JP7324734B2 - Substrate transfer device and substrate processing device - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、基板搬送装置及び基板処理装置に関する。 TECHNICAL FIELD Embodiments of the present invention relate to a substrate transfer apparatus and a substrate processing apparatus.
液晶表示装置や半導体デバイスなどの製造工程において、ガラス基板や半導体基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板処理としては、例えば、レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理がある。基板処理装置は、複数の搬送ローラにより基板を搬送しながら、その基板に対して処理用の流体(例えば、処理液や乾燥用の気体)をかけて基板を処理する。 2. Description of the Related Art Substrate processing apparatuses for processing substrates such as glass substrates and semiconductor substrates are used in manufacturing processes for liquid crystal display devices, semiconductor devices, and the like. Substrate processing includes, for example, resist coating processing, resist stripping processing, etching processing, cleaning processing, and drying processing. A substrate processing apparatus processes a substrate by applying a processing fluid (for example, a processing liquid or a drying gas) to the substrate while transporting the substrate with a plurality of transport rollers.
搬送対象となる基板は、通常、平らな基板であるが、中には反った基板(反りを有する基板)もある。例えば、厚さが1mm程度と薄い基板が処理対象の基板として用いられ、その基板の上面に成膜が行われると、基板は膜の応力により反ることがある。この反った基板が上面を上に又は下にして複数の搬送ローラによって反ったままの状態で搬送されると、基板の反った部分に処理用の流体が均一に供給されないため、基板に対する処理が不均一となる。このため、処理ムラ(例えば、塗布ムラや剥離ムラ、エッチングムラ、洗浄ムラ、乾燥ムラ)が発生することがあり、基板品質が低下する。 Substrates to be transported are usually flat substrates, but there are also warped substrates (warped substrates). For example, when a thin substrate with a thickness of about 1 mm is used as a substrate to be processed and a film is formed on the upper surface of the substrate, the substrate may warp due to the stress of the film. If the warped substrate is conveyed with the upper surface facing up or down while being warped by a plurality of conveying rollers, the processing fluid is not uniformly supplied to the warped portion of the substrate, and the substrate cannot be processed. become uneven. As a result, uneven processing (for example, uneven coating, uneven peeling, uneven etching, uneven cleaning, and uneven drying) may occur, and the quality of the substrate deteriorates.
本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板搬送装置及び基板処理装置を提供することである。 A problem to be solved by the present invention is to provide a substrate transfer apparatus and a substrate processing apparatus capable of improving substrate quality.
本発明の実施形態に係る基板搬送装置は、
反りを有する基板を搬送する複数の搬送ローラと、
前記複数の搬送ローラにそれぞれ対向して離間するように設けられ、前記複数の搬送ローラにより搬送される前記基板を押える複数の押えローラと、
を備え、
対向して離間する前記搬送ローラ及び前記押えローラは一組とされ、前記基板の搬送方向に沿って複数組並んでおり、
組ごとの前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記組ごとの前記押えローラの外径が前記基板の搬送方向に沿って大きくなることによって、前記基板の搬送方向に沿って短くなっている。
A substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention includes:
a plurality of transport rollers for transporting a warped substrate;
a plurality of pressing rollers provided to face and be spaced apart from the plurality of transport rollers, respectively, and press the substrate transported by the plurality of transport rollers;
with
The conveying rollers and the pressing rollers that face and are separated from each other form one set, and a plurality of sets are arranged along the conveying direction of the substrate,
The separation distance between the conveying rollers and the pressing rollers for each set is shortened along the conveying direction of the substrate by increasing the outer diameter of the pressing roller for each set along the conveying direction of the substrate. there is
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
前述の実施形態に係る基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送される前記基板に処理液を供給する液供給部と、
を備える。
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes:
A substrate transfer device according to the above-described embodiment;
a liquid supply unit that supplies a processing liquid to the substrate transported by the substrate transport device;
Prepare.
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
前述の実施形態に係る基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送される前記基板を乾燥させる乾燥部と、
を備える。
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes:
A substrate transfer device according to the above-described embodiment;
a drying unit that dries the substrate transported by the substrate transport device;
Prepare.
本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。 According to embodiments of the present invention, substrate quality can be improved.
<第1の実施形態>
第1の実施形態について図1から図4を参照して説明する。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.
