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JP7538790B2 - Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method - Google Patents

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JP7538790B2 JP2021203601A JP2021203601A JP7538790B2 JP 7538790 B2 JP7538790 B2 JP 7538790B2 JP 2021203601 A JP2021203601 A JP 2021203601A JP 2021203601 A JP2021203601 A JP 2021203601A JP 7538790 B2 JP7538790 B2 JP 7538790B2
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Description

本発明は、露光装置、露光方法及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method for manufacturing an article.

半導体素子などのデバイスを製造するフォトリソグラフィ工程では、原版(レチクル又はマスク)を、投影光学系を介して、基板に転写する露光装置が用いられている。このような露光装置として、一般的に、ステップ・アンド・リピート方式を採用した露光装置(ステッパー)と、ステップ・アンド・スキャン方式を採用した露光装置(スキャナー)とが知られている。 In the photolithography process for manufacturing devices such as semiconductor elements, an exposure apparatus is used to transfer an original (reticle or mask) onto a substrate via a projection optical system. Generally, exposure apparatuses that employ the step-and-repeat method (stepper) and exposure apparatuses that employ the step-and-scan method (scanner) are known as such exposure apparatuses.

露光装置では、原版のパターンを基板に正確に転写するために、原版と基板との位置合わせ(アライメント)に加えて、焦点(フォーカス)位置合わせを高精度に行うことが求められ、それに関する技術も提案されている(特許文献1及び2参照)。なお、フォーカス位置合わせとは、投影光学系の像面と基板の表面との位置合わせを意味する。 In an exposure apparatus, in order to accurately transfer the pattern of the original onto the substrate, in addition to aligning the original and the substrate, highly accurate focus alignment is required, and related technologies have been proposed (see Patent Documents 1 and 2). Note that focus alignment refers to the alignment of the image plane of the projection optical system with the surface of the substrate.

特許文献1には、基板の被処理領域(露光領域)の位置を計測した結果から被処理領域を多項式(近似面形状)で表現して、フォーカス補正値をフィードフォワード処理することでフォーカス追従性(フォーカス残差)を改善する技術が開示されている。また、特許文献2には、基板の複数の位置を計測した結果から異常値を除去して算出されたフォーカス補正値を用いてフォーカス制御する技術が開示されている。 Patent Document 1 discloses a technique for improving focus tracking (focus residual) by expressing a processed area (exposure area) on a substrate as a polynomial (approximate surface shape) based on the results of measuring the position of the processed area, and then feed-forward processing the focus correction value. Patent Document 2 discloses a technique for controlling focus using a focus correction value calculated by removing abnormal values from the results of measuring multiple positions on the substrate.

特開2005-129674号公報JP 2005-129674 A 特開2016-100590号公報JP 2016-100590 A

しかしながら、露光領域ごとに、フォーカス位置合わせに用いられるフォーカス補正値が変動すると、フォーカス位置合わせにおける基板ステージ(基板)の駆動制御に関する残差、即ち、ステージ制御残差が発生しやすくなってしまう懸念がある。 However, if the focus correction value used for focus alignment varies for each exposure area, there is a concern that residuals related to the drive control of the substrate stage (substrate) during focus alignment, i.e., stage control residuals, may be more likely to occur.

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、ステージ制御残差を抑制するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。 The present invention has been made in consideration of the problems with the conventional technology, and has as an exemplary object to provide a technology that is advantageous for suppressing stage control residuals.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、原版を介して基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持する基板ステージと、前記基板の露光すべき複数の露光領域のそれぞれについて、当該露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を取得する取得部と、前記取得部で取得された前記表面位置に基づいて、前記複数の露光領域のそれぞれを露光する際の前記高さ方向に関する前記基板ステージの駆動を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の露光領域のそれぞれについて、前記取得部で取得された前記表面位置から前記露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面を求め、前記複数の露光領域のうち、前記近似面に関する情報が所定の範囲を超えていない第1露光領域については、前記第1露光領域よりも前に露光された露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面から得られた前記駆動に関する補正値に基づいて、前記駆動を制御することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that exposes a substrate through an original, and includes a substrate stage that holds the substrate, an acquisition unit that acquires the surface positions in the height direction of multiple measurement points of each of multiple exposure regions to be exposed on the substrate, and a control unit that controls the driving of the substrate stage in the height direction when exposing each of the multiple exposure regions based on the surface positions acquired by the acquisition unit, and the control unit determines, for each of the multiple exposure regions, an approximate surface that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure region from the surface positions acquired by the acquisition unit, and for a first exposure region among the multiple exposure regions in which information about the approximate surface does not exceed a predetermined range, controls the driving based on a correction value for the driving obtained from the approximate surface that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure region exposed before the first exposure region.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、ステージ制御残差を抑制するのに有利な技術を提供することができる。 The present invention can provide, for example, a technique that is advantageous for suppressing stage control residuals.

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to one aspect of the present invention. 照射系と、受光系と、基板上の計測点との関係の一例を示す図である。4 is a diagram showing an example of the relationship between an irradiation system, a light receiving system, and measurement points on a substrate. FIG. 基板上のショット領域に形成される計測点と、露光領域との関係を示す図である。1 is a diagram showing the relationship between measurement points formed in a shot area on a substrate and an exposure area. 基板上のショット領域における計測点と、各計測点における表面位置の計測結果とを示す図である。11 is a diagram showing measurement points in a shot area on a substrate and measurement results of the surface position at each measurement point. FIG. 各計測点における表面位置の計測結果の一例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of a measurement result of a surface position at each measurement point. 近似面に対して設定される閾値の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a threshold value set for an approximation surface. 基板上の欠けショット領域における計測点と、各計測点における表面位置の計測結果とを示す図である。11 is a diagram showing measurement points in a defective shot area on a substrate and measurement results of the surface position at each measurement point. FIG. 欠けショット領域における複数の計測点の位置関係を示す図である。11 is a diagram showing the positional relationship of a plurality of measurement points in a defective shot region; 欠けショット領域の近似面に対して設定される閾値の一例を示す図である。13 is a diagram showing an example of a threshold value set for an approximation surface of a missing shot area; FIG. 欠けショット領域の近似面に対して設定される閾値の一例を示す図である。13 is a diagram showing an example of a threshold value set for an approximation surface of a missing shot area; FIG. 露光領域の表面の実際の断面形状、予測断面形状、及び、露光領域の近似面に対して設定される閾値の一例を示す図である。13A and 13B are diagrams showing an example of an actual cross-sectional shape of a surface of an exposure region, a predicted cross-sectional shape, and threshold values set for an approximation surface of the exposure region; 露光処理を説明するためのフローチャートである。11 is a flowchart for explaining an exposure process. ステージ制御残差が改善されることを説明するための図である。FIG. 13 is a diagram for explaining an improvement in a stage control residual;

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 The following embodiments are described in detail with reference to the attached drawings. Note that the following embodiments do not limit the invention according to the claims. Although the embodiments describe multiple features, not all of these multiple features are necessarily essential to the invention, and multiple features may be combined in any manner. Furthermore, in the attached drawings, the same reference numbers are used for the same or similar configurations, and duplicate explanations are omitted.

図1は、本発明の一側面としての露光装置80の構成を示す概略図である。露光装置80は、半導体素子などのデバイスの製造工程であるリソグラフィ工程に用いられ、原版(レチクル又はマスク)を用いて基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置80は、原版を介して基板を露光して、原版のパターンを基板に転写する露光処理を行う。 Figure 1 is a schematic diagram showing the configuration of an exposure apparatus 80 according to one aspect of the present invention. The exposure apparatus 80 is a lithography apparatus used in a lithography process, which is a manufacturing process for devices such as semiconductor elements, and forms a pattern on a substrate using an original (reticle or mask). The exposure apparatus 80 performs an exposure process in which the substrate is exposed through the original and the pattern of the original is transferred to the substrate.

露光装置80は、本実施形態では、原版と基板とを走査方向に駆動しながら基板を露光(走査露光)して、原版のパターンを基板に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(スキャナー)である。但し、露光装置80は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式を採用することも可能である。 In this embodiment, the exposure device 80 is a step-and-scan exposure device (scanner) that exposes (scanning-exposes) the substrate while driving the original and the substrate in the scanning direction, thereby transferring the pattern of the original onto the substrate. However, the exposure device 80 can also employ the step-and-repeat method or other exposure methods.

