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JP7529503B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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JP7529503B2
JP7529503B2 JP2020156718A JP2020156718A JP7529503B2 JP 7529503 B2 JP7529503 B2 JP 7529503B2 JP 2020156718 A JP2020156718 A JP 2020156718A JP 2020156718 A JP2020156718 A JP 2020156718A JP 7529503 B2 JP7529503 B2 JP 7529503B2
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Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

基板上に形成されたレジスト膜を除去するために、水平姿勢で回転される基板上にレジスト剥離液が供給される。レジスト剥離液としては、例えば硫酸(HSO)と過酸化水素水(H)との混合液(以下、SPMと略記する。)が用いられる。 In order to remove a resist film formed on the substrate, a resist stripping liquid is supplied onto the substrate which is rotated in a horizontal position. As the resist stripping liquid, for example, a mixture of sulfuric acid ( H2SO4 ) and hydrogen peroxide ( H2O2 ) (hereinafter, abbreviated as SPM) is used.

特許文献1には、チャンバ内にスピンチャックおよび遮断板を備えた基板処理装置が記載されている。遮断板は、スピンチャックに保持された基板の上面に近接する遮断位置と、遮断位置よりも大きく上方に退避した退避位置との間で昇降可能に設けられる。SPM工程では、遮断板が退避位置にある状態で、スピンチャックにより回転される基板上に、SPMノズルからSPMが供給される。また、遮断板が遮断位置にある状態で、リンス工程および乾燥工程が行われる。乾燥工程の終了後に、スピンチャックの回転が停止され、遮断板が退避位置まで退避される。次いで、チャンバから基板搬送ロボットのハンドにより基板が搬出される。 Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus equipped with a spin chuck and a blocking plate in a chamber. The blocking plate is provided so as to be movable up and down between a blocking position close to the top surface of the substrate held by the spin chuck and a retracted position retracted significantly above the blocking position. In the SPM process, with the blocking plate in the retracted position, SPM is supplied from an SPM nozzle onto the substrate rotated by the spin chuck. Also, with the blocking plate in the blocking position, a rinsing process and a drying process are performed. After the drying process is completed, the rotation of the spin chuck is stopped and the blocking plate is retracted to the retracted position. The substrate is then removed from the chamber by the hand of a substrate transport robot.

特開2019-207986号公報JP 2019-207986 A

上記の基板処理装置においては、チャンバ内においてSPM雰囲気が滞留している場合、基板処理動作の終了後にチャンバ内のSPM雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着する可能性がある。 In the above-mentioned substrate processing apparatus, if an SPM atmosphere remains in the chamber, there is a possibility that mist or droplets in the SPM atmosphere in the chamber may re-adhere to the substrate after the substrate processing operation is completed.

本発明の目的は、基板処理動作の終了後の基板の清浄度を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 The object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve the cleanliness of a substrate after completion of a substrate processing operation.

(1)本発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた基板処理動作を行う基板処理部と、基板を保持して基板処理部に対して基板を搬入および搬出する搬送保持部を有する基板搬送部と、基板処理部および基板搬送部を制御する制御部とを備え、基板処理部は、基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に対向する対向面を有し、基板保持部から上方に離間した第1の高さ位置と第1の高さ位置よりも低い第2の高さ位置との間で昇降可能に構成された対向部材と、対向部材を昇降させる昇降駆動部とを含み、制御部は、基板処理動作の終了時点から予め定められた維持時間が経過するまで対向部材が第2の高さ位置で保持された後、対向部材が第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇するように昇降駆動部を制御する。 (1) The substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate processing section that performs substrate processing operations using a processing liquid on a substrate, a substrate transport section having a transport holding section that holds the substrate and transports the substrate to and from the substrate processing section, and a control section that controls the substrate processing section and the substrate transport section. The substrate processing section includes a substrate holding section that holds the substrate in a horizontal position, an opposing member that has an opposing surface that faces the substrate held in the substrate holding section and is configured to be able to rise and fall between a first height position spaced above the substrate holding section and a second height position that is lower than the first height position, and a lifting and lowering section that lifts and lowers the opposing member. The control section controls the lifting and lowering section so that the opposing member is held at the second height position until a predetermined maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation, and then the opposing member rises from the second height position to the first height position.

この基板処理装置においては、対向部材が第1の高さ位置または第2の高さ位置にある状態で基板処理動作が行われる。対向部材は、基板処理動作が終了した時点から予め定められた維持時間が経過するまで第2の高さ位置で保持される。維持時間の経過後、対向部材は、第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇する。それにより、基板搬送部の搬送保持部による基板の搬出が可能となる。 In this substrate processing apparatus, the substrate processing operation is performed with the opposing member at the first height position or the second height position. The opposing member is held at the second height position until a predetermined maintenance time has elapsed from the time the substrate processing operation is completed. After the maintenance time has elapsed, the opposing member rises from the second height position to the first height position. This allows the substrate to be removed by the transport holding section of the substrate transport section.

この構成によれば、基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで、基板の上面に対向部材の対向面が近接した状態で対向する。それにより、基板処理動作後に、基板処理部内に滞留する処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。したがって、基板処理動作終了後の基板の清浄度を向上させることが可能となる。 According to this configuration, the facing surface of the facing member faces closely to the upper surface of the substrate from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed. This prevents mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid remaining in the substrate processing unit from re-adhering to the substrate after the substrate processing operation. This makes it possible to improve the cleanliness of the substrate after the substrate processing operation is completed.

(2)基板処理部は、開口部を有しかつ基板保持部および対向部材を収容する処理チャンバと、処理チャンバの開口部を閉塞する閉塞状態と開口部を開放する開放状態とに移行するように構成されたシャッタと、シャッタを閉塞状態と開放状態とに移行させるシャッタ駆動部とをさらに備え、制御部は、基板処理動作の終了時点でシャッタが開放状態になるようにシャッタ駆動部を制御し、シャッタの開放時点から維持時間が経過するまで対向部材が第2の高さ位置で保持されるように昇降駆動部を制御してもよい。 (2) The substrate processing unit further includes a processing chamber having an opening and accommodating a substrate holder and an opposing member, a shutter configured to transition between a closed state that blocks the opening of the processing chamber and an open state that opens the opening, and a shutter driver that transitions the shutter between the closed state and the open state, and the control unit may control the shutter driver so that the shutter is in the open state at the end of the substrate processing operation, and control the lift driver so that the opposing member is held at the second height position from the time the shutter is opened until the maintenance time has elapsed.

この場合、基板処理動作が終了すると、シャッタが開放状態になる。それにより、処理チャンバ内への搬送保持部の進入が可能となる。上記の構成により、シャッタの開放時点から維持時間が経過するまで対向部材が第2の高さ位置で保持されるので、シャッタの開放から搬送保持部の進入までの間に処理チャンバ内に滞留した処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In this case, when the substrate processing operation is completed, the shutter is opened. This allows the transport holder to enter the processing chamber. With the above configuration, the opposing member is held at the second height position from the time the shutter is opened until the maintenance time has elapsed, preventing mist or droplets in the processing liquid atmosphere that has remained in the processing chamber between the time the shutter is opened and the time the transport holder enters from re-adhering to the substrate.

(3)制御部は、基板搬送部に基板処理動作の終了を示す終了信号を与え、開口部を通して処理チャンバ内への搬送保持部の進入の開始を示す進入開始信号を基板搬送部から受け取り、進入開始信号に応答して第2の高さ位置から第1の高さ位置へ対向部材が上昇を開始するように昇降駆動部を制御してもよい。 (3) The control unit may provide an end signal to the substrate transport unit indicating the end of the substrate processing operation, receive an entry start signal from the substrate transport unit indicating the start of entry of the transport holder into the processing chamber through the opening, and control the lift drive unit so that the opposing member starts to rise from the second height position to the first height position in response to the entry start signal.

この場合、基板処理動作の終了後、進入開始信号に応答して対向部材が第2の高さ位置から第1の高さ位置への上昇を開始する。それにより、基板処理動作の終了後から進入開始信号の受け取りまで、対向部材が第2の高さ位置で保持される。したがって、処理チャンバへの基板搬送部の搬送保持部の進入が遅れた場合でも、処理チャンバ内に滞留した処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In this case, after the substrate processing operation is completed, the opposing member begins to rise from the second height position to the first height position in response to the entry start signal. As a result, the opposing member is held at the second height position from the end of the substrate processing operation until the entry start signal is received. Therefore, even if the entry of the transport holding part of the substrate transport part into the processing chamber is delayed, mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid remaining in the processing chamber are prevented from re-adhering to the substrate.

(4)基板保持部は、基板を垂直方向の軸の周りで回転させる回転保持部であり、制御部は、基板処理動作の終了時点で基板の回転が停止するように回転保持部を制御し、回転保持部により保持された基板の回転が停止した状態で維持時間が経過するまで対向部材が静止状態で第2の高さ位置で保持されるように昇降駆動部を制御してもよい。 (4) The substrate holding unit is a rotating holding unit that rotates the substrate around a vertical axis, and the control unit may control the rotating holding unit so that the rotation of the substrate stops at the end of the substrate processing operation, and control the lifting drive unit so that the opposing member is held stationary at the second height position until a maintenance time has elapsed while the rotation of the substrate held by the rotating holding unit has stopped.

この場合、回転保持部により保持された基板の回転が停止したことにより基板処理部の基板処理動作が終了する。また、対向部材が静止状態で第2の高さ位置に保持されるので、基板処理部内に処理液の雰囲気の流れが形成されない。それにより、処理液の雰囲気の流れが対向部材と基板との間に進入することが防止される。その結果、ミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In this case, the substrate processing operation of the substrate processing section ends as the rotation of the substrate held by the rotating holder stops. In addition, since the opposing member is held at the second height position in a stationary state, no flow of the processing liquid atmosphere is formed within the substrate processing section. This prevents the flow of the processing liquid atmosphere from entering between the opposing member and the substrate. As a result, mist or droplets are prevented from re-adhering to the substrate.

