JP7269792B2 - light emitting device - Google Patents
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Description
本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を含む発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device including light-emitting elements such as light-emitting diodes.
発光装置は、例えば、端子や配線などが設けられた基板と、当該基板上に実装された少なくとも1つの発光素子とを含む。例えば、特許文献1には、発光素子と、当該発光素子から出射された光を透過させつつ外部に放出する透光性部材と、を有する発光装置が開示されている。
A light-emitting device includes, for example, a substrate provided with terminals, wiring, and the like, and at least one light-emitting element mounted on the substrate. For example,
発光装置に要求される特性としては、例えば、高輝度であること、波長特性や配光特性などの光学特性が安定していること、及び高品質であることなどが挙げられる。また、発光装置に要求される光学特性としては、例えば、所望の波長(発光色)の光が取り出されること、またその取り出される光の波長にムラがないこと、及び取り出される光が所望の強度特性を有すること(例えば配光領域内で所望の強度分布を有すること)などが挙げられる。 Characteristics required for a light-emitting device include, for example, high luminance, stable optical characteristics such as wavelength characteristics and light distribution characteristics, and high quality. Further, the optical characteristics required for the light-emitting device are, for example, that light of a desired wavelength (emission color) is extracted, that the wavelength of the emitted light is uniform, and that the emitted light has a desired intensity. To have a characteristic (for example, to have a desired intensity distribution within a light distribution area).
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、高品質かつ高輝度な発光装置を提供することを目的としている。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high-quality, high-luminance light-emitting device.
本発明による発光装置は、基板と、基板上に配置された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、基板に沿って延びる底面及び曲面形状の側面を有する第1の部分と、第1の部分の上面上に底面が配置され柱形状を有する第2の部分と、を有する波長変換体と、を有することを特徴としている。 A light-emitting device according to the present invention comprises a substrate, a light-emitting element disposed on the substrate, and a wavelength converter disposed on the light-emitting element and configured to convert the wavelength of light emitted from the light-emitting element. a first portion having a bottom surface and curved side surfaces extending along the first portion; and a second portion having a columnar shape and a bottom surface disposed on the top surface of the first portion. Characterized by