なお、本明細書及び添付図面では、後述の投影光学系14の光軸に沿った方向をZ軸とし、Z軸に垂直な平面に平行な方向であり、互いに垂直な2つの方向をX軸、Y軸とするXYZ座標系で方向を示す。また、XYZ座標系におけるX軸、Y軸及びZ軸のそれぞれに平行な方向をX方向、Y方向及びZ方向とする。また、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向を、それぞれ、ωX方向、ωY方向、ωZ方向とする。以下の記載では、Z方向を高さ方向と称することがある。 In this specification and the attached drawings, directions are shown in an XYZ coordinate system in which the direction along the optical axis of the projection optical system 14 described below is defined as the Z axis, and two mutually perpendicular directions parallel to a plane perpendicular to the Z axis are defined as the X axis and the Y axis. The directions parallel to the X axis, Y axis, and Z axis in the XYZ coordinate system are defined as the X direction, Y direction, and Z direction, respectively. The rotation direction around the X axis, the Y axis, and the Z axis are defined as the ωX direction, the ωY direction, and the ωZ direction, respectively. In the following description, the Z direction may be referred to as the height direction.

露光装置80は、図1に示すように、照明光学系11と、原版12を保持する原版ステージ13と、投影光学系14と、基板15を保持する基板ステージ16と、第1計測部18と、第2計測部19と、第3計測部17と、制御部20とを有する。 As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 80 has an illumination optical system 11, an original stage 13 that holds an original 12, a projection optical system 14, a substrate stage 16 that holds a substrate 15, a first measurement unit 18, a second measurement unit 19, a third measurement unit 17, and a control unit 20.

制御部20は、例えば、CPUやメモリなどを含むコンピュータ(情報処理装置)で構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従って露光装置80の各部を統括的に制御する。制御部20は、本実施形態では、原版12に形成されたパターンを基板15に転写する(基板15を走査露光する)露光処理を制御する。 The control unit 20 is composed of, for example, a computer (information processing device) including a CPU, memory, etc., and controls each part of the exposure device 80 in accordance with a program stored in the storage unit. In this embodiment, the control unit 20 controls the exposure process that transfers the pattern formed on the original 12 to the substrate 15 (scanning and exposing the substrate 15).

照明光学系11は、マスキングブレードなどの遮光部材を含み、エキシマレーザなどの光源(不図示)から射出された光を、例えば、X方向に長手方向を有する帯状又は円弧状のスリット光に整形し、かかるスリット光で原版12の一部を照明する。 The illumination optical system 11 includes a light-shielding member such as a masking blade, and shapes the light emitted from a light source (not shown) such as an excimer laser into, for example, a strip-shaped or arc-shaped slit light having a longitudinal direction in the X direction, and illuminates a part of the original 12 with the slit light.

原版12及び基板15は、それぞれ、原版ステージ13及び基板ステージ16に保持され、投影光学系14を介して、光学的に共役な位置に配置される。 The original 12 and substrate 15 are held by the original stage 13 and substrate stage 16, respectively, and are positioned at optically conjugate positions via the projection optical system 14.

投影光学系14は、所定の投影倍率(例えば、1/2倍や1/4倍)を有し、原版12に形成されたパターンを基板15に投影する。原版12のパターンが投影された基板15の領域(即ち、スリット光が照射される領域であって、ショット領域に対する露光の単位となる領域)を、以下では、露光領域21と称する。 The projection optical system 14 has a predetermined projection magnification (e.g., 1/2 or 1/4), and projects the pattern formed on the original 12 onto the substrate 15. Hereinafter, the area of the substrate 15 onto which the pattern of the original 12 is projected (i.e., the area irradiated with the slit light, which is the unit of exposure for the shot area) is referred to as the exposure area 21.

原版ステージ13及び基板ステージ16は、投影光学系14の光軸(スリット光の光軸)と垂直な方向(例えば、Y方向)に駆動可能に構成されている。原版ステージ13と基板ステージ16とは、互いに同期させながら、投影光学系14の投影倍率に応じた速度比で相対的に駆動(走査)する。これにより、基板上で露光領域21を走査させて、原版12のパターンを基板15(ショット領域)に転写することができる。このような走査露光を基板上の複数のショット領域のそれぞれに順次繰り返すことで、1つの基板15に対する露光処理を完了させる。 The original stage 13 and the substrate stage 16 are configured to be drivable in a direction (e.g., the Y direction) perpendicular to the optical axis of the projection optical system 14 (the optical axis of the slit light). The original stage 13 and the substrate stage 16 are driven (scanned) relatively at a speed ratio according to the projection magnification of the projection optical system 14 while being synchronized with each other. This allows the exposure area 21 on the substrate to be scanned, and the pattern of the original 12 to be transferred to the substrate 15 (shot area). This scanning exposure is repeated sequentially for each of the multiple shot areas on the substrate, thereby completing the exposure process for one substrate 15.

第1計測部18は、例えば、レーザ干渉計を含み、原版ステージ13の位置を計測する。第1計測部18に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光を、原版ステージ13に設けられた反射板13aに照射し、反射板13aで反射されたレーザ光を検出することで、原版ステージ13における基準位置からの変位を計測する。第1計測部18は、原版ステージ13における基準位置からの変位に基づいて、原版ステージ13の現在の位置を取得することができる。 The first measurement unit 18 includes, for example, a laser interferometer, and measures the position of the master stage 13. The laser interferometer included in the first measurement unit 18 measures the displacement of the master stage 13 from a reference position by, for example, irradiating a laser light onto a reflector 13a provided on the master stage 13 and detecting the laser light reflected by the reflector 13a. The first measurement unit 18 can obtain the current position of the master stage 13 based on the displacement of the master stage 13 from the reference position.

第2計測部19は、例えば、レーザ干渉計を含み、基板ステージ16の位置を計測する。第2計測部19に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光を、基板ステージ16に設けられた反射板16aに照射し、反射板16aで反射されたレーザ光を検出することで、基板ステージ16における基準位置からの変位を計測する。第2計測部19は、基板ステージ16における基準位置からの変位に基づいて、基板ステージ16の現在の位置を取得することができる。 The second measurement unit 19 includes, for example, a laser interferometer, and measures the position of the substrate stage 16. The laser interferometer included in the second measurement unit 19 measures the displacement of the substrate stage 16 from a reference position by, for example, irradiating a laser light onto a reflector 16a provided on the substrate stage 16 and detecting the laser light reflected by the reflector 16a. The second measurement unit 19 can obtain the current position of the substrate stage 16 based on the displacement of the substrate stage 16 from the reference position.

第1計測部18で取得された原版ステージ13の現在の位置、及び、第2計測部19で取得された基板ステージ16の現在の位置に基づいて、制御部20において、原版ステージ13及び基板ステージ16のXY方向に関する駆動が制御される。なお、本実施形態では、第1計測部18及び第2計測部19のそれぞれは、原版ステージ13の位置及び基板ステージ16の位置を計測するために、レーザ干渉計を用いているが、これに限定されるものではなく、例えば、エンコーダを用いてもよい。 The control unit 20 controls the driving of the original stage 13 and the substrate stage 16 in the XY directions based on the current position of the original stage 13 acquired by the first measurement unit 18 and the current position of the substrate stage 16 acquired by the second measurement unit 19. In this embodiment, the first measurement unit 18 and the second measurement unit 19 each use a laser interferometer to measure the position of the original stage 13 and the position of the substrate stage 16, but this is not limited to this and, for example, an encoder may be used.

第3計測部17は、投影光学系14の像面に基板15の表面(以下、「基板面」と称する)を一致させるために用いられ、基板面の位置及び傾きを計測する機能を有する。第3計測部17は、本実施形態では、基板ステージ16が駆動している状態で、基板ステージ16に保持された基板15のショット領域の計測対象箇所(計測点)の表面位置(高さ方向の位置)を計測する。このように、第3計測部17は、基板15の露光すべき露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を取得する取得部として機能する。 The third measurement unit 17 is used to align the surface of the substrate 15 (hereinafter referred to as the "substrate surface") with the image plane of the projection optical system 14, and has the function of measuring the position and inclination of the substrate surface. In this embodiment, the third measurement unit 17 measures the surface position (height direction position) of the measurement target portion (measurement point) of the shot area of the substrate 15 held by the substrate stage 16 while the substrate stage 16 is in a driven state. In this way, the third measurement unit 17 functions as an acquisition unit that acquires the surface positions in the height direction of multiple measurement points of the exposure area of the substrate 15 to be exposed.

第3計測部17は、例えば、基板15に対して光を斜めから照射する斜入射型の計測ユニットとして構成される。第3計測部17は、基板15に光を照射する照射系17aと、基板15で反射された光を受光する受光系17bとを含む。 The third measurement unit 17 is configured, for example, as an oblique incidence type measurement unit that irradiates light obliquely onto the substrate 15. The third measurement unit 17 includes an irradiation system 17a that irradiates light onto the substrate 15, and a light receiving system 17b that receives light reflected by the substrate 15.

