JP7308474B2 - 特殊構造パターンを創出するブロック共重合体の製造方法 - Google Patents

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特許法第３０条第２項適用 １：刊行物（予稿集） 刊行物名 第６７回高分子学会年次大会 高分子学会予稿集６７巻１号〔２０１８〕発表番号１Ｅ１７ 公益社団法人 高分子学会発行 発行日 平成３０年５月８日 ２：集会（学会・口頭発表） 集会名 第６７回高分子学会年次大会 名古屋国際会議場 公開日 平成３０年５月２３日

本発明は、ブロック共重合体、及び相分離構造を含む構造体の製造方法に関する。

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）のさらなる微細化に伴い、より繊細な構造体を加工する技術が求められている。このような要望に対して、互いに非相溶性のブロック同士を結合させたブロック共重合体の自己組織化により形成される相分離構造を利用して、より微細なパターンを形成する試みが始まっている。（例えば、特許文献１参照。）。
ブロック共重合体の相分離構造を利用するためには、ミクロ相分離により形成される自己組織化ナノ構造を、特定の領域のみに形成し、かつ、所望の方向へ配列させることが求められる。これらの位置制御及び配向制御を実現するために、ガイドパターンによって、相分離パターンを制御するグラフォエピタキシーや、基板の化学状態の違いによって相分離パターンを制御するケミカルエピタキシー等のプロセスが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。

ブロック共重合体は相分離により規則的な周期構造を形成する。この周期構造は、ポリマー成分の体積比等により、シリンダー（柱状）、ラメラ（板状）、スフィア（球状）と変化し、その周期は分子量に依存することが知られている。
シリンダー形状が垂直に配向した垂直シリンダー形状や、水平に配向した水平シリンダー形状や、ラメラ形状が垂直に配向した垂直ラメラ形状を微細パターンとして形成する試みがされている。例えば、特許文献２では、ポリスチレンと、シロキサン誘導体とかなるブロック共重合体の側鎖末端に極性基を導入することにより、図１Ａに示すような、ラメラ形状が垂直に配向した垂直ラメラ形状のパターンの垂直配向性を向上する試みがなされている。

特開２００８－３６４９１号公報 特開２０１６－１６６３２３号公報

プロシーディングスオブエスピーアイイー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ），第７６３７巻，第７６３７０Ｇ－１（２０１０年）． Ａｎｎｕ． Ｒｅｖ． Ｐｈｙｓ． Ｃｈｅｍ． ４１ ５２５ （１９９０）

近年、ＬＳＩの技術が更に進歩する中、微細なだけでなく、複雑な構造の相分離構造が望まれている。
ブロック共重合体の相分離構造の形状を制御しようとした場合、ブロック共重合体の重合時に、モノマーの添加量や、重合開始剤添加量を調整することが一般的である。そのため、所望の相分離構造の形状を得るためには、形状毎にブロック共重合体を重合する必要があった。また、ブロック共重合体の重合時におけるモノマーや重合開始剤の添加量の調整では、例えば図１Ｂに示すような、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造の相分離構造を形成できるブロック共重合体を得ることが困難であった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、自己組織化リソグラフィにより複雑な構造が形成できるブロック共重合体、相分離構造を含む構造体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第一の態様は、ケイ素原子を含まない構成単位（ｕ１）の繰り返し構造を有する重合体からなる第１ブロック、及び、ケイ素原子を含む構成単位（ｕ２）の繰り返し構造を有する重合体からなる第２ブロックを備えたブロック共重合体であって、前記第２ブロックは、下記一般式（ｕ２－１）で表される構成単位（ｕ２１）の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック（ｂ２１）を含み、前記ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する前記第１ブロックの体積比は、４２～４４体積％である、ブロック共重合体である。

［式中、Ｒ^Ｐ２１１は、極性基を有する有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。Ｒ^Ｐ２１２は、下記一般式（Ｔｈ－１）で表される化合物から誘導される基である。］

［式中、Ｒ^ｔ１は、置換基を有してもよい炭素数１～５の炭化水素基である。］

本発明の第二の態様は、基板上に、前記第一の態様のブロック共重合体を含む層を形成する工程（ｉ）と、前記のブロック共重合体を含む層を相分離させる工程（ｉｉ）と、を有する、相分離構造を含む構造体の製造方法である。

本発明によれば、自己組織化リソグラフィにより複雑な構造が形成できるブロック共重合体、相分離構造を含む構造体の製造方法を提供することができる。

垂直ラメラ構造を有する相分離構造を示す模式図である。 パーフォレーテッドラメラ構造を有する相分離構造を示す模式図である。 本発明に係る、相分離構造を含む構造体の製造方法の一実施形態例を説明する概略工程図である。 任意工程の一実施形態例を説明する図である。

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸（ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＯＯＨ）のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「（α置換）アクリル酸エステル」ということがある。
「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものを意味する。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、１～５が好ましく、１が最も好ましい。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

≪ブロック共重合体≫
本実施形態にかかるブロック共重合体は、ケイ素原子を含まない構成単位（ｕ１）の繰り返し構造を有する重合体からなる第１ブロック、及び、ケイ素原子を含む構成単位（ｕ２）の繰り返し構造を有する重合体からなる第２ブロックを備える。
本実施形態において、「ブロック共重合体」とは、複数種類のブロック（同種の構成単位が繰り返し結合した部分構成成分）が結合した高分子である。ブロック共重合体を構成するブロックは、２種類であってもよく、３種類以上であってもよい。

