JP7343119B2

JP7343119B2 - 細胞培養基材、細胞培養容器、細胞の培養方法、細胞の製造方法、細胞培養基材の製造方法、および細胞培養容器の製造方法

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Description

本発明は、細胞培養基材、細胞培養容器、細胞の培養方法、細胞の製造方法、細胞培養基材の製造方法、および細胞培養容器の製造方法に関する。

近年、ｉＰＳ細胞（induced pluripotent stem cells）およびＥＳ細胞（embryonic stem cells）等の多能性細胞から目的の細胞、組織等を分化し、再生医療や創薬に利用することが試みられている。

前記多能性細胞の維持において、増殖した多能性細胞の一部が他の細胞に分化する場合がある。また、多能性細胞から、目的の細胞等への分化において、分化細胞の一部が、目的としていない細胞に分化する場合がある。

このような場合、目的の細胞以外の細胞等の除去は、人手で現在実施されている。しかしながら、この除去操作は、例えば、顕微鏡下での実施が必要等の手間がかかる上に、作業者の技術レベルにより得られる細胞等の品質は大きく異なるという問題がある（特許文献１）。

特表２０１４－５０９１９２号公報

そこで、本発明者らは、光熱変換ポリマー等の光応答性ポリマーを塗工し、光応答層を形成したディッシュを用いて細胞を選抜する方法を開発した。具体的には、まず、ディッシュ表面に光熱変換ポリマーを塗工し、光応答層を形成する。つぎに、ディッシュの光応答層上で細胞を培養後、除去する細胞の直下に存在する光応答層に光を照射する。これにより、前記光応答層内の光熱変換ポリマーが光を熱に変化し、前記光の被照射部の直上の細胞が熱により致死し、細胞の選抜が実施できる。

しかしながら、前記方法では、前記光応答層と細胞とが直接または間接的に接触するため、光応答層の形成に使用した溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、後述の色素構造等）もしくは未重合のモノマーが溶出した場合、細胞に影響がでる可能性がある。また、再生医療等に用いる医療用細胞の製造においては、細胞品質管理の観点から、細胞と溶剤と接触しないことが好ましい。

そこで、本発明は、光応答層と細胞との接触を回避可能な細胞培養基材の提供を目的とする。

前記目的を達成するために、本発明の細胞培養基材（以下、「培養基材」ともいう）は、支持体層と、光応答層と、細胞培養層とを備え、
前記光応答層は、前記支持体層に積層され、
前記細胞培養層は、前記光応答層に積層され、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能である。

本発明の細胞培養容器（以下、「培養容器」ともいう）は、前記本発明の細胞培養基材を備える。

本発明の細胞の培養方法（以下、「培養方法」ともいう）は、前記本発明の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む。

本発明の細胞の製造方法は、前記本発明の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む。

本発明の細胞培養基材の製造方法（以下、「培養基材の製造方法」ともいう）は、支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能である。

本発明の細胞培養容器の製造方法（以下、「培養容器の製造方法」ともいう）は、支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程と、
前記支持体層、前記光応答層、および前記細胞培養層を備える容器を形成する形成工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能である。

本発明の細胞培養基材によれば、光応答層と細胞との接触を回避可能である。

図１は、実施形態１の培養基材の構成の一例を示す模式断面図である。図２は、実施形態１の培養基材を用いた細胞の培養方法の一例を示す模式図である。図３は、実施形態１の培養基材を用いた細胞の培養方法の一例を示す模式図である。図４は、実施形態２の培養基材の一例を示す模式断面図である。図５は、実施形態３の培養容器の一例を示す模式図であり、（Ａ）は、培養容器の模式斜視図を示し、（Ｂ）は、（Ａ）におけるＩ－Ｉ方向から見た模式断面図である。図６は、実施形態３の培養容器の製造方法の一例を示す模式図である。図７は、実施形態３の培養容器の製造方法の他の例を示す模式図である。

本発明において、「細胞」は、例えば、単離された細胞、細胞から構成される細胞塊、組織、または臓器を意味する。前記細胞は、例えば、培養細胞でもよいし、生体から単離した細胞でもよい。また、前記細胞塊、組織または臓器は、例えば、前記細胞から作製した細胞塊、細胞シート、組織または臓器でもよいし、生体から単離した細胞塊、組織または臓器でもよい。

以下、本発明について、図面を参照して詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の説明に限定されない。なお、以下の図１～図７において、同一部分には、同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。また、図面においては、説明の便宜上、各部の構造は適宜簡略化して示す場合があり、各部の寸法比等は、実際とは異なり、模式的に示す場合がある。また、各実施形態は、特に言及しない限り、互いにその説明を援用できる。

＜細胞培養基材＞
本発明の細胞培養基材は、前述のように、支持体層と、光応答層と、細胞培養層とを備え、前記光応答層は、前記支持体層に積層され、前記細胞培養層は、前記光応答層に積層され、前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、前記細胞培養層は、細胞を培養可能である。本発明の培養基材は、細胞を培養可能な細胞培養層が、前記光応答層に積層されていることが特徴であり、その他の構成および条件は、特に制限されない。本発明の培養基材では、前記光応答層上に、前記細胞培養層が積層されているため、前記細胞培養層上で培養されている細胞と前記光応答層との間には、前記細胞培養層が介在する。このため、本発明の培養基材によれば、光応答層と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、前記光応答層の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、後述の色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。

（実施形態１）
本実施形態は、細胞培養基材の一例である。図１は、実施形態１の培養基材１０の構成を示す模式断面図である。図１に示すように、培養基材１０は、支持体層１１と、光応答層１２と、細胞培養層１３とを備える。支持体層１１には、光応答層１２が積層され、光応答層１２には、細胞培養層１３が積層されている。すなわち、培養基材１０では、支持体層１１、光応答層１２、および細胞培養層１３が、底面からこの順序で積層（配置）されている。

