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JP7476928B2 - Display device - Google Patents

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JP7476928B2
JP7476928B2 JP2022138477A JP2022138477A JP7476928B2 JP 7476928 B2 JP7476928 B2 JP 7476928B2 JP 2022138477 A JP2022138477 A JP 2022138477A JP 2022138477 A JP2022138477 A JP 2022138477A JP 7476928 B2 JP7476928 B2 JP 7476928B2
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Description

本発明は、表示装置に関する。 The present invention relates to a display device.

表示装置では、画素又はサブ画素を互いから区画する隔壁を設けることがある(特許文献1及び2を参照)。隔壁は、例えば、光を効率的に利用すること、又は、混色を防止することを可能とする。 In a display device, partitions may be provided that separate pixels or sub-pixels from each other (see Patent Documents 1 and 2). The partitions can, for example, make it possible to use light efficiently or prevent color mixing.

特開2018-189920号公報JP 2018-189920 A 特開2015-064391号公報JP 2015-064391 A

本発明は、放熱性に優れた表示装置を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a display device with excellent heat dissipation properties.

本発明の一側面によると、第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含んだブラックマトリクス基板と、前記第1主面と向き合うように設置された調光装置と、前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置との間に介在して、それらを貼り合わせた接着層と、前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置と前記接着層との積層体の外部に位置した放熱体と、前記反射層から前記放熱体へ熱を導く伝熱体とを備えた表示装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a display device is provided that includes a transparent substrate having a first main surface and a second main surface, a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes, a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at the positions of the first through holes, and a reflective layer that at least partially covers the side walls of each of the second through holes and the upper surface of the resin layer, a light control device installed to face the first main surface, an adhesive layer interposed between the black matrix substrate and the light control device and bonding them together, a heat sink located outside the laminate of the black matrix substrate, the light control device, and the adhesive layer, and a heat conductor that conducts heat from the reflective layer to the heat sink.

本発明の他の側面によると、前記調光装置は複数の発光素子を含んだ上記側面に係る表示装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, the light control device is a display device according to the above aspect that includes a plurality of light emitting elements.

本発明の更に他の側面によると、前記調光装置は複数の発光ダイオードを含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the light control device includes a plurality of light emitting diodes.

本発明の更に他の側面によると、前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第2貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the black matrix substrate further includes a plurality of wavelength conversion layers each provided in at least a portion of the plurality of second through holes.

本発明の更に他の側面によると、前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第1貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the black matrix substrate further includes a color filter including a plurality of colored layers each disposed at at least some of the positions of the plurality of first through holes.

本発明の更に他の側面によると、前記反射層は、金属又は合金からなる層を含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the reflective layer includes a layer made of a metal or an alloy.

本発明の更に他の側面によると、前記放熱体は、前記調光装置及び前記接着層を間に挟んで前記ブラックマトリクス基板と向き合うように設けられた裏面放熱体を含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the heat sink includes a back surface heat sink arranged to face the black matrix substrate with the light control device and the adhesive layer sandwiched therebetween.

本発明の更に他の側面によると、前記裏面放熱体は、前記調光装置上に設けられた裏面放熱層である上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the rear surface heat sink is a rear surface heat sink layer provided on the light control device.

本発明の更に他の側面によると、前記放熱体は、前記第2主面上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置で開口した前面放熱層を含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, the display device according to any of the above aspects is provided, in which the heat sink is provided on the second main surface and includes a front heat sink layer that opens at the positions of the plurality of first through holes.

本発明の更に他の側面によると、前記前面放熱層は表面が黒色である上記側面に係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to the above aspect, in which the front heat dissipation layer has a black surface.

本発明の更に他の側面によると、前記伝熱体は、少なくとも一部が前記積層体の外部に設けられた上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the heat transfer body is at least partially provided outside the laminate.

本発明の更に他の側面によると、前記伝熱体は、前記積層体の端面を少なくとも部分的に被覆した上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the heat transfer body at least partially covers the end face of the laminate.

本発明の更に他の側面によると、前記伝熱体は、前記積層体の外部に設けられた主伝熱体と、前記ブラックマトリクス基板の周縁部で前記反射層上に設けられた補助伝熱体とを含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the heat transfer body includes a main heat transfer body provided outside the laminate and an auxiliary heat transfer body provided on the reflective layer at the periphery of the black matrix substrate.

本発明の更に他の側面によると、第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含んだブラックマトリクス基板と、前記第2主面上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置で開口した前面放熱層と、前記反射層と前記前面放熱層とを熱的に接続する伝熱体とを備えた放熱性ブラックマトリクス基板が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a black matrix substrate including: a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes respectively at the positions of the plurality of first through holes; and a reflective layer at least partially covering each of the side walls of the plurality of second through holes and an upper surface of the resin layer; a front heat dissipation layer provided on the second main surface and opening at the positions of the plurality of first through holes ; and a heat conductor thermally connecting the reflective layer and the front heat dissipation layer .

本発明の更に他の側面によると、前記前面放熱層は表面が黒色である上記側面に係る放熱性ブラックマトリクス基板が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a heat dissipating black matrix substrate according to the above aspect, in which the front heat dissipation layer has a black surface.

本発明の更に他の側面によると、前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第2貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に含んだ上記側面の何れかに係る放熱性ブラックマトリクス基板が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a heat dissipative black matrix substrate according to any of the above aspects, wherein the black matrix substrate further includes a plurality of wavelength conversion layers each provided in at least a portion of the plurality of second through holes.

本発明の更に他の側面によると、前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第1貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に含んだ上記側面の何れかに係る放熱性ブラックマトリクス基板が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a heat dissipating black matrix substrate according to any of the above aspects, in which the black matrix substrate further includes a color filter including a plurality of colored layers each disposed at at least some of the positions of the plurality of first through holes.

本発明の更に他の側面によると、前記反射層は、金属又は合金からなる層を含んだ上記側面の何れかに係る放熱性ブラックマトリクス基板が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, there is provided a heat dissipating black matrix substrate according to any of the above aspects, in which the reflective layer includes a layer made of a metal or an alloy.

本発明によれば、放熱性に優れた表示装置が提供される。 The present invention provides a display device with excellent heat dissipation properties.

図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す表示装置の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 図3は、図1に示す表示装置のIII-III線に沿った断面図である。3 is a cross-sectional view taken along line III-III of the display device shown in FIG. 図4は、図1に示す表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the display device shown in FIG. 図5は、図1の表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in the display device of FIG. 図6は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の一部を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a part of a display device according to a second embodiment of the present invention. 図7は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の一部を示す他の断面図である。FIG. 7 is another cross-sectional view showing a part of the display device according to the second embodiment of the present invention. 図8は、第1変形例に係る表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in a display device according to a first modified example. 図9は、第2変形例に係る表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in a display device according to a second modified example.

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。 Below, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The embodiment described below is a more specific embodiment of any of the above aspects. The items described below can be incorporated into each of the above aspects, either alone or in combination.

また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。 The embodiments shown below are merely examples of configurations for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention is not limited by the materials, shapes, structures, etc. of the components described below. Various modifications can be made to the technical idea of the present invention within the technical scope defined by the claims.

なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。 In addition, elements having the same or similar functions are given the same reference symbols in the drawings referred to below, and duplicate explanations will be omitted. In addition, the drawings are schematic, and the relationship between dimensions in one direction and dimensions in another direction, and the relationship between the dimensions of one component and the dimensions of another component, etc. may differ from the actual ones.

<1>第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。図2は、図1に示す表示装置の等価回路図である。図3は、図1に示す表示装置のIII-III線に沿った断面図である。図4は、図1に示す表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。図5は、図1の表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。なお、図1において、破線で囲まれた領域は、後述するように、ブラックマトリクス32が有している第1貫通孔の透明基板31側の開口を表している。
<1> First embodiment Fig. 1 is a plan view showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention. Fig. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in Fig. 1. Fig. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of the display device shown in Fig. 1. Fig. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the display device shown in Fig. 1. Fig. 5 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in the display device of Fig. 1. Note that in Fig. 1, the area surrounded by a dashed line represents an opening of a first through-hole on the transparent substrate 31 side of a black matrix 32, as described later.

図1乃至図4に示す表示装置1Aは、アクティブマトリクス駆動方式によるカラー表示が可能であり、各サブ画素が発光ダイオード(LED)を含んだマイクロLEDディスプレイである。 The display device 1A shown in Figures 1 to 4 is a micro LED display capable of color display using an active matrix driving method, with each sub-pixel containing a light-emitting diode (LED).

なお、各図において、X方向及びY方向は、表示装置1Aの表示面に対して平行であり且つ互いに交差する方向である。一例によれば、X方向及びY方向は、互いに対して垂直である。また、Z方向は、X方向及びY方向に対して垂直な方向である。即ち、Z方向は、表示装置1Aの厚さ方向である。 In each figure, the X direction and the Y direction are parallel to the display surface of the display device 1A and intersect with each other. According to one example, the X direction and the Y direction are perpendicular to each other. The Z direction is perpendicular to the X direction and the Y direction. In other words, the Z direction is the thickness direction of the display device 1A.

表示装置1Aは、図2に示すように、映像信号線VSLと、電源線PSLと、走査信号線SSLと、画素PXと、映像信号線ドライバVDRと、走査信号線ドライバSDRとを含んでいる。 As shown in FIG. 2, the display device 1A includes a video signal line VSL, a power supply line PSL, a scanning signal line SSL, a pixel PX, a video signal line driver VDR, and a scanning signal line driver SDR.

映像信号線VSL及び電源線PSLは、Y方向へ各々が伸びており、X方向へ交互に配列している。走査信号線SSLは、X方向へ各々が伸びており、Y方向へ配列している。 The video signal lines VSL and power supply lines PSL each extend in the Y direction and are arranged alternately in the X direction. The scanning signal lines SSL each extend in the X direction and are arranged in the Y direction.

画素PXは、X方向及びY方向へ配列している。各画素PXは、第1サブ画素PXRと、第2サブ画素PXGと、第3サブ画素PXBとを含んでいる。第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、映像信号線VSLと走査信号線SSLとの交差部に対応して配列している。 The pixels PX are arranged in the X and Y directions. Each pixel PX includes a first sub-pixel PXR, a second sub-pixel PXG, and a third sub-pixel PXB. The first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB are arranged corresponding to the intersections of the video signal lines VSL and the scanning signal lines SSL.

第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、異なる色の光を射出する。ここでは、一例として、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光を射出することとする。 The first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB emit light of different colors. Here, as an example, the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB emit red light, green light, and blue light, respectively.

各画素PXにおいて、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、X方向へこの順に配列している。各画素PXにおける、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBの配列順序は変更可能である。 In each pixel PX, the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB are arranged in this order in the X direction. The arrangement order of the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB in each pixel PX can be changed.

また、ここでは、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、ストライプ配列を形成している。第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、デルタ配列及びモザイク配列などの他の配列を形成していてもよい。 Here, the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB form a stripe arrangement. The first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB may form other arrangements, such as a delta arrangement and a mosaic arrangement.

第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBの各々は、発光素子Dと、駆動制御素子DRと、スイッチSWと、キャパシタCとを含んでいる。 Each of the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB includes a light-emitting element D, a drive control element DR, a switch SW, and a capacitor C.

発光素子Dは、発光ダイオードである。発光ダイオードは、例えば、無機物からなる発光ダイオードである。無機物からなる発光ダイオードは、例えば、これらと同様の層構造を有している積層体を、複数の部分へと個片化することにより得られる。発光素子Dは、有機物からなる発光ダイオードであるエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。発光素子Dの陰極は、接地電極へ接続されている。ここでは、一例として、発光素子Dは、無機物からなり、青色光を射出する青色発光ダイオードであるとする。 The light-emitting element D is a light-emitting diode. The light-emitting diode is, for example, a light-emitting diode made of an inorganic material. A light-emitting diode made of an inorganic material can be obtained, for example, by singulating a laminate having a similar layer structure into a plurality of parts. The light-emitting element D may be an electroluminescence element, which is a light-emitting diode made of an organic material. The cathode of the light-emitting element D is connected to a ground electrode. Here, as an example, the light-emitting element D is a blue light-emitting diode made of an inorganic material that emits blue light.