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。 Examples of the present invention will be described in detail below.
図1は、実施例1に係る発光装置10の模式的な斜視図である。図1を用いて、発光装置10の概略的な構成について説明する。発光装置10は、実装用基板(第1の基板、以下、単に基板と称する)11と、基板11上に実装された発光素子20と、を有する。本実施例においては、発光装置10は、基板11上に並置された2つの発光素子20を有する。
FIG. 1 is a schematic perspective view of a
基板11は、例えば、絶縁性を有する基材11A及び基材11A上に形成された配線電極11Bを有する。基板11は、発光素子20の各々を実装する実装面を有する。本実施例においては、基材11Aは、平板形状を有し、その主面の一方である上面を当該実装面として有する。例えば、基材11Aは、高い熱伝導性を有する材料、例えばAlNからなる。配線電極11Bは、例えばパターニングされて基材11A上に形成された銅膜からなる。
The
発光素子20は、例えば、発光ダイオードなどの半導体発光素子である。発光素子20は、例えば、支持基板(第2の基板、以下、単に基板と称する)21と、基板21に支持された半導体発光層(以下、単に半導体層と称する)22と、を含む。例えば、基板21は、平板形状を有し、Siからなる。また、半導体層22は、例えば、窒化物半導体からなる。
The
また、発光素子20は、基板21上における半導体層22の側方に設けられたパッド電極23と、基板21における半導体層22とは反対側(基板11側)の面上に設けられた裏面電極24と、を有する。例えば、半導体層22は、n型半導体層(図示せず)及びp型半導体層(図示せず)を有する。例えば、パッド電極23は、半導体層22のp型半導体層に接続されている。また、裏面電極24は、半導体層22のn型半導体層に接続されている。
In addition, the
また、本実施例においては、パッド電極23は、ボンディングワイヤを介して基板11の配線電極11Bに接続されている。また、基板11の基材11Aは、その主面間を貫通するビア(図示せず)を有する。裏面電極24は、当該ビアを介して、基材11Aの配線電極11Bとは反対側の面上に設けられた配線電極(図示せず)に接続されている。
Moreover, in this embodiment, the
本実施例においては、発光素子20は、矩形の上面形状を有する。具体的には、本実施例においては、基板21及び半導体層22の各々は、矩形の上面形状を有する。例えば、半導体層22の上面は、一辺が約1mmの正方形の形状を有する。また、発光素子20の各々は、基板11上においてそれぞれの基板21の1つの側面が互いに対向するように、全体として整列して配置されている。
In this embodiment, the
なお、本実施例においては、発光装置10が2つの発光素子20を有する場合について説明するが、発光素子20の構成はこれに限定されない。例えば、発光装置10が1つの発光素子20のみを有していてもよいし、3つ以上の発光素子20を有していてもよい。また、発光装置20が複数の発光素子20を有する場合でも、その配置構成は上記した場合に限定されない。また、発光素子20の上面形状は、矩形に限定されず、例えば多角形状又は円形状を有していてもよい。
In this embodiment, the case where the
発光装置10は、発光素子20上に形成され、接着層30を介して発光素子20に接着された波長変換体40を有する。接着層30は、例えば発光素子20の基板21上において半導体層22を埋設するように層状に形成されている。また、接着層30は、発光層20から放出される光及び波長変換体40から出射される光に対して透光性を有する。例えば、接着層30は、透明な樹脂層からなる。
The light-
本実施例においては、波長変換体40は、2つの発光素子20間に跨って形成されている。例えば、本実施例においては、波長変換体40は、発光素子20の各々における半導体層22の上面全体を覆い、基板11における隣接する半導体層22の間に跨って一体的に形成されている。波長変換体40は、例えば、YAG蛍光体及びアルミナを焼結して形成された蛍光体プレートからなる。
In this embodiment, the
発光装置10は、基板11上に形成され、発光素子20を封止し、かつ波長変換体40の一部を覆う光反射体50を有する。図1においては、発光装置10の光反射体50の内側の構造を図示するため、光反射体50の外縁のみを破線で示し、その図示を省略している。
The
光反射体50は、発光素子20から放出される光及び波長変換体40から出射される光に対して反射性を有する。例えば、光反射体50は、光散乱性の粒子(例えば酸化チタン粒子)を含有する樹脂体からなる。
The
