JP7449280B2

JP7449280B2 - マイクロｌｅｄ素子基板および表示装置

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Publication number: JP7449280B2
Application number: JP2021515954A
Authority: JP
Inventors: 崇司清水; 弘晃伊藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2019-04-23
Filing date: 2020-04-06
Publication date: 2024-03-13
Anticipated expiration: 2040-04-06
Also published as: JPWO2020217959A1; US20220199879A1; WO2020217959A1; US12261260B2; CN113661580A

Description

本開示は、マイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子を備えるマイクロＬＥＤ素子基板およびそれを用いた表示装置に関する。

従来技術の一例は、特許文献１に開示されている。

再公表特許WO2015/114721号公報

本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、基板上に、前記基板の側から順に配線と絶縁層とマイクロＬＥＤ素子が配置されるとともに、前記マイクロＬＥＤ素子は、上方からみたときの平面視において前記配線に重なっているマイクロＬＥＤ素子基板であって、前記マイクロＬＥＤ素子は、その下面に平面視で離隔している正電極および負電極を有し、前記正電極は前記基板上に配置された正電極パッドおよび第１接続配線に電気的に接続され、前記負電極は前記基板上に配置された負電極パッドおよび第２接続配線に電気的に接続されており、前記配線は、平面視において、前記正電極および前記負電極を通るように延びており、前記絶縁層と前記マイクロＬＥＤ素子との間の部位に、前記配線に沿う断面視において、前記マイクロＬＥＤ素子の直下にある前記配線の少なくとも一部を横断する遮光層が、前記正電極および前記負電極に重ならない位置にあり、前記遮光層は、暗色系の色の樹脂層、無機絶縁層、または金属層から成り、上方からリペア処理のためのレーザ光を、前記第１接続配線および／または前記第２接続配線に照射し切断する際に前記レーザ光が前記配線に到達しないように遮光し、前記絶縁層と前記遮光層との間に熱拡散層が介在している。

本開示の表示装置は、上記本開示のマイクロＬＥＤ素子基板を備える表示装置であって、前記基板は、前記マイクロＬＥＤ素子を含む画素部が配置される配置面と、前記配置面と反対側の反対面と、側面と、を有しており、前記マイクロＬＥＤ素子基板は、前記側面に配置された側面配線と、前記反対面の側に配置された駆動部と、を有しており、前記画素部の複数がマトリックス状に配置されており、前記マイクロＬＥＤ素子は、前記側面配線を介して前記駆動部に接続される構成である。

本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の１例を示すものであり、３原色のマイクロＬＥＤ素子を備えた１つの画素部の平面図である。本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の１例を示すものであり、図１ＡのＣ１－Ｃ２線における矢視方向からみた断面図である。本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の他例を示すものであり、マイクロＬＥＤ素子の直下に光散乱性または光反射性を有する遮光層を有する構成におけるレーザ光照射時の断面図である。本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の他例を示すものであり、マイクロＬＥＤ素子の直下に光散乱性または光反射性を有する遮光層を有する構成における駆動時の断面図である。本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の他例を示すものであり、マイクロＬＥＤ素子の直下に遮光層を有する構成の断面図である。本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の他例を示すものであり、マイクロＬＥＤ素子の直下に遮光層および熱拡散層を有する構成の断面図である。本開示のマイクロＬＥＤ素子基板について実施の形態の他例を示すものであり、図４Ａと同様の構成であり遮光層と熱拡散層との間に絶縁層がある構成の断面図である。本開示の表示装置について実施の形態の１例を示すものであり、マイクロＬＥＤ素子基板の反対面の側の平面図である。本開示の表示装置が基礎とする構成の表示装置の１例を示すものであり、表示装置の基本構成のブロック回路図である。本開示の表示装置が基礎とする構成の表示装置の１例を示すものであり、図６ＡのＡ１－Ａ２線における断面図である。図６Ａ，図６Ｂの表示装置における１つの画素部の拡大平面図である。図７Ａと同様の構成の画素部であって３原色のマイクロＬＥＤ素子を備えた画素部の回路図である。本開示の表示装置が基礎とする構成の他の構成の表示装置における１つの画素部の拡大平面図である。図８Ａと同様の構成の画素部であって３原色のマイクロＬＥＤ素子を備えた画素部の回路図である。図８Ｂの構成の画素部の具体的構成を示すものであり、画素部の面図である。図８Ｂの構成の画素部の具体的構成を示すものであり、図９ＡのＢ１－Ｂ２線における矢視方向からみた断面図である。

以下、本開示のマイクロＬＥＤ素子基板および表示装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板および表示装置の主要な構成部材等を示している。従って、本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板および表示装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。

まず、図６Ａ～図９Ｂを参考にして、本開示の表示装置が基礎とする構成の表示装置について説明する。

本開示の表示装置が基礎とする構成の表示装置として、マイクロＬＥＤ素子を備えるマイクロＬＥＤ素子基板、及びそのマイクロＬＥＤ素子基板を用いた、バックライト装置が不要な自発光型の表示装置が知られている。そのような表示装置の基本構成のブロック回路図を図６Ａに示す。また、図６ＡのＡ１－Ａ２線における断面図を図６Ｂに示す。表示装置は、ガラス基板等の基板１と、基板１上の所定の方向（例えば、行方向）に配置された走査信号線２と、走査信号線２と交差させて所定の方向と交差する方向（例えば、列方向）に配置された発光制御信号線３と、走査信号線２と発光制御信号線３によって区分けされた画素部（Ｐｍｎ）１５の複数から構成された有効領域（画素領域）１１と、絶縁層上に配置された複数の発光素子１４と、を有する構成である。有効領域１１の周辺の額縁部１ｇ（図６に示す）を小さくするために、走査信号線２及び発光制御信号線３は、基板１の側面に配置された側面配線３０（図６Ａに示す）を介して基板１の裏面にある裏面配線９に接続され、裏面配線９は、基板１の裏面に設置されたＩＣ，ＬＳＩ等の駆動素子等の駆動部６に接続される構成とする場合がある。この場合、表示装置は基板１の裏面にある駆動部６によって表示が駆動制御される。駆動部６は、例えば、基板１の裏面側にＣＯＧ（Chip On Glass）方式等の手段によって搭載される。

