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JP7371590B2 - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

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JP7371590B2 JP2020144940A JP2020144940A JP7371590B2 JP 7371590 B2 JP7371590 B2 JP 7371590B2 JP 2020144940 A JP2020144940 A JP 2020144940A JP 2020144940 A JP2020144940 A JP 2020144940A JP 7371590 B2 JP7371590 B2 JP 7371590B2
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Description

本発明は、プリント配線板の製造方法、及びプラズマ処理によるビアホール又はトレンチ形成用の樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, and a resin composition for forming via holes or trenches by plasma treatment.

近年、プリント配線板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められている。ビルドアップ層は、絶縁層と導体層とを交互に積み重ねるビルドアップ方式により形成され、ビルドアップ方式による製造方法において、絶縁層は、樹脂組成物を熱硬化させることにより形成されるのが一般的である。 In recent years, in printed wiring boards, build-up layers have become multilayered, and there is a demand for finer wiring and higher density wiring. The build-up layer is formed by a build-up method in which insulating layers and conductor layers are stacked alternately. In the build-up manufacturing method, the insulating layer is generally formed by thermosetting a resin composition. It is.

内層回路基板の絶縁層の形成に適した樹脂組成物の提案は、例えば、特許文献1に記載されている樹脂組成物を含めて数多くなされてきている。 Many proposals have been made for resin compositions suitable for forming the insulating layer of the inner layer circuit board, including, for example, the resin composition described in Patent Document 1.

特開2017-59779号公報JP 2017-59779 Publication

ところで、プリント配線板を製造するにあたって、絶縁層にビアホール又はトレンチを形成することがある。「ビアホール」とは、通常、絶縁層を貫通する孔を表す。また、「トレンチ」とは、通常、絶縁層を貫通しない溝を表す。ビアホール又はトレンチを形成する方法として、レーザーを用いる方法が考えられる。 By the way, in manufacturing printed wiring boards, via holes or trenches are sometimes formed in an insulating layer. A "via hole" typically refers to a hole that passes through an insulating layer. Further, the term "trench" generally refers to a groove that does not penetrate an insulating layer. A method using a laser can be considered as a method of forming a via hole or trench.

本発明者らは、レーザーを照射すると熱が発生し、この熱が、絶縁層及び内層回路基板の下地金属に伝わることでハローイング現象が生じることを見出した。ハローイング現象とは、ビアホールの周囲において絶縁層と内層回路基板との間で剥離が生じることをいう。このようなハローイング現象は、通常、ビアホールの周囲の樹脂が熱により劣化し、その劣化した部分が粗化液等の薬液に侵食されて生じる。なお、前記の劣化した部分は、通常変色部として観察される。 The present inventors have discovered that when laser irradiation generates heat, this heat is transmitted to the insulating layer and the underlying metal of the inner layer circuit board, resulting in the haloing phenomenon. The haloing phenomenon refers to the occurrence of peeling between the insulating layer and the inner layer circuit board around the via hole. Such a haloing phenomenon usually occurs when the resin around the via hole is degraded by heat, and the degraded portion is eroded by a chemical solution such as a roughening solution. Note that the deteriorated portion is usually observed as a discolored portion.

また、本発明者らは、レーザーを用いることでビアホールを形成すると、ビアホールの側面及び底面で樹脂成分の硬化物及び無機充填材が掘り出されたりすることで凹凸が発生してしまい、不均一な面となることを見出した。このため、このビアホール内にスパッタにて導体層を形成すると、導体層の厚みが不均一になってしまうことを見出した。 In addition, the present inventors discovered that when a via hole is formed using a laser, the hardened resin component and inorganic filler are excavated on the side and bottom surfaces of the via hole, resulting in unevenness and unevenness. I found out that this is a very important aspect. For this reason, it has been found that when a conductor layer is formed in this via hole by sputtering, the thickness of the conductor layer becomes non-uniform.

本発明の課題は、ハローイング現象を抑制でき、ビアホール及びトレンチの側面及び底面の凹凸の発生を抑制することができるプリント配線板の製造方法、及びプラズマ処理によるビアホール又はトレンチ形成用の樹脂組成物を提供することにある。 The object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed wiring board that can suppress the haloing phenomenon and suppress the occurrence of unevenness on the side and bottom surfaces of via holes and trenches, and a resin composition for forming via holes or trenches by plasma treatment. Our goal is to provide the following.

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、ビアホール又はトレンチをプラズマ処理にて形成することで上記課題を解決できることを見いだし、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention found that the above problems could be solved by forming via holes or trenches by plasma treatment, and thus completed the present invention.

すなわち、本発明は、下記の内容を含む。
[1] (A)内層回路基板上に、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を形成する工程、及び
(B)絶縁層の表面にプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する工程、を含み、
樹脂組成物が、無機充填材を含み、無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上であり、
プラズマ処理に用いるガスが、SFを含む、プリント配線板の製造方法。
[2] (A)内層回路基板上に、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を形成する工程、及び
(B)絶縁層の表面にプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する工程、を含み、
樹脂組成物が、無機充填材を含み、無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%とした場合、40体積%以上であり、
プラズマ処理に用いるガスが、SFを含む、プリント配線板の製造方法。
[3] さらに、(D)導体層を形成する工程を含む、[1]又は[2]に記載のプリント配線板の製造方法。
[4] 工程(D)が、スパッタにより導体層を形成する、[3]に記載のプリント配線板の製造方法。
[5] プラズマ処理に用いるガスが、SFと、Ar及びOから選択される1種以上のガスとを含む混合ガスを含む、[1]~[4]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[6] 樹脂組成物が、硬化性樹脂を含む、[1]~[5]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[7] 無機充填材を含み、
無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上である、プリント配線板の絶縁層にプラズマ処理によるビアホール又はトレンチを形成するための樹脂組成物。
[8] 無機充填材を含み、
無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%とした場合、40体積%以上である、プリント配線板の絶縁層にプラズマ処理によるビアホール又はトレンチを形成するための樹脂組成物。
[9] さらに、硬化性樹脂を含む、[7]又は[8]に記載の樹脂組成物。
That is, the present invention includes the following contents.
[1] (A) A step of forming an insulating layer containing a cured resin composition on the inner layer circuit board, and (B) A step of performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form a via hole or trench. including,
The resin composition contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass,
A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the gas used for plasma processing contains SF 6 .
[2] (A) A step of forming an insulating layer containing a cured resin composition on the inner layer circuit board, and (B) A step of performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form a via hole or trench. including,
The resin composition contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler is 40% by volume or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by volume,
A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the gas used for plasma processing contains SF 6 .
[3] The method for manufacturing a printed wiring board according to [1] or [2], further including the step of (D) forming a conductor layer.
[4] The method for manufacturing a printed wiring board according to [3], wherein the step (D) forms a conductor layer by sputtering.
[5] The printed wiring according to any one of [1] to [4], wherein the gas used for plasma processing includes a mixed gas containing SF 6 and one or more gases selected from Ar and O 2 . Method of manufacturing the board.
[6] The method for producing a printed wiring board according to any one of [1] to [5], wherein the resin composition contains a curable resin.
[7] Contains an inorganic filler,
A resin composition for forming via holes or trenches by plasma treatment in an insulating layer of a printed wiring board, wherein the content of the inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. thing.
[8] Contains an inorganic filler,
A resin composition for forming a via hole or trench by plasma treatment in an insulating layer of a printed wiring board, wherein the content of the inorganic filler is 40% by volume or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by volume. thing.
[9] The resin composition according to [7] or [8], further comprising a curable resin.

本発明によれば、ハローイング現象を抑制でき、ビアホール及びトレンチの側面及び底面の凹凸の発生を抑制することができるプリント配線板の製造方法、及びプラズマ処理によるビアホール又はトレンチ形成用の樹脂組成物を提供できる。 According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board that can suppress the haloing phenomenon and suppress the occurrence of unevenness on the side and bottom surfaces of via holes and trenches, and a resin composition for forming via holes or trenches by plasma treatment. can be provided.

図1は、工程(C)にてビアホールを形成する様子の一例を示す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of how a via hole is formed in step (C). 図2は、従来のレーザー加工でビアホールを形成されるプリント配線板の、導体層を形成する直前の絶縁層を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing an insulating layer immediately before forming a conductor layer of a printed wiring board in which via holes are formed by conventional laser processing. 図3は、従来のレーザー加工でビアホールを形成されるプリント配線板の、導体層を形成する直前の絶縁層を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer immediately before forming a conductor layer of a printed wiring board in which via holes are formed by conventional laser processing.

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。 Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples listed below, and may be implemented with arbitrary changes within the scope of the claims of the present invention and equivalents thereof.

本発明のプリント配線板の製造方法について詳細に説明する前に、本発明のプリント配線板の製造方法において使用される「樹脂組成物」及び「樹脂シート」について説明する。樹脂組成物は、プリント配線板の絶縁層にプラズマ処理によるビアホール又はトレンチの形成用として好適である。また、樹脂組成物は、無機充填材を含み、無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上、及び無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%とした場合、40体積%以上のいずれかである。このような樹脂組成物を用いることにより、ビアホール又はトレンチをプラズマ処理にて形成するにあたって、ハローイング現象を抑制でき、ビアホール及びトレンチの側壁及び底面が不均一な面になることを抑制することができる。 Before explaining in detail the method for producing a printed wiring board of the present invention, the "resin composition" and "resin sheet" used in the method for producing a printed wiring board of the present invention will be explained. The resin composition is suitable for forming via holes or trenches in insulating layers of printed wiring boards by plasma treatment. Further, the resin composition contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass, and the content of the inorganic filler is When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, it is either 40% by volume or more. By using such a resin composition, it is possible to suppress the haloing phenomenon when forming via holes or trenches by plasma treatment, and to prevent the side walls and bottom surfaces of via holes and trenches from becoming uneven surfaces. can.

[樹脂組成物]
硬化体の形成に用いられる樹脂組成物は、樹脂組成物の硬化物である絶縁層の表面にプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する工程にて用いられるものでありうる。一実施形態において、樹脂組成物は、(a)無機充填材を含む。樹脂組成物は、(a)成分に加えて、必要に応じて、さらに、(b)硬化性樹脂、(c)硬化促進剤、(d)熱可塑性樹脂、及び(e)その他の添加剤を含んでいてもよい。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
[Resin composition]
The resin composition used to form the cured product may be one used in the step of forming via holes or trenches by subjecting the surface of the insulating layer, which is the cured product of the resin composition, to plasma treatment. In one embodiment, the resin composition includes (a) an inorganic filler. In addition to component (a), the resin composition further contains (b) a curable resin, (c) a curing accelerator, (d) a thermoplastic resin, and (e) other additives, if necessary. May contain. Each component contained in the resin composition will be explained in detail below.

<(a)無機充填材>
樹脂組成物は、(a)無機充填材を含有し、(a)無機充填材の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上である。樹脂組成物は(a)無機充填材を多く含むので、所定のガスによるプラズマ照射によって無機充填材は削り取られ、樹脂成分の硬化物が掘り出されても、ビアホール底面及び側壁の凹凸の頻度を少なくすることが可能となり、側壁及び底面が不均一な面となることを抑制することができる。結果として導体層の厚みを均一にすることが可能となる。ここで、「樹脂成分」とは、別に断らない限り、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、無機充填材以外の成分をいう。
<(a) Inorganic filler>
The resin composition contains (a) an inorganic filler, and the content of the (a) inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. The resin composition (a) contains a large amount of inorganic filler, so even if the inorganic filler is scraped off by plasma irradiation with a predetermined gas and the cured resin component is dug out, the frequency of unevenness on the bottom and side walls of the via hole can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the side walls and the bottom surface from becoming non-uniform surfaces. As a result, it becomes possible to make the thickness of the conductor layer uniform. Here, the term "resin component" refers to components other than the inorganic filler among the nonvolatile components contained in the resin composition, unless otherwise specified.

(a)成分の含有量は、ビアホール又はトレンチの底面及び側壁の凹凸を小さくする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上であり、好ましくは63質量%以上、より好ましくは65質量%以上であり、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下、さらに好ましくは80質量%以下である。なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたときの値である。 The content of component (a) is 60% by mass or more, preferably 63% by mass, when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass, from the viewpoint of reducing unevenness on the bottom and side walls of the via hole or trench. % or more, more preferably 65% by mass or more, preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, still more preferably 80% by mass or less. In the present invention, the content of each component in the resin composition is a value based on 100% by mass of nonvolatile components in the resin composition, unless otherwise specified.

(a)成分の含有量は、ビアホール又はトレンチの底面及び側壁の凹凸を小さくする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%とした場合、38体積%以上であり、好ましくは40体積%以上、より好ましくは42体積%以上であり、好ましくは70質量%以下、より好ましくは65質量%以下、さらに好ましくは60質量%以下である。 The content of component (a) is 38% by volume or more, preferably 40% by volume, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, from the viewpoint of reducing unevenness on the bottom and side walls of the via hole or trench. % or more, more preferably 42% by volume or more, preferably 70% by mass or less, more preferably 65% by mass or less, still more preferably 60% by mass or less.

(a)無機充填材の材料としては、無機化合物を用いる。無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、アルミノシリケート、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも炭酸カルシウム、シリカが好適であり、シリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。(a)無機充填材は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (a) An inorganic compound is used as the material for the inorganic filler. Examples of inorganic filler materials include silica, alumina, aluminosilicate, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, and water. Aluminum oxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide , zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, calcium carbonate and silica are preferred, and silica is particularly preferred. Examples of silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Further, as the silica, spherical silica is preferable. (a) One type of inorganic filler may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(a)成分の市販品としては、例えば、新日鉄住金マテリアルズ社製の「SP60-05」、「SP507-05」;アドマテックス社製の「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」;デンカ社製の「UFP-30」;トクヤマ社製の「シルフィルNSS-3N」、「シルフィルNSS-4N」、「シルフィルNSS-5N」;アドマテックス社製の「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」、「SC2050-SXF」;などが挙げられる。 Commercial products of component (a) include, for example, "SP60-05" and "SP507-05" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Materials; "YC100C", "YA050C", and "YA050C-MJE" manufactured by Admatex; “YA010C”; “UFP-30” manufactured by Denka; “Silfill NSS-3N”, “Silfill NSS-4N”, “Silfill NSS-5N” manufactured by Tokuyama; “SC2500SQ”, “SO” manufactured by Admatex -C4'', ``SO-C2'', ``SO-C1'', ``SC2050-SXF'', and the like.

