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JP7563843B2 - Mounting table and substrate processing apparatus - Google Patents

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JP7563843B2
JP7563843B2 JP2020121686A JP2020121686A JP7563843B2 JP 7563843 B2 JP7563843 B2 JP 7563843B2 JP 2020121686 A JP2020121686 A JP 2020121686A JP 2020121686 A JP2020121686 A JP 2020121686A JP 7563843 B2 JP7563843 B2 JP 7563843B2
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Description

本開示は、載置台及び基板処理装置に関する。 This disclosure relates to a mounting table and a substrate processing apparatus.

例えば、特許文献１には、フォーカスリングが、静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるプラズマ処理装置が開示されている。フォーカスリング上でのシースの上端位置を調整するために、フォーカスリングに直流電圧が印加される。 For example, Patent Document 1 discloses a plasma processing apparatus in which a focus ring is disposed to surround a substrate placed on an electrostatic chuck. A DC voltage is applied to the focus ring to adjust the upper end position of the sheath on the focus ring.

特開２００７－２５８４１７号公報JP 2007-258417 A

本開示は、エッジリングに安定して電圧を印加する技術を提供することが求められている。 The present disclosure seeks to provide a technique for applying a stable voltage to an edge ring.

本開示の一の態様によれば、基板を載置する基板載置面と、前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、誘電体と、前記誘電体に挟み込まれた吸着電極とを有し、前記誘電体の上面を構成する前記エッジリング載置面に前記吸着電極により前記エッジリングを吸着するように構成された静電チャックと、前記誘電体の少なくとも一部が前記エッジリング載置面において露出するように前記誘電体上に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された前記吸着電極とは別の導電性の電極と、を備える、載置台が提供される。 According to one aspect of the present disclosure, there is provided a mounting table comprising: a substrate mounting surface for mounting a substrate; an edge ring mounting surface for mounting an edge ring around the substrate mounting surface; a dielectric; and an adsorption electrode sandwiched between the dielectric and configured to adsorb the edge ring using the adsorption electrode to the edge ring mounting surface that forms an upper surface of the dielectric; and a conductive electrode other than the adsorption electrode, formed on the dielectric so that at least a portion of the dielectric is exposed at the edge ring mounting surface and configured to supply a voltage to the edge ring.

本開示によれば、エッジリングに安定して電圧を印加する技術を提供する。 This disclosure provides a technology for applying a stable voltage to an edge ring.

本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックの上面図。FIG. 2 is a top view of an electrostatic chuck of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電について説明する図。5A and 5B are diagrams for explaining power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment; 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。10A to 10C are diagrams illustrating a modified example of power supply to an edge ring of the substrate processing apparatus according to the embodiment.

以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。 Below, the embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. Note that in this specification and the drawings, substantially identical configurations are designated by the same reference numerals to avoid redundant description.

＜基板処理装置の全体構成＞
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等であってもよい。 <Overall configuration of substrate processing apparatus>
First, an example of the overall configuration of a substrate processing apparatus 1 will be described with reference to Fig. 1. Fig. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the present embodiment, an example will be described in which the substrate processing apparatus 1 is an RIE (Reactive Ion Etching) type substrate processing apparatus. However, the substrate processing apparatus 1 may be a plasma etching apparatus or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, etc.

図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム製またはステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器２を有し、該処理容器２内に、基板Ｗを載置する円板状の載置台１０が配設されている。載置台１０は、基台１１と、静電チャック２５と、を備える。基台１１は、下部電極として機能する。基台１１は、例えばアルミニウムからなる。基台１１は、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器２の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。 In FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has a grounded cylindrical processing vessel 2 made of metal, for example, aluminum or stainless steel, and a disk-shaped mounting table 10 on which a substrate W is placed is disposed within the processing vessel 2. The mounting table 10 includes a base 11 and an electrostatic chuck 25. The base 11 functions as a lower electrode. The base 11 is made of, for example, aluminum. The base 11 is supported by a cylindrical support 13 that extends vertically upward from the bottom of the processing vessel 2 via an insulating cylindrical holding member 12.

処理容器２の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口または途中に環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられ、該排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。ここで、排気装置１８は、ドライポンプ及び真空ポンプを有し、処理容器２内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｖａｌｖｅ）（以下、「ＡＰＣ」という。）を有し、該ＡＰＣは自動的に処理容器２内の圧力制御を行う。さらに、処理容器２の側壁には、基板Ｗの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。 An exhaust path 14 is formed between the side wall of the processing vessel 2 and the cylindrical support 13, and an annular baffle plate 15 is disposed at the entrance or midway of the exhaust path 14. An exhaust port 16 is provided at the bottom, and an exhaust device 18 is connected to the exhaust port 16 via an exhaust pipe 17. Here, the exhaust device 18 has a dry pump and a vacuum pump, and reduces the pressure of the processing space in the processing vessel 2 to a predetermined vacuum level. In addition, the exhaust pipe 17 has an automatic pressure control valve (hereinafter referred to as "APC"), which is a variable butterfly valve, and the APC automatically controls the pressure in the processing vessel 2. In addition, a gate valve 20 that opens and closes a transfer port 19 for the substrate W is attached to the side wall of the processing vessel 2.

