JP7466723B2 - 電子デバイス - Google Patents

Description

本開示は、基体とチップとの間に空間が位置している電子デバイスに関する。

例えば、弾性波チップを用いた電子デバイスとして特許文献１（弾性表面波装置）が知られている。特許文献１に開示される弾性表面波装置は、回路配線基板と、この回路配線基板に実装された弾性表面波素子と、この弾性表面波素子の外周面を囲い回路配線基板に接合された封止樹脂と、を有している。回路配線基板と弾性表面波素子との間には、空間が位置している。

特開２０１７－１７５４２７号公報

耐久性のある電子デバイスの提供が待たれている。

本開示の一態様にかかる電子デバイスは、第１面と、前記第１面上に位置する第１パッドと、を有する基体と、
前記第１面に接合され、前記第１パッドを囲う第１開口部があけられた接合部材と、
前記第１開口部を介して前記第１面に対向し、前記第１パッドに接続された第１チップと、
前記第１チップの外周面を覆うと共に、前記接合部材を介して前記基体に接合された封止部と、
を有し、
前記接合部材のガラス転移温度は、前記封止部のガラス転移温度より高い。

上記構成によれば、耐久性のある電子デバイスの提供ができる。

実施形態による基体構造体の斜視図である。 図１に示された基体構造体のII－II線断面図である。 図２に示されたIII拡大図である。 図２に示された第１チップ又は第２チップの斜視図である。 図５Ａは、基体構造体に第１～第２バンプを形成すると共に実装体を基体構造体に載置する工程を説明する図であり、図５Ｂは、基体構造体に実装体を実装する工程を説明する図であり、図５Ｃは、図５ＢのVc拡大図である。 図６Ａは、図２に示された電子デバイスの第１変形例における第１チップ周辺を示した図であり、図６Ｂは、図２に示された電子デバイスの第２変形例における第１チップ周辺を示した図である。 図２に示された電子デバイスの第３変形例を示す図である。

本開示の実施形態を添付図を用いて以下説明する。前後左右上下の各方向は、図１を基準として、Ｆｒは前、Ｒｒは後、Ｌｅは左、Ｒｉは右、Ｕｐは上、Ｄｎは下を示している。尚、参照する各図面は模式的に示されており、細部が省略されていることもある。

［実施形態］
（電子デバイス）
図１を参照する。電子デバイス１は、例えば、外部の装置に接続される複数の外部端子２３Ａ～２３Ｆ（詳細は後述する）を有している。これらの外部端子２３Ａ～２３Ｆが外部の装置に接続されることにより、電子デバイス１は、外部の装置に実装される。図１に示す電子デバイス１は、基体構造体１０と、この基体構造体１０に実装された実装体２と、を有している。

（基体構造体）
基体構造体１０は、例えば、平板形状を呈している。平板形状を呈する基体構造体１０は、例えば、厚さ方向に見て、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよい。更に、基体構造体１０は、実装体２よりも大きくてもよいし、実装体２よりも小さくてもよいし、実装体２と同一の大きさであってもよい。基体構造体１０の厚さは、例えば、７０μｍ以上であってもよいし、２００μｍ以上であってもよいし、４００μｍ以上であってもよいし、７００μｍ以上であってもよい。基体構造体１０の大きさ及び形状は、任意である。

図１及び図２を参照する。例えば、基体構造体１０は、基体２０と、この基体２０に接合された接合部材３０と、を有している。

（基体）
図２に示す基体２０は、３層以上の導体層を有する多層板である。但し、その他の態様において、基体２０は、上面及び下面のみに合計２つの導体層を有する両面板であってもよいし、上面にのみ導体層を有する単層基板であってもよい。以下、多層板の基体２０について説明する。

基体２０は、例えば、平板形状を呈する基板である。基体２０は、例えば、基体構造体１０の大部分（例えば、８０％以上）を占めている。１つの態様として、基体２０の大きさ及び形状は、基体構造体１０の大きさ及び形状を援用できる。但し、基体２０は、例えば、基体構造体１０を占める割合が８０％以下であってもよい。

基体２０の線膨張係数は、任意の設定することができる。例えば、基体２０の線膨張係数は、４～１２ｐｐｍ／Ｋであってもよいし、５～１０ｐｐｍ／Ｋであってもよい。例えば、水平方向（前後左右方向）における基体２０の線膨張係数が４～８ｐｐｍ／Ｋであり、鉛直方向における基体２０の線膨張係数が６～１２ｐｐｍ／Ｋであってもよい。即ち、水平方向と鉛直方向とで基体２０の線膨張係数が異なっていてもよい。基体２０の線膨張係数は、例えば、基体２０の温度をプログラムに従って変化させ、その過程で基体２０に一体の圧力を加えながら基体２０の寸法変化を測定することによって求めることができる。このような測定方法の１つとして、熱機械分析（ＴＭＡ法）を用いることができる。

基体２０のガラス転移温度は、例えば、２７０℃以下であってもよいし、２６０℃以下であってもよいし、２５０℃以下であってもよいし、２４０℃以下であってもよい。１つの態様として、基体２０のガラス転移温度を２４０～２７０℃の範囲内に設定してもよい。基体２０材料は、任意である。例えば、ガラス転移温度が所定の値になるよう基体２０の材料を選択してもよい。基体２０のガラス転移温度は、例えば、基体２０の温度をプログラムに従って変化させ、その際の物性の変化を測定する熱機械分析（ＴＭＡ法）によって求めることができる。以下、後述する接合部材３０及び封止部６０等におけるガラス転移温度の測定もこれと同様の方法を用いてよい。

基体２０のヤング率は、任意である。例えば、基体２０のヤング率は、１２～４０ＧＰａであってもよいし、１５～３３ＧＰａであってもよい。

図２に示す基体２０は、絶縁性の基体本体部２１と、この基体本体部２１の上面２１ａに位置する複数のパッド２２Ａ～２２Ｄと、基体本体部２１の下面２１ｂに位置する複数の外部端子２３Ａ～２３Ｆ（図１参照）と、これらパッド２２Ａ～２２Ｄ及び外部端子２３Ａ～２３Ｆを繋ぐと共に基体本体部２１の内部に位置している内部導体２４と、基体本体部２１の内部に位置する繊維体２５と、を有している。

基体本体部２１の材料は、任意である。例えば、基体本体部２１の材料は、無機材料であってもよいし、有機材料であってもよい。無機材料としては、例えば、セラミック、複数の無機粒子を互いに結合したアモルファス状態の材料を挙げることができる。有機材料としては、例えば、熱硬化樹脂を挙げることができる。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。本実施形態では、基体本体部２１の材料が有機材料である場合を例に取る。

図２に示す基体本体部２１は、接合部材３０が接合された第１面２１ａと、この第１面２１ａの反対側に位置する第２面２１ｂと、これら第１面２１ａ及び第２面２１ｂを繋いでいる第３面２１ｃと、を有している。第１面２１ａは、基体本体部２１の上面を構成し、第２面２１ｂは、基体本体部２１の下面を構成し、第３面２１ｃは、基体本体部２１の側面を構成している。