本実施形態にかかるブロック共重合体おいて、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第１ブロックの体積比は、４２～４４体積％である。ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第１ブロックの体積比が４２～４４体積％であることにより、例えば、図１Ｂに示すような、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造を形成することができ、また適切な下地を用いることで基板に対しての配向を制御できる。

＜第１ブロック＞
本実施形態において、第１ブロックは、ケイ素原子を含まない構成単位（ｕ１）の繰り返し構造を有する重合体からなるものであれば限定されず、例えば下記一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１１）の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック（以下、「ブロック（ｕ１１）」という場合がある）、又はα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｕ１２）の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック（以下、「ブロック（ｕ１２）」という場合がある）が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｐ１１１は、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。Ｒ^Ｐ１１２は、置換基を有していてもよい芳香族環式基である。］

（構成単位（ｕ１１））
前記一般式（ｕ１－１）中、Ｒ^Ｐ１１１は、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。
Ｒ^Ｐ１１１のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数１～５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
Ｒ^Ｐ１１１のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げらる。
なかでも、Ｒ^Ｐ１１１としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、メチル基又は水素原子が最も好ましい。

前記一般式（ｕ１－１）中、Ｒ^Ｐ１１２は、置換基を有していてもよい芳香族環式基である。
Ｒ^Ｐ１１２の芳香族環式基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基、ピリジル基等が挙げられる。なかでも、Ｒ^Ｐ１１２の芳香族環式基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
Ｒ^Ｐ１１２の芳香族環式基が有していてもよい置換基としては、炭素数１～５のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１～５のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
炭素数１～５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
ハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。

（構成単位（ｕ１２））
本実施形態において、構成単位（ｕ１２）としては、アクリル酸メチルから誘導される構成単位、アクリル酸エチルから誘導される構成単位、アクリル酸プロピルから誘導される構成単位、アクリル酸ｎ－ブチルから誘導される構成単位、アクリル酸ｔ－ブチルから誘導される構成単位、アクリル酸シクロヘキシルから誘導される構成単位、アクリル酸オクチルから誘導される構成単位、アクリル酸ノニルから誘導される構成単位、アクリル酸ヒドロキシエチルから誘導される構成単位、アクリル酸ヒドロキシプロピルから誘導される構成単位、アクリル酸ベンジルから誘導される構成単位、アクリル酸アントラセンから誘導される構成単位、アクリル酸グリシジルから誘導される構成単位、アクリル酸３，４－エポキシシクロヘキシルメタンから誘導される構成単位、メタクリル酸メチルから誘導される構成単位、メタクリル酸エチルから誘導される構成単位、メタクリル酸プロピルから誘導される構成単位、メタクリル酸ｎ－ブチルから誘導される構成単位、メタクリル酸ｔ－ブチルから誘導される構成単位、メタクリル酸シクロヘキシルから誘導される構成単位、メタクリル酸オクチルから誘導される構成単位、メタクリル酸ノニルから誘導される構成単位、メタクリル酸ヒドロキシエチルから誘導される構成単位、メタクリル酸ヒドロキシプロピルから誘導される構成単位、メタクリル酸ベンジルから誘導される構成単位、メタクリル酸アントラセンから誘導される構成単位、メタクリル酸グリシジルから誘導される構成単位、メタクリル酸３，４－エポキシシクロヘキシルメタンから誘導される構成単位などが挙げられる。
これらのなかでも、構成単位（ｕ１２）としては、アクリル酸メチルから誘導される構成単位、アクリル酸エチルから誘導される構成単位、アクリル酸ｔ－ブチルから誘導される構成単位、メタクリル酸メチルから誘導される構成単位、メタクリル酸エチルから誘導される構成単位、メタクリル酸ｔ－ブチルから誘導される構成単位が好ましい。

本実施形態において、第１ブロックとして、前記ブロック（ｕ１１）であることが好ましい。本実施形態にかかるブロック共重合体が前記ブロック（ｕ１１）と後述する第２ブロックとの組み合わせを有する場合、前述のパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造を形成しやすい。

＜第２ブロック＞
本実施形態において、第２ブロックは、下記一般式（ｕ２－１）で表される構成単位（ｕ２１）の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック（ｂ２１）を含む。

［式中、Ｒ^Ｐ２１１は、極性基を有する有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。Ｒ^Ｐ２１２は、下記一般式（Ｔｈ－１）で表される化合物から誘導される基である。］

［式中、Ｒ^ｔ１は、置換基を有してもよい炭素数１～５の炭化水素基である。］

（構成単位（ｕ２１））
前記一般式（ｕ２－１）中、Ｒ^Ｐ２１１は、極性基を有する有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。
Ｒ^Ｐ２１１の「極性基を有する有機基」における有機基としては、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。

・・Ｒ^Ｐ２１１における脂肪族炭化水素基
該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
該直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１～２０（好ましくは炭素数１～１０、より好ましくは炭素数１～６）のアルキル基が挙げられる。前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基などの炭素数２～２０（好ましくは炭素数２～１０、より好ましくは炭素数２～６）のアルケニル基が挙げられる。前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基などの炭素数２～２０（好ましくは炭素数２～１０、より好ましくは炭素数２～６）のアルキニル基が挙げられる。

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１～５のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。