基台１１には、第１の整合器２２ａを介して第１の高周波電源２１ａが接続されている。また、基台１１には、第２の整合器２２ｂを介して第２の高周波電源２１ｂが接続されている。第１の高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を基台１１に供給する。第２の高周波電源２１ｂは、第１の高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を基台１１に供給する。 A first high frequency power supply 21a is connected to the base 11 via a first matching device 22a. A second high frequency power supply 21b is connected to the base 11 via a second matching device 22b. The first high frequency power supply 21a supplies high frequency power for plasma generation at a predetermined frequency (e.g., 100 MHz) to the base 11. The second high frequency power supply 21b supplies high frequency power for ion attraction at a predetermined frequency (e.g., 13 MHz) lower than that of the first high frequency power supply 21a to the base 11.

処理容器２の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、基台１１とシャワーヘッド２４の間に、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの２つの周波数の高周波電圧が印加される。 A shower head 24, which also functions as an upper electrode, is disposed on the ceiling of the processing vessel 2. This allows high frequency voltages of two frequencies to be applied between the base 11 and the shower head 24 from the first high frequency power supply 21a and the second high frequency power supply 21b.

基台１１の上面には静電吸着力により基板Ｗを吸着する静電チャック２５が設けられている。静電チャック２５は、基板Ｗが載置される円板状の中心部２５ａと、中心部２５ａを囲むように形成された環状の外周部２５ｂとを有する。中心部２５ａは、外周部２５ｂに対して図中上方に突出している。中心部２５ａの上面は、基板Ｗを載置する基板載置面２５ａ１である。外周部２５ｂの上面はエッジリング３０を載置するエッジリング載置面２５ｂ１である。エッジリング載置面２５ｂ１は、基板載置面２５ａ１の周囲にてエッジリング３０を載置するようになっている。エッジリング３０は、フォーカスリングともいう。また、中心部２５ａは、導電膜からなる電極板２６を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極板２６には、直流電源２７が電気的に接続されている。外周部２５ｂは、導電膜からなる電極板２９を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極板２９には、直流電源２８が電気的に接続されている。 An electrostatic chuck 25 is provided on the upper surface of the base 11 to attract the substrate W by electrostatic attraction. The electrostatic chuck 25 has a disk-shaped central portion 25a on which the substrate W is placed, and an annular outer peripheral portion 25b formed to surround the central portion 25a. The central portion 25a protrudes upward in the figure relative to the outer peripheral portion 25b. The upper surface of the central portion 25a is a substrate mounting surface 25a1 on which the substrate W is placed. The upper surface of the outer peripheral portion 25b is an edge ring mounting surface 25b1 on which the edge ring 30 is placed. The edge ring mounting surface 25b1 is adapted to mount the edge ring 30 around the substrate mounting surface 25a1. The edge ring 30 is also called a focus ring. The central portion 25a is formed by sandwiching an electrode plate 26 made of a conductive film between a pair of dielectric films. A DC power supply 27 is electrically connected to the electrode plate 26. The outer periphery 25b is formed by sandwiching an electrode plate 29 made of a conductive film between a pair of dielectric films. A DC power source 28 is electrically connected to the electrode plate 29.

直流電源２７および直流電源２８は、供給する直流電圧のレベルおよび極性の変更が可能とされている。直流電源２７は、後述する制御部４３からの制御により、電極板２６に直流電圧を印加する。直流電源２８は、制御部４３からの制御により、電極板２９に直流電圧を印加する。静電チャック２５は、直流電源２７から電極板２６に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５に基板Ｗを吸着保持する。また、静電チャック２５は、直流電源２８から電極板２９に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にエッジリング３０を吸着保持する。 The level and polarity of the DC voltage supplied by the DC power supplies 27 and 28 can be changed. The DC power supply 27 applies a DC voltage to the electrode plate 26 under the control of the control unit 43 described below. The DC power supply 28 applies a DC voltage to the electrode plate 29 under the control of the control unit 43. The electrostatic chuck 25 generates an electrostatic force such as Coulomb force by the voltage applied to the electrode plate 26 from the DC power supply 27, and attracts and holds the substrate W to the electrostatic chuck 25 by the electrostatic force. The electrostatic chuck 25 also generates an electrostatic force such as Coulomb force by the voltage applied to the electrode plate 29 from the DC power supply 28, and attracts and holds the edge ring 30 to the electrostatic chuck 25 by the electrostatic force.

なお、本実施形態の静電チャック２５は、基板Ｗ用の静電チャックとエッジリング３０用の静電チャックとが一体となっているが、基板Ｗ用の静電チャックとエッジリング３０用の静電チャックとをそれぞれ別の静電チャックとしてもよい。すなわち、電極板２６と電極板２９とがそれぞれ独立した誘電膜に挟まれるようになっていてもよい。また、本実施形態の電極板２９は、単極の電極になっているが、双極の電極としてもよい。なお、双極の場合、プラズマが生成されていないときでも、エッジリング３０を吸着することができる。 In the present embodiment, the electrostatic chuck 25 is an integrated electrostatic chuck for the substrate W and an electrostatic chuck for the edge ring 30, but the electrostatic chuck for the substrate W and the electrostatic chuck for the edge ring 30 may each be separate electrostatic chucks. That is, the electrode plate 26 and the electrode plate 29 may each be sandwiched between independent dielectric films. In addition, the electrode plate 29 in this embodiment is a monopolar electrode, but it may also be a bipolar electrode. In the case of a bipolar electrode, the edge ring 30 can be attracted even when plasma is not generated.

