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JP7270225B2 - Solid-state imaging device - Google Patents

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JP7270225B2
JP7270225B2 JP2018126476A JP2018126476A JP7270225B2 JP 7270225 B2 JP7270225 B2 JP 7270225B2 JP 2018126476 A JP2018126476 A JP 2018126476A JP 2018126476 A JP2018126476 A JP 2018126476A JP 7270225 B2 JP7270225 B2 JP 7270225B2
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Description

本開示は、電子内視鏡等に設けられる小型の固体撮像装置に関するものである。 The present disclosure relates to a compact solid-state imaging device provided in an electronic endoscope or the like.

従来から医療分野において、細長い挿入部を体腔内に挿入することにより、体腔内臓器等を観察したり、処置具チャンネル内に挿通された処置具を用いて各種治療処置したりできる医療用の内視鏡が提供されている。また、工業分野において、ボイラ、タービン、エンジン、化学プラントなどの内部の傷や腐蝕などを観察又は検査できる工業用の内視鏡が提供されている。 BACKGROUND ART Conventionally, in the medical field, by inserting an elongated insertion portion into a body cavity, a medical endoscope has been used that allows observation of internal organs in a body cavity, and various therapeutic treatments using a treatment instrument inserted through a treatment instrument channel. A viewing scope is provided. In the industrial field, industrial endoscopes are provided that can observe or inspect internal flaws, corrosion, etc. of boilers, turbines, engines, chemical plants, and the like.

このような内視鏡(電子内視鏡)には、例えば、挿入部の先端部に電荷結合素子(CCDと略記)などの固体撮像素子や電子部品を備えた固体撮像装置を内蔵したものがある。固体撮像装置は、撮像対象物からの反射光を受光して光電変換し、光電変換した信号を、信号ケーブルを介して、モニタ装置を備えた情報処理装置に伝送する。情報処理装置は、固体撮像装置から受信した信号を処理し、固体撮像装置で撮像された撮像対象物を、モニタ装置にカラー表示する。 Such an endoscope (electronic endoscope) includes, for example, a solid-state imaging device such as a charge-coupled device (abbreviated as CCD) or a solid-state imaging device equipped with electronic components at the distal end of the insertion section. be. A solid-state imaging device receives reflected light from an object to be imaged, photoelectrically converts the light, and transmits the photoelectrically converted signal to an information processing device having a monitor device via a signal cable. The information processing device processes a signal received from the solid-state imaging device, and displays an object captured by the solid-state imaging device in color on a monitor device.

固体撮像装置を内蔵した内視鏡は、例えば、狭く曲がりくねった管腔内等に挿入されるため、挿入部の細径化が望まれている。また、固体撮像装置は、小回りがきき、操作性の良い内視鏡を実現するため、小型化、小径化が望まれている。 An endoscope with a built-in solid-state imaging device is inserted into, for example, a narrow and tortuous lumen, and therefore, it is desired to reduce the diameter of the insertion portion. In addition, solid-state imaging devices are desired to be compact and small in diameter in order to realize an endoscope that can turn in a small radius and have good operability.

特許文献1には、内視鏡の先端部に配置される固体撮像装置が開示されている。特許文献1には、封止樹脂によって形成される封止固定部をできるだけ小さくして全体の構成を小型化した固体撮像装置が開示されている。 Patent Literature 1 discloses a solid-state imaging device arranged at the distal end of an endoscope. Patent Document 1 discloses a solid-state imaging device in which the size of the entire configuration is reduced by minimizing the sealing and fixing portion formed by the sealing resin as much as possible.

特開2001-17389号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2001-17389

図7は、特許文献1の固体撮像装置の断面図であり、図8は、特許文献1の固体撮像装置の平面図である。特許文献1の固体撮像装置では、固体撮像素子2の受光面上に透明部材3が接着され、受光面に形成された突起電極2bに、FPC4A(フレキシブル回路基板)のリード12が接続されている。また、特許文献1の固体撮像装置では、透明部材3の周辺部と、固体撮像素子2及びFPC4Aのリード12の接続部分とが、第2封止樹脂25で封止されている。 FIG. 7 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device of Patent Document 1, and FIG. 8 is a plan view of the solid-state imaging device of Patent Document 1. As shown in FIG. In the solid-state imaging device disclosed in Patent Document 1, a transparent member 3 is adhered onto the light-receiving surface of a solid-state imaging element 2, and leads 12 of an FPC 4A (flexible circuit board) are connected to projecting electrodes 2b formed on the light-receiving surface. . In addition, in the solid-state imaging device of Patent Document 1, the peripheral portion of the transparent member 3 and the connecting portions of the solid-state imaging element 2 and the leads 12 of the FPC 4A are sealed with the second sealing resin 25 .

このため、特許文献1では、第2封止樹脂25によって形成された封止固定部6の範囲が広範になることによって、固体撮像装置の小型化が阻まれていた。 Therefore, in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-100000, the range of the sealing fixing portion 6 formed by the second sealing resin 25 is widened, which hinders downsizing of the solid-state imaging device.

例えば、固体撮像装置を固体撮像素子2の受光面側から見ると、封止固定部6が固体撮像素子2の外縁からはみ出ており、固体撮像装置の受光面側から見た大きさは、封止固定部6の大きさで決まってしまう。 For example, when the solid-state imaging device is viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging device 2, the sealing fixing portion 6 protrudes from the outer edge of the solid-state imaging device 2, and the size of the solid-state imaging device viewed from the light-receiving surface side is the same as that of the seal. It is determined by the size of the stop fixing portion 6 .

