JP7376462B2 - 非接触式通信媒体及び磁気テープカートリッジ - Google Patents

Description

本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、メモリ部と、電力生成部と、電力監視部と、容量制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献１に記載の非接触通信媒体において、メモリ部は、所定の管理情報を記憶する。電力生成部は、アンテナコイルと容量値が可変な共振容量部とを有する共振回路と、共振回路の共振出力を整流する整流回路とを有し、メモリ部へ供給される電力を生成する。電力監視部は、共振回路に対して整流回路とは並列に接続され抵抗値が可変に構成された電流調整素子と、基準電圧を発生させる基準電圧発生源と、整流回路の出力電圧が基準電圧と等しくなるように電流調整素子を制御する演算増幅器とを有する。容量制御部は、演算増幅器の出力に基づいて共振容量部を制御するように構成される。

特許文献２には、記録媒体カートリッジ用の非接触通信媒体であって、回路部品と、支持基板と、アンテナコイルとを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献２に記載の非接触通信媒体において、回路部品は、記録媒体カートリッジに関する管理情報を格納することが可能なメモリ部を内蔵する。支持基板は、回路部品を支持する。アンテナコイルは、回路部品に電気的に接続され支持基板に形成されたコイル部を有し、コイル部のインダクタンス値が０．３μＨ以上２．０μＨ以下である。

特許文献３には、電圧発生部と、メモリ部と、クロック信号発生部と、制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献３に記載の非接触通信媒体において、電圧発生部は、送受信用のアンテナコイルを有し、外部機器からの信号磁界を受信して電力を生成する。メモリ部は、電圧発生部に設定される１以上の回路パラメータと、所定の管理情報とを記憶する。クロック信号発生部は、２以上の異なる周波数のクロック信号を選択的に生成することが可能に構成される。制御部は、クロック信号発生部からメモリ部へ供給されるクロック信号の周波数を選択するように構成される。

特許文献４には、通信手段と、制御手段とを備える通信装置が開示されている。特許文献４に記載の通信装置において、通信手段は、記憶媒体に備えられて記憶媒体についての記録又は再生を管理するための管理情報が記憶される管理情報記憶領域を少なくとも有するメモリ手段と通信が可能である。制御手段は、所要の装置が実行すべきとされる手続きを記述した手続き情報を、通信手段によって、メモリ手段の手続き情報記憶領域に対して書き込むように制御を実行する。

特許文献５には、データを格納可能な記録媒体を有するカートリッジを格納するライブラリでのデータの格納位置を認識するデータライブラリ認識装置が開示されている。特許文献５に記載のデータライブラリ認識装置は、カートリッジを収納する収納部と、カートリッジの収納位置の各々に対応して設けられ、カートリッジより送信され、カートリッジ又はデータを識別する識別情報を無線で受信する複数の受信手段と、受信手段により受信された識別情報に基づいてデータの格納位置を認識する認識手段とを備える。

特許文献６には、駆動電力を受信して、命令を実行する非接触式ＩＣカードが開示されている。特許文献６に記載の非接触式ＩＣカードは、命令の実行に必要な電力を判定する判定手段と、判定手段の判定結果に応じた周波数のクロック信号を生成するクロック信号生成手段と、クロック信号生成手段により生成されたクロック信号の周波数に従った処理速度で命令を実行する命令実行手段とを備える。

特許文献７には、磁気テープと不揮発性半導体メモリとが備えられているテープカートリッジにデータを保存するテープドライブ装置が開示されている。特許文献７に記載のテープドライブ装置は、比較部と、速度決定部と、データ書き込み部とを備える。比較部は、ホストマシンからテープドライブ装置へ送られてくるデータの転送速度を速度閾値と比較する。速度決定部は、速度閾値に基づいて、テープカートリッジへの書き込み速度を決定する。データ書き込み部は、テープカートリッジにデータの書き込みを行う。データ書き込み部は、決定された書き込み速度が速度閾値よりも速い場合は、テープカートリッジに備えられている磁気テープにデータの書き込みを行い、決定された書き込み速度が速度閾値よりも遅い場合は、テープカートリッジに備えられている不揮発性半導体メモリに、磁気テープに書き込まれたデータに続く後続データを書き込む。

国際公開第２０１９／１９８４３８号 国際公開第２０１９／１９８５２７号 国際公開第２０１９／１７６３２５号 特開２００３－０６８０５２号公報 特開２００４－０３９１７３号公報 特開２００６－１３４１５０号公報 特開２０１３－０４１６４６号公報

本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式通信媒体の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る別の実施形態は、非接触式通信媒体の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体であって、プロセッサは、外部が非接触式通信媒体に対するコマンドの送信を終了してから、非接触式通信媒体がコマンドに対する応答を開始するまでに要するレスポンスタイムを第１既定時間よりも長くする非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２の態様は、プロセッサが、処理の開始から終了するまでに要する処理時間を第２既定時間よりも長くすることでレスポンスタイムを第１既定時間よりも長くする第１の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第３の態様は、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器を更に備え、プロセッサが、処理をクロック信号の周波数に応じた処理速度で行い、処理時間に関わらず周波数を維持するか、又は、処理時間を長くするほど周波数を低くする第２の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第４の態様は、コマンドが、１つのコマンドである第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第５の態様は、コイルが、プロセッサによって処理が行われることで得られた処理結果を、外部磁界を介して送信する第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第６の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第７の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する場合、外部磁界の強度が閾値を下回ったことを条件にレスポンスタイムを長くする第１の態様から第６の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第８の態様は、プロセッサが、コマンドの種類に応じてレスポンスタイムを変更する第１の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第９の態様は、情報を記憶する第１メモリを更に備え、コマンドが、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、プロセッサが、ポーリングコマンドに応じてポーリング処理を行い、読出コマンドに応じて第１メモリに対して情報に関する読出処理を行い、書込コマンドに応じて第１メモリに対して情報に関する書込処理を行い、書込処理及び読出処理のうちの少なくとも読出処理に要する時間を、ポーリング処理に要する時間よりも長くする第８の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１０の態様は、第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、非接触式通信媒体は、第２メモリを有し、第２メモリが、磁気テープに関する情報を記憶している磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第１１の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体の動作方法であって、外部が非接触式通信媒体に対するコマンドの送信を終了してから、非接触式通信媒体がコマンドに対する応答を開始するまでに要するレスポンスタイムを第１既定時間よりも長くすることを含む、非接触式通信媒体の動作方法である。

本開示の技術に係る第１２の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに、外部が非接触式通信媒体に対するコマンドの送信を終了してから、非接触式通信媒体がコマンドに対する応答を開始するまでに要するレスポンスタイムを第１既定時間よりも長くすることを含む処理を実行させるためのプログラムである。

本開示の技術に係る第１３の態様は、コイルと、磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介してコイルと通信先とを電磁誘導により結合させることで通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、外部磁界には通信先によってコマンドが含まれており、プロセッサが、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体であって、プロセッサが、プロセッサによるコマンドに対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体、及び通信先のうちの少なくとも１つの特性に応じて変更する非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１４の態様は、第１情報が記憶される第１メモリであって、プロセッサによって第１情報の読み出し及び書き込みのうちの少なくとも一方が行われる第１メモリを更に備え、プロセッサが、第１メモリに対して設定されている使用可能な記憶容量に応じてレスポンスタイムを変更する第１３の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１５の態様は、非接触式通信媒体が、複数の通信規格に対応しており、プロセッサが、複数の通信規格を選択的に用いて通信を行い、複数の通信規格のうちの通信に用いられる通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する第１３の態様又は第１４の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１６の態様は、通信先が、複数の通信規格の各々で通信可能であり、プロセッサが、複数の通信規格のうちの非接触式通信媒体に対応する通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する第１３の態様から第１５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１７の態様は、通信先が、複数の通信装置の何れかであり、複数の通信装置は、複数の通信規格のうちの何れかを有し、複数の通信規格のうちの通信先が用いる通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する第１３の態様から第１５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１８の態様は、外部磁界がコイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器を更に備え、プロセッサが、電力を用いて作動し、レスポンスタイムを特性に応じて第１既定時間よりも長くする第１３の態様から第１７の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１９の態様は、プロセッサが、処理の開始から終了するまでに要する処理時間を第２既定時間よりも長くすることでレスポンスタイムを第１既定時間よりも長くする第１８の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２０の態様は、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器を更に備え、プロセッサが、処理をクロック信号の周波数に応じた処理速度で行い、処理時間に関わらず周波数を維持するか、又は、処理時間を長くするほど周波数を低くする第１９の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２１の態様は、コマンドが、１つのコマンドである第１３の態様から第２０の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２２の態様は、コイルが、プロセッサによって処理が行われることで得られた処理結果を、外部磁界を介して送信する第１３の態様から第２１の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２３の態様は、プロセッサが、更に、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する第１３の態様から第２２の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２４の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度に応じてレスポンスタイムを変更する場合、外部磁界の強度が閾値を下回ったことを条件にレスポンスタイムを長くする第２３の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２５の態様は、プロセッサが、コマンドの種類に応じてレスポンスタイムを変更する第１３の態様から第２４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２６の態様は、第２情報を記憶する第２メモリを備え、コマンドが、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、プロセッサが、ポーリングコマンドに応じてポーリング処理を行い、読出コマンドに応じて第２メモリに対して第２情報に関する読出処理を行い、書込コマンドに応じて第２メモリに対して第２情報に関する書込処理を行い、書込処理及び読出処理のうちの少なくとも読出処理に要する時間を、ポーリング処理に要する時間よりも長くする第２５の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２７の態様は、第１３の態様から第２６の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、非接触式通信媒体が、第３メモリを有し、第３メモリが、磁気テープに関する情報を記憶している磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第２８の態様は、コイルと、磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介してコイルと通信先とを電磁誘導により結合させることで通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、外部磁界には通信先によってコマンドが含まれており、プロセッサが、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、プロセッサによるコマンドに対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体、及び通信先のうちの少なくとも１つの特性に応じて変更することを含む非接触式通信媒体の動作方法である。

