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JP7549214B2 - Light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

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JP7549214B2 JP2020212573A JP2020212573A JP7549214B2 JP 7549214 B2 JP7549214 B2 JP 7549214B2 JP 2020212573 A JP2020212573 A JP 2020212573A JP 2020212573 A JP2020212573 A JP 2020212573A JP 7549214 B2 JP7549214 B2 JP 7549214B2
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Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関する。 This disclosure relates to a light-emitting device and a method for manufacturing the same.

近年、発光ダイオード(LED)を使ったLEDモジュールは、種々の用途に用いられており、その用途に伴って、発光特性が高いLEDモジュールが提案されている。例えば、特許文献1に開示される発光装置は、発光素子が配置される基板に反射率が高い材料を使用することにより、発光装置の光取り出し効率の向上を図っている。このような発光装置の光取り出し効率のさらなる向上が求められる。 In recent years, LED modules using light-emitting diodes (LEDs) have been used for a variety of applications, and LED modules with high light-emitting properties have been proposed for these applications. For example, the light-emitting device disclosed in Patent Document 1 aims to improve the light extraction efficiency of the light-emitting device by using a highly reflective material for the substrate on which the light-emitting elements are arranged. There is a demand for further improvement in the light extraction efficiency of such light-emitting devices.

特開2019-125683号公報JP 2019-125683 A

本開示は、より光取り出し効率が高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 The objective of this disclosure is to provide a light-emitting device with higher light extraction efficiency and a method for manufacturing the same.

第一の態様は、以下の発光装置である。
基板と、前記基板上に配置され、第1の厚みを有する第1平面部と、前記第1の厚みよりも厚みが小さい第2の厚みを有する第2平面部と、前記第1の厚みよりも厚みが大きい第3の厚みを有する第1凸部とを有し、第1反射材及び第1樹脂を含む反射性樹脂層と、前記反射性樹脂層の前記第2平面部上に配置された発光素子と、を備え、前記第1凸部は、その側面の一部が前記発光素子の側面に接して配置されている発光装置。
第二の態様は、以下の発光装置の製造方法である。
反射材と第1樹脂とを含む反射性樹脂を基板上に塗布する工程と、前記基板上に塗布した反射性樹脂上に発光素子を配置する工程と、前記反射性樹脂を硬化させる工程と、を含み、前記発光素子を配置する工程において、前記反射性樹脂に前記発光素子の一部を押し込むとともに、前記発光素子が配置されていない、第1の厚みを有する第1平面部と、前記発光素子が配置され、前記第1の厚みよりも厚みが小さい第2の厚みを有する第2平面部と、前記発光素子の側面に接し、前記第1の厚みよりも厚みが大きい第3の厚みを有する第1凸部とを形成する発光装置の製造方法。
A first aspect is a light emitting device as follows.
A light-emitting device comprising: a substrate; a first planar portion arranged on the substrate and having a first thickness, a second planar portion having a second thickness smaller than the first thickness, and a first convex portion having a third thickness larger than the first thickness; a reflective resin layer containing a first reflector and a first resin; and a light-emitting element arranged on the second planar portion of the reflective resin layer, wherein a portion of the side surface of the first convex portion is arranged in contact with a side surface of the light-emitting element.
The second aspect is a method for producing a light emitting device as follows.
A method for manufacturing a light emitting device, comprising the steps of: applying a reflective resin containing a reflective material and a first resin onto a substrate; arranging a light emitting element on the reflective resin applied to the substrate; and curing the reflective resin, wherein in the step of arranging the light emitting element, a part of the light emitting element is pressed into the reflective resin, and a first planar portion having a first thickness and on which the light emitting element is not arranged, a second planar portion on which the light emitting element is arranged and having a second thickness smaller than the first thickness, and a first convex portion in contact with a side surface of the light emitting element and having a third thickness larger than the first thickness are formed.

本発明の一実施形態によれば、より光取り出し効率が高い発光装置及びその製造方法を提供することができる。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a light-emitting device with higher light extraction efficiency and a method for manufacturing the same.

本発明の一実施形態の発光装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a light emitting device according to one embodiment of the present invention; 図1Aの1B-1B’線断面図である。This is a cross-sectional view of line 1B-1B' in Figure 1A. 図1Bの部分Xの概略拡大図である。FIG. 1C is a schematic enlarged view of a portion X of FIG. 図1Cの要部の概略拡大図である。FIG. 1D is a schematic enlarged view of a main part of FIG. 1C. 図1Aの発光装置における光の進路を説明するための要部の概略断面図である。1B is a schematic cross-sectional view of a main part for explaining the path of light in the light emitting device of FIG. 1A. 本発明の別の実施形態の発光装置の概略断面図である。4 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明のさらに別の実施形態の発光装置の概略断面図である。11 is a schematic cross-sectional view of a light-emitting device according to yet another embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing a method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態の発光装置の製造方法を示すフローチャートである。10 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。3A to 3C are schematic cross-sectional process diagrams illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。3A to 3C are schematic cross-sectional process diagrams illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。3A to 3C are schematic cross-sectional process diagrams illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。3A to 3C are schematic cross-sectional process diagrams illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。3A to 3C are schematic cross-sectional process diagrams illustrating a method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating steps of a method for manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating steps of a method for manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating steps of a method for manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating steps of a method for manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating steps of a method for manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 本発明のさらに別の実施形態の発光装置を示す概略平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view showing a light emitting device according to still another embodiment of the present invention. 図6Aの6B-6B’線断面図である。This is a cross-sectional view of line 6B-6B' in Figure 6A. 本発明のさらに別の実施形態の発光装置を示す概略平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view showing a light emitting device according to still another embodiment of the present invention. 本発明のさらに別の実施形態の発光装置を示す概略平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view showing a light emitting device according to still another embodiment of the present invention. 図8Aの8B-8B’線断面図である。This is a cross-sectional view of line 8B-8B' in Figure 8A. 図8Aの発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。8B is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method for manufacturing the light emitting device of FIG. 8A. 図8Aの発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。8B is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method for manufacturing the light emitting device of FIG. 8A. 図8Aの発光装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。8B is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method for manufacturing the light emitting device of FIG. 8A.

以下に図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。 The following describes the embodiments of the present invention with reference to the drawings. However, the embodiments shown below are merely examples for embodying the technical ideas of the present invention, and do not limit the present invention to the following. The sizes and positional relationships of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity. Furthermore, the same names and symbols generally indicate the same or similar components, and duplicate explanations will be omitted as appropriate. In this specification, the term "process" includes not only independent processes, but also processes that cannot be clearly distinguished from other processes as long as the intended purpose of the process is achieved.

[発光装置]
本実施形態の発光装置10は、図1A及び1Bに示すように、基板11と、基板11上に配置される反射性樹脂層12と、反射性樹脂層12上に配置される発光素子13とを備える。
反射性樹脂層12は、第1反射材及び第1樹脂を含む。また、反射性樹脂層12は、第1平面部12Aと、第2平面部12Bと、第1凸部12Cとを有し、これら第1平面部12Aと、第2平面部12Bと、第1凸部12Cとは、基板11上に配置されている。第1平面部12A、第2平面部12B及び第1凸部12Cは、それぞれ、第1の厚み(図1C中に「H1」で示される。)、第2の厚み(図1C中「H2」で示される。)、第3の厚み(図1C中に「H1+H3」で示される。)を有する。第2平面部12Bにおける第2の厚みH2は、第1平面部12Aにおける第1の厚みH1よりも小さい。第1凸部12Cは、第1平面部12Aの上端から突出している。第1凸部12Cは、第1平面部12Aの反対側で、すなわち、第2平面部12Bの側で、その側面の一部が発光素子13の側面に接して配置されている。反射性樹脂層12のうち、発光素子13の直下に配置される部位が第2平面部12Bであり、その第2平面部12Bに接続し、側面の一部が発光素子13の側面に接して配置される部位が第1凸部12Cであり、その第1凸部12Cに接し、第1凸部12Cの外側(つまり、第1凸部12Cの周辺であり、発光素子13と反対側)に広がる部位が第1平面部12Aとなる。なお、本明細書中における各部材の「厚み」とは、各部材において、基板に垂直な方向に上端および下端を設定して測定した距離の平均値を言う。
発光素子13は、反射性樹脂層12の第2平面部12Bの上に配置されている。
このような構成を有することにより、発光素子の側面から出射される光を、第1凸部による反射を利用して、上方に導きやすくなり、より一層、発光装置の発取り出し効率を向上させることができる。
なお、発光装置は、図2A又は2B、図4E又は図5Eの発光装置10A又は10C、10B又は10Dに示すように、さらに、枠体14を有していてもよい。この場合、枠体14は、図2A又は図5Eに示すように、反射性樹脂層12の外側、つまり基体11上に配置されていてもよいし、図2B又は図4Eに示すように、反射性樹脂層12上に配置されていてもよいし、基体11上から反射性樹脂層12上に跨って配置されていてもよい。また、発光素子13は、枠体14の内側に配置される封止部材15によって被覆されていてもよい。
[Light-emitting device]
A light emitting device 10 of this embodiment includes a substrate 11, a reflective resin layer 12 disposed on the substrate 11, and a light emitting element 13 disposed on the reflective resin layer 12, as shown in FIGS. 1A and 1B.
The reflective resin layer 12 includes a first reflective material and a first resin. The reflective resin layer 12 also has a first planar portion 12A, a second planar portion 12B, and a first convex portion 12C, and the first planar portion 12A, the second planar portion 12B, and the first convex portion 12C are disposed on the substrate 11. The first planar portion 12A, the second planar portion 12B, and the first convex portion 12C each have a first thickness (indicated by "H1" in FIG. 1C), a second thickness (indicated by "H2" in FIG. 1C), and a third thickness (indicated by "H1+H3" in FIG. 1C). The second thickness H2 of the second planar portion 12B is smaller than the first thickness H1 of the first planar portion 12A. The first convex portion 12C protrudes from the upper end of the first planar portion 12A. The first convex portion 12C is disposed on the opposite side of the first flat portion 12A, i.e., on the side of the second flat portion 12B, with a part of its side surface in contact with the side surface of the light-emitting element 13. In the reflective resin layer 12, the part disposed directly under the light-emitting element 13 is the second flat portion 12B, the part connected to the second flat portion 12B and with a part of its side surface in contact with the side surface of the light-emitting element 13 is the first convex portion 12C, and the part in contact with the first convex portion 12C and extending to the outside of the first convex portion 12C (i.e., the periphery of the first convex portion 12C, the opposite side of the light-emitting element 13) is the first flat portion 12A. In this specification, the "thickness" of each member refers to the average value of the distance measured by setting the upper end and the lower end of each member in a direction perpendicular to the substrate.
The light emitting element 13 is disposed on the second flat portion 12 B of the reflective resin layer 12 .
With this configuration, light emitted from the side surface of the light-emitting element can be more easily guided upward by utilizing reflection by the first convex portion, thereby further improving the light emission and extraction efficiency of the light-emitting device.
The light emitting device may further have a frame 14 as shown in light emitting device 10A or 10C, 10B or 10D in Fig. 2A or 2B, Fig. 4E or Fig. 5E. In this case, the frame 14 may be disposed outside the reflective resin layer 12, that is, on the base 11, as shown in Fig. 2A or Fig. 5E, or may be disposed on the reflective resin layer 12, or may be disposed across from the base 11 to the reflective resin layer 12, as shown in Fig. 2B or Fig. 4E. The light emitting element 13 may be covered with a sealing member 15 disposed on the inside of the frame 14.

