JP7262743B2

JP7262743B2 - Modules containing acoustic wave devices

Info

Publication number: JP7262743B2
Application number: JP2018238818A
Authority: JP
Inventors: 浩一熊谷; 博文中村; 裕門川
Original assignee: SANAN JAPAN TECHNOLOGY
Current assignee: SANAN JAPAN TECHNOLOGY
Priority date: 2018-12-20
Filing date: 2018-12-20
Publication date: 2023-04-24
Anticipated expiration: 2038-12-20
Also published as: CN111355465A; JP2020102713A; JP7457417B2; JP2023089078A; CN111355465B

Description

本発明は、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールに関する。 The present invention relates to a module containing an acoustic wave device that requires a hollow structure.

携帯電話端末や携帯情報端末等の通信機器端末において、フィルタやデュプレクサ等のＲＦデバイスは、小型化のためにそれらをフロントエンドモジュールやパワーアンプ等と集積化することにより、マルチチップモジュールとして構成される傾向にある。これらのマルチチップモジュールにおいては、１つの共通基板上に複数のチップ部品が実装され、モールド樹脂により封止される。 In communication equipment terminals such as mobile phone terminals and personal digital assistants, RF devices such as filters and duplexers are configured as multi-chip modules by integrating them with front-end modules, power amplifiers, etc. for miniaturization. tend to In these multichip modules, a plurality of chip components are mounted on one common substrate and sealed with molding resin.

この基板上に実装されるチップ部品が、ＳＡＷフィルタやＢＡＷフィルタを構成するもののように、中空構造を要する弾性波デバイスにおいては、従来は個々の弾性波デバイスチップごとに中空部を形成していた（例えば特許文献１参照）。すなわち、図５（ａ）に示すように、従来の弾性波デバイス５０は、弾性波デバイスの専用基板５１と、ベアチップ５２と、中空部５６とを備える。専用の基板５１と弾性波デバイスのベアチップ５２との間には、中空部５６形成のためのダム５４が設けられ、かつ専用の基板５１とベアチップ５２との間は、接続部５３により電気的、機械的に接続される。このダム５４は、弾性波デバイス５０毎に設けられる封止樹脂５５が、中空部５６に浸入して、ベアチップ５２の電極配置部分（電極５２ａが配置されている周辺）に入り込むことを防止する。これらの弾性波デバイス５０は、他の弾性波デバイス５０あるいは中空構造を要しない他の能動素子や受動素子と共に、共通基板５７に接続部５８を介して接続して実装する場合、不図示の封止樹脂により覆われる。 In an acoustic wave device that requires a hollow structure, such as a SAW filter or a BAW filter, the chip components mounted on the substrate have conventionally formed a hollow portion for each individual acoustic wave device chip. (See Patent Document 1, for example). That is, as shown in FIG. 5A, a conventional acoustic wave device 50 includes a dedicated board 51 for acoustic wave devices, a bare chip 52 and a hollow portion 56 . A dam 54 for forming a hollow portion 56 is provided between the dedicated substrate 51 and the bare chip 52 of the acoustic wave device. mechanically connected. The dam 54 prevents the sealing resin 55 provided for each acoustic wave device 50 from entering the hollow portion 56 and entering the electrode arrangement portion of the bare chip 52 (periphery where the electrodes 52a are arranged). These acoustic wave devices 50, together with other acoustic wave devices 50 or other active elements or passive elements that do not require a hollow structure, are connected to a common substrate 57 via connecting portions 58 and mounted. It is covered with a stopping resin.

この従来の弾性波デバイスの構造、すなわち個々の弾性波デバイス５０ごとに中空部５６を有するチップを構成し、他の部品と共に共通基板５７に実装してモジュール化すれば、以下のようなメリットがある。第一に、製造工程の都合上、先に弾性波デバイス等の部品をチップとして製造しておきさえすれば、その後は、そのチップを共通基板５７へ実装するための製造装置又は製造ラインを用いることが可能であって、多種類多機能の実装装置のない環境でも製造が容易である。第二に、弾性波デバイス５０の部品単体としての特性把握や保証がしやすいため、モジュールの設計がしやすい。第三に、モジュールに不良が発生した場合に、どこに不具合が発生してるのかが解析しやすく、その不具合がどの製造者又は製造部署が管理していた工程に起因しているかの分析が比較的明確である。 This conventional acoustic wave device structure, that is, forming a chip having a hollow portion 56 for each acoustic wave device 50 and mounting it on a common substrate 57 together with other components to form a module, has the following advantages. be. First, for the convenience of the manufacturing process, if a component such as an acoustic wave device is manufactured as a chip in advance, then a manufacturing apparatus or manufacturing line is used to mount the chip on the common substrate 57. It is possible to manufacture it easily even in an environment where there is no mounting device of various types and functions. Secondly, since it is easy to grasp and guarantee the characteristics of the acoustic wave device 50 as a single component, it is easy to design the module. Third, when a defect occurs in a module, it is easy to analyze where the defect has occurred, and it is relatively easy to analyze which manufacturer or manufacturing department has caused the defect. Clear.

特表２００２－５１０９２９号公報Japanese translation of PCT publication No. 2002-510929

一方、上述した従来の弾性波デバイス５０には、以下のような問題点がある。第一に、弾性波デバイス５０のベアチップ５２と共通基板５７との間に、弾性波デバイス専用の基板５１が介在するため、ベアチップ５２から共通基板５７に至る導通経路が長くなり、その分だけ寄生抵抗、容量、インダクタンス、すなわち寄生インピーダンスが増え、性能の劣化を招く。第二に、マルチチップモジュール全体として見た場合、基板は弾性波デバイス専用の基板５１と共通基板５７の２重となっており、封止樹脂も弾性波デバイス用の封止樹脂５５と不図示のモジュール用のものとの２重になっているため、工程費及び材料費のコストアップを招く。第三に、弾性波デバイス５０は専用の基板５１とベアチップ５２とを組み合わせた構造であるため、高さＨ１及び広さＷ１が大となり、モジュールの小型化、薄型化の障害となり、高密度実装を阻害しやすい。 On the other hand, the conventional acoustic wave device 50 described above has the following problems. First, since the substrate 51 dedicated to the acoustic wave device is interposed between the bare chip 52 of the acoustic wave device 50 and the common substrate 57, the conductive path from the bare chip 52 to the common substrate 57 becomes longer, and the parasitic wave is increased accordingly. Resistance, capacitance, and inductance, or parasitic impedance, increase, leading to performance degradation. Secondly, when viewed as a whole multi-chip module, the substrate is a double layer of the substrate 51 dedicated to the acoustic wave device and the common substrate 57, and the sealing resin is also the sealing resin 55 for the acoustic wave device (not shown). 2, the process cost and the material cost are increased. Thirdly, since the acoustic wave device 50 has a structure in which a dedicated substrate 51 and a bare chip 52 are combined, the height H1 and the width W1 become large, which becomes an obstacle to miniaturization and thinning of the module, resulting in high-density mounting. easy to inhibit.

本発明は、上記問題点に鑑み、中空構造を要する弾性波デバイスを含んでモジュールを構成する場合に、構造の簡略化と高密度実装と低コスト化が可能となり、寄生インピーダンスの低減も可能となる弾性波デバイスを含むモジュールを提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention enables simplification of the structure, high-density mounting, and cost reduction when configuring a module including an acoustic wave device that requires a hollow structure, and also enables reduction of parasitic impedance. An object of the present invention is to provide a module including an acoustic wave device.