(5)基板処理部は、基板保持部により保持された基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに含み、不活性ガス供給部は、維持時間内において基板保持部により保持された基板と対向部材との間の空間に不活性ガスを供給する第1の状態と維持時間内において基板保持部により保持された基板と対向部材との間の空間に不活性ガスを供給しない第2の状態とに選択可能に構成されてもよい。 (5) The substrate processing unit may further include an inert gas supply unit that supplies an inert gas to the substrate held by the substrate holding unit, and the inert gas supply unit may be configured to be selectable between a first state in which inert gas is supplied to the space between the substrate held by the substrate holding unit and the opposing member during the maintenance time, and a second state in which inert gas is not supplied to the space between the substrate held by the substrate holding unit and the opposing member during the maintenance time.

この場合、第1の状態では、基板と対向部材との間の雰囲気を吹き飛ばすことができる。一方、第2の状態では、基板と対向部材との間の雰囲気を静的な状態に維持することができる。上記の構成により、使用者は、基板処理装置内の処理液の雰囲気の状態に応じて第1の状態または第2の状態を選択することができる。 In this case, in the first state, the atmosphere between the substrate and the opposing member can be blown away. On the other hand, in the second state, the atmosphere between the substrate and the opposing member can be maintained in a static state. With the above configuration, the user can select the first state or the second state depending on the state of the atmosphere of the processing liquid in the substrate processing apparatus.

(6)制御部は、複数の工程を順に含む処理レシピに従って基板処理動作を制御し、処理レシピの最終工程の終了により基板処理動作の終了を判定してもよい。この場合、制御部は、特別な判定処理を追加することなく、簡単な制御で基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで対向部材を第2の高さ位置で保持させることができる。 (6) The control unit may control the substrate processing operation according to a process recipe that includes multiple steps in sequence, and may determine the end of the substrate processing operation upon completion of the final step of the process recipe. In this case, the control unit may, with simple control, hold the opposing member at the second height position from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed, without adding any special determination process.

(7)制御部は、第2の高さ位置を調整可能に構成されてもよい。この場合、第2の高さ位置に保持された対向部材と基板保持部との間の空間において、搬送保持部による基板の搬入および搬出が可能となるように第2の高さ位置を調整することが可能である。それにより、対向部材が第2の位置にある状態で基板を搬入および搬出することができる。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。 (7) The control unit may be configured to be able to adjust the second height position. In this case, it is possible to adjust the second height position so that the transport holder can load and unload the substrate in the space between the opposing member held at the second height position and the substrate holder. This allows the substrate to be loaded and unloaded with the opposing member in the second position. As a result, the throughput of the substrate processing apparatus is improved.

(8)本発明に係る基板処理方法は、基板処理部における基板保持部により保持された基板に処理液を用いた基板処理動作を行うステップと、基板処理動作中に対向部材を基板保持部から上方に離間した第1の高さ位置または第1の高さ位置よりも低い第2の高さ位置で保持するステップと、対向部材を基板処理動作の終了時点から予め定められた維持時間の経過後まで第2の高さ位置で保持するステップと、対向部材を維持時間の経過後まで第2の高さ位置で保持した後、対向部材を第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇させるステップとを含む。 (8) The substrate processing method according to the present invention includes the steps of performing a substrate processing operation using a processing liquid on a substrate held by a substrate holding unit in a substrate processing unit, holding an opposing member during the substrate processing operation at a first height position spaced above the substrate holding unit or at a second height position lower than the first height position, holding the opposing member at the second height position from the end of the substrate processing operation until a predetermined maintenance time has elapsed, and, after holding the opposing member at the second height position until the maintenance time has elapsed, raising the opposing member from the second height position to the first height position.

この基板処理方法においては、対向部材が第1の高さ位置または第2の高さ位置にある状態で基板処理動作が行われる。対向部材は、基板処理動作が終了した時点から予め定められた維持時間が経過するまで第2の高さ位置で保持される。維持時間の経過後、対向部材は、第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇する。それにより、搬送保持部の基板保持部による基板の搬出が可能となる。 In this substrate processing method, the substrate processing operation is performed with the opposing member at the first height position or the second height position. The opposing member is held at the second height position until a predetermined holding time has elapsed from the time the substrate processing operation is completed. After the holding time has elapsed, the opposing member is raised from the second height position to the first height position. This allows the substrate to be removed by the substrate holder of the transport holder.

この方法によれば、基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで、基板の上面に対向部材の対向面が対向する。それにより、基板処理動作後に、基板処理部内に滞留する処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。したがって、基板処理動作終了後の基板の清浄度向上させることが可能となる。 According to this method, the opposing surface of the opposing member faces the upper surface of the substrate from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed. This prevents mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid remaining in the substrate processing section from re-adhering to the substrate after the substrate processing operation. This makes it possible to improve the cleanliness of the substrate after the substrate processing operation is completed.

(9)基板処理動作を行うステップは、基板処理部の処理チャンバの開口部をシャッタで閉塞した状態で、処理チャンバ内の基板保持部により保持された基板に処理液を用いた基板処理動作を行い、基板処理動作の終了時点でシャッタを開くことにより処理チャンバの開口部を開放状態にすることを含み、対向部材を第2の高さ位置で保持するステップは、シャッタの開放時点から維持時間の経過後まで対向部材を第2の高さ位置で保持することを含んでもよい。 (9) The step of performing a substrate processing operation includes performing a substrate processing operation using a processing liquid on a substrate held by a substrate holder in the processing chamber while closing an opening of the processing chamber of the substrate processing unit with a shutter, and opening the opening of the processing chamber by opening the shutter at the end of the substrate processing operation, and the step of holding the opposing member at the second height position may include holding the opposing member at the second height position from the time the shutter is opened until the maintenance time has elapsed.

この場合、基板処理動作が終了すると、シャッタが開放状態になる。それにより、処理チャンバ内への搬送保持部の進入が可能となる。上記の方法により、シャッタの開放時点から維持時間が経過するまで対向部材が第2の高さ位置で保持されるので、シャッタの開放から搬送保持部の進入までの間に処理チャンバ内に滞留した処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In this case, when the substrate processing operation is completed, the shutter is opened. This allows the transport holder to enter the processing chamber. The above method holds the opposing member at the second height position from the time the shutter is opened until the maintenance time has elapsed, preventing mist or droplets in the processing liquid atmosphere that has remained in the processing chamber between the time the shutter is opened and the time the transport holder enters from re-adhering to the substrate.

(10)基板処理方法は、基板処理動作の終了時に基板搬送部に基板処理動作の終了を示す終了信号を与えるステップと、開口部を通して処理チャンバ内への基板搬送部の搬送保持部の進入の開始を示す進入開始信号を基板搬送部から受け取るステップとをさらに含み、対向部材を上昇させるステップは、進入開始信号に応答して第2の高さ位置から第1の高さ位置へ対向部材の上昇を開始させることを含んでもよい。 (10) The substrate processing method may further include a step of giving an end signal indicating the end of the substrate processing operation to the substrate transport unit at the end of the substrate processing operation, and a step of receiving an entry start signal indicating the start of entry of the transport holder of the substrate transport unit into the processing chamber through the opening from the substrate transport unit, and the step of raising the opposing member may include starting the raising of the opposing member from the second height position to the first height position in response to the entry start signal.

この場合、基板処理動作の終了後、進入開始信号に応答して対向部材が第2の高さ位置から第1の高さ位置への上昇を開始する。それにより、基板処理動作の終了後から進入開始信号の受け取りまで、対向部材が第2の高さ位置で保持される。したがって、処理チャンバへの基板搬送部の搬送保持部の進入が遅れた場合でも、処理チャンバ内に滞留した処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In this case, after the substrate processing operation is completed, the opposing member begins to rise from the second height position to the first height position in response to the entry start signal. As a result, the opposing member is held at the second height position from the end of the substrate processing operation until the entry start signal is received. Therefore, even if the entry of the transport holding part of the substrate transport part into the processing chamber is delayed, mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid remaining in the processing chamber are prevented from re-adhering to the substrate.

(11)基板処理方法は、基板処理動作の終了時点で回転保持部により保持された基板の回転を停止させるステップをさらに含み、対向部材を第2の高さ位置で保持するステップは、回転保持部により保持された基板の回転が停止した状態で維持時間が経過するまで対向部材を第2の高さ位置で保持させることを含んでもよい。 (11) The substrate processing method may further include a step of stopping the rotation of the substrate held by the rotating holder at the end of the substrate processing operation, and the step of holding the opposing member at the second height position may include holding the opposing member at the second height position until a maintenance time has elapsed while the rotation of the substrate held by the rotating holder is stopped.

この場合、回転保持部により保持された基板の回転が停止したことにより基板処理部の基板処理動作が終了する。また、対向部材が静止状態で第2の高さ位置に保持されるので、基板処理部内に処理液の雰囲気の流れが形成されない。それにより、処理液の雰囲気の流れが対向部材と基板との間に進入することが防止される。その結果、ミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In this case, the substrate processing operation of the substrate processing section ends as the rotation of the substrate held by the rotating holder stops. In addition, since the opposing member is held at the second height position in a stationary state, no flow of the processing liquid atmosphere is formed within the substrate processing section. This prevents the flow of the processing liquid atmosphere from entering between the opposing member and the substrate. As a result, mist or droplets are prevented from re-adhering to the substrate.

(12)基板処理方法は、維持時間内において基板保持部により保持された基板と対向部材との間の空間に不活性ガスを供給する第1の状態と維持時間内において基板保持部により保持された基板と対向部材との間の空間に不活性ガスを供給しない第2の状態との選択を受け付けるステップをさらに含んでもよい。 (12) The substrate processing method may further include a step of accepting a selection between a first state in which an inert gas is supplied to a space between the substrate held by the substrate holding unit and the opposing member during the maintenance time, and a second state in which an inert gas is not supplied to a space between the substrate held by the substrate holding unit and the opposing member during the maintenance time.

