JP7494066B2 - 露光装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Description
そして、干渉計を用いてステージの位置を計測する際には、ステージに向けて射出する計測光の波長の変化に注意する必要がある。
特許文献1は、空気振動源から干渉計の光路及び波長検出器それぞれまでの距離の間の差に基づいて干渉計からの計測光の波長を補正することによって、空気振動源からの音波の影響に伴う干渉計による計測値の変化を補正する露光装置を開示している。
一方、特許文献1に開示されている露光装置では、空気振動源から干渉計の光路までの距離に基づいて計測光の波長を補正しており、そのようなステージの移動に伴う計測光の波長の時間変化については考慮していない。
そこで本発明は、ステージの移動を考慮してステージの位置の計測結果を補正することで露光性能を向上させることができる露光装置を提供することを目的とする。
また以下では、基板ステージの基板載置面に垂直な方向をz方向、基板載置面内において互いに直交する(垂直な)二つの方向をそれぞれx方向及びy方向と定義する。
露光装置に設けられているステージの位置決め精度の向上は、露光性能に直結するため極めて重要である。
そして、ステージの位置決め精度を向上させるためには、干渉計等のステージの位置を計測するための手段の計測精度を向上させることが求められる。
そして従来、そのような誤差を補正する手段として、真空空間を伝搬した参照光及び所定の空間を伝搬した計測光それぞれの波長を比較することで、所定の空間の環境の変化に伴う計測光の波長の変化量を検出することができる波長トラッカが用いられる。
また、露光装置においては、基板を保持して移動する基板ステージと原版を保持して移動する原版ステージとが設けられている。
そのため、各ステージに波長トラッカを設けようとすると、コスト、工数及びサイズが増大してしまう。
具体的には、本実施形態によれば、以下に示すように基板ステージが設けられている空間に近接して配置された波長トラッカによる計測結果を用いて、原版ステージの位置を計測するための計測光が伝搬する空間の環境の変化を推測する。
そして、当該計測光の波長の変化量を推測し、推測された波長の変化量に基づいて原版ステージの位置の計測結果を補正することで、ステージの位置決め精度の向上を実現している。
干渉計を用いた測長システムは、計測光の波長に基づいて位置計測を行っている。
この場合、ステージの位置の計測結果において誤差が発生することで、ステージの位置決め精度が低下してしまう。
従って、露光装置に設けられる干渉計を用いた測長システムでは、計測光の波長の変化に応じて、計測値を補正する必要がある。
また、そのような方法の一例として、真空空間内を伝搬する参照光と所定の空間内を伝搬する計測光とのそれぞれによって同一の計測対象の位置を計測し、双方の計測値を比較することによって、所定の空間内の屈折率を算出する方法がある。
ここで、所定の空間を伝搬する計測光の波長をλ、真空空間内を伝搬する参照光の波長をλv、所定の空間の屈折率をnとすると、以下の式(1)が満たされる。
λ=λv/n ・・・(1)
そして上記のように、干渉計は、計測光の波長及び位相に基づいて位置を計測するためのセンサであることから、計測光の波長が変化すると位置の計測結果において誤差が発生する。
そのため、計測光の波長を正確に算出することができれば、干渉計による位置の計測結果における誤差を補正することができる。
そして本実施形態に係る露光装置100では、不図示の光源からの露光光を用いて不図示の原版に形成されたパターンを不図示の基板に転写するように露光を行うことができる。
ここで、保持部15によって保持されている投影光学系13は、不図示の原版を通過した露光光を不図示の基板上に導光する。
そして、基板ステージ1上には基板ステージ1のy方向における位置を計測するためのミラー2(第1の反射面)が配置されており、干渉計3(第1の計測部、第1の干渉計)とミラー2との間で位置計測用の計測光30(測長ビーム、第1の計測光)が伝搬する。
そして、ミラー2によって反射された計測光30と不図示の参照光(第1の参照光)との干渉から干渉計3とミラー2との間の距離を計測する。
そして光ピックアップ5は、干渉光4を受光した後、光ファイバ6を介して干渉光4を信号処理基板8へ出力する。
そして信号処理基板8は、入力された干渉光4を光電変換することで、基板ステージ1のy方向における位置を算出する。
上記のように、波長トラッカ9は、真空空間内を伝搬する計測光(第4の計測光)と所定の空間内を伝搬する計測光(第3の計測光)とのそれぞれによって同一の計測対象の位置を計測し、双方の計測値を比較することによって所定の空間内の屈折率を算出する。
換言すると、波長トラッカ9は、原版ステージ11に比べて基板ステージ1に近接して配置されており、内部を伝搬する計測光の波長を計測することで、基板ステージ1が設けられている空間の屈折率を算出することができる。
その後、波長補正手段20は、信号処理基板8から伝送された屈折率の値から、基板ステージ1が設けられている空間内を伝搬する計測光30の波長の変化量をリアルタイムに算出する。
