JP7321022B2 - LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD - Google Patents
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Description
本発明は、レーザー加工装置およびレーザー加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method.
半導体デバイスの高集積化を図る実装技術の一つとして、半導体チップの内部を垂直に貫通する貫通電極によって、複数積層させた上下のチップ同士を接続する方法が知られている。貫通電極は、基板に形成した貫通孔の内部に導電材料を埋め込むことで形成される。この貫通孔を形成する方法として、エッチング技術が知られている(特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art As one of mounting techniques for increasing the degree of integration of semiconductor devices, there is known a method of connecting a plurality of stacked upper and lower chips by through-electrodes vertically penetrating the interior of the semiconductor chips. A through electrode is formed by embedding a conductive material in a through hole formed in a substrate. Etching technology is known as a method for forming this through hole (see Patent Document 1).
ところで、上記のエッチング技術は、加工速度が遅い、またはレジストを用いたリソグラフィ過程が必要であるなどの問題があった。貫通孔形成の代替方法として、レーザービームの照射による孔あけ加工方法が検討されている。しかしながら、レーザー加工においては、レーザービームが照射された面から厚み方向の深い位置に向かうにつれて孔径が小さくなっていく。このため、レーザービームが照射されていない面の孔径が小さくなったり、被加工物の厚みが厚い場合に貫通孔が形成できなかったりする問題があった。 By the way, the etching technique described above has problems such as a slow processing speed or the need for a lithography process using a resist. As an alternative method for forming through-holes, a drilling method using laser beam irradiation has been studied. However, in laser processing, the diameter of the hole becomes smaller as it goes deeper in the thickness direction from the surface irradiated with the laser beam. For this reason, there is a problem that the diameter of the hole on the surface not irradiated with the laser beam becomes small, and that the through hole cannot be formed when the thickness of the workpiece is large.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザービームを用いて厚みの厚い被加工物であっても高品質なレーザー加工が可能であるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus and laser processing capable of performing high-quality laser processing even on a thick workpiece using a laser beam. to provide a method.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置は、被加工物にレーザービームを照射してレーザー加工を施すレーザー加工装置であって、被加工物の表面と裏面とを露出して保持する保持手段と、レーザービーム照射手段と、を備え、該レーザービーム照射手段は、レーザービームを発振するレーザー発振器と、該レーザー発振器から発振されたレーザービームを二つに分岐する第一の偏光ビームスプリッターと、該第一の偏光ビームスプリッターにより分岐されたレーザービームの一方を表面に集光する第一の集光レンズと、該第一の偏光ビームスプリッターにより分岐されたレーザービームの他方を裏面に集光する第二の集光レンズと、該第一の偏光ビームスプリッターによって分岐された第一の偏光成分を有する第一のレーザービームの光路に配設され、該第一のレーザービームの偏光成分を透過する第二の偏光ビームスプリッターと、該第一の偏光成分とは異なる第二の偏光成分を有する第二のレーザービームが該第二の偏光ビームスプリッターに入射したときに、該第二のレーザービームが反射される方向に位置付けられたレーザービーム検出ユニットと、を有し、該被加工物の表面側に照射されるレーザービームと裏面側に照射されるレーザービームとは、偏光成分が異なり、該第一の偏光ビームスプリッターにより分岐された各々のレーザービームを該被加工物の表面と裏面との同じ位置に位置付けて略同時に集光照射し、該被加工物の表面側および裏面側からレーザー加工を施すとともに、該レーザービーム検出ユニットの検出結果に基づいて該被加工物のレーザー加工が完了したと判断して該レーザービームの照射を停止することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the laser processing apparatus of the present invention is a laser processing apparatus for performing laser processing by irradiating a laser beam to a workpiece, wherein the front surface and the back surface of the workpiece are and laser beam irradiation means, wherein the laser beam irradiation means comprises a laser oscillator for oscillating a laser beam, and a laser beam oscillated from the laser oscillator that splits into two. a first polarizing beam splitter , a first condensing lens for focusing one of the laser beams split by the first polarizing beam splitter on a surface, and a laser beam split by the first polarizing beam splitter a second condenser lens for condensing the other beam on the rear surface; and a second laser beam having a second polarization component different from the first polarization component is incident on the second polarization beam splitter and a laser beam detection unit positioned in a direction in which the second laser beam is reflected, wherein the laser beam is irradiated on the front side of the workpiece and the laser beam is irradiated on the back side of the workpiece. has different polarization components, each laser beam split by the first polarizing beam splitter is positioned at the same position on the front surface and the back surface of the work piece, and condensed and irradiated substantially simultaneously, Laser processing is performed from the front side and the back side, and it is determined that the laser processing of the workpiece is completed based on the detection result of the laser beam detection unit, and the irradiation of the laser beam is stopped. .
該レーザー発振器と該第一の偏光ビームスプリッターとの間に1/2波長板が配設され、該第一の偏光ビームスプリッターで分岐される各々のレーザービームの光量を制御可能としてもよい。 A half-wave plate may be provided between the laser oscillator and the first polarizing beam splitter so that the amount of light of each laser beam split by the first polarizing beam splitter can be controlled.
また、本発明のレーザー加工方法は、板状の被加工物にレーザービームを照射してレーザー加工を施す被加工物のレーザー加工方法であって、被加工物を保持する保持ステップと、レーザー発振器から発振されたレーザービームを分岐するレーザービーム分岐ステップと、該保持ステップおよび該レーザービーム分岐ステップの後、該分岐された各々のレーザービームが該被加工物の表面と裏面との同じ位置に集光するように位置付け、被加工物に対して各々のレーザービームを略同時に集光照射することで被加工物にレーザー加工を施すレーザービーム照射ステップと、被加工物を通過したレーザービームを検出する検出ステップと、該検出ステップの後、検出結果に基づいて該レーザービームの照射を停止する照射停止ステップと、を含み、被加工物の表面側に照射されるレーザービームと裏面側に照射されるレーザービームとは異なる偏光成分を有することを特徴とする。 Further, a laser processing method of the present invention is a laser processing method for laser processing a plate-like workpiece by irradiating a laser beam to the workpiece, comprising: a holding step for holding the workpiece; and after the holding step and the laser beam splitting step, each of the split laser beams is focused on the same position on the front surface and the back surface of the workpiece. A laser beam irradiation step of performing laser processing on the work piece by irradiating the work piece with the respective laser beams almost simultaneously, and detecting the laser beam that has passed through the work piece. and after the detection step, an irradiation stop step of stopping the irradiation of the laser beam based on the detection result . It is characterized by having a polarization component different from that of the laser beam .
