JP7368081B2 - 光デバイス - Google Patents

Description

本発明は、例えば赤外線デバイス等の光デバイスに関する。

従来、半導体素子が樹脂により封止された半導体デバイスにおいて、デバイスの薄型化のために、いわゆるＷＬＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package）やＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）のようなパッケージ構造が用いられている。

特開２０１８－０３７６３８号公報

しかしながら、上述したような、半導体素子が樹脂で封止された半導体デバイスでは、樹脂が吸湿して膨潤することにより、半導体素子に対して応力がかかる場合がある。特に、半導体素子の半導体基板の厚さ方向に樹脂が配置されている場合には、膨潤した樹脂によって半導体基板が反りやすくなってしまう。半導体デバイスが赤外線デバイス等の光デバイスである場合には、半導体基板の反りにより光デバイスの特性変動が生じる場合がある。薄型の半導体パッケージにおいては、半導体基板の反りはより大きくなるため、光デバイスの特性の変動がより顕著に生じる。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、薄型でありつつ半導体基板の変形による特性変動を抑制した光デバイスを得ることにある。

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る光デバイスは、半導体基板、半導体基板の一方の主面上に形成され、光を受光又は発光可能な半導体層、及び半導体層上に形成された電極を有する光電変換素子を含む光電変換チップと、光電変換チップの電極形成面とは反対側の面を露出させるように光電変換チップの側面を覆う封止部と、光電変換チップの電極形成面上に設けられる絶縁層及び電極と接続される再配線とを有する再配線層と、を備え、光電変換チップの電極形成面と反対側の面は、封止部の再配線層とは反対側の面の全面から突出していることを特徴とする。

本発明の一態様によれば、薄型でありつつ特性変動を抑制した光デバイスを得ることができる。

本発明の第一実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。 図１（Ｂ）の断面図をより詳細に示す断面図である。 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの製造工程を示す断面工程図である。 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの製造工程を示す断面工程図である。 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの変形例を示す概略図である。 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの変形例を示す概略図である。 本発明の第二実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。 本発明の第三実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。 本発明の第四実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。 本発明の第五実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。 本発明の第五実施形態に係る光デバイスの製造工程を示す断面工程図である。 本発明の第五実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。

以下、実施形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。

１．第一実施形態
以下、第一実施形態に係る光デバイスについて、図１～６を参照して説明する。第一実施形態に係る光デバイスは、例えば、赤外線等の光を検出することによって人の存在を検知する人感センサや、ＮＤＩＲ（Non-dispersive infrared）方式を用いたガスセンサとして用いられる。また、第一実施形態に係る光デバイスは、赤外線等の光を発光するＬＥＤ(Light Emitting Diode）として用いられる。

（光デバイスの構成）
図１は、第一実施形態に係る光デバイス１を説明するための構成図であり、図１（Ａ）は光デバイス１の一構成例を示す平面図、図１（Ｂ）は光デバイス１の一構成例を示す側面図、図１（Ｃ）は光デバイス１の一構成例を示す底面図である。図２は、図１（Ｃ）に示すＢ－Ｂ’断面における光デバイス１の断面図である。本実施形態では、光デバイス１が図示しない回路基板と接続される面（外部接続端子が形成される面）を底面とし、外部接続端子が形成される面とは反対側の面を上面として説明する。

図１に示すように、光デバイス１は、光電変換チップ１０と、光電変換チップ１０の一部を封止する封止部２０と、光電変換チップ１０と電気的に接続された再配線層３０と、再配線層３０と電気的に接続された複数の外部接続端子４０（図１中では４つの外部接続端子４０ａ～４０ｄ）とを備えている。
光デバイス１の一面からは、光電変換チップ１０の光出射面又は光入射面となる光出入射面１０ａが露出している。ここで、「光出入射面１０ａ」とは、光の出射及び入射のいずれか一方の機能を有する面をいう。本実施形態では、図２中に示す光デバイス１の上面から光出入射面１０ａが露出する例を示している。すなわち、本実施形態において、光デバイス１では、デバイス上面から光が入射又は出射する。光電変換チップ１０の光出入射面１０ａは、封止部２０の上面（封止部２０の再配線層３０とは反対側の面）に対して凹んだ位置に設けられている。これにより、封止部２０によって、光電変換チップ１０に入射する光の入射角及び光電変換チップ１０から出射する光の出射角を制限する視野角制限部として機能する。光電変換チップ１０は、製造時にダイシングにより個片化されるが、この際にチッピングが発生し、光電変換チップ１０のチッピング部分周辺において入射又は出射する光に外乱が生じる場合がある。しかしながら、視野角制限部により、光の外乱を抑制することができる。また、視野角制限部を設けることにより、封止部２０によって、光電変換チップ１０の上面を構成する膜の側面が保護され、耐水性が向上する。

図２に示すように、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａと反対側の面には、電極１１３ａ及び１１３ｂが設けられている。光電変換チップ１０の電極１１３ａ及び１１３ｂが形成された面（電極形成面１０ｂ）は、再配線層３０と密接している。光電変換チップ１０は、電極１１３ａ及び１１３ｂを介して再配線層３０と電気的に接続される。
以下、光デバイス１の各部について詳細に説明する。

（光電変換チップ）
第一実施形態に係る光電変換チップ１０は、光電変換素子１１と、反射防止膜１２とを備えている。光電変換素子１１は、半導体基板１１１、半導体基板１１１の一方の主面（図２中に示す下面）上に形成された半導体層１１２、及び半導体層１１２上に形成された電極１１３を有している。光電変換素子１１は、透光性を有する半導体基板１１１を介して半導体層１１２からの光を外部に出射し、また、外部からの光を半導体基板１１１を介して半導体層１１２に取り込む。
反射防止膜１２は、半導体基板１１１の他方の主面（図２中に示す上面）上に設けられている。反射防止膜１２は、透光性を有し、光電変換素子１１に入射する光又は光電変換素子１１から出射する光を透過させる。反射防止膜１２の光電変換素子１１と反対側の面は、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。

