JP7425705B2 - dielectric heating device - Google Patents
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Description
本発明は、誘電加熱装置に関する。 The present invention relates to a dielectric heating device.
二つの対向電極の少なくとも一つに電圧を印加して、加熱室内に配置された被加熱物を加熱する誘電加熱装置が知られている。このような誘電加熱装置において、対向電極を含む負荷側回路として正負時における電界分布が等しい平衡回路を用いる技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。これによれば、二つの対向電極にそれぞれ位相差180°の電圧を印加することで、被加熱物内の電界強度の差を抑制して、被加熱物の全体を均一に加熱可能である。 2. Description of the Related Art A dielectric heating device is known that heats an object placed in a heating chamber by applying a voltage to at least one of two opposing electrodes. In such a dielectric heating device, a technique is known in which a balanced circuit with equal electric field distribution in positive and negative times is used as a load-side circuit including a counter electrode (for example, see Patent Document 1). According to this, by applying voltages with a phase difference of 180° to the two opposing electrodes, it is possible to suppress the difference in electric field strength within the object to be heated and uniformly heat the entire object to be heated.
二つの対向電極(例えば上側電極及び下側電極)の位置が固定された誘電加熱装置では、被加熱物から上側電極までの距離と、被加熱物から下側電極までの距離とが異なる場合がある。この場合、上述した平衡回路を用いた加熱制御を行っても、上側電極が被加熱物に作用させる電界強度と、下側電極が被加熱物に作用させる電界強度とに差が発生するおそれがある。このような電界強度の差が生じると、被加熱物の全体を均等に加熱できないおそれがある。 In a dielectric heating device in which the positions of two opposing electrodes (for example, an upper electrode and a lower electrode) are fixed, the distance from the object to be heated to the upper electrode may be different from the distance from the object to be heated to the lower electrode. be. In this case, even if heating control is performed using the above-mentioned balance circuit, there is a risk that a difference will occur between the electric field strength that the upper electrode acts on the object to be heated and the electric field intensity that the lower electrode acts on the object. be. If such a difference in electric field strength occurs, there is a possibility that the entire object to be heated cannot be heated evenly.
本開示の一態様は、被加熱物の全体を均等に加熱可能な誘電加熱装置を提供することを目的とする。 One aspect of the present disclosure aims to provide a dielectric heating device that can uniformly heat the entire object to be heated.
本開示の一態様の誘電加熱装置は、間隔を空けて対向する二つの加熱電極と、前記二つの加熱電極の間に設けられ、被加熱物を配置可能な空間である加熱室と、前記二つの加熱電極に印加される電圧の位相差が180°となるように、前記二つの加熱電極に高周波電力を供給する高周波電源と、前記高周波電源から前記二つの加熱電極の各々に印加される前記電圧を個別に調整する制御部と、を備える。 A dielectric heating device according to one aspect of the present disclosure includes two heating electrodes that face each other with a space between them, a heating chamber that is a space provided between the two heating electrodes and in which an object to be heated can be placed, and a heating chamber that is a space in which an object to be heated can be placed. a high frequency power supply that supplies high frequency power to the two heating electrodes so that the phase difference between the voltages applied to the two heating electrodes is 180°; A control unit that individually adjusts the voltage.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and duplicate explanations will be omitted.
(誘電加熱装置の概要説明)
本実施形態に係る誘電加熱装置100を説明する。図1は、誘電加熱装置100の全体構成を示す図である。図2は、整合回路104A,104Bの構成を示す図である。誘電加熱装置100は、食品などの被加熱物に高周波電界を印加して、被加熱物の加熱処理、解凍処理などを行う。
(Overview of dielectric heating device)
The
図1に示すように、誘電加熱装置100は、加熱庫101、駆動回路102、制御部105を含む。加熱庫101は、金属製の箱状であり、被加熱物を収容可能な内部空間を有する。加熱庫101の内部空間は、前方に開口しており、図示外の開閉扉によって開閉可能である。図1は、前方から視た加熱庫101を模式的に示す。図1の上側、下側、左側、右側、紙面手前側、及び紙面奥側は、誘電加熱装置100(即ち加熱庫101)の上側、下側、左側、右側、前側、及び後側に夫々対応する。金属製の加熱庫101は、接地線109等によって接地されている。