支持体層１１は、光応答層１２を形成する足場となる層であり、例えば、基材または基材層ということもできる。支持体層１１は、後述の光応答層１２を形成可能な支持体であればよく、例えば、シート状または板状の支持体があげられる。具体例として、支持体層１１は、ポリスチレン等のポリスチレン系ポリマー、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド等のポリイミド系ポリマー、ポリカーボネート等のポリカーボネート系ポリマー、もしくはポリオレフィン等のポリオレフィン系ポリマー等の樹脂製フィルム、薄膜、またはプレート；ガラス基板等の板状またはフィルム状のガラス；等があげられる。前記ガラス製の支持体としては、例えば、スライドグラス、プレパラート等を用いてもよい。

光応答層１２は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質（光応答性分子）を含む層である。光応答層１２は、例えば、光照射により熱のみが生じてもよいし、磁性の変化のみが生じてもよいし、両者が生じてもよい。光応答層１２が光照射により熱および磁性の変化が生じる場合、光応答層１２は、例えば、光照射により熱が生じる層と磁性の変化が生じる層とを別の層として備えてもよいし、一つの層として備えてもよい。前記磁性は、例えば、磁気ということもできる。

光応答層１２が光照射により熱が生じる光応答物質を含む場合、光応答層１２は、例えば、光熱変換層ということもできる。前記「光照射により熱が生じる」は、例えば、対照の培養基材に光を照射し、被照射部の照射前後の温度変化（上昇温度）と比較して、有意に温度変化が増大している、すなわち、温度が上昇していることを意味する。前記対照の培養基材は、例えば、光応答層１２を含まない以外は、本発明の培養基材と同様の構成を有する培養基材である。

光応答層１２が前記光熱変換層である場合、光応答層１２は、前記光応答性物質として、光を熱に変換可能な分子（光熱変換分子）を含む。前記光熱変換分子は、支持体層１１へのコーティングが容易であることが好ましい。前記光熱変換分子は、例えば、後述の培養方法において照射する光Ｌの波長を吸収する色素構造（発色団）を含んだポリマー（高分子）により構成することが好ましい。前記ポリマーは、例えば、主鎖と側鎖とを含み、前記側鎖に色素構造を有することが好ましい。前記主鎖は、特に制限されず、任意のポリマー骨格を使用できる。前記ポリマー骨格は、例えば、アクリル系ポリマー、ポリスチレン系ポリマー、ポリオレフィン系ポリマー、ポリ酢酸ビニルやポリ塩化ビニル、ポリオレフィン系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、エポキシ系ポリマー等があげられる。光Ｌを吸収する色素構造は、例えば、アゾベンゼン、ジアリールエテン、スピロピラン、スピロオキサジン、フルギド、ロイコ色素、インジゴ、カロチノイド（カロテン等）、フラボノイド（アントシアニン等）、キノイド（アントラキノン等）等の有機化合物の誘導体があげられる。具体例として、前記光熱変換分子は、例えば、下記式（１）で表される、ポリ［メチルメタクリラート－ｃｏ－（ジスパースイエロー７メタクリラート）］（（Ｃ_５Ｈ_８Ｏ_２）_ｍ（Ｃ_２３Ｈ_２０Ｎ_４Ｏ_２）_ｎ）があげられる。下記式（１）において、ポリマーにおけるアゾベンゼンの構造は、無置換のアゾベンゼンの他、ニトロ基、アミノ基、メチル基等で修飾した様々なバリエーションの構造を採用してもよい。下記式（１）において、ｍおよびｎは、モル百分率であり、ｍ＋ｎは、例えば、１００ｍｏｌ％である。光応答層１２は、例えば、１種類の光熱変換分子を含んでもよいし、複数種類の光熱変換分子を含んでもよい。

前記光熱変換分子は、ナノカーボンでもよい。前記ナノカーボンは、例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンブラック等があげられ、光熱変換効率が高いことから、好ましくは、カーボンナノチューブである。前記カーボンナノチューブは、単層ナノチューブ（SWNT）でもよいし、多層ナノチューブ（MWNT）でもよい。

光応答層１２が光照射により磁性の変化が生じる光応答物質を含む場合、光応答層１２は、例えば、光磁気変換層ということもできる。前記「光照射により磁性の変化が生じる」は、例えば、光を照射することにより、被照射部の磁性が有意に変化することを意味する。前記磁性の変化は、例えば、磁気の増大または減少でもよいし、磁気の喪失でもよい。

光応答層１２が前記光磁気変換層である場合、光応答層１２は、前記光応答性物質として、光を磁気の変化に変換可能な分子（光磁気変換分子）を含む。前記光磁気変換分子としては、光磁気ディスクの記録層に使用されている、光の照射により、磁性の変化が生じる磁性体が使用できる。具体例として、前記光磁気変換分子は、例えば、Ｔｂ（テルビウム）Ｆｅ（鉄）、ＴｂＦｅＣｏ（コバルト）、ＴｂＣｏ、Ｇｄ（ガドリニウム）ＦｅＣｏ、Ｄｙ（ジスプロシウム）ＴｂＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属との合金、Ｍｎ（マンガン）Ｂｉ（ビスマス）、ＭｎＣｕ（銅）Ｂｉ等のＭｎ系合金、Ｐｔ（白金）／Ｃｏ等の白金合金等があげられる。