・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
前記の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、例えば、脂環式炭化水素基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの３～８員環のシクロアルキル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などの３～８員環のシクロアルケニル基；アダマンチル基、ノルボルニル基などの炭素数４～２０（好ましくは炭素数７～１２）の橋架け環式炭化水素基などが挙げられる。

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－が好ましい。

・・Ｒ^Ｐ２１１における芳香族炭化水素基
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、５～２０がより好ましく、６～１５がさらに好ましく、６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキル基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基）等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

Ｒ^Ｐ２１１の「極性基を有する有機基」における極性基としては、－ＯＨ、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＳＨ、－ＳＯ_３Ｈ、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｓ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、－ＮＨ_２、－Ｎ＝、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ－、等が挙げられる。

前記一般式（ｕ２－１）中、Ｒ^Ｐ２１１のアルキル基としては、Ｒ^Ｐ２１１における脂肪族炭化水素基としてのアルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^Ｐ２１１のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げらる。

前記式（ｕ２－１）中、Ｒ^Ｐ２１２は、前記式（Ｔｈ－１）で表される化合物から誘導される基である。
前記式（Ｔｈ－１）中、Ｒ^ｔ１における炭素数１～５の炭化水素基としては、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基が更に好ましく、プロピル基が特に好ましい。

前記式（Ｔｈ－１）中、Ｒ^ｔ１における炭素数１～５の炭化水素基が有してもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

前記構成単位（ｕ２１）は、下記一般式（ｕ２－１－１）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｒ^Ｐ２１３は、２価の連結基である。Ｒ^Ｐ２１４は、下記一般式（Ｔｈ－ｒ－１）で表される基である。］

［式中、Ｒ^ｔ１は、置換基を有してもよい炭素数１～５の炭化水素基である。］

前記一般式（ｕ２－１－１）中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。
Ｒの炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Ｒのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げらる。
なかでも、Ｒとしては、メチル基又は水素原子が好ましい。

前記一般式（ｕ２－１－１）中、Ｒ^Ｐ２１３は、２価の連結基である。２価の連結基としては特に限定されないが、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。

・置換基を有していてもよい２価の炭化水素基：
Ｒ^Ｐ２１３が置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。

・・Ｒ^Ｐ２１３における脂肪族炭化水素基
該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
該直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～６がより好ましく、１～４がさらに好ましく、１～３が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１～５のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。

・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３～２０であることが好ましく、３～１２であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－が好ましい。

・・Ｒ^Ｐ２１３における芳香族炭化水素基
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、５～２０がより好ましく、６～１５がさらに好ましく、６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基またはヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を２つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

・ヘテロ原子を含む２価の連結基：
Ｒ^Ｐ２１３がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む２価の連結基が－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の場合、そのＨはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～８であることがさらに好ましく、１～５であることが特に好ましい。
一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－中、Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記２価の連結基としての説明で挙げた（置換基を有していてもよい２価の炭化水素基）と同様のものが挙げられる。
Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１～５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Ｙ^２２としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基において、ｍ”は０～３の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基としては、式－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基が特に好ましい。なかでも、式－（ＣＨ_２）_ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｂ’－で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。

Ｒ^Ｐ２１３としては、炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であることが好ましく、炭素数１～６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であることが更に好ましく、メチレン基が特に好ましい。

前記式（ｕ２－１－１）中、Ｒ^Ｐ２１４は、下記一般式（Ｔｈ－ｒ－１）で表される基である。
前記式（Ｔｈ－ｒ－１）中、Ｒ^ｔ１は、前記式（Ｔｈ－１）におけるＲ^ｔ１と同様である。なかでも、Ｒ^ｔ１としては、メチル基、エチル基、プロピル基が好ましく、プロピル基がより好ましい。

前記式（ｕ２－１－１）中、Ｒ^Ｐ２１４としては、式－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｎ－ＯＨで表される基が好ましい。前記式中、ｎは１～５の整数であり、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは３である。

構成単位（ｕ２１）の具体例を以下に示す。

第２ブロックを構成する重合体中の構成単位（ｕ２１）の割合は、該重合体を構成する全構成単位の合計（１００体積％）に対して、４２～６２体積％が好ましく、４４～６０体積％がより好ましく、４５～５８体積％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ２１）の含有割合を上記の好ましい範囲内とすることにより、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第１ブロックの体積比を４２～４４体積％の範囲に制御しやすくなる。

本実施形態において、第２ブロックを構成する重合体は、前記構成単位（ｕ２１）以外のケイ素原子を含む構成単位（ｕ２２）の繰り返し構造を有してもよい。

（構成単位（ｕ２２））
構成単位（ｕ２２）としては、前記構成単位（ｕ２１）以外のケイ素原子を含む構成単位であれば特に限定されないが、シロキサンから誘導される構成単位（２２１）又は下記一般式（ｕ２－２－２）で表される構成単位（ｕ２２２）であることが好ましく、シロキサンから誘導される構成単位（２２１）であることがより好ましい。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｒ^Ｐ２２１は、２価の連結基である。Ｒ^Ｐ２２２は、ケイ素原子を有する有機基である。］

（構成単位（２２１））
構成単位（２２１）としては、たとえば、メチルビニルシロキサンから誘導される構成単位、ジメチルシロキサンから誘導される構成単位、ジエチルシロキサンから誘導される構成単位、ジフェニルシロキサンから誘導される構成単位、メチルフェニルシロキサンから誘導される構成単位等が挙げられる。
なかでも、構成単位（ｕ２２１）としては、メチルビニルシロキサンから誘導される構成単位が好ましい。

