methyl groups, or ethyl groups being preferred.
In formula (f1-1), nf 1 represents an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

式(f1-1)中、Rf101は、フッ素原子を含む有機基であり、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。
フッ素原子を含む炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよく、炭素数は1~20であることが好ましく、炭素数1~15であることがより好ましく、炭素数1~10が特に好ましい。
また、フッ素原子を含む炭化水素基は、当該炭化水素基における水素原子の25%以上がフッ素化されていることが好ましく、50%以上がフッ素化されていることがより好ましく、60%以上がフッ素化されていることが、浸漬露光時のレジスト膜の疎水性が高まることから特に好ましい。
なかでも、Rf101としては、炭素数1~6のフッ素化炭化水素基がより好ましく、トリフルオロメチル基、-CH-CF、-CH-CF-CF、-CH(CF、-CH-CH-CF、-CH-CH-CF-CF-CF-CFが特に好ましい。
In formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.
The fluorine atom-containing hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic and preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably has 1 to 15 carbon atoms, and particularly preferably has 1 to 10 carbon atoms.
In addition, in the hydrocarbon group containing fluorine atoms, preferably 25% or more of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are fluorinated, more preferably 50% or more, and particularly preferably 60% or more are fluorinated, as this enhances the hydrophobicity of the resist film during immersion exposure.
Of these, Rf 101 is more preferably a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, with a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH(CF 3 ) 2 , -CH 2 -CH 2 -CF 3 , and -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 being particularly preferred.

(F)成分の重量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、1000~50000が好ましく、5000~40000がより好ましく、10000~30000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのにレジスト用溶剤への充分な溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、レジスト膜の撥水性が良好である。
(F)成分の分散度(Mw/Mn)は、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.0~2.5が最も好ましい。
The weight average molecular weight (Mw) of component (F) (based on polystyrene equivalent measured by gel permeation chromatography) is preferably 1,000 to 50,000, more preferably 5,000 to 40,000, and most preferably 10,000 to 30,000. When it is below the upper limit of this range, the compound has sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and when it is above the lower limit of this range, the resist film has good water repellency.
The dispersity (Mw/Mn) of the component (F) is preferably from 1.0 to 5.0, more preferably from 1.0 to 3.0, and most preferably from 1.0 to 2.5.

本実施形態のレジスト組成物において、(F)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
レジスト組成物が(F)成分を含有する場合、(F)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.5~10質量部の割合で用いられる。
In the resist composition of this embodiment, the component (F) may use either a single type, or a combination of two or more types.
When the resist composition contains the component (F), the component (F) is typically used in an amount of 0.5 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A).

≪有機溶剤成分(S)≫
本実施形態のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤成分(以下「(S)成分」という)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジスト組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
(S)成分としては、例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド(DMSO)等が挙げられる。
本実施形態のレジスト組成物において、(S)成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。なかでも、PGMEA、PGME、γ-ブチロラクトン、EL、酢酸ブチル及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも1種が好ましく、PGMEA、PGME及び酢酸ブチルからなる群より選ばれる少なくとも1種がより好ましい。
<Organic solvent component (S)>
The resist composition of this embodiment can be produced by dissolving the resist materials in an organic solvent component (hereafter referred to as “component (S)”).
The component (S) can be any solvent that is capable of dissolving the individual components used and forming a homogeneous solution, and any solvent can be appropriately selected from those that are conventionally known as solvents for chemically amplified resist compositions.
Examples of the component (S) include lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol; compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, and dipropylene glycol monoacetate; and compounds having an ether bond such as monoalkyl ethers, monoethyl ethers, monopropyl ethers, and monobutyl ethers of the polyhydric alcohols or compounds having an ester bond, or monophenyl ethers. and derivatives of polyhydric alcohols such as those listed above (among which, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred)]; cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate; aromatic organic solvents such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetole, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, and mesitylene, and dimethyl sulfoxide (DMSO).
In the resist composition of this embodiment, the component (S) may be used alone or as a mixed solvent of two or more kinds. Among them, at least one selected from the group consisting of PGMEA, PGME, γ-butyrolactone, EL, butyl acetate, and cyclohexanone is preferable, and at least one selected from the group consisting of PGMEA, PGME, and butyl acetate is more preferable.

また、(S)成分としては、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶剤も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてEL、酢酸ブチル又はシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:EL、酢酸ブチル又はシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。さらに、PGMEAとPGMEと酢酸ブチルとの混合溶剤も好ましい。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者との質量比が、好ましくは70:30~95:5とされる。
As the component (S), a mixed solvent of PGMEA and a polar solvent is also preferred. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined taking into consideration the compatibility between PGMEA and the polar solvent, and is preferably within the range of 1:9 to 9:1, and more preferably 2:8 to 8:2.
More specifically, when EL, butyl acetate or cyclohexanone is blended as the polar solvent, the mass ratio of PGMEA:EL, butyl acetate or cyclohexanone is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2. When PGME is blended as the polar solvent, the mass ratio of PGMEA:PGME is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2, and even more preferably 3:7 to 7:3. Furthermore, a mixed solvent of PGMEA, PGME and butyl acetate is also preferred.
As the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL with γ-butyrolactone is also preferred. In this case, the mixing ratio of the former to the latter is preferably 70:30 to 95:5 by mass.