実施形態１の培養基材１０において、光応答層１２は、１層であるが、複数層であってもよい。この場合、支持体層１１と、細胞培養層１３との間に、複数層の光応答層１２が配置されることが好ましい。また、実施形態１の培養基材１０において、光応答層１２は、細胞培養層１３と接触するように配置されているが、接触しないように配置されてもよい。この場合、光応答層１２と細胞培養層１３とは、熱的または磁気的に接続されていればよい。具体的には、光応答層１２と細胞培養層１３との間には、光応答層１２で生じた熱を細胞培養層１３に伝導する熱伝導層または光応答層１２で生じた磁性の変化を細胞培養層１３に伝導する磁気伝導層が形成されている。前記熱伝導層または磁気伝導層は、例えば、金属等の熱伝導率または磁気伝導率の高い分子を含む。

細胞培養層１３は、細胞を培養可能な層である。細胞培養層１３は、例えば、細胞を培養可能な空間（細胞培養領域）の底面を形成する層ということもできる。また、細胞培養層１３は、前記細胞と光応答層１２との接触を遮断または遮蔽可能であるため、遮断層、遮蔽層または隔離層ということもできる。前記細胞は、細胞培養層１３の上面、すなわち、細胞培養層１３における光応答層１２との接触面とは反対側の面より上の空間で培養される。前記細胞の培養において、前記細胞は、例えば、細胞培養層１３に接触してもよいし、接触しなくてもよい。

細胞培養層１３は、例えば、細胞培養容器において底面を形成する材料と同様の材料から形成できる。具体例として、細胞培養層１３は、例えば、ポリスチレン等のポリスチレン系ポリマー、ポリメチルペンテン、ポリカーボネート等のポリカーボネート系ポリマー、ＰＥＴ、ポリプロピレン等のポリプロピレン系ポリマー、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド等のポリイミド系ポリマー等のプラスチック；ガラス；石英；シリコーン樹脂；セルロース系材料；等から形成できる。細胞培養層１３は、例えば、細胞外マトリックスから形成されない。

細胞培養層１３の表面は、例えば、細胞の接着性を向上するための処理を行なってもよい。前記処理は、例えば、細胞培養層１３の細胞培養領域側表面を親水化する処理があげられる。具体例として、前記処理は、例えば、プラズマ処理等があげられる。

実施形態１の培養基材１０において、支持体層１１、光応答層１２、および細胞培養層１３の厚みは、特に制限されない。支持体層１１の厚みは、例えば、１μｍ～５０００μｍである。光応答層１２の厚みは、例えば、１ｎｍ～５μｍである。細胞培養層１３の厚みは、例えば、１ｎｍ～５μｍである。細胞培養層１３の厚みは、光応答層１２で生じた熱または磁性の変化が細胞培養層１３の細胞に伝達可能な厚みに調整されることが好ましい。

つぎに、実施形態１の培養基材１０の製造方法の一例について、説明する。

培養基材１０の製造方法では、まず、支持体層１１に光応答層１２を積層する（第１の積層工程）。前記第１の積層工程において、光応答層１２の積層方法は、特に制限されず、一般的な成膜方法により実施でき、具体例として、コータ式、ダイ式、ドクターブレード式等の塗布法、印刷法（スクリーン法）、蒸着法、スパッタリング法、キャスト法、スピンコート法等により実施できる。

光応答層１２が前記光熱変換層の場合、すなわち、光応答層１２が光照射により熱が生じる光熱変換ポリマーを含む場合、前記第１の積層工程では、前記光熱変換ポリマーを用いて、光応答層１２を積層する。具体的には、前記第１の積層工程では、前記光熱変換ポリマーを用いて、塗布法、印刷法、キャスト法、スピンコート法等の前述の成膜方法を実施することにより、光応答層１２を形成してもよいし、前記光熱変換ポリマーのモノマーと、重合開始剤とを含む溶媒を用いて、塗布法、印刷法、キャスト法、スピンコート法等の前述の成膜方法を実施することにより、光応答層１２を形成してもよい。また、前記第１の積層工程では、光応答層１２をフィルムとして予め成膜し、得られたフィルム状の光応答層１２を支持体層１１に積層することにより、実施してもよい。前記溶媒は、前記モノマーおよび重合開始剤の種類に応じて適宜決定でき、具体例として、有機溶媒があげられる。

光応答層１２が前記光磁気変換層の場合、すなわち、光応答層１２が光照射により磁性の変化が生じる磁性体を含む場合、前記第１の積層工程では、前記磁性体を用いて、光応答層１２を積層する。具体的には、前記第１の積層工程では、前記磁性体を用いて、蒸着法、スパッタリング法等の前述の成膜方法を実施することにより、光応答層１２を形成してもよい。また、前記磁性体と、ポリマーとを含む溶媒を用いて、塗布法、印刷法、キャスト法、スピンコート法等の前述の成膜方法を実施することにより、光応答層１２を形成してもよい。また、前記第１の積層工程では、光応答層１２をフィルムまたはプレート（板）として予め成膜し、得られたフィルム状またはプレート状の光応答層１２を支持体層１１に積層することにより、実施してもよい。

つぎに、培養基材１０の製造方法では、光応答層１２に細胞培養層１３を積層する（第２の積層工程）。前記第２の積層工程において、細胞培養層１３の積層方法は、特に制限されず、一般的な成膜方法により実施でき、具体例として、塗布法、印刷法（スクリーン法）、蒸着法、スパッタリング法、キャスト法、スピンコート法等により実施できる。具体的には、前記第２の積層工程では、細胞培養層１３を構成するプラスチックまたはガラス等を含む溶媒を用いて、塗布法、印刷法、キャスト法、スピンコート法等の前述の成膜方法を実施することにより、細胞培養層１３を形成してもよい。また、前記第２の積層工程では、細胞培養層１３をフィルムまたはプレート（板）として予め成膜し、得られたフィルム状またはプレート状の細胞培養層１３を光応答層１２に積層することにより、実施してもよい。このようにして、培養基材１０を製造できる。