図2は、発光装置10の上面図である。また、図3は、発光装置10の断面図であり、図2における3-3線に沿った断面図である。図2及び図3を用いて、発光装置10における波長変換体40及び光反射体50の詳細な構造について説明する。
FIG. 2 is a top view of the
まず、光反射体50は、波長変換体40の一部を露出させつつ波長変換体40を覆うように、基板11上に形成されている。本実施例においては、光反射体50は、波長変換体40の上面を露出させつつ波長変換体40の側面を覆うように、基板11上に形成されている。
First, the
また、波長変換体40は、接着層30を介して発光素子20(半導体層22)に対向し、基板11に沿って延びる面を発光素子20から放出された光が入射する光入射面40Pとして有し、光入射面40Pから入射した光に対して波長変換を行う。また、波長変換体40は、光反射体50に覆われていない面を波長変換体40内の光が出射する光出射面40Qとして有する。本実施例においては、光出射面40Qは、発光装置10における光取り出し面である。
The
また、本実施例においては、波長変換体40の光出射面40Qは、光入射面40Pよりも小さな平面サイズを有する。また、波長変換体40は、全体として、光入射面40Pから光出射面40Qに向かって(発光素子20から離れるに従って)徐々に側面間の距離が小さくなるような先細り形状を有する。
Further, in this embodiment, the
本実施例においては、波長変換体40は、基板11から垂直に延びる側面41Aと、光入射面40Pとして機能する底面41Bと、を有し、柱形状を有する柱状部(第3の部分)41を有する。
In this embodiment, the
本実施例においては、柱状部41の底面41Bは、その全体が接着層30に接しており、かつ半導体層22(基板11)に沿って延びている。また、本実施例においては、柱状部41の底面41B及び底面41Bとは反対側の上面の各々は、矩形の平面形状を有する。すなわち、本実施例においては、柱状部41は、四角柱の形状を有する。
In this embodiment, the
また、波長変換体40は、柱状部41の上面が底面となるように柱状部41上において柱状部41に一体的に形成され、かつ曲面状に先細る側面42Aを有するラウンド形状部(第1の部分)42を有する。本実施例においては、側面42Aは、底面から垂直に延びかつ外側が凸となるような曲面形状を有する。
In addition, the
また、本実施例においては、ラウンド形状部42は、平坦な上面を有する。本実施例においては、ラウンド形状部42の底面及び上面は矩形の形状を有し、その全ての側面(本実施例においては4つの側面)が曲面形状を有する側面42Aである。
Also, in this embodiment, the
また、波長変換体40は、ラウンド形状部42の上面が底面となるようにラウンド形状部42上においてラウンド形状部42に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部(第2の部分)43を有する。柱状部43は、底面に対して垂直に延びる側面43Aを有する。本実施例においては、柱状部43は、柱状部41の底面41Bよりも小さな底面及び上面を有する四角柱の形状を有する。
Further, the
本実施例においては、柱状部43は、平坦な上面43Bを有する。また、柱状部43の上面43Bは、光反射体50から露出している。本実施例においては、柱状部43の上面43Bは、波長変換体40の光出射面40Qとして機能する。
In this embodiment, the
本実施例においては、波長変換体40は、一方の主面を光入射面40Pとし、他方の主面を光出射面40Qとする全体として板状の形状を有する。また、柱状部41の側面41A、ラウンド形状部42の側面42A及び柱状部43の側面43Aの全体は、波長変換体40の側面を構成する。
In this embodiment, the
例えば、波長変換体40の光入射面40Pは、約1mmの短辺及び約2mmの長辺を有する長方形の形状を有する。波長変換体40の光出射面40Qは、約0.6~0.9mmの短辺及び約1.2~1.8mmの長辺を有する長方形の形状を有する。また、波長変換体40における光入射面40Pから光出射面40Qまでの距離、すなわち波長変換体40の厚さは、約50~500μmである。
For example, the
また、本実施例においては、柱状部41の側面41A、ラウンド形状部42の側面42A及び柱状部43の側面43Aは、連続して一体的に形成されている。すなわち、各部分の側面は、その端部において隣接する他の部分の側面に接している。
In this embodiment, the
波長変換体40は、例えば、柱状部41の底面41B及び柱状部43の上面43Bとなる主面を有する蛍光体プレートを以下の2つのステップで切削することによって形成することができる。
The
例えば、第1のステップにおいては、柱状部43の側面43Aと同一形状の平坦部、及びラウンド形状部42の側面42Aと同一形状の曲面部を有するブレード面のダイシングブレード(第1のブレード)を用いて、蛍光体プレートを切削して当該蛍光体プレートの主面に溝を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面43A及び42Aとなる部分が形成される。
