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JP7260017B1 - Adhesive tape for semiconductor processing - Google Patents

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Abstract

【課題】低汚染性の半導体加工用粘着テープを提供する。【解決手段】基材1と、基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層2とを有する半導体加工用粘着テープ10であって、下記試験により求められる、L*a*b*表色系における色差ΔE*abが2.0以下である。試験:(1)半導体加工用粘着テープの粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。(2)上記積層体を、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下、6日間保管する。(3)積層体の半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。(4)積層体から半導体加工用粘着テープを剥離する。(5)半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との、L*a*b*表色系における色差ΔE*abを求める。【選択図】図1A low-contamination adhesive tape for semiconductor processing is provided. Kind Code: A1 A semiconductor processing adhesive tape 10 having a substrate 1 and an energy ray-curable adhesive layer 2 disposed on one surface of the substrate, wherein L*a* is determined by the following test. The color difference ΔE*ab in the b* color system is 2.0 or less. Test: (1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is laminated to a copper foil to prepare a laminate. (2) The laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C.±5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked. (3) The adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer. (4) Peel off the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate. (5) Color difference in the L*a*b* color system between the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing Determine ΔE*ab. [Selection drawing] Fig. 1

Description

本開示は、半導体加工用粘着テープに関する。 The present disclosure relates to an adhesive tape for semiconductor processing.

半導体の製造工程では、部品の固定や保護のために、例えば、ダイシングテープやバックグラインドテープ等の半導体加工用粘着テープが用いられている。 In semiconductor manufacturing processes, adhesive tapes for semiconductor processing, such as dicing tapes and backgrind tapes, are used to fix and protect parts.

半導体加工用粘着テープには、加工工程中は部品を十分な粘着力で固定できるとともに、加工工程後は部品を破損することなく容易に剥離できることが求められる。 Adhesive tapes for semiconductor processing are required to be able to fix components with sufficient adhesive strength during the processing process and to be easily peelable after the processing process without damaging the components.

このような半導体加工用粘着テープとしては、例えば、エネルギー線硬化型の粘着テープの開発が盛んに行われている(例えば特許文献1~3)。エネルギー線硬化型の粘着テープは、エネルギー線の照射により粘着層を硬化させることで粘着力を低下させることができるため、エネルギー線照射前の強粘着性と、エネルギー線照射後の易剥離性とを両立することが可能である。 As such adhesive tapes for semiconductor processing, for example, energy ray-curable adhesive tapes have been actively developed (for example, Patent Documents 1 to 3). Energy ray-curable adhesive tapes can be reduced in adhesive force by curing the adhesive layer with energy ray irradiation. It is possible to achieve both

国際公開第2015/133420号WO2015/133420 特開2005-23188号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-23188 特開2014-154796号公報JP 2014-154796 A

半導体加工用粘着テープは、加工工程中は被着体に貼合されているため、半導体加工用粘着テープと被着体とは長時間接触していることになる。そのため、半導体加工用粘着テープに含まれる成分が被着体の表面に移行すること等によって、被着体を汚染してしまうことがある。被着体の表面が汚染されていると、半導体の製造工程におけるその後の工程、例えば、配線工程、封止工程等において、密着不良や剥離の要因となり、半導体の性能や信頼性が低下するという問題がある。 Since the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape is attached to the adherend during the processing step, the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape and the adherend are in contact with each other for a long period of time. Therefore, the components contained in the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing may migrate to the surface of the adherend, thereby contaminating the adherend. If the surface of the adherend is contaminated, it may cause poor adhesion or peeling in the subsequent steps of the semiconductor manufacturing process, such as the wiring process and the encapsulation process, resulting in a decrease in semiconductor performance and reliability. There's a problem.

本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低汚染性の半導体加工用粘着テープを提供することを主目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above circumstances, and a main object thereof is to provide a low-contamination adhesive tape for semiconductor processing.

本開示の発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記の知見を得た。半導体加工用粘着テープによる被着体の汚染は、被着体の表面状態が変化することである。本開示の発明者らは、被着体の表面状態の評価方法について鋭意検討を重ね、被着体表面の色に着目した。さらに、半導体においては、微細化および高速化に伴い、銅配線が広く使用されていることから、被着体として銅箔に着目した。そして、半導体加工用粘着テープの貼合前および剥離後の銅箔の被着面の色差ΔE abによって、被着体である銅箔の表面状態の変化を評価できること、さらには、上記色差ΔE abは、半導体加工用粘着テープによる被着体の汚染の評価に好適であることを見出した。本開示は、このような知見に基づくものである。 The inventors of the present disclosure made intensive studies to solve the above problems, and as a result, obtained the following findings. Contamination of the adherend by the adhesive tape for semiconductor processing is a change in the surface state of the adherend. The inventors of the present disclosure have extensively studied methods for evaluating the surface state of an adherend, and focused on the color of the surface of the adherend. Furthermore, in semiconductors, as copper wiring is widely used with miniaturization and speeding up, attention was paid to copper foil as an adherend. Then, the change in the surface state of the copper foil, which is the adherend, can be evaluated by the color difference ΔE * ab of the adherend surface of the copper foil before lamination and after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing, and furthermore, the color difference ΔE * ab was found to be suitable for evaluation of contamination of an adherend by an adhesive tape for semiconductor processing. The present disclosure is based on such findings.

本開示の一実施形態は、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、下記試験により求められる、L表色系における色差ΔE abが2.0以下である、半導体加工用粘着テープを提供する。試験:下記工程(1)~(5)を順に有する。(1)上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。(2)上記積層体を、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下、6日間保管する。(3)上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。(4)上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。(5)上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、L表色系における色差ΔE abを求める。 One embodiment of the present disclosure is a semiconductor processing adhesive tape having a substrate and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the substrate, wherein L Provided is an adhesive tape for semiconductor processing having a color difference ΔE * ab of 2.0 or less in a * a * b * color system. Test: It has the following steps (1) to (5) in order. (1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a copper foil to prepare a laminate. (2) The laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C.±5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked. (3) The adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer. (4) Peel off the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate. (5) L * a * b * table of the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing. Obtain the color difference ΔE * ab in the color system.

本開示における半導体加工用粘着テープは、被着体の汚染を抑制することが可能であるという効果を奏する。 The adhesive tape for semiconductor processing according to the present disclosure has the effect of being able to suppress contamination of adherends.

本開示における半導体加工用粘着テープの一例を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an adhesive tape for semiconductor processing in the present disclosure; FIG. 半導体の製造方法を例示する工程図である。It is process drawing which illustrates the manufacturing method of a semiconductor. 半導体の製造方法を例示する工程図である。It is process drawing which illustrates the manufacturing method of a semiconductor.

下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings and the like. However, the present disclosure can be embodied in many different modes and should not be construed as limited to the description of the embodiments exemplified below. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual form, but this is only an example and limits the interpretation of the present disclosure. not something to do. In addition, in this specification and each figure, the same reference numerals may be given to the same elements as those described above with respect to the existing figures, and detailed description thereof may be omitted as appropriate.

本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。 In this specification, when expressing a mode in which another member is arranged on top of a certain member, the term “above” or “below” simply means that it is in contact with a certain member unless otherwise specified. , arranging another member directly above or below, and arranging another member above or below a certain member via another member. In addition, in this specification, when expressing a mode in which another member is arranged on the surface of a certain member, unless otherwise specified, when simply described as “on the surface”, it means directly above or in contact with a certain member, unless otherwise specified. It includes both the case of arranging another member directly below and the case of arranging another member above or below a certain member via another member.

以下、本開示の半導体加工用粘着テープについて説明する。 The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure will be described below.

本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有し、下記試験により求められる、L表色系における色差ΔE abが2.0以下である。試験:下記工程(1)~(5)を順に有する。(1)上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。(2)上記積層体を、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下、6日間保管する。(3)上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。(4)上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。(5)上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、L表色系における色差ΔE abを求める。 The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure has a substrate and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the substrate, and has L * a * b * determined by the following test. The color difference ΔE * ab in the color system is 2.0 or less. Test: It has the following steps (1) to (5) in order. (1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a copper foil to prepare a laminate. (2) The laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C.±5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked. (3) The adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer. (4) Peel off the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate. (5) L * a * b * table of the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing. Obtain the color difference ΔE * ab in the color system.

図1は、本開示の半導体加工用粘着テープを例示する概略断面図である。図1における半導体加工用粘着テープ10は、基材1と、基材1の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層2とを有している。半導体加工用粘着テープ10においては、上記試験により求められる、上記色差ΔE abが、所定の値以下である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure. A semiconductor processing adhesive tape 10 shown in FIG. In the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing 10, the color difference ΔE * ab determined by the test is equal to or less than a predetermined value.

本開示においては、上記試験により求められる、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との色差ΔE abが、所定の値以下である。これは、半導体加工用粘着テープの貼合前と剥離後とで、銅箔の被着面の表面状態の変化が少ないことを示している。 In the present disclosure, the color difference ΔE * ab between the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing, which is obtained by the above test. is less than or equal to a predetermined value. This indicates that there is little change in the surface condition of the adherend surface of the copper foil between before lamination and after peeling of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing.

ここで、銅箔の表面状態が変化する要因としては、例えば、下記の3つが挙げられる。1つ目は、半導体加工用粘着テープを剥離する際に、糊残りが生じることである。2つ目は、半導体加工用粘着テープに含まれる成分、特に低分子成分が、銅箔の表面に移行することである。3つ目は、半導体加工用粘着テープに含まれる成分と銅とが反応することである。上記のような要因によって銅箔の表面状態が変化した場合、色差として現れると考えられる。 Here, for example, the following three factors can be cited as factors that change the surface state of the copper foil. The first is that adhesive residue is left when the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off. The second is that the components contained in the adhesive tape for semiconductor processing, especially the low-molecular-weight components migrate to the surface of the copper foil. The third is that the components contained in the adhesive tape for semiconductor processing react with copper. When the surface condition of the copper foil changes due to the above factors, it is considered to appear as a color difference.

したがって、本開示においては、上記色差ΔE abが所定の値以下であることにより、半導体加工用粘着テープに含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制できるといえる。また、半導体加工用粘着テープに含まれる成分と銅とが反応するのを抑制できるといえる。よって、被着体の汚染を抑制することができる。さらに、半導体加工用粘着テープを剥離する際の、被着体への糊残りも抑制できるといえる。ゆえに、半導体の性能および信頼性を向上させることが可能である。 Therefore, in the present disclosure, when the color difference ΔE * ab is equal to or less than a predetermined value, it can be said that migration of components contained in the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing to the surface of the adherend can be suppressed. Moreover, it can be said that it can suppress that the component and copper which are contained in the adhesive tape for semiconductor processing react. Therefore, contamination of the adherend can be suppressed. Furthermore, it can be said that the adhesive residue on the adherend can be suppressed when the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off. Therefore, it is possible to improve the performance and reliability of semiconductors.

