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JP7531737B2 - Radiation detector - Google Patents

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JP7531737B2
JP7531737B2 JP2024014242A JP2024014242A JP7531737B2 JP 7531737 B2 JP7531737 B2 JP 7531737B2 JP 2024014242 A JP2024014242 A JP 2024014242A JP 2024014242 A JP2024014242 A JP 2024014242A JP 7531737 B2 JP7531737 B2 JP 7531737B2
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layer
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和広 白川
秀典 上西
将志 畑中
晴紀 山路
純 櫻井
泰 楠山
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Hamamatsu Photonics KK
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Description

本発明は、放射線検出器に関する。 The present invention relates to a radiation detector.

当該分野の技術として特許文献1~3が知られている。 Patent documents 1 to 3 are known as technologies in this field.

特許文献1は、シンチレータパネルを開示する。シンチレータパネルは、樹脂基板と蛍光体層との間に設けられた金属膜を有する。 Patent Document 1 discloses a scintillator panel. The scintillator panel has a metal film provided between a resin substrate and a phosphor layer.

特許文献2は、シンチレータパネルを備える放射線検出装置を開示する。シンチレータパネルは、ヨウ化セシウムを主成分とするシンチレータ層を有する。このシンチレータ層には、タリウムがドープされている。シンチレータ層におけるタリウムの濃度は、基板との界面付近において大きくなっている。このタリウムの濃度分布によれば、光出力が向上する。 Patent Document 2 discloses a radiation detection device equipped with a scintillator panel. The scintillator panel has a scintillator layer whose main component is cesium iodide. This scintillator layer is doped with thallium. The concentration of thallium in the scintillator layer is high near the interface with the substrate. This thallium concentration distribution improves the light output.

特許文献3は、蛍光体層を備える放射線検出器を開示する。この放射線検出器も、ヨウ化セシウムを主成分とするシンチレータ層を有し、当該シンチレータ層には、タリウムがドープされている。また、シンチレータ層におけるタリウムの濃度は、基板側が大きくなっている。このタリウムの濃度分布によれば、センサ基板と蛍光体層との密着性が向上する。 Patent Document 3 discloses a radiation detector equipped with a phosphor layer. This radiation detector also has a scintillator layer whose main component is cesium iodide, and the scintillator layer is doped with thallium. The concentration of thallium in the scintillator layer is higher on the substrate side. This thallium concentration distribution improves the adhesion between the sensor substrate and the phosphor layer.

国際公開第2011/065302号International Publication No. 2011/065302 特開2008-51793号公報JP 2008-51793 A 特開2012-98110号公報JP 2012-98110 A

シンチレータ層を成長させる成長基板は、水分を透過する透湿性を有することがある。成長基板を透過した水分は、シンチレータ層の根元部に到達する。ヨウ化セシウムにより形成されたシンチレータ層は、潮解性を有することが知られている。そうすると、成長基板から供給された水分によって、シンチレータ層の根元部に潮解が生じ、ひいてはシンチレータパネルの特性が低下してしまう。従って、当該分野においては、ヨウ化セシウムにより形成されたシンチレータ層を有するシンチレータパネルの耐湿性の向上が望まれている。 The growth substrate on which the scintillator layer is grown may have moisture permeability that allows moisture to pass through. Moisture that has permeated the growth substrate reaches the base of the scintillator layer. Scintillator layers formed from cesium iodide are known to be deliquescent. If this occurs, moisture supplied from the growth substrate will cause deliquescence at the base of the scintillator layer, ultimately degrading the characteristics of the scintillator panel. Therefore, in this field, there is a demand for improving the moisture resistance of scintillator panels having scintillator layers formed from cesium iodide.

例えば、特許文献1では、基板と蛍光体層との間に金属膜を設けることにより、樹脂基板から蛍光体層への水分の移動を阻害することを狙っている。 For example, in Patent Document 1, a metal film is provided between the substrate and the phosphor layer, aiming to inhibit the movement of moisture from the resin substrate to the phosphor layer.

そこで、本発明は、耐湿性を向上し得る放射線検出器を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a radiation detector that can improve moisture resistance.

本発明の一形態であるシンチレータパネルは、有機材料からなる基板と、基板の主面に形成され、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層と、バリア層上に形成され、タリウムが添加されたヨウ化セシウムを主成分として含む複数の柱状結晶により構成されるシンチレータ層と、基板の裏面側に形成された部分を含む機能層と、を備える。また、本発明の一形態であるシンチレータパネルは、有機材料からなる基板と、基板上に形成され、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層と、バリア層上に形成され、タリウムが添加されたヨウ化セシウムを主成分として含む複数の柱状結晶により構成されるシンチレータ層と、を備える。 The scintillator panel according to one embodiment of the present invention comprises a substrate made of an organic material, a barrier layer formed on the main surface of the substrate and containing thallium iodide as a main component, a scintillator layer formed on the barrier layer and composed of a plurality of columnar crystals containing cesium iodide doped with thallium as a main component, and a functional layer including a portion formed on the back surface side of the substrate. The scintillator panel according to one embodiment of the present invention comprises a substrate made of an organic material, a barrier layer formed on the substrate and containing thallium iodide as a main component, and a scintillator layer formed on the barrier layer and composed of a plurality of columnar crystals containing cesium iodide doped with thallium as a main component.

このシンチレータパネルでは、基板とシンチレータ層との間にバリア層が設けられる。バリア層は、ヨウ化タリウムを主成分として含む。このようなバリア層は、水分を透し難い性質を有する。そうすると、基板からシンチレータ層へ移動しようとする水分を、バリア層によって阻止することが可能になる。これにより、シンチレータ層の根元部における潮解が抑制されるので、ひいてはシンチレータパネルの特性の低下を抑制できる。従って、シンチレータパネルの耐湿性を向上することができる。 In this scintillator panel, a barrier layer is provided between the substrate and the scintillator layer. The barrier layer contains thallium iodide as its main component. Such a barrier layer has the property of being difficult for moisture to pass through. This makes it possible for the barrier layer to block moisture that attempts to move from the substrate to the scintillator layer. This suppresses deliquescence at the base of the scintillator layer, which in turn suppresses deterioration of the properties of the scintillator panel. This therefore improves the moisture resistance of the scintillator panel.

上記のシンチレータパネルにおいて有機材料は、ポリエチレンテレフタレートであってもよい。この構成によれば、シンチレータパネルに適した基板を容易に準備することができる。 The organic material in the above scintillator panel may be polyethylene terephthalate. With this configuration, a substrate suitable for the scintillator panel can be easily prepared.

上記のシンチレータパネルにおいて有機材料は、ポリエチレンナフタレートであってもよい。この構成によっても、シンチレータパネルに適した基板を容易に準備することができる。 The organic material in the above scintillator panel may be polyethylene naphthalate. This configuration also makes it easy to prepare a substrate suitable for a scintillator panel.

本発明の別の形態である放射線検出器は、有機材料からなる基板と、基板上に形成され、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層と、バリア層上に形成され、タリウムが添加されたヨウ化セシウムを主成分として含む複数の柱状結晶により構成されるシンチレータ層と、を有するシンチレータパネルと、シンチレータパネルにおいて生じた光を受ける光電変換素子が設けられた光検出面を含むセンサ基板と、を備え、センサ基板の光検出面は、シンチレータ層と対面する。 Another aspect of the present invention is a radiation detector that includes a scintillator panel having a substrate made of an organic material, a barrier layer formed on the substrate and containing thallium iodide as a main component, and a scintillator layer formed on the barrier layer and composed of a plurality of columnar crystals containing cesium iodide doped with thallium as a main component, and a sensor substrate including a light detection surface provided with a photoelectric conversion element that receives light generated in the scintillator panel, and the light detection surface of the sensor substrate faces the scintillator layer.

本発明のさらに別の形態である放射線検出器は、有機材料からなる基板と、基板上に形成され、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層と、バリア層上に形成され、タリウムが添加されたヨウ化セシウムを主成分として含む複数の柱状結晶により構成されるシンチレータ層と、を備え、基板は、シンチレータ層において生じた光を受ける光電変換素子が設けられた光検出面を有する。 A radiation detector according to yet another embodiment of the present invention includes a substrate made of an organic material, a barrier layer formed on the substrate and containing thallium iodide as a main component, and a scintillator layer formed on the barrier layer and composed of a plurality of columnar crystals containing cesium iodide doped with thallium as a main component, and the substrate has a light detection surface provided with a photoelectric conversion element that receives light generated in the scintillator layer.

これらの放射線検出器は、シンチレータパネルに入射した放射線によって光が生成され、当該光は光検出面に設けられた光電変換素子によって検出される。ここで、シンチレータパネルは、基板とシンチレータ層との間に、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層を有する。このバリア層によれば、基板からシンチレータ層への水分の移動を阻止することが可能になる。従って、シンチレータ層の根元部における潮解が抑制されるので、シンチレータパネルの特性の低下を抑制することが可能になる。その結果、放射線検出器は、放射線の検出特性の低下が抑制される。従って、放射線検出器の耐湿性を向上することができる。 In these radiation detectors, light is generated by radiation incident on the scintillator panel, and the light is detected by a photoelectric conversion element provided on the light detection surface. Here, the scintillator panel has a barrier layer containing thallium iodide as a main component between the substrate and the scintillator layer. This barrier layer makes it possible to prevent the movement of moisture from the substrate to the scintillator layer. Therefore, deliquescence at the base of the scintillator layer is suppressed, making it possible to suppress deterioration of the properties of the scintillator panel. As a result, deterioration of the radiation detection properties of the radiation detector is suppressed. Therefore, the moisture resistance of the radiation detector can be improved.

本発明によれば、耐湿性を向上し得る放射線検出器が提供される。 The present invention provides a radiation detector that can improve moisture resistance.

図1は、第1実施形態に係るシンチレータパネルを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to the first embodiment. 図2は、第2実施形態に係る放射線検出器を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a radiation detector according to the second embodiment. 図3の(a)部は変形例1に係るシンチレータパネルを示す断面図であり、図3の(b)部は変形例2に係るシンチレータパネルを示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to a first modified example, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to a second modified example. 図4の(a)部は変形例3に係るシンチレータパネルを示す断面図であり、図4の(b)部は変形例4に係るシンチレータパネルを示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to Modification 3, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to Modification 4. As shown in FIG. 図5の(a)部は変形例5に係るシンチレータパネルを示す断面図であり、図5の(b)部は変形例6に係るシンチレータパネルを示す断面図であり、図5の(c)部は変形例7に係るシンチレータパネルを示す断面図である。Part (a) of Figure 5 is a cross-sectional view showing a scintillator panel relating to variant example 5, part (b) of Figure 5 is a cross-sectional view showing a scintillator panel relating to variant example 6, and part (c) of Figure 5 is a cross-sectional view showing a scintillator panel relating to variant example 7. 図6の(a)部は変形例8に係るシンチレータパネルを示す断面図であり、図6の(b)部は変形例9に係るシンチレータパネルを示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to Modification 8, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing a scintillator panel according to Modification 9. As shown in FIG. 図7の(a)部は変形例10に係る放射線検出器を示す断面図であり、図7の(b)部は変形例11に係る放射線検出器を示す断面図である。7A is a cross-sectional view showing a radiation detector according to a tenth modification, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a radiation detector according to an eleventh modification. 図8の(a)部は変形例12に係る放射線検出器を示す断面図であり、図8の(b)部は変形例13に係る放射線検出器を示す断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view showing a radiation detector according to a twelfth modification, and FIG. 8B is a cross-sectional view showing a radiation detector according to a thirteenth modification. 図9の(a)部は変形例14に係る放射線検出器を示す断面図であり、図9の(b)部は変形例14をさらに変形した放射線検出器を示す断面図である。FIG. 9A is a cross-sectional view showing a radiation detector according to a fourteenth modification, and FIG. 9B is a cross-sectional view showing a radiation detector obtained by further modifying the fourteenth modification. 図10の(a)部は変形例15に係る放射線検出器を示す断面図であり、図10の(b)部は変形例16に係る放射線検出器を示す断面図であり、図10の(c)部は変形例17に係る放射線検出器を示す断面図である。Part (a) of Figure 10 is a cross-sectional view showing a radiation detector related to modified example 15, part (b) of Figure 10 is a cross-sectional view showing a radiation detector related to modified example 16, and part (c) of Figure 10 is a cross-sectional view showing a radiation detector related to modified example 17. 図11の(a)部は変形例18に係る放射線検出器を示す断面図であり、図11の(b)部は変形例19に係る放射線検出器を示す断面図である。FIG. 11A is a cross-sectional view showing a radiation detector according to Modification 18, and FIG. 11B is a cross-sectional view showing a radiation detector according to Modification 19. As shown in FIG. 図12の(a)部は変形例20に係る放射線検出器を示す断面図である。Part (a) of FIG. 12 is a cross-sectional view showing a radiation detector according to Modification 20. 図13は、実験例の結果を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing the results of an experimental example.

