JP7390327B2 - 三次元積層造形装置および三次元積層造形方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る三次元積層造形装置の構成を概略的に示す側面図である。以降の説明では、三次元積層造形装置の各部の形状や位置関係などを明確にするために、図1の左右方向をX方向、図1の奥行き方向をY方向、図1の上下方向をZ方向とする。X方向、Y方向およびZ方向は、互いに直交する方向である。また、X方向およびY方向は水平方向に平行な方向であり、Z方向は鉛直方向に平行な方向である。
続いて、本発明の第1実施形態に係る三次元積層造形装置10の基本的な動作について図2のフローチャートを参照しつつ説明する。
なお、造形を開始する前は、造形プレート22の上面を除いて、造形プレート22の三方が金属粉末32によって覆われる。また、造形プレート22の上面は、造形テーブル18上に敷き詰められた金属粉末32の上面とほぼ同じ高さに配置される。
ステップS1において、ビーム照射装置14は、制御部17の制御下で動作することにより、造形プレート22に電子ビーム15を照射する。これにより、造形プレート22は、電子ビーム15の照射によって加熱される。また、造形プレート22は、金属粉末32が仮焼結する程度の温度に加熱される。
ステップS2において、プレート移動装置26は、造形テーブル18上に敷き詰められた金属粉末32の上面よりも造形プレート22の上面が僅かに下がった状態となるように、インナーベース24を所定量だけ下降させる。このとき、造形プレート22は、インナーベース24と共に所定量だけ下降する。ここで記載する所定量(以下、「ΔZ」とも記す。)は、造形物38を積層によって造形するときの一層分の厚さに相当する。
ステップS3において、粉末供給装置16は、ホッパー16aから粉末投下器16bに供給された金属粉末32を、粉末投下器16bによって造形テーブル18上に投下した後、スキージアーム16cをX方向の一端側から他端側へと移動させることにより、インナーベース24上に金属粉末32を敷き詰める。このとき、金属粉末32は、ΔZ相当の厚さで造形テーブル18の上に敷き詰められる。また、余分な金属粉末32は、回収ボックス21に回収される。
ステップS4において、ビーム照射装置14は、制御部17の制御下で動作することにより、造形プレート22上の金属粉末32に電子ビーム15を照射する。また、制御部17は、造形物38を形成するための領域(以下、「造形領域」ともいう。)よりも広範囲に電子ビーム15を走査するように、偏向レンズ143を制御する。これにより、造形領域に存在する金属粉末32と、造形領域の周囲に存在する金属粉末32とが仮焼結される。
なお、図1において、符号E1は、未焼結の金属粉末32が存在する未焼結領域を示し、符号E2は、仮焼結された金属粉末32が存在する仮焼結領域を示している。
ステップS5においては、上述のように仮焼結させた金属粉末32を電子ビーム15の照射によって溶融および凝固させることにより、仮焼結体としての金属粉末32を本焼結させる。ステップS5において、ビーム照射装置14は、目的とする造形物38の三次元CADデータを一定の厚み(ΔZに相当する厚み)にスライスした二次元データに基づいて造形領域を特定し、この造形領域を対象に電子ビーム15を走査(以下、「ビーム走査」ともいう。)することにより、造形プレート22上の金属粉末32を選択的に溶融する。電子ビーム15の照射によって溶融した金属粉末32は、電子ビーム15が通過した後に凝固する。これにより、1層目の造形が完了する。
なお、図1に示す造形物38は、各々の層において、仮焼結させた金属粉末32を電子ビーム15の照射によって溶融および凝固させることにより得られるものである。
ステップS6において、ビーム照射装置14は、制御部17の制御下で動作することにより、造形面32aに電子ビーム15を照射する。
ステップS7において、プレート移動装置26は、造形テーブル18上に敷き詰められた金属粉末32の上面よりも造形面32aが僅かに下がった状態となるように、インナーベース24をΔZだけ下降させる。