照射系17aは、例えば、光源70と、コリメータレンズ71と、スリット部材72と、照射光学系73と、ミラー74とを含む。受光系17bは、例えば、ミラー75と、受光光学系76と、補正光学系77と、光電変換素子78と、処理部79とを含む。 The irradiation system 17a includes, for example, a light source 70, a collimator lens 71, a slit member 72, an irradiation optical system 73, and a mirror 74. The light receiving system 17b includes, for example, a mirror 75, a light receiving optical system 76, a correction optical system 77, a photoelectric conversion element 78, and a processing unit 79.

光源70は、ランプ又は発光ダイオードなどを含み、基板上のレジスト剤(感光剤)が感光しない波長の光を射出する。コリメータレンズ71は、光源70から射出された光を、断面の強度分布がほぼ均一な平行光に変換する。スリット部材72は、一対のプリズム(プリズム形状の部材)を互いの斜面が相対するように貼り合わせて構成され、かかる貼り合わせ面には、複数の開口(例えば、9個のピンホール)がクロムなどの遮光膜を用いて形成されている。照射光学系73は、両側テレセントリック系であって、スリット部材72の複数の開口を通過した光のそれぞれを、ミラー74を介して、基板15のショット領域の複数の計測対象箇所(計測点)に入射させる(導光する)。 The light source 70 includes a lamp or a light-emitting diode, and emits light of a wavelength to which the resist agent (photosensitive agent) on the substrate is not photosensitive. The collimator lens 71 converts the light emitted from the light source 70 into parallel light with a nearly uniform cross-sectional intensity distribution. The slit member 72 is formed by bonding a pair of prisms (prism-shaped members) together so that their inclined surfaces face each other, and a number of openings (e.g., nine pinholes) are formed on the bonded surfaces using a light-shielding film such as chrome. The irradiation optical system 73 is a double-telecentric system, and each of the light beams that pass through the multiple openings of the slit member 72 is incident (guided) to a number of measurement target locations (measurement points) in the shot area of the substrate 15 via a mirror 74.

照射光学系73に対して、開口が形成された平面(貼り合わせ面)と基板面とは、シャインプルーフの条件を満たすように設定されている。本実施形態において、照射光学系73から基板15に入射する光の入射角度(投影光学系14の光軸となす角)は、70度以上である。また、図2に示すように、照射系17aは、基板面と平行な方向(XY方向)において、走査方向(Y方向)に対して、角度θ(例えば、22.5度)をなす方向から光を入射させるように構成されている。このように、複数(例えば、9個)の光を、基板上の複数(例えば、9個)の計測対象箇所、即ち、計測点30に入射させることで、複数の計測点30において、基板面の表面位置を独立して(個別に)計測することができる。図2は、照射系17aと、受光系17bと、基板上の計測点30との関係の一例を示す図である。 The plane (bonding surface) on which the opening is formed and the substrate surface are set so as to satisfy the Scheimpflug condition for the irradiation optical system 73. In this embodiment, the angle of incidence of light incident on the substrate 15 from the irradiation optical system 73 (angle with the optical axis of the projection optical system 14) is 70 degrees or more. As shown in FIG. 2, the irradiation system 17a is configured to cause light to be incident from a direction that forms an angle θ (e.g., 22.5 degrees) with respect to the scanning direction (Y direction) in a direction (XY direction) parallel to the substrate surface. In this way, by causing multiple (e.g., nine) beams of light to be incident on multiple (e.g., nine) measurement target locations on the substrate, i.e., measurement points 30, the surface positions of the substrate surface can be measured independently (individually) at the multiple measurement points 30. FIG. 2 is a diagram showing an example of the relationship between the irradiation system 17a, the light receiving system 17b, and the measurement points 30 on the substrate.

基板上の各計測対象箇所(計測点30)で反射された複数の光は、ミラー75を介して、受光光学系76に入射する。受光光学系76は、両側テレセントリック系である。受光光学系76は、基板上の各計測対象箇所で反射された複数の光に対して共通に設けられた絞りを含み、かかる絞りによって、基板上に形成されているパターンに起因して発生する高次の回折光(ノイズ光)を遮断する。 The multiple light beams reflected from each measurement target location (measurement point 30) on the substrate are incident on the light receiving optical system 76 via mirror 75. The light receiving optical system 76 is a double-telecentric system. The light receiving optical system 76 includes an aperture that is provided in common for the multiple light beams reflected from each measurement target location on the substrate, and this aperture blocks high-order diffracted light (noise light) generated due to the pattern formed on the substrate.

補正光学系77は、複数(例えば、9個)の補正レンズを含み、受光光学系76を通過した複数の光を、光電変換素子78の光電変換面(受光面)に結像して、かかる光電変換面に複数のピンホール像を形成する。光電変換素子78としては、例えば、CCDラインセンサやCMOSラインセンサなどが用いられる。処理部79は、光電変換素子78(の光電変換面)に形成される各ピンホール像の位置に基づいて、基板上の各計測対象箇所、即ち、計測点30における基板面の表面位置を算出(取得)する。なお、受光系17bでは、基板上の各計測点と光電変換素子78の光電変換面とが互いに共役となるように倒れ補正を行っている。従って、光電変換素子78の光電変換面に形成される各ピンホール像の位置は、基板上の各計測点の局所的な傾きによっては変化しない。 The correction optical system 77 includes multiple (e.g., nine) correction lenses, and focuses the multiple lights that have passed through the light receiving optical system 76 on the photoelectric conversion surface (light receiving surface) of the photoelectric conversion element 78 to form multiple pinhole images on the photoelectric conversion surface. For example, a CCD line sensor or a CMOS line sensor is used as the photoelectric conversion element 78. The processing unit 79 calculates (obtains) the surface position of each measurement target location on the substrate, i.e., the substrate surface at the measurement point 30, based on the position of each pinhole image formed on (the photoelectric conversion surface of) the photoelectric conversion element 78. In addition, in the light receiving system 17b, tilt correction is performed so that each measurement point on the substrate and the photoelectric conversion surface of the photoelectric conversion element 78 are conjugate with each other. Therefore, the position of each pinhole image formed on the photoelectric conversion surface of the photoelectric conversion element 78 does not change depending on the local tilt of each measurement point on the substrate.

このように、照射系17aと受光系17bとを構成することによって、第3計測部17は、光電変換素子78の光電変換面に形成される各ピンホール像の位置から、基板上の各計測点における基板面の表面位置を計測することができる。そして、制御部20において、第3計測部17の計測結果に基づいて、基板15の基板面が目標面(目標高さ位置)に一致するように、基板ステージ16のZ方向に関する駆動(フォーカス駆動)が制御される。ここで、目標面とは、原版12のパターンの結像面、即ち、投影光学系14の像面の位置(ベストフォーカス位置(最適露光位置))である。但し、目標面とは、投影光学系14の像面の位置に完全に一致する位置を意味するものではなく、許容焦点深度の範囲内を含むものである。 By configuring the irradiation system 17a and the light receiving system 17b in this way, the third measurement unit 17 can measure the surface position of the substrate surface at each measurement point on the substrate from the position of each pinhole image formed on the photoelectric conversion surface of the photoelectric conversion element 78. Then, in the control unit 20, the drive (focus drive) in the Z direction of the substrate stage 16 is controlled based on the measurement result of the third measurement unit 17 so that the substrate surface of the substrate 15 coincides with the target surface (target height position). Here, the target surface is the image formation surface of the pattern of the original 12, that is, the position of the image surface of the projection optical system 14 (best focus position (optimum exposure position)). However, the target surface does not mean a position that completely coincides with the position of the image surface of the projection optical system 14, but includes the range of the allowable focal depth.

図3は、第3計測部17が基板上のショット領域15aに形成する9つの計測点30(30a~30a、30b~30b、30c~30c)と、露光領域21との関係を示す図である。露光領域21は、図3に破線で示す矩形形状の領域である。計測点30a~30aは、露光領域21(の内側)に形成された計測点である。計測点30a~30aは、基板上の計測対象箇所の露光に並行して、かかる計測対象箇所における基板面の表面位置が計測される、所謂、フォーカス計測が行われる計測点である。また、計測点30b~30b及び30c~30cは、露光領域21に形成された計測点30a~30aから走査方向(Y方向)に距離Lpだけ離れた位置に形成された計測点である。計測点30b~30b及び30c~30cは、基板上の計測対象箇所の露光に先立って、かかる計測対象箇所における基板面の表面位置が計測される、所謂、フォーカス計測が行われる計測点である。 FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the nine measurement points 30 (30a 1 to 30a 3 , 30b 1 to 30b 3 , 30c 1 to 30c 3 ) formed by the third measurement unit 17 in the shot area 15a on the substrate and the exposure area 21. The exposure area 21 is a rectangular area shown by a dashed line in FIG. 3. The measurement points 30a 1 to 30a 3 are measurement points formed in (the inside of) the exposure area 21. The measurement points 30a 1 to 30a 3 are measurement points at which so-called focus measurement is performed, in which the surface position of the substrate surface at the measurement target location on the substrate is measured in parallel with exposure of the measurement target location on the substrate. Moreover, the measurement points 30b 1 to 30b 3 and 30c 1 to 30c 3 are measurement points formed at positions spaced a distance Lp in the scanning direction (Y direction) from the measurement points 30a 1 to 30a 3 formed in the exposure area 21. The measurement points 30b 1 to 30b 3 and 30c 1 to 30c 3 are measurement points where so-called focus measurement is performed, that is, the surface position of the substrate surface at a measurement target location on the substrate is measured prior to exposure of the measurement target location on the substrate.