As shown in FIG. 1, the
加熱庫101の内部空間には、二つの加熱電極110、加熱室113等が設けられている。二つの加熱電極110は、互いに間隔を空けて対向する。一例として、二つの加熱電極110は、上下方向に対向する上側電極111及び下側電極112である。上側電極111及び下側電極112は、前後左右方向に延びる四角形の平板状であり、互いに平行になるように配置されている。加熱室113は、二つの加熱電極110(上側電極111及び下側電極112)に挟まれた、複数の被加熱物を配置可能な空間である。
Two
駆動回路102は、高周波電源103、及び整合回路104A,104Bを含む。高周波電源103は、二つの加熱電極110に供給する高周波電力を生成する電源回路である。詳細には、高周波電源103は、二つの加熱電極110に印加される電圧の位相差が180°となるように、二つの加熱電極110に高周波電力を供給する。高周波電源103は、発振器131、移相器132、可変アッテネータ133A,133B、アンプ134A,134Bを含む。
発振器131は、先述の接地線109に接続されており、HFからVHFまでの帯域の周波数の電圧信号を発信する。発振器131が発信した電圧信号は、発振器131に対して並列に接続された可変アッテネータ133A,133Bに夫々入力される。ただし、可変アッテネータ133Bに入力される電圧信号は、可変アッテネータ133Bと高周波電源103との間に接続された移相器132によって180°位相が変換される。従って、可変アッテネータ133A,133Bに夫々入力される電圧信号の移相差は180°となる。
The
可変アッテネータ133Aによって適切なレベルに減衰された電圧信号は、アンプ134Aによって所望の電力まで増幅されて、整合回路104Aに送信される。可変アッテネータ133Bによって適切なレベルに減衰された電圧信号は、アンプ134Bによって所望の電力まで増幅されて、整合回路104Bに送信される。これにより、整合回路104A,104Bに夫々送信される電圧信号は、互いに同程度の電力に増幅されており、且つ互いの位相差が180°となる。
The voltage signal attenuated to an appropriate level by
図2に示すように、整合回路104Aは、入力側がアンプ134Aに接続され、出力側が上側電極111に接続されている。整合回路104Aは、可変コイル201及び可変コンデンサ202,203を含む。整合回路104Aでは、可変コイル201及び可変コンデンサ202が高周波電源103の出力と直列に接続され、可変コンデンサ203が高周波電源103の出力と並列に接続されている。可変コンデンサ203は、先述の接地線109に接続されている。
As shown in FIG. 2, the input side of the
整合回路104Aは、可変コイル201及び可変コンデンサ202,203の値を調整することにより、整合回路104Aの入力インピーダンスとアンプ134Aの出力インピーダンスとを一致させる。これにより、高周波電源103(詳細にはアンプ134A)から視た上側電極111側のインピーダンスを一定にして、上側電極111側に効率的に電圧信号を供給できる。
The matching
整合回路104Bは、入力側がアンプ134Bに接続され、出力側が下側電極112に接続されている。整合回路104Bは、整合回路104Aと同様の構成によって、整合回路104Bの入力インピーダンスとアンプ134Bの出力インピーダンスとを一致させる。これにより、高周波電源103(詳細にはアンプ134B)から視た下側電極112側のインピーダンスを一定にして、下側電極112側に効率的に電圧信号を供給できる。
The
駆動回路102では、整合回路104A,104Bによってインピーダンス整合が施された電圧が、上側電極111と下側電極112とで形成されるコンデンサへ供給される。これにより、上側電極111と下側電極112との間に高周波電界が発生し、上側電極111と下側電極112との間に配置された被加熱物が誘電加熱される。
In the
図3Aは、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧の変化を示すグラフである。図3Aの例では、高周波電源103が上側電極111及び下側電極112に印加する電圧の変化は、一周期において「-0.5」~「+0.5」の振幅で変位する正弦波を示す。ただし、上側電極111の印加電圧と、下側電極112の印加電圧とは、互いの移相が180°異なる。
FIG. 3A is a graph showing changes in the electrode voltages applied to the
図3Bは、上側電極111と下側電極112との間に発生する電極間電圧の変化を示すグラフである。電極間電圧は、上側電極111の印加電圧と下側電極112の印加電圧との差である。図3Bは、図3Aに示す上側電極111及び下側電極112の電極間電圧の変化を示す。この電極間電圧の変化は、その振幅が上側電極111及び下側電極112の印加電圧の二倍となるため、一周期において「-1.0」~「+1.0」の振幅で変位する正弦波を示す。
FIG. 3B is a graph showing changes in the interelectrode voltage generated between the
このように誘電加熱装置100では、高周波電源103は、二つの加熱電極110に印加される電圧の位相差が180°となるように、二つの加熱電極110に電圧を印加する。このような平衡回路方式の加熱制御によれば、二つの加熱電極110の一方に電圧印加する不平衡回路方式の加熱制御と比べて、一つの加熱電極110に印加される最大電圧を抑止しつつ、より大きな電極間電圧を発生させることができる。
In this manner, in the
制御部105は、誘電加熱装置100の加熱制御を司る電子部品であり、例えばマイクロコンピュータや電子回路によって構成される。制御部105は、高周波電源103から二つの加熱電極110の各々に印加される電圧を個別に調整する。
The
(制御部が調整する電圧比率)
本実施形態では、先述のように二つの加熱電極110は、加熱室113の上側にある上側電極111と、加熱室113の下側にある下側電極112とを含む。制御部105は、加熱室113内に配置された被加熱物の高さ(即ち、上下方向の長さ)に基づいて、上側電極111及び下側電極112の電圧比率を調整する。
(Voltage ratio adjusted by the control unit)
In this embodiment, as described above, the two
図4A~図4Cを参照して、制御部105が調整する上側電極111及び下側電極112の電圧比率を説明する。図4Aは、一つの被加熱物Tが配置された加熱庫101を示す図である。図4Bは、二つの被加熱物Tが重ねて配置された加熱庫101を示す図である。図4Cは、四つの被加熱物Tが重ねて配置された加熱庫101を示す図である。
The voltage ratio of the
以下の説明では、二つの加熱電極110間の距離(即ち、上側電極111と下側電極112との距離)を、距離H1とする。一つの被加熱物Tの高さを、距離H2とする。上側電極111の電圧の大きさを、電圧VUとする。下側電極112の電圧の大きさを、電圧VLとする。
In the following description, the distance between the two heating electrodes 110 (that is, the distance between the
図4Aに示す例では、加熱室113内において、一つの被加熱物Tが下側電極112上に配置されている。このような一つの被加熱物Tを加熱室113内で加熱する場合、制御部105は、上側電極111及び下側電極112に夫々供給する高周波電力を制御して、以下の(数1)を満たすように上側電極111及び下側電極112の電圧比率を調整する。
0.25*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*H2/H1・・・(数1)