For example, in the first step, a dicing blade (first blade) having a flat portion having the same shape as the
次に、第2のステップにおいては、当該蛍光体プレートの当該主面に垂直なブレード面を有するブレード(第2のブレード)を用いて、当該蛍光体プレートにおける第1のステップで形成した溝の底部に凹部又は貫通孔を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面41Aとなる部分が形成される。なお、例えば、この他の当該蛍光体プレートの主面を研削することで、柱状部41の底面41B及び柱状部43の上面43Bの面形状及び面品質を安定させることができる。
Next, in the second step, a blade (second blade) having a blade surface perpendicular to the main surface of the phosphor plate is used to form the grooves formed in the phosphor plate in the first step. A recess or a through hole is formed in the bottom. As a result, the phosphor plate is formed with a portion that will become the
例えばこのようにして、波長変換体40を作製することができる。なお、波長変換体40の形成方法はこれに限定されない。例えば、波長変換体40は、成型加工によって形成されることもできる。
For example, the
また、光反射体50は、基板11上において、発光素子20(基板21、半導体層22、パッド電極23及び裏面電極24)及び基板11上の各配線電極を封止する。これによって、発光素子20を電気的に保護する。
Also, the
本実施例においては、波長変換体40は、発光素子20上に配置され、柱状部41、ラウンド形状部42及び柱状部43がそれぞれの上面及び底面を共有するように順に積層された構造を有する。これによって、波長変換体40からは、高輝度で強度ムラ及び色ムラが抑制された光が出射される。
In this embodiment, the
より具体的には、波長変換体40がラウンド形状部42よりも基板11側に柱状部41(第3の部分)を有することで、発光素子20から放出された光が高効率で波長変換体40内に入射することとなる。従って、発光素子20から放出された光に対する高い波長変換効率を維持することができる。
More specifically, since the
また、一様な厚みの柱状部41に光が入射することで、柱状部41の面内での波長変換ムラが抑制される。従って、柱状部41からラウンド形状部42に向かう光における柱状部41の面内での強度ムラ、及び色ムラを抑制することができる。
In addition, since the light is incident on the
また、波長変換体40がラウンド形状部42(第1の部分)を有することで、ラウンド形状部42から光出射面40Qに向かう光を集光することができる。従って、例えば、十分な光量の光が放出されるようなサイズの発光素子20(半導体層22)を構成した上で、この発光素子20からの放出光を発光領域よりも小さな領域に集めることができる。これによって、例えば、波長変換体40の光出射面40Qからは、高輝度な光を出射させることができる。
In addition, since the
また、ラウンド形状部42の側面42A、すなわち波長変換体40における湾曲した側面部分が設けられていることで、ラウンド形状部42内において安定して光を集光することができる。
Moreover, since the
具体的には、まず、ラウンド形状部42の側面42Aに入射した光は、高確率でラウンド形状部42の上面、すなわち光出射面40Qに向かって反射される。また、側面42Aに入射する光は、その入射位置がわずかに異なるだけでも、異なる方向に向けて反射される。従って、光出射面40Qの全体にムラなく光が達し、均一な強度及び色の光が光出射面40Qから出射される。
Specifically, first, the light incident on the
波長変換体40は、このような光学効果を有するラウンド形状部42を有することで、光出射面40Qから高くかつ均一な輝度の光を出射する。また、ラウンド形状部42は、例えば側面42の形状(曲率や長さなど)を調節することで、種々の光学特性(例えば輝度特性)を有する光を生成することができる。従って、発光装置10は、高輝度かつ高品質な光を出射することができる。
The