本開示は、より小型化された固体撮像装置を提供することを目的とする。 An object of the present disclosure is to provide a more compact solid-state imaging device.

上記課題を解決するため、固体撮像素子と、上記固体撮像素子の受光面とは反対側の面で、封止樹脂により上記固体撮像素子に固定される基板とを備え、上記固体撮像素子の受光面側から見た上記基板の外縁は、上記固体撮像素子の外縁内に収まっており、上記固体撮像素子の受光面側から見た上記封止樹脂の外縁は、上記固体撮像素子の外縁内に収まっている固体撮像装置を用いる。 In order to solve the above problems, a solid-state imaging device and a substrate fixed to the solid-state imaging device with a sealing resin on the opposite side of the light-receiving surface of the solid-state imaging device are provided. The outer edge of the substrate viewed from the surface side is within the outer edge of the solid-state imaging device, and the outer edge of the sealing resin viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging device is within the outer periphery of the solid-state imaging device. A solid-state imaging device is used.

本開示によれば、より小型化した固体撮像装置を提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a more compact solid-state imaging device.

実施の形態1における固体撮像装置の構成を示す断面図1 is a cross-sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to Embodiment 1; 実施の形態1における固体撮像装置の構成を示す平面図1 is a plan view showing the configuration of a solid-state imaging device according to Embodiment 1; FIG. (a)~(f)実施の形態1における固体撮像装置の形成工程を示す断面図(a) to (f) Cross-sectional views showing the steps of forming the solid-state imaging device according to the first embodiment. (a)~(f)第2の実施の形態における固体撮像装置の形成工程を示す断面図(a) to (f) Cross-sectional views showing the steps of forming the solid-state imaging device according to the second embodiment. 第3の実施の形態における固体撮像装置の構成を示す断面図Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to the third embodiment 第4の実施の形態における固体撮像装置の構成を示す断面図Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to the fourth embodiment 従来の固体撮像装置の構成を示す断面図Cross-sectional view showing the configuration of a conventional solid-state imaging device 従来の固体撮像装置の構成を示す平面図Plan view showing the configuration of a conventional solid-state imaging device

(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1、図面を参照して説明する。
(Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本開示の実施の形態1における固体撮像装置の断面図であり、図2は、本開示の実施の形態1における固体撮像装置の平面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present disclosure, and FIG. 2 is a plan view of the solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present disclosure.

<構造>
図1に示すように、本発明の実施の形態1における固体撮像装置は、直方体形状の固体撮像素子23を有している。固体撮像素子23は、受光面23aと、面23bと、を有している。
<Structure>
As shown in FIG. 1, the solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present invention has a rectangular parallelepiped solid-state imaging element 23 . The solid-state imaging device 23 has a light receiving surface 23a and a surface 23b.

固体撮像素子23の受光面23aには、直方体形状の透明部材21(カバーガラス)が配置されている。透明部材21は、接着剤22によって、固体撮像素子23に固定されている。固体撮像素子23の面23bには、接続端子9が複数形成されている。 A rectangular parallelepiped transparent member 21 (cover glass) is arranged on the light receiving surface 23 a of the solid-state imaging device 23 . The transparent member 21 is fixed to the solid-state imaging device 23 with an adhesive 22 . A plurality of connection terminals 9 are formed on the surface 23 b of the solid-state imaging device 23 .

固体撮像素子23の面23bには、凸形状のメイン基板28が配置されている。固体撮像素子23は、第1封止樹脂24と第2封止樹脂25によって、メイン基板28に固定されている。 A convex main substrate 28 is arranged on the surface 23 b of the solid-state imaging device 23 . The solid-state imaging device 23 is fixed to the main substrate 28 with the first sealing resin 24 and the second sealing resin 25 .

メイン基板28の突起部上面には、接続端子11が複数形成されている。メイン基板28の接続端子11と、固体撮像素子23の面23bに形成された接続端子9との間には、突起電極10が設けられている。突起電極10は、メイン基板28と固体撮像素子23とを電気的に接続している。 A plurality of connection terminals 11 are formed on the upper surface of the protrusion of the main board 28 . Protruding electrodes 10 are provided between the connection terminals 11 of the main substrate 28 and the connection terminals 9 formed on the surface 23b of the solid-state imaging device 23 . The protruding electrodes 10 electrically connect the main substrate 28 and the solid-state imaging device 23 .

メイン基板28のベース部上面には、接続端子14が複数形成されている。チップ部品26(固体撮像素子23の面23bとメイン基板28のベース部との間の空間27)には、接続端子32を有したチップ部品26が複数配置されている。 A plurality of connection terminals 14 are formed on the upper surface of the base portion of the main board 28 . A plurality of chip components 26 having connection terminals 32 are arranged in the chip component 26 (the space 27 between the surface 23b of the solid-state imaging device 23 and the base portion of the main substrate 28).

メイン基板28の接続端子14と、チップ部品26の接続端子32との間には、突起電極13が設けられている。突起電極13は、メイン基板28とチップ部品26とを電気的に接続している。第2封止樹脂25は、チップ部品26を充填している。メイン基板28のベース部側面には、ケーブル接続端子15が形成されている。 Projecting electrodes 13 are provided between the connection terminals 14 of the main board 28 and the connection terminals 32 of the chip component 26 . The projecting electrodes 13 electrically connect the main board 28 and the chip component 26 . The second sealing resin 25 fills the chip component 26 . Cable connection terminals 15 are formed on the side surface of the base portion of the main board 28 .