本開示の技術に係る第２９の態様は、コイルと、磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介してコイルと通信先とを電磁誘導により結合させることで通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、外部磁界には通信先によってコマンドが含まれており、プロセッサが、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに、プロセッサによるコマンドに対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体、及び通信先のうちの少なくとも１つの特性に応じて変更することを含む処理を実行させるためのプログラムである。

第１実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。 第１実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのＣＰＵによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。 第１実施形態に係る動作モード設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１２Ａに示すフローチャートの続きである。 図１２Ｂに示すフローチャートの続きである。 第１実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第１変形例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第２変形例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第３変形例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る動作モード設定処理の流れの第４変形例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの概略平面図であって、コイルとＩＣチップとを接続形態の変形例を示す概略平面図である。 通信距離の一例を示す概念図である。 第２実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 第２実施形態に係る通信距離導出テーブルの一例を示す説明図である。 第２実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのＣＰＵによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。 第２実施形態に係る動作モード設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第３実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのＣＰＵによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。 第３実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのＣＰＵによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。 第４実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 第４実施形態に係る非接触式読み書き装置及びＣＰＵの処理内容の一例を示すブロック図である。 第４実施形態に係るＣＰＵの処理内容の一例を示すブロック図である。 第４実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのＣＰＵによって実行される動作モード設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。 第４実施形態の変形例に係る非接触式読み書き装置及びＣＰＵの処理内容の一例を示すブロック図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの傾斜角度の変形例を示す概念図である。 実施形態に係る複数の磁気テープカートリッジのパッケージに対して磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る動作モード設定処理プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータに動作モード設定処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Read Only Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-chip”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“radio frequency identifier”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Linear Tape-Open”の略称を指す。

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を、磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の仕様としてＬＴＯを例に挙げて説明する。また、以下の説明では、本開示の技術に係るＬＴＯに対して、下記の表１に示す仕様が適用されていることを前提として説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２の磁気テープカートリッジの仕様に準じていてもよい。

表１において、「ＲＥＱＡ～ＳＥＬＣＥＴ系」とは、後述のポーリングコマンドを意味する。「ＲＥＱＡ～ＳＥＬＣＥＴ系」には、少なくとも“Request A”というコマンド、“Request SN”というコマンド、及び“Select”というコマンドが含まれている。“Request A”は、カートリッジメモリに対して、如何なるタイプのカートリッジメモリであるかを問い合わせるコマンドである。本実施形態において“Request A”は、１種類であるが、これに限らず、複数種類であってもよい。“Request SN”は、カートリッジメモリに対して、シリアルナンバーを問い合わせるコマンドである。“Select”は、カートリッジメモリに対して読み書きの準備を予告するコマンドである。ＲＥＡＤ系は、後述の読出コマンドに相当するコマンドである。ＷＲＩＴＥ系は、後述の書込コマンドに相当するコマンドである。

［第１実施形態］
一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。なお、磁気テープカートリッジ１０は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。なお、リールハブ１８Ａ及び下フランジ１８Ｂ２は一体として成型されていてもよい。磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

カートリッジメモリ１９には、管理情報１００（図１０参照）が記憶されている。管理情報１００は、磁気テープカートリッジ１０を管理する情報である。管理情報１００としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。なお、管理情報１００は、本開示の技術に係る「第１情報」、「第２情報」、及び「磁気テープに関する情報」の一例である。

カートリッジメモリ１９は、非接触式で外部装置（図示省略）と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４～図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

外部装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。なお、通信方式は、例えば、ＩＳＯ１４４４３又はＩＳＯ１８０９２等の公知の規格に準じる方式であってもよいし、ＥＣＭＡ３１９のＬＴＯ仕様に準じる方式等であってもよい。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１の傾斜角は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＩＳＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

磁気テープＭＴがカートリッジリール１８に巻き戻される場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「通信先」及び「通信装置」の一例である。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。なお、磁界ＭＦは、本開示の技術に係る「外部磁界」の一例である。

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。

非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。なお、コマンド信号は、本開示の技術に係る「コマンド」の一例である。

カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、接着剤を封止材５６として使用してもよい。

一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。なお、コイル６０は、本開示の技術に係る「コイル」の一例である。

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及びコンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。

一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。

一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップであり、磁気テープカートリッジ用プログラムがインストールされることによって磁気テープカートリッジ用演算装置として機能する。なお、磁気テープカートリッジ用プログラムの一例としては、後述の動作モード設定処理プログラム１０２が挙げられる。また、クロック信号生成器８６は、本開示の技術に係る「クロック信号生成器」の一例である。

また、カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦがコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。なお、電力生成器７０は、本開示の技術に係る「電力生成器」の一例である。

電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。

コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している場合がある。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数に相当する周波数は、例えば、１３．５６ＭＨｚであり、カートリッジメモリ１９及び／又は非接触式読み書き装置５０の仕様等によって適宜決定されればよい。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。

共振回路９２は、磁界ＭＦがコイル６０を貫通することでコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。

電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。

コンピュータ８４は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。コンピュータ８４は、管理情報１００（図１０参照）を保持している。

クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して各種の駆動素子に出力する。各種の駆動素子は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。詳しくは後述するが、クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数（以下、「クロック周波数」とも称する）を変更する。クロック信号生成器８６では、基準となるクロック周波数（以下、「基準クロック周波数」と称する）として磁界ＭＦの周波数と同一の周波数が用いられており、基準クロック周波数に基づいて異なるクロック周波数のクロック信号が生成される。本実施形態において、クロック信号生成器８６は、第１周波数～第３周波数のクロック信号を選択的に生成する。第１周波数は、基準クロック周波数と同じ周波数であり、第２周波数は、基準クロック周波数の１／２の周波数であり、第３周波数は、基準クロック周波数の１／４の周波数である（図１１参照）。つまり、クロック周波数は、第１周波数よりも第２周波数の方が低く、第２周波数よりも第３周波数の方が低い。なお、クロック信号は、本開示の技術に係る「クロック信号」の一例である。

信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２のコイル６０は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。すなわち、カートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に応答信号が送信される場合、磁界ＭＦには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには応答信号が重畳される。

磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力に基づいて磁界ＭＦの強度を測定する。電源回路８２によって生成された電力は、共振回路９２に与えられる磁界ＭＦの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力と共振回路９２に与えられる磁界ＭＦの強度との相関に基づいて、電源回路８２によって生成された電力に応じた出力レベルの信号を出力する。つまり、磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力を測定し、測定結果に基づいて磁界ＭＦの強度を示す磁界強度信号を生成してコンピュータ８４に出力する。これにより、コンピュータ８４は、磁界強度測定回路９０から入力された磁界強度信号に応じた処理を実行することが可能となる。

一例として図１０に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。また、バス９９には、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０も接続されている。なお、ＣＰＵ９４は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。

ＮＶＭ９６は、本開示の技術に係る「第１メモリ」、「第２メモリ」、及び「第３メモリ」の一例である。ここでは、ＮＶＭ９６として、ＥＥＰＲＯＭが採用されている。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。