(a)成分の平均粒径は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは0.1μmを超え、より好ましくは0.15μm以上、特に好ましくは0.2μm以上であり、好ましくは5μm以下、より好ましくは2μm以下、さらに好ましくは1μm以下である。 The average particle diameter of component (a) is preferably greater than 0.1 μm, more preferably 0.15 μm or more, particularly preferably 0.2 μm or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. is 5 μm or less, more preferably 2 μm or less, even more preferably 1 μm or less.

(a)成分の平均粒径は、ミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材100mg、メチルエチルケトン10gをバイアル瓶に秤取り、超音波にて10分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出する。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「LA-960」、島津製作所社製「SALD-2200」等が挙げられる。 The average particle size of component (a) can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating the particle size distribution of the inorganic filler on a volume basis using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and using the median diameter as the average particle size. The measurement sample can be obtained by weighing 100 mg of the inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone into a vial and dispersing them using ultrasonic waves for 10 minutes. The measurement sample was measured using a laser diffraction particle size distribution measuring device using a light source wavelength of blue and red, and the volume-based particle size distribution of the inorganic filler was measured using a flow cell method. The average particle size is calculated as the median diameter. Examples of the laser diffraction particle size distribution measuring device include "LA-960" manufactured by Horiba, "SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation, and the like.

(a)成分の比表面積としては、好ましくは1m/g以上、より好ましくは2m/g以上、特に好ましくは3m/g以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは60m/g以下、50m/g以下又は40m/g以下である。比表面積は、BET法に従って、比表面積測定装置(マウンテック社製Macsorb HM-1210)を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、BET多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。 The specific surface area of component (a) is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, particularly preferably 3 m 2 /g or more. Although there is no particular limit to the upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method. .

(a)成分は、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、ビニルシラン系カップリング剤、(メタ)アクリル系カップリング剤、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、ビニルシラン系カップリング剤、(メタ)アクリル系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤が好ましく、アミノシラン系カップリング剤がより好ましい。また、表面処理剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。 Component (a) is preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. Examples of the surface treatment agent include vinyl silane coupling agents, (meth)acrylic coupling agents, fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, Examples include silane coupling agents, alkoxysilanes, organosilazane compounds, titanate coupling agents, and the like. Among these, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, vinylsilane coupling agents, (meth)acrylic coupling agents, and aminosilane coupling agents are preferred, and aminosilane coupling agents are more preferred. Moreover, one type of surface treatment agent may be used alone, or two or more types may be used in any combination.

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM1003」(ビニルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM503」(3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM403」(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3-アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM573」(N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「SZ-31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM-4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)、信越化学工業社製「KBM-7103」(3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン)等が挙げられる。 Commercially available surface treatment agents include, for example, "KBM1003" (vinyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM503" (3-methacryloxypropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, and "KBM503" (3-methacryloxypropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical. "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical , "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM103" (phenyl trimethoxysilane), "KBM-4803" (long chain epoxy type silane coupling agent) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical etc.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、無機充填材100質量部は、0.2質量部~5質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、0.2質量部~3質量部で表面処理されていることが好ましく、0.3質量部~2質量部で表面処理されていることが好ましい。 The degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably within a predetermined range from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2 parts by mass to 5 parts by mass of a surface treatment agent, and preferably 0.2 parts by mass to 3 parts by mass. Preferably, the surface treatment is carried out in an amount of 0.3 parts by mass to 2 parts by mass.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、0.02mg/m以上が好ましく、0.1mg/m以上がより好ましく、0.2mg/m以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、1mg/m以下が好ましく、0.8mg/m以下がより好ましく、0.5mg/m以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and 0.2 mg/m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in sheet form, it is preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, and even more preferably 0.5 mg/m 2 or less. preferable.

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA-320V」等を使用することができる。 The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler whose surface has been treated with a surface treatment agent, and the mixture is subjected to ultrasonic cleaning at 25° C. for 5 minutes. After removing the supernatant liquid and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba, Ltd., etc. can be used.

<(b)硬化性樹脂>
樹脂組成物は、(b)硬化性樹脂を含有していてもよい。(b)硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が挙げられるが、プリント配線板の絶縁層を形成する際に使用され得る熱硬化性樹脂が好ましい。
<(b) Curable resin>
The resin composition may contain (b) a curable resin. (b) Examples of the curable resin include thermosetting resins and photocurable resins, and thermosetting resins that can be used when forming the insulating layer of printed wiring boards are preferred.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等が挙げられる。(b)成分は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。以下、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂のように、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させることができる樹脂を、まとめて「硬化剤」ということがある。樹脂組成物としては、絶縁層を形成する観点から、(b)成分として、エポキシ樹脂及び硬化剤を含むことが好ましく、エポキシ樹脂、活性エステル系樹脂、及びフェノール系樹脂のいずれかを含むことがより好ましく、エポキシ樹脂及び活性エステル系樹脂を含むことがさらに好ましい。 Examples of thermosetting resins include epoxy resins, phenol resins, naphthol resins, benzoxazine resins, active ester resins, cyanate ester resins, carbodiimide resins, amine resins, and acid anhydride resins. Can be mentioned. Component (b) may be used alone or in combination of two or more in any ratio. The following resins are formed by reacting with epoxy resins, such as phenol resins, naphthol resins, benzoxazine resins, active ester resins, cyanate ester resins, carbodiimide resins, amine resins, and acid anhydride resins. Resins that can harden things are sometimes collectively referred to as "hardening agents." From the viewpoint of forming an insulating layer, the resin composition preferably contains an epoxy resin and a curing agent as component (b), and preferably contains any one of an epoxy resin, an active ester resin, and a phenol resin. More preferably, it contains an epoxy resin and an active ester resin.

(b)成分としてのエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (b) As the epoxy resin as the component, for example, bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin with butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin and the like. One type of epoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.

樹脂組成物は、(b)成分として、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(b)成分の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。 It is preferable that the resin composition contains, as component (b), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, the proportion of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile components of component (b). The content is more preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more.

エポキシ樹脂には、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。)と、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。)とがある。樹脂組成物は、(b)成分として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、本発明の効果を顕著に得る観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含むことが好ましい。 Epoxy resins include epoxy resins that are liquid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "liquid epoxy resins") and epoxy resins that are solid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "solid epoxy resins"). ). The resin composition may contain only a liquid epoxy resin as the component (b), or may contain only a solid epoxy resin, but from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the resin composition may contain only a liquid epoxy resin and a liquid epoxy resin. It is preferable to include it in combination with a solid epoxy resin.

液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。 As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂がより好ましい。 Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, and ester skeleton. Alicyclic epoxy resins, cyclohexane-type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, glycidylamine-type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure are preferred, and bisphenol A-type epoxy resins and bisphenol F-type epoxy resins are more preferred.

液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);日鉄ケミカル&マテリアル社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX-721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);ダイセル社製の「PB-3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂);日鉄ケミカル&マテリアル社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4-グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of liquid epoxy resins include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "828US", "jER828EL", "825", and "Epicoat" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 828EL" (bisphenol A type epoxy resin); "jER807", "1750" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; manufactured by Mitsubishi Chemical “630” and “630LSD” (glycidylamine type epoxy resin); “ZX1059” manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin); Daicel's "Celoxide 2021P" (alicyclic epoxy resin with ester skeleton); Daicel's "PB-3600" (epoxy resin with butadiene structure) Examples include "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials. These may be used alone or in combination of two or more.

固体状エポキシ樹脂としては、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。 As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。 Solid epoxy resins include bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl. Type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, and tetraphenylethane type epoxy resins are preferred, and naphthalene type epoxy resins are more preferred.

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂)、「N-690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「N-695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂)、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN-502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂)、「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂);日鉄ケミカル&マテリアル社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000H」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂)、「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG-100」、「CG-500」、三菱ケミカル社製の「YL7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂)、「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂)、「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Solid epoxy resins include naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, trisphenol-type epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, naphthylene ether-type epoxy resins, Anthracene-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, and tetraphenylethane-type epoxy resins are preferred, and naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, and biphenyl-type epoxy resins are more preferred. Specific examples of solid epoxy resins include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin), "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), and "N-690" (manufactured by DIC). Cresol novolac type epoxy resin), "N-695" (Cresol novolac type epoxy resin), "HP-7200", "HP-7200HH", "HP-7200H" (dicyclopentadiene type epoxy resin), "EXA-7311" ", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Trisphenol type epoxy resin), “NC7000L” (naphthol novolac type epoxy resin), “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl type epoxy resin); “ESN475V” manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials ” (naphthalene type epoxy resin), “ESN485” (naphthol novolac type epoxy resin); Mitsubishi Chemical's “YX4000H”, “YL6121” (biphenyl type epoxy resin), “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin), “ "YX8800" (anthracene type epoxy resin); "PG-100", "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Company, "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin), "YL7800" (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. resin), "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

(b)成分として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、好ましくは1:0.1~1:20、より好ましくは1:0.3~1:15、特に好ましくは1:0.5~1:10である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性がもたらされる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。 When using a combination of liquid epoxy resin and solid epoxy resin as component (b), their quantitative ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1:0.1 to 1: 20, more preferably 1:0.3 to 1:15, particularly preferably 1:0.5 to 1:10. When the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is within this range, the desired effects of the present invention can be significantly obtained. Furthermore, when used in the form of a resin sheet, adequate tackiness is usually provided. Further, when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is usually obtained and handling properties are improved. Furthermore, it is usually possible to obtain a cured product having sufficient breaking strength.

(b)成分としてのエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50g/eq.~5000g/eq.、より好ましくは50g/eq.~3000g/eq.、さらに好ましくは80g/eq.~2000g/eq.、さらにより好ましくは110g/eq.~1000g/eq.である。この範囲となることで、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分な硬化体をもたらすことができる。エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含むエポキシ樹脂の質量である。このエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができる。 The epoxy equivalent of the epoxy resin as component (b) is preferably 50 g/eq. ~5000g/eq. , more preferably 50g/eq. ~3000g/eq. , more preferably 80g/eq. ~2000g/eq. , even more preferably 110 g/eq. ~1000g/eq. It is. By falling within this range, a cured product of the resin composition can be provided with a sufficient crosslinking density. Epoxy equivalent is the mass of epoxy resin containing one equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(b)成分としてのエポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは100~5000、より好ましくは250~3000、さらに好ましくは400~1500である。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。 The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin as component (b) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and even more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. be. The weight average molecular weight of the epoxy resin is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

(b)成分としてのエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す硬化物を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上、さらに好ましくは20質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは45質量%以下、より好ましくは40質量%以下、特に好ましくは35質量%以下である。 From the viewpoint of obtaining a cured product exhibiting good mechanical strength and insulation reliability, the content of the epoxy resin as component (b) is preferably 10% by mass when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. The content is more preferably 15% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, particularly preferably 35% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

(b)成分としてのエポキシ樹脂の含有量としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、さらに好ましくは70質量%以上であり、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下、さらに好ましくは88質量%以下である。樹脂成分とは、樹脂組成物中の不揮発成分のうち、(a)無機充填材を除いた成分をいう。 From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the epoxy resin as component (b) is preferably 50% by mass or more, more preferably The content is 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, even more preferably 88% by mass or less. The resin component refers to the nonvolatile components in the resin composition excluding (a) the inorganic filler.

(b)成分としての活性エステル系樹脂としては、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する樹脂を用いることができる。中でも、活性エステル系樹脂としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N-ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する樹脂が好ましい。当該活性エステル系樹脂は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系樹脂が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系樹脂がより好ましい。 As the active ester resin as component (b), a resin having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among these, active ester resins include those having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. Resins are preferred. The active ester resin is preferably one obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, active ester resins obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound are preferred, and active ester resins obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound are more preferred.

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。 Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、カテコール、α-ナフトール、β-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 Examples of phenolic compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Examples include benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, and phenol novolacs. Here, the term "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

活性エステル系樹脂の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン-ジシクロペンチレン-フェニレンからなる2価の構造単位を表す。 Preferred specific examples of active ester resins include active ester resins containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester resins containing a naphthalene structure, active ester resins containing an acetylated product of phenol novolak, and benzoyl phenol novolac. Examples include active ester resins containing compounds. Among these, active ester resins containing a naphthalene structure and active ester resins containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系樹脂の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC社製);ナフタレン構造を含むナフタレン型活性エステル系樹脂として「EXB9416-70BK」、「EXB-8100L-65T」、「EXB-8150L-65T」、「EXB-8150-65T」、「HPC-8150-60T」、「HPC-8150-62T」(DIC社製)、「PC1300-02-65T」(エア・ウォーター社製);フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂として「YLH1026」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系樹脂として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系樹脂として「YLH1026」(三菱ケミカル社製)、「YLH1030」(三菱ケミカル社製)、「YLH1048」(三菱ケミカル社製);「EXB-8500-65T」(DIC社製);等が挙げられる。 Commercially available active ester resins include "EXB9451," "EXB9460," "EXB9460S," "HPC-8000-65T," and "HPC-8000H-" as active ester resins containing a dicyclopentadiene diphenol structure. 65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC Corporation); "EXB9416-70BK", "EXB-8100L-65T", "EXB-8150L-65T", " EXB-8150-65T”, “HPC-8150-60T”, “HPC-8150-62T” (manufactured by DIC), “PC1300-02-65T” (manufactured by Air Water); Contains acetylated phenol novolak "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester resin; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester resin containing a benzoylated product of phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Company); "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Company), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Company), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Company) as active ester resins that are benzoylated products of phenol novolak. ; "EXB-8500-65T" (manufactured by DIC Corporation); and the like.