（半導体基板）
半導体基板１１１は、ＰＮ接合又はＰＩＮ接合のフォトダイオード構造の半導体層１１２を成膜することが可能な基板である。半導体基板１１１は、赤外線等の光透過性を有するものであれば特に制限されない。半導体基板１１１は、半導体を含む材料を有する基板又は絶縁性基板のいずれであってもよい。すなわち、「半導体基板」は、半導体素子としての光電変換素子１１を構成する基板であることを意味している。半導体基板１１１は、一例として、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、サファイヤ、リン化インジウム（ＩｎＰ）等で形成された基板を挙げることが出来る。半導体層１１２がＩｎ、Ｓｂ、Ａｓ、Ａｌ等を含むナローギャップ半導体材料（例えばＩｎＳｂ）を含む材料で形成される場合、格子欠陥の少ない半導体層１１２を形成するする観点から、半導体基板１１１としてＧａＡｓ基板を用いることが好ましい。この場合、半導体基板１１１は光に対して高い透過率を有し、かつ半導体基板１１１上に高品質の結晶性成長が可能となる。

（半導体層）
半導体層１１２は、第一導電型半導体層、活性層及び第二導電型半導体層（図示せず）とで構成されたＰＩＮ接合のフォトダイオード構造を有している。半導体層１１２としては、ＰＮ接合もしくはＰＩＮ接合のフォトダイオード構造、又はＬＥＤ構造を有する半導体層であれば、本実施形態における構造に制限されない。また、半導体層１１２は、第一導電型半導体層と第二導電型半導体層とで構成されたＰＮ接合のフォトダイオード構造であってもよい。半導体層１１２は、赤外線等の特定波長の光に対して感度を有する公知の物質を適用することが可能であり、例えば、ＩｎＳｂを含む半導体層を適用することが出来る。

（電極）
電極１１３は、半導体層１１２上に形成された電極１１３ａ及び１１３ｂを有している。電極１１３ａは、半導体層１１２の第一導電型半導体層と電気的に接続されている。電極１１３ｂは、半導体層１１２の第二導電型半導体層と電気的に接続されている。
電極１１３ａ及び１１３ｂは、半導体層１１２と電気的なコンタクトが取れる材料であれば特に制限されない。半導体基板１１１側から入射された光の一部は、電極１１３ａ，１１３ｂや電極１１３ａ，１１３ｂと電気的に接続された配線（例えば、後述する再配線３２ａ～３２ｄ等）によって反射される。そのため、半導体層１１２を大面積の電極１１３ａ，１１３ｂ等で覆えば受光効率は増加する効果がある。

（反射防止膜）
反射防止膜１２は、半導体基板１１１の他方の主面上（図２中の上側の面）に設けられている。反射防止膜１２の光電変換素子１１と反対側の面は、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。反射防止膜１２は、光電変換チップ１０の外部から光電変換素子１１に入射する光、又は光電変換素子１１から光電変換チップ１０の外部に出射する光が、光電変換素子１１の表面において反射することを抑制し、光入射効率又は光出射効率を向上させる。反射防止膜１２は、透光性を有し、例えば二酸化チタン（ＴｉＯ_２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、ＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）等の単層膜、又はこれら材料が積層された積層膜である。

（封止部）
封止部２０は、樹脂材料で構成されており、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａを露出させるように、光電変換チップ１０の側面を覆っている。また、封止部２０が光電変換チップ１０の側面を覆うことにより、光電変換チップ１０の電極形成面１０ｂが再配線層３０に対して露出する。すなわち、本実施形態に係る光デバイス１においては、図２に示す光電変換チップ１０の上面（光出入射面１０ａ）及び底面（電極形成面１０ｂ）以外が封止部２０によって封止されている。なお、封止部２０は、半導体基板１１１を介して半導体層１１２に赤外線等の光が入射できるように形成されていれば良く、光電変換素子１１のどの面を覆っているかは特に制限されない。例えば、封止部２０は、光電変換素子１１の電極形成面１０ｂの一部を覆っていてもよく、光電変換素子１１の側面の一部を覆っていなくてもよい。

封止部２０としては、量産性、機械強度及び光電変換素子１１への応力の観点から、再配線層３０の再配線３２ａ～３２ｄで形成される材料の線膨張係数に近い線膨張係数を有する樹脂材料を用いることが好ましい。封止部２０は、例えば一般的な半導体デバイスで使われるエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成される。
また、封止部２０を構成する材料は、エポキシ樹脂等の樹脂材料の他にフィラーや不可避的に混在する不純物などを含んでいてもよい。フィラーとしては、シリカやアルミナ等が好適に用いられる。フィラーの混合量は、封止部２０を構成する材料中、５０体積％以上９９体積％以下であることが好ましく、７０体積％以上９９体積％以下であることがより好ましく、８５体積％以上９９体積％以下であることがさらに好ましい。

（再配線層）
再配線層３０は、光電変換チップ１０及び封止部２０の電極形成面１０ｂ側に形成される。再配線層３０は、第一絶縁層３１１及び第二絶縁層３１２を有する絶縁層３１と、光電変換チップ１０の電極１１３ａ，１１３ｂと電気的に接続される再配線３２ａ～３２ｄと、外部接続端子４０ａ～４０ｄを接続するためのパッド３３ａ～３３ｄとを備えている。図１（Ｃ）に示すように本実施形態の光電変換チップ１０では、電極１１３ａに対して再配線３２ａ及び３２ｃが接続されており、電極１１３ｂに対して再配線３２ｂ及び３２ｄが接続されている。また、再配線３２ａ～３２ｄは、それぞれ外部接続端子４０ａ～４０ｄに接続されている。

第一絶縁層３１１は、光電変換チップ１０及び封止部２０の電極形成面１０ｂ側に形成された絶縁層である。第一絶縁層３１１は、反りが小さく、再配線３２ａ～３２ｄとの接合性に優れ、耐熱性の高い材料により形成され、具体的にはポリイミド等の樹脂材料により形成される。第一絶縁層３１１は、光電変換素子１１の電極１１３ａ，１１３ｂの位置に第一絶縁層３１１を貫通する開口３１１ａ，３１１ｂをそれぞれ有している。これにより、図１（ｃ）に示すように、当該開口３１１ａ，３１１ｂを介して、再配線３２ａ，３２ｃが電極１１３ａと電気的に接続可能となり、再配線３２ｂ、３２ｄが電極１１３ｂと電気的に接続可能となる。