(S)成分の使用量は、レジスト組成物の固形分濃度が25質量%以上となるように設定される。本明細書において、レジスト組成物中の固形分とは、(S)成分以外の成分をいう。レジスト組成物の固形分濃度は、下記式により算出される。
固形分濃度(質量%)=(S)成分以外の成分の合計質量/レジスト組成物の総質量×100
The amount of component (S) used is set so that the solids concentration of the resist composition is 25 mass % or more. In this specification, the solids content of the resist composition refers to the components other than component (S). The solids concentration of the resist composition is calculated according to the following formula.
Solid content concentration (mass %)=total mass of components other than component (S)/total mass of resist composition×100

例えば、レジスト組成物が、(A)成分、(Z)成分、(B)成分、(D)成分及び(S)成分からなる場合、固形分濃度(質量%)=[((A)成分+(Z)成分+(B)成分+(D)成分)/((A)成分+(Z)成分+(B)成分+(D)成分)+(S)成分]×100となる。 For example, when the resist composition is composed of the (A) component, the (Z) component, the (B) component, the (D) component, and the (S) component, the solids concentration (mass %) = [((A) component + (Z) component + (B) component + (D) component) / ((A) component + (Z) component + (B) component + (D) component) + (S) component] x 100.

レジスト組成物の固形分濃度を25質量%以上とすることにより、レジスト組成物を基板に塗布してレジスト膜を形成した場合に、厚膜レジスト膜(例えば、膜厚5μm以上、好ましくは7μm以上)を形成することができる。レジスト組成物の固形分濃度は、25質量%以上であれば特に限定されず、所望のレジスト膜の膜厚に応じて適宜決定することができる。一般的に、固形分濃度が高くなるほど、レジスト膜の膜厚が厚くなる。
レジスト組成物の固形分濃度の上限値は、固形分が溶解可能な濃度であれば特に限定されない。レジスト組成物の固形分濃度は、例えば、60質量%以下であり、55質量%以下であることが好ましく、50質量%以下であることがより好ましい。
レジスト組成物の固形分濃度の範囲としては、例えば、25~60質量%、25~55質量%、又は25~50質量%等が挙げられる。
By making the solid content concentration of the resist composition 25 mass% or more, when the resist composition is applied to a substrate to form a resist film, a thick resist film (for example, a film thickness of 5 μm or more, preferably 7 μm or more) can be formed. The solid content concentration of the resist composition is not particularly limited as long as it is 25 mass% or more, and can be appropriately determined according to the desired film thickness of the resist film. In general, the higher the solid content concentration, the thicker the film thickness of the resist film.
The upper limit of the solid content concentration of the resist composition is not particularly limited as long as the solid content is soluble in the resist composition. The solid content concentration of the resist composition is, for example, 60% by mass or less, preferably 55% by mass or less, and more preferably 50% by mass or less.
The solid content of the resist composition may be in the range of, for example, 25 to 60% by mass, 25 to 55% by mass, or 25 to 50% by mass.

本実施形態のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。 The resist composition of this embodiment may further contain compatible additives, such as additional resins for improving the performance of the resist film, dissolution inhibitors, plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, etc., as desired.

本実施形態のレジスト組成物は、上記レジスト材料を(S)成分に溶解させた後、ポリイミド多孔質膜、ポリアミドイミド多孔質膜等を用いて、不純物等の除去を行ってもよい。例えば、ポリイミド多孔質膜からなるフィルター、ポリアミドイミド多孔質膜からなるフィルター、ポリイミド多孔質膜及びポリアミドイミド多孔質膜からなるフィルター等を用いて、レジスト組成物の濾過を行ってもよい。前記ポリイミド多孔質膜及び前記ポリアミドイミド多孔質膜としては、例えば、特開2016-155121号公報に記載のもの等が例示される。 After dissolving the resist material in the (S) component, the resist composition of this embodiment may be subjected to removal of impurities using a polyimide porous film, a polyamideimide porous film, or the like. For example, the resist composition may be filtered using a filter made of a polyimide porous film, a filter made of a polyamideimide porous film, or a filter made of a polyimide porous film and a polyamideimide porous film. Examples of the polyimide porous film and the polyamideimide porous film include those described in JP 2016-155121 A.

以上説明した本実施形態のレジスト組成物は、固形分濃度が25質量%以上であり、且つ、イオン液体(Z)を含有する。
本実施形態のレジスト組成物は、固形分濃度が25質量%以上であるため、基板に塗布してレジスト膜を形成すると、厚膜レジスト膜(例えば、膜厚5μm以上)が形成される。このような厚膜レジスト膜では、レジストパターンにクラックが生じやすい。また、底部まで光が届きにくいため、露光時の感度を維持することが難しく、良好な形状のレジストパターンが形成されにくい。
本実施形態のレジスト組成物では、イオン液体(Z)を含有させることで、クラック耐性と高感度化とを両立させることができる。これは、前記レジスト組成物を用いて形成したレジスト膜中にイオン液体(Z)が存在することにより、レジスト膜の応力が緩和されるためと推測される。
The resist composition of this embodiment described above has a solids concentration of 25 mass % or more and contains the ionic liquid (Z).
The resist composition of this embodiment has a solid content concentration of 25% by mass or more, so when it is applied to a substrate to form a resist film, a thick resist film (for example, a film thickness of 5 μm or more) is formed. In such a thick resist film, cracks are likely to occur in the resist pattern. In addition, since light does not easily reach the bottom, it is difficult to maintain sensitivity during exposure, and it is difficult to form a resist pattern with a good shape.
The resist composition of the present embodiment can achieve both crack resistance and high sensitivity by containing the ionic liquid (Z). This is presumably because the stress of the resist film is alleviated by the presence of the ionic liquid (Z) in the resist film formed using the resist composition.

