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JP7548670B2 - 検査装置、制御方法及び制御プログラム - Google Patents

検査装置、制御方法及び制御プログラム Download PDF

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JP7548670B2 JP2021006267A JP2021006267A JP7548670B2 JP 7548670 B2 JP7548670 B2 JP 7548670B2 JP 2021006267 A JP2021006267 A JP 2021006267A JP 2021006267 A JP2021006267 A JP 2021006267A JP 7548670 B2 JP7548670 B2 JP 7548670B2
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Description

本開示は、検査装置、制御方法及び制御プログラムに関する。
一般に、電子デバイス(被検査体)の電気的特性についての検査は、所定の検査装置を用いて行われる。具体的には、電子デバイスが配置されたウェハを載置台(チャック)に固定し、当該電子デバイスに対して、プローブ等を介してテスタから電力を供給することで検査が行われる。
ここで、当該検査装置では、検査の際、載置台内部に配された温調器を用いて電子デバイスの温度制御を行う。このとき、当該検査装置では、例えば、複数の温度センサの中から、検査対象である電子デバイスの位置に最も近い温度センサを選択して、温度制御を行う。
なお、電子デバイスの位置に最も近い温度センサとは、例えば、複数の電子デバイスがウェハ上に配置されている場合には、各電子デバイスの位置を示す座標の平均値(つまり、平均ベクトル)により特定される位置からの物理的な距離が、最も短い温度センサを指す。
特開2009-21311号公報
しかしながら、仮に複数の電子デバイスが偏った分布でウェハ上に配置されていた場合には、電子デバイスの位置に最も近い温度センサが、温度制御を行うのに適した温度センサであるとは限らない。
本開示は、被検査体の検査を行う際、適切な温度センサを選択して温度制御を行う検査装置、制御方法及び制御プログラムを提供する。
本開示の一態様による検査装置は、例えば、以下のような構成を有する。即ち、
被検査体の検査を行う際の、載置台における該被検査体の位置を示す第1座標情報と、該載置台における複数の温度センサの位置を示す複数の第2座標情報とを取得する取得部と、
前記第1座標情報の平均ベクトルにより特定される位置と、前記複数の温度センサの位置との間のマハラノビス距離を算出する算出部と、
前記マハラノビス距離が最小となる温度センサを含む少なくとも1つの温度センサを選択する選択部と、
選択された温度センサにより測定された温度データを用いて前記被検査体の温度制御を行う制御部とを有する。
被検査体の検査を行う際、適切な温度センサを選択して温度制御を行う検査装置、制御方法及び制御プログラムを提供することができる。
検査装置の構成例を示す断面模式図である。 制御装置のハードウェア構成の一例を示す図である。 検査装置の各構成のうち温度制御機能に関わる構成の詳細を示す図である。 電子デバイスと温度センサとの検査時の位置関係の一例を示す図である。 制御装置の温度センサ選択部の機能構成の一例を示す図である。 温度センサ選択部による処理の具体例を示す図である。 マハラノビス距離算出部による処理の詳細を示す図である。 検査装置における検査処理の流れを示すフローチャートである。 温度センサ選択処理の流れを示すフローチャートである。 電子デバイスと温度センサとの検査時の位置関係の他の一例を示す図である。
以下、各実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
[第1の実施形態]
<検査装置の構成例>
はじめに、第1の実施形態に係る検査装置の構成例について説明する。図1は、検査装置の構成例を示す断面模式図である。図1に示すように、検査装置100は、ローダ室110、収容室120、テストヘッド130、テスタ140、表示装置150を有する。
ローダ室110は、搬送容器に収容されているウェハWを取り出して、収容室120に搬送する機構を有する。また、ローダ室110は、電子デバイスの電気的特性についての検査が終了したウェハWを受け取り、搬送容器に収容する機構を有する。
収容室120は、メインチャック121、プローブカード122、アライメント機構123、温調器制御回路124、制御装置125を有する。
メインチャック121は載置台の一例であり、ウェハWを固定し、水平方向及び鉛直方向に移動することで、プローブカード122とウェハWとの相対位置を調整する。これにより、メインチャック121は、ウェハW上に配置された電子デバイスの電極を、プローブカード122のプローブ群122Aに接触させることができる。