本発明の弾性波デバイスを含むモジュールは、第一の態様として、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、部品実装面に複数の導電性パッドが形成された基板と、前記基板の前記部品実装面に対面する面に電極配置部分があり、かつ前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する少なくとも１つの弾性波デバイスと、前記基板の前記部品実装面の前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する、弾性波デバイス以外の少なくとも１つのフリップチップ実装デバイスと、前記基板の前記部品実装面と、前記弾性波デバイスの周辺部との間に設けられ、各弾性波デバイスと前記基板との間に前記電極配置部分を囲む中空部を形成すると共に、前記中空部に外部から封止樹脂が浸入することを阻止するダムと、を備え、前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面においては非金属である領域のみと接着され、前記弾性波デバイスにおける前記ダムと接する領域は、前記弾性波デバイスのチップ端部からダムの内側の端まで２０μｍ以上の距離を有するものである。 A first aspect of a module including an acoustic wave device of the present invention is a module including an acoustic wave device requiring a hollow structure, comprising: a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface; and the component on the substrate. At least one acoustic wave device having an electrode arrangement portion on a surface facing a mounting surface and having a conductive pad electrically connected to the conductive pad; and the conductive pad on the component mounting surface of the substrate. provided between at least one flip-chip mounting device other than an acoustic wave device, the component mounting surface of the substrate, and a peripheral portion of the acoustic wave device; a dam that forms a hollow portion surrounding the electrode arrangement portion between each acoustic wave device and the substrate and prevents a sealing resin from entering the hollow portion from the outside, wherein the dam The surface of the substrate facing surface of the acoustic wave device is adhered only to the non-metallic region, and the region of the acoustic wave device in contact with the dam is 20 μm from the tip end of the acoustic wave device to the inner end of the dam. It has a distance of more than

この態様においては、弾性波デバイスとフリップチップ実装デバイスが実装される基板との間に、弾性波デバイス専用の基板を介在させる必要がないため、ベアチップから基板に至る電気的な導通経路が短くなり、その分だけ個々の弾性波デバイスごとに基板を備えた場合に比較してインピーダンスが減少し、性能の向上が可能となる。また、弾性波デバイスを含むモジュール全体として見た場合、基板は弾性波デバイスと他のフリップチップ実装デバイスと共通の基板となり、封止樹脂も共通となるため、工程費及び材料費のコスト低減が達成できる。また、弾性波デバイスは専用基板が不要となるので、弾性波デバイスを含むモジュールの高さ及び広さが縮小され、弾性波デバイスを含むモジュールの小型化、薄形化が可能となり、高密度実装が達成されやすい。また、前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面においては非金属である領域のみと接着されるため、ダムと弾性波デバイスとを強く接着させることができる。また、上記各態様において、前記弾性波デバイスにおける前記ダムと接する領域は、前記弾性波デバイスのチップ端部からダムの内側の端まで２０μｍ以上の距離を有するため、中空部への封止樹脂の浸入がよりよく阻止される。 In this aspect, since it is not necessary to interpose a substrate dedicated to the acoustic wave device between the acoustic wave device and the substrate on which the flip-chip mounted device is mounted, the electrical conduction path from the bare chip to the substrate is shortened. , the impedance is reduced by that amount compared to the case where each acoustic wave device is provided with a substrate, and the performance can be improved. In addition, when viewed as a whole module including an acoustic wave device, the substrate is the same substrate for the acoustic wave device and other flip-chip mounted devices, and the sealing resin is also the same, so the process cost and material cost can be reduced. achievable. In addition, since the acoustic wave device does not require a dedicated substrate, the height and width of the module including the acoustic wave device can be reduced. is easily achieved. Further, since the dam is adhered only to the non-metallic region on the surface of the acoustic wave device facing the substrate, the dam and the acoustic wave device can be strongly adhered. In each of the above aspects, since the region of the acoustic wave device in contact with the dam has a distance of 20 μm or more from the chip edge of the acoustic wave device to the inner edge of the dam, the sealing resin in the hollow portion is Infiltration is better blocked.

本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの第二の態様は、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、部品実装面に複数の導電性パッドが形成された基板と、前記基板の前記部品実装面に対面する面に電極配置部分があり、かつ前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する複数の弾性波デバイスと、前記基板の前記部品実装面と、前記弾性波デバイスの周辺部との間に設けられ、各弾性波デバイスと前記基板との間に前記電極配置部分を囲む中空部を形成すると共に、前記中空部への外部から封止樹脂が浸入することを阻止するダムとを備え、前記複数の前記弾性波デバイスどうしが隣接して配置され、前記隣接する前記弾性波デバイスどうしで前記ダムが共用される共用部が設けられ、隣接する前記複数の前記弾性波デバイスどうしの互いに対向する端部の基板対向面側に、前記ダムの前記共用部が接着されており、前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面においては非金属である領域のみと接着され、前記弾性波デバイスにおける前記ダムと接する領域は、前記弾性波デバイスのチップ端部からダムの内側の端まで２０μｍ以上の距離を有するものである。ここで、ダムの共用部とは、隣接する２つの弾性波デバイス用のダムの一部であってその２つの弾性波デバイスの用のダムを兼ねる部分を意味する。 A second aspect of a module including an acoustic wave device according to the present invention is a module including an acoustic wave device that requires a hollow structure, comprising: a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface; and the component mounting on the substrate. a plurality of acoustic wave devices having conductive pads electrically connected to the conductive pads, the component-mounting surface of the substrate, and the acoustic wave devices. A hollow portion is formed between each acoustic wave device and the substrate to surround the electrode arrangement portion, and prevents sealing resin from entering the hollow portion from the outside. a dam, wherein the plurality of acoustic wave devices are arranged adjacent to each other ; a shared portion is provided in which the dam is shared by the adjacent acoustic wave devices ; and the plurality of adjacent acoustic wave devices is provided. The shared portion of the dam is adhered to the substrate-facing surface side of the ends facing each other, and the dam is adhered only to a non-metallic region on the surface of the substrate-facing surface of the acoustic wave device. and a region of the acoustic wave device in contact with the dam has a distance of 20 μm or more from the chip edge of the acoustic wave device to the inner edge of the dam. Here, the shared portion of the dam means a portion that is part of the dam for two adjacent acoustic wave devices and also serves as a dam for the two acoustic wave devices.

この態様においては、隣接する弾性波デバイスどうしでダムが共用される共用部が設けられるため、弾性波デバイスが隣接する領域において、２つのダムを並べる場合に比較し、ダムの設置領域が狭幅で済むので、弾性波デバイスどうしの近接配置が可能となる。このため、弾性波デバイスを含むモジュールの実装スペースが減少し、小型化、高密度実装が可能になる。また、個々の弾性波デバイスごとの専用の基板が不要となるので、薄形化も可能となる。また、個々の弾性波デバイス専用の基板を介在させる必要がないため、ベアチップから基板に至る電気的な導通経路が短くなり、その分だけ個々の弾性波デバイスごとに基板を備えた場合に比較してインピーダンスが減少し、性能の向上が可能となる。また、個々の弾性波デバイスごとの専用の基板が不要となるので、工程費及び材料費のコスト低減が達成できる。 In this aspect, since a shared portion is provided in which the dam is shared by adjacent acoustic wave devices, the dam installation area is narrower than when two dams are arranged side by side in the area where the acoustic wave devices are adjacent. Therefore, acoustic wave devices can be arranged close to each other. Therefore, the mounting space of the module including the acoustic wave device is reduced, and miniaturization and high-density mounting become possible. In addition, since a dedicated substrate for each acoustic wave device is not required, it is possible to reduce the thickness of the device. In addition, since there is no need to interpose a dedicated board for each acoustic wave device, the electrical conduction path from the bare chip to the board is shortened, which makes it shorter than when a board is provided for each acoustic wave device. lower impedance, allowing for improved performance. Moreover, since a dedicated substrate for each acoustic wave device is not required, cost reductions in process costs and material costs can be achieved.