(基本構成)
図1及び図2に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置10は、処理室20と、搬送部(基板搬送装置)30と、液供給部40と、乾燥部50と、制御部60とを備えている。処理対象の基板Wとしては、例えば、ガラス基板などの矩形状の薄型基板が用いられる。例えば、基板Wの厚さは0.5~1.1mm程度であり、基板Wの反り量は7~10mm程度である。反りは矩形状基板の四方にある。
(basic configuration)
As shown in FIGS. 1 and 2, the
処理室20は、矯正処理室21と、洗浄処理室22と、乾燥処理室23とを有している。これらの矯正処理室21、洗浄処理室22及び乾燥処理室23は、それぞれ、基板Wが搬送される搬送路H1を内部に有する筐体であり、基板Wが搬送路H1に沿って内部を通過することが可能に形成されている。矯正処理室21、洗浄処理室22及び乾燥処理室23は、それぞれ、搬送路H1を移動する基板Wを処理するための部屋として機能する。洗浄処理室22や乾燥処理室23の個々の底面には、液を排出する排出口(図示せず)がそれぞれ形成されている。
The
搬送部30は、複数の搬送ローラ31Aと、複数の押えローラ31Bとを有している。この搬送部30は、処理室20内、すなわち矯正処理室21、洗浄処理室22及び乾燥処理室23の全内部(以下、適宜、処理室20内という)にわたって設けられており、各押えローラ31Bにより基板Wの上面を押えつつ、各搬送ローラ31Aにより基板Wを搬送する。
The
各搬送ローラ31Aは、基板Wの搬送方向A1(以下、搬送方向A1という)に沿って搬送路H1の下方に所定間隔で並べられている。各押えローラ31Bは、それぞれ、各搬送ローラ31Aに搬送路H1を挟んで離間して対向するように搬送路H1の上方に位置付けられ、前述の各搬送ローラ31Aの所定間隔と同じ所定間隔で搬送方向A1に沿って並べられている。これらの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bは、処理室20内に回転可能に設けられており、駆動源(図示せず)により互いに同期して回転するように構成されている。搬送ローラ31Aは時計回りに回転し、押えローラ31Bは反時計回りに回転する。本実施形態では、図1、図2に示されるように、各搬送ローラ31Aは、搬送方向A1に沿った水平の搬送路H1を形成する。
The
ここで、鉛直方向に離間して搬送路H1を挟んで対向する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bは、搬送方向A1に沿って複数組並ぶように設けられている。矯正処理室21内の組ごとのローラ間の離間距離、すなわち、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離(例えば、鉛直離間距離で、より具体的には、図1にaで示すように、後述する、組ごとのローラ31aとローラ31cとの間の鉛直離間距離)は、搬送方向A1に沿って徐々に短くなっており、矯正処理室21内の搬送路H1の途中で一定になり、そのまま洗浄処理室22及び乾燥処理室23においても一定になっている。ここで、一定の距離とは、例えば基板Wの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離である。なお、搬送方向A1の最上流(上流端)に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離は、基板Wの反り量(基板Wが載置された平面と、その平面に載置された基板Wの上面との最大鉛直離間距離)よりも長くなっている。
Here, a plurality of pairs of the
各搬送ローラ31Aは、図3に示すように、それぞれ、3個のローラ31aと、1本のシャフト31bとを有している。3個のローラ31aは円形で同じ直径を有し、例えばゴムや樹脂を素材とするローラであって、1本のシャフト31bの両端と中央に個別に取り付けられており、搬送される基板Wの下面に接触して基板Wを支持するローラとしてそれぞれ機能する。シャフト31bは、基板Wの幅(搬送方向A1に水平面内で直交する方向の幅)よりも長く形成されており、処理室20内に回転可能に設けられている。シャフト31bが回転すると、そのシャフト31bに取り付けられた各ローラ31aはシャフト31bを回転軸として回転する。
Each conveying
各押えローラ31Bは、図3に示すように、それぞれ、円形で同じ直径を有する2個のローラ(上乗せローラ)31cと、2本のシャフト31dとを有している。2個のローラ31cは、例えばゴムや樹脂を素材とするローラであって、各搬送ローラ31A上の基板Wの上面の両端領域(基板Wの幅方向の両端領域)を個別に上から押えることが可能に設けられている。これらのローラ31cは、それぞれ2本のシャフト31dに取り付けられており、搬送される基板Wの上面に接触して基板Wを押えるローラとしてそれぞれ機能する。2個のローラ31cは、それぞれ、搬送ローラ31Aの両端に位置する2個のローラ31aの個々の外側の端部に搬送路H1を挟んで対向して離間するように配置されている。2本のシャフト31dは、2個のローラ31cが基板Wの上面の両端領域に個別に接触するように位置付けられ、処理室20内に回転可能に設けられている。シャフト31dが回転すると、そのシャフト31dに取り付けられたローラ31cはシャフト31dを回転軸として回転する。押えローラ31Bの両端に位置する2個のローラ31cは、互いに同期して回転するように構成されている。ローラ31aとローラ31cが回転駆動される時、どちらも同じ周速で回転駆動させられるようになっている。また、搬送ローラ31Aのシャフト31bと押えローラ31Bのシャフト31dとの離間距離を変えることで、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離を上記したように変えることができる。
As shown in FIG. 3, each
図2に戻り、液供給部40は、複数の液噴射部41を有している。この液供給部40は、洗浄処理室22内に設けられており、搬送路H1を移動する基板Wに各液噴射部41から洗浄液(処理液の一例)を噴射して供給する。各液噴射部41は、搬送部30による基板Wの搬送を妨げず、搬送路H1を挟んで離間して対向するように搬送路H1の上下に7つずつ設けられている。これらの液噴射部41は、搬送路H1に向けてシャワー状に洗浄液を吐出する。なお、搬送路H1の下方に位置する各液噴射部41は、各搬送ローラ31Aを避けて搬送路H1に洗浄液を吐出するように配置されている。洗浄液が各液噴射部41により搬送路H1に向けて噴射され、その搬送路H1を移動する基板Wの上面及び下面の両面に洗浄液が供給される。液噴射部41としては、例えば、複数の貫通孔を有するシャワーパイプや複数のシャワーノズルを備えるパイプが用いられる。
Returning to FIG. 2 , the
乾燥部50は、複数の気体吹出部51を有している。この乾燥部50は、乾燥処理室23内に設けられており、搬送路H1を移動する基板Wに各気体吹出部51から乾燥用の気体(例えば、空気又は窒素ガス)を吹き出して供給する。各気体吹出部51は、搬送部30による基板Wの搬送を妨げず、搬送路H1を挟んで離間して対向するように搬送路H1の上下に1つずつ設けられている。これらの気体吹出部51は、搬送路H1を通過する基板Wに向けて高圧で気体を吹き出し、基板Wに付着している洗浄液を吹き飛ばして基板Wの上面及び下面の両面を乾燥させる。
The drying