この場合、第1の状態では、基板と対向部材との間の雰囲気を吹き飛ばすことができる。一方、第2の状態では、基板と対向部材との間の雰囲気を静的な状態に維持することができる。上記の方法により、使用者は、基板処理装置内の処理液の雰囲気の状態に応じて第1の状態または第2の状態を選択することができる。 In this case, in the first state, the atmosphere between the substrate and the opposing member can be blown away. On the other hand, in the second state, the atmosphere between the substrate and the opposing member can be maintained in a static state. With the above method, the user can select the first state or the second state depending on the state of the atmosphere of the processing liquid in the substrate processing apparatus.

(13)基板処理方法は、複数の工程を順に含む処理レシピの最終工程の終了により基板処理動作の終了を判定するステップをさらに含んでもよい。この場合、特別な判定処理を追加することなく、簡単な制御で基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで対向部材が第2の高さ位置で保持される。 (13) The substrate processing method may further include a step of determining the end of the substrate processing operation based on the end of a final process of a processing recipe that includes multiple processes in sequence. In this case, the opposing member is held at the second height position until the maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation by simple control without adding any special determination process.

(14)基板処理方法は、対向部材の第2の高さ位置を調整するステップをさらに含んでもよい。この場合、第2の高さ位置に保持された対向部材と基板保持部との間の空間において、搬送保持部による基板の搬入および搬出が可能となるように第2の高さ位置を調整することが可能となる。それにより、対向部材が第2の位置にある状態で基板の搬入および搬出が可能となる。その結果、基板処理装置のスループットが向上する。 (14) The substrate processing method may further include a step of adjusting the second height position of the opposing member. In this case, it is possible to adjust the second height position so that the transport holder can load and unload the substrate in the space between the opposing member held at the second height position and the substrate holder. This makes it possible to load and unload the substrate while the opposing member is in the second position. As a result, the throughput of the substrate processing apparatus is improved.

本発明によれば、基板処理動作の終了後の基板の清浄度を向上させることが可能になる。 The present invention makes it possible to improve the cleanliness of the substrate after the substrate processing operation is completed.

本実施の形態に係る基板処理装置の構成の例を示す模式的平面図である。1 is a schematic plan view showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; 図1の基板処理部の構成の一例を示す模式的断面図である。2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the substrate processing section of FIG. 1 . 図1の制御部の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a control unit in FIG. 1 . 図2の基板処理部の動作の一例を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 . 図2の基板処理部の動作の一例を示す模式的断面図である。3A to 3C are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 . 図2の基板処理部の動作の一例を示す模式的断面図である。3A to 3C are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 . 図2の基板処理部の動作の一例を示す模式的断面図である。3A to 3C are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 . 図2の基板処理部の動作の一例を示す模式的断面図である。3A to 3C are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 . 図2の基板処理部の動作の一例を示す模式的断面図である。3A to 3C are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 . 図2の基板処理部の動作の一例を示す模式的断面図である。3A to 3C are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing section of FIG. 2 .

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機EL(Electro Luminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。 The substrate processing apparatus and substrate processing method according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, the term "substrate" refers to a semiconductor substrate, a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell.

本実施の形態では、処理液として、硫酸と過酸化水素水との混合液(SPM)、アンモニア水と過酸化水素水との混合液(SC1)、塩酸と過酸化水素水との混合液(SC2)、希フッ酸(DHF)、有機アルカリ(例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)等)またはバッファードフッ酸(BHF)等の薬液が用いられる。また、リンス液として、例えば純水(脱イオン水)、炭酸水、オゾン水、磁気水、機能水(例えば、超希釈アンモニア水(1ppm以上100ppm以下)、超希釈塩酸水(1ppm以上100ppm以下)、還元水(水素水)等)もしくはイオン水、またはIPA(イソプロピルアルコール)等の有機溶剤が用いられる。 In this embodiment, the processing liquid may be a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide (SPM), a mixture of ammonia water and hydrogen peroxide (SC1), a mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide (SC2), dilute hydrofluoric acid (DHF), organic alkali (e.g., tetramethylammonium hydroxide (TMAH)), or buffered hydrofluoric acid (BHF). The rinsing liquid may be, for example, pure water (deionized water), carbonated water, ozone water, magnetic water, functional water (e.g., ultra-diluted ammonia water (1 ppm to 100 ppm), ultra-diluted hydrochloric acid (1 ppm to 100 ppm), reduced water (hydrogen water), or the like), ionized water, or an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol).

(1)基板処理装置の構成
図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成の例を示す模式的平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、インデクサブロックIDおよび処理ブロックPRを含む。インデクサブロックIDは、基板搬送部(基板搬送ロボット)IRおよびキャリア載置部CPを含む。キャリア載置部CPには、複数の基板Wを多段に収納するキャリアCCが載置される。
(1) Configuration of the Substrate Processing Apparatus Fig. 1 is a schematic plan view showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. As shown in Fig. 1, the substrate processing apparatus 100 includes an indexer block ID and a processing block PR. The indexer block ID includes a substrate transport unit (substrate transport robot) IR and a carrier platform CP. A carrier CC that stores a plurality of substrates W in multiple stages is mounted on the carrier platform CP.

処理ブロックPRは、基板処理部1a,1b,1c,1dおよび基板搬送部(基板搬送ロボット)2を含む。基板処理部1a,1b,1c,1dは、基板搬送部2を中心に4方向に配置される。基板処理部1a,1b,1c,1dは、処理チャンバCHa,CHb,CHc,CHdを含む。処理チャンバCHa,CHb,CHc,CHdの内部では、処理液を用いて基板W上のレジスト膜の除去、リンスおよび乾燥が行われる。本実施の形態では、基板処理動作は、基板W上のレジスト膜の除去、リンスおよび乾燥を含む。基板処理動作の詳細については、後述する。 The processing block PR includes substrate processing units 1a, 1b, 1c, 1d and a substrate transport unit (substrate transport robot) 2. The substrate processing units 1a, 1b, 1c, 1d are arranged in four directions with the substrate transport unit 2 at the center. The substrate processing units 1a, 1b, 1c, 1d include processing chambers CHa, CHb, CHc, CHd. Inside the processing chambers CHa, CHb, CHc, CHd, a processing liquid is used to remove, rinse, and dry the resist film on the substrate W. In this embodiment, the substrate processing operation includes removing, rinsing, and drying the resist film on the substrate W. Details of the substrate processing operation will be described later.

処理チャンバCHa,CHb,CHc,CHdは、基板搬送部2に対向する面に開口部OP(図2参照)を有する。シャッタSHa,SHb,SHc,SHdは、開口部OPを閉塞する状態と開放する状態とに移行可能に構成される。基板搬送部2は、基板Wを保持するとともに搬送する搬送保持部(ハンド)Hおよび搬送駆動部2a(図3参照)を有する。搬送保持部Hは、基板処理部1a,1b,1c,1dに対して基板Wを搬入および搬出する。搬送保持部Hの基板Wの搬出動作の詳細については、後述する。 The processing chambers CHa, CHb, CHc, and CHd have an opening OP (see FIG. 2) on the surface facing the substrate transport unit 2. The shutters SHa, SHb, SHc, and SHd are configured to be able to switch between a state in which the opening OP is closed and a state in which it is open. The substrate transport unit 2 has a transport holder (hand) H that holds and transports the substrate W, and a transport driver 2a (see FIG. 3). The transport holder H transports the substrate W into and out of the substrate processing units 1a, 1b, 1c, and 1d. Details of the substrate W transport operation of the transport holder H will be described later.

インデクサブロックIDの少なくとも1つのキャリア載置部CP上には、レジスト膜を有する基板Wが収容されたキャリアCCが載置される。基板搬送部IRは、キャリアCCから載置部PTにレジスト膜を有する基板Wを搬送する。 A carrier CC containing a substrate W having a resist film is placed on at least one carrier placement part CP of the indexer block ID. The substrate transport part IR transports the substrate W having a resist film from the carrier CC to the placement part PT.

処理ブロックPRの基板搬送部2は、レジスト膜を有する基板Wを載置部PTから処理チャンバCHa,CHb,CHc,CHdのうちいずれか一つに搬送する。それにより、レジスト膜を有する基板Wに基板処理動作が行われる。その後、基板搬送部2は、処理チャンバCHa,CHb,CHc,CHdの一つから基板処理動作後の基板Wを搬出するとともに載置部PTに載置する。 The substrate transport unit 2 of the processing block PR transports the substrate W having a resist film from the placement unit PT to one of the processing chambers CHa, CHb, CHc, or CHd. This allows a substrate processing operation to be performed on the substrate W having the resist film. The substrate transport unit 2 then removes the substrate W after the substrate processing operation from one of the processing chambers CHa, CHb, CHc, or CHd and places it on the placement unit PT.

インデクサブロックIDの少なくとも1つのキャリア載置部CP上には、基板処理後の基板Wが収容されるキャリアCCが載置される。基板搬送部IRは、載置部PTから基板処理後の基板WをキャリアCCに搬送する。 A carrier CC that contains a processed substrate W is placed on at least one carrier placement part CP of the indexer block ID. The substrate transport part IR transports the processed substrate W from the placement part PT to the carrier CC.

制御部110は、基板処理部1a,1b,1c,1dおよび基板搬送部2の動作を制御する。制御部110の構成および動作の詳細については後述する。 The control unit 110 controls the operation of the substrate processing units 1a, 1b, 1c, and 1d and the substrate transport unit 2. The configuration and operation of the control unit 110 will be described in detail later.

(2)基板処理部1aの構成
図2は、図1の基板処理部1aの構成の一例を示す模式的断面図である。基板処理部1b,1c,1dの構成は、基板処理部1aの構成と同様である。基板処理部1aは、処理チャンバCHa、スピンチャック(回転保持部)10、ノズル駆動部20、遮断部材30およびスプラッシュガード40を含む。スピンチャック10、ノズル駆動部20、処理液供給ノズル22、遮断部材30およびスプラッシュガード40は、処理チャンバCHa内に収容される。遮断部材30は、スピンチャック10の上方に設けられる。スプラッシュガード40は、スピンチャック10を取り囲むように設けられる。スプラッシュガード40の外方には、ノズル駆動部20が設けられる。
(2) Configuration of the Substrate Processing Unit 1a Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the substrate processing unit 1a in Fig. 1. The configurations of the substrate processing units 1b, 1c, and 1d are the same as that of the substrate processing unit 1a. The substrate processing unit 1a includes a processing chamber CHa, a spin chuck (rotary holding unit) 10, a nozzle driving unit 20, a blocking member 30, and a splash guard 40. The spin chuck 10, the nozzle driving unit 20, the processing liquid supply nozzle 22, the blocking member 30, and the splash guard 40 are accommodated in the processing chamber CHa. The blocking member 30 is provided above the spin chuck 10. The splash guard 40 is provided so as to surround the spin chuck 10. The nozzle driving unit 20 is provided outside the splash guard 40.