また、本実施例においては、波長変換体40は、矩形の上面形状を有する。これによって、種々の用途に容易に適用可能な形状の配光特性を得ることができる。例えば、発光装置10は、照明用途、例えば車両用灯具として用いる場合に好適な構成を有する。例えば、波長変換体40が矩形の上面形状を有することで、ヘッドランプに求められる特性、例えば中央領域が高輝度であり、周辺領域が低輝度であるような配光特性の光を容易に形成することができるからである。
Moreover, in the present embodiment, the
なお、上記した波長変換体40の構成は、一例に過ぎない。例えば、本実施例においては、波長変換体40は、一体的に形成された柱状部41、ラウンド形状部42及び柱状部43を有する場合について説明した。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面の形状が一致する場合について説明した。しかし、波長変換体40は、例えば互いに分離可能なように形成された柱状部41、ラウンド形状部42及び柱状部43を有していてもよい。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面は互いに光学的に結合していればよく、その形状は一致しなくてもよく、また、互いに離間していてもよい。
Note that the configuration of the
また、本実施例においては、ラウンド形状部42の全ての側面(本実施例においては4つの側面)が曲面形状を有する側面42Aである場合について説明した。しかし、ラウンド形状部42の側面形状はこれに限定されない。ラウンド形状部42は、側面の少なくとも一部に曲面形状の側面42Aとなる部分を有していればよい。例えば、ラウンド形状部42の4つの側面のうち、1つのみの側面が曲面形状を有していてもよい。
Further, in this embodiment, the case where all the side surfaces (four side surfaces in this embodiment) of the
また、本実施例においては、波長変換体40は、一体的に形成された蛍光体プレートからなり、その全体において波長変換機能を有する場合について説明した。しかし、波長変換体40の構成はこれに限定されない。
Moreover, in the present embodiment, the case where the
例えば、波長変換体40は、柱状部41の一部をなす蛍光体プレートと、当該蛍光体プレート上に形成され、波長変換体40の他の部分をなす透光プレートと、からなっていてもよい。すなわち、波長変換体40は、複数の部材を組み合わせた構造を有していてもよいし、またその一部のみに波長変換機能をなす部材を有していてもよい。
For example, the
また、発光素子20の構成や、発光装置10の用途によっては、波長変換体40の全体が波長変換機能を有していなくてもよい。例えば、単色(単一波長)の光のみを用いて通信や分析などを行う用途に用いられる場合、発光素子20から放出された光がその波長特性を維持したまま取り出されればよい場合がある。この場合、波長変換体40は、波長変換機能を有する必要はなく、例えば、単純な透光体として機能すればよい。この場合でも、当該透光体が例えば上記したような構成を有することで、光反射体50の当該透光体からの剥離を防止でき、高品質かつ高輝度な発光装置10を提供することができる。
Further, depending on the configuration of the
また、本実施例においては、基板11上に波長変換体40の側面を覆う光反射体50が形成されている場合について説明した。しかし、光反射体50は、設けられていなくてもよい。
Also, in this embodiment, the case where the
例えば、波長変換体40の側面は、光学的に露出されている場合でも、ある程度の反射機能を有する。これは、例えば、波長変換体40の内部から側面に入射する光は、例えば全反射によって波長変換体40内に留まるからである。また、本実施例のように波長変換体40を板状に形成するなど、波長変換体40の側面に対して底面又は上面を比較的大きくすることで、大部分の光は光出射面40Qから出射する。従って、光反射体50が設けられていなくても、波長変換体40から出射される光の輝度特性や配光特性を維持することができる。
For example, the sides of the
このように、本実施例においては、発光装置10は、基板11と、基板11上に形成された発光素子20と、発光素子20上に形成された波長変換体40と、波長変換体40の側面を覆う光反射体50と、を有する。
Thus, in this embodiment, the light-emitting
また、本実施例においては、波長変換体40は、発光素子20から放出された光が入射する光入射面40Pをなす底面41Bを有する柱状部41と、柱状部41上に形成されかつ柱状部41の上面に光学的に結合する底面を有しかつ曲面形状の側面42Aを有するラウンド形状部42と、ラウンド形状部42上に形成されかつラウンド形状部42の上面に光学的に結合する底面を有する柱状部43と、を有する。従って、高品質かつ高輝度な発光装置10を提供することができる。