図２及び図３を参照する。パッド２２Ａ～２２Ｄの厚さ及び形状は、任意である。例えば、パッド２２Ａ～２２Ｄの厚さ（上下方向）は、１μｍ以上５０μｍ以下である。パッド２２Ａ～２２Ｄは、その厚さが全て同一であってもよいし、その厚さがそれぞれ異なっていてもよいし、一部のパッドのみが他のパッドとの関係で厚さが異なっていてもよい。平面視におけるパッド２２Ａ～２２Ｄの形状は、例えば、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよいし、矩形状であってもよい。パッド２２Ａ～２２Ｄは、全ての形状が同一であってもよいし、一部のパッドのみが他のパッドとの関係で形状が異なっていてもよい。以下、複数のパッド２２Ａ～２２Ｄの中から任意に選択した１つを単にパッド２２と呼ぶこともある。

図１及び図２を参照する。パッド２２の数は、任意に設定することができる。例えば、パッド２２の数は、４以上であってもよいし、８以上であってもよい。パッド２２の数は、外部端子２３の数に合わせて設定してもよい。

外部端子２３Ａ～２３Ｆの大きさ及び形状は、任意である。外部端子２３Ａ～２３Ｆは、例えば、矩形の平板形状を呈していてもよいし、上下方向に所定の長さを有する針形状を呈していてもよい。尚、複数の外部端子２３Ａ～２３Ｆは、全てが同一の大きさであってもよいし、それぞれ大きさが異なっていてもよいし、大きさが異なる外部端子及び大きさが同一の外部端子が混在していてもよい。図２に示す外部端子２３Ａ～２３Ｆは、それぞれ矩形の平板形状を呈している。以下、複数の外部端子２３Ａ～２３Ｆの中から任意に選択した１つを単に外部端子２３と呼ぶこともある。

外部端子２３の数は、任意に設定することができる。例えば、外部端子２３の数は、３以上であってもよいし、６以上であってもよいし、１２以上であってもよい。

内部導体２４は、ビア導体及び導体パターンによって構成されている。これらビア導体及び導体パターンは、互いに連続している。ビア導体の径は、例えば、６０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。ビア導体は、例えば、断面の形状が円形状であってもよいし、断面の形状が矩形状であってもよい。導体パターンは、層状を呈している。導体パターンの厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。

繊維体２５は、例えば、不織布又は織布である。図２には、織布を含む繊維体２５が示されている。図２に示す繊維体２５は、前後方向に延びる繊維から構成されている経糸２５ａと、左右に延びる緯糸２５ｂから構成されている緯糸２５ｂと、を有している。経糸２５ａ及び緯糸２５ｂは、ガラス繊維のみによって構成されていてもよいし、炭素繊維のみによって構成されていてもよいし、一部がガラス繊維で構成され残部がガラス以外の素材（例えば、炭素繊維）によって構成されてもよい。繊維体２５にガラス繊維が含まれている場合、繊維体２５は、ガラスクロスである、ということができる。ガラスクロスは、ガラス繊維を含んでいる。ガラス繊維（ガラス）は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分として含んでいる。

上記構成以外に、基体２０の第１面２１ａには、ソルダレジストが塗布されていてもよい。

（接合部材）
図２に示す接合部材３０は、基体２０と実装体２との間に位置し、両者を接合している。接合部材３０の形状は、任意である。図１に示す接合部材３０は、層状（平板形状を含む）を呈している。接合部材３０は、平面透視において、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよい。接合部材３０は、接合部材３０が接合される基体２０の面に合わせて、その形状を変更してもよい。

図２及び図３を参照する。平面透視において、接合部材３０は、第１面２１ａよりも僅かに大きくてもよいし、基体２０の第１面２１ａよりも小さくてもよいし、基体２０の第１面２１ａと同一の大きさであってもよい。接合部材３０の厚さは、基体２０の厚さの１／２以下であってもよいし、１／４以下であってもよいし、１／８以下であってもよいし、１／１６以下であってもよいし、１／３２以下であってもよいし、１／２以上であってもよい。パッド２２Ａ～２２Ｄよりも厚くてもよいし、パッド２２Ａ～２２Ｄよりも薄くてもよい。接合部材３０の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。

接合部材３０の線膨張係数は、任意に設定することができる。例えば、接合部材３０の線膨張係数は、１～８ｐｐｍ／Ｋであってもよく、３～５ｐｐｍ／Ｋであってもよい。例えば、接合部材３０は、水平方向と鉛直方向との線膨張係数が異なっていてもよいし、水平方向と鉛直方向との線膨張係数が同一であってもよい。例えば、接合部材３０の線膨張係数は、基体２０の線膨張係数より小さくてよい。より詳細には、接合部材３０の線膨張係数は、水平方向及び鉛直方向における基体２０の線膨張係数より小さくてよい。

接合部材３０のガラス転移温度は、例えば、２５０℃以上であってもよいし、２６０℃以上であってもよいし、２７０℃以上であってもよい。例えば、接合部材３０のガラス転移温度は、基体２０のガラス転移温度より高くてもよい。但し、接合部材３０のガラス転移温度は、基体２０のガラス転移温度と同一であってもよいし、基体２０のガラス転移温度より低くてもよい。例えば、ガラス転移温度が所望の値になるよう、接合部材３０の材料を選択してもよい。

接合部材３０のヤング率は、任意である。接合部材３０のヤング率は、基体２０のヤング率より大きくてもよいし、基体２０のヤング率と同一であってもよいし、基体２０のヤング率より小さくてもよい。例えば、接合部材３０のヤング率は、１５～１５０ＧＰａの範囲内に設定されてもよいし、３０～１００ＧＰａの範囲内に設定されてもよいし、４５～１００ＧＰａの範囲内に設定されてもよい。

図２に示す接合部材３０には、接合部材３０の上面及び下面に開口する２つの開口部３１、３２があけられている。一方の開口部３１（図２において左側に位置する開口部３１）を第１開口部３１と呼び、他方の開口部３２（図２において右側に位置する開口部３２）を第２開口部３２と呼ぶ。第１開口部３１の内側には、所定の広さの空間が形成されており、パッド２２Ａ、２２Ｂ（以下、「第１パッド２２Ａ、２２Ｂ」と呼ぶ）が位置している。一方、第２開口部３２の内側には、所定の広さの空間が形成されており、パッド２２Ｃ、２２Ｄ（以下、「第２パッド２２Ｃ、２２Ｄ」と呼ぶ）が位置している。第１開口部３１の内壁３１ａは、第１パッド２２Ａ、２２Ｂを囲っており、第２開口部３２の内壁３２ａは、第２パッド２２Ｃ、２２Ｄを囲っている。上記第１開口部３１及び第２開口部３２は、例えば、レーザー又は打ち抜きによってあけられる。接合部材３０の第１開口部３１及び第２開口部３２を除いた部分（接合部材３０を構成する材料で満たされている部分）を中実部３３と呼ぶ。

第１開口部３１及び第２開口部３２の大きさ及び形状は、任意である。第１開口部３１及び第２開口部３２は、大きさが同一であってもよいし、大きさが異なっていてもよい。平面透視において、第１開口部３１及び第２開口部３２は、矩形状であってもよいし、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよい。平面透視において、第１開口部３１及び第２開口部３２は、同一の形状を呈していてもよいし、異なる形状を呈していてもよい。

接合部材３０は、補強材３４と、この補強材３４に含浸された母材３５と、を有している。

（補強材）
例えば、補強材３４は布である。布は、織布であってもよいし、不織布であってもよい。図２には、織布である補強材３４が示されている。補強材３４の密度は、任意に設定される。

