JP7439771B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、磁気記録媒体に関する。

近年、データストレージ用メディアとしてテープ状の磁気記録媒体が注目されている。
テープ状の磁気記録媒体では、高記録密度を実現するために、磁性粉として種々のものが検討されている。高い飽和磁化σｓと高い保磁力Ｈｃを有しているコバルトフェライト磁性粉は、次世代のテープ状の磁気記録媒体に最適な磁性粉の１つとして期待されている

特許文献１には、組成式：（ＭＯ）・ｎ／２（Ｆｅ_２Ｏ_３）（式中、Ｍは２価金属で、ｎ＝Ｆｅ／Ｍ（モル比）の値が２．０５＜ｎ＜２．５である）で表されるスピネル型フェリ磁性粒子を使用した高密度記録用磁気記録媒体が記載されている。

特開２００６－２２９０３７号公報

しかしながら、コバルトフェライト磁性粉を用いた磁気記録媒体では、ノイズが大きいという問題がある。

本開示の目的は、ノイズを低減することができる磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本開示は、テープ状の磁気記録媒体であって、基体と、基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層とを備え、磁性粉は、一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、磁気記録媒体のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２が、０以上０．２５以下であり、磁気記録媒体の熱安定性（Ｋ _ｕ Ｖ _ａｃｔ ／ｋ _Ｂ Ｔ、Ｋ _ｕ ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖ _ａｃｔ ：磁性粉の活性化体積、ｋ _Ｂ ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、６０以上である磁気記録媒体である。

図１は、本開示の一実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 図２Ａは、実施例２の磁気テープの磁気トルク波形を示すグラフである。図２Ｂは、比較例１の磁気テープの磁気トルク波形を示すグラフである。図２Ｃは、比較例２の磁気テープの磁気トルク波形を示すグラフである。 図３は、実施例２、比較例１、２の磁気テープのノイズスペクトラムを示すグラフである。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 磁気記録媒体の構成
２ 磁性粉の製造方法
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 効果

［１ 磁気記録媒体の構成］
まず、図１を参照して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。

磁気記録媒体１０は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。磁気記録媒体１０は、記録密度の向上の観点からすると、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４６ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されている。磁気記録媒体１０は、磁性粉サイズが転移幅に及ぼす影響を考慮すると、好ましくは３０ｎｍ以上の最短記録波長で信号を記録可能に構成されている。磁気記録媒体１０の線記録密度は、５００ｋｂｐｉ以上８５０ｋｂｐｉ以下であることが好ましい。

磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に用いられてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の記録再生装置を複数備えるものであってもよい。

なお、本明細書において、“垂直方向”とは、平坦な状態の磁気記録媒体１０の表面に対して垂直な方向（すなわち磁気記録媒体１０の厚み方向）を意味し、“長手方向”とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）を意味する。

（基体）
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。

基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３およびバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（基体１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（磁性層）
磁性層１３は、信号を記録するための垂直記録層である。磁性層１３は、垂直方向に一軸磁気異方性を有する。すなわち、磁性層１３の磁化容易軸は、垂直方向に向いている。磁性層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３の平均厚みが、好ましくは４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。磁性層１３の平均厚みｔが４０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性を向上することができる。一方、磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性を向上することができる。本明細書において、電磁変換特性は、例えばＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）等である。

磁性層１３の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により、磁気記録媒体１０をその主面に対して垂直に薄く加工して薄片を作製し、その薄片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察し、ＴＥＭ像を得る。以下に、装置および観察条件を示す。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製、Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１３の平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）
磁性粉は、コバルトフェライトを主相として含む磁性粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）を含む。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。コバルトフェライトは、逆スピネル型の結晶構造を有している。なお、以下では、コバルトフェライト粒子を含む磁性粉をコバルトフェライト磁性粉という場合がある。

コバルトフェライト粒子は一軸結晶磁気異方性を有し、磁性粉は垂直方向に配向している。コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有することで、磁性粉を垂直配向させることができる。また、配向方向以外の成分を少なくすることができる。したがって、磁気記録媒体１０のノイズを低減させることができる。なお、コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有していることは、以下のようにして確認することができる。後述する比率Ｌ４／Ｌ２の算出方法と同様にしてトルク波形を測定する。測定したトルク波形が１８０°周期で変動しているか否かを確認することで、コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有していることを確認することができる。また、本開示において、“磁性粉の配向方向”とは、磁気記録媒体１０の垂直方向および長手方向のうち、より大きい角形比が得られる方向を意味する。