なお、例えば特許文献1には、半導体加工用粘着テープの剥離後のシリコンウェハ表面の水接触角によって、半導体加工用粘着テープに含まれる有機物質による被着体の汚染を評価することが開示されている。しかしながら、上述したように、被着体の表面状態を変化させる要因は、半導体加工用粘着テープに含まれる有機物質が被着体の表面に移行することだけではない。 For example, Patent Document 1 discloses evaluating contamination of adherends by organic substances contained in the adhesive tape for semiconductor processing based on the water contact angle on the surface of the silicon wafer after the adhesive tape for semiconductor processing has been peeled off. ing. However, as described above, the factors that change the surface condition of the adherend are not limited to the migration of the organic substances contained in the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing to the surface of the adherend.

これに対し、上述したように、上記のいずれの要因によって銅箔の表面状態が変化した場合であっても、色差として現れると考えられる。したがって、本開示においては、上記色差ΔE abを採用することにより、被着体の表面状態を的確に評価でき、さらに、半導体加工用粘着テープによる被着体の汚染を好適に評価することが可能である。 On the other hand, as described above, even if the surface condition of the copper foil changes due to any of the above factors, it is considered to appear as a color difference. Therefore, in the present disclosure, by adopting the color difference ΔE * ab , the surface state of the adherend can be accurately evaluated, and further, the contamination of the adherend by the adhesive tape for semiconductor processing can be suitably evaluated. It is possible.

以下、本開示の半導体加工用粘着テープの各構成について説明する。 Hereinafter, each configuration of the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure will be described.

1.半導体加工用粘着テープの特性
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、下記試験により求められる、L表色系における色差ΔE abが、2.0以下であり、好ましくは1.8以下であり、より好ましくは1.5以下である。上記色差ΔE abは小さいことが好ましく、下限は特に限定されない。
1. Characteristics of the adhesive tape for semiconductor processing In the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the color difference ΔE * ab in the L * a * b * color system obtained by the following test is 2.0 or less, preferably 1. 0.8 or less, more preferably 1.5 or less. The color difference ΔE * ab is preferably small, and the lower limit is not particularly limited.

試験:下記工程(1)~(5)を順に有する。
(1)上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。
(2)上記積層体を、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下、6日間保管する。
(3)上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。
(4)上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。
(5)上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、L表色系における色差ΔE abを求める。
Test: It has the following steps (1) to (5) in order.
(1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a copper foil to prepare a laminate.
(2) The laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C.±5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked.
(3) The adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer.
(4) Peel off the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate.
(5) L * a * b * table of the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing. Obtain the color difference ΔE * ab in the color system.

上記工程(1)においては、まず、半導体加工用粘着テープを、幅40mm以上、長さ100mm以上の大きさにカットする。また、銅箔としては、福田金属箔粉工業社製の厚さ35μmの圧延銅箔「RCF-T5B」を用いる。次いで、圧延銅箔の光沢面をイソプロピルアルコール(IPA)で拭き取り、十分に乾燥させる。その後、圧延銅箔の光沢面に、半導体加工用粘着テープの粘着層の面を貼合する。この際、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下で、半導体加工用粘着テープの粘着層の面を、圧延銅箔の光沢面に、2kgローラで2往復させて貼合する。また、この際、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合には、セパレータを剥離して、粘着層を露出させればよい。 In the above step (1), first, the adhesive tape for semiconductor processing is cut into a size of 40 mm or more in width and 100 mm or more in length. As the copper foil, a 35 μm-thick rolled copper foil “RCF-T5B” manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd. is used. Then, the shiny surface of the rolled copper foil is wiped with isopropyl alcohol (IPA) and dried thoroughly. After that, the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the glossy surface of the rolled copper foil. At this time, in an environment where the temperature is 25 ° C. ± 5 ° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked, the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is placed on the glossy surface of the rolled copper foil, 2 kg Lamination is performed by reciprocating the roller twice. Moreover, at this time, if the adhesive tape for semiconductor processing has a separator, the separator may be peeled off to expose the adhesive layer.

なお、上述したように、半導体の製造工程においては、半導体加工用粘着テープと被着体とは長時間接触していることになる。そのため、上記工程(1)においては、保管条件について、標準的な温度および湿度とし、保管期間をやや長めに設定している。 As described above, in the semiconductor manufacturing process, the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend are in contact for a long time. Therefore, in the above step (1), the storage conditions are set to standard temperature and humidity, and the storage period is set to be slightly longer.

上記工程(2)において、遮断するエネルギー線は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能なエネルギー線であり、粘着層の種類に応じて適宜選択される。エネルギー線については、後述する。 In the above step (2), the energy ray to be blocked is an energy ray capable of curing the energy ray-curable adhesive layer, and is appropriately selected according to the type of the adhesive layer. Energy rays will be described later.

上記工程(3)において、照射するエネルギー線は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能なエネルギー線であり、粘着層の種類に応じて適宜選択される。また、エネルギー線の照射条件(例えば、波長、積算光量等)は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能な条件であればよく、粘着層の組成、厚さ等に応じて適宜選択される。具体的なエネルギー線の照射条件としては、波長400nm以下の紫外線、特に波長365nmの紫外線を積算光量200mJ/cm以上照射する条件等が挙げられる。 In the step (3), the energy ray to be irradiated is an energy ray capable of curing the energy ray-curable adhesive layer, and is appropriately selected according to the type of the adhesive layer. In addition, the energy ray irradiation conditions (e.g., wavelength, integrated light intensity, etc.) may be conditions that allow the energy ray-curable adhesive layer to be cured, and may be appropriately determined according to the composition, thickness, etc. of the adhesive layer. selected. Specific energy ray irradiation conditions include conditions under which ultraviolet rays with a wavelength of 400 nm or less, particularly ultraviolet rays with a wavelength of 365 nm are irradiated with an accumulated light amount of 200 mJ/cm 2 or more.

上記工程(4)において、積層体から半導体加工用粘着テープを剥離するに際しては、例えば、剥離速度を100mm/min以上1000mm/min以下程度に設定することが好ましい。 In the above step (4), when peeling the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate, it is preferable to set the peeling speed to approximately 100 mm/min or more and 1000 mm/min or less, for example.

上記工程(5)において、L表色系は、1976年に国際照明委員会(CIE)により定められ、JIS Z8781-4にも規定されている表色系である。色差ΔE abは下記式により求められる。
ΔE ab={(ΔL+(Δa+(Δb1/2
(上記式中、ΔLは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の明度Lと、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の明度Lとの差である。また、Δaは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の色度aと、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の色度aとの差である。また、Δbは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の色度bと、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の色度bとの差である。)
In the above step (5), the L * a * b * color system is a color system defined by the International Commission on Illumination (CIE) in 1976 and also defined in JIS Z8781-4. The color difference ΔE * ab is calculated by the following formula.
ΔE * ab = {(ΔL * ) 2 +(Δa * ) 2 +(Δb * ) 2 } 1/2
(In the above formula, ΔL * is the lightness L * of the surface to be adhered of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing , and the lightness L * of the surface to be adhered of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing. In addition, Δa * is the chromaticity a * of the copper foil adherend surface before lamination of the semiconductor processing adhesive tape, and the copper foil adherend surface after peeling of the semiconductor processing adhesive tape. In addition, Δb * is the difference between the chromaticity b * of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the chromaticity b * of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing. It is the difference from the chromaticity b * of the adherend surface of the foil.)

半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面および半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の明度L、色度a、bは、JIS Z8722に準拠し、分光光度計を用いて測定することができる。測定条件は、D65光源、10°視野、反射測定とする。分光光度計としては、例えば、日本電色工業社製「Spectrophotometer SE6000」等、反射測定が可能な装置を用いることができる。 The lightness L * , chromaticity a * , and b * of the surface to be adhered of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the surface to be adhered of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing are in accordance with JIS Z8722. and can be measured using a spectrophotometer. The measurement conditions are D65 light source, 10° field of view, and reflection measurement. As the spectrophotometer, for example, a device capable of reflection measurement such as "Spectrophotometer SE6000" manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. can be used.

また、上記工程(5)において、半導体加工用粘着テープの貼合後の銅箔の被着面の明度L、色度a、bを測定するに際しては、積層体から半導体加工用粘着テープを剥離した後、そのまま測定を行う。一方、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の明度L、色度a、bを測定するに際しては、銅箔の被着面をイソプロピルアルコールで拭き取り、十分に乾燥させた後、測定を行う。 In the above step (5), when measuring the lightness L * , chromaticity a * , and b * of the adherend surface of the copper foil after bonding the adhesive tape for semiconductor processing, the adhesive tape for semiconductor processing was measured from the laminate. After peeling off the tape, the measurement is performed as it is. On the other hand, when measuring the lightness L * , chromaticity a * , and b * of the surface to be adhered of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing, the surface to be adhered of the copper foil was wiped with isopropyl alcohol and thoroughly Measurements are taken after drying.

なお、エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することによって粘着力が低下する。また、上記工程(1)では、圧延銅箔の粗面ではなく、圧延銅箔の光沢面に半導体加工用粘着テープの粘着層の面を貼合する。そのため、積層体から半導体加工用粘着テープを容易に剥離することができる。よって、半導体加工用粘着テープの剥離によって銅箔が変形することはほとんどないと考えられる。したがって、上記色差ΔE abは、半導体加工用粘着テープによる銅箔の表面状態の変化をとらえており、銅箔の変形によるものではないと思料される。 In addition, the adhesive force of the energy ray-curable adhesive layer is reduced by being cured by the irradiation of the energy ray. In the above step (1), the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the glossy surface of the rolled copper foil, not to the rough surface of the rolled copper foil. Therefore, the adhesive tape for semiconductor processing can be easily peeled off from the laminate. Therefore, it is considered that the peeling of the adhesive tape for semiconductor processing hardly deforms the copper foil. Therefore, the above-mentioned color difference ΔE * ab captures changes in the surface state of the copper foil due to the adhesive tape for semiconductor processing, and is not due to deformation of the copper foil.

また、半導体加工用粘着テープの剥離による銅箔の変形が懸念される場合は、あらかじめ、銅箔をSUS板やガラス板等の剛直な基板に両面テープ等で固定してから用いてもよい。 In addition, if there is concern about deformation of the copper foil due to peeling of the adhesive tape for semiconductor processing, the copper foil may be fixed in advance to a rigid substrate such as a SUS plate or a glass plate with double-sided tape or the like before use.

上記色差ΔE abを制御する手段としては、例えば、基材の組成を調整する方法、基材の形成方法を調整する方法、粘着層の組成を調整する方法、粘着剤の架橋度を調整する方法、基材と粘着層との間にプライマー層を配置する方法等が挙げられる。 Means for controlling the color difference ΔE * ab include, for example, a method of adjusting the composition of the substrate, a method of adjusting the method of forming the substrate, a method of adjusting the composition of the adhesive layer, and adjusting the degree of cross-linking of the adhesive. method, a method of arranging a primer layer between the substrate and the adhesive layer, and the like.

基材の組成を調整する方法としては、例えば、添加剤の含有量、分子量を調整する方法が挙げられる。例えば、添加剤の含有量を少なくすることにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。また、例えば、添加剤の分子量を大きくすることにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。具体的には、ポリマータイプの添加剤を用いることにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができる。 Methods for adjusting the composition of the substrate include, for example, methods for adjusting the content and molecular weight of additives. For example, by reducing the content of the additive, it is possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer, and as a result, the color difference ΔE * ab can be reduced. can be made smaller. Further, for example, by increasing the molecular weight of the additive, it is possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer, and as a result, the color difference ΔE * ab can be made smaller. Specifically, by using a polymer-type additive, it is possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer.