平面視における透明部材21及び接着剤22の面積は、平面視における固体撮像素子23の面積より小さい(図2を参照)。平面視において、透明部材21及び接着剤22の外縁は、固体撮像素子23の外縁内に収まるように配置されている(図2を参照)。 The area of the transparent member 21 and the adhesive 22 in plan view is smaller than the area of the solid-state imaging device 23 in plan view (see FIG. 2). In plan view, the outer edges of the transparent member 21 and the adhesive 22 are arranged so as to fit within the outer edge of the solid-state imaging device 23 (see FIG. 2).

また、平面視における第1封止樹脂24と第2封止樹脂25及びメイン基板28の面積は、平面視における固体撮像素子23の面積より小さい。平面視において、第1封止樹脂24と第2封止樹脂25の外縁及びメイン基板28の外縁は、固体撮像素子23の外縁内に収まるように配置されている。 Also, the areas of the first sealing resin 24, the second sealing resin 25, and the main substrate 28 in plan view are smaller than the area of the solid-state imaging device 23 in plan view. In plan view, the outer edges of the first sealing resin 24 and the second sealing resin 25 and the outer edge of the main substrate 28 are arranged so as to fit within the outer edge of the solid-state imaging device 23 .

これにより、固体撮像装置の幅寸法(平面視における大きさ、図2の縦横方向の寸法)が最大となる要素は、固体撮像素子23となる。固体撮像装置は、極限まで(固体撮像素子23の大きさまで)小型化されることができる。 As a result, the solid-state imaging element 23 is the element that maximizes the width dimension of the solid-state imaging device (the size in plan view, the dimension in the vertical and horizontal directions in FIG. 2). The solid-state imaging device can be miniaturized to the limit (to the size of the solid-state imaging device 23).

なお、平面視における透明部材21及び接着剤22の面積は、平面視における固体撮像素子23の面積と同じであってもよい。そして、透明部材21及び接着剤22は、平面視における形状が、固体撮像素子23の平面視における形状と同じであってもよい。 The area of the transparent member 21 and the adhesive 22 in plan view may be the same as the area of the solid-state imaging device 23 in plan view. The shape of the transparent member 21 and the adhesive 22 in plan view may be the same as the shape of the solid-state imaging device 23 in plan view.

また、平面視における第1封止樹脂24と第2封止樹脂25及びメイン基板28の面積は、平面視における固体撮像素子23の面積と同じであってもよい。そして、第1封止樹脂24と第2封止樹脂25及びメイン基板28は、平面視における形状が、固体撮像素子23の平面視における形状と同じであってもよい。 Further, the areas of the first sealing resin 24, the second sealing resin 25, and the main substrate 28 in plan view may be the same as the area of the solid-state imaging device 23 in plan view. The first sealing resin 24, the second sealing resin 25, and the main substrate 28 may have the same shape in plan view as the shape of the solid-state imaging device 23 in plan view.

<製法>
固体撮像装置は、図3に示す工程により作成することができる。
<Manufacturing method>
A solid-state imaging device can be produced by the steps shown in FIG.

まず図3の矢印Aに示すように、固体撮像素子23の面23bに接続端子9を形成する。また、固体撮像素子23の受光面23aに透明部材21を配置し、接着剤22で固定する。 First, as indicated by arrow A in FIG. Also, the transparent member 21 is placed on the light receiving surface 23 a of the solid-state imaging device 23 and fixed with an adhesive 22 .

一方で図3の矢印Bに示すように、メイン基板28に接続端子11と接続端子14とを形成し、接続端子11上に突起電極10を形成する。また、チップ部品26に接続端子32を形成し、接続端子32上に突起電極13を形成する。また、チップ部品26をチップ部品26に配置し、突起電極13をメイン基板28上の接続端子14に接続する。これにより、チップ部品26とメイン基板28は、電気的に接続される。 On the other hand, as indicated by arrow B in FIG. Also, the connection terminals 32 are formed on the chip component 26 , and the projecting electrodes 13 are formed on the connection terminals 32 . Also, the chip component 26 is arranged on the chip component 26 and the projecting electrodes 13 are connected to the connection terminals 14 on the main board 28 . Thereby, the chip component 26 and the main board 28 are electrically connected.

次に図3の矢印Cに示すように、第2封止樹脂25でチップ部品26を充填する。次に図3の矢印Dに示すように、メイン基板28をダイシングで個片化する。次に図3の矢印Eに示すように、メイン基板28の突起電極10が形成された面に、第1封止樹脂24を塗布する。 Next, as indicated by arrow C in FIG. 3, the chip component 26 is filled with the second sealing resin 25 . Next, as indicated by arrow D in FIG. 3, the main board 28 is diced into individual pieces. Next, as indicated by arrow E in FIG. 3, the first sealing resin 24 is applied to the surface of the main substrate 28 on which the projecting electrodes 10 are formed.

次に図3の矢印Fに示すように、メイン基板28の突起電極10が形成された面と、固体撮像素子23の接続端子9が形成された面とを向かい合わせで配置する。そして、突起電極10を接続端子9に接続し、メイン基板28と固体撮像素子23とを第1封止樹脂24で固定する。これにより、固体撮像素子23とメイン基板28は、電気的に接続される。以上の工程により、固体撮像装置が完成する。 Next, as indicated by arrow F in FIG. 3, the surface of the main substrate 28 on which the protruding electrodes 10 are formed and the surface of the solid-state imaging device 23 on which the connection terminals 9 are formed are arranged to face each other. Then, the projecting electrodes 10 are connected to the connection terminals 9 , and the main substrate 28 and the solid-state imaging device 23 are fixed with the first sealing resin 24 . Thereby, the solid-state imaging device 23 and the main board 28 are electrically connected. A solid-state imaging device is completed by the above steps.