それぞれの画素部（Ｐｍｎ）１５には、発光領域（Ｌｍｎ）にあるマイクロＬＥＤ素子（ＬＤｍｎ）１４の発光、非発光、発光強度等を制御するための発光制御部２２が配置されている。発光制御部２２は、マイクロＬＥＤ素子１４のそれぞれに発光信号を入力するためのスイッチ素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）１２（図７Ａに示す）と、発光制御信号（発光制御信号線３を伝達する信号）のレベル（電圧）に応じた、正電圧（アノード電圧：３～５Ｖ程度）と負電圧（カソード電圧：－３Ｖ～０Ｖ程度）の電位差（発光信号）からマイクロＬＥＤ素子１４を電流駆動するための駆動素子としてのＴＦＴ１３（図７Ａに示す）と、を含む。ＴＦＴ１３のゲート電極とソース電極とを接続する接続線上には容量素子が配置されており、容量素子はＴＦＴ１３のゲート電極に入力された発光制御信号の電圧を次の書き換えまでの期間（１フレームの期間）保持する保持容量として機能する。

マイクロＬＥＤ素子１４は、有効領域１１に配設された絶縁層３１（図６Ｂに示す）を貫通するスルーホール等の貫通導体２３ａ，２３ｂ（図７Ａに示す）を介して、発光制御部２２、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７に電気的に接続されている。即ち、マイクロＬＥＤ素子１４の正電極は、基板１上に配置された正電極パッド、貫通導体２３ａ及び発光制御部２２を介して正電圧入力線１６に接続されており、マイクロＬＥＤ素子１４の負電極は、基板１上に配置された負電極パッド、貫通導体２３ｂを介して負電圧入力線１７に接続されている。

また表示装置は、平面視において、有効領域１１と基板１の端との間に表示に寄与しない額縁部１ｇ（図６Ａに示す）があり、この額縁部１ｇに発光制御信号線駆動回路、走査信号線駆動回路等が配置される場合がある。

また、図７Ｂに示すように、１つの画素部（ＰＲＧＢ１１）１５ａに、赤色光を発光する赤色のマイクロＬＥＤ素子（ＬＤＲ１１）１４Ｒと、緑色光を発光する緑色のマイクロＬＥＤ素子（ＬＤＧ１１）１４Ｇと、青色光を発光する青色のマイクロＬＥＤ素子（ＬＤＢ１１）１４Ｂと、が含まれており、多数の画素部１５ａがマトリックス状に配置されることによってカラー表示が可能な表示装置を構成し得る。この場合、画素部１５ａをできるだけ小さくして高精細、高解像度の表示装置とするために、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒと緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇと青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂの下方に、絶縁層を介して発光制御部２２ｒ，２２ｇ，２２ｂを配置する構成とする場合がある。さらに、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等の下方に、絶縁層を介して、正電圧入力線１６および負電圧入力線１７が配置されており、正電圧入力線１６および負電圧入力線１７の少なくとも一方が赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等に平面視で重なっている構成とする場合がある。図７Ｂの場合、負電圧入力線１７が赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒと青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂに平面視で重なっているが、配線構造によっては、発光制御部２２ｒ，２２ｇ，２２ｂを構成する配線、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等と発光制御部２２ｒ等とを接続する配線が、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等と重なる場合もある。

なお、図７Ｂにおいて、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒは発光制御信号線３Ｒによって発光強度が制御され、緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇは発光制御信号線３Ｇによって発光強度が制御され、青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂは発光制御信号線３Ｂによって発光強度が制御される。赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、貫通導体２３ａｒ，２３ｂｒを介して、発光制御部２２ｒ、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７に電気的に接続されている。緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇは、貫通導体２３ａｇ，２３ｂｇを介して、発光制御部２２ｇ、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７に電気的に接続されている。青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂは、貫通導体２３ａｂ，２３ｂｂを介して、発光制御部２２ｂ、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７に電気的に接続されている。

図８Ａおよび図８Ｂは、発光制御部２２（２２ｒ，２２ｇ，２２ｂ）がマイクロＬＥＤ素子１４（１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ）よりも基板１上の中央側に配置されている構成を示す。図８Ｂに示すように、１つの画素部（ＰＲＧＢ１１）１５ｂに、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒと、緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇと、青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂと、が含まれており、多数の画素部１５ｂがマトリックス状に配置されることによってカラー表示が可能な表示装置を構成し得る。この場合、図７Ｂの場合と同様の目的で、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等の下方に、絶縁層を介して発光制御部２２ｒ等を配置する構成とする場合がある。さらに、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等の下方に、絶縁層を介して、正電圧入力線１６および負電圧入力線１７が配置されており、正電圧入力線１６および負電圧入力線１７の少なくとも一方が赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等に平面視で重なっている構成とする場合がある。図８Ｂの場合、正電圧入力線１６が赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒと青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂに平面視で重なっているが、配線構造によっては、発光制御部２２ｒ等を構成する配線、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等と発光制御部２２ｒ等とを接続する配線が、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等と重なる場合もある。