（構成単位（２２２））
前記一般式（ｕ２－２－２）中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基であり、前記一般式（ｕ２－１－１）中のＲと同様である。
なかでも、Ｒとしては、メチル基又は水素原子が好ましい。

前記一般式（ｕ２－２－２）中、Ｒ^Ｐ２２１は、２価の連結基である。Ｒ^Ｐ２２１の２価の連結基としては、前記一般式（ｕ２－１－１）中のＲ^Ｐ２１３の２価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、Ｒ^Ｐ２２１の２価の連結基としては、ヘテロ原子を含む２価の連結基又は２価の芳香族炭化水素基が好ましく、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基又はフェナントレニレン基がより好ましく、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又はフェニレン基が更に好ましい。

前記一般式（ｕ２－２－２）中、Ｒ^Ｐ２２２は、ケイ素原子を有する有機基である。Ｒ^Ｐ２２２としては、特に限定されないが、下記化学式（Ｒ^Ｐ２２２－１）～（Ｒ^Ｐ２２２－３）のいずれかで表される有機基からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。

［式中、Ｒ^０は、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を表す。複数のＲ^０はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。］

前記一般式（Ｒ^Ｐ２２２－３）中、Ｒ^０の置換基を有していてもよい１価の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ２－１）中のＲ^Ｐ２１１の説明において例示した置換基を有していてもよい１価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、Ｒ^０としては、エチル基又はイソブチル基が好ましい。

第２ブロックを構成する重合体中の構成単位（ｕ２２）の割合は、該重合体を構成する全構成単位の合計（１００体積％）に対して、４２～６２体積％が好ましく、４４～６０体積％がより好ましく、４５～５８体積％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ２２）の含有割合を上記の好ましい範囲内とすることにより、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第１ブロックの体積比を４２～４４体積％の範囲に制御しやすくなる。

本実施形態において、ブロック共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）が５０００～２００００００であることが好ましく、５０００～１００００００であることがより好ましく、５０００～５０００００であることがさらに好ましい。
またブロック共重合体の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０～３．０が好ましく、１．０～１．５がより好ましく、１．０～１．３がさらに好ましい。なお、Ｍｗは質量平均分子量を示す。

本実施形態において、第１ブロックの含有割合は、第１ブロックと第２ブロックとの総量（１００体積％）に対して、３８～６６体積％であることが好ましく、４０～６４体積％であることがより好ましく、４２～６２体積％であることが更に好ましい。
また、第２ブロックの含有割合は、第１ブロックと第２ブロックとの総量（１００体積％）に対して、３４～６２体積％であることが好ましく、３６～６０体積％であることがより好ましく、３８～５８体積％であることが更に好ましい。
第１ブロック及び第２ブロックの含有割合を上記の好ましい範囲内とすることにより、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第１ブロックの体積比を４２～４４体積％の範囲に制御しやすくなる。

本実施形態のブロック共重合体は、相分離構造形成用樹脂組成物として好適に用いることができる。相分離形成用樹脂組成物として用いる場合には、本実施形態のブロック共重合体を有機溶剤に溶解して作製することが好ましい。

・有機溶剤
有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、樹脂を主成分とする膜組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、塩化メチル、ジクロロメタン、クロロホルム、塩化エチル、ジクロロエタン、ｎ－プロピルクロライド、ｎ－ブチルクロライド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）などのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、クロロホルム、２－ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、ＥＬが好ましい。
また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２、さらに好ましくは３：７～７：３である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：（ＰＧＭＥ＋シクロヘキサノン）の質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２、さらに好ましくは３：７～７：３である。

また、相分離構造形成用樹脂組成物中の有機溶剤として、その他には、ＰＧＭＥＡ、ＥＬ、または前記ＰＧＭＥＡと極性溶剤との混合溶媒と、γ－ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０～９５：５とされる。
相分離構造形成用樹脂組成物中の有機溶剤の使用量は特に限定されるものではなく、塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはブロック共重合体の固形分濃度が０．２～７０質量％、好ましくは０．２～５０質量％の範囲内となる様に用いられる。

本実施形態のブロック共重合体は、相分離により規則的な周期構造の構造体を形成することができるので、自己組織化リソグラフィ用として好適である。
本実施形態のブロック共重合体は、前記構成単位（ｕ１）の繰り返し構造を有する重合体からなる第１ブロック、及び、前記構成単位（ｕ２）の繰り返し構造を有する重合体からなる第２ブロックを備え、かつ、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第１ブロックの体積比が、４２～４４体積％であることにより、例えば、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造を形成することができる。

≪ブロック共重合体の製造方法≫
本実施形態のブロック共重合体は、例えば、前記一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１１）の繰り返し構造を有する重合体、又はα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｕ１２）の繰り返し構造を有する重合体からなる第１ブロックを調製する工程（ａ）と、前記工程（ａ）で調製された第１ブロックに、下記一般式（ｕ２－１’）で表される構成単位（ｕ２１’）を誘導する単量体（ｍ２１’）を付加重合させて、第１ブロックとブロック（ｂ２１’）とからなるブロック共重合体前駆体を調製する工程（ｂ）と、工程（ｂ）で調製されたブロック共重合体前駆体に、前記一般式（Ｔｈ－１）で表される化合物を反応させる工程（ｃ）とを含む方法により製造することができる。