再配線３２ａ～３２ｄは、後述する光電変換チップ１０の電極１１３ａ，１１３ｂと、外部接続端子４０ａ～４０ｄとを電気的に接続する。再配線３２ａ～３２ｄは、第一絶縁層３１１と第二絶縁層３１２との間に設けられている。再配線３２ａは、第一絶縁層３１１の開口３１１ａから露出する電極１１３ａの表面及び開口３１１ａの側壁を覆い、開口３１１ａの側壁からパッド３３ａまで第一絶縁層３１１の表面上で延在する。再配線３２ｂは、第一絶縁層３１１の開口３１１ｂから露出する電極１１３ｂの表面と、開口３１１ｂの側壁とを覆い、開口３１１ｂの側壁からパッド３３ｂまで第一絶縁層３１１の表面上で延在する。再配線３２ｃ，３２ｄについても、再配線３２ａ，３２ｂと同様に形成され、パッド３３ｃ，３３ｄとそれぞれ接続される。

再配線３２ａは、下地層３２１ａ及び導体層３２２ａを有している。下地層３２１ａは、例えば無電解めっき又はスパッタリングにより形成され、後に電気めっきにより導体層３２２ａを形成する際の電極の役割を果たす。また、下地層３２１ａは、第一絶縁層３１１と導体層３２２ａとの接着性を向上させる役割も果たす。下地層３２１ａは、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。導体層３２２ａは、下地層３２１ａ上に形成され、例えば電解めっきにより形成される。導体層３２２ａは、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。

再配線３２ｂは、下地層３２１ｂ及び導体層３２２ｂを有している。下地層３２１ｂは下地層３２１ａと、導体層３２２ｂは導体層３２２ａと同様の構成である。再配線３２ｃ，３２ｄについても同様に、下地層及び導体層をそれぞれ有している。

第二絶縁層３１２は、第一絶縁層３１１の表面に形成された絶縁層である。第二絶縁層３１２は、第一絶縁層３１１と同様に、例えばポリイミド等の樹脂材料により形成される。第二絶縁層３１２は、平面視で第一絶縁層３１１の開口３１１ａ，３１１ｂと重ならない領域（例えば、平面視で開口３１１ａ，３１１ｂよりも外側の領域）に、第二絶縁層３１２を貫通する開口３１２ａ～３１２ｄ（開口３１２ｃ，３１２ｄは図示せず）を有する。これにより、図２に示すように、当該開口３１２ａ～３１２ｄを介して、パッド３３ａ～３３ｄが再配線３２ａ～３２ｄと電気的に接続可能となる。

パッド３３ａ～３３ｄは、外部接続端子４０ａ～４０ｄを再配線３２ａ～３２ｄとそれぞれ接続するために設けられる。パッド３３ａ～３３ｄは、例えばＮｉ層とＡｕ層との積層膜により形成されている。パッド３３ａ～３３ｄは、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ～３１２ｄから露出する再配線３２ａ～３２ｄの表面のそれぞれ及び開口３１２ａ，３１２ｂの側壁を覆う。

（外部接続端子）
外部接続端子４０ａ～４０ｄは、パッド３３ａ～３３ｄと接しており、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ，３１２ｂから露出する再配線３２ａ～３２ｄそれぞれと電気的に接続されている。外部接続端子４０ａ～４０ｄは、たとえばはんだボールである。光デバイス１を図示しない回路基板に実装する際には、外部接続端子４０ａ～４０ｄのそれぞれが回路基板の所定位置に接するように配置する。このあと、リフローにより外部接続端子４０ａ～４０ｄを加熱後冷却することにより、光デバイス１と回路基板とをはんだ付けする。

本実施形態の光デバイス１では、半導体層１１２の第一導電型半導体層と接続された電極１１３ａと外部接続端子４０ａ、４０ｃとが、再配線３２ａ、３２ｃによって電気的に接続される。また、光デバイス１では、半導体層１１２の第二導電型半導体層と接続された電極１１３ｂと外部接続端子４０ｂ、４０ｄとが、再配線３２ｂ、３２ｄによって電気的に接続される。すなわち、外部接続端子４０ａ、４０ｃは、第一導電型の外部端子であり、外部接続端子４０ｂ、４０ｄは、第二導電型の外部端子となる。

第一実施形態に係る光デバイス１では、樹脂材料で構成された封止部２０が半導体素子である光電変換素子１１の側面を覆っており、光電変換素子１１の一方の主面は封止部２０から露出し、光電変換素子１１の他方の主面は封止部２０から露出して再配線層３０と当接している。このため、光デバイス１では、封止部２０の樹脂が膨潤した場合であっても半導体基板１１１の厚さ方向への応力が生じにくくなり、半導体基板１１１の反りが生じにくくなる。このため、半導体層１１２は、応力を受けなくなるため、光デバイス１の特性変動が生じにくくなる。

具体的には、赤外線センサや発光装置（ＬＥＤ）等といった光デバイス１の発光量の変動や受光感度の変動や半導体層１１２の抵抗値の変動が生じにくくなる。特に、光デバイス１がｐｐｂオーダの分解能を要求するガスセンサの場合には、光信号レベルが外乱の影響によって僅かに変化した場合でも、ガス濃度測定結果に大きな誤差が生じることになる。このため、本実施形態に係る光デバイス１により、ガス濃度の測定結果の変動が顕著に生じにくくなる。

（光デバイスの製造方法）
以下、本実施形態に係る光デバイス１の製造方法を図３（Ａ）から図３（Ｇ）及び図４（Ａ）から図４（Ｆ）の工程断面図を用いて説明する。図３（Ａ）から図３（Ｇ）は、光電変換素子１１を用いて再構成基板を形成する工程を示している。また、図４（Ａ）から図４（Ｆ）は再構成基板に対して再配線層３０及び外部接続端子４０を形成する工程を示している。