静電チャック２５のエッジリング載置面２５ｂ１には、エッジリング３０に電圧を供給する導電性の電極である給電部９１が形成されている。図２は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２５の上面図である。給電部９１は、エッジリング載置面２５ｂ１に、給電部９１ａ、９１ｂ、９１ｃ・・・というように複数の給電部９１が円周方向に等間隔で形成されている。また、給電部９１は、放射状に設けられている。給電部９１は、基板載置面２５ａ１の外側に設けられている。なお、個別の給電部９１ａ、９１ｂ、９１ｃ・・・を総称して給電部９１と呼ぶ場合がある。なお、給電部９１は、エッジリング載置面２５ｂ１にリング状に設けてもよい。また、給電部９１に給電するために配線９２と配線９３を備える。また、配線９２を保護するために保護層９７を載置台１０の側面に備える。給電部９１は、配線９２、配線９３を介して、電源９５に接続されている。なお、給電部９１、配線９２、配線９３の詳細については、後述する。 A power supply unit 91, which is a conductive electrode that supplies a voltage to the edge ring 30, is formed on the edge ring mounting surface 25b1 of the electrostatic chuck 25. FIG. 2 is a top view of the electrostatic chuck 25 of the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment. The power supply unit 91 is formed on the edge ring mounting surface 25b1 with a plurality of power supply units 91, such as power supply units 91a, 91b, 91c, etc., at equal intervals in the circumferential direction. The power supply units 91 are provided radially. The power supply units 91 are provided on the outer side of the substrate mounting surface 25a1. Note that the individual power supply units 91a, 91b, 91c, etc. may be collectively referred to as the power supply unit 91. Note that the power supply unit 91 may be provided in a ring shape on the edge ring mounting surface 25b1. Also, wiring 92 and wiring 93 are provided to supply power to the power supply unit 91. Also, a protective layer 97 is provided on the side of the mounting table 10 to protect the wiring 92. The power supply unit 91 is connected to a power source 95 via wiring 92 and wiring 93. Details of the power supply unit 91, wiring 92, and wiring 93 will be described later.

基台１１の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック２５上の基板Ｗの処理温度を制御する。なお、冷媒は、配管３３、３４に循環供給される温度調整用の媒体である。温度調整用の媒体は、基台１１及び基板Ｗを冷却するだけでなく、加熱する場合もあり得る。 Inside the base 11, for example, an annular coolant chamber 31 extending in the circumferential direction is provided. A coolant at a predetermined temperature, for example, cooling water, is circulated and supplied to the coolant chamber 31 from a chiller unit 32 via pipes 33 and 34, and the processing temperature of the substrate W on the electrostatic chuck 25 is controlled by the temperature of the coolant. The coolant is a temperature adjustment medium that is circulated and supplied to the pipes 33 and 34. The temperature adjustment medium not only cools the base 11 and the substrate W, but may also heat them.

また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を用いて、静電チャック２５の中心部２５ａと基板Ｗとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。 The electrostatic chuck 25 is connected to a heat transfer gas supply unit 35 via a gas supply line 36. The heat transfer gas supply unit 35 uses the gas supply line 36 to supply a heat transfer gas to the space between the center portion 25a of the electrostatic chuck 25 and the substrate W. As the heat transfer gas, a thermally conductive gas such as He gas is preferably used.

天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９と連通するガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。 The shower head 24 in the ceiling portion has an electrode plate 37 on the lower surface having a number of gas vent holes 37a, and an electrode support 38 that detachably supports the electrode plate 37. A buffer chamber 39 is provided inside the electrode support 38, and a process gas supply unit 40 is connected to a gas inlet 38a that communicates with the buffer chamber 39 via a gas supply pipe 41.

基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。例えば、排気装置１８、第１の高周波電源２１ａ、第２の高周波電源２１ｂ、直流電源２７、直流電源２８、電源９５、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。 Each component of the substrate processing apparatus 1 is connected to the control unit 43. For example, the exhaust device 18, the first high frequency power supply 21a, the second high frequency power supply 21b, the DC power supply 27, the DC power supply 28, the power supply 95, the chiller unit 32, the heat transfer gas supply unit 35, and the process gas supply unit 40 are connected to the control unit 43. The control unit 43 controls each component of the substrate processing apparatus 1.

制御部４３は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備え、記憶装置に記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１において所望の処理を実行する。例えば、制御部４３は、エッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理を行う。 The control unit 43 includes a central processing unit (CPU) and a storage device such as a memory (not shown), and reads and executes the programs and processing recipes stored in the storage device to perform the desired processing in the substrate processing apparatus 1. For example, the control unit 43 performs an electrostatic adsorption process to electrostatically adsorb the edge ring 30.

基板処理装置１では、ドライエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象の基板Ｗを処理容器２内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量および流量比で処理容器２内に導入し、排気装置１８等により処理容器２内の圧力を所定値にする。 In the substrate processing apparatus 1, when performing dry etching, first, the gate valve 20 is opened, and the substrate W to be processed is loaded into the processing vessel 2 and placed on the electrostatic chuck 25. Then, in the substrate processing apparatus 1, a processing gas (e.g., a mixed gas consisting of C4F8 gas, O2 gas, and Ar gas) is introduced into the processing vessel 2 from the processing gas supply unit 40 at a predetermined flow rate and flow rate ratio, and the pressure in the processing vessel 2 is set to a predetermined value by the exhaust device 18 or the like.