スピンチャック10は、スピンベース11、複数のチャックピン12およびスピンモータ13により構成される。複数のチャックピン12は、スピンベース11の上面周縁部に等間隔に設けられる。基板Wの外周端部が複数のチャックピン12により保持される。それにより、基板Wが水平姿勢でスピンベース11上に保持される。スピンベース11は、スピンモータ13により垂直方向の軸の周りで回転可能に構成される。それにより、基板Wは、スピンチャック10に回転可能に保持される。 The spin chuck 10 is composed of a spin base 11, multiple chuck pins 12, and a spin motor 13. The multiple chuck pins 12 are provided at equal intervals on the periphery of the upper surface of the spin base 11. The outer peripheral edge of the substrate W is held by the multiple chuck pins 12. As a result, the substrate W is held on the spin base 11 in a horizontal position. The spin base 11 is configured to be rotatable around a vertical axis by the spin motor 13. As a result, the substrate W is rotatably held on the spin chuck 10.

ノズル駆動部20は、アーム21、処理液供給部23およびモータ24を含む。アーム21内には流路が形成される。アーム21内の流路の一端には、処理液供給ノズル22が設けられる。また、アーム21内の流路の他端には、処理液供給部23が接続される。それにより、処理液供給ノズル22からスピンチャック10に保持された基板Wの上面に処理液が供給される。モータ24には、アーム21が取り付けられる。アーム21がモータ24により垂直方向の軸の周りで回転される。それにより、処理液供給ノズル22は、基板Wの中心の上方の位置(以下、処理液供給位置と呼ぶ。)とスピンチャック10の外方の位置(以下、退避位置と呼ぶ。)との間で移動可能になる。本実施の形態では、基板処理部1aには、1つのノズル駆動部20および処理液供給ノズル22が設けられるが、例えば基板Wに複数の薬液を用いた複数の処理が行われる場合、複数のノズル駆動部20および処理液供給ノズル22が設けられてもよい。 The nozzle drive unit 20 includes an arm 21, a processing liquid supply unit 23, and a motor 24. A flow path is formed in the arm 21. A processing liquid supply nozzle 22 is provided at one end of the flow path in the arm 21. The processing liquid supply unit 23 is connected to the other end of the flow path in the arm 21. As a result, processing liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle 22 to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 10. The arm 21 is attached to the motor 24. The arm 21 is rotated around a vertical axis by the motor 24. As a result, the processing liquid supply nozzle 22 becomes movable between a position above the center of the substrate W (hereinafter referred to as the processing liquid supply position) and a position outside the spin chuck 10 (hereinafter referred to as the retracted position). In this embodiment, the substrate processing section 1a is provided with one nozzle driving section 20 and one processing liquid supply nozzle 22, but if, for example, multiple processes using multiple chemical liquids are performed on the substrate W, multiple nozzle driving sections 20 and processing liquid supply nozzles 22 may be provided.

遮断部材30は、円板状の遮断板31、回転軸32および支持アーム33により構成される。遮断板31は、スピンチャック10に保持される基板Wに対向する対向面31aを有する。対向面31aの中央部には、吐出口31bが形成される。また、遮断板31の上面には、垂直方向に延びる略円筒形状の回転軸32が設けられる。回転軸32は、遮断板31がスピンチャック10に保持される基板Wの上方で保持されるように支持アーム33により支持される。また、回転軸32は、遮断板回転駆動部35に接続される。それにより、遮断板31は、スピンチャック10に保持された基板Wの上方において垂直方向の軸の周りで回転可能になる。 The blocking member 30 is composed of a disk-shaped blocking plate 31, a rotating shaft 32, and a support arm 33. The blocking plate 31 has an opposing surface 31a that faces the substrate W held by the spin chuck 10. An outlet 31b is formed in the center of the opposing surface 31a. A substantially cylindrical rotating shaft 32 that extends vertically is provided on the upper surface of the blocking plate 31. The rotating shaft 32 is supported by the support arm 33 so that the blocking plate 31 is held above the substrate W held by the spin chuck 10. The rotating shaft 32 is connected to a blocking plate rotation drive unit 35. This allows the blocking plate 31 to rotate around a vertical axis above the substrate W held by the spin chuck 10.

支持アーム33は、遮断板昇降駆動部36に接続される。それにより、遮断板31は、第1の高さ位置と第2の高さ位置との間で上下動可能になる。第1の高さ位置は、処理液供給位置にある処理液供給ノズル22よりも高い位置である。第2の高さ位置は、第1の高さ位置よりも低くスピンチャック10に保持される基板Wの上面に近接する位置である。第2の高さ位置は、5mm以下であって、0.3mm以上2.5mm以下であることが好ましい。 The support arm 33 is connected to the shield plate lifting drive unit 36. This allows the shield plate 31 to move up and down between a first height position and a second height position. The first height position is a position higher than the processing liquid supply nozzle 22 at the processing liquid supply position. The second height position is a position lower than the first height position and closer to the top surface of the substrate W held by the spin chuck 10. The second height position is 5 mm or less, and preferably 0.3 mm or more and 2.5 mm or less.

回転軸32の内部には、吐出口31bに連通する吐出流路32aが形成される。吐出流路32aは、リンス液供給部37および不活性ガス供給部38に接続される。それにより、吐出口31bからスピンチャック10に保持された基板Wの上面に向かってリンス液および不活性ガスが供給される。 A discharge flow path 32a that communicates with the discharge port 31b is formed inside the rotating shaft 32. The discharge flow path 32a is connected to a rinsing liquid supply unit 37 and an inert gas supply unit 38. As a result, the rinsing liquid and the inert gas are supplied from the discharge port 31b toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 10.

スプラッシュガード40は、第1ガード41A、第2ガード41B、第1カップ42A、第2カップ42Bおよび周壁部材43を含む。第1ガード41A、第2ガード41Bおよび周壁部材43は、それぞれ円筒形状を有する。第2カップ42Aは、第1ガード41Aと一体的に形成されている。第1ガード41Aおよび第2ガード41Bは、上下方向に昇降可能に構成される。周壁部材43は、第1ガード41A、第2ガード41B、第1カップ42Aおよび第2カップ42Bを取り囲むように構成される。 The splash guard 40 includes a first guard 41A, a second guard 41B, a first cup 42A, a second cup 42B, and a peripheral wall member 43. The first guard 41A, the second guard 41B, and the peripheral wall member 43 each have a cylindrical shape. The second cup 42A is formed integrally with the first guard 41A. The first guard 41A and the second guard 41B are configured to be able to move up and down in the vertical direction. The peripheral wall member 43 is configured to surround the first guard 41A, the second guard 41B, the first cup 42A, and the second cup 42B.

基板処理動作時には、第1ガード41Aおよび第2ガード41Bは、スピンチャック10に保持された基板Wを取り囲む高さまで上昇される。第1ガード41Aおよび第2ガード41Bは、スピンチャック10に保持された基板Wから飛散された液滴を受け止める。第1ガード41Aおよび第2ガード41Bに受け止められた液滴は下方に導かれる。第1カップ42Aは、第1ガード41Aにより下方に導かれた液滴を受け止める。また、第2カップ42Bは、第2ガード41Bにより下方に導かれた液滴を受け止める。 During substrate processing operations, the first guard 41A and the second guard 41B are raised to a height that surrounds the substrate W held by the spin chuck 10. The first guard 41A and the second guard 41B catch droplets scattered from the substrate W held by the spin chuck 10. The droplets caught by the first guard 41A and the second guard 41B are guided downward. The first cup 42A catches the droplets guided downward by the first guard 41A. The second cup 42B catches the droplets guided downward by the second guard 41B.

第1カップ42Aおよび第2カップ42Bに受け止められた液滴は、回収部(図示せず)により回収される。また、スプラッシュガード40の内部は、排気部(図示せず)により排気される。それにより、基板Wから飛散された処理液のミストが回収される。 The droplets received by the first cup 42A and the second cup 42B are collected by a collection section (not shown). The inside of the splash guard 40 is evacuated by an exhaust section (not shown). This allows the mist of the processing liquid scattered from the substrate W to be collected.

基板処理動作前の基板Wの搬入時および基板処理動作後の基板Wの搬出時には、第1ガード41Aおよび第2ガード41Bは、スピンチャック10のスピンベース11より下方の位置まで下降される。 When the substrate W is loaded before the substrate processing operation and when the substrate W is unloaded after the substrate processing operation, the first guard 41A and the second guard 41B are lowered to a position below the spin base 11 of the spin chuck 10.

処理チャンバCHaのシャッタSHaは、シャッタ駆動部Sdにより上下動可能に構成される。それにより、シャッタSHaは、開口部OPを閉塞する状態と開口部OPを開放する状態とに移行可能になる。 The shutter SHa of the processing chamber CHa is configured to be movable up and down by the shutter drive unit Sd. This allows the shutter SHa to transition between a state in which the opening OP is closed and a state in which the opening OP is open.

(3)制御部110の構成および動作
図3は、図1の制御部110の構成を示すブロック図である。制御部110は、搬送制御部111、洗浄処理記憶部112および処理動作制御部113を含む。制御部110は、CPU(中央演算処理装置)、RAM(ランダムアクセスメモリ)、ROM(リードオンリメモリ)および記憶装置により構成される。CPUがROMまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより、制御部110の各構成要素の機能が実現される。なお、制御部110の一部またはすべての構成が電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
(3) Configuration and operation of control unit 110 Fig. 3 is a block diagram showing the configuration of the control unit 110 in Fig. 1. The control unit 110 includes a transport control unit 111, a cleaning processing storage unit 112, and a processing operation control unit 113. The control unit 110 is composed of a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), and a storage device. The CPU executes a computer program stored in a storage medium such as the ROM or the storage device, thereby realizing the functions of each component of the control unit 110. Note that a part or all of the configuration of the control unit 110 may be realized by hardware such as an electronic circuit.