制御部20は、基板ステージ16を駆動する方向(走査方向)に応じて、基板上の計測対象箇所の表面位置の計測、即ち、フォーカス計測に用いる計測点を切り替える。例えば、図3を参照するに、基板ステージ16を矢印Fに示す方向に駆動して走査露光を行う場合、露光領域21に形成された計測点30a~30aにおけるフォーカス計測に先立って、計測点30b~30bにおけるフォーカス計測が行われる。この際、制御部20は、計測点30b~30bにおけるフォーカス計測の結果に基づいて、計測点30b~30bを含む領域の表面位置を目標高さ位置に配置するための指令値を決定する。そして、制御部20は、決定した指令値に従って、計測点30b~30bを含む領域が、露光領域21となる(露光領域21に到達する)までに、目標高さ位置に配置されるように、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。 The control unit 20 switches the measurement points used for measuring the surface position of the measurement target portion on the substrate, that is, for focus measurement, according to the direction (scanning direction) in which the substrate stage 16 is driven. For example, referring to FIG. 3, when scanning exposure is performed by driving the substrate stage 16 in the direction indicated by the arrow F, focus measurement is performed at the measurement points 30b 1 to 30b 3 prior to focus measurement at the measurement points 30a 1 to 30a 3 formed in the exposure region 21. At this time, the control unit 20 determines a command value for locating the surface position of the region including the measurement points 30b 1 to 30b 3 at the target height position based on the result of the focus measurement at the measurement points 30b 1 to 30b 3. Then, the control unit 20 controls the focus drive of the substrate stage 16 according to the determined command value so that the region including the measurement points 30b 1 to 30b 3 is located at the target height position by the time it becomes the exposure region 21 (reaches the exposure region 21).

一方、基板ステージ16を矢印Rに示す方向に駆動して走査露光を行う場合、露光領域21に形成された計測点30a~30aにおけるフォーカス計測に先立って、計測点30c~30cにおけるフォーカス計測が行われる。この際、制御部20は、計測点30c~30cにおけるフォーカス計測の結果に基づいて、計測点30c~30cを含む領域の表面位置を目標高さ位置に配置するための指令値を決定する。そして、制御部20は、決定した指令値に従って、計測点30c~30cを含む領域が、露光領域21となるまでに、目標高さ位置に配置されるように、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。 On the other hand, when scanning exposure is performed by driving the substrate stage 16 in the direction indicated by the arrow R, focus measurement is performed at the measurement points 30c1 to 30c3 prior to focus measurement at the measurement points 30a1 to 30a3 formed in the exposure area 21. At this time, the control unit 20 determines a command value for locating the surface position of the area including the measurement points 30c1 to 30c3 at the target height position based on the result of the focus measurement at the measurement points 30c1 to 30c3 . Then, the control unit 20 controls the focus drive of the substrate stage 16 in accordance with the determined command value so that the area including the measurement points 30c1 to 30c3 is located at the target height position by the time it becomes the exposure area 21.

ここで、図4を参照して、基板ステージ16を矢印Fに示す方向に駆動して走査露光を行う場合に、基板ステージ16の同期精度を向上させる手法について説明する。図4は、基板上のショット領域15aにおける計測点30c~30cと、各計測点における表面位置の計測結果(フォーカス計測の結果)z1~z3とを示す図である。従来技術では、制御部20は、計測点30c~30cのそれぞれにおける表面位置の計測結果z1~z3から、露光領域21の表面の断面形状を近似して表す近似面を算出する。そして、制御部20は、近似面の傾き(基板ステージのωX方向とωY方向の回転)と、フォーカス計測の結果とに基づいて、上述したように、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。なお、基板ステージ16の急激な駆動に起因する同期誤差の低下を回避するために、基板ステージ16の駆動量には、一般的には、上限となる駆動量(上限駆動量)が設けられている。従って、フォーカス駆動において、基板ステージ16の駆動量が上限を超える場合には、基板ステージ16は、上限駆動量で駆動される。 Here, a method for improving the synchronization accuracy of the substrate stage 16 when scanning exposure is performed by driving the substrate stage 16 in the direction indicated by the arrow F will be described with reference to FIG. 4. FIG. 4 is a diagram showing measurement points 30c 1 to 30c 3 in a shot area 15a on a substrate and measurement results (results of focus measurement) z1 to z3 of the surface position at each measurement point. In the conventional technology, the control unit 20 calculates an approximation surface that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure area 21 from the measurement results z1 to z3 of the surface position at each of the measurement points 30c 1 to 30c 3. Then, the control unit 20 controls the focus drive of the substrate stage 16 as described above based on the inclination of the approximation surface (rotation of the substrate stage in the ωX direction and the ωY direction) and the result of the focus measurement. Note that in order to avoid a decrease in synchronization error caused by abrupt driving of the substrate stage 16, the drive amount of the substrate stage 16 is generally provided with an upper limit drive amount (upper limit drive amount). Therefore, in focus drive, if the drive amount of the substrate stage 16 exceeds the upper limit, the substrate stage 16 is driven at the upper limit drive amount.

以下、フォーカス駆動において、基板ステージ16の駆動制御に関する残差、即ち、ステージ制御残差を抑制するための技術を各実施形態で説明する。なお、ステージ制御残差は、フォーカス残差の要因の1つである。 Below, in each embodiment, a technique for suppressing residuals related to the drive control of the substrate stage 16 during focus drive, i.e., stage control residuals, is described. Note that stage control residuals are one of the causes of focus residuals.

<第1実施形態>
図4に示すように、基板15の表面の断面形状w1が平面となる場合、理想的には、基板15の表面の断面形状w1と同一の近似面が算出されるため、基板ステージ16が平面となるように、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。但し、実際には、計測点30c~30cのそれぞれにおける計測結果z1~z3には、図4に示すように、計測誤差s1~s3が含まれている。従って、基板15の表面の断面形状w1が平面である場合であっても、計測点30c~30cのそれぞれにおける計測結果z1~z3は、図5(a)及び図5(b)に示すように、ばらつくことになる。図5(a)及び図5(b)は、計測誤差を含む、計測点30c~30cのそれぞれにおける計測結果z1~z3の一例を示す図である。基板15の表面の断面形状w1が同一の平面形状であっても、図5(a)に示す計測結果z1~z3からは近似面100が算出され、図5(b)に示す計測結果z1~z3からは近似面101が算出される。このように、計測誤差に起因して、各計測点における計測結果から算出される近似面が露光領域ごとに変動すると、かかる近似面から得られるフォーカス駆動に関する補正値(フォーカス補正値)も変動することになる。その結果、基板ステージ16の駆動制御に不必要な外乱を与えてしまい、ステージ制御残差が発生してしまう(基板ステージ16の同期精度が低下してしまう)。
First Embodiment
As shown in Fig. 4, when the cross-sectional shape w1 of the surface of the substrate 15 is a plane, ideally, an approximation surface identical to the cross-sectional shape w1 of the surface of the substrate 15 is calculated, so that the focus drive of the substrate stage 16 is controlled so that the substrate stage 16 becomes a plane. However, in reality, the measurement results z1 to z3 at the measurement points 30c 1 to 30c 3 each contain measurement errors s1 to s3 as shown in Fig. 4. Therefore, even if the cross-sectional shape w1 of the surface of the substrate 15 is a plane, the measurement results z1 to z3 at the measurement points 30c 1 to 30c 3 each vary as shown in Fig. 5(a) and Fig. 5(b). Fig. 5(a) and Fig. 5(b) are diagrams showing examples of the measurement results z1 to z3 at the measurement points 30c 1 to 30c 3 each including measurement errors. Even if the cross-sectional shape w1 of the surface of the substrate 15 is the same planar shape, an approximate surface 100 is calculated from the measurement results z1 to z3 shown in Fig. 5(a), and an approximate surface 101 is calculated from the measurement results z1 to z3 shown in Fig. 5(b). In this way, if the approximate surface calculated from the measurement results at each measurement point varies for each exposure area due to measurement errors, the correction value (focus correction value) related to focus drive obtained from the approximate surface will also vary. As a result, unnecessary disturbance is applied to the drive control of the substrate stage 16, causing a stage control residual (reducing the synchronization accuracy of the substrate stage 16).