駆動制御素子DR及びスイッチSWは、電界効果トランジスタである。ここでは、駆動制御素子DRはpチャネル薄膜トランジスタであり、スイッチSWはnチャネル薄膜トランジスタである。駆動制御素子DRは、ゲートがスイッチSWのドレインへ接続され、ソースが電源線PSLへ接続され、ドレインが発光素子Dの陽極へ接続されている。スイッチSWは、ゲートが走査信号線SSLへ接続され、ソースが映像信号線VSLへ接続されている。 The drive control element DR and the switch SW are field effect transistors. Here, the drive control element DR is a p-channel thin-film transistor, and the switch SW is an n-channel thin-film transistor. The drive control element DR has a gate connected to the drain of the switch SW, a source connected to the power supply line PSL, and a drain connected to the anode of the light-emitting element D. The switch SW has a gate connected to the scanning signal line SSL, and a source connected to the video signal line VSL.

キャパシタCは、例えば、薄膜キャパシタである。キャパシタCは、一方の電極が駆動制御素子DRのゲートへ接続されており、他方の電極が電源線PSLへ接続されている。 The capacitor C is, for example, a thin-film capacitor. One electrode of the capacitor C is connected to the gate of the drive control element DR, and the other electrode is connected to the power supply line PSL.

第1サブ画素PXRは、図3及び図4に示す第1波長変換層36R及び第1着色層33Rを更に含んでいる。 The first subpixel PXR further includes a first wavelength conversion layer 36R and a first colored layer 33R as shown in Figures 3 and 4.

第1波長変換層36Rは、第1サブ画素PXRの発光素子Dと向き合うように設置されている。第1波長変換層36Rは、第1サブ画素PXRの発光素子Dが射出した光を特定の色の第1光へと変換する。第1波長変換層36Rは、例えば、第1サブ画素PXRの発光素子Dが射出した青色光を赤色光へと変換する。 The first wavelength conversion layer 36R is disposed to face the light-emitting element D of the first subpixel PXR. The first wavelength conversion layer 36R converts the light emitted by the light-emitting element D of the first subpixel PXR into a first light of a specific color. For example, the first wavelength conversion layer 36R converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the first subpixel PXR into red light.

第1着色層33Rは、第1波長変換層36Rを間に挟んで第1サブ画素PXRの発光素子Dと向き合うように設置されている。第1着色層33Rは、第1波長変換層36Rによる波長変換後の光を透過させるとともに、第1波長変換層36Rによって波長変換されなかった光を吸収する。第1着色層33Rは、例えば、第1波長変換層36Rによる波長変換後の赤色光を透過させるとともに、第1波長変換層36Rによって波長変換されなかった青色光等を吸収する赤色着色層である。 The first colored layer 33R is disposed to face the light-emitting element D of the first subpixel PXR with the first wavelength conversion layer 36R sandwiched therebetween. The first colored layer 33R transmits light after wavelength conversion by the first wavelength conversion layer 36R and absorbs light that has not been wavelength-converted by the first wavelength conversion layer 36R. The first colored layer 33R is, for example, a red colored layer that transmits red light after wavelength conversion by the first wavelength conversion layer 36R and absorbs blue light and the like that has not been wavelength-converted by the first wavelength conversion layer 36R.

第2サブ画素PXGは、図3に示す第2波長変換層36G及び第2着色層33Gを更に含んでいる。 The second subpixel PXG further includes a second wavelength conversion layer 36G and a second colored layer 33G as shown in FIG. 3.

第2波長変換層36Gは、第2サブ画素PXGの発光素子Dと向き合うように設置されている。第2波長変換層36Gは、第2サブ画素PXGの発光素子Dが射出した光を、第1光とは色が異なる第2光へと変換する。第2波長変換層36Gは、例えば、第2サブ画素PXGの発光素子Dが射出した青色光を緑色光へと変換する。 The second wavelength conversion layer 36G is disposed to face the light-emitting element D of the second subpixel PXG. The second wavelength conversion layer 36G converts the light emitted by the light-emitting element D of the second subpixel PXG into a second light having a different color from the first light. For example, the second wavelength conversion layer 36G converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the second subpixel PXG into green light.

第2着色層33Gは、第2波長変換層36Gを間に挟んで第2サブ画素PXGの発光素子Dと向き合うように設置されている。第2着色層33Gは、第2波長変換層36Gによる波長変換後の光を透過させるとともに、第2波長変換層36Gによって波長変換されなかった光を吸収する。第2着色層33Gは、例えば、第2波長変換層36Gによる波長変換後の緑色光を透過させるとともに、第2波長変換層36Gによって波長変換されなかった青色光等を吸収する緑色着色層である。 The second colored layer 33G is disposed so as to face the light-emitting element D of the second subpixel PXG with the second wavelength conversion layer 36G sandwiched therebetween. The second colored layer 33G transmits light after wavelength conversion by the second wavelength conversion layer 36G and absorbs light that has not been wavelength converted by the second wavelength conversion layer 36G. The second colored layer 33G is, for example, a green colored layer that transmits green light after wavelength conversion by the second wavelength conversion layer 36G and absorbs blue light and the like that has not been wavelength converted by the second wavelength conversion layer 36G.

第3サブ画素PXBは、図3に示す下地層33B及び充填層36Bを更に含んでいる。 The third subpixel PXB further includes a base layer 33B and a filling layer 36B as shown in FIG. 3.

充填層36Bは、第3サブ画素PXBの発光素子Dと向き合うように設置されている。充填層36Bは、例えば、無色透明な層である。充填層36Bは省略することができる。 The filling layer 36B is disposed to face the light-emitting element D of the third subpixel PXB. The filling layer 36B is, for example, a colorless and transparent layer. The filling layer 36B may be omitted.

下地層33Bは、充填層36Bを間に挟んで第3サブ画素PXBの発光素子Dと向き合うように設置されている。下地層33Bは、第3サブ画素PXBの発光素子Dが射出した光を第3光として透過させる。下地層33Bは、例えば、第3サブ画素PXBの発光素子Dが射出した青色光を透過させる無色の光透過層又は青色着色層である。 The base layer 33B is disposed so as to face the light-emitting element D of the third subpixel PXB with the filling layer 36B sandwiched therebetween. The base layer 33B transmits the light emitted by the light-emitting element D of the third subpixel PXB as third light. The base layer 33B is, for example, a colorless light-transmitting layer or a blue-colored layer that transmits the blue light emitted by the light-emitting element D of the third subpixel PXB.

映像信号線ドライバVDR及び走査信号線ドライバSDRは、図2に示すように、表示パネルにCOG(chip on glass)実装されている。映像信号線ドライバVDR及び走査信号線ドライバSDRは、COG実装の代わりに、TCP(tape carrier package)実装されてもよい。 The video signal line driver VDR and the scan signal line driver SDR are mounted on the display panel using a chip on glass (COG) as shown in FIG. 2. The video signal line driver VDR and the scan signal line driver SDR may be mounted using a tape carrier package (TCP) instead of a COG mounting.

映像信号線ドライバVDRには、映像信号線VSLと電源線PSLとが接続されている。映像信号線ドライバVDRは、映像信号線VSLに、映像信号として電圧信号を出力する。 The video signal line driver VDR is connected to the video signal line VSL and the power supply line PSL. The video signal line driver VDR outputs a voltage signal as a video signal to the video signal line VSL.

走査信号線ドライバSDRには、走査信号線SSLが接続されている。走査信号線ドライバSDRは、走査信号線SSLに走査信号として電圧信号を出力する。電源線PSLは、映像信号線ドライバVDRに接続する代わりに、走査信号線ドライバSDRに接続してもよい。 The scanning signal line driver SDR is connected to the scanning signal line SSL. The scanning signal line driver SDR outputs a voltage signal as a scanning signal to the scanning signal line SSL. The power supply line PSL may be connected to the scanning signal line driver SDR instead of being connected to the video signal line driver VDR.

表示装置1Aについて、更に詳しく説明する。
表示装置1Aは、図3及び図4に示すように、調光装置2と、ブラックマトリクス基板3Aと、接着層4と、放熱体5Aと、主伝熱体6A及び補助伝熱体7からなる伝熱体とを含んでいる。
The display device 1A will now be described in further detail.
As shown in Figures 3 and 4, the display device 1A includes a light control device 2, a black matrix substrate 3A, an adhesive layer 4, a heat sink 5A, and a heat conductor consisting of a main heat conductor 6A and an auxiliary heat conductor 7.

調光装置は、ブラックマトリクス基板へ向けて光を射出するとともに、この光の強さ及びこの光を射出する時間の少なくとも一方を、画素毎に又はサブ画素毎に調節可能な装置である。図3及び図4に示す調光装置2は、基板21と、半導体層22と、導体層23A、23B、23C及び23Dと、絶縁層24A、24B及び24Cと、発光素子25と、隔壁層26と、充填層27と、導体層28とを含んでいる。 The light control device is a device that emits light toward a black matrix substrate and can adjust at least one of the intensity of the light and the time for emitting the light for each pixel or each subpixel. The light control device 2 shown in Figures 3 and 4 includes a substrate 21, a semiconductor layer 22, conductor layers 23A, 23B, 23C, and 23D, insulating layers 24A, 24B, and 24C, a light emitting element 25, a partition layer 26, a filling layer 27, and a conductor layer 28.

基板21は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板を含んでいる。基板21は、絶縁基板のブラックマトリクス基板3Aと向き合った主面に設けられたアンダーコート層を更に含んでいてもよい。アンダーコート層は、例えば、絶縁基板上に順次積層されたシリコン窒化物層とシリコン酸化物層との積層体である。基板21は、シリコン基板などの半導体基板であってもよい。基板21は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。 The substrate 21 includes an insulating substrate such as a glass substrate. The substrate 21 may further include an undercoat layer provided on the main surface of the insulating substrate facing the black matrix substrate 3A. The undercoat layer is, for example, a laminate of a silicon nitride layer and a silicon oxide layer sequentially laminated on the insulating substrate. The substrate 21 may be a semiconductor substrate such as a silicon substrate. The substrate 21 may be either rigid or flexible.

半導体層22は、基板21のブラックマトリクス基板3Aと向き合った主面上で配列している。半導体層22は、例えば、ポリシリコン層である。半導体層22は、駆動制御素子DR又はスイッチSWを構成している薄膜トランジスタの半導体層である。各半導体層22は、ソース及びドレインと、それらの間に介在したチャネル領域とを含んでいる。 The semiconductor layers 22 are arranged on the main surface of the substrate 21 facing the black matrix substrate 3A. The semiconductor layers 22 are, for example, polysilicon layers. The semiconductor layers 22 are semiconductor layers of thin-film transistors constituting the drive control elements DR or the switches SW. Each semiconductor layer 22 includes a source and a drain, and a channel region interposed between them.

導体層23Aは、基板21の上記主面上に設けられた導体パターンである。導体層23Aは、映像信号線VSL、電源線PSL、ソース電極SE、ドレイン電極DE、及びキャパシタCの下部電極(図示せず)を構成している。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、それぞれ、半導体層22のソース及びドレインへ接続されている。導体層23Aは、金属又は合金からなる。導体層23Aは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The conductor layer 23A is a conductor pattern provided on the main surface of the substrate 21. The conductor layer 23A constitutes the video signal line VSL, the power supply line PSL, the source electrode SE, the drain electrode DE, and the lower electrode (not shown) of the capacitor C. The source electrode SE and the drain electrode DE are connected to the source and drain of the semiconductor layer 22, respectively. The conductor layer 23A is made of a metal or an alloy. The conductor layer 23A may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

絶縁層24Aは、導体層23Aと基板21の上記主面とを被覆している。絶縁層24Aは、例えばTEOS(tetraethyl orthosilicate)を用いて形成することができる。駆動制御素子DR又はスイッチSWを構成している各薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、絶縁層24Aの一部である。また、各キャパシタCの誘電体層は、絶縁層24Aの他の一部である。 The insulating layer 24A covers the conductor layer 23A and the main surface of the substrate 21. The insulating layer 24A can be formed using, for example, TEOS (tetraethyl orthosilicate). The gate insulating film of each thin-film transistor constituting the drive control element DR or the switch SW is part of the insulating layer 24A. The dielectric layer of each capacitor C is another part of the insulating layer 24A.