<動作>
固体撮像素子23は、撮像対象物で反射された光を、透明部材21を通して受光面23aで受光し、受光した光を電気信号に変換する。
<Action>
The solid-state imaging device 23 receives the light reflected by the object to be imaged by the light receiving surface 23a through the transparent member 21, and converts the received light into an electric signal.

電気信号は、固体撮像素子23と電気的に接続されているメイン基板28に伝わる。電気信号は、メイン基板28と電気的に接続されているチップ部品26に伝わる。チップ部品26は、伝えられた電気信号に対して所定の信号処理を行い、メイン基板28に伝える。チップ部品26を経由し、メイン基板28に伝えられた電気信号は、ケーブル接続端子15から外部機器(例えば、モニタ装置を備えた情報処理装置)に伝えられる。 The electrical signal is transmitted to the main board 28 electrically connected to the solid-state imaging device 23 . The electrical signal is transmitted to the chip component 26 electrically connected to the main board 28 . The chip component 26 performs predetermined signal processing on the transmitted electrical signal and transmits the processed signal to the main board 28 . The electrical signal transmitted to the main board 28 via the chip component 26 is transmitted from the cable connection terminal 15 to an external device (for example, an information processing device having a monitor device).

<各要素>
それぞれの部材のサイズの一例を下記に示す。
<Each element>
An example of the size of each member is shown below.

メイン基板28:1mm×1mm×厚さ0.6mm
チップ部品26:0.6mm×0.3mm×厚さ0.3mm以下
透明部材21:1mm×1mm×厚さ0.3mm
固体撮像素子23:1mm×1mm×厚さ0.1mm
なお、透明部材21の平面視における面積及びメイン基板28の平面視における面積は、図1及び図2で示したように、固体撮像素子23の平面視における面積より小さくてもよい。
Main substrate 28: 1 mm x 1 mm x 0.6 mm thickness
Chip component 26: 0.6 mm x 0.3 mm x thickness 0.3 mm or less Transparent member 21: 1 mm x 1 mm x thickness 0.3 mm
Solid-state imaging device 23: 1 mm × 1 mm × thickness 0.1 mm
The planar view area of the transparent member 21 and the planar view area of the main substrate 28 may be smaller than the planar view area of the solid-state imaging device 23 as shown in FIGS.

<チップ部品26>
チップ部品26は、例えば、コンデンサであるが、抵抗器であっても良い。また、チップ部品26は、電気信号の授受を行うための接続端子32を備えている。平面視において、チップ部品26は、固体撮像素子23の外縁内に収まるように配置されている。
<Chip component 26>
The chip component 26 is, for example, a capacitor, but may be a resistor. The chip component 26 also has connection terminals 32 for transmitting and receiving electric signals. In plan view, the chip component 26 is arranged so as to fit within the outer edge of the solid-state imaging device 23 .

<透明部材21>
透明部材21は、透明な直方体形状の光学部材である。固体撮像装置の幅寸法(固体撮像装置を平面視したときの縦と横の寸法)を、固体撮像素子23の幅寸法にして小型化するため、透明部材21の幅寸法は、固体撮像素子23の幅寸法以下とする。
<Transparent member 21>
The transparent member 21 is a transparent rectangular parallelepiped optical member. The width dimension of the solid-state imaging device (the vertical and horizontal dimensions when the solid-state imaging device is viewed in plan) is set to the width dimension of the solid-state imaging device 23 to reduce the size. width dimension or less.

<固体撮像素子23>
固体撮像素子23は、光を検出して電気信号に変換するCCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどである。固体撮像素子23には、信号処理を行う回路が組み込まれていても良い。または、固体撮像素子23は、信号処理を行う機能を持つ素子と積層されていても良い。固体撮像素子23は、電気信号の授受を行うための接続端子9を備えている。
<Solid-state imaging device 23>
The solid-state imaging device 23 is a CCD image sensor, a CMOS image sensor, or the like that detects light and converts it into an electrical signal. The solid-state imaging device 23 may incorporate a circuit for signal processing. Alternatively, the solid-state imaging device 23 may be stacked with a device having a signal processing function. The solid-state imaging device 23 has connection terminals 9 for transmitting and receiving electric signals.

<接続端子9,11,32,14>
接続端子9,11,32,14は、例えばアルミニウムなどによって形成される。接続端子9,11,32,14には、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属を用いても良い。接続端子9,11,32,14に銅を用いた場合、銅にニッケル/金めっき処理を施して、酸化しにくい状態にしても良い。
<Connection terminals 9, 11, 32, 14>
The connection terminals 9, 11, 32, 14 are made of aluminum, for example. The connection terminals 9, 11, 32, and 14 may be made of metal such as copper, which has a higher electrical conductivity than aluminum. When copper is used for the connection terminals 9, 11, 32, and 14, the copper may be plated with nickel/gold to make it difficult to oxidize.

<ケーブル接続端子15>
ケーブル接続端子15は、例えばアルミニウムなどによって形成される。ケーブル接続端子15には、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属を用いても良い。ケーブル接続端子15に銅を用いた場合、銅にニッケル/金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
<Cable connection terminal 15>
The cable connection terminal 15 is made of, for example, aluminum. For the cable connection terminal 15, a metal such as copper having a higher conductivity than aluminum may be used. When copper is used for the cable connection terminal 15, the copper may be plated with nickel/gold so as to be resistant to oxidation.