補強材３４の大きさ及び形状は、任意である。平面透視において、補強材３４は、母材３５よりも大きくてもよいし、母材３５と同一の大きさであってもよいし、母材３５よりも小さくてもよい。更に、補強材３４は、上下方向において、母材３５よりも薄くてもよいし、母材３５より厚くてもよい。補強材３４の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。補強材３４は、平面透視において、例えば、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよい。

図２に示す補強材３４は、前後方向に延びている縦糸３４ａと、この縦糸３４ａに交差し左右方向に延びている横糸３４ｂと、を有している。図３を併せて参照する。縦糸３４ａは、前後方向に延びる繊維が複数集まって構成されている。一方、横糸３４ｂは、左右方向に延びる繊維が複数集まって構成されている。尚、補強材３４の編まれ方は、縦糸３４ａ及び横糸３４ｂを含む織布に限定されない。

縦糸３４ａ及び横糸３４ｂは、例えば、ガラス繊維のみによって構成されていてもよいし、炭素繊維のみによって構成されていてもよい。更に、縦糸３４ａ及び横糸３４ｂは、一部がガラス繊維で構成され、残部がガラス以外の素材（例えば、炭素繊維）によって構成されていてもよい。縦糸３４ａ及び横糸３４ｂがガラス繊維を含んでいる場合、補強材３４（布）は、ガラスクロスである、と言うことができる。ガラスクロスは、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とするガラスを含んでいてもよい。

例えば、ガラス転移温度を向上させる観点から、補強材３４を構成する繊維を選択してもよい。例えば、補強材３４がガラス繊維から構成されることによって、ガラス転移温度を向上させてもよい。更に、補強材３４の密度（縦糸３４ａ及び横糸３４ｂの密度）を変化させることにより、ガラス転移温度を向上させてもよい。例えば、縦糸密度及び/又は横糸密度を大きくすることで、ガラス転移温度を向上させてもよい。

縦糸３４ａは、縦糸３４ａが延びる方向に垂直な断面を見て、水平方向に繊維が複数並んだ細長い形状をしていてもよい。一方、横糸３４ｂは、横糸３４ｂが延びる方向に垂直な断面を見て、水平方向に繊維が複数並んだ細長い形状をしていてよい。縦糸３４ａ及び横糸３４ｂがこのような形状をしていることにより、ガラスクロス（布）を薄くすることができる。これにより、基体構造体１０がコンパクトになる。

図２に示す補強材３４は、その全体が母材３５の内部に位置している。但し、その他の態様において、補強材３４は、例えば、一部（例えば、大部分）が母材３５の内部に位置し、残部が母材３５の表面から母材３５の外部に露出していてもよい。

（母材）
図２に示す母材３５は、概ね接合部材３０の外形を構成している。このため、図２に示す母材３５の大きさ及び形状については、接合部材３０の大きさ及び形状を援用することができる。但し、母材３５は、その全体が補強材３４よりも小さく、補強材３４の外形を構成していなくてもよい。

図２を参照する。母材３５は、例えば、樹脂である。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化樹脂を挙げることができる。

（実装体）
実装体２は、接合部材３０を介して基体２０に接合されている。実装体２の大きさは、任意である。実装体２は、基体構造体１０よりも大きくてもよいし、基体構造体１０よりも小さくてもよいし、基体構造体１０と同一の大きさであってもよい。実装体２の形状は、任意である。例えば、実装体２は、矩形の板形状を呈していてもよいし、矩形状を呈していなくてもよい。

図２に示す実装体２は、第１パッド２２Ａ、２２Ｂに接続された第１チップ４０と、第２パッド２２Ｃ、２２Ｄに接続された第２チップ５０と、これら第１チップ４０及び第２チップ５０の外周面を覆うと共に接合部材３０（基体構造体１０）に接合された封止部６０と、を有している。

第１チップ４０及び第２チップ５０は、例えば、電気信号が入力されることにより弾性波が伝搬するという特性を利用し、所定の電気信号を出力可能な弾性波チップである。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）であってもよいし、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）であってもよい。更に、弾性波チップを単にチップと呼ぶこともできる。弾性波チップは、例えば、弾性波共振子を有するチップであってもよいし、弾性波フィルタを有するチップであってもよい。尚、第１チップ４０及び第２チップ５０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）であってもよい。図４を併せて参照する。図４には、１ポートＳＡＷ共振子を有するチップが模式的に示されている。例えば、このような第１チップ４０及び第２チップ５０が第１パッド２２Ａ、２２Ｂ及び第２パッド２２Ｃ、２２Ｄに接続され基体構造体１０に実装される。

（第１チップ）
図２を参照する。第１チップ４０は、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の上方に位置し、第１開口部３１を介して第１面２１ａに対向すると共に第１パッド２２Ａ、２２Ｂに接合されている。第１チップ４０は、バンプ３Ａ、３Ｂ（後述する第１バンプ３Ａ、３Ｂ）を介して第１パッド２２Ａ、２２Ｂに接合されている。

図４を参照する。図４に示す第１チップ４０は、第１チップ基板４１と、この第１チップ基板４１の表面（下面）に位置する第１励振電極４２と、この第１励振電極４２を挟んでいる一対の第１反射器４３Ａ、４３Ｂと、第１励振電極４２とは離れて位置する２つの第１端子４４Ａ、４４Ｂと、これらの第１端子４４Ａ、４４Ｂ及び第１励振電極４２を接続している第１接続部４５Ａ、４５Ｂと、を有している。

第１チップ基板４１の大きさ及び形状は、任意である。第１チップ基板４１は、矩形の平板形状を呈していてもよいし、円形の平板形状を呈していてもよい。第１チップ基板４１の厚さは、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下である。

図２を併せて参照する。第１チップ基板４１は、基体２０に対向している第１対向面４１ａと、この第１対向面４１ａの反対側に位置する第１反対面４１ｂと、これら第１対向面４１ａ及び第１反対面４１ｂを繋ぐ第１側面４１ｃと、を有している。第１端子４４Ａ、４４Ｂは、第１対向面４１ａ上に位置している。

図３及び図４を参照する。図３に示す第１対向面４１ａは、第１チップ基板４１の下面であって、第１開口部３１を介して第１面２１ａに対向している。図３には、第１対向面４１ａと接合部材３０との間に封止部６０の一部が介在している図が示されている。但し、第１対向面４１ａと接合部材３０との間には、封止部６０の一部が介在していなくてもよい。つまり、第１対向面４１ａは、接合部材３０の上面に当接していなくてもよいし、接合部材３０の上面に当接していてもよい。第１対向面４１ａと接合部材３０との間に位置する封止部６０の一部（第１延長部６６）については後述する。第１対向面４１ａから第１面２１ａまでの距離は、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。第１対向面４１ａは、封止部６０から露出している。

図２及び図４を参照する。第１反対面４１ｂは、第１チップ基板４１の上面であって、全体が封止部６０に当接している。図２に示す第１側面４１ｃは、平面透視において、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の外側に位置する部位を有している。別の観点では、第１チップ４０（第１側面４１ｃ）は、第１面２１ａの平面透視において、接合部材３０の中実部３３に重なる部位を有している、ということができる。

ここで、第１側面４１ｃと第１開口部３１とに着目した場合、平面透視において、第１側面４１ｃは、全体が第１開口部３１の外側に位置してもよいし、全体の７０％以上が第１開口部３１の外側に位置してもよいし、全体の４０％以上が第１開口部３１の外側に位置してもよいし、全体の４０％以下が第１開口部３１の外側に位置してもよい。第１側面４１ｃの全てが第１開口部３１の外部に位置している場合、平面透視において、第１開口部３１は、第１チップ４０によって塞がれている。