各気体吹出部51は、図4に示すように、それぞれ、基板Wの幅よりも長いスリット状の吹出口(長尺の吹出口)51aを有している。これらの気体吹出部51は、それぞれ、長手方向が搬送方向A1に対して水平面内で傾き、吹出口51aから搬送方向A1の上流側に向けて気体を吹き出し、基板Wに付着している液体を基板Wの隅に向けて吹き飛ばすように設けられている。なお、気体吹出部51の吹出口51aと搬送中の基板Wの上面との鉛直離間距離(ギャップ)は数mm(例えば3mm)程度である。
Each
ここで、図4に示すように、乾燥処理室23内の各シャフト31bのうち、搬送路H1の下方の気体吹出部51と交差する位置に存在する3つのシャフト31bは、搬送路H1の下方の気体吹出部51により吹き出された気体を妨げないように気体吹出部51に対向する位置において分断されている(あるいは短く形成されていることがある)。分断されたシャフト31bの一端部は、支持部材(図示せず)により回転可能に支持されている。このような支持部材は、乾燥処理室23の底面に設けられている。なお、ローラ31aが片側のみに設けられている搬送ローラ31Aに対しては、押えローラ31Bは設けられていない。押えローラ31Bにおいて片側のみにローラ(上乗せローラ)31cを設けると、ローラ31cが設けられている側と設けられていない側とで基板Wの搬送速度に差が出てしまい、基板Wを正確に搬送方向A1に沿ってまっすぐ搬送できなくなる。これによって基板Wの先端(基板Wの下流側の端部)に割れが発生してしまうことがあるため、ローラ31aが搬送ローラ31Aの片側のみに設けられている場合には、ローラ31c、つまり押えローラ31Bを設けないようにする。
Here, as shown in FIG. 4, among the
図1に戻り、制御部60は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部(いずれも図示せず)とを有している。この制御部60は、基板処理情報や各種プログラムに基づき、搬送部30や液供給部40、乾燥部50などの各部を制御する。
Returning to FIG. 1, the
(基板処理工程)
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理工程について説明する。
(Substrate processing step)
Next, a substrate processing process performed by the
図1及び図2に示す基板処理装置10では、搬送部30の各搬送ローラ31A及び各押えローラ31Bが同期して回転し、各搬送ローラ31A上の基板Wは搬送方向A1に搬送されて搬送路H1に沿って移動し、矯正処理室21、洗浄処理室22及び乾燥処理室23を通過する。
In the
矯正処理室21では、図1に示す反った基板Wが矯正処理室21内に挿入されると、回転する各搬送ローラ31Aにより搬送方向A1に搬送され、搬送路H1に沿って移動していく。組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離が搬送方向A1の下流側になるほど短くなっている。このため、基板Wの移動に応じ、各搬送ローラ31A上の反った基板Wの下流側(先端側)の上面が各押えローラ31Bに順次接触していくと、基板Wは各押えローラ31Bによって徐々に押えられていく。このとき、基板Wの反り状態が、図1に示すように、基板Wの下流側の端部及び上流側(後端側)の端部が上方に向かって反っている状態である場合、基板Wの下流側の上面が各押えローラ31Bにより徐々に押えられていくと、基板Wの上流側の上面も各押えローラ31Bに近づいて当接するため、各押えローラ31Bによって押えられる(図1参照)。反った基板Wが搬送路H1に沿って移動していくと、基板Wの下流側から徐々に平らな状態に矯正され、矯正された基板Wは、その後、それぞれの離間距離が一定とされる、組ごとの搬送ローラ31Aと押えローラ31Bとにより挟持され、そのまま平らな状態で次の洗浄処理室22に搬送されていく。なお、反っていない基板Wは、矯正の必要が無く、最初から平らな状態で次の洗浄処理室22に搬送されていく。
In the
洗浄処理室22では、搬送路H1の途中に位置する液供給領域(処理領域)に対して、洗浄液が各液噴射部41により搬送路H1の上下から予め供給されている。この液供給状態において、基板Wが平らな状態で搬送されて液供給領域を通過すると、基板Wの上面及び下面の両面に洗浄液が供給され、基板Wの両面が洗浄液によって洗浄される。基板Wの両面から落下した洗浄液は、処理室20の底面を流れて排出口から排出される。
In the
乾燥処理室23では、搬送路H1の途中に位置する気体供給領域(処理領域)に対して、乾燥用の気体が各気体吹出部51により搬送路H1の上下から予め供給されている。この気体供給状態において、基板Wが平らな状態で搬送されて搬送路H1途中の気体供給領域を通過すると、基板Wの上面及び下面の両面に付着している処理液が気体の吹き付けによって基板Wの両面から吹き飛ばされ、基板Wの両面が乾燥していく。このとき、基板Wの両面に付着している液体は、気体の吹き付けによって基板Wの両面の右上の隅から左下の隅(図4参照)に向かって移動するため、基板Wの両面はそれぞれ右上の隅から左下の隅へ順次乾燥していく。基板Wの両面から吹き飛ばされた処理液は、処理室20の底面を流れて排出口から排出される。
In the drying
このような基板処理工程では、反った基板Wが矯正処理室21内で搬送路H1に沿って移動していくと、その基板Wは各押えローラ31Bにより押え込まれ、基板Wの下流側から徐々に平らな状態になっていく、つまり、基板Wは各押えローラ31Bによって平らな状態に矯正され、そのまま平らな状態で液供給領域や気体供給領域を通過する。この平らな状態の基板Wに対して洗浄処理や乾燥処理が行われる。これにより、基板Wの上面及び下面の両面に処理液や乾燥用の気体を均一に供給することが可能となるので、基板Wの両面を均一に処理することができる。したがって、基板Wに対する洗浄処理や乾燥処理の均一性を向上させ、基板Wでの洗浄ムラや乾燥ムラの発生を抑えることが可能となるので、基板品質を向上させることができる。
In such a substrate processing process, as the warped substrate W moves along the transport path H1 in the
なお、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離が、搬送路H1の全領域で、基板Wの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離で一定になっている場合には、反った基板Wを矯正処理室21内に挿入すると、その反った基板Wを各押えローラ31Bにより無理やり押え込んで平らな状態にするため、基板Wが割れたりして損傷することがある。一方、第1の実施形態では、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離が搬送方向A1の下流側になるほど短くなっている。これにより、反った基板Wは各押えローラ31Bにより徐々に(反り量が徐々に減るように)押えられていくので、反った基板Wを各押えローラ31Bにより無理やり(反り量が急激に減るように)押え込んで基板Wの反りを抑制する場合に比べ、基板Wの損傷を抑えることができる。
In addition, when the separation distance between the