図1の基板搬送部2は、図3の搬送駆動部2aを含む。搬送制御部111は、図1の搬送保持部Hが基板処理部1a,1b,1c,1dに対して基板Wを搬入および搬出するように搬送駆動部2aを制御する。洗浄処理記憶部112には、複数の工程を順に含む処理レシピが記憶される。処理動作制御部113は、洗浄処理記憶部112に記憶される処理レシピに従って、シャッタ駆動部Sd、ノズル駆動部20、処理液供給部23、リンス液供給部37、不活性ガス供給部38、遮断板回転駆動部35、遮断板昇降駆動部36およびスピンチャック10を制御する。それにより、基板処理動作が行われる。また、処理動作制御部113の制御により後述する遮断板31の保持動作が行われる。保持動作では、遮断板31が第2の高さ位置に保持される。処理動作制御部113は、使用者の操作または制御プログラムに基づいて第2の高さ位置を調整可能に構成される。 The substrate transport unit 2 in FIG. 1 includes the transport driver 2a in FIG. 3. The transport controller 111 controls the transport driver 2a so that the transport holder H in FIG. 1 transports the substrate W to and from the substrate processing units 1a, 1b, 1c, and 1d. The cleaning process memory 112 stores a process recipe including a plurality of steps in sequence. The process operation controller 113 controls the shutter driver Sd, the nozzle driver 20, the processing liquid supply unit 23, the rinsing liquid supply unit 37, the inert gas supply unit 38, the shield plate rotation driver 35, the shield plate lift driver 36, and the spin chuck 10 according to the process recipe stored in the cleaning process memory 112. This allows the substrate processing operation to be performed. In addition, the process operation controller 113 controls the shield plate 31 to be held, which will be described later. In the holding operation, the shield plate 31 is held at a second height position. The process operation controller 113 is configured to be able to adjust the second height position based on the user's operation or a control program.

また、処理動作制御部113は、基板処理動作が終了すると、処理動作終了信号PEを搬送制御部111に与える。搬送制御部111は、基板搬送部2の搬送保持部Hが基板処理部1a(1b,1c,1d)の処理チャンバCHa(CHb,CHb,CHd)内への進入を開始することを示す進入開始信号ESを搬送制御部111に与える。 When the substrate processing operation is completed, the processing operation control unit 113 sends a processing operation end signal PE to the transport control unit 111. The transport control unit 111 sends an entry start signal ES to the transport control unit 111, which indicates that the transport holder H of the substrate transport unit 2 has started to enter the processing chamber CHa (CHb, CHb, CHd) of the substrate processing unit 1a (1b, 1c, 1d).

(4)基板処理部1aの動作例
図4は、図2の基板処理部1aの動作の一例を示すフローチャートである。図5~図10は、図2の基板処理部1aの動作の一例を示す模式的断面図である。基板処理部1b,1c,1dの動作は、基板処理部1aの動作と同様である。本例では、処理液として、レジスト剥離液(例えばSPM)が用いられる。
(4) Example of Operation of Substrate Processing Unit 1a Fig. 4 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing unit 1a of Fig. 2. Figs. 5 to 10 are schematic cross-sectional views showing an example of the operation of the substrate processing unit 1a of Fig. 2. The operations of the substrate processing units 1b, 1c, and 1d are similar to the operation of the substrate processing unit 1a. In this example, a resist stripping liquid (e.g., SPM) is used as the processing liquid.

図4に示すように、まず、処理動作制御部113は、基板処理動作を開始する(ステップS1)。この場合、処理動作制御部113は、洗浄処理記憶部112に記憶される処理レシピに従って各部を制御する。 As shown in FIG. 4, first, the processing operation control unit 113 starts the substrate processing operation (step S1). In this case, the processing operation control unit 113 controls each unit according to the processing recipe stored in the cleaning processing memory unit 112.


具体的には、図2のシャッタ駆動部SdによりシャッタSHaが開かれる。図1の基板搬送部2の搬送保持部Hは、開口部OPを通して処理チャンバCHa内に進入し、スピンチャック10上に基板Wを搬入する。スピンチャック10は、複数のチャックピン12により基板Wを保持する。本例では、基板Wにレジスト膜が形成されている。

Specifically, the shutter SHa is opened by the shutter driver Sd in Fig. 2. The transport holder H of the substrate transport unit 2 in Fig. 1 enters the processing chamber CHa through the opening OP and loads the substrate W onto the spin chuck 10. The spin chuck 10 holds the substrate W by a plurality of chuck pins 12. In this example, a resist film is formed on the substrate W.

搬送保持部Hが処理チャンバCHaから退出した後、図5に示すように、図2のシャッタ駆動部SdによりシャッタSHaが閉じられる。また、スプラッシュガード40の第1ガード41Aおよび第2ガード41Bが上昇する。遮断板31は、第1の高さ位置にある。この状態で、ノズル駆動部20のモータ24により処理液供給ノズル22が退避位置から処理液供給位置に移動される。また、スピンモータ13によりスピンベース11が回転される。それにより、基板Wが垂直方向の軸の周りで回転する。 After the transport holder H leaves the processing chamber CHa, as shown in FIG. 5, the shutter SHa is closed by the shutter driver Sd of FIG. 2. In addition, the first guard 41A and the second guard 41B of the splash guard 40 are raised. The blocking plate 31 is at the first height position. In this state, the motor 24 of the nozzle driver 20 moves the processing liquid supply nozzle 22 from the retracted position to the processing liquid supply position. In addition, the spin motor 13 rotates the spin base 11. This causes the substrate W to rotate around a vertical axis.

この状態で、処理液供給部23により、点線矢印pで示すように、処理液供給ノズル22から回転する基板Wの上面に処理液としてレジスト剥離液が供給される。これにより、基板W上のレジスト膜が除去される。この場合、処理チャンバCHa内には、処理液の雰囲気が滞留する。 In this state, the processing liquid supply unit 23 supplies resist stripping liquid as processing liquid from the processing liquid supply nozzle 22 to the upper surface of the rotating substrate W, as indicated by the dotted arrow p. This removes the resist film on the substrate W. In this case, the atmosphere of the processing liquid remains in the processing chamber CHa.

その後、図6に示すように、リンス処理が行われる。リンス処理では、ノズル駆動部20のモータ24により処理液供給ノズル22が処理液供給位置から退避位置に移動される。また、遮断板昇降駆動部36により遮断板31が第1の高さ位置から第2の高さ位置に下降される。この状態で、遮断板回転駆動部35により遮断板31が垂直方向の軸の周りで回転される。このとき、リンス液供給部37により点線矢印rで示すように、遮断板31の吐出口31bから回転する基板Wの上面にリンス液が供給される。これにより、基板Wの上面がリンスされる。 After that, as shown in FIG. 6, a rinsing process is performed. In the rinsing process, the motor 24 of the nozzle drive unit 20 moves the processing liquid supply nozzle 22 from the processing liquid supply position to the retracted position. Also, the shield plate lift drive unit 36 lowers the shield plate 31 from the first height position to the second height position. In this state, the shield plate rotation drive unit 35 rotates the shield plate 31 around a vertical axis. At this time, the rinsing liquid supply unit 37 supplies rinsing liquid from the outlet 31b of the shield plate 31 to the upper surface of the rotating substrate W, as indicated by the dotted arrow r. This rinses the upper surface of the substrate W.

次いで、図7に示すように、乾燥処理が行われる。乾燥処理では、スピンベース11および遮断板31が回転する状態で、不活性ガス供給部38により、点線矢印gで示すように、遮断板31の吐出口31bから回転する基板Wの上面に不活性ガスが供給される。これにより、基板Wの上面が乾燥される。その後、遮断板回転駆動部35による遮断板31の回転が停止されるとともに、スピンモータ13によるスピンベース11の回転が停止される。また、スピンチャック10の複数のチャックピン12による基板Wの保持が解除される。さらに、スプラッシュガード40の第1ガード41Aおよび第2ガード41Bが下降する。この時点で、洗浄処理記憶部112に記憶される処理レシピの全工程(基板処理動作)が終了する。処理動作制御部113は、処理レシピの最終工程の終了により基板処理動作の終了を判定する。 Next, as shown in FIG. 7, a drying process is performed. In the drying process, while the spin base 11 and the shield plate 31 are rotating, the inert gas supply unit 38 supplies an inert gas to the upper surface of the rotating substrate W from the discharge port 31b of the shield plate 31 as shown by the dotted arrow g by the inert gas supply unit 38. This dries the upper surface of the substrate W. Then, the rotation of the shield plate 31 by the shield plate rotation drive unit 35 is stopped, and the rotation of the spin base 11 by the spin motor 13 is stopped. In addition, the substrate W is released from the holding by the multiple chuck pins 12 of the spin chuck 10. Furthermore, the first guard 41A and the second guard 41B of the splash guard 40 are lowered. At this point, all the steps (substrate processing operations) of the processing recipe stored in the cleaning processing memory unit 112 are completed. The processing operation control unit 113 determines the end of the substrate processing operation by the end of the final step of the processing recipe.

図4に示すように、処理動作制御部113は、基板処理動作が終了したか否かを判定する(ステップS2)。この場合、処理動作制御部113は、処理レシピの最終工程が終了したときに基板処理動作が終了したと判定する。処理動作制御部113は、基板処理動作が終了していない場合、ステップS2の判定を繰り返す。 As shown in FIG. 4, the processing operation control unit 113 determines whether the substrate processing operation has ended (step S2). In this case, the processing operation control unit 113 determines that the substrate processing operation has ended when the final step of the processing recipe has ended. If the substrate processing operation has not ended, the processing operation control unit 113 repeats the determination of step S2.