(b)成分としての活性エステル系樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上、さらに好ましくは5質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。 From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the active ester resin as component (b) is preferably 1% by mass or more, more preferably The content is 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, even more preferably 10% by mass or less.

(b)成分としての活性エステル系樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上、さらに好ましくは8質量%以上であり、好ましくは25質量%以下、より好ましくは20質量%以下、さらに好ましくは15質量%以下である。 From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the active ester resin as component (b) is preferably 3% by mass or more, more preferably 3% by mass or more when the resin component in the resin composition is 100% by mass. is 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, even more preferably 15% by mass or less.

(b)成分としてのフェノール系樹脂及びナフトール系樹脂としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系樹脂が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂がより好ましい。 As the phenol resin and naphthol resin as component (b), those having a novolac structure are preferred from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, nitrogen-containing phenolic resins are preferred, and triazine skeleton-containing phenolic resins are more preferred.

フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」、日鉄ケミカル&マテリアル社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」「SN375」、「SN395」、DIC社製の「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」等が挙げられる。 Specific examples of phenolic resins and naphthol resins include "MEH-7700", "MEH-7810", and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and "NHN" and "CBN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. ", "GPH", "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V", "SN375", "SN395" manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials. , "TD-2090", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", and "EXB-9500" manufactured by DIC Corporation.

(b)成分としてのベンゾオキサジン系樹脂の具体例としては、JFEケミカル社製の「JBZ-OD100」(ベンゾオキサジン環当量218)、「JBZ-OP100D」(ベンゾオキサジン環当量218)、「ODA-BOZ」(ベンゾオキサジン環当量218);四国化成工業社製の「P-d」(ベンゾオキサジン環当量217)、「F-a」(ベンゾオキサジン環当量217);昭和高分子社製の「HFB2006M」(ベンゾオキサジン環当量432)等が挙げられる。 Specific examples of the benzoxazine resin as component (b) include "JBZ-OD100" (benzoxazine ring equivalent: 218), "JBZ-OP100D" (benzoxazine ring equivalent: 218), and "ODA-" manufactured by JFE Chemical Co., Ltd. BOZ” (benzoxazine ring equivalent 218); “P-d” (benzoxazine ring equivalent 217) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., “Fa” (benzoxazine ring equivalent 217); “HFB2006M manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd. (benzoxazine ring equivalent: 432).

(b)成分としてのシアネートエステル系樹脂としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3-メチレン-1,5-フェニレンシアネート)、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルフェニルシアネート)、4,4’-エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2-ビス(4-シアネート)フェニルプロパン、1,1-ビス(4-シアネートフェニルメタン)、ビス(4-シアネート-3,5-ジメチルフェニル)メタン、1,3-ビス(4-シアネートフェニル-1-(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4-シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4-シアネートフェニル)エーテル、等の2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂;これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー;などが挙げられる。シアネートエステル系樹脂の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」、「PT30S」及び「PT60」(フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「ULL-950S」(多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。 Examples of the cyanate ester resin as component (b) include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate), and 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylphenyl cyanate). ), 4,4'-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanate phenylmethane), bis(4-cyanate- 3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatophenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatophenyl)thioether, and bis(4-cyanatophenyl)ether, etc. Bifunctional cyanate resins; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolacs, cresol novolacs, etc.; prepolymers in which these cyanate resins are partially triazine-formed; and the like. Specific examples of cyanate ester resins include "PT30", "PT30S" and "PT60" (phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin) manufactured by Lonza Japan, Examples include "BA230" and "BA230S75" (a prepolymer in which part or all of bisphenol A dicyanate is triazinized to form a trimer).

(b)成分としてのカルボジイミド系樹脂の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト(登録商標)V-03(カルボジイミド基当量:216、V-05(カルボジイミド基当量:216)、V-07(カルボジイミド基当量:200);V-09(カルボジイミド基当量:200);ラインケミー社製のスタバクゾール(登録商標)P(カルボジイミド基当量:302)が挙げられる。 Specific examples of the carbodiimide resin as component (b) include Carbodilite (registered trademark) V-03 (carbodiimide group equivalent: 216), V-05 (carbodiimide group equivalent: 216), V-07 (carbodiimide group equivalent: 216), manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Carbodiimide group equivalent: 200); V-09 (carbodiimide group equivalent: 200); Stabaxol (registered trademark) P manufactured by Rhein Chemie (carbodiimide group equivalent: 302).

(b)成分としてのアミン系樹脂としては、1分子内中に1個以上のアミノ基を有する樹脂が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系樹脂は、第1級アミン又は第2級アミンが好ましく、第1級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルアニリン)、ジフェニルジアミノスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、m-フェニレンジアミン、m-キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジヒドロキシベンジジン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、3,3-ジメチル-5,5-ジエチル-4,4-ジフェニルメタンジアミン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、等が挙げられる。アミン系樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「KAYABOND C-200S」、「KAYABOND C-100」、「カヤハードA-A」、「カヤハードA-B」、「カヤハードA-S」、三菱ケミカル社製の「エピキュアW」等が挙げられる。 Examples of the amine resin as component (b) include resins having one or more amino groups in one molecule, such as aliphatic amines, polyether amines, alicyclic amines, aromatic amines, etc. Examples include amines, among which aromatic amines are preferred from the viewpoint of achieving the desired effects of the present invention. The amine resin is preferably a primary amine or a secondary amine, and more preferably a primary amine. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, and 3,3' - Diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl- 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane Diamine, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3- Bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, Examples include bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone. Commercially available amine resins may be used, such as "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "KAYA HARD AA", "KAYA HARD AB", and "KAYA HARD" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Examples include "A-S" and "Epicure W" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

(b)成分としての酸無水物系樹脂としては、1分子内中に1個以上の酸無水物基を有する樹脂が挙げられる。酸無水物系樹脂の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、3,3’-4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b-ヘキサヒドロ-5-(テトラヒドロ-2,5-ジオキソ-3-フラニル)-ナフト[1,2-C]フラン-1,3-ジオン、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。 Examples of the acid anhydride resin as component (b) include resins having one or more acid anhydride groups in one molecule. Specific examples of acid anhydride resins include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, and hydrogenated methylnadic anhydride. trialkyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimellitic anhydride Acid, pyromellitic anhydride, bensophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenyl Sulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-C]furan-1, Examples include polymeric acid anhydrides such as 3-dione, ethylene glycol bis(anhydrotrimellitate), and styrene-maleic acid resin, which is a copolymer of styrene and maleic acid.

(b)成分としてエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する場合、エポキシ樹脂とすべての硬化剤との量比は、[エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数]:[硬化剤の反応基の合計数]の比率で、1:0.01~1:5の範囲が好ましく、1:0.05~1:3がより好ましく、1:0.1~1:2がさらに好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。(b)成分として、エポキシ樹脂と硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、柔軟性に優れる硬化体を得ることができる。 When containing an epoxy resin and a curing agent as components (b), the ratio of the epoxy resin to all curing agents is [total number of epoxy groups in the epoxy resin]:[total number of reactive groups in the curing agent]. The ratio is preferably in the range of 1:0.01 to 1:5, more preferably 1:0.05 to 1:3, and even more preferably 1:0.1 to 1:2. Here, "the number of epoxy groups in the epoxy resin" is the sum of all the values obtained by dividing the mass of nonvolatile components of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. Moreover, "the number of active groups of a curing agent" is the total value of all the values obtained by dividing the mass of nonvolatile components of the curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. By controlling the ratio of the epoxy resin and curing agent as component (b) within this range, a cured product with excellent flexibility can be obtained.

(b)成分としての硬化剤の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上、さらに好ましくは5質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。 The content of the curing agent as component (b) is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass based on 100% by mass of the nonvolatile components in the resin composition, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. % or more, more preferably 5% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, even more preferably 10% by mass or less.

(b)成分としての硬化剤の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは15質量%以上であり、好ましくは40質量%以下、より好ましくは30質量%以下、さらに好ましくは25質量%以下である。 From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the curing agent as component (b) is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass, when the resin component in the resin composition is 100% by mass. It is at least 15% by mass, more preferably at least 15% by mass, preferably at most 40% by mass, more preferably at most 30% by mass, even more preferably at most 25% by mass.

<(c)硬化促進剤>
樹脂組成物は、(c)硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<(c) Curing accelerator>
The resin composition may contain (c) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, etc. Curing accelerators are preferred, and amine curing accelerators are more preferred. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4-メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。 Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate. , tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, with triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate being preferred.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4-ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,-トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセン等が挙げられ、4-ジメチルアミノピリジン、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセンが好ましい。 Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, and 1,8-diazabicyclo. Examples include (5,4,0)-undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of imidazole-based curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl imidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline , 2-phenylimidazoline and other imidazole compounds, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins, with 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole being preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「P200-H50」等が挙げられる。 As the imidazole curing accelerator, commercially available products may be used, such as "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1-メチルグアニジン、1-エチルグアニジン、1-シクロヘキシルグアニジン、1-フェニルグアニジン、1-(o-トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、7-メチル-1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、1-メチルビグアニド、1-エチルビグアニド、1-n-ブチルビグアニド、1-n-オクタデシルビグアニド、1,1-ジメチルビグアニド、1,1-ジエチルビグアニド、1-シクロヘキシルビグアニド、1-アリルビグアニド、1-フェニルビグアニド、1-(o-トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エンが好ましい。 Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc., and dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene are preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Examples of the metal hardening accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Examples include organic zinc complexes such as , organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

(c)硬化促進剤の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.02質量%以上、特に好ましくは0.03質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは1質量%以下、特に好ましくは0.5質量%以下である。 (c) From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.01% by mass, based on 100% by mass of nonvolatile components in the resin composition. The content is .02% by weight or more, particularly preferably 0.03% by weight or more, preferably 3% by weight or less, more preferably 1% by weight or less, particularly preferably 0.5% by weight or less.

(c)硬化促進剤の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上、さらに好ましくは0.1質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは2質量%以下、さらに好ましくは1質量%以下である。 (c) From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.01% by mass when the resin component in the resin composition is 100% by mass. The content is .05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, even more preferably 1% by mass or less.

<(d)熱可塑性樹脂>
樹脂組成物は、(d)熱可塑性樹脂を含有していてもよい。(d)熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、1種単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<(d) Thermoplastic resin>
The resin composition may contain (d) a thermoplastic resin. (d) Thermoplastic resins include, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, polyphenylene ether resin, polyether ether ketone resin. , polyester resin, etc., with phenoxy resin being preferred. The thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

(d)熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは38000以上、より好ましくは40000以上、さらに好ましくは42000以上である。上限は、好ましくは100000以下、より好ましくは70000以下、さらに好ましくは60000以下である。(d)熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。具体的には、(d)熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製LC-9A/RID-6Aを、カラムとして昭和電工社製Shodex K-800P/K-804L/K-804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。 (d) The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is preferably 38,000 or more, more preferably 40,000 or more, and still more preferably 42,000 or more. The upper limit is preferably 100,000 or less, more preferably 70,000 or less, even more preferably 60,000 or less. (d) The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by gel permeation chromatography (GPC). Specifically, (d) the weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene was determined using LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P/K-804L manufactured by Showa Denko Corporation as a column. /K-804L is measured at a column temperature of 40° C. using chloroform or the like as a mobile phase, and can be calculated using a standard polystyrene calibration curve.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、及び「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)が挙げられ、その他にも、日鉄ケミカル&マテリアル社製の「FX280」及び「FX293」、三菱ケミカル社製の「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」等が挙げられる。 Examples of phenoxy resins include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, and terpene. Examples include phenoxy resins having one or more types of skeletons selected from the group consisting of a skeleton and a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. One type of phenoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination. Specific examples of phenoxy resins include Mitsubishi Chemical's "1256" and "4250" (both phenoxy resins containing bisphenol A skeleton), "YX8100" (phenoxy resin containing bisphenol S skeleton), and "YX6954" (bisphenol acetophenone). Other examples include "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials, "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Examples include "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", and "YL7482".

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業社製の「電化ブチラール4000-2」、「電化ブチラール5000-A」、「電化ブチラール6000-C」、「電化ブチラール6000-EP」、積水化学工業社製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX-5Z)、KSシリーズ(例えばKS-1)、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。 Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin, with polyvinyl butyral resin being preferred. Specific examples of polyvinyl acetal resins include Denka Butyral 4000-2, Denka Butyral 5000-A, Denka Butyral 6000-C, Denka Butyral 6000-EP, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., and Sekisui. Examples include the S-LEC BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd.

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006-37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002-12667号公報及び特開2000-319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。 Specific examples of the polyimide resin include "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" manufactured by Shin Nihon Rika Co., Ltd. Specific examples of polyimide resins include linear polyimides obtained by reacting bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds, and tetrabasic acid anhydrides (polyimide described in JP-A No. 2006-37083), polysiloxane skeletons, etc. Examples include modified polyimides such as polyimides containing polyimides (polyimides described in JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386, etc.).

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業社製の「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。 Specific examples of the polyamide-imide resin include "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" manufactured by Toyobo. Specific examples of polyamide-imide resins include modified polyamide-imides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamide-imide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「PES5003P」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「OPE-2St 1200」等が挙げられる。ポリエーテルエーテルケトン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「スミプロイK」等が挙げられる。ポリエーテルイミド樹脂の具体例としては、GE社製の「ウルテム」等が挙げられる。 A specific example of the polyether sulfone resin includes "PES5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Specific examples of the polyphenylene ether resin include oligophenylene ether styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. Specific examples of polyetheretherketone resins include "Sumiploy K" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and the like. A specific example of the polyetherimide resin includes "Ultem" manufactured by GE.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。 Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers.

ポリオレフィン樹脂としては、例えば低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸エチル共重合体、エチレン-アクリル酸メチル共重合体等のエチレン系共重合樹脂;ポリプロピレン、エチレン-プロピレンブロック共重合体等のポリオレフィン系エラストマー等が挙げられる。 Examples of polyolefin resins include ethylene copolymers such as low density polyethylene, ultra-low density polyethylene, high density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and ethylene-methyl acrylate copolymer. Resin; Examples include polyolefin elastomers such as polypropylene and ethylene-propylene block copolymers.