以上説明したように、第1の実施形態によれば、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離(例えば、鉛直離間距離)が搬送方向A1に沿って短くなっている。これにより、反った基板Wを損傷させずに基板Wの反りを抑えることが可能になるので、基板Wに対する処理の均一性を向上させることができる。したがって、基板Wでの処理ムラ(例えば、洗浄ムラや乾燥ムラ)の発生を抑え、基板品質を向上させることができる。
As described above, according to the first embodiment, the separation distance (for example, the vertical separation distance) between the conveying
<第2の実施形態>
第2の実施形態について図5を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(乾燥処理室23における搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離)について説明し、その他の説明は省略する。
<Second embodiment>
A second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the difference from the first embodiment (the separation distance between the conveying
(基本構成)
図5に示すように、第2の実施形態に係る乾燥処理室23では、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離(例えば、鉛直離間距離)は、搬送方向A1に沿って徐々に短くなっており、搬送路H1の途中で基板Wの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離で一定になっている。なお、乾燥処理室23内において、搬送方向A1の最上流(上流端)に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離は、基板Wの反り量よりも長くなっている。
(basic configuration)
As shown in FIG. 5, in the drying
ここで、乾燥処理室23の上流に位置する洗浄処理室22において、液噴射部41の液噴射や設置の邪魔にならないよう、液噴射部41が設けられる箇所の押えローラ31Bを数個所省くことがある。この場合、その数個所で基板Wが下側の搬送ローラ31Aから浮くため、洗浄処理室22の出口において基板Wの下流側の端部が浮き上がることがあり、洗浄処理室22から乾燥処理室23への連続搬送が難しくなる。この連続搬送を容易にし、平らな状態の基板Wに対する乾燥処理を実現するため、前述のように、乾燥処理室23内において、搬送方向A1の最上流に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離が、基板Wの反り量よりも長くなっており、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離が搬送方向A1の下流側になるほど短くなっている。
Here, in the
図5に示すように、反った基板Wが乾燥処理室23内に進入すると、第1の実施形態と同様、搬送路H1に沿って移動し、その基板Wは各押えローラ31Bにより押え込まれ、下流側から徐々に平らな状態になっていき、そのまま平らな状態で気体供給領域を通過する。この平らな状態の基板Wに対して乾燥処理が行われる。これにより、基板Wの上面及び下面の両面に乾燥用の気体を均一に供給することが可能となるので、基板Wの両面を均一に乾燥させることができる。したがって、基板Wに対する乾燥処理の均一性を向上させ、基板Wでの乾燥ムラの発生を抑えることが可能になるので、基板品質を向上させることができる。また、反った基板Wは各押えローラ31Bにより徐々に(反り量が徐々に減るように)押えられていくので、反った基板Wを各押えローラ31Bにより無理やり(反り量が急激に減るように)押え込んで基板Wの反りを抑制する場合に比べ、基板Wの損傷を抑えることができる。
As shown in FIG. 5, when the warped substrate W enters the drying
なお、乾燥処理室23内における搬送方向A1の最上流に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離を、矯正処理室21における搬送方向A1の最上流に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離よりも短く設定することができる。これは、乾燥処理室23に搬入される基板Wは矯正処理室21、洗浄処理室22を通過してきており、ある程度反りが矯正されている状態となっているからである。
The separation distance between the set of conveying
また、本実施形態においては乾燥処理室23内の最上流に位置する搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離について説明したが、搬送方向A1に並ぶ隣り合う2つの搬送ローラ31A間の距離が長くなる箇所においても本実施形態を適用することができる。つまり、隣り合う2つの搬送ローラ31A間の距離が、その他の搬送ローラ31A間の距離よりも長い場合には、矯正されていた基板Wの反りが多少戻ってしまうことがある。このような箇所においても再度搬送ローラ31Aと押えローラ31Bとの離間距離を徐々に縮める構成を採用することで、反った基板Wの損傷を抑えつつ基板Wの反りを矯正することが可能になる。
Further, in the present embodiment, the separation distance between the conveying
以上説明したように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。すなわち、反った基板Wを損傷させずに基板Wの反りを抑えることが可能になるので、基板Wに対する処理の均一性を向上させることができる。したがって、基板Wでの処理ムラ(例えば、洗浄ムラや乾燥ムラ)の発生を抑えることが可能となり、基板品質を向上させることができる。 As described above, according to the second embodiment, it is possible to obtain the same effects as those of the first embodiment. That is, since the warp of the substrate W can be suppressed without damaging the warped substrate W, the uniformity of the processing of the substrate W can be improved. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of processing unevenness (for example, cleaning unevenness or drying unevenness) on the substrate W, and the substrate quality can be improved.
<第3の実施形態>
第3の実施形態について図6を参照して説明する。なお、本実施形態では、第1又は第2の実施形態との相違点(上乗せローラ31cの外径)について説明し、その他の説明は省略する。なお、基板Wの搬送方向A1に直交し、シャフト31b、31dに平行な搬送ローラ31A、押えローラ31Bの並びを列と呼ぶ。また、上記したように搬送ローラ31Aはローラ31aとシャフト31bを有し、押えローラ31Bは上乗せローラ31cとシャフト31dを有する。本実施形態では、ローラ31aの外径が搬送ローラ31Aの外径に相当し、上乗せローラ31cの外径が押えローラ31Bの外径に相当し、ローラ31aと上乗せローラ31cの離間距離が、搬送ローラ31Aと押えローラ31Bの離間距離に相当する。
<Third Embodiment>
A third embodiment will be described with reference to FIG. In addition, in this embodiment, the difference from the first or second embodiment (the outer diameter of the
本実施形態は、組ごとの上乗せローラ31cの外径が、搬送方向A1に沿って大きくなることによって、組ごとのローラ31a及び上乗せローラ31cの離間距離が、搬送方向A1に沿って短くなる部分を有する。つまり、本実施形態は、搬送ローラ31Aのシャフト31bと押えローラ31Bのシャフト31dとの離間距離を一定としつつ、搬送方向A1に沿って、上乗せローラ31cの外径を徐々に大きくしている。これにより、本実施形態は、上乗せローラ31cとローラ31aの離間距離が徐々に小さくなる部分を有している。ここでいう外径は、円柱形の上乗せローラ31cの軸に直交する断面の直径である。
In this embodiment, the distance between the
例えば、最初に基板Wと接触する列の上乗せローラ31cの外径が最も小さく、この上乗せローラ31cから数列の上乗せローラ31cの外径が、搬送方向A1に沿って順に大きくなり、最大の外径となった上乗せローラ31c以降は、外径が一定となっている。これにより、上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離は、最小の外径の上乗せローラ31cとローラ31aとの間で最長となっている。最長となる上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離は、基板Wの反り量よりも長くすることが好ましい。
For example, the outer diameter of the
さらに、上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離は、搬送方向A1に沿って徐々に短くなり、最大の外径の上乗せローラ31cとローラ31aとの間で最短となり、そこから一定となっている。一定となった離間距離は、基板Wの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離であることが好ましい。
Further, the separation distance between the
図6の例では、搬送方向A1の上流側から4列目のローラ31aから、最初に基板Wと接触する上乗せローラ31cの列が開始している。この列を含む4列の上乗せローラ31cの外径が、搬送方向A1に沿って徐々に大きくなり、4列目の上乗せローラ31cから一定の外径となっている。なお、搬送方向A1の上流側から少なくとも2列の上乗せローラ31cの外径が、徐々に大きくなっていればよいが、3列以上の上乗せローラ31cの外径が徐々に大きくなっていることが、より好ましい。また、上乗せローラ31cが回転駆動される時、外径の異なる上乗せローラ31cが同じ周速で回転駆動されることが好ましく、ローラ31aと同じ周速であることが、より好ましい。
In the example of FIG. 6, the row of the
以上のような本実施形態においても、押えローラ31Bにより、反った基板Wの両端を上から押え付け、基板Wを下側から支える搬送ローラ31Aと押えローラ31Bを駆動させることで、反りを矯正して基板Wを搬送することができる。そして、押えローラ31Bの上乗せローラ31cの外径が、最初に反り基板Wと接触する列の上乗せローラ31cから数列、搬送方向A1に沿って順に大きくなっている。これにより、上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離が、搬送方向A1に沿って順に狭くなるので、急激な矯正による反り基板Wの破損リスクが低減される。
In this embodiment as described above, both ends of the warped substrate W are pressed from above by the
また、シャフト31bとシャフト31dとの間隔は、必ずしも一定とする必要はないが、間隔を一定とした場合には、間隔を変える場合に比べて、シャフト31b及びシャフト31dの支持構成を簡素化できる。さらに、外径の異なる上乗せローラ31cに交換することによって、上乗せローラ31cとローラ31aの間隔の調整を容易に行うことができる。
The distance between the
なお、図7に示すように、押えローラ31Bが、例えば上乗せローラ31cの外周に設けた溝にOリング31eを有する構成の場合に、組ごとの押えローラ31BにおけるOリング31eの外径が、搬送方向A1に沿って大きくなることによって、組ごとの搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離が、搬送方向A1に沿って短くなっている部分を有してもよい。この態様では、Oリング31eの外径が押えローラ31Bの外径に相当し、ローラ31aとOリング31eの離間距離が、搬送ローラ31Aと押えローラ31Bの離間距離に相当する。
As shown in FIG. 7, when the
この態様は、上乗せローラ31cの外径を一定としつつ、搬送方向A1に沿って、Oリング31eの外径を徐々に大きくすることで、搬送ローラ31Aと押えローラ31Bとの離間距離が徐々に小さくなる部分を有している。ここでいう外径は、Oリング31eの軸に直交する断面における外周円の直径である。なお、Oリング31eの径方向の長さを厚さ、軸方向の長さを幅とすると、Oリング31eの厚さが、搬送方向A1に沿って徐々に大きくなっている。
In this mode, the outer diameter of the
このような態様によっても、押えローラ31Bと搬送ローラ31Aとの間の離間距離が、搬送方向A1に沿って順に狭くなるので、急激な矯正による反り基板Wの破損リスクが低減される。また、上乗せローラ31cの外径を、必ずしも一定とする必要はないが、外径を一定とした場合には、外径の異なるOリング31eに交換するだけで、押えローラ31Bと搬送ローラ31Aの間隔の調整も容易に行うことができ、コストも抑えることができる。
Also in this mode, the separation distance between the
<第4の実施形態>
第4の実施形態について、図8から図11を参照して説明する。なお、本実施形態では、第1乃至第3の実施形態との相違点(一対の上乗せローラ31cの距離)について説明し、その他の説明は省略する。なお、本実施形態では、一対の上乗せローラ31cの距離が、一対の押えローラ31Bの距離に相当する。
<Fourth Embodiment>
A fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 11. FIG. In addition, in this embodiment, the difference from the first to third embodiments (the distance between the pair of
本実施形態は、搬送方向A1に直交する方向に配置された一対の上乗せローラ31cの間の距離が、搬送方向A1に沿って長くなっている部分を有する。本実施形態は、搬送方向A1に直交する方向に対向する一対の上乗せローラ31c間の距離が、最初に反り基板Wと接触する上乗せローラ31c、つまり搬送方向A1の最上流に位置する上乗せローラ31cから、搬送方向A1に沿って順に広くなっている。
This embodiment has a portion where the distance between the pair of