プローブカード122は、メインチャック121の上方に配置され、インタフェース122Bを介してテストヘッド130と電気的に接続されている。プローブ群122Aは、ウェハW上に配置された電子デバイスの電極に接触することで、テストヘッド130からインタフェース122Bを介して電子デバイスに電力を供給する。また、電子デバイスは、電力が供給されたことに応じて、インタフェース122Bを介してテストヘッド130に信号を伝達する。
アライメント機構123は、プローブカード122のプローブ群122Aと、メインチャック121に固定されたウェハW上の電子デバイスの電極パッドとの間のアライメント調整用のデータを取得する。
具体的には、アライメント機構123は、収容室120内の背面とプローブセンタとの間で水平移動するアライメントブリッジ123Aと、アライメントブリッジ123Aに設けられた第1の撮像装置123Bとを有する。
このうち、第1の撮像装置123Bは、アライメントブリッジ123Aを介して収容室120の背面からプローブセンタまで進出することで、プローブカード122とメインチャック121との間の位置に移動する。また、第1の撮像装置123Bは、メインチャック121が水平方向へ移動する間に、当該位置で、ウェハW上に配置された電子デバイスの電極の位置を検出する。
更に、アライメント機構123は、第2の撮像装置123Cを有する。第2の撮像装置123Cは、アライメントブリッジ123Aが収容室120内の背面に後退した後、プローブカード122の下方でメインチャック121が水平方向へ移動する間に、プローブカード122の下方からプローブ群122Aの位置を検出する。
温調器制御回路124は、ウェハWの電子デバイスに対して、高温検査または低温検査を行うために、メインチャック121内に取り付けられた温調器(不図示)を動作させる。これにより、メインチャック121に固定されたウェハWの電子デバイスは、設定された目標温度の許容範囲内で加熱または冷却される。なお、メインチャック121内には複数の温度センサ(不図示)が取り付けられており、当該複数の温度センサのうち、選択されたいずれかの温度センサにより測定された温度データが、ウェハW上に配置された電子デバイスの温度データとして用いられる。
制御装置125は、メインチャック121に固定されたウェハWの電子デバイスの温度制御や、メインチャック121の水平方向及び鉛直方向の移動制御、アライメント機構123の移動制御等を行う。
テストヘッド130は、テスタ140と接続される。テスタ140は、電子デバイスが配置されるマザーボードの回路構成の一部を再現するテストボードを有する。テストボードは、電子デバイスからの信号に基づいて、電子デバイスの良否を判断する制御装置125に接続される。テスタ140ではテストボードを取り替えることにより、複数種のマザーボードの回路構成を再現することができる。
表示装置150は、設定された目標温度を含む各種データや、第1及び第2の撮像装置123B、123Cにて撮影された画像データ等を表示する。
<制御装置のハードウェア構成>
次に、制御装置125のハードウェア構成について説明する。図2は、制御装置125のハードウェア構成の一例を示す図である。
図2に示すように、制御装置125は、プロセッサ201、メモリ202、補助記憶装置203、I/F(Interface)装置204、通信装置205、ドライブ装置206を有する。なお、制御装置125の各ハードウェアは、バス207を介して相互に接続されている。
プロセッサ201は、CPU(Central Processing Unit)等の各種演算デバイスを有する。プロセッサ201は、各種プログラム(例えば、後述する制御プログラム等)をメモリ202上に読み出して実行する。
メモリ202は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の主記憶デバイスを有する。プロセッサ201とメモリ202とは、いわゆるコンピュータを形成し、プロセッサ201が、メモリ202上に読み出した各種プログラムを実行することで、当該コンピュータは各種機能を実現する。
補助記憶装置203は、各種プログラムや、各種プログラムがプロセッサ201によって実行される際に用いられる各種データを格納する。
I/F装置204は、外部装置の一例である温調器制御回路124、複数の温度センサ(ここでは、温度センサ220_1~220_4を例示)、表示装置150等と、制御装置125とを接続する接続デバイスである。
通信装置205は、テスタ140と通信するための通信デバイスである。
ドライブ装置206は記録媒体210をセットするためのデバイスである。ここでいう記録媒体210には、CD-ROM、フレキシブルディスク、光磁気ディスク等のように情報を光学的、電気的あるいは磁気的に記録する媒体が含まれる。また、記録媒体210には、ROM、フラッシュメモリ等のように情報を電気的に記録する半導体メモリ等が含まれていてもよい。