（再構成基板形成工程）
まず、予め、半導体基板１１１の一方の面に半導体層１１２及び電極１１３ａ，１１３ｂが形成され、半導体基板１１１の他方の面に反射防止膜１２が形成された、個片化された光電変換チップ１０を準備する。個片化された光電変換チップ１０は、反射防止膜１２の表面に保護層２００が設けられている。半導体基板１１１となる半導体ウエハの他方の面に反射防止膜１２を形成し、反射防止膜１２の表面に保護層２００を形成した後、個片化することにより、反射防止膜１２及び保護層２００付きの光電変換チップ１０を得ることができる。保護層２００は、例えば、有機塗布膜を用いて、厚み３μｍ以上２０μｍ以下で形成される。

次に、図３（Ａ）に示すように、ガラス基板等の基板２１０を準備し、基板２１０の一方の面に接着フィルム２１２を貼り付ける。
続いて、図３（Ｂ）に示すように、基板２１０の一方の面に貼り付けられた接着フィルム２１２に対して、個片化した光電変換チップ１０を貼り付ける。このとき、光電変換チップ１０の半導体層１１２及び電極１１３ａ，１１３ｂを形成した面が接着フィルム２１２側を向くようにして光電変換チップ１０を貼り付ける。

図３（Ｃ）に示すように、接着フィルム２１２上に光電変換チップ１０が貼り付けられた基板２１０を、図示しない上金型及び下金型で形成されたキャビティ内に配置し、キャビティ内に溶融樹脂を充填、硬化させてモールド樹脂層２２０を形成する。モールド樹脂層２２０は、光電変換素子１１、反射防止膜１２及び保護層２００を覆うようにして形成される。モールド樹脂層２２０は、例えばコンプレッション成形やトランスファー成形により形成することができる。

図３（Ｄ）に示すように、モールド樹脂層２２０の上面をポリッシング等により研磨し、保護層２００を露出させる。これにより、光電変換チップ１０の側面を覆う封止部２０が形成される。
図３（Ｅ）に示すように、封止部２０から露出した保護層２００を剥離液を用いて剥離する。剥離液は、保護層２００と封止部２０及び反射防止膜１２との界面に浸透し、保護層２００のみを剥離する。これにより、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａ（反射防止膜１２の上面）が封止部２０の上面から凹んだ位置で露出する。

図３（Ｆ）に示すように、接着フィルム２１２から基板２１０を剥離した後、図３（Ｇ）に示すように、接着フィルム２１２を光電変換チップ１０及び封止部２０から剥離する。以上により、再構成基板２３０が形成される。

（再配線層形成工程）
続いて、再構成基板２３０の裏面に、再配線層３０を形成する工程について説明する。なお、図４（Ａ）から図４（Ｆ）では、説明を容易にするために、再構成基板２３０のうちの一部分を拡大して示して再配線層形成工程を説明する。

図４（Ａ）に示すように、再構成基板２３０の裏面（光電変換素子１１の電極形成面１０ｂ）に、第一絶縁層３１１を形成する。続いて、第一絶縁層３１１のうち、光電変換素子１１の電極１１３ａ，１１３ｂの位置に、第一絶縁層３１１を貫通する開口３１１ａ，３１１ｂをそれぞれ形成する。

図４（Ｂ）に示すように、第一絶縁層３１１の上に、例えば無電解銅（Ｃｕ）めっきにより再配線３２ａ～３２ｄの下地層３２１ａ～３２１ｄ（下地層３２１ｃ、３２１は図示せず）を形成する。下地層３２１ａは、第一絶縁層３１１の開口３１１ａから露出する電極１１３ａの表面及び開口３１１ａの側壁を覆い、開口３１１ａの側壁から第一絶縁層３１１のパッド３３ａが形成される位置まで延在するように形成する。同様にして、電極１１３ａ上からパッド３３ａが形成される位置まで延在するように下地層３２１ｃを形成する。下地層３２１ｂは、第一絶縁層３１１の開口３１１ｂから露出する電極１１３ｂの表面及び開口３１１ｂの側壁を覆い、開口３１１ｂの側壁から第一絶縁層３１１のパッド３３ｂが形成される位置まで延在するように形成する。同様にして、電極１１３ｂ上からパッド３３ｄが形成される位置まで延在するように下地層３２１ｄを形成する。

図４（Ｃ）に示すように、下地層３２１ａ～３２１ｄ上に、下地層３２１ａ～３２１ｄを電極とした電解銅（Ｃｕ）めっきにより導体層３２２ａ～３２２ｄ（導体層３２２ｃ，３２２ｄは図示せず）を形成する。これにより、電極１１３ａからパッド３３ａ及びパッド３３ｃが形成される位置まで導体層３２２ａ，３２２ｃが形成され、電極１１３ｂからパッド３３ｂ及びパッド３３ｄが形成される位置まで導体層３２２ｂ，３２２ｄが形成される。

図４（Ｄ）に示すように、第一絶縁層３１１及び再配線３２ａ～３２ｄ上に、第二絶縁層３１２を形成する。続いて、第二絶縁層３１２のうち、後にパッド３３ａ～３３ｄを形成する部分に、第二絶縁層３１２を貫通する開口３１２ａ～３１２ｄ（開口３１２ｃ，３１２ｄは図示せず）を形成する。開口３１２ａ～３１２ｄは、再配線３２ａ～３２ｄ上であり、かつ平面視で第一絶縁層３１１の開口３１１ａ～３１１ｄと重ならない領域（例えば、平面視で開口３１１ａ～３１１ｄよりも外側の領域）に設けられる。

図４（Ｅ）に示すように、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ～３１２ｄの位置に、パッド３３ａ～３３ｄ（パッド３３ｃ，３３ｄは図示せず）を形成する。パッド３３ａ～３３ｄは、例えば無電解ニッケル（Ｎｉ）めっきにより下地層となるＮｉ層を形成した後、無電解金（Ａｕ）めっきによりＡｕ層を形成して得る。パッド３３ａ～３３ｄは、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ～３１２ｄから露出する再配線３２ａ～３２ｄの表面及び開口３１２ａ～３１２ｄの側壁を覆って形成される。