そして波長補正手段20は、算出された計測光30の波長の変化量を用いて基板ステージ1のy方向における位置の計測結果を補正する。
換言すると、干渉計33は、ミラー12に向けて計測光31を射出した後にミラー12によって反射された計測光31を受光することによって、原版ステージ11のy方向における位置を計測する。
次に光ピックアップ35は、干渉光34を受光した後、光ファイバ36を介して干渉光34を信号処理基板8へ出力する。
そこで、従来の露光装置では原版ステージ11及び基板ステージ1それぞれが配置されている空間の環境、すなわち温度、湿度及び気圧は互いに同一であるという前提を置いている。
そして、それに基づき、基板ステージ1が配置されている空間に設けられた波長トラッカ9によって算出された屈折率の値を用いて、原版ステージ11の位置の計測結果を補正している。
すなわち、図1(b)に示されているように、例えば基板ステージ1が+y方向に走査移動する場合には、原版ステージ11は-y方向に走査移動する。
換言すると、原版ステージ11は、基板ステージがy方向の一方の向きに移動する際には他方の向きに移動するように、y方向において基板ステージ1と同一の周波数fで往復移動する。
そのため、基板ステージ1が+y方向に走査移動することで基板ステージ1が設けられている空間の気圧が変化する一方で、原版ステージ11が-y方向に走査移動することで原版ステージ11が設けられている空間の気圧が変化する。
一方、基板ステージの+y方向への走査移動と同期して、原版ステージ11が-y方向に走査移動すると、原版ステージ11のy方向における位置を計測するための計測光31が伝搬する空間内の空気は圧縮されるため、当該空間の気圧は増大する。
一方で、原版ステージ11は基板ステージ1とは逆位相で-y方向の走査移動と+y方向の走査移動とを繰り返す。
加えて、一般的に原版ステージ11は基板ステージ1に比べて大きい速度で走査移動するため、原版ステージ11が設けられている空間における気圧の時間変化の振幅と、基板ステージ1が設けられている空間における気圧の時間変化の振幅とも互いに異なる。
なお、ここで波長トラッカ9によって計測される計測光の波長λwの時間変化は、波長トラッカ9が設けられている空間の環境、すなわち温度、湿度又は気圧の変化に伴う当該空間の屈折率の時間変化と等価である。
また、波長トラッカ9は基板ステージ1が配置されている空間、すなわち計測光30が伝搬する空間に設けられていることから、図2(a)に示されている波長λwの時間変化は、計測光30の波長の時間変化と考えることができる。
そして、基板ステージ1が走査移動する際に波長トラッカ9によって計測される計測光の波長の時間変化λw(t)は、以下の式(2)のように表すことができる。
λw(t)=λw low(t)+λw high(t) ・・・(2)
ここで、λw low(t)は大気圧の時間変化による成分、λw high(t)は基板ステージ1が走査移動する際に生じる風圧の時間変化による成分である。
すなわち、例えば基板ステージ1の走査移動の周波数がf[Hz]であった場合、λw high(t)も周波数f[Hz]で変化する。
このときλw high(t)は、以下の式(3)のように表される。
なお、波長トラッカ9によって計測される計測光の波長の時間変化λw(t)のうち、基板ステージ1の走査移動によって変動する成分λw high(t)の周期Tsは、走査移動の周波数fが5Hzであった場合には、Ts=1/f=0.2秒となる。
そのため、計測光31が伝搬する空間内における気圧の時間変化と、計測光30が伝搬する空間内における気圧の時間変化とは、互いに逆位相となる。
また、原版ステージ11の走査移動速度と基板ステージ1の走査移動速度とも互いに異なるため、計測光31の波長の時間変化の振幅と計測光30の波長の時間変化の振幅とも互いに異なると考えられる。
λr(t)=λr low(t)+λr high(t) ・・・(4)
ここで、λr high(t)は、
一方、大気圧の時間変化は、原版ステージ11が配置されている空間と基板ステージ1が配置されている空間とで互いに等しいと考えられるため、以下の式(5)が満たされると考えることができる。
λr low(t)=λw low(t) ・・・(5)
λr(t)=λw low(t)-aλw high(t) ・・・(6)
図2(b)は、本実施形態に係る露光装置100において上記に示した方法によって求められた計測光31の波長の時間変化λr(t)を示している。
そして、基板ステージ1が配置されている空間に設けられた波長トラッカ9によって計測された値から、原版ステージ11のy方向における位置を計測するための干渉計33からの計測光31が伝搬する空間の気圧の時間変化を推測する。
これにより、原版ステージ11が配置されている空間に波長トラッカを設けること無く、干渉計33による原版ステージ11のy方向における位置の計測精度を向上することができる。
このとき、基板ステージ1の走査移動の周波数fより十分高い周波数で時間変化するノイズ成分は除去される一方で、周波数fに応じて時間変化する成分λw high(t)は、正確に抽出される必要がある。