<突起電極10,13>
突起電極10,13は、例えば半田などによって形成される。突起電極10,13には、銅や金のような金属を用いても良い。
<Projection electrodes 10, 13>
The projecting electrodes 10 and 13 are formed of solder, for example. A metal such as copper or gold may be used for the projecting electrodes 10 and 13 .

<メイン基板28>
メイン基板28は、例えばセラミック基板などによって形成される。メイン基板28には、ビルドアップ基板、アラミドエポキシ基板、ガラスエポキシ基板などを用いてもよい。メイン基板28は、平面視において、左右にチップ部品26が実装されるための空間27(チップ部品26)が形成されている。
<Main board 28>
The main substrate 28 is formed of, for example, a ceramic substrate. A build-up board, an aramid epoxy board, a glass epoxy board, or the like may be used for the main board 28 . Spaces 27 (chip components 26) for mounting chip components 26 are formed on the left and right sides of the main board 28 in plan view.

<チップ部品26>
チップ部品26のサイズは、例えば0.6mm×0.3mm×厚さ0.3mmである。チップ部品26がチップ部品26内に収まることにより、固体撮像装置の幅寸法を、固体撮像素子23の幅寸法と同じに保つことができる。
<Chip component 26>
The size of the chip component 26 is, for example, 0.6 mm×0.3 mm×thickness 0.3 mm. Since the chip component 26 is accommodated within the chip component 26 , the width dimension of the solid-state imaging device can be kept the same as the width dimension of the solid-state imaging device 23 .

チップ部品26は、メイン基板28の突起部を境に2個、左右対称に形成されている。これにより、固体撮像素子23の放熱性が左右対称となり、電気的特性等の面内バラつきを押さえることができる。 Two chip components 26 are formed symmetrically with respect to the protrusion of the main board 28 . As a result, the heat dissipation of the solid-state imaging device 23 becomes bilaterally symmetrical, and in-plane variations in electrical characteristics and the like can be suppressed.

また、メイン基板28の面8b(図1参照)にも、チップ部品26を形成し、4個点対称にしても良い。 Also, the chip parts 26 may be formed on the surface 8b (see FIG. 1) of the main substrate 28 so as to be symmetrical with respect to four points.

<接着剤22>
接着剤22は、紫外線硬化型等の透明な接着剤である。接着剤22の幅寸法は、透明部材21の幅寸法以下である。
<Adhesive 22>
The adhesive 22 is a transparent adhesive such as an ultraviolet curable adhesive. The width dimension of the adhesive 22 is equal to or less than the width dimension of the transparent member 21 .

<第1封止樹脂24>
第1封止樹脂24は、エポキシ系の接着剤である。第1封止樹脂24の幅寸法は、固体撮像素子23の幅寸法以下である。第1封止樹脂24は、固体撮像素子23とメイン基板28とを接続する突起電極10を覆っている。
<First sealing resin 24>
The first sealing resin 24 is an epoxy adhesive. The width dimension of the first sealing resin 24 is equal to or less than the width dimension of the solid-state imaging device 23 . The first sealing resin 24 covers the projecting electrodes 10 that connect the solid-state imaging device 23 and the main substrate 28 .

<第2封止樹脂25>
第2封止樹脂25の幅寸法は、固体撮像素子23の幅寸法以下である。第2封止樹脂25は、第1封止樹脂24と比較して、弾性率が低く、放熱性の高い樹脂である。第2封止樹脂25の第1封止樹脂24と接している面は、図1のテーパー部5aのように、外側から内側に向かってテーパーが形成される。例えば、第1封止樹脂24と第2封止樹脂25との境界面は、固体撮像装置の内部から外部へ、第1封止樹脂24の厚みが薄くなる方向へ傾斜している。このように、テーパー部5aを設けることで、製造時、第1封止樹脂24が漏れることを防ぐことが可能となる。
<Second sealing resin 25>
The width dimension of the second sealing resin 25 is equal to or less than the width dimension of the solid-state imaging device 23 . The second sealing resin 25 has a lower elastic modulus and a higher heat dissipation property than the first sealing resin 24 . The surface of the second sealing resin 25 in contact with the first sealing resin 24 is tapered from the outside toward the inside like the tapered portion 5a in FIG. For example, the interface between the first sealing resin 24 and the second sealing resin 25 is inclined from the inside to the outside of the solid-state imaging device in a direction in which the first sealing resin 24 becomes thinner. By providing the tapered portion 5a in this way, it is possible to prevent the first sealing resin 24 from leaking during manufacturing.

<効果>
上記の構造のように、固体撮像装置を構成する透明部材21、固体撮像素子23、メイン基板28、チップ部品26を積層して接続することにより、固体撮像装置の幅寸法は、固体撮像素子23の幅寸法にすることができ、小型化できる。また、固体撮像装置の幅寸法を小さくできるので、例えば、内視鏡の挿入部の細径化を図ることができる。
<effect>
By stacking and connecting the transparent member 21, the solid-state imaging device 23, the main board 28, and the chip parts 26 that constitute the solid-state imaging device as in the above structure, the width dimension of the solid-state imaging device can be reduced to that of the solid-state imaging device 23. , and can be miniaturized. Moreover, since the width dimension of the solid-state imaging device can be reduced, for example, the diameter of the insertion portion of an endoscope can be reduced.