つぎに、実施形態１の培養基材１０を用いた細胞の培養方法の一例について、図２を用いて、説明する。図２（Ａ）～（Ｃ）は、光応答層１２が光熱変換ポリマーを含む培養基材１０を用いた細胞の培養方法および選抜方法の一例を示す模式図である。

まず、図２（Ａ）に示すように、実施形態１の細胞の培養方法では、培養基材１０を用いて細胞Ｃを培養する（培養工程）。具体的には、培養基材１０上に細胞Ｃを播種し、培養基材１０の細胞培養層１３上で細胞Ｃを培養する。細胞Ｃは、選抜対象の細胞Ｃ１（所望の細胞）と、選抜対象外の細胞Ｃ２とを含む。前記培養工程に用いる培地は、細胞Ｃの種類に応じて適宜決定できる。また、前記培養工程における培養条件は、細胞Ｃの種類に応じて適宜決定できる。

つぎに、細胞Ｃから選抜対象の細胞Ｃ１を選抜する（選抜工程）。具体的には、図２（Ｂ）に示すように、選抜対象外の細胞Ｃ２の直下に存在する培養基材１０の光応答層１２に光Ｌを照射する。光Ｌは、レーザ光が好ましい。光Ｌのスポット径は、例えば、１０～２００μｍである。光Ｌの波長は、前記光熱変換ポリマーが吸光する波長に応じて適宜設定できる。前記光熱変換ポリマーが前記式（１）のポリマーの場合、光Ｌの波長は、例えば、約４０５ｎｍである。光Ｌのエネルギー量は、細胞培養層１３に積層する細胞が致死する温度となるエネルギー量が好ましく、具体例として、光Ｌの被照射部の光応答層１２の直上の細胞培養層１３の温度が、５０℃以上、６０℃以上、７０℃以上、８０℃以上、９０℃以上、好ましくは、１００℃以上、１１０℃以上、１２０℃以上となるエネルギー量である。これにより、図２（Ｃ）に示すように、細胞Ｃ２は、熱により致死することで除去され、選抜対象の細胞Ｃ１を選抜することができる。なお、本実施形態では、光応答層１２が前記光熱変換分子として光熱変換ポリマーを含む例をあげて説明したが、前記光熱変換分子は、ナノカーボンでもよい。前記光熱変換分子がナノカーボンの場合、光Ｌの波長は、例えば、近赤外域の波長である。

つぎに、実施形態１の培養基材１０を用いた細胞の培養方法の一例について、図３を用いて、説明する。図３（Ａ）～（Ｃ）は、光応答層１２が磁性体を含む培養基材１０を用いた細胞の培養方法および配置方法の一例を示す模式図である。

まず、図３（Ａ）に示すように、実施形態１の細胞の培養方法では、培養基材１０を用いて細胞Ｃを培養する（培養工程）。具体的には、培養基材１０上に細胞Ｃを播種し、培養基材１０の細胞培養層１３上で細胞Ｃを培養する。細胞Ｃは、磁性体Ｐによりラベルされている。磁性体Ｐは、例えば、磁性ビーズ等があげられる。

つぎに、細胞Ｃを所望の位置に配置する。具体的には、細胞Ｃを配置する領域の直下に存在する培養基材１０の光応答層１２に光Ｌを照射する。本実施形態では、細胞Ｃを直線上に配置するため、図３（Ｂ）において矢印で示すように、直線状に光Ｌを照射している。また、光Ｌの照射と併せて、光応答層１２の照射領域に、磁性体Ｐを引きつける磁力を付与するように、磁石等を用いて磁力を与える。光応答層１２が含む磁性体は、光によってキュリー温度に達すると磁性体の保磁力が失われ（磁性の喪失）、また、磁性体の温度がキュリー温度から下がる瞬間に磁力を与えることにより、前記磁性体は与えられた磁力を保持（記憶）する。このため、光応答層１２が光磁気変換層である場合、光Ｌを照射することにより、所望の領域Ｒ_Ｌに磁性体Ｐを引きつける磁力を付与することができる。これにより、図３（Ｃ）に示すように、細胞Ｃをラベルしている磁性体Ｐが所望の領域Ｒ_Ｌに引きつけられ、細胞Ｃを所望の領域Ｒ_Ｌ（図３（Ｃ）においては直線状）に配置できる。

実施形態１の培養基材１０では、光応答層１２上に、細胞培養層１３が積層されているため、細胞培養層１３上で培養されている細胞Ｃと光応答層１２との間には、細胞培養層１３が介在する。このため、実施形態１の培養基材１０によれば、光応答層１２と細胞Ｃとの接触を回避可能であり、これにより、例えば、光応答層１２の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、前記色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。

（実施形態２）
本実施形態は、細胞培養基材の他の例である。図４は、実施形態２の培養基材２０の構成を示す模式断面図である。図４に示すように、実施形態１の培養基材１０の各層に加え、足場基材層１４を備える。足場基材層１４は、細胞培養層１３に積層されている。すなわち、培養基材２０では、支持体層１１、光応答層１２、細胞培養層１３、および足場基材層１４が、底面からこの順序で積層されている。この点を除き、実施形態２の培養基材２０は、実施形態１の培養基材１０と同様の構成を備え、その説明を援用できる。