(基板11)
基板11は、反射性樹脂層12を配置する部材であり、配線層を有する。
基板11の材料としては、例えば、樹脂、セラミックス等の絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属基板等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、加工性及び放熱性の観点から、アルミニウム及び銅からなる群から選択された1種以上を含む金属基板であることが好ましい。また、これらの金属基板は、その表面が、銀もしくは金又はこれらの合金等の反射率の高い材料膜で覆われていてもよい。
配線層は、発光素子に電流を供給し得るものであればよく、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。基板11の上面に形成される配線層は、その最表面が銀もしくは金又はこれらの合金等の反射率の高い材料で覆われていてもよい。配線層の最表面に銀又はその合金等を用いる場合、経時的に銀が硫化銀となって黒変し、初期の明るさが低減する懸念があるが、上述したように、基板11上、特に、配線層の上に反射性樹脂層12を配置することにより、外部環境から配線層を保護することで、配線層における黒変等の経時変化を効果的に防止することができる。その結果、反射性樹脂層12による発光素子から出射される光の反射のみならず、経時変化の防止により、光取り出し効率の高い発光装置の品質を長期にわたって確保することが可能となる。配線層は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。例えば、発光素子の基板への実装にAuバンプを用いる場合、配線層の最表面にAuを用いることで、発光素子と基板との接合性が向上できる。
配線層は、基板11に、様々な形状や厚みで正負一対のパターンとして形成されていることが好ましい。配線層は、基板11の上面、内部または下面の少なくとも一方に配置されていてもよい。また、基板11には、上面に配置された配線層以外に、保護素子に接続するための別の配線を有していてもよい。
(Substrate 11)
The substrate 11 is a member on which the reflective resin layer 12 is disposed, and has a wiring layer.
Examples of materials for the substrate 11 include insulating materials such as resins and ceramics, and metal substrates having insulating materials formed on their surfaces. Among these, the substrate material is preferably a metal substrate containing at least one selected from the group consisting of aluminum and copper, from the viewpoints of processability and heat dissipation. The surface of these metal substrates may be covered with a film of a material with high reflectivity, such as silver, gold, or an alloy thereof.
The wiring layer may be formed of any metal capable of supplying current to the light-emitting element, such as copper, aluminum, gold, silver, platinum, titanium, tungsten, palladium, iron, nickel, or an alloy containing these metals. The wiring layer formed on the upper surface of the substrate 11 may have its top surface covered with a highly reflective material such as silver, gold, or an alloy thereof. When silver or an alloy thereof is used on the top surface of the wiring layer, there is a concern that the silver will turn into silver sulfide and turn black over time, reducing the initial brightness. However, as described above, by arranging the reflective resin layer 12 on the substrate 11, particularly on the wiring layer, the wiring layer can be protected from the external environment, and the wiring layer can be effectively prevented from turning black over time. As a result, not only the reflection of light emitted from the light-emitting element by the reflective resin layer 12, but also the prevention of changes over time makes it possible to ensure the quality of the light-emitting device with high light extraction efficiency for a long period of time. The wiring layer can be formed by electrolytic plating, electroless plating, vapor deposition, sputtering, or the like. For example, when Au bumps are used to mount a light emitting element on a substrate, the bonding strength between the light emitting element and the substrate can be improved by using Au on the outermost surface of the wiring layer.
The wiring layer is preferably formed as a pair of positive and negative patterns in various shapes and thicknesses on the substrate 11. The wiring layer may be disposed on at least one of the upper surface, the interior, and the lower surface of the substrate 11. Furthermore, the substrate 11 may have another wiring for connecting to a protection element in addition to the wiring layer disposed on the upper surface.

(反射性樹脂層12)
反射性樹脂層12は、基板11の上面に配置される部材であって、特に、基板11として、金属基板を用いた場合には、絶縁性を付与するとともに、発光素子から出射される光が基板に吸収されることを防止し、光を効率的に反射させ、発光装置の光取り出し効率を向上させ得る部材である。
反射性樹脂層12は、第1平面部12Aと、第2平面部12Bと、第1凸部12Cとを有する。第2平面部12Bは、後述する発光素子が配置される部位であり、第2平面部の面積は、発光素子の面積と同じであることが好ましい。第2平面部12Bの厚みは、第1平面部12Aの第1の厚みよりも小さい。これは、反射性樹脂層12の材料を基板11の上面に配置した後、その材料に発光素子13の一部を押し込んで配置させることで、発光素子13の底面および側面の一部からなる外形に沿った凹みが形成され、その凹みが維持されたまま反射性樹脂層12の材料が硬化されたことに起因する。例えば、第1平面部12Aの第1の厚みH1と第2平面部12Bの第2の厚みH2との差は、1μm以上80μm以下が挙げられる。第1平面部12Aの第1の厚みH1としては、10μm以上100μm以下が挙げられ、10μm以上50μm以下が好ましく、10μm以上30μm以下がより好ましい。第2平面部12Bの第2の厚みH2としては、1μm以上20μm以下が挙げられ、1μm以上15μm以下が好ましく、1μm以上10μm以下がより好ましい。
(Reflective resin layer 12)
The reflective resin layer 12 is a member disposed on the upper surface of the substrate 11. In particular, when a metal substrate is used as the substrate 11, the reflective resin layer 12 provides insulation and reflects light emitted from the light emitting element. This is a member that can prevent light from being absorbed by the substrate, efficiently reflect light, and improve the light extraction efficiency of the light emitting device.
The reflective resin layer 12 has a first flat portion 12A, a second flat portion 12B, and a first convex portion 12C. The second flat portion 12B is a portion where a light emitting element, which will be described later, is disposed. The area of the two flat portions is preferably the same as the area of the light emitting element. The thickness of the second flat portion 12B is smaller than the first thickness of the first flat portion 12A. This is because the reflective resin layer 12 After the material is placed on the top surface of the substrate 11, a part of the light emitting element 13 is pressed into the material, thereby forming a recess that follows the outline of the bottom surface and part of the side surface of the light emitting element 13, This is because the material of the reflective resin layer 12 is hardened while the recess is maintained. For example, when the first thickness H1 of the first flat portion 12A and the second thickness H2 of the second flat portion 12B are The difference may be 1 μm or more and 80 μm or less. The first thickness H1 of the first flat portion 12A is, for example, 10 μm or more and 100 μm or less, preferably 10 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 30 μm or less. , 1 μm or more and 20 μm or less, preferably 1 μm or more and 15 μm or less, and more preferably 1 μm or more and 10 μm or less.