ＮＶＭ９６には、管理情報１００が記憶されている。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、及び書込処理を選択的に行う。ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報１００等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報１００等を書き込む処理である。ポーリング処理、読出処理、及び書込処理（以下、区別して説明する必要がない場合、「各種処理」と称する）は何れも、クロック信号生成器８６によって生成されたクロック信号に従ってＣＰＵ９４によって行われる。すなわち、ＣＰＵ９４は、各種処理をクロック周波数に応じた処理速度で行う。

従って、クロック周波数が高いほど処理速度は速まる。処理速度が速まるということは、ＣＰＵ９４にかかる負荷が大きくなり、消費電力も大きくなる。また、管理情報１００等の情報量が多くなるほど、ＣＰＵ９４による読出処理及び書込処理の実行時間が長くなり、電源回路８２からＣＰＵ９４等に供給される電力が不足してしまう虞がある。

ＣＰＵ９４にかかる負荷が大きくなる一因としては、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に対するコマンド信号の送信が完了してから、カートリッジメモリ１９によるコマンド信号に対する応答信号の送信が開始するまでに要する時間（以下、「レスポンスタイム」とも称する）が短くなることが挙げられる。レスポンスタイムが短いいほど、カートリッジメモリ１９の高速動作が必要となり、クロック周波数を高くして処理することになると消費電力が大きくなる。なお、一般的に、レスポンスタイムと、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間の最大通信距離とはトレードオフの関係にあることが知られている。なお、レスポンスタイムは、本開示の技術に係る「レスポンスタイム」の一例である。

カートリッジメモリ１９では、消費電力の増大を抑制するために、ＣＰＵ９４によって動作モード設定処理が実行される。動作モード設定処理は、レスポンスタイムを、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間よりも長くする処理である。ここで、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間は、本開示の技術に係る「第１既定時間」の一例である。以下、動作モード設定処理について説明する。

ＮＶＭ９６には、動作モード設定処理プログラム１０２が記憶されている。ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から動作モード設定処理プログラム１０２を読み出し、ＲＡＭ９８上で動作モード設定処理プログラム１０２を実行する。動作モード設定処理は、ＣＰＵ９４によって動作モード設定処理プログラム１０２が実行されることで実現される。

一例として図１１に示すように、ＣＰＵ９４は、動作モード設定処理を実行することで、カートリッジメモリ１９の動作モード（以下、単に「動作モード」とも称する）をコマンド信号に応じた動作モードに設定し、動作モードに応じたクロック周波数を設定する。ＣＰＵ９４は、コマンド信号に応じて動作モードを変更することで、コマンド（例えば、１つのコマンド）に対する処理の開始から終了するまでに要する処理時間（以下、単に「処理時間」とも称する）を既定時間よりも長くする。このように、ＣＰＵ９４は、処理時間を既定時間よりも長くすることで、上述したレスポンスタイムを、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間よりも長くする。ここで、既定時間は、本開示の技術に係る「第２既定時間」の一例である。

ＣＰＵ９４は、動作モードに応じたクロック周波数を設定することで、クロック周波数を変更する。具体的には、ＣＰＵ９４は、処理時間を長くするほどクロック周波数を低くする。

動作モードは、信号処理回路８８からＣＰＵ９４に入力されるコマンド信号により示されるコマンドに応じて設定される。コマンド信号により示されるコマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドである。コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合、ＣＰＵ９４は、ポーリング処理を実行し、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、読出処理を実行し、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、書込処理を実行する。なお、ここでは、説明の便宜上、ポーリング信号として１種類の信号を例示しているが、ポーリング信号は、複数種類の信号であってもよい。

ＣＰＵ９４は、動作モードとして、長時間処理モード、中時間処理モード、及び短時間処理モードの何れかを設定することで、処理時間の長さを調節する。処理時間は、長時間、中時間、及び短時間の何れかである。長時間とは、中時間よりも長い時間を指し、短時間とは、中時間よりも短い時間を指す。長時間処理モードでは、ＣＰＵ９４によるコマンドに対する処理に要する時間が長時間となり、中時間処理モードでは、ＣＰＵ９４によるコマンドに対する処理に要する時間が中時間となり、短時間処理モードでは、ＣＰＵ９４によるコマンドに対する処理に要する時間が短時間となる。

図１１に示す例では、コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合に、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、短時間処理モードを設定し、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合に、ＣＰＵ９４は、中時間処理モードを設定し、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合に、ＣＰＵ９４は、長時間処理モードを設定する。

ＣＰＵ９４は、動作モードとして短時間処理モードを設定した場合に、クロック周波数として第１周波数を設定する。すなわち、ＣＰＵ９４は、動作モードとして短時間処理モードを設定した場合に、クロック信号生成器８６に対して第１周波数のクロック信号が生成させるようにクロック信号生成器８６を制御する。

ＣＰＵ９４は、動作モードとして中時間処理モードを設定した場合に、クロック周波数として第２周波数を設定する。すなわち、ＣＰＵ９４は、動作モードとして中時間処理モードを設定した場合に、クロック信号生成器８６に対して第２周波数のクロック信号が生成させるようにクロック信号生成器８６を制御する。

ＣＰＵ９４は、動作モードとして長時間処理モードを設定した場合に、クロック周波数として第３周波数を設定する。すなわち、ＣＰＵ９４は、動作モードとして長時間処理モードを設定した場合に、クロック信号生成器８６に対して第３周波数のクロック信号が生成させるようにクロック信号生成器８６を制御する。

なお、動作モードが短時間処理モードから中時間処理モードに移行する場合、短時間が本開示の技術に係る「第２既定時間」の一例であり、短時間に相当するレスポンスタイムが、上述した標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間、すなわち、本開示の技術に係る「第１既定時間」の一例である。また、動作モードが中時間処理モードから長時間処理モードに移行する場合、中時間が本開示の技術に係る「第２既定時間」の一例であり、中時間に相当するレスポンスタイムが、上述した標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間、すなわち、本開示の技術に係る「第１既定時間」の一例である。このようにして動作モードが短時間処理モードから中時間処理モードに移行されたり、中時間処理モードから長時間処理モードに移行されたりすることで、結果的に、これに伴ってレスポンスタイムも長くなる。

次に、カートリッジメモリ１９の作用について、図１２Ａ～図１２Ｃを参照して説明する。

図１２Ａ～図１２Ｃには、ＣＰＵ９４によって実行される動作モード設定処理の流れの一例が示されている。以下の動作モード設定処理の説明では、説明の便宜上、電源回路８２から各種の駆動素子に電力が供給されていることを前提としている。また、以下の動作モード設定処理の説明では、説明の便宜上、コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドの何れかであることを前提としている。更に、以下の動作モード設定処理の説明では、説明の便宜上、動作モードとして長時間処理モード、中時間処理モード、又は、短時間処理モードが設定されていることを前提としている。

図１２Ａに示す動作モード設定処理では、先ず、ステップＳＴ１２で、ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８によってコマンド信号が受信された否かを判定する。ステップＳＴ１２において、信号処理回路８８によってコマンド信号が受信された場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１４へ移行する。ステップＳＴ１２において、信号処理回路８８によってコマンド信号が受信されていない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ２６へ移行する。

ステップＳＴ１４で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１２で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ１４において、信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドでない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図１２Ｂに示すステップＳＴ２８へ移行する。ステップＳＴ１４において、信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１６へ移行する。

ステップＳＴ１６で、ＣＰＵ９４は、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は中時間処理モードであるか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は中時間処理モードでない場合（現時点で設定されている動作モードが短時間処理モードの場合）は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ１６において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は中時間処理モードである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１８へ移行する。

ステップＳＴ１８で、ＣＰＵ９４は、動作モードを短時間処理モードへ移行し、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ２０へ移行する。

ステップＳＴ２０で、ＣＰＵ９４は、クロック周波数を第１周波数に設定し、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ２２へ移行する。

一方、図１２Ｂに示すステップＳＴ２８で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１２で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ２８において、信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドでない場合（信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドである場合）は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図１２Ｃに示すステップＳＴ３６へ移行する。ステップＳＴ２８において、信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ３０へ移行する。

ステップＳＴ３０で、ＣＰＵ９４は、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は短時間処理モードであるか否かを判定する。ステップＳＴ３０において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は短時間処理モードでない場合（現時点で設定されている動作モードが中時間処理モードの場合）は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図１２Ａに示すステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ３０において、現時点で設定されている動作モードが長時間処理モード又は短時間処理モードである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ３２へ移行する。