図４（Ｆ）に示すように、パッド３３ａ～３３ｄ上に、はんだボールにより外部接続端子４０ａ～４０ｄ（外部接続端子４０ｃ，４０ｄは図示せず）を形成する。最後に、再配線層３０が形成された再構成基板２３０の封止部２０部分をダイシングブレードでダイシングすることにより、個片化された光デバイス１を得ることができる。

なお、第一実施形態に係る光デバイス１の製造方法において、保護層２００を設ける代わりに、光電変換チップ１０の形状に合わせた突出部を有する上金型を用いて樹脂成形を行っても良い。この場合、封止部２０の上面から上金型の突出部の高さの分だけ凹んだ位置に光電変換チップ１０の上面を形成することができる。

（第一実施形態の変形例）
（１）第一実施形態に係る光デバイス１では、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａである反射防止膜１２の上面が、封止部２０の上面よりも凹んだ位置に設けられている例について説明したが、このような構成に限られない。
例えば図５の断面図に示すように、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａである反射防止膜１２の上面が、封止部２０の上面よりも突出する位置に設けられていても良い。この場合、例えば保護層２００を設けない光電変換チップ１０を用い、モールド樹脂層２２０を形成する際に上金型表面にフッ素樹脂等で構成された樹脂シートを設け、樹脂シートに対して光電変換チップ１０が食い込むような状態で溶融樹脂に注入・硬化を行う。これにより、光電変換チップ１０の上面がモールド樹脂層２２０（封止部２０）の上面から突出するように形成される。

（２）また、図６の断面図に示すように、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａが、封止部２０の上面と面一であってもよい。この場合、変形例１同様の方法例えば保護層２００を設けない光電変換チップ１０を用い、モールド樹脂層２２０を形成する際に上金型表面に樹脂シートを設け、樹脂シートに対して光電変換チップ１０が食い込むような状態で溶融樹脂に注入・硬化を行う。これにより、光電変換チップ１０の上面がモールド樹脂層２２０（封止部２０）の上面から突出するように形成される。
図５及び図６に示す構成の光デバイス１では、封止部２０によって光の入射角又は出射角の制限を受けずに赤外線等の光を検出することができる。

（第一実施形態の効果）
第一実施形態に係る光デバイスでは、以下の効果を有する。
（１）樹脂材料で構成された封止部２０が半導体素子である光電変換素子１１の側面を覆っており、光電変換素子１１の一方の主面は封止部２０から露出し、光電変換素子１１の他方の主面は封止部２０から露出して再配線層３０と当接している。このため、半導体基板１１１の反りが生じにくくなり、光デバイス１の特性変動が生じにくくなる。
（２）光デバイス１の配線を、再配線層で構成することができる。このため、光デバイス１を薄型化することができる。
（３）光デバイス１は、光電変換素子１１の上面に反射防止膜１２が設けられており、反射防止膜１２が光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。このため、反射防止膜１２によって、光電変換チップ１０の外部から光電変換素子１１に入射する光、又は光電変換素子１１から光電変換チップ１０の外部に出射する光が、光電変換素子１１の表面において反射することを抑制し、光入射効率又は光出射効率を向上させることができる。

２．第二実施形態
以下、本発明の第二実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
（光デバイスの構成）
図１及び図２を参照しつつ、図７を用いて、第二実施形態に係る光デバイス２０１の構成を説明する。
光デバイス２０１は、図７に示すように、光電変換素子１１が光電変換チップ１０を構成しており、半導体基板１１１の他方の主面が封止部２０から露出している。光デバイス２０１は、光電変換素子１１の半導体基板１１１の一方の面に半導体層１１２及び電極１１３ａ，１１３ｂが形成されており、半導体基板１１１の他方の面は、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。すなわち、光デバイス２０１は、反射防止膜１２を有していない点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。
その他の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

光デバイス２０１の光出入射面１０ａとなる半導体基板１１１の他方の面は、封止部２０の上面に対して凹んだ位置に設けられているが、光デバイス２０１の構成はこのような構成に限られない。光デバイス２０１の光出入射面１０ａとなる半導体基板１１１の他方の面は、封止部２０の上面に対して面一であっても良い。

また、光デバイス２０１がＬＥＤ等の発光デバイスである場合には、光出入射面１０ａとなる半導体基板１１１の他方の面が凹凸形状を有していることが好ましい。光出入射面１０ａが凹凸形状を有していることにより、光電変換素子１１から斜めに出射された光が光電変換素子１１内に反射すること等による光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上するためである。

（第二実施形態における効果）
第二実施形態に係る光デバイスでは、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）光デバイス２０１は、光電変換素子１１が光電変換チップ１０を構成している。このため、光デバイス２０１をより薄型化することができる。
（２）光デバイス２０１は、デバイス外部に露出する半導体基板１１１の一面（光電変換チップ１０の光出入射面１０ａ）が凹凸形状を有していても良い。このため、光電変換素子１１から出射された光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上する。

３．第三実施形態
図１及び図２を参照しつつ、図８を用いて、第二実施形態に係る光デバイス３０１の構成を説明する。
光デバイス３０１は、図８に示すように、光電変換素子１１の上面（半導体基板１１１の他方の面）に光学フィルタ３２０が設けられた光電変換チップ３１０を備えている。光デバイス３０１では、光学フィルタ３２０の上面が封止部２０から露出している。光デバイス３０１では、光学フィルタ３２０の上面が光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。すなわち、光デバイス３０１は、反射防止膜１２に代えて光学フィルタ３２０を有している点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。
光学フィルタ３２０以外の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