第1凸部12Cは、第1平面部12Aの上端から突出している。第1凸部12Cは、その側面の一部が発光素子13の側面に接触して配置している。ここでの接触とは、第1凸部12Cを構成する反射性樹脂層12が発光素子の側面に、別の部材を介在することなく、直接接触していることを意味する。第1凸部12Cの第1平面部12Aの上端からの厚み(図1C中に「H3」で示される。)は、例えば、発光素子の厚みに対して、0.3倍以下とすることができ、0.2倍以下であることが好ましく、0.1倍以下であることがより好ましい。言い換えると、発光素子の厚みに対して、第1凸部12Cの第3の厚みと第1の厚みとの差は、0.3倍以下とすることができ、0.2倍以下であることが好ましく、0.1倍以下であることがより好ましい。このような厚みとすることにより、発光素子の側面からの発光を阻害せず、発光効率の低下を抑制することができる。具体的には、第1凸部12Cの第3の厚み(H1+H3)は、30μm以下であることが好ましく、20μm以下がより好ましく、15μm以下がさらに好ましい。第1凸部12Cは、発光素子の側面からの最大幅(図1C中に「W1」で示される。)、つまり、基板11側における第1平面部12Aまでの距離を25μm以下とすることが好ましく、20μm以下がより好ましく、15μm以下がさらに好ましい。第1凸部12Cは、発光素子を包囲して配置されていることが好ましい。この場合、発光素子の周囲の全部又は一部のみを包囲していてもよい。これにより、図1Eに示すように、発光素子から基板11側に出射され、発光素子の側面の下方から出射された光Lを、効果的に上方に反射させることができ、発光装置の光取り出し効率の向上を図ることができる。 The first convex portion 12C protrudes from the upper end of the first planar portion 12A. The first convex portion 12C is arranged with a part of its side surface in contact with the side surface of the light-emitting element 13. Here, contact means that the reflective resin layer 12 constituting the first convex portion 12C is in direct contact with the side surface of the light-emitting element without another member being interposed. The thickness of the first convex portion 12C from the upper end of the first planar portion 12A (shown as "H3" in FIG. 1C) can be, for example, 0.3 times or less, preferably 0.2 times or less, and more preferably 0.1 times or less, the thickness of the light-emitting element. In other words, the difference between the third thickness and the first thickness of the first convex portion 12C can be 0.3 times or less, preferably 0.2 times or less, and more preferably 0.1 times or less, the thickness of the light-emitting element. By setting the thickness in this way, it is possible to suppress a decrease in luminous efficiency without inhibiting light emission from the side surface of the light-emitting element. Specifically, the third thickness (H1+H3) of the first convex portion 12C is preferably 30 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 15 μm or less. The maximum width of the first convex portion 12C from the side of the light-emitting element (shown as "W1" in FIG. 1C), that is, the distance to the first flat portion 12A on the substrate 11 side, is preferably 25 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 15 μm or less. The first convex portion 12C is preferably disposed so as to surround the light-emitting element. In this case, the first convex portion 12C may surround all or only a part of the periphery of the light-emitting element. As a result, as shown in FIG. 1E, the light L emitted from the light-emitting element to the substrate 11 side and emitted from the lower side of the light-emitting element can be effectively reflected upward, and the light extraction efficiency of the light-emitting device can be improved.

第1凸部12Cは、基板の主面に対して垂直方向における断面視において、発光素子の側面に対する反対側が円弧状であり、外側に膨らむ円弧状であることが好ましい。この第1凸部12Cの形状は、発光素子の側面に対して流動性のある樹脂が這い上がって形成された、内側に凹んだ円弧状の形状よりも、複数の発光素子を基板に配置させたとき、隣の発光素子からの光を効率よく発光装置の外部へ反射させることができる。
第1凸部12Cは、上部の側面が発光素子13の側面から離れて配置している。第1凸部12Cの上方の側面と発光素子の側面との接触角(図1D中に示される角α)は、例えば、90度以上が挙げられ、105度以上が好ましく、110度以上がより好ましく、120度以上がさらに好ましい。つまり、反射性樹脂層12は、発光素子の側面に接触しているが、反射性樹脂層12が発光素子13に濡れにくい材料であることが好ましい。
In a cross-sectional view taken in a direction perpendicular to the main surface of the substrate, the first convex portion 12C is preferably an arc-shaped portion that bulges outward and has an opposite side to the side surface of the light-emitting element. This shape of the first convex portion 12C can more efficiently reflect light from the adjacent light-emitting element to the outside of the light-emitting device when multiple light-emitting elements are arranged on the substrate than an inwardly recessed arc-shaped portion formed by a fluid resin creeping up against the side surface of the light-emitting element.
The first convex portion 12C is disposed such that the upper side surface thereof is spaced apart from the side surface of the light emitting element 13. The contact angle (angle α shown in FIG. 1D ) between the upper side surface of the first convex portion 12C and the side surface of the light emitting element is, for example, 90 degrees or more, preferably 105 degrees or more, more preferably 110 degrees or more, and even more preferably 120 degrees or more. In other words, the reflective resin layer 12 is in contact with the side surface of the light emitting element, but it is preferable that the reflective resin layer 12 is made of a material that is not easily wetted by the light emitting element 13.

第1平面部12Aは、基板上に単数又は複数の発光素子が配置されるかどうかにかかわらず、例えば、図1A及び1Bにおいて、発光装置10に示すように、基板11の上面の広い面積で、特に、複数の発光素子が配置されている場合には、複数の発光素子13の側面のそれぞれに接して配置された複数の第1凸部13Cの周辺において一体的に配置されていてもよい。第1平面部12Aが広い面積で一体的に配置されている場合、反射性樹脂層12が基板11の上面を広い面積で被覆するため、発光素子から出射される光を効率的に光取り出し面側に反射させることができる。また、例えば、基板として、表面に銀又は銀合金の膜が形成されている場合には、銀の硫化等を効果的に防止することができる。
また、例えば、図6A、6B及び図8A、8Bにおいて、発光装置10E又は10Gに示したように、反射性樹脂層12の第1平面部12Aは、複数の発光素子13の側面のそれぞれ接して配置された複数の第1凸部13Cの周辺において、発光素子13ごとに分離して配置されていてもよいし、図7Aの発光装置10Fに示したように、隣接する発光素子13の側面に接する第1凸部12Cに対してその一部のみが互いに離間して配置されていてもよい。このように、第1平面部12Aの一部又は全部が離間して配置される場合には、発光素子13を反射性樹脂の上に配置する際、反射性樹脂が硬化するまでの間に、発光素子が反射性樹脂の上で樹脂とともに流動して、隣接する発光素子と接するなどの不具合を効果的に防止することができる。
Regardless of whether a single or multiple light-emitting elements are arranged on the substrate, the first flat portion 12A may be integrally arranged over a wide area on the upper surface of the substrate 11, particularly in the case where multiple light-emitting elements are arranged, around the multiple first convex portions 13C arranged in contact with each of the side surfaces of the multiple light-emitting elements 13, as shown in the light-emitting device 10 in Figures 1A and 1B. When the first flat portion 12A is integrally arranged over a wide area, the reflective resin layer 12 covers the upper surface of the substrate 11 over a wide area, so that the light emitted from the light-emitting element can be efficiently reflected to the light extraction surface side. In addition, for example, when a silver or silver alloy film is formed on the surface of the substrate, sulfurization of silver can be effectively prevented.
6A, 6B and 8A, 8B, the first flat portion 12A of the reflective resin layer 12 may be arranged separately for each light emitting element 13 around a plurality of first convex portions 13C arranged in contact with the side surfaces of the plurality of light emitting elements 13, as shown in the light emitting device 10E or 10G, or may be arranged with only a part spaced apart from the first convex portions 12C that are in contact with the side surfaces of adjacent light emitting elements 13, as shown in the light emitting device 10F in Fig. 7A. In this way, when a part or all of the first flat portion 12A is arranged with a space therebetween, when the light emitting element 13 is arranged on the reflective resin, it is possible to effectively prevent a defect such as the light emitting element flowing together with the resin on the reflective resin and coming into contact with an adjacent light emitting element before the reflective resin hardens.

第1反射材としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム)等が挙げられる。なかでも、反射性向上の観点から、酸化チタンが好ましく、熱伝導性の観点から、窒化ホウ素が好ましい。
第1反射材は、粒子径が揃ったものであることが好ましい。発光素子に傾きが生じることなく、また、複数の発光素子が配置される場合には、複数の発光素子の基板上における高さを発光素子ごとに一定に近づけることができるからである。第1反射材は、例えば、メジアン径が1μm以下のものを利用することができ、0.5μm以下であるものが好ましく、0.3μm以下であるものがより好ましい。特に、第1反射材は、メジアン径が2μmより大きい粒子が実質的には含まれていないことが好ましい。ここで実質的に含まれないとは、用いた第1反射材の5重量%以下、3重量%以下、1重量%以下又は0.5重量%以下であることを意味する。大きな粒子が含有されない場合には、発光素子を反射性樹脂層の上に配置しても、発光素子に傾きが生じることなく、また、第1平面部の表面に凹凸を発生させず、平滑な表面によって、反射効率を向上させることができる。
Examples of the first reflecting material include titanium oxide, silicon oxide, zirconium oxide, potassium titanate, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, mullite, niobium oxide, barium sulfate, various rare earth oxides (e.g., yttrium oxide, gadolinium oxide), etc. Among these, titanium oxide is preferable from the viewpoint of improving reflectivity, and boron nitride is preferable from the viewpoint of thermal conductivity.
The first reflector preferably has a uniform particle diameter. This is because the light emitting element does not tilt, and when multiple light emitting elements are arranged, the heights of the multiple light emitting elements on the substrate can be made closer to a constant for each light emitting element. The first reflector can have a median diameter of, for example, 1 μm or less, preferably 0.5 μm or less, and more preferably 0.3 μm or less. In particular, it is preferable that the first reflector does not substantially contain particles with a median diameter larger than 2 μm. Here, "substantially not contained" means that the first reflector used contains 5% by weight or less, 3% by weight or less, 1% by weight or less, or 0.5% by weight or less. When large particles are not contained, even if the light emitting element is arranged on the reflective resin layer, the light emitting element does not tilt, and no unevenness is generated on the surface of the first flat portion, and the reflection efficiency can be improved by the smooth surface.