さらに、基板処理装置１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからそれぞれ周波数の異なる高周波電力を基台１１に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２５の電極板２６に印加して、基板Ｗを静電チャック２５に吸着する。また、基板処理装置１では、直流電源２８より直流電圧を静電チャック２５の電極板２９に印加して、エッジリング３０を静電チャック２５に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗにエッチング処理が施される。 In addition, in the substrate processing apparatus 1, high frequency powers of different frequencies are supplied to the base 11 from the first high frequency power supply 21a and the second high frequency power supply 21b. In addition, in the substrate processing apparatus 1, a DC voltage is applied from the DC power supply 27 to the electrode plate 26 of the electrostatic chuck 25 to attract the substrate W to the electrostatic chuck 25. In addition, in the substrate processing apparatus 1, a DC voltage is applied from the DC power supply 28 to the electrode plate 29 of the electrostatic chuck 25 to attract the edge ring 30 to the electrostatic chuck 25. The processing gas discharged from the shower head 24 is turned into plasma, and the substrate W is etched by the radicals and ions in the plasma.

＜給電部９１への給電構造＞
本実施形態の基板処理装置１について、エッジリング載置面２５ｂ１に形成された給電部９１に給電する構造について説明する。 <Power supply structure to power supply unit 91>
Regarding the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, a structure for supplying power to the power supply part 91 formed on the edge ring mounting surface 25b1 will be described.

図３は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングの給電について説明する図である。具体的には、エッジリング３０付近の拡大断面図である。 Figure 3 is a diagram illustrating power supply to an edge ring of a substrate processing apparatus according to this embodiment. Specifically, it is an enlarged cross-sectional view of the edge ring 30 and its surroundings.

静電チャック２５の外周部２５ｂのエッジリング載置面２５ｂ１には、導電性の電極である給電部９１が形成されている。給電部９１は、金属または合金等の導電体であればよく、例えば、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金により形成されている。給電部９１は、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））、化学蒸着法（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））などの気相成長法、また、メッキ、塗布、ゾルゲルやスピンコートなどの液相成長法、さらに溶射や印刷等により形成される。給電部９１の厚さについては、静電チャック２５で吸引されれば、どのような厚さでもよい。ただし、エッジリング３０を冷却するために、エッジリング載置面２５ｂ１から、伝熱ガス（例えば、Ｈｅガス）を供給する場合には、電極の飛び出し高さ（電極の厚さ）は５μｍ以下にすることが望ましい。なお、エッジリング載置面２５ｂ１の一部を掘り下げて、底に電極を生成し、給電部９１の電極面とエッジリング載置面２５ｂ１の面の高さを合わせてもよい。その場合は、電極を付けてから高さを揃える加工をするのが望ましい。給電部９１は、エッジリング載置面２５ｂ１に形成され、電圧をエッジリング３０に供給するように構成された導電性の電極の一例である。 A power supply portion 91, which is a conductive electrode, is formed on the edge ring mounting surface 25b1 of the outer periphery 25b of the electrostatic chuck 25. The power supply portion 91 may be a conductor such as a metal or an alloy, for example, gold, aluminum, tungsten, nickel, germanium, antimony, tellurium, tantalum, titanium, ruthenium, platinum, molybdenum, tin, indium, or an alloy containing any of these. The power supply portion 91 is formed by, for example, a vapor phase growth method such as physical vapor deposition (PVD (Physical Vapor Deposition)) or chemical vapor deposition (CVD (Chemical Vapor Deposition)), a liquid phase growth method such as plating, coating, sol-gel or spin coating, or further by thermal spraying or printing. The thickness of the power supply portion 91 may be any thickness as long as it is attracted by the electrostatic chuck 25. However, when a heat transfer gas (e.g., He gas) is supplied from the edge ring mounting surface 25b1 to cool the edge ring 30, it is desirable that the protruding height of the electrode (electrode thickness) be 5 μm or less. It is also possible to dig down a part of the edge ring mounting surface 25b1 to create an electrode at the bottom and align the height of the electrode surface of the power supply unit 91 with the surface of the edge ring mounting surface 25b1. In that case, it is desirable to attach the electrode and then perform processing to align the height. The power supply unit 91 is an example of a conductive electrode formed on the edge ring mounting surface 25b1 and configured to supply a voltage to the edge ring 30.

本実施形態の給電部９１は、図２に示すように、エッジリング載置面２５ｂ１の円周方向に等間隔に設けている。これは、静電チャック２５で、エッジリング３０にエッジリング制御用のＤＣ電圧やＲＦパワーを印加する為である。ただし、エッジリング３０を静電チャック２５で吸着しない場合は、エッジリング載置面２５ｂ１の全面に給電部９１を形成してもよい。 As shown in FIG. 2, the power supply units 91 in this embodiment are provided at equal intervals in the circumferential direction of the edge ring mounting surface 25b1. This is because the electrostatic chuck 25 applies a DC voltage or RF power for edge ring control to the edge ring 30. However, if the edge ring 30 is not attracted by the electrostatic chuck 25, the power supply units 91 may be formed on the entire surface of the edge ring mounting surface 25b1.