(レジストパターン形成方法)
本発明の第2の態様に係るレジストパターン形成方法は、支持体上に、上述した実施形態のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する方法である。
かかるレジストパターン形成方法の一実施形態としては、例えば以下のようにして行うレジストパターン形成方法が挙げられる。
(Method of forming a resist pattern)
A method for forming a resist pattern according to a second aspect of the present invention is a method comprising the steps of forming a resist film on a support using the resist composition of the above-described embodiment, exposing the resist film to light, and developing the exposed resist film to form a resist pattern.
One embodiment of the resist pattern forming method is, for example, a resist pattern forming method carried out as follows.

まず、上述した実施形態のレジスト組成物を、支持体上にスピンナー等で塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、例えば80~150℃の温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施してレジスト膜を形成する。
次に、該レジスト膜に対し、例えば電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介した露光またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、例えば80~150℃の温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。
次に、前記レジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)を用いて行う。
First, the resist composition of the above-described embodiment is applied onto a support using a spinner or the like, and then baked (post-applied bake (PAB)) at a temperature of, for example, 80 to 150° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds, to form a resist film.
Next, the resist film is selectively exposed using an exposure apparatus such as an electron beam lithography apparatus or an EUV exposure apparatus, either through a mask (mask pattern) having a predetermined pattern formed thereon, or by lithography using direct irradiation with an electron beam without using a mask pattern, and then baked (post-exposure bake (PEB)) at a temperature of, for example, 80 to 150° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds.
Next, the resist film is developed using an alkaline developer in the case of an alkaline development process, or a developer containing an organic solvent (organic developer) in the case of a solvent development process.

現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を、超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。
このようにして、レジストパターンを形成することができる。
After the development process, a rinse process is preferably carried out. In the case of an alkaline development process, the rinse process is preferably a water rinse using pure water, and in the case of a solvent development process, a rinse liquid containing an organic solvent is preferably used.
In the case of a solvent development process, after the development treatment or rinsing treatment, a treatment may be carried out in which the developer or rinsing liquid adhering to the pattern is removed by using a supercritical fluid.
After the development treatment or rinsing treatment, drying is performed. In some cases, a baking treatment (post-baking) may be performed after the development treatment.
In this manner, a resist pattern can be formed.

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等が挙げられる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や、多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層のレジスト膜(上層レジスト膜)とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法(2層レジスト法)と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法(3層レジスト法)と、に分けられる。
The support is not particularly limited, and may be a conventionally known support, such as a substrate for electronic components or a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, it may be a silicon wafer, a substrate made of metal such as copper, chromium, iron, or aluminum, or a glass substrate. As the material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, or gold may be used.
The support may be a substrate as described above on which an inorganic and/or organic film is provided. Examples of inorganic films include inorganic anti-reflective coatings (inorganic BARC). Examples of organic films include organic anti-reflective coatings (organic BARC) and organic films such as lower organic films in a multi-layer resist method.
Here, the multi-layer resist method is a method in which at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are provided on a substrate, and the lower organic film is patterned using the resist pattern formed on the upper resist film as a mask, and it is said that a pattern with a high aspect ratio can be formed. That is, according to the multi-layer resist method, the required thickness can be secured by the lower organic film, so that the resist film can be made thin, and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
Multilayer resist methods are basically divided into a method in which a two-layer structure consisting of an upper resist film and a lower organic film is formed (two-layer resist method), and a method in which a multilayer structure consisting of three or more layers is formed by providing one or more intermediate layers (such as a thin metal film) between an upper resist film and a lower organic film (three-layer resist method).

本実施形態のレジストパターン形成方法では、上述した実施形態のレジスト組成物を用いるため、工程(i)では厚膜レジスト膜が形成される。前記レジスト膜の膜厚は、5μm以上であることが好ましく、7μm以上であることがより好ましく、8μm以上であることがさらに好ましい。レジスト膜の膜厚の上限値は、例えば、30μm以下である。工程(i)で形成するレジスト膜の膜厚の範囲としては、例えば、5~30μmが例示され、7~20μmが好ましく、7~15μmがより好ましく、8~12μmがさらに好ましい。レジスト膜の膜厚は、工程(i)で用いるレジスト組成物の固形分濃度により、調整することができる。すなわち、レジスト組成物の固形分濃度が高いほど、より高膜厚のレジスト膜を形成することができる。 In the resist pattern forming method of this embodiment, since the resist composition of the above-mentioned embodiment is used, a thick resist film is formed in step (i). The thickness of the resist film is preferably 5 μm or more, more preferably 7 μm or more, and even more preferably 8 μm or more. The upper limit of the thickness of the resist film is, for example, 30 μm or less. The range of the thickness of the resist film formed in step (i) is, for example, 5 to 30 μm, preferably 7 to 20 μm, more preferably 7 to 15 μm, and even more preferably 8 to 12 μm. The thickness of the resist film can be adjusted by the solid content concentration of the resist composition used in step (i). That is, the higher the solid content concentration of the resist composition, the thicker the resist film can be formed.