足場基材層１４は、足場基材を含む層である。前記足場基材は、例えば、細胞の培養時に細胞の足場となる物質を意味する。前記足場基材は、例えば、細胞外基質（細胞外マトリックス）または細胞の足場としての機能を有する物質があげられる。前記細胞外基質は、例えば、エラスチン；エンタクチン；I型コラーゲン、II型コラーゲン、III型コラーゲン、IV型コラーゲン、Ｖ型コラーゲン、VII型コラーゲン等のコラーゲン；テネイシン；フィブリリン；フィブロネクチン；ラミニン；ビトロネクチン（Vitronectin）；コンドロイチン硫酸、ヘパラン硫酸、ケラタン硫酸、デルマタン硫酸等の硫酸化グルコサミノグリカンと、コアタンパク質とから構成されるプロテオグリカン；コンドロイチン硫酸、ヘパラン硫酸、ケラタン硫酸、デルマタン硫酸、ヒアルロン酸等のグルコサミノグリカン；Synthemax（登録商標、ビトロネクチン誘導体）、Matrigel（登録商標、ラミニン、IV型コラーゲン、ヘパリン硫酸プロテオグリカン、エンタクチン／ニドゲン等の混合物）等があげられ、好ましくは、ラミニンである。前記足場基材は、前記タンパク質のペプチド断片または前記糖鎖の断片を含んでもよい。具体例として、前記タンパク質のペプチド断片は、例えば、ラミニンの断片があげられる。前記ラミニンの断片（フラグメント）は、例えば、ラミニン211-E8、ラミニン311-E8、ラミニン411-E8、ラミニン511-E8等があげられる。前記ラミニン211-E8は、ラミニンのα２鎖、β１鎖、およびγ１鎖の断片から構成される。前記ラミニン311-E8は、ラミニンのα３鎖、β１鎖、およびγ１鎖の断片から構成される。前記ラミニン411-E8は、ラミニンのα４鎖、β１鎖、およびγ１鎖の断片から構成される。前記ラミニン511-E8は、ラミニンのα５鎖、β１鎖、およびγ１鎖の断片から構成される。

実施形態２の培養基材２０において、足場基材層１４は、１層であるが、複数層であってもよい。

足場基材層１４は、前記足場基材に加え、他の成分を含んでもよい。前記他の成分は、例えば、緩衝剤、塩、成長因子（細胞増殖因子）、サイトカイン、ホルモン等があげられる。

つぎに、実施形態２の培養基材２０の製造方法の一例について、説明する。実施形態２の培養基材２０の製造方法は、実施形態１の培養基材１０の製造方法の各工程に加え、細胞培養層１３に、足場基材層１４を積層する第３の積層工程を含む。この点を除き、実施形態２の培養基材２０の製造方法は、実施形態１の培養基材１０の製造方法と同様であり、その説明を援用できる。

前記第３の積層工程では、足場基材を用いて、足場基材層１４を積層する。前記第３の積層工程において、足場基材層１４の積層方法は、特に制限されず、一般的な成膜方法により実施でき、具体例として、前記足場基材を含む溶液を用いて、塗布法、印刷法（スクリーン法）、蒸着法、スパッタリング法、キャスト法、スピンコート法等により実施できる。

本実施形態の培養基材２０を用いた細胞の培養方法は、例えば、前述の実施形態１の培養基材１０と同様に実施できる。

実施形態２の培養基材２０では、足場基材層１４を備えるため、細胞を好適な環境で培養できる。

＜細胞培養容器＞
本発明の細胞培養容器は、前述のように、前記本発明の細胞培養基材を備える。本発明の培養容器は、前記本発明の培養基材を備えることが特徴であり、その他の構成および条件は、特に制限されない。本発明の培養容器では、前記光応答層上に、前記細胞培養層が積層されているため、前記細胞培養層上で培養されている細胞と前記光応答層との間には、前記細胞培養層が介在する。このため、本発明の培養容器によれば、光応答層と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、前記光応答層の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、前記色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。また、本発明の培養容器は、例えば、後述のように、前記本発明の培養基材を用いて製造できるため、培養容器の形状を任意の形状とすることができる。本発明の培養容器は、前記本発明の培養基材の説明を援用できる。

（実施形態３）
本実施形態は、細胞培養容器の一例である。図５は、実施形態３の培養容器３０の構成を示す模式図であり、（Ａ）は、培養容器３０の模式斜視図を示し、（Ｂ）は、（Ａ）におけるＩ－Ｉ方向から見た模式断面図である。図５（Ａ）に示すように、培養容器３０は、容器１５と、培養基材１０とを備える。容器１５は、底面１５ａおよび側壁１５ｂを備える。また、図５（Ｂ）に示すように、培養基材１０は、その底面（支持体層１１の底面）が底面１５ａの上面と接触するように配置されている。すなわち、培養容器３０では、底面１５ａ、支持体層１１、光応答層１２、および細胞培養層１３が、底面からこの順序で積層（配置）されている。培養基材１０の構成は、実施形態１の培養基材１０の構成と同様であり、その説明を援用できる。

容器１５は、前記細胞を培養可能である。容器１５において、底面１５ａ上に配置された培養基材１０の細胞培養層１３と、側壁１５ｂとで囲まれた空間が、前記細胞を培養可能な領域（細胞培養領域）である。容器１５は、細胞培養容器があげられ、具体例として、ディッシュ、プレート、フラスコ（細胞培養フラスコ）等があげられる。容器１５の大きさ、容積、材質、接着処理の有無等は、培養容器３０で培養する細胞の種類および量に応じて適宜決定できる。

容器１５は、前記細胞培養領域を１つ有するが、複数有してもよい。後者の場合、容器１５は、例えば、複数のウェルを有するということもできる。また、後者の場合、複数の細胞培養領域のうち、いずれか１つに培養基材１０が配置されてもよいし、複数に培養基材１０が配置されてもよいし、全てに培養基材１０が配置されてもよい。すなわち、容器１５は、複数のウェルのうち、いずれか１ウェル、２ウェル以上または全てのウェルに培養基材１０が配置されてもよい。

本実施形態において、容器１５は、蓋を含んでもよい。前記蓋は、例えば、容器１５の容器１５の上面を着脱可能に覆うことができる。前記蓋は、例えば、底面１５ａと対向するように配置される。前記蓋は、例えば、前記細胞培養容器の蓋があげられる。