コバルトフェライト粒子の磁化容易軸は、垂直またはほぼ垂直方向を向いていることが好ましい。すなわち、磁性粉は、コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面が磁性層１３の厚み方向と垂直またはほぼ垂直となるように、磁性層１３内に分散されていることが好ましい。立方体状またはほぼ立方体状のコバルトフェライト粒子では、六角板状のバリウムフェライト粒子に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。すなわち、磁性粉の分散性を高めることができる。

コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面が、磁性層１３の表面から露出していることが好ましい。コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面に磁気ヘッドにより短波長記録を行うことは、同一体積を有する六角板状のバリウムフェライト磁性粉の六角形状面に短波長記録を行う場合に比べて、高密度記録の観点で有利である。磁性層１３の表面には、高密度記録の観点からすると、コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面が敷き詰められていることが好ましい。

磁性粉の平均粒子サイズが、好ましくは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、超常磁性の発生を抑制することができる。したがって、磁性粉の磁気特性の低下を抑制することができる。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好な電磁変換特性を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下である場合には、５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性を得ることができる。

磁性粉の平均粒子サイズは、以下のようにして求められる。まず、ＦＩＢ法等により、磁気記録媒体１０をその主面に対して垂直に薄く加工して薄片を作製し、その薄片の断面を走査型透過電子顕微鏡（Scanning Transmission Electron Microscope：ＳＴＥＭ）により観察し、ＳＴＥＭ像を得る。次に、得られたＳＴＥＭ像から１００個のコバルトフェライト粒子を無作為に選び出し、それらの各粒子の面積Ｓを求める。次に、粒子の断面形状が円形であると仮定して、以下の式（１）から各粒子の粒径（直径）Ｒを粒子サイズとして算出し、磁性粉の粒度分布を得る。
Ｒ＝２×（Ｓ／π）１／２ ・・・（１）
次に、求めた粒度分布からメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを平均粒子サイズとする。
装置：ＳＴＥＭ（ＨＩＴＡＣＨＩ製 Ｓ４８００）
加速電圧：３０ｋＶ
測定倍率：２００，０００倍

下記の式（２）で表される磁性粉の相対標準偏差が、５０％以下であることが好ましい。
相対標準偏差［％］＝（［粒子サイズの標準偏差］／［平均粒子サイズ］）×１００ ・・・（２）
相対標準偏差が５０％を超えると、磁性粉の粒子サイズのばらつきが大きくなり、磁性粉の磁気特性のばらつきが大きくなる虞がある。

上記の磁性粉の粒子サイズの相対標準偏差は、以下のようにして求められる。まず、上記の平均粒子サイズの算出方法と同様にして平均粒子サイズを求める。次に、平均粒子サイズを求める際に用いた粒度分布から粒子サイズの標準偏差を求める。次に、上述のようにして求めた平均粒子サイズおよび粒子サイズの標準偏差を上記の式（２）に代入することにより、相対標準偏差を求める。

コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されていることが好ましい。このようにＣｏの一部が置換されていることで、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。遷移金属元素は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上であることが好ましく、これらの遷移金属のうちでも、Ｃｕが特に好ましい。

コバルトフェライトは、例えば、以下の式（３）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ ・・・（３）
（但し、式（３）中、Ｍは、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種である。遷移金属元素は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上であることが好ましく、これらの遷移金属のうちでも、Ｃｕが特に好ましい。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉の飽和磁化σｓの下限値は、好ましくは５５ｅｍｕ／ｇ以上、より好ましくは６０ｅｍｕ／ｇ以上、さらにより好ましくは６５ｅｍｕ／ｇ以上、特に好ましくは７０ｅｍｕ／ｇ以上である。飽和磁化σｓが５５ｅｍｕ／ｇ以上であると、磁性層１３が薄くしても、高い出力を得ることができるため、良好な電磁変換特性を得ることができる。なお、このような高い飽和磁化量σｓはコバルトフェライト磁性粉により可能となるものであり、バリウムフェライト磁性粉ではこのような高い飽和磁化量σｓを得ることは困難である。なお、バリウムフェライト磁性粉の飽和磁化量σｓは５０ｅｍｕ／ｇ程度であり、磁性層１３の薄層化に対して飽和磁化量σｓが不足するため、磁化信号の再生出力が弱まり、良好な電磁変換特性が得られなくなる虞がある。

磁性粒子の飽和磁化量σｓの上限値は、好ましくは８５ｅｍｕ／ｇ以下である。飽和磁化量σｓが８５ｅｍｕ／ｇを超えると、磁化信号を読み取るＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）、ＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistive）ヘッド等が飽和することになるため、電磁変換特性が低下する虞がある。

上記の飽和磁化量σｓは、以下のようにして求められる。まず、所定形状の磁性粉サンプルを作製する。磁性粉サンプルは、測定用カプセルへの圧密、測定用テープへの貼り付け等、測定に影響を及ぼさない範囲で自由に作製することができる。次に、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、磁性粉サンプルのＭ－Ｈループを得たのち、得られたＭ－Ｈループから飽和磁化量σｓを求める。なお、上記のＭ－Ｈループの測定は、室温（２５℃）の環境下にて行われるものとする。