基材の形成方法を調整する方法としては、例えば、樹脂組成物を溶融して成形する際に、樹脂組成物を十分に溶融させる方法が挙げられる。樹脂組成物を十分に溶融させることにより、樹脂組成物に含まれる添加剤の分散性が良くなるため、添加剤が基材中に安定的に存在することになる。これにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 As a method of adjusting the method of forming the base material, for example, there is a method of sufficiently melting the resin composition when the resin composition is melted and molded. By sufficiently melting the resin composition, the dispersibility of the additive contained in the resin composition is improved, so that the additive is stably present in the base material. This makes it possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer, and as a result, it is possible to reduce the color difference ΔE * ab .

粘着層の組成を調整する方法としては、例えば、粘着主剤や添加剤の分子量を調整する方法、粘着主剤や添加剤のガラス転移温度を調整する方法、粘着主剤および添加剤の相溶性を調整する方法、架橋剤を添加する方法、粘着主剤やエネルギー線硬化性化合物の官能基の種類や数を調整する方法が挙げられる。 Methods for adjusting the composition of the adhesive layer include, for example, a method of adjusting the molecular weight of the adhesive main agent and additives, a method of adjusting the glass transition temperature of the adhesive main agent and additives, and a method of adjusting the compatibility of the adhesive main agent and additives. method, a method of adding a cross-linking agent, and a method of adjusting the type and number of functional groups of the adhesive main agent and the energy ray-curable compound.

例えば、粘着主剤の分子量を調整する方法においては、粘着主剤の分子量を大きくすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。また、例えば、添加剤の分子量を調整する方法においては、添加剤の分子量を大きくすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。具体的には、ポリマータイプの添加剤を用いたり、架橋することが可能な添加剤を用いたりすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができる。 For example, in the method of adjusting the molecular weight of the adhesive main agent, by increasing the molecular weight of the adhesive main agent, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. The color difference ΔE * ab can be reduced. Further, for example, in the method of adjusting the molecular weight of the additive, by increasing the molecular weight of the additive, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend, resulting in , the color difference ΔE * ab can be reduced. Specifically, by using a polymer type additive or by using an additive that can be crosslinked, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. can.

また、例えば、粘着主剤のガラス転移温度を調整する方法においては、粘着主剤のガラス転移温度を高くすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。また、例えば、添加剤のガラス転移温度を調整する方法においては、添加剤のガラス転移温度を高くすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 Further, for example, in the method of adjusting the glass transition temperature of the adhesive main agent, by increasing the glass transition temperature of the adhesive main agent, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. As a result, the color difference ΔE * ab can be reduced. Further, for example, in the method of adjusting the glass transition temperature of the additive, by increasing the glass transition temperature of the additive, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. As a result, the color difference ΔE * ab can be reduced.

また、例えば、粘着主剤および添加剤の相溶性を調整する方法においては、粘着主剤および添加剤の相溶性を高めることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。具体的には、粘着主剤および添加剤の極性、分子量、組成比、混合方法等を調整することにより、粘着主剤および添加剤の相溶性を調整することができる。 Further, for example, in the method of adjusting the compatibility of the main adhesive agent and additives, by increasing the compatibility of the main adhesive agent and additives, the components contained in the adhesive layer are suppressed from migrating to the surface of the adherend. As a result, the color difference ΔE * ab can be reduced. Specifically, the compatibility of the main adhesive and additives can be adjusted by adjusting the polarity, molecular weight, composition ratio, mixing method, and the like of the main adhesive and additives.

例えば、架橋剤を添加する方法においては、粘着主剤の官能基と架橋剤とが反応することにより、架橋剤と反応しなかった未反応の官能基を低減することができ、例えば金属表面と官能基との反応を抑制できる。これにより、上記色差ΔE abを小さくすることができる。また、粘着主剤が架橋剤によって架橋することにより、凝集力が高まるため、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 For example, in the method of adding a cross-linking agent, the reaction between the functional group of the main adhesive agent and the cross-linking agent can reduce the unreacted functional groups that have not reacted with the cross-linking agent. Reaction with groups can be suppressed. As a result, the color difference ΔE * ab can be reduced. In addition, by cross-linking the adhesive main agent with a cross-linking agent, the cohesive force is increased, so that the components contained in the adhesive layer can be suppressed from migrating to the surface of the adherend, and as a result, the color difference ΔE * ab can be made smaller.

また、例えば、粘着主剤の官能基の種類を調整する方法においては、架橋剤と反応し得る官能基について、銅と反応しにくい官能基とすることにより、架橋剤と反応しなかった未反応の官能基が残留したとしても、銅と官能基との反応を抑制でき、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 Further, for example, in the method of adjusting the type of the functional group of the adhesive main agent, the functional group that can react with the cross-linking agent is a functional group that is difficult to react with copper, so that the unreacted non-reacted with the cross-linking agent Even if the functional group remains, the reaction between copper and the functional group can be suppressed, and as a result, the color difference ΔE * ab can be reduced.

また、例えば、エネルギー線硬化性化合物の官能基の種類を調整する方法においては、エネルギー線硬化性官能基や架橋剤と反応し得る官能基について、銅と反応しにくい官能基とすることにより、銅と官能基との反応を抑制でき、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。また、例えば、エネルギー線硬化性化合物の官能基の数を調整する方法においては、エネルギー線硬化性官能基や架橋剤と反応し得る官能基について、官能基数を少なくすることにより、銅と官能基との反応を抑制できる。これにより、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 Further, for example, in the method of adjusting the type of the functional group of the energy ray-curable compound, the energy ray-curable functional group or the functional group that can react with the cross-linking agent is a functional group that does not readily react with copper. Reaction between copper and functional groups can be suppressed, and as a result, the color difference ΔE * ab can be reduced. Further, for example, in the method of adjusting the number of functional groups in the energy ray-curable compound, the energy ray-curable functional group and the functional group capable of reacting with the cross-linking agent are reduced in the number of functional groups, so that copper and the functional group can suppress the reaction with As a result, the color difference ΔE * ab can be reduced.

粘着剤の架橋度を調整する方法においては、粘着剤の架橋度を上げることにより、凝集力が高まるため、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 In the method of adjusting the degree of cross-linking of the pressure-sensitive adhesive, increasing the degree of cross-linking of the pressure-sensitive adhesive increases the cohesive force, thereby suppressing migration of components contained in the pressure-sensitive adhesive layer to the surface of the adherend. , and as a result, the color difference ΔE * ab can be reduced.

基材と粘着層との間にプライマー層を配置する方法においては、プライマー層によって、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔE abを小さくすることができる。 In the method of arranging the primer layer between the substrate and the adhesive layer, the primer layer can suppress the migration of components contained in the substrate to the surface of the adherend via the adhesive layer, As a result, the color difference ΔE * ab can be reduced.

また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前のSUS板に対する粘着力が、例えば、1N/25mm以上であることが好ましく、3N/25mm以上であることがより好ましく、5N/25mm以上であることがさらに好ましい。上記のSUS板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線を照射するまでの間、半導体加工用粘着テープに被着体を十分に固定することができる。一方、上記のSUS板に対する粘着力の上限は、特に限定されない。 In addition, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the adhesive strength to the SUS plate before energy beam irradiation is, for example, preferably 1 N/25 mm or more, more preferably 3 N/25 mm or more, and 5 N/ More preferably, it is 25 mm or more. When the adhesive strength to the SUS plate is within the above range, the adherend can be sufficiently fixed to the adhesive tape for semiconductor processing until the energy beam is irradiated. On the other hand, the upper limit of the adhesive strength to the SUS plate is not particularly limited.

ここで、SUS板に対する粘着力は、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定することができる。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を用いることができる。 Here, the adhesive strength to the SUS plate is measured by JIS Z0237: 2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) test method method 1 (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet at 180 ° to the stainless steel test plate. peeling off test method), and peeled off in the longitudinal direction of the test piece under conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min. As the SUS plate, a SUS304, BA surface finish, 1.5 mm thick, 100 mm wide, and 150 mm long SUS plate can be used.

また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、例えば、2N/25mm以下であることが好ましく、1N/25mm以下であることがより好ましい。エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープから被着体を容易に剥離することができる。一方、上記のエネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、0.01N/25mm以上とすることができる。 In addition, in the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure, the adhesive strength to the SUS plate after irradiation with the energy beam is, for example, preferably 2 N/25 mm or less, more preferably 1 N/25 mm or less. When the adhesive strength to the SUS plate after irradiation with energy rays is within the above range, the adherend can be easily peeled off from the adhesive tape for semiconductor processing after irradiation with energy rays. On the other hand, the lower limit of the adhesive strength to the SUS plate after the energy beam irradiation is not particularly limited, but can be, for example, 0.01 N/25 mm or more.

ここで、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力は、下記の方法により、測定することができる。まず、半導体加工用粘着テープの粘着層にエネルギー線を照射し、硬化させる。この際、例えば、半導体加工用粘着テープの基材側の面からエネルギー線を照射することができる。次に、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を測定することができる。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を用いることができる。 Here, the adhesive strength to the SUS plate after energy beam irradiation can be measured by the following method. First, the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is irradiated with energy rays to be cured. At this time, for example, the energy beam can be irradiated from the substrate side surface of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing. Next, according to JIS Z0237: 2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) test method method 1 (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet are peeled off at 180 ° against a stainless steel test plate). By peeling the test piece in the longitudinal direction under conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min, the adhesive force to the SUS plate after energy beam irradiation can be measured. As the SUS plate, a SUS304, BA surface finish, 1.5 mm thick, 100 mm wide, and 150 mm long SUS plate can be used.

2.粘着層
本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、その初期粘着力により、被着体を固定することができる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、被着体を剥離または転写することができる。
2. Adhesive Layer The adhesive layer in the present disclosure is a member that is arranged on one surface of the substrate and has energy ray curability. The energy ray-curable adhesive layer is cured by irradiation with an energy ray, thereby reducing its adhesive force. The energy ray-curable adhesive layer can fix the adherend by its initial adhesive strength. In addition, in the energy ray-curable adhesive layer, when cured by irradiation with an energy ray, the adhesive strength is reduced and the releasability is improved, so that the adherend can be detached or transferred.

エネルギー線としては、例えば、遠紫外線、紫外線、近紫外線、赤外線等の光線、X線、γ線等の電磁波の他、電子線、プロトン線、中性子線等が挙げられる。中でも、汎用性等の観点から、紫外線、電子線が好ましく、紫外線がより好ましい。 Examples of energy rays include light rays such as far ultraviolet rays, ultraviolet rays, near ultraviolet rays and infrared rays, electromagnetic waves such as X-rays and γ-rays, electron beams, proton beams and neutron beams. Among them, from the viewpoint of versatility, ultraviolet rays and electron beams are preferred, and ultraviolet rays are more preferred.