第1樹脂としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂等が挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂等の変性エポキシ樹脂組成物;エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂組成物;ハイブリッドシリコーン樹脂;ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物;ポリフタルアミド(PPA);ポリカーボネート樹脂;ポリフェニレンサルファイド(PPS);液晶ポリマー(LCP);ABS樹脂;フェノール樹脂;アクリル樹脂;PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が好ましく、特に、熱硬化性樹脂、つまり、シリコーン樹脂及びエポキシ樹脂から選択された一種以上であることがより好ましい。
反射性樹脂層12、特に、第1平面部12A又は第2平面部12Bは、例えば、波長450nmの光に対する光反射率が90%以上となるように調整することが好ましい。例えば、第1反射材を、第1樹脂の重量に対して、5重量%から80重量%に調整することが挙げられ、5重量%から50重量%が好ましく、7重量%から30重量%がより好ましい。
Examples of the first resin include thermosetting resins and thermoplastic resins. Specifically, modified epoxy resin compositions such as epoxy resin compositions, silicone resin compositions, and silicone-modified epoxy resins; modified silicone resin compositions such as epoxy-modified silicone resins; hybrid silicone resins; polyimide resin compositions, modified polyimide resin compositions; polyphthalamide (PPA); polycarbonate resins; polyphenylene sulfide (PPS); liquid crystal polymers (LCP); ABS resins; phenolic resins; acrylic resins; and PBT resins. Among these, resins or hybrid resins containing one or more of silicone resins, modified silicone resins, epoxy resins, modified epoxy resins, and acrylic resins are preferred, and in particular, thermosetting resins, that is, one or more selected from silicone resins and epoxy resins, are more preferred.
The reflective resin layer 12, particularly the first flat portion 12A or the second flat portion 12B, is preferably adjusted so that the light reflectance for light with a wavelength of 450 nm is, for example, 90% or more. For example, the first reflective material is adjusted to 5% to 80% by weight relative to the weight of the first resin, preferably 5% to 50% by weight, and more preferably 7% to 30% by weight.

(発光素子13)
発光素子13は、基板11上に配置されている。発光素子13は、図1A及び1Bに示すように、基板11上に2つ以上配置されていてもよいし、図2A、2B等の発光装置10A、10Cに示すように、1つのみ配置されていてもよい。発光素子は、他の接着剤を介することなく、反射性樹脂層と直接接着されていることが好ましい。
発光素子13は、第1凸部12Cで囲まれた領域の内側に配置されている。発光素子13は、発光ダイオードを用いるのが好ましい。発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物半導体、ZnSe、GaPを用いたものが挙げられる。発光素子は、例えば350nm以上500nm以下の波長範囲内に発光ピーク波長を有する。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaP等を用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。
発光素子13は、例えば、透光性の支持基板上に窒化物半導体層を積層させて形成され、支持基板側が発光素子13の主な光取り出し面となる。支持基板は、例えば、研磨、レーザーリフトオフ等で除去してもよい。発光素子13は、例えば、同一面側に一対の電極を有するものが好ましい。
発光素子13は、電極が形成された面を上面として、電極が形成された面の反対側の面を基板11のほうに向けて、基板11上に配置することが好ましい。この場合、電極は、ワイヤにより、基板上の配線層と電気的に接続される。
(Light-emitting element 13)
The light-emitting element 13 is disposed on the substrate 11. Two or more light-emitting elements 13 may be disposed on the substrate 11 as shown in Figures 1A and 1B, or only one light-emitting element 13 may be disposed on the substrate 11 as shown in light-emitting devices 10A and 10C in Figures 2A, 2B, etc. It is preferable that the light-emitting element is directly bonded to the reflective resin layer without using any other adhesive.
The light-emitting element 13 is disposed inside the region surrounded by the first convex portion 12C. It is preferable to use a light-emitting diode as the light-emitting element 13. The light-emitting element can be selected from those with any wavelength. For example, blue and green light-emitting elements can be made of nitride semiconductors, ZnSe, or GaP. The light-emitting element has an emission peak wavelength within a wavelength range of, for example, 350 nm or more and 500 nm or less. In addition, GaAlAs, AlInGaP, etc. can be used as the red light-emitting element. Furthermore, semiconductor light-emitting elements made of other materials can also be used.
The light emitting element 13 is formed, for example, by laminating a nitride semiconductor layer on a light-transmitting support substrate, and the support substrate side is the main light extraction surface of the light emitting element 13. The support substrate may be removed, for example, by polishing, laser lift-off, etc. It is preferable that the light emitting element 13 has, for example, a pair of electrodes on the same side.
The light emitting element 13 is preferably disposed on the substrate 11 with the surface on which the electrodes are formed facing up and the surface opposite to the surface on which the electrodes are formed facing the substrate 11. In this case, the electrodes are electrically connected to a wiring layer on the substrate by wires.

(枠体14)
枠体14は、基板11上に発光素子が1つのみ配置されている場合には、図2A又は2Bに示すように、第1凸部12Cの外側において、発光素子13を包囲するように配置されている。この場合、枠体14は、第1平面部12Aの外側、つまり基板11上に配置されていてもよいし、第1平面部12A上に配置されていてもよいし、基板11上から第1平面部12A上に跨って配置されていてもよい。また、基板11上に発光素子が2つ以上配置されている場合には、図4D、5D、8A又は図8Eに示すように、枠体14は、基板11の外周の近傍かつ第1凸部12Cの外側において、発光素子13の全部を包囲するように配置されていることが好ましい。
枠体14は、発光素子から出射された光をそれらの上方に導くために用いられる。従って、枠体14は、例えば、第2樹脂を含む材料、特に、第2樹脂に第2反射材が含有された材料によって形成されていることが好ましい。第2樹脂としては、上述した第1樹脂と同様のものが挙げられる。第2反射材としては、上述した第1反射材と同様のものが挙げられる。第1樹脂と第2樹脂とで同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。また、第1反射材と第2反射材とで同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。
(Frame body 14)
When only one light-emitting element is disposed on the substrate 11, the frame 14 is disposed so as to surround the light-emitting element 13 outside the first convex portion 12C as shown in Fig. 2A or 2B. In this case, the frame 14 may be disposed outside the first flat portion 12A, that is, on the substrate 11, or may be disposed on the first flat portion 12A, or may be disposed across the substrate 11 and the first flat portion 12A. When two or more light-emitting elements are disposed on the substrate 11, the frame 14 is preferably disposed so as to surround the entire light-emitting element 13 near the outer periphery of the substrate 11 and outside the first convex portion 12C as shown in Fig. 4D, 5D, 8A, or 8E.
The frame 14 is used to guide the light emitted from the light emitting elements upward. Therefore, the frame 14 is preferably formed of, for example, a material containing a second resin, particularly a material in which the second resin contains a second reflecting material. The second resin may be the same as the first resin described above. The second reflecting material may be the same as the first reflecting material described above. The first resin and the second resin may be made of the same material or different materials. The first reflecting material and the second reflecting material may be made of the same material or different materials.

枠体14の高さ、幅、位置等は適宜設定することができる。例えば、枠体14は、発光素子の上面よりもその上面が高い位置に配置されていることが好ましい。具体的には、枠体14の高さは、10μm以上500μm以下が挙げられ、50μm以上300μm以下が好ましい。このような高さの枠体とすることにより、後述する封止部材15によって発光素子13を被覆する際、その実装形態がフェイスアップ実装で、ワイヤを用いて電気的な接続を図る場合においても、ワイヤのループトップを封止部材で被覆することができる。枠体14の側面、特に、発光素子に対向する側の側面は、基板の主面に対して垂直方向における断面視において、基板に対して垂直に配置されていてもよいし、上方が幅狭となる形状の直線状又は曲線状で配置されていてもよい。 The height, width, position, etc. of the frame 14 can be set as appropriate. For example, it is preferable that the frame 14 is arranged so that its upper surface is higher than the upper surface of the light-emitting element. Specifically, the height of the frame 14 can be 10 μm or more and 500 μm or less, and preferably 50 μm or more and 300 μm or less. By making the frame have such a height, when the light-emitting element 13 is covered with the sealing member 15 described later, even when the mounting form is face-up mounting and electrical connection is made using a wire, the loop top of the wire can be covered with the sealing member. The side of the frame 14, particularly the side facing the light-emitting element, may be arranged perpendicular to the substrate in a cross-sectional view perpendicular to the main surface of the substrate, or may be arranged in a straight or curved shape with a narrower width at the top.

(封止部材15)
封止部材15は、基板11上であって、発光素子13を被覆する部材であり、図2A,2B又は図4Dに示すように、反射性樹脂層12と、発光素子13の一部又は全部とを被覆することが好ましく、発光素子13の全部を被覆することがより好ましい。封止部材15は、発光素子13の厚み方向の全部及び上面を被覆する限り、どのような厚みで配置されていてもよく、例えば、枠体14の高さと同様又はそれよりも低い位置にその上面が配置されることが好ましい。
封止部材15は、例えば、第3樹脂を含む材料によって形成されていることが好ましい。第3樹脂としては、上述した第1樹脂と同様のものが挙げられる。なかでも、発光素子13から出射される光の60%以上、70%以上、75%以上、80%以上の光と透過する透光性の樹脂が好ましい。また、第3樹脂を含む材料に、入射された光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体または光拡散材のうち少なくとも一方が含有されていてもよい。
(Sealing member 15)
2A, 2B or 4D, it is preferable that the sealing member 15 covers the reflective resin layer 12 and a part or all of the light emitting element 13, and it is more preferable that the sealing member 15 covers the entire light emitting element 13. The sealing member 15 may be disposed with any thickness as long as it covers the entire thickness direction and the upper surface of the light emitting element 13, and for example, it is preferable that the upper surface is disposed at a position equal to or lower than the height of the frame 14.
The sealing member 15 is preferably formed of a material containing a third resin, for example. Examples of the third resin include the same as the first resin described above. Among them, a light-transmitting resin that transmits 60% or more, 70% or more, 75% or more, or 80% or more of the light emitted from the light-emitting element 13 is preferable. In addition, the material containing the third resin may contain at least one of a phosphor or a light diffusing material capable of wavelength conversion of at least a part of the incident light.