ポリエステル樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンナフタレート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂、ポリトリメチレンナフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンジメチルテレフタレート樹脂等が挙げられる。 Examples of the polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polybutylene naphthalate resin, polytrimethylene terephthalate resin, polytrimethylene naphthalate resin, polycyclohexane dimethyl terephthalate resin, and the like.

中でも、(d)熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。したがって好適な一実施形態において、熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される1種以上を含む。中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂が好ましく、重量平均分子量が40,000以上のフェノキシ樹脂が特に好ましい。 Among them, as the thermoplastic resin (d), phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable. Therefore, in a preferred embodiment, the thermoplastic resin includes one or more selected from the group consisting of phenoxy resin and polyvinyl acetal resin. Among these, as the thermoplastic resin, phenoxy resin is preferable, and phenoxy resin having a weight average molecular weight of 40,000 or more is particularly preferable.

(d)熱可塑性樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上、さらに好ましくは0.5質量%以上である。上限は、好ましくは5質量%以下、より好ましくは4質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下である。 (d) From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the thermoplastic resin is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.0% when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. .3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more. The upper limit is preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, even more preferably 3% by mass or less.

(d)熱可塑性樹脂の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは1質量%以上、さらに好ましくは1.5質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは5質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下である。 (d) From the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the content of the thermoplastic resin is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass when the resin component in the resin composition is 100% by mass. It is at least 1.5% by mass, more preferably at least 1.5% by mass, preferably at most 10% by mass, more preferably at most 5% by mass, even more preferably at most 3% by mass.

<(e)その他の添加剤>
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、難燃剤;有機充填材;有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物;増粘剤;消泡剤;レベリング剤;密着性付与剤;着色剤等の樹脂添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。それぞれの含有量は当業者であれば適宜設定できる。
<(e) Other additives>
In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain other additives as optional components. Such additives include, for example, flame retardants; organic fillers; organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds, and organocobalt compounds; thickeners; antifoaming agents; leveling agents; adhesion imparting agents; Examples include resin additives such as colorants. These additives may be used alone or in combination of two or more in any ratio. The content of each can be set as appropriate by those skilled in the art.

樹脂組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、例えば、配合成分を、必要により溶媒等とともに、回転ミキサーなどを用いて混合・分散する方法などが挙げられる。 The method for preparing the resin composition is not particularly limited, and includes, for example, a method of mixing and dispersing the ingredients together with a solvent, if necessary, using a rotary mixer or the like.

[樹脂シート]
樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む。樹脂組成物は、[樹脂組成物]欄において説明したとおりである。
[Resin sheet]
The resin sheet includes a support and a resin composition layer formed of a resin composition provided on the support. The resin composition is as described in the [Resin composition] section.

樹脂組成物層の厚みは、プリント配線板の薄型化、及び当該樹脂組成物の硬化物が薄膜であっても絶縁性に優れた硬化物を提供できるという観点から、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、さらに好ましくは40μm以下、30μm以下、20μm以下である。樹脂組成物層の厚みの下限は、特に限定されないが、通常、1μm以上、5μm以上等とし得る。 The thickness of the resin composition layer is preferably 100 μm or less, more preferably 100 μm or less, from the viewpoint of making the printed wiring board thinner and providing a cured product with excellent insulation even if the cured product of the resin composition is a thin film. is 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, 30 μm or less, or 20 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but can usually be 1 μm or more, 5 μm or more, etc.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferred.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When using a film made of a plastic material as a support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET") and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PEN"). ), polyesters such as polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylics such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether Examples include ketones and polyimides. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferred, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferred.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。 When using metal foil as the support, examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, etc., with copper foil being preferred. As the copper foil, a foil made of a single metal such as copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. May be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。 The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to matte treatment, corona treatment, or antistatic treatment.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、リンテック社製の「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東レ社製の「ルミラーT60」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等のアルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルム;デュポンフィルム社製の「U2-NR1」;等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used in the release layer of the support with a release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . As the support with a release layer, commercially available products may be used, such as "SK-1", "AL-5", "AL-7" manufactured by Lintec, "Lumirror T60" manufactured by Toray Industries, Inc., and "Lumirror T60" manufactured by Teijin Corporation. Examples include PET films with a release layer containing an alkyd resin mold release agent as a main component, such as "Purex" manufactured by Co., Ltd. and "Unipeel" manufactured by Unitika; "U2-NR1" manufactured by DuPont Films; It will be done.

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm~75μmの範囲が好ましく、10μm~60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. In addition, when using the support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is in the said range.

一実施形態において、樹脂シートは、さらに必要に応じて、その他の層を含んでいてもよい。斯かるその他の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm~40μmである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。 In one embodiment, the resin sheet may further include other layers as necessary. Examples of such other layers include, for example, a protective film similar to the support provided on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (i.e., the surface opposite to the support). It will be done. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. By laminating the protective film, adhesion of dust and the like to the surface of the resin composition layer and scratches can be suppressed.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。 For the resin sheet, for example, a resin varnish is prepared by dissolving a resin composition in an organic solvent, and this resin varnish is applied onto a support using a die coater or the like, and further dried to form a resin composition layer. It can be manufactured by

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)及びシクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN-メチルピロリドン等のアミド系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of organic solvents include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), and cyclohexanone; acetate esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; cellosolve and butyl carbitol, etc. carbitols; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. One type of organic solvent may be used alone, or two or more types may be used in combination.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%~60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃~150℃で3分間~10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be performed by a known method such as heating or blowing hot air. Although drying conditions are not particularly limited, drying is performed so that the content of organic solvent in the resin composition layer is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% to 60% by mass of organic solvent, the resin composition can be adjusted by drying at 50°C to 150°C for 3 to 10 minutes. A material layer can be formed.

樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。 The resin sheet can be stored by winding it up into a roll. When the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

[プリント配線板の製造方法]
本発明のプリント配線板の製造方法は、
(A)内層回路基板上に、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を形成する工程、及び
(B)絶縁層の表面にプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する工程を含み、プラズマ処理に用いるガスが、SFを含む。
[Manufacturing method of printed wiring board]
The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention includes:
(A) forming an insulating layer containing a cured resin composition on the inner layer circuit board; and (B) performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form via holes or trenches. The gas used for this includes SF 6 .

本発明では、レーザー処理ではなくプラズマ処理にてビアホール又はトレンチを絶縁層に形成する。よって、ハローイング現象を抑制でき、ビアホール及びトレンチの側面及び底面の凹凸の発生を抑制することができる。 In the present invention, via holes or trenches are formed in the insulating layer by plasma processing instead of laser processing. Therefore, the haloing phenomenon can be suppressed, and the occurrence of unevenness on the side and bottom surfaces of the via hole and trench can be suppressed.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、工程(A)及び工程(B)に加えて、必要に応じて、
(C)絶縁層表面を粗化処理する工程、
(D)絶縁層の表面に導体層を形成する工程、を含んでいてもよい。
Moreover, in addition to step (A) and step (B), the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention includes, as necessary,
(C) a step of roughening the surface of the insulating layer;
(D) The method may include a step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer.

工程(A)及び工程(B)は、この順で行うことが好ましく、工程(A)、工程(B)、工程(C)及び工程(D)の順で行うことがより好ましい。以下、プリント配線板の製造方法の各工程について説明する。 It is preferable that step (A) and step (B) are performed in this order, and it is more preferable that step (A), step (B), step (C), and step (D) are performed in this order. Each step of the printed wiring board manufacturing method will be described below.

<工程(A)>
工程(A)は、内層回路基板上に、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を形成する工程である。工程(A)では、通常、内層回路基板の主表面上に絶縁層を形成する。内層回路基板の主表面とは、絶縁層が設けられる、内層回路基板の表面を表す。ここで使用される樹脂組成物は、上記で説明した樹脂組成物である。
<Process (A)>
Step (A) is a step of forming an insulating layer containing a cured product of the resin composition on the inner layer circuit board. In step (A), an insulating layer is usually formed on the main surface of the inner layer circuit board. The main surface of the inner layer circuit board refers to the surface of the inner layer circuit board on which the insulating layer is provided. The resin composition used here is the resin composition explained above.

工程(A)を行うにあたって、(A-1)内層回路基板を準備する工程を含んでいてもよい。内層回路基板は、通常、支持基板と、支持基板の表面に設けられた金属層を備える。金属層は、内層回路基板の主表面に露出している。 The step (A) may include the step of (A-1) preparing an inner layer circuit board. The inner layer circuit board typically includes a support substrate and a metal layer provided on the surface of the support substrate. The metal layer is exposed on the main surface of the inner layer circuit board.

支持基板の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。金属層の材料としては、銅箔、キャリア付き銅箔、後述する導体層の材料等が挙げられ、銅箔が好ましい。 Examples of the material of the supporting substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, and the like. Examples of the material for the metal layer include copper foil, copper foil with a carrier, and materials for the conductor layer described below, with copper foil being preferred.

また、工程(A)を行うにあたって、(A-2)樹脂シートを準備する工程を含んでいてもよい。樹脂シートは、上記において説明したとおりである。 Further, in carrying out step (A), the step (A-2) of preparing a resin sheet may be included. The resin sheet is as described above.

工程(A)では、例えば、内層回路基板の主表面上に樹脂シートの樹脂組成物層を積層させ、樹脂組成物層を熱硬化させることで絶縁層を形成する。 In step (A), for example, a resin composition layer of a resin sheet is laminated on the main surface of the inner layer circuit board, and the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer.

内層回路基板と樹脂シートの積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを内層回路基板に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを内層回路基板に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ともいう。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、内層回路基板の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 Lamination of the inner layer circuit board and the resin sheet can be performed, for example, by heat-pressing the resin sheet to the inner layer circuit board from the support side. Examples of the member for heat-pressing the resin sheet to the inner layer circuit board (hereinafter also referred to as "heat-pressing member") include heated metal plates (SUS mirror plate, etc.), metal rolls (SUS rolls), and the like. Note that, instead of pressing the thermocompression bonding member directly onto the resin sheet, it is preferable to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer circuit board.

内層回路基板と樹脂シートの積層は、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃~160℃、より好ましくは80℃~140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa~1.77MPa、より好ましくは0.29MPa~1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間~400秒間、より好ましくは30秒間~300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。 The inner circuit board and the resin sheet may be laminated by vacuum lamination. In the vacuum lamination method, the heat-pressing temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C, and the heat-pressing pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. The pressure is in the range of .29 MPa to 1.47 MPa, and the heat-pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアップリケーター、バッチ式真空加圧ラミネーター等が挙げられる。 Lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. Examples of commercially available vacuum laminators include a vacuum pressure laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, and a batch vacuum pressure laminator.

積層の後に、常圧下(大気圧下)、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression bonding member from the support side. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same as the conditions for the heat-pressing of the lamination described above. The smoothing process can be performed using a commercially available laminator. Note that the lamination and smoothing treatment may be performed continuously using the above-mentioned commercially available vacuum laminator.

支持体は、樹脂シートを積層後熱硬化させる前に除去してもよく、工程(A)の後に除去してもよい。 The support may be removed before the resin sheets are laminated and thermally cured, or may be removed after step (A).

樹脂シートを内層回路基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。 After laminating the resin sheet on the inner layer circuit board, the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions for the resin composition layer are not particularly limited, and conditions that are normally employed when forming an insulating layer of a printed wiring board may be used.

例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は好ましくは120℃~240℃、より好ましくは150℃~220℃、さらに好ましくは170℃~210℃である。硬化時間は好ましくは5分間~120分間、より好ましくは10分間~100分間、さらに好ましくは15分間~100分間とすることができる。 For example, the thermosetting conditions for the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, etc., but the curing temperature is preferably 120°C to 240°C, more preferably 150°C to 220°C, and even more preferably 170°C to 210°C. It is ℃. The curing time can be preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, even more preferably 15 minutes to 100 minutes.

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上115℃以下、より好ましくは70℃以上110℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を5分間以上(好ましくは5分間~150分間、より好ましくは15分間~120分間、さらに好ましくは15分間~100分間)予備加熱してもよい。 Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is cured at a temperature of 50°C or higher and lower than 120°C (preferably 60°C or higher and 115°C or lower, more preferably 70°C or higher and 110°C or lower). Preheating may be performed for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, even more preferably 15 minutes to 100 minutes).

絶縁層の厚みとしては、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、さらに好ましくは40μm以下、30μm以下、20μm以下であり、好ましくは1μm以上、より好ましくは5μm以上である。 The thickness of the insulating layer is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, still more preferably 40 μm or less, 30 μm or less, or 20 μm or less, preferably 1 μm or more, and more preferably 5 μm or more.

なお、樹脂シートを用いて絶縁層を形成する代わりに、内層回路基板の主表面上に直接樹脂組成物を塗布し、絶縁層を形成してもよい。その際の絶縁層を形成する条件は、樹脂シートを用いて絶縁層を形成する条件と同様である。また、塗布する樹脂組成物は上記において説明したとおりである。 Note that instead of forming the insulating layer using a resin sheet, the insulating layer may be formed by directly applying a resin composition onto the main surface of the inner layer circuit board. The conditions for forming the insulating layer at this time are the same as those for forming the insulating layer using a resin sheet. Moreover, the resin composition to be applied is as explained above.

工程(A)終了後工程(B)を行う前に、絶縁層にビアホール又はトレンチを効果的に形成するために、(A-3)絶縁層上又は支持体上にドライフィルムをラミネートする工程、及び(A-4)フォトマスクを用いてドライフィルムに露光及び現像を行い、パターンドライフィルムを得る工程を含んでいてもよい。 After completing step (A) and before performing step (B), in order to effectively form a via hole or trench in the insulating layer, (A-3) laminating a dry film on the insulating layer or on the support; and (A-4) exposing and developing the dry film using a photomask to obtain a patterned dry film.

