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JP7529628B2 - Printed wiring board and information processing device - Google Patents

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JP7529628B2
JP7529628B2 JP2021121464A JP2021121464A JP7529628B2 JP 7529628 B2 JP7529628 B2 JP 7529628B2 JP 2021121464 A JP2021121464 A JP 2021121464A JP 2021121464 A JP2021121464 A JP 2021121464A JP 7529628 B2 JP7529628 B2 JP 7529628B2
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drop wiring
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裕 植松
洋平 大島
伊織 小林
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Description

本発明は、プリント配線板及び情報処理装置に関する。 The present invention relates to a printed wiring board and an information processing device.

情報処理装置に装着されるメモリ装置は、例えば複数のSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)と、そのSDRAMの書き込み及び読み出しを制御するメモリコントローラ(例えば、コントローラLSI:Large Scale Integration)とを備える。SDRAMは、以下の説明で「メモリ素子」とも呼ぶ。SDRAMは、DDR SDRAM(Double-Data-Rate SDRAM)を使用するのが一般的である。 The memory device installed in the information processing device includes, for example, multiple SDRAMs (Synchronous Dynamic Random Access Memories) and a memory controller (for example, a controller LSI: Large Scale Integration) that controls writing and reading of the SDRAMs. The SDRAMs are also referred to as "memory elements" in the following explanation. It is common to use DDR SDRAMs (Double-Data-Rate SDRAMs) as SDRAMs.

プリント配線板は、プリント基板に取り付けられた複数のメモリ素子とメモリコントローラを備える。メモリコントローラから各メモリ素子へは、マルチドロップ配線と称されるプリント基板に形成された配線パターンで、アドレス(Add)、コマンド(Cmd)、及びコントロール(Ctrl)信号が送信される。このマルチドロップ配線では、メモリコントローラが信号の送信端となり、複数のメモリ素子が信号の受信端になる。 The printed wiring board comprises multiple memory elements and a memory controller attached to the printed circuit board. Address (Add), command (Cmd), and control (Ctrl) signals are sent from the memory controller to each memory element using a wiring pattern formed on the printed circuit board called multi-drop wiring. In this multi-drop wiring, the memory controller is the signal sending end, and the multiple memory elements are the signal receiving ends.

メモリコントローラと複数のメモリ素子とをマルチドロップ配線で接続する際には、配線ピッチと配線長を適切に選定する必要がある。配線長が適切でないと、メモリ素子が持つ容量成分(キャパシタンス)やVIA間のクロストークによって、送信信号にマイナス方向の反射が発生する。クロストークとは、ある配線の信号の変化が、他の配線の信号に影響を与える現象である。VIA間のクロストークとは、同じデバイスに対して複数の配線ごとに形成される複数のVIAの近傍で発生するクロストークのことである。 When connecting a memory controller and multiple memory elements with multi-drop wiring, it is necessary to select the wiring pitch and length appropriately. If the wiring length is not appropriate, negative reflections will occur in the transmitted signal due to the capacitance of the memory elements and crosstalk between VIAs. Crosstalk is a phenomenon in which a change in the signal of one wiring affects the signal of another wiring. Crosstalk between VIAs is crosstalk that occurs near multiple VIAs formed for each of the multiple wirings for the same device.

ここで、VIAは、プリント基板における各種デバイスの実装面積を抑制するため、デバイスが実装された面とは異なる配線層へ信号を導通可能とする。VIAは、プリント基板の全層、又は一部の層を貫通し、めっき処理される部材であり、異なる層の配線を接続するために設けられる。あるデバイス(例えば、後述する図1に示すメモリ素子111)には、多数の配線が形成され、これら多数の配線ごとにVIAが形成されることがある。配線が近ければ、クロストークが発生しやすくなる。 Here, VIAs enable signals to be conducted to a wiring layer different from the surface on which the devices are mounted, in order to reduce the mounting area of various devices on the printed circuit board. VIAs are plated components that penetrate all or some of the layers of the printed circuit board, and are provided to connect wiring on different layers. A certain device (for example, memory element 111 shown in FIG. 1, which will be described later) may have many wirings formed, and a VIA may be formed for each of these many wirings. If the wirings are close to each other, crosstalk is more likely to occur.

メモリコントローラから送出される送信信号に発生したマイナス方向の反射成分がメモリ素子の受信波形に重畳されてリングバックになると、デジタル信号のスレッシュホールドを適切に保つことが困難になる。その結果、電圧マージンの低下を招いて、メモリ素子が正しく信号を送信できなくなる。そして、メモリ素子は、電源電圧変動や温度などによって安定した動作を行うことが困難となってしまう。したがって、当該技術では、容量反射や近傍信号からのクロストークノイズを低減させることを可能とする為の方法が必要とされる。 When a negative reflection component that occurs in the transmission signal sent from the memory controller is superimposed on the received waveform of the memory element and causes a ring back, it becomes difficult to properly maintain the threshold of the digital signal. This leads to a decrease in the voltage margin, and the memory element is unable to transmit signals correctly. Furthermore, it becomes difficult for the memory element to perform stable operation due to fluctuations in the power supply voltage and temperature. Therefore, this technology requires a method that makes it possible to reduce capacitive reflection and crosstalk noise from nearby signals.

特許文献1には、「様々な実施形態は、メモリモジュール間に置かれる電子バンドギャップ(EBG)構造の使用を通じて電磁反射を低減させる。EBG構造は、電磁反射を減衰させ、少なくともコンピュータプロセッサにより近いメモリモジュールにおいてパフォーマンスを改善するために使用され得る。」と記載されている。 Patent document 1 states, "Various embodiments reduce electromagnetic reflections through the use of electronic bandgap (EBG) structures placed between memory modules. EBG structures can be used to attenuate electromagnetic reflections and improve performance at least in memory modules closer to a computer processor."

特表2019-525472号公報Special table 2019-525472 publication

メモリ素子を搭載したプリント配線板を備える情報処理装置(コンピュータ)は、発電所や変電所、鉄工所を始めとした、各種設備を制御するので、情報処理装置の安定動作が強く求められる。また、これらの情報処理装置が近年のIoT(Internet of Things)化に対応する為には、メモリ素子の高速化、及び大容量化による情報処理装置の性能向上が必須となっている。 Information processing devices (computers) equipped with printed circuit boards equipped with memory elements control various facilities such as power plants, substations, and ironworks, so there is a strong demand for stable operation of the information processing devices. Furthermore, in order for these information processing devices to respond to the recent trend toward IoT (Internet of Things), it is essential to improve the performance of the information processing devices by increasing the speed and capacity of the memory elements.

とりわけ、メモリ素子で利用される信号の中でも、アドレス、コマンド、コントロール信号についてはマルチドロップ配線構造としたメモリ素子が用いられる。この配線構造は、複数の分岐や負荷を伴うため、不要反射による波形歪みを伴いやすい。加えて、データ線の配線長がデータ配線の配線長と比較して長いため、近傍の信号から重畳するクロストークノイズ(FEXT:Far-End Crosstalk)が顕在化する。ここで、データ線とは、例えば、後述する図3に示すメモリコントローラ110から終端抵抗104までのマルチドロップ配線102のことである。また、データ配線とは、例えば、後述する図3に示すメモリ素子111,112の間の配線TL1、メモリ素子112,113の間の配線TL2のようにデバイス間を1対1で接続される配線のことである。 In particular, memory elements with a multi-drop wiring structure are used for address, command, and control signals among the signals used in memory elements. This wiring structure involves multiple branches and loads, and is therefore prone to waveform distortion due to unwanted reflections. In addition, since the wiring length of the data line is longer than that of the data wiring, crosstalk noise (FEXT: Far-End Crosstalk) superimposed from nearby signals becomes apparent. Here, the data line refers to, for example, the multi-drop wiring 102 from the memory controller 110 to the termination resistor 104 shown in FIG. 3, which will be described later. In addition, the data wiring refers to wiring that connects devices one-to-one, such as the wiring TL1 between the memory elements 111 and 112 and the wiring TL2 between the memory elements 112 and 113, which will be described later, shown in FIG. 3.

情報処理装置において、電源電圧変動、温度変化、LSIの製造バラツキといった変動要素が加わると、メモリ素子がデジタル信号を正常に受信できなくなる。そのため、前述した各種の変動要素に対する耐性を有した情報処理装置の安定動作が課題となっており、信号伝送においては波形品質の向上が求められている。 When variables such as power supply voltage fluctuations, temperature changes, and LSI manufacturing variations are added to information processing devices, the memory elements are unable to receive digital signals correctly. Therefore, the stable operation of information processing devices that are resistant to the various variables mentioned above is an issue, and there is a demand for improved waveform quality in signal transmission.