また、本発明のレーザー加工方法は、板状の被加工物にレーザービームを照射してレーザー加工を施す被加工物のレーザー加工方法であって、被加工物を保持する保持ステップと、レーザー発振器から発振されたレーザービームを分岐するレーザービーム分岐ステップと、該保持ステップおよび該レーザービーム分岐ステップの後、該分岐された各々のレーザービームが該被加工物の表面と裏面との同じ位置に集光するように位置付け、被加工物に対して各々のレーザービームを略同時に集光照射することで被加工物にレーザー加工を施すレーザービーム照射ステップと、被加工物に貫通孔が形成されたときに、該貫通孔を介してレーザービームを照射した面とは反対側の面から抜けてくるレーザービームを検出する検出ステップと、該検出ステップの後、該レーザービームの照射を停止する照射停止ステップと、を含み、被加工物の表面側に照射されるレーザービームと裏面側に照射されるレーザービームとは異なる偏光成分を有することを特徴とする。 Further, a laser processing method of the present invention is a laser processing method for laser processing a plate-like workpiece by irradiating a laser beam to the workpiece, comprising: a holding step for holding the workpiece; and after the holding step and the laser beam splitting step, each of the split laser beams is focused on the same position on the front surface and the back surface of the workpiece. a laser beam irradiation step of performing laser processing on the work piece by irradiating the work piece with laser beams substantially simultaneously, and when a through hole is formed in the work piece; a detection step of detecting the laser beam coming out of the surface opposite to the surface irradiated with the laser beam through the through-hole; and an irradiation stop step of stopping the irradiation of the laser beam after the detection step. and , wherein the laser beam applied to the front side of the workpiece and the laser beam applied to the back side of the workpiece have different polarization components.
本願発明は、レーザービームを用いて厚みの厚い被加工物であっても高品質なレーザー加工が可能である。 The present invention enables high-quality laser processing using a laser beam even for a thick workpiece.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 A form (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in configuration can be made without departing from the gist of the present invention.
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るレーザー加工装置1およびレーザー加工方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態に係るレーザー加工装置1の構成について説明する。図1は、実施形態に係るレーザー加工装置1の構成例を示す斜視図である。図2は、図1のレーザー加工装置1の保持手段4の構成例を示す分解図である。以下の説明において、X軸方向は、水平面における一方向である。Y軸方向は、水平面において、X軸方向に直交する方向である。Z軸方向は、X軸方向およびY軸方向に直交する方向である。
[Embodiment]
A
実施形態に係るレーザー加工装置1は、加工対象である被加工物100に対してレーザービーム81(図3参照)を照射することにより、被加工物100に貫通孔を形成する装置である。実施形態では、被加工物100に孔あけ加工する方法として説明するが、アブレーションによるフルカット加工またはステルスダイシングによる改質層形成加工に適用することも可能である。被加工物100は、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板を有する円板状の半導体ウエーハまたは光デバイスウエーハである。被加工物100は、実施形態において、環状フレーム110が貼着されかつ被加工物100の外径よりも大径なテープ111が裏面に貼着される。これにより、被加工物100は、環状フレーム110の開口内に支持される。
A
レーザー加工装置1は、図1に示すように、静止基台2と、加工送りユニット3と、保持手段4と、割り出し送りユニット5と、集光点位置調整ユニット6と、レーザービーム照射ユニット7と、撮像ユニット9と、を備える。
As shown in FIG. 1, the
加工送りユニット3は、静止基台2に対して、保持手段4を加工送り方向であるX軸方向に移動させるユニットである。加工送りユニット3は、保持手段4を支持する。加工送りユニット3は、実施形態において、一対のガイドレール31と、ボールねじ32と、サーボモータ33と、X軸方向移動基台35と、を有する。一対のガイドレール31は、静止基台2の上面に設けられる。一対のガイドレール31は、X軸方向に延在する。ボールねじ32は、一対のガイドレール31と平行に設けられる。ボールねじ32は、一対のガイドレール31の間に設けられる。ボールねじ32は、静止基台2に対して回動可能に支持される。サーボモータ33は、ボールねじ32を回転させる。
The