また、固体撮像装置を固定する封止樹脂に、密着性の高い第1封止樹脂24、放熱性の高い第2封止樹脂25の2種類を使用し、かつ左右対称の構造とすることで、信頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。
(第2の実施の形態):第1封止樹脂24と5が分離
次に、図4(a)~図4(d)を用いて第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態は、実施の形態1と異なり、第2封止樹脂25の封止後の形状が異なる。説明しない事項は、実施の形態1と同様である。
<プロセス>
まず図4(a)に示すように、固体撮像素子23の受光面23a側に接着剤22を塗布した後、透明部材21を配置して、前記受光面23a全面に接着剤を濡れ広がらせてから紫外線もしくは熱などにより固定する。
In addition, by using two types of sealing resins for fixing the solid-state imaging device, the first sealing resin 24 with high adhesion and the second sealing resin 25 with high heat dissipation, and by making the structure symmetrical. , a highly reliable solid-state imaging device can be provided.
(Second Embodiment): Separation of First Sealing Resins 24 and 5 Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. 4(a) to 4(d). The second embodiment differs from the first embodiment in the shape of the second sealing resin 25 after sealing. Matters not explained are the same as in the first embodiment.
<Process>
First, as shown in FIG. 4A, the adhesive 22 is applied to the light receiving surface 23a side of the solid-state imaging device 23, and then the transparent member 21 is placed to wet and spread the adhesive over the entire light receiving surface 23a. It is fixed by UV rays or heat.

また一方で、図4(b)に示すように、メイン基板28には接続端子11と接続端子14とを有しており、接続端子11上には加熱、加圧、超音波などにより突起電極10を形成する。また、チップ部品26は接続端子32を有し、前記接続端子32上には突起電極13が形成されている。
チップ部品26をチップ部品26に配置し、突起電極13をメイン基板28上の接続端子14にリフローなどの熱処理により接続する。これにより、チップ部品26とメイン基板28は、電気的に接続される。
On the other hand, as shown in FIG. 4(b), the main board 28 has the connection terminals 11 and the connection terminals 14, and the connection terminals 11 are provided with projecting electrodes by heating, pressurization, ultrasonic waves, or the like. form 10; The chip component 26 also has connection terminals 32 on which protruding electrodes 13 are formed.
The chip component 26 is arranged on the chip component 26, and the projecting electrodes 13 are connected to the connection terminals 14 on the main substrate 28 by heat treatment such as reflow. Thereby, the chip component 26 and the main board 28 are electrically connected.

次に図4(c)に示すように、チップ部品26が搭載されたメイン基板28上のチップ部品26を第2封止樹脂25で充填する。その後、図4(d)に示すように、切断ブレードなどを用いてメイン基板28をダイシングで切断し個片化する。 Next, as shown in FIG. 4C, the chip components 26 on the main substrate 28 on which the chip components 26 are mounted are filled with the second sealing resin 25 . Thereafter, as shown in FIG. 4(d), the main substrate 28 is diced into individual pieces using a cutting blade or the like.

図4(c)および、図4(d)に示す樹脂封止工程では、ポッティングなどによりメイン基板28上に実装されたチップ部品26の周辺に封止樹脂を充填していく。 In the resin sealing process shown in FIGS. 4(c) and 4(d), the periphery of the chip component 26 mounted on the main substrate 28 is filled with sealing resin by potting or the like.

その際に第2封止樹脂25は隣り合わせたチップ部品26の側面部まではみ出さないように充填させることで、個片化ダイシング時は第2封止樹脂25を切断せずにメイン基板28のみを切断すれば個片化することが可能となり、切断後の基板サイズおよび切断部の品質向上および安定化が実現できる。 At this time, the second sealing resin 25 is filled so as not to protrude to the side surfaces of the adjacent chip components 26 . By cutting the substrate, it is possible to separate the substrate into individual pieces, and the size of the substrate after cutting and the quality of the cut portion can be improved and stabilized.

また、第2封止樹脂25はチップ部品26上面に被らない位置までの充填とすることにより、図4(e)に示すように第1封止樹脂24を塗布した後に、図4(f)に示すように固体撮像素子23を実装した際に、第1封止樹脂24の濡れ広がりをチップ部品26の端部で止めることが可能となる。 In addition, by filling the second sealing resin 25 up to a position where it does not cover the upper surface of the chip component 26, after applying the first sealing resin 24 as shown in FIG. ), when the solid-state imaging device 23 is mounted, the wetting and spreading of the first sealing resin 24 can be stopped at the edge of the chip component 26 .

<構造>
実施の形態2の構造では、第1封止樹脂24と第2封止樹脂25とが分離している。このことにより、チップ部品26の外側およびメイン基板28の外側へ第1封止樹脂24が流れ出すことを防止することで、固体撮像装置の小型化構造を実現している。
(実施の形態3)第1封止樹脂24が太鼓形状
次に図5を用いて実施の形態3について説明する。実施の形態3は、実施の形態2に対して、第1封止樹脂24の形状が異なる。説明しない事項は、実施の形態1、2と同様である。
<Structure>
In the structure of Embodiment 2, the first sealing resin 24 and the second sealing resin 25 are separated. This prevents the first sealing resin 24 from flowing out to the outside of the chip component 26 and the outside of the main substrate 28, thereby realizing a compact structure of the solid-state imaging device.
(Embodiment 3) First sealing resin 24 is drum-shaped Next, Embodiment 3 will be described with reference to FIG. The third embodiment differs from the second embodiment in the shape of the first sealing resin 24 . Matters not described are the same as those in the first and second embodiments.