（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^－はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^－１～１０^－８モル／ｇであるのが好ましく、１０^－２～１０^－６モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０～２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２～１２の１価～６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。

（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層１２は、基体１１の表面の凹凸を緩和し、磁性層１３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層１２が、潤滑剤を含み、磁性層１３の表面に潤滑剤を供給するようにしてもよい。下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤）
結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。

（添加剤）
潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層１３と同様である。

（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤および帯電防止剤は、上述の磁性層１３と同様である。また、非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１０の平均厚みＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層１４を除去した磁気記録媒体１０の平均厚みＴ_１［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ［μｍ］を求める。
ｔ［μｍ］＝Ｔ［μｍ］－Ｔ_１［μｍ］

（磁気記録媒体の平均厚み）
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値が、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気記録媒体１０の平均厚みは、上述のバック層１４の平均厚みの測定方法において説明した手順により求められる。

（磁性層と下地層の総厚）
磁性層１３と下地層１２の平均厚みの総和は、好ましくは１．１μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６μｍ以下である。磁性層１３と下地層１２の平均厚みの総厚が１．１μｍ以下であると、単位体積当たりに含まれる磁性層１３の割合が増加することにより、体積容量を向上させることができる。磁性層１３と下地層１２の平均厚みの総厚の下限値は、下地層１２からの潤滑剤の供給の観点からすると、０．３μｍ以上であることが好ましい。下地層１２および磁性層１３の平均厚みの測定方法は、上述した通りである。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の垂直方向（磁性粉の配向の方向）における保磁力Ｈｃが、好ましくは２５００Ｏｅ以上４５００Ｏｅ以下、より好ましくは２５００Ｏｅ以上４０００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは２５００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下、特に好ましくは２５００Ｏｅ以上３０００Ｏｅ以下である。保磁力Ｈｃが２５００Ｏｅ以上であると、熱擾乱の影響および反磁界の影響による、高温環境下における電磁変換特性の低下を抑制することができる。一方、保磁力Ｈｃが４５００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドでの飽和記録が困難となり、記録できない部分が発生することを抑制することができる。したがって、ノイズが増加することを抑制し、結果として電磁変換特性の低下を抑制することができる。

保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて測定サンプルの垂直方向（厚み方向）に測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残してバックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いて基体１１の垂直方向（厚み方向）に基体１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループから基体１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際に“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ_１が、６５％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上である。角形比Ｓ_１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。

角形比Ｓ_１は以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ_１（％）を算出する。
角形比Ｓ_１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）における角形比Ｓ_２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下である。角形比Ｓ_２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。

角形比Ｓ_２は、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０および基体１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ_１と同様にして求められる。

（比率Ｌ４／Ｌ２）
磁気記録媒体１０のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２は、磁性粉の一軸結晶磁気異方性の強さを表しており、比率Ｌ４／Ｌ２が小さい程、磁性粉の一軸結晶磁気異方性が強くなる。この比率Ｌ４／Ｌ２は、０以上０．２５以下、好ましくは０以上０．２０以下、より好ましくは０以上０．１８以下である。比率Ｌ４／Ｌ２が０以上０．２５以下あると、磁性粉の一軸結晶磁気異方性が十分に強くなるため、ノイズを低減することができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。

上記比率Ｌ４／Ｌ２は、以下のようにして求められる。
（１）まず、所定の大きさに磁気記録媒体１０を３枚切り出し、それら３枚を重ねて貼ったのち、両面をメンディングテープで貼ることにより積層体を得る。そして、得られた積層体を直径φ＝６．２５の丸いパンチで穴開けすることにより、円形状のサンプルを得る。
（２）次に、得られたサンプルをＡＣ消磁する。この処理は、着磁した状態のサンプルを用いた場合、外部磁場印加時に磁化が飽和しており、トルクの出力数値が正常でなくなる可能性があることを考慮して行われるものである。
（３）次に、サンプルを測定装置にセットする。具体的には、磁性粉が垂直配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを垂直にセットする。一方、磁性粉が長手配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを水平にセットする。
（４）次に、測定装置（東英工業株式会社製、ＴＲＴ－２形）をゼロ磁場調整したのち、トルク角度測定モードで１５０００［Ｏｅ］の外部磁場を印加し、トルク波形を測定する。
（５）測定後、測定装置が自動的にフーリエ変換して算出表示する一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４とを用いて、比率Ｌ４／Ｌ２を求める。