基板処理動作が終了した場合、処理動作制御部113は、処理動作終了信号PEを搬送制御部111に与える(ステップS3)。 When the substrate processing operation is completed, the processing operation control unit 113 sends a processing operation end signal PE to the transport control unit 111 (step S3).

また、図4に示すように、処理動作制御部113は、シャッタSHaを開くようにシャッタ駆動部Sdを制御する(ステップS4)。処理動作制御部113は、基板処理動作の終了時点からの経過時間を計測する。このとき、図8に示すように、遮断板31は、第2の高さ位置で保持されている。また、不活性ガス供給部38により基板Wの上面に不活性ガスが供給されている。 Further, as shown in FIG. 4, the processing operation control unit 113 controls the shutter drive unit Sd to open the shutter SHa (step S4). The processing operation control unit 113 measures the elapsed time from the end of the substrate processing operation. At this time, as shown in FIG. 8, the shield plate 31 is held at the second height position. Also, an inert gas is supplied to the upper surface of the substrate W by the inert gas supply unit 38.

処理動作制御部113は、計測された時間が予め定められた維持時間を経過したか否かを判定する(ステップS5)。維持時間は、例えば5秒~1800秒である。計測された時間が予め定められた維持時間を経過していない場合、処理動作制御部113は、ステップS5の判定を繰り返す。このとき、搬送保持部Hは、処理チャンバCHaの外部にある。搬送制御部111は、処理チャンバCHaへの搬送保持部Hの進入が可能になると、処理動作制御部113に進入開始信号ESを与える。 The processing operation control unit 113 judges whether the measured time has passed a predetermined maintenance time (step S5). The maintenance time is, for example, 5 to 1800 seconds. If the measured time has not passed the predetermined maintenance time, the processing operation control unit 113 repeats the judgment of step S5. At this time, the transport holder H is outside the processing chamber CHa. When the transport holder H is able to enter the processing chamber CHa, the transport control unit 111 gives an entry start signal ES to the processing operation control unit 113.

ステップS5において計測された時間が予め定められた維持時間を経過した場合、処理動作制御部113は、搬送制御部111から進入開始信号ESを受けとったか否かを判定する(ステップS6)。処理動作制御部113は、進入開始信号ESを受けとっていない場合、ステップS6の判定を繰り返す。 When the time measured in step S5 has elapsed the predetermined maintenance time, the processing operation control unit 113 determines whether or not an entry start signal ES has been received from the transport control unit 111 (step S6). If the processing operation control unit 113 has not received the entry start signal ES, it repeats the determination in step S6.

図4に示すように、処理動作制御部113が進入開始信号ESを受けとった場合、処理動作制御部113は、不活性ガス供給部38による基板Wの上面への不活性ガスの供給を停止させる(ステップS7)。ステップS3~S7が遮断板31の保持動作である。また、処理動作制御部113が進入開始信号ESを受けとったとき、図9に示すように、搬送保持部Hは、開口部OPを通して処理チャンバCHa内に進入する。さらに、図4に示すように、処理動作制御部113は、遮断板昇降駆動部36により遮断板31を第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇させる(ステップS8)。なお、処理チャンバCHa内への搬送保持部Hの進入と遮断板31の上昇とは同時に行われてもよく、遮断板31の上昇後に搬送保持部Hの進入が行われてもよい。この状態で、図10に示すように、搬送保持部Hがスピンチャック10上の基板Wを搬出する。 As shown in FIG. 4, when the processing operation control unit 113 receives the entry start signal ES, the processing operation control unit 113 stops the supply of inert gas to the upper surface of the substrate W by the inert gas supply unit 38 (step S7). Steps S3 to S7 are the holding operation of the shield plate 31. When the processing operation control unit 113 receives the entry start signal ES, as shown in FIG. 9, the transport holder H enters the processing chamber CHa through the opening OP. Furthermore, as shown in FIG. 4, the processing operation control unit 113 raises the shield plate 31 from the second height position to the first height position by the shield plate lift drive unit 36 (step S8). Note that the entry of the transport holder H into the processing chamber CHa and the lift of the shield plate 31 may be performed simultaneously, or the transport holder H may enter after the lift of the shield plate 31. In this state, as shown in FIG. 10, the transport holder H carries out the substrate W on the spin chuck 10.

(5)効果
本実施の形態における基板処理装置100においては、基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで、基板Wの上面に遮断板31の対向面31aが近接した状態で対向する。それにより、基板処理動作後に、処理チャンバCHaに滞留する処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板Wに再付着することが防止される。したがって、基板処理動作終了後の基板Wの清浄度を向上させることが可能となる。
(5) Effects In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the facing surface 31a of the blocking plate 31 faces closely to the upper surface of the substrate W from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed. This prevents mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid remaining in the processing chamber CHa from re-adhering to the substrate W after the substrate processing operation. This makes it possible to improve the cleanliness of the substrate W after the substrate processing operation is completed.

また、本実施の形態における基板処理装置100においては、基板処理動作が終了すると、シャッタSHaが開放状態になる。それにより、処理チャンバCHa内への搬送保持部Hの進入が可能になる。また、シャッタSHaの開放時点から維持時間が経過するまで遮断板31が第2の高さ位置で保持されるので、シャッタSHaの開放から搬送保持部Hの進入までの間に処理チャンバCHa内に滞留した処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 In addition, in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, when the substrate processing operation is completed, the shutter SHa is opened. This allows the transport holder H to enter the processing chamber CHa. In addition, the shield plate 31 is held at the second height position from the time the shutter SHa is opened until the maintenance time has elapsed, so that mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid that has remained in the processing chamber CHa between the time the shutter SHa is opened and the time the transport holder H enters are prevented from re-adhering to the substrate.

さらに、基板処理動作の終了後、進入開始信号ESに応答して遮断板31が第2の高さ位置から第1の高さ位置への上昇を開始する。それにより、基板処理動作の終了後から進入開始信号ESの受け取りまで、遮断板31が第2の高さ位置で保持される。したがって、処理チャンバCHaへの基板搬送部2の搬送保持部Hの進入が遅れた場合でも、処理チャンバCHa内に滞留した処理液の雰囲気におけるミストまたは液滴が基板Wに再付着することが防止される。 Furthermore, after the substrate processing operation is completed, the blocking plate 31 begins to rise from the second height position to the first height position in response to the entry start signal ES. As a result, the blocking plate 31 is held at the second height position from the end of the substrate processing operation until the entry start signal ES is received. Therefore, even if the entry of the transport holding part H of the substrate transport part 2 into the processing chamber CHa is delayed, mist or droplets in the atmosphere of the processing liquid remaining in the processing chamber CHa are prevented from re-adhering to the substrate W.

また、スピンチャック10により保持された基板Wの回転が停止したことにより基板処理部1aの基板処理動作が終了する。また、遮断板31が静止状態で第2の高さ位置に保持されるので、処理チャンバCHa内に処理液の雰囲気の流れが形成されない。それにより、処理液の雰囲気の流れが遮断板31と基板Wとの間に進入することが防止される。その結果、ミストまたは液滴が基板に再付着することが防止される。 The substrate processing operation of the substrate processing unit 1a is terminated as the rotation of the substrate W held by the spin chuck 10 stops. Furthermore, since the blocking plate 31 is held stationary at the second height position, no flow of the processing liquid atmosphere is formed in the processing chamber CHa. This prevents the flow of the processing liquid atmosphere from entering between the blocking plate 31 and the substrate W. As a result, mist or droplets are prevented from re-adhering to the substrate.

さらに、処理動作制御部113は、処理レシピの最終工程の終了により基板処理動作の終了を判定する。それにより、特別な判定処理を追加することなく、簡単な制御で基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで遮断板31を第2の高さ位置で保持させることができる。 Furthermore, the processing operation control unit 113 determines the end of the substrate processing operation when the final step of the processing recipe is completed. This allows the blocking plate 31 to be held at the second height position from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed with simple control, without the need to add any special determination process.

また、第2の高さ位置に保持された遮断板31とスピンベース11との間の空間において、搬送保持部Hによる基板Wの搬入および搬出が可能となるように第2の高さ位置を調整することが可能である。それにより、遮断板31が第2の位置にある状態で基板Wを搬入および搬出することができる。その結果、基板処理装置100のスループットが向上する。 In addition, the second height position can be adjusted so that the transport holder H can load and unload the substrate W in the space between the blocking plate 31 held at the second height position and the spin base 11. This allows the substrate W to be loaded and unloaded with the blocking plate 31 in the second position. As a result, the throughput of the substrate processing apparatus 100 is improved.

(6)他の実施の形態
(a)上記実施の形態では、処理レシピの最終工程の終了により基板処理動作の終了が判定されるが、基板処理動作の終了の判定方法はこれに限定されない。例えば、シャッタSHaの開放状態への移行に基づいて基板処理動作の終了が判定されてもよく、または基板Wの乾燥工程の終了時のスピンベース11の回転の終了または遮断板31の回転の終了に基づいて基板処理動作の終了が判定されてもよい。
(6) Other embodiments (a) In the above embodiment, the end of the substrate processing operation is determined by the end of the final step of the processing recipe, but the method of determining the end of the substrate processing operation is not limited to this. For example, the end of the substrate processing operation may be determined based on the transition of the shutter SHa to the open state, or the end of the rotation of the spin base 11 or the rotation of the shield plate 31 at the end of the drying step of the substrate W.

(b)上記実施の形態においては、基板処理動作の終了時点から維持時間が経過した後に処理動作制御部113が進入開始信号ESを受け取ったときに、遮断板31が第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板処理動作の終了時点から維持時間が経過した時点で、遮断板31が第2の高さ位置から第1の高さ位置に上昇されてもよい。 (b) In the above embodiment, when the processing operation control unit 113 receives the entry start signal ES after the maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation, the blocking plate 31 is raised from the second height position to the first height position, but the present invention is not limited to this. For example, the blocking plate 31 may be raised from the second height position to the first height position when the maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation.