図９Ａおよび図９Ｂは、図８Ｂの具体的構成を示すものであり、図９Ａは画素部１５ｂの平面図、図９Ｂは図９ＡのＢ１－Ｂ２線における断面図である。図９Ａに示すように、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒの正電極は基板１上に配置された正電極パッド４０ａｒにハンダ、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）等の導電性接続部材を介して接続され、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒの負電極は基板１上に配置された負電極パッド４０ｂｒに導電性接続部材を介して接続される。これにより、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒが基板１上に搭載される。また、基板１上の赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒに隣接する部位には、赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒが不良となった場合、代替の赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒｒを搭載するための正電極パッド４１ａｒおよび負電極パッド４１ｂｒが配置されている。緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇの正電極は基板１上に配置された正電極パッド４０ａｇに導電性接続部材を介して接続され、緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇの負電極は基板１上に配置された負電極パッド４０ｂｇに導電性接続部材を介して接続される。これにより、緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇが基板１上に搭載される。また、基板１上の緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇに隣接する部位には、緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇが不良となった場合、代替の緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇｒを搭載するための正電極パッド４１ａｇおよび負電極パッド４１ｂｇが配置されている。青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂの正電極は基板１上に配置された正電極パッド４０ａｂに導電性接続部材を介して接続され、青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂの負電極は基板１上に配置された負電極パッド４０ｂｂに導電性接続部材を介して接続される。これにより、青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂが基板１上に搭載される。また、基板１上の青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂに隣接する部位には、青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂが不良となった場合、代替の青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂｒを搭載するための正電極パッド４１ａｂおよび負電極パッド４１ｂｂが配置されている。

図９Ｂに示すように、基板１上に、基板１の側から順に絶縁層５１、正電圧入力線１６、絶縁層５２，５３が積層されている。絶縁層５１～５３は、酸化珪素（ＳｉＯ₂），窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等の無機絶縁層、アクリル系樹脂，ポリカーボネート等の有機絶縁層から成る。絶縁層５３に設けられた開口における絶縁層５２が露出した部位（開口の底面の部位）に、正電極パッド４０ａｒおよび負電極パッド４０ｂｒが配置されている。正電極パッド４０ａｒおよび負電極パッド４０ｂｒはそれぞれ、例えばＭｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層（Ｍｏ層上にＡｌ層、Ｍｏ層が順次積層された積層構造を示す）等から成る金属層と、それぞれの金属層を覆うＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電層と、から成る。赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒの正電極１４Ｒａが正電極パッド４０ａｒに接続され、負電極１４Ｒｂが負電極パッド４０ｂｒに接続される。

また、他の本開示の表示装置が基礎とする構成として、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に絶縁層をはさんで形成された半導体層と、半導体層上に形成された一対のソース－ドレイン電極とで構成され、画素に配置された有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタと、を有する第１の画素回路と、第１の画素回路に隣接する第２の画素回路と、第２の画素回路の上方に形成され、第１の画素回路の駆動トランジスタの一対のソース－ドレイン電極のいずれかと電気的に接続された画素電極と、一対のソース－ドレイン電極のいずれかに電気的に接続され、画素電極の下方に設けられ、半導体層の少なくともチャネル領域の全ての領域を上方から覆うように形成されたトップメタル電極と、を備える画像表示装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。

図１Ａ～図５は本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板を示すものである。図１Ａおよび図１Ｂに付した参照符号を用いて、マイクロＬＥＤ素子基板について説明する。マイクロＬＥＤ素子基板は、基板１上に、基板１の側から順に配線６０と、絶縁層としての第１絶縁層５２と、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒと、が配置されるとともに、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒは配線６０に重なっているマイクロＬＥＤ素子基板であって、第１絶縁層５２とマイクロＬＥＤ素子１４Ｒとの間の部位に、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの直下にある配線６０の少なくとも一部を横断する遮光層６１（６１Ｒ）が、正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂに重ならない位置にある構成である。上記の構成により以下の効果を奏する。マイクロＬＥＤ素子１４Ｒが、接続不良が生じた、欠陥品であった等の原因によって、所望の発光強度が得られない、点灯しないといった不良の状態となった場合、レーザ光ＬＲによってマイクロＬＥＤ素子１４Ｒの正電極１４Ｒａに接続される接続配線４０ａｌ（例えば、図１Ｂの符号Ｄで示す、貫通導体２３ａｒと正電極パッド４０ａｒとの間の部位）および／または負電極１４Ｒｂに接続される接続配線４０ｂｌ（例えば、図１Ｂの符号Ｅで示す、貫通導体２３ｂｒと負電極パッド４０ｂｒとの間の部位）を切断するときに、レーザ光ＬＲが配線６０に到達して配線６０を誤って破損する、配線６０を誤って切断するという事態が生じることを防ぐことができる。また、レーザ光ＬＲの熱によって配線６０と第１絶縁層５２との界面に剥離が生じ、その結果、基板１の最表面の平坦性が劣化するという事態が生じることを防ぐことができる。

配線６０は、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７、あるいはマイクロＬＥＤ素子１４Ｒに電気的に接続される駆動配線等である。