導体層23Bは、絶縁層24A上に設けられた導体パターンである。駆動制御素子DR又はスイッチSWを構成している各薄膜トランジスタのゲート電極GEは、導体層23Bの一部である。各ゲート電極GEは、絶縁層24Aを間に挟んで半導体層22のチャネル領域と向き合っている。また、各キャパシタCの上部電極(図示せず)は、導体層23Bの他の一部である。各上部電極は、絶縁層24Aを間に挟んで、この上部電極を含んだキャパシタCの下部電極と向き合っている。導体層23Bは、金属又は合金からなる。導体層23Bは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The conductor layer 23B is a conductor pattern provided on the insulating layer 24A. The gate electrode GE of each thin film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is part of the conductor layer 23B. Each gate electrode GE faces the channel region of the semiconductor layer 22 with the insulating layer 24A sandwiched therebetween. The upper electrode (not shown) of each capacitor C is another part of the conductor layer 23B. Each upper electrode faces the lower electrode of the capacitor C including this upper electrode with the insulating layer 24A sandwiched therebetween. The conductor layer 23B is made of a metal or an alloy. The conductor layer 23B may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

絶縁層24Bは、導体層23Bと絶縁層24Aとを被覆している。絶縁層24Bは、層間絶縁膜である。絶縁層24Bは、例えば、シリコン酸化物などの無機絶縁体からなる。無機絶縁体からなる絶縁層は、例えば、プラズマCVD(chemical vapor deposition)法により成膜することができる。 The insulating layer 24B covers the conductor layer 23B and the insulating layer 24A. The insulating layer 24B is an interlayer insulating film. The insulating layer 24B is made of an inorganic insulator such as silicon oxide. The insulating layer made of an inorganic insulator can be formed by, for example, plasma CVD (chemical vapor deposition).

導体層23Cは、図4に示すように、絶縁層24B上に設けられた導体パターンである。導体層23Cは、走査信号線SSLを構成している。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、絶縁層24A上に設ける代わりに、絶縁層24B上に設けてもよい。即ち、導体層23Cで、走査信号線SSLとソース電極SE及びドレイン電極DEとを構成してもよい。 As shown in FIG. 4, the conductor layer 23C is a conductor pattern provided on the insulating layer 24B. The conductor layer 23C constitutes the scanning signal line SSL. The source electrode SE and the drain electrode DE may be provided on the insulating layer 24B instead of on the insulating layer 24A. That is, the scanning signal line SSL and the source electrode SE and the drain electrode DE may be formed by the conductor layer 23C.

絶縁層24Cは、導体層23Cと絶縁層24Bとを被覆している。絶縁層24Cは、パッシベーション膜である。絶縁層24Cは、例えば、シリコン窒化物などの無機絶縁体からなる。 The insulating layer 24C covers the conductor layer 23C and the insulating layer 24B. The insulating layer 24C is a passivation film. The insulating layer 24C is made of an inorganic insulator such as silicon nitride.

導体層23Dは、絶縁層24C上に設けられた導体パターンである。導体層23Dは、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBに対応してX方向及びY方向へ配列した電極パッドを構成している。絶縁層24A、24B及び24Cからなる積層体には、駆動制御素子DRのドレインへ接続されたドレイン電極DEの位置に貫通孔が設けられている。各電極パッドは、この貫通孔を介してドレイン電極DEへ接続されている。導体層23Dは、例えば、金属又は合金からなる。導体層23Dは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The conductor layer 23D is a conductor pattern provided on the insulating layer 24C. The conductor layer 23D constitutes electrode pads arranged in the X direction and the Y direction corresponding to the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB. A through hole is provided in the laminate consisting of the insulating layers 24A, 24B, and 24C at the position of the drain electrode DE connected to the drain of the drive control element DR. Each electrode pad is connected to the drain electrode DE via this through hole. The conductor layer 23D is made of, for example, a metal or an alloy. The conductor layer 23D may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

各電極パッドのZ方向に対して垂直な平面への正射影の輪郭は、この電極パッド上に設置された発光素子25の先の平面への正射影から離間するとともに、この正射影を取り囲んでいる。即ち、電極パッドは、発光素子25と比較して、Z方向に対して垂直な方向の寸法がより大きい。それ故、電極パッドは、基板21へ向けて進行する光を反射する反射層としての役割も果たす。電極パッドには、この反射層としての役割を担わせなくてもよい。この場合、この役割を果たす反射層は、電極パッドとは別に設けてもよく、設けなくてもよい。 The contour of the orthogonal projection of each electrode pad onto a plane perpendicular to the Z direction is spaced apart from and surrounds the orthogonal projection onto the plane ahead of the light-emitting element 25 placed on the electrode pad. That is, the electrode pad has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction compared to the light-emitting element 25. Therefore, the electrode pad also serves as a reflective layer that reflects light traveling toward the substrate 21. The electrode pad does not have to fulfill this role as a reflective layer. In this case, the reflective layer that fulfills this role may or may not be provided separately from the electrode pad.

図3及び図4に示す発光素子25は、図2に示す発光素子Dである。発光素子25は、電極パッド上に配置されている。 The light-emitting element 25 shown in Figures 3 and 4 is the light-emitting element D shown in Figure 2. The light-emitting element 25 is disposed on an electrode pad.

発光素子25は、ここでは、無機物からなる発光ダイオードである。なお、発光素子25として発光ダイオードを含んだ基板は、「LED基板」と呼ぶこともある。 Here, the light-emitting element 25 is a light-emitting diode made of an inorganic material. Note that a substrate including a light-emitting diode as the light-emitting element 25 is sometimes called an "LED substrate."

発光素子25は、複数の層、例えば、第1層251、第2層252及び第3層253を含んだ多層構造を有している。ここでは、発光素子25が含んでいる層の積層方向はZ方向である。この積層方向は、Z方向に対して垂直であってもよい。 The light-emitting element 25 has a multi-layer structure including multiple layers, for example, a first layer 251, a second layer 252, and a third layer 253. Here, the stacking direction of the layers included in the light-emitting element 25 is the Z direction. This stacking direction may be perpendicular to the Z direction.

各発光素子25は、陽極及び陰極を含んでいる。発光素子25は、一方の面に陽極と陰極とを有している。発光素子25の陽極は、図示しないボンディングワイヤを介して電極パッドへ接続されている。発光素子25が一方の面に陽極を有し、他方の面に陰極を有している場合、発光素子25の電極パッドへの接合と陽極の電極パッドへの接続とを、導電ペーストなどの導電材料を接合材として用いたダイボンディングによって行ってもよい。発光素子25が一方の面に陽極と陰極とを有している場合、導体層28を省略するとともに、発光素子25の陰極と接続するための電極パッドを絶縁層24C上に更に設け、これら電極パッドと接続された配線を絶縁層間に更に設け、発光素子25の電極パッド及び導体層28への接合と、陽極及び陰極の電極パッドへの接続とを、フリップチップボンディングによって行ってもよい。 Each light-emitting element 25 includes an anode and a cathode. The light-emitting element 25 has an anode and a cathode on one side. The anode of the light-emitting element 25 is connected to an electrode pad via a bonding wire (not shown). When the light-emitting element 25 has an anode on one side and a cathode on the other side, the light-emitting element 25 may be bonded to the electrode pad and the anode may be connected to the electrode pad by die bonding using a conductive material such as a conductive paste as a bonding material. When the light-emitting element 25 has an anode and a cathode on one side, the conductor layer 28 may be omitted, and electrode pads for connecting to the cathode of the light-emitting element 25 may be further provided on the insulating layer 24C, and wiring connected to these electrode pads may be further provided between the insulating layers, and the light-emitting element 25 may be bonded to the electrode pad and the conductor layer 28 and the anode and cathode may be connected to the electrode pads by flip-chip bonding.

発光素子25のX方向及びY方向における寸法は、好ましくは1乃至100μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至80μmの範囲内にあり、更に好ましくは10乃至60μmの範囲内にある。発光素子25のZ方向における寸法は、好ましくは1乃至20μmの範囲内にあり、より好ましくは1乃至15μmの範囲内にあり、更に好ましくは1乃至10μmの範囲内にある。 The dimensions of the light-emitting element 25 in the X and Y directions are preferably in the range of 1 to 100 μm, more preferably in the range of 5 to 80 μm, and even more preferably in the range of 10 to 60 μm. The dimensions of the light-emitting element 25 in the Z direction are preferably in the range of 1 to 20 μm, more preferably in the range of 1 to 15 μm, and even more preferably in the range of 1 to 10 μm.

隔壁層26は、絶縁層24C上に設けられている。隔壁層26は、電極パッドの位置に貫通孔を有している。発光素子25は、それぞれ、これら貫通孔内に位置している。隔壁層26は、例えば、樹脂からなる。そのような隔壁層26は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィによって形成することができる。隔壁層26は、貫通孔を有する樹脂層と、それら貫通孔の側壁と任意に樹脂層の上面とを被覆した反射層とを含んでいてもよい。反射層は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。隔壁層26は省略することができる。 The partition layer 26 is provided on the insulating layer 24C. The partition layer 26 has through holes at the positions of the electrode pads. The light-emitting elements 25 are located in these through holes. The partition layer 26 is made of, for example, a resin. Such a partition layer 26 can be formed by photolithography using a photosensitive resin. The partition layer 26 may include a resin layer having through holes and a reflective layer that covers the side walls of the through holes and, optionally, the upper surface of the resin layer. The reflective layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure. The layers included in the reflective layer are, for example, metals, alloys, or transparent dielectrics. The partition layer 26 may be omitted.

充填層27は、発光素子25と隔壁層26との間の隙間を埋め込んでいる。充填層27は、発光素子25が射出した光を透過させる光透過層である。また、充填層27は、発光素子25及びこれと電極との接合部等を保護する保護層としての役割も果たす。充填層27は、例えば、樹脂からなる。充填層27の屈折率は、隔壁層26の表面を構成している材料の屈折率とは異なることが好ましい。 The filling layer 27 fills the gap between the light emitting element 25 and the partition layer 26. The filling layer 27 is a light transmitting layer that transmits the light emitted by the light emitting element 25. The filling layer 27 also serves as a protective layer that protects the light emitting element 25 and the joint between the light emitting element 25 and the electrode. The filling layer 27 is made of, for example, a resin. It is preferable that the refractive index of the filling layer 27 is different from the refractive index of the material that constitutes the surface of the partition layer 26.

導体層28は、隔壁層26及び充填層27上に設けられている。発光素子25の陰極は、導体層28へ接続されている。導体層28は、導電性透明酸化物からなる場合、発光素子25の陰極全体を覆うように設けることができる。導体層28は、金属又は合金からなる場合、発光素子25の陰極を部分的に覆うように設けることが好ましい。 The conductor layer 28 is provided on the partition layer 26 and the filling layer 27. The cathode of the light-emitting element 25 is connected to the conductor layer 28. When the conductor layer 28 is made of a conductive transparent oxide, it can be provided so as to cover the entire cathode of the light-emitting element 25. When the conductor layer 28 is made of a metal or an alloy, it is preferable that the conductor layer 28 is provided so as to partially cover the cathode of the light-emitting element 25.

ブラックマトリクス基板3Aは、調光装置2と向き合っている。具体的には、ブラックマトリクス基板3Aは、発光素子25等を間に挟んで基板21と向き合っている。 The black matrix substrate 3A faces the light control device 2. Specifically, the black matrix substrate 3A faces the substrate 21 with the light emitting element 25 and the like sandwiched therebetween.

ブラックマトリクス基板3Aは、透明基板31と、ブラックマトリクス32と、樹脂層34と、反射層35と、第1着色層33R及び第2着色層33Gを含んだカラーフィルタと、下地層33Bと、第1波長変換層36Rと、第2波長変換層36Gと、充填層36Bとを含んでいる。 The black matrix substrate 3A includes a transparent substrate 31, a black matrix 32, a resin layer 34, a reflective layer 35, a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G, a base layer 33B, a first wavelength conversion layer 36R, a second wavelength conversion layer 36G, and a filling layer 36B.