封止部材15は、蛍光体を含有することができる。蛍光体としては、発光素子からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce)、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)SiO:Eu)、βサイアロン蛍光体、組成式がCaAlSiN:Euや(Sr,Ca)AlSiN:Euで表される窒化物系蛍光体、Mnで賦活されたフッ化物蛍光体、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体が挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、所望の発光色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を製造することができる。
光拡散材としては、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、アエロジル、ガラス、ガラスファイバー又はワラストナイト等のフィラー、窒化アルミニウム等が挙げられる。
封止部材15を構成する材料は、ボイドの発生を防止しやすいという観点から、流動性が高く、熱又は光の照射により硬化する樹脂を含むことが好ましい。このような材料は、例えば、0.5Pa・sから30Pa・sの粘度での流動性を示すものが挙げられる。
The sealing member 15 may contain a phosphor. As the phosphor, one that can be excited by the light emitted from the light-emitting element is used. For example, phosphors that can be excited by a blue light-emitting element or an ultraviolet light-emitting element include yttrium aluminum garnet phosphors activated with cerium (YAG:Ce), lutetium aluminum garnet phosphors activated with cerium (LAG:Ce), silicate phosphors activated with europium ((Sr,Ba) 2 SiO 4 :Eu), β-sialon phosphors, nitride phosphors whose composition formulas are CaAlSiN 3 :Eu or (Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu, fluoride phosphors activated with Mn, sulfide phosphors, and quantum dot phosphors. By combining these phosphors with a blue light-emitting element or an ultraviolet light-emitting element, a light-emitting device with a desired light emission color (for example, a white light-emitting device) can be manufactured.
Examples of light diffusing materials include titanium oxide, barium titanate, aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide, aerosil, glass, glass fiber, wollastonite or other fillers, and aluminum nitride.
From the viewpoint of easily preventing the occurrence of voids, it is preferable that the material constituting the sealing member 15 contains a resin that has high fluidity and is cured by irradiation with heat or light. Examples of such materials include those that exhibit fluidity at a viscosity of 0.5 Pa·s to 30 Pa·s.

[発光装置の製造方法]
本実施形態の発光装置の製造方法の一例を説明する。本実施形態の発光装置の製造方法は、図3A及び図3Bに示すように、
反射性樹脂を基板上に塗布する工程(S1)、
反射性樹脂の上に発光素子を配置する工程(S2)及び
反射性樹脂を硬化させる工程(S4)を含む。
この方法において、発光素子を配置する工程(S2)では、発光素子の一部を反射性樹脂に押し込む。これによって、反射性樹脂の硬化後に、反射性樹脂層において、発光素子が配置されていない第1平面部と、発光素子が配置され、第1平面部よりも厚みが小さい第2平面部と、発光素子の外周に第1凸部とを形成する。
このような製造方法により、上述した、光取り出し効率の良好な発光装置を容易に製造することができる。
この発光装置の製造方法では、封止部材を形成する工程(S5)等を含んでいてもよい。
また、この発光装置の製造方法では、図3A及び図4Aから4E又は図8Aから8Eに示すように、工程S2の後、発光素子の周りに枠体を形成する工程(S3)を含んでいてもよいし、図3B及び図5Aから5Eに示すように、工程S1の前に、基板上に枠体を形成する工程(S3’)を含んでいてもよい。
[Method of manufacturing the light-emitting device]
An example of a method for manufacturing the light emitting device of this embodiment will be described. The method for manufacturing the light emitting device of this embodiment includes the following steps, as shown in FIGS. 3A and 3B :
A step (S1) of applying a reflective resin onto a substrate;
The method includes a step (S2) of disposing a light-emitting element on the reflective resin, and a step (S4) of curing the reflective resin.
In this method, in the step (S2) of arranging the light-emitting element, a part of the light-emitting element is pressed into the reflective resin, so that after the reflective resin is cured, the reflective resin layer is formed with a first flat portion where the light-emitting element is not arranged, a second flat portion where the light-emitting element is arranged and has a thickness smaller than that of the first flat portion, and a first convex portion on the outer periphery of the light-emitting element.
By using such a manufacturing method, the above-mentioned light emitting device having good light extraction efficiency can be easily manufactured.
This method for manufacturing a light emitting device may include a step (S5) of forming a sealing member.
In addition, the manufacturing method of this light-emitting device may include a step (S3) of forming a frame around the light-emitting element after step S2, as shown in Figures 3A and 4A to 4E or Figures 8A to 8E, or may include a step (S3') of forming a frame on the substrate before step S1, as shown in Figures 3B and 5A to 5E.

(反射性樹脂を基板上に塗布する工程:S1)
図3A及び図4Aに示すように、反射性樹脂12aを基板11上に塗布する。反射性樹脂12aは、上述したように、第1反射材と第1樹脂とを含む。反射性樹脂12aは、基板11の上面の全面に塗布してもよいし、上面の一部の領域以外の全面に被覆してもよい。なかでも、発光素子が配置される領域及びその周辺領域を一体的に被覆するように、塗布することが好ましい。
反射性樹脂12aは、第1反射材と第1樹脂とともに、有機溶剤を含有することが好ましい。有機溶剤としては、当該分野で通常用いられるものであればよく、例えば、アルコール類(イソプロピルアルコール、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール等)、ケトン類(シクロヘキサノン等)、エステル類(γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル等)、エーテル類(ジエチルエーテル、THF、プロピレングリコールモノメチルエーテル等)、炭化水素類(シクロヘキサン、n-ヘキサン、ヘプタン、iso-オクタン、トリデカン等)、芳香族系の炭化水素(キシレン、トルエン等)等が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、例えば、沸点が150℃から300℃のものが好ましく、具体的には、トリデカンがより好ましい。溶剤は、例えば、反射性樹脂の全重量の25重量%から500重量%含有させればよく、特に、トリデカンを用いる場合には、反射性樹脂の全重量の200重量%から400重量%含有させることが好ましい。
反射性樹脂12aの塗布厚みは、硬化後の反射性樹脂層の最大厚みが10μmから100μmとなるように調整することが好ましい。反射性樹脂は、基板11上に、均一な厚みで塗布することが好ましい。塗布方法としては、ポッティング、各種印刷、スピンコート等、当該分野で公知の方法が挙げられる。
(Step of applying reflective resin onto a substrate: S1)
As shown in Figures 3A and 4A, reflective resin 12a is applied onto substrate 11. As described above, reflective resin 12a includes a first reflective material and a first resin. Reflective resin 12a may be applied to the entire upper surface of substrate 11, or may cover the entire upper surface except for a partial region. In particular, it is preferable to apply reflective resin 12a so as to integrally cover the region where light emitting elements are arranged and the surrounding region.
The reflective resin 12a preferably contains an organic solvent together with the first reflective material and the first resin. The organic solvent may be any one that is commonly used in the field, and examples thereof include alcohols (isopropyl alcohol, 3-methoxybutanol, 3-methyl-3-methoxybutanol, etc.), ketones (cyclohexanone, etc.), esters (γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, etc.), ethers (diethyl ether, THF, propylene glycol monomethyl ether, etc.), hydrocarbons (cyclohexane, n-hexane, heptane, iso-octane, tridecane, etc.), aromatic hydrocarbons (xylene, toluene, etc.), etc. These may be used alone or in combination of two or more kinds. Among them, for example, those having a boiling point of 150°C to 300°C are preferable, and specifically, tridecane is more preferable. The solvent may be contained in an amount of, for example, 25 to 500% by weight of the total weight of the reflective resin, and in particular, when tridecane is used, it is preferable that the solvent be contained in an amount of 200 to 400% by weight of the total weight of the reflective resin.
The thickness of the reflective resin 12a is preferably adjusted so that the maximum thickness of the reflective resin layer after curing is 10 μm to 100 μm. The reflective resin is preferably applied to the substrate 11 with a uniform thickness. Examples of the application method include potting, various printing methods, spin coating, and other methods known in the art.

なお、この工程においては、図8Cに示すように、反射性樹脂12aを、複数の発光素子の各載置領域に相当する領域において、互いに離間して、複数配置してもよい。ここでの反射性樹脂12aのそれぞれの大きさは、例えば、発光素子の平面積の100%から200%が挙げられ、110%から180%が好ましい。 In this process, as shown in FIG. 8C, multiple pieces of reflective resin 12a may be arranged at a distance from each other in the areas corresponding to the mounting areas of the multiple light-emitting elements. The size of each piece of reflective resin 12a here may be, for example, 100% to 200% of the planar area of the light-emitting element, and preferably 110% to 180%.