本実施形態の培養容器３０において、培養基材１０は、容器１５の底面１５ａ上に積層されているが、培養基材１０の配置はこれに限定されない。培養基材１０は、例えば、容器１５の底面１５ａに加え、または代えて側壁１５ｂの内周面、すなわち、細胞培養領域側に配置されてもよい。この場合、培養基材１０は、細胞培養層１３が細胞培養領域側に配置されるように、側壁１５ｂの内周面に配置される。

培養容器３０は、さらに、前述の足場基材層を備えてもよい、すなわち、培養基材１０に代えて、培養基材２０を備えてもよい。

つぎに、実施形態３の培養容器３０の製造方法の一例について、図６を用いて説明する。

本例の培養容器３０の製造方法では、まず、図６（Ａ）に示すように、培養基材１０を製造する。具体的には、培養容器３０の製造方法では、支持体層１１に光応答層１２を積層する（第１の積層工程）。つぎに、光応答層１２に細胞培養層１３を積層する（第２の積層工程）。前記第１の積層工程および前記第２の積層工程は、実施形態１の培養基材１０の製造方法と同様であり、その説明を援用できる。

つぎに、図６（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、支持体層１１、光応答層１２、および細胞培養層１３を備える容器１５を形成する（容器形成工程）。具体的には、容器１５を形成可能な金型２１を準備する。金型２１は、金型２１ａ（固定側型板）、金型２１ｂ（稼働側型板）から構成される。図６（Ｂ）に示すように、金型２１ｂの凸部の金型２１ａ側の面に対して、培養基材１０の細胞培養層１３が接触するように、培養基材１０を配置する。つぎに、金型２１ａ、２１ｂの間で容器１５を射出成型する。金型２１において、容器１５を構成する樹脂は、ゲート２１ｃから導入される。これにより、図６（Ｃ）に示すように、培養基材１０を備える容器１５を形成できる。射出成型に用いる樹脂は、例えば、細胞培養層１３の形成材料の説明を援用できる。前記樹脂は、細胞培養層１３の形成材料と同じでもよいし、異なってもよい。

培養基材１０をディッシュ等の容器１５においてスピンコート等の成膜方法により製造しようとする場合、容器１５が円状等の特定の形状の場合、培養基材１０の形成が困難である。本実施形態の培養容器３０の製造方法によれば、支持体層１１に、光応答層１２および細胞培養層１３を形成し、得られた培養基材１０に対して容器１５を形成する。このため、容器１５の形状によらずに、培養基材１０を備える容器１５を製造できる。

つぎに、実施形態３の培養容器３０の製造方法の他の例について、図７を用いて説明する。

本例の培養容器３０の製造方法では、まず、図７（Ａ）に示すように、支持体層１１に光応答層１２が積層された部材を製造する。具体的には、培養容器３０の製造方法では、支持体層１１に光応答層１２を積層する（第１の積層工程）。前記第１の積層工程は、実施形態１の培養基材１０の製造方法と同様であり、その説明を援用できる。

つぎに、図７（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、支持体層１１、光応答層１２、および細胞培養層１３を備える容器１５を形成する（容器形成工程）。前記容器形成工程では、容器１５の形成と同時に、細胞培養層１３が形成される。このため、培養容器３０の製造方法では、前記容器形成工程は、前記第２の積層工程を兼ねている、すなわち、前記第２の積層工程と前記容器形成工程とを同時または並行して実施している。

まず、容器１５を形成可能な金型２１を準備する。金型２１は、金型２１ａ（固定側型板）、金型２１ｂ（稼働側型板）から構成される。図７（Ｂ）に示すように、金型２１ｂの凸部の金型２１ａ側の面と、金型２１ａの凹部の金型２１ｂ側の面との間に、前記部材を、金型２１ａ、２１ｂの両表面から離隔した状態となるように、前記部材を配置する。つぎに、金型２１ａ、２１ｂの間で容器１５を射出成型する。金型２１において、容器１５を構成する樹脂は、ゲート２１ｃから導入される。これにより、図７（Ｃ）に示すように、容器１５が形成されると共に、細胞培養層１３が形成されるため、培養基材１０を備える容器１５を形成できる。本実施形態の培養容器３０の製造方法によれば、より簡便に培養基材１０を備える容器１５を製造できる。

なお、実施形態３の培養容器３０の製造方法では、フィルムインサート成型である射出成型を用いた培養容器３０の製造方法を例にあげて説明したが、容器形成工程は、これに限定されない。前記容器形成工程は、例えば、容器１５を形成後、その細胞培養領域の底面に、培養基材を配置することにより、実施してもよい。

本実施形態の培養容器３０を用いた細胞の培養方法は、例えば、前述の実施形態１の培養基材１０と同様に実施できる。

実施形態３の培養容器３０では、光応答層１２上に、細胞培養層１３が積層されているため、細胞培養層１３上で培養されている細胞と光応答層１２との間には、細胞培養層１３が介在する。このため、実施形態３の培養容器３０によれば、光応答層１２と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、光応答層１２の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、前記色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。

＜細胞の培養方法＞
本発明の細胞の培養方法は、前述のように、前記本発明の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む。本発明の培養方法は、前記培養工程において、前記本発明の培養基材を用いることが特徴であり、その他の工程および条件は、特に制限されない。本発明の培養方法は、前記本発明の培養基材および培養容器の説明を援用できる。

本発明の培養方法は、前記本発明の培養基材として、前記本発明の培養容器を用いてもよい。

本発明の培養方法は、前記細胞から所望の細胞を選抜する選抜工程を含んでもよい。前記所望の細胞は、例えば、胚性幹細胞（ＥＳ）細胞、ｉＰＳ細胞等の多能性細胞等の未分化の幹細胞、特定の分化段階の細胞（分化細胞）等があげられる。前記分化細胞は、心筋細胞、神経細胞、肝臓細胞等があげられる。また、本発明の培養方法は、前記細胞の位置を制御する、すなわち、前記細胞を整列させる工程を含んでもよい、