ステップＳＴ３２で、ＣＰＵ９４は、動作モードを中時間処理モードへ移行し、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ３４へ移行する。

ステップＳＴ３４で、ＣＰＵ９４は、クロック周波数を第２周波数に設定し、その後、動作モード設定処理は、図１２Ａに示すステップＳＴ２２へ移行する。

一方、図１２Ｃに示すステップＳＴ３６で、ＣＰＵ９４は、現時点で設定されている動作モードが中時間処理モード又は短時間処理モードであるか否かを判定する。ステップＳＴ３６において、現時点で設定されている動作モードが中時間処理モード又は短時間処理モードでない場合（現時点で設定されている動作モードが長時間処理モードの場合）は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図１２Ａに示すステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ３６において、現時点で設定されている動作モードが中時間処理モード又は短時間処理モードである場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ３８へ移行する。

ステップＳＴ３８で、ＣＰＵ９４は、動作モードを長時間処理モードへ移行し、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ４０へ移行する。

ステップＳＴ４０で、ＣＰＵ９４は、クロック周波数を第３周波数に設定し、その後、動作モード設定処理は、図１２Ａに示すステップＳＴ２２へ移行する。

図１２Ａに示すステップＳＴ２２で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１２で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号に応じた処理を実行し、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ２４へ移行する。

ステップＳＴ２４で、ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８及び共振回路９２に対して、ステップＳＴ２２の処理が実行されることで得られた処理結果を示す応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０へ送信させ、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ２６へ移行する。

ステップＳＴ２６で、ＣＰＵ９４は、動作モード設定処理を終了する条件（以下、「動作モード設定処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。動作モード設定処理終了条件としては、例えば、磁界ＭＦが消失した、との条件が挙げられる。磁界ＭＦが消失したか否かは、磁界強度測定回路９０からＣＰＵ９４に入力される磁界強度信号に基づいてＣＰＵ９４によって判定される。ステップＳＴ２６において、動作モード設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１２へ移行する。ステップＳＴ２６において、動作モード設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理が終了する。

以上説明したように、カートリッジメモリ１９では、ＣＰＵ９４によって処理時間が既定時間よりも長く設定され、処理時間が長くなった分、レスポンスタイムも長くなる。処理時間が長くなるほど、すなわち、レスポンスタイムが長くなるほど、低いクロック周波数が設定される。つまり、短時間処理モードから中時間処理モードに移行すると、処理時間が長くなり、レスポンスタイムも長くなる。短時間処理モードから中時間処理モードへの移行は、処理時間が短時間から中時間になることを意味する。これに伴ってクロック周波数が第１周波数から第２周波数に変更される。第２周波数は、クロック周波数が“０”というわけではないので、ＣＰＵ９４は、第２周波数に従って、コマンド信号に応じた処理を実行することができる。

また、中時間処理モードから長時間処理モードに移行すると、処理時間が中時間から長時間になり、処理時間が長くなった分、レスポンスタイムも長くなる。これに伴ってクロック周波数が第２周波数から第３周波数に変更される。第３周波数は、クロック周波数が“０”というわけではないので、ＣＰＵ９４は、第３周波数に従って、コマンド信号に応じた処理を実行することができる。また、クロック周波数が低くなるほど、ＣＰＵ９４での消費電力が低減される。

従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる。なお、ここでは、処理時間が段階的に変更され、これに伴ってクロック周波数も段階的に変更される形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、処理時間が無段階的に変更され、これに伴ってクロック周波数も無段階的に変更されるようにしてもよい。

また、カートリッジメモリ１９では、１つのコマンドに対するＣＰＵ９４による処理時間が既定時間よりも長く設定され、処理時間が長くなるほど低いクロック周波数が設定される。従って、本構成によれば、１つのコマンドに対する処理がＣＰＵ９４によって行われる場合であっても、カートリッジメモリ１９の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる。

また、カートリッジメモリ１９では、ＣＰＵ９４によってコマンド信号に応じた処理が行われることで得られた処理結果を示す応答信号が磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信される。従って、本構成によれば、磁界ＭＦとは異なる磁界がコイル６０に付与せずとも処理結果を非接触式読み書き装置５０に送信することができる。

また、カートリッジメモリ１９では、コマンド信号に応じた処理が常に第１周波数のクロック信号に従ってＣＰＵ９４によって行われるわけではなく、コマンド信号により示されるコマンドの種類に応じてレスポンスタイムの長さが変更される。従って、本構成によれば、コマンドの種類に関わらず処理時間が常に一定の場合に比べ、電力及び処理時間が過不足することを抑制することができる。

更に、カートリッジメモリ１９では、読出処理及び書込処理に要する時間がポーリング処理に要する時間よりも長くされている。従って、本構成によれば、読出処理及び書込処理は、ポーリング処理で使用されるクロック周波数よりも低いクロック周波数で行われるので、ポーリング処理が行われる場合に比べ、消費電力小さくすることができる。すなわち、読出処理及び書込処理の場合もポーリング処理と同じクロック周波数が使用される場合に比べ、電力不足が原因で読出処理及び書込処理が完遂されないという事態の発生を抑制することができる。

なお、上記実施形態では、動作モード設定処理において、磁界ＭＦの強度に関わらずステップＳＴ１２の処理が実行される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１３に示すように、動作モード設定処理において、ステップＳＴ１２の前段階でステップＳＴ１０の処理が実行されるようにしてもよい。

図１３に示す動作モード設定処理は、図１２Ａ～図１２Ｃに示す動作モード設定処理に比べ、動作モード設定処理が実行される前提として既に第１周波数のクロック信号がクロック信号生成器８６によって各種の駆動素子に供給されている点が異なる。また、図１３に示す動作モード設定処理は、図１２Ａ～図１２Ｃに示す動作モード設定処理に比べ、ステップＳＴ１０の処理を有する点が異なる。

図１３に示すステップＳＴ１０で、ＣＰＵ９４は、磁界強度信号に基づいて磁界ＭＦの強度が閾値未満であるか否かを判定する。ここで、閾値は、例えば、第１周波数のクロック信号が各種の駆動素子に供給されたとしても電力不足が生じない磁界の強度の下限値として、実機による試験及び／又はコンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。

ステップＳＴ１０において、磁界ＭＦの強度が閾値以上である場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ２６へ移行する。ステップＳＴ１０において、磁界ＭＦの強度が閾値未満である場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１２へ移行する。

つまり、磁界ＭＦの強度が閾値以上である場合は、第１周波数のクロック信号が維持される。従って、本構成によれば、電力不足が生じる虞が無い場合であるにも関わらず処理時間が長くなることを回避することができる。

また、磁界ＭＦの強度が閾値未満である場合は、コマンド信号により示されるコマンドの種類に応じて動作モードが変更され、かつ、動作モードに応じてクロック周波数が変更される。従って、本構成によれば、磁界ＭＦの強度に関わらず処理時間の長さが固定されている場合に比べ、電力及び処理時間の過不足を抑制することができる。

また、図１３に示す例では、ステップＳＴ１２の前段階で磁界ＭＦの強度が閾値未満であるか否かの判定が行われているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１４に示すように、ステップＳＴ１４とステップＳＴ１６との間に、ステップＳＴ１５を挿入してもよい。

図１４に示すステップＳＴ１５では、上述したステップＳＴ１２の処理と同様の判定が行われる。そして、ステップＳＴ１５において、磁界ＭＦの強度が閾値以上である場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ２６へ移行する。ステップＳＴ１５において、磁界ＭＦの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１６へ移行する。

また、上記第１実施形態で説明した動作モード設定処理はあくまでも一例に過ぎず、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１２Ｂに示す動作モード設定処理に代えて、図１５に示す動作モード設定処理がＣＰＵ９４によって実行されるようにしてもよい。図１５に示す動作モード設定処理は、図１２Ｂに示す動作モード設定処理に比べ、ステップＳＴ２９の処理を有する点が異なる。

図１５に示すステップＳＴ２９で、ＣＰＵ９４は、磁界強度信号に基づいて磁界ＭＦの強度が閾値未満であるか否かを判定する。ステップＳＴ２９において、磁界ＭＦの強度が閾値以上の場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図１２Ａに示すステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ２９において、磁界ＭＦの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ３０へ移行する。

また、上記第１実施形態で説明した動作モード設定処理はあくまでも一例に過ぎず、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１２Ｃに示す動作モード設定処理に代えて、図１６に示す動作モード設定処理がＣＰＵ９４によって実行されるようにしてもよい。図１６に示す動作モード設定処理は、図１２Ｃに示す動作モード設定処理に比べ、ステップＳＴ３５の処理を有する点が異なる。