上述したように、メモリコントローラやメモリ素子といったデバイスは、隣接する各配線及びVIAを伝送される信号が相互に影響を及ぼすことで発生するクロストークによる波形品質の劣化が知られている。また、これらのデバイスは、LSIの小型化、高密度化に伴い、各信号ピン同士の間隔が狭くなり、かつ、VIA内を伝送される信号が影響し合って、信号にクロストークノイズが重畳される。このクロストークノイズが、受信端のメモリ素子まで伝播されると、信号波形の品質が劣化していた。しかし、デバイスの構造によりVIAの配置位置が制約を受けるため、クロストークノイズを完全になくすことは難しかった。 As mentioned above, devices such as memory controllers and memory elements are known to suffer from degradation of waveform quality due to crosstalk, which occurs when signals transmitted through adjacent wiring and VIAs affect each other. In addition, as LSIs in these devices become smaller and denser, the spacing between signal pins becomes narrower, and signals transmitted within the VIAs affect each other, causing crosstalk noise to be superimposed on the signals. When this crosstalk noise propagates to the memory element at the receiving end, the quality of the signal waveform deteriorates. However, because the device structure places restrictions on the placement of VIAs, it has been difficult to completely eliminate crosstalk noise.

特許文献1には、DIMM(Dual Inline Memory Module)を用いたマルチドロップ配線の一例についての記載があるが、メモリ素子間の配線に関する解決方法については言及されていない。このため、特許文献1に記載された技術を用いても、メモリコントローラと同一のプリント基板上にメモリ素子が実装されるメモリダウン構造とした場合、又はメモリコントローラからの信号を受信して各メモリ素子に分配するDIMMの配線構造とした場合に発生する信号波形の品質低下を抑制することができなかった。 Patent Document 1 describes an example of multi-drop wiring using a DIMM (Dual Inline Memory Module), but does not mention any solution for wiring between memory elements. For this reason, even if the technology described in Patent Document 1 is used, it is not possible to suppress the deterioration of signal waveform quality that occurs in a memory-down structure in which memory elements are mounted on the same printed circuit board as the memory controller, or in a DIMM wiring structure in which signals are received from the memory controller and distributed to each memory element.

本発明はこのような状況に鑑みて成されたものであり、受信回路が受信する信号の品質低下を抑制することを目的とする。 The present invention was made in consideration of these circumstances, and aims to suppress deterioration in the quality of the signal received by the receiving circuit.

本発明に係るプリント配線板は、複数の層で形成されるプリント基板と、プリント基板に形成される送信回路と、プリント基板に形成される複数の受信回路と、送信回路と、複数の受信回路とが接続される信号伝送用のマルチドロップ配線と、マルチドロップ配線に形成され、送信回路から受信回路に伝送される信号に重畳されるノイズをろ過するフィルタ部と、を備え、一端が送信回路に接続されるマルチドロップ配線に形成された複数の分岐点から分岐した配線がそれぞれ複数の受信回路に接続され、フィルタ部は、複数の層のうち、マルチドロップ配線が形成された層のマルチドロップ配線に対して形成される、異なる層の配線、又は受信回路とは接続されないフィルタリングVIAであり、クロストークノイズが発生する送信回路と、クロストークノイズの影響を受ける受信回路との間であって、複数の受信回路のうち、送信回路との距離が最も近い受信回路と、送信回路とが接続されるマルチドロップ配線の間に形成され、送信回路との距離が最も近い受信回路と、送信回路とが接続されるマルチドロップ配線の間には、送信回路から順に、送信回路とマルチドロップ配線とを接続するVIA、フィルタリングVIAが形成される The printed wiring board according to the present invention comprises a printed circuit board formed of a plurality of layers , a transmitting circuit formed on the printed circuit board, a plurality of receiving circuits formed on the printed circuit board, a multi-drop wiring for signal transmission to which the transmitting circuit and the plurality of receiving circuits are connected, and a filter section formed on the multi-drop wiring for filtering noise superimposed on a signal transmitted from the transmitting circuit to the receiving circuit, wherein wiring branching from a plurality of branch points formed on the multi-drop wiring, one end of which is connected to the transmitting circuit, is respectively connected to the plurality of receiving circuits , and the filter section is a filtering VIA formed for the multi-drop wiring of a layer in which the multi-drop wiring is formed among the plurality of layers, and is not connected to wiring of a different layer or to the receiving circuit, and is formed between a transmitting circuit generating crosstalk noise and a receiving circuit affected by the crosstalk noise, between a receiving circuit among the plurality of receiving circuits that is closest to the transmitting circuit and the multi-drop wiring to which the transmitting circuit is connected, and between the receiving circuit that is closest to the transmitting circuit and the multi-drop wiring to which the transmitting circuit is connected, a VIA connecting the transmitting circuit and the multi-drop wiring and a filtering VIA are formed in that order from the transmitting circuit .

本発明によれば、受信回路が受信する信号に重畳されるノイズが除去され、信号の品質低下を抑制することが可能となる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施の形態の説明により明らかにされる。
According to the present invention, it is possible to remove noise superimposed on a signal received by a receiving circuit, and suppress deterioration of the signal quality.
Problems, configurations and effects other than those described above will become apparent from the following description of the embodiments.

本発明の一実施の形態例に係るマルチドロップ配線を適用した情報処理装置の構成図である。1 is a configuration diagram of an information processing device to which multi-drop wiring according to an embodiment of the present invention is applied; 本発明の一実施の形態例に係るマルチドロップ配線を適用した情報処理装置の別の構成図である。1 is another configuration diagram of an information processing device to which multi-drop wiring according to an embodiment of the present invention is applied; プリント配線板に形成された従来のマルチドロップ配線の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a conventional multi-drop wiring formed on a printed wiring board. プリント配線板に形成された従来のマルチドロップ配線の別の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing another example of the configuration of conventional multi-drop wiring formed on a printed wiring board. プリント配線板に形成された本例のマルチドロップ配線の構成例を示す図である。1 is a diagram showing an example of the configuration of a multi-drop wiring according to an embodiment of the present invention formed on a printed wiring board; プリント配線板に形成された本例のマルチドロップ配線の別の構成例を示す図である。11 is a diagram showing another example of the configuration of the multi-drop wiring of this embodiment formed on a printed wiring board. FIG. 本発明の一実施の形態例に係るプリント配線板の断面図である。1 is a cross-sectional view of a printed wiring board according to an embodiment of the present invention. 一のメモリ素子から他のメモリ素子のインサーションロスを表す散乱パラメータ(Sパラメータ)の例を示す。1 shows an example of scattering parameters (S parameters) that indicate insertion loss from one memory element to another memory element. 一のメモリ素子から他のメモリ素子のクロストークを表す散乱パラメータの例を示す。4 shows an example of a scattering parameter that describes crosstalk from one memory element to another. 従来のマルチドロップ配線の構成例とした情報処理装置のメモリ素子で観測されるアイパターン波形の例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an example of an eye pattern waveform observed in a memory element of an information processing device having a conventional multi-drop wiring configuration example. 本例のマルチドロップ配線の構成例とした情報処理装置のメモリ素子で観測されるアイパターン波形の例を示す図である。11 is a diagram showing an example of an eye pattern waveform observed in a memory element of an information processing device having a multi-drop wiring configuration example of this embodiment. FIG.

以下、本発明の一実施の形態例(以下、「本例」と称する)について、添付図面を参照して説明する。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。 Below, an embodiment of the present invention (hereinafter, referred to as "this embodiment") will be described with reference to the accompanying drawings. In this specification and drawings, components having substantially the same functions or configurations are designated by the same reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted.

[情報処理装置の構成]
図1及び図2は、本例のマルチドロップ配線を適用した情報処理装置の概要を示す。
図1は、本例のマルチドロップ配線を適用した情報処理装置の構成図である。
図1に示す情報処理装置100は、プリント配線板10を備える。
プリント配線板10は、プリント基板101、1個のメモリコントローラ110、及び複数のメモリ素子111~115を備える。そして、プリント基板101の表面には、1個のメモリコントローラ110と、複数のメモリ素子111~115とが直接実装されている。
[Configuration of information processing device]
1 and 2 show an outline of an information processing device to which the multi-drop wiring of this embodiment is applied.
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an information processing device to which the multi-drop wiring of this embodiment is applied.
The information processing device 100 shown in FIG.
The printed wiring board 10 includes a printed circuit board 101, one memory controller 110, and multiple memory elements 111 to 115. The printed circuit board 101 has the one memory controller 110 and the multiple memory elements 111 to 115 directly mounted on its surface.

プリント基板101は、マルチドロップ配線102を備える。マルチドロップ配線102は、メモリコントローラ110と各メモリ素子111~115との間を接続する。
各メモリ素子111~115は、例えば、DDR SDRAMである。各メモリ素子111~115でのデータの書き込みや読み出しは、メモリコントローラ110により制御される。この制御を行うために、メモリコントローラ110からマルチドロップ配線102を介して、アドレス、コマンド、及びコントロール信号が各メモリ素子111~115に伝送される。
The printed circuit board 101 includes a multi-drop wiring 102. The multi-drop wiring 102 connects the memory controller 110 and each of the memory elements 111-115.
Each of the memory elements 111 to 115 is, for example, a DDR SDRAM. Writing and reading of data in each of the memory elements 111 to 115 is controlled by a memory controller 110. To perform this control, address, command, and control signals are transmitted from the memory controller 110 to each of the memory elements 111 to 115 via the multi-drop wiring 102.