［式中、Ｒ^Ｐ２１１’は、反応性基を含む有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。Ｒ^Ｐ２１２’は、反応性基を含む有機基である。］

（工程（ａ））
工程（ａ）では、第１ブロックを調製する。第１ブロックを調製する方法は特に限定されず、公知の重合方法を用いることができる。例えば、構成単位（ｕ１１）を誘導するモノマー又は構成単位（ｕ１２）を誘導するモノマーを、ｓｅｃ－ブチルリチウム（ＳｅｃＢｕＬｉ）等のリビングアニオン重合開始剤の存在下、有機溶媒中で重合反応させることができる。反応温度は特に限定されないが、第１ブロックの分散度が狭くなるような温度が好ましい。

（工程（ｂ））
工程（ｂ）では、前記工程（ａ）で調製された第１ブロックに、前記一般式（ｕ２－１’）で表される構成単位（ｕ２１’）を誘導する単量体（ｍ２１’）を付加重合させて、第１ブロックとブロック（ｂ２１’）とからなるブロック共重合体前駆体を調製する。

前記一般式（ｕ２－１’）中、Ｒ^Ｐ２１１’は、反応性基を含む有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。
「反応性基を含む有機基」は、反応性基自体も包含する。
反応性基とは、化学反応によって他の部位と反応することができる基を意味する。
反応性基としては、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チアシクロプロピル基、スルファニル基、イソシアナト基、アミノ基及びウレイド基が挙げられる。なかでも、反応性基としては、ビニル基、アリル基が好ましく、ビニル基が特に好ましい。
Ｒ^Ｐ２１１’における有機基としては特に限定されないが、例えば前記一般式（ｕ２－１）中のＲ^Ｐ２１１’における置換基を有していてもよい１価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^Ｐ２１１’のアルキル基又はハロゲン化アルキル基としては、前記一般式（ｕ２－１）中のＲ^Ｐ２１１のアルキル基又はハロゲン化アルキル基と同様である。
なかでも、Ｒ^Ｐ２１１’としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、メチル基又は水素原子が最も好ましい。

前記一般式（ｕ２－１’）中、Ｒ^Ｐ２１２’は、反応性基を含む有機基である。
Ｒ^Ｐ２１２’の反応性基を含む有機基は、前記Ｒ^Ｐ２１１’の反応性基を含む有機基と同様のものが挙げられる。
なかでも、Ｒ^Ｐ２１２’としては、ビニル基、ビニル基を有する有機基、アリル基が好ましく、ビニル基が特に好ましい。

（工程（ｃ））
工程（ｃ）では、工程（ｂ）で調製されたブロック共重合体前駆体に、前記一般式（Ｔｈ－１）で表される化合物を反応させる（エン・チオール反応）。これにより、ブロック（ｂ２１’）の構成単位（ｕ２１’）において、Ｒ^Ｐ２１１’又はＲ^Ｐ２１２’の反応性基を含む有機基に、前記式（Ｔｈ－１）で表される化合物から誘導される基が導入され、第１ブロックと第２ブロックとが結合したブロック共重合を調製することができる。

上記の製造方法によれば、第１ブロックとブロック（ｂ２１’）とからなるブロック共重合体前駆体を調製した後に、ブロック（ｂ２１’）の構成単位（ｕ２１’）に側鎖に前記式（Ｔｈ－１）で表される化合物から誘導される基を導入することができる。そのため、各ブロックを重合する際のモノマーの添加量や重合開始剤の添加量等を調整することなく、簡便に第１ブロックの体積比を制御することができる。かかる製造方法により得られたブロック共重合体は、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する前記第１ブロックの体積比が４２～４４体積％の範囲に制御されているため、例えば、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造を形成することができる。

≪相分離構造を含む構造体の形成方法≫
本実施形態のブロック共重合体を用いた相分離構造を含む構造体の形成方法について説明する。
相分離構造を含む構造体の製造方法は、基板上に、本実施形態のブロック共重合体を含む層を形成する工程（ｉ）と、当該ブロック共重合体を含む層を相分離させる工程（ｉｉ）と、を有する。
本実施形態の相分離構造を含む構造体の製造方法においては、前記工程（ｉ）の前に、下地剤を塗布し、下地剤層を形成する工程（以下、「下地剤層形成工程」）を有することが好ましい。
以下、かかる相分離構造を含む構造体の製造方法について、図２を参照しながら具体的に説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。なお、説明の便宜上、図２では垂直ラメラ構造を有する相分離構造の一例を示しているが、本実施形態の相分離構造を含む構造体の製造方法によれば、図１Ｂに示すような、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造を形成することができる。

図２は、相分離構造を含む構造体の製造方法の一実施形態例を示す。
まず、基板１上に下地剤を塗布して、下地剤層２を形成する（図２（Ｉ））。
次に、下地剤層２上に、上述した本実施形態のブロック共重合体を塗布して、ブロック共重合体を含む層（ＢＣＰ層）３を形成する（図２（ＩＩ）；以上、工程（ｉ））。
次に、加熱してアニール処理を行い、ＢＣＰ層３を、相３ａと相３ｂとに相分離させる（図２（ＩＩＩ）；工程（ｉｉ））。
かかる本実施形態の製造方法、すなわち、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を有する製造方法によれば、下地剤層２が形成された基板１上に、相分離構造を含む構造体３’が製造される。