すなわち、基板ステージ1のy方向の位置を計測するための計測光30の波長の時間変化λw(t)は、以下の式(7)のように表すことができる。
λw(t)=λw lpf_high(t) ・・・(7)
換言すると、第1のローパスフィルタのカットオフ周波数、すなわち第1のローパスフィルタによって選択される所定の周波数領域は、基板ステージ1の走査移動の周波数fに応じて決定される。
そして、このときの第1のローパスフィルタの出力値をλw lpf_high(t)と表すこととする。
従って、波長トラッカ9によって計測される計測光の波長の時間変化λw(t)からλw low(t)を抽出するために、波長トラッカ9からの出力を、周波数fより十分低いカットオフ周波数を有する第2のローパスフィルタに入力する(ステップS2)。ここで、周波数fより十分低いカットオフ周波数とは、例えば0.1Hzである。
そして、このときの第2のローパスフィルタの出力値をλw lpf_low(t)と表すこととする。
λw low(t)=λw lpf_low(t) ・・・(8)
また、λw high(t)は、第1のローパスフィルタ及び第2のローパスフィルタそれぞれの出力値λw lpf_high(t)及びλw lpf_low(t)と以下の式(9)に表されるように対応付けることができる。
λw high(t)=λw lpf_high(t)-λw lpf_low(t) ・・・(9)
このように式(8)及び(9)に基づいて、λw lpf_high(t)及びλw lpf_low(t)からλw low(t)及びλw high(t)を取得することができる(ステップS3)。
λr(t)=λw lpf_low(t)-a(λw lpf_high(t)-λw lpf_low(t)) ・・・(10)
そして、波長トラッカ9によって計測光の波長を計測し(第3の計測ステップ)、波長トラッカ9によって計測された計測光の波長の時間変化をローパスフィルタに入力することによって、当該計測光の波長の時間変化のうち所定の周波数領域の成分を取得する。
具体的には、波長トラッカ9で計測された計測光の波長の時間変化を、走査移動の周波数fより高い第1のカットオフ周波数を有する第1のローパスフィルタと、周波数fより低い第2のカットオフ周波数を有する第2のローパスフィルタとのそれぞれに入力する。それにより、波長トラッカ9によって計測された計測光の波長の時間変化のうち第1の周波数領域の成分及び第2の周波数領域の成分をそれぞれ取得する。
すなわち、本実施形態に係る露光装置100では、波長トラッカ9の計測値λw(t)から所定の周波数領域の成分λw lpf_high(t)及びλw lpf_low(t)をそれぞれ抽出する。また、それらの間の差に対してゲインaを乗じる。
すなわち本実施形態に係る露光装置100では、波長補正手段20が、波長トラッカ9による計測結果と基板ステージ1の走査移動における周波数fとに基づいて、干渉計33による原版ステージ11のy方向における位置の計測結果を補正する。
これにより、原版ステージ11のy方向における位置を計測するための干渉計33の計測値を高精度に補正することができる。
例えば、移動平均フィルタ、バンドパスフィルタ又はハイパスフィルタ等を用いて、波長トラッカ9の計測値λw(t)から所定の周波数領域の成分を抽出しても構わない。
図4は、第二実施形態に係る露光装置200の一部拡大模式的上面図を示している。
図4に示されているように、本実施形態に係る露光装置200では、基板ステージ1のy方向(第1の方向)における位置を計測するためのミラー2(第1の反射面)が基板ステージ1上に配置されている。
すなわち干渉計3は、ミラー2に向けて計測光30を射出した後にミラー2によって反射された計測光30を受光することによって、基板ステージ1のy方向における位置を計測する。
そして光ピックアップ5は、干渉光4を受光した後、光ファイバ6を介して干渉光4を信号処理基板8へ出力する。
そして信号処理基板8は、入力された干渉光4を光電変換することで、基板ステージ1のy方向における位置を算出する。
そして信号処理基板8は、波長トラッカ9によって取得された所定の空間内の屈折率の計測値をケーブル21を介して波長補正手段20に伝送する。
そして波長補正手段20は、算出された計測光30の波長の変化量を用いて基板ステージ1のy方向における位置の計測結果を補正する。
λy(t)=λy low(t)+λy high(t) ・・・(11)
そして、λy low(t)は大気圧の時間変化による成分であり、基板ステージ1の走査移動の周波数fに比べて十分低い周波数で時間変化すると考える。
そして、干渉計33(第2の計測部、第2の干渉計)とミラー12との間で位置計測用の計測光31(測長ビーム、第2の計測光)が伝搬する。
すなわち干渉計33は、ミラー12に向けて計測光31を射出した後にミラー12によって反射された計測光31を受光することによって、基板ステージ1のx方向における位置を計測する。
そして光ピックアップ35は、干渉光34を受光した後、光ファイバ36を介して干渉光34を信号処理基板8へ出力する。
しかしながら、本実施形態に係る露光装置200のような走査露光装置では、基板ステージ1は、y方向において走査移動を行う一方で、x方向においてはステップ移動を行う。