粘着層としては、上記の粘着力を満たすものであれば特に限定されるものではなく、例えば、樹脂(粘着主剤)と、エネルギー線硬化性化合物とを少なくとも含有することができる。粘着層がエネルギー線硬化性化合物を含有することにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線硬化性化合物を硬化させることで、粘着力を低下させることができ、また、このとき凝集力が高まるため、剥離が容易になる。 The adhesive layer is not particularly limited as long as it satisfies the above adhesive strength, and for example, it can contain at least a resin (adhesive main agent) and an energy ray-curable compound. When the adhesive layer contains an energy ray-curable compound, the energy ray-curable compound can be cured by irradiation with energy rays, thereby reducing the adhesive force, and at this time, the cohesive force increases, so the peeling becomes easier.

(1)樹脂(粘着主剤)
樹脂(粘着主剤)としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減することができる。
(1) Resin (base adhesive)
Examples of the resin (adhesive main agent) include resins generally used as main agents for adhesives, such as acrylic resins, polyester resins, polyimide resins, and silicone resins. Among them, acrylic resins are preferable. By using an acrylic resin, adhesive residue on the adherend can be reduced.

よって、粘着層は、アクリル系樹脂と、エネルギー線硬化性化合物と、架橋剤とを少なくとも含有することが好ましい。粘着層内において、アクリル系樹脂は、通常、架橋剤によりアクリル系樹脂間が架橋されてなる架橋体として存在するが、架橋体と共にアクリル系樹脂の単体が含まれていてもよい。 Therefore, the adhesive layer preferably contains at least an acrylic resin, an energy ray-curable compound, and a cross-linking agent. In the adhesive layer, the acrylic resin usually exists as a crosslinked product obtained by cross-linking the acrylic resins with a crosslinking agent, but the acrylic resin alone may be contained together with the crosslinked product.

(アクリル系樹脂)
アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、(メタ)アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、(メタ)アクリル酸エステルを主成分として(メタ)アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた(メタ)アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、(メタ)アクリル酸エステル共重合体が好ましい。(メタ)アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。
(acrylic resin)
The acrylic resin is not particularly limited, and for example, a (meth)acrylic acid ester polymer obtained by homopolymerizing a (meth)acrylic acid ester, a (meth)acrylic acid ester as a main component, and a (meth)acrylic acid ester (Meth)acrylic acid ester copolymers obtained by copolymerizing with other monomers can be mentioned. Among them, (meth)acrylic acid ester copolymers are preferred. Specific examples of (meth)acrylic acid esters and other monomers include those disclosed in JP-A-2012-31316. Other monomers can be used alone or in combination of two or more.

中でも、アクリル系樹脂としては、(メタ)アクリル酸エステルを主成分とし、上記(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーとの共重合により得られる(メタ)アクリル酸エステル共重合体、または(メタ)アクリル酸エステルを主成分とし、上記(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの共重合により得られる(メタ)アクリル酸エステル共重合体を好適に用いることができる。 Among them, the acrylic resin is a (meth)acrylic acid ester copolymer obtained by copolymerizing a (meth)acrylic acid ester as a main component and a copolymerizable hydroxyl group-containing monomer with the above (meth)acrylic acid ester. , or (meth) acrylic acid ester as a main component, the (meth) acrylic acid ester copolymer obtained by copolymerization with the hydroxyl group-containing monomer and carboxyl group-containing monomer copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester It can be used preferably.

なお、本明細書において、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸の少なくとも一方をいうものとする。 In this specification, (meth)acrylic acid refers to at least one of acrylic acid and methacrylic acid.

共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとしては、特に限定されず、例えば特開2012-31316号公報に開示される水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーが用いられる。 The copolymerizable hydroxyl group-containing monomer and carboxyl group-containing monomer are not particularly limited, and for example, hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers disclosed in JP-A-2012-31316 are used.

アクリル系樹脂の分子量を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、上述したように、アクリル系樹脂の分子量を大きくすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。アクリル系樹脂の重量平均分子量は、例えば、10万以上200万以下であることが好ましく、20万以上100万以下であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることで、被着体への糊残りや汚染を低減することができる。 The ΔE * ab can be controlled by adjusting the molecular weight of the acrylic resin. Specifically, as described above, ΔE * ab can be reduced by increasing the molecular weight of the acrylic resin. The weight average molecular weight of the acrylic resin is, for example, preferably 100,000 or more and 2,000,000 or less, more preferably 200,000 or more and 1,000,000 or less. By setting the weight-average molecular weight of the acrylic resin within the above range, it is possible to reduce adhesive residue and contamination on the adherend.

ここで、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定した際のポリスチレン換算値である。重量平均分子量は、例えば、測定装置に東ソー株式会社製のHLC-8220GPCを、カラムに東ソー株式会社製のTSKGEL-SUPERMULTIPORE-HZ-Mを、溶媒にTHFを、標準品として分子量が1050、5970、18100、37900、96400、706000の標準ポリスチレンを用いることで測定することができる。 Here, in this specification, the weight average molecular weight is a polystyrene conversion value when measured by gel permeation chromatography (GPC). The weight average molecular weight is, for example, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation as a measuring device, TSKGEL-SUPERMULTIPORE-HZ-M manufactured by Tosoh Corporation as a column, THF as a solvent, and molecular weights of 1050 and 5970 as standards. It can be measured by using standard polystyrene of 18100, 37900, 96400, 706000.

また、アクリル系樹脂のガラス転移温度を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、上述したように、アクリル系樹脂のガラス転移温度を高くすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。アクリル系樹脂のガラス転移温度は、適宜調整される。 In addition, ΔE * ab can be controlled by adjusting the glass transition temperature of the acrylic resin. Specifically, as described above, ΔE * ab can be reduced by increasing the glass transition temperature of the acrylic resin. The glass transition temperature of the acrylic resin is appropriately adjusted.

また、アクリル系樹脂は、エネルギー線硬化性を有していてもよく、例えば、側鎖にエネルギー線硬化性官能基を有していてもよい。エネルギー線硬化性官能基としては、例えば、エチレン性不飽和結合を有することが好ましく、具体的には、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。 Moreover, the acrylic resin may have energy ray-curable properties, and may have, for example, an energy ray-curable functional group in its side chain. The energy ray-curable functional group preferably has, for example, an ethylenically unsaturated bond, and specific examples thereof include (meth)acryloyl groups, vinyl groups, and allyl groups.

(2)エネルギー線硬化性化合物
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
(2) Energy ray-curable compound The energy ray-curable compound is not particularly limited as long as it polymerizes upon exposure to energy rays, and examples thereof include compounds having an energy ray-curable functional group.

エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性ポリマーは、上記の樹脂(粘着主剤)とは異なるポリマーである。中でも、エネルギー線照射前後の粘着力のバランスの観点から、エネルギー線硬化性オリゴマーが好ましい。また、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーを組み合わせて用いてもよい。例えば、エネルギー線硬化性オリゴマーに加えてエネルギー線硬化性モノマーを用いる場合には、エネルギー線を照射した際に、粘着層を三次元架橋により硬化させて粘着力を低下させるとともに、凝集力を高めて被着体側へ転着させないようにすることができる。 Energy ray-curable compounds include, for example, energy ray-curable monomers, energy ray-curable oligomers, and energy ray-curable polymers. Note that the energy ray-curable polymer is a polymer different from the resin (main adhesive agent) described above. Among them, energy ray-curable oligomers are preferable from the viewpoint of the balance of adhesive strength before and after energy ray irradiation. Also, an energy ray-curable monomer, an energy ray-curable oligomer, and an energy ray-curable polymer may be used in combination. For example, when an energy ray-curable monomer is used in addition to an energy ray-curable oligomer, the adhesive layer is cured by three-dimensional cross-linking when irradiated with an energy ray to reduce the adhesive force and increase the cohesive force. can be prevented from being transferred to the adherend side.

また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物等が挙げられる。中でも、ラジカル重合性化合物が好ましい。硬化速度が速く、また、多種多様な化合物から選択することができ、さらには、エネルギー線照射前後の粘着力等の物性を容易に制御することができる。 Examples of energy ray-curable compounds include radically polymerizable compounds, cationically polymerizable compounds, and anionically polymerizable compounds. Among them, radically polymerizable compounds are preferred. It has a high curing speed, can be selected from a wide variety of compounds, and can easily control physical properties such as adhesive strength before and after energy ray irradiation.

エネルギー線硬化性化合物において、エネルギー線硬化性官能基の数は、1分子中に2個以上であることが好ましく、1分子中に3個以上であることがより好ましく、1分子中に4個以上であることがさらに好ましく、1分子中に5個以上であることが特に好ましい。エネルギー線硬化性官能基の数が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による汚染や糊残りの発生を抑制することができる。また、エネルギー線硬化性官能基の数の上限は、特に限定されない。 In the energy ray-curable compound, the number of energy ray-curable functional groups is preferably 2 or more per molecule, more preferably 3 or more per molecule, and 4 per molecule. More preferably, it is more than 5, and it is particularly preferable that it is 5 or more in one molecule. When the number of energy ray-curable functional groups is within the above range, the crosslink density of the pressure-sensitive adhesive layer after energy ray irradiation is sufficient, and desired peelability can be achieved. In addition, it is possible to suppress the occurrence of contamination and adhesive residue due to a decrease in cohesive strength. Moreover, the upper limit of the number of energy ray-curable functional groups is not particularly limited.

また、エネルギー線硬化性化合物は、架橋剤と反応し得る官能基をさらに有していてもよい。このような官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物が架橋剤と反応し、樹脂(粘着主剤)と架橋することで、汚染や糊残りの発生をさらに抑制することができる。 Moreover, the energy ray-curable compound may further have a functional group capable of reacting with the cross-linking agent. Examples of such functional groups include hydroxyl groups and carboxyl groups. The energy ray-curable compound reacts with the cross-linking agent and cross-links with the resin (adhesive main agent), thereby further suppressing the occurrence of contamination and adhesive residue.

エネルギー線硬化性化合物は、ラジカル重合性オリゴマーであることが好ましく、ラジカル重合性多官能オリゴマーであることがより好ましい。ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。 The energy ray-curable compound is preferably a radically polymerizable oligomer, more preferably a radically polymerizable polyfunctional oligomer. Radically polymerizable oligomers include, for example, those disclosed in JP-A-2012-31316.

また、エネルギー線硬化性化合物として、ラジカル重合性オリゴマーおよびラジカル重合性モノマーを用いてもよく、中でも、ラジカル重合性多官能オリゴマーおよびラジカル重合性多官能モノマーを用いてもよい。ラジカル重合性モノマーとしては、例えば特開2010-173091号公報に開示されるものが挙げられる。 Radically polymerizable oligomers and radically polymerizable monomers may be used as the energy ray-curable compound, and among others, radically polymerizable polyfunctional oligomers and radically polymerizable polyfunctional monomers may be used. Examples of the radically polymerizable monomer include those disclosed in JP-A-2010-173091.

また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、(メタ)アクリレート系モノマー、(メタ)アクリレート系オリゴマー、(メタ)アクリレート系ポリマー等を挙げることができる。また、エネルギー線硬化性化合物として、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等を用いることもできる。 Examples of energy ray-curable compounds include (meth)acrylate-based monomers, (meth)acrylate-based oligomers, and (meth)acrylate-based polymers. As the energy ray-curable compound, for example, urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, etc. can also be used.