［工程（ｉ）］
工程（ｉ）では、基板１上に、ブロック共重合体を用いて、ＢＣＰ層３を形成する。

基板は、その表面上にブロック共重合体を塗布し得るものであれば、その種類は特に限定されない。
基板としては、例えば、シリコン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属からなる基板、ガラス、酸化チタン、シリカ、マイカ等の無機物からなる基板、アクリル板、ポリスチレン、セルロース、セルロースアセテート、フェノール樹脂等の有機化合物からなる基板などが挙げられる。
基板の大きさや形状は、特に限定されるものではない。基板は必ずしも平滑な表面を有する必要はなく、様々な材質や形状の基板を適宜選択することができる。例えば、曲面を有する基板、表面が凹凸形状の平板、薄片状などの様々な形状のものを多様に用いることができる。
基板の表面には、無機系および／または有機系の膜が設けられていてもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。

基板１にＢＣＰ層３を形成する前に、基板１の表面を洗浄してもよい。基板の表面を洗浄することにより、相分離構造形成用樹脂組成物又は下地剤の基板１への塗布を、より良好に行うことができる。
洗浄処理としては、従来公知の方法を利用でき、例えば酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、オゾン酸化処理、酸アルカリ処理、化学修飾処理等が挙げられる。例えば、基板を硫酸／過酸化水素水溶液等の酸溶液に浸漬させた後、水洗し、乾燥させる。その後、当該基板の表面に、ＢＣＰ層３又は下地剤層２を形成する。

ＢＣＰ層３を形成する前に、基板１を中性化処理することが好ましい。
中性化処理とは、基板表面を、ブロック共重合体を構成するいずれのポリマーとも親和性を有するように改変する処理をいう。中性化処理を行うことにより、相分離によって特定のポリマーからなる相のみが基板表面に接することを抑制することができる。例えば、ＢＣＰ層３を形成する前に、基板１表面に、用いるブロック共重合体の種類に応じた下地剤層２を形成しておくことが好ましい。これに伴い、ＢＣＰ層３の相分離によって、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造が形成しやすくなる。

具体的には、基板１表面に、ブロック共重合体を構成するいずれのポリマーとも親和性を有する下地剤を用いて下地剤層２を形成する。
下地剤には、ブロック共重合体を構成するポリマーの種類に応じて、薄膜形成に用いられる従来公知の樹脂組成物を適宜選択して用いることができる。
かかる下地剤としては、例えば、ブロック共重合体を構成する各ポリマーの構成単位をいずれも有する樹脂を含有する組成物や、ブロック共重合体を構成する各ポリマーと親和性の高い構成単位をいずれも有する樹脂を含有する組成物等が挙げられる。
例えば、ＰＳ－ＰＭＭＡブロック共重合体を用いる場合、下地剤としては、ＰＳとＰＭＭＡとの両方を含む樹脂組成物や、芳香環等と親和性が高い部位と、極性の高い官能基等と親和性の高い部位と、の両方を含む化合物又は組成物を用いることが好ましい。
ＰＳとＰＭＭＡとの両方を含む樹脂組成物としては、例えば、ＰＳとＰＭＭＡとのランダムコポリマー、ＰＳとＰＭＭＡとの交互ポリマー（各モノマーが交互に共重合しているもの）等が挙げられる。

また、ＰＳと親和性が高い部位と、ＰＭＭＡと親和性の高い部位と、の両方を含む組成物としては、例えば、モノマーとして、少なくとも、芳香環を有するモノマーと極性の高い置換基を有するモノマーとを重合させて得られる樹脂組成物が挙げられる。芳香環を有するモノマーとしては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基を有するモノマー、又はこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基を有するモノマーが挙げられる。また、極性の高い置換基を有するモノマーとしては、カルボキシ基、水酸基、シアノ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等を有するモノマーが挙げられる。
また、下地剤としては、例えば、熱重合性樹脂組成物、ポジ型レジスト組成物やネガ型レジスト組成物等の感光性樹脂組成物も挙げられる。

これらの下地剤層は、常法により形成することができる。
下地剤を基板１上に塗布して下地剤層２を形成する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により形成できる。
たとえば、下地剤を、スピンコート又はスピンナーを用いる等の従来公知の方法により基板１上に塗布して塗膜を形成し、乾燥させることにより、下地剤層２を形成できる。
塗膜の乾燥方法としては、下地剤に含まれる溶媒を揮発させることができればよく、さらに基板上に固定化できればよく、たとえばベークする方法等が挙げられる。この際、ベーク温度は、８０～３００℃が好ましく、９０～２７０℃がより好ましく、１００～２５０℃がさらに好ましい。ベーク時間は、３０～５００秒間が好ましく、３０～２５０秒間がより好ましい。
塗膜の乾燥後における下地剤層２の厚さは、３～１００ｎｍ程度が好ましく、５～５０ｎｍ程度がより好ましい。

次いで、下地剤層２の上に、複数種類のブロックが結合したブロック共重合体を含む層（ＢＣＰ層）３を形成する。
下地剤層２の上にＢＣＰ層３を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えばスピンコート又はスピンナーを用いる等の従来公知の方法により、下地剤層２上に樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、乾燥させる方法が挙げられる。