In this embodiment, the
図4は、実施例2に係る発光装置10Aの断面図である。発光装置10Aは、波長変換体40Aの構成を除いては、発光装置10と同様の構成を有する。波長変換体40Aは、ラウンド形状部42及び柱状部43のみからなる点を除いては、波長変換体40と同様の構成を有する。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a
本実施例においては、波長変換体40Aは、波長変換体40から柱状部41を除いた場合に相当する構成を有する。本実施例においては、ラウンド形状部42の底面42Bは、接着層30に接している。また、ラウンド形状部42の底面42Bは、波長変換体40Aにおける光入射面40Pとして機能する。また、本実施例においては、光反射体50は、ラウンド形状部42の側面42A及び柱状部43の側面43Aを覆うように基板11上に形成されている。
In this embodiment, the
本実施例のように、波長変換体40Aは、発光素子20側に柱状の部分を有していなくてもよい。この場合でも、ラウンド形状部42及び柱状部43によって高輝度化を図ることができる。
As in this embodiment, the
このように、本実施例においては、発光装置10Aは、基板11と、基板11上に配置された発光素子20と、発光素子20上に配置されて発光素子20から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体40Aであって、発光素子20上に底面が配置されかつ曲面形状の側面42Aを有するラウンド形状部42(第1の部分)と、ラウンド形状部42の上面上に底面が配置されかつ柱形状を有する柱状部(第2の部分)43と、を有する波長変換体40Aと、を有する。従って、高品質かつ高輝度な発光装置10Aを提供することができる。
Thus, in this embodiment, the light-emitting
図5は、実施例3の係る発光装置10Bの断面図である。発光装置10Bは、波長変換体40Bの構成を除いては、発光装置10Aと同様の構成を有する。本実施例においては、波長変換体40Bは、ラウンド形状部42と柱状部43との間にラウンド形状部42とは反対側に窪んだ曲面形状の側面44Aを有するラウンド形状部(第3の部分)44を有する。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a
換言すれば、本実施例においては、波長変換体40Bは、ラウンド形状部42と柱状部43との境界が連続的に屈曲するように形成された側面を有する。従って、本実施例においては、ラウンド形状部42と柱状部43との間の変曲点が明確に存在しない。
In other words, in this embodiment, the wavelength conversion body 40B has a side surface formed so that the boundary between the
波長変換体40Bは、例えばこのような波状に形状が変化する部分によってラウンド形状部42と柱状部43とが接続されるような構成を有していてもよい。この場合でも、ラウンド形状部42となる部分及び柱状部43となる部分が十分に存在していれば、高輝度化を図ることができる。
The wavelength conversion body 40B may have a configuration in which the round-shaped
また、この場合、波長変換体40Bの形成時に、ラウンド形状部42と柱状部43との間の明確な変曲点を形成する必要がない。従って、当該側面形状の制約が緩和され、歩留まり向上を図ることができる。
In this case, it is not necessary to form a clear inflection point between the
このように、本実施例においては、波長変換体40Bは、ラウンド形状部42と柱状部43との間に、ラウンド形状部42の側面42Aと柱状部43の側面43Aとを曲面状に接続する側面44Aを有する接続部(第3の部分であり、例えばラウンド形状部44)を有する。これによって、高品質かつ高輝度な発光装置10Bを提供することができる。
Thus, in the present embodiment, the wavelength converter 40B connects the
図6は、実施例4に係る発光装置10Cの断面図である。発光装置10Cは、波長変換体40Cの構成を除いては、発光装置10と同様の構成を有する。本実施例においては、波長変換体40Cは、ラウンド形状部45及び柱状部46の構成を除いては、波長変換体40と同様の構成を有する。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a
本実施例においては、波長変換体40Cは、柱状部41上に形成され、互いに反対側を向くように設けられ、曲面形状を有しかつ曲率が異なる側面45A及び45Bを有するラウンド形状部45を有する。また、波長変換体40Cは、ラウンド形状部45の上面上に底面が配置されかつ柱形状を有する柱状部46を有する。