透明基板31は、可視光透過性を有している。透明基板31は、例えば、無色の基板である。透明基板31は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。透明基板31は、例えば、ガラス、透明樹脂又はそれらの組み合わせからなる。透明基板31は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。透明基板31は、調光装置2と向き合った第1主面と、その裏面である第2主面とを有している。 The transparent substrate 31 is transparent to visible light. The transparent substrate 31 is, for example, a colorless substrate. The transparent substrate 31 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. The transparent substrate 31 is made of, for example, glass, a transparent resin, or a combination thereof. The transparent substrate 31 may be hard or flexible. The transparent substrate 31 has a first main surface facing the dimming device 2 and a second main surface that is the back surface of the first main surface.

ブラックマトリクス32は、透明基板31の第1主面上に設けられている。ブラックマトリクス32は、可視光を遮る黒色層である。ブラックマトリクス32は、例えば、バインダ樹脂と着色剤とを含んだ混合物からなる。着色剤は、例えば、黒色顔料であるか、又は、減法混色によって黒色を呈する顔料の混合物、例えば、青色顔料、緑色顔料及び赤色顔料を含んだ混合物である。 The black matrix 32 is provided on the first main surface of the transparent substrate 31. The black matrix 32 is a black layer that blocks visible light. The black matrix 32 is made of, for example, a mixture containing a binder resin and a colorant. The colorant is, for example, a black pigment or a mixture of pigments that exhibit black color through subtractive color mixing, for example, a mixture containing a blue pigment, a green pigment, and a red pigment.

ブラックマトリクス32は、発光素子25の位置に第1貫通孔を有している。各第1貫通孔の透明基板31側の開口は、発光素子25と比較して、Z方向に垂直な方向の寸法がより大きい。 The black matrix 32 has first through holes at the positions of the light-emitting elements 25. The opening of each first through hole on the transparent substrate 31 side has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction than the light-emitting elements 25.

ここでは、第1貫通孔の透明基板31側の開口は、図1に破線で示すように、Y方向へ伸びた形状を有している。ブラックマトリクス32のうち画素PXに対応した各部分は、第1サブ画素PXRの位置に設けられた第1貫通孔と、第2サブ画素PXGの位置に設けられた第1貫通孔と、第3サブ画素PXBの位置に設けられた第1貫通孔とを含んでおり、これら3つの第1貫通孔はX方向へ配列している。これら3つの第1貫通孔から各々がなる複数の第1貫通孔群は、X方向及びY方向へ配列している。X方向へ隣り合った第1貫通孔群間の距離は、同一の貫通孔群が含んでいる第1貫通孔間の距離と比較してより大きい。Y方向へ隣り合った第1貫通孔群間の距離も、同一の貫通孔群が含んでいる第1貫通孔間の距離と比較してより大きい。 Here, the opening of the first through hole on the transparent substrate 31 side has a shape extending in the Y direction as shown by the dashed line in FIG. 1. Each portion of the black matrix 32 corresponding to the pixel PX includes a first through hole provided at the position of the first sub-pixel PXR, a first through hole provided at the position of the second sub-pixel PXG, and a first through hole provided at the position of the third sub-pixel PXB, and these three first through holes are arranged in the X direction. A plurality of first through hole groups each consisting of these three first through holes are arranged in the X direction and the Y direction. The distance between adjacent first through hole groups in the X direction is larger than the distance between first through holes included in the same through hole group. The distance between adjacent first through hole groups in the Y direction is also larger than the distance between first through holes included in the same through hole group.

ブラックマトリクス32の開口率は、好ましくは5乃至66%の範囲内にあり、より好ましくは5乃至40%の範囲内にあり、更に好ましくは5乃至20%の範囲内にある。無機物からなる発光ダイオードは、光射出面が小さい場合であっても明るく発光させることができ、また、長寿命である。それ故、発光素子25が無機物からなる発光ダイオードである場合、ブラックマトリクス32の開口率を小さくしても、明るい表示が可能である。そして、ブラックマトリクス32の開口率を小さくすると、外光の反射を抑制でき、深みがより強い黒色を表示することができ、従って、より高いコントラスト比を実現することができる。 The aperture ratio of the black matrix 32 is preferably in the range of 5 to 66%, more preferably in the range of 5 to 40%, and even more preferably in the range of 5 to 20%. Light-emitting diodes made of inorganic materials can emit light brightly even when the light-emitting surface is small, and also have a long life. Therefore, when the light-emitting element 25 is a light-emitting diode made of inorganic materials, a bright display is possible even if the aperture ratio of the black matrix 32 is reduced. Furthermore, by reducing the aperture ratio of the black matrix 32, reflection of external light can be suppressed, and a deeper black color can be displayed, thereby achieving a higher contrast ratio.

ブラックマトリクス32の厚さは、好ましくは1乃至30μmの範囲内にあり、より好ましくは1乃至15μmの範囲内にあり、更に好ましくは1乃至5μmの範囲内にある。厚いブラックマトリクス32は、高い遮光性を達成するうえで有利である。但し、ブラックマトリクス32を厚くすると、感光性黒色組成物からなる塗膜へのパターン露光において、塗膜の深部へ光が十分な強さで到達できず、高い形状精度を達成できない可能性がある。 The thickness of the black matrix 32 is preferably in the range of 1 to 30 μm, more preferably in the range of 1 to 15 μm, and even more preferably in the range of 1 to 5 μm. A thick black matrix 32 is advantageous in achieving high light blocking properties. However, if the black matrix 32 is made thick, the light may not reach the depths of the coating film made of the photosensitive black composition with sufficient intensity during pattern exposure, making it difficult to achieve high shape precision.

樹脂層34は、図3及び図4に示すように、ブラックマトリクス32上に設けられている。一例によれば、樹脂層34は透明である。この場合、樹脂層34は、着色していてもよく、無色であってもよい。樹脂層34は、光散乱性を有していてもよい。透明な樹脂層34は、例えば、膜厚が5μmであると仮定した場合に、その厚さ方向へ入射させた、波長が350乃至480nmの範囲内の光の透過率の最大値が20%以上であることが望ましい。 The resin layer 34 is provided on the black matrix 32 as shown in Figs. 3 and 4. According to one example, the resin layer 34 is transparent. In this case, the resin layer 34 may be colored or colorless. The resin layer 34 may have light scattering properties. Assuming that the transparent resin layer 34 has a thickness of, for example, 5 µm, it is desirable that the maximum transmittance of light having a wavelength in the range of 350 to 480 nm incident in the thickness direction is 20% or more.

樹脂層34は、第1貫通孔の位置に第2貫通孔をそれぞれ有している。これら第2貫通孔は、上記の第1貫通孔群に対応した第2貫通孔群を構成している。第2貫通孔群の各々は、ここでは、X方向へ配列した3つの第2貫通孔からなる。第2貫通孔群は、互いに交差する第1方向及び第2方向、ここでは、X方向及びY方向へ配列している。 The resin layer 34 has second through holes at the positions of the first through holes. These second through holes constitute a second through hole group corresponding to the above-mentioned first through hole group. Each of the second through hole groups consists of three second through holes arranged in the X direction here. The second through hole groups are arranged in a first direction and a second direction that intersect with each other, here the X direction and the Y direction.

図5に示すように、X方向へ隣り合った第2貫通孔群間の距離W1は、同一の貫通孔群が含んでいる第2貫通孔間の距離W1と比較してより大きい。Y方向へ隣り合った第2貫通孔群間の距離W1も、同一の貫通孔群が含んでいる第2貫通孔間の距離W1と比較してより大きい。 5, the distance W x 1 between adjacent second through hole groups in the X direction is greater than the distance W1 between second through holes included in the same through hole group, and the distance W y 1 between adjacent second through hole groups in the Y direction is also greater than the distance W1 between second through holes included in the same through hole group.

距離W1は、好ましくは5乃至80μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至40μmの範囲内にあり、更に好ましくは5乃至20μmの範囲内にある。 Distance W1 is preferably in the range of 5 to 80 μm, more preferably in the range of 5 to 40 μm, and even more preferably in the range of 5 to 20 μm.

距離W1は、好ましくは5乃至250μmの範囲内にあり、より好ましくは50乃至250mの範囲内にあり、更に好ましくは100乃至250μmの範囲内にある。 The distance W x 1 is preferably in the range of 5 to 250 μm, more preferably in the range of 50 to 250 μm, and even more preferably in the range of 100 to 250 μm.

距離W1は、好ましくは5乃至250μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至100μmの範囲内にあり、更に好ましくは5乃至50μmの範囲内にある。 The distance W y 1 is preferably in the range of 5 to 250 μm, more preferably in the range of 5 to 100 μm, and even more preferably in the range of 5 to 50 μm.

距離W1と距離W1との比W1/W1は、好ましくは0.1乃至50の範囲内にあり、より好ましくは2乃至20の範囲内にあり、更に好ましくは5乃至15の範囲内にある。距離W1は、距離W1と等しくてもよく、距離W1よりも小さくてもよい。 The ratio W x 1/W 1 of the distance W x 1 to the distance W 1 is preferably in the range of 0.1 to 50, more preferably in the range of 2 to 20, and further preferably in the range of 5 to 15. The distance W x 1 may be equal to the distance W 1 or may be smaller than the distance W 1.

距離W1と距離W1との比W1/W1は、好ましくは0.1乃至50の範囲内にあり、より好ましくは0.1乃至10の範囲内にあり、更に好ましくは0.1至5の範囲内にある。距離W1は、距離W1と等しくてもよく、距離W1よりも小さくてもよい。 The ratio W y 1/W 1 of the distance W y 1 to the distance W 1 is preferably in the range of 0.1 to 50, more preferably in the range of 0.1 to 10, and even more preferably in the range of 0.1 to 5. The distance W y 1 may be equal to the distance W 1 or may be smaller than the distance W 1.

第2貫通孔は、ここでは、透明基板31側の開口の第1主面への正射影の輪郭(以下、第2輪郭という)が、それぞれ、第1貫通孔の第1主面への正射影の輪郭(以下、第1輪郭という)を取り囲むように設けられている。第2輪郭は、第1輪郭を取り囲んでいなくてもよい。第2輪郭が第1輪郭を取り囲んだ構造では、第2輪郭が第1輪郭を取り囲んでいない構造と比較して、迷光が表示へ及ぼす影響が小さい。 Here, the second through-hole is provided such that the contour of the orthogonal projection of the opening on the transparent substrate 31 side onto the first main surface (hereinafter referred to as the second contour) surrounds the contour of the orthogonal projection of the first through-hole onto the first main surface (hereinafter referred to as the first contour). The second contour does not have to surround the first contour. In a structure in which the second contour surrounds the first contour, the effect of stray light on the display is smaller than in a structure in which the second contour does not surround the first contour.

樹脂層34のうち隣り合った第2貫通孔によって挟まれた部分は、順テーパ状の断面形状を有している。この部分は、矩形状の断面形状を有していてもよく、逆テーパ状の断面形状を有していてもよく、他の断面形状を有していてもよい。 The portion of the resin layer 34 that is sandwiched between adjacent second through holes has a forward tapered cross-sectional shape. This portion may have a rectangular cross-sectional shape, a reverse tapered cross-sectional shape, or another cross-sectional shape.

樹脂層34の厚さは、好ましくは5乃至50μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至40μmの範囲内にあり、更に好ましくは10乃至25μmの範囲内にある。樹脂層34の厚さが小さい場合、第2貫通孔内に形成する層の合計厚さを大きくすることが難しい。樹脂層34を厚くすると、隣り合った第2貫通孔間に挟まれた隔壁部の形状精度が低下する。 The thickness of the resin layer 34 is preferably in the range of 5 to 50 μm, more preferably in the range of 5 to 40 μm, and even more preferably in the range of 10 to 25 μm. If the thickness of the resin layer 34 is small, it is difficult to increase the total thickness of the layers formed in the second through holes. If the resin layer 34 is made thicker, the shape accuracy of the partition portion sandwiched between adjacent second through holes decreases.