なお、補助記憶装置203にインストールされる各種プログラムは、例えば、配布された記録媒体210がドライブ装置206にセットされ、該記録媒体210に記録された各種プログラムがドライブ装置206により読み出されることでインストールされる。あるいは、補助記憶装置203にインストールされる各種プログラムは、通信装置205を介してネットワークからダウンロードされることで、インストールされてもよい。
<温度制御機能に関わる構成>
次に、検査装置100の各構成のうち、検査時に電子デバイスの温度制御を行う温度制御機能に関わる構成について説明する。図3は、検査装置の各構成のうち温度制御機能に関わる構成を示す図である。
図3に示すように、検査装置100において温度制御機能に関わる構成には、
・メインチャック121内に取り付けられた、温調器310、温度センサ220_1~220_4、
・温調器制御回路124、
・制御装置125において実現される、温度センサ選択部320、温度制御部330、
が含まれる。
なお、制御装置125には、制御プログラムがインストールされており、当該プログラムが実行されることで、制御装置125は、少なくとも温度センサ選択部320、温度制御部330として機能する。
図3に示すように、温度制御部330に目標温度が設定されて温度制御が開始されると、温度制御部330では、設定された目標温度に応じた制御量を算出し、温調器制御回路124に送信する。温調器制御回路124では、通知された制御量に応じた動作信号を温調器310に送信し、温調器310を動作させる。
温調器310が動作したことで、メインチャック121の温度が変化すると、温度センサ220_1~220_4では、これを検出し、温度データを温度制御部330にフィードバックする。
温度制御部330では、温度センサ220_1~220_4からフィードバックされた温度データのうち、温度センサ選択部320により予め選択された温度センサからの温度データを取得し、目標温度との差分を算出する。また、温度制御部330では、算出した差分に応じて(差分、差分の微分値、差分の積分値に応じて)、制御量を算出し、温調器制御回路124に送信する。
このように、温度制御部330は、温度データをフィードバックし、PID制御により電子デバイスの温度制御を行う。
なお、温度センサ選択部320では、「検査対象となる電子デバイスの数及び位置」と、「温度センサ220_1~220_4の位置」とに基づいて、温度制御を行うのに適した温度センサを予め選択して、温度制御部330に通知する。
このうち、検査対象となる電子デバイスの数及び位置は、例えば、制御装置125が予めデバイス配置情報を受信しておき、温度センサ選択部320が当該デバイス配置情報を読み出すことで取得する。あるいは、収容室120内に、電子デバイスを検出する撮像装置が設置されている場合にあっては、当該撮像装置により撮影された画像(デバイス検出結果)に基づいて電子デバイスの数及び位置を取得してもよい。一方、温度センサ220_1~220_4の位置は、温度センサ選択部320が、検査装置100によって予め保持されたセンサ配置情報を読み出すことで取得する。
<検査対象と温度センサとの検査時の位置関係>
次に、検査対象となる電子デバイスと温度センサとの検査時の位置関係について説明する。図4は、電子デバイスと温度センサとの検査時の位置関係の一例を示す図であり、検査時にメインチャック121にウェハWが固定された状態でウェハW上に配置された電子デバイスと温度センサとの位置関係を、上方から見た様子を示している。
このうち、図4(a)の例は、4つの温度センサ220_1~220_4と、検査対象となる1つの電子デバイス401との位置関係を示している。なお、図4(a)において、点線は、電子デバイス401の位置を示す座標の縦方向の平均値及び横方向の平均値を表している。したがって、図4(a)において、点線の交点は、電子デバイス401の平均ベクトルとなる。
また、図4(b)の例は、4つの温度センサ220_1~220_4と、検査対象となる4つの電子デバイス411~414との位置関係を示している。なお、図4(b)において、点線は、電子デバイス411~414それぞれの位置を示す座標の縦方向の平均値及び横方向の平均値を表している。したがって、図4(b)において、点線の交点は、電子デバイス411~414の平均ベクトルとなる。
また、図4(c)の例は、4つの温度センサ220_1~220_4と、検査対象となる4つの電子デバイス421~424との位置関係を示している。なお、図4(c)において、点線は、電子デバイス421~424それぞれの位置を示す座標の縦方向の平均値及び横方向の平均値を表している。したがって、図4(c)において、点線の交点は、電子デバイス421~424の平均ベクトルとなる。
このように、検査対象となる電子デバイスの数及び位置(つまり、分布)は様々であり、検査対象となる電子デバイスの数及び位置(分布)によって、温度センサ220_1~220_4との位置関係も変わってくる。
このため、例えば、図4(c)の例のように、4つの電子デバイス421~424が、左斜め上から右斜め下方向に向かう偏った分布で配置されていた場合にあっては、平均ベクトルに最も近い温度センサが温度制御を行うのに適した温度センサであるとは限らない。