(反射性樹脂上に発光素子を配置する工程:S2)
図3A及び図4Bに示すように、基板11上に塗布した反射性樹脂12a上に発光素子13を配置する。ここでの発光素子13の配置は、反射性樹脂12aが硬化していない状態で配置する。反射性樹脂12aの上へ発光素子13を配置する場合、発光素子13の一部を反射性樹脂に押し込む。これにより、発光素子13が配置された反射性樹脂12aの表面12aB(後に第2平面部となる)が基板11側に押し込まれて形成されるために、発光素子13が配置されていない反射性樹脂12aの表面12aA(後に第1平面部となる)の厚みよりも、発光素子13が配置された反射性樹脂12aの表面12aBの厚みを小さくすることができる。この際、発光素子13の反射性樹脂12aへの押圧により、発光素子13の直下の反射性樹脂12aの一部が発光素子13の側面側に移動する。これにより、発光素子13の外周において、反射性樹脂12aの盛り上がり12aC(後に第1凸部となる)を形成することができる。この反射性樹脂12aの盛り上がり12aCは、基板の主面に対して垂直方向における断面視において、外側に膨らむ円弧状となる。例えば、粘度が低い樹脂の層の上に発光素子の一部を押し込むように配置すると、発光素子の側面に樹脂が這い上がり、側面を被覆することとなる。この場合、這い上がった樹脂は、基板の主面に対して垂直方向における断面視において、発光素子の側面側と反対側の面において、内側に凹んだ円弧状となる。これに対して、上述した反射性樹脂12aでは、基板の主面に対して垂直方向における断面視において、発光素子13の側面に対する反対側の面において、外側に膨らんだ円弧状となる。このような外側に膨らんだ円弧形状にするためには、例えば、上述したように、反射性樹脂12aの組成を調整することが好ましい。具体的には、粘度1Pa・sから5Pa・s程度の透明性シリコーン樹脂に、光反射性の第1反射材を5重量%から200重量%の範囲で混合し、反射性樹脂12aの材料が1Pa・s以上500Pa・s以下、より好ましくは10Pa・s以上250Pa・s以下となる粘度に調整することが挙げられる。
(Step of arranging light emitting element on reflective resin: S2)
As shown in FIG. 3A and FIG. 4B, the light emitting element 13 is placed on the reflective resin 12a applied on the substrate 11. The light emitting element 13 is placed in a state where the reflective resin 12a is not yet cured. When the light emitting element 13 is placed on the reflective resin 12a, a part of the light emitting element 13 is pressed into the reflective resin. As a result, the surface 12aB (later to become the second flat portion) of the reflective resin 12a on which the light emitting element 13 is placed is pressed into the substrate 11 side, so that the thickness of the surface 12aB of the reflective resin 12a on which the light emitting element 13 is placed can be made smaller than the thickness of the surface 12aA (later to become the first flat portion) of the reflective resin 12a on which the light emitting element 13 is not placed. At this time, the light emitting element 13 is pressed against the reflective resin 12a, so that a part of the reflective resin 12a directly below the light emitting element 13 moves to the side of the light emitting element 13. As a result, a protuberance 12aC (later to become the first convex portion) of the reflective resin 12a can be formed on the outer periphery of the light emitting element 13. The bulge 12aC of the reflective resin 12a is in an outwardly bulging arc shape in a cross section perpendicular to the main surface of the substrate. For example, when a part of the light emitting element is pressed onto a layer of a resin with low viscosity, the resin creeps up to the side of the light emitting element and covers the side. In this case, the creeping resin is in an inwardly concave arc shape on the surface opposite to the side of the light emitting element in a cross section perpendicular to the main surface of the substrate. In contrast, the above-mentioned reflective resin 12a is in an outwardly bulging arc shape on the surface opposite to the side of the light emitting element 13 in a cross section perpendicular to the main surface of the substrate. In order to obtain such an outwardly bulging arc shape, it is preferable to adjust the composition of the reflective resin 12a, for example, as described above. Specifically, a transparent silicone resin having a viscosity of approximately 1 Pa·s to 5 Pa·s is mixed with a light-reflective first reflective material in the range of 5% to 200% by weight, and the viscosity of the material of the reflective resin 12a is adjusted to 1 Pa·s or more and 500 Pa·s or less, more preferably 10 Pa·s or more and 250 Pa·s or less.

また、図8Dに示すように、基板11上に塗布した複数の反射性樹脂12aの上に、それぞれ発光素子13を配置してもよい。このような反射性樹脂12aの配置により、発光素子13が樹脂とともに流動して、隣接する発光素子13への接触等を効果的に防止することができる。ただし、各反射性樹脂12a量及び/又は発光素子13の押し込み程度によって、隣接する反射性樹脂12a同士の一部又は全部が連結してもよい。 Also, as shown in FIG. 8D, light emitting elements 13 may be arranged on a plurality of reflective resins 12a applied to the substrate 11. By arranging the reflective resins 12a in this manner, the light emitting elements 13 flow together with the resin, and contact with adjacent light emitting elements 13 can be effectively prevented. However, depending on the amount of each reflective resin 12a and/or the degree to which the light emitting elements 13 are pressed in, adjacent reflective resins 12a may be partially or entirely connected to each other.

(枠体を形成する工程:S3)
任意に、反射性樹脂12aの上に発光素子13を配置した後又は反射性樹脂12aを基板11上に塗布した後等の任意の段階において、図3A及び図4Cに示すように、さらに、基板11上であり、発光素子13の周りに枠体14を形成する。枠体14は、基板11上に直接形成してもよいし、図4Cに示すように、反射性樹脂12a上に形成してもよい。
枠体14は、上述したように、第2樹脂を用いて形成することができる。枠体14は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形等を利用して形成することができる。
なお、枠体14は、反射性樹脂12aを硬化した後に、第2樹脂を硬化させて形成させてもよいが、反射性樹脂12aが基板上に塗布されている場合には、後述する反射性樹脂12aの硬化とともに、枠体14を形成するための第2樹脂をも併せて硬化することが好ましい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
また、反射性樹脂12aの上に複数の発光素子13をそれぞれ配置した後、反射性樹脂12aの硬化の前後等の任意の段階で、図8Eに示すように、基板11上の複数の発光素子13の周りに、枠体14を形成してもよい。
(Step of forming a frame: S3)
Optionally, at an arbitrary stage, such as after arranging the light emitting element 13 on the reflective resin 12a or after applying the reflective resin 12a onto the substrate 11, a frame 14 is further formed on the substrate 11 around the light emitting element 13 as shown in Fig. 3A and Fig. 4C. The frame 14 may be formed directly on the substrate 11, or may be formed on the reflective resin 12a as shown in Fig. 4C.
As described above, the frame 14 can be formed using the second resin. The frame 14 can be formed by, for example, injection molding, potting molding, a resin printing method, a transfer molding method, compression molding, or the like.
The frame 14 may be formed by curing the second resin after curing the reflective resin 12a, but when the reflective resin 12a is applied onto a substrate, it is preferable to cure the second resin for forming the frame 14 together with curing the reflective resin 12a described below. This can simplify the manufacturing process.
In addition, after arranging multiple light-emitting elements 13 on the reflective resin 12a, a frame 14 may be formed around the multiple light-emitting elements 13 on the substrate 11 at any stage, such as before or after the reflective resin 12a has hardened, as shown in Figure 8E.

(反射性樹脂を硬化させる工程:S4)
図3A及び図4Dに示すように、反射性樹脂12aを硬化させる。この場合、枠体14の形成のために、第2樹脂が配置されている場合には、反射性樹脂12aとともに、第2樹脂をも併せて硬化することが好ましい。
反射性樹脂12aは、例えば、50℃から200℃の温度範囲で、5分間から300分間、より好ましくは80℃から180℃で10分間から120分間加熱することにより硬化することができる。
このように反射性樹脂12aを硬化した後においては、反射性樹脂12aに含有されていた溶剤は、完全に揮発し、反射性樹脂層12中には残存しないか、実質的に残存しない。ここで実質的に残存しないとは、用いた材料、ここでは、溶剤の5重量%以下、3重量%以下、1重量%以下又は0.5重量%以下であることを意味する。これにより、反射性樹脂12aが硬化によって収縮するが、発光素子13が配置された反射性樹脂層12が第2平面部12Bとなり、発光素子13が配置されていない反射性樹脂層12である第1平面部12Aの厚みよりも小さい厚みとすることができる。また、発光素子13の直下の反射性樹脂12aの一部が発光素子13の外側に移動して形成された反射性樹脂12aの盛り上がりが、発光素子13の外周において第1凸部12Cとなり、基板の主面に対して垂直方向における断面視で、外側に膨らむ円弧状とすることができる。これらの反射性樹脂層12によって、発光素子の側面の下方から出射された光を、効果的に上方に反射させることができ、光束を高くすることができ、光取り出し効率の向上を図ることができる。また、反射性樹脂層12中の第1反射材に起因して、発光素子の側面の下方において熱引きをより効率的に行うことができ、熱抵抗を低減することができる。その結果、発光装置に大電流を流すことができるため、より光取り出し効率の向上に寄与し得る。
なお、上述したように、反射性樹脂12aを複数、互いに離間して基板上に塗布した場合には、図8Eに示すように、全部が互いに離間した又は一部のみが離間し、他の一部が連結した複数の第1平面部12Aを形成することができる。
(Step of curing the reflective resin: S4)
3A and 4D, the reflective resin 12a is cured. In this case, when a second resin is disposed to form the frame 14, it is preferable to cure the second resin together with the reflective resin 12a.
The reflective resin 12a can be cured, for example, by heating at a temperature range of 50° C. to 200° C. for 5 to 300 minutes, more preferably at 80° C. to 180° C. for 10 to 120 minutes.
After the reflective resin 12a is cured in this manner, the solvent contained in the reflective resin 12a volatilizes completely and does not remain or does not substantially remain in the reflective resin layer 12. Here, substantially does not remain means that the solvent is 5% by weight or less, 3% by weight or less, 1% by weight or less, or 0.5% by weight or less of the material used. As a result, the reflective resin 12a shrinks due to curing, but the reflective resin layer 12 on which the light emitting element 13 is arranged becomes the second flat portion 12B, and the thickness can be made smaller than the thickness of the first flat portion 12A, which is the reflective resin layer 12 on which the light emitting element 13 is not arranged. In addition, the bulge of the reflective resin 12a formed by the movement of a part of the reflective resin 12a directly below the light emitting element 13 to the outside of the light emitting element 13 becomes the first convex portion 12C on the outer periphery of the light emitting element 13, and can be made into an arc shape that bulges outward in a cross-sectional view in a direction perpendicular to the main surface of the substrate. These reflective resin layers 12 can effectively reflect the light emitted from the lower side of the light emitting element upward, increasing the luminous flux and improving the light extraction efficiency. In addition, due to the first reflector in the reflective resin layer 12, heat can be more efficiently removed from the lower side of the light emitting element, reducing the thermal resistance. As a result, a large current can be passed through the light emitting device, which can contribute to improving the light extraction efficiency.
As described above, when multiple reflective resins 12a are applied onto a substrate while being spaced apart from each other, multiple first planar portions 12A can be formed, all of which are spaced apart from each other or only some of which are spaced apart and the other portions are connected, as shown in Figure 8E.