反射層35は、第2貫通孔の各々の側壁と樹脂層34の上面とを少なくとも部分的に被覆している。ここでは、反射層35は、図3乃至図5に示すように、第2貫通孔の各々の側壁全体と、樹脂層34の上面全体と、ブラックマトリクス32のうち樹脂層34で覆われていない部分とを被覆している。反射層35は、第2貫通孔の側壁の一部を被覆していなくてもよい。例えば、反射層35は、第2貫通孔の少なくとも1つの側壁のうちブラックマトリクス32近傍の部分、及び、第2貫通孔の少なくとも1つの側壁のうち樹脂層34の上面近傍の部分の少なくとも一方を被覆していなくてもよい。また、反射層35は、ブラックマトリクス32のうち樹脂層34で覆われていない部分を被覆していなくてもよい。 The reflective layer 35 at least partially covers the side walls of each of the second through holes and the upper surface of the resin layer 34. Here, as shown in FIG. 3 to FIG. 5, the reflective layer 35 covers the entire side walls of each of the second through holes, the entire upper surface of the resin layer 34, and the part of the black matrix 32 that is not covered by the resin layer 34. The reflective layer 35 may not cover a part of the side walls of the second through holes. For example, the reflective layer 35 may not cover at least one of the part of at least one side wall of the second through hole that is near the black matrix 32 and the part of at least one side wall of the second through hole that is near the upper surface of the resin layer 34. The reflective layer 35 may not cover the part of the black matrix 32 that is not covered by the resin layer 34.

反射層35のうち第2貫通孔内に位置した部分は、第1着色層33R、第2着色層33G又は下地層33Bの位置で開口している。これら開口の各々の面積S2は、好ましくは、第1貫通孔の開口の面積S1と比較してより大きい。面積S2と面積S1との比S2/S1は、好ましくは1乃至100の範囲内にあり、より好ましくは1乃至30の範囲内にあり、更に好ましくは1乃至2の範囲内にある。 The portion of the reflective layer 35 located within the second through-hole opens at the position of the first colored layer 33R, the second colored layer 33G, or the base layer 33B. The area S2 of each of these openings is preferably larger than the area S1 of the opening of the first through-hole. The ratio S2/S1 of the area S2 to the area S1 is preferably in the range of 1 to 100, more preferably in the range of 1 to 30, and even more preferably in the range of 1 to 2.

反射層35は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層35が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。反射層35は、熱伝導性の観点から、金属又は合金からなる層を含んでいることが好ましい。一例によれば、反射層35は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる。 The reflective layer 35 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. The layers contained in the reflective layer 35 are, for example, metals, alloys, or transparent dielectrics. From the viewpoint of thermal conductivity, it is preferable that the reflective layer 35 includes a layer made of a metal or an alloy. According to one example, the reflective layer 35 is made of aluminum or an aluminum alloy.

反射層35は、樹脂層34の上面を被覆した部分の厚さが、100乃至5000nmの範囲内にあることが好ましく、100乃至1000nmの範囲内にあることがより好ましい。反射層35を厚くすると、面内方向への熱伝導性が向上する。但し、反射層35を厚くすると、製造コストが上昇する。 The thickness of the reflective layer 35 covering the upper surface of the resin layer 34 is preferably in the range of 100 to 5000 nm, and more preferably in the range of 100 to 1000 nm. Increasing the thickness of the reflective layer 35 improves the thermal conductivity in the in-plane direction. However, increasing the thickness of the reflective layer 35 increases the manufacturing cost.

反射層35は、例えば、スパッタリング法及び真空蒸着法などの気相堆積法による成膜と、エッチングマスクの形成と、ウェットエッチングなどのエッチングとをこの順に行うことにより形成することができる。エッチングマスクは、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィにより形成することができる。このエッチングマスクとして利用した透明樹脂層は、上記のエッチング後に除去してもよく、除去しなくてもよい。 The reflective layer 35 can be formed, for example, by performing deposition by a vapor phase deposition method such as sputtering or vacuum deposition, formation of an etching mask, and etching such as wet etching in this order. The etching mask can be formed by photolithography using a photosensitive resin. The transparent resin layer used as the etching mask may or may not be removed after the above etching.

第1着色層33Rは、図3及び図4に示すように、第1サブ画素PXRの位置で第1貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第1着色層33Rは赤色着色層である。 As shown in Figures 3 and 4, the first colored layer 33R fills the first through-hole at the position of the first sub-pixel PXR. As described above, here, the first colored layer 33R is a red colored layer.

第2着色層33Gは、図3に示すように、第2サブ画素PXGの位置で第1貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第2着色層33Gは緑色着色層である。 As shown in FIG. 3, the second colored layer 33G fills the first through-hole at the position of the second subpixel PXG. As described above, here, the second colored layer 33G is a green colored layer.

下地層33Bは、図3に示すように、第3サブ画素PXBの位置で第1貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、無色の光透過層又は青色着色層である。 As shown in FIG. 3, the base layer 33B fills the first through-hole at the position of the third subpixel PXB. As described above, in this case, it is a colorless light-transmitting layer or a blue-colored layer.

第1波長変換層36Rは、第1着色層33R上に設けられており、第2凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。第1波長変換層36Rは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第1波長変換層36Rは、第1サブ画素PXRの発光素子Dが射出した青色光を赤色光へと変換する。 The first wavelength conversion layer 36R is provided on the first colored layer 33R and fills at least the bottom of the second recess. The first wavelength conversion layer 36R is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the first wavelength conversion layer 36R converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the first subpixel PXR into red light.

第2波長変換層36Gは、第2着色層33G上に設けられており、第2凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。第2波長変換層36Gは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第2波長変換層36Gは、第2サブ画素PXGの発光素子Dが射出した青色光を赤色光へと変換する。 The second wavelength conversion layer 36G is provided on the second colored layer 33G and fills at least the bottom of the second recess. The second wavelength conversion layer 36G is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, the second wavelength conversion layer 36G converts the blue light emitted by the light-emitting element D of the second subpixel PXG into red light.

充填層36Bは、下地層33B上に設けられており、第2凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、充填層36Bは無色透明な層である。この場合、充填層36Bは、例えば、透明樹脂からなる。 The filling layer 36B is provided on the base layer 33B and fills at least the bottom of the second recess. As described above, the filling layer 36B is a colorless and transparent layer. In this case, the filling layer 36B is made of, for example, a transparent resin.

接着層4は、調光装置2とブラックマトリクス基板3Aとの間に介在しており、それらを互いに対して貼り合わせている。接着層4は、発光素子25が射出した光を透過させる。接着層4は、例えば、無色透明な層である。接着層4は、接着剤又は粘着剤からなる。 The adhesive layer 4 is interposed between the light control device 2 and the black matrix substrate 3A, and bonds them to each other. The adhesive layer 4 transmits the light emitted by the light emitting element 25. The adhesive layer 4 is, for example, a colorless and transparent layer. The adhesive layer 4 is made of an adhesive or a pressure sensitive adhesive.

放熱体5Aは、調光装置2とブラックマトリクス基板3と接着層4との積層体の外部に位置している。ここでは、放熱体5Aは、調光装置2及び接着層4を間に挟んでブラックマトリクス基板3と向き合うように設けられた裏面放熱体である。より具体的には、放熱体5Aは、ここでは、調光装置2上に設けられた裏面放熱層である。 The heat sink 5A is located outside the laminate of the dimming device 2, the black matrix substrate 3, and the adhesive layer 4. Here, the heat sink 5A is a back surface heat sink arranged to face the black matrix substrate 3 with the dimming device 2 and the adhesive layer 4 sandwiched therebetween. More specifically, the heat sink 5A here is a back surface heat dissipation layer arranged on the dimming device 2.

放熱体5Aは、高熱伝導性材料からなる。高熱伝導性材料は、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀、チタン、モリブデン、タンタル、タングステン、及びニオブなどの金属;これら金属の1以上を含んだ合金;炭化タングステンなどのカーバイド;グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ、及びダイヤモンドなどの炭素材料;その他の絶縁性セラミック;又は、それらの1以上を含んだ複合材である。放熱体5Aは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The heat sink 5A is made of a highly thermally conductive material. The highly thermally conductive material is, for example, a metal such as copper, aluminum, iron, silver, titanium, molybdenum, tantalum, tungsten, or niobium; an alloy containing one or more of these metals; a carbide such as tungsten carbide; a carbon material such as graphite, graphene, carbon nanotubes, or diamond; another insulating ceramic; or a composite material containing one or more of these. The heat sink 5A may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

放熱体5Aは、表面が平坦である。表面が平坦な放熱体5Aは、例えば、調光装置2上への成膜によって形成することができる。或いは、表面が平坦な放熱体5Aは、調光装置2へ貼り付けることにより、調光装置2上へ設けることができる。表面が平坦な放熱体5Aは、放熱体5Aの形成又は放熱体5Aの調光装置2上への設置が容易である。 The heat sink 5A has a flat surface. The heat sink 5A with a flat surface can be formed, for example, by forming a film on the dimmer 2. Alternatively, the heat sink 5A with a flat surface can be provided on the dimmer 2 by attaching it to the dimmer 2. The heat sink 5A with a flat surface makes it easy to form the heat sink 5A or to install the heat sink 5A on the dimmer 2.

放熱体5Aは、表面が凹凸を有していてもよい。例えば、放熱体5Aは、表面に複数のフィン又はピンを有していてもよい。そのような放熱体5Aは、表面積が大きく、放熱性に優れている。 The heat sink 5A may have an uneven surface. For example, the heat sink 5A may have multiple fins or pins on its surface. Such a heat sink 5A has a large surface area and excellent heat dissipation properties.

放熱体5Aの見かけ上の面積SRBと調光装置2の裏面の面積Sとの比SRB/Sは、0.5以上であることが好ましく、0.8以上であることがより好ましい。比SRB/Sを大きくするほど、放熱性が高まる。なお、比SRB/Sの上限値は、例えば1である。比SRB/Sは、1よりも大きくてもよい。 The ratio SRB /S B of the apparent area SRB of the heat sink 5A to the area S B of the back surface of the light control device 2 is preferably 0.5 or more, and more preferably 0.8 or more. The larger the ratio SRB /S B is, the higher the heat dissipation performance is. The upper limit of the ratio SRB /S B is, for example, 1. The ratio SRB /S B may be greater than 1.

放熱体5Aの最小厚さは、100μm以上であることが好ましく、1000μm以上であることがより好ましい。放熱体5Aの最小厚さを大きくすると、放熱体5Aの熱容量が大きくなるとともに、放熱体5Aの熱抵抗が小さくなる。放熱体5Aの最小厚さに上限値がないが、放熱体5Aの最小厚さを大きくすると、表示装置1Aが厚くなる。この観点では、放熱体5Aの最小厚さは、5mm以下であることが好ましい。 The minimum thickness of the heat sink 5A is preferably 100 μm or more, and more preferably 1000 μm or more. Increasing the minimum thickness of the heat sink 5A increases the heat capacity of the heat sink 5A and decreases the thermal resistance of the heat sink 5A. There is no upper limit to the minimum thickness of the heat sink 5A, but increasing the minimum thickness of the heat sink 5A will make the display device 1A thicker. From this perspective, it is preferable that the minimum thickness of the heat sink 5A is 5 mm or less.

伝熱体は、少なくとも部分的に上記積層体の外部に設けられている。伝熱体は、反射層35から放熱体5Aへ熱を導く。ここでは、伝熱体は、上記積層体の端面を少なくとも部分的に被覆している。これにより、伝熱体は、上記積層体の端面の位置で、反射層35及び放熱体5Aと接触している。伝熱体は、上記積層体の周長の略全体に亘って、反射層35及び放熱体5Aと接触していることが好ましい。 The heat transfer body is at least partially provided outside the laminate. The heat transfer body conducts heat from the reflecting layer 35 to the heat sink 5A. Here, the heat transfer body at least partially covers the end face of the laminate. As a result, the heat transfer body is in contact with the reflecting layer 35 and the heat sink 5A at the position of the end face of the laminate. It is preferable that the heat transfer body is in contact with the reflecting layer 35 and the heat sink 5A over substantially the entire circumference of the laminate.