静電チャック２５及び基台１１の側面には、静電チャック２５に用いられる誘電膜（例えば、セラミック）を介して、配線９２が設けられている。当該誘電膜は、セラミックを溶射することにより形成している。配線９２は、金属または合金等の導電体であれよく、例えば、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル,タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金等により形成されている。配線９２は、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）などの気相成長法、また、メッキ、塗布、ゾルゲルやスピンコートなどの液相成長法、さらに溶射や印刷等により形成される。配線９２は、給電部９１と、基台１１の下面の配線９３との間を接続する。配線９２は、給電部９１と接続する第１配線の一例である。また、配線９２は基台１１や電極板２９と絶縁しながら貫通構造を用いても良い。 Wiring 92 is provided on the side of the electrostatic chuck 25 and the base 11 via a dielectric film (e.g., ceramic) used in the electrostatic chuck 25. The dielectric film is formed by spraying ceramic. The wiring 92 may be a conductor such as a metal or an alloy, and is formed, for example, of gold, aluminum, tungsten, nickel, germanium, antimony, tellurium, tantalum, titanium, ruthenium, platinum, molybdenum, tin, indium, or an alloy containing any of these. The wiring 92 is formed, for example, by a vapor phase growth method such as physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD), a liquid phase growth method such as plating, coating, sol-gel or spin coating, or further by spraying or printing. The wiring 92 connects between the power supply unit 91 and the wiring 93 on the lower surface of the base 11. The wiring 92 is an example of a first wiring that connects to the power supply unit 91. Additionally, the wiring 92 may use a through structure while being insulated from the base 11 and the electrode plate 29.

基台１１の下面（背面）には、誘電膜（例えば、セラミック）を介して、配線９３が設けられている。配線９３は、金属または合金等の導電体であれよく、例えば、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル,タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金等により形成されている。なお、基台１１の下面（背面）が大気中である場合は、配線９３は、銅または銅合金でもよい。配線９３は、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）などの気相成長法、また、メッキ、塗布、ゾルゲルやスピンコートなどの液相成長法、さらに溶射や印刷等により形成される。配線９３は、電源９５に接続される。電源９５は、給電部９１に直流電圧やＲＦパルスを供給する。直流電圧はパルス状に印加されてもよい。ＲＦは連続的に供給されてもよい。また、任意波形の電力が供給されてもよい。ＲＦは、第１の高周波電源２１ａから出力される高周波電力であってもよいし、第２の高周波電源２１ｂから出力される高周波電力であってもよいし、その両方の高周波電力であってもよい。 The wiring 93 is provided on the lower surface (back surface) of the base 11 via a dielectric film (e.g., ceramic). The wiring 93 may be a conductor such as a metal or an alloy, and is formed of, for example, gold, aluminum, tungsten, nickel, germanium, antimony, tellurium, tantalum, titanium, ruthenium, platinum, molybdenum, tin, indium, or an alloy containing any of these. If the lower surface (back surface) of the base 11 is in the air, the wiring 93 may be copper or a copper alloy. The wiring 93 is formed by, for example, a vapor phase growth method such as physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD), a liquid phase growth method such as plating, coating, sol-gel or spin coating, or further, spraying or printing. The wiring 93 is connected to a power source 95. The power source 95 supplies a DC voltage or an RF pulse to the power supply unit 91. The DC voltage may be applied in a pulsed form. The RF may be supplied continuously. In addition, power of an arbitrary waveform may be supplied. The RF may be high-frequency power output from the first high-frequency power source 21a, may be high-frequency power output from the second high-frequency power source 21b, or may be high-frequency power from both of them.

エッジリング３０が消耗すると、シースの位置が変化する。電源９５は、当該変化したシースの位置を調整するように、エッジリング３０に給電する。配線９３は、第１配線の一例である配線９２と接続する第２配線の一例である。配線９２と配線９３は、プラズマ均一性確保のために、円柱とドーナツ状の円盤、またそうでない場合は 等配分配置されたリード線などで構成することが好ましい。なお、配線９３への給電は、電源９５からの給電に限らない。例えば、基台１１や電極板２６、２９に給電される電流を可変インピーダンス素子により調整して、配線９３に給電してもよい。 When the edge ring 30 wears out, the position of the sheath changes. The power supply 95 supplies power to the edge ring 30 so as to adjust the changed position of the sheath. The wiring 93 is an example of a second wiring that is connected to the wiring 92, which is an example of a first wiring. In order to ensure plasma uniformity, the wiring 92 and the wiring 93 are preferably composed of a cylinder and a doughnut-shaped disk, or if not, lead wires arranged equally in a circular cylinder and a doughnut-shaped disk, etc. Note that the power supply to the wiring 93 is not limited to the power supply from the power supply 95. For example, the current supplied to the base 11 and the electrode plates 26 and 29 may be adjusted by a variable impedance element and supplied to the wiring 93.

配線９２を保護するために保護層９７を載置台１０の側面に備える。保護層９７は、例えば、セラミックで形成される。セラミックの場合は、セラミックを溶射することにより形成する。 A protective layer 97 is provided on the side of the mounting table 10 to protect the wiring 92. The protective layer 97 is made of, for example, ceramic. In the case of ceramic, the layer is formed by thermal spraying.

＜作用・効果＞
本実施形態の載置台１０は、エッジリング３０を載置するエッジリング載置面２５ｂ１に、給電部９１を備える。それにより、エッジリング３０に安定して電圧を印加することができる。さらに、載置台１０の静電チャック２５によりエッジリング３０を吸着することにより、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に保持できる。そのように、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に保持し、エッジリング３０で給電部９１をエッジリング載置面２５ｂ１に押さえつけることにより、より安定してエッジリング３０との接触状態を確保できるとともに、再現良く電圧を印加することができる。 <Action and Effects>
The mounting table 10 of this embodiment includes a power supply unit 91 on the edge ring mounting surface 25b1 on which the edge ring 30 is mounted. This allows a voltage to be applied stably to the edge ring 30. Furthermore, the edge ring 30 can be held on the edge ring mounting surface 25b1 by attracting the edge ring 30 with the electrostatic chuck 25 of the mounting table 10. In this manner, by holding the edge ring 30 on the edge ring mounting surface 25b1 and pressing the power supply unit 91 against the edge ring mounting surface 25b1 by the edge ring 30, a more stable contact state with the edge ring 30 can be ensured and a voltage can be applied with good reproducibility.