本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板において、基板１はガラス基板，プラスチック基板等の透光性基板であってもよく、あるいはセラミック基板，非透光性プラスチック基板，金属基板等の非透光性基板であってもよい。さらには、ガラス基板とプラスチック基板を積層した複合基板、ガラス基板とセラミック基板を積層した複合基板、ガラス基板と金属基板を積層した複合基板、その他上記の各種基板のうち異なる材質のものを複数積層した複合基板であってもよい。また基板１は、電気的に絶縁性の基板であるガラス基板，プラスチック基板，セラミック基板等が、配線が形成しやすい点でよい。また基板１の平面視形状は、矩形状、円形状、楕円形状、台形状等の種々の形状であってよい。

本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板に用いられるマイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、バックライトが不要な自発光型のものであり、発光効率が高く長寿命である。そして、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、図１Ｂに示すように、基板１側に正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂが平面視で互いに離隔して配置されている横型のものである。横型のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、平面視で正電極１４Ｒａと負電極１４Ｒｂとの間の中央部に発光部１４ＲＬがある。正電極１４Ｒａが基板１上に配置された正電極パッド４０ａｒにハンダ等の導電性接続部材を介して接続され、負電極１４Ｒｂが基板１上に配置された負電極パッド４０ｂｒに導電性接続部材を介して接続される。

また、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、基板１の配置面１ａ（図６Ｂに示す）の上に縦方向（配置面１ａに垂直な方向）に搭載された縦型のものであってもよい。その場合、例えば配置面１ａの側から正電極、発光層、負電極が積層された構造を有している。

マイクロＬＥＤ素子１４Ｒのサイズは、平面視形状が矩形状のものである場合、一辺の長さが１μｍ程度以上１００μｍ程度以下であり、より具体的には３μｍ程度以上１０μｍ程度以下であるが、これらのサイズに限るものではない。

図１Ａに示すように、１つの画素部（ＰＲＧＢ１１）１５ｂに、発光色が異なるマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂが配置されていてもよい。例えばマイクロＬＥＤ素子１４Ｒの発光色を赤色，橙色，赤橙色，赤紫色，紫色とし、マイクロＬＥＤ素子１４Ｇの発光色を緑色，黄緑色とし、マイクロＬＥＤ素子１４Ｂの発光色を青色とすることができる。これにより、マイクロＬＥＤ素子基板を用いてカラー表示が可能な表示装置を作製することが容易になる。また、１つの画素部１５ｂにマイクロＬＥＤ素子１４（以下、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒ等を総称する場合、マイクロＬＥＤ素子１４という）が３つ以上ある場合、発光色が同じものを複数含んでいてもよい。

マイクロＬＥＤ素子１４Ｒに隣接して、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒが発光不良、発光不能となった場合には、代替用としてのマイクロＬＥＤ素子１４Ｒｒが配置される。マイクロＬＥＤ素子１４Ｒｒは、その正電極が正電極パッド４１ａｒに接続され、負電極が負電極パッド４１ｂｒに接続される。同様に、マイクロＬＥＤ素子１４Ｇに隣接して、マイクロＬＥＤ素子１４Ｇが発光不良、発光不能となった場合には、代替用としてのマイクロＬＥＤ素子１４Ｇｒが配置される。マイクロＬＥＤ素子１４Ｇｒは、その正電極が正電極パッド４１ａｇに接続され、負電極が負電極パッド４１ｂｇに接続される。同様に、マイクロＬＥＤ素子１４Ｂに隣接して、マイクロＬＥＤ素子１４Ｂが発光不良、発光不能となった場合には、代替用としてのマイクロＬＥＤ素子１４Ｂｒが配置される。マイクロＬＥＤ素子１４Ｂｒは、その正電極が正電極パッド４１ａｂに接続され、負電極が負電極パッド４１ｂｂに接続される。

配線６０、正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂは、例えばタンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の導体層から成る。また、配線６０、正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂは、Ｍｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層（Ｍｏ層上にＡｌ層、Ｍｏ層が順次積層された積層構造を示す）等から成る金属層から構成されていてもよく、さらにはＡｌ層，Ａｌ層／Ｔｉ層，Ｔｉ層／Ａｌ層／Ｔｉ層，Ｍｏ層，Ｍｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層，Ｔｉ層／Ａｌ層／Ｍｏ層，Ｍｏ層／Ａｌ層／Ｔｉ層，Ｃｕ層，Ｃｒ層，Ｎｉ層，Ａｇ層等の金属層から構成されていてもよい。

正電極パッド４０ａｒおよび負電極パッド４０ｂｒも、配線６０、正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂと同様の構成とすることができる。また、正電極パッド４０ａｒおよび負電極パッド４０ｂｒは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インイジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、リン，ボロンを含むシリコン（Ｓｉ）等の導電性材料であって透明性を有する材料から成る透明導電層によって覆われていてもよい。

画素部１５ｂは、発光色の異なる複数のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを含んでいるが、これらは表示単位として機能する。例えば、カラー表示の表示装置の場合、発光色が赤色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒと発光色が緑色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｇと発光色が青色のマイクロＬＥＤ素子１４Ｂとによって、カラーの階調表示が可能な一つの画素部を構成する。

１つの画素部１５ｂに含まれる複数のマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは平面視したときに１つの直線上に並ばない配置とされていることがよい。この場合、画素部１５ｂの平面視におけるサイズが小さくなり、また画素部１５ｂの平面視における形状をコンパクトな正方形状等とすることができる。その結果、表示装置等において画素密度が向上し、画素ムラも生じにくいことから、高画質な画像表示が可能となる。

画素部１５ｂにおいて、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの発光、非発光、発光強度等を制御するための、スイッチ素子、制御素子としてのＴＦＴを含む発光制御部が配置されていてもよい。その場合、発光制御部は、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの下方に絶縁層を介して配置されていてもよい。その場合、画素部１５ｂの平面視におけるサイズが小さくなり、また画素部１５ｂの平面視における形状をコンパクトな正方形状等とすることができる。その結果、表示装置等において画素密度が向上し、画素ムラも生じにくいことから、高画質な画像表示が可能となる。

本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板は、遮光層６１Ｒは、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの直下にある配線６０の全体を覆っていることがよい。この場合、広面積の遮光層６１Ｒによって、レーザ光ＬＲが配線６０に到達して配線６０を誤って破損する、配線６０を誤って切断するという事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。また、レーザ光ＬＲの熱によって配線６０と第１絶縁層５２との界面に剥離が生じ、その結果、基板１の最表面の平坦性が劣化するという事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。

また、遮光層６１Ｒは、図１Ａに示すように、平面視でマイクロＬＥＤ素子１４Ｒを覆っている、換言すると平面視でマイクロＬＥＤ素子１４Ｒを含んでいる、ことがよい。この場合、より広面積の遮光層６１Ｒによって、レーザ光ＬＲが配線６０に到達して配線６０を誤って破損する、配線６０を誤って切断するという事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。また、レーザ光ＬＲの熱によって配線６０と第１絶縁層５２との界面に剥離が生じ、その結果、基板１の最表面の平坦性が劣化するという事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。

なお、マイクロＬＥＤ素子１４Ｇの下方に遮光層６１Ｇが配置され、マイクロＬＥＤ素子１４Ｂの下方に遮光層６１Ｂが配置されていてもよい。遮光層６１Ｇ，６１Ｂは、遮光層６１Ｒと同様の種々の実施の形態とし得る。

また本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板は、遮光層６１Ｒは、黒色，黒褐色，濃紺色等の暗色系の色を呈するものであってもよい。その場合、遮光層６１Ｒは、アクリル系樹脂，ポリカーボネート等の有機樹脂から成る樹脂層中に暗色系の色の顔料，染料，セラミック粒子，プラスチック粒子，金属粒子等を混入させる方法等によって、形成され得る。特に、ＹＡＧレーザ光等の高出力レーザ光に対する耐力の点では、顔料，セラミック粒子，金属粒子を５０体積％以上含む樹脂層がよい。また、遮光層６１Ｒは、ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機の絶縁層中に、顔料，セラミック粒子，金属粒子を５０体積％以上含ませたものであってもよい。

また遮光層６１Ｒは、その少なくとも表面層をクロム（Ｃｒ）層，カーボン層，カーボンを含む層等とすることによっても、暗色系の色を呈するものとして形成し得る。例えば、遮光層６１Ｒの下地層を、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の金属光沢を有する導体層によって形成し、下地層上の表面層としてクロム（Ｃｒ）層，カーボン層，カーボンを含む層を形成してもよい。

また遮光層６１Ｒは、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等から成る金属層等であってもよい。また遮光層６１Ｒは、これらの材料から成る層を複数層積層した複合層であってもよい。例えば、遮光層６１ＲはＭｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層であってもよい。

また遮光層６１Ｒは、上記の金属層等の導体層である場合、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７の電源線等に接続されていてもよい。遮光層６１Ｒが電源線に接続されている場合、電源線の面積が増大することから、電源電圧が安定化するという効果を奏する。さらに、遮光層６１Ｒは、上記の金属層等の導体層である場合、正電圧入力線１６、負電圧入力線１７のうち接地電位である線（例えば、負電圧入力線１７）に接続されていてもよい。この場合、接地電位が安定化する結果、電源電圧がより安定化するという効果を奏する。また遮光層６１Ｒは、電源線等に接続されておらず、電気的にフローティング状態であってもよい。

遮光層６１Ｒの厚みは、レーザ光ＬＲの配線６０に対する破損等の直接的影響、熱的影響等の間接的影響を効果的に抑えるためには、１００ｎｍ～１０００ｎｍ（１μｍ）程度であることがよい。より好適には、遮光層６１Ｒの厚みは３００ｎｍ～１０００ｎｍ程度がよい。そして、遮光層６１Ｒの厚みは配線６０の厚み（５０～２００ｎｍ程度）よりも厚いことがよい。この場合、遮光層６１Ｒは、レーザ光ＬＲの配線６０に対する破損等の直接的影響、熱的影響等の間接的影響をより効果的に抑えることができる。

また本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、遮光層６１Ｒが光散乱性または光反射性を有していることがよい。この場合、図２Ａのように、レーザ光ＬＲを遮光層６１ＲによってマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ側に散乱または反射させることができるので、遮光性がより高い遮光層６１Ｒとなる。また、図２Ｂに示すように、マイクロＬＥＤ素子基板を備えた表示装置において、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの駆動時に、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの発光部１４ＲＬから放射された光ＬＥを、遮光層６１ＲによってマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ側に散乱または反射させることができるので、表示画像の輝度が向上する、コントラストが向上するという効果も奏する。

光散乱性を有する遮光層６１Ｒは、例えば、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の金属光沢を有する導体層の表面を粗面化することによって形成し得る。この場合、遮光層６１Ｒの表面の算術平均粗さが５０μｍ以下であることがよく、より好適には１μｍ以上１０μｍ以下であることがよい。遮光層６１Ｒの表面を粗面化する方法としては、遮光層６１Ｒの表面にドライエッチング法等のエッチング処理を施す方法、遮光層６１ＲをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成方法によって形成する際に、成膜時間、成膜温度等を制御することによって、遮光層６１Ｒ中に巨大単結晶粒子、巨大多結晶粒子等の粒子化構造を生成させる方法等が採用できる。