（光学フィルタ）
光学フィルタ３２０は、所望の波長範囲の光を選択的に（すなわち、透過率高く）透過させる機能を有している。光学フィルタ３２０は、例えば、赤外線のみを透過する機能を有する。光学フィルタ３２０を構成する光学部材の材料としては、シリコン（Ｓｉ）、ガラス（ＳｉＯ_２）、サファイヤ（Ａｌ_２Ｏ_３）、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２など、予め設定した波長範囲の光が透過する材料が用いられる。また、光学フィルタ３２０は、蒸着等により光学部材に薄膜が設けられた構成であっても良い。薄膜材料としては、シリコン（Ｓｉ）、ガラス（ＳｉＯ_２）、サファイヤ（Ａｌ_２Ｏ_３）、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＴｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等が用いられる。

また、光学フィルタ３２０は、光学部材上に異なる屈折率を有する誘電体を層状に積層した誘電体多層膜フィルタとしても良い。この場合、層状に積層した誘電体層は、光学部材の片面又は両面に形成される。誘電体層を光学部材の両面に設ける場合、誘電体層は、光学部材の表面、裏面において異なる厚みで形成されていてもよい。

光デバイス３０１の光出入射面１０ａとなる光学フィルタ３２０の上面は、封止部２０の上面に対して凹んだ位置に設けられているが、光デバイス３０１の構成はこのような構成に限られない。デバイス３０１の光出入射面１０ａとなる光学フィルタ３２０の上面は、封止部２０の上面に対して面一であっても良い。
さらに、光デバイス３０１の光電変換チップ３１０は、光学フィルタ３２０の表面に、第一実施形態と同様の反射防止膜１２が設けられていても良い。

（第三実施形態における効果）
第三実施形態に係る光デバイスでは、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）光デバイス３０１は、光電変換素子１１の上面に光学フィルタ３２０を有している。このため、所望の波長範囲の光を選択的に透過させることができ、所望の波長範囲の光の検出精度を向上させることができる。

４．第四実施形態
図１及び図２を参照しつつ、図９を用いて、第五実施形態に係る光デバイス４０１の構成を説明する。
光デバイス４０１は、図９に示すように、光電変換素子１１の上面（半導体基板１１１の他方の面）にシリコン（Ｓｉ）チップ４１２が設けられた光電変換チップ４１０を備えている。光デバイス４０１では、シリコンチップ４１２の上面４１２ａが封止部２０から露出している。光デバイス４０１では、シリコンチップ４１２の上面４１２ａが光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。すなわち、光デバイス４０１は、反射防止膜１２に代えてシリコンチップ４１２を有している点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。
シリコンチップ４１２以外の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

（シリコンチップ）
光デバイス４０１がＬＥＤ等の発光デバイスである場合には、光出入射面１０ａとなるシリコンチップ４１２の一方の表面である上面４１２ａが、凹凸形状に加工されている。上面４１２ａが凹凸形状を有していることにより、光電変換素子１１から斜めに出射された光が光電変換素子１１内に反射すること等による光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上する。
シリコンチップ４１２の凹凸形状は、頂点の高さが０．７μｍ以上１０μｍ以下である突起が複数連続して配置されて形成されていることが好ましい。また、シリコンチップ４１２の凹凸形状を構成する突起は、当該突起の底面の一辺の長さが１００μｍ以下である六角錐形状であることが好ましい。突起の形状を六角錐形状とすることにより、突起の頂点同士のピッチを小さくして、突起の形成密度を向上させることができる。このため、光電変換チップ１０の発光効率をより向上させることができる。

（第四実施形態における効果）
第四実施形態に係る光デバイスでは、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）光デバイス４０１は、光電変換素子１１の上面にシリコンチップ４１２を有しており、光出入射面１０ａとなるシリコンチップ４１２の表面が凹凸形状に加工されている。このため、光電変換素子１１から出射された光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上する。
（２）シリコンチップ４１２の表面の凹凸形状は、突起が複数連続して配置されて形成されており、突起の形状を六角錐形状に形成しても良い。この場合、突起の形成密度を向上させることができるため、光電変換チップ１０の発光効率をより向上させることができる。

５．第五実施形態
図１～図４を参照しつつ、図１０及び図１１を用いて、第五実施形態に係る光デバイスの構成を説明する。
第五実施形態に係る光デバイスは、第一実施形態に係る光デバイス１の光出入射面１０ａ側に、光学フィルタチップ（以下、光学フィルタという）５１２を含むフィルタブロック５１０を備えたフィルタブロック付きの光デバイス５００である。本実施形態では、光デバイス５００が赤外線センサ等の受光デバイスである場合について説明する。

光デバイス５００では、光がフィルタブロック５１０中の光学フィルタ５１２を介して光デバイス１の光電変換素子１１に入射し、光が検出される。すなわち、光デバイス５００は、フィルタブロック５１０を備える点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。なお、光デバイス５００は、光デバイス１の代わりに、図５、図６に示す第一実施形態の変形例の光デバイス１や、第二実施形態に係る反射防止膜等を有していない光デバイス２０１、第四実施形態に係るシリコンチップ４１２を有する光デバイス４０１を用いても良い。
フィルタブロック５１０以外の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

（フィルタブロック）
フィルタブロック５１０は、光学フィルタ５１２と光学フィルタ５１２の側面を覆う封止部材５２０とを有している。これにより、光の入射面となる光学フィルタ５１２の一方の面５１２ｂ及び光の出射面となる他方の面５１２ａは、封止部材５２０から露出している。以下、光学フィルタ５１２の一方の面５１２ａを光出射面５１２ａ、他方の面５１２ｂを光入射面５１２ｂという。
フィルタブロック５１０では、光学フィルタ５１２の光出射面５１２ａと封止部材５２０とにより凹部５３０が形成されている。凹部５３０の底面５３０ａの少なくとも一部は、光学フィルタ５１２の光出射面５１２ａで形成され、凹部５３０の側壁５３０ｂは、封止部材５２０で形成されている。光学フィルタ５１２は、凹部５３０が光デバイス１の封止部２０から露出する光電変換チップ１０を覆うように配置されている。光学フィルタ５１２と、凹部５３０とは、接着剤等で構成された接続部材５５０により接続されている。