工程(A-3)では、内層回路基板の主表面上に形成された絶縁層又は支持体上にドライフィルムをラミネートする。絶縁層とドライフィルムとの積層条件は、内層回路基板と樹脂シートとの積層条件と同様であり得る。 In step (A-3), a dry film is laminated on the insulating layer or support formed on the main surface of the inner layer circuit board. The conditions for laminating the insulating layer and the dry film may be the same as those for laminating the inner circuit board and the resin sheet.

工程(A-3)にて用いるドライフィルムとしては、露光及び現像によりパターンドライフィルムが得られるものであれば良く、工程(B)でのプラズマ処理に対して耐性があるフィルムであればなお良い。また、ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができる。このようなドライフィルムとしては、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。 The dry film used in step (A-3) may be any film that can yield a patterned dry film through exposure and development, and even better if it is resistant to the plasma treatment in step (B). . Further, as the dry film, a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used. As such a dry film, for example, a dry film formed of a resin such as a novolac resin or an acrylic resin can be used.

ドライフィルムの厚みとしては、ビアホールの加工性を向上させる観点から、好ましくは10μm以上、より好ましくは15μm以上、さらに好ましくは20μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは70μm以下、さらに好ましくは50μm以下である。 The thickness of the dry film is preferably 10 μm or more, more preferably 15 μm or more, even more preferably 20 μm or more, and preferably 100 μm or less, more preferably 70 μm or less, and even more preferably It is 50 μm or less.

工程(A-4)において、所定のパターンを有するフォトマスクを通して、活性エネルギー線を照射し露光を行う。露光の詳細は、ドライフィルムの表面に、フォトマスクを通して活性エネルギー線を照射して、ドライフィルムの露光部分を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、X線等が挙げられ、紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、ドライフィルムに応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンをドライフィルムに密着させて露光する接触露光法、マスクパターンをドライフィルムに密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法などが挙げられる。 In step (A-4), exposure is performed by irradiating active energy rays through a photomask having a predetermined pattern. The details of the exposure include irradiating the surface of the dry film with active energy rays through a photomask to photocure the exposed portions of the dry film. Examples of active energy rays include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, and X-rays, with ultraviolet rays being preferred. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately set depending on the dry film. Examples of the exposure method include a contact exposure method in which the mask pattern is exposed to light by bringing it into close contact with the dry film, and a non-contact exposure method in which the mask pattern is exposed using parallel light without being brought into close contact with the dry film.

露光後、現像を行うことでドライフィルムの露光部分及び非露光部分の一方(通常は、非露光部分)を除去して、パターンドライフィルムを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられる。 After exposure, one of the exposed and non-exposed portions (usually the non-exposed portion) of the dry film is removed by development to form a patterned dry film. Development may be performed by either wet development or dry development. Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, and a scraping method.

後述する工程(B)において、パターンドライフィルムをマスクとしプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する。 In step (B), which will be described later, plasma treatment is performed using the patterned dry film as a mask to form via holes or trenches.

<工程(B)>
工程(B)は、絶縁層の表面にプラズマ処理を行い、絶縁層表面にビアホール又はトレンチを形成する工程である。(B)工程の詳細は、図1に一例を示すように、所定のガスによるプラズマにて絶縁層100中に含まれる樹脂組成物の硬化物1020の除去及び無機充填材1010を削ることでビアホール110を形成する。通常は、樹脂成分の硬化物1020及び無機充填材1010がプラズマによりエッチングされる。無機充填材1010をエッチングするためにプラズマ処理を続けると、樹脂成分の硬化物1020の一部が掘り出される。掘り出された樹脂成分の硬化物1020はビアホール110の側壁又は底面から脱落し、ビアホール110の側壁又は底面に樹脂成分の硬化物1020が掘り出された箇所1030(凹凸)が生じうる。通常、無機充填材1010がエッチングされた部分には凹みが形成されることはない。無機充填材1010の含有量は樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合60質量%以上であり、無機充填材1010の含有量は樹脂成分よりも多いので、ビアホール110の底面及び側壁の樹脂成分の硬化物1020が掘り出された箇所1030の頻度を少なくすることができる。即ち底面及び側壁の凹凸の数を少なくすることができ、不均一な面の形成が抑制される。その結果、後述する工程(D)においてビアホール110内に形成された導体層の厚みを均一にすることが可能となる。
<Process (B)>
Step (B) is a step of performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form via holes or trenches on the surface of the insulating layer. (B) The details of the process are as shown in FIG. 1 as an example, by removing the cured product 1020 of the resin composition contained in the insulating layer 100 and scraping the inorganic filler 1010 using plasma using a predetermined gas to form the via hole. 110 is formed. Usually, the cured resin component 1020 and the inorganic filler 1010 are etched by plasma. When plasma treatment is continued to etch the inorganic filler 1010, a portion of the cured resin component 1020 is dug out. The cured product 1020 of the resin component that has been dug out may fall off the side wall or bottom surface of the via hole 110, and a portion 1030 (unevenness) where the cured product 1020 of the resin component is dug out may occur on the side wall or bottom surface of the via hole 110. Usually, no depression is formed in the portion where the inorganic filler 1010 is etched. The content of the inorganic filler 1010 is 60% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, and the content of the inorganic filler 1010 is greater than the resin component, so the bottom and side walls of the via hole 110 are The frequency of locations 1030 where the cured product 1020 of the resin component is excavated can be reduced. That is, the number of irregularities on the bottom surface and side walls can be reduced, and the formation of non-uniform surfaces can be suppressed. As a result, it becomes possible to make the thickness of the conductor layer formed in the via hole 110 uniform in step (D) described below.

プラズマ処理は、プラズマ発生装置内にガスを導入することで発生させたプラズマで、絶縁層の表面を処理することで、絶縁層表面にビアホール又はトレンチを形成する。プラズマの発生方法としては特に制限はなく、マイクロ波によりプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ、高周波を用いた高周波プラズマ、大気圧下で発生させる大気圧プラズマ、真空下で発生させる大気圧プラズマ等が挙げられ、真空下で発生させる大気圧プラズマが好ましい。 In the plasma treatment, a via hole or trench is formed on the surface of the insulating layer by treating the surface of the insulating layer with plasma generated by introducing gas into a plasma generator. There are no particular restrictions on the method of generating plasma, and examples include microwave plasma that generates plasma using microwaves, high-frequency plasma that uses high frequency waves, atmospheric pressure plasma that generates under atmospheric pressure, and atmospheric pressure plasma that generates under vacuum. Atmospheric pressure plasma generated under vacuum is preferred.

また、工程(C)で用いるプラズマは、高周波で励起するRFプラズマであることが好ましい。 Further, the plasma used in step (C) is preferably RF plasma excited by high frequency.

プラズマ化するガスとしては、絶縁層中の樹脂成分及び無機充填材をエッチングすることができる、SFを含むガスを用いる。プラズマ化するガスとしては、SFを含んでいればよく、例えば、SFに加えて、例えばAr、O等のその他のガスを含む混合ガスであってもよい。プラズマ化するガスとしては、SFとAr及びOの少なくともいずれかとを含む混合ガスが好ましく、SF、Ar及びOを含む混合ガスがより好ましい。 As the gas to be turned into plasma, a gas containing SF 6 that can etch the resin component and inorganic filler in the insulating layer is used. The gas to be turned into plasma only needs to contain SF 6 , and may be a mixed gas containing other gases such as Ar and O 2 in addition to SF 6 . The gas to be turned into plasma is preferably a mixed gas containing SF 6 and at least one of Ar and O 2 , more preferably a mixed gas containing SF 6 , Ar, and O 2 .

SF及びその他のガスとの混合ガスの混合比(SF/その他のガス:単位はsccm)としては、ビアホール又はトレンチ内に形成された導体層の厚みを均一にする観点から、好ましくは1/0.01~1/1、より好ましくは1/0.05~1/1、より好ましくは1/0.1~1/1である。 The mixing ratio of the mixed gas with SF 6 and other gases (SF 6 /other gases: unit: sccm) is preferably 1 from the viewpoint of making the thickness of the conductor layer formed in the via hole or trench uniform. /0.01 to 1/1, more preferably 1/0.05 to 1/1, more preferably 1/0.1 to 1/1.

プラズマ化するガスがSF、Ar及びOを含む混合ガスである場合、Ar及びOの混合比(Ar/O:単位はsccm)としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、1/0.01~1/1、より好ましくは1/0.05~1/1、より好ましくは1/0.1~1/1である。 When the gas to be turned into plasma is a mixed gas containing SF 6 , Ar and O 2 , the mixing ratio of Ar and O 2 (Ar/O 2 : unit is sccm) is determined from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. , 1/0.01 to 1/1, more preferably 1/0.05 to 1/1, more preferably 1/0.1 to 1/1.

プラズマ処理における照射時間は特に限定されないが、1分以上が好ましく、2分以上がより好ましく、3分以上がさらに好ましい。上限については特に限定されないが、20分以下が好ましく、15分以下がさらに好ましく、10分以下がより好ましい。 The irradiation time in the plasma treatment is not particularly limited, but is preferably 1 minute or more, more preferably 2 minutes or more, and even more preferably 3 minutes or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 20 minutes or less, more preferably 15 minutes or less, and even more preferably 10 minutes or less.

本発明はプラズマ処理にてビアホール又はトレンチを形成するので、ビアホール又はトレンチの開口径を小さくすることができる。前記の開口径としては、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下、さらに好ましくは30μm以下、20μm以下である。下限は特に限定されないが、1μm以上等とし得る。 In the present invention, the via hole or trench is formed by plasma treatment, so the opening diameter of the via hole or trench can be reduced. The opening diameter is preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, still more preferably 30 μm or less, and even more preferably 20 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 1 μm or more.

<工程(C)>
工程(C)は、絶縁層表面を粗化処理する工程であり、詳細は、工程(B)により脱落した樹脂組成物の樹脂成分の固形物等の異物を、処理液によりビアホール又はトレンチから除去する工程である。工程(B)後の絶縁層の表面には、異物が存在する。この異物には、例えばプラズマ処理によって掘り出された樹脂組成物の樹脂成分の固形物が含まれ得る。この異物は導体層の密着強度の低下の原因となり得る。そこで、これら異物を除去するために工程(C)を行う。工程(C)の詳細は、工程(B)終了後、絶縁層表面を処理液に接触させて前記の異物を除去する工程である。工程(C)は1回行ってもよく、複数回行ってもよい。
<Step (C)>
Step (C) is a step of roughening the surface of the insulating layer, and in detail, foreign matter such as solids of the resin component of the resin composition that fell off in step (B) is removed from the via hole or trench using a treatment liquid. This is the process of Foreign matter is present on the surface of the insulating layer after step (B). This foreign material may include, for example, solid resin components of the resin composition excavated by plasma treatment. This foreign material may cause a decrease in the adhesion strength of the conductor layer. Therefore, step (C) is performed to remove these foreign substances. The details of step (C) are, after step (B) is completed, the surface of the insulating layer is brought into contact with a treatment liquid to remove the foreign matter. Step (C) may be performed once or multiple times.

工程(C)の手順、条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層を粗化処理することができる。粗化処理に用いる膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」、「スウェリングディップ・セキュリガントP」等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30℃~90℃の膨潤液に絶縁層を1分間~20分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40℃~80℃の膨潤液に絶縁層を5分間~15分間浸漬させることが好ましい。粗化処理に用いる酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃~100℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間~30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は5質量%~10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製の「コンセントレート・コンパクトCP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、粗化処理に用いる中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「リダクションソリューション・セキュリガントP」が挙げられる。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を30℃~80℃の中和液に1分間~30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、40℃~70℃の中和液に5分間~20分間浸漬する方法が好ましい。 The procedure and conditions of step (C) are not particularly limited, and known procedures and conditions commonly used in forming an insulating layer of a printed wiring board can be adopted. For example, the insulating layer can be roughened by performing a swelling treatment using a swelling liquid, a roughening treatment using an oxidizing agent, and a neutralization treatment using a neutralizing liquid in this order. The swelling liquid used in the roughening treatment is not particularly limited, but includes alkaline solutions, surfactant solutions, etc., preferably alkaline solutions, and more preferably sodium hydroxide solutions and potassium hydroxide solutions. preferable. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Dip Securigance P", "Swelling Dip Securigance SBU", and "Swelling Dip Securigant P" manufactured by Atotech Japan. It will be done. Swelling treatment with a swelling liquid is not particularly limited, but can be carried out, for example, by immersing the insulating layer in a swelling liquid at 30° C. to 90° C. for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin in the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling liquid at 40° C. to 80° C. for 5 minutes to 15 minutes. The oxidizing agent used in the roughening treatment is not particularly limited, but includes, for example, an alkaline permanganate solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60° C. to 100° C. for 10 minutes to 30 minutes. Further, the concentration of permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganate solutions such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Securigance P" manufactured by Atotech Japan. Further, as the neutralizing liquid used for the roughening treatment, an acidic aqueous solution is preferable, and a commercially available product includes, for example, "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan. The treatment with the neutralizing liquid can be carried out by immersing the treated surface, which has been roughened with an oxidizing agent, in the neutralizing liquid at 30° C. to 80° C. for 1 minute to 30 minutes. From the viewpoint of workability, it is preferable to immerse the object that has been roughened with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40° C. to 70° C. for 5 minutes to 20 minutes.

一実施形態において、粗化処理後の絶縁層表面の算術平均粗さ(Ra)は、好ましくは500nm以下、より好ましくは400nm以下、さらに好ましくは300nm以下である。下限については特に限定されないが、好ましくは30nm以上、より好ましくは40nm以上、さらに好ましくは50nm以上である。絶縁層表面の算術平均粗さ(Ra)は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。 In one embodiment, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 500 nm or less, more preferably 400 nm or less, and still more preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 30 nm or more, more preferably 40 nm or more, and still more preferably 50 nm or more. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact surface roughness meter.

<工程(D)>
工程(D)は、絶縁層の表面に導体層を形成する工程である。導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
<Step (D)>
Step (D) is a step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer includes one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin, and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer may be, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-chromium alloy, a copper-chromium alloy, etc.). nickel alloys and copper-titanium alloys). Among these, from the viewpoint of versatility in forming conductor layers, cost, ease of patterning, etc., monometallic layers of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver, or copper, nickel-chromium alloys, copper, etc. An alloy layer of nickel alloy or copper/titanium alloy is preferable, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of nickel/chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper is more preferable. More preferred is a metal layer.