また本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板は、遮光層６１Ｒは、光反射性を有していることがよい。この場合、レーザ光ＬＲをマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ側に反射させることができるので、遮光性がより高い遮光層６１Ｒとなる。また、マイクロＬＥＤ素子基板を備えた表示装置において、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの駆動時に、表示画像の輝度が向上する、コントラストが向上するという効果も奏する。

光反射性を有する遮光層６１Ｒは、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の金属光沢を有する導体層の表面を平滑面とすることによって形成し得る。そのためには、遮光層６１Ｒの表面の算術平均粗さが１μｍ以下であることがよく、より好適には０．１μｍ以下であることがよい。

また本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板は、図３に示すように、遮光層６１ＲとマイクロＬＥＤ素子１４Ｒとの間に、他の絶縁層としての第２絶縁層５４が介在しており、第１絶縁層５２の厚みｄ１が第２絶縁層の厚みｄ２よりも厚いことがよい。即ち、遮光層６１Ｒは配線６０側よりマイクロＬＥＤ素子１４Ｒ側に近い方にある方がよい。この場合、レーザ光ＬＲの照射によって生じた熱の配線６０に対する影響を抑えることができる。その結果、レーザ光ＬＲの熱によって配線６０と第１絶縁層５２との界面に剥離が生じ、基板１の最表面の平坦性が劣化する、という事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。また、遮光層６１ＲよりもマイクロＬＥＤ素子１４Ｒに近い位置にある第２絶縁層５４は、若干の遮光性、吸光性を有していてもよい。例えば、第２絶縁層５４は、灰色，褐色，紺色等の若干の暗色系の色を呈するものであってもよい。その場合、遮光層６１Ｒは、アクリル系樹脂，ポリカーボネート等の有機樹脂から成る樹脂層中に暗色系の色の顔料，染料，セラミック粒子，プラスチック粒子，金属粒子等を混入させる方法等によって、形成され得る。特に、ＹＡＧレーザ光等の高出力レーザ光に対する耐力の点では、顔料，セラミック粒子，金属粒子を含む樹脂層がよい。また、遮光層６１Ｒは、ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機の絶縁層中に、顔料，セラミック粒子，金属粒子を含ませたものであってもよい。

なお、第１絶縁層５２は複数層の絶縁層が積層されたものであってもよく、第２絶縁層５４も複数層の絶縁層が積層されたものであってもよい。

また本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板は、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第１絶縁層５２と遮光層６１Ｒとの間に熱拡散層６２が介在していることがよい。この場合、遮光層６１Ｒの遮光性がより向上するとともに、レーザ光ＬＲの照射によって生じた熱の配線６０に対する影響をより抑えることができる。熱拡散層６２は、遮光層６１Ｒと同様の材料である、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の材料から成るとともに、遮光層６１Ｒと同等以上の熱伝導率を有している材料から成ることがよい。

また図４Ｂに示すように、遮光層６１Ｒと熱拡散層６２との間に第３絶縁層５６が介在していることがよい。この場合、レーザ光ＬＲの照射によって生じた熱の配線６０に対する影響をさらに抑えることができる。

第１絶縁層５２、第２絶縁層５４、第３絶縁層５６は、酸化珪素（ＳｉＯ₂），窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等の無機絶縁層、アクリル系樹脂，ポリカーボネート等の有機絶縁層から成る。レーザ光ＬＲに対する耐力の点では、第１絶縁層５２、第２絶縁層５４、第３絶縁層５６は、酸化珪素（ＳｉＯ₂），窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等の無機絶縁層から成ることがよい。

本実施の形態の表示装置は、図５に示すように、上記本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板を備える表示装置であって、基板１は、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒを含む画素部１５ｂが配置される配置面１ａ（図６Ｂに示す）と、配置面１ａと反対側の反対面１ｂ（図６Ｂに示す）と、側面１ｓ（図６Ｂに示す）と、を有しており、マイクロＬＥＤ素子基板は、側面１ｓに配置された側面配線３０と、反対面１ｂの側に配置された駆動部６と、を有しており、画素部１５ｂの複数がマトリックス状に配置されており、マイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、側面配線３０を介して駆動部６に接続される構成である。この構成により以下の効果を奏する。マイクロＬＥＤ素子１４Ｒに不良が生じたとしても、配線６０を損傷等することなくレーザ光ＬＲによってリペア処理することができるので、長寿命な表示装置となる。また、駆動部６を基板１の反対面１ｂの側に配置しているので、額縁部１ｇ（図６Ａおよび図６Ｂに示す）を小さくすることができる。その結果、複数の表示装置をタイリングしてマルチディスプレイを構成したときに、表示装置間の継ぎ目が目立ちにくくなり、表示品質が高いものとなる。

駆動部６は、ＩＣ，ＬＳＩ等の駆動素子をチップオングラス（Chip on Glass：ＣＯＧ）方式、チップオンフィルム（Chip on Film：ＣＯＦ）方式で実装した構成のものでよいが、駆動素子を搭載した回路基板であってもよい。また、駆動部６は、ガラス基板から成る基板１の反対面１ｂ上に、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法によって直接的に形成されたＬＴＰＳ（Low Temperature Poly Silicon）から成る半導体層を有するＴＦＴ等を備えた薄膜回路であってもよい。