In the example shown in FIG. 4A, one object to be heated T is placed on the
0.25*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*H2/H1...(Math. 1)
図3Aで例示したように、制御部105は、二つの加熱電極110に印加される電圧の位相差が180°となるように、各加熱電極110に供給する高周波電力を制御する。ただし、制御部105は、図3Bに例示した電極間電圧を維持しつつ、(数1)を満たすように電圧VU及び電圧VLの比率を変える。
As illustrated in FIG. 3A, the
ここで、距離H1は、予め設定された固定値である。一方、距離H2は、加熱室113内に配置される被加熱物Tに応じて変化する。つまり、加熱室113内に配置される被加熱物Tに応じて、電圧VL及び電圧VUの目標比率が変化する。加熱室113内において、上側電極111から作用する電界と下側電極112から作用する電界とが均衡する位置を、電界基準位置という。(数1)によって電圧比率を調整することは、電界基準位置を調整することに等しい。
Here, the distance H1 is a fixed value set in advance. On the other hand, the distance H2 changes depending on the object to be heated T placed in the
(数1)において、「0.25*H2/H1」は、加熱室113内で電界基準位置を設定できる許容幅H3の下限位置を表す。具体的には、許容幅H3の下限位置は、一つの被加熱物Tの上下方向中心C1から視て、被加熱物Tの高さ(即ち距離H2)の1/4に相当する距離分、下方に位置する。一方、「0.75*H2/H1」は、許容幅H3の上限位置を表す。具体的には、許容幅H3の上限位置は、上下方向中心C1から視て、距離H2の1/4に相当する距離分、上方に位置する。
In (Equation 1), “0.25*H2/H1” represents the lower limit position of the allowable width H3 in which the electric field reference position can be set within the
つまり、(数1)に基づく電界基準位置の許容幅H3は、上下方向中心C1を中心とした、距離H2の1/2に相当する上下方向の幅となる。制御部105が(数1)を満たすように電圧VU及び電圧VLの比率を調整すると、電界基準位置が許容幅H3内に収まる。これにより、一つの被加熱物Tのうちで、上下方向中心C1を基準として上側部分及び下側部分の両方に、略均等な電界が作用する。従って、一つの被加熱物Tにおける上側部分及び下側部分に加熱ムラを生じることなく、一つの被加熱物Tの全体を均等に加熱できる。
That is, the permissible width H3 of the electric field reference position based on (Equation 1) is a width in the vertical direction corresponding to 1/2 of the distance H2 centered on the vertical center C1. When the
図4Bに示す例では、加熱室113内において、二つの被加熱物Tが上下に重ねて下側電極112上に配置されている。このような二つの被加熱物Tを加熱室113内で加熱する場合、制御部105は、上側電極111及び下側電極112に夫々供給する高周波電力を制御して、以下の(数2)を満たすように上側電極111及び下側電極112の電圧比率を調整する。
0.5*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦1.5*H2/H1・・・(数2)
In the example shown in FIG. 4B, within the
0.5*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦1.5*H2/H1...(Math. 2)
(数2)において、「0.5*H2/H1」は、加熱室113内で電界基準位置を設定できる許容幅H3の下限位置を表す。具体的には、許容幅H3の下限位置は、二つの被加熱物Tの上下方向中心C2から視て、被加熱物Tの高さ(即ち距離H2)の1/2に相当する距離分、下方に位置する。一方、「1.5*H2/H1」は、許容幅H3の上限位置を表す。具体的には、許容幅H3の上限位置は、上下方向中心C2から視て、距離H2の1/2に相当する距離分、上方に位置する。
In (Equation 2), “0.5*H2/H1” represents the lower limit position of the allowable width H3 in which the electric field reference position can be set within the
つまり、(数2)に基づく電界基準位置の許容幅H3は、上下方向中心C2を中心とした、距離H2に相当する上下方向の幅となる。制御部105が(数2)を満たすように電圧VU及び電圧VLの比率を調整すると、電界基準位置が許容幅H3内に収まる。これにより、上下方向中心C2よりも上側の被加熱物Tと、上下方向中心C2よりも下側の被加熱物Tとの両方に、略均等な電界が作用する。従って、上側の被加熱物T及び下側の被加熱物Tに加熱ムラを生じることなく、二つの被加熱物Tの全体を均等に加熱できる。
That is, the permissible width H3 of the electric field reference position based on (Equation 2) is a width in the vertical direction corresponding to the distance H2 centered on the vertical center C2. When the
上述の(数1)及び(数2)は、それぞれ対象となる被加熱物Tの数量が異なる。つまり、(数1)及び(数2)に示すように、被加熱物Tの数量が異なると、許容幅H3の下限位置を表す式、及び許容幅H3の上限位置を表す式に設定される定数が、被加熱物Tの数量によって変化する。例えば、(数1)では許容幅H3の下限位置を表す式の定数は「0.25」であるが、(数2)では許容幅H3の下限位置を表す式の定数は「0.5」となる。 The above-mentioned (Equation 1) and (Equation 2) differ in the number of objects to be heated T, respectively. In other words, as shown in (Equation 1) and (Equation 2), when the quantity of objects to be heated T is different, the formula representing the lower limit position of the allowable width H3 and the formula representing the upper limit position of the allowable width H3 are set. The constant changes depending on the number of objects T to be heated. For example, in (Math. 1), the constant of the formula representing the lower limit position of the allowable width H3 is "0.25", but in (Math. 2), the constant of the formula representing the lower limit position of the allowable width H3 is "0.5". becomes.