また、エネルギー線硬化性化合物は、市販品を用いてもよい。例えば、三菱ケミカル社製のウレタンアクリレート「紫光UV7620EA(分子量:4100)」;根上工業社製のウレタンアクリレート「アートレジンUN-905(分子量:50000~210000)」、「アートレジンUN-905DU1(分子量:26000)」、「アートレジンUN-951SC(分子量:12500)」、「アートレジンUN-952(分子量:6500~9500)」、「アートレジンUN-953(分子量:14000~40000)」、「アートレジンUN-954(分子量:4200)」、「アートレジンH-219(分子量:25000~50000)」、「アートレジンH-315M(分子量:6600)」、「アートレジンH-417M(分子量:4000)」;大成ファインケミカル社製のアクリルウレタンポリマー「8BR-600(分子量:100000)」;DIC社製のポリマーアクリレート「ユニディックV-6850」;共栄社化学社製のアクリルポリマー「SMP-250AP(分子量:20000~30000)」、「SMP-360A(分子量:20000~30000)」;昭和電工マテリアルズ社製のアクリル樹脂アクリレート「HA7975」等が挙げられる。 Moreover, a commercial item may be used for the energy ray-curable compound. For example, Mitsubishi Chemical Corp. urethane acrylate "Shikou UV7620EA (molecular weight: 4100)"; 26000)”, “Artresin UN-951SC (molecular weight: 12500)”, “Artresin UN-952 (molecular weight: 6500-9500)”, “Artresin UN-953 (molecular weight: 14000-40000)”, “Artresin UN-954 (molecular weight: 4200)", "Artresin H-219 (molecular weight: 25000-50000)", "Artresin H-315M (molecular weight: 6600)", "Artresin H-417M (molecular weight: 4000)" ; Acrylic urethane polymer "8BR-600 (molecular weight: 100000)" manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd.; Polymer acrylate "Unidic V-6850" manufactured by DIC; Acrylic polymer "SMP-250AP (molecular weight: 20000- 30000)”, “SMP-360A (molecular weight: 20000 to 30000)”; and acrylic resin acrylate “HA7975” manufactured by Showa Denko Materials.

エネルギー線硬化性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The energy ray-curable compounds may be used alone or in combination of two or more.

エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、30,000以下であることが好ましく、10,000であることがより好ましく、8,000以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量が上記範囲であれば、アクリル系樹脂(粘着主剤)と十分な相溶性を示し、粘着層が、エネルギー線照射前には所望の粘着力を示し、エネルギー線照射後には糊残りの発生が抑制され、容易に剥離可能となる。一方、エネルギー線硬化性樹脂組成物の重量平均分子量は、例えば、100以上とすることができる。 Although the weight average molecular weight of the energy ray-curable compound is not particularly limited, it is preferably 30,000 or less, more preferably 10,000, and even more preferably 8,000 or less. If the weight-average molecular weight of the energy ray-curable compound is within the above range, it exhibits sufficient compatibility with the acrylic resin (adhesive main agent), and the adhesive layer exhibits the desired adhesive strength before irradiation with the energy ray. After irradiation, the generation of adhesive residue is suppressed, and the film can be easily peeled off. On the other hand, the weight average molecular weight of the energy ray-curable resin composition can be, for example, 100 or more.

エネルギー線硬化性化合物の含有量は、例えば、樹脂(粘着主剤)100質量部に対して、5質量部以上150質量部以下であることが好ましく、20質量部以上150質量部以下であることがより好ましく、30質量部以上100質量部以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の含有量が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による汚染や糊残りの発生を抑制することができる。 The content of the energy ray-curable compound is, for example, preferably 5 parts by mass or more and 150 parts by mass or less, and preferably 20 parts by mass or more and 150 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (adhesive main agent). More preferably, it is 30 parts by mass or more and 100 parts by mass or less. When the content of the energy ray-curable compound is within the above range, the crosslink density of the adhesive layer after energy ray irradiation is sufficient, and desired peelability can be achieved. In addition, it is possible to suppress the occurrence of contamination and adhesive residue due to a decrease in cohesive strength.

(3)重合開始剤
粘着層は、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
(3) Polymerization Initiator The adhesive layer can contain a polymerization initiator in addition to the resin (main adhesive) and the energy ray-curable compound.

重合開始剤としては、一般的な光重合開始剤を用いることができる。具体的には、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α-ヒドロキシケトン類、ベンジルメチルケタール類、α-アミノケトン類、ビスアシルフォスフィンオキサイド類が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物としてウレタンアクリレートを使用する場合には、重合開始剤がビスアシルフォスフィン系重合開始剤であることが好ましい。この重合開始剤は耐熱性を有するため、基材に粘着剤組成物を塗布してエネルギー線照射を行う際に、基材を介してエネルギー線照射を行う場合であっても、確実にエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。 A general photopolymerization initiator can be used as the polymerization initiator. Specific examples include acetophenones, benzophenones, α-hydroxyketones, benzyl methyl ketals, α-aminoketones, and bisacylphosphine oxides. When urethane acrylate is used as the energy ray-curable compound, the polymerization initiator is preferably a bisacylphosphine-based polymerization initiator. Since this polymerization initiator has heat resistance, when the adhesive composition is applied to the substrate and the energy beam is irradiated, even if the energy beam is irradiated through the substrate, the energy beam can be reliably Curable compounds can be cured.

重合開始剤は、波長230nm以上に吸収を有することが好ましく、波長300nm以上400nm以下に吸収を有することが好ましい。このような重合開始剤は、波長300nm以上の幅の広いエネルギー線を吸収し、エネルギー線硬化性化合物の重合反応を誘発する活性種を効率的に生成することができる。そのため、少量のエネルギー線照射量でもエネルギー線硬化性化合物を効率的に硬化させることができ、容易に剥離可能となる。また、後述するように基材には樹脂等を用いることができ、樹脂には、波長300nm程度までのエネルギー線を吸収するものの、波長300nm程度以上のエネルギー線を透過するものが多い。さらに、近年では、エネルギー線照射装置において、波長300nm以上のLEDランプを使用することが多い。そのため、波長230nm以上に吸収を有する重合開始剤を用いることにより、基材を透過したエネルギー線を利用してエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。 The polymerization initiator preferably has absorption at a wavelength of 230 nm or more, and preferably has absorption at a wavelength of 300 nm or more and 400 nm or less. Such a polymerization initiator can absorb wide energy rays with a wavelength of 300 nm or more and efficiently generate active species that induce a polymerization reaction of the energy ray-curable compound. Therefore, the energy ray-curable compound can be efficiently cured even with a small amount of energy ray irradiation, and can be easily peeled off. As will be described later, a resin or the like can be used as the base material, and many resins absorb energy rays with a wavelength of up to about 300 nm, but transmit energy rays with a wavelength of about 300 nm or more. Furthermore, in recent years, LED lamps with a wavelength of 300 nm or more are often used in energy beam irradiation devices. Therefore, by using a polymerization initiator having absorption at a wavelength of 230 nm or more, the energy ray-curable compound can be cured using the energy ray that has passed through the substrate.

重合開始剤の含有量は、例えば、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物の合計100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部以下であることが好ましく、0.3質量部以上6質量部以下であることがより好ましい。重合開始剤の含有量が上記範囲に満たないと、エネルギー線硬化性化合物の重合反応が十分起こらず、エネルギー線照射後の粘着層の粘着力が過剰に高くなり、剥離性を実現することができない場合がある。一方、重合開始剤の含有量が上記範囲を超えると、凝集力が低下し、汚染や糊残りの発生の原因となる場合もある。 The content of the polymerization initiator is, for example, preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the resin (main adhesive) and the energy ray-curable compound, and 0.3 parts by mass. Part or more and 6 parts by mass or less is more preferable. If the content of the polymerization initiator is less than the above range, the polymerization reaction of the energy ray-curable compound will not occur sufficiently, and the adhesive strength of the adhesive layer after energy ray irradiation will become excessively high, making it difficult to achieve peelability. Sometimes you can't. On the other hand, if the content of the polymerization initiator exceeds the above range, the cohesive force is lowered, which may cause contamination and adhesive residue.

(4)架橋剤
粘着層は、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
(4) Cross-linking agent The adhesive layer can contain a cross-linking agent in addition to the resin (main adhesive agent) and the energy ray-curable compound.

架橋剤は、少なくとも樹脂(粘着主剤)間を架橋するものであれば特に限定されるものではなく、樹脂(粘着主剤)の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。イソシアネート系架橋剤およびエポキシ系架橋剤の具体例としては、特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。架橋剤は、単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The cross-linking agent is not particularly limited as long as it cross-links at least between the resins (adhesive main agent), and can be appropriately selected according to the type of the resin (adhesive main agent). , epoxy-based cross-linking agents, metal chelate-based cross-linking agents, and the like. Specific examples of isocyanate-based cross-linking agents and epoxy-based cross-linking agents include those disclosed in JP-A-2012-31316. A crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types.

架橋剤の含有量としては、架橋剤の種類に応じて適宜設定することができるが、例えば、樹脂(粘着主剤)100質量部に対して、0.01質量部以上15質量部以下であることが好ましく、0.01質量部以上10質量部以下であることがより好ましい。架橋剤の含有量が上記範囲に満たないと、密着性が劣る場合や、被着体を剥離または転写する際に粘着層が凝集破壊を起こして糊残りが生じる場合がある。一方、架橋剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射後の粘着層中に架橋剤が未反応モノマーとして残留することで、凝集力の低下により汚染や糊残りの発生の原因となる場合がある。 The content of the cross-linking agent can be appropriately set according to the type of the cross-linking agent. and more preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less. If the content of the cross-linking agent is less than the above range, the adhesion may be poor, or cohesive failure may occur in the adhesive layer when the adherend is peeled off or transferred, resulting in adhesive residue. On the other hand, if the content of the cross-linking agent exceeds the above range, the cross-linking agent remains as an unreacted monomer in the adhesive layer after irradiation with the energy beam, causing contamination and adhesive residue due to a decrease in cohesive force. Sometimes.

(5)添加剤
粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤、粘着力調整剤等が挙げられる。
(5) Additives The adhesive layer may contain various additives as necessary. Additives include, for example, tackifiers, antistatic agents, plasticizers, silane coupling agents, metal chelating agents, surfactants, antioxidants, ultraviolet absorbers, colorants, preservatives, antifoaming agents, wetting agents, property modifiers, adhesion modifiers, and the like.

添加剤のガラス転移温度を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、上述したように、添加剤のガラス転移温度を高くすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。添加剤のガラス転移温度は、特に限定されないが、例えば、5℃以上150℃以下であることが好ましく、10℃以上120℃以下であることがより好ましい。添加剤のガラス転移温度が上記範囲内であることにより、上記ΔE abを所定の範囲になるように容易に調整することができる。粘着層が添加剤を含む場合、少なくとも1つの添加剤のガラス転移温度が上記範囲内であることが好ましい。 The ΔE * ab can be controlled by adjusting the glass transition temperature of the additive. Specifically, as described above, ΔE * ab can be reduced by increasing the glass transition temperature of the additive. The glass transition temperature of the additive is not particularly limited. When the glass transition temperature of the additive is within the above range, the ΔE * ab can be easily adjusted to fall within the predetermined range. When the adhesive layer contains additives, the glass transition temperature of at least one additive is preferably within the above range.