＜細胞の製造方法＞
本発明の細胞の製造方法は、前述のように、前記本発明の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む。本発明の製造方法は、前記培養工程において、前記本発明の培養基材を用いることが特徴であり、その他の工程および条件は、特に制限されない。本発明の細胞の製造方法は、前記本発明の培養基材、培養容器、および培養方法の説明を援用できる。

本発明の細胞の製造方法は、前記本発明の培養基材として、前記本発明の培養容器を用いてもよい。また、本発明の細胞の製造方法は、前記細胞から所望の細胞を選抜する選抜工程を含んでもよい。

＜細胞培養基材の製造方法＞
本発明の細胞培養基材の製造方法は、前述のように、支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程を含み、前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、前記細胞培養層は、細胞を培養可能である。本発明の培養基材の製造方法は、前記第２の積層工程を含むことが特徴であり、その他の工程および条件は、特に制限されない。本発明の培養基材の製造方法では、前記光応答層上に、前記細胞培養層が積層されているため、前記細胞培養層上で培養されている細胞と前記光応答層との間には、前記細胞培養層が介在する培養基材を製造できる。このため、本発明の培養基材の製造方法により得られる培養基材によれば、光応答層と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、前記光応答層の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、前記色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。本発明の培養基材の製造方法は、前記本発明の培養基材、培養容器、および培養方法の説明を援用できる。

＜細胞培養容器の製造方法＞
本発明の細胞培養容器の製造方法は、前述のように、支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程と、前記支持体層、前記光応答層、および前記細胞培養層を備える容器を形成する形成工程を含み、前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、前記細胞培養層は、細胞を培養可能である。本発明の培養容器の製造方法は、前記第２の積層工程を含むことが特徴であり、その他の工程および条件は、特に制限されない。本発明の培養容器の製造方法では、前記光応答層上に、前記細胞培養層が積層されているため、前記細胞培養層上で培養されている細胞と前記光応答層との間には、前記細胞培養層が介在する培養基材を製造できる。このため、本発明の培養容器の製造方法により得られる培養基材によれば、光応答層と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、前記光応答層の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、前記色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。本発明の培養容器の製造方法は、前記本発明の培養基材、培養容器、および培養方法の説明を援用できる。

以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。

＜付記＞
上記の実施形態および実施例の一部または全部は、以下の付記のように記載されうるが、以下には限られない。
（付記１）
支持体層と、光応答層と、細胞培養層とを備え、
前記光応答層は、前記支持体層に積層され、
前記細胞培養層は、前記光応答層に積層され、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能である、細胞培養基材。
（付記２）
前記光応答層は、光照射により、熱が生じる光熱変換分子を含む、付記１記載の細胞培養基材。
（付記３）
前記光応答層は、光照射により、磁性の変化が生じる磁性体を含む、付記１または２記載の細胞培養基材。
（付記４）
足場基材層を備え、
前記足場基材層は、足場基材を含み、
前記足場基材層は、前記細胞培養層に積層されている、付記１から３のいずれかに記載の細胞培養基材。
（付記５）
前記支持体層は、シート状支持体である、付記１から４のいずれかに記載の細胞培養基材。
（付記６）
付記１から５のいずれかに記載の細胞培養基材を備える、細胞培養容器。
（付記７）
付記１から５のいずれかに記載の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む、細胞の培養方法。
（付記８）
前記細胞培養基材は、前記細胞培養基材を備える細胞培養容器である、付記７記載の培養方法。
（付記９）
前記細胞から所望の細胞を選抜する選抜工程を含む、付記７または８記載の培養方法。
（付記１０）
付記１から５のいずれかに記載の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む、細胞の製造方法。
（付記１１）
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能である、細胞培養基材の製造方法。
（付記１２）
前記光応答層は、光照射により、熱が生じる光熱変換分子を含み、
前記第１の積層工程において、前記光熱変換分子を用いて、前記光応答層を積層する、付記１１記載の細胞培養基材の製造方法。
（付記１３）
前記光応答層は、磁性の変化が生じる磁性体を含み、
前記第１の積層工程において、前記磁性体を用いて、前記光応答層を積層する、付記１１または１２記載の細胞培養基材の製造方法。
（付記１４）
前記細胞培養層に、足場基材層を積層する第３の積層工程を含み、
前記足場基材層は、足場基材を含む、付記１１から１３のいずれかに記載の細胞培養基材の製造方法。
（付記１５）
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程と、
前記支持体層、前記光応答層、および前記細胞培養層を備える容器を形成する形成工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能である、細胞培養容器の製造方法。
（付記１６）
前記第２の積層工程と前記形成工程とを同時に実施する、付記１５記載の細胞培養容器の製造方法。
（付記１７）
前記光応答層は、光照射により、熱が生じる光熱変換分子を含み、
前記第１の積層工程において、前記光熱変換分子を用いて、前記光応答層を積層する、付記１５または１６記載の細胞培養容器の製造方法。
（付記１８）
前記光応答層は、磁性の変化が生じる磁性体を含み、
前記第１の積層工程において、前記磁性体を用いて、前記光応答層を積層する、付記１５から１７のいずれかに記載の細胞培養容器の製造方法。
（付記１９）
前記細胞培養層に、足場基材層を積層する第３の積層工程を含み、
前記足場基材層は、足場基材を含む、付記１５から１８のいずれかに記載の細胞培養容器の製造方法。