例えば、最初に基板Wと接触する列の一対の上乗せローラ31cの間隔が最も狭く、この上乗せローラ31cから数列の上乗せローラ31cの間隔が、搬送方向A1に沿って順に広くなり、最大の広さとなった列の一対の上乗せローラ31c以降は、間隔が一定となっている。
For example, the distance between the pair of topping
図8の例では、最初に基板Wと接触する列を含む4列の一対の上乗せローラ31cの間隔が、搬送方向A1に沿って徐々に大きくなり、4列目の上乗せローラ31cから一定の間隔となっている。少なくとも2列における一対の上乗せローラ31cの間隔が、徐々に大きくなっていればよいが、3列以上の一対の上乗せローラ31cの間隔が徐々に大きくなっていることが、より好ましい。また、図9(A)に示すように、最も狭い一対の上乗せローラ31cの間隔は、基板Wが反ることによって搬送方向A1に直交する方向の幅が短くなっている場合にも、基板Wの上面の両端領域に接触する間隔であることが好ましい。さらに、図9(B)に示すように、一定となった一対の上乗せローラ31cの間隔は、平坦となった基板Wの上面の両端領域に接触する間隔であることが好ましい。なお、本実施形態では、搬送ローラ31Aのシャフト31bと押えローラ31Bのシャフト31dの間隔は、第1の実施形態、第2の実施形態のように、図9(A)に示す位置から図9(B)に示す位置になるに従って狭くなっている。
In the example of FIG. 8, the distance between the four pairs of
以上のような本実施形態においても、押えローラ31Bにより、反った基板Wの両端を上から押え付け、基板Wを下側から支える搬送ローラ31Aと押えローラ31Bを駆動させることで、反りを矯正して基板Wを搬送することができる。そして、一対の上乗せローラ31cの間隔が、最初に反り基板Wと接触する列の一対の上乗せローラ31cから数列、搬送方向A1に沿って順に広くなっている。これにより、反りによって幅が狭くなっている基板Wの端部を上乗せローラ31cで押さえ付けて、反りを矯正して搬送を行うことができる。
In this embodiment as described above, both ends of the warped substrate W are pressed from above by the
つまり、図9(A)に示すように、搬送方向A1と直交する方向において、反りを有する基板Wの場合には、搬送方向A1と直交する方向の幅が狭くなる。すると、反りを有しない基板Wの幅に合わせて、一対の上乗せローラ31cの間隔が設定されていると(図9(B)参照)、上乗せローラ31cが基板Wの端を押えることができない可能性がある。本実施形態では、最初に反り基板Wと接触する列の一対の上乗せローラ31cの間隔が狭く、そこから数列、一対の上乗せローラ31cの間隔が順に広くなることにより、反りのある基板Wの端を押えて、反りを矯正することができる。さらに、本実施形態と、上記の第1、第2又は第3の実施形態と組み合わせることで、搬送方向A1及び搬送方向A1と直交する方向の両方向に反りを有する基板Wを矯正することができる。
That is, as shown in FIG. 9A, in the case of the substrate W warped in the direction orthogonal to the transport direction A1, the width in the direction orthogonal to the transport direction A1 is narrow. Then, if the spacing between the pair of
なお、図10に示すように、押えローラ31Bが、例えば上乗せローラ31cの外周に設けた溝にOリング31eを有している構成であって、組ごとの上乗せローラ31cにおけるOリング31eの幅が、搬送方向A1に沿って大きくなる部分を有していてもよい。この態様では、最初に反りを有する基板Wと接触する列の上乗せローラ31cから、数列の上乗せローラ31cのOリング31eの幅が、搬送方向A1に沿って順に大きくなっている。
As shown in FIG. 10, the
図10の例では、最初に基板Wに接触する上乗せローラ31cから3列の押えローラ31BのOリング31eの幅が小さく、4列目のOリング31eから幅が大きくなっている。少なくとも2列の上乗せローラ31cのOリング31eの幅が、徐々に大きくなっていればよい。また、図11(A)に示すように、最も狭いOリング31eの幅は、基板Wが反ることによって搬送方向A1に直交する方向の幅が短くなっている場合にも、基板Wの上面の両端領域に接触するが、基板W上に形成された回路等のパターンPに接触しない幅であることが好ましい。さらに、図11(B)に示すように、広くなったOリング31eの幅は、平坦となった基板Wの上面の両端領域に接触するが、パターンPに接触しない幅であることが好ましい。なお、本態様でも、搬送ローラ31Aのシャフト31bと押えローラ31Bのシャフト31dの間隔は、第1の実施形態、第2の実施形態のように、図11(A)に示す位置から図11(B)に示す位置になるに従って狭くなっている。
In the example of FIG. 10, the width of the O-
このような態様によって、図11(A)に示すように、基板Wの反りにより、上面から見た際に、面積が狭くなっている反り基板W上のパターンP以外の非パターン形成部を、上乗せローラ31cで押さえ付けることを可能としつつ、Oリング31eと基板W上に形成されたパターンPとが接触することを防止して、搬送を行うことができる。
In this manner, as shown in FIG. 11(A), the non-pattern formation portion other than the pattern P on the warped substrate W, which has a narrower area when viewed from above due to the warp of the substrate W, is It is possible to prevent contact between the O-
<第5の実施形態>
第5の実施形態について図12、図13を参照して説明する。なお、第5の実施形態では、第1乃至4の実施形態との相違点(気体吹出部51の近傍の上乗せローラ31cの態様)について説明し、その他の説明は省略する。本実施形態でも、ローラ31aの外径が搬送ローラ31Aの外径に相当し、上乗せローラ31cの外径が押えローラ31Bの外径に相当し、ローラ31aと上乗せローラ31cの離間距離が、搬送ローラ31Aと押えローラ31Bの離間距離に相当し、気体吹出部51と上乗せローラ31cとの距離が、気体吹出部51と押えローラ31Bとの距離に相当する。
<Fifth Embodiment>
A fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13. FIG. In addition, in the fifth embodiment, the difference from the first to fourth embodiments (the aspect of the
本実施形態は、図12に示すように、乾燥部50において、気体吹出部51よりも搬送方向A1の下流から、ローラ31aと上乗せローラ31cの離間距離が、搬送方向A1に沿って短くなっている部分を有する。例えば、気体吹出部51よりも搬送方向A1の下流で、気体吹出部51に最も近い列の上乗せローラ31cの外径が最も小さく、ローラ31aとの離間距離が最大となっている。最大となる離間距離は、基板Wの反り量よりも長くすることが好ましい。この最小の外径の上乗せローラ31cから数列の上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離が、搬送方向A1に沿って徐々に短くなり、その後、一定となっている。一定となった離間距離は、基板Wの厚さ以下の基板搬送可能な所定距離であることが好ましい。
In this embodiment, as shown in FIG. 12, in the
図12の例では、気体吹出部51に最も近い列の上乗せローラ31cの外径が、他の上乗せローラ31cよりも小さく、その下流の3列の上乗せローラ31cとローラ31aとの距離が、搬送方向A1に沿って徐々に小さくなり、気体吹出部51に最も近い列から4列目の上乗せローラ31cとローラ31aから、離間距離が一定となっている。少なくとも2列の上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離が徐々に小さくなっていればよい。離間距離の調整は、上記の実施形態で示したように、押えローラ31Bのシャフト31dの位置を変えてもよいし、押えローラ31Bの外径を変えてもよい。押えローラ31Bの外径を変える場合には、上乗せローラ31cの外径を変えてもよいし、Oリング31eの外径を変えてもよい。