また、添加剤の分子量を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、上述したように、添加剤の分子量を大きくすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。添加剤の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、100以上200,000以下であってもよく、500以上300,000以下であってもよい。 In addition, ΔE * ab can be controlled by adjusting the molecular weight of the additive. Specifically, as described above, ΔE * ab can be reduced by increasing the molecular weight of the additive. Although the weight average molecular weight of the additive is not particularly limited, it may be, for example, 100 or more and 200,000 or less, or 500 or more and 300,000 or less.

また、粘着層は、上述のように、粘着力調整剤を含んでいてもよい。粘着力調整剤としては、例えば、アクリル系ブロック共重合体、ポリエステル樹脂等が挙げられる。アクリル系ブロック共重合体としては、例えば、クラレ社製のクラリティシリーズ(例えば、「LA4285(Mw:約65000)」、「LA2250(Mw:約67000)」、「LA2140(Mw:約125000)」、「LA3320(Mw:約115000)」等)が挙げられる。また、ポリエステル樹脂としては、例えば、東洋紡社製のバイロンシリーズ(例えば、「バイロン200(Mn:約17000)」、「バイロン600(Mn:約16000)」等)、ユニチカ社製のエリーテルシリーズ(「エリーテルUE3210(Mw:約20000)」、「エリーテルUE9200(Mw:約15000)」等)が挙げられる。 In addition, the adhesive layer may contain an adhesive force modifier as described above. Examples of adhesive strength modifiers include acrylic block copolymers and polyester resins. Examples of acrylic block copolymers include Clarity series manufactured by Kuraray Co., Ltd. "LA3320 (Mw: about 115000)", etc.). As the polyester resin, for example, Toyobo's Vylon series (e.g., "Vylon 200 (Mn: about 17000)", "Vylon 600 (Mn: about 16000)", etc.), Unitika's Elitel series ( "Elitel UE3210 (Mw: about 20000)", "Elitel UE9200 (Mw: about 15000)", etc.).

また、添加剤の含有量を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、添加剤の分子量が大きい場合には、添加剤の含有量を少なくすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。添加剤の含有量は、適宜調整される。 In addition, ΔE * ab can be controlled by adjusting the content of the additive. Specifically, when the additive has a large molecular weight, the ΔE * ab can be reduced by reducing the content of the additive. The content of the additive is appropriately adjusted.

(6)粘着層の厚さおよび形成方法
粘着層の厚さとしては、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、3μm以上50μm以下であり、好ましくは5μm以上40μm以下である。
(6) Thickness of Adhesive Layer and Method of Forming The thickness of the adhesive layer may be any thickness that provides sufficient adhesive strength and allows energy rays to penetrate to the inside, for example, 3 μm. 50 μm or more, preferably 5 μm or more and 40 μm or less.

粘着層の形成方法としては、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗布する方法や、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成し、粘着層および基材を貼り合わせる方法が挙げられる。 As a method for forming the adhesive layer, for example, a method of applying an adhesive composition on a substrate, a method of applying an adhesive composition on a separator to form an adhesive layer, and a method of bonding the adhesive layer and the substrate together. is mentioned.

3.基材
本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
3. Substrate The substrate in the present disclosure is a member that supports the adhesive layer.

基材としては、特に限定されないが、半導体加工用粘着テープの基材側からエネルギー線を照射して粘着層を硬化させることにより、粘着層の粘着力を低下させることが好ましいことから、基材は、エネルギー線を透過するものであることが好ましい。 The substrate is not particularly limited, but it is preferable to reduce the adhesive strength of the adhesive layer by irradiating the adhesive layer from the substrate side of the adhesive tape for semiconductor processing to cure the adhesive layer. is preferably permeable to energy rays.

基材のヤング率は、例えば、2000MPa以下であってもよく、1000MPa以下であってもよく、700MPa以下であってもよい。また、基材のヤング率は、例えば、20MPa以上であることが好ましく、30MPa以上であることがより好ましく、40MPa以上であることがさらに好ましい。中でも、基材は、エキスパンド可能であることが好ましい。基材のヤング率が低すぎると、基材が極端に柔らかくなり、半導体加工用粘着テープを均一に拡張することが困難になる可能性がある。 The Young's modulus of the substrate may be, for example, 2000 MPa or less, 1000 MPa or less, or 700 MPa or less. The Young's modulus of the base material is, for example, preferably 20 MPa or higher, more preferably 30 MPa or higher, and even more preferably 40 MPa or higher. Among others, the substrate is preferably expandable. If the Young's modulus of the base material is too low, the base material becomes extremely soft, which may make it difficult to spread the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing uniformly.

ここで、基材のヤング率、JIS K7127に準拠して測定することができる。具体的な測定条件を下記に示す。
・試験片:試験片タイプ5
・チャック間距離:60mm
・引張速度:100mm/min
引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を用いることができる。
Here, the Young's modulus of the substrate can be measured according to JIS K7127. Specific measurement conditions are shown below.
・ Specimen: Specimen type 5
・Distance between chucks: 60 mm
・ Tensile speed: 100mm/min
As a tensile tester, for example, "Tensilon RTF1150" manufactured by A&D Co., Ltd. can be used.

基材の材質としては、上記の特性を満たすものであることが好ましく、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ポリブタジエン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系樹脂;ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂;ウレタン樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリカーボネート樹脂;フッ素樹脂等が挙げられる。また、基材の材質としては、例えば、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等の熱可塑性エラストマー;イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等のゴム系材料を挙げることができる。これらは1種単独で用いてもよく2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The material of the substrate preferably satisfies the above properties, and examples thereof include low-density polyethylene, high-density polyethylene, polypropylene, polybutene, polymethylpentene, polybutadiene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, and ethylene. Olefin resins such as (meth)acrylic acid copolymers and ethylene (meth)acrylic acid ester copolymers; vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers; polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate ; urethane resin; polystyrene resin; polycarbonate resin; Examples of materials for the substrate include thermoplastic elastomers such as olefin elastomers, vinyl chloride elastomers, polyester elastomers, styrene elastomers, urethane elastomers, acrylic elastomers, and amide elastomers; isoprene rubber, butadiene rubber. , styrene-butadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile-butadiene rubber, butyl rubber, halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber. These may be used singly or in combination of two or more.

中でも、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂が好ましい。すなわち、基材は、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、または塩化ビニル樹脂を含有することが好ましい。塩化ビニル樹脂は可塑剤を添加することにより軟化するため、いわゆる軟質塩化ビニル樹脂を用いることにより、後述するように降伏点を有さない基材とすることができる。一方、オレフィン系樹脂やポリエステル樹脂は、塩化ビニル樹脂のように、可塑剤を多量に添加することはないため、添加剤の含有量を減らすことができ、上記ΔE abが小さくなる傾向にある。 Among them, olefin resins, polyester resins, and vinyl chloride resins are preferred. That is, the substrate preferably contains an olefinic resin, a polyester resin, or a vinyl chloride resin. Since the vinyl chloride resin is softened by adding a plasticizer, the use of a so-called soft vinyl chloride resin enables the substrate to have no yield point as will be described later. On the other hand, unlike vinyl chloride resins, olefin resins and polyester resins do not contain a large amount of plasticizer, so the content of additives can be reduced, and the ΔE * ab tends to be small. .

塩化ビニル樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリエチレン、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル-エチレン共重合体、塩化ビニル-プロピレン共重合体、塩化ビニル-スチレン共重合体、塩化ビニル-イソブチレン共重合体、塩化ビニル-塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル-スチレン-無水マレイン酸三元共重合体、塩化ビニル-スチレン-アクリロニトリル三元共重合体、塩化ビニル-ブタジエン共重合体、塩化ビニル-イソプレン共重合体、塩化ビニル-塩素化プロピレン共重合体、塩化ビニル-塩化ビニリデン-酢酸ビニル三元共重合体、塩化ビニル-マレイン酸エステル共重合体、塩化ビニル-メタクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル-アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル-各種ビニルエーテル共重合体等の塩素含有樹脂;それらの塩素含有樹脂の混合物;それらの塩素含有樹脂と他の塩素を含まない樹脂との混合物、ブロック共重合体、グラフト共重合体等を挙げることができる。他の塩素を含まない樹脂としては、例えば、アクリロニトリル-スチレン共重合体、アクリロニトリル-スチレン-ブタジエン三元共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-エチル(メタ)アクリレート共重合体、ポリエステル等が挙げられる。 Examples of vinyl chloride resins include polyvinyl chloride, chlorinated polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, chlorinated polyethylene, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-ethylene copolymer, and vinyl chloride-propylene copolymer. , vinyl chloride-styrene copolymer, vinyl chloride-isobutylene copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-styrene-maleic anhydride terpolymer, vinyl chloride-styrene-acrylonitrile terpolymer Copolymer, vinyl chloride-butadiene copolymer, vinyl chloride-isoprene copolymer, vinyl chloride-chlorinated propylene copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride-vinyl acetate terpolymer, vinyl chloride-maleic acid ester copolymer Chlorine-containing resins such as coalescence, vinyl chloride-methacrylate copolymers, vinyl chloride-acrylonitrile copolymers, vinyl chloride-various vinyl ether copolymers; mixtures of these chlorine-containing resins; Mixtures with chlorine-free resins, block copolymers, graft copolymers, and the like can be mentioned. Other chlorine-free resins include, for example, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-styrene-butadiene terpolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl (meth)acrylate copolymer, polyester etc.

基材は、必要に応じて、例えば、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、難燃剤、着色剤等の各種の添加剤を含有していてもよい。 The substrate optionally contains various additives such as plasticizers, fillers, antioxidants, light stabilizers, antistatic agents, lubricants, dispersants, flame retardants, colorants, and the like. good too.

また、添加剤の分子量を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、添加剤の分子量を大きくすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。添加剤の分子量は、適宜調整される。 In addition, ΔE * ab can be controlled by adjusting the molecular weight of the additive. Specifically, ΔE * ab can be reduced by increasing the molecular weight of the additive. The molecular weight of the additive is appropriately adjusted.

また、添加剤の含有量を調整することにより、上記ΔE abの制御が可能となる。具体的には、添加剤の分子量が小さい場合には、添加剤の含有量を少なくすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。添加剤の含有量は、適宜調整される。例えば、基材が塩化ビニル樹脂を含有する場合には、可塑剤の含有量を少なくすることにより、上記ΔE abを小さくすることができる。 In addition, ΔE * ab can be controlled by adjusting the content of the additive. Specifically, when the additive has a small molecular weight, the ΔE * ab can be reduced by reducing the content of the additive. The content of the additive is appropriately adjusted. For example, when the substrate contains a vinyl chloride resin, the ΔE * ab can be reduced by reducing the content of the plasticizer.

基材は、例えば、単層であってもよく、多層であってもよい。 The substrate may be, for example, a single layer or multiple layers.

基材の粘着層側の面には、粘着層との密着性を向上させるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、特に限定されず、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、アルカリ処理等が挙げられる。 The adhesive layer side surface of the base material may be surface-treated in order to improve the adhesiveness with the adhesive layer. The surface treatment is not particularly limited, and examples thereof include corona treatment, plasma treatment, ozone treatment, flame treatment, primer treatment, alkali treatment and the like.