以下、添付図面を参照しながら本発明を実施するための形態を詳細に説明する。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Below, the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In the description of the drawings, the same elements are given the same reference numerals, and duplicate explanations will be omitted.

<第1実施形態>
図1に示されるように、第1実施形態に係るシンチレータパネル1は、基板2と、バリア層3と、シンチレータ層4と、保護膜6と、を有する。このような構成を有するシンチレータパネル1は、光電変換素子(不図示)と組み合わされて放射線イメージセンサとして用いられる。
First Embodiment
1, a scintillator panel 1 according to the first embodiment has a substrate 2, a barrier layer 3, a scintillator layer 4, and a protective film 6. The scintillator panel 1 having such a configuration is combined with a photoelectric conversion element (not shown) and used as a radiation image sensor.

基板2、バリア層3及びシンチレータ層4は、それぞれの厚み方向に沿ってこの順に積層された積層体7である。具体的には、基板2上にバリア層3が形成される。そして、バリア層3上にシンチレータ層4が形成される。つまり、基板2とシンチレータ層4とが直接に接することはない。積層体7は、積層体表面7aと、積層体裏面7bと、積層体側面7cと、を有する。そして、積層体7は、保護膜6により覆われる。具体的には、積層体表面7a、積層体裏面7b及び積層体側面7cのそれぞれは、保護膜6により覆われる。つまり、積層体表面7a、積層体裏面7b及び積層体側面7cのそれぞれは、大気に直接に晒されることがない。 The substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 are laminated in this order along their respective thickness directions to form the laminate 7. Specifically, the barrier layer 3 is formed on the substrate 2. Then, the scintillator layer 4 is formed on the barrier layer 3. In other words, the substrate 2 and the scintillator layer 4 are not in direct contact with each other. The laminate 7 has a laminate front surface 7a, a laminate back surface 7b, and a laminate side surface 7c. The laminate 7 is covered with a protective film 6. Specifically, the laminate front surface 7a, the laminate back surface 7b, and the laminate side surface 7c are each covered with the protective film 6. In other words, the laminate front surface 7a, the laminate back surface 7b, and the laminate side surface 7c are not directly exposed to the atmosphere.

基板2は、シンチレータパネル1の基体をなす。基板2は、平面視して矩形、多角形又は円形を呈し、その厚さは、10マイクロメートル以上5000マイクロメートル以下であり、一例として100マイクロメートルである。基板2は、基板表面2aと、基板裏面2bと、基板側面2cとを有する。基板裏面2bは、上述した積層体裏面7bを構成する。また、基板側面2cは、上述した積層体側面7cの一部を構成する。基板2は、有機材料からなる。有機材料として、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)及びポリイミド(PI)が挙げられる。 The substrate 2 forms the base of the scintillator panel 1. The substrate 2 has a rectangular, polygonal or circular shape in plan view, and its thickness is 10 micrometers to 5000 micrometers, for example 100 micrometers. The substrate 2 has a substrate front surface 2a, a substrate back surface 2b, and a substrate side surface 2c. The substrate back surface 2b constitutes the above-mentioned laminate back surface 7b. The substrate side surface 2c constitutes part of the above-mentioned laminate side surface 7c. The substrate 2 is made of an organic material. Examples of organic materials include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyimide (PI).

バリア層3は、基板2からシンチレータ層4への水分の移動を阻害する。バリア層3は、基板表面2a上に形成され、その厚みは0.001マイクロメートル以上1.0マイクロメートル以下であり、一例として0.06マイクロメートル(600オングストローム)である。バリア層3は、バリア層表面3aと、バリア層裏面3bと、バリア層側面3cと、を有する。バリア層側面3cは、上述した積層体側面7cの一部を構成する。バリア層3は、ヨウ化タリウム(TlI)を主成分として含む。例えば、バリア層3のTlI含有量は、90%以上100%以下であってもよい。換言すると、バリア層3におけるTlI含有量が90%以上である場合に、バリア層3はTlIを主成分とするものといってよい。このようなバリア層3は、例えば、二源蒸着法によって形成することができる。具体的には、ヨウ化セシウム(CsI)を収容する第1蒸着源と、ヨウ化タリウム(TlI)を収容する第2蒸着源と、を利用する。CsIよりも先にTlIを基板に蒸着することでバリア層3を形成する。その厚みは、一例として600オングストローム程度である。尚、バリア層の膜厚は、強粘着テープ等でシンチレータ層と基板とを剥離し、基板界面を蛍光X線分析(XRF)装置にて分析することで測定できる。装置としては例えばリガク社のZSX Primusを挙げることができる。 The barrier layer 3 inhibits the movement of moisture from the substrate 2 to the scintillator layer 4. The barrier layer 3 is formed on the substrate surface 2a, and has a thickness of 0.001 micrometers to 1.0 micrometers, for example, 0.06 micrometers (600 angstroms). The barrier layer 3 has a barrier layer surface 3a, a barrier layer back surface 3b, and a barrier layer side surface 3c. The barrier layer side surface 3c constitutes a part of the above-mentioned laminate side surface 7c. The barrier layer 3 contains thallium iodide (TlI) as a main component. For example, the TlI content of the barrier layer 3 may be 90% or more and 100% or less. In other words, when the TlI content in the barrier layer 3 is 90% or more, it can be said that the barrier layer 3 is mainly composed of TlI. Such a barrier layer 3 can be formed, for example, by a two-source deposition method. Specifically, a first deposition source containing cesium iodide (CsI) and a second deposition source containing thallium iodide (TlI) are used. The barrier layer 3 is formed by depositing TlI on the substrate before CsI. The thickness of the barrier layer is, for example, about 600 angstroms. The thickness of the barrier layer can be measured by peeling the scintillator layer and the substrate with a strong adhesive tape or the like and analyzing the substrate interface with an X-ray fluorescence analysis (XRF) device. An example of the device is Rigaku's ZSX Primus.

シンチレータ層4は、放射線を受けて、当該放射線に対応する光を発生させる。シンチレータ層4は、蛍光体材料であるヨウ化セシウムを主成分として含み、さらに、タリウムをドーパントとして含む(CsI:Tl)。例えば、シンチレータ層4のCsI含有量は、90%以上100%以下であってもよい。換言すると、シンチレータ層4のCsI含有量が90%以上である場合に、シンチレータ層4はCsIを主成分とするものといってよい。更に、シンチレータ層4は複数の柱状結晶よりなるため、各柱状結晶がライトガイド効果を有することで高解像度のイメージングに適している。このようなシンチレータ層4は、例えば、蒸着法によって形成することができる。シンチレータ層4は、その厚さが10マイクロメートル以上3000マイクロメートル以下であり、一例として600マイクロメートルである。シンチレータ層4は、シンチレータ層表面4aと、シンチレータ層裏面4bと、シンチレータ層側面4cとを有する。シンチレータ層表面4aは、上述した積層体表面7aを構成する。また、シンチレータ層側面4cは、上述した積層体側面7cの一部を構成する。 The scintillator layer 4 receives radiation and generates light corresponding to the radiation. The scintillator layer 4 contains cesium iodide, which is a phosphor material, as a main component, and further contains thallium as a dopant (CsI:Tl). For example, the CsI content of the scintillator layer 4 may be 90% or more and 100% or less. In other words, when the CsI content of the scintillator layer 4 is 90% or more, it can be said that the scintillator layer 4 is mainly composed of CsI. Furthermore, since the scintillator layer 4 is made of a plurality of columnar crystals, each columnar crystal has a light guide effect, making it suitable for high-resolution imaging. Such a scintillator layer 4 can be formed, for example, by a vapor deposition method. The scintillator layer 4 has a thickness of 10 micrometers or more and 3000 micrometers or less, for example, 600 micrometers. The scintillator layer 4 has a scintillator layer surface 4a, a scintillator layer back surface 4b, and a scintillator layer side surface 4c. The scintillator layer surface 4a constitutes the laminate surface 7a described above. The scintillator layer side surface 4c constitutes part of the laminate side surface 7c described above.

シンチレータ層4は、その厚み方向に延びる複数の柱状結晶を含む。複数の柱状結晶の根元部は、シンチレータ層裏面4bを構成し、バリア層3のバリア層表面3aと接する。また、複数の柱状結晶の先端部は、シンチレータ層表面4aを構成する。さらに、シンチレータ層4の外周部に形成された柱状結晶は、シンチレータ層側面4cを構成する。ここで、積層体側面7cは、基板側面2c、バリア層側面3c及びシンチレータ層側面4cを含んでおり、これらの、基板側面2c、バリア層側面3c及びシンチレータ層側面4cは面一である。ここで「面一」とは、基板側面2c、バリア層側面3c及びシンチレータ層側面4cを巨視的に見た場合に、それぞれの面が同一の仮想平面に含まれることをいう。なお、基板側面2c及びシンチレータ層側面4cは、微視的に見るとダレ、粗面、バリといった微細な凹凸構造を有する場合があり得るが、「面一」と規定する場合にはそれらの凹凸構造は無視される。 The scintillator layer 4 includes a plurality of columnar crystals extending in the thickness direction. The roots of the plurality of columnar crystals form the back surface 4b of the scintillator layer and are in contact with the barrier layer surface 3a of the barrier layer 3. The tips of the plurality of columnar crystals form the scintillator layer surface 4a. Furthermore, the columnar crystals formed in the outer periphery of the scintillator layer 4 form the scintillator layer side surface 4c. Here, the laminate side surface 7c includes the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, and the scintillator layer side surface 4c, and these substrate side surface 2c, barrier layer side surface 3c, and scintillator layer side surface 4c are flush. Here, "flush" means that when the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, and the scintillator layer side surface 4c are viewed macroscopically, each surface is included in the same imaginary plane. In addition, when viewed microscopically, the substrate side surface 2c and the scintillator layer side surface 4c may have minute uneven structures such as sagging, rough surfaces, and burrs, but when defining "flush," these uneven structures are ignored.

保護膜6は、積層体7を覆うことにより積層体7を湿気から保護する。保護膜6は、基板裏面2b、基板側面2c、バリア層側面3c、シンチレータ層側面4c及びシンチレータ層表面4aを覆う。また、保護膜6の厚みは、形成される全ての箇所において略同じであってもよいし、箇所ごとに異なっていてもよい。図1に示される保護膜6によれば、例えば、シンチレータ層表面4aの上に形成された膜部は、基板裏面2b、基板側面2c、バリア層側面3c、シンチレータ層側面4cの上に形成された膜部よりも厚い。保護膜6は、ポリパラキシリレンを主成分とする。このような保護膜6は、例えば化学気相成長法(CVD)により形成できる。 The protective film 6 covers the laminate 7 to protect it from moisture. The protective film 6 covers the substrate back surface 2b, the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, the scintillator layer side surface 4c, and the scintillator layer surface 4a. The thickness of the protective film 6 may be approximately the same at all locations where it is formed, or may vary from location to location. According to the protective film 6 shown in FIG. 1, for example, the film portion formed on the scintillator layer surface 4a is thicker than the film portions formed on the substrate back surface 2b, the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, and the scintillator layer side surface 4c. The protective film 6 is mainly composed of polyparaxylylene. Such a protective film 6 can be formed, for example, by chemical vapor deposition (CVD).

このシンチレータパネル1では、基板2とシンチレータ層4との間にバリア層3が設けられる。バリア層3は、ヨウ化タリウムを主成分として含む。このようなバリア層3は、水分を透し難い性質を有する。そうすると、基板2からシンチレータ層4へ移動しようとする水分を、バリア層3によって阻止することが可能になる。従って、シンチレータ層4の根元部における潮解が抑制されるので、ひいてはシンチレータパネル1の特性の低下を抑制できる。 In this scintillator panel 1, a barrier layer 3 is provided between the substrate 2 and the scintillator layer 4. The barrier layer 3 contains thallium iodide as its main component. Such a barrier layer 3 has the property of being difficult for moisture to pass through. This makes it possible for the barrier layer 3 to block moisture that attempts to move from the substrate 2 to the scintillator layer 4. This suppresses deliquescence at the base of the scintillator layer 4, thereby suppressing deterioration of the characteristics of the scintillator panel 1.

上記のシンチレータパネル1において有機材料は、ポリエチレンテレフタレートであり得る。この構成によれば、シンチレータパネル1に適した基板2を容易に準備することができる。シンチレータパネル1として適した基板とは、シンチレータ層形成時の耐熱性、シンチレータパネル形成時のハンドリング性、シンチレーション光に対する光学特性(反射性や吸収性)、放射線透過性、入手性や価格等のことである。 The organic material in the above scintillator panel 1 can be polyethylene terephthalate. With this configuration, a substrate 2 suitable for the scintillator panel 1 can be easily prepared. A substrate suitable for the scintillator panel 1 has the following characteristics: heat resistance during the formation of the scintillator layer, ease of handling during the formation of the scintillator panel, optical properties (reflectivity and absorbency) for scintillation light, radiation transparency, availability, price, etc.

上記のシンチレータパネル1において有機材料は、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド又はポリエーテルエーテルケトンであり得る。この構成によっても、シンチレータパネル1に適した基板2を容易に準備することができる。 The organic material in the above scintillator panel 1 can be polyethylene naphthalate, polyimide, or polyether ether ketone. With this configuration, the substrate 2 suitable for the scintillator panel 1 can be easily prepared.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る放射線検出器について説明する。尚、実際にはセンサパネル11上には導通を取るための領域(辺)が設けられるが、便宜上図示していない。
Second Embodiment
Next, a description will be given of a radiation detector according to a second embodiment. Note that, in reality, an area (side) for establishing electrical continuity is provided on the sensor panel 11, but for convenience, this is not shown.

図2に示されるように、放射線検出器10は、センサパネル11(センサ基板)と、バリア層3Aと、シンチレータ層4Aと、封止部12と、を有する。封止板14から受け入れられた放射線が、シンチレータ層4Aに入射する。シンチレータ層4Aは、放射線に応じた光を発生させる。当該光は、バリア層3Aを通過してセンサパネル11に入射する。センサパネル11は、入射した光に応じて電気信号を発生させる。当該電気信号は、所定の電気回路を通じて出力される。この電気信号によれば、放射線イメージ画像が得られる。 As shown in FIG. 2, the radiation detector 10 has a sensor panel 11 (sensor substrate), a barrier layer 3A, a scintillator layer 4A, and a sealing portion 12. Radiation received from the sealing plate 14 is incident on the scintillator layer 4A. The scintillator layer 4A generates light in response to the radiation. The light passes through the barrier layer 3A and is incident on the sensor panel 11. The sensor panel 11 generates an electrical signal in response to the incident light. The electrical signal is output through a specified electrical circuit. A radiation image is obtained based on this electrical signal.

センサパネル11は、パネル表面11aと、パネル裏面11bと、パネル側面11cと、を有する。センサパネル11は、光電変換素子16を有するCCDセンサ、CMOSセンサ又はTFTパネルであり、有機材料からなる基板を含む。複数の光電変換素子16は、パネル表面11a上において二次元状に配置される。複数の光電変換素子16が配置されたパネル表面11a上の領域は、光検出領域S1(光検出面)である。そして、パネル表面11aは、光検出領域S1に加えて、当該光検出領域S1を囲む周囲領域S2を含む。 The sensor panel 11 has a panel surface 11a, a panel back surface 11b, and a panel side surface 11c. The sensor panel 11 is a CCD sensor, a CMOS sensor, or a TFT panel having photoelectric conversion elements 16, and includes a substrate made of an organic material. The multiple photoelectric conversion elements 16 are arranged two-dimensionally on the panel surface 11a. The area on the panel surface 11a where the multiple photoelectric conversion elements 16 are arranged is a light detection area S1 (light detection surface). In addition to the light detection area S1, the panel surface 11a also includes a surrounding area S2 that surrounds the light detection area S1.

バリア層3Aは、パネル表面11a上に形成される。バリア層3Aは、バリア層表面3aと、バリア層裏面3bと、バリア層側面3cと、を有する。より具体的には、バリア層3Aは、光検出領域S1を覆うようにパネル表面11a上に形成される。つまり、バリア層表面3aは、パネル表面11aと対面する。またバリア層3Aを平面視したとき、バリア層3Aは、センサパネル11よりも小さい。従って、バリア層側面3cは、パネル側面11cと面一ではない。バリア層3Aは、上記の構成を除き、その他の構成は第1実施形態におけるバリア層3と同様である。例えば、バリア層3Aを構成する材料等は、第1実施形態に係るバリア層3と同じである。 The barrier layer 3A is formed on the panel surface 11a. The barrier layer 3A has a barrier layer surface 3a, a barrier layer back surface 3b, and a barrier layer side surface 3c. More specifically, the barrier layer 3A is formed on the panel surface 11a so as to cover the light detection region S1. That is, the barrier layer surface 3a faces the panel surface 11a. In addition, when the barrier layer 3A is viewed in plan, the barrier layer 3A is smaller than the sensor panel 11. Therefore, the barrier layer side surface 3c is not flush with the panel side surface 11c. Except for the above configuration, the barrier layer 3A has the same configuration as the barrier layer 3 in the first embodiment. For example, the materials constituting the barrier layer 3A are the same as those of the barrier layer 3 in the first embodiment.

シンチレータ層4Aは、バリア層3A上に形成される。より具体的には、シンチレータ層4Aは、バリア層裏面3b上に形成される。つまり、シンチレータ層4Aもバリア層3Aと同様に、バリア層3Aを介して光検出領域S1を覆うように形成される。この構成によれば、光電変換素子16によってシンチレータ層4Aからの光を確実に捉えることができる。また、シンチレータ層側面4cは、パネル側面11cと面一ではない。 The scintillator layer 4A is formed on the barrier layer 3A. More specifically, the scintillator layer 4A is formed on the barrier layer back surface 3b. That is, like the barrier layer 3A, the scintillator layer 4A is also formed so as to cover the light detection region S1 via the barrier layer 3A. With this configuration, the photoelectric conversion element 16 can reliably capture light from the scintillator layer 4A. In addition, the scintillator layer side surface 4c is not flush with the panel side surface 11c.

さらに、シンチレータ層4Aは角錐台形状を呈しており、シンチレータ層側面4cはその厚み方向に対して傾く。換言すると、シンチレータ層側面4cは、スロープ(傾斜)を有する。具体的には、シンチレータ層4Aを厚み方向に直交する方向から断面視したとき、断面は台形状を呈する。つまり、シンチレータ層表面4a側の一辺は、シンチレータ層裏面4b側の一辺よりも長い。 Furthermore, the scintillator layer 4A has a truncated pyramid shape, and the side surface 4c of the scintillator layer is inclined with respect to the thickness direction. In other words, the side surface 4c of the scintillator layer has a slope. Specifically, when the scintillator layer 4A is viewed in cross section from a direction perpendicular to the thickness direction, the cross section has a trapezoidal shape. In other words, one side on the front surface 4a side of the scintillator layer is longer than one side on the back surface 4b side of the scintillator layer.

封止部12は、センサパネル11のパネル表面11aの一部と、バリア層3Aと、シンチレータ層4Aと、を覆う。封止部12は、パネル表面11aにおける周囲領域S2に固定される。そして、封止部12とセンサパネル11によって形成される内部空間を気密に保つ。この構成により、シンチレータ層4Aが湿気から保護される。 The sealing portion 12 covers a portion of the panel surface 11a of the sensor panel 11, the barrier layer 3A, and the scintillator layer 4A. The sealing portion 12 is fixed to the peripheral region S2 of the panel surface 11a. The sealing portion 12 and the sensor panel 11 keep the internal space formed by the sealing portion 12 and the sensor panel 11 airtight. This configuration protects the scintillator layer 4A from moisture.

封止部12は、封止枠13と、封止板14と、を有する。封止枠13は、枠表面13aと、枠裏面13bと、枠壁部13cと、を有する。枠壁部13cは、枠表面13aと枠裏面13bとを連結する。枠壁部13cの高さ(つまり枠表面13aから枠裏面13bまでの長さ)は、パネル表面11aからシンチレータ層裏面4bまでの高さよりも高い。従って、シンチレータ層裏面4bと封止板14との間には隙間が形成される。封止枠13は、例えば、樹脂材料、金属材料、セラミック材料により構成してよい。封止枠13は中実であっても、中空であってもよい。枠表面13aと板裏面14b、枠裏面13bとパネル表面11aとを接着剤によって接合してもよい。 The sealing portion 12 has a sealing frame 13 and a sealing plate 14. The sealing frame 13 has a frame surface 13a, a frame back surface 13b, and a frame wall portion 13c. The frame wall portion 13c connects the frame surface 13a and the frame back surface 13b. The height of the frame wall portion 13c (i.e., the length from the frame surface 13a to the frame back surface 13b) is higher than the height from the panel surface 11a to the scintillator layer back surface 4b. Therefore, a gap is formed between the scintillator layer back surface 4b and the sealing plate 14. The sealing frame 13 may be made of, for example, a resin material, a metal material, or a ceramic material. The sealing frame 13 may be solid or hollow. The frame surface 13a and the plate back surface 14b, and the frame back surface 13b and the panel surface 11a may be joined by an adhesive.

封止板14は、平面視して矩形状の板材である。封止板14は、板表面14aと、板裏面14bと、板側面14cとを有する。板裏面14bは、枠表面13aに対して固定される。板側面14cは、枠壁部13cの外側面に対して面一であってもよい。封止板14は、例えば、ガラス材料、金属材料、カーボン材料、バリアフィルムにより構成してよい。金属材料としては、アルミニウムが例示される。カーボン材料としては、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)が例示される。バリアフィルムとしては、有機材料層(PETやPEN)と無機材料層(SiN)との積層体が例示される。 The sealing plate 14 is a rectangular plate material in a plan view. The sealing plate 14 has a plate surface 14a, a plate back surface 14b, and a plate side surface 14c. The plate back surface 14b is fixed to the frame surface 13a. The plate side surface 14c may be flush with the outer surface of the frame wall portion 13c. The sealing plate 14 may be made of, for example, a glass material, a metal material, a carbon material, or a barrier film. An example of the metal material is aluminum. An example of the carbon material is carbon fiber reinforced plastic (CFRP). An example of the barrier film is a laminate of an organic material layer (PET or PEN) and an inorganic material layer (SiN).