側面配線３０は、銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ），ステンレススチール等の導電性粒子、未硬化の樹脂成分、アルコール溶媒および水等を含む導電性ペーストを、加熱法、紫外線等の光照射によって硬化させる光硬化法、加熱光硬化法等の方法によって形成され得る。また側面配線３０は、メッキ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法によっても形成され得る。また、側面配線３０が配置される基板１の側面１ｓの部位に溝があってもよい。その場合、導電性ペーストが側面１ｓの所望の部位である溝に配置されやすくなる。

また、本実施の形態の表示装置は発光装置としても構成し得る。発光装置は、画像形成装置等に用いられるプリンタヘッド、照明装置、看板装置、掲示装置、信号装置等として用いることができる。

本実施の形態のマイクロＬＥＤ素子基板をリペアする場合、以下の方法等を採用することができる。図１Ａに示すように、基板１上に、基板１の側から順に配線６０と第１絶縁層５２と第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒが配置されるとともに、配線６０は第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒに重なっており、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、平面視で離隔している正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂを有しており、第１絶縁層５２と第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒとの間の部位に、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの直下にある配線６０の少なくとも一部を横断する遮光層６１Ｒが、正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂに重ならない位置にあるマイクロＬＥＤ素子基板を準備し、次に、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒが不良となった場合、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒを基板１上から取り外し、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの正電極１４Ｒａに接続される接続配線４０ａｌおよび／または負極１４Ｒｂに接続される接続配線４０ｂｌをレーザ光ＬＲによって切断する際に、照射位置が遮光層６１Ｒに重なる位置において切断し、次に、第２マイクロＬＥＤ素子１４Ｒｒを基板１上に配置する。これにより、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒに不良が生じたとしても、配線６０を損傷等することなくレーザ光ＬＲによってリペア処理することができるので、長寿命な表示装置等を作製することができる。

上記のリペア方法において、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒは、基板１の側に平面視で互いに離隔している正電極１４Ｒａおよび負電極１４Ｒｂを有しており、第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒの正電極１４Ｒａに接続される接続配線４０ａｌおよび／または負極１４Ｒｂに接続される接続配線４０ｂｌをレーザ光ＬＲによって切断するときに、正電極１４Ｒａと負電極１４Ｒｂとの間の部位を切断することがよい。即ち、基板１上の平面視で第１マイクロＬＥＤ素子１４Ｒ以外の部位に、背景色を黒色等の暗色としてコントラストを向上させるためのブラックマトリックス層等の暗色層がある場合、暗色層が障害となって接続配線４０ａ１，４０ｂｌをレーザ光ＬＲによって切断することが難くなるおそれがある。従って、接続配線４０ａｌ，４０ｂｌをレーザ光ＬＲによって切断するときに、正電極１４Ｒａと負電極１４Ｒｂとの間の部位を切断する場合、上記の暗色層が障害となることがないため、容易に切断できる。

なお、本開示のマイクロＬＥＤ素子基板、表示装置およびマイクロＬＥＤ素子基板のリペア方法は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含んでいてもよい。例えば、基板１が非透光性のものである場合、基板１は黒色、灰色等の色に着色されたガラス基板、摺りガラスから成るガラス基板であってもよい。

本開示は次の実施の形態が可能である。

本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、基板上に、前記基板の側から順に配線と絶縁層とマイクロＬＥＤ素子が配置されるとともに、前記マイクロＬＥＤ素子は前記配線に重なっているマイクロＬＥＤ素子基板であって、前記マイクロＬＥＤ素子は、平面視で離隔している正電極および負電極を有しており、前記絶縁層と前記マイクロＬＥＤ素子との間の部位に、前記マイクロＬＥＤ素子の直下にある前記配線の少なくとも一部を横断する遮光層が、前記正電極および前記負電極に重ならない位置にある構成である。

本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層は、前記マイクロＬＥＤ素子の直下にある前記配線の全体を覆っていてもよい。

また本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層は、光散乱性を有していてもよい。

また本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層は、光反射性を有していてもよい。

また本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層と前記マイクロＬＥＤ素子との間に他の絶縁層が介在しており、前記絶縁層の厚みが前記他の絶縁層の厚みよりも厚くてもよい。

本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、基板上に、前記基板の側から順に配線と絶縁層とマイクロＬＥＤ素子が配置されるとともに、前記マイクロＬＥＤ素子は前記配線に重なっているマイクロＬＥＤ素子基板であって、前記マイクロＬＥＤ素子は、平面視で離隔している正電極および負電極を有しており、前記絶縁層と前記マイクロＬＥＤ素子との間の部位に、前記マイクロＬＥＤ素子の直下にある前記配線の少なくとも一部を横断する遮光層が、前記正電極および前記負電極に重ならない位置にある構成であることから、以下の効果を奏する。マイクロＬＥＤ素子が、接続不良が生じた、欠陥品であった等の原因によって、所望の発光強度が得られない、点灯しないといった不良の状態となった場合、レーザ光によってマイクロＬＥＤ素子の正電極に接続される接続配線および／または負電極に接続される接続配線を切断するときに、レーザ光が配線に到達して配線を誤って破損する、配線を誤って切断するという事態が生じることを防ぐことができる。また、レーザ光の熱によって配線と絶縁層との界面に剥離が生じ、その結果、基板上の最表面の平坦性が劣化するという事態が生じることを防ぐことができる。

本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層は、前記マイクロＬＥＤ素子の直下にある前記配線の全体を覆っている場合、広面積の遮光層によって、レーザ光が配線に到達して配線を誤って破損する、配線を誤って切断するという事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。また、レーザ光の熱によって配線と第１絶縁層との界面に剥離が生じ、その結果、基板上の最表面の平坦性が劣化するという事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。