本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの第三の態様は、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、部品実装面に複数の導電性パッドが形成された基板と、前記基板の前記部品実装面に対面する面に電極配置部分があり、かつ前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する複数の弾性波デバイスと、前記基板の前記部品実装面と、前記弾性波デバイスの周辺部との間に設けられ、各弾性波デバイスと前記基板との間に前記電極配置部分を囲む中空部を形成すると共に、前記中空部への外部から封止樹脂が浸入することを阻止するダムとを備え、複数の前記弾性波デバイスどうしが隣接して配置され、前記隣接する前記弾性波デバイスどうしで前記ダムが共用される共用部が設けられ、隣接する前記複数の前記弾性波デバイスどうしの互いに対向する各々の端部の基板対向面側に、前記ダムの前記共用部が接着されており、前記ダムが前記複数の前記弾性波デバイスの前記基板側に配置され、前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面においては非金属である領域のみと接着され、隣接する前記複数の前記弾性波デバイスどうしの間隔が１００μｍ以下であるものである。 A third aspect of a module including an acoustic wave device according to the present invention is a module including an acoustic wave device that requires a hollow structure, comprising: a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface; and the component mounting on the substrate. a plurality of acoustic wave devices having conductive pads electrically connected to the conductive pads, the component-mounting surface of the substrate, and the acoustic wave devices. A hollow portion is formed between each acoustic wave device and the substrate to surround the electrode arrangement portion, and prevents sealing resin from entering the hollow portion from the outside. a dam, wherein the plurality of acoustic wave devices are arranged adjacent to each other; a shared portion is provided in which the dam is shared by the adjacent acoustic wave devices; The shared portion of the dam is adhered to the substrate-facing surface side of each of the ends facing each other, the dam is arranged on the substrate side of the plurality of acoustic wave devices, and the dam is The acoustic wave device is adhered only to the non-metallic region on the substrate-facing surface of the acoustic wave device, and the distance between the plurality of adjacent acoustic wave devices is 100 μm or less.

この態様によれば、複数の弾性波デバイスが前記基板に隣接して実装され、隣接する弾性波デバイスどうしの間隔が１００μｍ以下であることから、さらなる高密度実装が可能となる。 According to this aspect, a plurality of acoustic wave devices are mounted adjacent to the substrate, and the interval between adjacent acoustic wave devices is 100 μm or less, so that higher density mounting becomes possible.

本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの第四の態様は、中空構造を要する弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、部品実装面に複数の導電性パッドが形成された基板と、前記基板の前記部品実装面に対面する面に電極配置部分があり、かつ前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する少なくとも１つの弾性波デバイスと、前記基板の前記部品実装面の前記導電性パッドに電気的に接続される導電性パッドを有する、弾性波デバイス以外の少なくとも１つのフリップチップ実装デバイスと、前記基板の前記部品実装面と、前記弾性波デバイスの周辺部との間に設けられ、各弾性波デバイスと前記基板との間に前記電極配置部分を囲む中空部を形成すると共に、前記中空部に外部から封止樹脂が浸入することを阻止するダムと、を備え、前記基板との間に中空部が形成される弾性波デバイスと、弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイスとが隣接して配置され、前記フリップチップ実装デバイスと前記基板との間にアンダーフィル材が充填され、前記ダムは、前記弾性波デバイスに隣接する前記フリップチップ実装デバイス側の縁部の平面形状が凹凸形状をなし、前記ダムの前記凹凸形状をなす前記縁部は、少なくともその一部が、前記アンダーフィル充填の際に空気の通路を確保するための、前記隣接するフリップチップ実装デバイスのチップ端よりも外側に位置する凹部を備え、前記ダムは、前記弾性波デバイスの基板対向面側の少なくとも一部が、前記弾性波デバイスの基板対向面の表面と接着され、前記ダムの基板側及び中空部側以外の部分であって、前記弾性波デバイスと接着されていない部分に封止樹脂が接するものである。A fourth aspect of a module including an acoustic wave device according to the present invention is a module including an acoustic wave device that requires a hollow structure, comprising: a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface; and the component mounting on the substrate. at least one acoustic wave device having a conductive pad electrically connected to the conductive pad and having an electrode arrangement portion on the surface facing the surface; provided between at least one flip-chip mounting device other than an acoustic wave device, the component mounting surface of the substrate, and a peripheral portion of the acoustic wave device, each having a conductive pad to be electrically connected; a dam forming a hollow portion surrounding the electrode arrangement portion between the acoustic wave device and the substrate, and preventing a sealing resin from entering the hollow portion from the outside; An acoustic wave device having a hollow portion formed in the substrate and a flip-chip mounted device other than the acoustic wave device are arranged adjacent to each other, an underfill material is filled between the flip-chip mounted device and the substrate, and the dam a planar shape of an edge of the flip-chip mounted device adjacent to the acoustic wave device has an uneven shape, and at least a part of the edge of the dam having the uneven shape is filled with the underfill; a concave portion located outside the chip end of the adjacent flip-chip mounting device for securing an air passage when , a portion of the dam other than the substrate side and the hollow portion side, which is bonded to the surface of the acoustic wave device facing the substrate and is not bonded to the acoustic wave device, is in contact with the sealing resin. .

この態様によれば、前記基板との間に中空部が形成される弾性波デバイスと、弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイスとが隣接して配置され、前記フリップチップ実装デバイスと前記基板との間にアンダーフィル材が充填され、前記弾性波デバイスのダムに、前記アンダーフィル材が接触することにより、アンダーフィル材の中空部への浸入がダムにより阻止されるので、弾性波デバイスにフリップチップ実装デバイスが近接して配置できる。また、フリップチップ実装デバイスと基板との間は、ダムの縁部の凹凸形状をなすことにより、ダムによって閉塞されないため、アンダーフィル材を浸透現象によりフリップチップ実装デバイスと基板との間に浸入する際に、弾性波デバイス側にボイドが生じることが防止される。このため、フリップチップ実装デバイスと基板との間において、アンダーフィル材の良好な充填状態が得られる。 According to this aspect, the acoustic wave device in which the hollow portion is formed between the substrate and the flip-chip mounted device other than the acoustic wave device are arranged adjacent to each other, and the flip-chip mounted device and the substrate are arranged adjacent to each other. The gap is filled with an underfill material, and the underfill material comes into contact with the dam of the acoustic wave device, so that the underfill material is prevented from entering the hollow portion by the dam. Mounted devices can be placed in close proximity. In addition , since the gap between the flip-chip mounted device and the substrate is not blocked by the dam due to the uneven shape of the edge of the dam, the underfill material enters between the flip-chip mounted device and the substrate due to the permeation phenomenon. In this case, the occurrence of voids on the acoustic wave device side is prevented. Therefore, a good filling state of the underfill material can be obtained between the flip-chip mounted device and the substrate.

また、上記各態様において、前記弾性波デバイスにおける前記ダムと接する領域は、前記ダムと前記弾性波デバイスとの間に形成される隙間はゼロ、もしくは封止樹脂のフィラー粒子の半径の１０分の１以下であることが好ましい。この場合、ダムにより、中空部への封止樹脂の浸入がよりよく阻止される。 Further, in each of the above aspects , the area of the acoustic wave device in contact with the dam has a gap formed between the dam and the acoustic wave device of zero or 10 minutes of the radius of the filler particles of the sealing resin. is preferably 1 or less. In this case, the dam effectively prevents the sealing resin from entering the hollow portion.

本発明によれば、弾性波デバイスを含む弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、パッケージの小型化、低背化及び高密度実装と、寄生インピーダンスの低減による性能の向上と、工程費及び材料費のコスト低減が可能となる。 According to the present invention, in a module including an acoustic wave device, the package is made smaller, the height is reduced, the mounting density is higher, the performance is improved by reducing the parasitic impedance, and the process cost and material cost are reduced. can be reduced.