また、フィルタブロック５１０は、光学フィルタ５１２を配置するための開口ｈ１を有するフレーム材５４０を備えている。フレーム材５４０は、光学フィルタ５１２を取り囲む環状部５４２と、環状部５４２からフィルタブロック５１０の各側面に向かって伸びる複数の接続部５４４とを備えている。図１０（Ｃ）に示すように、接続部５４４は、上面側の一部がハーフエッチングされており、環状部５４２と比較して厚みが薄く形成されている。
環状部５４２は、光学フィルタ５１２を取り囲む形状であればよく、環形状のフレームの一部が除去された形状を含む。図１０では、平面視におけるフレーム材５４０の環状部５４２の形状が、角環形状の一部が除去された形状（Ｃ字形状）となっている。本実施形態では、光学フィルタ５１２が配置されるＣ字形状の内側部分を「開口ｈ１」と定義する。

フレーム材５４０は、フィルタブロック５１０の上面５１０ａ及び側面５１０ｂにおいてフレーム材５４０の一部（接続部５４４の端面）が封止部材５２０から露出している。すなわち、封止部材５２０は、フレーム材５４０の環状部５４２の側壁面（内壁面及び外壁面）及び底面と、接続部５４４とを封止している。
フレーム材５４０は、放射率が小さい部材であることが好ましく、例えば、放射率が０．３以下の部材であることが好ましい。放射率が小さい部材としては例えば、金属が挙げられ、具体的には、銅、銀、金、白金、ニッケル、パラジウムなどが挙げられる。
光学フィルタ５１２は、第三実施形態に係る光学フィルタ３２０と同様の構成とすることができる。封止部材５２０は、封止部２０と同様の材料により形成される。

光デバイス５００の製造方法は、フィルタブロック５１０の製造工程と、光デバイス１の製造工程と、フィルタブロック５１０と光デバイス１との接続工程と、を有する。光デバイス１の製造工程は、第一実施形態で説明した製造工程と同様であるため、説明を省略する。
以下、フィルタブロック５１０の製造工程について説明する。

（フィルタブロック製造工程）
図１１（Ａ）～図１１（Ｆ）は、フィルタブロック５１０の製造方法を工程順に示す断面図である。ここでは、図１０（Ａ）に示したＥ－Ｅ’線でフィルタブロック５１０を切断した断面に沿って、各工程を説明する。
図１１（Ａ）に示すように、まず始めに、耐熱性の粘着シート６１０を用意し、この粘着シート６１０の粘着層にフレーム材５４０の表面５４２ａを貼り付ける。図１１（Ｂ）に示すように、フレーム材５４０の開口ｈ１内に光学フィルタ５１２を配置して、光学フィルタ５１２の光入射面５１２ｂを粘着シート６１０の粘着層に貼り付ける。

次に、図１１（Ｃ）に示すように、フレーム材５４０の表面５４２ａ側に下金型６２０を配置すると共に、フレーム材５４０の裏面５４２ｂ側に上金型６３０を配置する。そして、下金型６２０と上金型６３０とにより光学フィルタ５１２を挟み込み、下金型６２０と上金型６３０とに挟まれた空間にサイドから溶融したエポキシ樹脂等の樹脂材料を注入し、充填後、硬化する。これにより、封止部材５２０を形成する。図１１（Ｃ）に示すように、例えば上金型６３０の下側の面は断面視で凹凸形状となっており、凸部６３０ａがフッ素樹脂等で構成された樹脂シート６４０を介して光学フィルタ５１２と対向している。この凸部６３０ａによって、図１１（Ｄ）に示すように、フィルタブロック５１０に凹部５３０が形成される。

図１１（Ｄ）に示すように、光学フィルタ５１２及びフレーム材５４０を封止した封止部材５２０を、下金型６２０及び上金型６３０間から取り出す。フレーム材５４０の表面５４２ａ側から粘着シート６１０を除去する。粘着シート６１０の除去後、必要に応じてポストキュアを施す。

図１１（Ｅ）に示すように、封止部材５２０の裏面側（凹部５３０形成側）にダイシングテープ６５０を貼り付け、ダイシング装置によりダイシングして個片化する。以上により、図１１（Ｆ）に示すように、封止部材５２０及びフレーム材５４０は個々の製品に切り離されて図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）に示すフィルタブロック５１０が完成する。

（フィルタブロック及び光デバイスの接続工程）
フィルタブロック５１０と光デバイス１とは以下のようにして接続される。まず、光デバイス１の上面（光出入射面１０ａ側の面）に、例えば接着剤である熱硬化型樹脂を塗布する。接着剤を塗布する領域は光電変換素子１１以外の領域であればよい。接着剤が塗布された光デバイス１の上面に、フィルタブロック５１０の裏面側（凹部５３０形成側）を接触させ、例えば熱処理を施して接着剤を硬化させて接続部材５５０を形成する。
以上により、フィルタブロック５１０と光デバイス１とを接続部材５５０により接続して、図１０（Ａ）～図１０（Ｄ）に示すフィルタブロック５１０付きの光デバイス５００が完成する。

（第五実施形態における効果）
第五実施形態に係る光デバイス５００では、光電変換素子１１を有する光デバイス１が薄型であるため、フィルタブロック５１０を設けていてもデバイス全体として薄型化することができる。

６．第六実施形態
図１及び図２、図１０を参照しつつ、図１２を用いて、第六実施形態に係る光デバイス６００の構成を説明する。
第六実施形態に係る光デバイス６００は、第五実施形態に係るフィルタブロック５１０を、光電変換チップ１０と、ＩＣチップ６１４とが封止された光デバイス６０１に接続したフィルタブロック付きの光デバイス６００である。ＩＣチップ６１４は、光電変換チップ１０の駆動回路又は光電変換チップ１０からの信号を処理する信号処理回路を含む。本実施形態では、光デバイス６００が赤外線センサ等の受光デバイスである場合について説明する。光デバイス６００では、光がフィルタブロック５１０中の光学フィルタ５１２を介して光デバイス６０１の光電変換素子１１に入射し、光が検出される。また、光デバイス６００では、検出された光に基づく信号を光デバイス６００内で処理して出力する機能を有する。すなわち、フィルタブロック付き光デバイス６００は、光デバイス６０１がＩＣチップ６１４を有する点で、第五実施形態に係る光デバイス５００と相違する。
ＩＣチップ６１４以外の構成は、上述した第五実施形態と同様であるため、説明を省略する。