図4(c)の例では、平均ベクトルにより特定される位置(点線の交点位置)に最も近い温度センサは、温度センサ220_3であるが、左斜め上から右斜め下方向に向かう一点鎖線に最も近い温度センサは、温度センサ220_1である。
ここで、電子デバイスに対して適切な温度制御を行うには、検査対象となる電子デバイスについての代表的な温度データを用いる必要がある。このため、上記のように、検査対象となる電子デバイスの分布によって、温度センサ220_1~220_4との位置関係が変わる状況下では、当該分布に応じて、代表的な温度データを測定可能な温度センサを選択する必要がある。つまり、図4(c)の例では、温度センサ220_3に代えて、温度センサ220_1を選択して温度制御を行うことが望ましい。
このようなことから、本実施形態の制御装置125は、検査対象となる電子デバイスの数及び位置(分布)に応じた温度センサが選択されるように構成されている。
<温度センサ選択部の機能構成>
次に、制御装置125において、制御プログラムが実行されることで実現される機能のうち、温度センサ選択部の機能について説明する。図5は、制御装置の温度センサ選択部の機能構成の一例を示す図である。図5に示すように、温度センサ選択部320は、電子デバイス位置情報取得部501、温度センサ位置情報取得部502、平均ベクトル算出部503、マハラノビス距離算出部504、選択部505を有する。
電子デバイス位置情報取得部501は取得部の一例であり、検査対象となる電子デバイスの位置を示す座標(第1座標情報)を取得し、平均ベクトル算出部503及びマハラノビス距離算出部504に通知する。電子デバイス位置情報取得部501では、検査対象の電子デバイスの各頂点の座標(4点の座標)を取得する。
具体的には、検査対象となる電子デバイスが1つの場合、電子デバイス位置情報取得部501では、4点の座標を取得する。また、検査対象となる電子デバイスが4つの場合、電子デバイス位置情報取得部501では、16点の座標を取得する。
温度センサ位置情報取得部502は取得部の一例であり、温度センサの位置を示す座標(第2座標情報)を取得し、マハラノビス距離算出部504に通知する。温度センサ位置情報取得部502では、各温度センサの中心点の座標を取得する。
具体的には、温度センサが4つの場合、温度センサ位置情報取得部502では、4点の座標を取得する。
平均ベクトル算出部503は、検査対象となる電子デバイスの位置を示す座標から平均ベクトル(各座標の平均値)を算出し、マハラノビス距離算出部504に通知する。検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルは、例えば、検査対象の電子デバイスが1つの場合、当該電子デバイスの各頂点の座標(4点の座標)の平均値により算出される。また、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルは、例えば、検査対象の電子デバイスが4つの場合、当該4つの電子デバイスの各頂点の座標(合計16点の座標)の平均値により算出される。
マハラノビス距離算出部504は算出部の一例であり、
・電子デバイス位置情報取得部501から通知された、検査対象となる電子デバイスの位置を示す座標、
・平均ベクトル算出部503から通知された、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトル、
・温度センサ位置情報取得部502から通知された、温度センサの位置を示す座標、
に基づいて、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルにより特定される位置と、各温度センサの位置との間のマハラノビス距離を算出する。また、マハラノビス距離算出部504は、算出した各温度センサの位置との間のマハラノビス距離を、選択部505に通知する。
選択部505は、マハラノビス距離算出部504から通知された、各温度センサの位置との間のマハラノビス距離の中から、最小のマハラノビス距離の温度センサを選択し、温度制御部330に通知する。
このように、マハラノビス距離を算出することで、検査対象となる電子デバイスの数及び位置(分布)に応じた温度センサを選択することが可能となる。この結果、温度制御部330では、適切な温度センサを用いて、検査対象となる電子デバイスの温度制御を行うことができる。
<温度センサ選択部による処理の具体例>
次に、温度センサ選択部320による処理の具体例について説明する。図6は、温度センサ選択部による処理の具体例を示す図であり、図4(a)~(c)に示した電子デバイスと温度センサとの各位置関係に対して、温度センサ選択部320が、1つの温度センサを選択する場合の処理の具体例を示している。