図2は、本例のマルチドロップ配線を適用した情報処理装置の別の構成図である。
図2に示す情報処理装置100Aは、プリント配線板10Aを備える。
プリント配線板10Aのプリント基板101には、コネクタ103が取り付けられている。コネクタ103には、サブ基板106上に実装された複数のメモリ素子111~115が接続されている。このように複数のメモリ素子111~115が実装されたサブ基板106は、DIMMカード等と称される。
メモリコントローラ110は、プリント基板101に直接実装されている。
FIG. 2 is a diagram showing another configuration of an information processing device to which the multi-drop wiring of this embodiment is applied.
The information processing device 100A shown in FIG. 2 includes a printed wiring board 10A.
A connector 103 is attached to a printed circuit board 101 of the printed wiring board 10A. A plurality of memory elements 111 to 115 mounted on a sub-board 106 are connected to the connector 103. The sub-board 106 on which the plurality of memory elements 111 to 115 are mounted in this manner is called a DIMM card or the like.
The memory controller 110 is directly mounted on the printed circuit board 101 .

図2に示す情報処理装置100Aも、図1に示す情報処理装置100と同様に、複数のメモリ素子111~115が、プリント基板101の表面に実装されている。また、図2に示すプリント基板101にも、メモリコントローラ110から、マルチドロップ配線102を経由して、各メモリ素子111~115にアドレス、コマンド、及びコントロール信号が伝送される。 In the information processing device 100A shown in FIG. 2, similar to the information processing device 100 shown in FIG. 1, multiple memory elements 111-115 are mounted on the surface of a printed circuit board 101. Address, command, and control signals are also transmitted from the memory controller 110 to each of the memory elements 111-115 via the multi-drop wiring 102 in the printed circuit board 101 shown in FIG. 2.

[従来の構成]
次に、従来のマルチドロップ配線の構成例について、図3と図4を参照して説明する。
[Conventional configuration]
Next, an example of a conventional multi-drop wiring configuration will be described with reference to FIGS.

<従来のマルチドロップ配線の構成例>
図3は、プリント基板101に形成された従来のマルチドロップ配線102の構成例を示す図である。なお、本例のマルチドロップ配線102は、図1に示すように、メモリ素子111~115がプリント基板101に直接実装された場合と、図2に示すように、メモリ素子111~115がプリント基板101にコネクタ103を介して実装された場合のいずれに適用してもよい。
<Example of conventional multi-drop wiring configuration>
Fig. 3 is a diagram showing an example of the configuration of a conventional multi-drop wiring 102 formed on a printed circuit board 101. Note that the multi-drop wiring 102 of this example may be applied to either the case in which memory elements 111 to 115 are directly mounted on the printed circuit board 101 as shown in Fig. 1, or the case in which memory elements 111 to 115 are mounted on the printed circuit board 101 via a connector 103 as shown in Fig. 2.

アドレス、コマンド、及びコントロール信号の送信回路であるメモリコントローラ110には、マルチドロップ配線102の始端(一端)102xが接続されている。このマルチドロップ配線102には、複数箇所に分岐点102a,102b,102c,102d,102eが設けられ、終端(他端)には終端抵抗104が接続されている。図中のメモリコントローラ110には、信号の送信端を表す「Tx」という符号が付されている。また、メモリコントローラ110は、別名として「IC1」が割り当てられる。メモリコントローラ110に割り当てられる符号及び別名は、以降の図においても同様である。 The start end (one end) 102x of the multi-drop wiring 102 is connected to the memory controller 110, which is a transmission circuit for address, command, and control signals. This multi-drop wiring 102 has branch points 102a, 102b, 102c, 102d, and 102e at multiple locations, and a termination resistor 104 is connected to the end (other end). The memory controller 110 in the figure is given the symbol "Tx", which indicates the transmission end of the signal. The memory controller 110 is also assigned the alias "IC1". The symbols and aliases assigned to the memory controller 110 are the same in the subsequent figures.

各分岐点102a~102eで分岐した配線は、各メモリ素子111~115の接続箇所111a~115aに接続されている。なお、既に説明したように、各メモリ素子111~115は、プリント基板101の表面に配置されている。したがって、各分岐点102a,102b,102c,102d,102eでは、メモリ素子111,112,113,114,115への分岐が形成されている。図中の各メモリ素子111~115には、信号の受信端を表す「Rx1」~「Rx5」という符号が付されている。また、各メモリ素子111~115には、別名として「IC2」~「IC6」が割り当てられる。各メモリ素子111~115に割り当てられる符号及び別名は、以降の図においても同様である。 The wiring branched at each of the branch points 102a-102e is connected to the connection points 111a-115a of each of the memory elements 111-115. As already explained, each of the memory elements 111-115 is arranged on the surface of the printed circuit board 101. Therefore, at each of the branch points 102a, 102b, 102c, 102d, and 102e, branches to the memory elements 111, 112, 113, 114, and 115 are formed. Each of the memory elements 111-115 in the figure is assigned the symbols "Rx1" to "Rx5" which represent the receiving end of the signal. Also, each of the memory elements 111-115 is assigned the aliases "IC2" to "IC6". The symbols and aliases assigned to each of the memory elements 111-115 are the same in the subsequent figures.

また、プリント基板101には、マルチドロップ配線102に合わせて、VIA120~VIA126が形成される。VIA120は、始端102xと分岐点102aの間に形成される。図中では、VIA120~VIA126の別名として「VIA0」~「VIA6」が割り当てられる。各VIA120~VIA126に割り当てられる符号及び別名は、以降の図においても同様である。 In addition, VIA120 to VIA126 are formed on the printed circuit board 101 in accordance with the multi-drop wiring 102. VIA120 is formed between the starting point 102x and the branch point 102a. In the figure, "VIA0" to "VIA6" are assigned as aliases to VIA120 to VIA126. The symbols and aliases assigned to each of VIA120 to VIA126 are the same in the subsequent figures.

マルチドロップ配線102の始端102xからVIA120までの配線を配線TL0と呼び、VIA120(VIA0)から分岐点102aまでの配線に符号「TL1」を割り当てる。このように配線TL0は、メモリコントローラ110からプリント基板101の内層配線又は裏面配線に接続するためのVIA0までの信号線を表す。 The wiring from the start point 102x of the multi-drop wiring 102 to the VIA 120 is called wiring TL0, and the wiring from the VIA 120 (VIA0) to the branch point 102a is assigned the symbol "TL1". In this way, wiring TL0 represents a signal line from the memory controller 110 to VIA0 for connecting to the inner layer wiring or back surface wiring of the printed circuit board 101.

そして、分岐点102aと分岐点102bの配線に符号「TL2」を割り当てる。同様に、分岐点102b,102cの間、分岐点102c,102dの間、分岐点102d,102eの間の配線に符号「TL3」、「TL4」、「TL5」を割り当てる。 Then, the wiring between branch points 102a and 102b is assigned the code "TL2". Similarly, the wiring between branch points 102b and 102c, between branch points 102c and 102d, and between branch points 102d and 102e are assigned the codes "TL3", "TL4", and "TL5".

そして、分岐点102aには、VIA121が形成される。同様に、分岐点102b、102c,102d,102eには、それぞれVIA122,123,124,125が形成される。配線TL1から配線TL5は、メモリコントローラ110と各メモリ素子111~115間、及び終端とを接続する配線である。そして、配線TL1から配線TL5は、それぞれVIA1~VIA5を介して、各分岐点102A~102eに接続される。 And, VIA 121 is formed at branch point 102a. Similarly, VIAs 122, 123, 124, and 125 are formed at branch points 102b, 102c, 102d, and 102e, respectively. Wires TL1 to TL5 are wires that connect the memory controller 110 to each of the memory elements 111 to 115, and to the terminal. And, wires TL1 to TL5 are connected to each of branch points 102A to 102e via VIAs 1 to 5, respectively.

なお、図3では、メモリコントローラ110とメモリ素子111の間に、配線TL0,TL1が設けられる構成が示された。このメモリコントローラ110は、プリント基板101に実装される際、プリント基板101のパッドに、メモリコントローラ110のピンが接続されるPad on VIA構造が用いられる。このため、メモリコントローラ110のパッドに直接VIA0を形成した構成であれば、配線TL0が存在しない場合もある。 Note that FIG. 3 shows a configuration in which wiring TL0 and TL1 are provided between the memory controller 110 and the memory element 111. When this memory controller 110 is mounted on the printed circuit board 101, a Pad on VIA structure is used in which the pins of the memory controller 110 are connected to the pads of the printed circuit board 101. For this reason, if a configuration is used in which VIA0 is formed directly on the pads of the memory controller 110, wiring TL0 may not be present.

<従来のマルチドロップ配線の別の構成例>
図4は、プリント基板101に形成された従来のマルチドロップ配線102の別の構成例を示す図である。
図4に示すように、メモリコントローラ110及びメモリ素子111~115がマルチドロップ配線102を介して接続される。メモリコントローラ110には、マルチドロップ配線102の始端(一端)102xが接続されている。そして、マルチドロップ配線102の終端(他端)には終端抵抗104が接続されている。
<Another example of a conventional multi-drop wiring configuration>
FIG. 4 is a diagram showing another example of the configuration of a conventional multi-drop wiring 102 formed on a printed circuit board 101. In FIG.
4, memory controller 110 and memory elements 111 to 115 are connected via multi-drop wiring 102. A start end (one end) 102x of multi-drop wiring 102 is connected to memory controller 110. A termination resistor 104 is connected to an end (the other end) of multi-drop wiring 102.