上記の通り、伝熱体は、ここでは、主伝熱体6A及び補助伝熱体7からなる。
主伝熱体6Aは、上記積層体の外部に設けられている。ここでは、主伝熱体6Aは、上記積層体の端面を少なくとも部分的に被覆している。一例によれば、主伝熱体6Aは、高熱伝導性材料からなり、上記積層体の端面に取り付けられた部材である。他の例によれば、主伝熱体6Aは、高熱伝導性材料からなり、上記積層体の端面に形成された層である。
As described above, the heat transfer body here consists of the main heat transfer body 6A and the auxiliary heat transfer body 7.
The main heat conductor 6A is provided outside the stack. Here, the main heat conductor 6A at least partially covers the end face of the stack. In one example, the main heat conductor 6A is a member made of a highly thermally conductive material and attached to the end face of the stack. In another example, the main heat conductor 6A is a layer made of a highly thermally conductive material and formed on the end face of the stack.

補助伝熱体7は、ブラックマトリクス基板3の周縁部の位置で反射層35上に設けられている。一例によれば、補助伝熱体7は、高熱伝導性材料からなり、ブラックマトリクス基板3の周縁部の位置で反射層35上に設置された部材である。他の例によれば、補助伝熱体7は、高熱伝導性材料からなり、ブラックマトリクス基板3の周縁部の位置で反射層35上に形成された層である。補助伝熱体7は、ここでは、反射層35と主伝熱体6Aとに接触している。これにより、補助伝熱体7は、反射層35から主伝熱体6Aへの伝熱を補助する。補助伝熱体7は、省略することができる。 The auxiliary heat conductor 7 is provided on the reflective layer 35 at the peripheral portion of the black matrix substrate 3. In one example, the auxiliary heat conductor 7 is a member made of a highly thermally conductive material and provided on the reflective layer 35 at the peripheral portion of the black matrix substrate 3. In another example, the auxiliary heat conductor 7 is a layer made of a highly thermally conductive material and formed on the reflective layer 35 at the peripheral portion of the black matrix substrate 3. Here, the auxiliary heat conductor 7 is in contact with the reflective layer 35 and the main heat conductor 6A. Thus, the auxiliary heat conductor 7 assists in the transfer of heat from the reflective layer 35 to the main heat conductor 6A. The auxiliary heat conductor 7 can be omitted.

主伝熱体6A及び補助伝熱体7は、上記の通り、高熱伝導性材料からなる。高熱伝導性材料としては、例えば、放熱体5Aについて例示したものを使用することができる。主伝熱体6A及び補助伝熱体7の各々は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 As described above, the main heat transfer body 6A and the auxiliary heat transfer body 7 are made of a highly thermally conductive material. For example, the highly thermally conductive material may be one exemplified for the heat sink 5A. Each of the main heat transfer body 6A and the auxiliary heat transfer body 7 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

この表示装置1Aでは、発光素子25が主な発熱源である。発光素子25において生じた熱の一部は、反射層35及び伝熱体を介して、上記積層体の外部に設置された放熱体5Aへと導かれる。それ故、この表示装置1Aは、上記積層体の内部に熱が蓄積し難く、放熱性に優れている。 In this display device 1A, the light-emitting element 25 is the main heat source. A portion of the heat generated in the light-emitting element 25 is conducted to the heat sink 5A installed outside the laminate via the reflective layer 35 and the heat conductor. Therefore, this display device 1A is less likely to accumulate heat inside the laminate, and has excellent heat dissipation properties.

表示装置1Aは、このように放熱性に優れているので、以下に説明するように、劣化、輝度低下、及び色ずれを生じ難い。 Because the display device 1A has such excellent heat dissipation properties, it is less susceptible to degradation, brightness reduction, and color shift, as described below.

近年、表示装置の用途拡大に向けて、屋外視認性を向上させるべく、出力を高めて高輝度化した表示装置が必要とされている。しかしながら、発光ダイオードを用いた表示装置において高出力化すると、発光ダイオードの発熱により、その近傍に位置した配線及び封止樹脂などの部材が熱劣化するなどの不具合を生じることがある。また、量子ドットなどの蛍光体は、熱劣化並びに高温下での発光時の輝度低下及び色ずれ(可視域において最大強度を示す波長のシフト;以下、波長シフトという)を起こす。特に、発光ダイオードを含み、接着層を介して一対の基板を貼り合わせた構造を有している表示装置では、発熱源である発光ダイオードが大気から隔離されているため、内部に熱が蓄えられ易い。それ故、発光ダイオードが射出する短波長の光(青色光又は紫外光)を、量子ドットなどの蛍光体を用いて、青、緑及び赤色光へと変換して、フルカラー表示を行う高輝度表示装置においては、優れた放熱性が必要である。 In recent years, in order to expand the use of display devices, there is a need for display devices with higher output and higher brightness in order to improve outdoor visibility. However, when the output of a display device using light-emitting diodes is increased, the heat generated by the light-emitting diodes can cause problems such as thermal deterioration of wiring and sealing resins located in the vicinity of the diodes. In addition, phosphors such as quantum dots cause thermal deterioration and a decrease in brightness and color shift when emitting light at high temperatures (a shift in the wavelength that shows the maximum intensity in the visible range; hereinafter referred to as wavelength shift). In particular, in a display device that includes light-emitting diodes and has a structure in which a pair of substrates are bonded together via an adhesive layer, the light-emitting diodes, which are the heat source, are isolated from the atmosphere, so heat is likely to accumulate inside. Therefore, in a high-brightness display device that converts the short-wavelength light (blue light or ultraviolet light) emitted by the light-emitting diodes into blue, green, and red light using phosphors such as quantum dots to perform full-color display, excellent heat dissipation is required.

上記の通り、上述した表示装置1Aでは、発光素子25において生じた熱の一部は、反射層35及び伝熱体を介して、上記積層体の外部に設置された放熱体5Aへと導かれる。それ故、この表示装置1Aは、上記積層体の内部に熱が蓄積し難く、内部が過剰に高い温度になり難い。従って、表示装置1Aは、量子ドットなどの劣化、輝度低下、及び色ずれ(波長シフト)を生じ難い。 As described above, in the display device 1A described above, a portion of the heat generated in the light-emitting element 25 is conducted to the heat sink 5A installed outside the laminate via the reflective layer 35 and the heat conductor. Therefore, in this display device 1A, heat is less likely to accumulate inside the laminate, and the inside is less likely to become excessively hot. Therefore, the display device 1A is less likely to experience deterioration of quantum dots, reduction in brightness, and color shift (wavelength shift).

また、表示装置1Aでは、放熱体5Aを裏面に設けているため、放熱体5Aが表示を妨げることがない。それ故、放熱体5Aには、様々な構造を採用することができる。 In addition, in the display device 1A, the heat sink 5A is provided on the back surface, so the heat sink 5A does not interfere with the display. Therefore, various structures can be adopted for the heat sink 5A.

また、貫通孔を有している樹脂層とこれを被覆した金属層とを含んだ隔壁層をブラックマトリクス基板に設けた構造は、LED基板とブラックマトリクス基板との貼り合わせ前におけるLED基板のリペアに有利である。これについて、以下に説明する。 In addition, a structure in which a partition layer including a resin layer having through holes and a metal layer covering the resin layer is provided on a black matrix substrate is advantageous for repairing the LED substrate before bonding the LED substrate to the black matrix substrate. This will be described below.

マイクロLEDディスプレイの輝度を向上させるためには、発光ダイオードを隔てる隔壁の反射率を高くすることが有効である。また、隣接画素間における混色を防止するためには、隔壁の遮光性を高くする必要がある。以上から、高い反射率と遮光性を両立した隔壁が求められている。 In order to improve the brightness of micro LED displays, it is effective to increase the reflectance of the partitions separating the light-emitting diodes. Also, in order to prevent color mixing between adjacent pixels, it is necessary to increase the light-blocking properties of the partitions. For these reasons, there is a demand for partitions that combine high reflectance and light-blocking properties.

隔壁を含んだ隔壁層に、貫通孔を有する樹脂層上に反射層を形成した構造を採用すると、製造の容易さ、高い反射率、及び高い遮光性を達成できる。 By adopting a structure in which a reflective layer is formed on a resin layer having through holes in a partition layer containing partitions, it is possible to achieve ease of manufacturing, high reflectance, and high light blocking properties.

貫通孔を有する樹脂層を形成するには、露光及び現像工程を含む周知のフォトリソグラフィを利用することが望ましい。しかしながら、高低差が大きな凹凸を表面に有しているLED基板には、フォトレジストを均一に成膜することが難しい。また、樹脂層を形成する際に、フォトレジスト塗布及び現像などの溶液が触れる工程でLED基板に不良が生じる虞がある。 To form a resin layer having through holes, it is desirable to use well-known photolithography, which includes exposure and development processes. However, it is difficult to form a uniform film of photoresist on an LED substrate, which has a surface with large height differences. In addition, when forming the resin layer, there is a risk of defects occurring in the LED substrate during processes in which the substrate comes into contact with solutions, such as photoresist application and development.

上記問題点を解決するために、発光ダイオード上に保護膜を形成することもできる。しかしながら、保護膜を形成した後に発光ダイオードに不良が見つかった場合、LED基板のリペアができなくなり、結果として歩留まりを低下させる要因となる。 To solve the above problems, a protective film can be formed on the light-emitting diode. However, if a defect is found in the light-emitting diode after the protective film is formed, the LED substrate cannot be repaired, which results in a lower yield.

貫通孔を有している樹脂層とこれを被覆した金属層とを含んだ隔壁層をブラックマトリクス基板に設けた場合、高さが大きな隔壁をLED基板に形成する必要がなく、場合によっては、LED基板から隔壁を省略することができる。それ故、歩留まりを低下させることなしに、製造の容易さ、高い反射率、及び高い遮光性を達成できる。 When a partition layer including a resin layer having through holes and a metal layer covering the resin layer is provided on a black matrix substrate, it is not necessary to form a tall partition on the LED substrate, and in some cases, the partition can be omitted from the LED substrate. Therefore, it is possible to achieve ease of manufacture, high reflectance, and high light blocking properties without reducing yield.

<2>第2実施形態
図6は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の一部を示す断面図である。図7は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の一部を示す他の断面図である。
<2> Second embodiment Fig. 6 is a cross-sectional view showing a part of a display device according to a second embodiment of the present invention, and Fig. 7 is another cross-sectional view showing a part of a display device according to the second embodiment of the present invention.

図6及び図7に示す表示装置1Bは、以下の構成を採用したこと以外は、上述した表示装置1Aと同様である。即ち、表示装置1Bは、放熱体5A及び主伝熱体6Aの代わりに、放熱体5B及び主伝熱体6Bを含んでいる。なお、表示装置1Bにおいて、ブラックマトリクス基板3と放熱体5Bとは、放熱性ブラックマトリクス基板を構成している。放熱性ブラックマトリクス基板は、補助伝熱体7を更に含むことができる。 The display device 1B shown in Figures 6 and 7 is similar to the display device 1A described above, except that it employs the following configuration. That is, the display device 1B includes a heat sink 5B and a main heat conductor 6B instead of a heat sink 5A and a main heat conductor 6A. In addition, in the display device 1B, the black matrix substrate 3 and the heat sink 5B constitute a heat dissipating black matrix substrate. The heat dissipating black matrix substrate can further include an auxiliary heat conductor 7.

放熱体5Bは、透明基板31の第2主面上に設けられた前面放熱層である。放熱体5Bは、ブラックマトリクス32に設けられた第1貫通孔の位置で開口している。 The heat sink 5B is a front heat sink layer provided on the second main surface of the transparent substrate 31. The heat sink 5B is open at the position of the first through hole provided in the black matrix 32.

放熱体5Bは、高熱伝導性材料からなる。高熱伝導性材料としては、例えば、放熱体5Bについて例示したものを使用することができる。放熱体5Bは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The heat sink 5B is made of a highly thermally conductive material. As the highly thermally conductive material, for example, the materials exemplified for the heat sink 5B can be used. The heat sink 5B may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

放熱体5Bは、表面が黒色であることが好ましい。表面が黒色である放熱体5Bは、例えば、表面又は全体が、クロム、酸化窒化銅、カーボンナノチューブ、グラファイト及びグラフェンの1以上を含む。表面が黒色である放熱体5Bは、ブラックマトリクス32と同様の役割を果たし得る。 The heat sink 5B preferably has a black surface. The surface or entirety of the heat sink 5B having a black surface contains, for example, one or more of chromium, copper oxide nitride, carbon nanotubes, graphite, and graphene. The heat sink 5B having a black surface can fulfill a similar role to the black matrix 32.