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が2層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、硬化体と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。 The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the hardened body is preferably a single metal layer of chromium, zinc, or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

導体層の厚さは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に3μm~35μm、好ましくは5μm~30μmである。 The thickness of the conductor layer depends on the desired printed wiring board design, but is generally between 3 μm and 35 μm, preferably between 5 μm and 30 μm.

工程(D)の好適な一実施形態として、導体層はスパッタにより形成する。本発明では、樹脂組成物として平均粒径が0.1μm以下の無機充填材を含むので、ビアホールの底面及び側壁の無機充填材が掘り出された箇所の凹凸差が小さくなる。その結果、ビアホール又はトレンチ内に形成された導体層の厚みを均一にすることが可能となる。 In a preferred embodiment of step (D), the conductor layer is formed by sputtering. In the present invention, since the resin composition contains an inorganic filler having an average particle size of 0.1 μm or less, the difference in unevenness at the bottom and side walls of the via hole where the inorganic filler is excavated is reduced. As a result, it becomes possible to make the thickness of the conductor layer formed in the via hole or trench uniform.

スパッタにより導体層を形成するに際して、通常、まずスパッタにより、絶縁層表面に導体シード層を形成した後、スパッタにより該導体シード層上に導体スパッタ層が形成される。スパッタによる導体シード層形成前に、逆スパッタにより絶縁層表面をクリーニングしてもよい。該逆スパッタに用いるガスとしては、各種のガスを用いることができるが、中でもAr、O、Nが好ましい。シード層がCu及びCu合金の場合はArまたはOあるいはAr、O混合ガス、シード層がTiの場合はArまたはNあるいはAr、N混合ガス、シード層がCr及びCr合金(ニクロムなど)の場合はArまたはOあるいはAr、O混合ガスが好ましい。スパッタは、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等の各種スパッタ装置を用いて行うことができる。導体シード層を形成する金属としては、Cr、Ni、Ti、ニクロム等が挙げられる。特にCr、Tiが好ましい。導体シード層の厚みは通常、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上であり、好ましくは1000nm以下、より好ましくは500nm以下となるように形成される。導体スパッタ層を形成する金属としては、Cu、Pt、Au、Pd等が挙げられる。特にCuが好ましい。導体スパッタ層の厚みは、通常、好ましくは50nm以上、より好ましくは100nm以上であり、好ましくは3000nm以下、より好ましくは1000nm以下となるように形成される。 When forming a conductive layer by sputtering, usually, a conductive seed layer is first formed on the surface of an insulating layer by sputtering, and then a conductive sputtered layer is formed on the conductive seed layer by sputtering. Before forming the conductive seed layer by sputtering, the surface of the insulating layer may be cleaned by reverse sputtering. Various gases can be used for the reverse sputtering, but Ar, O 2 and N 2 are preferred among them. If the seed layer is Cu and Cu alloy, use Ar or O 2 or Ar, O 2 mixed gas, if the seed layer is Ti, use Ar or N 2 or Ar, N 2 mixed gas, if the seed layer is Cr or Cr alloy (nichrome). etc.), Ar or O 2 or a mixed gas of Ar and O 2 is preferable. Sputtering can be performed using various sputtering devices such as magnetron sputtering and mirrortron sputtering. Examples of metals forming the conductive seed layer include Cr, Ni, Ti, and nichrome. Particularly preferred are Cr and Ti. The thickness of the conductive seed layer is usually preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, and preferably 1000 nm or less, more preferably 500 nm or less. Examples of metals forming the conductor sputtered layer include Cu, Pt, Au, and Pd. Particularly preferred is Cu. The thickness of the conductor sputtered layer is usually preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, and preferably 3000 nm or less, more preferably 1000 nm or less.

スパッタにより導体層を形成した後、該導体層上に、さらに電解銅めっきにより銅めっき層を形成してもよい。銅めっき層の厚みは、通常、好ましくは5μm以上、より好ましくは8μm以上であり、好ましくは75μm以下、より好ましくは35μm以下となるように形成される。回路形成には、サブトラクティブ法、セミアディティブ法等の公知の方法を用いることができる。 After forming the conductor layer by sputtering, a copper plating layer may be further formed on the conductor layer by electrolytic copper plating. The thickness of the copper plating layer is usually preferably 5 μm or more, more preferably 8 μm or more, and preferably 75 μm or less, more preferably 35 μm or less. Known methods such as a subtractive method and a semi-additive method can be used for circuit formation.

本発明のプリント配線板の製造方法は、ハローイング現象が抑制されるという特性を示す。以下、ハローイング現象について、図面を参照して説明する。 The printed wiring board manufacturing method of the present invention exhibits the characteristic that the haloing phenomenon is suppressed. The haloing phenomenon will be explained below with reference to the drawings.

図2は、レーザーでビアホールが形成された従来のプリント配線板の、導体層が形成される直前の絶縁層100の、金属層210(図2では図示せず。)とは反対側の面100Uを模式的に示す平面図である。図3は、レーザーでビアホールが形成された従来のプリント配線板の、導体層が形成される直前の絶縁層100を、内層回路基板200の金属層210と共に模式的に示す断面図である。図3においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。 FIG. 2 shows a surface 100U of an insulating layer 100, opposite to a metal layer 210 (not shown in FIG. 2), immediately before a conductor layer is formed, of a conventional printed wiring board in which via holes are formed with a laser. FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer 100 of a conventional printed wiring board in which via holes are formed with a laser, just before a conductor layer is formed, together with a metal layer 210 of an inner circuit board 200. FIG. 3 shows a cross section of the insulating layer 100 taken along a plane that passes through the center 120C of the via bottom 120 of the via hole 110 and is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100.

図2に示すように、レーザーにてビアホールを形成すると、レーザーの熱による樹脂の劣化に起因して変色部140が生じることがある。この変色部140は、粗化処理時に薬剤の浸食を受け、絶縁層100が金属層210から剥離し、ビアボトム120のエッジ150から連続した間隙部160が形成されることがある(ビアホール現象)。 As shown in FIG. 2, when a via hole is formed using a laser, a discolored portion 140 may occur due to deterioration of the resin due to the heat of the laser. This discolored portion 140 is eroded by a chemical during the roughening treatment, and the insulating layer 100 may peel off from the metal layer 210, forming a gap 160 continuous from the edge 150 of the via bottom 120 (via hole phenomenon).

本発明では、熱を生じにくいプラズマ処理にてビアホール又はトレンチを形成しているので、樹脂の劣化を抑制できる。よって、金属層210からの絶縁層100の剥離を抑制することができ、間隙部160のサイズを小さくでき、理想的には変色部140及び間隙部160を無くすことができる。 In the present invention, since the via holes or trenches are formed by plasma treatment that hardly generates heat, deterioration of the resin can be suppressed. Therefore, peeling of the insulating layer 100 from the metal layer 210 can be suppressed, the size of the gap 160 can be reduced, and ideally the discolored part 140 and the gap 160 can be eliminated.

変色部140のサイズは、ビアホール110のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtによって評価できる。 The size of the discolored portion 140 can be evaluated by the harrowing distance Wt of the via hole 110 from the edge 180 of the via top 130.

ビアトップ130のエッジ180は、変色部140の内周側の縁部に相当する。ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtとは、ビアトップ130のエッジ180から、変色部140の外周側の縁部190までの距離を表す。ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtが小さいほど、変色部140の形成を効果的に抑制できたと評価できる。 The edge 180 of the via top 130 corresponds to the inner edge of the discolored portion 140. The harrowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 represents the distance from the edge 180 of the via top 130 to the outer peripheral edge 190 of the discolored portion 140. It can be evaluated that the smaller the haloing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 is, the more effectively the formation of the discolored portion 140 can be suppressed.

例えば、銅箔上に形成された、樹脂シートを100℃で30分間、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100にプラズマを照射して、トップ径Ltが約15μmのビアホール110を形成する。このようにして得られた絶縁層100のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtを、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは5μm以下にできる。下限は特に限定されないが、0μm以上、0.01μm以上等とし得る。 For example, plasma is irradiated onto an insulating layer 100 formed on a copper foil, which is obtained by heating and curing a resin sheet at 100° C. for 30 minutes, then at 180° C. for 30 minutes, and the top diameter Lt is approximately 15 μm. A via hole 110 is formed. The haloing distance Wt of the thus obtained insulating layer 100 from the edge 180 of the via top 130 can be preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less, and still more preferably 5 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0 μm or more, 0.01 μm or more, etc.

ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtは、光学顕微鏡による観察によって測定できる。 The harrowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 can be measured by observation using an optical microscope.

また、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール110の径が大きいほど、変色部140のサイズが大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対する変色部140のサイズの比率によって、変色部140の形成の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のトップ半径Lt/2とは、ビアホール110のビアトップ130の半径をいう。また、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htとは、ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtを、ビアホール110のトップ半径Lt/2で割って得られる比率である。ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htが小さいほど、変色部140の形成を効果的に抑制できたことを表す。 Further, according to studies conducted by the present inventors, it has been found that, in general, the larger the diameter of the via hole 110, the larger the size of the discolored portion 140 tends to be. Therefore, the degree of suppression of the formation of the discolored portion 140 can be evaluated based on the ratio of the size of the discolored portion 140 to the diameter of the via hole 110. For example, evaluation can be made using the harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110. Here, the top radius Lt/2 of the via hole 110 refers to the radius of the via top 130 of the via hole 110. Further, the harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the harrowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 by the top radius Lt/2 of the via hole 110. The smaller the haloing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110, the more effectively the formation of the discolored portion 140 could be suppressed.

例えば、銅箔上に形成された、樹脂シートを100℃で30分間、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、プラズマ照射して、トップ径Ltが約15μmのビアホール110を形成する。このようにして得られた絶縁層100に形成されたビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htを、好ましくは35%以下、より好ましくは25%以下、更に好ましくは10%以下、5%以下にできる。下限は特に限定されないが、0%以上、0.01%以上等とし得る。 For example, an insulating layer 100 formed on copper foil, obtained by heating and curing a resin sheet at 100° C. for 30 minutes and then at 180° C. for 30 minutes, is irradiated with plasma to form a layer with a top diameter Lt of about 15 μm. A via hole 110 is formed. The harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 thus obtained is preferably 35% or less, more preferably 25% or less, still more preferably 10% or less, 5 % or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0% or more, 0.01% or more, etc.

ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htは、ビアホール110のトップ径Lt、及び、ビアホール110のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtから計算できる。 The harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 can be calculated from the top diameter Lt of the via hole 110 and the harrowing distance Wt of the via hole 110 from the edge 180 of the via top 130.

ビアボトム120のエッジ150は、間隙部160の内周側の縁部に相当する。よって、ビアボトム120のエッジ150から、間隙部160の外周側の端部(即ち、ビアボトム120の中心120Cから遠い側の端部)170までの距離Wbは、間隙部160の面内方向のサイズに相当する。ここで、面内方向とは、絶縁層100の厚み方向に垂直な方向をいう。また、以下の説明において、前記の距離Wbを、ビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbということがある。 The edge 150 of the via bottom 120 corresponds to the inner peripheral edge of the gap 160. Therefore, the distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 to the outer peripheral end of the gap 160 (that is, the end far from the center 120C of the via bottom 120) 170 is determined by the size of the gap 160 in the in-plane direction. Equivalent to. Here, the in-plane direction refers to a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 100. Further, in the following description, the distance Wb may be referred to as a harrowing distance Wb of the via hole 110 from the edge 150 of the via bottom 120.

変色部140のサイズは、このビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbにより、ハローイング現象の抑制の程度を評価することもできる。具体的には、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたと評価できる。 Regarding the size of the discolored portion 140, the degree of suppression of the haloing phenomenon can also be evaluated based on the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120. Specifically, it can be evaluated that the smaller the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 is, the more effectively the haloing phenomenon can be suppressed.

絶縁層100のビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbとしては、好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下、さらに好ましくは4.5μm以下、特に好ましくは4μm以下である。下限は特に限定されないが、0μm以上、0.01μm以上等とし得る。ハローイング距離Wbは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。 The harrowing distance Wb of the via hole 110 of the insulating layer 100 from the edge 150 of the via bottom 120 is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, still more preferably 4.5 μm or less, particularly preferably 4 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0 μm or more, 0.01 μm or more, etc. The haloing distance Wb is determined by cutting the insulating layer 100 using a focused ion beam (FIB) so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passing through the center 120C of the via bottom 120 appears. It can be measured by observing the cross section with an electron microscope.

また、レーザーを用いる従来法では、ビアホールの径が大きいほど間隙部160のサイズも大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対する間隙部160のサイズの比率によって、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のボトム半径Lb/2とは、ビアホール110のビアボトム120の半径をいう。また、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbとは、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbを、ビアホール110のボトム半径Lb/2で割って得られる比率である。ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたことを表す。 Furthermore, in the conventional method using a laser, it has been found that the larger the diameter of the via hole, the larger the size of the gap 160 tends to be. Therefore, the degree of suppression of the haloing phenomenon can be evaluated based on the ratio of the size of the gap 160 to the diameter of the via hole 110. For example, evaluation can be made using the harrowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110. Here, the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 refers to the radius of the via bottom 120 of the via hole 110. Further, the harrowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the harrowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 by the bottom radius Lb/2 of the via hole 110. The smaller the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110, the more effectively the haloing phenomenon can be suppressed.

ハローイング比Hbを、好ましくは35%以下、より好ましくは30%以下、更に好ましくは25%以下にできる。ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、ビアホール110のボトム径Lb、及び、ビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbから計算できる。 The haloing ratio Hb can be made preferably 35% or less, more preferably 30% or less, even more preferably 25% or less. The harrowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb of the via hole 110 and the harrowing distance Wb of the via hole 110 from the edge 150 of the via bottom 120.