そこで、(数1)及び(数2)において、被加熱物Tの数量をn個という変数に設定することで、(数1)及び(数2)を共通の数式である(数3)に導き出せる。即ち制御部105は、n個の同じ被加熱物Tを加熱室113内で上下n段に重ねて加熱する場合、上側電極111及び下側電極112に夫々供給する高周波電力を制御して、以下の(数3)を満たすように上側電極111及び下側電極112の電圧比率を調整する。
0.25*n*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*n*H2/H1
・・・(数3)
なお、(数3)は、「n=1」を代入すれば(数1)と同じ式になり、「n=2」を代入すれば(数2)と同じ式になる
Therefore, in (Equation 1) and (Equation 2), by setting the number of objects to be heated T as a variable called n pieces, (Equation 1) and (Equation 2) can be converted into the common equation (Equation 3). I can derive it. That is, when heating the same n objects T to be heated T stacked up and down in n stages in the
0.25*n*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*n*H2/H1
...(Math 3)
Note that (Math. 3) becomes the same formula as (Math. 1) by substituting "n=1", and becomes the same formula as (Math. 2) by substituting "n=2".
(数3)において、「0.25*n*H2/H1」は、加熱室113内で電界基準位置を設定できる許容幅H3の下限位置を表す。具体的には、許容幅H3の下限位置は、n個の被加熱物Tの上下方向中心C3から視て、被加熱物Tの高さ(即ち距離H2)に「0.25*n」を乗じた距離分、下方に位置する。一方、「0.75*n*H2/H1」は、許容幅H3の上限位置を表す。具体的には、許容幅H3の上限位置は、上下方向中心C3から視て、距離H2に「0.25*n」を乗じた距離分、上方に位置する。
In (Equation 3), “0.25*n*H2/H1” represents the lower limit position of the allowable width H3 in which the electric field reference position can be set within the
図4Cに示す例では、加熱室113内において、四つの被加熱物Tが上下に重ねて下側電極112上に配置されているため、「n=4」である。この場合、許容幅H3の下限位置は、四つの被加熱物Tの上下方向中心C3から視て、距離H2に相当する距離分、下方に位置する。許容幅H3の上限位置は、上下方向中心C3から視て、距離H2に相当する距離分、上方に位置する。
In the example shown in FIG. 4C, in the
つまり、(数3)に基づく電界基準位置の許容幅H3は、上下方向中心C3を中心とした「2*0.25*n」に相当する上下方向の幅となる。制御部105が(数3)を満たすように電圧VU及び電圧VLの比率を調整すると、電界基準位置が許容幅H3内に収まるため、上述と同様にn個の被加熱物Tの全体を均等に加熱できる。
In other words, the allowable width H3 of the electric field reference position based on (Equation 3) is a width in the vertical direction corresponding to "2*0.25*n" centered on the vertical center C3. When the
本実施形態では、n個の数量に関係なく、電界基準位置が許容幅H3の上下方向中心と略一致するように、制御部105が電圧VU及び電圧VLの比率を調整する。これにより、n個の被加熱物Tの全体のうち、上下方向中心C3よりも上側にある部分と、上下方向中心C3よりも下側にある部分との両方に、より均等な電界が作用する。従って、n個の被加熱物Tの全体をより均等に加熱できる。もちろん電界基準位置は、許容幅H3に収まるのであれば、許容幅H3の上下方向中心からズレてもよい。
In this embodiment, the
(電圧比率の調整方法)
制御部105は、例えば誘電加熱装置100の加熱制御時に、先述した(数1)~(数3)の何れかによって、電圧VU及び電圧VLの目標比率を算出する。制御部105は、電圧VU及び電圧VLが目標比率と一致するように、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧を調整する。
(How to adjust voltage ratio)
For example, when controlling the heating of the
本実施形態では、先述したように高周波電源103は、発振器131からの高周波信号に応じて、二つの加熱電極110に電圧を夫々出力する二つのアンプ134A,134Bを含む。制御部105は、二つのアンプ134A,134Bの出力電圧を個別に調整することで、二つの加熱電極110の各々に印加される電圧を個別に調整する。図1を参照して、このような電圧比率の調整方法の具体的態様を説明する。
In this embodiment, as described above, the high
電圧比率の調整方法の第一態様を説明する。先述したように、高周波電源103は、二つのアンプ134A,134Bに入力される高周波信号を夫々減衰するための二つの可変アッテネータ133A,133Bを含む。制御部105は、二つの可変アッテネータ133A,133Bによる高周波信号の減衰量を個別に調整することで、二つのアンプ134A,134Bの出力電圧を個別に調整する。
A first aspect of the voltage ratio adjustment method will be explained. As mentioned above, the high
例えば制御部105は、電圧VU及び電圧VLが目標比率となるように、可変アッテネータ133A,133Bのうちで、一方の減衰量を増加させると共に、他方の減衰量を減少させる。その結果、二つのアンプ134A,134Bの出力電圧のうち、一方の出力電圧が増加すると共に、他方の出力電圧が減少する。これにより、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧は、電圧VU及び電圧VLの目標比率と略一致する。
For example, the