第１チップ基板４１は、少なくとも第１対向面４１ａを含む一部が圧電体によって構成されている。例えば、第１チップ基板４１は、全体が圧電体によって構成されていてもよいし、全体が圧電体によって構成されていなくてもよい。全体が圧電体によって構成されていない第１チップ基板４１としては、例えば、後述する第１ベース部４１ｄに板状の圧電体が貼り付けられた基板、及び、第１ベース部４１ｄの表面に圧電膜が形成された基板等を挙げることができる。図４に示す第１チップ基板４１は、平板状（層状も含む）第１ベース部４１ｄに第１圧電部４１ｅが固定された構造をしている。

第１ベース部４１ｄは、例えば、シリコン等の半導体によって構成されてもよいし、酸化アルミニウム等のセラミックによって構成されてもよいし、サファイア等の単結晶材料によって構成されてもよい。第１ベース部４１ｄは、例えば、１つの基板のみによって構成されていてもよいし、２以上の基板が重ねられることによって構成されていてもよい。２以上の基板を含む第１ベース部４１ｄにおいては、これらの基板は、それぞれ材料が異なっていてもよい。第１ベース部４１ｄの線膨張係数は、例えば、１～９ｐｐｍ／Ｋであってもよいし、２～４ｐｐｍ/Ｋであってもよい。

第１ベース部４１ｄの材料は、任意である。例えば、第１ベース部４１ｄが所望のヤング率になるよう第１ベース部４１ｄの材料を選択してよい。第１ベース部４１ｄのヤング率は、例えば、１６０～２１０ＧＰａである。

図４に示す第１圧電部４１ｅは、平板形状（層形状も含む）を呈している。第１圧電部４１ｅは、第１励振電極４２に信号が入力されると（電圧が印加されると）表面に弾性波が生じる部材である。第１圧電部４１ｅの材料は、例えば、水晶、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウム等である。第１圧電部４１ｅのヤング率は、例えば、２１０～２５０ＧＰａである。

第１圧電部４１ｅの線膨張係数は、例えば、第１ベース部４１ｄの線膨張係数よりも大きくてもよい。第１圧電部４１ｅの線膨張係数は、例えは、１０～１８ｐｐｍ／Ｋである。第１圧電部４１ｅは、上下前後左右の各方向において、線膨張係数が異なっていてもよい。例えば、上下方向の線膨張係数は、前後方向及び／又は左右方向の線膨張係数より小さくてもよいし、前後方向及び左右方向の線膨張係数より大きくてもよい。１つの態様として、第１圧電部４１ｅは、上下方向の線膨張係数が８～１５ｐｐｍ／Ｋであり、左右方向の線膨張係数が１２～１８ｐｐｍ／Ｋであり、前後方向の線膨張係数が１０～１６ｐｐｍ／Ｋであってもよい。

図４には、第１ベース部４１ｄの下面全体に第１圧電部４１ｅが貼り合わされた（固定された）図が示されている。但し、第１圧電部４１ｅは、例えば、第１ベース部４１ｄの下面の一部のみに設けられていてもよい。第１圧電部４１ｅは、例えば、第１ベース部４１ｄより薄くてもよい。第１圧電部４１ｅは、有機材料又は無機材料を含む接着剤によって第１ベース部４１ｄに固定されていてもよいし、直接第１ベース部４１ｄに固定（接合）されていてもよい。

第１励振電極４２は、例えば、互いに噛み合う、２つの櫛歯状（すだれ状）の金属層を含むＩＤＴ電極である。第１励振電極４２は、例えば、１層の金属層における電極であってもよいし、２層以上の金属層における電極であってもよい。金属層は、例えば、アルミニウム、銅又はこれらの合金等であってもよい。第１励振電極４２は、第１接続部４５Ａ、４５Ｂを介して第１端子４４Ａ、４４Ｂに接続されている。

図４に示す第１励振電極４２は、所定の方向（例えば、弾性波の伝搬方向）に延びると共に両端のそれぞれが一対の第１反射器４３Ａ、４３Ｂに臨んでいる２つの第１バスバー４２ａ、４２ｂと、これら２つの第１バスバー４２ａ、４２ｂに直交する第１電極指４２ｃ、４２ｄと、を有している。

第１電極指４２ｃは、第１バスバー４２ａから第１バスバー４２ｂに向かって延びており、第１電極指４２ｄは、第１バスバー４２ｂから第１バスバー４２ａに向かって延びている。第１電極指４２ｃは、第１バスバー４２ａのみに繋がっており、第１電極指４２ｄは、第１バスバー４２ｂのみに繋がっている。

第１電極指４２ｃ、４２ｄの数は、任意である。複数設けられた第１電極指４２ｃ、４２ｄは、それぞれ互いが噛み合うよう、交互に配列されている。隣接する第１電極指４２ｃと第１電極指４２ｄとの間の距離（ピッチ）は、任意である。この距離（ピッチ）を変更することにより、第１圧電部４１ｅを伝搬する弾性波の周波数を変えることができる。第１電極指４２ｃと第１電極指４２ｄとの距離を半波長とする弾性波が、第１圧電部４１ｅを伝搬するようになる。隣接する第１電極指４２ｃと第１電極指４２ｄとの距離は、所望の周波数における弾性波が生じるよう適宜設定してもよい。

第１反射器４３Ａ、４３Ｂは、第１励振電極４２から伝搬した弾性波を第１励振電極４２に向かって反射可能である。第１反射器４３Ａ、４３Ｂは、第１励振電極４２と共に、第１圧電部４１ｅの下面に位置し基体２０に臨んでいる。但し、第１励振電極４２及び第１反射器４３Ａ、４３Ｂは、例えば、第１接続部４５Ａ、４５Ｂと共に、それぞれ絶縁性の保護膜によって覆われていてもよい。

図４に示す第１反射器４３Ａ、４３Ｂは、それぞれ所定方向（弾性波が伝搬する方向）に延びる２つの第１バスバー４３ａ、４３ｂと、これら２つの第１バスバー４３ａ、４３ｂに直交し２つの第１バスバー４３ａ、４３ｂに繋がっている第１ストリップ電極４３ｃと、を有している。第１反射器４３Ａ、４３Ｂには、それぞれ第１ストリップ電極４３ｃが複数設けられている。

図２を併せて参照する。第１励振電極４２及び一対の第１反射器４３Ａ、４３Ｂは、平面透視において、第１開口部３１の内側に位置している。これにより、第１励振電極４２及び第１反射器４３Ａ、４３Ｂは、第１チップ基板４１と基体２０とに挟まれる空間（後述する第１領域Ｒｅ１）に位置することになる。結果、第１圧電部４１ｅでの弾性波の伝搬が容易になる。

図４のみ参照する。図４には、第１励振電極４２及び一対の第１反射器４３Ａ、４３Ｂを１つのみ有する第１チップ４０が示されている。しかしながら、第１チップ４０は、第１励振電極４２及び一対の第１反射器４３Ａ、４３Ｂを複数有していてもよい。更には、複数設けられた第１励振電極４２によって、ラダー型フィルタまたは多重モード型フィルタが構成されてもよい。後述する第２チップ５０についても同様である。