第1封止樹脂24の形状は、第1封止樹脂24と固体撮像素子23との濡れ性によって異なってくる。第1封止樹脂24の形状は、実施の形態2の図4(f)に示されるようなフィレット形状だけでなく、図5に示されるような太鼓形状であってもよい。 The shape of the first sealing resin 24 differs depending on the wettability between the first sealing resin 24 and the solid-state imaging device 23 . The shape of the first sealing resin 24 may be not only a fillet shape as shown in FIG. 4(f) of the second embodiment, but also a drum shape as shown in FIG.

メイン基板28および固体撮像素子23の表面に対する第1封止樹脂24との濡れ性を低下させる。また、第1封止樹脂24の粘性を上げる。これらのことにより、メイン基板28へ固体撮像素子23を実装する際に、第1封止樹脂24の中央部が押し出され太鼓形状を形成する。これにより、後工程における熱処理や信頼性試験においてかかる応力をより吸収する事ができる。
(実施の形態4):第3封止樹脂16
次に、図6を用いて、実施の形態4について説明する。実施の形態4は、実施の形態2および3における、第1封止樹脂24の流れ出し防止機能の向上および、チップ部品26と固体撮像素子23との第2の接続を付加したものである。説明しない事項は、実施の形態1~3と同様である。
The wettability of the first sealing resin 24 to the surfaces of the main substrate 28 and the solid-state imaging device 23 is reduced. Also, the viscosity of the first sealing resin 24 is increased. As a result, when the solid-state imaging device 23 is mounted on the main substrate 28, the central portion of the first sealing resin 24 is pushed out to form a drum shape. As a result, it is possible to absorb more stress applied in the heat treatment and reliability test in the post-process.
(Embodiment 4): Third sealing resin 16
Next, Embodiment 4 will be described with reference to FIG. The fourth embodiment is obtained by adding an improvement in the function of preventing the first sealing resin 24 from flowing out and a second connection between the chip component 26 and the solid-state imaging device 23 in the second and third embodiments. Matters not explained are the same as in the first to third embodiments.

第1封止樹脂24の流れ出し防止機能を、さらに向上させるとともに、メイン基板28と固体撮像素子23との接続信頼性向上を図る手法として、第1封止樹脂24とは別の第3封止樹脂16をチップ部品26上に形成した構造である。 As a method for further improving the outflow prevention function of the first sealing resin 24 and improving the connection reliability between the main substrate 28 and the solid-state imaging device 23, a third sealing separate from the first sealing resin 24 is used. It is a structure in which the resin 16 is formed on the chip component 26 .

第3封止樹脂16は第1封止樹脂24とは異なった材料であり、第1封止樹脂24と比較して、弾性率が低く、放熱性の高い樹脂である。 The third sealing resin 16 is a material different from that of the first sealing resin 24 , and has a lower elastic modulus and a higher heat dissipation property than the first sealing resin 24 .

第3封止樹脂16は、メイン基板28が個片化された後にチップ部品26上にポッティングなどにより塗布され、100℃~150℃程度の温度で加熱し仮硬化させる。その後、第1封止樹脂24を塗布し固体撮像素子23を実装すると第1封止樹脂24が濡れ広がっていくが、濡れ広がった部分が第3封止樹脂16に接触し止まることで、メイン基板28の外側へこぼれることを防止する。 The third sealing resin 16 is applied onto the chip parts 26 by potting or the like after the main board 28 is separated into individual pieces, and is heated at a temperature of about 100.degree. C. to 150.degree. After that, when the first sealing resin 24 is applied and the solid-state imaging device 23 is mounted, the first sealing resin 24 spreads out. Prevents spillage to the outside of the substrate 28.

その後、170℃~200℃程度で加熱することで第1封止樹脂24および第3封止樹脂16を硬化させる。 After that, the first sealing resin 24 and the third sealing resin 16 are cured by heating at about 170.degree. C. to 200.degree.

これにより、第1封止樹脂24の流れ出しを第3封止樹脂16により確実に止めることが可能となる。 As a result, the outflow of the first sealing resin 24 can be reliably stopped by the third sealing resin 16 .

さらに、実施の形態2,3では、固体撮像素子23はメイン基板28の中央突起部に形成された金属バンプおよび第1封止樹脂24により接続されているだけであったが、本実施の形態4では、より高品質な接続を確保するために、チップ部品26上の空間部分を第3封止樹脂16で埋め、メイン基板28と固体撮像素子23を接続した。 Furthermore, in Embodiments 2 and 3, the solid-state imaging device 23 is only connected by the metal bumps formed on the central protrusion of the main substrate 28 and the first sealing resin 24, but in the present embodiment In 4, in order to ensure a higher quality connection, the space above the chip component 26 was filled with the third sealing resin 16 to connect the main substrate 28 and the solid-state imaging device 23 .

第3封止樹脂16は熱硬化型樹脂だけでなく、短時間硬化が可能な紫外線硬化型樹脂もしくは、熱と紫外線併用硬化型の樹脂を使用してもよい。 The third sealing resin 16 may be not only a thermosetting resin, but also an ultraviolet curable resin that can be cured in a short time, or a heat and ultraviolet curable resin.

本開示の固体撮像装置は、小型の固体撮像装置として広く利用される。例えば、内視鏡固体撮像装置として利用される。 The solid-state imaging device of the present disclosure is widely used as a compact solid-state imaging device. For example, it is used as an endoscope solid-state imaging device.