また、プリント基板101には、マルチドロップ配線102に合わせて、VIA120~VIA126が形成される。VIA120は、始端102xと分岐点102aの間に形成される。 In addition, VIAs 120 to 126 are formed on the printed circuit board 101 in accordance with the multi-drop wiring 102. VIA 120 is formed between the starting point 102x and the branch point 102a.

ここで、メモリ素子111~115は、マルチドロップ配線102に直接接続されている。このため、マルチドロップ配線102の別の構成では、マルチドロップ配線102とメモリ素子111~115とを接続するための分岐点は存在しない。ただし、メモリ素子111~115とマルチドロップ配線102とが接続される箇所には、それぞれVIA121~125が形成される。なお、配線TL0~TL5の呼び方は、図3に示した従来のマルチドロップ配線102の構成例と同様である。 Here, memory elements 111 to 115 are directly connected to multidrop wiring 102. Therefore, in another configuration of multidrop wiring 102, there is no branch point for connecting multidrop wiring 102 to memory elements 111 to 115. However, VIAs 121 to 125 are formed at the points where memory elements 111 to 115 are connected to multidrop wiring 102, respectively. Note that the names of wiring TL0 to TL5 are the same as in the example configuration of conventional multidrop wiring 102 shown in Figure 3.

[本例の構成]
次に、本発明の一実施の形態に係るマルチドロップ配線102の構成例について、図5と図6を参照して説明する。
[Configuration of this Example]
Next, a configuration example of the multi-drop wiring 102 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

<本例のマルチドロップ配線の構成例>
図5は、プリント基板101に形成された本例のマルチドロップ配線102の構成例を示す。
図5に示すマルチドロップ配線102の構成例は、図3に示した従来のマルチドロップ配線102の構成例と同様であるが、VIA0とVIA1の配線TL1の途中にフィルタリングVIA131を設けた点が異なる。このマルチドロップ配線102は、メモリコントローラ110からメモリ素子111~115にアドレスとコマンドとコントロール信号とを送信する配線である。マルチドロップ配線102は、図1に示したようにコネクタ103を介さずにメモリ素子111~115に直接接続される構成としてもよいし、図2に示したようにコネクタ103を介してメモリ素子111~115に接続される構成としてもよい。
<Example of multi-drop wiring configuration>
FIG. 5 shows an example of the configuration of the multi-drop wiring 102 of this embodiment formed on the printed circuit board 101.
The configuration example of the multi-drop wiring 102 shown in Fig. 5 is similar to the configuration example of the conventional multi-drop wiring 102 shown in Fig. 3, but differs in that a filtering VIA 131 is provided in the middle of the wiring TL1 between VIA0 and VIA1. This multi-drop wiring 102 is a wiring that transmits addresses, commands, and control signals from the memory controller 110 to the memory elements 111 to 115. The multi-drop wiring 102 may be configured to be directly connected to the memory elements 111 to 115 without going through the connector 103 as shown in Fig. 1, or may be configured to be connected to the memory elements 111 to 115 via the connector 103 as shown in Fig. 2.

プリント配線板10は、プリント基板101と、プリント基板101に形成されるメモリコントローラ110(送信回路の一例)と、プリント基板101に形成されるメモリ素子111~115(複数の受信回路の一例)と、メモリコントローラ110及びメモリ素子111~115が接続される高速信号伝送用のマルチドロップ配線102と、マルチドロップ配線102に形成され、メモリコントローラ110からメモリ素子に伝送される信号に重畳されるノイズをろ過するフィルタ部と、を備える。そして、一端がメモリコントローラ110に接続されるマルチドロップ配線102に形成された複数の分岐点から分岐した配線がそれぞれメモリ素子111~115に接続される構成としている。ここで、フィルタ部は、プリント基板101に形成される複数の層のうち、マルチドロップ配線102が形成された層のマルチドロップ配線102に対して形成される、異なる層の配線、又はメモリ素子とは接続されないフィルタリングVIA131である。 The printed wiring board 10 includes a printed circuit board 101, a memory controller 110 (an example of a transmission circuit) formed on the printed circuit board 101, memory elements 111 to 115 (an example of multiple reception circuits) formed on the printed circuit board 101, a multi-drop wiring 102 for high-speed signal transmission to which the memory controller 110 and the memory elements 111 to 115 are connected, and a filter unit formed on the multi-drop wiring 102 to filter noise superimposed on a signal transmitted from the memory controller 110 to the memory elements. One end of the multi-drop wiring 102 is connected to the memory controller 110, and wiring branches from multiple branch points formed on the multi-drop wiring 102 are connected to the memory elements 111 to 115. Here, the filter unit is a filtering VIA 131 that is not connected to wiring in a different layer or a memory element, which is formed for the multi-drop wiring 102 of the layer in which the multi-drop wiring 102 is formed among the multiple layers formed on the printed circuit board 101.

フィルタリングVIA131は、信号の受信端(Rx)である各メモリ素子111~115が受信する信号の波形として観測されるクロストークノイズを減衰することを目的として設けられる。フィルタリングVIA131は、少なくとも1つ以上あればよい。このため、複数のフィルタリングVIA131がマルチドロップ配線102に形成されてもよい。 The filtering VIA 131 is provided for the purpose of attenuating crosstalk noise observed as the waveform of the signal received by each memory element 111 to 115, which is the signal receiving end (Rx). At least one filtering VIA 131 is required. For this reason, multiple filtering VIAs 131 may be formed in the multi-drop wiring 102.

フィルタリングVIA131は、メモリコントローラ110からメモリ素子111への配線(図5では、配線TL1)に形成される The filtering VIA 131 is formed in the wiring (the wiring TL1 in FIG. 5) from the memory controller 110 to the memory element 111 .

ただし、複数のフィルタリングVIA131を設けると、フィルタリングVIA131を避けるように、他のデバイスに接続される配線を設計しなければならず、プリント基板101における各種デバイスの実装面積が増加する。このため、フィルタリングVIA131は、配線TL1~TL5の全ての配線に合わせて配置される必要はなく、クロストークによる波形品質劣化の顕著な信号線路に選択的に用いる。また、フィルタリングVIA131は、問題となるクロストークノイズの発生箇所に応じて、配線TL2から配線TL5のいずれに配置してもよい。そこで、情報処理装置の設計者は、シミュレーションを行い、クロストークノイズが発生しやすい配線だけにフィルタリングVIA131を設けるよう設計するとよい。 However, if multiple filtering VIAs 131 are provided, the wiring connected to other devices must be designed to avoid the filtering VIAs 131, which increases the mounting area of various devices on the printed circuit board 101. For this reason, filtering VIAs 131 do not need to be placed along with all of the wiring TL1 to TL5, but are selectively used for signal lines where waveform quality degradation due to crosstalk is significant. Also, filtering VIAs 131 may be placed along any of the wiring TL2 to TL5 depending on where the problematic crosstalk noise occurs. Therefore, the designer of the information processing device should perform simulations and design the system so that filtering VIAs 131 are provided only on wiring that is likely to generate crosstalk noise.

例えば、メモリ素子112が受信する信号に発生したクロストークノイズは、配線TL1、TL2を通じて、メモリ素子111及び113が受信する信号に重畳される。このため、信号伝送のシミュレーション時には、メモリ素子111及び113が受信する信号の波形が観察される。メモリ素子111及び113が受信する信号の波形に問題がなければ、フィルタリングVIA131を設ける必要はない。 For example, crosstalk noise occurring in the signal received by memory element 112 is superimposed on the signal received by memory elements 111 and 113 through wiring TL1 and TL2. For this reason, when simulating signal transmission, the waveforms of the signals received by memory elements 111 and 113 are observed. If there is no problem with the waveforms of the signals received by memory elements 111 and 113, there is no need to provide filtering VIA 131.

しかし、メモリ素子111又は113のいずれかが受信する信号の波形に問題があれば、VIA2からメモリ素子111又は113のいずれかの配線内にフィルタリングVIA131を設ける。例えば、特定の周波数の波形を除きたい場合には、フィルタリングVIA131の有無による波形の変化等を参考にして、フィルタリングVIA131の設置可否、設置位置が判断される。このため、メモリ素子111が受信する信号に重畳されたクロストークノイズの影響が大きければ、メモリ素子112からメモリ素子111の間の配線TL2にフィルタリングVIA131が設けられる。このようにフィルタリングVIA131は、クロストークノイズが発生する送信端と、クロストークノイズの影響を受ける受信端との間に設けられる。 However, if there is a problem with the waveform of the signal received by either memory element 111 or 113, a filtering VIA 131 is provided in the wiring from VIA 2 to either memory element 111 or 113. For example, if it is desired to remove a waveform of a specific frequency, the possibility of installing a filtering VIA 131 and its installation location are determined by referring to the change in the waveform depending on whether or not a filtering VIA 131 is present. For this reason, if the impact of crosstalk noise superimposed on the signal received by memory element 111 is large, a filtering VIA 131 is provided in wiring TL2 between memory element 112 and memory element 111. In this way, the filtering VIA 131 is provided between the transmitting end where crosstalk noise occurs and the receiving end affected by the crosstalk noise.