放射線検出器10は、シンチレータ層4Aに入射した放射線によって光が生成され、当該光は光検出領域S1に設けられた光電変換素子16によって検出される。ここで、放射線検出器10は、センサパネル11とシンチレータ層4Aとの間に、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層3Aを有する。このバリア層3Aは、センサパネル11からシンチレータ層4Aへの水分の移動を阻止する。従って、シンチレータ層4Aの根元部における潮解が抑制されるので、放射線検出器10の特性の低下を抑制することができる。 In the radiation detector 10, light is generated by radiation incident on the scintillator layer 4A, and the light is detected by the photoelectric conversion element 16 provided in the light detection region S1. Here, the radiation detector 10 has a barrier layer 3A containing thallium iodide as a main component between the sensor panel 11 and the scintillator layer 4A. This barrier layer 3A prevents the movement of moisture from the sensor panel 11 to the scintillator layer 4A. This suppresses deliquescence at the base of the scintillator layer 4A, thereby suppressing deterioration of the characteristics of the radiation detector 10.

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に限定されることなく様々な形態で実施される。変形例1~14は、第1実施形態の変形例である。また、変形例15~20は、第2実施形態の変形例である。 The above describes the embodiments of the present invention, but the present invention may be embodied in various forms without being limited to the above embodiments. Modifications 1 to 14 are modifications of the first embodiment. Modifications 15 to 20 are modifications of the second embodiment.

<変形例1>
図3の(a)部は、変形例1に係るシンチレータパネル1Aを示す。シンチレータパネル1Aは、基板2、バリア層3及びシンチレータ層4に加えて、さらに別の層を有してもよい。シンチレータパネル1Aは、当該別の層として、機能層8を有する。機能層8は、その機能層表面8aが基板裏面2bに対面する。機能層8は、無機材料を主成分として含む。機能層8は、例えば、金属箔、金属シート、無機材料により形成されたコーティング層であってもよい。そして、機能層8を含む積層体7Aは、保護膜6により覆われる。つまり、保護膜6は、機能層8の機能層裏面8bと、機能層側面8cと、基板側面2cと、バリア層側面3cと、シンチレータ層側面4cと、シンチレータ層表面4aと、を覆う。シンチレータパネル1Aによれば、バリア層3及び機能層8によって基板2を介して浸入する湿気からシンチレータ層4を保護することができる。
<Modification 1>
Part (a) of FIG. 3 shows a scintillator panel 1A according to the first modification. The scintillator panel 1A may have another layer in addition to the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4. The scintillator panel 1A has a functional layer 8 as the other layer. The functional layer 8 has a functional layer surface 8a facing the substrate back surface 2b. The functional layer 8 contains an inorganic material as a main component. The functional layer 8 may be, for example, a metal foil, a metal sheet, or a coating layer formed of an inorganic material. The laminate 7A including the functional layer 8 is covered with a protective film 6. That is, the protective film 6 covers the functional layer back surface 8b, the functional layer side surface 8c, the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, the scintillator layer side surface 4c, and the scintillator layer surface 4a of the functional layer 8. According to the scintillator panel 1A, the barrier layer 3 and the functional layer 8 can protect the scintillator layer 4 from moisture penetrating through the substrate 2.

<変形例2>
図3の(b)部は、変形例2に係るシンチレータパネル1Bを示す。シンチレータパネル1Bは、変形例1とは異なる構成を有する機能層8Aを有してもよい。機能層8Aは、基板裏面2bに加えて、基板側面2c上にも形成される。つまり、機能層8Aは、基板裏面2b上に形成された第1の部分と、基板側面2c上に形成された第2の部分と、を有する。第1の部分は、機能層表面8aと、機能層裏面8bと、を有する。機能層表面8aは、基板裏面2bと対面する。そうすると、基板2は、バリア層3及び機能層8Aによって全ての面が覆われる。機能層8Aは、無機材料を主成分として含む。機能層8Aは、例えば、無機材料により形成されたコーティング層であってもよい。そして、機能層8Aを含む積層体7Bは、保護膜6により覆われる。つまり、保護膜6は、機能層8Aの第1の部分と、機能層8Aの第2の部分と、バリア層側面3cと、シンチレータ層側面4cと、シンチレータ層表面4aと、を覆う。シンチレータパネル1Bによれば、バリア層3及び機能層8Aによって基板2を介して浸入する湿気からシンチレータ層4を保護することができる。
<Modification 2>
Part (b) of FIG. 3 shows a scintillator panel 1B according to the second modification. The scintillator panel 1B may have a functional layer 8A having a different configuration from that of the first modification. The functional layer 8A is formed on the substrate side surface 2c in addition to the substrate back surface 2b. That is, the functional layer 8A has a first portion formed on the substrate back surface 2b and a second portion formed on the substrate side surface 2c. The first portion has a functional layer surface 8a and a functional layer back surface 8b. The functional layer surface 8a faces the substrate back surface 2b. Then, the substrate 2 is covered on all sides by the barrier layer 3 and the functional layer 8A. The functional layer 8A contains an inorganic material as a main component. The functional layer 8A may be, for example, a coating layer formed of an inorganic material. The laminate 7B including the functional layer 8A is covered by a protective film 6. That is, the protective film 6 covers the first portion of the functional layer 8A, the second portion of the functional layer 8A, the barrier layer side surface 3c, the scintillator layer side surface 4c, and the scintillator layer surface 4a. According to the scintillator panel 1B, the barrier layer 3 and the functional layer 8A can protect the scintillator layer 4 from moisture penetrating through the substrate 2.

<変形例3>
図4の(a)部は、変形例3に係るシンチレータパネル1Cを示す。シンチレータパネル1Cは、変形例1とは異なる機能層8Bを有してもよい。機能層8Bは、保護膜6上に形成される。具体的には、基板2、バリア層3及びシンチレータ層4を含む積層体7は、保護膜6によって覆われる。つまり、保護膜6は、基板裏面2bを覆う。そして、機能層8Bは、基板裏面2bを覆う部分の上に形成される。従って、シンチレータパネル1Cは、厚み方向に沿って、機能層8B、保護膜6、基板2、バリア層3及びシンチレータ層4がこの順に積層された積層構造を有する。機能層8Bは、無機材料を主成分として含む。機能層8Bは、例えば、金属箔、金属シート、無機材料により形成されたコーティング層であってもよい。シンチレータパネル1Cによれば、バリア層3及び機能層8Bによって基板2を介して浸入する湿気からシンチレータ層4を保護することができる。
<Modification 3>
Part (a) of FIG. 4 shows a scintillator panel 1C according to the third modification. The scintillator panel 1C may have a functional layer 8B different from that of the first modification. The functional layer 8B is formed on the protective film 6. Specifically, the laminate 7 including the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 is covered by the protective film 6. That is, the protective film 6 covers the rear surface 2b of the substrate. The functional layer 8B is formed on the portion covering the rear surface 2b of the substrate. Therefore, the scintillator panel 1C has a laminated structure in which the functional layer 8B, the protective film 6, the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 are laminated in this order along the thickness direction. The functional layer 8B contains an inorganic material as a main component. The functional layer 8B may be, for example, a metal foil, a metal sheet, or a coating layer formed of an inorganic material. According to the scintillator panel 1C, the barrier layer 3 and the functional layer 8B can protect the scintillator layer 4 from moisture penetrating through the substrate 2.

<変形例4>
図4の(b)部は、変形例4に係るシンチレータパネル1Dを示す。変形例4に係るシンチレータパネル1Dは、変形例1とは異なる機能層8Cを有してもよい。機能層8Cは、保護膜6上に形成される。機能層8Cは、積層体7Cの少なくとも一部を覆う。具体的には、基板2、バリア層3及びシンチレータ層4を含む積層体7は、保護膜6によって覆われる。つまり、保護膜6は、基板裏面2bを覆う部分と、基板側面2cを覆う部分と、を有する。そして、機能層8Cは、基板裏面2bを覆う部分の上と、基板側面2cを覆う部分の上と、のそれぞれに形成される。従って、シンチレータパネル1Dは、厚み方向にそって、機能層8C、保護膜6、基板2、バリア層3及びシンチレータ層4がこの順に積層された積層構造を有する。また、シンチレータパネル1Dは、厚み方向と交差する方向に沿って、機能層8C、保護膜6、基板2、保護膜6、機能層8Cがこの順に積層された積層構造を有する。機能層8Cは、無機材料を主成分として含む。機能層8Cは、例えば、金属箔、金属シート、無機材料により形成されたコーティング層であってもよい。シンチレータパネル1Dによれば、バリア層3及び機能層8Cによって基板2を介して浸入する湿気からシンチレータ層4を保護することができる。
<Modification 4>
Part (b) of FIG. 4 shows a scintillator panel 1D according to the fourth modification. The scintillator panel 1D according to the fourth modification may have a functional layer 8C different from that of the first modification. The functional layer 8C is formed on the protective film 6. The functional layer 8C covers at least a part of the laminate 7C. Specifically, the laminate 7 including the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 is covered by the protective film 6. That is, the protective film 6 has a portion covering the substrate back surface 2b and a portion covering the substrate side surface 2c. The functional layer 8C is formed on each of the portion covering the substrate back surface 2b and the portion covering the substrate side surface 2c. Therefore, the scintillator panel 1D has a laminated structure in which the functional layer 8C, the protective film 6, the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 are laminated in this order along the thickness direction. The scintillator panel 1D also has a laminated structure in which the functional layer 8C, the protective film 6, the substrate 2, the protective film 6, and the functional layer 8C are laminated in this order along a direction intersecting the thickness direction. The functional layer 8C contains an inorganic material as a main component. The functional layer 8C may be, for example, a metal foil, a metal sheet, or a coating layer formed of an inorganic material. According to the scintillator panel 1D, the barrier layer 3 and the functional layer 8C can protect the scintillator layer 4 from moisture penetrating through the substrate 2.

第1実施形態に係るシンチレータパネル1は、一枚の大きい基板2上にバリア層3及びシンチレータ層4を形成したパネル基体を形成し、当該パネル基体を切断することにより得られる。つまり、シンチレータパネル1のパネル側面11cには、切断の形態に応じた加工痕が生じることがある。例えば、パネル基体の切断には、レーザ光を利用してもよい。 The scintillator panel 1 according to the first embodiment is obtained by forming a panel base in which a barrier layer 3 and a scintillator layer 4 are formed on a single large substrate 2, and then cutting the panel base. In other words, processing marks may be generated on the panel side surface 11c of the scintillator panel 1 according to the type of cutting. For example, laser light may be used to cut the panel base.

<変形例5>
図5の(a)部は、変形例5に係るシンチレータパネル1Eを示す。シンチレータパネル1Eは、積層体側面7cに形成された溶融領域5を有してもよい。溶融領域5は、レーザ光によって基板2、バリア層3及びシンチレータ層4の一部が溶融し、再度固化した部分である。つまり、基板側面2c、バリア層側面3c及びシンチレータ層側面4cのそれぞれの全面に溶融領域5が形成される。シンチレータパネル1Eによれば、レーザ光を用いた切断を行うことができる。
<Modification 5>
Part (a) of Fig. 5 shows a scintillator panel 1E according to variant 5. The scintillator panel 1E may have a molten region 5 formed on the laminate side surface 7c. The molten region 5 is a portion of the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 that has been melted by the laser light and then solidified again. In other words, the molten region 5 is formed on the entire surface of each of the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, and the scintillator layer side surface 4c. The scintillator panel 1E allows cutting to be performed using laser light.