そこで、本実施形態では、基板上の各計測点における表面位置の計測結果から算出される近似面(から得られるフォーカス補正値)に対して規定の閾値の範囲(所定の範囲)を設定する。そして、近似面と規定の閾値の範囲とを比較して、近似面から得られるフォーカス補正値をフォーカス駆動に適用するかどうかを判定する。 Therefore, in this embodiment, a specified threshold range (predetermined range) is set for the approximation surface (the focus correction value obtained from the approximation surface) calculated from the measurement results of the surface position at each measurement point on the substrate. The approximation surface is then compared with the specified threshold range to determine whether or not to apply the focus correction value obtained from the approximation surface to focus driving.

図6は、計測点30c~30cのそれぞれにおける計測結果から算出される近似面105の傾き(本実施形態では、ωY方向の回転)に対して設定される閾値102(の範囲)の一例を示す図である。閾値102は、本実施形態では、計測点30c~30cに対する第3計測部17の計測精度103と、計測点30c~30cに対する第3計測部17の計測スパン104(計測範囲)とに基づいて設定(規定)される。具体的には、閾値102(の範囲)は、図6に示すように、2つの線102a及び102bで挟まれた範囲によって規定される。線102aは、計測スパン104の両端に位置する計測点30c及び30cのうち、1つの計測点30cでの計測精度103の下限値と、他方の計測点30cでの計測精度103の上限値とを結んだ線である。また、線102bは、計測スパン104の両端に位置する計測点30c及び30cのうち、1つの計測点30cでの計測精度103の上限値と、他方の計測点30cでの計測精度103の下限値とを結んだ線である。計測精度103は、事前に評価した各計測点における第3計測部17の表面位置の計測結果の標準偏差を用いてもよいし、計測単位(チャンネル)である計測点のそれぞれで異なる値を用いてもよい。計測スパン104は、第3計測部17が形成する複数の計測点のうち、表面位置を計測することが可能な計測点(有効チャンネル)に基づいて決定される。従って、例えば、欠けショット領域に関しては、基板上にない計測点(無効チャンネル)を除外して、計測スパン104が決定される。 FIG. 6 is a diagram showing an example of a threshold value 102 (range) set for the inclination (rotation in the ωY direction in this embodiment) of the approximation surface 105 calculated from the measurement results at each of the measurement points 30c 1 to 30c 3. In this embodiment, the threshold value 102 is set (defined) based on the measurement accuracy 103 of the third measurement unit 17 for the measurement points 30c 1 to 30c 3 and the measurement span 104 (measurement range) of the third measurement unit 17 for the measurement points 30c 1 to 30c 3. Specifically, the threshold value 102 (range) is defined by the range sandwiched between two lines 102a and 102b as shown in FIG. 6. The line 102a is a line connecting the lower limit of the measurement accuracy 103 at one measurement point 30c 1 and the upper limit of the measurement accuracy 103 at the other measurement point 30c 3 among the measurement points 30c 1 and 30c 3 located at both ends of the measurement span 104. Moreover, the line 102b is a line connecting the upper limit value of the measurement accuracy 103 at one measurement point 30c1 and the lower limit value of the measurement accuracy 103 at the other measurement point 30c3 among the measurement points 30c1 and 30c3 located at both ends of the measurement span 104. The measurement accuracy 103 may use the standard deviation of the measurement results of the surface position of the third measurement unit 17 at each measurement point evaluated in advance, or may use different values for each measurement point, which is a measurement unit (channel). The measurement span 104 is determined based on the measurement points (effective channels) that can measure the surface position among the multiple measurement points formed by the third measurement unit 17. Therefore, for example, for a missing shot area, the measurement span 104 is determined by excluding the measurement points (invalid channels) that are not on the substrate.

図6を参照するに、本実施形態では、制御部20において、傾きが閾値102の範囲内の近似面105が算出された場合には、近似面105から得られるフォーカス補正値は適用せずに、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。具体的には、これから露光する露光領域よりも前に露光された露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面から得られたフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。例えば、これから露光する露光領域の直前に露光された露光領域を露光する際に適用されたフォーカス補正値を引き継いで、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。一方、制御部20において、傾きが閾値102の範囲外の近似面106が算出された場合には、近似面106から得られるフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。 Referring to FIG. 6, in this embodiment, when the control unit 20 calculates an approximate surface 105 whose inclination is within the range of the threshold value 102, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled without applying the focus correction value obtained from the approximate surface 105. Specifically, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximate surface that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure area that was exposed before the exposure area to be exposed. For example, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled by taking over the focus correction value applied when exposing the exposure area that was exposed immediately before the exposure area to be exposed. On the other hand, when the control unit 20 calculates an approximate surface 106 whose inclination is outside the range of the threshold value 102, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximate surface 106.

本実施形態では、近似面の傾きが閾値102の範囲を超えていない露光領域(第1露光領域)については、かかる露光領域よりも前に露光された露光領域の近似面から得られたフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。これにより、フォーカス駆動において、第3計測部17の計測精度に起因する不必要な基板ステージ16の駆動制御が低減されるため、ステージ制御残差の発生を抑制することができる(基板ステージ16の同期誤差を改善することができる)。 In this embodiment, for an exposure area (first exposure area) in which the inclination of the approximation surface does not exceed the range of the threshold value 102, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximation surface of an exposure area exposed prior to that exposure area. This reduces unnecessary drive control of the substrate stage 16 caused by the measurement accuracy of the third measurement unit 17 during focus drive, thereby suppressing the occurrence of stage control residuals (improving synchronization error of the substrate stage 16).

一方、近似面の傾きが閾値102の範囲を超えていない露光領域(第2露光領域)については、かかる露光領域の近似面から得られたフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。従って、露光領域の近似面が大きく変動する場合には、露光領域の表面の断面形状に応じて、基板ステージ16のフォーカス駆動を高精度に制御することが可能であるため、フォーカス残差の発生を抑制することができる。 On the other hand, for an exposure area (second exposure area) where the inclination of the approximation surface does not exceed the range of the threshold value 102, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximation surface of the exposure area. Therefore, when the approximation surface of the exposure area varies significantly, it is possible to control the focus drive of the substrate stage 16 with high precision according to the cross-sectional shape of the surface of the exposure area, thereby suppressing the occurrence of focus residuals.

なお、最初に露光する露光領域(第3露光領域)については、それよりも前にフォーカス補正値が得られていない。従って、最初に露光する露光領域については、近似面の傾きが閾値102の範囲内か範囲外かに関わらず、かかる露光領域の近似面から得られたフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。 Note that for the first exposure area (third exposure area), no focus correction value has been obtained prior to that. Therefore, for the first exposure area, regardless of whether the inclination of the approximation surface is within or outside the range of threshold 102, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximation surface of that exposure area.

本実施形態では、近似面の傾き(ωY方向の回転)を例に説明したが、近似面の傾き(ωX方向の回転)に関しても同様にフォーカス駆動を制御することが可能である。また、近似面の高さ方向の位置に対して所定の範囲を設定して、近似面の高さ方向の位置が所定の範囲を超えた場合、近似面から得られたフォーカス駆動に関する補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御してもよい。また、近似面の高さ方向の位置が所定の範囲を超えない場合、例えば、直前に露光された露光領域を露光する際に適用されたフォーカス駆動に関する補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御してもよい。 In this embodiment, the tilt of the approximation surface (rotation in the ωY direction) has been described as an example, but it is also possible to control the focus drive in the same way for the tilt of the approximation surface (rotation in the ωX direction). In addition, a predetermined range may be set for the height position of the approximation surface, and if the height position of the approximation surface exceeds the predetermined range, the focus drive of the substrate stage 16 may be controlled based on a correction value for focus drive obtained from the approximation surface. In addition, if the height position of the approximation surface does not exceed the predetermined range, the focus drive of the substrate stage 16 may be controlled based on, for example, a correction value for focus drive applied when exposing the exposure area that was previously exposed.

つまり、近似面に関する情報が所定の範囲を超えた場合、近似面から得られたフォーカス駆動に関するフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。また、近似面に関する情報が所定の範囲を超えない場合、例えば、直前に露光された露光領域を露光する際に適用されたフォーカス補正値に基づいてフォーカス駆動を制御する。ここで、近似面に関する情報は、近似面の傾き及び近似面の高さ方向の位置のうち少なくとも1つを含む。 In other words, if the information about the approximation surface exceeds a predetermined range, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on a focus correction value related to focus drive obtained from the approximation surface. Also, if the information about the approximation surface does not exceed the predetermined range, the focus drive is controlled based on, for example, the focus correction value applied when exposing the exposure area that was previously exposed. Here, the information about the approximation surface includes at least one of the inclination of the approximation surface and the height position of the approximation surface.