In this embodiment, the
柱状部46は、ラウンド形状部45の側面45A及び45Bのうち、曲率が小さな側面45A上に形成されかつ底面から垂直に延びる側面46Aと、曲率が大きな側面45B上に形成されかつ底面から垂直に延びる側面46Bと、を有する。また、柱状部46は、波長変換体40Cの光出射面40Qをなす上面46Cを有する。
Of the side surfaces 45A and 45B of the
本実施例においては、柱状部46は、ラウンド形状部45上において、柱状部41及びラウンド形状部45から偏心した(偏った)位置に設けられている。このように柱状部46が配置されることで、光出射面40Qから出射される光に輝度傾斜を設けることができる。
In this embodiment, the
具体的には、柱状部46の側面46Aは、側面46Bよりも、光出射面40Qに垂直な方向から見たときに光入射面40Pの端部に近い位置に配置されている。これによって、側面46Aの近傍の領域は、側面46Bの近傍の領域よりも輝度が低い部分となる。従って、光出射面40Qからは、側面46Aから側面46Bに向けて徐々に輝度が大きくなるような特性の光が出射される。
Specifically, the
なお、本実施例においては、ラウンド形状部45の側面45A及び45Bが互いに異なる曲率の曲面形状を有する場合について説明した。しかし、ラウンド形状部45の構成はこれに限定されない。例えば、ラウンド形状部45は、同一の曲率の側面を有していてもよい。
In this embodiment, the case where the side surfaces 45A and 45B of the
すなわち、波長変換体40Cは、波長変換体40におけるラウンド形状部42と、ラウンド形状部42上においてラウンド形状部42の上面から偏心した位置又は上面の一部上に設けられた柱状部46と、から構成されていてもよい。この場合でも、輝度傾斜を有する光を出射する波長変換体40Cを構成することができる。
That is, the
このように、本実施例においては、波長変換体40Cの柱状部46は、ラウンド形状部45上においてラウンド形状部45の上面から偏心した位置に形成されている。従って
輝度傾斜を有しかつ高輝度な光を出射する波長変換体40Cを有する発光装置10Cを提供することができる。
Thus, in this embodiment, the
図7は、実施例5に係る発光装置10Dの断面図である。発光装置10Dは、波長変換体40Dの構成を除いては、発光装置10と同様の構成を有する。また、波長変換体40Dは、ラウンド形状部47及び柱状部48の構成を除いては、波長変換体40と同様の構成を有する。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a
本実施例においては、波長変換体40Dのラウンド形状部47は、底面から垂直に延びかつ凹状の曲面形状を有する側面(第1の側面)47Aと、側面47Aとは反対側に配置され、底面から垂直に延びかつ外側に凸となる曲面形状を有する側面(第2の側面)47Bと、を有する。
In this embodiment, the round-shaped
また、本実施例においては、柱状部48は、ラウンド形状部47の側面47Aの端部から底面に対して垂直に延びる側面48Aと、ラウンド形状部47の側面47Bの端部から底面に対して垂直に延びる側面48Bと、を有する。また、柱状部48は、光出射面40Qをなす上面48Cを有する。
In this embodiment, the
このように、本実施例においては、ラウンド形状部47を形成することで、光出射面40Q内における輝度傾斜を大きくすることができる。より具体的には、光出射面40Qに垂直な方向から見たとき、側面47A及び48Aの近傍の領域は、光入射面40Pに重ならない領域である。従って、光入射面40Pから入射した光は、側面47A及び48Aの近傍の領域には到達しにくいか、又は波長変換体40内において何回か反射されるなど比較的長い光路を進んだ上で到達する。従って、側面47A及び48Aの近傍の領域は、光出射面40Q内において比較的輝度の低い領域となる。
Thus, in this embodiment, by forming the
さらに、柱状部48における側面48Aの近傍の領域は、光反射体50に食い込むように設けられている。従って、柱状部48における側面48Aの近傍の領域の下部には、光反射体50が存在する。
Further, a region near the
これによって、柱状部48の側面48Aの近傍の領域は、波長変換体40D内において他の領域よりも放熱性能が低い領域となる。従って、発光素子20を駆動した場合、柱状部48の側面48Aの近傍の領域は、他の領域よりも温度が高い領域(熱が逃げにくい領域)となる。従って、柱状部48の側面48Aの近傍の領域における波長変換体40Dの波長変換効率はより低くなる。これによって、柱状部48の側面48Aの近傍の領域は、光出射面40Q内において比較的輝度が低い領域となる。