電圧比率の調整方法の第二態様を説明する。二つのアンプ134A,134Bでは、制御部105によって各々に供給される駆動電圧の大きさに応じて、入力された高周波信号の増幅率が変化する。そこで制御部105は、二つのアンプ134A,134Bを動作させるための駆動電圧を個別に調整することで、二つのアンプ134A,134Bの出力電圧を個別に調整する。
A second aspect of the voltage ratio adjustment method will be explained. In the two
例えば制御部105は、電圧VU及び電圧VLが目標比率となるように、アンプ134A,134Bに入力する駆動電圧のうちで、一方の駆動電圧を大きくすると共に、他方の駆動電圧を小さくする。その結果、二つのアンプ134A,134Bの出力電圧のうち、一方の出力電圧が増加すると共に、他方の出力電圧が減少する。これにより、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧は、電圧VU及び電圧VLの目標比率と略一致する。
For example, the
上述の第一及び第二態様によれば、アンプ134Aと上側電極111との間でインピーダンス整合を損なうことなく、且つアンプ134Bと下側電極112との間でインピーダンス整合を損なうことなく、電圧VU及び電圧VLを目標比率と一致できるように調整できる。
According to the first and second aspects described above, voltage VU can be adjusted without impairing impedance matching between
ここで図5を参照して、上述した電圧比率の調整後に、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧の変化を説明する。図5は、電圧比率の調整後に、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧の変化を示すグラフである。例えば図4Bでは、加熱室113内に配置された二つの被加熱物Tは、何れも上側電極111よりも下側電極112のほうが近い。従って、上側電極111から発生する電界は、下側電極112から発生する電界よりも、二つの被加熱物Tに作用し難い。
Here, with reference to FIG. 5, changes in the electrode voltages applied to the
このような事例では、制御部105は(数2)に基づいて、電圧VUが電圧VLよりも大きくなるような目標比率を算出する。例えば制御部105は、電圧VU及び電圧VLの目標比率として、「0.7:0.3」を算出したとする。この場合、図5に例示するような電極電圧が、上側電極111及び下側電極112に印加される。
In such a case, the
図5の例では、図3Aの例と同様に、上側電極111の印加電圧(即ち電圧VU)と下側電極112の印加電圧(即ち電圧VL)とは、互いの移相が180°異なる。ただし、電圧VUは、一周期において「-0.7」~「+0.7」の振幅で変位する正弦波を示す。電圧VLは、一周期において「-0.3」~「+0.3」の振幅で変位する正弦波を示す。この場合も、上側電極111と下側電極112との間に発生する電極間電圧の変化は、図3Bと同様に、一周期において「-1.0」~「+1.0」の振幅で変位する正弦波を示す。
In the example of FIG. 5, similarly to the example of FIG. 3A, the voltage applied to the upper electrode 111 (ie, voltage VU) and the voltage applied to the lower electrode 112 (ie, voltage VL) have a phase shift of 180° different from each other. However, the voltage VU shows a sine wave whose amplitude varies from "-0.7" to "+0.7" in one cycle. The voltage VL shows a sine wave that varies in amplitude from "-0.3" to "+0.3" in one cycle. In this case as well, the change in interelectrode voltage that occurs between the
これにより、上側電極111から発生する電界は、下側電極112から発生する電界よりも大きくなる。更に、上側電極111から発生する電界は、下側電極112から発生する電界と同程度の強度で、二つの被加熱物Tに作用する。従って、二つの被加熱物Tが二つの加熱電極110の一方側に偏って配置されていても、二つの加熱電極110が発生する電界を二つの被加熱物Tに均等に作用させて、二つの被加熱物Tの全体を均等に加熱できる。
As a result, the electric field generated from the
(電圧比率調整に関する情報取得)
制御部105には、(数1)~(数3)の何れかによって電圧VU及び電圧VLの目標比率を算出するため、被加熱物Tの個数(即ちn個)及び高さ(即ち距離H2)を特定する必要がある。制御部105は、図6~図11に例示する各種態様によって、被加熱物Tの個数及び高さを特定できる。
(Obtaining information regarding voltage ratio adjustment)
In order to calculate the target ratio of the voltage VU and the voltage VL using one of (Equation 1) to (Equation 3), the
図6は、第一例に係る誘電加熱装置100の外観図である。図7は、第二例に係る誘電加熱装置100の外観図である。図8は、第三例に係る誘電加熱装置100の外観図である。図9は、第四例に係る誘電加熱装置100の外観図である。図10は、第五例に係る誘電加熱装置100の外観図である。図11は、第六例に係る誘電加熱装置100の外観図である。
FIG. 6 is an external view of the
図6~図11に示すように、誘電加熱装置100は、加熱庫101の前面側に、各種情報を入出力するためのタッチパネルディスプレイ601と、加熱室113の前側で開閉可能な開閉扉602が設けられている。開閉扉602には、後述の第四例を除いて、加熱室113内を前方から目視するための窓603が設けられている。
As shown in FIGS. 6 to 11, the