プリント配線板の製造過程において、ビアホール110は、通常、金属層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに別の導体層(図示せず)が設けられていない状態で、形成される。そのため、プリント配線板の製造過程が分かれば、金属層210側にビアボトム120があり、金属層210とは反対側にビアトップ130が開口している構造が、明確に認識できる。しかし、完成したプリント配線板では、絶縁層100の両側に導体層が設けられている場合がありうる。この場合、導体層との位置関係によってビアボトム120とビアトップ130とを区別することが難しいことがありえる。しかし、通常、ビアトップ130のトップ径Ltは、ビアボトム120のボトム径Lb以上の大きさである。したがって、前記の場合、径が大きさによって、ビアボトム120とビアトップ130とを区別することが可能である。 In the process of manufacturing a printed wiring board, via hole 110 is usually formed without another conductor layer (not shown) provided on surface 100U of insulating layer 100 opposite to metal layer 210. Therefore, if the manufacturing process of the printed wiring board is understood, the structure in which the via bottom 120 is on the metal layer 210 side and the via top 130 is open on the side opposite to the metal layer 210 can be clearly recognized. However, in the completed printed wiring board, conductor layers may be provided on both sides of the insulating layer 100. In this case, it may be difficult to distinguish between the via bottom 120 and the via top 130 depending on their positional relationship with the conductor layer. However, the top diameter Lt of the via top 130 is usually larger than the bottom diameter Lb of the via bottom 120. Therefore, in the above case, the via bottom 120 and the via top 130 can be distinguished depending on the diameter.

本発明のプリント配線板の製造方法は、ビアホールの底面及び側壁の、樹脂成分が掘り出された箇所の頻度を少なくすることができる。このため、ビアホール内に均一な厚みの導体層を形成することができる。SEMを用いて絶縁層の断面観察を行うと、絶縁層に形成されたトレンチとビアホールの壁面に銅層が均一且つ途切れることなく形成されていることを確認できる。 The printed wiring board manufacturing method of the present invention can reduce the frequency of locations where resin components are excavated on the bottom and side walls of via holes. Therefore, a conductor layer with a uniform thickness can be formed within the via hole. When observing the cross section of the insulating layer using SEM, it can be confirmed that the copper layer is formed uniformly and without interruption on the walls of the trenches and via holes formed in the insulating layer.

[半導体装置]
本発明の半導体装置は、プリント配線板を含む。本発明の半導体装置は、本発明の製造方法により得られたプリント配線板を用いて製造することができる。
[Semiconductor device]
The semiconductor device of the present invention includes a printed wiring board. The semiconductor device of the present invention can be manufactured using a printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present invention.

半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。 Examples of semiconductor devices include various semiconductor devices used in electrical products (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.), vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.), and the like.

本発明の半導体装置は、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。 The semiconductor device of the present invention can be manufactured by mounting components (semiconductor chips) on conductive parts of a printed wiring board. A "conducting location" is a "location on a printed wiring board that transmits electrical signals," and the location may be on the surface or embedded. Further, the semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.

半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。 The mounting method for semiconductor chips when manufacturing semiconductor devices is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, but specifically, wire bonding mounting method, flip chip mounting method, bumpless buildup layer, etc. Examples include a mounting method using (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a non-conductive film (NCF), and the like. Here, "a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL)" refers to a "mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board and the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board are connected." It is.

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「%」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。 Hereinafter, the present invention will be specifically explained by showing examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" representing amounts mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. Further, the operations described below were performed in an environment of normal temperature and normal pressure unless otherwise specified.

<使用した無機充填材>
無機充填材1:球形シリカ(アドマテックス社製「SC2500SQ」、平均粒径0.63μm、比表面積11.2m/g)100部に対して、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM573)1部で表面処理したもの。
無機充填材2:球状シリカ(アドマテックス社製「SC1500SQ」、平均粒径0.3μm、比表面積11m/g)100部に対して、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM573)2部で表面処理したもの。
無機充填材3:球形シリカ(アドマテックス社製「SC4500SQ」、平均粒径1.0μm、比表面積4.5m/g)100部に対して、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM573)1部で表面処理したもの。
<Inorganic filler used>
Inorganic filler 1: N-phenyl- 3 -aminopropyltrimethoxysilane ( Surface treated with 1 part of KBM573 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
Inorganic filler 2: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to 100 parts of spherical silica (“SC1500SQ” manufactured by Admatex, average particle size 0.3 μm, specific surface area 11 m 2 /g) Surface treated with 2 parts of KBM573 (manufactured by Kogyo Co., Ltd.).
Inorganic filler 3: N-phenyl- 3 -aminopropyltrimethoxysilane ( Surface treated with 1 part of KBM573 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

<樹脂組成物1の調製>
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)6部、ナフタレン型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ESN475V」、エポキシ当量約332)5部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YL7760」、エポキシ当量約238)15部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「HP6000L」、エポキシ当量約213)2部、シクロヘキサン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「ZX1658GS」、エポキシ当量約135)2部、フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=35000)2部を、ソルベントナフサ20部及びシクロヘキサノン10部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部、活性エステル系樹脂(DIC社製「EXB-8000L-65TM」、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のトルエン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)6部、無機充填材1を85部、アミン系硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP))0.05部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂組成物1を調製した。
<Preparation of resin composition 1>
6 parts of bixylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: approximately 185), 5 parts of naphthalene type epoxy resin ("ESN475V" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent: approximately 332), bisphenol AF type epoxy resin ( 15 parts of "YL7760" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: approximately 238), 2 parts of naphthylene ether type epoxy resin ("HP6000L", manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent of approximately 213), cyclohexane type epoxy resin ("ZX1658GS", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) , epoxy equivalent: about 135), 2 parts of phenoxy resin (YX7553BH30 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1:1 solution of cyclohexanone:methyl ethyl ketone (MEK) with solid content of 30% by mass, Mw = 35000), 20 parts of solvent naphtha. and 10 parts of cyclohexanone was heated and dissolved in a mixed solvent with stirring. After cooling to room temperature, 4 parts of a triazine skeleton-containing cresol novolac curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, 2-methoxypropanol solution with a hydroxyl equivalent of about 151 and a solid content of 50%), active 6 parts of ester resin ("EXB-8000L-65TM" manufactured by DIC Corporation, active group equivalent: about 220, 1:1 solution of toluene: methyl ethyl ketone (MEK) with 65% by mass of non-volatile components), 85 parts of inorganic filler 1, After mixing 0.05 part of an amine curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP)) and uniformly dispersing it with a high-speed rotating mixer, it was filtered with a cartridge filter ("SHP020" manufactured by ROKITECHNO) to determine the resin composition. Product 1 was prepared.

<樹脂組成物2の調製>
樹脂組成物1の調製において、
活性エステル系樹脂(DIC社製「EXB-8000L-65TM」、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のトルエン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液)6部を、活性エステル系樹脂(DIC社製「EXB-8200L-65T」、活性基当量約233、固形分65質量%のトルエン溶液)6部に変え、
無機充填材1 85部を無機充填材2 82部に変えた。
以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物2を調製した。
<Preparation of resin composition 2>
In the preparation of resin composition 1,
6 parts of an active ester resin ("EXB-8000L-65TM" manufactured by DIC Corporation, a 1:1 solution of toluene:methyl ethyl ketone (MEK) with an active group equivalent of about 220 and 65% by mass of non-volatile components) was added to an active ester resin (DIC). "EXB-8200L-65T" manufactured by Co., Ltd., active group equivalent approximately 233, solid content 65% by mass toluene solution) 6 parts,
85 parts of inorganic filler 1 was replaced with 82 parts of inorganic filler 2.
Resin composition 2 was prepared in the same manner as resin composition 1 except for the above matters.

<樹脂組成物3の調製>
樹脂組成物1の調製において、
フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=35000)2部を、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YL7500BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=44000)2部に変え、
無機充填材1 85部を、無機充填材3 110部に変えた。
以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物3を調製した。
<Preparation of resin composition 3>
In the preparation of resin composition 1,
Two parts of phenoxy resin (YX7553BH30 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1:1 solution of cyclohexanone:methyl ethyl ketone (MEK) with a solid content of 30% by mass, Mw = 35000) was mixed with phenoxy resin (YL7500BH30 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, solid content 30% by weight of a 1:1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK), Mw = 44000),
85 parts of Inorganic Filler 1 was replaced with 110 parts of Inorganic Filler 3.
Resin composition 3 was prepared in the same manner as resin composition 1 except for the above matters.

<樹脂組成物4の調製>
樹脂組成物1の調製において、無機充填材1の量を85部から48部に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物4を調製した。
<Preparation of resin composition 4>
In the preparation of resin composition 1, the amount of inorganic filler 1 was changed from 85 parts to 48 parts. Resin composition 4 was prepared in the same manner as resin composition 1 except for the above matters.

樹脂組成物1~4の調製に用いた成分とその配合量(不揮発分の質量部)を下記表に示した。なお、硬化剤及び活性エステル系樹脂の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合の含有量を表し、(a)成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合の含有量を表す。 The components used in the preparation of resin compositions 1 to 4 and their blending amounts (parts by mass of non-volatile components) are shown in the table below. The content of the curing agent and active ester resin represents the content when the resin component in the resin composition is 100% by mass, and the content of component (a) represents the content of the nonvolatile component in the resin composition. The content is expressed as 100% by mass.

Figure 0007371590000001
Figure 0007371590000001

<樹脂シートA、Bの作製>
支持体として、アルキド樹脂系離型剤(リンテック社製「AL-5」)で離型処理したPETフィルム(東レ社製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、「離型PET」)を用意した。各樹脂組成物を支持体の離型剤上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが35μmとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、70℃から95℃で2分間乾燥することにより、離型PET上に樹脂組成物層を得た。次いで、樹脂シートの支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA-411」、厚み15μm)の粗面を、樹脂組成物層と接合するように積層した。これにより、離型PET(支持体)、樹脂組成物層、及び保護フィルムの順からなる樹脂シートAを得た。
<Production of resin sheets A and B>
As a support, a PET film ("Lumirror R80" manufactured by Toray Industries, Inc., thickness 38 μm, softening point 130°C, "Release PET") treated with an alkyd resin mold release agent ("AL-5" manufactured by Lintec Corporation) was used. prepared. By uniformly applying each resin composition onto the mold release agent of the support using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying is 35 μm, and drying at 70°C to 95°C for 2 minutes. A resin composition layer was obtained on the mold release PET. Next, the rough surface of a polypropylene film ("Alphan MA-411" manufactured by Oji F-Tex Co., Ltd., thickness 15 μm) was applied as a protective film to the surface of the resin sheet that was not bonded to the support, so as to bond it to the resin composition layer. Laminated on. Thereby, a resin sheet A was obtained which consisted of the release PET (support), the resin composition layer, and the protective film in this order.

また、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが15μmとなるよう、ダイコーターにて均一に各樹脂組成物を塗布した以外は樹脂シートAと同様にして樹脂シートBを得た。 Further, resin sheet B was obtained in the same manner as resin sheet A except that each resin composition was uniformly applied using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 15 μm.

<樹脂組成物層等の厚みの測定>
樹脂組成物層の厚みは、接触式膜厚計(ミツトヨ社製、MCD-25MJ)を用いて測定した。
<Measurement of thickness of resin composition layer, etc.>
The thickness of the resin composition layer was measured using a contact film thickness meter (manufactured by Mitutoyo, MCD-25MJ).

-評価基板A、Bの作製-
(1)銅張積層板の用意
銅張積層板として、両面に銅箔層を積層したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ3μm、基板厚み0.15mm、三菱ガス化学社製「HL832NSF LCA」、255×340mmサイズ)を用意し、130℃のオーブンに投入後30分間乾燥した。
-Preparation of evaluation boards A and B-
(1) Preparation of copper-clad laminate As a copper-clad laminate, a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate with copper foil layers laminated on both sides (copper foil thickness 3 μm, substrate thickness 0.15 mm, Mitsubishi Gas "HL832NSF LCA" (manufactured by Kagaku Co., Ltd., size 255 x 340 mm) was prepared, placed in an oven at 130°C, and dried for 30 minutes.

(2)樹脂シートのラミネート
作製した各樹脂シートAから保護フィルムを剥がし、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製、2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、樹脂組成物層が銅張積層板と接するように、銅張積層板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、130℃、圧力0.74MPaにて45秒間圧着させることにより実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて75秒間熱プレスを行った。
(2) Lamination of resin sheets The protective film is peeled off from each resin sheet A produced, and the resin composition layer is laminated using a batch vacuum pressure laminator (manufactured by Nikko Materials, 2-stage build-up laminator, CVP700). It was laminated on both sides of the copper-clad laminate so that it was in contact with the copper-clad laminate. Lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and press-bonding at 130° C. and a pressure of 0.74 MPa for 45 seconds. Then, hot pressing was performed at 120° C. and a pressure of 0.5 MPa for 75 seconds.

(3)樹脂組成物層の熱硬化
樹脂シートAがラミネートされた銅張積層板を、100℃のオーブンに投入後30分間、次いで180℃のオーブンに移し替えた後30分間、熱硬化して絶縁層を形成し、支持体を剥離した。これにより35μmの絶縁層が形成された銅張積層板Aを得た。
(3) Heat curing of resin composition layer The copper clad laminate on which resin sheet A was laminated was placed in an oven at 100°C for 30 minutes, then transferred to an oven at 180°C, and then heat cured for 30 minutes. An insulating layer was formed and the support was peeled off. As a result, a copper-clad laminate A was obtained in which an insulating layer of 35 μm was formed.

また、樹脂シートBを用いる以外は銅張積層板Aの作製と同様にして、15μmの絶縁層が形成された銅張積層板Bを得た。 Further, a copper clad laminate B having a 15 μm insulating layer formed thereon was obtained in the same manner as the production of copper clad laminate A except that resin sheet B was used.

