JP7458950B2 - 描画システム - Google Patents
描画システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7458950B2 JP7458950B2 JP2020158775A JP2020158775A JP7458950B2 JP 7458950 B2 JP7458950 B2 JP 7458950B2 JP 2020158775 A JP2020158775 A JP 2020158775A JP 2020158775 A JP2020158775 A JP 2020158775A JP 7458950 B2 JP7458950 B2 JP 7458950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- stage
- alignment mark
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 261
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 126
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 107
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 80
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Engine Equipment That Uses Special Cycles (AREA)
- Lubricants (AREA)
Description
2a 第1搬送機構
2b 第2搬送機構
4 パターン描画部
9 基板
21a 第1ステージ
21b 第2ステージ
22a 第1移動機構
22b 第2移動機構
51 第1マーク描画部
52 第2マーク描画部
91 第1主面
92 第2主面
93 第1アライメントマーク
94 第2アライメントマーク
111 記憶部
114 描画制御部
514 第1アパーチャ
524 第2アパーチャ
S11~S19,S21~S29 ステップ
Claims (6)
- 基板に対する描画を行う描画システムであって、
下方にて水平移動する基板の上側の主面に対して光を照射してパターンを描画するパターン描画部と、
第1基板保持部、および、前記パターン描画部の下方にて前記第1基板保持部を水平移動する第1移動機構を備える第1搬送機構と、
前記第1基板保持部に保持された基板の下側の主面に対して光を照射して、前記第1搬送機構に関連付けられた第1アライメントマークを描画する第1マーク描画部と、
第2基板保持部、および、前記パターン描画部の下方にて前記第2基板保持部を水平移動する第2移動機構を備える第2搬送機構と、
前記第2基板保持部に保持された基板の下側の主面に対して光を照射して、前記第1アライメントマークとは外観が異なる前記第2搬送機構に関連付けられた第2アライメントマークを描画する第2マーク描画部と、
を備えることを特徴とする描画システム。 - 請求項1に記載の描画システムであって、
前記第1搬送機構により搬送される基板に対して前記パターン描画部により上側の主面に描画されるパターンと前記第1マーク描画部により下側の主面に描画される前記第1アライメントマークとの相対的な位置関係を示す第1位置関係情報、および、前記第2搬送機構により搬送される基板に対して前記パターン描画部により上側の主面に描画されるパターンと前記第2マーク描画部により下側の主面に描画される前記第2アライメントマークとの相対的な位置関係を示す第2位置関係情報を予め記憶する記憶部と、
前記パターン描画部を制御する描画制御部と、
をさらに備え、
前記描画制御部は、前記第1アライメントマークが描画された主面に前記パターン描画部によるパターンの描画が行われる際に、前記第1位置関係情報に基づいて描画位置を調節し、前記第2アライメントマークが描画された主面に前記パターン描画部によるパターンの描画が行われる際に、前記第2位置関係情報に基づいて描画位置を調節することを特徴とする描画システム。 - 請求項1または2に記載の描画システムであって、
前記第1マーク描画部は、光源からの光の一部を通過させる第1マスク部を備え、
前記第2マーク描画部は、前記第1マスク部とは異なる開口を有し、光源からの光の一部を通過させる第2マスク部を備えることを特徴とする描画システム。 - 請求項1ないし3のいずれか1つに記載の描画システムであって、
前記第1アライメントマークおよび前記第2アライメントマークは非相似形であることを特徴とする描画システム。 - 請求項1ないし4のいずれか1つに記載の描画システムであって、
前記第1アライメントマークは、前記第1搬送機構に関する情報を表示するバーコードであり、
前記第2アライメントマークは、前記第2搬送機構に関する情報を表示するバーコードであることを特徴とする描画システム。 - 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の描画システムであって、
前記パターン描画部は、
下方に向けて光を照射する描画ヘッドと、
前記描画ヘッドを、前記第1搬送機構の上方の第1描画位置と前記第2搬送機構の上方の第2描画位置との間で移動する描画ヘッド移動機構と、
を備えることを特徴とする描画システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158775A JP7458950B2 (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 描画システム |
TW110121274A TWI778659B (zh) | 2020-09-23 | 2021-06-11 | 描繪系統 |
KR1020210090861A KR102653607B1 (ko) | 2020-09-23 | 2021-07-12 | 묘화 시스템 |
CN202110993331.XA CN114253086B (zh) | 2020-09-23 | 2021-08-26 | 描画系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158775A JP7458950B2 (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 描画システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022052397A JP2022052397A (ja) | 2022-04-04 |
JP7458950B2 true JP7458950B2 (ja) | 2024-04-01 |
Family
ID=80791375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020158775A Active JP7458950B2 (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 描画システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7458950B2 (ja) |
KR (1) | KR102653607B1 (ja) |
CN (1) | CN114253086B (ja) |
TW (1) | TWI778659B (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006527A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置、デバイス製造方法並びに基板 |
JP2005195877A (ja) | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
JP2009223262A (ja) | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Orc Mfg Co Ltd | 露光システムおよび露光方法 |
JP2013213852A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Fujifilm Corp | 露光描画装置及び露光描画方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5200798A (en) * | 1990-07-23 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Method of position detection and the method and apparatus of printing patterns by use of the position detection method |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JP2994232B2 (ja) * | 1995-07-28 | 1999-12-27 | ウシオ電機株式会社 | マスクとマスクまたはマスクとワークの位置合わせ方法および装置 |
JP2000155430A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-06 | Nsk Ltd | 両面露光装置における自動アライメント方法 |