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極端紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高く、KrFエキシマレーザーまたはArFエキシマレーザー用としての有用性がより高く、KrFエキシマレーザー用としての有用性が特に高い。すなわち、本実施形態のレジストパターン形成方法は、レジスト膜を露光する工程が、前記レジスト膜に、KrFエキシマレーザー光を露光する操作を含む場合に特に有用な方法である。 The wavelength used for exposure is not particularly limited, and radiation such as ArF excimer laser, KrF excimer laser, F2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. The resist composition is highly useful for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, more useful for KrF excimer laser or ArF excimer laser, and particularly useful for KrF excimer laser. That is, the resist pattern forming method of this embodiment is a particularly useful method when the step of exposing the resist film includes an operation of exposing the resist film to KrF excimer laser light.

レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光(Liquid Immersion Lithography)であってもよい。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で露光(浸漬露光)を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、露光されるレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ、前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180℃のものが好ましく、80~160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル化合物が好ましい。パーフルオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物、パーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2-ブチル-テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
The exposure method for the resist film may be a normal exposure method (dry exposure) performed in air or an inert gas such as nitrogen, or may be liquid immersion exposure (liquid immersion lithography).
Immersion exposure is an exposure method in which the space between the resist film and the lowest lens of the exposure tool is filled with a solvent (immersion medium) that has a refractive index greater than that of air, and exposure (immersion exposure) is then performed in that state.
The immersion medium is preferably a solvent having a refractive index larger than that of air and smaller than that of the resist film to be exposed. The refractive index of the solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than that of air and smaller than that of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include liquids mainly composed of fluorine-based compounds such as C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5 , and C5H3F7 , and preferably have a boiling point of 70 to 180 ° C., more preferably 80 to 160 ° C. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range, it is preferable because the medium used for immersion can be removed in a simple manner after exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with fluorine atoms is particularly preferred. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include perfluoroalkyl ether compounds and perfluoroalkylamine compounds.
More specifically, the perfluoroalkyl ether compound may be perfluoro(2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102° C.), and the perfluoroalkylamine compound may be perfluorotributylamine (boiling point: 174° C.).
As the liquid immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental issues, versatility, and the like.

アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、(A)成分(露光前の(A)成分)を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤の中から適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
ケトン系溶剤は、構造中にC-C(=O)-Cを含む有機溶剤である。エステル系溶剤は、構造中にC-C(=O)-O-Cを含む有機溶剤である。アルコール系溶剤は、構造中にアルコール性水酸基を含む有機溶剤である。「アルコール性水酸基」は、脂肪族炭化水素基の炭素原子に結合した水酸基を意味する。ニトリル系溶剤は、構造中にニトリル基を含む有機溶剤である。アミド系溶剤は、構造中にアミド基を含む有機溶剤である。エーテル系溶剤は、構造中にC-O-Cを含む有機溶剤である。
有機溶剤の中には、構造中に上記各溶剤を特徴づける官能基を複数種含む有機溶剤も存在するが、その場合は、当該有機溶剤が有する官能基を含むいずれの溶剤種にも該当するものとする。例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中のアルコール系溶剤、エーテル系溶剤のいずれにも該当するものとする。
炭化水素系溶剤は、ハロゲン化されていてもよい炭化水素からなり、ハロゲン原子以外の置換基を有さない炭化水素溶剤である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
有機系現像液が含有する有機溶剤としては、上記の中でも、極性溶剤が好ましく、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、ニトリル系溶剤等が好ましい。
The alkaline developer used in the development treatment in the alkaline development process may be, for example, a 0.1 to 10% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
The organic solvent contained in the organic developer used in the development treatment in the solvent development process may be any organic solvent capable of dissolving the component (A) (the component (A) before exposure), and may be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples of the organic solvent include polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents, and ether solvents, and hydrocarbon solvents.
Ketone-based solvents are organic solvents that contain C-C(=O)-C in their structure. Ester-based solvents are organic solvents that contain C-C(=O)-O-C in their structure. Alcohol-based solvents are organic solvents that contain an alcoholic hydroxyl group in their structure. "Alcoholic hydroxyl group" means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an aliphatic hydrocarbon group. Nitrile-based solvents are organic solvents that contain a nitrile group in their structure. Amide-based solvents are organic solvents that contain an amide group in their structure. Ether-based solvents are organic solvents that contain C-O-C in their structure.
Some organic solvents contain multiple types of functional groups that characterize the above-mentioned solvents in their structures, and in such cases, the organic solvent is considered to fall under any of the solvent types that contain the functional groups possessed by the organic solvent. For example, diethylene glycol monomethyl ether is considered to fall under both the alcohol-based solvents and the ether-based solvents in the above classification.
The hydrocarbon solvent is a hydrocarbon solvent that is composed of a hydrocarbon that may be halogenated and has no substituents other than halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferred.
Of the above, the organic solvent contained in the organic developer is preferably a polar solvent, and more preferably a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent, or the like.

ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ-ブチロラクトン、メチルアミルケトン(2-ヘプタノン)等が挙げられる。これらの中でも、ケトン系溶剤としては、メチルアミルケトン(2-ヘプタノン)が好ましい。 Examples of ketone solvents include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methyl naphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, and methyl amyl ketone (2-heptanone). Of these, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferred as a ketone solvent.

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2-メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-エチル-3-メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2-エトキシブチルアセテート、4-エトキシブチルアセテート、4-プロポキシブチルアセテート、2-メトキシペンチルアセテート、3-メトキシペンチルアセテート、4-メトキシペンチルアセテート、2-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、4-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-エトキシプロピオネート、プロピル-3-メトキシプロピオネート等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。 Examples of ester solvents include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, methoxyethyl acetate, ethoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 2-ethoxybutyl ... dibutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, proline lactate Examples of the ester-based solvent include pyrulic acid, ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, and propyl 3-methoxypropionate. Among these, butyl acetate is preferred as the ester-based solvent.

ニトリル系溶剤としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、バレロニトリル、ブチロニトリル等が挙げられる。 Examples of nitrile solvents include acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, etc.

有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量%であり、0.005~2質量%が好ましく、0.01~0.5質量%がより好ましい。
The organic developer may contain known additives as necessary. Examples of such additives include surfactants. The surfactant is not particularly limited, but may be, for example, an ionic or nonionic fluorine-based and/or silicon-based surfactant. The surfactant is preferably a nonionic surfactant, more preferably a nonionic fluorine-based surfactant or a nonionic silicon-based surfactant.
When a surfactant is added, the amount of the surfactant added is usually from 0.001 to 5% by mass, preferably from 0.005 to 2% by mass, and more preferably from 0.01 to 0.5% by mass, based on the total amount of the organic developer.

現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、例えば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。 The development process can be carried out by a known development method, such as a method of immersing the support in a developer for a certain period of time (dip method), a method of piling up the developer on the support surface by surface tension and leaving it still for a certain period of time (paddle method), a method of spraying the developer on the support surface (spray method), or a method of continuously applying developer while scanning a developer application nozzle at a constant speed onto a support rotating at a constant speed (dynamic dispense method).

溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、例えば前記有機系現像液に用いる有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
リンス液に用いるアルコール系溶剤は、炭素数6~8の1価アルコールが好ましく、該1価アルコールは直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよい。具体的には、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのなかでも、1-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-ヘキサノールが好ましく、1-ヘキサノール、2-ヘキサノールがより好ましい。
これらの有機溶剤は、いずれか1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、上記以外の有機溶剤や水と混合して用いてもよい。但し、現像特性を考慮すると、リンス液中の水の配合量は、リンス液の全量に対し、30質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下がさらに好ましく、3質量%以下が特に好ましい。
リンス液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、前記と同様のものが挙げられ、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、リンス液の全量に対して、通常0.001~5質量%であり、0.005~2質量%が好ましく、0.01~0.5質量%がより好ましい。
The organic solvent contained in the rinse solution used in the rinse treatment after the development treatment in the solvent development process can be selected appropriately from the organic solvents listed as the organic solvents used in the organic developer, and can be used if it is difficult to dissolve the resist pattern.Usually, at least one solvent selected from a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent, an amide solvent, and an ether solvent is used.Among these, at least one solvent selected from a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent, and an amide solvent is preferred, at least one solvent selected from an alcohol solvent and an ester solvent is more preferred, and an alcohol solvent is particularly preferred.
The alcohol-based solvent used in the rinse liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be any of linear, branched, and cyclic. Specific examples include 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4-octanol, and benzyl alcohol. Among these, 1-hexanol, 2-heptanol, and 2-hexanol are preferred, and 1-hexanol and 2-hexanol are more preferred.
These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. They may also be used in combination with other organic solvents or water. However, in consideration of development characteristics, the amount of water in the rinse solution is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, even more preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or less, based on the total amount of the rinse solution.
The rinse solution may contain known additives as necessary. Examples of such additives include surfactants. The surfactants include those similar to those described above, and nonionic surfactants are preferred, and nonionic fluorine-based surfactants or nonionic silicon-based surfactants are more preferred.
When a surfactant is added, the amount of the surfactant added is usually 0.001 to 5 mass %, preferably 0.005 to 2 mass %, and more preferably 0.01 to 0.5 mass %, based on the total amount of the rinse solution.

リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法により実施できる。該リンス処理の方法としては、例えば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法(回転塗布法)、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。 The rinse treatment (cleaning treatment) using a rinse solution can be carried out by a known rinse method. Examples of the rinse treatment method include a method in which the rinse solution is continuously applied onto a support rotating at a constant speed (spin coating method), a method in which the support is immersed in the rinse solution for a certain period of time (dip method), and a method in which the rinse solution is sprayed onto the surface of the support (spray method).

以上説明した本実施形態のレジストパターン形成方法によれば、上述した第1の態様に係るレジスト組成物が用いられているため、高感度化を図ることができ、クラックが少ないレジストパターンを形成することができる。 According to the resist pattern forming method of this embodiment described above, since the resist composition according to the first aspect described above is used, it is possible to achieve high sensitivity and form a resist pattern with fewer cracks.