(4)ドライフィルムのパターン形成
上記絶縁層が形成された銅張積層板Aの絶縁層表面に厚さ20μmのドライフィルム(ニッコー・マテリアルズ社製、「ALPHO 20A263」)を貼りあわせた。ドライフィルムの積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター(名機製作所社製「MVLP-500」)を用いて、30秒間減圧して気圧を13hPa以下にした後、圧力0.1MPa、温度70℃にて、20秒間加圧して行った。その後、トレンチパターンを有するガラスマスクをドライフィルムの保護層であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に置き、UVランプにより照射強度150mJ/cmにてUV照射を行った。UV照射後、30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて噴射圧0.15MPaにて30秒間スプレー処理した。その後、水洗を行い、配線幅が20μmのトレンチパターンが形成されるようなパターニングを行い、これにより、トレンチ加工基板を得た。
(4) Dry film pattern formation A 20 μm thick dry film (“ALPHO 20A263” manufactured by Nikko Materials) was laminated on the surface of the insulating layer of the copper-clad laminate A on which the above insulating layer was formed. The dry film was laminated using a batch vacuum pressure laminator ("MVLP-500" manufactured by Meiki Manufacturing Co., Ltd.). After reducing the pressure to 13 hPa or less by reducing the pressure for 30 seconds, the dry film was laminated at a pressure of 0.1 MPa and a temperature of 70°C. Then, pressure was applied for 20 seconds. Thereafter, a glass mask having a trench pattern was placed on a polyethylene terephthalate film serving as a protective layer of the dry film, and UV irradiation was performed using a UV lamp at an irradiation intensity of 150 mJ/cm 2 . After UV irradiation, a spray treatment was performed for 30 seconds using a 1% aqueous sodium carbonate solution at 30° C. at a spray pressure of 0.15 MPa. Thereafter, it was washed with water and patterned to form a trench pattern with a wiring width of 20 μm, thereby obtaining a trench-processed substrate.

また、ビアパターンを有するガラスマスクを用い、銅張積層板B上に銅張積層板Aと同様にしてトップ径が15μmのビアホールが形成されるようパターニングを行い、ビア加工基板を得た。 Further, using a glass mask having a via pattern, patterning was performed on the copper clad laminate B so that a via hole having a top diameter of 15 μm was formed in the same manner as on the copper clad laminate A, thereby obtaining a via-processed substrate.

(5)プラズマ加工
実施例1~3、比較例1は、プラズマドライエッチング装置(オックスフォード・インストゥルメンツ社製PlasmaPro100)を使用して、Ar/SF/Oを混合比10:40:8(sccm)にて、真空度:50mTorr、RF電力:120W、ICP電力:0Wの条件にて、5分間処理を行い、トレンチ加工基板上の絶縁層に、幅約25μmのトレンチ、ビア加工基板上の絶縁層に、トップ系(直径)が約15μmのビアホールを形成し、その後ドライフィルムを剥離し、トレンチ評価基板を得た。
(5) Plasma processing In Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, a plasma dry etching device (PlasmaPro 100 manufactured by Oxford Instruments) was used, and Ar/SF 6 /O 2 was mixed at a mixing ratio of 10:40:8. (sccm) for 5 minutes under the conditions of vacuum: 50 mTorr, RF power: 120 W, and ICP power: 0 W. A via hole with a top diameter of about 15 μm was formed in the insulating layer, and then the dry film was peeled off to obtain a trench evaluation board.

また、トレンチ評価基板の作製と同様の方法にて、ビア加工基板の絶縁層にトップ系(直径)が約15μmのビアホールを形成し、その後ドライフィルムを剥離しビア評価基板を得た。 In addition, a via hole having a top diameter of approximately 15 μm was formed in the insulating layer of the via-processed substrate using the same method as in the preparation of the trench evaluation board, and then the dry film was peeled off to obtain a via evaluation board.

(6)サンドブラスト加工
比較例2は、砥粒として炭化ケイ素(平均粒径0.6μm、修正モース硬度13、信濃電気精錬社製「SER-A06」)を用いて加工圧力0.2MPaでトレンチ加工基板上の絶縁層のサンドブラスト処理を行うことでトレンチを形成し、その後ドライフィルムを剥離しサンドブラストトレンチ評価基板を作製した。
(6) Sandblasting Comparative Example 2 is trench processing at a processing pressure of 0.2 MPa using silicon carbide (average particle size 0.6 μm, modified Mohs hardness 13, "SER-A06" manufactured by Shinano Electric Refining Co., Ltd.) as abrasive grains. A trench was formed by sandblasting the insulating layer on the substrate, and then the dry film was peeled off to produce a sandblast trench evaluation board.

また、サンドブラストトレンチ評価基板の作製と同様の方法にて、ビア加工基板の絶縁層にトップ系(直径)が約15μmのビアホールを形成し、その後ドライフィルムを剥離しサンドブラストビア評価基板を得た。 In addition, a via hole having a top diameter of approximately 15 μm was formed in the insulating layer of the via-processed substrate in the same manner as in the production of the sandblast trench evaluation board, and then the dry film was peeled off to obtain a sandblast via evaluation board.

(7)UV-YAGレーザービア加工
比較例3は、UV-YAGレーザー加工機(ビアメカニクス株式会社製「LU-2L212/M50L」)を使用して、銅張積層板Bの絶縁層にレーザー光を照射して、トップ径(直径)が約15μmの複数個のビアホールを形成した。レーザー光の照射条件は、パワー0.08W、ショット数25であった。この基板をレーザー評価基板とする。
(7) UV-YAG laser via processing In Comparative Example 3, a UV-YAG laser processing machine ("LU-2L212/M50L" manufactured by Via Mechanics Co., Ltd.) was used to apply a laser beam to the insulating layer of the copper-clad laminate B. was irradiated to form a plurality of via holes having a top diameter of approximately 15 μm. The laser light irradiation conditions were a power of 0.08 W and a number of shots of 25. This board will be used as a laser evaluation board.

<トレンチ壁面、ビア壁面の観察>
トレンチ評価基板、ビア評価基板、サンドブラストトレンチ評価基板、及びサンドブラストビア評価基板を150℃で30分間加熱した後、スパッタリング装置(キャノンアネルバ社製「E-400S」)を用いて、絶縁層上に銅層(厚さ200nm)を形成した。その後FIB-SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行い以下の基準で評価した。
〇:絶縁層に形成されたトレンチの壁面又はビアホールの壁面に銅層が均一且つ途切れることなく形成されている。
×:凹凸により銅層が均一に形成されていない。
<Observation of trench walls and via walls>
After heating the trench evaluation board, via evaluation board, sandblast trench evaluation board, and sandblast via evaluation board at 150°C for 30 minutes, copper was deposited on the insulating layer using a sputtering device ("E-400S" manufactured by Canon Anelva). A layer (200 nm thick) was formed. Thereafter, cross-sectional observation was performed using a FIB-SEM composite device ("SMI3050SE" manufactured by SII Nano Technology Co., Ltd.), and evaluation was made according to the following criteria.
Good: A copper layer is formed uniformly and without interruption on the wall surface of a trench formed in an insulating layer or on the wall surface of a via hole.
×: The copper layer is not uniformly formed due to unevenness.

<ビアホールの寸法、ハローイング距離の測定>
ビア評価基板、サンドブラストビア評価基板、及びレーザー評価基板を、光学顕微鏡(ハイロックス社製「KH8700」)で観察した。詳細には、ビアホールの周辺の絶縁層を、光学顕微鏡(CCD)を用いて、ビア評価基板の上部から観察した。ビアホールの寸法観察は、ビアトップに光学顕微鏡の焦点を合わせて行った。観察された画像から、ビアホールのトップ径(Lt)を測定した。ビアホールの周囲に、当該ビアホールのビアトップのエッジから連続して、絶縁層が白色に変色したドーナツ状のハローイング部が見られるか観察を行った。観察された像から、ビアホールのビアトップの半径(ハローイング部の内周半径に相当)r1と、ハローイング部の外周半径r2とを測定し、これら半径r1と半径r2との差r2-r1を、その測定地点のビアトップのエッジからのハローイング距離として算出した。
<Measurement of via hole dimensions and harrowing distance>
The via evaluation board, the sandblast via evaluation board, and the laser evaluation board were observed using an optical microscope ("KH8700" manufactured by Hirox Corporation). Specifically, the insulating layer around the via hole was observed from above the via evaluation board using an optical microscope (CCD). The size of the via hole was observed by focusing an optical microscope on the via top. The top diameter (Lt) of the via hole was measured from the observed image. It was observed whether a donut-shaped haloing part, in which the insulating layer turned white, was observed around the via hole, continuing from the edge of the via top of the via hole. From the observed image, measure the radius r1 of the via top of the via hole (corresponding to the inner radius of the harrowing part) and the outer radius r2 of the harrowing part, and calculate the difference r2 - r1 between these radii r1 and radius r2. was calculated as the harrowing distance from the edge of the beer top at the measurement point.

前記の測定を、無作為に選んだ5箇所のビアホールで行った。そして、測定された5箇所のビアホールのトップ径の測定値の平均を、そのサンプルのビアホールのトップ径Lt1として採用した。さらに、5箇所のビアホールのハローイング距離の測定値の平均を、そのサンプルのビアトップのエッジからのハローイング距離Wtとして採用した。 The above measurements were performed in five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the top diameters of the via holes at five locations was adopted as the top diameter Lt1 of the via hole of the sample. Furthermore, the average of the measured values of the harrowing distances of the five via holes was adopted as the harrowing distance Wt from the edge of the via top of the sample.

ハローイング比Htとは、ビアトップのエッジからのハローイング距離Wtと、粗化処理前のビアホールのビアトップの半径(Lt1/2)との比「Wt/(Lt1/2)」を表す。このハローイング比Htが35%以下であればハローイング評価を「○」と判定し、ハローイング比Htが35%より大きければハローイング評価を「×」と判定した。 The harrowing ratio Ht represents the ratio "Wt/(Lt1/2)" between the harrowing distance Wt from the edge of the via top and the radius (Lt1/2) of the via top of the via hole before roughening treatment. If the haloing ratio Ht was 35% or less, the haloing evaluation was determined to be "○", and if the haloing ratio Ht was greater than 35%, the haloing evaluation was determined to be "x".

Figure 0007371590000002
*ハローイング距離の欄の「-」はハローイングが観測されないことを意味する。
Figure 0007371590000002
*A "-" in the haloing distance column means that no haloing is observed.

100 絶縁層
100U 導体層とは反対側の絶縁層の面
110 ビアホール
120 ビアボトム
120C ビアボトムの中心
130 ビアトップ
140 変色部
150 ビアホールのビアボトムのエッジ
160 間隙部
170 間隙部の外周側の端部
180 ビアトップのエッジ
190 変色部の外周側の縁部
200 内層基板
210 金属層
1010 無機充填材
1020 樹脂成分の硬化物
1030 樹脂成分の硬化物が掘り出された箇所
Lb ビアホールのボトム径
Lt ビアホールのトップ径
Wb ビアボトムのエッジからのハローイング距離
Wt ビアトップのエッジからのハローイング距離
100 Insulating layer 100U Surface of the insulating layer opposite to the conductor layer 110 Via hole 120 Via bottom 120C Center of via bottom 130 Via top 140 Discolored portion 150 Edge of via bottom of via hole 160 Gap portion 170 Edge on the outer periphery of the gap portion 180 Via top edge 190 outer edge of discolored part 200 inner layer substrate 210 metal layer 1010 inorganic filler 1020 cured product of resin component 1030 location where cured product of resin component is excavated Lb bottom diameter of via hole Lt top diameter of via hole Wb Haloing distance from the edge of the via bottom Wt Haloing distance from the edge of the via top

Claims (8)

(A)内層回路基板上に、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を形成する工程、及び
(B)絶縁層の表面に、SF 、Ar及び,O を含む混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する工程、を含み、
樹脂組成物が、無機充填材を含み、無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上であり、
プラズマ処理に用いるガスが、SFを含む、プリント配線板の製造方法。
(A) Forming an insulating layer containing a cured resin composition on the inner layer circuit board, and (B) Plasma-forming a mixed gas containing SF 6 , Ar, and O 2 on the surface of the insulating layer. A step of performing plasma treatment to form a via hole or trench,
The resin composition contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass,
A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the gas used for plasma processing contains SF 6 .
(A)内層回路基板上に、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層を形成する工程、及び
(B)絶縁層の表面に、SF 、Ar及び,O を含む混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を行い、ビアホール又はトレンチを形成する工程、を含み、
樹脂組成物が、無機充填材を含み、無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%とした場合、40体積%以上であり、
プラズマ処理に用いるガスが、SFを含む、プリント配線板の製造方法。
(A) Forming an insulating layer containing a cured resin composition on the inner layer circuit board, and (B) Plasma-forming a mixed gas containing SF 6 , Ar, and O 2 on the surface of the insulating layer. A step of performing plasma treatment to form a via hole or trench,
The resin composition contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler is 40% by volume or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by volume,
A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the gas used for plasma processing contains SF 6 .
さらに、(D)導体層を形成する工程を含む、請求項1又は2に記載のプリント配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1 or 2, further comprising the step of (D) forming a conductor layer. 工程(D)が、スパッタにより導体層を形成する、請求項3に記載のプリント配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 3, wherein the step (D) forms the conductor layer by sputtering. 樹脂組成物が、硬化性樹脂を含む、請求項1~のいずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of claims 1 to 4 , wherein the resin composition contains a curable resin. 無機充填材を含み、
無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上である、プリント配線板の絶縁層に、SF 、Ar及び,O を含む混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理によるビアホール又はトレンチを形成するための樹脂組成物。
Contains inorganic fillers,
A mixed gas containing SF 6 , Ar and O 2 is used in the insulating layer of the printed wiring board, where the content of the inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. A resin composition for forming via holes or trenches by plasma treatment.
無機充填材を含み、
無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%とした場合、40体積%以上である、プリント配線板の絶縁層に、SF 、Ar及び,O を含む混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理によるビアホール又はトレンチを形成するための樹脂組成物。
Contains inorganic fillers,
A mixed gas containing SF 6 , Ar and O 2 is used in the insulating layer of a printed wiring board, where the content of the inorganic filler is 40% by volume or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by volume. A resin composition for forming via holes or trenches by plasma treatment.
さらに、硬化性樹脂を含む、請求項6又は7に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 6 or 7 , further comprising a curable resin.
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