本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの一実施の形態を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a module including acoustic wave devices according to the present invention; FIG. 図１の弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、封止樹脂を施す前の状態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state before a sealing resin is applied to the module including the acoustic wave device of FIG. 1; 図１の弾性波デバイスを含むモジュールにおけるダムのパターンを示す平面図である。2 is a plan view showing a pattern of dams in a module including the acoustic wave device of FIG. 1; FIG. 図１の弾性波デバイスを含むモジュールの部分拡大断面図である。2 is a partially enlarged cross-sectional view of a module including the acoustic wave device of FIG. 1; FIG. （ａ）は従来の弾性波デバイスを含むモジュールの例であり、（ｂ）は、図１の弾性波デバイスを含むモジュールの断面図である。(a) is an example of a module including a conventional acoustic wave device, and (b) is a cross-sectional view of the module including the acoustic wave device of FIG. 本発明の弾性波デバイスを含むモジュールにおけるダムのパターンの他の例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing another example of a dam pattern in a module including the acoustic wave device of the present invention; 本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの他の実施の形態を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a module including an acoustic wave device according to the present invention; 図７の弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、封止樹脂を施す前の状態を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a state of the module including the acoustic wave device of FIG. 7 before application of sealing resin; 図７の弾性波デバイスを含むモジュールの部分拡大断面図である。8 is a partially enlarged cross-sectional view of a module including the acoustic wave device of FIG. 7; FIG. 図７の弾性波デバイスを含むモジュールにおいて、ダムのパターンの他の例を、封止樹脂を施す前の状態で示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing another example of a dam pattern in the module including the acoustic wave device of FIG. 7 before application of sealing resin; 図１０のパターンを有するダムの作用を説明する断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the action of a dam having the pattern of FIG. 10; 図７の弾性波デバイスを含むモジュールの変形例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a modification of a module including the acoustic wave device of FIG. 7; 図７の弾性波デバイスを含むモジュールの他の変形例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing another modification of the module including the acoustic wave device of FIG. 7;

図１及び図２は本発明による弾性波デバイスを含むモジュールの一実施の形態を示す。この実施の形態の弾性波デバイスを含むモジュール１は、基板２上に２個の弾性波デバイス３を実装した例を示す。この実施の形態の弾性波デバイス３は表面弾性波デバイス（ＳＡＷデバイス）について示しており、圧電材料により形成された圧電体５の片面にＩＤＴ電極６を形成したものある。圧電体５には例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）等が用いられ、ＩＤＴ電極６には例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ等が用いられる。図面上、ＩＤＴ電極６は簡略化して示してあるが、実際には多数の櫛歯状の入力側、出力側電極及び反射電極が形成されたものである。 1 and 2 show an embodiment of a module including an acoustic wave device according to the invention. A module 1 including acoustic wave devices according to this embodiment shows an example in which two acoustic wave devices 3 are mounted on a substrate 2 . The acoustic wave device 3 of this embodiment is a surface acoustic wave device (SAW device), and has an IDT electrode 6 formed on one side of a piezoelectric body 5 made of a piezoelectric material. Lithium tantalate (LT), lithium niobate (LN), or the like is used for the piezoelectric body 5, and Al, Cu, Ni, Au, W, Mo, or the like is used for the IDT electrode 6, for example. Although the IDT electrode 6 is shown in a simplified manner in the drawings, it actually comprises a large number of comb-shaped input side electrodes, output side electrodes and reflective electrodes.

基板２はセラミック基板あるいは積層基板により構成されるもので、この例では内部に平面状の導体８を有する積層基板により構成した例を示す。基板２の内部に、コンデンサやインダクタ等の受動素子を形成してもよい。図４に示すように、基板２の部品実装面２ａには、複数の導電性パッド９を有する。基板２の部品実装面２ａの反対側の面は、不図示のマザー基板への取付面２ｂであり、この取付面２ｂには、マザー基板に電気的、機械的に接続される導電性パッド１０を有する。部品実装面２ａの導電性パッド９と取付面２ｂの導電性パッド１０とは、対応するものどうしが、内部導体８や不図示のビアホール導体を介して接続される。 The substrate 2 is composed of a ceramic substrate or a laminated substrate, and in this example, an example composed of a laminated substrate having a planar conductor 8 inside is shown. Passive elements such as capacitors and inductors may be formed inside the substrate 2 . As shown in FIG. 4, the component mounting surface 2a of the substrate 2 has a plurality of conductive pads 9. As shown in FIG. The surface of the substrate 2 opposite to the component mounting surface 2a is a mounting surface 2b for mounting on a mother substrate (not shown). have Corresponding conductive pads 9 on the component mounting surface 2a and conductive pads 10 on the mounting surface 2b are connected via internal conductors 8 and via-hole conductors (not shown).

弾性波デバイス３と基板２とは、複数の接続部１２を介して電気的、機械的に接続される。これらの接続部１２は、図４に示すように、弾性波デバイス３における接続用電極６ａ上に設けられた導電性パッド１３と、基板２上の導電性パッド９とを接合するバンプ１４とによって構成される。バンプ１４には例えばＡｕ又は半田を用いることができる。 The acoustic wave device 3 and the substrate 2 are electrically and mechanically connected via a plurality of connecting portions 12 . These connection portions 12 are formed by bumps 14 that join conductive pads 13 provided on the connection electrodes 6a of the acoustic wave device 3 and conductive pads 9 on the substrate 2, as shown in FIG. Configured. Au or solder, for example, can be used for the bumps 14 .

基板２には、実装される弾性波デバイス３及び基板２を覆う封止樹脂１６が形成される。封止樹脂１６は、弾性波デバイス３及び基板２上の面を覆うことにより、弾性波デバイス３を基板２に固定すると共に、弾性波デバイス３が塵埃や水分の影響を受けることを防止してモジュールの信頼性を高める役目を果たす。この封止樹脂１６にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。 A sealing resin 16 is formed on the substrate 2 to cover the acoustic wave device 3 to be mounted and the substrate 2 . The sealing resin 16 covers the surfaces of the acoustic wave device 3 and the substrate 2 to fix the acoustic wave device 3 to the substrate 2 and prevent the acoustic wave device 3 from being affected by dust and moisture. It plays a role in increasing the reliability of the module. Thermosetting resin such as epoxy resin is used for the sealing resin 16 .

基板２上には、弾性波デバイス３を接続部１２により接続して実装する前に、ダム１８が形成される。ダム１８は、封止樹脂１６が弾性波デバイス３の電極配置部分３ａに浸入することを防止するものである。電極配置部分３ａには、弾性波デバイス表面における電極とその周辺の弾性波が伝搬する面が含まれる。また、本実施の形態のように、ＩＤＴ電極６を備えた弾性表面波デバイスの場合、電極配置部分３ａには、弾性波デバイス表面のＩＤＴ電極６周辺の弾性波が伝搬する面が含まれる。なお、電極に反射器を備えた弾性表面波デバイスの場合は、電極配置部分３ａには、その反射器の周辺も含まれる。このため、図３及び図４に示すように、ダム１８は、弾性波デバイス３の周辺部３ｂのみが対向するように、弾性波デバイス３の電極配置部分３ａに対応する領域に、平面視においてＩＤＴ電極６及び接続部１２を囲うように、ダム１８の欠除部１８ａ、１８ｂを形成した平面形状に形成される。図１及び図２に示すように、弾性波デバイス３と基板２とダム１８とにより、電極配置部分３ａを囲む中空部１９が形成される。 A dam 18 is formed on the substrate 2 before the acoustic wave device 3 is connected and mounted by the connecting portion 12 . The dam 18 prevents the sealing resin 16 from entering the electrode arrangement portion 3 a of the acoustic wave device 3 . The electrode placement portion 3a includes the electrodes on the surface of the acoustic wave device and the surface around which the acoustic waves propagate. Moreover, in the case of the surface acoustic wave device having the IDT electrodes 6 as in the present embodiment, the electrode arrangement portion 3a includes the surface of the surface of the acoustic wave device on which the acoustic waves propagate around the IDT electrodes 6 . In the case of a surface acoustic wave device having a reflector as an electrode, the electrode arrangement portion 3a also includes the periphery of the reflector. For this reason, as shown in FIGS. 3 and 4, the dam 18 is provided in a region corresponding to the electrode arrangement portion 3a of the acoustic wave device 3 so that only the peripheral portion 3b of the acoustic wave device 3 faces in plan view. The dam 18 is formed in a planar shape with cut-out portions 18 a and 18 b formed so as to surround the IDT electrode 6 and the connection portion 12 . As shown in FIGS. 1 and 2, the acoustic wave device 3, the substrate 2, and the dam 18 form a hollow portion 19 surrounding the electrode arrangement portion 3a.