また本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層は、光散乱性を有している場合、レーザ光をマイクロＬＥＤ素子側に散乱させることができるので、遮光性がより高い遮光層となる。また、マイクロＬＥＤ素子基板を備えた表示装置において、マイクロＬＥＤ素子の駆動時に、表示画像の輝度が向上する、コントラストが向上するという効果も奏する。

また本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層は、光反射性を有している場合、レーザ光をマイクロＬＥＤ素子側に反射させることができるので、遮光性がより高い遮光層となる。また、マイクロＬＥＤ素子基板を備えた表示装置において、マイクロＬＥＤ素子の駆動時に、表示画像の輝度が向上する、コントラストが向上するという効果も奏する。

また本開示のマイクロＬＥＤ素子基板は、前記遮光層と前記マイクロＬＥＤ素子との間に他の絶縁層が介在しており、前記他の絶縁層の厚みが前記絶縁層の厚みよりも厚い場合、レーザ光の照射によって生じた熱の配線に対する影響を抑えることができる。その結果、レーザ光の熱によって配線と絶縁層との界面に剥離が生じ、基板上の最表面の平坦性が劣化する、という事態が生じることをより効果的に防ぐことができる。

本開示の表示装置は、上記本開示のマイクロＬＥＤ素子基板を備える表示装置であって、前記基板は、前記マイクロＬＥＤ素子を含む画素部が配置される配置面と、前記配置面と反対側の反対面と、側面と、を有しており、前記マイクロＬＥＤ素子基板は、前記側面に配置された側面配線と、前記反対面の側に配置された駆動部と、を有しており、前記画素部の複数がマトリックス状に配置されており、前記マイクロＬＥＤ素子は、前記側面配線を介して前記駆動部に接続される構成であることから、以下の効果を奏する。マイクロＬＥＤ素子に不良が生じたとしても、配線を損傷等することなくレーザ光によってリペア処理することができるので、長寿命な表示装置となる。また、駆動部を基板の反対面の側に配置しているので、額縁部を小さくすることができる。その結果、複数の表示装置をタイリングしてマルチディスプレイを構成したときに、表示装置間の継ぎ目が目立ちにくくなり、表示品質が高いものとなる。

本開示の表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、複合型かつ大型の表示装置（マルチディスプレイ）、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。

本開示は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本開示の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本開示の範囲内のものである。

１基板
１ａ配置面
１ｂ反対面
１ｓ側面
６駆動部
１４Ｂ，１４ＧマイクロＬＥＤ素子
１４ＲマイクロＬＥＤ素子（第１マイクロＬＥＤ素子）
１４Ｒａ正電極
１４Ｒｂ負電極
１４ＲＬ発光部
１４Ｒｒ第２マイクロＬＥＤ素子
１５ａ，１５ｂ画素部
３０側面配線
４０ａｌ，４０ｂｌ接続配線
４０ａｒ正電極パッド
４０ｂｒ負電極パッド
５２絶縁層（第１絶縁層）
５４他の絶縁層（第２絶縁層）
６０配線
６１，６１Ｂ，６１Ｇ，６１Ｒ遮光層

Claims

基板上に、前記基板の側から順に配線と絶縁層とマイクロＬＥＤ素子が配置されるとともに、前記マイクロＬＥＤ素子は、上方からみたときの平面視において前記配線に重なっているマイクロＬＥＤ素子基板であって、
前記マイクロＬＥＤ素子は、その下面に平面視で離隔している正電極および負電極を有し、前記正電極は前記基板上に配置された正電極パッドおよび第１接続配線に電気的に接続され、前記負電極は前記基板上に配置された負電極パッドおよび第２接続配線に電気的に接続されており、
前記配線は、平面視において、前記正電極および前記負電極を通るように延びており、
前記絶縁層と前記マイクロＬＥＤ素子との間の部位に、前記配線に沿う断面視において、前記マイクロＬＥＤ素子の直下にある前記配線の少なくとも一部を横断する遮光層が、前記正電極および前記負電極に重ならない位置にあり、
前記遮光層は、暗色系の色の樹脂層、無機絶縁層、または金属層から成り、上方からリペア処理のためのレーザ光を、前記第１接続配線および／または前記第２接続配線に照射し切断する際に前記レーザ光が前記配線に到達しないように遮光し、
前記絶縁層と前記遮光層との間に熱拡散層が介在しているマイクロＬＥＤ素子基板。
前記遮光層は、光散乱性を有している請求項１に記載のマイクロＬＥＤ素子基板。
前記遮光層は、光反射性を有している請求項１に記載のマイクロＬＥＤ素子基板。
前記遮光層と前記マイクロＬＥＤ素子との間に他の絶縁層が介在しており、
前記絶縁層の厚みが前記他の絶縁層の厚みよりも厚い請求項１～３のいずれか１項に記載のマイクロＬＥＤ素子基板。
請求項１～４のいずれか１項に記載のマイクロＬＥＤ素子基板を備える表示装置であって、
前記基板は、前記マイクロＬＥＤ素子を含む画素部が配置される配置面と、前記配置面と反対側の反対面と、側面と、を有しており、
前記マイクロＬＥＤ素子基板は、前記側面に配置された側面配線と、前記反対面の側に配置された駆動部と、を有しており、
前記画素部の複数がマトリックス状に配置されており、
前記マイクロＬＥＤ素子は、前記側面配線を介して前記駆動部に接続される表示装置。