基材の厚さとしては、特に限定されず、例えば、20μm以上500μm以下であり、40μm以上350μm以下であってもよく、50μm以上200μm以下であってもよい。基材の厚さが上記範囲内であれば、エキスパンドしやすく、また破断しない程度の十分な強度を有する基材とすることができる。 The thickness of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, 20 μm or more and 500 μm or less, may be 40 μm or more and 350 μm or less, or may be 50 μm or more and 200 μm or less. If the thickness of the substrate is within the above range, the substrate can be easily expanded and has sufficient strength to prevent breakage.

4.その他の構成
本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
4. Other Configurations The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure can have other configurations, if necessary, in addition to the substrate and adhesive layer described above.

本開示の半導体加工用粘着テープは、粘着層の基材とは反対側の面にセパレータを有していてもよい。セパレータにより粘着層を保護することができる。 The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have a separator on the surface of the adhesive layer opposite to the substrate. The separator can protect the adhesive layer.

また、本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と粘着層との間にプライマー層を有していてもよい。プライマー層により基材および粘着層の密着性を高めることができる。また、プライマー層により、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体に移行するのを抑制でき、その結果、上記ΔE abを小さくすることができる。中でも、基材が塩化ビニル樹脂を含有する場合には、基材と粘着層との間にプライマー層が配置されていることが好ましい。 Further, the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have a primer layer between the substrate and the adhesive layer. The primer layer can enhance the adhesion between the substrate and the adhesive layer. In addition, the primer layer can prevent the components contained in the base material from migrating to the adherend via the adhesive layer, and as a result, the above ΔE * ab can be reduced. Above all, when the base material contains a vinyl chloride resin, it is preferable that a primer layer is arranged between the base material and the adhesive layer.

5.用途
本開示の半導体加工用粘着テープは、例えば、ダイシングテープ、バックグラインドテープ等の、部品を一時的に固定または保護する粘着テープとして好適に用いることができる。
5. Application The adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure can be suitably used as an adhesive tape that temporarily fixes or protects components, such as a dicing tape or a back grind tape.

図2(a)~(e)は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の一例を示す工程図であり、半導体加工用粘着テープをダイシングテープとして用いる例である。まず、図2(a)に示すように、回路が形成されたウェハ11を半導体加工用粘着テープ10に貼り付けた後、図2(b)に示すように、回路が形成されたウェハ11をチップ12に切断(ダイシング)するダイシング工程を行う。次に、図2(c)に示すように、半導体加工用粘着テープ10を引き伸ばして、チップ12同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、図示しないが、半導体加工用粘着テープ10のエネルギー線硬化性の粘着層2にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図2(d)に示すように、チップ12を半導体加工用粘着テープ10から剥離して、チップ12をピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、図2(e)に示すように、ピックアップされたチップ12を基板30に接着するマウント(ダイボンディング)工程を行う。 2A to 2E are process diagrams showing an example of a semiconductor manufacturing method using a semiconductor processing adhesive tape, in which the semiconductor processing adhesive tape is used as a dicing tape. First, as shown in FIG. 2(a), a wafer 11 having a circuit formed thereon is attached to an adhesive tape 10 for semiconductor processing, and then, as shown in FIG. 2(b), the wafer 11 having a circuit formed thereon is attached. A dicing process for cutting (dicing) into chips 12 is performed. Next, as shown in FIG. 2(c), an expanding step is performed in which the semiconductor processing adhesive tape 10 is stretched to widen the gap between the chips 12. Next, as shown in FIG. Next, although not shown, the energy ray-curable adhesive layer 2 of the adhesive tape 10 for semiconductor processing is irradiated with an energy ray to be cured to reduce the adhesive strength, and as shown in FIG. 12 is separated from the adhesive tape 10 for semiconductor processing, and a pick-up step of picking up the chip 12 is performed. Next, as shown in FIG. 2(e), a mounting (die bonding) step is performed to bond the picked-up chip 12 to the substrate 30. Next, as shown in FIG.

図3(a)~(d)は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の他の例を示す工程図であり、半導体加工用粘着テープをダイシングテープとして用いる例である。まず、図3(a)に示すように、回路が形成されたウェハ11を半導体加工用粘着テープ10に貼り付けた後、図3(b)に示すように、回路が形成されたウェハ11をチップ12に切断(ダイシング)するダイシング工程を行う。次に、図3(c)に示すように、チップ12の半導体加工用粘着テープ10とは反対側の面に転写テープ40を貼り付けた後、図示しないが、半導体加工用粘着テープ10のエネルギー線硬化性の粘着層2にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図3(d)に示すように、半導体加工用粘着テープ10をチップ12から剥離して、チップ12を転写テープ40に転写する転写工程を行う。 FIGS. 3A to 3D are process diagrams showing another example of a semiconductor manufacturing method using the adhesive tape for semiconductor processing, in which the adhesive tape for semiconductor processing is used as a dicing tape. First, as shown in FIG. 3(a), a wafer 11 having a circuit formed thereon is attached to an adhesive tape 10 for semiconductor processing, and then, as shown in FIG. A dicing process for cutting (dicing) into chips 12 is performed. Next, as shown in FIG. 3C, a transfer tape 40 is attached to the surface of the chip 12 opposite to the adhesive tape 10 for semiconductor processing. Energy rays are applied to the radiation-curing adhesive layer 2 to cure it, thereby reducing the adhesive force. As shown in FIG. is transferred to the transfer tape 40 .

なお、本開示は、上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、例示であり、本開示における特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示における技術的範囲に包含される。 Note that the present disclosure is not limited to the above embodiments. The above embodiment is an example, and any device that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present disclosure and produces the same effect is the present invention. It is included in the technical scope of the disclosure.

以下、実施例および比較例を示し、本開示をさらに説明する。 Examples and comparative examples are given below to further illustrate the present disclosure.

[材料]
下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤A(アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量 約50万、固形分23%)
・粘着主剤B(アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量 約80万、固形分20%)
・ウレタンアクリレートA(紫外線硬化性化合物、10官能、分子量500~1300)
・ウレタンアクリレートB(紫外線硬化性化合物、9官能、分子量4100、有効分65%)
・ウレタンアクリレートC(紫外線硬化性化合物、6官能、分子量4200、有効分60%)
・重合開始剤(IGM Resins社製「Omnirad 819」)
・架橋剤A(イソシアネート系硬化剤(トリレンジイソシアネート(TDI)系アダクト型(トリメチロールプロパン付加物))、固形分75%)
・架橋剤B(エポキシ系硬化剤)
・架橋剤C(金属キレート系硬化剤)
・粘着力調整剤A(アクリル系ブロック共重合体(メタクリル酸メチル-アクリル酸ブチル-メタクリル酸メチルのトリブロック共重合体)、重量平均分子量 約65000)
・粘着力調整剤B(アクリル系共重合体)
[material]
Materials used for the pressure-sensitive adhesive composition are shown below.
・ Adhesive main agent A (acrylic acid ester copolymer, weight average molecular weight about 500,000, solid content 23%)
・ Adhesive main agent B (acrylic acid ester copolymer, weight average molecular weight of about 800,000, solid content of 20%)
・Urethane acrylate A (ultraviolet curable compound, 10-functional, molecular weight 500-1300)
・Urethane acrylate B (ultraviolet curable compound, 9-functional, molecular weight 4100, effective content 65%)
・Urethane acrylate C (ultraviolet curable compound, hexafunctional, molecular weight 4200, effective content 60%)
・Polymerization initiator ("Omnirad 819" manufactured by IGM Resins)
· Cross-linking agent A (isocyanate-based curing agent (tolylene diisocyanate (TDI)-based adduct type (trimethylolpropane adduct)), solid content 75%)
・Crosslinking agent B (epoxy curing agent)
・Crosslinking agent C (metal chelate curing agent)
・ Adhesion adjuster A (acrylic block copolymer (methyl methacrylate-butyl acrylate-methyl methacrylate triblock copolymer), weight average molecular weight of about 65000)
・ Adhesion adjuster B (acrylic copolymer)

[実施例1]
固形分比で、粘着主剤A 100質量部と、ウレタンアクリレートA 50質量部と、架橋剤A 3質量部と、重合開始剤1.5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分25%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
[Example 1]
In solid content ratio, 100 parts by mass of the adhesive main agent A, 50 parts by mass of the urethane acrylate A, 3 parts by mass of the cross-linking agent A, and 1.5 parts by mass of the polymerization initiator, a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1 : 1) was diluted to a solid content of 25% and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.

離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート(PET)セパレータ上に、乾燥後の厚さが10μmとなるように上記粘着剤組成物を塗工し、110℃オーブンで3分間乾燥させて、粘着層を形成した。 On a polyethylene terephthalate (PET) separator that has been subjected to release treatment, the adhesive composition is applied so that the thickness after drying is 10 μm, and dried in an oven at 110 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer. formed.

次に、上記粘着層上に、基材(ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、東洋紡社製「TA051」、厚さ50μm)をラミネートした後、50℃で3日間エージングを行い、半導体加工用粘着テープを作製した。 Next, after laminating a base material (polyethylene terephthalate (PET) film, "TA051" manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 50 μm) on the adhesive layer, aging is performed at 50 ° C. for 3 days to form an adhesive tape for semiconductor processing. made.

[実施例2]
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを20μmとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 2]
In the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 μm, and the following substrate was used. A tape was made.

固形分比で、粘着主剤B 100質量部と、ウレタンアクリレートB 40質量部と、ウレタンアクリレートC 30質量部と、架橋剤B 0.35質量部と、架橋剤C 0.2質量部と、重合開始剤6質量部と、粘着力調整剤A 0.5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分25%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 In solid content ratio, 100 parts by mass of adhesive main agent B, 40 parts by mass of urethane acrylate B, 30 parts by mass of urethane acrylate C, 0.35 parts by mass of cross-linking agent B, 0.2 parts by mass of cross-linking agent C, and polymerization 6 parts by mass of the initiator and 0.5 parts by mass of the adhesive strength modifier A are diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) so that the solid content is 25%, and sufficiently dispersed. , to prepare an adhesive composition.

また、基材として、塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤25質量部と、ノニルフェノール0.3質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニル(PVC)フィルムを作製した。 In addition, a resin composition containing 70 parts by mass of vinyl chloride resin, 25 parts by mass of a plasticizer, and 0.3 parts by mass of nonylphenol was used as the base material, and a film was formed by a calendering method to obtain a polyimide film having a thickness of 90 μm. A vinyl chloride (PVC) film was made.

[実施例3]
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを20μmとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 3]
In the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 μm, and the following substrate was used. A tape was made.

固形分比で、粘着主剤B 100質量部と、ウレタンアクリレートA 75質量部と、架橋剤B 0.35質量部と、重合開始剤7.5質量部と、粘着力調整剤A 40質量部と、粘着力調整剤B 40質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分25%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 The solid content ratio is 100 parts by mass of the adhesive main agent B, 75 parts by mass of the urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of the cross-linking agent B, 7.5 parts by mass of the polymerization initiator, and 40 parts by mass of the adhesive force adjuster A. , and 40 parts by mass of the adhesive strength adjusting agent B were diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) so that the solid content was 25%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition. .

また、基材として、塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤25質量部と、ノニルフェノール0.3質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ70μmのポリ塩化ビニル(PVC)フィルムを作製した。 In addition, a resin composition containing 70 parts by mass of vinyl chloride resin, 25 parts by mass of a plasticizer, and 0.3 parts by mass of nonylphenol was used as the base material, and a film was formed by a calendering method to obtain a polyimide film having a thickness of 70 μm. A vinyl chloride (PVC) film was made.