かかるレジストパターン形成方法は、3次元構造デバイスの製造用として有用である。 This resist pattern formation method is useful for manufacturing three-dimensional structure devices.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

<レジスト組成物の調製>
(実施例1~12、比較例1~2)
表1に示す各成分を混合して溶解し、各例のレジスト組成物をそれぞれ調製した。
<Preparation of Resist Composition>
(Examples 1 to 12, Comparative Examples 1 and 2)
The components shown in Table 1 were mixed and dissolved to prepare resist compositions of each example.

Figure 0007573399000075
Figure 0007573399000075

表1中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[ ]内の数値は配合量(質量部)である。固形分濃度は、固形分濃度(質量%)=[((A)成分+(B)成分+(D)成分+(Z)成分)/((A)成分+(B)成分+(D)成分+(Z)成分+(S)成分)]×100により算出した。 In Table 1, the abbreviations have the following meanings. The numbers in brackets [ ] are the amounts used (parts by mass). The solids concentration was calculated by Solids Concentration (mass%) = [(Component (A) + Component (B) + Component (D) + Component (Z))/(Component (A) + Component (B) + Component (D) + Component (Z) + Component (S))] x 100.

(A)-1:下記化学式(A-1)で表される高分子化合物。GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は10000、分散度(Mw/Mn)は1.4。13C-NMRにより求めた共重合組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))はl/m/n=60/15/25。 (A)-1: Polymer compound represented by the following chemical formula (A-1). Standard polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) determined by GPC measurement is 10,000, and polydispersity (Mw/Mn) is 1.4. Copolymer composition ratio (proportion (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13C -NMR is l/m/n=60/15/25.

Figure 0007573399000076
Figure 0007573399000076

(B)-1:下記化学式(B-1)で表される化合物からなる酸発生剤。
(D)-1:下記化学式(D-1)で表される化合物からなる含窒素有機化合物。
(B)-1: An acid generator comprising a compound represented by the following chemical formula (B-1).
(D)-1: A nitrogen-containing organic compound represented by the following chemical formula (D-1).

Figure 0007573399000077
Figure 0007573399000077

(Z)-1:下記式(IL)-1で表される化合物。
(Z)-2:下記式(IL)-3で表される化合物。
(Z)-3:下記式(IL)-14で表される化合物。
(Z)-4:下記式(IL)-15で表される化合物。
(Z)-5:下記式(IL)-16で表される化合物。
(Z)-6:下記式(IL)-17で表される化合物。
(Z)-7:下記式(IL)-18で表される化合物。
(Z)-8:下記式(IL)-19で表される化合物。
(Z)-9:下記式(IL)-20で表される化合物。
(Z)-1: A compound represented by the following formula (IL)-1.
(Z)-2: A compound represented by the following formula (IL)-3.
(Z)-3: A compound represented by the following formula (IL)-14.
(Z)-4: A compound represented by the following formula (IL)-15.
(Z)-5: A compound represented by the following formula (IL)-16.
(Z)-6: A compound represented by the following formula (IL)-17.
(Z)-7: A compound represented by the following formula (IL)-18.
(Z)-8: A compound represented by the following formula (IL)-19.
(Z)-9: A compound represented by the following formula (IL)-20.

Figure 0007573399000078
Figure 0007573399000078

Figure 0007573399000079
Figure 0007573399000079

(S)-1:プロピレングリコールモノメチルエーテル
(S)-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(S)-3:酢酸ブチル
(S)-1: Propylene glycol monomethyl ether (S)-2: Propylene glycol monomethyl ether acetate (S)-3: Butyl acetate

<レジストパターンの形成>
工程(i):
110℃で60秒間のヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチのシリコンウェーハ上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布した。ホットプレート上で、140℃で90秒間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚15μmのレジスト膜を形成した。
工程(ii):
次いで、前記レジスト膜に対し、KrF露光装置NSR-S203B(ニコン社製;NA(開口数)=0.68,σ=0.40)により、KrFエキシマレーザー(248nm)を、マスクパターン(バイナリーマスク)を介して選択的に照射した。
次いで、110℃で90秒間の露光後加熱(PEB)処理を行った。
工程(iii):
次いで、現像液として2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名、東京応化工業株式会社製)を用い、23℃で60秒間の条件によりアルカリ現像を行った。
その後、100℃で60秒間のポストベークを行った。
その結果、スペース幅5μm、ピッチ30μmの孤立スペースパターン(以下「ISパターン」という。)が形成された。
<Formation of Resist Pattern>
Step (i):
Each resist composition of each example was applied using a spinner onto an 8-inch silicon wafer that had been treated with hexamethyldisilazane (HMDS) at 110° C. for 60 seconds. The wafer was then prebaked (PAB) on a hot plate at 140° C. for 90 seconds and dried to form a resist film with a thickness of 15 μm.
Step (ii):
Next, the resist film was selectively irradiated with a KrF excimer laser (248 nm) through a mask pattern (binary mask) using a KrF exposure system NSR-S203B (Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 0.68, σ = 0.40).
This was followed by a post-exposure bake (PEB) treatment at 110° C. for 90 seconds.
Step (iii):
Next, alkaline development was carried out using a 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution "NMD-3" (product name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) as a developer at 23° C. for 60 seconds.
Then, post-baking was performed at 100° C. for 60 seconds.
As a result, an isolated space pattern (hereinafter referred to as an "IS pattern") with a space width of 5 μm and a pitch of 30 μm was formed.