<第2実施形態>
本実施形態では、基板15のショット領域のうち、基板15の外周部を含む欠けショット領域において、ステージ制御残差(フォーカス残差)を低減する技術について説明する。図7は、基板15の外周部を含む欠けショット領域15bにおける計測点30c~30cと、計測点30c及び30cにおける表面位置の計測結果(フォーカス計測の結果)z1~z2とを示す図である。図7を参照するに、欠けショット領域15bにおいて、計測点30cは基板上にない計測点(無効チャンネル)であるため、第3計測部17は、計測点30cに関しては表面位置を計測することができない。その結果、第3計測部17の計測スパンが狭くなり、計測点30c及び30cを含む露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面111の精度が低下する。
Second Embodiment
In this embodiment, a technique for reducing a stage control residual (focus residual) in a defective shot region including the outer periphery of the substrate 15 among the shot regions of the substrate 15 will be described. FIG. 7 is a diagram showing measurement points 30c 1 to 30c 3 in a defective shot region 15b including the outer periphery of the substrate 15, and measurement results (focus measurement results) z1 to z2 of the surface position at the measurement points 30c 1 and 30c 2. Referring to FIG. 7, in the defective shot region 15b, since the measurement point 30c 3 is a measurement point (invalid channel) that is not on the substrate, the third measurement unit 17 cannot measure the surface position for the measurement point 30c 3. As a result, the measurement span of the third measurement unit 17 becomes narrower, and the accuracy of the approximation surface 111 that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure region including the measurement points 30c 1 and 30c 2 decreases.

図8(a)及び図8(b)は、第3計測部17が基板15の外周部を含む欠けショット領域15c及び15dのそれぞれに形成する複数の計測点30c~30cの位置関係を示す図である。計測点30c~30cは、X方向に並んで形成されている。 8A and 8B are diagrams showing the positional relationship of a plurality of measurement points 30c1 to 30c6 formed by the third measurement unit 17 in each of the missing shot regions 15c and 15d including the outer periphery of the substrate 15. The measurement points 30c1 to 30c6 are formed side by side in the X direction.

図8(a)を参照するに、欠けショット領域15cでは、計測点30c~30c4が有効チャンネルとなり、計測点30c及び30cが無効チャンネルとなる。また、図8(b)を参照するに、欠けショット領域15dでは、計測点30c及び30c2が有効チャンネルとなり、計測点30c~30cが無効チャンネルとなる。このように、有効チャンネルの数に応じて、第3計測部17の計測スパンが変化するため、近似面の精度も変化する。 8A, in the missing shot region 15c, the measurement points 30c1 to 30c4 are valid channels, and the measurement points 30c5 and 30c6 are invalid channels. Also, in the missing shot region 15d, the measurement points 30c1 and 30c2 are valid channels, and the measurement points 30c1 to 30c6 are invalid channels. In this way, the measurement span of the third measurement unit 17 changes according to the number of valid channels, and the accuracy of the approximation surface also changes.

本実施形態では、近似面に対して設定される閾値を露光領域ごとに最適化することで、基板15の外周部を含む欠けショット領域であっても、基板ステージ16のフォーカス駆動を高精度に制御することを可能にする。 In this embodiment, the threshold value set for the approximation surface is optimized for each exposure area, making it possible to control the focus drive of the substrate stage 16 with high precision even in a missing shot area that includes the outer periphery of the substrate 15.

図9は、基板15の外周部を含む欠けショット領域の近似面111に対して設定される閾値112の一例を示す図である。図9を参照するに、第3計測部17の計測精度103は一定であるが、第3計測部17の計測スパン113が短くなる。従って、欠けショット領域の近似面111に対して設定される閾値112の範囲、即ち、2つの線112a及び112bで挟まれた範囲は、通常のショット領域の近似面105に対して設定される閾値102(図6参照)の範囲よりも広くなる。 Figure 9 is a diagram showing an example of the threshold value 112 set for the approximation surface 111 of the missing shot area including the outer periphery of the substrate 15. Referring to Figure 9, the measurement accuracy 103 of the third measurement unit 17 is constant, but the measurement span 113 of the third measurement unit 17 is shortened. Therefore, the range of the threshold value 112 set for the approximation surface 111 of the missing shot area, i.e., the range sandwiched between the two lines 112a and 112b, is wider than the range of the threshold value 102 (see Figure 6) set for the approximation surface 105 of a normal shot area.

制御部20において、傾きが閾値112の範囲内の近似面111が算出された場合には、第1実施形態と同様に、近似面111から得られるフォーカス補正値は適用せずに、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。一方、制御部20において、傾きが閾値112の範囲外の近似面114が算出された場合には、近似面114から得られるフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。 When the control unit 20 calculates an approximation surface 111 whose inclination is within the range of the threshold value 112, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled without applying the focus correction value obtained from the approximation surface 111, as in the first embodiment. On the other hand, when the control unit 20 calculates an approximation surface 114 whose inclination is outside the range of the threshold value 112, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximation surface 114.

図10(a)及び図10(b)は、第3計測部17がX方向に複数の計測点30c~30cを形成する場合に、欠けショット領域の近似面に対して設定される閾値の一例を示す図である。図10(a)を参照するに、計測点30c~30cのうち、有効チャンネルである計測点30c~30cから第3計測部17の計測スパン118が決定される。そして、第3計測部17の計測精度103と、第3計測部17の計測スパン118とに基づいて、閾値119が設定される。また、図10(b)を参照するに、計測点30c~30cのうち、有効チャンネルである計測点30c及び30cから第3計測部17の計測スパン120が決定される。そして、第3計測部17の計測精度103と、第3計測部17の計測スパン120とに基づいて、閾値121が設定される。 10A and 10B are diagrams showing an example of thresholds set for an approximation surface of a missing shot region when the third measurement unit 17 forms a plurality of measurement points 30c 1 to 30c 6 in the X direction. Referring to FIG. 10A, a measurement span 118 of the third measurement unit 17 is determined from the measurement points 30c 1 to 30c 4 , which are valid channels among the measurement points 30c 1 to 30c 6. Then, a threshold 119 is set based on the measurement accuracy 103 of the third measurement unit 17 and the measurement span 118 of the third measurement unit 17. Also, referring to FIG. 10B, a measurement span 120 of the third measurement unit 17 is determined from the measurement points 30c 1 and 30c 2 , which are valid channels among the measurement points 30c 1 to 30c 6. Then, a threshold 121 is set based on the measurement accuracy 103 of the third measurement unit 17 and the measurement span 120 of the third measurement unit 17.

本実施形態によれば、基板15の外周部を含む欠けショット領域に対しても、基板ステージ16のフォーカス駆動を高精度に制御することが可能となるため、ステージ制御残差の発生を抑制することができる。 According to this embodiment, it is possible to control the focus drive of the substrate stage 16 with high precision even for missing shot areas including the outer periphery of the substrate 15, thereby suppressing the occurrence of stage control residuals.

<第3実施形態>
本実施形態では、制御部20は、基板15のショット領域の表面位置の計測結果や隣接するショット領域の表面位置の計測結果に基づいて、露光領域の表面の断面形状を予測して、露光領域の表面の実際の断面形状w2に対する予測断面形状w3を取得する。なお、予測断面形状w3は、関数近似、例えば、3次関数近似を実施することで取得される。
Third Embodiment
In this embodiment, the control unit 20 predicts the cross-sectional shape of the surface of the exposure area based on the measurement results of the surface position of the shot area of the substrate 15 and the measurement results of the surface position of adjacent shot areas, and obtains a predicted cross-sectional shape w3 for the actual cross-sectional shape w2 of the surface of the exposure area. The predicted cross-sectional shape w3 is obtained by performing a function approximation, for example, a cubic function approximation.

図11は、露光領域の表面の実際の断面形状w2、露光領域の表面の予測断面形状w3、及び、露光領域の近似面に対して設定される閾値の一例を示す図である。図11を参照するに、本実施形態では、第3計測部17の計測精度103と、第3計測部17の計測スパン104と、予測断面形状w3とに基づいて、閾値115が設定されている。具体的には、予測断面形状w3を基準として、第3計測部17の計測精度103及び計測スパン104から閾値115を設定している。従って、閾値115の範囲、即ち、2つの線115a及び115bで挟まれた範囲は、閾値102(図6参照)の範囲に対してシフトすることになる。 Figure 11 is a diagram showing an example of thresholds set for the actual cross-sectional shape w2 of the surface of the exposure region, the predicted cross-sectional shape w3 of the surface of the exposure region, and the approximation surface of the exposure region. Referring to Figure 11, in this embodiment, the threshold 115 is set based on the measurement accuracy 103 of the third measurement unit 17, the measurement span 104 of the third measurement unit 17, and the predicted cross-sectional shape w3. Specifically, the threshold 115 is set from the measurement accuracy 103 and measurement span 104 of the third measurement unit 17 with the predicted cross-sectional shape w3 as a reference. Therefore, the range of the threshold 115, i.e., the range between the two lines 115a and 115b, shifts relative to the range of the threshold 102 (see Figure 6).