樹脂組成物の塗膜の乾燥方法としては、例えば６０～１５０℃が好ましく、８０～１３０℃がより好ましく、ベーク時間は、例えば１０～３０００秒間が好ましく、２０～１２０秒間がより好ましい。

ＢＣＰ層３の厚さは、相分離が起こるために充分な厚さであればよく、基板１の種類、又は、形成される相分離構造の構造周期サイズもしくはナノ構造体の均一性等を考慮すると、１０～１００ｎｍが好ましく、１５～８０ｎｍがより好ましい。

［工程（ｉｉ）］
工程（ｉｉ）では、基板１上に形成された、ブロック共重合体を含む層３を相分離させる。
工程（ｉ）後の基板１を加熱してアニール処理を行うことにより、ブロック共重合体の選択除去によって、基板１表面の少なくとも一部が露出するような相分離構造が形成する。すなわち、基板１上に、相３ａと相３ｂとに相分離した相分離構造を含む構造体３’が製造される。
アニール処理の温度条件は、用いるブロック共重合体のガラス転移温度以上であり、かつ、熱分解温度未満で行うことが好ましい。例えば、本実施形態のブロック共重合体を用いる場合は４０～３５０℃が好ましく、５０～３００℃がより好ましく、７０～１２０℃が特に好ましい。加熱時間は、３０～３６００秒間が好ましく、１２０～６００秒間がより好ましい。
また、アニール処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。

［任意工程］
本発明の第２の態様に係る、相分離構造を含む構造体の製造方法は、上述した実施形態に限定されず、工程（ｉ）～（ｉｉ）以外の工程（任意工程）を有してもよい。
かかる任意工程としては、ＢＣＰ層３のうち、前記ブロック共重合体を構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する工程（以下「工程（ｉｉｉ）」という。）、ガイドパターン形成工程等が挙げられる。

・工程（ｉｉｉ）について
工程（ｉｉｉ）では、下地剤層２の上に形成されたＢＣＰ層３のうち、前記ブロック共重合体を構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相（相３ａ、相３ｂ）を選択的に除去する。これにより、微細なパターン（高分子ナノ構造体）が形成される。

ブロックからなる相を選択的に除去する方法としては、ＢＣＰ層に対して酸素プラズマ処理を行う方法、水素プラズマ処理を行う方法等が挙げられる。
尚、以下において、ブロック共重合体を構成するブロックのうち、選択的に除去されないブロックをＰ_Ａブロック、選択的に除去されるブロックをＰ_Ｂブロックという。例えば、本実施形態のブロック共重合体を含む層を相分離した後、該層に対して酸素プラズマ処理や水素プラズマ処理等を行うことにより、第２ブロックからなる相が選択的に除去される。この場合、第１ブロック部分がＰ_Ａブロックであり、第２ブロック部分がＰ_Ｂブロックである。

図３は、工程（ｉｉｉ）の一実施形態例を示す。
図３に示す実施形態においては、工程（ｉｉ）で基板１上に製造された構造体３’に、酸素プラズマ処理を行うことによって、相３ａが選択的に除去され、離間した相３ｂからなるパターン（高分子ナノ構造体）が形成されている。この場合、相３ｂがＰ_Ａブロックからなる相であり、相３ａがＰ_Ｂブロックからなる相である。

上記のようにして、ＢＣＰ層３の相分離によってパターンが形成された基板１は、そのまま使用することもできるが、さらに加熱することにより、基板１上のパターン（高分子ナノ構造体）の形状を変更することもできる。
加熱の温度条件は、用いるブロック共重合体のガラス転移温度以上であり、かつ、熱分解温度未満が好ましい。また、加熱は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。

・ガイドパターン形成工程について
本発明の第２の態様に係る、相分離構造を含む構造体の製造方法においては、下地剤層上にガイドパターンを設ける工程（ガイドパターン形成工程）を有してもよい。これにより、相分離構造の配列構造制御が可能となる。
例えば、ガイドパターンを設けない場合に、ランダムな指紋状の相分離構造が形成されるブロック共重合体であっても、下地剤層表面にレジスト膜の溝構造を設けることにより、その溝に沿って配向した相分離構造が得られる。このような原理で、下地剤層２上にガイドパターンを設けてもよい。また、ガイドパターンの表面が、ブロック共重合体を構成するいずれかのポリマーとも親和性を有することにより、ラメラ形状とそのラメラ形状に垂直配向したシリンダー形状の２種類の形状が交互に規則正しく配列したパーフォレーテッドラメラ構造等の複雑な構造を有する相分離構造が形成しやすくなる。

ガイドパターンは、例えばレジスト組成物を用いて形成できる。
ガイドパターンを形成するレジスト組成物は、一般的にレジストパターンの形成に用いられるレジスト組成物やその改変物の中から、ブロック共重合体を構成するいずれかのポリマーと親和性を有するものを適宜選択して用いることができる。該レジスト組成物としては、レジスト膜露光部が溶解除去されるポジ型パターンを形成するポジ型レジスト組成物、レジスト膜未露光部が溶解除去されるネガ型パターンを形成するネガ型レジスト組成物のいずれであってもよいが、ネガ型レジスト組成物であることが好ましい。ネガ型レジスト組成物としては、例えば、酸発生剤成分と、酸の作用により有機溶剤を含有する現像液への溶解性が酸の作用により減少する基材成分とを含有し、該基材成分が、酸の作用により分解して極性が増大する構成単位を有する樹脂成分、を含有するレジスト組成物が好ましい。
ガイドパターンが形成された下地剤層上に樹脂組成物が流し込まれた後、相分離を起こすためにアニール処理が行われる。このため、ガイドパターンを形成するレジスト組成物としては、耐溶剤性及び耐熱性に優れたレジスト膜を形成し得るものであることが好ましい。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