（熱安定性Δ）
磁気記録媒体１０の熱安定性Δ（＝Ｋ_ｕＶ_ａｃｔ／ｋ_ＢＴ、Ｋ_ｕ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖ_ａｃｔ：磁性粉の活性化体積、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、好ましくは６０以上、より好ましくは８０以上、さらにより好ましくは８５以上である。熱安定性Δが６０以上であると、熱安定性の低下を抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の出力信号の劣化を抑制することができる。

熱安定性Δは、以下に示すシャーロックの式を用いて算出される（参考文献：IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 50, NO. 11, NOVEMBER 2014、
J. Flanders and M. P. Sharrock: J. Appl. Phys., 62, 2918 (1987)）。
Ｈ_ｒ（ｔ’）＝Ｈ_０［１－｛ｋ_ＢＴ／（Ｋ_ｕＶ_ａｃｔ）ｌｎ（ｆ_０ｔ’／０．６９３）｝^ｎ］
（但し、Ｈ_ｒ：残留磁場、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ_０：磁場変化量、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数、
Ｔ：絶対温度、Ｋ_ｕ：結晶磁気異方性定数、Ｖ_ａｃｔ：活性化体積、ｆ_０：周波数因子、ｎ：係数）

なお、（ａ）残留磁場Ｈ_ｒ、（ｂ）磁化減衰量ｔ’および（ｃ）磁場変化量Ｈ_０は以下のようにして求められる。また、（ｄ）周波数因子ｆ_０および（ｅ）係数ｎは以下の数値を用いる。
（ａ）残留磁場Ｈ_ｒは、パルスＶＳＭと通常ＶＳＭのＤＣＤ測定モードで求められる。
（ｂ）磁化減衰量ｔ’は次のようにして求められる。すなわち、磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃの近傍の外部磁場を３条件で印加し、通常ＶＳＭにより磁化減衰量を測定する。そして、その磁化減衰量からフランダースの式を用いて磁化減衰量ｔ’を算出する。
ここで、「保磁力Ｈｃ」とは、磁性粉の配向方向における保磁力Ｈｃを意味する。すなわち、磁性粉が垂直方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、垂直方向における保磁力Ｈｃを意味する。一方、磁性粉が長手方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、長手方向における保磁力Ｈｃを意味する。
また、「３条件の外部磁場」とは、保磁力Ｈｃ以上の磁場（正の磁化が得られる磁場）、保磁力Ｈｃ近傍の磁場（０に近い磁化が得られる磁場）、および保磁力Ｈｃ未満の磁場（負の磁化が得られる磁場）を意味する。例えば、後述する実施例１（垂直方向における保磁力Ｈｃ＝２８７０Ｏｅ）の磁化減衰量ｔ’を測定する場合、３条件の外部磁場は、３２００Ｏｅ、２８００Ｏｅ、２４００Ｏｅに設定される。
（ｃ）磁場変化量Ｈ_０は、磁化減衰量ｔ’を算出した際に現れる定数である。
（ｄ）周波数因子ｆ_０は一定値であり、ｆ_０＝５．０×１０^９Ｈｚとする。
（ｅ）係数ｎは、コバルトフェライト粒子の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有する場合、ｎ＝０．５に設定される。一方、コバルトフェライト粒子が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、ｎ＝０．７７に設定される。

（結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕ、活性化体積Ｖ_ａｃｔ）
磁気記録媒体１０の結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕが、好ましくは０．1Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以上１．５Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以下、より好ましくは０．３Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以上１．５Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以下、さらにより好ましくは０．６Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以上１．５Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以下である。結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕが０．1Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３未満であると、必要な熱安定性Δを確保することができなくなる。一方、結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕが１．５Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３を超えると、磁気ヘッドの書き込み性を担保することができなくなる。

磁気記録媒体１０の磁性粉の活性化体積Ｖ_ａｃｔが、１６０００［ｎｍ^３］以下、より好ましくは１５０００［ｎｍ^３］である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが１６０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を低減することができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制することができる。したがって、優れた電磁変換特性を得ることができる。

結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕおよび活性化体積Ｖ_ａｃｔは、以下のようにして求められる。
上述のようにしてシャーロックの式で熱安定性Δを算出したのち、結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕおよび活性化体積Ｖ_ａｃｔを求める。具体的には、以下のようにして求める。なお、サンプリングや測定方法は、上述の比率Ｌ４／Ｌ２の算出方法と同様である。まず、上述のようにしてシャーロックの式で熱安定性Δを算出する。次に、トルク角度測定モードで、印加磁場として１００００、１２５００、１５０００Ｏｅの外部磁場を印加し、飽和外挿法を用いて結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕを算出する。この際、結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕは、垂直配向の場合はＫ_ｕ１とＫ_ｕ２の和で算出し、長手配向の場合はＫ_ｕ１のみで算出する。その後、算出した結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕおよび絶対温度Ｔ＝３００Ｋ（室温）をシャーロックの式に代入して、活性化体積Ｖ_ａｃｔを求める。