ダム１８としては好ましくはパターニングの容易化のために感光性樹脂が用いられる。ダム１８の形成は、基板２の原材として例えばシート（不図示）の上に感光性樹脂を塗布し、図３に示したダム１８の欠除部１８ａ、１８ｂが形成されるように、塗布した感光性樹脂層上において、欠除部１８ａ、１８ｂとなる領域以外の部分をマスクで覆い、露光を行なう。そして感光性樹脂層に対して現像及び熱処理を行なうことにより、基板２の原材（シート）上に、欠除部１８ａ、１８ｂを有するダム１８が形成される。このダム１８となる感光性樹脂として、中空部１９への封止樹脂浸入を防止するダム機能を向上させる観点から、パターニング後に接着性を持つものを用いることが好ましい。パターニング後に接着性を持つ感光性樹脂としては、エポキシアクリレート系樹脂又はポリイミド系樹脂を採用することができる。 A photosensitive resin is preferably used as the dam 18 to facilitate patterning. The dam 18 is formed by coating a sheet (not shown) as a raw material of the substrate 2 with a photosensitive resin, and applying the resin so as to form the cutout portions 18a and 18b of the dam 18 shown in FIG. The exposed photosensitive resin layer is covered with a mask except for the regions to be cutout portions 18a and 18b, and is exposed to light. Then, by developing and heat-treating the photosensitive resin layer, the dam 18 having the missing portions 18a and 18b is formed on the raw material (sheet) of the substrate 2 . From the viewpoint of improving the dam function of preventing the encapsulating resin from entering the hollow portion 19, it is preferable to use a photosensitive resin that has adhesiveness after patterning as the photosensitive resin that forms the dam 18. FIG. Epoxy acrylate-based resin or polyimide-based resin can be used as the photosensitive resin having adhesiveness after patterning.

ダム１８を形成した後、弾性波デバイス３を基板２の原材（シート）上に取り付けることにより、図１、図２に示すように、基板２と弾性波デバイス３との間に、弾性波デバイス３の電極配置部分３ａがダム１８により囲まれる中空部１９を形成する。この中空部１９の形成のため、弾性波デバイスの周辺部３ｂが、欠除部１８ａ、１８ｂの縁部に対面するように、弾性波デバイス３が不図示のフリップチップボンダーにより実装される。この実装は、弾性波デバイス３に予め設けられているバンプ１４を、基板２となるウエハ上に予め設けられている導電性パッド９に接合することにより行なう。 After forming the dam 18, by mounting the acoustic wave device 3 on the raw material (sheet) of the substrate 2, as shown in FIGS. The electrode arrangement portion 3 a of the device 3 forms a hollow portion 19 surrounded by a dam 18 . To form the hollow portion 19, the acoustic wave device 3 is mounted by a flip chip bonder (not shown) so that the peripheral portion 3b of the acoustic wave device faces the edges of the cutout portions 18a and 18b. This mounting is performed by bonding the bumps 14 provided in advance on the acoustic wave device 3 to the conductive pads 9 provided in advance on the wafer serving as the substrate 2 .

この導電性パッド９とバンプ１４との接合と同時に、ダム１８となる感光性樹脂に弾性波デバイス３の周辺部３ｂを接着する。すなわち、ダム１８として、パターニング後に接着性をもつ感光性樹脂を用いることにより、弾性波デバイス３の基板２への取り付けと同時にダム１８に弾性波デバイス３を接着することができる。 At the same time when the conductive pads 9 and the bumps 14 are joined together, the peripheral portion 3b of the acoustic wave device 3 is adhered to the photosensitive resin serving as the dam 18. As shown in FIG. That is, by using a photosensitive resin having adhesiveness after patterning as the dam 18 , the acoustic wave device 3 can be adhered to the dam 18 at the same time as the acoustic wave device 3 is attached to the substrate 2 .

上述したモジュール１は、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）に示す従来のモジュールに比較して、小型化、薄形化が可能となる。すなわち、従来の弾性波デバイス５０においては、弾性波デバイス５０ごとに専用の基板５１を要したため、これらの弾性波デバイス５０自体の幅も広幅になる上、弾性波デバイス５０のベアチップ５２と５２との間のスペースＳ１を大きくとる必要がある。一方、本実施の形態においては、弾性波デバイス３はベアチップの状態で共通の基板２に実装されるため、弾性波デバイス３自体の幅も縮小されると共に、弾性波デバイス３と３との間のスペースＳ２が狭くてすむ。このため、本実施の形態のモジュールの場合、幅Ｗ２が従来のモジュールの幅Ｗ１に比較して小さくなり、小型化及び高密度実装が可能となる。 As shown in FIG. 5(b), the module 1 described above can be made smaller and thinner than the conventional module shown in FIG. 5(a). That is, in the conventional acoustic wave device 50, since a dedicated substrate 51 is required for each acoustic wave device 50, the width of the acoustic wave device 50 itself is widened, and the bare chips 52 and 52 of the acoustic wave device 50 are separated from each other. The space S1 between must be large. On the other hand, in the present embodiment, since the acoustic wave device 3 is mounted on the common substrate 2 in the state of a bare chip, the width of the acoustic wave device 3 itself is reduced and the space between the acoustic wave devices 3 and 3 is reduced. , the space S2 can be narrow. Therefore, in the case of the module of the present embodiment, the width W2 is smaller than the width W1 of the conventional module, and miniaturization and high-density mounting are possible.

また、本実施の形態のように、隣接する弾性波デバイス３と３の間のダム１８の共用部１８ｃが、隣接する弾性波デバイス３と３どうしで共用されることにより、スペースＳ２をさらに狭くすることが可能となる。 Further, as in the present embodiment, the space S2 can be further narrowed by sharing the shared portion 18c of the dam 18 between the adjacent acoustic wave devices 3 and 3 between the adjacent acoustic wave devices 3 and 3. It becomes possible to

また、従来例の場合、弾性波デバイス５０毎に専用の基板５１が必要となるが、本実施の形態による場合、専用の基板５１が不要となるので、モジュール全体の高さＨ２は、従来例の高さＨ１に比較し、薄形化することが可能となる。 Further, in the case of the conventional example, a dedicated substrate 51 is required for each acoustic wave device 50, but in the case of the present embodiment, the dedicated substrate 51 is not required. can be made thinner than the height H1 of .

また、従来例の場合、弾性波デバイス５０内における接続部５３から基板５７に至る導体経路において、専用の基板５１に配置される導体経路と、専用の基板５１から共通の基板５７に至るための接続部５８の導体経路が必要となるが、本実施の形態の場合、これらの導体経路が不要となる。このため、寄生抵抗、インダクタンス、容量、すなわち寄生インピーダンスが低減され、モジュールの特性の向上が可能となる。 Further, in the case of the conventional example, among the conductor paths from the connection portion 53 to the substrate 57 in the acoustic wave device 50, the conductor paths arranged on the dedicated substrate 51 and the conductor paths from the dedicated substrate 51 to the common substrate 57 Although the conductor paths of the connection portion 58 are required, these conductor paths are not required in the case of the present embodiment. As a result, parasitic resistance, inductance, and capacitance, ie, parasitic impedance, are reduced, making it possible to improve the characteristics of the module.