制御部20において、傾きが閾値115の範囲内の近似面116が算出された場合には、近似面116から得られるフォーカス補正値は適用せずに、予測断面形状w3から得られるフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。一方、制御部20において、傾きが閾値115の範囲外の近似面117が算出された場合には、近似面117から得られるフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御する。 When the control unit 20 calculates an approximation surface 116 whose inclination is within the range of the threshold value 115, the focus correction value obtained from the approximation surface 116 is not applied, and the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the predicted cross-sectional shape w3. On the other hand, when the control unit 20 calculates an approximation surface 117 whose inclination is outside the range of the threshold value 115, the focus drive of the substrate stage 16 is controlled based on the focus correction value obtained from the approximation surface 117.

本実施形態によれば、基板ステージ16のフォーカス駆動を高精度に制御することが可能となるため、ステージ制御残差の発生を抑制することができる。本実施形態は、特に、第3計測部17の計測精度に起因する近似面の変動に基板15の表面の断面形状の変化が埋もれてしまう場合に有用である。 According to this embodiment, it is possible to control the focus drive of the substrate stage 16 with high precision, thereby suppressing the occurrence of stage control residuals. This embodiment is particularly useful in cases where changes in the cross-sectional shape of the surface of the substrate 15 are overshadowed by fluctuations in the approximation surface caused by the measurement precision of the third measurement unit 17.

<第4実施形態>
図12を参照して、露光装置80における露光処理(露光方法)について説明する。図12は、本実施形態における露光処理を説明するためのフローチャートである。
Fourth Embodiment
The exposure process (exposure method) in the exposure device 80 will be described with reference to Fig. 12. Fig. 12 is a flow chart for explaining the exposure process in this embodiment.

S1002において、制御部20は、基板15の各計測点におけるフォーカス計測の結果に基づいて、各計測点を含む露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面を算出する。 In S1002, the control unit 20 calculates an approximate surface that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure area that includes each measurement point based on the focus measurement results at each measurement point on the substrate 15.

S1004において、制御部20は、S1002で算出された近似面から得られるフォーカス補正値に基づいて、フォーカス駆動における基板ステージ16の駆動量が上限を超えるかどうかを判定する。フォーカス駆動における基板ステージ16の駆動量が上限を超える場合には、S1006に移行する。一方、フォーカス駆動における基板ステージ16の駆動量が上限を超えない場合には、S1008に移行する。 In S1004, the control unit 20 determines whether the drive amount of the substrate stage 16 in focus drive exceeds the upper limit based on the focus correction value obtained from the approximation surface calculated in S1002. If the drive amount of the substrate stage 16 in focus drive exceeds the upper limit, the process proceeds to S1006. On the other hand, if the drive amount of the substrate stage 16 in focus drive does not exceed the upper limit, the process proceeds to S1008.

S1006において、制御部20は、基板ステージ16を上限駆動量で駆動するようにフォーカス駆動を制御しながら、基板15の露光領域を露光(走査露光)する。 In S1006, the control unit 20 exposes (scans and exposes) the exposure area of the substrate 15 while controlling the focus drive so as to drive the substrate stage 16 at the upper limit drive amount.

S1008において、制御部20は、S1002で算出された近似面に関する情報が所定の範囲を超えているかどうかを判定する。S1002で算出された近似面に関する情報が所定の範囲を超えていない場合には、S1010に移行する。一方、S1002で算出された近似面に関する情報が所定の範囲を超えている場合には、S1012に移行する。 In S1008, the control unit 20 determines whether the information about the approximation surface calculated in S1002 exceeds a predetermined range. If the information about the approximation surface calculated in S1002 does not exceed the predetermined range, the process proceeds to S1010. On the other hand, if the information about the approximation surface calculated in S1002 exceeds the predetermined range, the process proceeds to S1012.

S1010において、制御部20は、これから露光する露光領域よりも前に露光された露光領域の近似面から得られたフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御しながら、基板15の露光領域を露光(走査露光)する。 In S1010, the control unit 20 exposes (scanning exposes) the exposure area of the substrate 15 while controlling the focus drive of the substrate stage 16 based on the focus correction value obtained from the approximation surface of the exposure area that was exposed before the exposure area to be exposed.

S1012において、制御部20は、S1002で算出された近似面から得られたフォーカス補正値に基づいて、基板ステージ16のフォーカス駆動を制御しながら、基板15の露光領域を露光(走査露光)する。 In S1012, the control unit 20 exposes (scans and exposes) the exposure area of the substrate 15 while controlling the focus drive of the substrate stage 16 based on the focus correction value obtained from the approximation surface calculated in S1002.

図13は、上述した露光処理によって、ステージ制御残差(フォーカス残差)が改善されることを説明するための図である。図13を参照するに、各計測点30での計測結果に計測誤差が含まれていない理想状態では、フォーカス駆動において、基板ステージ16は、基板15の表面の断面形状w4に沿って駆動されるため、ステージ制御残差は発生しない。但し、各計測点30での計測結果に計測誤差が含まれている場合、従来技術では、フォーカス駆動において、基板ステージ16は、基板15の表面の断面形状w4から大きく乖離して駆動されるため、大きなステージ制御偏差131が発生してしまう。一方、本実施形態では、各計測点30で計測誤差が含まれている場合であっても、フォーカス駆動において、基板ステージ16は、基板15の表面の断面形状w4から大きく乖離することなく、断面形状w4にほぼ沿って駆動される。従って、本実施形態では、ステージ制御偏差132の発生が抑制され、比較的小さなステージ制御偏差132に抑えることができる。 Figure 13 is a diagram for explaining that the above-mentioned exposure process improves the stage control residual (focus residual). Referring to Figure 13, in an ideal state in which the measurement results at each measurement point 30 do not include measurement errors, the substrate stage 16 is driven along the cross-sectional shape w4 of the surface of the substrate 15 in focus driving, so no stage control residual occurs. However, if the measurement results at each measurement point 30 include measurement errors, in the conventional technology, the substrate stage 16 is driven in focus driving while deviating significantly from the cross-sectional shape w4 of the surface of the substrate 15, so a large stage control deviation 131 occurs. On the other hand, in this embodiment, even if each measurement point 30 includes measurement errors, the substrate stage 16 is driven in focus driving approximately along the cross-sectional shape w4 without deviating significantly from the cross-sectional shape w4 of the surface of the substrate 15. Therefore, in this embodiment, the occurrence of the stage control deviation 132 is suppressed, and the stage control deviation 132 can be suppressed to a relatively small value.

上述した各実施形態では、露光処理のシーケンスにおいて、第3計測部17を用いて、基板15の露光すべき露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を計測する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、露光処理のシーケンスの前に、第3計測部17を用いて、基板15の露光すべき露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を計測(事前計測)してもよい。また、外部計測装置を用いて、基板15の露光すべき露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を計測(事前)し、かかる外部計測装置から表面位置を取得するようにしてもよい。この場合、制御部20が、基板15の露光すべき露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を取得する取得部として機能する。なお、事前計測では、基板ステージ16の計測原点を基板上の各計測点30の計測間隔より細かい間隔で複数回計測してもよい。これにより、基板15の全面において、その高さ方向の表面位置をより高精度に計測することができる。 In each of the above-described embodiments, the third measurement unit 17 is used to measure the surface positions in the height direction of the multiple measurement points in the exposure area of the substrate 15 to be exposed in the exposure process sequence, but the present invention is not limited to this. For example, the third measurement unit 17 may be used to measure (pre-measure) the surface positions in the height direction of the multiple measurement points in the exposure area of the substrate 15 to be exposed before the exposure process sequence. Alternatively, an external measurement device may be used to measure (pre-measure) the surface positions in the height direction of the multiple measurement points in the exposure area of the substrate 15 to be exposed, and the surface positions may be obtained from the external measurement device. In this case, the control unit 20 functions as an acquisition unit that acquires the surface positions in the height direction of the multiple measurement points in the exposure area of the substrate 15 to be exposed. In addition, in the pre-measurement, the measurement origin of the substrate stage 16 may be measured multiple times at intervals finer than the measurement intervals of each measurement point 30 on the substrate. This allows the surface position in the height direction to be measured with higher accuracy over the entire surface of the substrate 15.