［２ 磁性粉の製造方法］
次に、磁性層１３に用いられる磁性粉の製造方法について説明する。この磁性粉の製造方法は、ガラスの形成成分と、コバルトフェライト磁性粉の形成成分（以下単に「磁性粉の形成成分」という。）とを用いてガラス結晶化法により、コバルトフェライト磁性粉を作製するものである。

（原料混合の工程）
まず、ガラスの形成成分と磁性粉の形成成分とを混合し、混合物を得る。

ガラスの形成成分は、ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）を含む。ガラスの形成成分がホウ酸ナトリウムを含むことで、後述の溶融およびアモルファス化の工程において磁性粉の形成成分をガラスに溶かすことができる。また、後述の溶融およびアモルファス化の工程におけるガラス化のための急冷条件が緩和される。これにより、溶融物を双ロール急冷装置により急冷するのではなく、溶融物を水中に投入することで急冷することでも、アモルファス体を得ることができる。更に、後述の磁性粉取り出しの工程において、熱水等により結晶化ガラス（非磁性成分）を除去し、磁性粉を取り出すことができる。

ガラスの形成成分および磁性粉の形成成分の総量に対するホウ酸ナトリウムの割合は、３５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。ホウ酸ナトリウムの割合が３５ｍｏｌ％以上であると、均質性の高いアモルファス体を得ることができる。一方、ホウ酸ナトリウムの割合が６０ｍｏｌ％以下であると、得られる磁性粉の量の減少を抑制することができる。

ガラスの形成成分は、アルカリ土類金属の酸化物および当該酸化物の前駆体のうちの少なくとも１種を更に含むことが好ましい。ガラスの形成成分がアルカリ土類金属の酸化物および当該酸化物の前駆体のうちの少なくとも１種を更に含む場合、ガラスのガラス軟化点を高めることができ、ガラス軟化点付近で磁性粉の形成成分を結晶化することができる。したがって、磁性粉の形成成分が結晶化する温度に達した時点でガラスが柔らかくなり、析出した磁性粉が焼結してしまうことを抑制することができる。

アルカリ土類金属の酸化物は、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）および酸化バリウム（ＢａＯ）のうちの少なくとも１種を含み、これらの酸化物のうちでも酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種を含むことが特に好ましい。酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムによるガラス軟化点上昇の効果は、酸化カルシウムによるガラス軟化点上昇の効果に比べて高いからである。なお、アルカリ土類金属の酸化物として酸化カルシウムを用いる場合には、ガラス軟化点を上昇させる観点からすると、酸化カルシウムを酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種と組み合わせて用いることが好ましい。

アルカリ土類金属の酸化物の前駆体としては、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱によりアルカリ土類金属の酸化物を生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、アルカリ土類金属の炭酸塩が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。アルカリ土類金属の炭酸塩は、例えば、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）および炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）のうちの少なくとも１種を含み、これらの酸化物のうちでも炭酸ストロンチウムおよび炭酸バリウムのうちの少なくとも１種を含むことが特に好ましい。アルカリ土類金属の酸化物は、空気中のＣＯ_２または水分と化合し不安定であるため、ガラスの形成成分としてアルカリ土類金属の酸化物を用いるよりも、アルカリ土類金属の酸化物の前駆体（例えばアルカリ土類金属の炭酸塩）を用いる方が正確な計量が可能である。

ホウ酸ナトリウムに対するアルカリ土類金属の酸化物のｍｏｌ比（アルカリ土類金属の酸化物／ホウ酸ナトリウム）は、０．２５以上０．５以下であることが好ましい。上記ｍｏｌ比が０．２５未満であると、ガラスのガラス軟化点が低くなり、後述の結晶化の工程において磁性粉に十分な結晶性が付与される前に、ガラスが軟化してしまう虞がある。したがって、析出した磁性粉が焼結し、磁性粉の粒子サイズが大きくなってしまう虞がある。一方、上記ｍｏｌ比が０．５を超えると、ガラスのガラス軟化点が高くなり過ぎ、コバルトフェライト磁性粉と共に六方晶フェライト磁性粉が析出し、磁性粉の保磁力Ｈｃのバラツキが大きくなってしまう虞がある。したがって、磁性粉を磁気記録媒体１０に適用した場合に、Ｓ／Ｎが低下してしまう虞がある。

磁性粉の形成成分は、酸化コバルト（ＣｏＯ）および酸化コバルトの前駆体のうちの少なくとも１種と、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）とを含む。酸化コバルトの前駆体としては、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱により酸化コバルトを生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ_３）が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。