(封止部材を形成する工程S5)
図3A及び図4Eに示すように、発光素子13を被覆するように封止部材15を形成することが好ましい。枠体14が形成されている場合には、枠体14内であって、発光素子13を被覆するように封止部材15を形成することが好ましい。
封止部材15は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形等で成形することができる。
これによって、図4Eに示すように、発光装置10Bを製造することができる。
また、図8A及び8Bに示すように、枠体14内であって、発光素子13を被覆するように封止部材15を形成してもよい。これによって、発光装置10Gを製造することができる。
(Step S5 of forming sealing member)
3A and 4E , it is preferable to form a sealing member 15 so as to cover the light emitting element 13. In the case where the frame body 14 is formed, it is preferable to form the sealing member 15 inside the frame body 14 so as to cover the light emitting element 13.
The sealing member 15 can be formed by, for example, injection molding, potting molding, resin printing, transfer molding, compression molding, or the like.
This allows the manufacture of the light emitting device 10B as shown in FIG. 4E.
8A and 8B, a sealing member 15 may be formed inside the frame 14 so as to cover the light emitting element 13. In this manner, the light emitting device 10G can be manufactured.

なお、上記の発光装置の製造方法において、反射性樹脂を基板上に塗布する工程S1の前に、図3B及び図5Aに示すように、基板11上に枠体14を形成してもよい(S3’)。
その後、図3B及び図5Bに示すように、枠体14の内側であって、基板上に反射性樹脂12aを上述したように塗布する(S1)。
次いで、図3B及び図5Cに示すように、上述したように反射性樹脂12a上に発光素子を配置し(S2)、図3B及び図5Dに示すように、反射性樹脂12aを硬化させ(S4)て、上述したように反射性樹脂層12を形成する。
続いて、図3B及び図5Eに示すように、上述したように、発光素子13を被覆するように封止部材15を形成する(S5)ことが好ましい。
これによって、図5Eに示すように、発光装置10Dを製造することができる。
In the above-described method for manufacturing a light-emitting device, a frame 14 may be formed on the substrate 11 (S3') as shown in Figs. 3B and 5A before step S1 of applying the reflective resin onto the substrate.
Thereafter, as shown in FIG. 3B and FIG. 5B, the reflective resin 12a is applied onto the substrate inside the frame 14 as described above (S1).
Next, as shown in Figures 3B and 5C, a light-emitting element is placed on the reflective resin 12a as described above (S2), and as shown in Figures 3B and 5D, the reflective resin 12a is hardened (S4) to form the reflective resin layer 12 as described above.
Subsequently, as shown in FIG. 3B and FIG. 5E, as described above, it is preferable to form a sealing member 15 so as to cover the light emitting element 13 (S5).
This allows the manufacture of a light emitting device 10D as shown in FIG. 5E.

このような発光装置の製造方法によって、上述したように、第1平面部12A、第2平面部12B及び第1凸部12Cを有する反射性樹脂層12を容易に形成することができる。従って、このような特有の形状の反射性樹脂層12により、発光素子の側面の下方から出射された光を、効果的に上方に反射させることができる。これによって、光束を高くすることができ、光取り出し効率を向上させることが可能となる。また、発光素子の側面の下方において熱引きをより効率的に行うことができ、熱抵抗を低減することができる。その結果、大電流を流すことができ、より光取り出し効率の向上に寄与し得る発光装置を簡便な方法によって製造することができる。 By using this manufacturing method for a light-emitting device, as described above, it is possible to easily form a reflective resin layer 12 having a first planar portion 12A, a second planar portion 12B, and a first convex portion 12C. Therefore, the reflective resin layer 12 having such a unique shape can effectively reflect light emitted from below the side surface of the light-emitting element upward. This makes it possible to increase the luminous flux and improve the light extraction efficiency. In addition, heat can be dissipated more efficiently below the side surface of the light-emitting element, and thermal resistance can be reduced. As a result, a light-emitting device that can pass a large current and contribute to improving the light extraction efficiency can be manufactured by a simple method.

さらに、図3Aに示すように、反射性樹脂を基板上に塗布した後に枠体を形成する場合には、枠体への反射性樹脂層の這い上がりを低減できる。また、反射性樹脂層の剥離を抑制することができる。一方、図3Bに示しように、反射性樹脂を基板上に塗布する前に枠体を形成する場合には、基板上で、反射性樹脂の所定の箇所への塗布の位置決めを効率的に行うことができる。 Furthermore, as shown in FIG. 3A, when the frame is formed after the reflective resin is applied to the substrate, the reflective resin layer can be reduced from creeping up onto the frame. Also, peeling of the reflective resin layer can be suppressed. On the other hand, as shown in FIG. 3B, when the frame is formed before the reflective resin is applied to the substrate, the application of the reflective resin to a predetermined location on the substrate can be efficiently positioned.

実施例
上述した発光装置の製造方法によって、図4Eに示す発光装置10Bを形成した。
この発光装置10Bは、アルミニウム板からなる基板11上に配置された反射性樹脂層12と、その上に配置された複数の発光素子13を有しており、複数の発光素子13の外側を取り囲む枠体14と、枠体14内であって、複数の発光素子13を被覆する封止部材15とをさらに備えている。
反射性樹脂層12は、第1樹脂としてシリコーン樹脂に、第1反射材として、メジアン径が0.2μmの酸化チタンを樹脂に対して30重量%で含有する。反射性樹脂層12は、第1平面部12Aと、第1平面部12Aの第1の厚みよりも小さい第2の厚みを有する第2平面部12Bと、第1平面部12Aから突出した第1凸部12Cとを有する。第1平面部12A及び第2平面部12Bは、波長450nmの光に対する光反射率が93%である。発光素子13は、第2平面部12B上に配置されており、第1凸部12Cは、その側面の一部が発光素子13の側面に接して配置されている。言い換えると、第1凸部12Cの内側に発光素子13が配置されている。
この発光装置では、第1平面部12Aの第1の厚みは17μmである。第2平面部12Bの第2の厚みは2μm~5μmである。第1凸部12Cの第1平面部12Aの上端からの厚みは、10μmであり、つまり、第3の厚み(H1+H3)は、27μmであり、発光素子の側面からの最大幅は10μmであり、第1凸部12Cの上方の側面と発光素子の側面との接触角(図1D中にαで示される角)は120度である。
これに対して、比較例として、反射性樹脂層を使用することなく、変性シリコーン樹脂を用いて発光素子を基板上に配置した以外は、同様の構成の発光装置Xを作製した。
発光装置10Bと発光装置Xとで、明るさとを比較したところ、発光装置10Bは、発光装置Xよりも明るさ(全光束)が12.8%も大きくなった。発光装置10Bは、発光装置Xよりも光取り出し効率が向上することが分かった。また、発光装置10Bと発光装置Xとで、熱抵抗を比較したところ、発光装置10Bでは、熱抵抗は発光装置Xよりも10%の減少であった。
Example A light emitting device 10B shown in FIG. 4E was formed by the above-mentioned method for manufacturing a light emitting device.
This light emitting device 10B has a reflective resin layer 12 arranged on a substrate 11 made of an aluminum plate, and a plurality of light emitting elements 13 arranged on top of the reflective resin layer 12, and further includes a frame body 14 that surrounds the outside of the plurality of light emitting elements 13, and a sealing member 15 within the frame body 14 that covers the plurality of light emitting elements 13.
The reflective resin layer 12 contains a silicone resin as a first resin and titanium oxide having a median diameter of 0.2 μm as a first reflecting material at 30% by weight relative to the resin. The reflective resin layer 12 has a first planar portion 12A, a second planar portion 12B having a second thickness smaller than the first thickness of the first planar portion 12A, and a first convex portion 12C protruding from the first planar portion 12A. The first planar portion 12A and the second planar portion 12B have a light reflectance of 93% for light with a wavelength of 450 nm. The light emitting element 13 is disposed on the second planar portion 12B, and the first convex portion 12C is disposed so that a part of its side surface is in contact with the side surface of the light emitting element 13. In other words, the light emitting element 13 is disposed inside the first convex portion 12C.
In this light emitting device, the first thickness of the first flat portion 12A is 17 μm. The second thickness of the second flat portion 12B is 2 μm to 5 μm. The thickness of the first protrusion 12C from the upper end of the first flat portion 12A is 10 μm, that is, the third thickness (H1+H3) is 27 μm, the maximum width from the side surface of the light emitting element is 10 μm, and the contact angle between the upper side surface of the first protrusion 12C and the side surface of the light emitting element (the angle indicated by α in FIG. 1D ) is 120 degrees.
In contrast, as a comparative example, a light emitting device X was produced having a similar configuration except that the light emitting element was disposed on the substrate using a modified silicone resin without using a reflective resin layer.
When the brightness of the light emitting device 10B was compared with that of the light emitting device X, the brightness (total luminous flux) of the light emitting device 10B was 12.8% greater than that of the light emitting device X. It was found that the light emitting device 10B had a higher light extraction efficiency than that of the light emitting device X. Furthermore, when the thermal resistance of the light emitting device 10B was compared with that of the light emitting device X, the thermal resistance of the light emitting device 10B was 10% lower than that of the light emitting device X.