参考例として、例えば、エッジリング３０の側面に押圧部材等で押圧しながら給電する場合を考える。エッジリング３０に安定して給電するためには、エッジリング３０を押圧部材で所定の荷重以上で押圧する必要がある。エッジリング３０により押圧部材等で強い荷重で押圧すると、エッジリング３０の位置がずれたり、エッジリング３０が変形したりする場合があった。それに対して、本実施形態の載置台１０では、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に載置させることにより、給電できるようにしている。エッジリング３０を載置する際の吸引力により、給電部９１とエッジリング３０との接触を十分取ることができる。これにより、エッジリング３０に安定して給電することができる。また、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に載置させて給電することより、上述のようなエッジリング３０の変形やずれを防止することができる。また、エッジリング３０は消耗するため交換する必要があるが、エッジリング３０の静電吸着をオフにするだけでエッジリング３０は簡単に取り外すことができる。このように、エッジリング３０は簡単に取り外しすることができるため、交換作業、自動交換をシンプルに早く終えることができる。 As a reference example, consider a case where power is supplied while pressing the side of the edge ring 30 with a pressing member or the like. In order to stably supply power to the edge ring 30, it is necessary to press the edge ring 30 with a pressing member with a load equal to or greater than a predetermined load. If the edge ring 30 is pressed with a strong load by a pressing member or the like, the position of the edge ring 30 may shift or the edge ring 30 may be deformed. In contrast, in the mounting table 10 of this embodiment, the edge ring 30 is placed on the edge ring mounting surface 25b1 to enable power supply. The suction force when placing the edge ring 30 allows sufficient contact between the power supply unit 91 and the edge ring 30. This allows stable power supply to the edge ring 30. In addition, by placing the edge ring 30 on the edge ring mounting surface 25b1 and supplying power, it is possible to prevent the above-mentioned deformation and shifting of the edge ring 30. In addition, the edge ring 30 needs to be replaced because it wears out, but the edge ring 30 can be easily removed by simply turning off the electrostatic adsorption of the edge ring 30. In this way, the edge ring 30 can be easily removed, making replacement work and automatic replacement simple and quick.

さらに、本実施形態の載置台１０は、載置台１０の下面に配線９３を備える。例えば、筒状保持部材１２の上面に電源９５と接続された弾性部材を備えて、当該弾性部材と載置台１０の下面に備える配線９３とを接触させて給電するようにしてもよい。このようにすれば、載置台１０を筒状保持部材１２に載置することにより給電部９１に給電することができる。このように、基板処理装置１を製造、設置する時の作業を簡略化することができる。 Furthermore, the mounting table 10 of this embodiment is provided with wiring 93 on the underside of the mounting table 10. For example, an elastic member connected to a power source 95 may be provided on the upper surface of the cylindrical holding member 12, and power may be supplied by contacting the elastic member with the wiring 93 provided on the underside of the mounting table 10. In this way, power can be supplied to the power supply unit 91 by placing the mounting table 10 on the cylindrical holding member 12. In this way, the work required for manufacturing and installing the substrate processing apparatus 1 can be simplified.

＜変形例１＞
以下、給電部９１への給電方法の変形例について説明する。なお、以下の変形例では、筒状保持部材１２に設けられた端子１００との接続について説明する。なお、端子１００には、電源９５が接続されて、電源が供給される。 <Modification 1>
The following describes modified methods of feeding power to the power feeding portion 91. In the following modified examples, a connection to a terminal 100 provided on the cylindrical holding member 12 will be described. A power source 95 is connected to the terminal 100 to supply power.

図４は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第１変形例について説明する図である。第１変形例では、端子１００と配線９２ａの間がバネ性接触子１０１で接続している。配線９２ａは、静電チャック２５の側面に設けられている。バネ性接触子１０１は、配線９２ａの側面を押圧しながら、配線９２ａに給電する。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。なお、バネ性接触子１０１は、第１配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材の一例である。 Figure 4 is a diagram illustrating a first modified example of power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment. In the first modified example, the terminal 100 and the wiring 92a are connected by a spring contact 101. The wiring 92a is provided on the side of the electrostatic chuck 25. The spring contact 101 supplies power to the wiring 92a while pressing against the side of the wiring 92a. In this way, power can be stably supplied to the edge ring 30. The spring contact 101 is an example of an elastic member that supplies power while pressing against the side of the first wiring.

＜変形例２＞
図５は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第２変形例について説明する図である。第２変形例では、端子１００と配線９２ｂの間をマルチコンタクト１０２で接続している。配線９２ｂは、静電チャック２５と基台１１の側面に設けられている。マルチコンタクト１０２は、配線９２ｂの側面を押圧しながら、配線９２ｂに給電する。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。なお、マルチコンタクト１０２は、第１配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材の一例である。 <Modification 2>
5 is a diagram for explaining a second modification of the power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the second modification, the terminal 100 and the wiring 92b are connected by a multi-contact 102. The wiring 92b is provided on the side surfaces of the electrostatic chuck 25 and the base 11. The multi-contact 102 supplies power to the wiring 92b while pressing the side surface of the wiring 92b. In this manner, power can be stably supplied to the edge ring 30. The multi-contact 102 is an example of an elastic member that supplies power while pressing the side surface of the first wiring.