（第２チップ）
第１チップの説明は、第２チップ５０の説明に援用されてよい。この際、第１チップ基板４１は第２チップ基板５１に、第１励振電極４２は第２励振電極５２に、第１反射器４３Ａ、４３Ｂは第２反射器５３Ａ、５３Ｂに、第１端子４４Ａ、４４Ｂは第２端子５４Ａ、５４Ｂに、第１接続部４５Ａ、４５Ｂは第２接続部５５Ａ、５５Ｂに読み替えることができる。また、第１励振電極４２を構成する第１バスバー４２ａ、４２ｂ及び第１電極指４２ｃ、４２ｄについては、第２バスバー５２ａ、５２ｂ及び第２電極指５２ｃ、５２ｄに読み替えることができる。更に、第１反射器４３Ａ、４３Ｂを構成する第１バスバー４３ａ、４３ｂ及び第１ストリップ電極４３ｃについては、第２バスバー５３ａ、５３ｂ及び第２ストリップ電極５３ｃと読み替えることができる。以下、第２チップ５０の説明をするが、第１チップ４０と共通する部分については省略する。

図２を参照する。第２チップ５０は、接合部材３０にあけられた第２開口部３２の上方に位置し、第２開口部３２を介して第１面２１ａに対向すると共に第２パッド２２Ｃ、２２Ｄに接合されている。第２チップ５０は、バンプ３Ｃ、３Ｄ（後述する第２バンプ３Ｃ、３Ｄ）を介して第２パッド２２Ｃ、２２Ｄに接合されている。

図２に示す第２側面５１ｃは、平面透視において、接合部材３０にあけられた第２開口部３２の外側に位置する部位を有している。別の観点では、第２チップ５０（第２側面５１ｃ）は、第１面２１ａの平面透視において、接合部材３０の中実部３３に重なる部位を有している、ということができる。平面透視における第２開口部３２の外側に位置する第２側面５１ｃの割合は、平面透視における第１開口部３１の外側に位置する第１側面４１ｃの割合と同一であってもよいし、これと異なっていてもよい。

（第１チップ及び第２チップの関係）
第１チップ４０の形状及び寸法、及び、第２チップ５０の形状及び寸法は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

１つの態様として、第１チップ４０及び第２チップ５０は、外部端子２３を介して電気的に接続されていてもよい。外部端子２３を介して第１チップ４０及び第２チップ５０が接続されることにより、電子デバイス１は、例えば、分波器（例えば、デュプレクサ）を構成することができる。例えば、第１チップ４０を、送信用の通過帯領域の周波数を有する電気信号のみを通過させるフィルタとし、第２チップ５０を、受信用の通過帯領域の周波数を有する電気信号のみを通過させるフィルタとしてもよい。尚、送信用の通信帯域及び受信用の通信帯域は、互いに重ならない。

第１チップ４０及び第２チップ５０は、それぞれバンプ３Ａ～３Ｄを介して第１パッド２２Ａ、２２Ｂ及び第２パッド２２Ｃ、２２Ｄと電気的に接続されている。以下、第１チップ４０及び第１パッド２２Ａ、２２Ｂを繋いでいるバンプ３Ａ、３Ｂを第１バンプ３Ａ、３Ｂと呼び、第２チップ５０及び第２パッド２２Ｃ、２２Ｄを繋いでいるバンプ３Ｃ、３Ｄを第２バンプ３Ｃ、３Ｄと呼ぶ。

（第１バンプ）
図２及び図３を参照する。第１バンプ３Ａ、３Ｂは、基体２０と第１チップ４０との間に位置し、第１パッド２２Ａ、２２Ｂと第１端子４４Ａ、４４Ｂとを通電可能に接続している。第１バンプ３Ａ、３Ｂの高さ（第１パッド２２Ａ、２２Ｂから第１端子４４Ａ、４４Ｂまでの距離）は、例えば、接合部材３０の厚さよりも小さい。第１バンプ３Ａ、３Ｂの高さは、例えば、接合部材３０の厚さの１倍以下であってもよいし、４／５倍以下であってもよいし、３／５倍以下であってもよいし、２／５倍以下であってもよいし、１／５倍以下であってもよい。図２に示す第１バンプ３Ａ、３Ｂは、全体が第１開口部３１の内側に位置し、第１開口部３１の内壁３１ａに囲われている。

第１バンプ３Ａ、３Ｂの大きさ及び形状は、任意である。例えば、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、水平方向に沿った断面において、第１パッド２２Ａ、２２Ｂ及び／又は第１端子４４Ａ、４４Ｂよりも大きくてもよいし、第１パッド２２Ａ、２２Ｂ及び第１端子４４Ａ、４４Ｂよりも小さくてもよい。更に、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、水平方向に沿った断面において、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよい。

第１バンプ３Ａ、３Ｂは、例えば、はんだである。はんだは、鉛を含むはんだであってもよいし、鉛を含まないはんだであってもよい。鉛を含むはんだとしては、Ｐｂ－Ｓｎ合金はんだ等が挙げられる。鉛を含まないはんだとしては、Ａｕ－Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ－Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ－Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ－Ｃｕ合金はんだ等が挙げられる。尚、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、導電性のフィラーを熱硬化樹脂等に混ぜ込まれてなる、導電性の接着材であってもよい。

第１バンプ３Ａ、３Ｂの線膨張係数は、例えば、１８～２５ｐｐｍ／Ｋの範囲内に設定されてもよいし、２０～２３ＰＰｍ／Ｋの範囲内に設定されてもよい。例えば、第１バンプ３Ａ、３Ｂの線膨張係数は、接合部材３０の線膨張係数よりも大きい。即ち、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、第１バンプ３Ａ、３Ｂよりも線膨張係数が小さな接合部材３０に囲われている、ということができる。第１バンプ３Ａ、３Ｂの線膨張係数は、例えば、第１圧電部４１ｅの線膨張係数よりも大きくてもよい。第１バンプ３Ａ、３Ｂの線膨張係数は、封止部６０の線膨張係数よりも大きくてもよいし、封止部６０の線膨張係数よりも小さくてもよい。

（第２バンプ）
図２を参照する。例えば、第１バンプ３Ａ、３Ｂは、第２バンプ３Ｃ、３Ｄに援用することができる。以下、第２バンプ３Ｃ、３Ｄの説明をするが、第１バンプ３Ａ、３Ｂと共通する部分は省略する。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、基体２０と第２チップ５０との間に位置し、第２パッド２２Ｃ、２２Ｄ及び第２端子５４Ａ、５４Ｂとを通電可能に接続している。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、第１バンプ３Ａ、３Ｂよりも高くてもよいし、第１バンプ３Ａ、３Ｂよりも低くてもよいし、第１バンプ３Ａ、３Ｂと高さが同一であってもよい。

図２に示す第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、全体が第２開口部３２の内側に位置し、第２開口部３２の内壁３２ａに囲われている。第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、接合部材３０にあけられた第２開口部３２の外側に位置する部位を有していない。第２開口部３２の高さについては、第１開口部３１の高さの説明を援用できる。

（封止部）
図２に示す封止部６０は、第１チップ４０及び第２チップ５０の下面が露出するよう、これら第１チップ４０及び第２チップ５０の上面及び外周面を覆っている。封止部６０は、基体構造体１０と共に、第１チップ４０及び第２チップ５０の全体を覆っている。