すなわち、基板ステージ1において、x方向におけるステップ移動とy方向における走査移動とは互いに連動しておらず、独立に行われる。
そのため、y方向における走査移動の際の計測光30が伝搬する空間内の気圧の変動と、x方向におけるステップ移動の際の計測光31が伝搬する空間の気圧の変動も互いに異なることとなる。
一方、大気圧の時間変化は、計測光30が伝搬する空間と計測光31が伝搬する空間とで互いに等しいと考えることができる。
λx(t)=λx low(t) ・・・(13)
λx low(t)=λy low(t) ・・・(14)
λy low(t)=λy lpf_low(t)
の関係及び式(14)に基づいてλy lpf_low(t)をλx low(t)として用いる。
すなわち、本実施形態に係る露光装置200では、波長トラッカ9の計測値λy(t)から大気圧の変動に伴う成分λy low(t)を抽出する。
すなわち本実施形態に係る露光装置200では、波長補正手段20が、波長トラッカ9による計測結果と基板ステージ1のy方向における走査移動の周波数fとに基づいて、干渉計33による基板ステージ1のx方向における位置の計測結果を補正する。
これにより、基板ステージ1のx方向における位置の計測値を高精度に補正することができる。
その場合には、波長トラッカ9からの出力をステップ移動の周波数に対応したバンドパスフィルタに入力し、x方向におけるステップ移動に伴う成分を抽出することで、干渉計33による基板ステージ1のx方向における位置の計測値を補正することもできる。
しかしながら、これに限られず、波長トラッカ9による計測結果と基板ステージ1のy方向における走査移動の周波数fとに基づいて、基板ステージ1のz方向における位置の計測結果を補正しても構わない。
次に、本実施形態に係る露光装置を用いた物品の製造方法について説明する。
半導体IC素子、液晶表示素子及びMEMS等の物品を製造する方法は、本実施形態に係る露光装置を用いて、感光剤が塗布されたウエハやガラス基板等の基板を露光する工程を含む。
また、上記方法は、露光された基板(感光剤)を現像する工程と、現像された基板を加工処理する他の周知の工程を含む。
本実施形態に係る物品の製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
2 ミラー(第1の反射面)
3 干渉計(第1の計測部)
9 波長トラッカ(第3の計測部)
11 原版ステージ(第2のステージ)
12 ミラー(第2の反射面)
20 波長補正手段(制御部)
33 干渉計(第2の計測部)
100 露光装置
Claims (20)
- 原版に形成されたパターンを基板に転写するように前記基板を露光する露光装置であって、
第1の方向に垂直な第1の反射面が配置されていると共に、前記基板及び前記原版の一方を保持しながら前記第1の方向において所定の周波数で往復移動する第1のステージと、
前記第1の反射面に向けて第1の計測光を射出した後に前記第1の反射面によって反射された前記第1の計測光を受光することによって、前記第1のステージの前記第1の方向における位置を計測する第1の計測部と、
前記第1の方向に垂直な第2の反射面が配置されていると共に、前記基板及び前記原版の他方を保持する第2のステージと、
前記第2の反射面に向けて第2の計測光を射出した後に前記第2の反射面によって反射された前記第2の計測光を受光することによって、前記第2のステージの前記第1の方向における位置を計測する第2の計測部と、
前記第2のステージに比べて前記第1のステージに近接して配置されていると共に、内部を伝搬する第3の計測光の波長を計測する第3の計測部と、
前記第3の計測部による計測結果と前記所定の周波数とに基づいて、前記第2の計測部の計測結果を補正する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記第2のステージは、前記第1のステージが前記第1の方向の一方の向きに移動する際には他方の向きに移動するように、前記第1の方向において前記所定の周波数で往復移動することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1の計測光及び前記第3の計測光それぞれの波長は、前記第1のステージの移動に応じて変化し、前記第2の計測光の波長は、前記第2のステージの移動に応じて変化することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第3の計測部によって計測された前記第3の計測光の波長の時間変化をローパスフィルタ、バンドパスフィルタ及びハイパスフィルタの少なくとも一つに入力することによって、前記第3の計測光の波長の時間変化のうち所定の周波数領域の成分を取得することを特徴とする請求項2または3に記載の露光装置。
- 前記第1のステージ及び前記第2のステージはそれぞれ、前記基板を露光する際に前記第1の方向において前記所定の周波数で往復するように複数の走査移動を行い、
前記所定の周波数領域は、前記所定の周波数に応じて決定されることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。 - 前記所定の周波数より高い第1のカットオフ周波数を有する第1のローパスフィルタと、