ステップS8において、粉末供給装置16は、上記ステップS3と同様に動作する。
ステップS9において、ビーム照射装置14は、上記ステップS4と同様に動作する。
ステップS10において、ビーム照射装置14は、上記ステップS5と同様に動作する。これにより、2層目の造形が完了する。
まず、データ処理装置19は、造形物38の三次元CADデータを一定の厚みにスライスした二次元データを層ごとに抽出する(ステップS21)。二次元データは、造形物38の横断面形状を表すデータである。造形物38の三次元CADデータは、図3に示す処理を開始する前にデータ処理装置19に与えられる。三次元CADデータは、たとえば、三次元積層造形装置10を使用するユーザーがデータ処理装置19に入力してもよいし、データ処理装置19が図示しない不揮発性記憶装置から読み出してもよいし、データ処理装置19が図示しない端末装置から通信によって取得してもよい。
図5においては、直線成分の長さであるラインの長さと比較される閾値(以下、「第1の閾値」ともいう。)が、電子ビーム15のビーム電流に応じて異なる値に設定されている。具体的には、ビーム電流が5mAのときに適用される閾値は3mmに設定され、ビーム電流が10mAのときに適用される閾値は5mmに設定され、ビーム電流が20mAのときに適用される閾値は10mmに設定されている。造形領域39に照射される電子ビーム15のビーム電流は、金属粉末32の材質や造形物38の大きさ、形状などに応じて予め設定される。そして、造形領域39に照射される電子ビーム15のビーム電流が仮に10mAに設定されるものとすると、データ処理装置19は、上記ステップS24で閾値=5mmを適用してダミー走査の要否を判断する。
図6においては、上記ステップS23で直線成分として抽出したラインをビーム走査するのに要する時間(以下、「ビーム走査所要時間」ともいう。)と比較される閾値が、電子ビーム15のビーム電流に応じて異なる値に設定されている。具体的には、ビーム電流が5mAのときに適用される閾値は3msに設定され、ビーム電流が10mAのときに適用される閾値は5msに設定され、ビーム電流が20mAのときに適用される閾値は10msに設定されている。
まず、制御部17は、変数Mの値を初期値(M=1)に設定する(ステップS31)。
次に、制御部17は、M番目のラインをビーム走査する(ステップS32)。これにより、制御部17は、データ処理装置19が積層造形データを作成する場合に、M番目のラインとして抽出した直線成分を対象にビーム走査を行う。
ダミー走査は、次ラインをビーム走査するときの熱の影響が、その1つ前のラインで溶融する金属に及ぶことを抑制するために行われるビーム走査である。このため、ダミー走査は、金属粉末32を溶融させるために行われるビーム走査とは異なる条件で行われる。すなわち、ダミー走査では、金属粉末32を溶融させない状態で電子ビーム15を走査する。具体的には、M番目のラインをビーム走査する場合と比較して、金属粉末32に与えられる熱エネルギーが少なくなるように、電子ビーム15のフォーカス状態を変えたり、電子ビーム15の走査速度を変えたりする。電子ビーム15のフォーカス状態については、M番目のラインをビーム走査するときよりも電子ビーム15を暈かした状態にする。また、電子ビーム15の走査速度については、M番目のラインをビーム走査するときよりも電子ビーム15の走査速度を速めた状態にする。
図8に示すように、M番目のラインがダミー走査の対象に設定されている場合は、M番目のラインのビーム走査を終了してからM+1番目のラインのビーム走査を開始するまでの期間、ダミー走査を行う。
図8に示す例では、M番目のラインにおけるビーム走査の開始位置がP1、終了位置がP2であり、M+1番目のラインにおけるビーム走査の開始位置がP3、終了位置がP4となっている。そうした場合、制御部17は、まず、M番目のラインでP1位置からP2位置に向かって電子ビーム15をX方向に走査することにより、金属粉末32を溶融させる。次に、制御部17は、以下に述べる走査経路でダミー走査を行う。