As a result, the region in the vicinity of the
一方、柱状部48の側面48Bの近傍の領域は、光出射面40Qに垂直な方向から見たときに光入射面40Pに重なる領域である。従って、光入射面40Pから入射した光の多くは柱状部48の側面48Bの近傍の領域に達することとなる。また、側面48Bの位置を調節することで、側面48Bを光入射面40Pの中央領域の上部に配置されることができる。これによって、柱状部48の側面48Bの近傍の領域は、光入射面40Q内において最も輝度が高い領域となる。
On the other hand, the area near the
さらに、柱状部48の側面48Bの近傍の領域の下部には波長変換体40Dの他の部分であるラウンド形状部47が設けられている。従って、柱状部48の側面48Bの近傍の領域において発生した熱は、容易に波長変換体40D内を伝搬する。従って、柱状部48の側面48Bの近傍の領域は、他の領域よりも放熱性能が高い領域であり、他の領域よりも波長変換効率が高い領域となる。これによって、柱状部48の側面48Bの近傍の領域は、他の領域よりもさらに輝度が高い領域となる。
Further, a
このように、本実施例においては、波長変換体40Dのラウンド形状部47は、底面に対して外側に屈曲する曲面形状の側面47A及び内側に屈曲する曲面形状の側面47Bを有する。従って、光出射面40Qから大きな輝度傾斜(輝度変化)を持った光が出射するような波長変換体40Dとなる。
Thus, in this embodiment, the
また、本実施例においても、光入射面40Pよりも光入射面40Qの方が小さくなるように波長変換体40Dを構成することで、光入射面40Pから入射した光を集光しつつ光出射面40Qから出射することができる。従って、大きな輝度傾斜を有しかつ高輝度な光を出射する波長変換体40Dを有する発光装置10Dを提供することができる。
Also in this embodiment, by configuring the
なお、波長変換体40Dの光出射面40Qに輝度傾斜を設けることを考慮すると、波長変換体40Dは上記した形状を有する必要はない。例えば、波長変換体40Dの光出射面40Qが、光出射面40Qに垂直な方向から見たときに、光入射面40Pの外側に延在する領域を有していればよい。これによって、当該光入射面40Pの外側にずれた光出射面40Qの領域は輝度が低い領域となり、全体としては輝度傾斜を設けることができる。
Considering that the
換言すれば、例えば、波長変換体40Dにおける柱状部48の上面48Cは、上面48Cに垂直な方向から見たとき、波長変換体40Dにおける発光素子20から放出された光が入射する光入射面40Pの外側に延在する領域を有していればよい。従って、光出射面40Qから輝度の差を有する光を出射する波長変換体40Dを有し、高輝度な発光装置10Dを提供することができる。
In other words, for example, the
10、10A~10D 発光装置
20 発光素子
40、40A~40D 波長変換体
10, 10A to 10D
Claims (8)
前記基板上に配置された発光素子と、
前記発光素子上に接着層を介して配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、前記基板に沿って延びる底面及び曲面形状の側面を有する第1の部分と、前記第1の部分の上面に底面が配置され柱形状を有する第2の部分と、を有する波長変換体と、を有し、
前記波長変換体は、前記第1の部分と前記第2の部分とが一体に形成された蛍光体プレートであることを特徴とする発光装置。 a substrate;
a light emitting element disposed on the substrate;
A wavelength converter arranged on the light emitting element via an adhesive layer to convert the wavelength of light emitted from the light emitting element, the wavelength converting body having a bottom surface extending along the substrate and a curved side surface. and a second portion having a bottom surface disposed on the top surface of the first portion and having a columnar shape,
A light-emitting device, wherein the wavelength converter is a phosphor plate in which the first portion and the second portion are integrally formed .
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