<本例のマルチドロップ配線の別の構成例>
図6は、プリント基板101に形成された本例のマルチドロップ配線102の別の構成例を示す。
図6に示すマルチドロップ配線102の別の構成例は、図4に示した従来のマルチドロップ配線102の構成例と同様であるが、VIA0とVIA1の途中の配線TL1にフィルタリングVIA131を設けた点が異なる。
<Another example of the multi-drop wiring configuration of this example>
FIG. 6 shows another example of the configuration of the multi-drop wiring 102 of this embodiment formed on the printed circuit board 101.
Another example of the configuration of the multi-drop wiring 102 shown in FIG. 6 is similar to the example of the configuration of the conventional multi-drop wiring 102 shown in FIG. 4, but differs in that a filtering VIA 131 is provided on the wiring TL1 between VIA0 and VIA1.

<フィルタリングVIAの構成例>
ここで、フィルタリングVIA131の構成例について、図7を参照して説明する。
図7は、プリント基板101の断面図である。図7の断面図は、図5に示したマルチドロップ配線102を表したものであるが、図6に示したマルチドロップ配線102の別の構成例においても、図7と同様の断面図で、各VIA及びフィルタリングVIAが表される。
<Example of Filtering VIA Configuration>
Here, a configuration example of the filtering VIA 131 will be described with reference to FIG.
Fig. 7 is a cross-sectional view of the printed circuit board 101. The cross-sectional view of Fig. 7 shows the multi-drop wiring 102 shown in Fig. 5, but in another configuration example of the multi-drop wiring 102 shown in Fig. 6, each VIA and filtering VIA are shown in a cross-sectional view similar to that of Fig. 7.

プリント基板101は、第1層から第6層まで複数の層が積層して構成される。図7では、実際に積層されている各層の記載は省略する。第1層には、マルチドロップ配線102の始端102x、メモリ素子111~115、及び終端抵抗104が形成される。始端102xは、第1層に形成された配線TL0の一端に接続されており、配線TL0の他端は、VIA0を介して第3層に形成された配線TL1に接続される。配線TL2~TL5も同じ第3層に形成される。上述したようにVIA1~VIA6は、マルチドロップ配線102に形成される。そして、VIA0~VIA6は、第1層に形成されるデバイス(メモリ素子等)の配線を、第1層とは異なる第3層の配線に接続するために用いられている。 The printed circuit board 101 is composed of multiple layers stacked from the first layer to the sixth layer. In FIG. 7, the layers that are actually stacked are omitted. The first layer is formed with the start end 102x of the multi-drop wiring 102, memory elements 111 to 115, and a termination resistor 104. The start end 102x is connected to one end of the wiring TL0 formed on the first layer, and the other end of the wiring TL0 is connected to the wiring TL1 formed on the third layer via VIA0. The wiring TL2 to TL5 are also formed on the same third layer. As described above, VIA1 to VIA6 are formed in the multi-drop wiring 102. And VIA0 to VIA6 are used to connect the wiring of the device (memory element, etc.) formed on the first layer to the wiring of the third layer, which is different from the first layer.

ここで、配線TL1に形成されたフィルタリングVIA131は、第1層から第6層を貫通した構成とされる。また、フィルタリングVIA131には、メモリ素子111~115等のいずれのデバイスとも接続されていない。たとえフィルタリングVIA131が、配線TL2~TL5のいずれかに設けられた場合であっても、フィルタリングVIA131にはデバイスが接続されない。フィルタリングVIA131は、配線TL1に限らず、各メモリ素子111~115が受信する信号に重畳されるクロストークを抑制したい箇所に任意に追加すればよい。 Here, the filtering VIA 131 formed in the wiring TL1 is configured to penetrate from the first layer to the sixth layer. Moreover, the filtering VIA 131 is not connected to any device such as the memory elements 111 to 115. Even if the filtering VIA 131 is provided in any of the wirings TL2 to TL5, no device is connected to the filtering VIA 131. The filtering VIA 131 is not limited to the wiring TL1, and may be added to any location where it is desired to suppress crosstalk superimposed on the signals received by each of the memory elements 111 to 115.

ここで、フィルタリングVIA131は、複数の層を貫通して形成される貫通VIA、又は複数の層のうち、一部の層を貫通して形成される非貫通VIAのいずれかである。非貫通VIAとは、プリント基板101の全層を貫通しないVIAのことである。そして、フィルタリングVIA131の構成は、図7に示す貫通スルーホール構造に限らない。例えば、レーザーVIAを始めとした非貫通VIAの構造、及び、非貫通VIAを重ねたスタック構造のうち、少なくともいずれか一つの構造により、フィルタリングVIA131が構成されてもよい。例えば、第3層と第4層だけを貫通したVIAは非貫通VIAである。また、プリント基板101を構成する複数の層に形成された複数のVIAが重なる構造がスタック構造である。スタック構造は、エニーレイヤ構造とも呼ばれる。 Here, the filtering VIA 131 is either a through VIA formed by penetrating multiple layers, or a non-through VIA formed by penetrating some of the multiple layers. A non-through VIA is a VIA that does not penetrate all layers of the printed circuit board 101. The configuration of the filtering VIA 131 is not limited to the through-hole structure shown in FIG. 7. For example, the filtering VIA 131 may be configured by at least one of a non-through VIA structure including a laser VIA and a stack structure in which non-through VIAs are stacked. For example, a VIA that penetrates only the third and fourth layers is a non-through VIA. A stack structure is a structure in which multiple VIAs formed in multiple layers constituting the printed circuit board 101 are stacked. The stack structure is also called an any-layer structure.

このようにフィルタリングVIA131を設けることの効果について説明する。
配線TL1には、メモリコントローラ110とメモリ素子111との層変更を伴わないフィルタリングVIA131を配置する。フィルタリングVIA131は、受信端が受信する信号(Victim信号)に重畳する高周波帯域のクロストークノイズを減衰させる機能を持つ。信号からクロストークノイズが減衰されることで、受信端が信号を良好に受信できるようになる。ここで、メモリコントローラ110が送信する信号により影響を受けた、メモリ素子が受信する信号をVictim信号と呼ぶ。Victim信号の発生有無は、マルチドロップ配線102の設計時に行われる動作シミュレーションで把握することができる。
The effect of providing the filtering VIA 131 in this manner will be described.
A filtering VIA 131 that does not involve a layer change between the memory controller 110 and the memory element 111 is disposed in the wiring TL1. The filtering VIA 131 has a function of attenuating high-frequency crosstalk noise superimposed on a signal (Victim signal) received by the receiving end. By attenuating the crosstalk noise from the signal, the receiving end can receive the signal well. Here, a signal received by the memory element that is affected by the signal transmitted by the memory controller 110 is called a Victim signal. The occurrence or non-occurrence of a Victim signal can be grasped by an operation simulation performed when the multi-drop wiring 102 is designed.

次に、従来のマルチドロップ配線102の構成例と、本例のマルチドロップ配線102の構成例とのインサーションロスの違いについて説明する。以下、図3又は図4に示すトポロジで構成される配線を「従来のマルチドロップ配線102」と呼び、図5又は図6に示すトポロジで構成される配線を「本例のマルチドロップ配線102」と呼ぶ。 Next, the difference in insertion loss between a configuration example of a conventional multi-drop wiring 102 and a configuration example of the multi-drop wiring 102 of this example will be described. Hereinafter, the wiring configured with the topology shown in FIG. 3 or FIG. 4 will be referred to as the "conventional multi-drop wiring 102," and the wiring configured with the topology shown in FIG. 5 or FIG. 6 will be referred to as the "multi-drop wiring 102 of this example."

図8は、メモリ素子111からメモリ素子112に送信される信号のインサーションロスを表す散乱パラメータ(Sパラメータ)の例を示す。図8のグラフは、例えば、メモリコントローラ110がメモリ素子111に送信する信号のエネルギーが、特定の配線でどの程度減衰したかを周波数ごとに表している。 Figure 8 shows an example of scattering parameters (S parameters) that represent the insertion loss of a signal transmitted from memory element 111 to memory element 112. The graph in Figure 8 shows, for example, the extent to which the energy of a signal transmitted from memory controller 110 to memory element 111 is attenuated by a specific wiring for each frequency.

図中の破線は、フィルタリングVIA131を備えない構成とした従来のマルチドロップ配線102の散乱パラメータを表す。また、図中の実線は、フィルタリングVIA131を備える構成とした本例のマルチドロップ配線102の散乱パラメータを表す。図8より、3GHz以上の周波数帯域において、インサーションロスが大きくなっていることが分かる。 The dashed line in the figure represents the scattering parameters of a conventional multi-drop wiring 102 configured without a filtering VIA 131. The solid line in the figure represents the scattering parameters of the multi-drop wiring 102 of this example configured with a filtering VIA 131. From FIG. 8, it can be seen that the insertion loss is large in the frequency band of 3 GHz or more.