10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G 発光装置
11 基板
12 反射性樹脂層
12A 第1平面部
12B 第2平面部
12C 第1凸部
12a 反射性樹脂
12aA、12aB 反射性樹脂12aの表面
12aC 反射性樹脂12aの盛り上がり
13 発光素子
14 枠体
15 封止部材
REFERENCE SIGNS LIST 10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G Light emitting device 11 Substrate 12 Reflective resin layer 12A First flat portion 12B Second flat portion 12C First convex portion 12a Reflective resin 12aA, 12aB Surface of reflective resin 12a 12aC Protuberance of reflective resin 12a 13 Light emitting element 14 Frame 15 Sealing member

Claims (23)

基板と、
前記基板上に配置され、第1の厚みを有する第1平面部と、前記第1の厚みよりも厚みが小さい第2の厚みを有する第2平面部と、前記第1の厚みよりも厚みが大きい第3の厚みを有する第1凸部とを有し、第1反射材及び第1樹脂を含む反射性樹脂層と、
前記反射性樹脂層の前記第2平面部の上に配置された発光素子と、を備え、
前記第1凸部は、その側面の一部が前記発光素子の側面に接して配置されている発光装置。
A substrate;
a reflective resin layer disposed on the substrate, the reflective resin layer having a first planar portion having a first thickness, a second planar portion having a second thickness smaller than the first thickness, and a first convex portion having a third thickness larger than the first thickness, the reflective resin layer including a first reflective material and a first resin;
a light emitting element disposed on the second planar portion of the reflective resin layer,
The first protrusion is disposed so that a part of its side surface is in contact with a side surface of the light emitting element.
前記第1平面部は、前記第1凸部の周辺に、該第1凸部に接して配置されており、前記第1の厚みが10μm以上100μm以下である請求項1に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, wherein the first planar portion is disposed around the first convex portion and in contact with the first convex portion, and the first thickness is 10 μm or more and 100 μm or less. 前記第2平面部は、前記第2の厚みが1μm以上20μm以下である請求項1又は2に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1 or 2, wherein the second thickness of the second planar portion is 1 μm or more and 20 μm or less. 前記第2平面部の面積は、前記発光素子の面積と同じである請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the area of the second planar portion is the same as the area of the light-emitting element. 前記基板が、アルミニウム、銅、鉄から選択された少なくとも一種を含む金属基板である請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is a metal substrate containing at least one selected from aluminum, copper, and iron. 前記第1凸部における前記第3の厚みが30μm以下である請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the third thickness in the first convex portion is 30 μm or less. 前記発光素子の厚みに対して、前記第1凸部における前記第3の厚みは、0.3倍以下である請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein the third thickness of the first convex portion is 0.3 times or less the thickness of the light-emitting element. 前記第1凸部は、幅が25μm以下である請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 7, wherein the first protrusion has a width of 25 μm or less. 前記発光素子が350nm以上500nm以下の波長範囲内に発光ピーク波長を有し、前記第1平面部または前記第2平面部は、波長450nmの光における光反射率が90%以上である請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the light emitting element has an emission peak wavelength within a wavelength range of 350 nm to 500 nm, and the first planar portion or the second planar portion has a light reflectance of 90% or more for light with a wavelength of 450 nm. 前記第1凸部は、前記発光素子を包囲して配置されている請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 9, wherein the first protrusion is disposed to surround the light-emitting element. 前記第1凸部は、前記基板の主面に対して垂直方向における断面視において、外側に膨らむ円弧状である請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 10, wherein the first convex portion has an outwardly bulging arc shape in a cross-sectional view perpendicular to the main surface of the substrate. 前記第1凸部の側面と前記発光素子の側面との接触角は90度以上である請求項1から11のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein the contact angle between the side of the first convex portion and the side of the light-emitting element is 90 degrees or more. 前記第1凸部の内側に前記発光素子が配置され、前記第1凸部の外側に、前記発光素子を包囲して設けられ、第2反射材及び第2樹脂を含む枠体を備えた請求項1から12のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein the light emitting element is disposed inside the first convex portion, and a frame body is provided outside the first convex portion so as to surround the light emitting element and includes a second reflector and a second resin. 前記発光素子は、前記反射性樹脂層と直接接着されている請求項1から13のいずれか1つに記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 13, wherein the light-emitting element is directly bonded to the reflective resin layer. 前記第1樹脂は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂から選択された少なくとも一種である請求項1から14のいずれか1項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 14, wherein the first resin is at least one selected from a silicone resin and an epoxy resin. 前記第1反射材は、酸化チタン、窒化ホウ素、酸化ケイ素および酸化アルミニウムからなる群より選択された少なくとも一種である請求項1から15のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 15, wherein the first reflector is at least one selected from the group consisting of titanium oxide, boron nitride, silicon oxide, and aluminum oxide. 前記第1反射材は、メジアン径が1μm以下である請求項1から16のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 16, wherein the first reflector has a median diameter of 1 μm or less. 前記第2平面部の上に配置された前記発光素子を複数備え、
前記反射性樹脂層の前記第1平面部は、前記複数の発光素子の側面のそれぞれに接して配置された複数の前記第1凸部の周辺において、一体的に又は一部もしくは全部が離間して配置されている請求項1から17のいずれか1項に記載の発光装置。
a plurality of the light emitting elements disposed on the second plane portion;
18. The light-emitting device according to claim 1, wherein the first planar portion of the reflective resin layer is arranged integrally or partially or entirely spaced apart around a periphery of a plurality of first convex portions arranged in contact with each of the side surfaces of the plurality of light-emitting elements.
反射材と第1樹脂とを含む反射性樹脂を基板上に塗布する工程と、
前記基板上に塗布した前記反射性樹脂上に発光素子を配置する工程と、
前記反射性樹脂を硬化させる工程と、を含み、
前記発光素子を配置する工程において、前記反射性樹脂に前記発光素子の一部を押し込むとともに、前記発光素子が配置されていない、第1の厚みを有する第1平面部と、前記発光素子が配置され、前記第1の厚みよりも厚みが小さい第2の厚みを有する第2平面部と、前記発光素子の側面に接し、前記第1の厚みよりも厚みが大きい第3の厚みを有する第1凸部とを形成する、発光装置の製造方法。
A step of applying a reflective resin containing a reflective material and a first resin onto a substrate;
A step of disposing a light emitting element on the reflective resin applied to the substrate;
and curing the reflective resin.
A method for manufacturing a light emitting device, in a step of arranging the light emitting element, a part of the light emitting element is pressed into the reflective resin, and a first planar portion having a first thickness on which the light emitting element is not arranged, a second planar portion on which the light emitting element is arranged and having a second thickness smaller than the first thickness, and a first convex portion in contact with a side surface of the light emitting element and having a third thickness larger than the first thickness are formed.
前記発光素子を配置する工程において、前記発光素子を包囲するように前記第1凸部を形成する請求項19に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 19, wherein in the step of arranging the light-emitting element, the first convex portion is formed so as to surround the light-emitting element. 前記発光素子を配置する工程において、前記第1凸部を、前記基板の主面に対して垂直方向の断面視において、外側に膨らむ円弧状となるように形成する請求項19又は20に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 19 or 20, wherein in the step of arranging the light-emitting element, the first convex portion is formed to have an outwardly expanding arc shape in a cross-sectional view perpendicular to the main surface of the substrate. 前記発光素子を配置する工程において、複数の前記発光素子を、前記反射性樹脂上にそれぞれ配置し、複数の前記発光素子の側面にそれぞれ接する第1凸部の周辺において、前記第1平面部を一体的に形成する請求項19から21のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to any one of claims 19 to 21, wherein in the step of arranging the light-emitting elements, a plurality of the light-emitting elements are arranged on the reflective resin, and the first flat portion is integrally formed around a first protrusion that contacts each of the side surfaces of the plurality of light-emitting elements. 前記反射性樹脂を前記基板上に塗布する工程において、複数の反射性樹脂を互いに離間するように配置し、
前記発光素子を配置する工程において、複数の前記発光素子を、前記互いに離間した複数の反射性樹脂にそれぞれ配置し、一部又は全部が互いに離間した複数の前記第1平面部を形成する請求項19から21のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
In the step of applying the reflective resin onto the substrate, a plurality of reflective resins are arranged so as to be spaced apart from each other;
22. A method for manufacturing a light emitting device according to any one of claims 19 to 21, wherein in the step of arranging the light emitting elements, a plurality of the light emitting elements are respectively arranged on a plurality of the reflective resins spaced apart from each other, thereby forming a plurality of the first planar portions, some or all of which are spaced apart from each other.
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