封止部６０の線膨張係数は、任意に設定することができる。例えば、封止部６０の線膨張係数は、６～８０ｐｐｍ／Ｋであってもよい。封止部６０の線膨張係数は、水平方向（前後左右方向）と鉛直方向とで異なっていてもよい。例えば、水平方向の線膨張係数が６～３０ｐｐｍ／Ｋであって、鉛直方向の線膨張係数が２０～８０ｐｐｍ／Ｋであってもよい。封止部６０の線膨張係数は、接合部材３０の線膨張係数より大きくてよい。より詳細には、水平方向及び鉛直方向における封止部６０の線膨張係数は、水平方向及び／又は鉛直方向における接合部材３０の線膨張係数より大きくてもよい。

封止部６０のガラス転移温度は、接合部材３０のガラス転移温度より低く設定される。言い換えると、接合部材３０のガラス転移温度は、封止部６０のガラス転移温度より高い。このため、接合部材３０は、封止部６０と比べ、熱が加えられてもガラス状態になり難い（柔らかくなり難い）、ということができる。

封止部６０のガラス転移温度は、例えば、１１０～２００℃の範囲内に設定されてよい。例えば、封止部６０のガラス転移温度は、接合部材３０のガラス転移温度より低く設定される条件の下、接合部材３０との差が１４０℃以下となるよう設定されてもよいし、接合部材３０との差が９０℃以下となるよう設定されてもよいし、接合部材３０との差が７０℃以下となるよう設定されてもよいし、接合部材３０との差が４０℃以下となるよう設定されてもよい。

封止部６０の材料は、例えば、有機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、樹脂（熱硬化樹脂）を挙げることができる。熱硬化樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等を挙げることができる。繰り返しになるが、封止部６０のガラス転移温度は、接合部材３０のガラス転移温度より小さい。このような条件の下で、封止部６０の材料を選択する。封止部６０のヤング率は、例えば、０．０５～１７Ｇｐａの範囲内であってよい。更に、封止部６０のヤング率は、温度によって異なっていてもよい。例えば、封止部６０のヤング率は、常温（例えば、１５～３０℃）では１０～２０ＧＰａであり、高温（例えば、２２０℃～２７０℃）では１．５ＧＰａ以下であってもよい。尚、封止部６０のヤング率は、接合部材３０のヤング率より小さくてもよい。封止部６０の材料は、母材３５の材料と同一であってもよいし、母材３５の材料と異なっていてもよい。尚、封止部６０は、フィラーを含んでいてもよい。

図２に示す封止部６０は、基体構造体１０（接合部材３０）に接合した下面部６１と、この下面部６１の反対側に位置する上面部６２と、これら下面部６１及び上面部６２を繋ぐ側面部６３と、下面部６１から上面部６２に向かって窪んでいると共に内部に第１チップ４０が位置している第１凹部６４と、下面部６１から上面部６２に向かって窪んでいると共に内部に第２チップ５０が位置している第２凹部６５と、第１凹部６４の内面から接合部材３０に沿って延びている第１延長部６６（図３参照）と、第２凹部６５の内面から接合部材３０に沿って延びている第２延長部６７と、を有している。

図２に示す下面部６１は、全体が接合部材３０に接合されている。第１凹部６４及び第２凹部６５の深さは、それぞれ任意である。第１凹部６４の深さは、第１チップ４０の厚さと同一であってもよいし、第１チップ４０の厚さより小さくてもよい。図２では、第１凹部６４の内面は、第１チップ４０の側面４１ｃに当接している。しかしながら、第１凹部６４の内面は、第１チップ４０の側面４１ｃから離れていてもよい。一方、第２凹部６５の深さは、第２チップ５０の厚さと同一であってもよいし、第２チップ５０の厚さより小さくてもよい。図２では、第２凹部６５の内面は、第２チップ５０の側面５１ｃに当接している。しかしながら、第２凹部６５の内面は、第２チップ５０の側面５１ｃから離れていてもよい。

図３に示す第１延長部６６は、第１凹部６４の内面から接合部材３０の表面に沿って、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の内壁３１ａまで延びている。第１延長部６６は、接合部材３０の上面、及び、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の内壁３１ａに接合している。但し、第１延長部６６は、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の内壁３１ａまで延びず、接合部材３０の上面にのみ接合していてもよい。接合部材３０の表面に沿った第１延長部６６の厚さは、例えば、１μｍ以下であってもよいし、１μｍ以上であってもよい。

図２に示す第２延長部６７の説明については、第１延長部６６の説明を援用できる。第２延長部６７は、接合部材３０の表面に沿って、第２開口部３２の内壁３２ａまで延びていてもよいし、第２開口部３２の内壁３２ａまで延びていなくてもよい。接合部材３０の表面に沿った第２延長部６７の厚さは、例えば、１μｍ以下であってもよいし、１μｍ以上であってもよい。

（領域）
電子デバイス１には、第１バンプ３Ａ、３Ｂを収容する第１領域Ｒｅ１、及び、第２バンプ３Ｃ、３Ｄを収容する第２領域Ｒｅ２が設けられている。第１領域Ｒｅ１は、第１チップ４０（第１対向面４１ａ）、接合部材３０（内壁３１ａ）及び基体２０（第１面２１ａ）によって囲われた領域である。一方、第２領域Ｒｅ２は、第２チップ５０（第２対向面５１ａ）、接合部材３０（内壁３２ａ）及び基体２０（第１面２１ａ）によって囲われた領域である。第１領域Ｒｅ１の高さは、接合部材３０の厚さと同一であってもよいし、接合部材３０の厚さより僅かに（第１延長部６６の厚さ分）大きくてもよい。第２領域Ｒｅ２の高さについても同様である。第１領域Ｒｅ１内及び第２領域Ｒｅ２内は、真空状態であってもよいし、所定の気体（例えば、窒素）で満たされていてもよい。これにより、第１バンプ３Ａ、３Ｂ及び第２バンプ３Ｃ、３Ｄは、直接外部に晒されることが軽減される。結果、電子デバイス１の耐久性を向上させることができる。

次に、電子デバイスの製造方法について説明する。

図５を参照する。図５には、１つの例による電子デバイス１の製造方法を説明する図が示されている。図５Ａのみを参照する。図５Ａに示すように、上記基体２０に接合部材３０が重ねられた基体構造体１０を用意する。接合部材３０は、半硬化（未硬化）状態であってもよいし、硬化状態であってもよい。更に、接合部材３０は、基体２０に接合された状態であってもよいし、基体２０に接合されていない状態であってもよい。接合部材３０は、内部にガラスクロス等の布を含むシート状の部材にレーザーまたはパンチング等によって貫通穴（第１開口部３１及び第２開口部３２）をあけることによって作成できる。

図５Ａ及び図５Ｂを参照する。基体構造体１０を用意したら、例えば、基体構造体１０に第１バンプ３Ａ、３Ｂ及び第２バンプ３Ｃ、３Ｄを形成する。具体的には、第１パッド２２Ａ、２２Ｂに第１バンプ３Ａ、３Ｂを接合し、第２パッド２２Ｃ、２２Ｄに第２バンプ３Ｃ、３Ｄを接合する。次に、第１チップ４０及び第２チップ５０を含む実装体２を用意し、実装体２を基体構造体１０に実装する。実装体２の基体構造体１０への実装は、第１～第２端子４４Ａ、４４Ｂ、５４Ａ、５４Ｂを第１～第２バンプ３Ａ～３Ｄに接続すると共に、封止部６０を接合部材３０に接合することにより行う。