このような加工痕は以下のような工程によって形成される。まず、積層体7を形成する。次に、積層体7においてレーザ光をシンチレータ層4の側から照射する。そうするとレーザ光は、シンチレータ層4、バリア層3、基板2の順に切断していく。基板2は、複数の柱状結晶よりなるシンチレータ層4及びバリア層3よりも劈開性がない。従って、レーザ光は、基板裏面2bに到達するまで照射し続けられる。従って、レーザ光は、シンチレータ層表面4aから基板裏面2bに至るまで照射し続けられるので、切断面である積層体側面7cの全面に亘って溶融領域5が形成される。 Such processing marks are formed by the following process. First, the laminate 7 is formed. Next, laser light is irradiated from the side of the scintillator layer 4 on the laminate 7. The laser light then cuts the scintillator layer 4, the barrier layer 3, and the substrate 2 in that order. The substrate 2 is less cleavable than the scintillator layer 4 and the barrier layer 3, which are made of multiple columnar crystals. Therefore, the laser light continues to be irradiated until it reaches the back surface 2b of the substrate. Therefore, the laser light continues to be irradiated from the scintillator layer surface 4a to the back surface 2b of the substrate, so that a melted region 5 is formed over the entire surface of the laminate side surface 7c, which is the cut surface.

<変形例6>
図5の(b)部は、変形例6に係るシンチレータパネル1Fを示す。シンチレータパネル1Fは、積層体側面7cの一部に形成された溶融領域5Aを有してもよい。溶融領域5Aは、基板側面2c及びバリア層側面3cのそれぞれの全面と、シンチレータ層側面4cの一部に形成される。具体的には、溶融領域5Aは、バリア層側面3cに連続するシンチレータ層側面4cの一部分に形成される。
<Modification 6>
Part (b) of Fig. 5 shows a scintillator panel 1F according to Modification 6. The scintillator panel 1F may have a molten region 5A formed in a portion of the laminate side surface 7c. The molten region 5A is formed on the entire surface of each of the substrate side surface 2c and the barrier layer side surface 3c, and in a portion of the scintillator layer side surface 4c. Specifically, the molten region 5A is formed in a portion of the scintillator layer side surface 4c that is continuous with the barrier layer side surface 3c.

このような加工痕は以下のような工程によって形成される。まず、積層体7を形成する。次に、積層体7においてレーザ光を基板2の側から照射する。そうするとレーザ光は、基板2、バリア層3、シンチレータ層4の順に切断していく。シンチレータ層4は、柱状結晶の集合体であり、劈開性が高い。従って、シンチレータ層4の根元部に溝や亀裂が生じると、その亀裂をきっかけとして劈開することができる。つまり、レーザ光は、基板裏面2bからシンチレータ層表面4aに至るまで照射し続ける必要がない。レーザ光は、基板裏面2bからシンチレータ層側面4cにわずかに到達したときに、その照射を停止する。そして、シンチレータ層4に形成された溝や亀裂をきっかけとして、シンチレータ層4を劈開する。この切断方法によれば、シンチレータ層4へのレーザ光の照射を最小限に留めることができる。従って、変形例5の切断方法と比較すると、シンチレータ層4へのダメージを低減することができる。 Such processing marks are formed by the following process. First, the laminate 7 is formed. Next, the laminate 7 is irradiated with laser light from the side of the substrate 2. The laser light then cuts the substrate 2, the barrier layer 3, and the scintillator layer 4 in that order. The scintillator layer 4 is an aggregate of columnar crystals and has high cleavage properties. Therefore, when grooves or cracks are formed at the base of the scintillator layer 4, the cracks can be used as a trigger for cleavage. In other words, it is not necessary to continue irradiating the laser light from the back surface 2b of the substrate to the front surface 4a of the scintillator layer. The laser light stops irradiating when it slightly reaches the side surface 4c of the scintillator layer from the back surface 2b of the substrate. Then, the grooves and cracks formed in the scintillator layer 4 are used as a trigger for cleaving the scintillator layer 4. According to this cutting method, the irradiation of the laser light to the scintillator layer 4 can be kept to a minimum. Therefore, compared to the cutting method of the fifth modification, damage to the scintillator layer 4 can be reduced.

<変形例7>
図5の(c)部は、変形例7に係るシンチレータパネル1Gを示す。シンチレータパネル1Gは、積層体側面7cの一部に形成された溶融領域5Bを有してもよい。溶融領域5Bは、基板側面2cに形成された溶融部5aと、シンチレータ層側面4cの一部に形成された溶融部5bと、を有する。具体的には、溶融部5bは、シンチレータ層表面4a側のシンチレータ層側面4cの一部分に形成される。換言すると、シンチレータ層4の根元部には、溶融領域5Bは形成されない。なお、バリア層側面3cには、溶融部5aと連続する溶融領域が形成されてもよい。
<Modification 7>
Part (c) of Fig. 5 shows a scintillator panel 1G according to the seventh modification. The scintillator panel 1G may have a molten region 5B formed in a part of the laminate side surface 7c. The molten region 5B has a molten portion 5a formed on the substrate side surface 2c and a molten portion 5b formed in a part of the scintillator layer side surface 4c. Specifically, the molten portion 5b is formed in a part of the scintillator layer side surface 4c on the scintillator layer surface 4a side. In other words, the molten region 5B is not formed in the base portion of the scintillator layer 4. Note that a molten region continuous with the molten portion 5a may be formed on the barrier layer side surface 3c.

このような加工痕は以下のような工程によって形成される。まず、積層体7を形成する。次に、積層体7においてレーザ光を基板2の側から照射する。そして、レーザ光が基板表面2aに達したときに照射を停止する。この工程によって、基板側面2cにおける溶融部5aが形成される。次に、レーザ光をシンチレータ層4側から照射する。そして、レーザ光がシンチレータ層表面4aから所定の深さに達したときに照射を停止する。つまり、レーザ光は、シンチレータ層表面4aからシンチレータ層裏面4bまで照射し続けることはない。この段階では、積層体7は、シンチレータ層4の根元部とバリア層3とによって一体性を保っている。そして、シンチレータ層4に設けられた溝や亀裂をきっかけとして、シンチレータ層4を劈開する。この切断方法によれば、シンチレータ層4へのレーザ光の照射を最小限に留めることができる。従って、変形例5の切断方法と比較すると、シンチレータ層4へのダメージを低減することができる。 Such processing marks are formed by the following process. First, the laminate 7 is formed. Next, the laminate 7 is irradiated with laser light from the side of the substrate 2. Then, when the laser light reaches the substrate surface 2a, the irradiation is stopped. This process forms a molten part 5a on the substrate side surface 2c. Next, the laser light is irradiated from the scintillator layer 4 side. Then, when the laser light reaches a predetermined depth from the scintillator layer surface 4a, the irradiation is stopped. In other words, the laser light does not continue to irradiate from the scintillator layer surface 4a to the scintillator layer back surface 4b. At this stage, the laminate 7 maintains its integrity by the root part of the scintillator layer 4 and the barrier layer 3. Then, the scintillator layer 4 is cleaved using grooves and cracks provided in the scintillator layer 4 as a trigger. According to this cutting method, the irradiation of the laser light to the scintillator layer 4 can be kept to a minimum. Therefore, compared to the cutting method of the modified example 5, damage to the scintillator layer 4 can be reduced.

<変形例8>
図6の(a)部は、変形例8に係るシンチレータパネル1Hを示す。シンチレータパネル1Hは、保護膜6に代えて保護シート6Aを有する。つまり、シンチレータパネル1Hは、積層体7と、保護シート6Aと、を有する。保護シート6Aは、2枚のシート部材6a,6bを貼りあわせて構成される。具体的には、シート部材6aはシンチレータ層表面4aと対面するように配置され、シート部材6bは基板裏面2bと対面するように配置される。シート部材6aとシンチレータ層表面4aとの間、及びシート部材6bと基板裏面2bとの間には、隙間を設けてもよい。また、シート部材6aとシンチレータ層表面4aとは互いに接触してもよいし、シート部材6bと基板裏面2bとは互いに接触してもよい。そして、シート部材6aの周辺部は、シート部材6bの周辺部と重ね合されて、互いに接着される。この構成によれば、積層体7を収容した内部領域を気密に保つことができる。従って、シンチレータ層4を湿気から保護することができる。
<Modification 8>
Part (a) of FIG. 6 shows a scintillator panel 1H according to the eighth modified example. The scintillator panel 1H has a protective sheet 6A instead of the protective film 6. That is, the scintillator panel 1H has a laminate 7 and a protective sheet 6A. The protective sheet 6A is formed by bonding two sheet members 6a and 6b together. Specifically, the sheet member 6a is arranged so as to face the scintillator layer surface 4a, and the sheet member 6b is arranged so as to face the substrate back surface 2b. A gap may be provided between the sheet member 6a and the scintillator layer surface 4a, and between the sheet member 6b and the substrate back surface 2b. In addition, the sheet member 6a and the scintillator layer surface 4a may be in contact with each other, and the sheet member 6b and the substrate back surface 2b may be in contact with each other. The peripheral portion of the sheet member 6a is overlapped with the peripheral portion of the sheet member 6b and is adhered to each other. According to this configuration, the internal area in which the laminate 7 is housed can be kept airtight. Therefore, the scintillator layer 4 can be protected from moisture.

<変形例9>
図6の(b)部は、変形例9に係るシンチレータパネル1Kを示す。シンチレータパネル1Kは、保護膜6に代えて袋状の保護シート6Bを有してもよい。つまり、シンチレータパネル1Kは、積層体7と、保護シート6Bと、を有する。保護シート6Bは、開口を有し、当該開口から積層体7を収容する。そして、積層体7を収容した後に、開口を閉じて接着剤などにより固定する。この構成によっても積層体7を収容した内部領域を気密に保つことができる。従って、シンチレータ層4を湿気から保護することができる。
<Modification 9>
Part (b) of Fig. 6 shows a scintillator panel 1K according to a ninth modified example. The scintillator panel 1K may have a bag-shaped protective sheet 6B instead of the protective film 6. That is, the scintillator panel 1K has a laminate 7 and a protective sheet 6B. The protective sheet 6B has an opening through which the laminate 7 is housed. After the laminate 7 is housed, the opening is closed and fixed with an adhesive or the like. This configuration also makes it possible to keep the internal area housing the laminate 7 airtight. Therefore, the scintillator layer 4 can be protected from moisture.

<変形例10>
図7の(a)部は、変形例10に係る放射線検出器10Aを示す。放射線検出器10Aは、第1実施形態に係るシンチレータパネル1が有する積層体7と、センサパネル11と、封止部12と、を有する。センサパネル11は、第2実施形態に係る放射線検出器10が有するセンサパネル11と略同様の構成を有する。
<Modification 10>
Part (a) of Fig. 7 shows a radiation detector 10A according to Modification 10. The radiation detector 10A has the laminate 7 of the scintillator panel 1 according to the first embodiment, a sensor panel 11, and a sealing portion 12. The sensor panel 11 has a configuration substantially similar to that of the sensor panel 11 of the radiation detector 10 according to the second embodiment.

封止部12は、第2実施形態に係る放射線検出器10が有する封止部12と略同様の構成を有する。変形例10に係る放射線検出器10Aにおいて、封止枠13の枠壁部13cの高さは、パネル表面11aから基板裏面2bまでの高さよりも高い。封止枠13は、例えば、樹脂材料、金属材料、セラミック材料により構成してよい。なお、封止枠13を金属材料やセラミック材料により構成した場合には、枠表面13a及び封止板14との間に接着層(不図示)が形成されると共に、枠裏面13bとパネル表面11aとの間に接着層(不図示)が形成される。封止板14は、例えば、ガラス材料、金属材料、カーボン材料、バリアフィルムにより構成してよい。金属材料としては、アルミニウムが例示される。カーボン材料としては、CFRPが例示される。バリアフィルムとしては、有機材料層(PETやPEN)と無機材料層(SiN)との積層体が例示される。放射線検出器10Aは、センサパネル11及び封止部12によって、シンチレータ層4を湿気から保護することができる。 The sealing portion 12 has a configuration substantially similar to that of the sealing portion 12 of the radiation detector 10 according to the second embodiment. In the radiation detector 10A according to the modification 10, the height of the frame wall portion 13c of the sealing frame 13 is higher than the height from the panel surface 11a to the substrate back surface 2b. The sealing frame 13 may be made of, for example, a resin material, a metal material, or a ceramic material. When the sealing frame 13 is made of a metal material or a ceramic material, an adhesive layer (not shown) is formed between the frame surface 13a and the sealing plate 14, and an adhesive layer (not shown) is formed between the frame back surface 13b and the panel surface 11a. The sealing plate 14 may be made of, for example, a glass material, a metal material, a carbon material, or a barrier film. An example of the metal material is aluminum. An example of the carbon material is CFRP. An example of the barrier film is a laminate of an organic material layer (PET or PEN) and an inorganic material layer (SiN). The radiation detector 10A can protect the scintillator layer 4 from moisture by the sensor panel 11 and the sealing portion 12.