[クラック耐性評価]
上記<レジストパターンの形成>によってISパターンが形成されたシリコンウェーハを、走査型電子顕微鏡S-9380(日立ハイテクノロジーズ社製)のチャンバー内に入れ、0.0001Pa圧力下で、60秒間真空処理を行った。光学顕微鏡を用いて、真空処理後のシリコンウェーハを観察し、クラック数をカウントした。前記クラック数を下記評価基準に基づき評価した。その結果を「クラック」として表2に示した。
評価基準
◎:クラックが0個
〇:クラックが1~5個
×:クラックが6個以上
[Crack resistance evaluation]
The silicon wafer on which the IS pattern was formed by the above <Formation of Resist Pattern> was placed in the chamber of a scanning electron microscope S-9380 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) and subjected to a vacuum treatment under a pressure of 0.0001 Pa for 60 seconds. The silicon wafer after the vacuum treatment was observed using an optical microscope, and the number of cracks was counted. The number of cracks was evaluated based on the following evaluation criteria. The results are shown in Table 2 as "Cracks".
Evaluation criteria: ◎: 0 cracks; ◯: 1 to 5 cracks; ×: 6 or more cracks

[感度の評価]
上記<レジストパターンの形成>においてスペース幅5μm、ピッチ30μmのISパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm)を求めた。これを「Eop(mJ/cm)」として表2に示した。
[Sensitivity evaluation]
In the above <Formation of Resist Pattern>, the optimum exposure dose Eop (mJ/cm 2 ) for forming an IS pattern with a space width of 5 μm and a pitch of 30 μm was determined. This is shown in Table 2 as "Eop (mJ/cm 2 ) ".

Figure 0007573399000080
Figure 0007573399000080

表2に示す結果から、実施例1~12のレジスト組成物は、クラック耐性及び感度とも良好であることが確認された。 The results shown in Table 2 confirm that the resist compositions of Examples 1 to 12 have good crack resistance and sensitivity.

Claims (5)

露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、
イオン液体(Z)と、
を含有し、
前記イオン液体(Z)の含有量は、前記基材成分(A)100質量部に対して、3質量部以上、25質量部未満であり
固形分濃度が25質量%以上であるレジスト組成物。
A resist composition which generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer by the action of the acid,
a base component (A) whose solubility in a developer changes under the action of an acid;
An ionic liquid (Z);
Contains
The content of the ionic liquid (Z) is 3 parts by mass or more and less than 25 parts by mass relative to 100 parts by mass of the base component (A) ,
A resist composition having a solids concentration of 25% by mass or more.
前記基材成分(A)は、下記一般式(a1-1)又は(a1-2)で表される構成単位(a1)と、The base component (A) comprises a structural unit (a1) represented by the following general formula (a1-1) or (a1-2):
下記一般式(a10-1)で表される構成単位(a10)と、A structural unit (a10) represented by general formula (a10-1) below,
を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。The resist composition of claim 1 , having the formula:
Figure 0007573399000081
Figure 0007573399000081
[式中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Va[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. 1 は、エーテル結合を有していてもよい2価の炭化水素基である。nis a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond. a1a1 は、0~2の整数である。Rais an integer from 0 to 2. 1 は、下記の一般式(a1-r-1)又は(a1-r-2)で表される酸解離性基である。Wais an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) or (a1-r-2): 1 はnis a2a2 +1価の炭化水素基であり、nis a monovalent hydrocarbon group, n a2a2 は1~3の整数であり、Rais an integer from 1 to 3, and Ra 2 は下記の一般式(a1-r-1)又は(a1-r-3)で表される酸解離性基である。]is an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) or (a1-r-3).
Figure 0007573399000082
Figure 0007573399000082
[式中、Ra’[Wherein, Ra' 1 、Ra’, Ra' 2 は水素原子またはアルキル基である。Ra’is a hydrogen atom or an alkyl group. 3 は炭化水素基であって、Ra’is a hydrocarbon group, 3 は、Ra’is Ra' 1 、Ra’, Ra' 2 のいずれかと結合して環を形成してもよい。Ra’Ra' may be bonded to any one of the groups to form a ring. 4 ~Ra’~Ra' 6 はそれぞれ炭化水素基であって、Ra’Each of Ra' is a hydrocarbon group, 5 、Ra’, Ra' 6 は互いに結合して環を形成してもよい。Ra’may be bonded to each other to form a ring. 7 ~Ra’~Ra' 9 はそれぞれアルキル基である。]Each of the groups is an alkyl group.
Figure 0007573399000083
Figure 0007573399000083
[式中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Ya[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. x1x1 は、単結合又は2価の連結基である。Wais a single bond or a divalent linking group. x1x1 は、(nis (n ax1ax1 +1)価の芳香族炭化水素基である。n+1) valent aromatic hydrocarbon group. ax1ax1 は、1以上の整数である。]is an integer of 1 or more.
前記イオン液体(Z)のカチオン部は、下記一般式(z-ca-1)~(z-ca-5)のいずれかで表されるカチオンである、請求項1に記載のレジスト組成物。2. The resist composition according to claim 1, wherein the cationic moiety of the ionic liquid (Z) is a cation represented by any one of the following general formulas (z-ca-1) to (z-ca-5):
Figure 0007573399000084
Figure 0007573399000084
[式中、Rz[Wherein, Rz c1c1 ~Rz~Rz c6c6 は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基である。Rzare each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. c7c7 ~Rz~Rz c9c9 は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基である。RzRz each independently represents an aryl group which may have a substituent. c10c10 ~Rz~Rz c13c13 は、それぞれ独立に、炭素数1~20の直鎖状のアルキル基である。]are each independently a linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
前記イオン液体(Z)のアニオン部は、下記一般式(z-an-1)~(z-an-5)のいずれかで表されるアニオンである、請求項1に記載のレジスト組成物。2. The resist composition according to claim 1, wherein the anion moiety of the ionic liquid (Z) is an anion represented by any one of the following general formulas (z-an-1) to (z-an-5):
Figure 0007573399000085
Figure 0007573399000085
[式(z-an-1)中、Rz[In formula (z-an-1), Rz a1a1 は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状の炭化水素基を表す。式(z-an-2)中、Rzrepresents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain hydrocarbon group which may have a substituent. a2a2 はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~5のアルキル基を表す。kは1~4の整数であり、lは0~3の整数であり、かつ、k+l=4である。式(z-an-3)中、Rzrepresents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, k is an integer of 1 to 4, l is an integer of 0 to 3, and k+l=4. a3a3 は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~5のアルキル基を表す。mは1~6の整数であり、nは0~5の整数であり、かつ、m+n=6である。式(z-an-4)中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表す。式(z-an-5)中、Y”及びZ”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. m is an integer of 1 to 6, n is an integer of 0 to 5, and m+n=6. In formula (z-an-4), X" represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. In formula (z-an-5), Y" and Z" each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.]
支持体上に、請求項1に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。 A method for forming a resist pattern, comprising the steps of forming a resist film on a support using the resist composition according to claim 1, exposing the resist film to light, and developing the exposed resist film to form a resist pattern.
JP2020156373A 2019-11-29 2020-09-17 Resist composition and method for forming resist pattern Active JP7573399B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200160711A KR20210067912A (en) 2019-11-29 2020-11-26 Resist composition and method of forming resist pattern
SG10202011799RA SG10202011799RA (en) 2019-11-29 2020-11-26 Resist composition and method of forming resist pattern
CN202011348383.3A CN112882341A (en) 2019-11-29 2020-11-26 Resist composition and resist pattern forming method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019217161 2019-11-29
JP2019217161 2019-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021092759A JP2021092759A (en) 2021-06-17
JP7573399B2 true JP7573399B2 (en) 2024-10-25