磁性粉の形成成分が、必要に応じて、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物の前駆体、酸化亜鉛、酸化亜鉛の前駆体、酸化ゲルマニウムおよび酸化ゲルマニウムの前駆体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。

ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物は、例えば、酸化マンガン（例えばＭｎＯ）、酸化ニッケル（例えばＮｉＯ_２）、酸化銅（例えばＣｕ_２Ｏ）、酸化タンタル（例えばＴａ_２Ｏ_５）および酸化ジルコニウム（例えばＺｒＯ_２）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物の前駆体は、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱によりＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物を生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の炭酸塩が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の炭酸塩は、例えば、炭酸マンガン、炭酸ニッケル、炭酸銅、炭酸タンタルおよび炭酸ジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

酸化亜鉛の前駆体は、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱により酸化亜鉛を生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、炭酸亜鉛が挙げられる。酸化ゲルマニウムの前駆体は、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱により酸化ゲルマニウムを生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、炭酸ゲルマニウムが挙げられる。

（溶融およびアモルファス化の工程）
次に、得られた混合物を高温（例えば１４００℃程度）で加熱、溶融し溶融物を得たのち、この溶融物を急冷することでアモルファス体（ガラス体）を得る。ここで一部微結晶体が析出していても、後の熱処理の際に粗大にならない程度であれば問題ない。

溶融物の急冷方法としては、例えば、金属双ロール法もしくは単ロール法等の液体急冷法、または溶融物を水中に投入する方法を用いることができるが、製造設備の簡略化の観点からすると、溶融物を水中に投入する方法が好ましい。

（結晶化の工程）
続いて、加熱装置により、アモルファス体を熱処理し結晶化することで、結晶化ガラス中にコバルトフェライト磁性粉を析出させ、磁性粉含有体を得る。この際、磁性粉は結晶化ガラス（非磁性成分）中で析出するため、粒子が互いに焼結することを抑制し、微細粒子サイズの磁性粉を得ることができる。また、アモルファス体を高温で熱処理するため、結晶性が良好な高磁化（σｓ）の磁性粉を得ることができる。

熱処理は、大気雰囲気よりも酸素濃度が低い雰囲気で行われる。このような雰囲気で熱処理が行われることで、磁性粉の保磁力Ｈｃを向上し、かつ、磁性粉に一軸結晶磁気異方性を付与することができる。熱処理時の酸素分圧は、１．０ｋＰａ以下、好ましくは０．９ｋＰａ以下、より好ましくは０．５ｋＰａ以下、更により好ましくは０．１ｋＰａ以下である。なお、大気雰囲気の酸素分圧は２１ｋＰａである。熱処理時の酸素分圧が１．０ｋＰａ以下であると、磁性粉の保磁力Ｈｃを２５００Ｏｅ以上にすることができる。熱処理時の雰囲気を大気雰囲気よりも酸素濃度が低いものとするためには、アモルファス体を収容した加熱装置内に窒素、Ａｒガス等の不活性なガスを導入してもよいし、加熱装置内を真空ポンプを用いて真空引きし低圧の状態にしてもよい。

熱処理の温度は、好ましくは５００℃以上６７０℃以下、より好ましくは５３０℃以上６５０℃以下、例えば６１０℃程度である。熱処理の時間は、好ましくは０．５時間以上２０時間以下、より好ましくは１．０時間以上１０時間以下である。

非磁性成分であるガラスのガラス軟化点と磁性粉の形成成分の結晶化温度は近いことが好ましい。ガラス軟化点が低く、ガラス軟化点と結晶化温度とが離れていると、磁性粉の形成成分を結晶化するための温度に達した時点でガラスが柔らかくなり、析出した磁性粉が焼結し易くなり、磁性粉のサイズが大きくなる虞がある。

（磁性粉取り出しの工程）
その後、例えば弱酸または温水により、非磁性成分である結晶化ガラスを除去し、磁性粉を取り出す。これにより、目的とする磁性粉が得られる。

［３ 磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。磁性層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

［４ 効果］
上述したように、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０では、磁気記録媒体のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２が、０以上０．２５以下である。比率Ｌ４／Ｌ２が０以上０．２５以下であると、磁性粉（磁性層）の一軸結晶磁気異方性を強くすることができるため、ノイズを低減することができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例において、ベースフィルム（基体）の平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚みは、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。

［実施例１］
（原料混合の工程）
まず、ガラスの形成成分としての四ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）と、磁性粉の形成成分としての酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、塩基性炭酸コバルト（２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２）および酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）とを準備した。そして、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：Ｃｕ_２Ｏがｍｏｌ比で５1．７：２０．７：２２．３４：２．９２：２．３４となるように混合し、混合物を得た。