(c)上記実施の形態においては、不活性ガス供給部38は、基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで基板Wの上面に不活性ガスを供給するが、本発明はこれに限定されない。不活性ガス供給部38が基板処理動作の終了時点から維持時間が経過する前に基板Wの上面への不活性ガスの供給を終了してもよく、不活性ガス供給部38が基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで基板Wの上面に不活性ガスを供給しなくてもよい。 (c) In the above embodiment, the inert gas supply unit 38 supplies inert gas to the upper surface of the substrate W until the maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation, but the present invention is not limited to this. The inert gas supply unit 38 may stop supplying inert gas to the upper surface of the substrate W before the maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation, and the inert gas supply unit 38 may not supply inert gas to the upper surface of the substrate W until the maintenance time has elapsed from the end of the substrate processing operation.

(d)処理動作制御部113は、不活性ガス供給部38が基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで基板Wの上面への不活性ガスを供給する第1の状態と、不活性ガス供給部38が基板処理動作の終了時点から維持時間が経過するまで基板Wの上面に不活性ガスを供給しない第2の状態とに選択可能に構成されてもよい。 (d) The processing operation control unit 113 may be configured to be selectable between a first state in which the inert gas supply unit 38 supplies inert gas to the upper surface of the substrate W from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed, and a second state in which the inert gas supply unit 38 does not supply inert gas to the upper surface of the substrate W from the end of the substrate processing operation until the maintenance time has elapsed.

この場合、第1の状態では、基板Wと遮断板31との間の雰囲気を吹き飛ばすことができる。一方、第2の状態では、基板Wと遮断板31との間の雰囲気を静的な状態に維持することができる。上記の構成により、使用者は、基板処理部1a~1d内の処理液の雰囲気の状態に応じて第1の状態または第2の状態を選択することができる。 In this case, in the first state, the atmosphere between the substrate W and the blocking plate 31 can be blown away. On the other hand, in the second state, the atmosphere between the substrate W and the blocking plate 31 can be maintained in a static state. With the above configuration, the user can select the first state or the second state depending on the state of the atmosphere of the processing liquid in the substrate processing units 1a to 1d.

(e)上記実施の形態においては、遮断板31の第2の高さ位置が調整可能であるが、遮断板31の第2の高さ位置が固定されていてもよい。 (e) In the above embodiment, the second height position of the blocking plate 31 is adjustable, but the second height position of the blocking plate 31 may be fixed.

(f)上記実施の形態において、処理液としてレジスト剥離液が基板Wに供給されるが、処理液はレジスト剥離液に限定されない。例えば、処理液としてDHFが用いられてもよい。この場合、DHFのミストまたは液滴が基板に再付着すると、基板Wの想定外のエッチングが進行する可能性がある。上記実施の形態の基板処理部1a~1dによれば、処理チャンバCHaに滞留するDHFの雰囲気におけるミストまたは液滴が基板Wに再付着することが防止される。その結果、基板Wの想定外のエッチングの進行が防止される。 (f) In the above embodiment, a resist stripping liquid is supplied to the substrate W as the processing liquid, but the processing liquid is not limited to a resist stripping liquid. For example, DHF may be used as the processing liquid. In this case, if mist or droplets of DHF reattach to the substrate, unintended etching of the substrate W may proceed. According to the substrate processing unit 1a to 1d of the above embodiment, mist or droplets in the DHF atmosphere remaining in the processing chamber CHa are prevented from reattaching to the substrate W. As a result, unintended etching of the substrate W is prevented from proceeding.

また、処理液としてTMAHが用いられてもよい。60~70℃の高温のTMAHが用いられる場合、TMAHの雰囲気におけるミストまたは液滴が処理チャンバCHa内に拡散されることがある。TMAHのミストまたは液滴が基板に再付着すると基板Wの想定外のエッチングが進行する可能性がある。上記実施の形態の基板処理部1a~1dによれば、処理チャンバCHaに拡散されたTMAHの雰囲気におけるミストまたは液滴が基板Wに再付着することが防止される。その結果、基板Wの想定外のエッチングの進行が防止される。 Alternatively, TMAH may be used as the processing liquid. When high-temperature TMAH of 60 to 70°C is used, mist or droplets in the TMAH atmosphere may be dispersed within processing chamber CHa. If the TMAH mist or droplets reattach to the substrate, unintended etching of the substrate W may occur. According to the substrate processing unit 1a to 1d of the above embodiment, the mist or droplets in the TMAH atmosphere dispersed in processing chamber CHa are prevented from reattaching to the substrate W. As a result, unintended etching of the substrate W is prevented.

(7)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態においては、スピンチャック10が基板保持部の例であり、遮断板31が対向部材の例であり、遮断板昇降駆動部36が昇降駆動部の例であり、処理動作終了信号PEが基板処理動作の終了を示す終了信号の例である。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
(7) Correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment The following describes an example of the correspondence between each component of the claims and each element of the embodiment. In the above embodiment, the spin chuck 10 is an example of a substrate holding part, the shield plate 31 is an example of an opposing member, the shield plate lifting drive unit 36 is an example of a lifting drive unit, and the processing operation end signal PE is an example of an end signal indicating the end of the substrate processing operation. Various other elements having the configuration or function described in the claims can also be used as each component of the claims.

1a,1b,1c,1d…基板処理部,2…基板搬送部,2a…搬送駆動部,10…スピンチャック,11…スピンベース,12…チャックピン,13…スピンモータ,20…ノズル駆動部,21…アーム,22…処理液供給ノズル,23…処理液供給部,24…モータ,30…遮断部材,31…遮断板,31a…対向面,31b…吐出口,32…回転軸,32a…吐出流路,33…支持アーム,35…遮断板回転駆動部,36…遮断板昇降駆動部,37…リンス液供給部,38…不活性ガス供給部,40…スプラッシュガード,41A…第1ガード,42A…第2ガード,41B…第1カップ,42B…第2カップ,43…周壁部材,100…基板処理装置,110…制御部,111…搬送制御部,112…洗浄処理記憶部,113…処理動作制御部,CC…キャリア,CHa,CHb,CHc,CHd…処理チャンバ,CP…キャリア載置部,H…搬送保持部,IR…基板搬送部,OP…開口部,PR…処理ブロック,PT…載置部,SHa,SHb,SHc,SHd…シャッタ,Sd…シャッタ駆動部,W…基板 1a, 1b, 1c, 1d...substrate processing section, 2...substrate transport section, 2a...transport drive section, 10...spin chuck, 11...spin base, 12...chuck pin, 13...spin motor, 20...nozzle drive section, 21...arm, 22...processing liquid supply nozzle, 23...processing liquid supply section, 24...motor, 30...blocking member, 31...blocking plate, 31a...opposing surface, 31b...discharge port, 32...rotation shaft, 32a...discharge flow path, 33...support arm, 35...blocking plate rotation drive section, 36...blocking plate lift drive section, 37...rinsing liquid supply section, 38...inert gas supply section, 40...s Splash guard, 41A...first guard, 42A...second guard, 41B...first cup, 42B...second cup, 43...peripheral wall member, 100...substrate processing apparatus, 110...control unit, 111...transport control unit, 112...cleaning processing memory unit, 113...processing operation control unit, CC...carrier, CHa, CHb, CHc, CHd...processing chamber, CP...carrier placement unit, H...transport holding unit, IR...substrate transfer unit, OP...opening, PR...processing block, PT...placement unit, SHa, SHb, SHc, SHd...shutter, Sd...shutter drive unit, W...substrate

Claims (12)