2 固体撮像素子
2b 突起電極
3 透明部材
5a テーパー部
6 封止固定部
8b 面
9 接続端子
10 突起電極
11 接続端子
12 リード
13 突起電極
14 接続端子
15 ケーブル接続端子
16 第3封止樹脂
21 透明部材
22 接着剤
23 固体撮像素子
23a 受光面
23b 面
24 第1封止樹脂
25 第2封止樹脂
26 チップ部品
28 メイン基板
32 接続端子
2 Solid-state imaging element 2b Projection electrode 3 Transparent member 5a Taper portion 6 Sealing fixing portion 8b Surface 9 Connection terminal 10 Projection electrode 11 Connection terminal 12 Lead 13 Projection electrode 14 Connection terminal 15 Cable connection terminal 16 Third sealing resin 21 Transparent member 22 Adhesive 23 Solid-state imaging element 23a Light-receiving surface 23b Surface 24 First sealing resin 25 Second sealing resin 26 Chip component 28 Main board 32 Connection terminal

Claims (11)

固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の受光面とは反対側の面で、封止樹脂により前記固体撮像素子に固定される基板とを備え、
前記固体撮像素子の受光面側から見た前記基板の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
前記固体撮像素子の受光面側から見た前記封止樹脂の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
前記封止樹脂は、第1封止樹脂と第2封止樹脂との積層体であり、
前記固体撮像素子側の第1封止樹脂と前記基板の側の第2封止樹脂とを有し、
前記第1封止樹脂と前記第2封止樹脂との境界面は、前記固体撮像素子の内部から外部へ、前記第1封止樹脂の厚みが薄くなり、傾斜している、固体撮像装置。
a solid-state imaging device;
a substrate fixed to the solid-state imaging device with a sealing resin on the surface opposite to the light-receiving surface of the solid-state imaging device;
an outer edge of the substrate viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging device is contained within an outer edge of the solid-state imaging device;
an outer edge of the sealing resin viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging element is contained within an outer edge of the solid-state imaging element;
The sealing resin is a laminate of a first sealing resin and a second sealing resin,
Having a first sealing resin on the solid-state imaging device side and a second sealing resin on the substrate side,
The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a boundary surface between the first sealing resin and the second sealing resin is inclined from the inside to the outside of the solid-state imaging element as the thickness of the first sealing resin becomes thinner.
前記基板には、前記固体撮像素子の受光面側から見て、左右に部品が実装されるための空間が形成されている請求項1に記載の固体撮像装置。 2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein spaces for mounting components are formed on the substrate on the left and right sides of the substrate when viewed from the light-receiving surface of the solid-state imaging device. 前記固体撮像素子の受光面に接着材で固定される透明部材をさらに備え、
前記固体撮像素子の受光面側から見た前記透明部材の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
前記固体撮像素子の受光面側から見た前記接着材の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっている請求項1または2に記載の固体撮像装置。
further comprising a transparent member fixed to the light-receiving surface of the solid-state imaging device with an adhesive;
an outer edge of the transparent member viewed from the light-receiving surface side of the solid-state image sensor is contained within an outer edge of the solid-state image sensor;
3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the outer edge of said adhesive viewed from the light-receiving surface side of said solid-state imaging element is within the outer edge of said solid-state imaging element.
前記第1封止樹脂は、前記固体撮像素子と前記基板とを接続する接続電極を覆っている請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the first sealing resin covers connection electrodes that connect the solid-state imaging element and the substrate. 前記第2封止樹脂は、前記部品を封止している請求項2に記載の固体撮像装置。 3. The solid-state imaging device according to claim 2, wherein the second sealing resin seals the component. 前記第2封止樹脂は、前記第1封止樹脂より放熱性が高い、請求項1~5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 6. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein said second sealing resin has higher heat dissipation than said first sealing resin. 前記第2封止樹脂は、前記第1封止樹脂より柔軟である、請求項1~6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 7. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein said second sealing resin is more flexible than said first sealing resin. 固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の受光面とは反対側の面で、封止樹脂により前記固体撮像素子に固定される基板とを備え、
前記固体撮像素子の受光面側から見た前記基板の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
前記固体撮像素子の受光面側から見た前記封止樹脂の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
前記基板には、前記固体撮像素子の受光面側から見て、左右に部品が実装されるための空間が形成されており、
前記封止樹脂は、第1封止樹脂であり、
前記第1封止樹脂とは非接触で、前記部品を封止する第2封止樹脂を有する、固体撮像装置。
a solid-state imaging device;
a substrate fixed to the solid-state imaging device with a sealing resin on the surface opposite to the light-receiving surface of the solid-state imaging device;
an outer edge of the substrate viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging device is contained within an outer edge of the solid-state imaging device;
an outer edge of the sealing resin viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging element is contained within an outer edge of the solid-state imaging element;
Spaces for mounting components are formed on the substrate on left and right sides when viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging device,
The sealing resin is a first sealing resin,
A solid-state imaging device comprising a second sealing resin that seals the component without contacting the first sealing resin.
前記第1封止樹脂は、前記固体撮像素子と前記基板とを接続する接続電極を覆い、
前記第2封止樹脂は、前記部品のみを封止する請求項8に記載の固体撮像装置。
The first sealing resin covers a connection electrode that connects the solid-state imaging device and the substrate,
9. The solid-state imaging device according to claim 8, wherein the second sealing resin seals only the component.
前記第1封止樹脂は、太鼓形状である請求項8または9に記載の固体撮像装置。 10. The solid-state imaging device according to claim 8, wherein the first sealing resin is drum-shaped. 前記部品と前記固体撮像素子とを接続する第3封止樹脂がある請求項8~10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 11. The solid-state imaging device according to any one of claims 8 to 10, further comprising a third sealing resin that connects said component and said solid-state imaging device.
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