図6に示すように、第一例の誘電加熱装置100では、例えばユーザは被加熱物Tを加熱する前に、被加熱物Tの個数と一つの被加熱物Tの高さとを、誘電加熱装置100に入力する。図6の例では、加熱室113内に配置された被加熱物Tの個数である「2個」と、各被加熱物Tの高さ(距離H2)である「8cm」とが、タッチパネルディスプレイ601から入力されている。制御部105は、入力された被加熱物Tの個数及び高さに基づき、(数1)~(数3)の何れかによって電圧VU及び電圧VLの目標比率を算出し、その目標比率に従って加熱制御を実行すればよい。
As shown in FIG. 6, in the
図7に示すように、第二例の誘電加熱装置100では、例えばユーザは被加熱物Tを加熱する前に、加熱室113内に配置された被加熱物T全体の高さを誘電加熱装置100に入力する。図7の例では、加熱室113内に配置された2個の被加熱物Tの高さ(距離H4)である「16cm」が、タッチパネルディスプレイ601から入力されている。
As shown in FIG. 7, in the
(数3)における「n*H2」は、加熱室113内に配置された被加熱物T全体の高さ(距離H4)に相当する。従って制御部105は、入力された被加熱物T全体の高さに基づき、(数3)によって電圧VU及び電圧VLの目標比率を算出し、その目標比率に従って加熱制御を実行すればよい。
“n*H2” in (Equation 3) corresponds to the height (distance H4) of the entire heated object T placed in the
図8に示すように、第三例の誘電加熱装置100では、加熱室113内に配置された被加熱物T全体の高さを計測するためのセンサ800が、加熱庫101に設けられている。図8の例では、センサ800は、加熱室113内を撮影可能なイメージセンサである。制御部105は、例えばユーザが加熱開始を指示した場合、センサ800によって加熱室113内を撮影する。制御部105は、センサ800の撮影画像を解析して、加熱室113内に配置された被加熱物T全体の高さを特定する。制御部105は、特定した被加熱物T全体の高さに基づき、第二例と同様に加熱制御を実行できる。
As shown in FIG. 8, in the third example of the
なお、センサ800は測距センサでもよい。一例として、センサ800は、上側電極111側から被加熱物Tの上面に計測光を照射することで、上側電極111と被加熱物Tとの距離を計測する。制御部105は、上側電極111と下側電極112との距離H1から、センサ800が計測した距離を減じることで、被加熱物T全体の高さを特定できる。
Note that the
図9に示すように、第四例の誘電加熱装置100では、タッチパネルディスプレイ900が開閉扉602の前面に設けられている。また、加熱室113内を撮影可能なイメージセンサが、加熱庫101に設けられている。制御部105は、例えばユーザが加熱開始を指示した場合、イメージセンサによって加熱室113内を撮影して、その撮影画像を含む操作画面をタッチパネルディスプレイ900に表示する。この操作画面は、撮影画像における被加熱物Tの上端を、ユーザにタッチ操作で指定させるための画面である。
As shown in FIG. 9, in the fourth example of the
制御部105は、タッチパネルディスプレイ900で検出された画面上のタッチ位置に基づいて、加熱室113内における被加熱物Tの上端位置(即ち、被加熱物T全体の高さ)を特定する。制御部105は、特定した被加熱物T全体の高さに基づき、第二例と同様に加熱制御を実行できる。
The
図10に示すように、第五例の誘電加熱装置100では、加熱室113を取り囲む加熱庫101の内壁に、指標部1000が設けられている。指標部1000は、加熱室113内における高さのレベルを示す指標であり、例えば互いに異なる高さのレベルを示す複数のマーカである。
As shown in FIG. 10, in the
例えばユーザは被加熱物Tを加熱する前に、指標部1000を参考にして、被加熱物Tの高さのレベルを誘電加熱装置100に入力する。図10の例では、加熱室113内に配置された被加熱物Tの上端が、指標部1000の複数マーカのうちで、レベル「4」のマーカとほぼ同じ高さにある。従って、高さのレベルを示す「4」が、タッチパネルディスプレイ601から入力されている。制御部105は、入力された高さのレベルに基づいて被加熱物T全体の高さを特定することで、第二例と同様に加熱制御を実行できる。
For example, before heating the object to be heated T, the user inputs the height level of the object to be heated T into the
図11に示すように、第六例の誘電加熱装置100は、バーコードリーダ1100を有する。被加熱物Tには、被加熱物Tに関する情報を示すバーコード1101が設けられている。例えばユーザは被加熱物Tを加熱する前に、バーコードリーダ1100でバーコード1101を読み取る。バーコード1101が被加熱物Tの高さを示す、制御部105は、バーコード1101から被加熱物Tの高さを読み取って特定すればよい。バーコード1101が被加熱物Tの識別情報を含む場合、制御部105は、バーコード1101から読み取られた識別情報に基づいて、被加熱物Tの高さを図示外のサーバに問い合わせて特定すればよい。
As shown in FIG. 11, the
更にユーザは、複数の被加熱物Tを同時に加熱する場合、タッチパネルディスプレイ900から被加熱物Tの個数を入力する。これにより、制御部105は、特定した被加熱物Tの高さと、入力された被加熱物Tの個数とに基づいて、第一例と同様に加熱制御を実行できる。
Further, when heating a plurality of objects T at the same time, the user inputs the number of objects T to be heated from the
本例において、ユーザが被加熱物Tの個数を入力するのに代えて、制御部105が被加熱物Tの個数を特定してもよい。例えば制御部105は、同一の被加熱物Tについて、一つの被加熱物Tの加熱時における整合回路104A,104Bの整合状態と、二つの被加熱物Tの同時加熱時における整合回路104A,104Bの整合状態とを予め記憶しておくことで、加熱制御中の整合状態に基づいて被加熱物Tの数量を特定してもよい。
In this example, instead of the user inputting the number of objects T to be heated, the
本開示は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and is replaced with a structure that is substantially the same as the structure shown in the above-described embodiment, a structure that has the same effect, or a structure that can achieve the same purpose. It's okay.