以上説明したように、本発明の培養基材では、前記光応答層上に、前記細胞培養層が積層されているため、前記細胞培養層上で培養されている細胞と前記光応答層との間には、前記細胞培養層が介在する。このため、本発明の培養基材によれば、光応答層と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、前記光応答層の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖（例えば、前記色素構造等）もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。このため、本発明は、細胞の培養を行なう生命科学分野、再生医療分野等において、極めて有用である。

１０、２０培養基材
１１支持体層
１２光応答層
１３細胞培養層
１４足場基材層
１５容器
１５ａ底面
１５ｂ側壁
２１、２１ａ、２１ｂ成型金型
２１ｃゲート
３０培養容器

Claims

支持体層と、光応答層と、細胞培養層とを備え、
前記光応答層は、前記支持体層に積層され、
前記細胞培養層は、前記光応答層の全面に積層され、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、
前記支持体層と前記細胞培養層とは、同じ材料から形成されており、
前記細胞と前記光応答層との接触は遮断される、細胞培養基材。
支持体層と、光応答層と、細胞培養層とを備え、
前記光応答層は、前記支持体層に積層され、
前記細胞培養層は、前記光応答層の全面に積層され、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、かつ、プラスチック、ガラス、石英、シリコーン樹脂、またはセルロース系材料から形成されており、
前記細胞と前記光応答層との接触は遮断される、細胞培養基材。
前記光応答層は、光照射により、熱が生じる光熱変換分子を含む、請求項１または２に記載の細胞培養基材。
支持体層と、光応答層と、細胞培養層とを備え、
前記光応答層は、前記支持体層に積層され、
前記細胞培養層は、前記光応答層に積層され、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、
前記光応答層は、光照射により、磁性の変化が生じる磁性体を含む、細胞培養基材。
前記支持体層と前記細胞培養層とは、同じ材料から形成されている、請求項２または４に記載の細胞培養基材。
足場基材層を備え、
前記足場基材層は、足場基材を含み、
前記足場基材層は、前記細胞培養層に積層されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の細胞培養基材。
前記支持体層は、シート状支持体である、請求項１から６のいずれか一項に記載の細胞培養基材。
請求項１から７のいずれか一項に記載の細胞培養基材を備える、細胞培養容器。
請求項１から８のいずれか一項に記載の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む、細胞の培養方法。
前記細胞培養基材は、前記細胞培養基材を備える細胞培養容器である、請求項９に記載の培養方法。
前記細胞から所望の細胞を選抜する選抜工程を含む、請求項９または１０に記載の培養方法。
請求項１から７のいずれか一項に記載の細胞培養基材を用いて、細胞を培養する培養工程を含む、細胞の製造方法。
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層の全面に、細胞培養層を積層する第２の積層工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、
前記支持体層と前記細胞培養層とは、同じ材料から形成されており、
前記細胞と前記光応答層との接触は遮断される、細胞培養基材の製造方法。
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層の全面に、細胞培養層を積層する第２の積層工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、かつ、プラスチック、ガラス、石英、シリコーン樹脂、またはセルロース系材料から形成されており、
前記細胞と前記光応答層との接触は遮断される、細胞培養基材の製造方法。
前記光応答層は、光照射により、熱が生じる光熱変換分子を含み、
前記第１の積層工程において、前記光熱変換分子を用いて、前記光応答層を積層する、請求項１３または１４に記載の細胞培養基材の製造方法。
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、
前記光応答層は、磁性の変化が生じる磁性体を含み、
前記第１の積層工程において、前記磁性体を用いて、前記光応答層を積層する、細胞培養基材の製造方法。
前記支持体層と、前記細胞培養層とは、同じ材料から形成されている、請求項１４または１６に記載の細胞培養基材の製造方法。
前記細胞培養層に、足場基材層を積層する第３の積層工程を含み、
前記足場基材層は、足場基材を含む、請求項１３から１７のいずれか一項に記載の細胞培養基材の製造方法。
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層の全面に、細胞培養層を積層する第２の積層工程と、
前記支持体層、前記光応答層、および前記細胞培養層を備える容器を形成する形成工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、
前記支持体層と前記細胞培養層とは、同じ材料から形成されており、
前記細胞と前記光応答層との接触は遮断される、細胞培養容器の製造方法。
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層の全面に、細胞培養層を積層する第２の積層工程と、
前記支持体層、前記光応答層、および前記細胞培養層を備える容器を形成する形成工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、かつ、プラスチック、ガラス、石英、シリコーン樹脂、またはセルロース系材料から形成されており、
前記細胞と前記光応答層との接触は遮断される、細胞培養容器の製造方法。
前記第２の積層工程と前記形成工程とを同時に実施する、請求項１９または２０に記載の細胞培養容器の製造方法。
前記光応答層は、光照射により、熱が生じる光熱変換分子を含み、
前記第１の積層工程において、前記光熱変換分子を用いて、前記光応答層を積層する、請求項１９から２１のいずれか一項に記載の細胞培養容器の製造方法。
支持体層に光応答層を積層する第１の積層工程と、
前記光応答層に、細胞培養層を積層する第２の積層工程と、
前記支持体層、前記光応答層、および前記細胞培養層を備える容器を形成する形成工程を含み、
前記光応答層は、光照射により、熱および磁性の変化の少なくとも一方が生じる光応答性物質を含み、
前記細胞培養層は、細胞を培養可能であり、
前記光応答層は、磁性の変化が生じる磁性体を含み、
前記第１の積層工程において、前記磁性体を用いて、前記光応答層を積層する、細胞培養容器の製造方法。
前記支持体層と、前記細胞培養層とは、同じ材料から形成されている、請求項２０または２３に記載の細胞培養容器の製造方法。
前記細胞培養層に、足場基材層を積層する第３の積層工程を含み、
前記足場基材層は、足場基材を含む、請求項１９から２４のいずれか一項に記載の細胞培養容器の製造方法。