（溶融およびアモルファス化の工程）
次に、得られた混合物を１４００℃で１時間加熱し溶融させ溶融物を得たのち、この溶融物を水中に投入しアモルファス体（ガラス体）を得た。なお、上記加熱の際に、炭酸ストロンチウムから炭酸が除去され、酸化ストロンチウムが生成される。また、塩基性炭酸コバルトから炭酸が除去され、酸化コバルトが生成される。

（結晶化の工程）
続いて、得られたアモルファス体を、酸素分圧０．１ｋＰａの雰囲気中で６１０℃、２．５時間、熱処理し結晶化させ、コバルトフェライト磁性粉を析出させた。これにより、結晶化ガラス中にコバルトフェライトが析出された磁性粉含有体が得られた。

（磁性粉取り出しの工程）
その後、非磁性成分である結晶化ガラスを熱水により除去してコバルトフェライト磁性粉（組成（Ｃｏ_０．７Ｃｕ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４、ほぼ立方体状、平均粒子サイズ２３．１ｎｍ）を取り出した。

（Ｘ線回折による分析）
上述のようにして得られたコバルトフェライト磁性粉をＸ線回折により分析した。その結果、コバルトフェライトのピークが確認されたのに対して、六方晶フェライトや非磁性成分（結晶化ガラス）のピークは確認されなかった。これにより、上記の結晶化の工程では、六方晶フェライト磁性粉の析出を抑制でき、かつ、上記の磁性粉取り出しの工程では、熱水により結晶化ガラスを除去できることがわかった。

（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
コバルトフェライト磁性粉：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
なお、磁性粉としては、上述のようにして得られたコバルトフェライト磁性粉を用いた。

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、磁気テープを以下のようにして作製した。まず、支持体として、長尺状を有する、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルム（ベースフィルム）を準備した。次に、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、平均厚みが１．０１５μｍの下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に平均厚みが８５ｎｍの磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。

続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、平均厚み０．４μｍのバック層を形成した。そして、下地層、磁性層、およびバック層が形成されたＰＥＮフィルムに対して硬化処理を行った。その後、カレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、平均厚みが５．５μｍの磁気テープが得られた。

［実施例２］
磁性粉の作製工程において、ガラスの形成成分としての四ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）と、磁性粉の形成成分としての酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）および塩基性炭酸コバルト（２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２）とを準備した。そして、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２がｍｏｌ比で５４．３：１９．０：２３．０：３．７となるように混合し、混合物を得た。これ以降の工程は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（組成Ｃｏ_０．６Ｆｅ_２Ｏ_４、ほぼ立方体状、平均粒子サイズ１６．４ｎｍ）を得た。

磁性粉として上述のようにして得られたコバルトフェライト磁性粉を用いるたこと、および成膜工程において磁性粉をＰＥＮフィルムの長手方向に磁場配向させたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例１］
磁性粉として多軸結晶磁気異方性を有するコバルトフェライト磁性粉（組成ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ほぼ立方体状、平均粒子サイズ２０．４ｎｍ）を用いたこと以外は実施例２と同様にして磁気テープを得た。

［比較例２］
磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉（組成ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９、六角板状、平均粒子サイズ（平均板径）２５．０ｎｍ）を用い、磁性層形成用塗料を調製したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。

（磁性粉の飽和磁化σｓの評価）
実施例１、２、比較例１、２の磁気テープに用いた磁性粉の飽和磁化σｓを上述の一実施形態にて説明した方法により求めた。その結果を表１に示す。

（保磁力Ｈｃ、結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕ、熱安定性Δ、活性化体積Ｖ_ａｃｔおよび比率Ｌ４／Ｌ２の評価）
実施例１、２、比較例１、２の磁気テープの保磁力Ｈｃ、結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕ、熱安定性Δ、活性化体積Ｖ_ａｃｔおよび比率Ｌ４／Ｌ２を上述の一実施形態にて説明した方法により求めた。その結果を表１に示す。なお、上記特性値の測定は磁気テープの状態において行われた。また、比率Ｌ４／Ｌ２の測定時に測定した磁気トルク波形を図２Ａ（実施例２）、図２Ｂ（比較例１）、図２Ｃ（比較例２）に示す。

（ＤＣ消去ノイズの評価）
実施例２、比較例１、２の磁気テープのＤＣ消去ノイズを以下のようにして測定した。すなわち、市販の１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて磁気テープを走行させ、リニアテープドライブ用のヘッドを用いて記録再生を行うことにより、２５℃環境におけるＤＣ消去ノイズを測定した。なお、ＤＣ消去ノイズの測定はスペクトラムアナライザーで行い、ＤＣ消去は磁気テープに市販のネオジム磁石で磁場をかけることで行った。なお、ＤＣ消去ノイズは、直流消去（消磁）した磁気テープを再生した場合に発生するノイズを意味する。図３に、実施例２、比較例１、２の磁気テープの直流消去ノイズを示す。