続いて、本発明の第2実施形態について説明する。
本発明の第2実施形態においては、上述した第1実施形態と比較して、ダミー走査を行うときの走査経路が異なる。具体的には、上述した第1実施形態において、ビーム照射装置14は、図8に示すように造形領域39に一部重なるようにダミー走査を行うが、本第2実施形態においては、図9に示すようにM番目のラインおよびM+1番目のラインを含む造形領域39とは異なる別領域42でダミー走査を行う。別領域42は、造形プレート22上に1層分の金属粉末32を敷き詰めたときに形成される粉末層の表面領域のうち、現時点でビーム走査の対象となっている造形領域39と重ならない領域である。別領域42は、好ましくは、造形領域39の後にビーム走査を行う予定の造形領域であり、より好ましくは、造形領域39の次にビーム走査を行う予定の造形領域である。
続いて、本発明の第3実施形態について説明する。
本発明の第3実施形態においては、上述した第1実施形態と比較して、データ処理装置19が積層造形データを作成するときの処理手順と、制御部17が積層造形データを基に電子ビーム15を制御するときの処理手順とが異なる。
まず、データ処理装置19は、造形物38の三次元CADデータを一定の厚みにスライスした二次元データを層ごとに抽出する(ステップS51)。次に、データ処理装置19は、二次元データによって特定される造形領域をラインに分解し、そのラインの長さを取得する(ステップS52)。
次に、データ処理装置19は、上記ステップS52で取得したラインの長さを基にビーム走査条件を決定する(ステップS53)。
図11に示すように、ビーム走査条件には、電子ビーム15のビーム電流(mA)の他に、ビームスポット径(μm)、ビーム滞在時間(μs)、溶融点ピッチ(μm)、ラインピッチ(μm)などの制御パラメータが含まれる。ビームスポット径は、図4に示す溶融点40に電子ビーム15を照射するときのスポット径φBである。ビーム滞在時間は、図4に示す溶融点40に電子ビーム15を照射するときに、1つの溶融点40につき電子ビーム15のスポットを滞在(停止)させる時間である。溶融点ピッチは、電子ビーム15の走査方向であるX方向で隣り合う2つの溶融点40間のピッチMp(図4参照)である。ラインピッチは、Y方向で隣り合う2つのライン間のピッチLp(図4参照)である。
次に、データ処理装置19は、ビーム電流の変更コマンドを挿入する(ステップS56)。ビーム電流の変更コマンドには、変更後のビーム電流を指定する情報が含まれる。
まず、制御部17は、変数Mの値を初期値(M=1)に設定した後(ステップS71)、M番目のラインをビーム走査する(ステップS72)。
本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
14…ビーム照射装置
15…電子ビーム(ビーム)
22…造形プレート
32…金属粉末(粉末材料)
39…造形領域
42…別領域
Claims (10)
- 粉末材料が層状に敷き詰められる造形プレートと、
前記造形プレート上に敷き詰められた前記粉末材料にビームを照射するビーム照射装置と、
を備える三次元積層造形装置であって、
前記ビーム照射装置は、前記造形プレート上に敷き詰められた前記粉末材料の造形領域を複数のラインに分けてビーム走査することにより、前記造形領域内の前記粉末材料をラインごとに溶融させるとともに、M番目(Mは自然数)のラインのビーム走査を終了してからM+1番目のラインのビーム走査を開始するまでの間に、前記粉末材料を溶融させない状態で前記ビームを走査するダミー走査を行い、
前記ビーム照射装置は、前記M番目のラインの長さが所定長さよりも短い場合には前記ダミー走査を行い、前記M番目のラインの長さが前記所定長さよりも長い場合には前記ダミー走査を行わずに前記M+1番目のラインのビーム走査を行い、
前記ビーム照射装置は、前記所定長さと前記M番目のラインの長さとの差分に応じて、前記ダミー走査の時間を調整する
三次元積層造形装置。 - 粉末材料が層状に敷き詰められる造形プレートと、
前記造形プレート上に敷き詰められた前記粉末材料にビームを照射するビーム照射装置と、