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、液晶表示素子、半導体素子、フラットパネルディスプレイ、MEMSなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、上述した露光装置80又は露光方法を用いて感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程とを含む。また、現像された感光剤のパターンをマスクとして基板に対してエッチング工程やイオン注入工程などを行い、基板上に回路パターンが形成される。これらの露光、現像、エッチングなどの工程を繰り返して、基板上に複数の層からなる回路パターンを形成する。後工程で、回路パターンが形成された基板に対してダイシング(加工)を行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離など)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。 The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as liquid crystal display elements, semiconductor elements, flat panel displays, and MEMS. The manufacturing method includes a step of exposing a substrate coated with a photosensitive agent using the above-described exposure apparatus 80 or exposure method, and a step of developing the exposed photosensitive agent. In addition, a circuit pattern is formed on the substrate by performing an etching process, an ion implantation process, etc., using the developed photosensitive agent pattern as a mask. These steps of exposure, development, etching, etc. are repeated to form a circuit pattern consisting of multiple layers on the substrate. In a post-process, dicing (processing) is performed on the substrate on which the circuit pattern is formed, and chip mounting, bonding, and inspection processes are performed. The manufacturing method may also include other well-known processes (oxidation, film formation, deposition, doping, planarization, resist stripping, etc.). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article compared to the conventional method.

なお、本発明は、リソグラフィ装置を露光装置に限定するものではなく、例えば、インプリント装置にも適用することができる。インプリント装置は、基板上に配置(供給)されたインプリント材と型(原版)とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型のパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。また、本発明は、基板の外部検査装置などにも適用することができる。 The present invention does not limit the lithography apparatus to an exposure apparatus, but can also be applied to, for example, an imprint apparatus. The imprint apparatus brings an imprint material placed (supplied) on a substrate into contact with a mold (original plate) and applies energy for hardening to the imprint material, thereby forming a pattern of a hardened material to which the pattern of the mold has been transferred. The present invention can also be applied to external inspection devices for substrates.

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are appended to disclose the scope of the invention.

12:原版 13:原版ステージ 14:投影光学系 15:基板 16:基板ステージ 17:第3計測部 20:制御部 80:露光装置 12: Original 13: Original stage 14: Projection optical system 15: Substrate 16: Substrate stage 17: Third measurement unit 20: Control unit 80: Exposure device

Claims (14)

原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記基板の露光すべき複数の露光領域のそれぞれについて、当該露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を取得する取得部と、
前記取得部で取得された前記表面位置に基づいて、前記複数の露光領域のそれぞれを露光する際の前記高さ方向に関する前記基板ステージの駆動を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記複数の露光領域のそれぞれについて、前記取得部で取得された前記表面位置から前記露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面を求め、
前記複数の露光領域のうち、前記近似面に関する情報が所定の範囲を超えていない第1露光領域については、前記第1露光領域よりも前に露光された露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面から得られた前記駆動に関する補正値に基づいて、前記駆動を制御することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate through an original, comprising:
a substrate stage for holding the substrate;
an acquisition unit that acquires, for each of a plurality of exposure regions to be exposed on the substrate, surface positions in a height direction of a plurality of measurement points of the exposure region;
a control unit that controls driving of the substrate stage in the height direction when exposing each of the plurality of exposure regions based on the surface position acquired by the acquisition unit; and
having
The control unit is
determining an approximation surface that approximately represents a cross-sectional shape of a surface of the exposure area from the surface position acquired by the acquisition unit for each of the plurality of exposure areas;
An exposure apparatus characterized in that, for a first exposure area among the multiple exposure areas, in which information regarding the approximate surface does not exceed a predetermined range, the driving is controlled based on a correction value for the driving obtained from an approximate surface that approximately represents the cross-sectional shape of the surface of an exposure area exposed before the first exposure area.
前記制御部は、前記複数の露光領域のうち、前記近似面に関する情報が所定の範囲を超えている第2露光領域については、前記第2露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面から得られた前記駆動に関する補正値に基づいて、前記駆動を制御することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1, characterized in that, for a second exposure area among the multiple exposure areas in which information about the approximation surface exceeds a predetermined range, the control unit controls the drive based on a correction value for the drive obtained from an approximation surface that approximately represents the cross-sectional shape of the surface of the second exposure area. 前記制御部は、前記複数の露光領域のうち、最初に露光する第3露光領域については、前記第3露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面から得られた前記駆動に関する補正値に基づいて、前記駆動を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the control unit controls the drive of a third exposure area, which is exposed first among the multiple exposure areas, based on a correction value for the drive obtained from an approximation surface that approximately represents the cross-sectional shape of the surface of the third exposure area. 前記制御部は、前記第1露光領域については、前記第1露光領域の直前に露光された露光領域を露光する際に用いられた、前記駆動に関する補正値に基づいて、前記駆動を制御することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The exposure device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the control unit controls the driving of the first exposure area based on a correction value for the driving used when exposing an exposure area that was exposed immediately before the first exposure area. 前記取得部は、前記表面位置を計測する計測部を含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the acquisition unit includes a measurement unit that measures the surface position. 前記所定の範囲は、前記複数の計測点に対する前記計測部の計測精度と、前記複数の計測点に対する前記計測部の計測範囲とに基づいて設定されていることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 5, characterized in that the predetermined range is set based on the measurement accuracy of the measurement unit for the multiple measurement points and the measurement range of the measurement unit for the multiple measurement points. 前記取得部は、外部計測装置で計測された前記表面位置を取得することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the acquisition unit acquires the surface position measured by an external measurement device. 前記所定の範囲は、前記複数の計測点に対する前記外部計測装置の計測精度と、前記複数の計測点に対する前記外部計測装置の計測範囲とに基づいて設定されていることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 7, characterized in that the predetermined range is set based on the measurement accuracy of the external measurement device for the multiple measurement points and the measurement range of the external measurement device for the multiple measurement points. 前記計測範囲は、前記複数の計測点のうち、前記表面位置を計測することが可能な計測点に基づいて決定されていることを特徴とする請求項6又は8に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 6 or 8, characterized in that the measurement range is determined based on measurement points among the plurality of measurement points at which the surface position can be measured. 前記所定の範囲は、前記複数の露光領域のそれぞれについて、当該露光領域の予測される表面の断面形状にも基づいて設定されていることを特徴とする請求項6又は8に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 6 or 8, characterized in that the predetermined range is set for each of the multiple exposure regions based on the predicted cross-sectional shape of the surface of the exposure region. 前記第1露光領域よりも前に露光された露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面は、前記予測される表面の断面形状を含むことを特徴とする請求項10に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 10, characterized in that the approximate surface that approximates the cross-sectional shape of the surface of the exposure area exposed before the first exposure area includes the predicted cross-sectional shape of the surface. 前記近似面に関する情報は、前記近似面の傾き及び前記近似面の高さ方向の位置のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 11, characterized in that the information about the approximation surface includes at least one of the inclination of the approximation surface and the height direction position of the approximation surface. 原版を介して基板を露光する露光方法であって、
前記基板の露光すべき複数の露光領域のそれぞれについて、当該露光領域の複数の計測点の高さ方向の表面位置を取得する工程と、
前記取得された前記表面位置に基づいて、前記複数の露光領域のそれぞれを露光する際の前記高さ方向に関する、前記基板を保持する基板ステージの駆動を制御する工程と、
を有し、
前記基板ステージの駆動を制御する工程では、
前記複数の露光領域のそれぞれについて、前記取得された前記表面位置から前記露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面を求め、
前記複数の露光領域のうち、前記近似面に関する情報が所定の範囲を超えていない第1露光領域については、前記第1露光領域よりも前に露光された露光領域の表面の断面形状を近似して表す近似面から得られた前記駆動に関する補正値に基づいて、前記駆動を制御することを特徴とする露光方法。
An exposure method for exposing a substrate through a mask, comprising the steps of:
acquiring surface positions in a height direction of a plurality of measurement points of each of a plurality of exposure areas to be exposed on the substrate;
controlling, based on the acquired surface position, driving of a substrate stage that holds the substrate in the height direction when exposing each of the plurality of exposure regions;
having
In the step of controlling the driving of the substrate stage,
determining an approximation surface that approximately represents a cross-sectional shape of a surface of the exposure area from the acquired surface position for each of the plurality of exposure areas;
An exposure method characterized in that, for a first exposure area among the multiple exposure areas, in which information regarding the approximation surface does not exceed a predetermined range, the driving is controlled based on a correction value for the driving obtained from an approximation surface that approximately represents the cross-sectional shape of the surface of an exposure area exposed before the first exposure area.
請求項13に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
exposing a substrate using the exposure method according to claim 13;
developing the exposed substrate;
producing an article from the developed substrate;
A method for producing an article, comprising the steps of:
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