図8より、およそ3GHz以上の周波数帯域において、従来及び本例のマルチドロップ配線102は共にインサーションロスが大きくなること、フィルタリングVIA131を備える構成とした方が、フィルタリングVIA131を備えない構成よりも振幅の落ち幅が大きいことが示される。例えば、3.5GHz、6~7GHz、9~10GHzの周波数では、実線で示すフィルタリングVIA131を備える構成のマルチドロップ配線102のインサーションロスが大きくなっている。 Figure 8 shows that in the frequency band of approximately 3 GHz or higher, the insertion loss is large for both the conventional and present multi-drop wiring 102, and that the configuration with the filtering VIA 131 has a larger amplitude drop than the configuration without the filtering VIA 131. For example, at frequencies of 3.5 GHz, 6 to 7 GHz, and 9 to 10 GHz, the insertion loss is large for the multi-drop wiring 102 with the filtering VIA 131 shown by the solid line.

このことは、従来よりも受信端にエネルギーが伝わりにくい周波数が存在することを表す。すなわち、信号に重畳したノイズの周波数の振幅の落ち幅が大きければ、受信端で受信する信号のノイズが抑制されたこととなる。 This indicates that there are frequencies where energy is less easily transmitted to the receiving end than before. In other words, if the amplitude drop of the noise frequency superimposed on the signal is large, the noise in the signal received at the receiving end is suppressed.

次に、従来のマルチドロップ配線102の構成例と、本例のマルチドロップ配線102の構成例とのクロストークの違いについて説明する。
図9は、メモリ素子111からメモリ素子112のクロストークを表す散乱パラメータの例を示す。
Next, a difference in crosstalk between an example of the configuration of the multi-drop wiring 102 of the prior art and an example of the configuration of the multi-drop wiring 102 of this embodiment will be described.
FIG. 9 shows an example of scattering parameters representing crosstalk from memory element 111 to memory element 112.

図中の破線は、フィルタリングVIA131を備えない構成とした従来のマルチドロップ配線102の散乱パラメータを表す。また、図中の実線は、フィルタリングVIA131を備える構成とした本例のマルチドロップ配線102の散乱パラメータを表す。 The dashed lines in the figure represent the scattering parameters of a conventional multi-drop wiring 102 that is configured without a filtering VIA 131. The solid lines in the figure represent the scattering parameters of the multi-drop wiring 102 of this example that is configured with a filtering VIA 131.

図9より、およそ6GHz以上の周波数帯域において、散乱パラメータのロスが大きくなっていること、フィルタリングVIA131を備える構成とした方が、フィルタリングVIA131を備えない構成よりも振幅の落ち幅が大きいことが示される。例えば、6.1GHz、7GHz、8~9GHz付近の周波数では、実線で示すフィルタリングVIA131を備える構成のマルチドロップ配線102のクロストークが減少している。 Figure 9 shows that in the frequency band of approximately 6 GHz or higher, the loss of scattering parameters is large, and that the configuration with filtering VIA 131 has a larger amplitude drop than the configuration without filtering VIA 131. For example, at frequencies of around 6.1 GHz, 7 GHz, and 8 to 9 GHz, the crosstalk of the multi-drop wiring 102 with the configuration with filtering VIA 131 shown by the solid line is reduced.

この点からも、信号に重畳したクロストークノイズの周波数が、振幅の落ち幅が大きい周波数であれば、受信端で受信する信号はクロストークノイズが抑制されたこととなる。 From this point of view, if the frequency of the crosstalk noise superimposed on the signal is one that causes a large drop in amplitude, the signal received at the receiving end will have crosstalk noise suppressed.

<スレッショルドと波形の関係>
次に、メモリ素子のインターフェイスで観測されるスレッショルドと波形の関係について、図10と図11を参照して説明する。ここで、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)スタンダードにて規定されるDDRメモリインターフェイスを、「メモリ素子のインターフェイス」と呼ぶ。
<Relationship between threshold and waveform>
Next, the relationship between the threshold and the waveform observed at the interface of a memory element will be described with reference to Figures 10 and 11. Here, the DDR memory interface defined by the Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standard is referred to as the "interface of a memory element".

図10は、従来のマルチドロップ配線102の構成例とした情報処理装置100のメモリ素子111(IC2)で観測されるアイパターン波形の例を示す。
図11は、本例のマルチドロップ配線102の構成例とした情報処理装置100のメモリ素子111(IC2)で観測されるアイパターン波形の例を示す。
FIG. 10 shows an example of an eye pattern waveform observed in a memory element 111 (IC2) of an information processing device 100 having a conventional multi-drop wiring 102 configuration.
FIG. 11 shows an example of an eye pattern waveform observed in the memory element 111 (IC2) of the information processing device 100 which is an example of the configuration of the multi-drop wiring 102 of this embodiment.

メモリ素子のインターフェイスでは、ホールドタイムでスレッショルド電圧Vih(dc),Vil(dc)が用いられ、セットアップタイムでスレッショルド電圧Vih(ac),Vil(ac)が用いられる。そして、ホールドタイムで用いるスレッショルド電圧Vih(dc)は、セットアップタイムで用いるスレッショルド電圧Vih(ac)よりも低い。一方、ホールドタイムで用いるスレッショルド電圧Vil(dc)は、セットアップタイムで用いるスレッショルド電圧Vil(ac)よりも高い。 In the interface of a memory element, threshold voltages Vih(dc) and Vil(dc) are used during hold time, and threshold voltages Vih(ac) and Vil(ac) are used during setup time. The threshold voltage Vih(dc) used during hold time is lower than the threshold voltage Vih(ac) used during setup time. On the other hand, the threshold voltage Vil(dc) used during hold time is higher than the threshold voltage Vil(ac) used during setup time.

信号波形は、例えば、時間が0.3nsの時に立ち上がってスレッショルド電圧Vih(ac)を超えるか、又は立ち下がって、スレッショルド電圧Vil(ac)未満となることで、信号が「1」又は「0」に切り替わる。その後、信号波形が、例えば、時間が0.9nsの時に立ち下がってスレッショルド電圧Vih(dc)未満となるか、又は立ち上がってスレッショルド電圧Vih(dc)を超えることで、信号が「0」又は「1」に切り替わる。 For example, when the signal waveform rises at a time of 0.3 ns and exceeds the threshold voltage Vih(ac), or falls and falls below the threshold voltage Vil(ac), the signal switches to "1" or "0". After that, when the signal waveform falls at a time of 0.9 ns and falls below the threshold voltage Vih(dc), or rises and exceeds the threshold voltage Vih(dc), the signal switches to "0" or "1".

アイマスクは、スレッショルド電圧Vih(dc),Vil(dc)を上辺とし、スレッショルド電圧Vih(ac),Vil(ac)を下辺とする台形で表される。ここで、セットアップタイムで用いるスレッショルド電圧Vih(ac),Vil(ac)のいずれかに波形が侵入する箇所がアイマスクの下辺に該当する。図10では、進入箇所130で波形がスレッショルド電圧Vih(ac)に侵入していることが示される。一般的なマルチドロップ配線102から得られたアイパターンはデジタルのスレッショルドにクロストークによるリングバックが侵入するため、信号波形が乱れる。この結果、アイマスクが小さく、波形品質が低くなることが分かる。 The eye mask is represented by a trapezoid with the upper edge at the threshold voltages Vih(dc) and Vil(dc) and the lower edge at the threshold voltages Vih(ac) and Vil(ac). Here, the lower edge of the eye mask corresponds to the point where the waveform intrudes into either the threshold voltages Vih(ac) or Vil(ac) used in the setup time. In FIG. 10, it is shown that the waveform intrudes into the threshold voltage Vih(ac) at the intrusion point 130. In the eye pattern obtained from a general multi-drop wiring 102, the signal waveform is distorted because ringback due to crosstalk intrudes into the digital threshold. As a result, it can be seen that the eye mask is small and the waveform quality is low.

一方、図11では、スレッショルド電圧Vih(ac),Vil(ac)のいずれかに波形が侵入する箇所がない。このため、受信端は、オン状態の信号をオフ状態と誤認識する恐れがなくなる。 On the other hand, in FIG. 11, there is no point where the waveform penetrates either the threshold voltage Vih(ac) or Vil(ac). Therefore, there is no risk that the receiving end will mistakenly recognize an ON state signal as an OFF state.

そして、図10と図11に示す台形のアイマスクと波形との間の距離M1,M2が、電圧マージンになる。距離M1は、スレッショルド電圧Vih(dc)から、信号が「1」になった波形との間、又はスレッショルド電圧Vil(dc)から、信号が「0」になった波形との間の距離であり、電圧マージンと呼ばれる。電圧マージンは図1に示す情報処理装置100の安定動作、信頼性向上に寄与するものである。受信端がデータを適正に受信するためには、このアイマスクの電圧マージンは大きい方が好ましい。逆にアイマスクの電圧マージンが小さいと、受信端がデータを正しく受信できない可能性が高くなる。 The distances M1 and M2 between the trapezoidal eye mask and the waveform shown in Figures 10 and 11 are the voltage margins. Distance M1 is the distance between the threshold voltage Vih (dc) and the waveform where the signal becomes "1", or between the threshold voltage Vil (dc) and the waveform where the signal becomes "0", and is called the voltage margin. The voltage margin contributes to stable operation and improved reliability of the information processing device 100 shown in Figure 1. In order for the receiving end to receive data properly, it is preferable for the voltage margin of this eye mask to be large. Conversely, if the voltage margin of the eye mask is small, there is a high possibility that the receiving end will not be able to receive data correctly.