（ＩＣチップ）
ＩＣチップ６１４は、光電変換素子１１とともに、封止部２０で覆われている。ＩＣチップ６１４は、例えば再配線層３０を介して光電変換チップ１０と電気的に接続されており、光電変換チップ１０からの電流を検出する検出回路等の信号処理回路を含む。なお、光デバイス６０１が発光デバイスの場合、ＩＣチップ６１４は、光電変換素子１１の駆動回路を含む。ＩＣチップ６１４は、再配線層３０と電気的に接続されており、処理された信号を再配線層３０、外部接続端子４０を介して図示しない回路基板に形成された回路に出力する。

このようなＩＣチップ６１４を有する光デバイス６０１は、例えば第一実施形態の図３（Ｂ）に示す工程において、接着フィルム２１２に対して、個片化した光電変換チップ１０とともにＩＣチップ６１４を貼り付け、封止部２０を形成する事により得られる。

（第六実施形態における効果）
第六実施形態に係る光デバイス６００では、光電変換素子１１を有する光デバイス６０１が薄型であるため、フィルタブロック５１０を設けていてもデバイス全体として薄型化することができる。

本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。

１，２０１，３０１，４０１，５００，６００，６０１ 光デバイス
１０ 光電変換チップ
１０ａ 光出入射面
１０ｂ 電極形成面
１１ 光電変換素子
１２ 反射防止膜
２０ 封止部
３０ 再配線層
３１ 絶縁層
３１１ 第一絶縁層
３１２ 第二絶縁層
３１１ａ，３１１ｂ 開口
３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄ 開口
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ 再配線
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ パッド
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ 外部接続端子
１１１ 半導体基板
１１２ 半導体層
１１３ 電極
１１３ａ 電極
１１３ｂ 電極
２００ 保護層
２１０ 基板
２１２ 接着フィルム
２２０ モールド樹脂層
２３０ 再構成基板
３１０ 光電変換チップ
３２０ 光学フィルタ
３２１ａ，３２１ｂ，３２１ｃ，３２１ｄ 下地層
３２２ａ，３２２ｂ，３２２ｃ，３２２ｄ 導体層
４１２ シリコンチップ
４１２ａ シリコンチップ４１２の上面
５１０ フィルタブロック
５１０ａ 上面
５１０ｂ 側面
５１２ 光学フィルタ
５１２ａ 光出射面（光学フィルタ５１２の一方の面）
５１２ｂ 光入射面（光学フィルタ５１２の他方の面）
５２０ 封止部材
５３０ 凹部
５３０ａ 凹部５３０の底面
５３０ｂ 凹部５３０の側壁
５４０ フレーム材
５４２ 環状部
５４２ａ フレーム材５４０の表面
５４２ｂ フレーム材５４０の裏面
５４４ 接続部
５５０ 接続部材
６１０ 粘着シート
６１４ ＩＣチップ
６２０ 下金型
６３０ 上金型
６３０ａ 凸部
６４０ 樹脂シート
６５０ ダイシングテープ

Claims (12)

1. 半導体基板、前記半導体基板の一方の主面上に形成され、光を受光又は発光可能な半導体層、及び前記半導体層上に形成された電極を有する光電変換素子を含む光電変換チップと、
   前記光電変換チップの前記電極が形成される電極形成面とは反対側の面を露出させるように前記光電変換チップの側面を覆う封止部と、
   前記光電変換チップの前記電極形成面上に設けられる絶縁層及び前記電極と接続される再配線とを有する再配線層と、
   を備え、
   前記光電変換チップの前記電極形成面と反対側の面は、前記封止部の前記再配線層とは反対側の面の全面から突出している
   光デバイス。
2. 前記半導体基板の他方の主面は、前記封止部から露出している
   請求項１に記載の光デバイス。
3. 前記半導体基板の他方の主面は、凹凸形状を有する
   請求項２に記載の光デバイス。
4. 前記光電変換チップは、前記半導体基板の他方の主面上に設けられた反射防止膜又は一方の表面が凹凸形状に加工されたシリコンチップを有し、
   前記反射防止膜の一方の面、又は前記凹凸形状に加工された面は、前記封止部から露出している
   請求項１又は２のいずれか１項に記載の光デバイス。
5. 前記シリコンチップの前記凹凸形状は、頂点の高さが０．７μｍ以上１０μｍ以下である突起が複数連続して配置されて形成されている
   請求項４に記載の光デバイス。
6. 前記突起は、底面の一辺の長さが１００μｍ以下である六角錐形状である
   請求項５に記載の光デバイス。
7. 前記光電変換チップは、前記半導体基板の他方の主面上に設けられた光学フィルタチップを有し、
   前記光学フィルタチップの一方の面は、前記封止部から露出している
   請求項１から４のいずれか１項に記載の光デバイス。
8. 光学フィルタチップと前記光学フィルタチップの側面を覆う封止部材とを有し、前記光学フィルタチップの一方の面と前記封止部材とで凹部が形成され、前記凹部の底面の少なくとも一部は前記光学フィルタチップの一方の面で形成され、前記凹部の側壁は前記封止部材で形成されている光学フィルタブロックを備え、
   前記光学フィルタブロックは、前記凹部が前記封止部から露出する前記光電変換チップを覆うように配置されている
   請求項１から６のいずれか１項に記載の光デバイス。
9. 前記光電変換チップと電気的に接続されたＩＣチップを備え、
   前記ＩＣチップは、前記封止部で覆われている
   請求項１から８のいずれか１項に記載の光デバイス。
10. 前記ＩＣチップは、前記光電変換チップに対して電流を供給する駆動回路、又は前記光電変換チップからの電流を検出する検出回路を有する
    請求項９に記載の光デバイス。
11. 前記再配線層と電気的に接続された外部接続端子を備える
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の光デバイス。
12. 前記半導体基板は、光透過性を有する
    請求項１から１１のいずれか１項に記載の光デバイス。

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