さらに、従来例の場合、専用の基板５１と、専用の基板５１を共通の基板５７に接続する接続部５８が必要となるが、本発明による場合にはこれらが不要となるので、工程費及び材料費のコスト低減が可能となる。 Furthermore, in the case of the conventional example, a dedicated substrate 51 and a connection portion 58 for connecting the dedicated substrate 51 to a common substrate 57 are required, but in the case of the present invention, these are not necessary, so the process cost and cost are reduced. It is possible to reduce material costs.

さらにまた、本実施の形態のモジュール１の場合、モジュール設計が容易化される。なぜならば、モジュール１に含まれるチップ数が増えたり、チップの種類の組み合わせが増えた場合であっても、ベアチップでの基板２への直接実装が可能となるので、封止樹脂１６によるモールド封止条件があまり変わらないため、工程の条件だしに要する開発工数が減るからである。また、モジュール設計の容易化により、製品展開のリードタイムの短縮が可能となる。 Furthermore, in the case of the module 1 of this embodiment, module design is facilitated. This is because even if the number of chips included in the module 1 increases or the combination of types of chips increases, the bare chips can be directly mounted on the substrate 2. This is because the number of development man-hours required for determining process conditions is reduced because the stopping conditions do not change much. In addition, simplification of module design makes it possible to shorten the lead time for product development.

本実施の形態において、ダム１８の弾性波デバイス３に対する接着は、図１及び図４に示すように、弾性波デバイス３の圧電体５の表面の非金属である領域に対してのみ行ない、接続用電極６ａ等の金属層には接着されていないことが、ダム１８と弾性波デバイス３とを強く接着させる上で好ましい。 In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 4, the dam 18 is bonded to the acoustic wave device 3 only on the non-metallic region of the surface of the piezoelectric body 5 of the acoustic wave device 3 to connect the dam 18 to the acoustic wave device 3. It is preferable that the dam 18 and the acoustic wave device 3 are not adhered to the metal layer such as the electrode 6a for strong adhesion.

また、前述のように、ダム１８は感光性樹脂により形成されると共に、その感光性樹脂は、パターニング後に接着性を有することが好ましい。このように、感光性樹脂をダム１８に用いることにより、中空部１９を形成するためのダム１８の欠除部１８ａ、１８ｂのパターニングが容易となる。また、感光性樹脂が接着性を持つことにより、弾性波デバイス３の基板への実装と同時に弾性波デバイス３のダム１８に対する接着が可能となり、弾性波デバイス３の基板２への取り付けが容易となる。 Moreover, as described above, the dam 18 is preferably made of a photosensitive resin, and the photosensitive resin preferably has adhesiveness after patterning. By using the photosensitive resin for the dam 18 in this manner, the patterning of the cutout portions 18 a and 18 b of the dam 18 for forming the hollow portion 19 is facilitated. Further, since the photosensitive resin has adhesiveness, the acoustic wave device 3 can be adhered to the dam 18 at the same time as the acoustic wave device 3 is mounted on the substrate, and the attachment of the acoustic wave device 3 to the substrate 2 is facilitated. Become.

図２及び図３に示したように、本実施の形態においては、複数の弾性波デバイス３、３に対してそれぞれ対応して形成される中空部１９の平面形状を同一の形状としている。図６は上記例と異なり、弾性波デバイス３Ｘ及び３Ｙの形状に応じて、互いに異なる平面形状の中空部１９Ｘ及び１９Ｙを採用した例である。このように、中空部の平面形状は、弾性波デバイス３、３Ａ及び３Ｂの平面形状に応じて、同一の形状、又は異なる形状に形成される。 As shown in FIGS. 2 and 3, in the present embodiment, the hollow portions 19 formed corresponding to the plurality of acoustic wave devices 3, 3 have the same planar shape. Unlike the above example, FIG. 6 shows an example in which hollow portions 19X and 19Y with different planar shapes are adopted according to the shapes of acoustic wave devices 3X and 3Y. In this manner, the planar shapes of the hollow portions are formed in the same shape or different shapes depending on the planar shapes of the acoustic wave devices 3, 3A and 3B.

本実施の形態のように、複数の弾性波デバイス３と３どうしが隣接して実装される場合、隣接する弾性波デバイス３と３どうしのスペースＳ２（図５（ｂ）参照）は１００μｍ以下に設定することが可能となる。すなわち、ダム１８は、隣接する弾性波デバイス３と３の間は、共用部１８ｃとして形成されることにより、この共用部１８ｃの幅Ｗ３の部分を、弾性波デバイス３と３について個々の領域として形成した場合に比較して、容易に形成できる。このため、弾性波デバイス３と３とを、フリップチップマウンターの近接実装限界に近いスペースＳ２に近接させて実装することが可能となる。 When a plurality of acoustic wave devices 3 and 3 are mounted adjacent to each other as in this embodiment, the space S2 (see FIG. 5B) between the adjacent acoustic wave devices 3 and 3 should be 100 μm or less. can be set. That is, the dam 18 is formed as a shared portion 18c between the adjacent acoustic wave devices 3, so that the width W3 of the shared portion 18c is used as an individual region for the acoustic wave devices 3 and 3. It can be formed easily compared to the case of forming. Therefore, it is possible to mount the acoustic wave devices 3 and 3 in close proximity to the space S2, which is close to the proximity mounting limit of the flip chip mounter.

また、本実施の形態において、ダム１８と接する弾性波デバイス３の周辺部３ｂの領域の幅ｔ（図２及び図４参照）、すなわち弾性波デバイスのチップ端部３ｃからダムの内側の端１８ｄまでの距離は、２０μｍ以上とすることが好ましい。この幅ｔの上限は、チップ端部３ｃから接続用電極６ａ等の金属層の形成領域までの距離となる。図４のとおり、複数の弾性波デバイス３と３どうしが隣接して各々の対向する端部３ｃと３ｃがあり、端部３ｃの基板対向面側３ｄ（弾性波デバイス３の基板対向面のうち、その各々の対向する端部３ｃと３ｃの近傍の領域）に共用部１８ｃが接している。 In the present embodiment, the width t (see FIGS. 2 and 4) of the area of the peripheral portion 3b of the acoustic wave device 3 in contact with the dam 18, that is, from the tip end 3c of the acoustic wave device to the inner end 18d of the dam is preferably 20 μm or more. The upper limit of the width t is the distance from the chip end portion 3c to the formation region of the metal layer such as the connection electrode 6a. As shown in FIG. 4, the plurality of acoustic wave devices 3 and 3 are adjacent to each other and have respective opposing ends 3c and 3c, and the substrate facing surface side 3d of the end portion 3c (of the substrate facing surface of the acoustic wave device 3) , regions near their respective opposite ends 3c and 3c) are in contact with the shared portion 18c.

また、ダム１８の弾性波デバイス３との対向面には凹凸が生じることがあるが、この場合のダム１８と弾性波デバイス３との間に隙間が形成されたとしても、その隙間は、封止樹脂１６のフィラー粒子の半径の１０分の１以下であることが好ましい。このような隙間とフィラー粒子との寸法関係に設定すれば、ダム１８により、中空部１９への封止樹脂１６の浸入がよりよく阻止される。 Also, the surface of the dam 18 facing the acoustic wave device 3 may be uneven. It is preferably one-tenth or less of the radius of the filler particles of the stopper resin 16 . By setting such a dimensional relationship between the gap and the filler particles, the dam 18 effectively prevents the sealing resin 16 from entering the hollow portion 19 .