＜変形例３＞
図６は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第３変形例について説明する図である。第３変形例では、配線９２ｃに端子１０３を設け、端子１０３と端子１００との間を給電ピン１１０で接続している。配線９２ｃは、静電チャック２５の側面に設けられている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。 <Modification 3>
6 is a diagram illustrating a third modified example of power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the third modified example, a terminal 103 is provided on the wiring 92c, and the terminal 103 and the terminal 100 are connected by a power supply pin 110. The wiring 92c is provided on the side surface of the electrostatic chuck 25. In this manner, power can be stably supplied to the edge ring 30.

＜変形例４＞
図７は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第４変形例について説明する図である。第４変形例では、配線９２ｄと端子１００との間を給電ピン１１０で接続している。配線９２ｄは、静電チャック２５の側面に設けられている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。 <Modification 4>
7 is a diagram illustrating a fourth modified example of power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the fourth modified example, a power supply pin 110 connects the wiring 92d and a terminal 100. The wiring 92d is provided on the side surface of the electrostatic chuck 25. In this manner, power can be stably supplied to the edge ring 30.

＜変形例５＞
図８は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第５変形例について説明する図である。第５変形例では、配線９２ｅに、凹部１０４が形成され、凹部１０４と端子１００との間を給電ピン１１０で接続している。配線９２ｅは、静電チャック２５及び基台１１の側面に設けられている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。 <Modification 5>
8 is a diagram illustrating a fifth modified example of power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the fifth modified example, a recess 104 is formed in the wiring 92e, and the recess 104 and a terminal 100 are connected by a power supply pin 110. The wiring 92e is provided on the side surfaces of the electrostatic chuck 25 and the base 11. In this manner, power can be stably supplied to the edge ring 30.

＜変形例６＞
図９は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第６変形例について説明する図である。第６変形例では、配線９２ｆと端子１００との間をリード線１０５で接続している。配線９２ｆは、静電チャック２５の側面に設けられている。配線９２ｆとリード線１０５は、スポット溶接で接続されている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。 <Modification 6>
9 is a diagram illustrating a sixth modified example of power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the sixth modified example, a lead wire 105 connects the wiring 92f and the terminal 100. The wiring 92f is provided on the side surface of the electrostatic chuck 25. The wiring 92f and the lead wire 105 are connected by spot welding. In this manner, power can be stably supplied to the edge ring 30.

＜変形例７＞
図１０は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第７変形例について説明する図である。第７変形例では、配線９２ｇと端子１００との間をリード線１０６で接続している。配線９２ｇは、静電チャック２５の側面に設けられている。リード線１０６は、配線９２ｇの上から基台１１に、絶縁ねじ１０７で取り付けられることにより接続される。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。 <Modification 7>
10 is a diagram illustrating a seventh modified example of power supply to the edge ring 30 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the seventh modified example, a lead wire 106 connects between the wiring 92g and the terminal 100. The wiring 92g is provided on the side surface of the electrostatic chuck 25. The lead wire 106 is connected to the base 11 from above the wiring 92g by attaching it with an insulating screw 107. In this manner, power can be stably supplied to the edge ring 30.

＜その他の変形例＞
今回開示された本実施形態に係る載置台、基板処理装置及びエッジリングは、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。 <Other Modifications>
The mounting table, substrate processing apparatus, and edge ring according to the present embodiment disclosed herein should be considered as illustrative in all respects and not restrictive. The above-described embodiments can be modified and improved in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims. The matters described in the above-described embodiments can be configured in other ways as long as they are not inconsistent, and can be combined as long as they are not inconsistent.

本開示の基板処理装置は、Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＣＣＰ）、Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＩＣＰ）、マイクロ波によるプラズマ生成する装置、例えば、Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ（ＲＬＳＡ）により生成されたプラズマ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ（ＥＣＲ）、そしてＨｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ（ＨＷＰ）などのどのタイプでも適用可能である。 The substrate processing apparatus disclosed herein can be applied to any type of apparatus, such as Capacitively Coupled Plasma (CCP), Inductively Coupled Plasma (ICP), microwave plasma generating apparatus, such as plasma generated by a Radial Line Slot Antenna (RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR), and Helicon Wave Plasma (HWP).

１ 基板処理装置
１０ 載置台
１１ 基台
２５ 静電チャック
２５ａ 中心部
２５ａ１ 基板載置面
２５ｂ 外周部
２５ｂ１ エッジリング載置面
９１ 給電部
９２ 配線
９３ 配線 REFERENCE SIGNS LIST 1 Substrate processing apparatus 10 Mounting table 11 Base 25 Electrostatic chuck 25a Central portion 25a1 Substrate mounting surface 25b Outer periphery 25b1 Edge ring mounting surface 91 Power supply portion 92 Wiring 93 Wiring

Claims (14)