<変形例11>
図7の(b)部は、変形例11に係る放射線検出器10Bを示す。放射線検出器10Bは、変形例10の放射線検出器10Aとは異なる封止部12Aを有する。その他の積層体7及びセンサパネル11の構成は、変形例10と同様である。封止部12Aは、封止板14と封止枠13Aとを備えており、封止枠13Aはさらに、内側封止枠17と外側封止枠18とを有する。つまり、封止枠13は二重構造を有する。内側封止枠17は、例えば、樹脂材料により構成してよい。また、外側封止枠18は、例えば、無機材料により形成されたコーティング層や、ガラスロッドといった無機固形材料により構成してもよい。放射線検出器10Bは、センサパネル11及び封止部12Aによって、シンチレータ層4を湿気から好適に保護することができる。
<Modification 11>
Part (b) of FIG. 7 shows a radiation detector 10B according to the modified example 11. The radiation detector 10B has a sealing portion 12A different from the radiation detector 10A of the modified example 10. The other configurations of the laminate 7 and the sensor panel 11 are the same as those of the modified example 10. The sealing portion 12A includes a sealing plate 14 and a sealing frame 13A, and the sealing frame 13A further includes an inner sealing frame 17 and an outer sealing frame 18. That is, the sealing frame 13 has a double structure. The inner sealing frame 17 may be made of, for example, a resin material. The outer sealing frame 18 may be made of, for example, a coating layer formed of an inorganic material or an inorganic solid material such as a glass rod. The radiation detector 10B can suitably protect the scintillator layer 4 from moisture by the sensor panel 11 and the sealing portion 12A.

<変形例12>
図8の(a)部は、変形例12に係る放射線検出器10Cを示す。変形例12に係る放射線検出器10Cは、第1実施形態に係るセンサパネル11の積層体7とは異なる構成の積層体7Cを有する。積層体7Cは、基板2Aと、バリア層3Aと、シンチレータ層4Aとを有する。変形例12に係るバリア層3Aの単体構成は、第2実施形態に係るバリア層3Aと同様である。また、変形例12に係るシンチレータ層4Aの単体構成は、第2実施形態に係るシンチレータ層4Aと同様である。つまり、シンチレータ層側面4cは、厚み方向に対して傾いている。
<Modification 12>
Part (a) of Fig. 8 shows a radiation detector 10C according to Modification 12. The radiation detector 10C according to Modification 12 has a laminate 7C having a different configuration from the laminate 7 of the sensor panel 11 according to the first embodiment. The laminate 7C has a substrate 2A, a barrier layer 3A, and a scintillator layer 4A. The individual configuration of the barrier layer 3A according to Modification 12 is similar to that of the barrier layer 3A according to the second embodiment. Moreover, the individual configuration of the scintillator layer 4A according to Modification 12 is similar to that of the scintillator layer 4A according to the second embodiment. In other words, the scintillator layer side surface 4c is inclined with respect to the thickness direction.

一方、積層体7Cは、基板側面2cとバリア層側面3cとが面一でなく、且つ、基板側面2cとシンチレータ層側面4cとが面一でない点で、第1実施形態に係る積層体7と異なる。厚み方向から平面視したとき、基板2Aは、バリア層3A及びシンチレータ層4Aよりも大きい。従って、基板表面2aは、バリア層3A及びシンチレータ層4Aから露出する露出領域S3を有する。 On the other hand, the laminate 7C differs from the laminate 7 according to the first embodiment in that the substrate side 2c and the barrier layer side 3c are not flush with each other, and the substrate side 2c and the scintillator layer side 4c are not flush with each other. When viewed in a plan view from the thickness direction, the substrate 2A is larger than the barrier layer 3A and the scintillator layer 4A. Therefore, the substrate surface 2a has an exposed region S3 that is exposed from the barrier layer 3A and the scintillator layer 4A.

積層体7Cは、シンチレータ層表面4aがパネル表面11aと対面するように、センサパネル11に対して取り付けられる。この構成によれば、基板表面2aにおける露出領域S3もパネル表面11aの周囲領域S2と対面する。基板表面2aは、パネル表面11aに対してシンチレータ層4A及びバリア層3Aの高さ分だけ離間する。そこで、基板表面2aとパネル表面11aとの間に、封止枠13を挟み込む。封止枠13と基板2Aとは互いに接着により固定される。同様に、封止枠13とセンサパネル11とは互いに接着により固定される。この構成によれば、基板2Aは、バリア層3A及びシンチレータ層4Aの成長基板としての機能と、放射線検出器10Cにおける封止板としての機能と、を奏し得る。従って、放射線検出器10Cを構成する部品数を低減することができる。 The laminate 7C is attached to the sensor panel 11 so that the scintillator layer surface 4a faces the panel surface 11a. With this configuration, the exposed area S3 on the substrate surface 2a also faces the peripheral area S2 of the panel surface 11a. The substrate surface 2a is spaced from the panel surface 11a by the height of the scintillator layer 4A and the barrier layer 3A. A sealing frame 13 is sandwiched between the substrate surface 2a and the panel surface 11a. The sealing frame 13 and the substrate 2A are fixed to each other by adhesion. Similarly, the sealing frame 13 and the sensor panel 11 are fixed to each other by adhesion. With this configuration, the substrate 2A can function as a growth substrate for the barrier layer 3A and the scintillator layer 4A, and as a sealing plate in the radiation detector 10C. Therefore, the number of parts constituting the radiation detector 10C can be reduced.

<変形例13>
図8の(b)部は、変形例13に係る放射線検出器10Dを示す。放射線検出器10Dは、変形例12の放射線検出器10Cとは異なる封止枠13Aを有する。その他の積層体7C及びセンサパネル11の構成は、変形例12と同様である。封止枠13Aは、変形例11に係る封止枠13Aと同様の構成を有する。つまり、封止枠13Aは、内側封止枠17と外側封止枠18とを有する。放射線検出器10Dは、基板2A、センサパネル11及び封止枠13Aによって、シンチレータ層4Aを湿気から保護することができる。
<Modification 13>
Part (b) of Fig. 8 shows a radiation detector 10D according to Modification 13. The radiation detector 10D has a sealing frame 13A different from that of the radiation detector 10C of Modification 12. The other configurations of the laminate 7C and the sensor panel 11 are similar to those of Modification 12. The sealing frame 13A has a configuration similar to that of the sealing frame 13A according to Modification 11. In other words, the sealing frame 13A has an inner sealing frame 17 and an outer sealing frame 18. In the radiation detector 10D, the substrate 2A, the sensor panel 11, and the sealing frame 13A can protect the scintillator layer 4A from moisture.

<変形例14>
図9の(a)部は、変形例14に係る放射線検出器10Eを示す。放射線検出器10Eは、積層体7と、保護膜6Cと、センサパネル11と、に加えて、さらにファイバオプティカルプレート(以下「FOP9」と言う)と、を有する。FOP9は、積層体7とセンサパネル11との間に配置される。つまり、積層体7は、FOP9を介してセンサパネル11に接合される。具体的には、FOP9は、シンチレータ層4とセンサパネル11との間に配置される。FOP9は、FOP表面9aと、FOP裏面9bと、FOP側面9cと、を有する。FOP裏面9bは、シンチレータ層表面4aに接触する。FOP表面9aは、パネル表面11aに接触する。FOP側面9cは、積層体側面7cと面一である。そして、保護膜6Cは、基板裏面2b、基板側面2c、バリア層側面3c、シンチレータ層側面4c及びFOP側面9cを覆う。従って、保護膜6Cは、シンチレータ層4とFOP9の間、及びFOP9とセンサパネル11との間には形成されない。放射線検出器10Eは、シンチレータ層4を湿気から保護すると共に、FOP9によりシンチレータ層4をセンサパネル11に好適に光学的に接続することができ、シンチレータ層4とFOP9の間、及びFOP9とセンサパネル11の間に保護膜6Cがないことで解像度低下を抑制できる。
<Modification 14>
Part (a) of FIG. 9 shows a radiation detector 10E according to a modified example 14. The radiation detector 10E has a fiber optical plate (hereinafter referred to as "FOP 9") in addition to the laminate 7, the protective film 6C, and the sensor panel 11. The FOP 9 is disposed between the laminate 7 and the sensor panel 11. That is, the laminate 7 is joined to the sensor panel 11 via the FOP 9. Specifically, the FOP 9 is disposed between the scintillator layer 4 and the sensor panel 11. The FOP 9 has an FOP front surface 9a, an FOP back surface 9b, and an FOP side surface 9c. The FOP back surface 9b contacts the scintillator layer front surface 4a. The FOP front surface 9a contacts the panel front surface 11a. The FOP side surface 9c is flush with the laminate side surface 7c. The protective film 6C covers the substrate back surface 2b, the substrate side surface 2c, the barrier layer side surface 3c, the scintillator layer side surface 4c, and the FOP side surface 9c. Therefore, the protective film 6C is not formed between the scintillator layer 4 and the FOP 9, and between the FOP 9 and the sensor panel 11. The radiation detector 10E can protect the scintillator layer 4 from moisture, and can suitably optically connect the scintillator layer 4 to the sensor panel 11 by the FOP 9, and the absence of the protective film 6C between the scintillator layer 4 and the FOP 9, and between the FOP 9 and the sensor panel 11 can suppress a decrease in resolution.

なお、図9の(b)部に示された放射線検出器10Sのように、保護膜6Cは、積層体7の外周面を覆っていてもよい。つまり、保護膜6Cは、積層体7とFOP9との間に形成されてもよい。 As in the radiation detector 10S shown in part (b) of FIG. 9, the protective film 6C may cover the outer peripheral surface of the stack 7. In other words, the protective film 6C may be formed between the stack 7 and the FOP 9.

<変形例15>
図10の(a)部は、変形例15に係る放射線検出器10Fを示す。放射線検出器10Fは、第2実施形態に係る放射線検出器10とは異なる封止部12Aを有する。その他のバリア層3A、シンチレータ層4A及びセンサパネル11の構成は、第2実施形態に係る放射線検出器10と同様である。封止部12Aは、変形例11に係る封止部12Aと同様の構成を有する。つまり、封止部12Aは、封止板14と封止枠13Aとを備えており、封止枠13Aはさらに、内側封止枠17と外側封止枠18とを有する。放射線検出器10Fは、シンチレータ層4Aを好適に湿気から保護することができる。
<Modification 15>
Part (a) of Fig. 10 shows a radiation detector 10F according to Modification 15. The radiation detector 10F has a sealing portion 12A different from the radiation detector 10 according to the second embodiment. The remaining configurations of the barrier layer 3A, the scintillator layer 4A, and the sensor panel 11 are similar to those of the radiation detector 10 according to the second embodiment. The sealing portion 12A has a similar configuration to the sealing portion 12A according to Modification 11. That is, the sealing portion 12A includes a sealing plate 14 and a sealing frame 13A, and the sealing frame 13A further includes an inner sealing frame 17 and an outer sealing frame 18. The radiation detector 10F can suitably protect the scintillator layer 4A from moisture.