前記所定の周波数より低い第2のカットオフ周波数を有する第2のローパスフィルタと、
を備え、
前記制御部は、前記第3の計測部によって計測された前記第3の計測光の波長の時間変化を該第1のローパスフィルタ及び該第2のローパスフィルタそれぞれに入力することによって、前記第3の計測光の波長の時間変化のうち第1の周波数領域の成分及び第2の周波数領域の成分を取得することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 - 前記第1の周波数領域の成分をλw lpf_high(t)、前記第2の周波数領域の成分をλw lpf_low(t)、所定の係数をa、前記第2の計測光の波長の時間変化をλr(t)としたとき、
前記制御部は、
λr(t)=λw lpf_low(t)-a(λw lpf_high(t)-λw lpf_low(t))
なる式が満たされるように前記第2の計測光の波長を補正することによって、前記第2の計測部の計測結果を補正することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。 - 前記aの値は、前記第1のステージの前記走査移動における最大速度に対する前記第2のステージの前記走査移動における最大速度の比から決定されることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記第1の計測光の波長の時間変化をλw(t)としたとき、
前記制御部は、
λw(t)=λw lpf_high(t)
なる式が満たされるように、前記第1の計測光の波長を補正することによって、前記第1の計測部の計測結果を補正することを特徴とする請求項7または8に記載の露光装置。 - 原版に形成されたパターンを基板に転写するように前記基板を露光する露光装置であって、
第1の方向に垂直な第1の反射面と前記第1の方向に垂直な第2の方向に垂直な第2の反射面とが配置されており、前記基板を保持しながら前記第1の方向において所定の周波数で往復移動する基板ステージと、
前記第1の反射面に向けて第1の計測光を射出した後に前記第1の反射面によって反射された前記第1の計測光を受光することによって、前記基板ステージの前記第1の方向における位置を計測する第1の計測部と、
前記第2の反射面に向けて第2の計測光を射出した後に前記第2の反射面によって反射された前記第2の計測光を受光することによって、前記基板ステージの前記第2の方向における位置を計測する第2の計測部と、
前記第2の反射面に比べて前記第1の反射面に近接して配置されていると共に、内部を伝搬する第3の計測光の波長を計測する第3の計測部と、
前記第3の計測部による計測結果と前記所定の周波数とに基づいて、前記第2の計測部の計測結果を補正する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記基板ステージは、前記基板を露光する際に、前記第1の方向において前記所定の周波数で往復するように複数の走査移動を行うと共に、前記第2の方向において複数のステップ移動を行うことを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 前記第1の計測光及び前記第3の計測光それぞれの波長は、前記基板ステージの前記走査移動に応じて変化することを特徴とする請求項11に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第3の計測部によって計測された前記第3の計測光の波長の時間変化をローパスフィルタ、バンドパスフィルタ及びハイパスフィルタの少なくとも一つに入力することによって、前記第3の計測光の波長の時間変化のうち所定の周波数領域の成分を取得することを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記所定の周波数領域は、前記所定の周波数よりも低い周波数領域であることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記所定の周波数より低いカットオフ周波数を有するローパスフィルタを備え、
前記制御部は、前記第3の計測部によって計測された前記第3の計測光の波長の時間変化を該ローパスフィルタに入力することによって、前記所定の周波数領域の成分を取得することを特徴とする請求項13または14に記載の露光装置。 - 前記所定の周波数領域の成分をλy lpf_low(t)、前記第2の計測光の波長の時間変化をλx(t)としたとき、
前記制御部は、
λx(t)=λy lpf_low(t)
なる式が満たされるように前記第2の計測光の波長を補正することによって、前記第2の計測部の計測結果を補正することを特徴とする請求項15に記載の露光装置。 - 前記第1の計測部は、前記第1の反射面によって反射された前記第1の計測光と第1の参照光との干渉から前記第1の計測部と前記第1の反射面との間の距離を計測する第1の干渉計であり、