[実施例4]
粘着層の厚さを30μmとしたこと、および、基材として、ポリエチレン(PE)フィルム(日本マタイ社製「エスマーVPM-S」、厚さ100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Example 4]
Same as Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was set to 30 μm and a polyethylene (PE) film ("Esmer VPM-S" manufactured by Nihon Matai Co., Ltd., thickness 100 μm) was used as the base material. Then, an adhesive tape for semiconductor processing was produced.

[比較例1]
下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを20μmとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative Example 1]
In the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 μm, and the following substrate was used. A tape was made.

固形分比で、粘着主剤B 100質量部と、ウレタンアクリレートA 75質量部と、架橋剤B 0.35質量部と、重合開始剤7.5質量部と、粘着力調整剤A 40質量部と、粘着力調整剤B 40質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分25%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。 The solid content ratio is 100 parts by mass of the adhesive main agent B, 75 parts by mass of the urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of the cross-linking agent B, 7.5 parts by mass of the polymerization initiator, and 40 parts by mass of the adhesive force adjuster A. , and 40 parts by mass of the adhesive strength adjusting agent B were diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) so that the solid content was 25%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition. .

また、基材として、塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤40質量部と、安定剤0.5質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ70μmのポリ塩化ビニル(PVC)フィルムを作製した。 A resin composition containing 70 parts by mass of a vinyl chloride resin, 40 parts by mass of a plasticizer, and 0.5 parts by mass of a stabilizer was used as a base material, and a film was formed by a casting method to a thickness of 70 μm. A polyvinyl chloride (PVC) film was made.

[比較例2]
粘着層の厚さを20μmとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
[Comparative Example 2]
A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 20 μm and the following base material was used.

基材として、塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤40質量部と、安定剤0.5質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ70μmのポリ塩化ビニル(PVC)フィルムを作製した。 A resin composition containing 70 parts by mass of a vinyl chloride resin, 40 parts by mass of a plasticizer, and 0.5 parts by mass of a stabilizer is used as a base material, and a film is formed by a casting method to form a polychlorinated film having a thickness of 70 μm. A vinyl (PVC) film was made.

[評価]
(1)色差ΔE ab
まず、半導体加工用粘着テープを、幅40mm以上、長さ100mm以上の大きさにカットした。また、銅箔(福田金属箔粉工業社製「RCF-T5B」、厚さ35μm)の光沢面をイソプロピルアルコール(IPA)で拭き取り、十分に乾燥させた。次いで、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、紫外線を遮断した環境下で、半導体加工用粘着テープのセパレータを剥離して、粘着層を露出させ、半導体加工用粘着テープの粘着層の面を、銅箔の光沢面に、2kgローラで2往復させて貼合し、積層体を得た。次に、積層体を、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上50%RH以下、紫外線を遮断した環境下、6日間保管した。次に、積層体の半導体加工用粘着テープ側の面から、積算光量500mJ/cmとなるように紫外線を照射し、粘着層を硬化させた。次に、剥離速度300mm/minで、積層体から半導体加工用粘着テープを剥離した。
[evaluation]
(1) Color difference ΔE * ab
First, the adhesive tape for semiconductor processing was cut into a size of 40 mm or more in width and 100 mm or more in length. In addition, the glossy surface of a copper foil (“RCF-T5B” manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd., thickness 35 μm) was wiped with isopropyl alcohol (IPA) and dried sufficiently. Next, in an environment where the temperature is 25 ° C. ± 5 ° C., the humidity is 40% RH to 60% RH, and the ultraviolet rays are blocked, the separator of the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off to expose the adhesive layer. The surface of the adhesive layer of No. 2 was laminated to the glossy surface of the copper foil by reciprocating it twice with a 2 kg roller to obtain a laminate. Next, the laminate was stored for 6 days in an environment with a temperature of 25° C.±5° C., a humidity of 40% RH or more and 50% RH or less, and shielded from ultraviolet rays. Next, from the side of the adhesive tape for semiconductor processing of the laminate, ultraviolet rays were irradiated so that the integrated light amount was 500 mJ/cm 2 to cure the adhesive layer. Next, the adhesive tape for semiconductor processing was peeled off from the laminate at a peel speed of 300 mm/min.

JIS Z8722に準拠し、分光光度計(日本電色工業社製「Spectrophotometer SE6000」)を用いて、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面および半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の明度L、色度a、bを測定し、ΔE abを求めた。測定条件は、D65光源、10°視野、反射測定とした。この際、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の色の測定に際しては、銅箔の被着面をイソプロピルアルコールで拭き取り、十分に乾燥させた後、測定を行った。 In accordance with JIS Z8722, using a spectrophotometer ("Spectrophotometer SE6000" manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), the surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and after peeling the adhesive tape for semiconductor processing The lightness L * , chromaticities a * and b * of the adherend surface of the copper foil were measured to obtain ΔE * ab . The measurement conditions were D65 light source, 10° field of view, and reflection measurement. At this time, when measuring the color of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing, the adherend surface of the copper foil was wiped with isopropyl alcohol, dried sufficiently, and then measured.

(2)濡れ性
上記の半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面および半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面について、濡れ性を確認した。具体的には、ダインペン(enercon社製「EnerDyne ダインペンVariety」)を用いて、上記の銅箔の被着面に線を引き、5秒間静置した。インクが保持されている場合は、濡れ性ありと判定し、インクが弾かれている場合は、濡れ性なしと判定した。ダインペンのダイン数は、30、38、48とした。
(2) Wettability The wettability was confirmed for the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing. Specifically, using a dyne pen (“EnerDyne dyne pen Variety” manufactured by enercon), a line was drawn on the surface of the copper foil to be adhered, and left to stand for 5 seconds. When the ink was retained, it was determined that there was wettability, and when the ink was repelled, it was determined that there was no wettability. The dyne numbers of the dyne pens were 30, 38, and 48.

半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面については、3種類のダインペンのいずれも、濡れ性ありと判定された。 Regarding the adherend surface of the copper foil before lamination of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, all of the three types of Dyne pens were judged to have wettability.

半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の濡れ性について、下記基準にて評価した。
A:3種類のダインペンのいずれも濡れ性ありと判定された。
B:3種類のダインペンのうち、2種類のダインペンは濡れ性あり、1種類のダインペンは濡れ性なしと判定された。
C:3種類のダインペンのうち、2種類以上のダインペンが濡れ性なしと判定された。
The wettability of the adherend surface of the copper foil after the peeling of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was evaluated according to the following criteria.
A: All three types of dyne pens were judged to have wettability.
B: Of the 3 types of dyne pens, 2 types of dyne pens were judged to have wettability, and 1 type of dyne pen was judged to have no wettability.
C: Of the three types of dyne pens, two or more types of dyne pens were determined to have no wettability.

(3)SUS板に対する粘着力
SUS板に対する粘着力は、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を用いた。
(3) Adhesive strength to SUS plate Adhesive strength to SUS plate is determined by test method 1 of JIS Z0237: 2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet on stainless steel test plate Measured by peeling the test piece in the length direction under the conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min. The SUS plate used was SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, length 150 mm.

(4)エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力
まず、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量500mJ/cmとなるように紫外線を照射し、粘着層を硬化させた。紫外線照射後の半導体加工用粘着テープのSUS板に対する粘着力は、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を用いた。
(4) Adhesion to SUS Plate after Energy Beam Irradiation First, the surface of the adhesive tape for semiconductor processing on the substrate side was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative amount of light was 500 mJ/cm 2 to cure the adhesive layer. The adhesive strength of the adhesive tape for semiconductor processing after UV irradiation to the SUS plate is determined according to JIS Z0237:2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) test method method 1 (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet stainless steel Test method of peeling off at 180° to a test plate), the test piece was peeled off in the longitudinal direction under the conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min. The SUS plate used was SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, length 150 mm.

Figure 0007260017000002
Figure 0007260017000002

実施例1~4の半導体加工用粘着テープでは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との色差ΔE abが所定の範囲であり、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の濡れ性に対して、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の濡れ性がほとんど変化していないことが確認された。一方、比較例1~2の半導体加工用粘着テープでは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との色差ΔE abが所定の範囲を満たしておらず、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の濡れ性に対して、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の濡れ性が変化していた。 In the adhesive tapes for semiconductor processing of Examples 1 to 4, the color difference ΔE * ab is within a predetermined range, and the wettability of the adherend surface of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing is higher than the wettability of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing. It was confirmed that there was almost no change. On the other hand, in the adhesive tapes for semiconductor processing of Comparative Examples 1 and 2, the color difference between the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing. ΔE * ab does not satisfy the predetermined range, and the wettability of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing is compared with the adhesion of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing. The wettability of the surface changed.

また、実施例2、3によれば、上記ΔE abと濡れ性とは必ずしも相関するわけではない。このことから、上記ΔE abによって、濡れ性では捉えられなかった銅箔の表面状態の変化を捉えることができることが示唆された。 Moreover, according to Examples 2 and 3, the above ΔE * ab does not necessarily correlate with the wettability. This suggests that the ΔE * ab can capture changes in the surface state of the copper foil that could not be captured by wettability.

1 … 基材
2 … 粘着層
10 … 半導体加工用粘着テープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Base material 2... Adhesive layer 10... Adhesive tape for semiconductor processing

Claims (3)

基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、
前記粘着層が、粘着主剤として(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含有し、エネルギー線硬化性化合物としてウレタン(メタ)アクリレートを含有し、
下記試験により求められる、L表色系における色差ΔE abが2.0以下である、半導体加工用粘着テープ。
試験:下記工程(1)~(5)を順に有する。
(1)前記半導体加工用粘着テープの前記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。
(2)前記積層体を、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下、6日間保管する。
(3)前記積層体の前記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、前記粘着層を硬化させる。
(4)前記積層体から前記半導体加工用粘着テープを剥離する。
(5)前記半導体加工用粘着テープの貼合前の前記銅箔の被着面と、前記半導体加工用粘着テープの剥離後の前記銅箔の被着面との、L表色系における色差ΔE abを求める。
An adhesive tape for semiconductor processing, comprising a substrate and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the substrate,
The adhesive layer contains a (meth)acrylic acid ester copolymer as an adhesive base agent and urethane (meth)acrylate as an energy ray-curable compound,
An adhesive tape for semiconductor processing, having a color difference ΔE * ab of 2.0 or less in the L * a * b * color system, determined by the following test.
Test: It has the following steps (1) to (5) in order.
(1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a copper foil to prepare a laminate.
(2) The laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C.±5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked.
(3) The adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer.
(4) Peel off the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate.
(5) L * a * b * table of the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing. Obtain the color difference ΔE * ab in the color system.
エネルギー線照射前のSUS板に対する粘着力が、1N/25mm以上である、請求項1に記載の半導体加工用粘着テープ。 2. The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing has an adhesive strength of 1 N/25 mm or more to a SUS plate before irradiation with energy rays. エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、2N/25mm以下である、請求項1または請求項2に記載の半導体加工用粘着テープ。 3. The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1, wherein the adhesive strength to a SUS plate after energy beam irradiation is 2 N/25 mm or less.
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