X軸方向移動基台35は、一対のガイドレール31上に設けられる。X軸方向移動基台35の下面には、X軸方向に延在し、かつ一対のガイドレール31に嵌合する一対の溝部36が設けられる。X軸方向移動基台35は、溝部36がガイドレール31に対してスライドすることにより、一対のガイドレール31に沿ってX軸方向に移動可能である。X軸方向移動基台35は、ボールねじ32に螺合される。X軸方向移動基台35は、ボールねじ32に螺合されたナットなどに固定されてもよい。X軸方向移動基台35は、保持手段4を支持する。加工送りユニット3は、サーボモータ33がボールねじ32を回転させることによって、保持手段4を支持するX軸方向移動基台35をX軸方向に移動させる。
The X-axis
保持手段4は、被加工物100を保持する。保持手段4は、加工送りユニット3によって、静止基台2に対してX軸方向に移動可能である。保持手段4は、支持基台41と、支持部材42と、回転筒43と、サーボモータ44と、駆動歯車45と、外周保持部46と、を有する。
The holding means 4 holds the
支持基台41は、下板411と、上板412と、連結板413と、を含む。下板411は、X軸方向移動基台35に支持される。下板411は、実施形態において、水平に設けられる矩形状の板材である。上板412は、下板411の上方に設けられる。上板412は、実施形態において、水平に設けられる矩形状の板材である。上板412には、支持部材42が設けられる円形状の貫通孔が設けられる。連結板413は、下板411のY軸方向の一方の端部と、上板412のY軸方向の一方の端部とを連結する。一方の端部は、Y軸方向において、レーザービーム照射ユニット7側とは反対側の端部である。連結板413は、実施形態において、垂直に設けられる矩形状の板材である。支持基台41は、他方の端部が開放される。他方の端部は、Y軸方向において、レーザービーム照射ユニット7側の端部である。
The
支持部材42は、基部421と、支持部422と、凸部423と、を含む。基部421は、環形状に設けられる。基部421は、支持基台41の上板412の上面に設けられる。基部421は、支持基台41の上板412に設けられた円形状の貫通孔と同心かつ同径の貫通孔を有する。支持部422は、基部421と同心の円筒形状に設けられる。支持部422は、基部421の上面から上方に延在して設けられる。支持部422は、基部421と一体的に設けられる。凸部423は、基部421と同心の環形状に設けられる。支持部422の内径は、凸部423の外径より大きい。凸部423は、基部421の上面から上方に延在して設けられる。凸部423は、基部421と一体的に設けられる。
The
回転筒43は、円筒形状に設けられる。回転筒43は、支持部材42に対して回動可能に支持される。回転筒43は、支持部材42の支持部422を囲繞するように設けられる。回転筒43は、溝部と、従動歯車431と、を含む。溝部は、回転筒43の下面に回転筒43と同心に設けられる環形状の溝である。溝部は、支持部材42の凸部423と嵌合する。従動歯車431は、回転筒43の回転軸と同心の回転軸を有する外歯車である。従動歯車431は、回転筒43の外周面の下部に設けられる。従動歯車431は、回転筒43に固定される。従動歯車431は、回転筒43と一体的に設けられてもよい。従動歯車431は、駆動歯車45と嵌合する。
The rotating
サーボモータ44は、支持基台41の上板412に設けられる。サーボモータ44は、駆動歯車45をZ軸回りに回転させる。駆動歯車45は、サーボモータ44の駆動軸に装着される。駆動歯車45は、回転筒43の回転軸と平行な軸回りに回転する外歯車である。駆動歯車45は、回転筒43の従動歯車431と嵌合する。外周保持部46は、実施形態において、被加工物100を支持する環状フレーム110を固定する。外周保持部46は、回転筒43に設けられる。外周保持部46は、実施形態において、回転筒43外周の四方にそれぞれ設けられるクランプである。保持手段4は、サーボモータ44が駆動歯車45を回転させることによって、被加工物100を保持する外周保持部46が固定される回転筒43をZ軸回りに回転させる。
The servomotor 44 is provided on the
図1に示すように、割り出し送りユニット5は、静止基台2に対して、集光点位置調整ユニット6およびレーザービーム照射ユニット7の一部を割り出し送り方向であるY軸方向に移動させるユニットである。割り出し送りユニット5は、集光点位置調整ユニット6およびレーザービーム照射ユニット7の一部を支持する。割り出し送りユニット5は、実施形態において、一対のガイドレール51と、ボールねじ52と、パルスモータ53と、Y軸方向移動基台55と、を有する。一対のガイドレール51は、静止基台2の上面に設けられる。一対のガイドレール51は、Y軸方向に延在する。ボールねじ52は、一対のガイドレール51と平行に設けられる。ボールねじ52は、一対のガイドレール51の間に設けられる。ボールねじ52は、静止基台2に対して回動可能に支持される。パルスモータ53は、ボールねじ52を回転させる。
As shown in FIG. 1, the
Y軸方向移動基台55は、一対のガイドレール51上に設けられる。Y軸方向移動基台55の下面には、Y軸方向に延在し、かつ一対のガイドレール51に嵌合する一対の溝部56が設けられる。Y軸方向移動基台55は、溝部56がガイドレール51に対してスライドすることにより、一対のガイドレール51に沿ってY軸方向に移動可能である。Y軸方向移動基台55は、ボールねじ52に螺合される。Y軸方向移動基台55は、ボールねじ52に螺合されたナットなどに固定されてもよい。Y軸方向移動基台55は、集光点位置調整ユニット6およびレーザービーム照射ユニット7の一部を支持する。割り出し送りユニット5は、パルスモータ53がボールねじ52を回転させることによって、集光点位置調整ユニット6およびレーザービーム照射ユニット7の一部を支持するY軸方向移動基台55をY軸方向に移動させる。
The Y-axis
集光点位置調整ユニット6は、Y軸方向移動基台55に対して、レーザービーム照射ユニット7に含まれる集光器を集光点位置調整方向であるZ軸方向に移動させるユニットである。集光点位置調整ユニット6は、実施形態において、一対のガイドレール61と、ボールねじと、パルスモータ63と、Z軸方向移動基台65と、を有する。一対のガイドレール61は、Y軸方向移動基台55の側面に設けられる。一対のガイドレール61は、Z軸方向に延在する。ボールねじは、一対のガイドレール61と平行に設けられる。ボールねじは、一対のガイドレール61の間に設けられる。ボールねじは、Y軸方向移動基台55に対して回動可能に支持される。パルスモータ63は、ボールねじを回転させる。
The condensing point
Z軸方向移動基台65は、一対のガイドレール61上に設けられる。Z軸方向移動基台65の側面には、Z軸方向に延在し、かつ一対のガイドレール61に嵌合する一対の溝部66が設けられる。Z軸方向移動基台65は、溝部66がガイドレール61に対してスライドすることにより、一対のガイドレール61に沿ってZ軸方向に移動可能である。Z軸方向移動基台65は、Y軸方向移動基台55に設けられたボールねじに螺合される。Z軸方向移動基台65は、ボールねじに螺合されたナットなどに固定されてもよい。Z軸方向移動基台65は、レーザービーム照射ユニット7の一部を支持する。Z軸方向移動基台65は、実施形態において、レーザービーム照射ユニット7のユニットホルダ71と一体的に設けられる。集光点位置調整ユニット6は、パルスモータ63がボールねじを回転させることによって、レーザービーム照射ユニット7の一部を支持するZ軸方向移動基台65をZ軸方向に移動させる。
The Z-axis direction moving base 65 is provided on the pair of guide rails 61 . A pair of
レーザービーム照射ユニット7は、ユニットホルダ71と、ケーシング72と、レーザービーム照射手段8と、を有する。
The laser
ユニットホルダ71は、集光点位置調整ユニット6のZ軸方向移動基台65に支持される。ユニットホルダ71は、実施形態において、Z軸方向移動基台65と一体的に設けられる。ユニットホルダ71には、ケーシング72が取り付けられる。ケーシング72は、ユニットホルダ71に固定される。
The unit holder 71 is supported by the Z-axis direction movable base 65 of the focal point
ケーシング72は、上筒部73と、中筒部74と、下筒部75と、第一の照射部76と、第二の照射部77と、を含む。上筒部73は、Y軸方向に延在する円筒形状に設けられる。上筒部73の一方の端部は、ユニットホルダ71に固定される。上筒部73の他方の端部には、第一の照射部76が固定される。中筒部74は、Z軸方向に延在する円筒形状に設けられる。中筒部74の一方の端部は、上筒部73に固定される。中筒部74の内部は、上筒部73の内部に連通する。中筒部74の他方の端部は、下筒部75に固定される。中筒部74の内部は、下筒部75の内部に連通する。下筒部75は、Y軸方向に延在する円筒形状に設けられる。下筒部75の保持手段4側の端部は、第二の照射部77が固定される。
The
第一の照射部76は、Z軸方向に延在する円筒形状に設けられる。第一の照射部76は、上筒部73の他方の端部に固定される。第一の照射部76の内部は、上筒部73の内部に連通する。第一の照射部76は、下方の端部に設けられた照射口から、Z軸方向かつ下方にレーザービーム81を出射する。第二の照射部77は、Z軸方向に延在する円筒形状に設けられる。第二の照射部77は、下筒部75の保持手段4側の端部に固定される。第二の照射部77の内部は、下筒部75の内部に連通する。第二の照射部77は、上方の端部に設けられた照射口から、Z軸方向かつ上方にレーザービーム81を出射する。
The
撮像ユニット9は、保持手段4に保持された被加工物100を撮像する。撮像ユニット9は、保持手段4に保持された被加工物100を撮像するCCDカメラまたは赤外線カメラを含む。撮像ユニット9は、実施形態において、レーザービーム照射ユニット7の上筒部73に取り付けられる。
The imaging unit 9 images the
次に、レーザービーム照射手段8の構成について説明する。図3は、図1に示すレーザービーム照射手段8によるレーザー加工の一状態を示す断面模式図である。 Next, the configuration of the laser beam irradiation means 8 will be described. FIG. 3 is a schematic sectional view showing one state of laser processing by the laser beam irradiation means 8 shown in FIG.
レーザービーム照射手段8は、保持手段4に保持された被加工物100に対してレーザービーム81を照射する。レーザービーム照射手段8は、レーザー発振器82と、1/2波長板83と、ビーム分岐手段84と、ミラー85と、集光レンズ86と、を有する。ミラー85は、第一のミラー851と、第二のミラー852と、第三のミラー853と、を含む。集光レンズ86は、第一の集光レンズ861と、第二の集光レンズ862と、を含む。
The laser beam irradiation means 8 irradiates a
レーザー発振器82は、被加工物100を加工するための所定の波長を有するレーザービーム81を発振する。レーザー発振器82は、例えば、YAGレーザー発振器、YVO4レーザー発振器、または赤外線波長域のレーザービームを発振する発振器などを含む。
A
1/2波長板83は、上筒部73内またはユニットホルダ71内に設けられる。1/2波長板83は、モータなどの駆動源によって回動可能な状態で、レーザー発振器82の後段に設けられる。1/2波長板83は、回動角度に対応してレーザー発振器82が発振したレーザービーム81の直線偏光方向を変化させる。1/2波長板83は、設けられなくてもよい。
The half-
ビーム分岐手段84は、上筒部73内の中筒部74との接続部に設けられる。ビーム分岐手段84は、1/2波長板83の後段に設けられる。ビーム分岐手段84は、実施形態において、偏光ビームスプリッターである。ビーム分岐手段84は、入射するレーザービーム81を二つに分岐する。ビーム分岐手段84は、1/2波長板83を通過したレーザービーム81のうち、第一の偏光成分を有する第一のレーザービーム811を第一のミラー851側に向けて透過する。第一の偏光成分は、実施形態において、p偏光である。ビーム分岐手段84は、1/2波長板83を通過したレーザービーム81のうち、第二の偏光成分を有する第二のレーザービーム812を第二のミラー852側に向けて分岐する。第二の偏光成分は、第一の偏光成分とは異なる偏光成分を有する。第二の偏光成分は、実施形態において、s偏光である。
The
第一のミラー851は、第一の照射部76内に設けられる。第一のミラー851は、ビーム分岐手段84によって分岐された第一のレーザービーム811を、保持手段4に保持された被加工物100の表面に向けて反射する。第一の集光レンズ861は、第一の照射部76内に設けられる。第一の集光レンズ861は、第一のミラー851によって反射された第一のレーザービーム811を、被加工物100の表面に集光させる。
A
第二のミラー852は、下筒部75内の中筒部74との接続部に設けられる。第二のミラー852は、ビーム分岐手段84によって分岐された第二のレーザービーム812を、第三のミラー853に向けて反射する。第三のミラー853は、第二の照射部77内に設けられる。
The
第三のミラー853は、第二の照射部77内に設けられる。第三のミラー853は、第二のミラー852によって反射された第二のレーザービーム812を、保持手段4に保持された被加工物100の裏面に向けて反射する。第二の集光レンズ862は、第二の照射部77内に設けられる。第二の集光レンズ862は、第三のミラー853によって反射された第二のレーザービーム812を、被加工物100の表面に集光させる。
A
第一の集光レンズ861および第二の集光レンズ862は、レーザービーム81の光軸に沿って移動可能である。第一の集光レンズ861は、例えば、被加工物100の表面に照射される第一のレーザービーム811の光軸に平行な方向に移動可能な第一の微調整基台に取り付けられる。第一の集光レンズ861の位置調節は、例えば、撮像ユニット9によって撮像した撮像画像と、第一の集光レンズ861と撮像ユニット9のカメラとの位置関係に基づいて、第一の微調整基台を移動させることによって行う。第二の集光レンズ862は、例えば、被加工物100の裏面に照射される第二のレーザービーム812の光軸に平行な方向に移動可能な第二の微調整基台に取り付けられる。第二の集光レンズ862の位置調節は、例えば、撮像ユニット9によって撮像した撮像画像と、第二の集光レンズ862と撮像ユニット9のカメラとの位置関係に基づいて、第二の微調整基台を移動させることによって行う。第一の集光レンズ861および第二の集光レンズ862の位置を調整することによって、被加工物100の表面および裏面へ照射する位置を調整することができる。
The
次に、レーザービーム照射手段8によるレーザー加工方法について説明する。図4は、実施形態に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。レーザー加工方法は、図4に示すように、保持ステップST11と、レーザービーム分岐ステップST12と、レーザービーム照射ステップST13と、を含む。 Next, a laser processing method by the laser beam irradiation means 8 will be described. FIG. 4 is a flow chart showing the flow of the laser processing method according to the embodiment. The laser processing method, as shown in FIG. 4, includes a holding step ST11, a laser beam branching step ST12, and a laser beam irradiation step ST13.
保持ステップST11では、被加工物100を保持する。より詳しくは、保持ステップST11では、保持手段4の外周保持部46によって、被加工物100を支持する環状フレーム110を保持する。
In the holding step ST11, the
レーザービーム分岐ステップST12では、レーザー発振器82から発振されたレーザービーム81を分岐する。より詳しくは、レーザービーム分岐ステップST12では、レーザービーム81を、第一の偏光成分を有する第一のレーザービーム811と、第二の偏光成分を有する第二のレーザービーム812と、に分岐する。
In the laser beam branching step ST12, the
レーザービーム照射ステップST13では、保持ステップST11およびレーザービーム分岐ステップST12の後、まず、分岐された各々のレーザービーム81が被加工物100の表面と裏面との同じ位置に集光するように位置付ける。レーザービーム照射ステップST13では、被加工物100に対して各々のレーザービーム81を略同時に集光照射することで被加工物100にレーザー加工を施す。ここで、略同時とは、表面に照射するタイミングと裏面に照射するタイミングが必ずしも完全に一致することを示すものではなく、誤差程度のずれを許容する。具体的には、略同時とは、1μs以下の時間差を許容する。また、この際、被加工物100の表面側に照射される第一のレーザービーム811と、被加工物100の裏面側に照射される第二のレーザービーム812とは、異なる偏光成分を有する。
In the laser beam irradiation step ST13, after the holding step ST11 and the laser beam splitting step ST12, first, each split
以上説明したように、実施形態に係るレーザー加工装置1は、被加工物100の表面と裏面とを露出して保持する保持手段4と、レーザービーム照射手段8と、を備える。レーザービーム照射手段8は、レーザー発振器82と、ビーム分岐手段84と、第一の集光レンズ861と、第二の集光レンズ862と、を有する。レーザー発振器82は、レーザービーム81を発振する。ビーム分岐手段84は、レーザー発振器82から発振されたレーザービーム81を二つに分岐する。第一の集光レンズ861は、ビーム分岐手段84により分岐されたレーザービーム81の一方(第一のレーザービーム811)を表面に集光する。第二の集光レンズ862は、ビーム分岐手段84により分岐されたレーザービーム81の他方(第二のレーザービーム812)を裏面に集光する。レーザー加工装置1は、ビーム分岐手段84により分岐された各々のレーザービーム81(第一のレーザービーム811および第二のレーザービーム812)を被加工物100の表面と裏面との同じ位置に位置付けて略同時に集光照射し、被加工物100の表面側および裏面側からレーザー加工を施す。
As described above, the
これにより、被加工物100の表面および裏面の同じ位置にレーザービーム81を照射するので、例えば、孔あけ加工の場合、表面および裏面の孔径を同じにすることができる。また、一方の面から入射されたレーザービーム81が加工すべき厚みが半分になるので、厚みの厚い被加工物100であっても貫通孔などの加工をすることができる。したがって、レーザー加工装置1は、厚みの厚い被加工物100であっても高品質なレーザー加工が可能であるという効果を奏する。さらに、一方の面から入射されたレーザービーム81が加工すべき厚みが半分になるので、加工時間を短縮することができる。
As a result, the
[第一変形例]
第一変形例に係るレーザービーム照射手段801の構成について説明する。図5は、第一変形例に係るレーザービーム照射手段801によるレーザー加工の一状態を示す断面模式図である。
[First modification]
The configuration of the laser beam irradiation means 801 according to the first modified example will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing one state of laser processing by the laser beam irradiation means 801 according to the first modification.
第一変形例に係るレーザー加工方法は、加工対象である被加工物101に対してレーザービーム81を照射することにより貫通孔または改質層などを形成する加工方法である。被加工物101は、貼り合わせ基板である。第一変形例に係るレーザー加工方法は、被加工物101が表面と裏面とが異なる材質で形成される場合に特に有用である。
The laser processing method according to the first modification is a processing method for forming a through hole, a modified layer, or the like by irradiating a
第一変形例のレーザービーム照射手段801は、実施形態のレーザービーム照射手段8と比較して、波長変換結晶87を有する点で異なる。波長変換結晶87は、実施形態において、ビーム分岐手段84と、第二のミラー852との間に設けられる。波長変換結晶87は、下筒部75内に設けられる。波長変換結晶87は、第二のレーザービーム812の波長を変換する素子である。波長変換結晶87は、例えば、波長約1064nmのIRレーザーを、波長約355nmのUVレーザーまたは波長約532nmのグリーンレーザーに変換する。
The laser beam irradiation means 801 of the first modified example differs from the laser beam irradiation means 8 of the embodiment in that it has a
波長変換結晶87を通過した第二のレーザービーム812は、第三のレーザービーム813として、第二のミラー852に向かう。ビーム分岐手段84によって分岐された第二のレーザービーム812が波長約1064nmのIRレーザーである場合、波長変換結晶87は、例えば、第二のレーザービーム812を、波長約532nmのグリーンレーザーである第三のレーザービーム813に変換する。
The
第一変形例における第二のミラー852は、波長変換結晶87によって変換された第三のレーザービーム813を、第三のミラー853に向けて反射する。第一変形例における第三のミラー853は、第二のミラー852によって反射された第三のレーザービーム813を、保持手段4に保持された被加工物100の裏面に向けて反射する。第二の集光レンズ862は、第三のミラー853によって反射された第三のレーザービーム813を、被加工物100の表面に集光させる。
The
以上説明したように、第一変形例に係るレーザービーム照射手段801は、被加工物100の表面側に照射される第一のレーザービーム811と、裏面側に照射される第三のレーザービーム813との波長が異なる。これにより、被加工物100の表側および裏側を形成するそれぞれの基板の材質に応じて、レーザー発振器82から発振されるレーザービーム81の波長と、波長変換結晶87によって変換される第三のレーザービーム813の波長とを設定することができる。したがって、より好適に高品質なレーザー加工が可能である。
As described above, the laser beam irradiation means 801 according to the first modification uses the
[第二変形例]
第二変形例に係るレーザービーム照射手段802の構成について説明する。図6は、第二変形例に係るレーザービーム照射手段802によるレーザー加工の一状態を示す断面模式図である。図7は、図6の後の一状態を示す断面模式図である。第二変形例に係るレーザー加工方法は、被加工物100に貫通孔を形成する孔あけ加工方法である。図6は、保持手段4に保持された被加工物100の集光点に貫通孔が形成される前の状態を示す。図7は、被加工物100の集光点に貫通孔が形成された後の状態を示す。
[Second modification]
The configuration of the laser beam irradiation means 802 according to the second modification will be described. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing one state of laser processing by the laser beam irradiation means 802 according to the second modification. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing one state after FIG. The laser processing method according to the second modification is a drilling method for forming through holes in the
第二変形例のレーザービーム照射手段802は、実施形態のレーザービーム照射手段8と比較して、第一のビーム分岐手段841に加えて、第二のビーム分岐手段842およびレーザービーム検出ユニット88を有する点で異なる。第一のビーム分岐手段841の構成は、実施形態のビーム分岐手段84の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。
Compared with the laser beam irradiation means 8 of the embodiment, the laser beam irradiation means 802 of the second modification has a second beam branch means 842 and a laser
第二のビーム分岐手段842は、第一のビーム分岐手段841と第一のミラー851との間に設けられる。第二のビーム分岐手段842は、上筒部73内に設けられる。第二のビーム分岐手段842は、第二変形例において、偏光ビームスプリッターである。第二のビーム分岐手段842は、第一のビーム分岐手段841から入射する第一のレーザービーム811を第一のミラー851側に向けて透過する。第二のビーム分岐手段842は、第一のミラー851側から入射する第二のレーザービーム812をレーザービーム検出ユニット88に向けて分岐する。
A second
第一のビーム分岐手段841に分岐された第一のレーザービーム811は、第二のビーム分岐手段842を透過した後、第一のミラー851によって、被加工物100の表面に向けて反射する。第一のミラー851によって反射された第一のレーザービーム811は、第一の集光レンズ861によって、被加工物100の表面に集光する。
The
第一のビーム分岐手段841に分岐された第二のレーザービーム812は、図7に示すように、レーザービーム検出ユニット88に入射する。レーザービーム検出ユニット88は、第一のビーム分岐手段841によって第二のレーザービーム812が反射される方向に設けられる。レーザービーム検出ユニット88は、被加工物100の裏面側から表面側に向けて通過する第二のレーザービーム812を検出する。
The
図6に示すように、被加工物100に貫通孔が形成されていない状態においては、被加工物100の裏面側に集光した第二のレーザービーム812は、被加工物100を通過しない。このとき、第二のレーザービーム812がレーザービーム検出ユニット88に入射しないので、レーザービーム検出ユニット88は、第二のレーザービーム812を検出しない。
As shown in FIG. 6 , the
図7に示すように、被加工物100に貫通孔が形成された状態においては、被加工物100の裏面側に集光した第二のレーザービーム812は、被加工物100に形成された貫通孔を通過する。このとき、第二のレーザービーム812がレーザービーム検出ユニット88に入射するので、レーザービーム検出ユニット88は、第二のレーザービーム812を検出する。被加工物100の裏面側から表面側に通過した第二のレーザービーム812は、第一のミラー851によって、第二のビーム分岐手段842に向けて反射する。第一のミラー851によって、反射された第二のレーザービーム812は、第二のビーム分岐手段842によって、レーザービーム検出ユニット88側に向けて分岐される。
As shown in FIG. 7 , in the state where the through hole is formed in the
次に、レーザービーム照射手段802によるレーザー加工方法について説明する。図8は、第二変形例に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。レーザー加工方法は、図8に示すように、保持ステップST11と、レーザービーム分岐ステップST12と、レーザービーム照射ステップST13と、検出ステップST14と、照射停止ステップST15と、を含む。保持ステップST11、レーザービーム分岐ステップST12、およびレーザービーム照射ステップST13は、実施形態と同様であるため、説明を省略する。 Next, a laser processing method by the laser beam irradiation means 802 will be described. FIG. 8 is a flow chart showing the flow of the laser processing method according to the second modification. The laser processing method includes, as shown in FIG. 8, a holding step ST11, a laser beam branching step ST12, a laser beam irradiation step ST13, a detection step ST14, and an irradiation stop step ST15. Since the holding step ST11, the laser beam branching step ST12, and the laser beam irradiation step ST13 are the same as those in the embodiment, description thereof is omitted.
検出ステップST14では、被加工物100を通過したレーザービーム81を検出する。具体的には、検出ステップST14では、被加工物100の裏面側から表面側に通過した第二のレーザービーム812を、レーザービーム検出ユニット88によって検出する。第二変形例においては、被加工物100に貫通孔が形成されたときに、貫通孔を介して第二のレーザービーム812を照射した裏面とは反対側の表面から抜けてくる第二のレーザービーム812を検出する。
In the detection step ST14, the
照射停止ステップST15では、検出ステップST14の後、検出結果に基づいてレーザービーム81の照射を停止する。具体的には、照射停止ステップST15では、レーザービーム検出ユニット88が第二のレーザービーム812を検出した場合、被加工物100に貫通孔が形成されたものとして、レーザービーム81の照射を停止する。
In the irradiation stop step ST15, the irradiation of the
以上説明したように、第二変形例に係るレーザービーム照射手段802は、被加工物100の裏面側から表面側に通過する第二のレーザービーム812を検出するレーザービーム検出ユニット88を含む。これにより、孔あけ加工が完了したタイミングを検出できるので、加工完了のタイミングでレーザービーム81の照射を停止させることにより、レーザービーム81の過剰照射による品質の低下を抑制することができる。また、レーザービーム81の照射時間を短縮することにより、生産性の向上に貢献することができる。
As described above, the laser beam irradiation means 802 according to the second modification includes the laser
第二変形例においては、被加工物100に孔あけ加工する方法として説明したが、改質層形成加工などに適用することも可能である。この場合、レーザービーム検出ユニット88は、第二のレーザービーム812の出力の変化量を検出する。例えば、被加工物100の内部に改質層を形成する場合、レーザービーム81は、被加工物100に対して透過性を有するレーザービームなので、第二のレーザービーム812は、常にレーザービーム検出ユニット88に入射する。被加工物100に改質層が形成された場合、被加工物100の第二のレーザービーム812が通過する部分が変質するので、被加工物100を通過した第二のレーザービーム812の出力が変化する。これを利用して、レーザービーム検出ユニット88が検出した第二のレーザービーム812の出力の変化量が所定の閾値以上だった場合、被加工物100に改質層が形成されたものとして、レーザービーム81の照射を停止させてもよい。
In the second modified example, the method of drilling the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
例えば、外周保持部46は、バキュームであってもよい。例えば、回転筒43の上面に開口する吸引通路を用いて被加工物100、101の外周部を吸引することによって保持してもよい。ビーム分岐手段84は、実施形態において、偏光ビームスプリッターであるが、ハーフミラーでもよい。アブレーションによるフルカットなど、被加工物100、101の全面を加工する場合、レーザー側でビームを走査するようにカルバノミラーなどを備えていてもよいし、保持手段4を移動させる移動機構を備えていてもよい。
For example, the
1 レーザー加工装置
2 静止基台
3 加工送りユニット
4 保持手段
46 外周保持部
5 割り出し送りユニット
6 集光点位置調整ユニット
7 レーザービーム照射ユニット
8、801、802 レーザービーム照射手段
81 レーザービーム
811 第一のレーザービーム
812 第二のレーザービーム
813 第三のレーザービーム
82 レーザー発振器
83 1/2波長板
84 ビーム分岐手段
841 第一のビーム分岐手段
842 第二のビーム分岐手段
85 ミラー
851 第一のミラー
852 第二のミラー
853 第三のミラー
86 集光レンズ
861 第一の集光レンズ
862 第二の集光レンズ
87 波長変換結晶
88 レーザービーム検出ユニット
9 撮像ユニット
100、101 被加工物
REFERENCE SIGNS
Claims (4)
被加工物の表面と裏面とを露出して保持する保持手段と、
レーザービーム照射手段と、
を備え、
該レーザービーム照射手段は、
レーザービームを発振するレーザー発振器と、
該レーザー発振器から発振されたレーザービームを二つに分岐する第一の偏光ビームスプリッターと、
該第一の偏光ビームスプリッターにより分岐されたレーザービームの一方を表面に集光する第一の集光レンズと、
該第一の偏光ビームスプリッターにより分岐されたレーザービームの他方を裏面に集光する第二の集光レンズと、
該第一の偏光ビームスプリッターによって分岐された第一の偏光成分を有する第一のレーザービームの光路に配設され、該第一のレーザービームの偏光成分を透過する第二の偏光ビームスプリッターと、
該第一の偏光成分とは異なる第二の偏光成分を有する第二のレーザービームが該第二の偏光ビームスプリッターに入射したときに、該第二のレーザービームが反射される方向に位置付けられたレーザービーム検出ユニットと、
を有し、
該被加工物の表面側に照射されるレーザービームと裏面側に照射されるレーザービームとは、偏光成分が異なり、
該第一の偏光ビームスプリッターにより分岐された各々のレーザービームを該被加工物の表面と裏面との同じ位置に位置付けて略同時に集光照射し、該被加工物の表面側および裏面側からレーザー加工を施すとともに、
該レーザービーム検出ユニットの検出結果に基づいて該被加工物のレーザー加工が完了したと判断して該レーザービームの照射を停止することを特徴とする、レーザー加工装置。 A laser processing device that performs laser processing by irradiating a laser beam to a workpiece,
holding means for exposing and holding the front surface and the rear surface of the workpiece;
laser beam irradiation means;
with
The laser beam irradiation means is
a laser oscillator that oscillates a laser beam;
a first polarizing beam splitter for splitting a laser beam oscillated from the laser oscillator into two;
a first condenser lens for condensing one of the laser beams split by the first polarizing beam splitter onto a surface;
a second condenser lens for condensing the other of the laser beams split by the first polarizing beam splitter on the rear surface;
a second polarizing beam splitter disposed in the optical path of the first laser beam having the first polarized component split by the first polarizing beam splitter and transmitting the polarized component of the first laser beam;
positioned in a direction in which the second laser beam having a second polarization component different from the first polarization component is reflected when the second laser beam is incident on the second polarizing beam splitter a laser beam detection unit;
has
The laser beam irradiated on the front side of the workpiece and the laser beam irradiated on the back side of the workpiece have different polarization components,
The laser beams split by the first polarizing beam splitter are positioned at the same position on the front surface and the back surface of the workpiece, and condensed and irradiated substantially simultaneously, and laser beams are emitted from the front surface side and the back surface side of the workpiece. Along with processing,
A laser processing apparatus, wherein it is determined that the laser processing of the workpiece is completed based on the detection result of the laser beam detection unit, and the irradiation of the laser beam is stopped.
該第一の偏光ビームスプリッターで分岐される各々のレーザービームの光量を制御可能とすることを特徴とする、
請求項1に記載のレーザー加工装置。 a half-wave plate disposed between the laser oscillator and the first polarizing beam splitter ;
characterized in that the amount of light of each laser beam split by the first polarizing beam splitter can be controlled,
The laser processing apparatus according to claim 1 .
被加工物を保持する保持ステップと、
レーザー発振器から発振されたレーザービームを分岐するレーザービーム分岐ステップと、
該保持ステップおよび該レーザービーム分岐ステップの後、該分岐された各々のレーザービームが該被加工物の表面と裏面との同じ位置に集光するように位置付け、被加工物に対して各々のレーザービームを略同時に集光照射することで被加工物にレーザー加工を施すレーザービーム照射ステップと、
被加工物を通過したレーザービームを検出する検出ステップと、
該検出ステップの後、検出結果に基づいて該レーザービームの照射を停止する照射停止ステップと、
を含み、
被加工物の表面側に照射されるレーザービームと裏面側に照射されるレーザービームとは異なる偏光成分を有することを特徴とする、レーザー加工方法。 A laser processing method for laser processing a plate-like workpiece by irradiating a laser beam to the workpiece,
a holding step for holding the workpiece;
a laser beam splitting step of splitting a laser beam oscillated from a laser oscillator;
After the holding step and the laser beam splitting step, each split laser beam is positioned to focus at the same location on the front and back surfaces of the workpiece, and each laser beam is directed to the workpiece. a laser beam irradiation step of performing laser processing on the workpiece by converging and irradiating the beams substantially simultaneously;
a detection step of detecting the laser beam passing through the workpiece;
After the detection step, an irradiation stop step of stopping the irradiation of the laser beam based on the detection result;
including
A laser processing method , wherein a laser beam applied to the front side of a workpiece and a laser beam applied to the back side of the workpiece have different polarization components.
被加工物を保持する保持ステップと、 a holding step for holding the workpiece;
レーザー発振器から発振されたレーザービームを分岐するレーザービーム分岐ステップと、 a laser beam splitting step of splitting a laser beam oscillated from a laser oscillator;
該保持ステップおよび該レーザービーム分岐ステップの後、該分岐された各々のレーザービームが該被加工物の表面と裏面との同じ位置に集光するように位置付け、被加工物に対して各々のレーザービームを略同時に集光照射することで被加工物にレーザー加工を施すレーザービーム照射ステップと、 After the holding step and the laser beam splitting step, each split laser beam is positioned to focus at the same location on the front and back surfaces of the workpiece, and each laser beam is directed to the workpiece. a laser beam irradiation step of performing laser processing on the workpiece by converging and irradiating the beams substantially simultaneously;
被加工物に貫通孔が形成されたときに、該貫通孔を介してレーザービームを照射した面とは反対側の面から抜けてくるレーザービームを検出する検出ステップと、 a detection step of detecting a laser beam emitted from a surface opposite to the surface irradiated with the laser beam through the through hole when the through hole is formed in the workpiece;
該検出ステップの後、該レーザービームの照射を停止する照射停止ステップと、 After the detection step, an irradiation stop step of stopping the irradiation of the laser beam;
を含み、 including
被加工物の表面側に照射されるレーザービームと裏面側に照射されるレーザービームとは異なる偏光成分を有することを特徴とする、レーザー加工方法。 A laser processing method, wherein a laser beam applied to the front side of a workpiece and a laser beam applied to the back side of the workpiece have different polarization components.
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US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
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JP2023108476A (en) | 2022-01-25 | 2023-08-04 | 株式会社リコー | Laser processing system and light irradiating device |
JP7618117B1 (en) | 2024-07-10 | 2025-01-20 | 三菱電機株式会社 | Laser processing method, programming tool and laser processing machine |
KR102785493B1 (en) * | 2024-08-05 | 2025-03-21 | 한국전기연구원 | A laser working method for metal thin film wire |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000084682A (en) | 1998-09-09 | 2000-03-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Laser texture device |
JP2002172479A (en) | 2000-09-20 | 2002-06-18 | Seiko Epson Corp | Laser cutting method, laser cutting device, liquid crystal device manufacturing method, and liquid crystal device manufacturing device |
JP2020082153A (en) | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Laser processing device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59212185A (en) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Inoue Japax Res Inc | Laser working device |
JP2020082155A (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Laser processing device |
JP2020082154A (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Laser processing device |
-
2019
- 2019-07-29 JP JP2019139002A patent/JP7321022B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000084682A (en) | 1998-09-09 | 2000-03-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Laser texture device |
JP2002172479A (en) | 2000-09-20 | 2002-06-18 | Seiko Epson Corp | Laser cutting method, laser cutting device, liquid crystal device manufacturing method, and liquid crystal device manufacturing device |
JP2020082153A (en) | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Laser processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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