図１６に示すステップＳＴ３５で、ＣＰＵ９４は、磁界強度信号に基づいて磁界ＭＦの強度が閾値未満であるか否かを判定する。ステップＳＴ３５において、磁界ＭＦの強度が閾値以上の場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理は、図１２Ａに示すステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ３５において、磁界ＭＦの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ３６へ移行する。

なお、図１２Ｂ及び図１５に示す例では、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合に、中時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第２周波数が設定されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合に、長時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第３周波数が設定されるようにしてもよい。

また、図１２Ｃ及び図１６に示す例では、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合に、長時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第３周波数が設定されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合に、中時間処理モードが設定され、かつ、クロック周波数として第２周波数が設定されるようにしもよい。

このように、コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合及び読出処理の場合には、処理時間が短時間よりも長い中時間又は長時間であればよく、クロック周波数が第１周波数よりも高ければよい。

また、図１３～図１６に示す例では、磁界ＭＦの強度に応じてレスポンスタイムが変更される形態例を挙げて説明したが、磁界ＭＦの強度に関わらずレスポンスタイムが固定されていてもよい。

また、上記第１実施形態では、ＩＣチップ５２とコイル６０とがワイヤ接続方式で接続されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１７に示すように、ＩＣチップ５２とコイル６０とがフリップチップ接続方式で接続されていてもよい。この場合、例えば、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が第１導通部６２Ａに直接接続され、他方の端子が第２導通部６２Ｂに直接接続される。

また、上記第１実施形態では、第２周波数を第１周波数の１／２の周波数とし、第３周波数を第１周波数の１／４の周波数としたが、本開示の技術はこれに限定されず、第２周波数は第１周波数よりも低い周波数であり、第３周波数は第２周波数よりも低い周波数であればよい。第２周波数を第１周波数よりも低くするレベル、及び／又は第３周波数を第２周波数よりも低くするレベルは、コンデンサ５４及び内蔵コンデンサ８０に残存している電圧、すなわち、カートリッジメモリ１９内に残存している電力に応じて変更するようにしてもよい。この場合、例えば、コンピュータ８４は、カートリッジメモリ１９内に残存している電力が閾値よりも低ければ第２周波数を第１周波数の１／３以下の周波数とし、かつ、第３周波数を第２周波数と同じ周波数又は第３周波数を第２周波数よりも低くするようにクロック信号生成器８６を制御する。

［第２実施形態］
上記第１実施形態では、コマンド信号に応じて動作モードが変更される形態例を挙げて説明したが、本第２実施形態では、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間の距離を示す通信距離Ｄに応じて動作モードが変更される形態例について説明する。なお、本第２実施形態では、上記第１実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素は、第１実施形態と同一の符号で表し、その説明を省略する。

一例として図１８に示すように、通信距離Ｄは、非接触式読み書き装置５０の磁界放出面とカートリッジメモリ１９の基板２６の裏面２６Ａの短辺方向中央との間の距離である。なお、通信距離Ｄは、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジの特性」及び「通信先の特性」の一例である。

磁気テープカートリッジ１０のケース１２のサイズ、及び、磁気テープカートリッジ１０内でのカートリッジメモリ１９の配置位置は、ケース１２の種類に応じて予め定められている。また、磁気テープドライブ３０のサイズ、及び、磁気テープドライブ３０内での磁気テープカートリッジ１０の装填位置は、磁気テープドライブ３０の種類に応じて予め定められている。また、非接触式読み書き装置５０のサイズは、非接触式読み書き装置５０の種類に応じて予め定められており、磁気テープドライブ３０に対する非接触式読み書き装置５０の位置は固定されている。従って、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されている場合、通信距離Ｄは、磁気テープカートリッジ１０の種類、磁気テープドライブ３０の種類、及び非接触式読み書き装置５０の種類に応じて導出される。

一例として図１９に示すように、ＮＶＭ９６には、通信距離導出テーブル１０３が格納されている。磁気テープカートリッジ１０の製造元において、通信距離導出テーブル１０３は、磁気テープカートリッジ１０の種類に応じて複数種類用意されており、ＮＶＭ９６を有するカートリッジメモリ１９が収容される磁気テープカートリッジ１０の種類に応じた通信距離導出テーブル１０３が、ＮＶＭ９６に格納される。ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６に格納された通信距離導出テーブル１０３に基づいて、通信距離Ｄを導出する。

一例として図２０に示すように、通信距離導出テーブル１０３には、磁気テープドライブ３０の種類及び非接触式読み書き装置５０の種類に応じた通信距離Ｄが示されている。ＣＰＵ９４は、磁気テープドライブ３０の種類及び非接触式読み書き装置５０の種類を、非接触式読み書き装置５０から磁界ＭＦを介して取得する。具体的には、例えば、磁気テープドライブ３０の制御装置３８から非接触式読み書き装置５０に出力される制御信号（図６参照）には、磁気テープドライブ３０の種類（図２０に示す例では、磁気テープドライブ３０の型番）を示す磁気テープドライブ種類情報、及び、非接触式読み書き装置５０の種類（図２０に示す例では、非接触式読み書き装置５０の型番）を示す読み書き装置種類情報が含まれている。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、コマンド信号に加えて、磁気テープドライブ種類情報及び読み書き装置種類情報を含む磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。

ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８によって磁界ＭＦから抽出されたコマンド信号、磁気テープドライブ種類情報、及び読み書き装置種類情報を受け付ける。ＣＰＵ９４は、通信距離導出テーブル１０３に基づいて、受け付けた磁気テープドライブ種類情報及び読み書き装置種類情報を用いて通信距離Ｄを導出する。

一例として図２１に示すように、ＣＰＵ９４は、導出した通信距離Ｄを第１通信距離閾値及び第２通信距離閾値と比較する。第１通信距離閾値は、例えば、非接触式読み書き装置５０から放出される磁界ＭＦの強度が常に一定であるという条件の下で、短時間処理モードで、すなわち、第１周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない強度の磁界を得られる通信距離の上限値として、実機による試験及び／コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。また、第２通信距離閾値は、例えば、非接触式読み書き装置５０から放出される磁界ＭＦの強度が常に一定であるという条件の下で、中時間処理モードで、すなわち、第２周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない強度の磁界を得られる通信距離の上限値として、実機による試験及び／コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。第１通信距離閾値は、第２通信距離閾値よりも小さい。

導出した通信距離Ｄが第１通信距離閾値未満の場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。また、導出した通信距離Ｄが第１通信距離閾値以上、かつ、第２通信距離閾値未満の場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。また、導出した通信距離Ｄが第２通信距離閾値以上の場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。

ＣＰＵ９４は、設定した動作モードで、コマンド信号に応じた処理を実行する。つまり、ＣＰＵ９４は、通信距離Ｄに応じた処理速度で、ポーリング処理、書込処理、及び読出処理を行う。ＣＰＵ９４は、通信距離Ｄに応じて処理速度を変更させることによって、コマンド信号に対するレスポンスタイムを変更する。

次に、第２実施形態によるカートリッジメモリ１９の作用について、図２２を参照して説明する。

図２２に示す動作モード設定処理では、先ず、ステップＳＴ１００で、ＣＰＵ９４は、コマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報を含む信号の受信を検出する検出タイミングが到来したか否かを判定する。検出タイミングは、既定時間（例えば、０．５秒）毎に設定されている。ステップＳＴ１００において、検出タイミングが到来していない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１１３へ移行する。ステップＳＴ１００において、検出タイミングが到来した場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１０１へ移行する。

ステップＳＴ１０１で、ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８によってコマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報が受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１０１において、信号処理回路８８によってコマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報が受信されていない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１１３へ移行する。ステップＳＴ１０１において、信号処理回路８８によってコマンド信号、読み書き装置種類情報、及び磁気テープドライブ種類情報が受信された場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１０２へ移行する。

ステップＳＴ１０２で、ＣＰＵ９４は、受信した読み書き装置種類情報及び磁気テープドライブ種類情報を用いて、通信距離導出テーブル１０３に基づいて、通信距離Ｄを導出する。この後、動作モード設定処理は、ステップＳＴ１０３へ移行する。

ステップＳＴ１０３で、ＣＰＵ９４は、通信距離Ｄが第１通信距離閾値未満か否かを判定する。ステップＳＴ１０３において、通信距離Ｄが第１通信距離閾値以上の場合、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１０６へ移行する。ステップＳＴ１０３において、通信距離Ｄが第１通信距離閾値未満の場合、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１０４へ移行する。