図７は本発明のモジュールの他の実施の形態を示す断面図、図８はその平面図、図９は図７の部分拡大断面図である。このモジュールは、弾性波デバイス３と弾性波デバイス以外のフリップチップ実装デバイス２２とが同一基板２上に形成されて構成されたものを示す。この例のフリップチップ実装デバイス２２は、移動体通信機器におけるデュプレクサを構成するアクテイブデバイスとしての増幅器である場合について示す。 7 is a sectional view showing another embodiment of the module of the present invention, FIG. 8 is a plan view thereof, and FIG. 9 is a partially enlarged sectional view of FIG. This module is configured by forming an acoustic wave device 3 and a flip-chip mounting device 22 other than the acoustic wave device on the same substrate 2 . The flip-chip mounted device 22 in this example is an amplifier as an active device that constitutes a duplexer in mobile communication equipment.

フリップチップ実装デバイス２２は、基板２に対し、接続部２３を介して電気的、機械的に接続される。接続部２３は、図９に示すように、基板２の部品実装面２ａに設けられた導電性パッド２４と、フリップチップ実装デバイス２２の基板対向面に設けられた接続用電極２５に設けられた導電性パッド２６とを、バンプ２７により接合するものである。バンプ２７には、Ａｕあるいは半田が用いられる。 The flip-chip mounted device 22 is electrically and mechanically connected to the substrate 2 via the connecting portion 23 . As shown in FIG. 9, the connection portions 23 are provided on the conductive pads 24 provided on the component mounting surface 2a of the substrate 2 and on the connection electrodes 25 provided on the substrate facing surface of the flip-chip mounting device 22. A conductive pad 26 is joined by a bump 27 . Au or solder is used for the bumps 27 .

ダム１８は、感光性樹脂のパターニングにより形成され、パターニング後に接着性を有するものである。図７に示すように、弾性波デバイス３の電極配置部分３ａを囲むように、ダム１８により、弾性波デバイス３と基板２との間に中空部１９を形成する。図８に示すように、この例では２つの弾性波デバイス３が隣接して設けられ、隣接して設けられた２つの弾性波デバイス３と３との間に、ダム１８の共用部１８ｃが形成された例を示す。 The dam 18 is formed by patterning a photosensitive resin and has adhesiveness after patterning. As shown in FIG. 7 , a hollow portion 19 is formed between the acoustic wave device 3 and the substrate 2 by a dam 18 so as to surround the electrode arrangement portion 3 a of the acoustic wave device 3 . As shown in FIG. 8, in this example, two acoustic wave devices 3 are provided adjacent to each other, and a common portion 18c of the dam 18 is formed between the two adjacent acoustic wave devices 3 and 3. example.

このモジュールは、まず、基板２がウエハである状態において、中空部１９の形成のため、弾性波デバイス３と３に対応して、それぞれダム１８の欠除部となる領域１８ｅ、１８ｆを、感光性樹脂のパターニングにより形成する。感光性樹脂にはパターニング後に接着性を有する材質のものが用いられる。次に、フリップチップボンダーを用いて、弾性波デバイス３を接続部１２により基板２に接合することにより、基板２に固定される。この時、弾性波デバイス３もダム１８に接着される。このとき、図８に示すように、ダム１８は、弾性波デバイス３とフリップチップ実装デバイス２２との間に設けられた縁部１８ｇが、弾性波デバイス３からフリップチップ実装デバイス２２側にｇ１に示す幅だけ突出した状態となる。 In this module, first, in a state where the substrate 2 is a wafer, regions 18e and 18f, which will be the missing portions of the dam 18, are exposed to light in order to form the hollow portion 19 corresponding to the acoustic wave devices 3 and 3, respectively. It is formed by patterning a flexible resin. A material having adhesiveness after patterning is used as the photosensitive resin. Next, using a flip chip bonder, the elastic wave device 3 is fixed to the substrate 2 by bonding it to the substrate 2 through the connecting portions 12 . At this time, the acoustic wave device 3 is also adhered to the dam 18 . At this time, as shown in FIG. 8, the edge 18g of the dam 18 provided between the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounted device 22 extends from the acoustic wave device 3 to the flip-chip mounted device 22 side at g1. It will protrude by the width shown.

このように、弾性波デバイス３を基板２に実装した状態において、フリップチップ実装デバイス２２を、接続部２３によって基板２に接合することにより固定する。この時、図８に示すように、ダム１８の縁部１８ｇとフリップチップ実装デバイス２２との間に隙間ｇ２が形成されるように、フリップチップ実装デバイス２２が取り付けられる。この隙間ｇ２は、フリップチップ実装デバイス２２と基板２との間にボイドを形成しないために設けられる。すなわち、フリップチップ実装デバイス２２を接続部２３を介して基板２に接続した後、流動性を有するアンダーフィル材２１を、その表面張力を利用してフリップチップ実装デバイス２２と基板２との間の隙間に浸透させて充填する際に、隙間ｇ２が弾性波デバイス３側における空気の逃げ道を造り、その結果、ボイドの形成が防止される。 With the acoustic wave device 3 mounted on the substrate 2 as described above, the flip-chip mounted device 22 is fixed by being joined to the substrate 2 by the connecting portion 23 . At this time, as shown in FIG. 8, the flip-chip mounted device 22 is attached so that a gap g2 is formed between the edge 18g of the dam 18 and the flip-chip mounted device 22. FIG. This gap g2 is provided so as not to form a void between the flip-chip mounting device 22 and the substrate 2 . That is, after the flip-chip mounting device 22 is connected to the substrate 2 via the connecting portion 23, the underfill material 21 having fluidity is applied between the flip-chip mounting device 22 and the substrate 2 using its surface tension. When permeating and filling the gap, the gap g2 forms an escape path for the air on the acoustic wave device 3 side, and as a result, the formation of voids is prevented.

このように、弾性波デバイス３及びフリップチップ実装デバイス２２を基板２に取り付けた後、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂でなる封止樹脂１６を施し、これらの封止樹脂１６でモールドする。 After the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounted device 22 are attached to the substrate 2 in this manner, a sealing resin 16 made of a thermosetting resin such as epoxy resin is applied and molded with the sealing resin 16 .

このように、弾性波デバイス３とフリップチップ実装デバイス２２とが隣接して配置され、フリップチップ実装デバイス２２と基板２との間にアンダーフィル材２１が充填された実装状態において、弾性波デバイス３のダム１８の縁部１８ｇに、アンダーフィル材２１が接触する。そして、アンダーフィル材２１が、中空部１９内に浸入することが、ダム１８により阻止されるので、弾性波デバイス３にフリップチップ実装デバイス２２を近接させて配置することができる。 In this manner, in a mounted state in which the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounted device 22 are arranged adjacent to each other and the underfill material 21 is filled between the flip-chip mounted device 22 and the substrate 2, the acoustic wave device 3 The underfill material 21 contacts the edge 18g of the dam 18 of . Since the dam 18 prevents the underfill material 21 from entering the hollow portion 19 , the flip-chip mounted device 22 can be arranged close to the acoustic wave device 3 .

図１０は図７に示した実施の形態において、弾性波デバイス３と基板２との間に設けるダム１８における縁部１８ｈの好ましい平面形状を示す。この縁部１８ｈは、弾性波デバイス３側に凹んだ凹部３０と、フリップチップ実装デバイス２２側に突出した凸部３１とを有する凹凸形状を有する。 FIG. 10 shows a preferred planar shape of the edge 18h of the dam 18 provided between the acoustic wave device 3 and the substrate 2 in the embodiment shown in FIG. The edge portion 18h has an uneven shape having a concave portion 30 concaved toward the acoustic wave device 3 side and a convex portion 31 projected toward the flip-chip mounted device 22 side.