図10と図11に示すアイパターンを比較すると、図11に示す本例のアイマスクに対する距離M2は、図10に示すアイマスクに対する距離M1よりも大きい。このため、本例のマルチドロップ配線102の構成例とした情報処理装置100のメモリ素子は、従来のマルチドロップ配線102の構成例とした情報処理装置100のメモリ素子よりも正しく信号を受信することができる。 Comparing the eye patterns shown in Figures 10 and 11, the distance M2 to the eye mask of this example shown in Figure 11 is greater than the distance M1 to the eye mask shown in Figure 10. Therefore, the memory element of the information processing device 100 having the example configuration of the multi-drop wiring 102 of this example can receive signals more correctly than the memory element of the information processing device 100 having the example configuration of the conventional multi-drop wiring 102.

図11に示したアイパターン波形で表されるアイマスクに対する電圧マージンの拡大は、アイパターンに現れるリングバック成分と容量反射成分の同時重畳が緩和され、かつスレッショルド電圧Vih(ac),Vil(ac)への波形の侵入が回避されることで、実現される。このため、本例のマルチドロップ配線102を有するプリント基板101によると、メモリコントローラ110から各メモリ素子111~115へのアドレス、コマンド、及びコントロール信号の伝送が、エラーなく安定して行うことができる。したがって、メモリコントローラ110やメモリ素子111~115を備えた情報処理装置100,100Aの信頼性が向上する。 The expansion of the voltage margin for the eye mask represented by the eye pattern waveform shown in FIG. 11 is achieved by mitigating the simultaneous superposition of the ringback component and the capacitive reflection component that appear in the eye pattern, and by avoiding the intrusion of the waveform into the threshold voltages Vih(ac) and Vil(ac). Therefore, according to the printed circuit board 101 having the multi-drop wiring 102 of this example, the transmission of address, command, and control signals from the memory controller 110 to each of the memory elements 111 to 115 can be stably performed without errors. Therefore, the reliability of the information processing device 100, 100A equipped with the memory controller 110 and the memory elements 111 to 115 is improved.

<情報処理装置の製造方法>
本例のフィルタリングVIA131の製造方法は、VIA121~126の製造方法と同じとしてよい。また、タブ化配線(Tabbed Routing)により並行配線のクロストークの影響を削減する手法も存在する。ただし、設計したタブの形状を製造工程で実現させようとした場合、一般的、かつ、安価なサブトラクティブ工法によるエッチングではエッチング液の循環を考慮したエッチングマスク形状を補正する必要性がある。ただし、タブ化配線では、エッチング液の循環性が悪化する領域として、導体間隔の狭い箇所が多数存在することになる。このため、製造上の難易度増加につながる。
そこで、アディティブ工法又はセミアディティブ工法により、上述のエッチング補正を回避することができるが、サブトラクティブ工法よりも高コストの工法である。
<Method of Manufacturing Information Processing Device>
The manufacturing method of the filtering via 131 in this example may be the same as the manufacturing method of the vias 121 to 126. There is also a method of reducing the effect of crosstalk of parallel wiring by tabbed routing. However, when trying to realize the designed tab shape in the manufacturing process, it is necessary to correct the etching mask shape considering the circulation of the etching solution in etching by a general and inexpensive subtractive method. However, in tabbed routing, there are many places with narrow conductor spacing as areas where the circulation of the etching solution is deteriorated. This leads to an increase in the difficulty of manufacturing.
Therefore, the above-mentioned etching correction can be avoided by using an additive method or a semi-additive method, but these methods are more expensive than the subtractive method.

このため、一般的かつ安価なサブトラクティブ工法によるエッチングでマルチドロップ配線102及びフィルタリングVIA131を作成するとよい。そして、サブトラクティブ工法を用いて、通常使用されるVIAの製造工程にフィルタリングVIA131の製造工程を追加することで、フィルタリングVIA131を実現可能である。サブトラクティブエッチング工法を用いても、プリント基板101の製作上における難易度を増加させない。 For this reason, it is advisable to create the multi-drop wiring 102 and filtering VIA 131 by etching using a common and inexpensive subtractive method. Then, by using the subtractive method to add a manufacturing process for the filtering VIA 131 to the manufacturing process for normally used VIAs, it is possible to realize the filtering VIA 131. The use of the subtractive etching method does not increase the difficulty of manufacturing the printed circuit board 101.

以上説明した実施の形態に係る情報処理装置100,100Aでは、高速かつ、電圧マージンの小さいにメモリ素子111~115に配線する場合に、クロストークを始めとした外部ノイズに対する電圧マージンの確保が求められる。そこで、マルチドロップ配線102にフィルタリングVIA131を設けた構成とすることで、クロストークノイズを抑制することができる。この結果、アイパターンの電圧マージンの確保を図り、受信信号の波形品質を高めることができる。 In the information processing devices 100 and 100A according to the embodiments described above, when wiring to the high-speed memory elements 111 to 115 with small voltage margins, it is necessary to ensure a voltage margin against external noise, including crosstalk. Therefore, by providing a filtering VIA 131 in the multi-drop wiring 102, crosstalk noise can be suppressed. As a result, it is possible to ensure the voltage margin of the eye pattern and improve the waveform quality of the received signal.

例えば、各種設備を制御する情報処理装置100,100Aの電源電圧変動、周囲の温度変化によるメモリコントローラ110の特性変化、プリント配線板に実装されるメモリ素子のロットごとの製造ばらつき、メモリコントローラ110を構成するLSI等のロットごとの製造バラツキといった変動要素に対する耐性を有する情報処理装置100,100Aの安定動作を実現する。 For example, the information processing device 100, 100A is resistant to variables such as power supply voltage fluctuations in the information processing device 100, 100A that controls various equipment, changes in the characteristics of the memory controller 110 due to changes in the ambient temperature, manufacturing variations between lots of memory elements mounted on a printed wiring board, and manufacturing variations between lots of LSIs and the like that make up the memory controller 110.

従来、フィルタリングVIA131のようなVIAはマルチドロップ配線102に形成されていなかった。この理由として、例えば、フィルタリングVIA131の効果が知られていなかったこと、また、フィルタリングVIA131を構成することで各種デバイスの実装面積が増加することが挙げられる。なお、従来の低速信号伝送用の配線途中に、いずれのデバイスにも接続されていないVIAが形成されることがあった。このVIAは、プローブを当てて配線から信号を取り出して、信号品質を確認するために設けられるものであった。しかし、本例のように高速信号を伝送するための配線にVIAを形成しても、このVIAにプローブを当てて信号を取り出しても、信号の波形が乱れ、信号波形を正しく観測することはできない。一方、本例のフィルタリングVIA131は、配線を伝送される信号に重畳したノイズを抑制するために用いられる。このため、受信端は、信号を正しく受信することが可能となる。 Conventionally, VIAs such as the filtering VIA 131 have not been formed in the multi-drop wiring 102. The reasons for this include, for example, that the effect of the filtering VIA 131 was not known, and that the implementation area of various devices increases when the filtering VIA 131 is configured. In addition, in the middle of the conventional wiring for low-speed signal transmission, a VIA that is not connected to any device was sometimes formed. This VIA was provided to check the signal quality by applying a probe to the wiring and extracting a signal from the wiring. However, even if a VIA is formed in the wiring for transmitting high-speed signals as in this example, even if a probe is applied to the VIA to extract a signal, the signal waveform is distorted and the signal waveform cannot be observed correctly. On the other hand, the filtering VIA 131 in this example is used to suppress noise superimposed on the signal transmitted through the wiring. This makes it possible for the receiving end to receive the signal correctly.

[変形例]
なお、本発明は、上述した実施の形態例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。
[Modification]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes various modifications.

上述した実施の形態では、プリント基板101の表面にメモリ素子111~115が実装された例について説明した。しかし、プリント基板101の表面及び裏面に実装されたメモリ素子にマルチドロップ配線102が分岐して接続される構成としてもよい。この場合もマルチドロップ配線102にフィルタリングVIA131を形成することで、受信端で観測されるアイマスクに対する電圧マージンを拡大することができる。 In the above embodiment, an example has been described in which memory elements 111 to 115 are mounted on the front surface of the printed circuit board 101. However, a configuration in which the multi-drop wiring 102 branches and connects to the memory elements mounted on the front and back surfaces of the printed circuit board 101 may also be used. In this case, too, by forming a filtering VIA 131 in the multi-drop wiring 102, the voltage margin for the eye mask observed at the receiving end can be expanded.

また、上述した実施の形態では、マルチドロップ配線102が1枚のプリント基板101内で構成されることを説明した。しかし、メモリコントローラ110が実装されたプリント基板101とは別の、DIMMカードを始めとするメモリ素子をプリント基板101に実装し、プリント基板101にメモリ素子を連結してマルチドロップ配線102を構成してもよい。 In the above embodiment, it has been described that the multi-drop wiring 102 is configured within one printed circuit board 101. However, it is also possible to configure the multi-drop wiring 102 by mounting a memory element such as a DIMM card on the printed circuit board 101, separate from the printed circuit board 101 on which the memory controller 110 is mounted, and connecting the memory element to the printed circuit board 101.