放熱体5Bの見かけ上の面積SRFとブラックマトリクス基板3の全面の面積Sとの比SRF/Sは、0.5以上であることが好ましく、0.8以上であることがより好ましい。比SRB/Sを大きくするほど、放熱性が高まる。但し、比SRB/Sを過剰に大きくすると、ブラックマトリクス基板3からの光の一部が放熱体5Bによって遮られる可能性がある。比SRF/Sは、0.995以下であることが好ましく、0.98以下であることがより好ましい。 The ratio S RF /S F of the apparent area S RF of the heat sink 5B to the overall area S F of the black matrix substrate 3 is preferably 0.5 or more, and more preferably 0.8 or more. The larger the ratio S RB /S B , the higher the heat dissipation performance. However, if the ratio S RB /S B is excessively large, there is a possibility that part of the light from the black matrix substrate 3 will be blocked by the heat sink 5B. The ratio S RF /S F is preferably 0.995 or less, and more preferably 0.98 or less.

放熱体5Bの厚さは、0.1μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましい。放熱体5Bの厚さを大きくすると、放熱体5Bの熱容量が大きくなるとともに、放熱体5Bの熱抵抗が小さくなる。但し、放熱体5Bを過剰に厚くすると、表示面を斜め方向から観察した場合に、ブラックマトリクス基板3からの光の一部が放熱体5Bによって遮られ易くなる。この観点では、放熱体5Bの最小厚さは、1mm以下であることが好ましい。 The thickness of the heat sink 5B is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 10 μm or more. Increasing the thickness of the heat sink 5B increases the heat capacity of the heat sink 5B and decreases the thermal resistance of the heat sink 5B. However, if the heat sink 5B is made excessively thick, when the display surface is observed from an oblique direction, part of the light from the black matrix substrate 3 is likely to be blocked by the heat sink 5B. From this perspective, it is preferable that the minimum thickness of the heat sink 5B is 1 mm or less.

主伝熱体6Bは、調光装置2とブラックマトリクス基板3と接着層4との積層体の外部に設けられている。ここでは、主伝熱体6Bは、上記積層体の端面を少なくとも部分的に被覆している。一例によれば、主伝熱体6Bは、高熱伝導性材料からなり、上記積層体の端面に取り付けられた部材である。他の例によれば、主伝熱体6Bは、高熱伝導性材料からなり、上記積層体の端面に形成された層である。 The main heat conductor 6B is provided outside the laminate of the light control device 2, the black matrix substrate 3, and the adhesive layer 4. Here, the main heat conductor 6B at least partially covers the end face of the laminate. In one example, the main heat conductor 6B is a member made of a highly thermally conductive material and attached to the end face of the laminate. In another example, the main heat conductor 6B is a layer made of a highly thermally conductive material and formed on the end face of the laminate.

主伝熱体6Bは、高熱伝導性材料からなる。高熱伝導性材料としては、例えば、放熱体5Aについて例示したものを使用することができる。主伝熱体6Bは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The main heat transfer body 6B is made of a highly thermally conductive material. For example, the highly thermally conductive material exemplified for the heat sink 5A can be used. The main heat transfer body 6B may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

この表示装置1Bも、表示装置1Aと同様に、放熱性に優れている。従って、表示装置1Bは、量子ドットなどの劣化、輝度低下、及び色ずれ(波長シフト)を生じ難い。 Like display device 1A, display device 1B also has excellent heat dissipation properties. Therefore, display device 1B is less susceptible to deterioration of quantum dots, reduction in brightness, and color shift (wavelength shift).

また、表示装置1Bでは、放熱体5Bを前面に設けている。表示装置を含んだ電子機器では、通常、表示装置は、その前面が電子機器の外部へ露出するとともに、その裏面が筐体の内部空間と隣接するように筐体に設置される。それ故、表示装置1Aは、電子機器に搭載した場合に、放熱体5Bと外気との間での熱交換を生じ易い。 In addition, the display device 1B has a heat sink 5B on its front surface. In electronic devices that include a display device, the display device is typically installed in a housing so that its front surface is exposed to the outside of the electronic device and its back surface is adjacent to the internal space of the housing. Therefore, when the display device 1A is mounted in an electronic device, heat exchange is likely to occur between the heat sink 5B and the outside air.

更に、表示装置1Bにおいても、貫通孔を有している樹脂層とこれを被覆した金属層とを含んだ隔壁層をブラックマトリクス基板に設けているので、高さが大きな隔壁をLED基板に形成する必要がなく、場合によっては、LED基板から隔壁を省略することができる。それ故、歩留まりを低下させることなしに、製造の容易さ、高い反射率、及び高い遮光性を達成できる。 Furthermore, in the display device 1B, a partition layer including a resin layer having through holes and a metal layer covering the resin layer is provided on the black matrix substrate, so there is no need to form a tall partition on the LED substrate, and in some cases, the partition can be omitted from the LED substrate. Therefore, ease of manufacture, high reflectance, and high light blocking properties can be achieved without reducing yield.

<3>変形例
上述した表示装置及び放熱性ブラックマトリクス基板には、以下に例示するように、様々な変形が可能である。
<3> Modifications Various modifications are possible for the display device and the heat dissipating black matrix substrate described above, as exemplified below.

図8は、第1変形例に係る表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。図9は、第2変形例に係る表示装置が含んでいるブラックマトリクス基板の一部を示す平面図である。 Figure 8 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in a display device according to a first modified example. Figure 9 is a plan view showing a part of a black matrix substrate included in a display device according to a second modified example.

図8に示すブラックマトリクス基板3Aは、Y方向へ各々が伸び、X方向へ配列した複数のスリットSL1が反射層35に設けられていること以外は、図1乃至図5を参照しながら説明したブラックマトリクス基板3と同様である。図9に示すブラックマトリクス基板3Bは、X方向へ各々が伸び、Y方向へ配列した複数のスリットSL1が反射層35に設けられていること以外は、図1乃至図5を参照しながら説明したブラックマトリクス基板3と同様である。このように、反射層35には、スリットなどの開口を設けてもよい。 The black matrix substrate 3A shown in FIG. 8 is similar to the black matrix substrate 3 described with reference to FIG. 1 to FIG. 5, except that the reflective layer 35 has a plurality of slits SL1 each extending in the Y direction and arranged in the X direction. The black matrix substrate 3B shown in FIG. 9 is similar to the black matrix substrate 3 described with reference to FIG. 1 to FIG. 5, except that the reflective layer 35 has a plurality of slits SL1 each extending in the X direction and arranged in the Y direction. In this way, the reflective layer 35 may be provided with openings such as slits.

反射層35と放熱体5A又は5Bとを熱的に接続する伝熱体は、調光装置2とブラックマトリクス基板3と接着層4との積層体の内部に設けてもよい。例えば、表示装置1Aにおいて、主伝熱体6A及び補助伝熱体7を省略するとともに、Z方向へ伸びた1以上の貫通孔を調光装置2に設けて、これら貫通孔の側壁を高熱伝導性材料で被覆するか又はこれら貫通孔を高熱伝導性材料で充填し、更に、これら貫通孔内の高熱伝導性材料からなる主伝熱体と反射層35との間に、高熱伝導性材料からなる補助伝熱体を設置してもよい。或いは、表示装置1Bにおいて、主伝熱体6A及び補助伝熱体7を省略するとともに、Z方向へ伸びた1以上の貫通孔をブラックマトリクス基板3に設けて、これら貫通孔の側壁を高熱伝導性材料で被覆するか又はこれら貫通孔を高熱伝導性材料で充填し、これら貫通孔内の高熱伝導性材料からなる伝熱体を介して、反射層35を放熱体5Bへ熱的に接続してもよい。 The heat conductor that thermally connects the reflective layer 35 and the heat sink 5A or 5B may be provided inside the laminate of the light control device 2, the black matrix substrate 3, and the adhesive layer 4. For example, in the display device 1A, the main heat conductor 6A and the auxiliary heat conductor 7 may be omitted, and one or more through holes extending in the Z direction may be provided in the light control device 2, the side walls of these through holes may be coated with a highly thermally conductive material or these through holes may be filled with a highly thermally conductive material, and further, an auxiliary heat conductor made of a highly thermally conductive material may be provided between the main heat conductor made of a highly thermally conductive material and the reflective layer 35 in these through holes. Alternatively, in the display device 1B, the main heat conductor 6A and the auxiliary heat conductor 7 may be omitted, and one or more through holes extending in the Z direction may be provided in the black matrix substrate 3, the side walls of these through holes may be coated with a highly thermally conductive material or these through holes may be filled with a highly thermally conductive material, and the reflective layer 35 may be thermally connected to the heat sink 5B via the heat conductor made of a highly thermally conductive material in these through holes.

調光装置2等に設ける回路には、図2とは異なる構成を採用することができる。
例えば、映像信号線ドライバVDRは、映像信号線VSLへ映像信号として電流信号を供給するものであってもよい。この場合、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBの各々は、映像信号を書き込む書込期間においては、駆動制御素子DRのゲート-ソース間電圧がこの電流信号に対応した値に設定され、発光期間においては、上記ゲート-ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流を発光素子Dへ流すように構成してもよい。また、調光装置2には、アクティブマトリクス駆動方式により画像を表示するための回路を採用する代わりに、パッシブマトリクス駆動方式により画像を表示するための回路を採用してもよい。
A circuit provided in the dimmer 2 or the like may have a configuration different from that shown in FIG.
For example, the video signal line driver VDR may supply a current signal as a video signal to the video signal line VSL. In this case, each of the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB may be configured such that, during a write period in which a video signal is written, the gate-source voltage of the drive control element DR is set to a value corresponding to this current signal, and during a light emission period, a drive current having a magnitude corresponding to the gate-source voltage is passed to the light-emitting element D. Furthermore, instead of employing a circuit for displaying an image by an active matrix drive method, the light control device 2 may employ a circuit for displaying an image by a passive matrix drive method.

発光素子25として、青色発光ダイオードを使用する代わりに、紫外発光ダイオードを使用してもよい。この場合、充填層36Bは、第3サブ画素PXBの発光素子25が射出した光を、第1光及び第2光とは色が異なる第3光へと変換する波長変換層である。例えば、第1波長変換層36R、第2波長変換層36G、及び充填層36Bは、発光素子25が射出した紫外光を、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光へと変換する。 Instead of using a blue light-emitting diode as the light-emitting element 25, an ultraviolet light-emitting diode may be used. In this case, the filling layer 36B is a wavelength conversion layer that converts the light emitted by the light-emitting element 25 of the third subpixel PXB into a third light having a different color from the first light and the second light. For example, the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B convert the ultraviolet light emitted by the light-emitting element 25 into red light, green light, and blue light, respectively.

発光素子25として、単一種類の発光ダイオードを使用する代わりに、複数種類の発光ダイオードを使用してもよい、例えば、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBにおいて、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードをそれぞれ使用してもよい。この場合、第1着色層33R及び第2着色層33Gの代わりに、下地層33Bについて上述したのと同様の層を設け、第1波長変換層36R及び第2波長変換層36Gの代わりに、充填層36Bについて上述したのと同様の層を設けてもよい。 Instead of using a single type of light-emitting diode as the light-emitting element 25, multiple types of light-emitting diodes may be used; for example, red light-emitting diodes, green light-emitting diodes, and blue light-emitting diodes may be used in the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB, respectively. In this case, instead of the first colored layer 33R and the second colored layer 33G, a layer similar to that described above for the base layer 33B may be provided, and instead of the first wavelength conversion layer 36R and the second wavelength conversion layer 36G, a layer similar to that described above for the filling layer 36B may be provided.

上記の表示装置はカラー画像の表示が可能であるが、表示装置は、モノクローム画像を表示するものであってもよい。例えば、表示装置1Aにおいて、第1サブ画素PXR及び第2サブ画素PXGを省略し、発光素子25として青色発光ダイオードを使用し、充填層36Bを、青色光を黄色光へ変換する波長変換層とする。充填層36Bが、これに入射した青色光の一部を黄色光へ変換し、残りを透過させる場合、青色と黄色との加法混色による白色の表示が可能である。 Although the above display device is capable of displaying color images, the display device may also display monochrome images. For example, in display device 1A, the first subpixel PXR and the second subpixel PXG are omitted, a blue light-emitting diode is used as the light-emitting element 25, and the filling layer 36B is a wavelength conversion layer that converts blue light to yellow light. When the filling layer 36B converts a portion of the blue light incident thereon into yellow light and transmits the remainder, it is possible to display white by additively mixing blue and yellow colors.