図6(a)に示すように、電子デバイス位置情報取得部501は、電子デバイス401の位置を示す座標(4つの黒丸参照)を取得する。また、平均ベクトル算出部503は、電子デバイス401の位置を示す座標から平均ベクトル(×印参照)を算出する。更に、マハラノビス距離算出部504は、電子デバイス401の平均ベクトルにより特定される位置と、4つの温度センサ220_1~220_4それぞれの位置との間のマハラノビス距離を算出する。図6(a)において、複数の点線の同心円は、電子デバイス401の平均ベクトルにより特定される位置から見て、マハラノビス距離が等しい位置を示したものである。
図6(a)の例によれば、選択部505は、電子デバイス401の平均ベクトルにより特定される位置からのマハラノビス距離が最小となる温度センサ220_3を選択する。このように、温度センサ選択部320によれば、検査対象となる電子デバイスが1つのみ配置されている場合でも、適切な温度センサを選択することができる。
また、図6(b)に示すように、電子デバイス位置情報取得部501は、電子デバイス411~414の位置を示す座標(16個の黒丸参照)を取得する。また、平均ベクトル算出部503は、電子デバイス411~414の位置を示す座標から平均ベクトル(×印参照)を算出する。更に、マハラノビス距離算出部504は、電子デバイス411~414の平均ベクトルにより特定される位置と、4つの温度センサ220_1~220_4それぞれの位置との間のマハラノビス距離を算出する。図6(b)において、複数の点線の同心円は、電子デバイス411~414の平均ベクトルにより特定される位置から見て、マハラノビス距離が等しい位置を示したものである。
図6(b)の例によれば、選択部505は、電子デバイス411~414の平均ベクトルにより特定される位置からのマハラノビス距離が最小となる温度センサ220_3を選択する。このように、温度センサ選択部320によれば、検査対象となる複数の電子デバイスが均等な分布で配置されている場合でも、適切な温度センサを選択することができる。
また、図6(c)に示すように、電子デバイス位置情報取得部501は、電子デバイス421~424の位置を示す座標(16個の黒丸参照)を取得する。また、平均ベクトル算出部503は、電子デバイス421~424の位置を示す座標から平均ベクトル(×印参照)を算出する。更に、マハラノビス距離算出部504は、電子デバイス421~424の平均ベクトルにより特定される位置と、4つの温度センサ220_1~220_4それぞれの位置との間のマハラノビス距離を算出する。図6(c)において、複数の点線の同心楕円は、電子デバイス421~424の平均ベクトルにより特定される位置から見て、マハラノビス距離が等しい位置を示したものである。
図6(c)の例によれば、選択部505は、電子デバイス421~424の平均ベクトルにより特定される位置からのマハラノビス距離が最小となる温度センサ220_1を選択する。このように、温度センサ選択部320によれば、検査対象となる複数の電子デバイスが偏った分布で配置されている場合でも、適切な温度センサを選択することができる。
<マハラノビス距離算出部による処理の詳細>
次に、電子デバイスの平均ベクトルにより特定される位置と、温度センサ220_1~220_4それぞれの位置との間のマハラノビス距離を算出する場合の、マハラノビス距離算出部504による処理の詳細について説明する。図7は、マハラノビス距離算出部による処理の詳細を示す図である。
図7に示すように、温度センサ220_1との間のマハラノビス距離dis(T,T)は、例えば、下式1に基づいて算出される。
Figure 0007548670000001
なお、上式1において、p はn番目(ここでは、n=1)の温度センサ220_1の位置を示すx座標を表し、p はn番目(ここでは、n=1)の温度センサ220_1の位置を示すy座標を表す。また、Aveは、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルのx座標を表し、Aveは、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルのy座標を表す。更に、Nは、検査対象となる電子デバイスの位置を示す座標の数を表し、例えば、検査対象となる電子デバイスの数が1つの場合、N=4となり、4つの場合、N=16となる。
同様に、マハラノビス距離算出部504では、温度センサ220_2~220_4についても、上式1に基づいて、マハラノビス距離dis(T,T)を算出する。
<検査処理の流れ>
次に、検査装置100における検査処理の流れについて説明する。図8は、検査装置における検査処理の流れを示すフローチャートである。このうち、図8(a)は、デバイス配置情報を読み出すことで、検査対象となる電子デバイスの数及び位置を取得する場合の検査処理の流れを示している。
ステップS801において、検査装置100は、検査対象となる電子デバイスのデバイス配置情報を読み出し、検査対象となる電子デバイスの数及び位置を取得する。
ステップS802において、検査装置100は、温度センサ選択処理を行い、検査対象となる電子デバイスの数及び位置に応じた温度センサを選択する。なお、温度センサ選択処理の詳細は後述する。
ステップS803において、検査装置100は、検査対象となる電子デバイスが配置されたウェハWを検査位置に移動する。