In the example of FIG. 12, the outer diameter of the top-up
本実施形態では、気体吹出部51の下流の上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離が、搬送方向A1に沿って順に狭くなっているため、急激な矯正による反り基板Wの破損リスクを低減して、搬送を行うことができる。また、前述の実施形態では、気体吹出部51の近傍においては、気体吹出部51が存在することにより、上乗せローラ31cの搬送方向A1の間隔が広くなっていた(図4、図5参照)。しかし、本実施形態では、気体吹出部51に最も近い位置に外径の小さな上乗せローラ31cを配置するとともに、この上乗せローラ31cによって、反り量が大きくなった基板Wの反り部分を押し付けることを可能としている。さらに、気体吹出部51と上乗せローラ31cの距離を近づけつつ、上乗せローラ31cによって基板Wの反り部分を押えることができるので、基板Wが気体吹出部51に接触して破損することを防止できる。
In the present embodiment, the distance between the
なお、図13に示すように、乾燥部50において、上乗せローラ31cとローラ31aとの離間距離を一定としつつ、気体吹出部51に最も近い位置に、他の上乗せローラ31cの外径よりも小さな外径の上乗せローラ31cを配置してもよい。この場合にも、気体吹出部51と上乗せローラ31cの距離を近づけて、基板Wを押えることができるので、基板Wが気体吹出部51に接触して破損することを防止できる。
As shown in FIG. 13, in the
<他の実施形態>
前述の説明においては、基板処理装置10として、基板Wを洗浄処理する洗浄処理装置や基板Wを乾燥処理する乾燥処理装置を例示したが、これに限るものではなく、液晶基板や半導体基板、フォトマスクなどの製造のため、例えば、レジスト処理装置、露光処理装置、現像処理装置、エッチング処理装置、剥離処理装置を用いるようにしてもよい。処理液としては、各種の薬液を用いることが可能である。
<Other embodiments>
In the above description, as the
また、前述の説明においては、基板Wを水平状態で搬送することを例示したが、これに限るものではなく、基板Wを傾けて傾斜状態で搬送するようにしてもよく、例えば、基板Wの幅方向の一端をその他端よりも高くして基板Wを傾けて搬送するようにしてもよい。 In the above description, the substrate W is conveyed in a horizontal state as an example, but the present invention is not limited to this. The substrate W may be conveyed while being tilted with one end in the width direction being higher than the other end.
また、前述の説明においては、矯正処理と洗浄処理を異なる処理室で行うことを例示したが、これに限るものではなく、矯正処理と洗浄処理を同じ処理室で行うようにしてもよく、矯正処理後に洗浄処理を実行する。 In the above description, the straightening process and the cleaning process are performed in different processing chambers, but the present invention is not limited to this, and the straightening process and the cleaning process may be performed in the same processing chamber. A cleaning process is performed after the treatment.
また、前述の説明においては、基板Wの反り量を測定する測定部、各押えローラ31Bを昇降させる移動機構を設け、測定部により測定した基板Wの反り量に応じて各組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離を調整するようにしてもよい。例えば、測定部により測定した基板Wの反り量が所定値よりも大きい場合には、それらの差に応じて移動機構により押えローラ31Bを上昇させ、搬送方向A1の最上流に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離を、測定した基板Wの反り量よりも大きくし、それに合わせ、反った基板Wを各押えローラ31Bにより徐々に押えるよう、他の組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離も調整する。逆に、測定部により測定した基板Wの反り量が所定値よりも小さい場合には、それらの差に応じて、搬送方向A1の最上流に位置する一組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離を、測定した基板Wの反り量に近づけ(反り量以上という条件下で)、それに合わせ、反った基板Wを各押えローラ31Bにより徐々に押えるよう、他の組の搬送ローラ31A及び押えローラ31Bの離間距離も調整する。
Further, in the above description, a measurement unit for measuring the amount of warpage of the substrate W and a moving mechanism for lifting and lowering each
また、前述の説明においては、各液噴射部41からの洗浄液は各搬送ローラ31Aを避けるように吐出されるとしたが、これに限るものではなく、搬送ローラ31Aに洗浄液が供給されてもよい。
Further, in the above description, the cleaning liquid from each
また、前述の説明においては、四方に反りがある基板W(四方に反りを有する基板W)を対象に説明したが、これに限るものではなく、例えば矩形のいずれか二辺、三辺に反りがあるものであっても本発明は適用可能である。 Further, in the above description, the substrate W that is warped on all sides (the substrate W that is warped on all four sides) is described as an object, but the present invention is not limited to this. The present invention is applicable even if there is
また、押えローラ31Bにベルトを掛けまわし、ローラコンベアのようにしてもよい。このような構成を採用することにより、押えローラ31Bのみを使用する場合と比較して基板Wの反りに対して接触する面積が増えるため、より基板Wに損傷を与えることを抑えつつ基板Wの反りを矯正することが可能になる。
Alternatively, a belt may be wound around the
搬送ローラ31Aと押えローラ31Bとの離間距離について、前述の説明においては、1列ずつ徐々に小さくなっていたが、同じ離間距離のものが2列以上並んだ組が含まれた状態で、徐々に小さくなっていくように構成してもよい。
In the above description, the separation distance between the conveying
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the invention have been described above, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and modifications can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the scope of the invention described in the claims and equivalents thereof.