<変形例16>
図10の(b)部は、変形例16に係る放射線検出器10Gを示す。放射線検出器10Gは、第2実施形態に係る放射線検出器10に対して、封止部12を有しておらず、封止部12に代えて保護膜6Dを有する。その他のバリア層3A、シンチレータ層4A及びセンサパネル11の構成は、第2実施形態に係る放射線検出器10と同様である。保護膜6Dは、パネル表面11aと、バリア層側面3cと、シンチレータ層側面4cとシンチレータ層裏面4bとを覆う。放射線検出器10Gは、シンチレータ層4Aを湿気から好適に保護することができる。保護膜6Dは保護膜6と同様の材料よりなる。
<Modification 16>
Part (b) of Fig. 10 shows a radiation detector 10G according to Modification 16. The radiation detector 10G does not have the sealing portion 12 compared to the radiation detector 10 according to the second embodiment, and has a protective film 6D instead of the sealing portion 12. The remaining configurations of the barrier layer 3A, the scintillator layer 4A, and the sensor panel 11 are similar to those of the radiation detector 10 according to the second embodiment. The protective film 6D covers the panel front surface 11a, the barrier layer side surface 3c, the scintillator layer side surface 4c, and the scintillator layer back surface 4b. The radiation detector 10G can suitably protect the scintillator layer 4A from moisture. The protective film 6D is made of the same material as the protective film 6.

<変形例17>
図10の(c)部は、変形例17に係る放射線検出器10Hを示す。放射線検出器10Hは、変形例16に係る放射線検出器10Gに対して、さらに封止枠13Bを追加したものである。従って、シンチレータ層4A、バリア層3A、センサパネル11及び保護膜6Dは、変形例16に係る放射線検出器10Gと同様である。封止枠13Bは、センサパネル11と保護膜6Dの接合部を塞ぐように形成される。従って、封止枠13Bは、厚み方向から平面視すると、保護膜6Dの外縁に沿って形成される。封止枠13Bは、例えば、UV硬化樹脂により構成してよい。この構成によれば、センサパネル11と保護膜6Dの接合部からの湿気の侵入が抑制されるので、耐湿性をさらに高めることができる。
<Modification 17>
Part (c) of Fig. 10 shows a radiation detector 10H according to the modified example 17. The radiation detector 10H is obtained by further adding a sealing frame 13B to the radiation detector 10G according to the modified example 16. Therefore, the scintillator layer 4A, the barrier layer 3A, the sensor panel 11, and the protective film 6D are the same as those of the radiation detector 10G according to the modified example 16. The sealing frame 13B is formed so as to close the joint between the sensor panel 11 and the protective film 6D. Therefore, the sealing frame 13B is formed along the outer edge of the protective film 6D when viewed in a plan view from the thickness direction. The sealing frame 13B may be made of, for example, a UV curing resin. According to this configuration, the intrusion of moisture from the joint between the sensor panel 11 and the protective film 6D is suppressed, and therefore the moisture resistance can be further improved.

<変形例18>
図11の(a)部は、変形例18に係る放射線検出器10Kを示す。放射線検出器10Kは、第2実施形態に係る放射線検出器10の封止部12を有しておらず、封止部12に代えて封止シート12Bを有する。その他のバリア層3A、シンチレータ層4A及びセンサパネル11の構成は、第2実施形態に係る放射線検出器10と同様である。封止シート12Bは、厚み方向に平面視して矩形、多角形又は円形を呈する。封止シート12Bは、例えば、金属箔、アルミニウムシートといった金属シート、バリアフィルムにより構成してよい。封止シート12Bは、シンチレータ層4A及びバリア層3Aを覆う。具体的には、シンチレータ層裏面4b、シンチレータ層側面4c、バリア層側面3c及びパネル表面11aの一部を覆う。すなわち、平面視した場合に、封止シート12Bは、シンチレータ層4A及びバリア層3Aよりも大きい。そして、封止シート12Bの外周縁12aは、パネル表面11aに対して接着剤15により接着される。従って、封止シート12B及びセンサパネル11は、シンチレータ層4A及びバリア層3Aを収容する気密領域を形成する。従って、シンチレータ層4Aを湿気から保護することができる。なお、接着剤15は、フィラー材を含んでもよい。このフィラー材は、接着層よりも厚さ未満の粒径を有する。放射線検出器10Kは、シンチレータ層4Aを湿気から好適に保護することができる。
<Modification 18>
Part (a) of FIG. 11 shows a radiation detector 10K according to Modification 18. The radiation detector 10K does not have the sealing portion 12 of the radiation detector 10 according to the second embodiment, and has a sealing sheet 12B instead of the sealing portion 12. The other configurations of the barrier layer 3A, the scintillator layer 4A, and the sensor panel 11 are the same as those of the radiation detector 10 according to the second embodiment. The sealing sheet 12B has a rectangular, polygonal, or circular shape when viewed in a plan view in the thickness direction. The sealing sheet 12B may be composed of, for example, a metal sheet such as a metal foil or an aluminum sheet, or a barrier film. The sealing sheet 12B covers the scintillator layer 4A and the barrier layer 3A. Specifically, it covers the scintillator layer back surface 4b, the scintillator layer side surface 4c, the barrier layer side surface 3c, and a part of the panel surface 11a. That is, when viewed in a plan view, the sealing sheet 12B is larger than the scintillator layer 4A and the barrier layer 3A. The outer peripheral edge 12a of the sealing sheet 12B is adhered to the panel surface 11a by the adhesive 15. Thus, the sealing sheet 12B and the sensor panel 11 form an airtight region that houses the scintillator layer 4A and the barrier layer 3A. Thus, the scintillator layer 4A can be protected from moisture. The adhesive 15 may contain a filler material. The filler material has a particle size less than the thickness of the adhesive layer. The radiation detector 10K can suitably protect the scintillator layer 4A from moisture.

<変形例19>
図11の(b)部は、変形例19に係る放射線検出器10Lを示す。放射線検出器10Lは、変形例18に係る封止シート12Bとは異なる構成の封止枠12Cを有する。封止枠12Cは、箱状を呈し、底面に開口を有する。すなわち、変形例18に係る封止シート12Bは柔軟性を有するが、変形例19に係る封止枠12Cは所定の形状を保ち、硬質である点で相違する。従って、封止枠12Cは、例えば、ガラス材料、金属材料、カーボン材料により構成してよい。封止枠12Cは、その底面がパネル表面11aに対して接着剤15により接着される。この構成によれば、シンチレータ層4Aが封止枠12Cとセンサパネル11とが形成する気密領域に配置されるので、シンチレータ層4Aを湿気から保護することができる。さらに、封止枠12Cが硬質であるので、シンチレータ層4Aを機械的に保護することができる。
<Modification 19>
Part (b) of FIG. 11 shows a radiation detector 10L according to the modified example 19. The radiation detector 10L has a sealing frame 12C having a different configuration from the sealing sheet 12B according to the modified example 18. The sealing frame 12C has a box shape and has an opening on the bottom surface. That is, the sealing sheet 12B according to the modified example 18 has flexibility, but the sealing frame 12C according to the modified example 19 is different in that it maintains a predetermined shape and is hard. Therefore, the sealing frame 12C may be made of, for example, a glass material, a metal material, or a carbon material. The bottom surface of the sealing frame 12C is bonded to the panel surface 11a by an adhesive 15. According to this configuration, the scintillator layer 4A is disposed in an airtight region formed by the sealing frame 12C and the sensor panel 11, so that the scintillator layer 4A can be protected from moisture. Furthermore, since the sealing frame 12C is hard, the scintillator layer 4A can be mechanically protected.

<変形例20>
図12は、変形例20に係る放射線検出器10Mを示す。放射線検出器10Mは、第2実施形態に係る放射線検出器10とは異なるバリア層3B及びシンチレータ層4Bを有する。バリア層3Bは、バリア層表面3aと、バリア層裏面3bと、バリア層側面3cと、を有する。シンチレータ層4Bは、シンチレータ層表面4aと、シンチレータ層裏面4bと、シンチレータ層側面4cと、を有する。センサパネル11の単体構成は、第2実施形態に係る放射線検出器10と同様である。シンチレータ層4Bは、センサパネル11の一側面において、光検出領域S1からはみ出すように形成される。具体的には、まず、バリア層3Bは、光検出領域S1と、一方のパネル側面11cと、光検出領域S1と一方のパネル側面11cとの間の周囲領域S2aと、の上に形成される。そして、シンチレータ層4Bは、バリア層3Bを覆うように、バリア層3Bの全面上に形成される。この構成を有する放射線検出器10Mは、例えば、シンチレータ層4Bが光検出領域S1をはみ出すように形成された辺を胸壁側に配置することでマンモグラフィー用の放射線検出器として好適に用いることができる。
<Modification 20>
12 shows a radiation detector 10M according to the modified example 20. The radiation detector 10M has a barrier layer 3B and a scintillator layer 4B different from those of the radiation detector 10 according to the second embodiment. The barrier layer 3B has a barrier layer front surface 3a, a barrier layer back surface 3b, and a barrier layer side surface 3c. The scintillator layer 4B has a scintillator layer front surface 4a, a scintillator layer back surface 4b, and a scintillator layer side surface 4c. The single structure of the sensor panel 11 is similar to that of the radiation detector 10 according to the second embodiment. The scintillator layer 4B is formed on one side surface of the sensor panel 11 so as to protrude from the light detection region S1. Specifically, first, the barrier layer 3B is formed on the light detection region S1, one panel side surface 11c, and a surrounding region S2a between the light detection region S1 and one panel side surface 11c. Then, the scintillator layer 4B is formed on the entire surface of the barrier layer 3B so as to cover the barrier layer 3B. The radiation detector 10M having this configuration can be suitably used as a radiation detector for mammography, for example, by arranging the side of the scintillator layer 4B that is formed so as to extend beyond the light detection region S1 on the chest wall side.

<実験例>
実験例では、バリア層が奏する耐湿性の向上についてその効果を確認した。本実験例でいう耐湿性とは、所定の湿度を有する環境に曝された時間と、シンチレータパネルが示す解像度(CTF)の変化の度合いと、の関係をいう。つまり、耐湿性が高いとは、湿度環境に長時間曝された場合であっても、シンチレータパネルが示す解像度の低下度合いが小さいことをいう。逆に、耐湿性が低いとは、湿度環境に長時間曝された場合に、シンチレータパネルが示す解像度の低下度合いが大きいことをいう。
<Experimental Example>
In the experimental example, the effect of the barrier layer on improving moisture resistance was confirmed. In this experimental example, moisture resistance refers to the relationship between the time of exposure to an environment having a certain humidity and the degree of change in the resolution (CTF) exhibited by the scintillator panel. In other words, high moisture resistance refers to a small degree of decrease in the resolution exhibited by the scintillator panel even when exposed to a humid environment for a long period of time. Conversely, low moisture resistance refers to a large degree of decrease in the resolution exhibited by the scintillator panel when exposed to a humid environment for a long period of time.