ステップS804において、検査装置100は、ステップS802において選択された温度センサにより測定された温度データを用いて、メインチャックの温度制御を行う。
ステップS805において、検査装置100は、検査対象となる電子デバイスの電気的特性についての検査を行う。
このように、デバイス配置情報を読み出すことで、検査対象となる電子デバイスの数及び位置を取得する場合、検査対象となる電子デバイスが配置されたウェハWを検査位置に移動する前に、温度センサ選択処理を実行することができる。
一方、図8(b)は、デバイス検出結果に基づいて、検査対象となる電子デバイスの数及び位置を取得する場合の検査処理の流れを示している。
ステップS811において、検査装置100は、検査対象となる電子デバイスが配置されたウェハWを検査位置に移動する。
ステップS812において、検査装置100は、検査対象となる電子デバイスを撮影したデバイス検出結果に基づいて、検査対象となる電子デバイスの数及び位置を取得する。
ステップS813において、検査装置100は、温度センサ選択処理を行い、検査対象となる電子デバイスの数及び位置に応じた温度センサを選択する。なお、温度センサ選択処理の詳細は後述する。
ステップS814において、検査装置100は、ステップS813において選択された温度センサにより測定された温度データを用いて、メインチャックの温度制御を行う。
ステップS815において、検査装置100は、検査対象となる電子デバイスの電気的特性についての検査を行う。
このように、デバイス検出結果に基づいて検査対象となる電子デバイスの数及び位置を取得する場合、検査対象となる電子デバイスが配置されたウェハWを検査位置に移動した後に、温度センサ選択処理を実行することができる。これにより、例えば、予め取得したデバイス配置情報とは異なる数または位置で、電子デバイスの検査が行われる場合であっても、適切な温度センサを選択することができる。
なお、予め取得したデバイス配置情報とは異なる数または位置で検査が行われる場合とは、例えば、1回目の検査が完了した後に、良と判断された電子デバイスを除いて2回目の検査が行われる場合等が挙げられる。
<温度センサ選択部による温度センサ選択処理の流れ>
次に、図8のステップS802、813で示した温度センサ選択処理の流れについて説明する。図9は、温度センサ選択処理の流れを示すフローチャートである。
ステップS901において、平均ベクトル算出部503は、検査対象となる電子デバイスの数及び位置から平均ベクトルを算出する。
ステップS902において、温度センサ位置情報取得部502は、各温度センサの位置を取得する。
ステップS903において、マハラノビス距離算出部504は、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルにより特定される位置と、各温度センサの位置との間のマハラノビス距離を算出する。
ステップS904において、選択部505は、検査対象となる電子デバイスの平均ベクトルにより特定される位置との間のマハラノビス距離が最小となる温度センサを選択する。
<まとめ>
以上の説明から明らかなように、第1の実施形態に係る検査装置100は、
・電子デバイスの電気的特性についての検査を行う際の、メインチャックにおける電子デバイスの位置を示す座標と、メインチャックにおける複数の温度センサの位置を示す座標とを取得する。
・メインチャックにおける電子デバイスの位置を示す座標から平均ベクトルを算出し、算出した平均ベクトルにより特定される位置と、複数の温度センサそれぞれの位置との間のマハラノビス距離を算出する。
・算出したマハラノビス距離が最小となる温度センサを選択する。
・選択した温度センサにより測定された温度データを用いて電子デバイスの温度制御を行う。
このように、第1の実施形態に係る検査装置では、被検査体の平均ベクトルにより特定される位置からのマハラノビス距離を算出することで、被検査体の分布に応じた温度センサを選択することが可能となる。
この結果、第1の実施形態によれば、被検査体の検査を行う際、適切な温度センサを選択して温度制御を行うことができる。
[第2の実施形態]
上記第1の実施形態では、検査対象となる電子デバイスと温度センサとの位置関係として、図4に示すケースについて例示した。しかしながら、検査対象となる電子デバイスと温度センサとの位置関係は、図4に示すケースに限定されない。図10は、電子デバイスと温度センサとの検査時の位置関係の他の一例を示す図である。
このうち、図10(a)は、検査対象となる電子デバイスが9個の場合であって、各電子デバイスが格子状に配置されている場合を示している。また、図10(b)は、検査対象となる電子デバイスが4つの場合であって、各電子デバイスが横一列に配置されている場合を示している。更に、図10(c)は、検査対象となる電子デバイスが3つの場合であって、各電子デバイスが横一列に配置されており、かつ、1つ飛ばしで配置されている場合を示している。
そして、図10(a)~(c)に示すいずれの場合であっても、上記第1の実施形態に記載した温度センサ選択処理を実行して温度センサを選択することにより、適切な温度センサを選択することができる。