基板に処理液を用いた基板処理動作を行う基板処理部と、
基板を保持して前記基板処理部に対して基板を搬入および搬出する搬送保持部を有する基板搬送部と、
前記基板処理部および前記基板搬送部を制御する制御部とを備え、
前記基板処理部は、
基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に対向する対向面を有し、前記基板保持部から上方に離間した第1の高さ位置と前記第1の高さ位置よりも低い第2の高さ位置との間で昇降可能に構成された対向部材と、
前記対向部材を昇降させる昇降駆動部とを含み、
前記制御部は、前記基板処理動作の終了時点から予め定められた維持時間が経過するまで前記対向部材が前記第2の高さ位置で保持された後、前記対向部材が前記第2の高さ位置から前記第1の高さ位置に上昇するように前記昇降駆動部を制御
前記制御部は、前記第2の高さ位置を調整可能に構成される、基板処理装置。
a substrate processing section for performing a substrate processing operation using a processing liquid on a substrate;
a substrate transport unit having a transport holder that holds a substrate and transports the substrate into and out of the substrate processing unit;
a control unit that controls the substrate processing unit and the substrate transport unit,
The substrate processing section includes:
a substrate holder that holds the substrate in a horizontal position;
an opposing member having an opposing surface facing the substrate held by the substrate holding portion, the opposing member being configured to be movable between a first height position spaced above the substrate holding portion and a second height position lower than the first height position;
a lifting drive unit that lifts and lowers the opposing member,
the control unit controls the lifting drive unit so that the opposing member is held at the second height position until a predetermined maintenance time has elapsed from a time point at which the substrate processing operation is ended, and then the opposing member is raised from the second height position to the first height position;
The control unit is configured to be able to adjust the second height position .
基板に処理液を用いた基板処理動作を行う基板処理部と、
基板を保持して前記基板処理部に対して基板を搬入および搬出する搬送保持部を有する基板搬送部と、
前記基板処理部および前記基板搬送部を制御する制御部とを備え、
前記基板処理部は、
基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に対向する対向面を有し、前記基板保持部から上方に離間した第1の高さ位置と前記第1の高さ位置よりも低い第2の高さ位置との間で昇降可能に構成された対向部材と、
前記対向部材を昇降させる昇降駆動部とを含み、
前記制御部は、前記基板処理動作の終了時点から予め定められた維持時間が経過するまで前記対向部材が前記第2の高さ位置で保持された後、前記対向部材が前記第2の高さ位置から前記第1の高さ位置に上昇するように前記昇降駆動部を制御し、
前記基板処理部は、
開口部を有しかつ前記基板保持部および前記対向部材を収容する処理チャンバと、
前記処理チャンバの前記開口部を閉塞する閉塞状態と前記開口部を開放する開放状態とに移行するように構成されたシャッタと、
前記シャッタを前記閉塞状態と前記開放状態とに移行させるシャッタ駆動部とをさらに備え、
前記制御部は、前記基板処理動作の終了時点で前記シャッタが前記開放状態になるように前記シャッタ駆動部を制御し、前記シャッタの開放時点から前記維持時間が経過するまで前記対向部材が前記第2の高さ位置で保持されるように前記昇降駆動部を制御する、基板処理装置。
a substrate processing section for performing a substrate processing operation using a processing liquid on a substrate;
a substrate transport unit having a transport holder that holds a substrate and transports the substrate into and out of the substrate processing unit;
a control unit that controls the substrate processing unit and the substrate transport unit,
The substrate processing section includes:
a substrate holder that holds the substrate in a horizontal position;
an opposing member having an opposing surface facing the substrate held by the substrate holding portion, the opposing member being configured to be movable between a first height position spaced above the substrate holding portion and a second height position lower than the first height position;
a lifting drive unit that lifts and lowers the opposing member,
the control unit controls the lifting drive unit so that the opposing member is held at the second height position until a predetermined maintenance time has elapsed from a time point at which the substrate processing operation is ended, and then the opposing member is raised from the second height position to the first height position;
The substrate processing section includes:
a processing chamber having an opening and housing the substrate holder and the opposing member;
a shutter configured to transition between a closed state that closes the opening of the processing chamber and an open state that opens the opening;
a shutter driver that transitions the shutter between the closed state and the open state,
The control unit controls the shutter drive unit so that the shutter is in the open state at the end of the substrate processing operation, and controls the lift drive unit so that the opposing member is maintained at the second height position from the time the shutter is opened until the maintenance time has elapsed.
前記制御部は、前記基板搬送部に前記基板処理動作の終了を示す終了信号を与え、前記開口部を通して前記処理チャンバ内への前記搬送保持部の進入の開始を示す進入開始信号を前記基板搬送部から受け取り、前記進入開始信号に応答して前記第2の高さ位置から前記第1の高さ位置へ前記対向部材の上昇を開始するように前記昇降駆動部を制御する、請求項2に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus of claim 2, wherein the control unit provides the substrate transport unit with an end signal indicating the end of the substrate processing operation, receives from the substrate transport unit an entry start signal indicating the start of entry of the transport holder into the processing chamber through the opening, and controls the lift drive unit to start raising the opposing member from the second height position to the first height position in response to the entry start signal. 前記基板保持部は、基板を垂直方向の軸の周りで回転させる回転保持部であり、
前記制御部は、前記基板処理動作の終了時点で基板の回転が停止するように前記回転保持部を制御し、
前記回転保持部により保持された基板の回転が停止した状態で前記維持時間が経過するまで前記対向部材が静止状態で前記第2の高さ位置で保持されるように前記昇降駆動部を制御する、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
the substrate holder is a rotary holder that rotates the substrate around a vertical axis,
the control unit controls the rotation holding unit to stop rotation of the substrate at a time point when the substrate processing operation is completed;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the lifting and lowering drive unit is controlled so that the opposing member is held stationary at the second height position until the maintenance time has elapsed with the rotation of the substrate held by the rotating holding unit stopped.
前記基板処理部は、前記基板保持部により保持された基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに含み、
前記不活性ガス供給部は、前記維持時間内において前記基板保持部により保持された基板と前記対向部材との間の空間に不活性ガスを供給する第1の状態と前記維持時間内において前記基板保持部により保持された基板と前記対向部材との間の空間に不活性ガスを供給しない第2の状態とに選択可能に構成される、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
the substrate processing unit further includes an inert gas supply unit that supplies an inert gas to the substrate held by the substrate holding unit,
The substrate processing apparatus of any one of claims 1 to 4, wherein the inert gas supply unit is configured to be selectable between a first state in which an inert gas is supplied to a space between the substrate held by the substrate holding unit and the opposing member during the maintenance time, and a second state in which an inert gas is not supplied to the space between the substrate held by the substrate holding unit and the opposing member during the maintenance time.
前記制御部は、複数の工程を順に含む処理レシピに従って前記基板処理動作を制御し、前記処理レシピの最終工程の終了により前記基板処理動作の終了を判定する、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the control unit controls the substrate processing operation according to a processing recipe including multiple steps in sequence, and determines the end of the substrate processing operation upon completion of a final step of the processing recipe. 基板処理部における基板保持部により保持された基板に処理液を用いた基板処理動作を行うステップと、
前記基板処理動作中に対向部材を前記基板保持部から上方に離間した第1の高さ位置または前記第1の高さ位置よりも低い第2の高さ位置で保持するステップと、
前記対向部材を前記基板処理動作の終了時点から予め定められた維持時間の経過後まで前記第2の高さ位置で保持するステップと、
前記対向部材を前記維持時間の経過後まで前記第2の高さ位置で保持した後、前記対向部材を前記第2の高さ位置から前記第1の高さ位置に上昇させるステップとを含
前記対向部材の前記第2の高さ位置を調整するステップをさらに含む、基板処理方法。
performing a substrate processing operation using a processing liquid on a substrate held by a substrate holding unit in a substrate processing unit;
holding an opposing member at a first height position spaced above the substrate holding part or at a second height position lower than the first height position during the substrate processing operation;
maintaining the opposing member at the second height position for a predetermined period of time from the end of the substrate processing operation;
and after the opposing member is held at the second height position until the maintaining time has elapsed , raising the opposing member from the second height position to the first height position,
The substrate processing method further comprising the step of adjusting the second height position of the opposing member .
基板処理部における基板保持部により保持された基板に処理液を用いた基板処理動作を行うステップと、
前記基板処理動作中に対向部材を前記基板保持部から上方に離間した第1の高さ位置または前記第1の高さ位置よりも低い第2の高さ位置で保持するステップと、
前記対向部材を前記基板処理動作の終了時点から予め定められた維持時間の経過後まで前記第2の高さ位置で保持するステップと、
前記対向部材を前記維持時間の経過後まで前記第2の高さ位置で保持した後、前記対向部材を前記第2の高さ位置から前記第1の高さ位置に上昇させるステップとを含み、
前記基板処理動作を行うステップは、
前記基板処理部の処理チャンバの開口部をシャッタで閉塞した状態で、前記処理チャンバ内の前記基板保持部により保持された基板に処理液を用いた前記基板処理動作を行い、前記基板処理動作の終了時点で前記シャッタを開くことにより前記処理チャンバの前記開口部を開放状態にすることを含み、
前記対向部材を前記第2の高さ位置で保持するステップは、
前記シャッタの開放時点から前記維持時間の経過後まで前記対向部材が前記第2の高さ位置で保持させることを含む、基板処理方法。
performing a substrate processing operation using a processing liquid on a substrate held by a substrate holding unit in a substrate processing unit;
holding an opposing member at a first height position spaced above the substrate holding part or at a second height position lower than the first height position during the substrate processing operation;
maintaining the opposing member at the second height position for a predetermined period of time from the end of the substrate processing operation;
and after the opposing member is held at the second height position until the maintaining time has elapsed, raising the opposing member from the second height position to the first height position,
The step of performing the substrate processing operation includes:
performing the substrate processing operation using a processing liquid on a substrate held by the substrate holder in the processing chamber while closing an opening of the processing chamber of the substrate processing unit with a shutter, and opening the shutter at the end of the substrate processing operation to open the opening of the processing chamber;
The step of holding the opposing member at the second height position includes:
the opposing member being held at the second height position from the time the shutter is opened until the maintenance time has elapsed .
前記基板処理動作の終了時に基板搬送部に前記基板処理動作の終了を示す終了信号を与えるステップと、
前記開口部を通して前記処理チャンバ内への前記基板搬送部の搬送保持部の進入の開始を示す進入開始信号を前記基板搬送部から受け取るステップとをさらに含み、
前記対向部材を上昇させるステップは、前記進入開始信号に応答して前記第2の高さ位置から前記第1の高さ位置へ前記対向部材の上昇を開始させることを含む、請求項に記載の基板処理方法。
providing a completion signal indicating completion of the substrate processing operation to a substrate transport section at the completion of the substrate processing operation;
receiving an entry start signal from the substrate transport indicating an initiation of entry of a transport holder of the substrate transport into the processing chamber through the opening;
9. The substrate processing method according to claim 8 , wherein the step of raising the opposing member includes starting to raise the opposing member from the second height position to the first height position in response to the approach start signal.
前記基板処理動作の終了時点で回転保持部により保持された基板の回転を停止させるステップをさらに含み、
前記対向部材を前記第2の高さ位置で保持するステップは、
前記回転保持部により保持された基板の回転が停止した状態で前記維持時間が経過するまで前記対向部材を前記第2の高さ位置で保持させることを含む、請求項のいずれか一項に記載の基板処理方法。
The method further includes a step of stopping the rotation of the substrate held by the rotation holder at a time point when the substrate processing operation is completed,
The step of holding the opposing member at the second height position includes:
The substrate processing method according to claim 7 , further comprising holding the opposing member at the second height position until the maintenance time has elapsed in a state in which rotation of the substrate held by the rotating holder is stopped.
前記維持時間内において前記基板保持部により保持された基板と前記対向部材との間の空間に不活性ガスを供給する第1の状態と前記維持時間内において前記基板保持部により保持された基板と前記対向部材との間の空間に不活性ガスを供給しない第2の状態との選択を受け付けるステップをさらに含む、請求項10のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 7 to 10, further comprising a step of accepting a selection between a first state in which an inert gas is supplied to a space between the substrate held by the substrate holding part and the opposing member during the maintenance time, and a second state in which an inert gas is not supplied to the space between the substrate held by the substrate holding part and the opposing member during the maintenance time. 複数の工程を順に含む処理レシピの最終工程の終了により前記基板処理動作の終了を判定するステップをさらに含む、請求項11のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 7 , further comprising the step of determining completion of the substrate processing operation based on completion of a final process of a processing recipe including a plurality of processes in sequence.
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