Family

ID=76312897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020156373A Active JP7573399B2 (en) 2019-11-29 2020-09-17 Resist composition and method for forming resist pattern

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7573399B2 (en)
KR (1) KR20210067912A (en)
SG (1) SG10202011799RA (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024190480A1 (en) * 2023-03-13 2024-09-19 東京エレクトロン株式会社 Mask pattern formation method and substrate processing method
WO2024190584A1 (en) * 2023-03-16 2024-09-19 富士フイルム株式会社 Actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and electronic device manufacturing method
WO2024232307A1 (en) * 2023-05-11 2024-11-14 国立大学法人 東京大学 Film formation method and film formation device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230359A (en) 2011-04-15 2012-11-22 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition
JP2013044775A (en) 2011-08-22 2013-03-04 Sumitomo Chemical Co Ltd Positive photoresist composition
JP2013113950A (en) 2011-11-28 2013-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and method for producing resist pattern
JP2017003640A (en) 2015-06-05 2017-01-05 東洋インキScホールディングス株式会社 Colored composition for color filter and color filter
JP2017003706A (en) 2015-06-08 2017-01-05 三洋化成工業株式会社 Photosensitive resin composition
JP2018141903A (en) 2017-02-28 2018-09-13 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, and resist pattern forming method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3895224B2 (en) 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method using the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230359A (en) 2011-04-15 2012-11-22 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition
JP2013044775A (en) 2011-08-22 2013-03-04 Sumitomo Chemical Co Ltd Positive photoresist composition
JP2013113950A (en) 2011-11-28 2013-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and method for producing resist pattern
JP2017003640A (en) 2015-06-05 2017-01-05 東洋インキScホールディングス株式会社 Colored composition for color filter and color filter
JP2017003706A (en) 2015-06-08 2017-01-05 三洋化成工業株式会社 Photosensitive resin composition
JP2018141903A (en) 2017-02-28 2018-09-13 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, and resist pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210067912A (en) 2021-06-08
JP2021092759A (en) 2021-06-17
SG10202011799RA (en) 2021-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6726559B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7489893B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
KR102492349B1 (en) Resist composition and method of forming resist pattern
JP7391163B2 (en) Compound
JP2020091404A (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7479139B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP6670555B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7414926B2 (en) Compound
JP7573399B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7101541B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
KR102585424B1 (en) Resist composition and method of forming resist pattern
JP7624839B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7539226B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7614747B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7475134B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
KR102740108B1 (en) Resist composition and method of forming resist pattern
JP7308668B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP7634931B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7561610B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7493438B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7546353B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7462414B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP2021004992A (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP7588465B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP7511403B2 (en) Resist composition and method for forming resist pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230609

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240613

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240917

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20241015

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7573399

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150