(1)制御部105は、上述した電圧比率調整をフィードバック制御してもよい。例えば、駆動回路102において、整合回路104Aとアンプ134Aとの間に、第一の電圧検出回路を設ける。第一の電圧検出回路は、アンプ134Aの出力とグランド(GND)との間の電圧を、抵抗で分圧する。第一の電圧検出回路は、抵抗で分圧した電圧を、例えば整流平滑して制御部105に出力する。
(1) The
同様に、整合回路104Bとアンプ134Bとの間に、第二の電圧検出回路を設ける。第二の電圧検出回路は、アンプ134Bの出力とグランド(GND)との間の電圧を抵抗で分圧し、例えば整流平滑して制御部105に出力する。なお、各電圧検出回路において、分圧に使用する抵抗は、インピーダンスの影響を与えない程度の高抵抗値とする。
Similarly, a second voltage detection circuit is provided between
制御部105は、第一及び第二の電圧検出回路から夫々出力される電圧の値を読み取り、これらの電圧の値の比率(実測比率)を算出する。制御部105は、この実測比率が電圧VL及び電圧VUの目標比率と一致するように、上側電極111及び下側電極112に印加される電極電圧を調整すればよい。このようなフィードバック制御によって、電圧VU及び電圧VLをより正確に目標比率と一致させることができる。
The
(2)駆動回路102の構成は、上記実施形態に限定されず、各種構成を適用できる。図12Aは、変形例に係る誘電加熱装置100の全体構成を示す図である。図12Bは、変形例に係る整合回路104の構成を示す図である。
(2) The configuration of the
図12Aに示す駆動回路102では、高周波電源103は、一つの整合回路104と接続される。図12Bに示すように、整合回路104は、可変コイル201A,201B、可変コンデンサ202A,202B,及び可変コンデンサ203を含む。可変コイル201A及び可変コンデンサ202Aは、アンプ134Aと直列に接続される。可変コイル201B及び可変コンデンサ202Bは、アンプ134Bと直列に接続される。可変コンデンサ203は、高周波電源103の出力と並列に接続される。この例では、電圧VU及び電圧VLとの電圧差によって生じる差分の電流が、例えば加熱庫101に接続された接地線を流れる。
In the
100 誘電加熱装置、103 高周波電源、105 制御部、110 加熱電極、111 上部電極、112下部電極、113 加熱室、131 発振器、133A,133B 可変アッテネータ、134A,134B アンプ 100 dielectric heating device, 103 high frequency power supply, 105 control unit, 110 heating electrode, 111 upper electrode, 112 lower electrode, 113 heating chamber, 131 oscillator, 133A, 133B variable attenuator, 134A, 134B amplifier
Claims (7)
前記二つの加熱電極の間に設けられ、被加熱物を配置可能な空間である加熱室と、
前記二つの加熱電極に印加される電圧の位相差が180°となるように、前記二つの加熱電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記高周波電源から前記二つの加熱電極の各々に印加される前記電圧を個別に調整する制御部と、
を備え、
前記二つの加熱電極は、前記加熱室の上側にある上側電極と、前記加熱室の下側にある下側電極とを含み、
前記制御部は、前記加熱室内に配置された前記被加熱物の高さに基づいて、前記上側電極及び前記下側電極の電圧比率を調整し、
前記制御部は、前記加熱室内に配置された前記被加熱物の高さが低いほど、前記上側電極に印加される前記電圧が前記下側電極に印加される前記電圧に対して大きくなるように、前記電圧比率を調整する、誘電加熱装置。 two heating electrodes facing each other with a space between them;
a heating chamber that is provided between the two heating electrodes and is a space in which an object to be heated can be placed;
a high frequency power source that supplies high frequency power to the two heating electrodes so that the phase difference between the voltages applied to the two heating electrodes is 180°;
a control unit that individually adjusts the voltage applied to each of the two heating electrodes from the high frequency power source;
Equipped with
The two heating electrodes include an upper electrode located above the heating chamber and a lower electrode located below the heating chamber,
The control unit adjusts the voltage ratio of the upper electrode and the lower electrode based on the height of the object to be heated arranged in the heating chamber,
The control unit is configured such that the voltage applied to the upper electrode becomes larger with respect to the voltage applied to the lower electrode as the height of the object to be heated disposed in the heating chamber is lower. , a dielectric heating device that adjusts the voltage ratio.
前記二つの加熱電極の間に設けられ、被加熱物を配置可能な空間である加熱室と、
前記二つの加熱電極に印加される電圧の位相差が180°となるように、前記二つの加熱電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記高周波電源から前記二つの加熱電極の各々に印加される前記電圧を個別に調整する制御部と、
を備え、
前記二つの加熱電極は、前記加熱室の上側にある上側電極と、前記加熱室の下側にある下側電極とを含み、
前記制御部は、前記加熱室内に配置された前記被加熱物の高さに基づいて、前記上側電極及び前記下側電極の電圧比率を調整し、
前記制御部は、一つの前記被加熱物を前記加熱室内で加熱する場合、前記上側電極の電圧をVU、前記下側電極の電圧をVL、前記二つの加熱電極間の距離をH1、前記被加熱物の高さをH2として、
0.25*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*H2/H1
を満たすように、前記電圧比率を調整する、
誘電加熱装置。 two heating electrodes facing each other with a space between them;
a heating chamber that is provided between the two heating electrodes and is a space in which an object to be heated can be placed;
a high frequency power source that supplies high frequency power to the two heating electrodes so that the phase difference between the voltages applied to the two heating electrodes is 180°;
a control unit that individually adjusts the voltage applied to each of the two heating electrodes from the high frequency power source;
Equipped with
The two heating electrodes include an upper electrode located above the heating chamber and a lower electrode located below the heating chamber,
The control unit adjusts the voltage ratio of the upper electrode and the lower electrode based on the height of the object to be heated arranged in the heating chamber,
When heating one object to be heated in the heating chamber, the control section sets a voltage of the upper electrode to VU, a voltage of the lower electrode to VL, a distance between the two heating electrodes to H1, and a voltage of the upper electrode to VL. Assuming the height of the heated object as H2,
0.25*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*H2/H1
adjusting the voltage ratio so as to satisfy
Dielectric heating device.