表１は、実施例１、２、比較例１、２の磁気テープの構成および評価結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
一軸結晶磁気異方性を有するコバルトフェライト磁性粉（実施例１、２）では、バリウムフェライト磁性粉（比較例２）に比べて、磁性粉の飽和磁化σｓを高くすることができる。
一軸結晶磁気異方性を有するコバルトフェライト磁性粉を用いた実施例１、２の磁気テープでは、バリウムフェライト磁性粉を用いた比較例２の磁気テープに比べて、結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕおよび熱安定性Δを高くすることができる。
一軸結晶磁気異方性を有するコバルトフェライト磁性粉を用いた実施例１、２の磁気テープでは、多軸結晶磁気異方性を有するコバルトフェライト磁性粉を用いた比較例１の磁気テープに比べて、比率Ｌ４／Ｌ２を低減することができる。

図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃから以下のことがわかる。
実施例２、比較例２の磁気テープの磁気トルク波形（図２Ａ、図２Ｃ）では、１８０°周期でトルクが変動する。これは、実施例２の磁気テープで用いたコバルトフェライト磁性粉および比較例２の磁気テープで用いたコバルトフェライト磁性粉は、一軸結晶磁気異方性を有しているためである。
これに対して、比較例１の磁気テープの磁気トルク波形（図２Ｂ）では、９０°周期でトルクが変動している。これは、比較例１の磁気テープで用いたコバルトフェライト磁性粉は、多軸結晶磁気異方性を有しているためである。

図３から以下のことがわかる。
実施例２の磁気テープでは、比較例１の磁気テープに比べてＤＣ消去ノイズを低減することができる。低域におけるＤＣ消去ノイズを特に低減することができる。

［変形例］
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態で段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態では磁性粉が垂直方向に配向されている場合について説明したが、磁性粉が長手方向に配向されていてもよい。この場合、磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃは、第１の実施形態にて説明した、磁気記録媒体１０の垂直方向における保磁力Ｈｃと同様の数値範囲である。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記磁性粉は、一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、
磁気記録媒体のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２が、０以上０．２５以下である磁気記録媒体。
（２）
磁気記録媒体の結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕが、０．１Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以上１．５Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
磁気記録媒体の熱安定性（Ｋ_ｕＶ_ａｃｔ／ｋ_ＢＴ、Ｋ_ｕ：前記磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖ_ａｃｔ：前記磁性粉の活性化体積、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、６０以上である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
磁気記録媒体の活性化体積Ｖ_ａｃｔが、１６０００ｎｍ^３以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記磁性層の平均厚みが、４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記磁性粉は、配向されており、
前記配向の方向に測定された保磁力Ｈｃが、２５００Ｏｅ以上４５００Ｏｅ以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、６５％以上である（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記コバルトフェライトが、逆スピネル型の結晶構造を有する（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されている（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性粉の飽和磁化σｓが、５５ｅｍｕ／ｇ以上である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性粉の平均粒子サイズが、１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記磁性粉の相対標準偏差が、５０％以下である（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
前記磁性粉が、垂直方向に配向している（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

１０ 磁気記録媒体
１１ 基体
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層

Claims (12)

1. テープ状の磁気記録媒体であって、
   基体と、
   前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
   を備え、
   前記磁性粉は、一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、
   磁気記録媒体のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２が、０以上０．２５以下であり、
   磁気記録媒体の熱安定性（Ｋ _ｕ Ｖ _ａｃｔ ／ｋ _Ｂ Ｔ、Ｋ _ｕ ：前記磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖ _ａｃｔ ：前記磁性粉の活性化体積、ｋ _Ｂ ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、６０以上である磁気記録媒体。
2. 磁気記録媒体の結晶磁気異方性定数Ｋ_ｕが、０．１Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以上１．５Ｍｅｒｇ／ｃｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 磁気記録媒体の活性化体積Ｖ_ａｃｔが、１６０００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性層の平均厚みが、４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 前記磁性粉は、配向されており、
   前記配向の方向に測定された保磁力Ｈｃが、２５００Ｏｅ以上４５００Ｏｅ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、６５％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
7. 前記コバルトフェライトが、逆スピネル型の結晶構造を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
8. 前記コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
9. 前記磁性粉の飽和磁化σｓが、５５ｅｍｕ／ｇ以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
10. 前記磁性粉の平均粒子サイズが、１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
11. 前記磁性粉の相対標準偏差が、５０％以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
12. 前記磁性粉が、垂直方向に配向している請求項１に記載の磁気記録媒体。

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