図５Ｂのみ参照する。１つの態様として、封止部６０の接合部材３０への接合は、未硬化状態の接合部材３０の上面に封止部６０を当接させ、接合部材３０を硬化させることにより行うことができる。１つの態様として、封止部６０の接合部材３０への接合は、硬化状態の接合部材３０の上面に封止部６０を当接させ、これを溶融させたのち再び硬化させることにより行うことができる。

尚、図５Ａ及び５図Ｂでは、第１チップ４０及び第２チップ５０を含む実装体２を基体構造体１０に直接接合する方法について説明した。しかしながら、基体構造体１０への実装体２の接合は、上記方法に限定されない。例えば、第１～第２チップ４０、５０を第１～第２パッド２２Ａ～２２Ｄに接合させた後、第１～第２チップ４０、５０を覆う封止部６０を接合部材３０の上面に形成することによって、基体構造体１０に実装体２を実装させてもよい。１つの態様において、封止部６０の形成方法には、例えば、基体構造体１０に実装された第１チップ４０及び第２チップ５０を覆うよう基体構造体１０（接合部材３０）の上面に樹脂（未硬化）を供給し、これを硬化させることによって封止部６０を形成する方法がある。１つの態様において、封止部６０の形成方法には、基体構造体１０に実装された第１チップ４０及び第２チップ５０を覆うよう接合部材３０の上面にシート状の樹脂（未硬化）を配置し、これを加圧及び加熱することによって硬化させ、接合部材３０に接合された封止部６０を形成する方法がある。１つの態様において、封止部６０の形成方法には、例えば、基体構造体１０に実装された第１チップ４０及び第２チップ５０を覆うようスクリーン印刷又はディスペンサによって接合部材３０の上面に溶融した樹脂を供給し、これを硬化させことにより基体構造体１０に接合された封止部６０を形成する方法がある。尚、上記未硬化の樹脂に代えて、粉末の樹脂を用いてもよい。

図５Ｃを併せて参照する。封止部６０の形成において、例えば、封止部６０の一部（以下、「樹脂」と呼ぶこともある）が溶融し、接合部材３０の上面に流れることがある。溶融した樹脂は、例えば、接合部材３０の上面に沿って流れ、接合部材３０にあけられた第１開口部３１及び／又は第２開口部３２の内側に流れ込むこともある。その後、接合部材３０の上面に供給された樹脂が硬化されることにより、第１開口部３１及び／又は第２開口部３２の内側に流れ込んだ樹脂は硬化する。この時、第１開口部３１及び／又は第２開口部３２の内側に流れ込んだ樹脂は、内壁３１ａ及び／又は内壁３２ａに接合する。

図５Ａ～図５Ｃを参照する。図５Ａ～図５Ｃには、１つの基体構造体１０に１つの実装体２を接合する方法が示されている。しかしながら、例えば、配列された複数の基体構造体１０を含むウエハに対し、複数の実装体２（ウエハ状又は個片化状態）を同時に接合してもよい。

図２及び図３を参照する。接合部材３０のガラス転移温度は、封止部６０のガラス転移温度より高い。これにより、接合部材３０は、電子デバイス１に熱が加わっても、封止部６０より容易にガラス状態になる（柔らかくなる）ことが抑制される。このため、接合部材３０は、ガラス状態になり難く、熱が加わっても固い状態を維持することができる。この固い状態を維持できる接合部材３０に封止部６０が接合していることにより、封止部６０には、接合部材３０によって熱膨張しようとする方向とは逆方向の力が加わる。これにより、接合部材３０を介して封止部６０の熱膨張が軽減する。結果、耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

接合部材３０の線膨張係数は、封止部６０の線膨張係数より小さい。これにより、接合部材３０は、封止部６０と比べ、電子デバイス１に熱が加わっても熱膨張の量（体積）が小さくなる。熱膨張が小さい接合部材３０に封止部６０が接合していることにより、封止部６０には、接合部材３０によって熱膨張しようとする方向とは逆方向の力が加わる。これにより、接合部材３０を介して封止部６０の熱膨張が軽減する。結果、より耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

接合部材３０の線膨張係数は、基体２０の線膨張係数より小さい。更に、接合部材３０のガラス転移温度は、基体２０のガラス転移温度より高い。接合部材３０の線膨張係数が基体２０の線膨張係数より小さいことにより、接合部材３０は、熱が加えられた際の膨張量が基体２０より小さくなる。接合部材３０のガラス転移温度が基体２０のガラス転移温度より高いことにより、接合部材３０は、基体２０より容易にガラス状態になることが抑制される。熱膨張が小さく且つガラス転移温度が高い接合部材３０に基体２０が接合していることにより、接合部材３０を介して基体２０の熱膨張が軽減する。よって、より耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

第１対向面４１ａは、封止部６０から露出している。第１対向面４１ａが封止部６０から露出していることにより、外周面が覆われた第１チップ４０において、第１チップ４０と第１パッド２２Ａ、２２Ｂとの電気的な接続を好適にすることができる。

第１面２１ａの平面透視において、第１チップ４０は、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の外側に位置する部位を有している。これにより、例えば、第１チップ４０を大きくした場合にも、第１面２１ａの平面透視において、第１チップ４０が第１開口部３１の内側に位置するよう第１開口部３１を大きくすることが不要になる。結果、接合部材３０（中実部３３）の体積の減少を軽減できる。よって、耐久性のある電子デバイス１を提供できる。

封止部６０は、接合部材３０にあけられた第１開口部３１の内壁３１ａに接合している部位を有している。封止部６０が第１開口部３１の内壁３１ａに接合している部位を有していることにより、封止部６０は、より強く接合部材３０と接合することになる。結果、耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

接合部材３０は、補強材３４と、補強材３４に含浸された母材３５と、を有している。接合部材３０が補強材３４を有していることにより、補強材３４が母材３５のみである場合と比べ、接合部材３０の強度が向上される。結果、耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

接合部材３０の強度が大きくなることによって、電子デバイス１の強度を確保しつつ接合部材３０にあけられた第１開口部３１を大きくすることができる。これにより、第１開口部３１の内側に位置する第１パッド２２Ａ、２２Ｂの配置位置の自由度を向上させることができる。これにより、第１チップ４０の設計の自由度を向上させることができる。
加えて、強度のある接合部材３０によって第１バンプ３Ａ、３Ｂの一部を囲うことができ、第１バンプ３Ａ、３Ｂに加わる負荷を軽減することができる。結果、耐久性のある電子デバイス１を提供できる。

補強材３４は、ガラスクロスである。補強材３４がガラスクロスであることにより、より接合部材３０の強度を向上させることができる。結果、より耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

接合部材３０には、第２パッド２２Ｃ、２２Ｄが位置する箇所に第２開口部３２があけられている。更に、第２チップ５０は、第２開口部３２を介して第２パッド２２Ｃ、２２Ｄに接続されている。第２パッド２２Ｃ、２２Ｄが位置する箇所に第２開口部３２があけられていることにより、第１パッド２２Ａ、２２Ｂ及び第２パッド２２Ｃ、２２Ｄの全てを第１開口部３１の内側に配置させる必要がない。これにより、第１開口部３１のみを大きくする必要がない。結果、接合部材３０の体積の減少を軽減できる。よって、耐久性のある電子デバイス１の提供ができる。