ステップＳＴ１０４で、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。この後、動作モード設定処理はステップＳＴ１０５へ移行する。

ステップＳＴ１０５で、ＣＰＵ９４は、クロック周波数を、短時間処理モードに対応する第１周波数に設定する。この後、動作モード設定処理はステップＳＴ１１１へ移行する。

ステップＳＴ１０６で、ＣＰＵ９４は、通信距離Ｄが第２通信距離閾値未満か否かを判定する。ステップＳＴ１０６において、通信距離Ｄが第２通信距離閾値以上の場合、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１０９へ移行する。ステップＳＴ１０９において、通信距離Ｄが第２通信距離閾値未満（つまり、第１通信距離閾値≦通信距離Ｄ＜第２通信距離閾値）の場合、判定が肯定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１０７へ移行する。

ステップＳＴ１０７で、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。この後、動作モード設定処理はステップＳＴ１０８へ移行する。

ステップＳＴ１０８で、ＣＰＵ９４は、クロック周波数を、中時間処理モードに対応する第２周波数に設定する。この後、動作モード設定処理はステップＳＴ１１１へ移行する。

ステップＳＴ１０９で、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。この後、動作モード設定処理はステップＳＴ１１０へ移行する。

ステップＳＴ１１０で、ＣＰＵ９４は、クロック周波数を、長時間処理モードに対応する第３周波数に設定する。この後、動作モード設定処理はステップＳＴ１１１へ移行する。

ステップＳＴ１１１で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１０１で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号に応じた処理を実行し、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ１１２移行する。

ステップＳＴ１１２で、ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８及び共振回路９２に対して、ステップＳＴ１１１の処理が実行されることで得られた処理結果を示す応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０へ送信させ、その後、動作モード設定処理はステップＳＴ１１３へ移行する。

ステップＳＴ１１３で、ＣＰＵ９４は、動作モード設定処理を終了する条件（以下、「動作モード設定処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。動作モード設定処理終了条件としては、例えば、磁界ＭＦが消失した、との条件が挙げられる。磁界ＭＦが消失したか否かは、磁界強度測定回路９０からＣＰＵ９４に入力される磁界強度信号に基づいてＣＰＵ９４によって判定される。ステップＳＴ１１３において、動作モード設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、動作モード設定処理はステップＳＴ１００へ移行する。ステップＳＴ１１３において、動作モード設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、動作モード設定処理が終了する。

以上説明したように、本第２実施形態において、ＣＰＵ９４は、コマンド信号に対するレスポンスタイムを、磁気テープカートリッジ１０及び非接触式読み書き装置５０の特性から導出される通信距離Ｄに応じて変更する。従って、本構成によれば、通信距離Ｄに関係なくレスポンスタイムが設定される場合に比べ、カートリッジメモリ１９の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる。

なお、上記第２実施形態では、通信距離Ｄに応じてレスポンスタイムが変更される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。ＣＰＵ９４は、例えば、動作モードを予め短時間処理モードに設定しておき、通信距離Ｄに応じて、動作モードを中時間処理モード又は長時間処理モードに変更してもよい。つまり、ＣＰＵ９４は、通信距離Ｄに応じて、レスポンスタイムを、標準的なレスポンスタイムとして予め定められた時間よりも長くしてもよい。本構成によれば、カートリッジメモリ１９の動作の安定と消費電力の低減との両立を実現することができる。

［第３実施形態］
上記第２実施形態では、通信距離Ｄに応じてカートリッジメモリ１９の動作モードが変更される形態例を説明したが、本第３実施形態では、ＮＶＭ９６に対して設定されている使用可能な記憶容量（以下、「使用可能記憶容量」とも称する）に応じて、動作モードが変更される形態例について説明する。なお、本第３実施形態では、上記第１及び第２実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素は、第１及び第２実施形態と同一の符号で表し、その説明を省略する。

一例として図２３に示すように、ＮＶＭ９６には、使用可能記憶容量に関する情報を示す使用可能記憶容量情報１０５が格納されている。ＮＶＭ９６の使用可能記憶容量は、例えば、ＮＶＭ９６の全記憶容量の数分の１に設定されている。これは、一因として、磁気テープＭＴの製品寿命に比較して、ＮＶＭ９６に含まれるメモリセルが劣化しやすいことに基づいている。ＮＶＭ９６の使用可能記憶容量を全記憶容量の数分の１に設定しておくことによって、例えば、劣化して使用できなくなったメモリセルを未使用のメモリセルに代替することにより、ＮＶＭ９６の製品寿命を延ばすためである。なお、使用可能記憶容量は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体の特性」の一例である。

一例として図２４に示すように、ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から使用可能記憶容量情報１０５を読み出し、読み出した使用可能記憶容量情報１０５によって示される使用可能記憶容量を第１記憶容量閾値及び第２記憶容量閾値と比較する。第１記憶容量閾値は、例えば、短時間処理モードで、すなわち、第１周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない使用可能記憶容量の上限値として、実機による試験及び／コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。また、第２記憶容量閾値は、例えば、中時間処理モードで、すなわち、第２周波数のクロック信号に基づいて読出処理を行ったとしても電力不足が生じない使用可能記憶容量の上限値として、実機による試験及び／コンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。第１記憶容量閾値は、第２記憶容量閾値よりも小さい。

ＣＰＵ９４は、使用可能記憶容量情報１０５によって示される使用可能記憶容量が第１記憶容量閾値未満の場合、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。また、使用可能記憶容量情報１０５によって示される使用可能記憶容量が第１記憶容量閾値以上、かつ、第２記憶容量閾値未満の場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。また、使用可能記憶容量情報１０５によって示される使用可能記憶容量が第２記憶容量閾値以上の場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。

ＣＰＵ９４は、設定した動作モードで、コマンド信号に応じた処理を実行する。つまり、ＣＰＵ９４は、使用可能記憶容量に応じた処理速度で、ポーリング処理、書込処理、及び読出処理を行う。ＣＰＵ９４は、使用可能記憶容量に応じて処理速度を変更させることによって、コマンド信号に対するレスポンスタイムを変更する。

以上説明したように、本第３実施形態において、ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６に対して設定されている使用可能記憶容量に応じてレスポンスタイムを変更する。従って、本構成によれば、使用可能記憶容量に関係なくレスポンスタイムが設定される場合に比べ、カートリッジメモリ１９の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる。

［第４実施形態］
上記第３実施形態では、使用可能記憶容量に応じて動作モードが変更される形態例を挙げて説明したが、本第４実施形態では、カートリッジメモリ１９は複数の通信規格を選択的に用いて通信を行うことが可能であり、用いられる通信規格に応じてレスポンスタイムが変更される態様について説明する。なお、本第４実施形態では、上記第１～第３実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素は、第１～第３実施形態と同一の符号で表し、その説明を省略する。

本第４実施形態において、カートリッジメモリ１９は、複数の通信規格に対応しており、ＣＰＵ９４は、複数の通信規格を選択的に用いて、非接触式読み書き装置５０と通信を行う。カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０との間の無線通信で用いられる通信規格としては、例えば、ＩＳＯ１８０９２、ＩＳＯ１４４４３Ａ、ＩＳＯ１４４４３Ｂ、及びＩＳＯ１５６９３等が挙げられる。

一例として図２５に示すように、ＮＶＭ９６は、設定可能パラメータ記憶ブロック１２２、現設定パラメータ記憶ブロック１２４、及びプログラム記憶ブロック１２６を含む複数の記憶ブロックを有する。複数の記憶ブロックには、管理情報１００（図１０参照）等が記憶されている。

設定可能パラメータ記憶ブロック１２２には、ＩＣチップ５２において設定可能な通信規格を特定可能な複数の通信規格パラメータ１３０が記憶されている。現設定パラメータ記憶ブロック１２４には、現設定パラメータ１３２が記憶されている。現設定パラメータ１３２は、複数の通信規格パラメータ１３０のうち、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格に対応する通信規格パラメータ１３０である。

プログラム記憶ブロック１２６には、動作モード設定処理プログラム１０２に加えて、通信規格設定プログラム１３４が記憶されている。

現設定パラメータ記憶ブロック１２４に記憶されている現設定パラメータ１３２から特定される通信規格は、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格である。ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１２４に記憶されている現設定パラメータ１３２に応じてレスポンスタイムを変更する。