基板を載置する基板載置面と、
前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、
誘電体と、前記誘電体に挟み込まれた吸着電極とを有し、前記誘電体の上面を構成する前記エッジリング載置面に前記吸着電極により前記エッジリングを吸着するように構成された静電チャックと、
前記誘電体の少なくとも一部が前記エッジリング載置面において露出するように前記誘電体上に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された前記吸着電極とは別の導電性の電極と、
を備える、載置台。 a substrate mounting surface on which a substrate is mounted;
an edge ring mounting surface on which an edge ring is mounted around the substrate mounting surface;
an electrostatic chuck having a dielectric and an attraction electrode sandwiched between the dielectric and configured to attract the edge ring to the edge ring mounting surface that constitutes an upper surface of the dielectric by the attraction electrode;
a conductive electrode formed on the dielectric such that at least a portion of the dielectric is exposed on the edge ring mounting surface , the conductive electrode being configured to supply a voltage to the edge ring, the conductive electrode being separate from the chucking electrode;
A mounting table comprising: 前記電極は、導電性の膜である、
請求項１に記載の載置台。 The electrode is a conductive film.
The mounting table according to claim 1 . 前記導電性の膜は、物理蒸着、化学蒸着、メッキ、塗布、ゾルゲル、スピンコート、溶射、印刷のいずれかにより形成される、
請求項２に記載の載置台。 The conductive film is formed by any one of physical vapor deposition, chemical vapor deposition, plating, coating, sol-gel, spin coating, thermal spraying, and printing.
The mounting table according to claim 2 . 前記電極は、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金で形成される、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の載置台。 The electrodes are formed of gold, aluminum, tungsten, nickel, germanium, antimony, tellurium, tantalum, titanium, ruthenium, platinum, molybdenum, tin, indium, or an alloy containing any of them.
The mounting table according to claim 1 . 基板を載置する基板載置面と、
前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、
誘電体と、前記誘電体に挟み込まれた吸着電極とを有し、前記誘電体の上面を構成する前記エッジリング載置面に前記吸着電極により前記エッジリングを吸着するように構成された静電チャックと、
前記誘電体の少なくとも一部が露出するように形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された前記吸着電極とは別の導電性の電極と、
を備える載置台であって、
前記電極は、前記エッジリング載置面に複数の給電部を有し、前記複数の給電部のそれぞれに直流電圧、又は高周波電力を供給するように構成され、
前記載置台の側面に、前記複数の給電部と接続する第１配線を備え、前記第１配線を介して、前記複数の給電部に給電する、
載置台。 a substrate mounting surface on which a substrate is mounted;
an edge ring mounting surface on which an edge ring is mounted around the substrate mounting surface;
an electrostatic chuck having a dielectric and an attraction electrode sandwiched between the dielectric and configured to attract the edge ring to the edge ring mounting surface that constitutes an upper surface of the dielectric by the attraction electrode;
a conductive electrode separate from the chucking electrode, the conductive electrode being formed so that at least a portion of the dielectric is exposed and configured to supply a voltage to the edge ring;
A mounting table comprising:
the electrode has a plurality of power supply parts on the edge ring mounting surface and is configured to supply a DC voltage or a high frequency power to each of the plurality of power supply parts;
a first wiring connected to the plurality of power supply units on a side surface of the mounting table, and power is supplied to the plurality of power supply units via the first wiring;
Mounting stand. 前記直流電圧、又は高周波電力はパルス状に供給される、
請求項５に記載の載置台。 The DC voltage or high frequency power is supplied in a pulsed manner.
The mounting table according to claim 5 . 前記複数の給電部は、前記エッジリング載置面に等間隔に設けられる、
請求項５に記載の載置台。 the plurality of power supply parts are provided at equal intervals on the edge ring mounting surface;
The mounting table according to claim 5 . 前記複数の給電部は、前記エッジリング載置面に放射状に設けられる、
請求項５または請求項７に記載の載置台。 the plurality of power supply parts are provided radially on the edge ring mounting surface,
The mounting table according to claim 5 or 7. 前記複数の給電部は、前記エッジリング載置面にリング状に設けられる、
請求項５または請求項７に記載の載置台。 the plurality of power supply parts are provided in a ring shape on the edge ring mounting surface,
The mounting table according to claim 5 or 7. 前記第１配線に、前記第１配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材を備える、
請求項５に記載の載置台。 The first wiring is provided with an elastic member that supplies power while pressing a side surface of the first wiring.
The mounting table according to claim 5 . 前記載置台の背面に、前記第１配線と接続する第２配線を備える、
請求項５、請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の載置台。 a second wiring connected to the first wiring on a rear surface of the mounting table;
The mounting table according to any one of claims 5, 7 to 9. 前記第２配線に、前記第２配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材を備える、
請求項１１に記載の載置台。 The second wiring is provided with an elastic member that supplies power while pressing a side surface of the second wiring.
The mounting table according to claim 11 . 基板を載置する基板載置面と、前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面とを有する静電チャックと、
前記静電チャックを支持する基台と、
前記エッジリング載置面に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された導電性の電極と、
前記電極から前記基台の側面に沿って伸びる第１配線と、
前記第１配線に結合され、前記基台における前記エッジリング載置面側の面とは反対側の下面に沿って伸びる第２配線と、を有し、
前記第２配線に前記電圧を発生する電源が結合される、
載置台。 an electrostatic chuck having a substrate mounting surface on which a substrate is mounted and an edge ring mounting surface on which an edge ring is mounted around the substrate mounting surface;
A base supporting the electrostatic chuck;
a conductive electrode formed on the edge ring mounting surface and configured to supply a voltage to the edge ring;
a first wiring extending from the electrode along a side surface of the base;
a second wiring connected to the first wiring and extending along a lower surface of the base opposite to a surface on the edge ring mounting surface side ,
A power supply that generates the voltage is coupled to the second wiring.
Mounting stand. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の載置台を備える基板処理装置。
 A substrate processing apparatus comprising the mounting table according to claim 1 .
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