次に、第１変形例における電子デバイスの説明をする。

図６Ａを参照する。図６Ａには、本開示の第１変形例における電子デバイス１０１が示されている。実施形態の電子デバイス１と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（接合部材）
図６Ａに示す接合部材１３０では、第１面２１ａの平面透視において、第１開口部１３１及び第２開口部１３２は、第１チップ４０及び第２チップ５０よりも大きい。別の観点では、第１面２１ａの平面透視において、第１開口部１３１の内壁１３１ａは、第１チップ４０の第１側面４１ｃを囲っており、第２開口部１３２の内壁１３２ａは、第２チップ５０の第２側面５１ｃを囲っている。別の観点では、接合部材１３０の中実部３３は、第１面２１ａの平面透視において、第１チップ４０及び第２チップ５０に重なる部位を有していない、ということができる。これにより、接合部材１３０及び封止部６０がより強く接合することができる。結果、耐久性のある電子デバイス１０１の提供ができる。

次に、第２変形例における電子デバイスの説明をする。

図６Ｂを参照する。図６Ｂには、本開示の第２変形例における電子デバイス２０１が示されている。実施形態の電子デバイス１と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

（接合部材）
図６Ｂに示す接合部材２３０では、第１面２１ａの平面透視において、第１開口部２３１及び第２開口部２３２は、第１チップ４０及び第２チップ５０と同一の大きさを呈している。別の観点では、第１面２１ａの平面透視において、第１チップ４０の側面（第１側面４１ｃ）は、その全体が第１開口部２３１の内壁２３１ａに重なっており、第２チップ５０の第２側面５１ｃは、その全体が第２開口部２３２の内壁２３２ａに重なっている。これにより、平面透視において、接合部材２３０に対し封止部６０が接合する面積を十分に確保することができる。結果、耐久性のある電子デバイス２０１の提供ができる。加えて、第１面２１ａの平面透視において、例えば、第１チップ４０と第１開口部２３１の内壁２３１ａとの間に封止部６０が位置することが軽減されるため、第１バンプ３Ａ、３Ｂ及び第１パッド２２Ａ、２２Ｂが位置する領域Ｒｅ１を十分に確保することができる。これにより、第１チップ４０の設計の自由度を向上することができる。尚、第１面２１ａの平面透視において、第１チップ４０及び第２チップ５０の側面と第１開口部２３１及び第２開口部２３２の内壁２３１ａ、２３２ａが重なっているとは、例えば、それぞれのずれが１０μｍ以下である場合をいう。

次に、第３変形例における電子デバイスの説明をする。

図７を参照する。図７には、本開示の第３変形例における電子デバイス３０１が示されている。実施形態の電子デバイス１と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。

図６に示す基体３２０は、セラミック製の基体本体部３２１と、この基体本体部３２１の上面２１ａに位置する複数のパッド２２Ａ～２２Ｄと、基体本体部３２１の下面２１ｂに位置する複数の外部端子２３Ａ～２３Ｆ（図１参照）と、これらパッド２２Ａ～２２Ｄ及び外部端子２３Ａ～２３Ｆを繋ぐと共に基体本体部３２１の内部に位置している内部導体２４と、を有している。

基体３２０の線膨張係数は、例えば、４～１２ｐｐｍ／Ｋであってもよいし、５～１０ｐｐｍ／Ｋであってもよい。例えば、基体３２０の線膨張係数は、接合部材３０の線膨張係数より大きくてもよい。基体３２０のヤング率は、例えば、２５０～４２０ＧＰａであってもよいし、２８０～３５０ＧＰａであってもよい。

尚、本開示における基体構造体及び電子デバイスは、上記に述べた実施形態及び変形例に限定されず、様々な形態で実施されてよい。以下、基体構造体及び電子デバイスの形態が変形された例を幾つか紹介する。

実施形態では、補強材及び母材のみによって構成されている接合部材の例について説明した。しかしながら、接合部材には、これらの他にフィラー等が含まれていてもよい。また、接合部材３０においては、１つの布（ガラスクロス）に母材が含浸されている例について説明した、しかしながら、接合部材は、複数の布（ガラスクロス）が積層された状態の部材に母材が含浸されていてもよい。更には、接合部材は、ガラスクロスを含まない樹脂のみから構成されていてもよいし、内部にフィラーが位置する樹脂から構成されていてもよい。

実施形態では、第１開口部及び第２開口部があけられた接合部材の例について説明した。しかしながら、接合部材には、開口部が１つのみあけられていてもよいし、開口部が３つ以上あけられていてもよい。平面透視において、チップが１つのみに重なる開口部が２つ以上あけられていてもよいし、２つのチップに重なる開口部が１つのみあけられていてもよい。開口部の数は、適宜変更することができる。

本実施形態では、電子デバイスが２つの弾性波チップを含んでいる例について説明した。しかしながら、電子デバイスが有する弾性波チップの数は、１つのみであってもよいし、３つ以上であってもよい。更に、実施形態では、第１チップ及び第２チップが１ポート共振子である弾性波チップについて説明した。しかしながら、第１チップ及び／又は第２チップは、２ポート共振子であってもよい。つまり、第１チップと第２チップとが必ずしも同一の弾性波チップである必要はない。また、本開示における電子デバイスは、弾性波以外の電子部品（電子素子）を含んでいてもよい。

実施形態では、封止部が、基体の表面に沿って延びる第１延長部及び第２延長部を有する、例について説明した。しかしながら、第１延長部及び第２延長部は、封止部における必須の構成要素ではない。必要に応じて第１延長部及び／又は第２延長部を廃すこともできる。尚、封止部は、第１チップ及び／又は第２チップの外周面（側面）のみを覆っていてもよい。

１、１０１、２０１、３０１…電子デバイス
３Ａ、３Ｂ…第１バンプ
３Ｃ、３Ｄ…第２バンプ
１０、１１０、２１０、３１０…基体構造体
２０、３２０…基体
２１ａ…第１面
２２Ａ、２２Ｂ…第１パッド
２２Ｃ、２２Ｄ…第２パッド
３０、１３０、２３０…接合部材
３０ａ、１３０ａ、２３０ａ…第１開口部
３０ｂ、１３０ｂ、２３０ｂ…第２開口部
３１ａ、１３１ａ、２３１ａ…内壁
３２ａ、１３２ａ、２３２ａ…内壁
４０…第１チップ
５０…第２チップ
６０…封止部

Claims (3)

1. 第１面を有する基体と、
   前記第１面に接合された、第１開口部を有する接合部材と、
   前記第１開口部を介して前記第１面に対向する第１チップと、
   を有し、
   前記接合部材の線膨張係数は、前記基体の線膨張係数より小さく、
   前記接合部材のガラス転移温度は、前記基体のガラス転移温度より高い
   電子デバイス。
2. 第１面を有する基体と、
   前記第１面に接合された、第１開口部を有する接合部材と、
   前記第１開口部内のバンプによって、前記基体に接合された第１チップと、
   前記第１チップおよび前記基体を覆う封止部と、
   を有し、
   前記接合部材は、前記基体および前記第１チップの間に位置し、
   前記接合部材の線膨張係数は、前記封止部の線膨張係数より小さい、
   電子デバイス。
3. 第１面を有する基体と、
   前記第１面に接合された、第１開口部を有する接合部材と、
   前記第１開口部内のバンプによって、前記基体に接合された第１チップと、
   前記第１チップおよび前記基体を覆う封止部と、
   を有し、
   前記接合部材は、前記基体および前記第１チップの間に位置し、
   前記接合部材のガラス転移温度は、前記封止部のガラス転移温度より高い、
   電子デバイス。

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