前記二つの加熱電極の間に設けられ、被加熱物を配置可能な空間である加熱室と、
前記二つの加熱電極に印加される電圧の位相差が180°となるように、前記二つの加熱電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記高周波電源から前記二つの加熱電極の各々に印加される前記電圧を個別に調整する制御部と、
を備え、
前記二つの加熱電極は、前記加熱室の上側にある上側電極と、前記加熱室の下側にある下側電極とを含み、
前記制御部は、前記加熱室内に配置された前記被加熱物の高さに基づいて、前記上側電極及び前記下側電極の電圧比率を調整し、
前記制御部は、二つの同じ前記被加熱物を前記加熱室内で上下二段に重ねて加熱する場合、前記上側電極の電圧をVU、前記下側電極の電圧をVL、前記二つの加熱電極間の距離をH1、前記被加熱物の高さをH2として、
0.5*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦1.5*H2/H1
を満たすように、前記電圧比率を調整する、
誘電加熱装置。 two heating electrodes facing each other with a space between them;
a heating chamber that is provided between the two heating electrodes and is a space in which an object to be heated can be placed;
a high frequency power source that supplies high frequency power to the two heating electrodes so that the phase difference between the voltages applied to the two heating electrodes is 180°;
a control unit that individually adjusts the voltage applied to each of the two heating electrodes from the high frequency power source;
Equipped with
The two heating electrodes include an upper electrode located above the heating chamber and a lower electrode located below the heating chamber,
The control unit adjusts the voltage ratio of the upper electrode and the lower electrode based on the height of the object to be heated arranged in the heating chamber,
When heating the same two objects to be heated by stacking them in upper and lower layers in the heating chamber, the control section sets a voltage of the upper electrode to VU, a voltage of the lower electrode to VL, and a voltage between the two heating electrodes. Assuming that the distance is H1 and the height of the heated object is H2,
0.5*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦1.5*H2/H1
adjusting the voltage ratio so as to satisfy
Dielectric heating device.
前記二つの加熱電極の間に設けられ、被加熱物を配置可能な空間である加熱室と、
前記二つの加熱電極に印加される電圧の位相差が180°となるように、前記二つの加熱電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記高周波電源から前記二つの加熱電極の各々に印加される前記電圧を個別に調整する制御部と、
を備え、
前記二つの加熱電極は、前記加熱室の上側にある上側電極と、前記加熱室の下側にある下側電極とを含み、
前記制御部は、前記加熱室内に配置された前記被加熱物の高さに基づいて、前記上側電極及び前記下側電極の電圧比率を調整し、
前記制御部は、n個の同じ前記被加熱物を前記加熱室内で上下n段に重ねて加熱する場合、前記上側電極の電圧をVU、前記下側電極の電圧をVL、前記二つの加熱電極間の距離をH1、前記被加熱物の高さをH2として、
0.25*n*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*n*H2/H1
を満たすように、前記電圧比率を調整する、
誘電加熱装置。 two heating electrodes facing each other with a space between them;
a heating chamber that is provided between the two heating electrodes and is a space in which an object to be heated can be placed;
a high frequency power source that supplies high frequency power to the two heating electrodes so that the phase difference between the voltages applied to the two heating electrodes is 180°;
a control unit that individually adjusts the voltage applied to each of the two heating electrodes from the high frequency power source;
Equipped with
The two heating electrodes include an upper electrode located above the heating chamber and a lower electrode located below the heating chamber,
The control unit adjusts the voltage ratio of the upper electrode and the lower electrode based on the height of the object to be heated arranged in the heating chamber,
When heating the same n objects to be heated by stacking them up and down in n stages in the heating chamber, the control unit sets the voltage of the upper electrode to VU, the voltage of the lower electrode to VL, and sets the voltage of the two heating electrodes to VU. The distance between them is H1, and the height of the heated object is H2,
0.25*n*H2/H1≦VL/(VL+VU)≦0.75*n*H2/H1
adjusting the voltage ratio so as to satisfy
Dielectric heating device.
前記制御部は、前記二つのアンプの出力電圧を個別に調整することで、前記二つの加熱電極の各々に印加される前記電圧を個別に調整する、
請求項1から4の何れかに記載の誘電加熱装置。 The high frequency power source includes two amplifiers that output the voltage to the two heating electrodes, respectively, in response to a high frequency signal from an oscillator,
The control unit individually adjusts the voltage applied to each of the two heating electrodes by individually adjusting the output voltages of the two amplifiers.
A dielectric heating device according to any one of claims 1 to 4.
前記制御部は、前記二つの可変アッテネータによる前記高周波信号の減衰量を個別に調整することで、前記二つのアンプの出力電圧を個別に調整する、
請求項5に記載の誘電加熱装置。 The high frequency power supply includes two variable attenuators for respectively attenuating the high frequency signals input to the two amplifiers,
The control unit individually adjusts the output voltages of the two amplifiers by individually adjusting the amount of attenuation of the high frequency signal by the two variable attenuators.
The dielectric heating device according to claim 5.
請求項5に記載の誘電加熱装置。 The control unit individually adjusts the output voltages of the two amplifiers by individually adjusting drive voltages for operating the two amplifiers.
The dielectric heating device according to claim 5.
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