前記第2の計測部は、前記第2の反射面によって反射された前記第2の計測光と第2の参照光との干渉から前記第2の計測部と前記第2の反射面との間の距離を計測する第2の干渉計であることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記第3の計測部は、所定の空間内を伝搬する前記第3の計測光による所定の対象に対する計測結果と真空空間内を伝搬する第4の計測光による前記所定の対象に対する計測結果とを比較することによって、前記第3の計測光の波長を計測する波長トラッカであることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか一項に記載の露光装置。
- 請求項1乃至18のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 - 第1の方向に垂直な第1の反射面が配置されていると共に、基板及び原版の一方を保持しながら前記第1の方向において所定の周波数で往復移動する第1のステージと、前記第1の方向に垂直な第2の反射面が配置されていると共に、前記基板及び前記原版の他方を保持する第2のステージとを備える、前記原版に形成されたパターンを前記基板に転写するように前記基板を露光する露光装置において前記第1のステージ及び前記第2のステージそれぞれの位置を計測する方法であって、
前記第1の反射面に向けて第1の計測光を射出した後に前記第1の反射面によって反射された前記第1の計測光を受光することによって、前記第1のステージの前記第1の方向における位置を計測する第1の計測ステップと、
前記第2の反射面に向けて第2の計測光を射出した後に前記第2の反射面によって反射された前記第2の計測光を受光することによって、前記第2のステージの前記第1の方向における位置を計測する第2の計測ステップと、
前記第2のステージに比べて前記第1のステージに近接した空間を伝搬する第3の計測光の波長を計測する第3の計測ステップと、
前記第3の計測ステップにおける計測結果と前記所定の周波数とに基づいて、前記第2の計測ステップにおける計測結果を補正する補正ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002543372A (ja) | 1999-04-28 | 2002-12-17 | ザイゴ コーポレイション | 屈折率変動を補償する干渉装置および方法 |
JP2008145203A (ja) | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Canon Inc | 位置測定方法、位置測定システム及び露光装置 |
JP2010266397A (ja) | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Canon Inc | 位置計測装置およびそれを用いた露光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3337951B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2002-10-28 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置および方法 |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP6882091B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2021-06-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP2019035813A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
KR102392480B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2022-04-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 파장 추적 시스템, 파장 추적 시스템을 캘리브레이션하는 방법, 리소그래피 장치, 가동 물체의 절대 위치를 결정하는 방법, 및 간섭측정계 시스템 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002543372A (ja) | 1999-04-28 | 2002-12-17 | ザイゴ コーポレイション | 屈折率変動を補償する干渉装置および方法 |
JP2008145203A (ja) | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Canon Inc | 位置測定方法、位置測定システム及び露光装置 |
JP2010266397A (ja) | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Canon Inc | 位置計測装置およびそれを用いた露光装置 |
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