［合成例：ブロック共重合体前駆体（Ｐｒｅ）の合成］
Ａｒ雰囲気下でテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌを反応容器に仕込み、－７８℃に冷却する。所定量のＳｅｃＢｕＬｉ（ヘキサン・シクロヘキサン混合溶液）とスチレン１．９２ｍｌを添加後、－７８℃のまま３０分撹拌を行った。その後、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサンを１．３０ｍｌ添加し、－７８℃で３０分撹拌後、－２０℃に液温を変更し、さらに２４時間撹拌を行った後、トリメチルシリルクロリドを２．００ｍｌ添加し、反応溶液をメタノール５００ｍｌに注ぎ、析出した固体を濾過にて回収した。乾燥後の重量は２．５ｇであった。得られたブロック共重合体前駆体（Ｐｒｅ）のＭｎは１４８００、ＰＤＩは１．１０（ＧＰＣ換算）、スチレン：メチルビニルシロキサン＝５２：４８（ｍｏｌ比）（^１Ｈ－ＮＭＲ）であった。また、ブロック共重合体前駆体（Ｐｒｅ）を構成する全ブロックに対するスチレンブロックの体積比は、５７体積％であった。

［実施例１：ブロック共重合体（１）の合成］
窒素雰囲気下でブロック共重合体前駆体を１．０ｇとＡＩＢＮ８．００ｇと３－メルカプト－１－プロパノール２．２４ｇとテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５．０ｍｌを反応容器に仕込み、６５℃で１時間撹拌を行った。反応溶液をヘキサン５０ｍｌに注ぎ、析出した固体を濾過にて回収し乾燥させることで、前記ブロック共重合体前駆体中のメチルビニルシロキサンブロックの側鎖の８３％に－Ｓ－（ＣＨ_２）_３－ＯＨが導入されたブロック共重合体１を０．９８ｇ得た。得られたブロック共重合体（１）のＭｎは２０５００、ＰＤＩは１．１２（ＧＰＣ換算）であった。また、ブロック共重合体（１）を構成する全ブロックに対するスチレンブロックの体積比は、４４体積％であった。

［実施例２～３、比較例１～３：ブロック共重合体（２）～（６）の合成］
前記ブロック共重合体前駆体中のメチルビニルシロキサンブロックの側鎖への－Ｓ－（ＣＨ_２）_３－ＯＨの導入率（側鎖導入率）が表１に示す値となるように３－メルカプト－１－プロパノールの量を変更した以外は、合成例２と同様にしてブロック共重合体（２）～（６）を得た。得られたブロック共重合体（２）～（６）のＭｎ、ＰＤＩ、及び各ブロック共重合体を構成する全ブロックに対するスチレンブロックの体積比（体積％）を表１に併記する。

［実施例４～６、比較例４～６：相分離構造の形成］
ＴＨＦを用いて１０質量％の濃度に調製した各ブロック共重合体の溶液１．０ｇを容積約１０ｍｌのガラス製容器に計り取り、減圧下室温で一晩乾燥させた後、１３０℃で２４時間加熱し、観察用のサンプルを得た。小角Ｘ線散乱分析（ＳＡＸＳ）および透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することで、相分離の形態を区別した。結果を表２に示す。

表２に示すように、本願発明を適用した実施例４～６では、図１Ｂに示すような、ラメラ形状がと、それに直行したシリンダー形状が交互に配列したパーフォレーテッドラメラ構造が形成されたことが確認された。
一方、比較例４～６では、図１Ａに示すような、ラメラ形状のみが確認された。

Claims (4)

1. ケイ素原子を含まず、 下記一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１）の繰り返し構造を有する重合体からなる第１ブロック、及び、ケイ素原子を含む構成単位（ｕ２）の繰り返し構造を有する重合体からなる第２ブロックを備えたブロック共重合体であって、
   前記第２ブロックは、下記一般式（ｕ２－１－１）で表される構成単位（ｕ２１）の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック（ｂ２１）を含み、
   前記ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する前記第１ブロックの体積比は、４２～４４体積％である、
   ブロック共重合体。
   

   

   ［式中、Ｒ^ｐ１１１は、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子である。Ｒ^ｐ１１２は、置換基を有していてもよい芳香族環式基である。］
   

   

   ［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｒ^ｐ２１３は、２価の連結基である。Ｒ^ｐ２１４は、式－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｎ－ＯＨで表される基である。ｎは１～５の整数である。］
2. 基板上に、請求項１に記載のブロック共重合体を含む層を形成する工程（ｉ）と、
   前記のブロック共重合体を含む層を相分離させる工程（ｉｉ）と、
   を有する、相分離構造を含む構造体の製造方法。
3. 前記工程（ｉ）は、基板上に、下地剤を塗布して下地剤層を形成し、当該下地剤層上に、請求項１に記載のブロック共重合体を含む層を形成する操作を含む、請求項２に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。
4. 前記工程（ｉ）の前に、基板上に、ガイドパターンを形成する工程を有する、請求項２又は３に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

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