[第3の実施形態]
上記各実施形態では、電子デバイスの平均ベクトルにより特定される位置からのマハラノビス距離が最小となる温度センサを1つ選択するものとして説明した。しかしながら、温度センサの選択方法はこれに限定されず、例えば、マハラノビス距離が短い上位m個(mは1以上の整数)の温度センサを選択するように構成してもよい。
この場合、m個の温度センサによりそれぞれ測定された温度データは、算出したマハラノビス距離に応じて、重み付け加算してもよい。
また、上記各実施形態では、電子デバイスの位置を示す座標として、電子デバイスの各頂点の座標を用いる場合について説明したが、電子デバイスの位置を示す座標は、電子デバイスの各頂点の座標に限定されない。例えば、電子デバイスの各辺の中点の座標等のように、電子デバイス上において2次元に分布する点の座標であってもよい。
なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
100 :検査装置
110 :ローダ室
120 :収容室
121 :メインチャック
122 :プローブカード
122A :プローブ群
123 :アライメント機構
124 :温調器制御回路
125 :制御装置
130 :テストヘッド
131 :テスタ
220_1~220_4 :温度センサ
310 :温調器
320 :温度センサ選択部
330 :温度制御部
501 :電子デバイス位置情報取得部
502 :温度センサ位置情報取得部
503 :平均ベクトル算出部
504 :マハラノビス距離算出部
505 :選択部

Claims (8)

  1. 被検査体の検査を行う際の、載置台における該被検査体の位置を示す第1座標情報と、該載置台における複数の温度センサの位置を示す複数の第2座標情報とを取得する取得部と、
    前記第1座標情報の平均ベクトルにより特定される位置と、前記複数の温度センサの位置との間のマハラノビス距離を算出する算出部と、
    前記マハラノビス距離が最小となる温度センサを含む少なくとも1つの温度センサを選択する選択部と、
    選択された温度センサにより測定された温度データを用いて前記被検査体の温度制御を行う制御部と
    を有する検査装置。
  2. 前記第1座標情報の平均ベクトルは、前記被検査体の位置を示す座標のx座標の平均値及びy座標の平均値である、請求項1に記載の検査装置。
  3. 前記選択部は、前記マハラノビス距離が短い上位m個(mは1以上の整数)の温度センサを選択する、請求項1に記載の検査装置。
  4. 前記選択部により、複数の温度センサが選択された場合、前記制御部は、選択された複数の温度センサにより測定されたそれぞれの温度データを、前記マハラノビス距離に応じて重み付け加算する、請求項3に記載の検査装置。
  5. 前記取得部は、検査位置に移動した被検査体を撮影することで、前記第1座標情報を取得する、請求項1に記載の検査装置。
  6. 前記取得部は、前記被検査体の各頂点の座標である第1座標情報を取得する、請求項1に記載の検査装置。
  7. 被検査体の検査を行う際の、載置台における該被検査体の位置を示す第1座標情報と、該載置台における複数の温度センサの位置を示す複数の第2座標情報とを取得する取得工程と、
    前記第1座標情報の平均ベクトルにより特定される位置と、前記複数の温度センサの位置との間のマハラノビス距離を算出する算出工程と、
    前記マハラノビス距離が最小となる温度センサを含む少なくとも1つの温度センサを選択する選択工程と、
    選択された温度センサにより測定された温度データを用いて前記被検査体の温度制御を行う制御工程と
    を有する制御方法。
  8. 被検査体の検査を行う際の、載置台における該被検査体の位置を示す第1座標情報と、該載置台における複数の温度センサの位置を示す複数の第2座標情報とを取得する取得工程と、
    前記第1座標情報の平均ベクトルにより特定される位置と、前記複数の温度センサの位置との間のマハラノビス距離を算出する算出工程と、
    前記マハラノビス距離が最小となる温度センサを含む少なくとも1つの温度センサを選択する選択工程と、
    選択された温度センサにより測定された温度データを用いて前記被検査体の温度制御を行う制御工程と
    をコンピュータに実行させるための制御プログラム。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024191599A1 (en) * 2023-03-11 2024-09-19 Hsu Kai Yang Massively independent testers system

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073602A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Omron Corp 熱処理の異常検出方法、異常検出装置、温度調節器およびプログラム