上述した実施の形態に係るプリント基板101は、内層(図7に示す第3層)の配線に対してVIA0~6及びフィルタリングVIA131を設けた構成とした。ここで、プリント基板101の外層(図7に示す第3層)に配線が構成される場合、この配線に対してクロストークノイズの周波数成分を抑制可能なコンデンサ及び抵抗を組み合わせたフィルタ部を構成してもよい。このような構成としたフィルタ部であっても、メモリコントローラ110からメモリ素子111~115に伝送される信号に重畳されるノイズをろ過することが可能であるので、クロストークノイズを十分に抑制できる。 The printed circuit board 101 according to the embodiment described above is configured with VIAs 0 to 6 and a filtering VIA 131 for wiring on an inner layer (third layer shown in FIG. 7). If wiring is configured on the outer layer (third layer shown in FIG. 7) of the printed circuit board 101, a filter section may be configured for this wiring by combining a capacitor and a resistor that can suppress the frequency components of crosstalk noise. Even with a filter section configured in this way, it is possible to filter out noise superimposed on the signals transmitted from the memory controller 110 to the memory elements 111 to 115, and therefore crosstalk noise can be sufficiently suppressed.

また、上述した実施の形態では、具体的な例として、工場における生産設備を制御する情報処理装置を実施例として挙げたが、産業用設備の制御用途に限らず、各種民生機器、車載機器を始め、メモリ素子を搭載する各種の情報処理装置においても同様の効果を得ることができる。 In addition, in the above-described embodiment, as a specific example, an information processing device that controls production equipment in a factory is given as an example of the implementation, but the same effect can be obtained not only in applications for controlling industrial equipment, but also in various consumer devices, in-vehicle devices, and various other information processing devices equipped with memory elements.

なお、本発明は上述した各実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した本発明の要旨を逸脱しない限りその他種々の応用例、変形例を取り得ることは勿論である。
例えば、上述した各実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために装置及びシステムの構成を詳細かつ具体的に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されない。また、ここで説明した実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることは可能であり、さらにはある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。
また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。
Incidentally, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various other applications and modifications are possible without departing from the gist of the present invention as set forth in the claims.
For example, the above-mentioned embodiments have described the configuration of the device and system in detail and specifically in order to explain the present invention in an easily understandable manner, and are not necessarily limited to those including all of the configurations described. In addition, it is possible to replace part of the configuration of the embodiments described here with the configuration of another embodiment, and it is also possible to add the configuration of another embodiment to the configuration of one embodiment. In addition, it is also possible to add, delete, or replace part of the configuration of each embodiment with other configurations.
In addition, the control lines and information lines shown are those that are considered necessary for the explanation, and not all control lines and information lines in the product are necessarily shown. In reality, it can be considered that almost all components are connected to each other.

10,10A…プリント配線板、100,100A…情報処理装置、101…プリント基板、102…マルチドロップ配線、103…コネクタ、104…終端抵抗、106…サブ基板、110…メモリコントローラ、111~115…メモリ素子、131…フィルタリングVIA 10, 10A... Printed wiring board, 100, 100A... Information processing device, 101... Printed circuit board, 102... Multi-drop wiring, 103... Connector, 104... Termination resistor, 106... Sub-board, 110... Memory controller, 111-115... Memory element, 131... Filtering VIA

Claims (4)

複数の層で形成されるプリント基板と、
前記プリント基板に形成される送信回路と、
前記プリント基板に形成される複数の受信回路と、
前記送信回路及び複数の前記受信回路が接続される信号伝送用のマルチドロップ配線と、
前記マルチドロップ配線に形成され、前記送信回路から前記受信回路に伝送される信号に重畳されるノイズをろ過するフィルタ部と、を備え、
一端が前記送信回路に接続される前記マルチドロップ配線に形成された複数の分岐点から分岐した配線がそれぞれ複数の前記受信回路に接続され、
前記フィルタ部は、前記複数の層のうち、前記マルチドロップ配線が形成された層の前記マルチドロップ配線に対して形成される、異なる層の配線、又は前記受信回路とは接続されないフィルタリングVIAであり、クロストークノイズが発生する前記送信回路と、前記クロストークノイズの影響を受ける前記受信回路との間であって、前記複数の受信回路のうち、前記送信回路との距離が最も近い前記受信回路と、前記送信回路とが接続される前記マルチドロップ配線の間に形成され、
前記送信回路との距離が最も近い前記受信回路と、前記送信回路とが接続される前記マルチドロップ配線の間には、前記送信回路から順に、前記送信回路と前記マルチドロップ配線とを接続するVIA、前記フィルタリングVIAが形成される
プリント配線板。
A printed circuit board formed of multiple layers;
A transmission circuit formed on the printed circuit board;
A plurality of receiving circuits formed on the printed circuit board;
a multi-drop wiring for signal transmission to which the transmitting circuit and a plurality of the receiving circuits are connected;
a filter unit formed in the multi-drop wiring and configured to filter out noise superimposed on a signal transmitted from the transmitting circuit to the receiving circuit,
a plurality of branching points formed in the multi-drop wiring, one end of which is connected to the transmission circuit, are connected to the plurality of reception circuits,
The filter section is a wiring of a different layer formed for the multi-drop wiring of a layer in which the multi-drop wiring is formed among the plurality of layers, or a filtering VIA that is not connected to the receiving circuit, and is formed between the transmitting circuit in which crosstalk noise occurs and the receiving circuit affected by the crosstalk noise, between the receiving circuit that is closest to the transmitting circuit among the plurality of receiving circuits and the multi-drop wiring to which the transmitting circuit is connected,
A printed wiring board in which a VIA connecting the transmitting circuit to the multi-drop wiring and a filtering VIA are formed in this order from the transmitting circuit between the receiving circuit that is closest to the transmitting circuit and the multi-drop wiring to which the transmitting circuit is connected.
前記フィルタリングVIAは、前記複数の層を貫通して形成される貫通VIA、又は前記複数の層のうち、一部の層を貫通して形成される非貫通VIAのいずれかである
請求項1に記載のプリント配線板。
The printed wiring board according to claim 1 , wherein the filtering via is either a through via formed through the plurality of layers or a non-through via formed through some of the plurality of layers.
前記送信回路はメモリコントローラであり、前記受信回路はメモリ素子であり、
前記マルチドロップ配線は、前記メモリコントローラから前記メモリ素子にアドレスとコマンドとコントロール信号とを送信する配線である
請求項1に記載のプリント配線板。
the transmitting circuit is a memory controller and the receiving circuit is a memory device;
2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the multi-drop wiring is wiring for transmitting address, command and control signals from the memory controller to the memory elements.
送信回路及び複数の受信回路が、信号伝送用のマルチドロップ配線で接続された、複数の層で形成されるプリント基板を有するプリント配線板を備えた情報処理装置であって、
前記マルチドロップ配線には、前記送信回路から前記受信回路に伝送される信号に重畳されるノイズをろ過するフィルタ部が形成され、
一端が前記送信回路に接続される前記マルチドロップ配線に形成された複数の分岐点から分岐した配線がそれぞれ複数の前記受信回路に接続され、
前記フィルタ部は、前記複数の層のうち、前記マルチドロップ配線が形成された層の前記マルチドロップ配線に対して形成される、異なる層の配線、又は前記受信回路とは接続されないフィルタリングVIAであり、クロストークノイズが発生する前記送信回路と、前記クロストークノイズの影響を受ける前記受信回路との間であって、前記複数の受信回路のうち、前記送信回路との距離が最も近い前記受信回路と、前記送信回路とが接続される前記マルチドロップ配線の間に形成され、
前記送信回路との距離が最も近い前記受信回路と、前記送信回路とが接続される前記マルチドロップ配線の間には、前記送信回路から順に、前記送信回路と前記マルチドロップ配線とを接続するVIA、前記フィルタリングVIAが形成される
情報処理装置。
An information processing device including a printed wiring board having a printed circuit board formed of multiple layers, in which a transmitting circuit and multiple receiving circuits are connected by multi-drop wiring for signal transmission,
a filter section is formed in the multi-drop wiring to filter out noise superimposed on a signal transmitted from the transmitting circuit to the receiving circuit;
a plurality of branching points formed in the multi-drop wiring, one end of which is connected to the transmission circuit, are connected to the plurality of reception circuits,
The filter section is a wiring of a different layer formed for the multi-drop wiring of a layer in which the multi-drop wiring is formed among the plurality of layers, or a filtering VIA that is not connected to the receiving circuit, and is formed between the transmitting circuit in which crosstalk noise occurs and the receiving circuit affected by the crosstalk noise, between the receiving circuit that is closest to the transmitting circuit among the plurality of receiving circuits and the multi-drop wiring to which the transmitting circuit is connected,
An information processing device, wherein a VIA connecting the transmitting circuit and the multi-drop wiring, and a filtering VIA are formed in this order from the transmitting circuit between the receiving circuit that is closest to the transmitting circuit and the multi-drop wiring to which the transmitting circuit is connected.
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