一例として図２６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、複数の通信規格に対応している。非接触式読み書き装置５０は、複数の通信規格のうち、カートリッジメモリ１９が対応可能な通信規格を用いて、カートリッジメモリ１９と通信を行う。なお、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との通信に用いられる通信規格は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体の特性」及び「通信先の特性」の一例である。

一例として図２６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、コイル６０に対して磁界ＭＦ（図５及び図６参照）を与えることで、コイル６０と電磁誘導で結合する。非接触式読み書き装置５０とコイル６０とが電磁誘導で結合された状態で、非接触式読み書き装置５０は、ポーリングコマンドを信号処理回路８８に送信する。信号処理回路８８は、非接触式読み書き装置５０からのポーリングコマンドを、コイル６０を介して受信する。信号処理回路８８は、受信したポーリングコマンドをＣＰＵ９４に送信する。

ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８からポーリングコマンドを受け付け、受け付けたポーリングコマンドの通信規格を判定する。ＣＰＵ９４は、複数の通信規格のうち、判定結果に応じた通信規格を選択して設定する。

一例として図２７に示すように、ＣＰＵ９４は、設定可能パラメータ記憶ブロック１２２から、判定結果に応じた通信規格に対応する通信規格パラメータ１３０を取得する。そして、ＣＰＵ９４は、設定可能パラメータ記憶ブロック１２２から取得した通信規格パラメータ１３０を現設定パラメータ記憶ブロック１２４に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック１２４内の現設定パラメータ１３２を更新する。すなわち、現設定パラメータ記憶ブロック１２４内の現設定パラメータ１３２がＣＰＵ９４によって書き換えられることで、現設定パラメータ記憶ブロック１２４内の現設定パラメータ１３２が更新される。

現設定パラメータ記憶ブロック１２４に記憶されている現設定パラメータ１３２から特定される通信規格は、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格である。ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ１３２に基づいて現在設定されている通信規格を特定し、特定した通信規格に応じて動作モードを変更する。

一例として図２８に示すように、現在設定されている通信規格が高速通信規格である場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、短時間処理モードを設定する。また、現在設定されている通信規格が中速通信規格である場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、中時間処理モードを設定する。現在設定されている通信規格が低速通信規格である場合、ＣＰＵ９４は、動作モードとして、長時間処理モードを設定する。

ＣＰＵ９４は、設定した動作モードで、コマンド信号に応じた処理を実行する。つまり、ＣＰＵ９４は、現在設定されている通信規格に応じた処理速度で、ポーリング処理、書込処理、及び読出処理を行う。ＣＰＵ９４は、現在設定されている通信規格に応じて処理速度を変更させることによって、コマンド信号に対するレスポンスタイムを変更する。

以上説明したように、本第４実施形態において、カートリッジメモリ１９は複数の通信規格に対応している。ＣＰＵ９４は、複数の通信規格を選択的に用いて通信を行い、通信に用いられる通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する。従って、本構成によれば、現在設定されている通信規格に関係なくレスポンスタイムが設定される場合に比べ、カートリッジメモリ１９の動作の安定と処理速度の向上との両立を実現することができる。

また、非接触式読み書き装置５０は、複数の通信規格の各々で通信可能である。ＣＰＵ９４は、複数の通信規格のうちのカートリッジメモリ１９に対応する通信規格に応じてレスポンスタイムを変更する。従って、本構成によれば、１つの通信規格しか使用できない場合に比べ、通信規格に対する選択の自由度が向上する。

なお、上記第４実施形態では、１つの非接触式読み書き装置５０が複数の通信規格に対応している形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。一例として図２９に示すように、例えば、それぞれ異なる通信規格に対応している複数の非接触式読み書き装置５０－１及び５０－２が、同一のカートリッジメモリ１９と通信を行う場合に、本開示の技術を適用してもよい。つまり、ＣＰＵ９４は、複数の非接触式読み書き装置５０－１及び５０－２のうち使用される非接触式読み書き装置５０－１又は５０－２が用いる通信規格に応じて、レスポンスタイムを変更してもよい。本構成によれば、１つの通信規格にしか対応できない場合に比べ、複数の非接触式読み書き装置５０－１及び５０－２が有する複数の通信規格に対応可能な汎用性の高いカートリッジメモリ１９を提供することができる。

なお、上記各実施形態では、傾斜角度θとして４５度を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、一例として図３０に示すように、カートリッジメモリ１９の基準面１６Ａ１に対する傾斜角度として、傾斜角度θよりも小さな傾斜角度θ１が採用されてもよい。傾斜角度θ１の一例としては３０度が挙げられる。傾斜角度θ１は、傾斜角度θよりも小さな角度であるので、傾斜角度θの場合に比べ、コイル６０（図７参照）に対して多くの磁力線を貫通させることができる。この結果、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態で、コイル６０は、傾斜角度θの場合に比べ、大きな誘導電流を得ることができる。

一例として図３１に示すように、磁気テープカートリッジ１０の生産工程、磁気テープカートリッジ１０の管理工程、及び／又は、磁気テープカートリッジ１０が流通する流通工程（例えば、市場での流通工程）では、上下方向に重ねられた複数の磁気テープカートリッジ１０がプラスチックフィルムで束ねられたパッケージ２００内の各磁気テープカートリッジ１０のカートリッジメモリ１９に対して非接触式読み書き装置１５０によって管理情報１００等の読み書きが行われる。カートリッジメモリ１９に対する非接触式読み書き装置１５０による管理情報１００等の読み書きは、磁気テープカートリッジ１０の後側において複数の磁気テープカートリッジ１０が重ねられた方向に沿って非接触式読み書き装置１５０を移動させながら行われる。この場合、例えば、非接触式読み書き装置１５０は、磁界ＭＦ１のオンとオフとを繰り返しながら磁気テープカートリッジ１０の各々に対して磁界ＭＦ１を順次に放出する。

ところで、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されている環境下（第１環境下）では、磁気テープカートリッジ１０の下方向又は上方向から非接触式読み書き装置５０によって磁界ＭＦ（第１磁界）が、基準面１６Ａ１に対して正対する側から、基板２６のうちのコイル６０が形成されている裏面２６Ａ（コイル形成面）に向けて磁界ＭＦが付与される（図３０参照）。これにより、カートリッジメモリ１９の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、多くの磁力線がコイル６０を貫通することになり、大きな誘導電流が得られる。

これに対し、生産工程、管理工程、及び／又は流通工程の環境下（第２環境下）では、一例として図３１に示すように、複数の磁気テープカートリッジ１０がパッケージ２００として取り扱われる。この場合、基準面１６Ａ１の法線方向に対して交差し、かつ、裏面２６Ａに対峙する側から裏面２６Ａに向けて磁界ＭＦ１（第２磁界）が付与される。これにより、カートリッジメモリ１９の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、パッケージ２００内で意図しない磁気テープカートリッジ１０に対して管理情報１００等の読み書きが行われる（クロストークが生じる）ことを抑制することができる。

なお、図３１に示す例では、非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００内の各カートリッジメモリ１９と磁界ＭＦ１を介して通信を行う場合に非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００に対して上下方向に沿って移動している態様が例示されているが、この態様はあくまでも一例に過ぎず、非接触式読み書き装置１５０の位置を固定して、パッケージ２００を上下方向に沿って移動させてもよい。また、非接触式読み書き装置１５０とパッケージ２００とは上下方向において反対の方向に移動させてもよい。このように、非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００内の各カートリッジメモリ１９と磁界ＭＦ１を介して通信を行う場合、非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００に対して上下方向に沿って相対的に移動していればよい。

非接触式読み書き装置１５０は、カートリッジメモリ１９に対して管理情報１００等の読み書きを行う場合、磁気テープカートリッジ１０の後方からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦ１を放出する。カートリッジメモリ１９の電力生成器７０は、磁界ＭＦ１がカートリッジメモリ１９のコイル６０に作用することで電力を生成する。そして、非接触式読み書き装置１５０は、磁界ＭＦ１を介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて、コマンド信号に応じた処理を実行し、かつ、処理結果を応答信号として非接触式読み書き装置１５０に送信する。すなわち、非接触式読み書き装置１５０とカートリッジメモリ１９との間で磁界ＭＦ１を介して各種情報の授受が行われる。