ブラックマトリクス基板は、ブラックマトリクス32と樹脂層34との間に介在したオーバーコート層を更に含んでいてもよい。オーバーコート層は、透明樹脂と、紫外線吸収剤、イエロー顔料及び透明粒子の1以上とを含むことができる。紫外線吸収剤を含んだオーバーコート層は、樹脂層34へ入射した迷光が紫外光である場合に、これを吸収し得る。 The black matrix substrate may further include an overcoat layer interposed between the black matrix 32 and the resin layer 34. The overcoat layer may include a transparent resin and one or more of an ultraviolet absorbing agent, a yellow pigment, and transparent particles. The overcoat layer containing an ultraviolet absorbing agent can absorb stray light that enters the resin layer 34 when the stray light is ultraviolet light.

有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの、マイクロLEDディスプレイ以外の表示装置であってもよい。但し、表示装置は、発光素子を含んでいることが好ましい。
以下に、当初の特許請求の範囲に記載していた発明を付記する。
[1]
第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含んだブラックマトリクス基板と、
前記第1主面と向き合うように設置された調光装置と、
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置との間に介在して、それらを貼り合わせた接着層と、
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置と前記接着層との積層体の外部に位置した放熱体と、
前記反射層から前記放熱体へ熱を導く伝熱体と
を備えた表示装置。
[2]
前記調光装置は複数の発光素子を含んだ項1に記載の表示装置。
[3]
前記調光装置は複数の発光ダイオードを含んだ項1に記載の表示装置。
[4]
前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第2貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に含んだ項1に記載の表示装置。
[5]
前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第1貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に含んだ項1に記載の表示装置。
[6]
前記反射層は、金属又は合金からなる層を含んだ項1に記載の表示装置。
[7]
前記放熱体は、前記調光装置及び前記接着層を間に挟んで前記ブラックマトリクス基板と向き合うように設けられた裏面放熱体を含んだ項1に記載の表示装置。
[8]
前記裏面放熱体は、前記調光装置上に設けられた裏面放熱層である項7に記載の表示装置。
[9]
前記放熱体は、前記第2主面上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置で開口した前面放熱層を含んだ項1に記載の表示装置。
[10]
前記前面放熱層は表面が黒色である項9に記載の表示装置。
[11]
前記伝熱体は、少なくとも一部が前記積層体の外部に設けられた項1に記載の表示装置。
[12]
前記伝熱体は、前記積層体の端面を少なくとも部分的に被覆した項11に記載の表示装置。
[13]
前記伝熱体は、前記積層体の外部に設けられた主伝熱体と、前記ブラックマトリクス基板の周縁部で前記反射層上に設けられた補助伝熱体とを含んだ項11に記載の表示装置。
[14]
第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含んだブラックマトリクス基板と、
前記第2主面上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置で開口した前面放熱層と
を備えた放熱性ブラックマトリクス基板。
[15]
前記前面放熱層は表面が黒色である項14に記載の放熱性ブラックマトリクス基板。
The display device may be other than a micro LED display, such as an organic electroluminescent display device, although the display device preferably includes light emitting elements.
The invention as originally claimed is set forth below.
[1]
a black matrix substrate including: a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at positions corresponding to the plurality of first through holes; and a reflective layer at least partially covering each sidewall of the plurality of second through holes and an upper surface of the resin layer;
A light control device disposed to face the first main surface;
an adhesive layer interposed between the black matrix substrate and the light control device and bonding them together;
a heat sink located outside a laminate of the black matrix substrate, the light control device, and the adhesive layer;
a heat conductor that conducts heat from the reflective layer to the heat sink;
A display device comprising:
[2]
2. The display device according to item 1, wherein the light control device includes a plurality of light emitting elements.
[3]
2. The display device according to claim 1, wherein the light control device includes a plurality of light emitting diodes.
[4]
2. The display device according to item 1, wherein the black matrix substrate further includes a plurality of wavelength conversion layers respectively provided in at least some of the second through holes.
[5]
2. The display device according to item 1, wherein the black matrix substrate further includes a color filter including a plurality of colored layers disposed at positions of at least some of the plurality of first through holes.
[6]
2. The display device according to item 1, wherein the reflective layer includes a layer made of a metal or an alloy.
[7]
2. The display device according to item 1, wherein the heat sink includes a back surface heat sink provided to face the black matrix substrate with the light control device and the adhesive layer sandwiched therebetween.
[8]
8. The display device according to item 7, wherein the rear surface heat sink is a rear surface heat sink layer provided on the light control device.
[9]
2. The display device according to item 1, wherein the heat sink includes a front heat sink layer provided on the second main surface and opening at the positions of the plurality of first through holes.
[10]
10. The display device according to item 9, wherein the front heat dissipation layer has a black surface.
[11]
2. The display device according to item 1, wherein at least a portion of the heat transfer body is provided outside the laminate.
[12]
Item 12. The display device according to item 11, wherein the heat transfer body at least partially covers an end face of the laminate.
[13]
Item 12. The display device according to item 11, wherein the heat conductor includes a main heat conductor provided outside the laminate and an auxiliary heat conductor provided on the reflective layer at the periphery of the black matrix substrate.
[14]
a black matrix substrate including: a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at positions corresponding to the plurality of first through holes; and a reflective layer at least partially covering each sidewall of the plurality of second through holes and an upper surface of the resin layer;
a front heat dissipation layer provided on the second main surface and opening at the positions of the first through holes;
A heat dissipating black matrix substrate comprising:
[15]
Item 15. The heat-dissipating black matrix substrate according to item 14, wherein the front heat-dissipating layer has a black surface.

1A…表示装置、1B…表示装置、2…調光装置、3…ブラックマトリクス基板、3A…ブラックマトリクス基板、3B…ブラックマトリクス基板、4…接着層、5A…放熱体、5B…放熱体、6A…主伝熱体、6B…主伝熱体、7…補助伝熱体、21…基板、22…半導体層、23A…導体層、23B…導体層、23C…導体層、23D…導体層、24A…絶縁層、24B…絶縁層、24C…絶縁層、25…発光素子、26…隔壁層、27…充填層、28…導体層、31…透明基板、32…ブラックマトリクス、33B…下地層、33G…第2着色層、33R…第1着色層、34…樹脂層、35…反射層、36B…充填層、36G…第2波長変換層、36R…第1波長変換層、251…第1層、252…第2層、253…第3層、C…キャパシタ、D…発光素子、DR…駆動制御素子、PSL…電源線、PX…画素、PXB…第3サブ画素、PXG…第2サブ画素、PXR…第1サブ画素、SDR…走査信号線ドライバ、SL1…スリット、SL2…スリット、SSL…走査信号線、SW…スイッチ、VDR…映像信号線ドライバ、VSL…映像信号線、W1…距離、W1…距離、W1…距離。 1A...display device, 1B...display device, 2...light control device, 3...black matrix substrate, 3A...black matrix substrate, 3B...black matrix substrate, 4...adhesive layer, 5A...heat sink, 5B...heat sink, 6A...main heat conductor, 6B...main heat conductor, 7...auxiliary heat conductor, 21...substrate, 22...semiconductor layer, 23A...conductor layer, 23B...conductor layer, 23C...conductor layer, 23D...conductor layer, 24A...insulating layer, 24B...insulating layer, 24C...insulating layer, 25...light emitting element, 26...partition layer, 27...filling layer, 28...conductor layer, 31...transparent substrate, 32...black matrix, 33B...underlayer, 33 G...second colored layer, 33R...first colored layer, 34...resin layer, 35...reflective layer, 36B...filling layer, 36G...second wavelength conversion layer, 36R...first wavelength conversion layer, 251...first layer, 252...second layer, 253...third layer, C...capacitor, D...light-emitting element, DR...drive control element, PSL...power supply line, PX...pixel, PXB...third sub-pixel, PXG...second sub-pixel, PXR...first sub-pixel, SDR...scanning signal line driver, SL1...slit, SL2...slit, SSL...scanning signal line, SW...switch, VDR...video signal line driver, VSL...video signal line, W1...distance, W x1 ...distance, W y1 ...distance.

Claims (15)

第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含んだブラックマトリクス基板と、
前記第1主面と向き合うように設置された調光装置と、
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置との間に介在して、それらを貼り合わせた接着層と、
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置と前記接着層との積層体の外部に位置した放熱体と、
前記反射層から前記放熱体へ熱を導く伝熱体と
を備えた表示装置。
a black matrix substrate including: a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at positions corresponding to the plurality of first through holes; and a reflective layer at least partially covering each sidewall of the plurality of second through holes and an upper surface of the resin layer;
A light control device disposed to face the first main surface;
an adhesive layer interposed between the black matrix substrate and the light control device and bonding them together;
a heat sink located outside a laminate of the black matrix substrate, the light control device, and the adhesive layer;
a heat conductor that conducts heat from the reflective layer to the heat sink.
前記調光装置は複数の発光素子を含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the light control device includes a plurality of light-emitting elements. 前記調光装置は複数の発光ダイオードを含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the dimming device includes a plurality of light-emitting diodes. 前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第2貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the black matrix substrate further includes a plurality of wavelength conversion layers each disposed in at least a portion of the plurality of second through holes. 前記ブラックマトリクス基板は、前記複数の第1貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the black matrix substrate further includes a color filter including a plurality of colored layers each disposed at at least some of the positions of the plurality of first through holes. 前記反射層は、金属又は合金からなる層を含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the reflective layer includes a layer made of a metal or an alloy. 前記放熱体は、前記調光装置及び前記接着層を間に挟んで前記ブラックマトリクス基板と向き合うように設けられた裏面放熱体を含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the heat sink includes a back surface heat sink arranged to face the black matrix substrate with the light control device and the adhesive layer sandwiched therebetween. 前記裏面放熱体は、前記調光装置上に設けられた裏面放熱層である請求項7に記載の表示装置。 The display device according to claim 7, wherein the rear surface heat sink is a rear surface heat sink layer provided on the light control device. 前記放熱体は、前記第2主面上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置で開口した前面放熱層を含んだ請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the heat sink includes a front heat sink layer provided on the second main surface and opening at the positions of the first through holes. 前記前面放熱層は表面が黒色である請求項9に記載の表示装置。 The display device according to claim 9, wherein the front heat dissipation layer has a black surface. 前記伝熱体は、少なくとも一部が前記積層体の外部に設けられた請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein at least a portion of the heat transfer body is provided outside the laminate. 前記伝熱体は、前記積層体の端面を少なくとも部分的に被覆した請求項11に記載の表示装置。 The display device according to claim 11, wherein the heat transfer body at least partially covers the end face of the laminate. 前記伝熱体は、前記積層体の外部に設けられた主伝熱体と、前記ブラックマトリクス基板の周縁部で前記反射層上に設けられた補助伝熱体とを含んだ請求項11に記載の表示装置。 The display device according to claim 11, wherein the heat transfer body includes a main heat transfer body provided outside the laminate and an auxiliary heat transfer body provided on the reflective layer at the periphery of the black matrix substrate. 第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含んだブラックマトリクス基板と、
前記第2主面上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置で開口した前面放熱層と
前記反射層と前記前面放熱層とを熱的に接続する伝熱体と
を備えた放熱性ブラックマトリクス基板。
a black matrix substrate including: a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at positions corresponding to the plurality of first through holes; and a reflective layer at least partially covering each sidewall of the plurality of second through holes and an upper surface of the resin layer;
a front heat dissipation layer provided on the second main surface and opening at the positions of the first through holes ;
a heat conductor that thermally connects the reflective layer and the front heat dissipation layer;
A heat dissipating black matrix substrate comprising:
前記前面放熱層は表面が黒色である請求項14に記載の放熱性ブラックマトリクス基板。 The heat dissipating black matrix substrate according to claim 14, wherein the front heat dissipation layer has a black surface.
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