10 基板処理装置
30 搬送部(基板搬送装置)
31A 搬送ローラ
31B 押えローラ
31a ローラ
31b、31d シャフト
31c 上乗せローラ
31e Oリング
40 液供給部
50 乾燥部
60 制御部
A1 搬送方向
H1 搬送路
W 基板
10
Claims (11)
前記複数の搬送ローラにそれぞれ対向して離間するように設けられ、前記複数の搬送ローラにより搬送される前記基板を押える複数の押えローラと、
を備え、
対向して離間する前記搬送ローラ及び前記押えローラは一組とされ、前記基板の搬送方向に沿って複数組並んでおり、
組ごとの前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記組ごとの前記押えローラの外径が前記基板の搬送方向に沿って大きくなることによって、前記基板の搬送方向に沿って短くなっている部分を有する基板搬送装置。 a plurality of transport rollers for transporting a warped substrate;
a plurality of pressing rollers provided so as to be spaced apart from each of the plurality of transport rollers and pressing the substrate transported by the plurality of transport rollers;
with
The conveying rollers and the pressing rollers that face and are separated from each other form one set, and a plurality of sets are arranged along the conveying direction of the substrate,
The separation distance between the conveying rollers and the pressing rollers for each set is shortened along the conveying direction of the substrate by increasing the outer diameter of the pressing roller for each set along the conveying direction of the substrate. A substrate transport apparatus having a portion.
前記複数の搬送ローラにそれぞれ対向して離間するように設けられ、前記複数の搬送ローラにより搬送される前記基板を押える複数の押えローラと、
を備え、
前記押えローラは、上乗せローラと、前記上乗せローラの外周に設けられたOリングとを有し、
対向して離間する前記搬送ローラ及び前記押えローラは一組とされ、前記基板の搬送方向に沿って複数組並んでおり、
組ごとの前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離は、前記組ごとの前記押えローラにおける前記Oリングの外径が前記基板の搬送方向に沿って大きくなることによって、前記基板の搬送方向に沿って短くなっている部分を有する基板搬送装置。 a plurality of transport rollers for transporting a warped substrate;
a plurality of pressing rollers provided to face and be spaced apart from the plurality of transport rollers, respectively, and press the substrate transported by the plurality of transport rollers;
with
The pressing roller has a top-up roller and an O-ring provided on the outer periphery of the top-up roller,
The conveying rollers and the pressing rollers that face and are separated from each other form one set, and a plurality of sets are arranged along the conveying direction of the substrate,
The separation distance between the conveying rollers and the pressing rollers for each set is increased along the conveying direction of the substrate by increasing the outer diameter of the O-ring in the pressing rollers for each set along the conveying direction of the substrate. substrate transport apparatus having a shortened portion.
前記対の上乗せローラは、互いの距離が、前記基板の搬送方向に沿って長くなっている部分を有する請求項1又は請求項2に記載の基板搬送装置。 The pressing roller has a pair of overlaying rollers spaced apart in a direction orthogonal to the conveying direction of the substrate,
3. The substrate conveying apparatus according to claim 1 , wherein the pair of top rollers has a portion where the distance between them is longer along the conveying direction of the substrate.
前記組ごとの前記押えローラにおける前記Oリングの幅が、前記基板の搬送方向に沿って大きくなる部分を有する請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の基板搬送装置。 The pressing roller has a top-up roller and an O-ring provided on the outer periphery of the top-up roller,
4. The substrate conveying apparatus according to claim 1, wherein the width of said O-ring in said pressing roller for each set has a portion that increases along the conveying direction of said substrate.
前記基板搬送装置により搬送される前記基板に処理液を供給する液供給部と、
を備える基板処理装置。 a substrate transfer apparatus according to any one of claims 1 to 5 ;
a liquid supply unit that supplies a processing liquid to the substrate transported by the substrate transport device;
A substrate processing apparatus comprising:
前記基板搬送装置により搬送される前記基板を乾燥させる乾燥部と、
を備える基板処理装置。 a substrate transfer apparatus according to any one of claims 1 to 6 ;
a drying unit that dries the substrate transported by the substrate transport device;
A substrate processing apparatus comprising:
前記気体吹出部よりも前記基板の搬送方向の下流から、前記搬送ローラ及び前記押えローラの離間距離が、前記基板の搬送方向に沿って短くなっている部分を有する請求項7乃至9のいずれかに記載の基板処理装置。 The drying unit has a gas blowing unit,
10. The substrate according to any one of claims 7 to 9 , further comprising a portion where a separation distance between the conveying roller and the pressing roller becomes shorter along the substrate conveying direction from a position downstream of the gas blowing portion in the substrate conveying direction. The substrate processing apparatus according to .
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