JP2006294873A (ja) 2005-04-11 2006-10-26 Elpida Memory Inc プローバ装置及びその温度制御方法
JP2007066923A (ja) 2005-08-29 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置
JP2007109816A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Sharp Corp 集積回路検査装置
JP2007129091A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP2018190428A (ja) 2015-02-17 2018-11-29 富士通株式会社 判定装置、判定方法および判定プログラム

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280872B2 (ja) * 1996-10-23 2002-05-13 ニッタン株式会社 環境監視システムおよび異常検出方法および異常検出装置
JP2006165516A (ja) * 2004-11-12 2006-06-22 Tokyo Electron Ltd 熱処理板の付着物検出方法,熱処理装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4917981B2 (ja) 2007-07-10 2012-04-18 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査方法を記録したプログラム記録媒体
JP4420356B2 (ja) * 2009-01-15 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 ヒータ素線の寿命予測方法,熱処理装置,記録媒体,ヒータ素線の寿命予測処理システム
JP2011090382A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 監視システム
JP2015081695A (ja) * 2013-10-21 2015-04-27 三菱日立パワーシステムズ株式会社 炭素含有燃料熱交換器の監視・運転方法
CN103995229B (zh) * 2014-05-21 2016-06-22 浙江工业大学 一种基于特征选取和马氏距离的电机健康监测和异常诊断方法
KR20250029280A (ko) * 2016-01-08 2025-03-04 에어 테스트 시스템즈 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
JP6511702B2 (ja) * 2016-06-01 2019-05-15 三菱日立パワーシステムズ株式会社 監視装置、対象装置の監視方法、およびプログラム
KR102772156B1 (ko) * 2016-12-15 2025-02-25 세메스 주식회사 반도체 소자 검사 방법
JP7153556B2 (ja) * 2018-12-28 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 温度測定部材、検査装置及び温度測定方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073602A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Omron Corp 熱処理の異常検出方法、異常検出装置、温度調節器およびプログラム
JP2006294873A (ja) 2005-04-11 2006-10-26 Elpida Memory Inc プローバ装置及びその温度制御方法
JP2007066923A (ja) 2005-08-29 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置
US20090160472A1 (en) 2005-08-29 2009-06-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Wafer-level burn-in method and wafer-level burn-in apparatus
JP2007109816A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Sharp Corp 集積回路検査装置
JP2007129091A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP2018190428A (ja) 2015-02-17 2018-11-29 富士通株式会社 判定装置、判定方法および判定プログラム

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