US6664012B2 (en) * | 2002-05-10 | 2003-12-16 | Anvik Corporation | Through-the-lens alignment for photolithography |
US7476490B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Method for producing a marker on a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100561352C (zh) * | 2005-11-04 | 2009-11-18 | 株式会社Orc制作所 | 激光束、紫外线照射周边曝光装置及其方法 |
JP2008124142A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 位置検出方法、位置検出装置、パターン描画装置及び被検出物 |
JP4922071B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2012-04-25 | 株式会社オーク製作所 | 露光描画装置 |
JP5245506B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-07-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5813556B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-11-17 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 |
EP3118303A4 (en) * | 2014-03-10 | 2017-11-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Imaging device, imaging system, and incubator |
CN104714373B (zh) * | 2015-03-23 | 2016-10-19 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 硅片正背面图形高精度转移的方法 |
JP6925783B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2021-08-25 | 株式会社アドテックエンジニアリング | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
CN107966881B (zh) * | 2017-03-15 | 2018-11-23 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻装置及方法 |
JP6783172B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2020-11-11 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
JP6900284B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
JP7412872B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2024-01-15 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置 |
JP6994806B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-01-14 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置及び両面露光方法 |
JP6978284B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2021-12-08 | 株式会社日立ハイテクファインシステムズ | 露光システム、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP7045890B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | パターン描画装置およびパターン描画方法 |
JP7084227B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-06-14 | 株式会社Screenホールディングス | マーク位置検出装置、描画装置およびマーク位置検出方法 |
JP2020046581A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
-
2020
- 2020-09-23 JP JP2020158775A patent/JP7458950B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-11 TW TW110121274A patent/TWI778659B/zh active
- 2021-07-12 KR KR1020210090861A patent/KR102653607B1/ko active IP Right Grant
- 2021-08-26 CN CN202110993331.XA patent/CN114253086B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006527A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置、デバイス製造方法並びに基板 |
US20050242285A1 (en) | 2002-05-31 | 2005-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, position detection method, exposure apparatus, device manufacturing method, and substrate |
JP2005195877A (ja) | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
JP2009223262A (ja) | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Orc Mfg Co Ltd | 露光システムおよび露光方法 |
JP2013213852A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Fujifilm Corp | 露光描画装置及び露光描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220040365A (ko) | 2022-03-30 |
CN114253086A (zh) | 2022-03-29 |
TWI778659B (zh) | 2022-09-21 |
TW202212985A (zh) | 2022-04-01 |
KR102653607B1 (ko) | 2024-04-01 |
JP2022052397A (ja) | 2022-04-04 |
CN114253086B (zh) | 2024-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8223319B2 (en) | Exposure device | |
US11899379B2 (en) | Dynamic generation of layout adaptive packaging | |
JP4324606B2 (ja) | アライメント装置および露光装置 | |
CN109075185B (zh) | 微led阵列作为照射源 | |
JP7458950B2 (ja) | 描画システム | |
JP7433181B2 (ja) | 描画装置 | |
JP7521988B2 (ja) | 基板位置検出方法、描画方法、基板位置検出装置および描画装置 | |
JP7631148B2 (ja) | 描画装置および描画方法 | |
KR102696052B1 (ko) | 묘화 장치, 묘화 방법, 및 기억 매체에 기록된 프로그램 | |
KR102696053B1 (ko) | 묘화 시스템, 묘화 방법, 및 기억 매체에 기록된 프로그램 | |
JP7489913B2 (ja) | 描画装置および描画方法 | |
KR20240041212A (ko) | 템플릿 생성 장치, 묘화 시스템, 템플릿 생성 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램 | |
JP2024046014A (ja) | 描画位置情報取得方法および描画方法 | |
KR20240038073A (ko) | 포토리소그래피 처리를 위한 다중 카메라 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7458950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |