JP7313138B2 - Display and electrical equipment - Google Patents
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Description
本発明は、表示装置および電気装置に関する。 The present invention relates to display devices and electrical devices.
特許文献1(例えば図11、図12等)には、複数の画素が配列された表示部と、各画素を駆動するための駆動部とを備える表示装置の構成が記載されている。この駆動部は、各列に位置する画素のうちの対応の一つに所定の駆動信号を供給し、その画素を発光させる。この駆動部は、デジタルアナログ変換を行うデジタルアナログコンバータを含み、上記駆動信号としてのアナログ信号を、複数(例えばKビット(K>2))のデジタル信号に基づいて生成し、対応の画素に供給する。 Patent Document 1 (for example, FIGS. 11 and 12) describes a configuration of a display device including a display section in which a plurality of pixels are arranged and a driving section for driving each pixel. The drive unit supplies a predetermined drive signal to one of the pixels positioned in each column to cause the pixel to emit light. This drive unit includes a digital-analog converter that performs digital-analog conversion, generates analog signals as the drive signals based on a plurality of (for example, K-bit (K>2)) digital signals, and supplies them to corresponding pixels.
一般に、デジタルアナログコンバータは、トランジスタ等のスイッチ素子によりデジタルアナログ変換を行うが、その際、それに伴うノイズ(例えば、クロックフィードスルーやチャネルチャージインジェクション等のスイッチングノイズ)が発生しうる。このノイズは、デジタルアナログ変換の際の信号変換精度(例えば線形性)を低下させ、例えば、該デジタルアナログ変換により生成されるアナログ信号の信号値の不測の変動の原因となりうる。このことは、複数のデジタル信号に基づいてアナログ信号を生成する特許文献1の上記構成の場合、顕著な問題ともなりうる。そのため、特許文献1の表示装置には上記構成面において改善の余地があった。 Generally, a digital-to-analog converter performs digital-to-analog conversion using switching elements such as transistors. At that time, accompanying noise (for example, switching noise such as clock feedthrough and channel charge injection) may occur. This noise reduces the signal conversion accuracy (eg, linearity) during digital-to-analog conversion, and can cause, for example, unexpected fluctuations in the signal values of analog signals generated by the digital-to-analog conversion. This can be a significant problem in the case of the configuration of Patent Document 1, which generates an analog signal based on a plurality of digital signals. Therefore, the display device of Patent Document 1 has room for improvement in terms of the above configuration.
本発明の目的は、デジタルアナログ変換の際の信号変換の高精度化に有利な技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a technique that is advantageous for increasing the accuracy of signal conversion during digital-to-analog conversion.
本発明の一つの側面は表示装置にかかり、前記表示装置は、
デジタル信号をアナログ信号に変換する信号変換部と、
前記アナログ信号が入力され、前記アナログ信号の信号レベルによって発光量が制御される発光素子を備える表示部と、を備える表示装置であって、
デジタル信号として受け取った信号をレベルアップシフトするレベルアップシフタと、
前記レベルアップシフタからのデジタル信号を、その振幅範囲を制限して前記信号変換部に出力する信号振幅制限部と、をさらに備え、
前記信号振幅制限部に入力されるデジタル信号の振幅の下限は、第1の値であり、
前記信号振幅制限部に入力されるデジタル信号の振幅の上限は、前記第1の値よりも高い第2の値であり、
前記信号振幅制限部が出力するデジタル信号の振幅の上限は、前記第2の値であり、
前記信号振幅制限部が出力するデジタル信号の振幅の下限は、前記第1の値よりも高く且つ前記第2の値より低い第3の値であり、
前記信号振幅制限部は、第1のCMOSインバータ回路と、該第1のCMOSインバータ回路からの信号の論理レベルを反転させる第2のCMOSインバータ回路と、を含み、
前記第1の値に対応する電圧は第1の電圧であり、前記第2の値に対応する電圧は第2の電圧であり、前記第3の値に対応する電圧は第3の電圧であり、
前記第1のCMOSインバータ回路および前記第2のCMOSインバータ回路のそれぞれを形成するNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタは、前記第2の電圧が与えられるノードと前記第3の電圧が与えられるノードとの間の電気経路において直列に接続されており、該NMOSトランジスタのバックゲート端子には前記第1の電圧が与えられている
ことを特徴とする。
One aspect of the present invention relates to a display device, the display device comprising:
a signal converter that converts a digital signal into an analog signal;
a display unit to which the analog signal is input and which includes a light-emitting element whose light emission amount is controlled by the signal level of the analog signal, the display device comprising:
a level-up shifter for level-up-shifting a signal received as a digital signal;
a signal amplitude limiter that limits the amplitude range of the digital signal from the level-up shifter and outputs the signal to the signal converter;
the lower limit of the amplitude of the digital signal input to the signal amplitude limiter is a first value;
the upper limit of the amplitude of the digital signal input to the signal amplitude limiter is a second value higher than the first value;
the upper limit of the amplitude of the digital signal output by the signal amplitude limiter is the second value;
the lower limit of the amplitude of the digital signal output by the signal amplitude limiter is a third value higher than the first value and lower than the second value;
The signal amplitude limiter includes a first CMOS inverter circuit and a second CMOS inverter circuit that inverts the logic level of the signal from the first CMOS inverter circuit,
the voltage corresponding to the first value is a first voltage, the voltage corresponding to the second value is a second voltage, the voltage corresponding to the third value is a third voltage;
An NMOS transistor and a PMOS transistor forming each of the first CMOS inverter circuit and the second CMOS inverter circuit are connected in series in an electric path between a node to which the second voltage is applied and a node to which the third voltage is applied, and the first voltage is applied to the back gate terminal of the NMOS transistor.
本発明によれば、デジタルアナログ変換による信号変換精度を向上可能となる。 According to the present invention, it is possible to improve the accuracy of signal conversion by digital-to-analog conversion.
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。尚、各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載されたものに過ぎず、図中に示された寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、添付図面における同一の要素には同一の参照番号が付され、重複する説明は以下において省略されるものとする。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. It should be noted that each drawing is only described for the purpose of explaining the structure or configuration, and the dimensions shown in the drawing do not necessarily reflect the actual one. Also, the same reference numerals are given to the same elements in the accompanying drawings, and duplicate descriptions will be omitted below.
図1(A)は、実施形態に係る表示装置1の構成例を示す。表示装置1は、本実施形態では有機ELディスプレイ(Organic Electro‐Luminescence Display)とし、表示部2、選択部3、駆動部4および制御部5を備える。表示部2は、複数の画素PX11等が行列状に(即ち、複数の行および複数の列を形成するように)配列された画素アレイである。該画素アレイの行数をMとし且つ列数をNとして(M及びNは何れも2以上の整数とする。)、図中においては、第i行目かつ第j列目の画素は画素PXijと示されるものとする。例えば、第1行目かつ第2列目の画素は画素PX12と示され、第M行目かつ第N列目の画素は画素PXMNと示される。
FIG. 1A shows a configuration example of a display device 1 according to an embodiment. The display device 1 is an organic EL display (Organic Electro-Luminescence Display) in this embodiment, and includes a
尚、上記画素PX11~PXMNは、これらを特に区別しない場合には、以下の説明において単に「画素PX」と表現されうる。また、表示部2としての上記画素アレイの行および列は、以下の説明において単に「行」及び「列」とそれぞれ表現されうる。
Incidentally, the pixels PX 11 to PX MN can be simply referred to as "pixel PX" in the following description unless they are distinguished from each other. Also, the rows and columns of the pixel array as the
選択部3は、例えば垂直走査回路、走査信号ドライバ等とも称され、各行に設けられた信号線を介して、複数の画素PXに選択信号ないし走査信号SIG3を行単位で順に供給する。駆動部4は、水平走査回路、情報信号ドライバ等とも称され、各列に設けられた信号線を介して、複数の画素PXに駆動信号ないし情報信号SIG4を列単位で順に供給する。制御部5は、選択部3および駆動部4を駆動制御することにより複数の画素PXのそれぞれを個別に駆動し、表示部2に所定の画像を表示させる。
The
例えば、制御部5は、行を選択するための制御信号を選択部3に供給し、また、画像データを構成する画像信号を駆動部4に供給し、付随的に、選択部3および駆動部4の同期制御のための信号(同期信号ないしクロック信号)を供給する。選択部3は、制御部5からの制御信号に基づいて行選択用の信号を信号SIG3として出力する。また、駆動部4は、画像信号に基づいて画素PXを駆動するための信号を信号SIG4として出力する。制御部5は、画像処理部あるいは単に処理部等と表現されてもよい。
For example, the
図1(B1)は、画素PXの構成の一例を示す。画素PXは、有機発光素子(Organic Light-Emitting Diode(OLED))E1、及び、トランジスタT1を有する。詳細については後述とするが、有機発光素子E1は、電圧が加えられたことに応じて発光可能に構成される。トランジスタT1にはPチャネル型のトランジスタ(MOSトランジスタ、薄膜トランジスタ等)が用いられ、トランジスタT1は、ドレイン端子で有機発光素子E1のアノード(陽極)に接続され、また、ゲート端子で信号SIG3を受け、ソース端子で信号SIG4を受ける。有機発光素子E1のカソード(陰極)は接地される。 FIG. 1B1 illustrates an example of the structure of the pixel PX. The pixel PX has an organic light-emitting diode (OLED) E1 and a transistor T1. Although the details will be described later, the organic light-emitting element E1 is configured to be capable of emitting light when a voltage is applied. A P-channel transistor (MOS transistor, thin film transistor, or the like) is used as the transistor T1. The transistor T1 has a drain terminal connected to the anode of the organic light emitting element E1, a gate terminal receiving the signal SIG3, and a source terminal receiving the signal SIG4. A cathode of the organic light emitting element E1 is grounded.
図1(B1)の上記画素構成によれば、画素PXは、選択部3から活性化レベルの信号SIG3を受けて選択されている間に駆動部4から活性化レベルの信号SIG4を受け取ったことに応じて駆動され、それにより有機発光素子E1が発光する。即ち、信号SIG3によりトランジスタT1が導通状態となっている間に信号SIG4が供給されたことに応じて、有機発光素子E1が駆動されて発光する。有機発光素子E1の発光量は信号SIG4の信号値(信号レベル)に従う。
According to the above-described pixel configuration of FIG. 1B1, the pixel PX is driven in response to receiving the activation level signal SIG4 from the driving section 4 while being selected by receiving the activation level signal SIG3 from the
図1(B1)の例では、説明の容易化のため、単一のトランジスタT1を有する画素構成を例示したが、画素PXは、これに限られるものではない。例えば、図1(B2)の画素PX’に示されるように、トランジスタT1の代わりにトランジスタT2及びT3が用いられてもよい。トランジスタT2及びT3にはPチャネル型の薄膜トランジスタが用いられ、トランジスタT2は、ドレイン端子でトランジスタT3のゲート端子に接続され、また、ゲート端子で信号SIG3を受け、ソース端子で信号SIG4を受ける。また、トランジスタT3は、電源電圧と接地電圧との間に有機発光素子E1と直列に接続されて配置される。このような構成によっても上記画素PX同様の機能を実現可能である。 In the example of FIG. 1B1, a pixel configuration having a single transistor T1 is illustrated for ease of explanation, but the pixel PX is not limited to this. For example, transistors T2 and T3 may be used instead of transistor T1, as shown in pixel PX' in FIG. 1B2. P-channel type thin film transistors are used for the transistors T2 and T3. The transistor T2 is connected at its drain terminal to the gate terminal of the transistor T3, receives the signal SIG3 at its gate terminal, and receives the signal SIG4 at its source terminal. Also, the transistor T3 is connected in series with the organic light emitting element E1 between the power supply voltage and the ground voltage. Such a configuration can also achieve the same function as the pixel PX.
画素PXの構成はこれらに限られるものではなく、目的等に応じて多様な素子が画素PXに追加されうる。例えば、画素PXの状態(例えば有機発光素子E1の電圧)を初期化するためのリセット用トランジスタ等が追加されてもよい。 The configuration of the pixel PX is not limited to these, and various elements can be added to the pixel PX according to purposes. For example, a reset transistor or the like for initializing the state of the pixel PX (for example, the voltage of the organic light emitting element E1) may be added.
図1(D)は、画素PXの構造の例を説明するための断面模式図である。画素PXは、ガラス基板等の基板2100上に積層された複数の絶縁層2101~2104の間に有機発光素子E1およびトランジスタT1を設けることで、形成される。トランジスタT1は、層2101‐2102間に設けられ、ゲート電極2111、ゲート絶縁膜2112、半導体部材2113、ソース電極2114およびドレイン電極2115を含む。有機発光素子E1は、層2102‐2103間に設けられ、有機化合物層2120、下部電極2121および上部電極2122を含む。有機発光素子E1とトランジスタT1とはコンタクトプラグ2119を介して電気接続される。有機化合物層2120は、電圧が加えられたことに応じて発光し、詳細な説明については省略とするが、例えば電荷注入層、電荷輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、再結合層等、複数の層が積層されて成る。電極2121及び2122には、ITO(酸化インジウム錫)等、光透過性の導電材料が用いられうる。
FIG. 1D is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the structure of the pixel PX. The pixel PX is formed by providing an organic light emitting element E1 and a transistor T1 between a plurality of insulating
尚、詳細な説明については省略とするが、複数の画素PXのそれぞれには、有機発光素子E1を覆うようにカラーフィルタが設けられ、例えば、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタがベイヤ配列に従う態様で設けられうる。 Although detailed description is omitted, each of the plurality of pixels PX is provided with a color filter so as to cover the organic light emitting element E1. For example, red, green, and blue color filters may be provided in a manner that follows the Bayer arrangement.
図2は、駆動部4の構成例を示す。駆動部4は、信号処理部41、信号変換部42、電圧生成部43、出力部44、レベルアップシフタ45および信号振幅制限部46を含む。
FIG. 2 shows a configuration example of the driving unit 4. As shown in FIG. Driving section 4 includes
信号処理部41は、シフトレジスタ411およびラッチアレイ412を含み、クロック信号CLKに基づいて、制御部5からデジタル信号として受け取った画像信号を列に対応させて整列させると共に所定のタイミングでラッチする。尚、ラッチアレイ412は、公知のラッチ回路が複数配列されて構成されればよい。また、信号処理部41は、信号分配部、データ展開部等と表現されてもよい。
The
信号変換部42は、デジタルアナログ変換(DA変換)を実行可能にそれぞれ構成された複数のデジタルアナログコンバータ(DAC)421を含む。複数のDAC421は複数の列にそれぞれ対応して配され、即ち、本実施形態ではN個のDAC421が配される。詳細については後述とするが、信号変換部42は、レベルアップシフタ45及び信号振幅制限部46を介して信号処理部41から受け取ったデジタル信号を、上記DAC421によりアナログ信号に変換する。
The
電圧生成部43は、信号変換部42でのDA変換に必要な複数の基準電圧を生成可能であり、該複数の基準電圧を信号変換部42の各DAC421に供給する。詳細については後述とするが、電圧生成部43には、例えば公知の分圧回路が用いられうる。
The
出力部44は、複数のバッファ441を含み、信号変換部42から受け取ったアナログ信号を増幅して表示部2に出力する。複数のバッファ441は複数の列にそれぞれ対応して配され、即ち、本実施形態ではN個のバッファ441が配される。例えば、或る列に対応するバッファ441は、その列のDAC421から受け取ったアナログ信号を増幅し、その列の画素PXに該増幅されたアナログ信号を信号SIG4として出力する。
The
レベルアップシフタ45および信号振幅制限部46は、それぞれ、各列に対して複数配され、ここではK個配されるものとする(Kは2以上の整数とする。)。即ち、本実施形態においては、レベルアップシフタ45の総数量はN×Kである(信号振幅制限部46についても同様である。)。詳細については後述とするが、レベルアップシフタ45は、信号処理部41がデジタル信号として受け取った画像信号をレベルアップシフトして信号振幅制限部46に出力する。そして、信号振幅制限部46は、該画像信号を、その振幅を制限して信号変換部42に出力する。このことを信号変換部42の観点で言い換えると、或る列に対応するDAC421は、その列のK個の信号振幅制限部46から上記振幅が制限されたK個の画像信号をそれぞれ受け取り、DA変換を行う。
A plurality of level-up
駆動部4について小括すると、或る列に対応するDAC421は、信号処理部41からレベルアップシフタ45及び信号振幅制限部46を介してデジタル信号をK個受け取り、該K個のデジタル信号を用いてアナログ信号を生成する。このアナログ信号は、出力部44において対応のバッファ441により増幅された後、対応の画素PXに信号SIG4として出力される。
Summarizing the driving section 4, the
図3(A)は、レベルアップシフタ45の構成例を示す。レベルアップシフタ45は、回路部451~453を含む。
FIG. 3A shows a configuration example of the level-
回路部451は、信号処理部41のラッチアレイ412から受け取った信号(信号DAとする。)の論理レベルを反転させるCMOSインバータ回路であり、NMOSトランジスタ4511及びPMOSトランジスタ4512を含む。NMOSトランジスタ4511及びPMOSトランジスタ4512は、高電圧側の電源電圧V0(例えば1.5[V])と低電圧側の電源電圧V1(例えば0[V](接地電圧))との間に直列に電気接続される。尚、上記トランジスタ4511及び4512のそれぞれについて、バックゲート端子はソース端子に接続される。
The
回路部452は、回路部451から受け取った信号の論理レベルを反転させるCMOSインバータ回路であり、NMOSトランジスタ4521及びPMOSトランジスタ4522を含む。NMOSトランジスタ4521及びPMOSトランジスタ4522は、上記電源電圧V0‐V1間に直列に電気接続される。尚、上記トランジスタ4521及び4522のそれぞれについて、バックゲート端子はソース端子に接続される。
The
回路部453は、NMOSトランジスタ4531及びPMOSトランジスタ4532、並びに、NMOSトランジスタ4533及びPMOSトランジスタ4534を含み、回路部451及び452からの信号に基づいて信号DBを出力する。NMOSトランジスタ4531及びPMOSトランジスタ4532は、高電圧側の電源電圧V2(例えば10[V])と、上記電源電圧V1との間に直列に電気接続される。NMOSトランジスタ4533及びPMOSトランジスタ4534は、上記電源電圧V2‐V1間に直列に電気接続される。NMOSトランジスタ4531は、回路部452からの信号をゲート端子で受け取り、また、NMOSトランジスタ4533は、回路部451からの信号をゲート端子で受け取る。PMOSトランジスタ4532は、ゲート端子において、NMOSトランジスタ4533及びPMOSトランジスタ4534の間の電気経路に接続される。PMOSトランジスタ4534は、ゲート端子において、NMOSトランジスタ4531及びPMOSトランジスタ4532の間の電気経路に接続される。尚、上記トランジスタ4531~4534のそれぞれについて、バックゲート端子はソース端子に接続される。
The
レベルアップシフタ45の出力端子は、NMOSトランジスタ4533及びPMOSトランジスタ4534の間の電気経路に設けられる。上述の回路構成により、回路部451にデジタル信号として入力された信号DAは、レベルアップシフトされて信号DBとして出力される。具体的には、レベルアップシフタ45は、低電圧側の信号値をV1とし且つ高電圧側の信号値をV0とする信号DAを受け取ったことに応答して、低電圧側の信号値をV1とし且つ高電圧側の信号値をV2とする信号DBを出力する。
The output terminal of level-
図4(A)は、信号振幅制限部46の構成例を示す。信号振幅制限部46は、上記レベルアップシフタ45からの信号DBを受け取り、その信号の振幅を制限して、信号DCとして出力する。本実施形態においては、信号振幅制限部46は、インバータ回路461及び462を含む。インバータ回路461は、レベルアップシフタ45から受け取った信号DBの論理レベルを反転させる第1のCMOSインバータ回路に対応し、NMOSトランジスタ4611及びPMOSトランジスタ4612を含む。インバータ回路462は、インバータ回路461からの信号の論理レベルを反転させる第2のCMOSインバータ回路に対応し、NMOSトランジスタ4621及びPMOSトランジスタ4622を含む。
FIG. 4A shows a configuration example of the
図4(A)に示されるように、信号振幅制限部46には、高電圧側の電源電圧として電圧V2が供給され、低電圧側の電源電圧として電圧V1及びV3が供給される。NMOSトランジスタ4611及びPMOSトランジスタ4612は電源電圧V2‐V3間に直列に電気接続され、また、NMOSトランジスタ4621及びPMOSトランジスタ4622は電源電圧V2‐V3間に直列に電気接続される。一方、NMOSトランジスタ4611及び4621のバックゲート端子は電源電圧V1に接続される。
As shown in FIG. 4A, the
このような構成によれば、信号振幅制限部46は、上記信号DBを、その信号の振幅を制限して信号DCとして出力可能となる。例えば、信号DBの低電圧側の信号値はV1(ここでは0[V])であり、この場合、信号DCの低電圧側の信号値はV3(ここでは5[V])となる。これに対して、信号DB及び信号DCの何れの高電圧側の信号値もV2(ここでは10[V])である。換言すると、信号DBが信号振幅制限部46により信号DCとなる際、高電圧側の信号値は維持され(実質的に10[V]のままであり)、低電圧側の信号値は高くなる(0[V]から5[V]になる。)。このようにして、信号DCの振幅(5[V])は、信号DBの振幅(10[V])から制限される/小さくなることとなる。
With such a configuration, the
図4(B)は、上述の信号DA~DCの信号値の変化態様を説明するためのタイミングチャートである。説明の容易化のため、高電圧側の信号値(信号値の上限)をHレベル(ハイレベル)と表現し、低電圧側の信号値(信号値の下限)をLレベル(ローレベル)と表現するものとする。信号DAは、HレベルがV0かつLレベルがV1のデジタル信号である。信号DBは、HレベルがV2かつLレベルがV1のデジタル信号である。信号DCは、HレベルがV2かつLレベルがV3のデジタル信号である。尚、V1は第1の値に対応し、V2は第2の値に対応し、また、V3は第3の値に対応する。 FIG. 4B is a timing chart for explaining how the signal values of the signals D A to D C change. For ease of explanation, the signal value on the high voltage side (upper limit of signal value) is expressed as H level (high level), and the signal value on the low voltage side (lower limit of signal value) is expressed as L level (low level). The signal DA is a digital signal with an H level of V0 and an L level of V1. The signal DB is a digital signal having an H level of V2 and an L level of V1. The signal DC is a digital signal having an H level of V2 and an L level of V3. Note that V1 corresponds to the first value, V2 corresponds to the second value, and V3 corresponds to the third value.
例えば、時刻t10において信号DAがLレベルからHレベルとなった場合、それに応答して、信号DAを受けたレベルアップシフタ45からの出力信号DBは、時刻t11においてLレベルからHレベルとなる。更に、それに応答して、信号DBを受けた信号振幅制限部46からの出力信号DCは、時刻t12においてLレベルからHレベルとなる。
For example, when signal DA changes from L level to H level at time t10, output signal DB from level up
同様に、時刻t20において信号DAがHレベルからLレベルとなった場合、それに応答して、信号DAを受けたレベルアップシフタ45からの信号DBは、時刻t21においてHレベルからLレベルとなる。更に、それに応答して、信号DBを受けた信号振幅制限部46からの信号DCは、時刻t22においてHレベルからLレベルとなる。
Similarly, when signal DA changes from H level to L level at time t20, signal DB from level up
尚、図4(B)においては、信号DA~DCの波形を、時刻t10~t12間および時刻t20~t22間にそれぞれ時間遅延を設けて示したが、それらは便宜的に示されたものに過ぎない。 In FIG. 4B, the waveforms of the signals D A to D C are shown with time delays between times t10 to t12 and between times t20 to t22, but they are shown for convenience only.
再び図4(A)を参照すると、本実施形態ではNMOSトランジスタ4611及び4621の双方のソース端子が電源電圧V3に接続されるものとしたが、他の実施形態として、部分的な変更が加えられてもよい。例えば、トランジスタ4621のソース端子が電源電圧V3に接続され且つトランジスタ4611のソース端子は電源電圧V1に接続された構成においても、上記信号振幅制限部46の機能は実現可能である。
Referring to FIG. 4A again, in this embodiment, the source terminals of both
更に他の実施形態として、上記図3(A)のレベルアップシフタ45に代替して、図3(B)に示されるレベルアップシフタ45’が用いられてもよい。レベルアップシフタ45’は、回路部453に代替して回路部453’を含む。回路部453’は、トランジスタ4531~4534を含む他、抵抗素子R11及びR12を更に含む。抵抗素子R11は、NMOSトランジスタ4531及びPMOSトランジスタ4532の間の電気経路に配され、また、抵抗素子R12は、NMOSトランジスタ4533及びPMOSトランジスタ4534の間の電気経路に配される。
As still another embodiment, a level-up shifter 45' shown in FIG. 3(B) may be used instead of the level-
前述の図3(A)の例においては、信号振幅制限部46に低電圧側の電源電圧として電圧V1及びV3の双方が供給され、NMOSトランジスタ4611及び4621のソース端子に電源電圧V3が供給され且つバックゲート端子に電源電圧V1が供給される。
In the example of FIG. 3A described above, both the voltages V1 and V3 are supplied to the
レベルアップシフタ45では、PMOSトランジスタ4532が非導通状態の時には、PMOSトランジスタ4532のゲート端子に、電源電圧V2(例えば10V)に相当する電圧が入力される。一方、PMOSトランジスタ4532が導通状態の時には、PMOSトランジスタ4532のゲート端子には、電源電圧V1(例えば接地電圧)が入力される。PMOSトランジスタ4534についてもPMOSトランジスタ4532同様に、非導通状態の時にはゲート端子に電源電圧V2が入力され、導通状態の時にはゲート端子に電源電圧V1が入力される。このため、導通状態となった時のオン抵抗は十分に小さくなる。
In the level-
一方、NMOSトランジスタ4531が導通状態の時には、NMOSトランジスタ4531のゲート端子に、電源電圧V0(例えば1.5V)が入力される。また、NMOSトランジスタ4531が非導通状態の時には、NMOSトランジスタ4531のゲート端子に、電源電圧V1(例えば接地電圧)が入力される。同様に、NMOSトランジスタ4533が導通状態の時にはゲート端子に電源電圧V0が入力され、非導通状態の時にはゲート端子に電源電圧V1が入力される。即ち、NMOSトランジスタの導通状態の時には、PMOSトランジスタの導通状態の時に比べてゲート端子‐ソース端子間の電位差が小さい。
On the other hand, when the
通常の論理回路であれば、論理閾値が電源電圧の電位差の1/2(例えば、(電源電圧V0+電源電圧V1)/2=0.75V)となるように、PMOSトランジスタのゲート幅Wのゲート長Lに対する比であるW/Lは、NMOSトランジスタのW/Lよりも大きく設計されうる。しかしながら、上述のとおり、本実施形態のレベルアップシフタ45においては、NMOSトランジスタのゲート端子‐ソース端子間の電位差を十分に大きくすることが難しい。論理閾値を電位差の1/2に近付ける方法として、NMOSトランジスタ4531及び4533のゲート長Lに対するゲート幅Wの比W/Lを大きくする方法が考えられる。一方、NMOSトランジスタのゲート幅Wを大きくすると、ドレイン端子‐ソース端子間及び/又はドレイン端子‐バックゲート端子間に流れるリーク電流が増加するため、レベルアップシフタ45の消費電力が増加してしまう可能性がある。
In a normal logic circuit, W/L, which is the ratio of the gate width W of the PMOS transistor to the gate length L, can be designed to be larger than the W/L of the NMOS transistor so that the logic threshold is 1/2 of the potential difference between the power supply voltages (for example, (power supply voltage V0+power supply voltage V1)/2=0.75V). However, as described above, in the level-
図3(B)に示したレベルアップシフタ45’では、NMOSトランジスタ4531とPMOSトランジスタ4532との間に抵抗素子R11を設けている。また、NMOSトランジスタ4533とPMOSトランジスタ4534との間に抵抗素子R12を設けている。これにより、NMOSトランジスタ4531及び4533のそれぞれに流れるリーク電流を低減することが可能となり、レベルアップシフタ45’の消費電力をレベルアップシフタ45の消費電力に比べて小さくすることができる。尚、抵抗素子R11およびR12には半導体の拡散抵抗や配線パターン等が用いられてもよいし、或いは、MOSトランジスタを線形領域で動作させて抵抗素子R11およびR12としてもよい。
In the level-up shifter 45' shown in FIG. 3B, a resistance element R11 is provided between the
図5は、信号変換部42および電圧生成部43の回路構成を示す。信号変換部42について、図中には或る列に対応するDAC421を示すが、他の列のDAC421についても同様である。
FIG. 5 shows the circuit configurations of the
電圧生成部43は、本実施形態においては、電源電圧V2‐V3間に直列に電気接続された複数の抵抗素子R20で形成される分圧回路とし、このような構成により複数の基準電圧VREFを生成可能とする。複数の基準電圧VREFは電源電圧V3からV2までの範囲内とし、また、それらの電圧値は互いに異なる。説明の容易化のため、ここでは電圧生成部43として上記分圧回路を例示したが、所望の電圧を複数生成可能な他の回路構成が採用されればよい。
In this embodiment, the
DAC421は、上記複数の基準電圧VREFを出力部44にそれぞれ伝達可能に構成された複数の電気経路4210を含み、各電気経路4210は複数のスイッチ素子4211により形成される。各スイッチ素子4211には、電気経路4210においてパストランジスタとして作用するPMOSトランジスタが用いられうる。
The
或る列に対応する信号振幅制限部46の数量をKとする本実施形態においては、基準電圧VREFの数量は2Kであり、電気経路4210の数量は2Kであり、単一の電気経路4210に設けられるスイッチ素子4211の数量はKである。これらK個のスイッチ素子4211には、K個の信号DC又はそれらの反転信号がそれぞれ供給される。図5に示されるように、DAC421は複数のインバータ回路4212を更に含んでおり、上記反転信号はインバータ回路4212により生成される。
In this embodiment where the number of
このような構成により、上記2K個の電気経路4210のうちの1つが導通状態となり、それに対応する基準電圧VREF(上記2K個の基準電圧VREFのうちの1つ)が出力部44に伝達される。即ち、DA変換は、DAC421が、Kビットのデジタル信号DC(d_1、d_2、・・・、d_K)に基づいて対応の基準電圧VREFをアナログ信号として出力することにより実現される。
With such a configuration, one of the 2 K
上述の複数のスイッチ素子4210の導通状態/非導通状態の切替えに際して(簡潔には、DAC421でのDA変換に際して)、信号変換部42および電圧生成部43においてスイッチングノイズが発生する場合がある。このスイッチングノイズとしては、ゲート電圧を変化させた際のソース電圧及び/又はドレイン電圧へのクロストーク、いわゆるクロックフィードスルー、チャネルチャージインジェクション等が挙げられる。このことは、例えばアナログ信号として出力される基準電圧VREFの電圧値を変動させうるため、DA変換の際の信号変換精度(例えば線形性)の低下の原因ともなりうる。
Switching noise may occur in the
本実施形態においては、前述のとおり、信号DCは、その振幅が信号振幅制限部46により制限されている。そのため、本実施形態によれば、スイッチングノイズに起因する信号変換精度の低下等が抑制される。また、複数のスイッチ素子4210を比較的短時間で切替え可能となり、それに伴い、電気経路4210に生じうる無用な電流も抑制されうる。
In this embodiment, the amplitude of the signal DC is limited by the
図4(B)を参照しながら述べたように、本実施形態では、信号処理部41からレベルアップシフタ45に供給されるデジタル信号としての信号DAについて、HレベルをV0(例えば1.5[V])かつLレベルをV1(例えば0[V])とした。しかしながら、この態様に限られるものではなく、信号処理部41では、振幅の比較的大きい信号がデジタル信号として処理されてもよい。例えば、デジタル信号としての信号であってHレベルをV2(例えば10[V])とし且つLレベルをV1(例えば0[V])とする信号が信号処理部41から出力されてもよい。この場合、レベルアップシフタ45は省略されうる。
As described with reference to FIG. 4B, in the present embodiment, the signal DA as a digital signal supplied from the
また、本実施形態において、信号DC及びその反転信号の2つをDAC421に供給し、DAC421は、インバータ4212を有さずに、各スイッチ4211が信号DC及びその反転信号の何れかと接続されるように構成としてもよい。
Further, in this embodiment, both the signal DC and its inverted signal may be supplied to the
以上、本実施形態によれば、表示装置1は、表示部2、信号変換部42および信号振幅制限部46を備える。信号振幅制限部46は、デジタル信号として受け取った信号DBの振幅を制限して、信号DCとして信号変換部42に出力する。即ち、信号振幅制限部46が出力するデジタル信号DCの振幅範囲は、信号振幅制限部46に入力されるデジタル信号DBの振幅範囲よりも小さい。信号変換部42は、この信号DCをDAC421によりアナログ信号に変換する。そのため、DA変換の際に発生しうるノイズが、振幅が制限されない場合に比べて、適切に抑制されることとなる。このノイズの抑制によって、信号変換部42における信号変換の精度が向上し、アナログ信号は、その信号値が意図せずに変動してしまうことなく、適切に生成される。
As described above, according to the present embodiment, the display device 1 includes the
上記実施形態の表示装置1は、カメラの電子ビューファインダ、テレビのディスプレイ、携帯機器の表示パネル等、多様な電気装置に適用可能である。 The display device 1 of the above embodiment can be applied to various electrical devices such as electronic viewfinders of cameras, displays of televisions, and display panels of mobile devices.
図6(A)は、撮像装置61の模式図である。撮像装置61は、筐体610にそれぞれ取り付けられた操作部611、背面ディスプレイ612および電子ビューファインダ613を備える。ユーザは、操作部611を用いて、所望の被写体の撮像を行い、また、該撮像により得られる画像を背面ディスプレイ612により確認することが可能である。表示装置1は、電子ビューファインダ613に適用可能であり、撮像を行う際にはユーザは電子ビューファインダ613を用いて被写体およびその周辺環境を確認することができる。この場合、表示装置1は、被写体およびその周辺環境に付随する情報(例えば、外光の強度、被写体の移動速度等、撮像を適切に実現するのに必要な情報)を更に表示してユーザに通知することも可能である。尚、撮像装置61の概念には、撮像機能を主機能として備えるカメラの他、撮像機能を補助的に備えるものも含まれる。
FIG. 6A is a schematic diagram of the
図6(B)は、携帯機器62の模式図である。携帯機器62は、筐体620にそれぞれ取り付けられた表示部621および操作部622を備える。表示装置1は、この表示部621に適用可能であり、ユーザは、操作部622を用いて、表示部621に所望の画像を表示させることが可能である。また、表示部621は、他の操作部としての機能を兼ね、即ちタッチパネルとしても機能しうる。尚、携帯機器62の例としては、ポータブルタイプの電子機器ないしモバイル機器が挙げられ、例えば、スマートフォン等の携帯電話の他、ゲーム機器等が挙げられる。
FIG. 6B is a schematic diagram of the
図6(C)は、モニタ装置63の模式図である。モニタ装置63は、フレーム630、フレーム630を支持する支持台631、及び、フレーム630に縁取りされた表示部632を備える。表示装置1は、この表示部632に適用可能であり、ユーザは、不図示のリモートコントローラを用いて、又は、フレーム630若しくは支持台631に設けられた不図示の操作部を用いて、表示部632に所望の画像を表示させることが可能である。尚、モニタ装置63は、所望の映像を表示可能な装置であればよく、モニタ装置63の概念には、テレビモニタ(放送受信機)、パーソナルコンピュータ用モニタ等が含まれる。
FIG. 6C is a schematic diagram of the
図6(D)は、フォルダブルタイプの(折り畳み可能な)デバイス64の模式図である。デバイス64は、筐体640と、筐体640を折り畳み可能にする折曲部(屈曲部)641と、第1表示部642と、第2表示部643とを備える。第1~第2表示部642及び643は、それぞれ折曲部641の両側において筐体640に取り付けられる。例えば、第1~第2表示部642及び643は、筐体640が折り畳まれて閉じられた状態においては休止状態となり、筐体640が開いた状態においては駆動状態となる。表示装置1は、これら第1~第2表示部642及び643のそれぞれに適用可能であり、第1~第2表示部642及び643は、互いに異なる画像を表示することも可能であるし、それらで1つの画像を表示することも可能である。第1~第2表示部642及び643の一方または双方は、操作部としての機能を兼ね、即ちタッチパネルとしても機能しうる。尚、このようなデバイス64の概念には、例えば、ディスプレイ(いわゆるフォルダブルディスプレイ)の他、スマートフォン(いわゆるフォルダブルフォン)等のタブレット端末が含まれる。
FIG. 6D is a schematic diagram of a foldable type (foldable)
図7は、表示装置1が適用された電子機器71の分解図の一例を示す。電子機器71は、タッチパネル部711、表示パネル部712、実装基板713、バッテリ714、並びに、これらを収容するためのカバー部715及び716を備える。タッチパネル部711は、フレキシブルプリント回路基板(FPC)7111を介して実装基板713に電気接続される。ユーザは、タッチパネル部711を介して操作内容を入力可能である。表示パネル部712は、FPC7121を介して実装基板713に電気接続される。表示装置1は、この表示パネル部712に適用可能であり、表示パネル部712には、ユーザによる操作内容に応じた画像が表示される。
FIG. 7 shows an example of an exploded view of an
実装基板713は、複数の電子部品(例えば電源IC、プロセッサ等の半導体パッケージ)がリジッド基板上に実装されて成る。例えば、電源ICは、バッテリ714から電力を受けて、タッチパネル部711および表示パネル部712を駆動するための電力をそれぞれ生成する。該電力は、FPC7111及び7121を介して、タッチパネル部711および表示パネル部712にそれぞれ供給される。また、例えば、プロセッサは、タッチパネル部711に入力された操作内容を示す信号を、FPC7111を介して受け取り、それに応じた画像を表示させるための信号を、FPC7121を介して表示パネル部712に出力する。
The mounting
表示装置1が適用可能な電気装置は、画像の表示を主目的とした上述の電子機器に限られるものではなく、表示装置1は多様な用途で用いられ、その汎用性は高い。例えば、表示装置1は、室内用の照明装置にも適用可能であるし、二輪車、四輪車等の車両にも適用可能である。即ち、電気装置の概念には、電気エネルギーに基づいて動作可能な多様な装置が含まれる。 Electrical devices to which the display device 1 can be applied are not limited to the electronic devices described above whose main purpose is to display images. For example, the display device 1 can be applied to indoor lighting devices, and can also be applied to vehicles such as two-wheeled vehicles and four-wheeled vehicles. That is, the concept of electrical device includes various devices that can operate based on electrical energy.
図8は、表示装置1が適用された照明装置81の分解図の一例を示す。照明装置81は、筐体810、光源部811、光学フィルム812および光拡散部813を備える。光源部811は、不図示のスイッチがONとなったことに応じて光を発生する。光源部811の光は、光学フィルム812を通った後に光拡散部813において多様な方向に拡散される。これにより、室内を適切に照らすことが可能となる。表示装置1は、この光源部811に適用可能であり、光源部811は、室内を照らすための多様な色の光を選択的に発生可能である(この例では表示装置1は画像の表示を目的とするものではない。)。例えば、光源部811は、ユーザにより入力された操作内容に基づいて、昼光色、昼白色、白色、温白色、電球色等の光を選択的に発生可能である。
FIG. 8 shows an example of an exploded view of a
図9は、表示装置1が適用された車両91後方部の模式図である。車両91は、車体910にそれぞれ取り付けられたウィンドシールド911及び灯体912を備える。車両91の運転者は、ウィンドシールド911を介して車外の様子を視認可能である。表示装置1は、このウィンドシールド911に適用可能であり、運転を行うのに必要な情報(例えば歩行者の有無を示す情報、ナビゲーション情報等)をウィンドシールド911に表示可能である。また、灯体912は、運転者による運転操作に基づいて光を発生する。表示装置1は、この灯体912にも適用可能であり、灯体912は、運転者による運転操作に応じた光を選択的に発生可能である(この例では表示装置1は画像の表示を目的とするものではない。)。例えば、灯体912は、車両91が制動状態であることを示すテールランプとして用いることも可能であるし、車両91が左折ないし右折を行うことを示す方向指示器(ウィンカ)として用いることも可能である。
FIG. 9 is a schematic diagram of the rear portion of a
以上、いくつかの好適な態様を例示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、一部が変更され又は組み合わされてもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。 Although some preferred embodiments have been exemplified above, the present invention is not limited to these examples, and part thereof may be changed or combined without departing from the scope of the present invention. In addition, the individual terms described in this specification are only used for the purpose of describing the present invention, and it goes without saying that the present invention is not limited to the strict meanings of the terms and may include equivalents thereof.
1:表示装置、2:表示部、42:信号変換部、46:信号振幅制限部。 1: display device, 2: display unit, 42: signal converter, 46: signal amplitude limiter.
Claims (5)
前記アナログ信号が入力され、前記アナログ信号の信号レベルによって発光量が制御される発光素子を備える表示部と、を備える表示装置であって、
デジタル信号として受け取った信号をレベルアップシフトするレベルアップシフタと、
前記レベルアップシフタからのデジタル信号を、その振幅範囲を制限して前記信号変換部に出力する信号振幅制限部と、をさらに備え、
前記信号振幅制限部に入力されるデジタル信号の振幅の下限は、第1の値であり、
前記信号振幅制限部に入力されるデジタル信号の振幅の上限は、前記第1の値よりも高い第2の値であり、
前記信号振幅制限部が出力するデジタル信号の振幅の上限は、前記第2の値であり、
前記信号振幅制限部が出力するデジタル信号の振幅の下限は、前記第1の値よりも高く且つ前記第2の値より低い第3の値であり、
前記信号振幅制限部は、第1のCMOSインバータ回路と、該第1のCMOSインバータ回路からの信号の論理レベルを反転させる第2のCMOSインバータ回路と、を含み、
前記第1の値に対応する電圧は第1の電圧であり、前記第2の値に対応する電圧は第2の電圧であり、前記第3の値に対応する電圧は第3の電圧であり、
前記第1のCMOSインバータ回路および前記第2のCMOSインバータ回路のそれぞれを形成するNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタは、前記第2の電圧が与えられるノードと前記第3の電圧が与えられるノードとの間の電気経路において直列に接続されており、該NMOSトランジスタのバックゲート端子には前記第1の電圧が与えられている
ことを特徴とする表示装置。 a signal converter that converts a digital signal into an analog signal;
a display unit to which the analog signal is input and which includes a light-emitting element whose light emission amount is controlled by the signal level of the analog signal, the display device comprising:
a level-up shifter for level-up-shifting a signal received as a digital signal;
a signal amplitude limiter that limits the amplitude range of the digital signal from the level-up shifter and outputs the signal to the signal converter;
the lower limit of the amplitude of the digital signal input to the signal amplitude limiter is a first value;
the upper limit of the amplitude of the digital signal input to the signal amplitude limiter is a second value higher than the first value;
the upper limit of the amplitude of the digital signal output by the signal amplitude limiter is the second value;
the lower limit of the amplitude of the digital signal output by the signal amplitude limiter is a third value higher than the first value and lower than the second value;
The signal amplitude limiter includes a first CMOS inverter circuit and a second CMOS inverter circuit that inverts the logic level of the signal from the first CMOS inverter circuit,
the voltage corresponding to the first value is a first voltage, the voltage corresponding to the second value is a second voltage, the voltage corresponding to the third value is a third voltage;
An NMOS transistor and a PMOS transistor forming the first CMOS inverter circuit and the second CMOS inverter circuit, respectively, are connected in series in an electric path between a node to which the second voltage is applied and a node to which the third voltage is applied, and the first voltage is applied to the back gate terminal of the NMOS transistor.
前記信号変換部は、前記複数の基準電圧のうち前記信号振幅制限部から受け取った信号に対応する1つを前記アナログ信号として出力する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 The signal conversion unit is supplied with a plurality of reference voltages within a range from the third value to the second value and having different voltage values,
2. The display device according to claim 1 , wherein the signal converter outputs one of the plurality of reference voltages corresponding to the signal received from the signal amplitude limiter as the analog signal.
前記信号振幅制限部は、前記画素アレイの各列に対して複数設けられ、
前記信号変換部は、或る列の前記複数の信号振幅制限部のそれぞれから出力された前記デジタル信号に基づいて、その列の画素を駆動するための前記アナログ信号を出力する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の表示装置。 The display unit is a pixel array in which a plurality of pixels are arranged in a matrix,
A plurality of the signal amplitude limiting units are provided for each column of the pixel array,
3. The display device according to claim 1 , wherein the signal converter outputs the analog signal for driving the pixels of a certain column based on the digital signals output from each of the plurality of signal amplitude limiting units of the column.
各画素は、前記アナログ信号に応じた光量で発光可能な有機発光素子を含む
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項記載の表示装置。 The display unit is a pixel array in which a plurality of pixels are arranged in a matrix,
4. The display device according to any one of claims 1 to 3 , wherein each pixel includes an organic light emitting element capable of emitting light with an amount of light corresponding to the analog signal.
ことを特徴とする電気装置。
An electrical device comprising the display device according to any one of claims 1 to 4 .
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