このように、ダム１８の縁部１８ｈの平面形状を凹凸形状に形成すれば、基板２とフリップチップ実装デバイス２２との間に液状のアンダーフィル材２１を浸透現象により充填する際に、図１１に示すように、縁部１８ｈの凹部３０とフリップチップ実装デバイス２２との間に、矢印３２に示すような空気の通路が確保しやすくなり、ボイドの形成が確実に防止される。すなわち、弾性波デバイス３とフリップチップ実装デバイス２２との間の間隔に多少のずれが生じ、フリップチップ実装デバイス２２が弾性波デバイス３に近く取り付けられた場合であっても、凹部３０の存在により、アンダーフィル材２１を充填する際に空気通路が確実に形成される。なお、縁部１８ｈの波形形状としては、図示のようになめらかな曲線状に形成されるものではなく、角形に凹凸が形成されたものであってもよい。 In this way, if the planar shape of the edge 18h of the dam 18 is formed in an uneven shape, when filling the space between the substrate 2 and the flip-chip mounted device 22 with the liquid underfill material 21 by the permeation phenomenon, as shown in FIG. 2, an air passage as indicated by an arrow 32 can be easily secured between the recess 30 of the edge 18h and the flip-chip mounting device 22, thereby reliably preventing the formation of voids. That is, even when the acoustic wave device 3 and the flip-chip mounted device 22 are slightly misaligned and the flip-chip mounted device 22 is attached close to the acoustic wave device 3, the presence of the concave portion 30 , an air passage is reliably formed when the underfill material 21 is filled. The wavy shape of the edge portion 18h may not be formed in a smooth curved shape as shown in the drawing, but may be formed in a rectangular shape with irregularities.

図１２は本発明のモジュールのさらに他の実施の形態を示す断面図である。本実施の形態は、フリップチップ実装デバイス２２における基板対向面と反対側の面に、放熱手段としてのヒートシンク３３が設けられたヒートシンク構造が形成されたものである。ヒートシンク３３には、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ等のように、熱伝導性の良い金属が用いられ、好ましくは複数のフィン付きの金属板が用いられる。このようなヒートシンク構造を備えることにより、フリップチップ実装デバイス２２で発生する熱の放熱効果が得られ、昇温が抑制される。 FIG. 12 is a sectional view showing still another embodiment of the module of the present invention. In this embodiment, a heatsink structure is formed in which a heatsink 33 is provided as heat dissipation means on the surface of the flip-chip mounted device 22 opposite to the substrate facing surface. The heat sink 33 is made of a metal with good thermal conductivity such as Al, Cu, Ag, etc. Preferably, a metal plate with a plurality of fins is used. By providing such a heat sink structure, the heat generated in the flip-chip mounted device 22 can be effectively dissipated, and the temperature rise can be suppressed.

図１３は、基板２とフリップチップ実装デバイス２２との間に、アンダーフィル材２１を用いる代わりに、封止樹脂１６ａを充填したものであり、この場合、弾性波デバイス３に用いるダム１８の縁部１８ｇのフリップチップ実装デバイス２２側の先端部は、フリップチップ実装デバイス２２側の封止樹脂１６ａに接する。 In FIG. 13, instead of using the underfill material 21, the space between the substrate 2 and the flip-chip mounted device 22 is filled with a sealing resin 16a. The tip of the portion 18g on the side of the flip-chip mounted device 22 is in contact with the sealing resin 16a on the side of the flip-chip mounted device 22. As shown in FIG.

本発明を実施する場合、フリップチップ実装デバイス２２としては、１つのモジュールに複数備えたものでもよく、複数のフリップチップ実装デバイス２２に対して１つの弾性波デバイスを備えて構成されるものであってもよい。また、フリップチップ実装デバイス２２としては、増幅器のみでなく、例えばスイッチ回路等、他のアクテイブ回路（素子）あるいは受動回路（素子）を備えたものであってもよい。
その他、本発明を実施する場合、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、付加を行なうことができる。 When carrying out the present invention, a plurality of flip-chip mounted devices 22 may be provided in one module, and one acoustic wave device may be provided for a plurality of flip-chip mounted devices 22. may Moreover, the flip-chip mounting device 22 may be provided with not only an amplifier but also other active circuits (elements) or passive circuits (elements) such as a switch circuit.
In addition, when carrying out the present invention, various modifications and additions can be made without departing from the gist of the present invention.

１モジュール
２基板
３、３Ｘ、３Ｙ弾性波デバイス
３ａ電極配置部分
３ｂ周辺部
５圧電体
６ＩＤＴ電極
６ａ接続用電極
９導電性パッド
１２接続部
１３導電性パッド
１４バンプ
１６封止樹脂
１８ダム
１８ａ、１８ｂ、１８ｅ、１８ｆダムの欠除部
１８ｃ共用部
１８ｇ、１８ｈ縁部
１９、１９Ｘ、１９Ｙ中空部
２１アンダーフィル材
２２フリップチップ実装デバイス
２３接続部
２４、２６導電性パッド
２７バンプ
３０凹部
３１凸部
３３ヒートシンク
1 module 2 substrates 3, 3X, 3Y acoustic wave device 3a electrode placement portion 3b peripheral portion 5 piezoelectric body 6 IDT electrode 6a connection electrode 9 conductive pad 12 connection portion 13 conductive pad 14 bump 16 sealing resin 18 dam 18a, 18b, 18e, 18f dam missing portion 18c shared portion 18g, 18h edge portion 19, 19X, 19Y hollow portion 21 underfill material 22 flip chip mounted device 23 connection portion 24, 26 conductive pad 27 bump 30 recessed portion 31 projected portion 33 heat sink

Claims

In a module containing an acoustic wave device requiring a hollow structure,
a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface;
at least one acoustic wave device having an electrode arrangement portion on a surface of the substrate facing the component mounting surface and having a conductive pad electrically connected to the conductive pad;
at least one flip-chip mounting device, other than an acoustic wave device, having a conductive pad electrically connected to the conductive pad on the component mounting surface of the substrate;
A hollow portion is provided between the component mounting surface of the substrate and a peripheral portion of the acoustic wave device, and a hollow portion surrounding the electrode arrangement portion is formed between each acoustic wave device and the substrate. a dam that prevents the encapsulation resin from entering from the outside,
the dam is adhered only to a non-metallic region on the substrate-facing surface of the acoustic wave device;
A region of the acoustic wave device in contact with the dam has a distance of 20 μm or more from the chip edge of the acoustic wave device to the inner edge of the dam,
A module containing an acoustic wave device.

In a module containing an acoustic wave device requiring a hollow structure,
a substrate having a plurality of conductive pads formed on a component mounting surface;
a plurality of acoustic wave devices each having an electrode placement portion on a surface of the substrate facing the component mounting surface and having a conductive pad electrically connected to the conductive pad;
A hollow portion is provided between the component mounting surface of the substrate and a peripheral portion of the acoustic wave device, and a hollow portion surrounding the electrode arrangement portion is formed between each acoustic wave device and the substrate. and a dam that prevents the sealing resin from entering from the outside,
a shared portion is provided in which the plurality of acoustic wave devices are arranged adjacent to each other, and the dam is shared by the adjacent acoustic wave devices;
the shared portion of the dam is adhered to the substrate-facing surface side of the end portions of the plurality of adjacent acoustic wave devices facing each other;
the dam is adhered only to a non-metallic region on the substrate-facing surface of the acoustic wave device;
A region of the acoustic wave device in contact with the dam has a distance of 20 μm or more from the chip edge of the acoustic wave device to the inner edge of the dam,
A module containing an acoustic wave device.

3. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the gap formed between the dam and the acoustic wave device is zero or one tenth or less of the radius of the filler particles of the sealing resin. containing module.