を備える三次元積層造形装置であって、
前記ビーム照射装置は、前記造形プレート上に敷き詰められた前記粉末材料の造形領域を複数のラインに分けてビーム走査することにより、前記造形領域内の前記粉末材料をラインごとに溶融させるとともに、M番目(Mは自然数)のラインのビーム走査を終了してからM+1番目のラインのビーム走査を開始するまでの間に、前記粉末材料を溶融させない状態で前記ビームを走査するダミー走査を行い、
前記ビーム照射装置は、前記M番目のラインをビーム走査するのに要する時間が所定時間よりも短い場合には前記ダミー走査を行い、前記M番目のラインをビーム走査するのに要する時間が前記所定時間よりも長い場合には前記ダミー走査を行わずに前記M+1番目のラインのビーム走査を行い、
前記ビーム照射装置は、前記所定時間と前記M番目のラインをビーム走査するのに要する時間との差分に応じて、前記ダミー走査の時間を調整する
三次元積層造形装置。 - 前記粉末材料を溶融させない状態とは、前記M番目のラインをビーム走査するときよりも前記ビームを暈かした状態、および、前記M番目のラインをビーム走査するときよりも前記ビームの走査速度を速めた状態のうち、少なくともいずれか一方の状態である
請求項1または2に記載の三次元積層造形装置。 - 前記所定長さは、ビーム電流に応じて異なる
請求項1に記載の三次元積層造形装置。 - 前記所定時間は、ビーム電流に応じて異なる
請求項2に記載の三次元積層造形装置。 - 前記ビーム照射装置は、前記M番目のラインおよび前記M+1番目のラインを含む前記造形領域とは異なる別領域で前記ダミー走査を行う
請求項1または2に記載の三次元積層造形装置。 - 前記別領域は、前記M番目のラインおよび前記M+1番目のラインを含む前記造形領域の後にビーム走査を行う予定の造形領域である
請求項6に記載の三次元積層造形装置。 - 前記ビーム照射装置は、前記ダミー走査中にビーム電流を変更する
請求項1または2に記載の三次元積層造形装置。 - 造形プレート上に粉末材料を敷き詰める工程と、
前記粉末材料にビームを照射するとともに、造形物の横断面形状に対応する造形領域を複数のラインに分けてビーム走査することにより、前記粉末材料を溶融および凝固させる工程と、
を含む三次元積層造形方法であって、
前記粉末材料を溶融および凝固させる工程では、
M番目(Mは自然数)のラインのビーム走査を終了してからM+1番目のラインのビーム走査を開始するまでの間に、前記粉末材料を溶融させない状態で前記ビームを走査するダミー走査を行い、
前記粉末材料を溶融および凝固させる工程では、前記M番目のラインの長さが所定長さよりも短い場合には前記ダミー走査を行い、前記M番目のラインの長さが前記所定長さよりも長い場合には前記ダミー走査を行わずに前記M+1番目のラインのビーム走査を行い、前記ダミー走査の時間は、前記所定長さと前記M番目のラインの長さとの差分に応じて調整される
三次元積層造形方法。 - 造形プレート上に粉末材料を敷き詰める工程と、
前記粉末材料にビームを照射するとともに、造形物の横断面形状に対応する造形領域を複数のラインに分けてビーム走査することにより、前記粉末材料を溶融および凝固させる工程と、
を含む三次元積層造形方法であって、
前記粉末材料を溶融および凝固させる工程では、
M番目(Mは自然数)のラインのビーム走査を終了してからM+1番目のラインのビーム走査を開始するまでの間に、前記粉末材料を溶融させない状態で前記ビームを走査するダミー走査を行い、
前記粉末材料を溶融および凝固させる工程では、前記M番目のラインをビーム走査するのに要する時間が所定時間よりも短い場合には前記ダミー走査を行い、前記M番目のラインをビーム走査するのに要する時間が前記所定時間よりも長い場合には前記ダミー走査を行わずに前記M+1番目のラインのビーム走査を行い、前記ダミー走査の時間は、前記所定時間と前記M番目のラインをビーム走査するのに要する時間との差分に応じて調整される
三次元積層造形方法。
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