実験例では、まず、3個の試験体(シンチレータパネル)を準備した。それぞれの試験体は、シンチレータ層と基板とを有する。それぞれのシンチレータ層は、CsIを主成分として含み、その厚みは600マイクロメートルである。そして、第1及び第2の試験体は、基板とシンチレータ層との間にTlIを主成分として含むバリア層を有する。一方、第3の試験体は、バリア層を有しない。つまり、第3の試験体は、基板上に直接にシンチレータ層が形成された比較例である。第1の試験体の基板は、有機材料を主成分として含む有機基板である。つまり、第1の試験体は、第1実施形態に係るシンチレータパネル1に対応する。第2の試験体の基板は、アルミニウム製の基体上に有機材料を主成分として含む保護膜を形成した基板である。つまり、第2の試験体は、参考例に係るシンチレータパネルに対応する。第3の試験体の基板は、第2の試験体の基板と同じである。 In the experimental example, first, three test specimens (scintillator panels) were prepared. Each test specimen had a scintillator layer and a substrate. Each scintillator layer contained CsI as a main component and had a thickness of 600 micrometers. The first and second test specimens had a barrier layer containing TlI as a main component between the substrate and the scintillator layer. On the other hand, the third test specimen did not have a barrier layer. In other words, the third test specimen was a comparative example in which a scintillator layer was formed directly on a substrate. The substrate of the first test specimen was an organic substrate containing an organic material as a main component. In other words, the first test specimen corresponded to the scintillator panel 1 according to the first embodiment. The substrate of the second test specimen was a substrate in which a protective film containing an organic material as a main component was formed on an aluminum base. In other words, the second test specimen corresponded to the scintillator panel according to the reference example. The substrate of the third test specimen was the same as that of the second test specimen.

要するに、第1~第3の試験体の構成は以下のとおりである。
第1の試験体:有機材料からなる基板、バリア層、シンチレータ層。
第2の試験体:有機層を有する基板、バリア層、シンチレータ層。
第3の試験体:有機層を有する基板、(バリア層なし)シンチレータ層。
In short, the configurations of the first to third test specimens are as follows:
First specimen: a substrate made of an organic material, a barrier layer, and a scintillator layer.
Second specimen: a substrate having an organic layer, a barrier layer, and a scintillator layer.
Third specimen: substrate with organic layer, scintillator layer (without barrier layer).

次に、第1~第3の試験体が有するそれぞれの解像度を得た。この解像度を基準値とした。次に、第1~第3の試験体を、温度が40℃であり湿度が90%に設定された環境試験機に設置した。次に、設置開始から所定時間経過ごとに、それぞれの試験体について解像度を得た。そして、所定時間経過ごと得た解像度が基準値である解像度に対してどの程度の割合であるかを算出した。つまり、環境試験機に設置する前の解像度に対する相対値を得た。例えば、相対値が100パーセントである場合には、所定時間経過後に得た解像度は、環境試験機に設置する前の解像度に対して変化しておらず、性能が低下していないことを示す。従って、相対値が低くなるにつれて、シンチレータパネルの特性が低下することを示す。 Next, the resolution of each of the first to third test specimens was obtained. This resolution was used as the reference value. Next, the first to third test specimens were placed in an environmental test machine with a temperature of 40°C and a humidity of 90%. Next, the resolution of each test specimen was obtained at each predetermined time from the start of placement. Then, the percentage of the resolution obtained at each predetermined time relative to the reference value of the resolution was calculated. In other words, a relative value was obtained with respect to the resolution before placement in the environmental test machine. For example, a relative value of 100 percent indicates that the resolution obtained after the predetermined time has elapsed has not changed from the resolution before placement in the environmental test machine, and that the performance has not deteriorated. Therefore, as the relative value decreases, the characteristics of the scintillator panel deteriorate.

図13に示されたグラフは、上記の環境に曝された時間(横軸)と相対値(縦軸)との関係を示す。第1の試験体は、設置開始から1時間後、72時間後、405時間後に解像度の測定を行った。それぞれの結果は、プロットP1a,P1b,P1cとして示す。第2の試験体は、設置開始から1時間後、20.5時間後、84時間後及び253時間後に解像度の測定を行った。それぞれの結果は、プロットP2a,P2b,P2c,P2dとして示す。第3の試験体は、設置開始から1時間後、24時間後、71時間後及び311時間後に解像度の測定を行った。それぞれの結果は、プロットP3a,P3b,P3c,P3dとして示す。 The graph shown in Figure 13 shows the relationship between the time (horizontal axis) exposed to the above environment and the relative value (vertical axis). The resolution of the first test specimen was measured 1 hour, 72 hours, and 405 hours after the start of installation. The respective results are shown as plots P1a, P1b, and P1c. The resolution of the second test specimen was measured 1 hour, 20.5 hours, 84 hours, and 253 hours after the start of installation. The respective results are shown as plots P2a, P2b, P2c, and P2d. The resolution of the third test specimen was measured 1 hour, 24 hours, 71 hours, and 311 hours after the start of installation. The respective results are shown as plots P3a, P3b, P3c, and P3d.

それぞれのプロットを確認すると、第1~第3の試験体のうち、バリア層を有しない第3の試験体(プロットP3a,P3b,P3c,P3d)の性能の低下が最も大きかった。つまり、第3の試験体では、有機層から水分がシンチレータ層へ浸透し、シンチレータ層の潮解が時間の経過と共に進行したことにより、性能の低下が生じたものと考えられる。一方、第1及び第2の試験体(プロットP1a,P1b,P1c、プロットP2a,P2b,P2c,P2d)についても、時間が経過するごとに相対値が低下する傾向が見られた。しかし、第1及び第2の試験体が示す相対値の低下の度合いは、第3の試験体が示す相対値の低下の度合いよりも明らかに抑制されていた。従って、TlIを主成分として含むバリア層を設けることにより、シンチレータパネルの特性の低下を抑制できることがわかった。つまり、TlIを主成分として含むバリア層は、シンチレータパネルの耐湿性の向上に寄与し得ることがわかった。 When each plot is checked, the performance of the third test body (plots P3a, P3b, P3c, P3d) without a barrier layer was the largest among the first to third test bodies. In other words, it is considered that the performance of the third test body was deteriorated because moisture penetrated from the organic layer into the scintillator layer and the deliquescence of the scintillator layer progressed over time. On the other hand, the first and second test bodies (plots P1a, P1b, P1c, plots P2a, P2b, P2c, P2d) also showed a tendency for the relative values to decrease over time. However, the degree of decrease in the relative values shown by the first and second test bodies was clearly suppressed compared to the degree of decrease in the relative values shown by the third test body. Therefore, it was found that the deterioration of the properties of the scintillator panel can be suppressed by providing a barrier layer containing TlI as a main component. In other words, it was found that a barrier layer containing TlI as a main component can contribute to improving the moisture resistance of the scintillator panel.

1,1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H,1K…シンチレータパネル、2,2A…基板、2a…基板表面、2b…基板裏面、2c…基板側面、3,3A,3B…バリア層、3a…バリア層表面、3b…バリア層裏面、3c…バリア層側面、4,4A,4B…シンチレータ層、4a…シンチレータ層表面、4b…シンチレータ層裏面、4c…シンチレータ層側面、5,5A,5B…溶融領域、5a,5b…溶融部、6,6C,6D…保護膜、6A,6B…保護シート、6a,6b…シート部材、7,7A,7B…積層体、7a…積層体表面、7b…積層体裏面、7c…積層体側面、8,8A,8B,8C…機能層、8a…機能層表面、8b…機能層裏面、8c…機能層側面、9…FOP、9a…FOP表面、9b…FOP裏面、9c…FOP側面、10,10A,10B,10C,10D,10E,10F,10G,10H,10L,10K,10M…放射線検出器、11…センサパネル、11a…パネル表面、11b…パネル裏面、11c…パネル側面、12,12A…封止部、12B…封止シート、12a…外周縁、12C…封止枠、13,13A,13B…封止枠、13a…枠表面、13b…枠裏面、13c…枠壁部、14…封止板、14a…板表面、14b…板裏面、14c…板側面、16…光電変換素子、17…内側封止枠、18…外側封止枠、15…接着剤、S1…光検出領域、S2…周囲領域、S3…露出領域、S2a…周囲領域。



1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, 1K...scintillator panel, 2, 2A...substrate, 2a...substrate surface, 2b...substrate back surface, 2c...substrate side surface, 3, 3A, 3B...barrier layer, 3a...barrier layer surface, 3b...barrier layer back surface, 3c...barrier layer side surface, 4, 4A, 4B...scintillator layer, 4a...scintillator layer surface, 4b...scintillator layer Back surface, 4c...side surface of scintillator layer, 5, 5A, 5B...molten region, 5a, 5b...molten portion, 6, 6C, 6D...protective film, 6A, 6B...protective sheet, 6a, 6b...sheet member, 7, 7A, 7B...laminar body, 7a...surface of laminate, 7b...back surface of laminate, 7c...side surface of laminate, 8, 8A, 8B, 8C...functional layer, 8a...surface of functional layer, 8b...back surface of functional layer, 8c...functional layer Side, 9...FOP, 9a...FOP surface, 9b...FOP back surface, 9c...FOP side, 10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G, 10H, 10L, 10K, 10M...Radiation detector, 11...Sensor panel, 11a...Panel surface, 11b...Panel back surface, 11c...Panel side, 12, 12A...Sealing portion, 12B...Sealing sheet, 12 a...outer periphery, 12C...sealing frame, 13, 13A, 13B...sealing frame, 13a...frame surface, 13b...frame back surface, 13c...frame wall portion, 14...sealing plate, 14a...plate surface, 14b...plate back surface, 14c...plate side surface, 16...photoelectric conversion element, 17...inner sealing frame, 18...outer sealing frame, 15...adhesive, S1...light detection region, S2...surrounding region, S3...exposed region, S2a...surrounding region.



Claims (4)

光電変換素子が設けられた光検出領域を含むパネル表面を有するセンサパネルと、
前記パネル表面に形成され、ヨウ化タリウムを主成分として含むバリア層と、
前記バリア層上に形成され、タリウムが添加されたヨウ化セシウムを主成分として含む複数の柱状結晶により構成されるシンチレータ層と、
前記パネル表面に接着されて前記シンチレータ層及び前記バリア層を収容する気密領域を形成する封止シートと、を備える、放射線検出器。
a sensor panel having a panel surface including a light detection region in which a photoelectric conversion element is provided;
a barrier layer formed on the panel surface and containing thallium iodide as a main component;
a scintillator layer formed on the barrier layer and composed of a plurality of columnar crystals containing cesium iodide doped with thallium as a main component;
a sealing sheet adhered to the panel surface to form an airtight region that contains the scintillator layer and the barrier layer.
前記封止シートは、金属製のシート又はバリアフィルムである、請求項1に記載の放射線検出器。 The radiation detector according to claim 1, wherein the sealing sheet is a metal sheet or a barrier film. 前記封止シートの外周縁を前記センサパネルに対して接着により固定する接着部をさらに備える、請求項1に記載の放射線検出器。 The radiation detector according to claim 1, further comprising an adhesive portion that fixes the outer periphery of the sealing sheet to the sensor panel by adhesion. 前記接着部は、フィラー材を含み、
前記フィラー材は、前記パネル表面と前記封止シートとの間に形成される接着層の厚さ未満の粒径である、請求項3に記載の放射線検出器。

The adhesive portion includes a filler material,
The radiation detector according to claim 3 , wherein the filler material has a particle size less than a thickness of an adhesive layer formed between the panel surface and the sealing sheet.

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009128023A (en) 2007-11-20 2009-06-11 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd Radiation detector and method of manufacturing the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11352230A (en) * 1998-06-04 1999-12-24 Hamamatsu Photonics Kk X-ray image detection apparatus
JP2005156545A (en) 2003-10-29 2005-06-16 Canon Inc Radiation detection device,its manufacturing method and radiographic imaging system
JP5661426B2 (en) * 2010-11-01 2015-01-28 株式会社東芝 Radiation detector and manufacturing method thereof
US9035263B2 (en) 2011-10-25 2015-05-19 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation imaging apparatus having an anti-static function
JP2015121425A (en) 2013-12-20 2015-07-02 キヤノン株式会社 Apparatus and system for radiation detection, and manufacturing method for radiation detection apparatus
JP6519195B2 (en) 2015-01-23 2019-05-29 コニカミノルタ株式会社 Scintillator panel and radiation detector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009128023A (en) 2007-11-20 2009-06-11 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd Radiation detector and method of manufacturing the same

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