パッケージ２００に含まれる１つの磁気テープカートリッジ１０（以下、符号を付さずに「単一カートリッジ」とも称する）のカートリッジメモリ１９（以下、符号を付さずに「読み書き対象カートリッジメモリ」とも称する）に対しては、単一カートリッジの後方から読み書き対象カートリッジメモリに向けて非接触式読み書き装置１５０から磁界ＭＦ１が付与される。しかし、傾斜角度θの場合、磁界ＭＦ１の指向性次第で、パッケージ２００内で単一カートリッジと隣接する磁気テープカートリッジ１０（以下、「隣接カートリッジ」とも称する）のカートリッジメモリ１９に対しても磁界ＭＦ１が付与され、隣接カートリッジのカートリッジメモリ１９に対して、管理情報１００等の読み書きが行われてしまう虞がある。隣接カートリッジのカートリッジメモリ１９に対して管理情報１００等の読み書きが行われるというのは、換言すると、クロストークが生じる、ということである。

ここで、傾斜角度θ１とした場合、傾斜角度θよりもカートリッジメモリ１９のコイル６０を貫通する磁力線の本数を少なくすることができ、傾斜角度θに比べ、隣接カートリッジのカートリッジメモリ１９に対して、磁界ＭＦ１が付与され難くなる。この結果、傾斜角度θ１とした場合、傾斜角度θに比べ、磁気テープカートリッジ１０に対して管理情報１００等が誤って読み書きされること、すなわち、クロストークが生じることを抑制することができる。この結果、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ１０の生産性を向上させることができる。また、磁気テープカートリッジ１０の管理工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ１０の管理の効率化を図ることができる。

また、図１０に示す例では、ＮＶＭ９６に動作モード設定処理プログラム１０２が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３２に示すように、動作モード設定処理プログラム１０２が記憶媒体３００に記憶されていてもよい。記憶媒体３００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体３００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。

記憶媒体３００に記憶されている動作モード設定処理プログラム１０２は、コンピュータ８４にインストールされる。ＣＰＵ９４は、動作モード設定処理プログラム１０２に従って動作モード設定処理を実行する。図３２に示す例では、ＣＰＵ９４は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ８４に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に動作モード設定処理プログラム１０２を記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じて動作モード設定処理プログラム１０２がダウンロードされ、コンピュータ８４にインストールされるようにしてもよい。

図３２に示す例では、コンピュータ８４が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ８４に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ８４に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。

動作モード設定処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、動作モード設定処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで動作モード設定処理を実行する。

動作モード設定処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、動作モード設定処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、動作モード設定処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、動作モード設定処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、動作モード設定処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の動作モード設定処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
コイルが形成された基板と、外部から与えられた外部磁界が上記コイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、上記電力生成器によって生成された上記電力を用いて、上記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体が収容され、かつ、基準平面が形成されている磁気テープカートリッジ内の上記非接触式通信媒体に対して上記外部から上記外部磁界が付与され、付与された上記外部磁界を介して上記非接触式通信媒体と通信を行うことで上記磁気テープカートリッジを管理する非接触式管理方法であって、
上記基板を上記基準平面に対して４５度未満の角度で傾斜させて配置すること、
上記磁気テープカートリッジが磁気テープドライブに装填された第１環境下で、上記基準平面に対して正対する側から、上記基板のうちの上記コイルが形成されているコイル形成面に向けて上記外部磁界として第１磁界を付与すること、及び、
上記磁気テープカートリッジが上記磁気テープドライブ外に存在する第２環境下で、上記基準平面の法線方向に対して交差し、かつ、上記コイル形成面に対峙する側から上記コイル形成面に向けて上記外部磁界として第２磁界を付与することを含む
非接触式管理方法。

（付記２）
上記第２環境は、上記磁気テープカートリッジの生産工程、上記磁気テープカートリッジの管理工程、及び／又は、上記磁気テープカートリッジが流通する流通工程である付記１に記載の非接触式管理方法。

（付記３）
上記生産工程、上記管理工程、及び上記流通工程の各々は、複数の上記磁気テープカートリッジが上記法線方向に重ねられたパッケージ内の上記非接触式通信媒体に対して上記第２磁界を付与する工程を含む付記１又は付記２に記載の非接触式管理方法。

（付記４）
上記外部装置が、上記法線方向に沿って移動しながら、上記複数の磁気テープカートリッジの各々の上記非接触通信媒体の上記コイル形成面に対して上記外部磁界を付与することを含む付記３に記載の非接触式管理方法。

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０，５０－１，５０－２，１５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９０ 磁界強度測定回路
９２ 共振回路
９４ ＣＰＵ
９６ ＮＶＭ
９８ ＲＡＭ
９９ バス
１００ 管理情報
１０２ 動作モード設定処理プログラム
１０３ 通信距離導出テーブル
１０５ 使用可能記憶容量情報
１２２ 設定可能パラメータ記憶ブロック
１２４ 現設定パラメータ記憶ブロック
１２６ プログラム記憶ブロック
１３０ 通信規格パラメータ
１３２ 現設定パラメータ
１３４ 通信規格設定処理プログラム
２００ パッケージ
３００ 記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
Ｄ 通信距離
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ，ＭＦ１ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
θ，θ１ 傾斜角度

Claims (14)

1. コイルと、
   磁気テープカートリッジに搭載されており、通信先から与えられた外部磁界を介して前記コイルと前記通信先とを電磁誘導により結合させることで前記通信先と通信を行うプロセッサと、を備え、前記外部磁界には前記通信先によってコマンドが含まれており、前記プロセッサは、前記外部磁界に含まれる前記コマンドに対する処理を行う非接触式通信媒体であって、
   第１情報が記憶される第１メモリであって、前記プロセッサによって前記第１情報の読み出し及び書き込みのうちの少なくとも一方が行われる第１メモリを更に備え、
   前記プロセッサは、前記プロセッサによる前記コマンドに対するレスポンスタイムを前記非接触式通信媒体の特性に応じて変更し、
   前記特性は、前記第１メモリに対して設定されている使用可能な記憶容量である
   非接触式通信媒体。
2. 前記非接触式通信媒体は、複数の通信規格に対応しており、
   前記プロセッサは、
   前記複数の通信規格を選択的に用いて前記通信を行い、
   前記複数の通信規格のうちの前記通信に用いられる通信規格に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項１に記載の非接触式通信媒体。
3. 前記通信先は、複数の通信規格の各々で通信可能であり、
   前記プロセッサは、前記複数の通信規格のうちの前記非接触式通信媒体に対応する通信規格に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項１又は請求項２に記載の非接触式通信媒体。
4. 前記通信先は、複数の通信装置の何れかであり、
   前記複数の通信装置は、複数の通信規格のうちの何れかを有し、
   前記複数の通信規格のうちの前記通信先が用いる通信規格に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項１又は請求項２に記載の非接触式通信媒体。
5. 前記外部磁界が前記コイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器を更に備え
   前記プロセッサは、
   前記電力を用いて作動し、
   前記レスポンスタイムを前記特性に応じて第１既定時間よりも長くする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
6. 前記プロセッサは、前記処理の開始から終了するまでに要する処理時間を第２既定時間よりも長くすることで前記レスポンスタイムを前記第１既定時間よりも長くする請求項５に記載の非接触式通信媒体。
7. 前記電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器を更に備え、
   前記プロセッサは、
   前記処理を前記クロック信号の周波数に応じた処理速度で行い、
   前記処理時間を長くするほど前記周波数を低くする請求項６に記載の非接触式通信媒体。
8. 前記コマンドは、１つのコマンドである請求項１から請求項７の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
9. 前記コイルは、前記プロセッサによって前記処理が行われることで得られた処理結果を、前記外部磁界を介して送信する請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
10. 前記プロセッサは、更に、前記外部磁界の強度に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項１から請求項９の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
11. 前記プロセッサは、前記外部磁界の強度に応じて前記レスポンスタイムを変更する場合、前記外部磁界の強度が閾値を下回ったことを条件に前記レスポンスタイムを長くする請求項１０に記載の非接触式通信媒体。
12. 前記プロセッサは、前記コマンドの種類に応じて前記レスポンスタイムを変更する請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
13. 第２情報を記憶する第２メモリを備え、
    前記コマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、
    前記プロセッサは、
    前記ポーリングコマンドに応じてポーリング処理を行い、
    前記読出コマンドに応じて前記第２メモリに対して前記第２情報に関する読出処理を行い、
    前記書込コマンドに応じて前記第２メモリに対して前記第２情報に関する書込処理を行い、
    前記書込処理及び前記読出処理のうちの少なくとも前記読出処理に要する時間を、前記ポーリング処理に要する時間よりも長くする請求項１２に記載の非接触式通信媒体。
14. 請求項１から請求項１３の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
    磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、
    前記非接触式通信媒体は、第３メモリを有し、
    前記第３メモリは、前記磁気テープに関する情報を記憶している
    磁気テープカートリッジ。